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国際特許分類[H05H1/24]の内容

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【課題】 本発明は、処理対象となるワークの表面状態に応じて、所定の濡れ性となるように、適切なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明は、ワーク表面に所定の濡れ性を付与するために、チャンバ202内にワークWを導入して、これにプラズマ処理を行う処理装置本体と、チャンバ202内に配設され、ワーク表面の濡れ性を測定する測定手段205と、処理装置本体および測定手段205を制御する制御手段207と、を備え、制御手段207は、測定手段205による測定結果に基づいて処理装置本体を制御することにより、ワーク表面が所定の濡れ性となるようにプラズマ処理強度を調整することを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、マイクロ波プラズマノズルアレイシステム、およびマイクロ波プラズマノズルアレイを構成するための方法を提供する。マイクロ波は特定の方法でマイクロ波キャビティ(323)へと搬送され、マイクロ波キャビティ(32)内に高エネルギー領域(69)を備える干渉パターン(66)を形成する。高エネルギー領域(69)は、マイクロ波の位相および波長によって制御される。複数のノズル素子(36)がアレイ(37)に設けられている。それぞれのノズル素子(36)は部分的にマイクロ波キャビティ(32)内に配置されている部分(116)を持っており、ガスを受け入れ、そこを通過させる。ノズル素子(36)は高エネルギー領域(69)の1つからマイクロ波エネルギーを受け取る。ノズル素子(36)はそれぞれが、マイクロ波が集中する先端部(117)を持つロッド状コンダクタ(114)を備えており、そして受け入れられたガスを使ってプラズマ(38)が発生される。
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アークの開始時において、電力供給からの電流をプラズマから迂回させるdcプラズマ処理を動作し、それによって、エネルギーが電力供給装置からプラズマへと流れることを妨げ、次いで、電力供給装置がプラズマへのエネルギーの流れを再び有効にする場合に、再びエネルギーを流れさせる、新たな装置および方法が本発明によって提供される。アークの開始において、プラズマから電流を迂回させるために、電力供給装置の出力部に接続される、迂回手段であって、迂回手段は、アークが出力部上にて検出され、第1の所定の時間の間、電流を迂回させる場合に、作動され、迂回手段は、電流がゼロに到達する前に第1の所定の時間の終了時に解放され、ここで電流はプラズマに向けなおされ、迂回手段は、アークが消滅されない場合において、第2の所定の時間の終了時に再稼動される、手段とを備える。
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【課題】 耐久性が高くて長時間連続して放電を安定して発生させることができる放電用電極を提供する。
【解決手段】 収納凹部1を有するカバー材2をセラミック焼結体で形成する。収納凹部1に電極3を設けると共に収納凹部1内の面に電極3の表面を密着させる。セラミック焼結体はセラミックの溶射コーティング層に比べて、空隙率を小さくして緻密にすることができ、このセラミック焼結体のカバー材2で電極3を被覆することにより、放電時に絶縁破壊が起こりにくくなってカバー材2の損傷を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 低電圧でプラズマを発生させることのできる電極構造を有し、試料表面に高速かつ低ダメージな処理を行なうプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】 誘電体11を挟んだ少なくとも一組の金属電極5、6を試料Jに対向して設置し、電極金属電極5、6の一方を接地し他方に電源Gによって高周波電圧を加えると共に、反応ガス供給口2から反応ガスを誘電体11の試料対向面11Aに供給することによってプラズマPを発生させ試料Jの表面を処理する装置において、電極金属電極5、6間の誘電体11が試料対向面11Aに窪み10を有することにより、低電圧でプラズマPを発生させて、試料Jの表面処理を行なう。 (もっと読む)


本発明によって、プラズマに対して出力電力を制御するために、負荷のダイナミックインピーダンスに基づいて、電力供給装置に対する制御信号を自動的に調節するdcマグネトロンプラズマ処理システムのための装置および方法が提供される。電力をプラズマに供給する電力供給装置の出力電圧および出力電流は、スイッチング周波数よりも少なくとも4倍から5倍高いサンプリング周波数を介してサンプリングされる。また、プラズマのダイナミックインピーダンスは、Rplasma=ΔV/ΔIのアルゴリズムから、サンプリングされた電圧および電流に基づいて計算される。ここで、ΔVおよびΔIは、一つのスイッチングサイクルにおける複数のサンプル間の最大ΔI差である。得られたダイナミックインピーダンスが本質的に負である場合、その制御信号はその結果に従い、補償される。
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【課題】凹凸のある異形被処理物の処理したい部分のみを正確に、短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び装置を提供すること。
【解決手段】第1の電極201を有するプラズマ源と上記被処理物を介して対向となる位置に配置させた第2の電極202に被処理物209を載置し、アクリル製の円筒型容器212と結合させたプラズマ源211を下降させることにより、シール材214が上記被処理物の周辺の全周と密着するとともに、プラズマ源と被処理物が所定の距離になる。この状態で、排気口215から排気装置216によって、容器内を低圧にし、ガス供給装置207およびガス配管206を介し、所定の流量のHeとO2の混合ガスをガス供給口205より供給しつつ、第1の電極201を接地し、第2の電極202に高周波電源204より電力を供給することによってプラズマを発生させ、被処理物の表面を処理することができる。 (もっと読む)


【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部1a,1bを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器1と、高周波電源7と、前記反応容器1の一方の壁面部1aの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第1のコイル4と、前記反応容器1の他方の壁面部1bの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第1のコイル4と対向する位置に配置された第2のコイル5とを備え、前記高周波電源7より前記第1のコイル4及び前記第2のコイル5に高周波電流を流すことによって前記壁面部1a,1bの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面1a,1b間に強電界を形成し、前記反応容器1内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器1内のガス雰囲気中に位置する被処理物10に対して所望のプラズマ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 活性化前の原料が基材に付着することを防止して、良質な薄膜形成を可能とする。
【解決手段】この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。また、薄膜形成装置には、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように放電空間にガスを供給し、活性化されたガスで基材を晒すことで、基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部が設けられている。ガス供給部は、活性化以前のガスが基材に接しないように、ガスを放電空間まで案内する案内手段を有している。 (もっと読む)


【課題】 内外二重の電極構造を有するプラズマ処理装置において、組み付けの精度等による芯ずれの問題を解消する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の環状の第1電極30に雌ネジ孔30cを形成する。第1電極30の内部には、環状の第1ホルダ部13を配置する。この第1ホルダ部13の内側から第1ネジ部材17を雌ネジ孔30cにねじ込み、第1電極30を所定の基準位置に固定する。この第1電極30を環状の第2電極40で囲み、その外側の第2ホルダ部14には、第2ネジ部材18を周方向に離間して複数設ける。これらネジ部材18を第2電極40に押し当て、第2電極40を芯出しする。 (もっと読む)


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