【課題】レーザー光の照射エネルギーの利用効率を上げて一台のレーザーで多点の一括加工を容易に行い得るようにする。
【解決手段】無機絶縁膜２で被覆されたシリコン基板１面にレーザー光を照射して局所的に前記絶縁膜２を除去するレーザー加工方法であって、少なくとも前記基板１の表面を溶融させる程度の強度に設定された紫外域の第１のレーザー光Ｌ１を前記基板１面に照射して溶融させ、前記基板１の前記溶融部分ＭＰに前記第１のレーザー光Ｌ１の照射と同時に、又は一定の遅延時間を与えて前記第１のレーザー光Ｌ１よりも波長が長く、一定強度に設定された第２のレーザー光Ｌ２を照射して前記基板材料を蒸発させるものである。 （もっと読む）

【課題】硫化せず、高反射率を維持できる反射膜と、その反射膜を用いた装置を提供する。
【解決手段】
本発明の有機ＥＬ装置２ａでは、有機ＥＬ膜３６ａから放出され、本体基板１１ａ側に放出された発光光を反射膜４０ａで反射して、フロントパネル３９ａから放出させる。反射膜４０ａが有する銀薄膜は、銀以外の金属で酸化物を形成する添加金属を、銀と添加金属の合計原子数に対して０．５原子％以上含有し、酸素を、銀と前記添加金属と酸素の合計原子数に対して０．５原子％以上２０原子％以下の範囲で含有する。添加金属の酸化物が銀薄膜中の銀微小粒子を覆うので、イオウを含むガスが銀と接触せず、硫化が発生しない。 （もっと読む）

【課題】変換効率を向上させた光電変換素子及び太陽電池を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、光透過性を有する第１電極と、第２電極と、光吸収層とを備えた光電変換素子が提供される。光吸収層は、第１電極と第２電極との間に設けられる。光吸収層は、第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含みカルコパイライト型構造又はスタナイト型構造を有する化合物半導体を含む。光吸収層は、ｐ形部とｎ形部とを含む。ｎ形部は、ｐ形部と第１電極との間に設けられる。ｎ形部は、ｐ形部とホモ接合する。ｎ形部は、ドーパントを含む。ドーパントは、Bond Valence Sum計算で求めた形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素である。 （もっと読む）

【課題】短時間で、より少ない演算量で標準試験条件の光を照射した場合の太陽電池の短絡電流を求める事を目的とし、ソーラーシミュレータの光量調整を容易に行う。
【解決手段】太陽電池評価装置は、測定対象の太陽電池に、所定のスペクトルと所定の放射照度を持った測定光を照射し、前記太陽電池に、特定の光と実質的に相似のスペクトルを持ち、当該特定の光の放射照度よりも低い放射照度を持った相似光と当該測定光とを重畳した重畳光を照射し、前記測定光、又は、前記重畳光を受けたときの前記太陽電池の短絡電流を、それぞれ測定し、前記測定光を受けたときに前記測定部で測定された第１短絡電流と前記重畳光を受けたときに前記測定部で測定された第２短絡電流との差分、及び、前記相似光の放射照度に基づいて、前記太陽電池が前記特定の光を受けたときの第３短絡電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 導電性ペーストを用いて太陽電池電極を形成するに当たり、工程の複雑化または煩雑化を招くことなく、太陽電池電極のアスペクト比を大きくすることができるとともに、ライン抵抗および比抵抗も優れたものとする。
【解決手段】 本発明に係る太陽電池電極形成用導電性ペーストは、ライン幅が８０μｍ以下の太陽電池電極を形成するために用いられ、（Ａ）銀粉末、（Ｂ）ガラスフリット、（Ｃ）有機バインダ、および（Ｄ）有機溶剤から少なくとも構成されている。（Ａ）銀粉末としては、（Ａ−１）アトマイズ銀粉および（Ａ−２）湿式還元銀粉の混合粉が用いられ、その混合割合が、アトマイズ銀粉／湿式還元銀粉＝７０／３０〜９９／１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層５上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第１導電層６ａと、第１導電層６ａ上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第２導電層６ｂとを備える電極構造６によって、上記課題を解決した。第２導電層６ｂは、粒径分布の異なる少なくとも２種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が９９．０質量％超であることが好ましい。高分子化合物を１２０℃以上１８０℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 太陽光発電において、静電圧による絶縁破壊を防止することができる、太陽光発電モジュール等を提供する。
【解決手段】 支持体１１と、支持体上で発電素子を保持するフレキシブルプリント配線板１０とを備え、フレキシブルプリント配線板が、絶縁をとるための絶縁基材層１ｂ、および、絶縁基材層に固着されて発電素子を直列に接続する金属層からなる導電層パターン１ａ、を有し、少なくとも導電層パターンの端縁に沿って、当該端縁と絶縁基材層との段差を埋めるように被覆する絶縁破壊防止膜３を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソースガスから選択的に抽出されたＢイオンを、結晶基板の一方の主面側に注入して、必要なｐ型不純物濃度のプロファイルを形成することを可能とする、結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する受光面と、受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する、結晶基板１０１を備えた結晶太陽電池１００の製造方法であって、減圧雰囲気とした真空槽内に結晶基板を配して、真空槽内にＢ_２Ｈ_６分子を含むソースガスを導入し、ソースガスをプラズマ励起することにより、選択的にイオン化させたＢイオンを抽出し、前記結晶基板１００の片方の主面１０１ｂ側に注入して、Ｐ型半導体層１０２を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）