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国際特許分類[H01L31/04]の内容

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【課題】第1真性非晶質半導体膜と第2真性非晶質半導体膜の間隔を広げても、光電変換効率が低減しないような太陽電池を提供する。
【解決手段】第1導電型のシリコン基板4の裏面上の一部領域に形成した、第1の真性非晶質半導体膜6及び第1導電型非晶質半導体膜8を順に積層した積層膜16と、シリコン基板4の裏面上の他の領域に形成した、第2の真性非晶質半導体膜12及び第2導電型非晶質半導体膜13を順に積層した積層膜15と、シリコン基板4の裏面に形成した第1導電型拡散層5とを有し、第1導電型拡散層5は、第1の真性非晶質半導体膜6を形成した領域と、第2の真性非晶質半導体膜12を形成した領域との間の領域に形成した。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】バスバーレス構造の太陽電池セルに対しても電気的特性の測定方法を提供する。
【解決手段】太陽電池セル2の表面に形成された線状電極3aに当接される複数のプローブピン4と、プローブピン4を保持するホルダ5とを備え、複数のプローブピン4が配列されてなり、線状電極3a上に配置されることにより太陽電池セル2の電流特性を測定する電流測定端子6と、複数のプローブピン4が配列されてなり、線状電極3a上に配置されることにより太陽電池セル2の電圧特性を測定する電圧測定端子7とを有し、電流測定端子6と電圧測定端子7とが並列して設けられている。 (もっと読む)


【課題】
平均線膨張係数が比較的小さく、高温の熱処理に耐えられる、無機金属や半導体との積層に特に好適なポリイミドフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンから得られる自己支持性フィルムを延伸し、イミド化してなるポリイミドフィルムであって、50℃〜200℃における平均線膨張係数(α1)が正の値であり、かつ350℃〜450℃における平均線膨張係数(α2)との比α2/α1の値が1.4以下の値を示すポリイミドフィルム。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い耐熱性を有し、光閉じ込め効果の高い薄膜太陽電池基板を得ることを目的とする。
【解決手段】基材層上に電極層が形成された薄膜太陽電池基板であって、該電極層の厚みが100nm以上500nm以下であり、該電極層の表面の凹凸の平均面粗さRaが20nm以上200nm以下であることを特徴とする薄膜太陽電池基板 (もっと読む)


【課題】 放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換部材を提供する。
【解決手段】 光電変換部材1は、第1の電極層20、a−Si(非晶質シリコン)によって形成されたnip構造を備えた単一の発電積層体22、及び、当該発電積層体22上に、ニッケル層24を介して成膜されたAlの第2の電極層26を有している。
第2の電極層26上にはSiCNを含む材料で構成されたパッシベーション層28が形成される。パッシベーション層28上には、接着剤層29を介してヒートシンク30(例えばAlによって形成)が取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】外部回路への相互接続を有する光起電力電池、ならびにそれに関連する構成要素、システム、および方法を開示する。
【解決手段】本願発明のシステムは、第1、第2の電極と、第1、第2の電極の間の光活性層と、第1の電極と電気的に接続された導電層と、導電層および第1の電極の間の第1の基板とを備え、第1の電極は導電層を介して外部負荷に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】光起電力セル同士の直列あるいは並列接続の相互接続に関する、接続方法の改良並びに低電気抵抗を目指した太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】相互接続を金属ステッチ、ステープル、グロメッと或いは金属テープ、ワイアなどにて、電気的に接続される太陽電池モジュール。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の欠陥検出の精度を改善する。
【解決手段】本発明の実施形態の欠陥検出装置は、検査対象である太陽電池セル9を保持する保持部10と、複数の点光源3を備える面光源4と、駆動制御信号を生成するピッチ制御部(5,7)と、駆動制御信号に基づいて、面光源4を移動させる移動機構(6,8)と、面光源4の発光パターンを制御する発光制御信号を生成する光源制御部13と、面光源4が発光した光に応じて太陽電池セル9に発生した電流の電流値を計測し、電流値を示す計測情報を生成する計測部11と、を備える。ピッチ制御部(5,7)は、複数の点光源3の間隔より小さいピッチで面光源4が移動するように、駆動制御信号を生成する。計測部11は、太陽電池セル9に対する面光源4の位置毎に、複数の計測情報を生成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子及び光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質の半導体基板110と、半導体基板110の背面の第1領域に形成され、第1不純物を含む非晶質の第1導電型半導体層162と、半導体基板110の背面の第2領域に形成され、前記第1不純物と異なる第2不純物を含む非晶質の第2導電型半導体層172と、前記半導体基板の背面上で、前記第1領域と前記第2領域との間に備えられるギャップパッシベーション層120と、を備え、ギャップパッシベーション層120上には、第1導電型半導体層162が備えられる光電変換素子。 (もっと読む)


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