【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 導電性ペーストを用いて太陽電池電極を形成するに当たり、工程の複雑化または煩雑化を招くことなく、太陽電池電極のアスペクト比を大きくすることができるとともに、ライン抵抗および比抵抗も優れたものとする。
【解決手段】 本発明に係る太陽電池電極形成用導電性ペーストは、ライン幅が８０μｍ以下の太陽電池電極を形成するために用いられ、（Ａ）銀粉末、（Ｂ）ガラスフリット、（Ｃ）有機バインダ、および（Ｄ）有機溶剤から少なくとも構成されている。（Ａ）銀粉末としては、（Ａ−１）アトマイズ銀粉および（Ａ−２）湿式還元銀粉の混合粉が用いられ、その混合割合が、アトマイズ銀粉／湿式還元銀粉＝７０／３０〜９９／１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 太陽光発電において、静電圧による絶縁破壊を防止することができる、太陽光発電モジュール等を提供する。
【解決手段】 支持体１１と、支持体上で発電素子を保持するフレキシブルプリント配線板１０とを備え、フレキシブルプリント配線板が、絶縁をとるための絶縁基材層１ｂ、および、絶縁基材層に固着されて発電素子を直列に接続する金属層からなる導電層パターン１ａ、を有し、少なくとも導電層パターンの端縁に沿って、当該端縁と絶縁基材層との段差を埋めるように被覆する絶縁破壊防止膜３を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層５上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第１導電層６ａと、第１導電層６ａ上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第２導電層６ｂとを備える電極構造６によって、上記課題を解決した。第２導電層６ｂは、粒径分布の異なる少なくとも２種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が９９．０質量％超であることが好ましい。高分子化合物を１２０℃以上１８０℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ソースガスから選択的に抽出されたＢイオンを、結晶基板の一方の主面側に注入して、必要なｐ型不純物濃度のプロファイルを形成することを可能とする、結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する受光面と、受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する、結晶基板１０１を備えた結晶太陽電池１００の製造方法であって、減圧雰囲気とした真空槽内に結晶基板を配して、真空槽内にＢ_２Ｈ_６分子を含むソースガスを導入し、ソースガスをプラズマ励起することにより、選択的にイオン化させたＢイオンを抽出し、前記結晶基板１００の片方の主面１０１ｂ側に注入して、Ｐ型半導体層１０２を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】第１真性非晶質半導体膜と第２真性非晶質半導体膜の間隔を広げても、光電変換効率が低減しないような太陽電池を提供する。
【解決手段】第１導電型のシリコン基板４の裏面上の一部領域に形成した、第１の真性非晶質半導体膜６及び第１導電型非晶質半導体膜８を順に積層した積層膜１６と、シリコン基板４の裏面上の他の領域に形成した、第２の真性非晶質半導体膜１２及び第２導電型非晶質半導体膜１３を順に積層した積層膜１５と、シリコン基板４の裏面に形成した第１導電型拡散層５とを有し、第１導電型拡散層５は、第１の真性非晶質半導体膜６を形成した領域と、第２の真性非晶質半導体膜１２を形成した領域との間の領域に形成した。 （もっと読む）

【課題】 多孔質半導体微粒子層への増感色素の吸着を、増感色素を含む電解液により行うことで、製造工程を簡略化した色素増感型太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基板上に、増感色素を担持した多孔質半導体粒子層からなる光電極層、電解液層および対向電極層をこの順で有する色素増感型太陽電池または光電変換素子の製造方法であって、導電性基板上に多孔質半導体微粒子層を形成する半導体層形成工程、前記多孔質半導体微粒子層を形成した導電性基板と対向電極層を形成した対向電極基板とを封止層を介して貼り合せて電解液注入層を形成する封止工程、５員環環状エーテルを電解液溶媒とし、増感色素と電解質成分からなる色素含有電解液を前記電解液注入層に注入する電解液注入工程、をこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンの表面をパッシベートできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、結晶シリコン基板１と、非晶質膜２と、電極３，６と、パッシベーション膜５とを備える。結晶シリコン基板１は、太陽光の入射方向に突出した凹部１ｃを含む凹凸構造を一方の表面に有する。結晶シリコン基板１は、太陽光の入射側に拡散領域１ａ，１ｂを含む。非晶質膜２は、非晶質相からなり、結晶シリコン基板１の凹部１ｃを含む凹凸構造に接して形成される。電極３は、結晶シリコン基板１の拡散領域１ｂに接して形成される。パッシベーション膜５は、結晶シリコン基板１の裏面に接して形成される。電極６は、結晶シリコン基板１の裏面およびパッシベーション膜５に接して形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させる。
【解決手段】複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程Ｓ１００と、複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程Ｓ１２０とを備える。モジュール工程Ｓ１２０は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程Ｓ１２４を含む。 （もっと読む）