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国際特許分類[H01L31/04]の内容

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【課題】 放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換部材を提供する。
【解決手段】 光電変換部材1は、第1の電極層20、a−Si(非晶質シリコン)によって形成されたnip構造を備えた単一の発電積層体22、及び、当該発電積層体22上に、ニッケル層24を介して成膜されたAlの第2の電極層26を有している。
第2の電極層26上にはSiCNを含む材料で構成されたパッシベーション層28が形成される。パッシベーション層28上には、接着剤層29を介してヒートシンク30(例えばAlによって形成)が取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】外部回路への相互接続を有する光起電力電池、ならびにそれに関連する構成要素、システム、および方法を開示する。
【解決手段】本願発明のシステムは、第1、第2の電極と、第1、第2の電極の間の光活性層と、第1の電極と電気的に接続された導電層と、導電層および第1の電極の間の第1の基板とを備え、第1の電極は導電層を介して外部負荷に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】光起電力セル同士の直列あるいは並列接続の相互接続に関する、接続方法の改良並びに低電気抵抗を目指した太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】相互接続を金属ステッチ、ステープル、グロメッと或いは金属テープ、ワイアなどにて、電気的に接続される太陽電池モジュール。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の欠陥検出の精度を改善する。
【解決手段】本発明の実施形態の欠陥検出装置は、検査対象である太陽電池セル9を保持する保持部10と、複数の点光源3を備える面光源4と、駆動制御信号を生成するピッチ制御部(5,7)と、駆動制御信号に基づいて、面光源4を移動させる移動機構(6,8)と、面光源4の発光パターンを制御する発光制御信号を生成する光源制御部13と、面光源4が発光した光に応じて太陽電池セル9に発生した電流の電流値を計測し、電流値を示す計測情報を生成する計測部11と、を備える。ピッチ制御部(5,7)は、複数の点光源3の間隔より小さいピッチで面光源4が移動するように、駆動制御信号を生成する。計測部11は、太陽電池セル9に対する面光源4の位置毎に、複数の計測情報を生成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子及び光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質の半導体基板110と、半導体基板110の背面の第1領域に形成され、第1不純物を含む非晶質の第1導電型半導体層162と、半導体基板110の背面の第2領域に形成され、前記第1不純物と異なる第2不純物を含む非晶質の第2導電型半導体層172と、前記半導体基板の背面上で、前記第1領域と前記第2領域との間に備えられるギャップパッシベーション層120と、を備え、ギャップパッシベーション層120上には、第1導電型半導体層162が備えられる光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚600nm以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をT1とし、成膜終了時の基体温度をT2とするとき、下記(1)〜(3)の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、CVD法を用いて、200Pa以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度300〜650℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
(1)T2=360〜380℃
(2)ΔT(T1−T2)=45〜65℃
(3)少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚200nmが達するまでに基体温度の下降を開始する。 (もっと読む)


【課題】 汚染物質に対する表面電界領域の露出を最少にし、キャップ領域に対する金属の位置合せを確実にして上部のメタライズされたコンタクト領域により遮られる入射光を最少にするように、太陽電池及び光検出器などの半導体光検出デバイスを作成する方法、並びにその方法によって作成される製品を提供すること。
【解決手段】 キャップエッチングステップ及び反射防止コーティングステップが単一の自己整合リソグラフィモジュールにおいて実施される、半導体光検出デバイス製造技術が提供される。 (もっと読む)


【課題】ワークの加工面の反射の状態に関わらず、変位センサの測定方式を切り換えたり、変位センサを交換したりせずにオートフォーカスを行えるようにする。
【解決手段】エラーアンプ213、モータドライバ214により構成される焦点調整部は、ワーク102の加工面でプローブ光が正反射された場合、正反射されたプローブ光が拡散反射板212により拡散反射された後、加工面で反射された反射光を用いて変位センサ211により測定された測定結果に基づいて、対物レンズ217の焦点の位置を調整する。また、焦点調整部は、加工面でプローブ光が正反射された場合、その拡散反射された反射光を用いて変位センサ211により測定された測定結果に基づいて、対物レンズ217の焦点の位置を調整する。本発明は、例えば、レーザ加工装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率に優れる有機無機複合薄膜太陽電池、及び、該有機無機複合薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】有機P型半導体化合物5中に、無機N型半導体化合物粒子6が存在する光電変換活性層11を有する有機無機複合薄膜太陽電池10であって、前記光電変換活性層11の光入射面側に、更に無機P型半導体化合物3を含有する光吸収層12が形成されており、前記光吸収層12は、厚みが25〜100nmである。 (もっと読む)


【課題】リークの発生を低減し、信頼性の高い光電変換装置を提供する
【解決手段】光電変換装置は、基板1と、該基板1上に設けられた第1電極層と、
該第1電極層上に設けられた光電変換層とを備えている。さらに、本光電変換装置は、前記光電変換層3上に設けられた第2電極層と、該第2電極層上に設けられた線状導電部5とを備えている。そして、本光電変換装置において、前記第1電極層は、絶縁部2Aを有しており、該絶縁部2Aは、平面視したときに線状導電部5と重なる位置にある。 (もっと読む)


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