【課題】 プラズマ処理装置において、きわめて短時間にガスの置換を行なうことが可能な装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下であるプラズマ発生空間１６に対して所望のガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるための３以上の電極５ａ，５ｂ，５ｃと、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるために上記３以上の電極の中から選択された１以上の電極である電圧印加対象電極に電圧を印加するための電源６と、プラズマ発生空間１６内におけるプラズマ８の発生する領域が互いに異なる第１の発生領域と第２の発生領域との間で切り替わるように、上記電圧印加対象電極の選択を切り替えるための電圧印加状態切替手段としてのスイッチング回路７とを備える。 （もっと読む）

流体を処理するための装置はコロナ放電装置（６０２）および電源（６０１）を含む。コロナ放電装置（６０２）は、所定の範囲内の電極間の合計のキャパシタンスを提供するように互いに近くに位置付けられる少なくとも１つのコロナ放電電極（６０３）および少なくとも１つのコレクタ電極（６０５）を含む。電源（６０１）は電力信号をコロナ放電電極およびコレクタの電極（６０３，６０５）に供給するように接続されるため、コロナ電流がコロナ放電電極とコレクタの電極（６０３，６０５）との間に流れる。生成される電力信号の電圧の交流成分の振幅は電力信号の電圧の直流成分の振幅の１０分の１を超えない。電圧の交流成分はそのような振幅および周波数であるため、電圧の最も高い高調波の交流成分の振幅を電圧の直流成分の振幅で除した比率は、コロナ電流の交流成分の最も高い高調波の振幅をコロナ電流の直流成分の振幅で除した比率を大きく下回り、すなわち、（Ｖａｃ／Ｖｄｃ）＜（Ｉａｃ／Ｉｄｃ）である。
（もっと読む）

本発明は、プラズマ源に関するものであって、第１幅を有しているとともに、頂部と壁部とを備えて構成された、放電キャビティと；頂部に配置され、かつ、頂部から外向きに延出されているとともに、頂部を貫通しかつ放電キャビティ内にまで延出されている開口が形成された、ノズルであり、開口が第２幅を有し、この第２幅が第１幅よりも小さなものとされた、ノズルと；を具備している。プラズマ源は、さらに、電源と；放電キャビティ内にイオン化可能ガスを導入し得るよう放電キャビティ内に配置された導管と；電源に対して接続されたカソード電極と；を具備し、カソード電極は、放電キャビティ内において、少なくとも１つのマグネトロン放電領域を支持することができる。プラズマ源は、さらに、壁部に隣接して配置された複数の磁石であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成するものとされた、複数の磁石を具備している。
（もっと読む）

【課題】被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３および２４をそれぞれ有するガス供給管４および５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、拡散防止用ガスＧＳを噴出することにより、処理空間ＳをエアカーテンＡＳで囲んで、処理ガスＧ１が拡散するのを防止するエアカーテン生成部１５、１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

【課題】０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１電極１と第２電極２が平行に配置され、第２電極２上に被処理物３が配置される。第１電極１は裏板４を介して接地されている。第１ガス供給装置５から第１配管６を介して第１ガス溜まり７に不活性ガスとしてのヘリウムガスが供給され、第２ガス供給装置８から第２配管９を介して第２ガス溜まり１０に反応性ガスとしてのＳＦ₆ガスが供給される。ヘリウムガスを、第１ガス噴出口１２から噴出させるとともに、ＳＦ₆ガスを、第２ガス噴出口１３から噴出させつつ、高周波電源１１を操作して第１電極と第２電極間に電圧を印加すると、第１電極１と被処理物３の間に面状のプラズマが発生し、被処理物の表面を高速でエッチングすることができた。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマイオン注入方法は、処理チャンバ、該処理チャンバ内にプラズマを生成するためのソース、処理チャンバ内で基板を保持するためのプラテン、該プラテンから離隔された陽極、及びプラズマから基板へイオンを加速するための注入パルスを生成するパルスソースを有するプラズマイオン注入装置を与える工程を含む。ひとつの態様において、注入処理のパラメータは注入イオンと基板との間の不所望な相互作用の効果を少なくとも部分的に補償するよう変更される。例えば、ドーズ率、イオンエネルギーまたはその両方が注入処理中に変更される。他の態様において、前処理工程は、陽極から二次電子を放出させるようプラズマから陽極へイオンを加速する工程と、基板の前処理中に陽極から基板へ二次電子を加速する工程を含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマイオン注入のための方法が、プロセスチャンバ、該プロセスチャンバにプラズマを形成する発生源、プロセスチャンバに基板を保持するプラテン、およびプラズマから基板にイオンを加速する電圧源を含むプラズマイオン注入システムを用意し、基板のプラズマイオン注入から生ずる付着膜の組成物に似た新しいコーティング膜を、新しいコーティング膜を形成する前にプロセスチャンバの内側表面に付着し、一つ以上の活性化されたクリーニング前駆体を使用して古い膜を除去することにより、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングし、プラズマイオン注入プロセスにしたがって基板へのプラズマイオン注入を行い、プロセスチャンバの内側表面をクリーニングすること、および新しいコーティングに続いて一つ以上の基板に対してプラズマイオン注入をおこなうことの工程を繰り返すことを含む。
（もっと読む）

活性材料含有コーティングを基材上で形成させる方法であって、本方法は：
ｉ）プラズマ環境内で化学結合形成反応する１種以上のガス状もしくは噴霧状液体および／または固体のコーティング形成材料、ならびに、プラズマ環境内で実質的に化学結合形成反応しない１種以上の活性材料を、大気圧〜低圧非熱平衡プラズマ放電および／またはこれから結果得られてくる励起ガス流中に導入するステップ
ｉｉ）該基材を、該基材表面上に沈着される噴霧状コーティング形成材料および少なくとも１種の活性材料の、結果的に得られてくる混合物に晒し、コーティングを形成させるステップ
を含み、ここで該基材が、ワイプ、家庭ケア用もしくは脱毛ケア用布もしくはスポンジ、または水溶性家庭クリーニング用単位用量製品でない。
（もっと読む）