【課題】気体電離を促進する高いエネルギーを持つ電子を気体中に照射し、放電装置の放電開始電圧を低下させるとともに、空間的に均一な放電を発生させるプラズマイグナイタ及びこれを搭載した装置の提供。
【解決手段】プラズマイグナイタ３は、ホットエレクトロン、準弾道電子、又は弾道電子を生成する半導体もしくは導電性基板４上に形成された電子ドリフト層５と、電子ドリフト層５上に形成された表面電極６とからなり、大気圧プラズマ処理装置に搭載する。 （もっと読む）

高蒸着スパッタリングのための方法および装置が記載されている。スパッタリング源は、アノードと、アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリとを備える。カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える。電離源は、アノードおよびカソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる。電源はアノードとカソードアセンブリとの間に電場を形成させ、電場は弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出す。強電離プラズマは第一の複数のイオンを含み、第一の複数のイオンはスパッタリングターゲットに衝突してスパッタリングターゲット中に十分な熱エネルギーを発生させ、スパッタリングターゲットのスパッタ率をスパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させる。
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【課題】デブリによるコレクターの損傷を効果的に抑制することを可能にする極紫外光発生装置を提供する。
【解決手段】放電ガスをキャピラリ１１Ｃに供給する放電ガス導入路１０と、同軸円筒状のキャピラリ１１Ｃが中心部に配置されその周囲は絶縁体で作られたキャピラリ構造体１１と、前記キャピラリ１１Ｃの両端と接続する陽極１２及び陰極１３とを備えており、前記キャピラリ１１Ｃの軸上前方にノズル１７及びデフューザ１８を設け、前記ノズル１７からカーテンガスを送出し前記デフューザ１８で前記カーテンガスを回収するデブリシールド機構を前記キャピラリ１１Ｃの近傍に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置において、下側電極に形成された孔部に対応する部位でも他の部位と大きな差が無く均一に表面処理を行なう。
【解決手段】
上記放電空間を形成するための上側電極１と下側電極２を対向配置し、下側電極２に孔部２ａを形成する。この孔部２ａを通して昇降ピン３の上端の導電性のキャップ２ｂで基材８を支持する。昇降駆動手段５でキャップ２ｂを突出位置と下限位置との間で昇降させる。下限位置のときのキャップ２ｂの上面が、下側電極２の上面と面一に略連続して孔部２ａの上端開口を閉塞するようにする。
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【課題】金属内包炭素クラスターを高能率、高収率で製造するために、安定して大量に内包元素を含むプラズマの流れを生成できる高密度イオン源が必要とされている。金属内包炭素クラスター製造装置用の高密度イオン源が実現できれば、これを半導体デバイス製造用イオン打ち込み装置で必要とされる不純物注入イオン源としても活用したい。
【解決手段】本発明は、前記課題を解決するために、以下の構成を採用した。すなわち、内包対象元素を真空容器（イオンチャンバー）内で高温の金属電極と接触させて、イオン化する。接触電離できなかった中性元素に高温電極部から発生する熱電子を加速して衝突させ、イオン化率を高める。前述のイオンチャンバーにはイオン引き出し電極部があって、イオンチャンバー内で生成したプラズマから帯電したイオンを引き出して、イオンを必要とする内包化処理部にイオンビームとして提供する。 （もっと読む）

グローからアークへの遷移を抑制することによって、グロープラズマ放電を安定化するための本発明の方法および装置は、上面および下面ならびに貫通する多数の穴を有する有孔誘電体を含む。有孔誘電板はカソード上に配置される。各々の穴は、総電流密度がグロー・アーク遷移の閾値を超えて増加するのを防止する、別個の有効電流制限マイクロチャネルとして働く。これは、安定したグロー放電が広範囲の動作圧力（大気圧まで）に対し、かつ変動する強度のＤＣおよびＲＦ電界をはじめとする広範囲の電界で、維持されることを可能にする。
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【課題】 電極を確実に絶縁できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の電極３１は、プラズマ化空間３０ａから基材Ｗへ向かう方向とは直交する方向に延びている。電極３１のプラズマ化空間３０ａを形成する側とは逆側に金属製のフレーム部材２２Ｌを設ける。電極３１とフレーム部材２２Ｌの間には、絶縁性のスペーサ７０，７５を電極３１の長手方向に間欠的に配置する。電極３１と基材Ｗ配置位置の間には、電気的に接地された導電部材５０を介在させ、この電極３１と導電部材５０の間にＬ形をなすスペーサ７０の第２側部７２を介在させる。隣り合うスペーサ７０，７５どうしの間には絶縁空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などの被処理物の厚みを考慮することなく表面処理を行うことにより表面処理効率の低下を防止することができ、かつ、被処理物のプラズマダメージを大幅に低減することができる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧又はその近傍の圧力下においてプラズマにより被処理物の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置１０であって、アースに接続され被処理物Ｍの表面に対して略直交するように配置された第１電極２８と、第１電極２８に対向するように配置され第１電極２８との間に放電空間３４を形成する第２電極２２と、第２電極２２にマッチング回路２４を介して接続され第２電極２２に高周波電力を供給する高周波電源２６と、放電空間３４に処理ガスを供給する処理ガス供給手段２０と、を有する構成とした。 （もっと読む）

強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
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本発明は、マイクロ波プラズマノズルアレイシステム、およびマイクロ波プラズマノズルアレイを構成するための方法を提供する。マイクロ波は特定の方法でマイクロ波キャビティ（３２３）へと搬送され、マイクロ波キャビティ（３２）内に高エネルギー領域（６９）を備える干渉パターン（６６）を形成する。高エネルギー領域（６９）は、マイクロ波の位相および波長によって制御される。複数のノズル素子（３６）がアレイ（３７）に設けられている。それぞれのノズル素子（３６）は部分的にマイクロ波キャビティ（３２）内に配置されている部分（１１６）を持っており、ガスを受け入れ、そこを通過させる。ノズル素子（３６）は高エネルギー領域（６９）の１つからマイクロ波エネルギーを受け取る。ノズル素子（３６）はそれぞれが、マイクロ波が集中する先端部（１１７）を持つロッド状コンダクタ（１１４）を備えており、そして受け入れられたガスを使ってプラズマ（３８）が発生される。
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