【課題】完全差動型オペアンプの動作の安定度を向上し、高速動作を可能にする。
【解決手段】差動増幅部は、第１ステージの第１の差動増幅回路と、第２ステージの第２の差動増幅回路２から構成される。位相補償回路５は、第２の差動増幅回路２の差動入力端子と差動出力端子との間に接続されている。第１のＣＭＦＢ回路３は、第１ステージの差動増幅回路１の差動出力電圧ＶＰ，ＶＮの第１の同相電圧ＶＣ１が第１の基準電圧になるように、第１の差動増幅回路１をフィードバック制御する。第２のＣＭＦＢ回路４は、第２の差動増幅回路２の差動出力電圧ＶＯＵＴＰ，ＶＯＵＴＮの第２の同相電圧ＶＣ２が第２の基準電圧になるように、第２の差動増幅回路２をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】レールツーレールＤＭＯＳ増幅器の出力ステージにバイアスをかけるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本願発明は、増幅器であって、入力信号を受け取るための入力ステージと、前記入力ステージに連結されると共に、前記入力信号に応答して出力ドライバステージに対して駆動信号を提供する高利得ステージと、前記出力ドライバステージに連結された出力端子とを具備することを特徴とする。前記出力ドライバステージは、前記高利得ステージから第１の駆動信号“ｐｄｒｉｖｅ”を受け取る第１の端子、第１の電圧降下を通じてＶＤＤに連結された第２の端子、及び、前記増幅器の前記出力端子に連結された第３の端子を有する高電位側ドライバ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】同相入力電流成分に対する耐性を大きくする。
【解決手段】差動トランスインピーダンス増幅器は、入力信号合成回路１２で得られた、入力端子ＩＴ，ＩＣのそれぞれの信号を合成した同相入力電圧と、出力信号合成回路１５で得られた、出力端子ＯＴ，ＯＣのそれぞれの信号を合成した参照電圧との差電圧に応じた制御信号を制御用増幅器１３で生成し、可変電流源ＩＳ１，ＩＳ２で、この制御信号に応じた量の電流を入力電流信号から引き抜く。入力信号合成回路１２は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３と、容量Ｃ３１とから構成される。出力信号合成回路１５は、抵抗Ｒ４１〜Ｒ４３と、容量Ｃ４１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低減された半導体装置を提供することである。
【解決手段】入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅器の消費電流の増加を伴うことなく、良好なＮＦを得ることのできる受信機を提供する。
【解決手段】負荷抵抗としての抵抗Ｒ１とこれに直列に接続されたＭＯＳトランジスタＭ１からなるシングル増幅回路１と、ＭＯＳトランジスタＭ２およびＭ３からなる差動対を有する差動増幅回路２とから高周波増幅器１０を構成する。ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに増幅対象の信号を入力し、シングル増幅回路１の出力をＤＣバイアスカット用のキャパシタＣ１を介して差動増幅回路２の差動対の一方のＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに入力し、他方のＭＯＳトランジスタＭ３は無入力とする。ＭＯＳトランジスタＭ２およびＭ３からなる差動対の出力信号を、高周波増幅器１０の出力信号として出力する。高周波増幅器１０のＮＦが改善されるため受信機１００のＮＦが改善されることになる。 （もっと読む）

【課題】加工コストを増大させず、適応型バイアシング出力段を用いた高スイング演算増幅器を提供する。
【解決手段】出力段１２３は、ＶＤＤＡノードと出力ノードとの間のプルアップ電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ３及びバイアシングトランジスタＴ４）を含み、前記出力ノードと接地ノードとの間のプルダウン電流経路内において直列に結合された２つのトランジスタ（スイッチングトランジスタＴ１及びバイアシングトランジスタＴ２）も含む。前記バイアシングトランジスタＴ４，Ｔ２を提供することは、前記トランジスタＴ３，Ｔ４において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタＴ１〜Ｔ４がＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 （もっと読む）

【課題】シングルエンド−差動変換器を備えた半導体装置において、理想的な出力差動電流特性が得られる周波数の上限を向上させる。
【解決手段】入力電圧Ｖinを、パッケージ３の外部電極ＰＩＮ１に入力し、外部電極ＰＩＮ１、ボンディングワイヤＷｉｒｅ１、チップ２の入力端子ＰＡＤ１、シングルエンド−差動変換器１の入力端子Ｔin１を介してゲート接地のＭＯＳトランジスタＭ１のソースに伝達する。また、外部電極ＰＩＮ１、ボンディングワイヤＷｉｒｅ２、チップ２の入力端子ＰＡＤ２、シングルエンド−差動変換器１の入力端子Ｔin２を介してソース接地のＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに伝達する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を大きくすることなく、差動対を高速/高消費電流と、低速/低消費電流の両方で動作させることができるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】差動回路５ａは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２と、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流量が少なくとも２つのレベルで切替わるように、切替可能なテール電流を供給するテール電流源６８とを備える。差動対トランジスタＮ１，Ｎ２は、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流の減少に伴って、σ(ΔI/gm)の値が単調に減少する特性を有する、ただし、σは標準偏差、ΔＩは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２の電流量の差分、ｇｍは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２のトランスコンダクタンスを表わす。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で歪を抑制しつつ消費電流を低減する。
【解決手段】増幅回路１００は、正入力端子Ｔ１と負入力端子Ｔ２とに供給される電圧の差分を増幅し差分電圧Ｖａを出力する差動増幅部１０と、入力信号Ｖｉｎの電圧を検出し検出電圧Ｖｂを出力する入力電圧検出部２０と、正電源電圧＋Ｖｃｃが供給される正電源端子Ｔ６と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吐き出すＰＭＯＳ３１と、負電源電圧−Ｖｃｃが供給される負電源端子Ｔ７と出力端子Ｔｏｕｔとの間に設けられ、出力端子Ｔｏｕｔから電流を吸い込むＮＭＯＳ３２とを有する出力部３０とを備える。 （もっと読む）