【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第１の保持手段と、第１の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第２の保持面を備えた第２の保持手段と、第1の保持手段と第２の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高電流密度において高効率を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光デバイスを開発する。
【解決手段】ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。発光層はドープされた厚い層である。幾つかの実施形態において、発光層は２つのドープされたスペーサ層の間に挟まれる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、光の反射効率の最大化によって光抽出効率を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子２００は、第１の導電型半導体層２３６、活性層２３４及び第２の導電型半導体層２３２を含む発光構造物と、第１の電極層２１０と、発光構造物と第１の電極層との間に配置された第２の電極層２２０と、第２の導電型半導体層の下側で第２の電極層の縁部を取り囲み、第２の電極層と第１の電極層との間に配置された絶縁層２４０とを含み、第２の電極層は、第２の導電型半導体層と接し、互いに所定間隔だけ離隔するように配置された複数の第１の反射層２２２を有し、第１の電極層は、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの所望の特性を犠牲にしたり変更することなしに、ＧａＮベースＬＥＤを低コストで大量生産する。
【解決手段】金を含む第１の金属層と、第１の金属層上の第１の電極と、第１の電極は反射層として機能し、第１の電極上に第１の表面を有するＧａＮ半導体構造と、半導体構造は、第１の種類の層、第１の種類の層上の活性層、及び、活性層上の第２の種類の層を備え、第１の種類の層と第１の電極の間の緩衝層と、緩衝層は、ＧａＮ半導体構造を支持し、半導体構造の第２の表面上の第２の電極と、第２の表面は、第１の表面の反対側にあり、第２の電極上の金を含む第２の金属層パッドと、を備え、第１の電極および第２の表面は、第１の電極が活性層からの光を第２の表面に向けて反射させて第２の表面を通過させるように構成され、第１の電極および第２の電極は、半導体構造の反対の表面上にそれぞれ配置され、それにより、装置の輝度を向上させ、第１の電極の幅は、第２の金属層の幅より大きい、発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】デバイス品質の良好なＩｎＮ／ＧａＮヘテロ構造の半導体光素子を提供する。
【解決手段】基板１、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型ガイド層４、活性層５、ｐ型ガイド層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８を順に積層して構成されている。またｎ型コンタクト層３上には第一の電極９が、ｐ型コンタクト層９上には第二の電極１０が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層５に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に設けられ発光に必要なバイアス電圧の上昇が抑制された窒化物半導体発光素子と、この窒化物半導体発光素子の作製方法とを提供すること。
【解決手段】半極性面の主面１３ａを有する六方晶系窒化物半導体からなる支持基体上に設けられた発光層１７の多重量子井戸構造は、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃとバリア層１７ｂとからなり、バリア層１７ｂは、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃの間に設けられ、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、ＩｎＧａＮからなり、井戸層１７ａ及び井戸層１７ｃは、０．１５以上０．５０以下の範囲にあるインジウム組成を有し、六方晶系窒化物半導体のｃ面に対する主面１３ａの傾斜角αは、５０度以上８０度以下の範囲、及び、１３０度以上１７０度以下の範囲、の何れかの範囲にあり、バリア層１７ｂの膜厚の値Ｌは、１．０ｎｍ以上４．５ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）