【課題】接合後に第１，第２の接合対象部材の接合信頼性を高め、更に第１，第２の接合対象部材間の間隔を高精度に制御できる接合用組成物及び接合構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接合用組成物は、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合するために用いられる。本発明に係る接合用組成物は、金属原子含有粒子を含む接合材料と、粒子径のＣＶ値が１０％以下である導電性粒子２１とを含有する。本発明に係る接合構造体１は、第１の接合対象部材２と、第２の接合対象部材３，４と、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合している接合部５，６とを備える。接合部５，６は、上記接合用組成物を加熱して、上記金属原子含有粒子を焼結させることにより形成されている。第１，第２の接合対象部材２，３，４間に、導電性粒子２１が配置されている。 （もっと読む）

【解決手段】アルジトール（Ａ）、および下記式（１）に示す繰り返し構造単位を有する重合体（Ｂ）を含有することを特徴とするフラックス組成物。


（式中、Ｒ¹は水素原子またはメチル基を示す。Ｚはヒドロキシル基、オキソ基、カルボキシル基、ホルミル基、アミノ基、ニトロ基、メルカプト基、スルホ基、オキサゾリン基、イミド基、アミド構造を有する基またはこれら基を有する基を示す。）
【効果】フラックス組成物を用いて、ピラーバンプなどのバンプが設けられた基板の電気的接続をリフローにより行うと、バンプがリフロー時にフラックスから露出することがなく、良好な接続構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＧＡ等の部品を立設した部品付き配線基板を高い効率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】主面の両端部において、上端のエッジ部が面取りされてなる凸状の第１の係合部材又は孔入口のエッジ部が面取りされてなる第１のガイド孔が形成されてなる部品立て治具を準備し、主面の両端部において孔入口のエッジ部が面取りされてなる第２のガイド孔又は上端のエッジ部が面取りされてなる凸状の第２の係合部材が形成されてなる配線基板ガイド治具を準備する。次いで、部品立て治具の第１の係合部材又は第１のガイド孔と、配線基板ガイド治具の第２のガイド孔又は第２の係合部材とを、部品立て治具及び配線基板ガイド治具のいずれか一方の自重によって係合して一体化する。次いで、一体化した配線基板ガイド治具の開口部内に配線基板を配置し、配線基板の部品立て治具側の面に形成したはんだをリフローさせて、部品立て治具内の部品を配線基板に接続する。 （もっと読む）

【課題】濡れ性に優れ、かつはんだボールの発生を抑制し得る、ディップはんだ付用の新規なフラックスを提供すること。
【解決手段】芳香族アルコール（Ａ）にα，β不飽和カルボン酸変性ロジン（Ｂ）を溶解させてなるディップはんだ付け用フラックス。 （もっと読む）

【課題】凝固収縮割れの発生を抑制できる半田材およびその半田材が用いられた半導体装置を提供する。
【解決手段】半田材４は、固相線の直上の温度における固相率が３０％以上となる組成を有する。 （もっと読む）

【課題】半田付けによる回路基板への電子部品の実装において、半田付けの信頼性を高めると共に実装スペースを縮小する。
【解決手段】ランド１１を有する回路基板３と、前記ランドに電気的に接続される板状のリード端子１０を有する電子部品２と、を備え、前記リード端子が前記ランドにレーザー半田付けされてなる電子機器１の製造方法であって、前記ランドに前記リード端子を立設し、前記リード端子の一部に設けられる露出した照射面にレーザー光線を照射して、前記ランドに設けられたクリーム半田１３を溶融する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇ含有率が低いはんだ合金でありながら、接合強度を向上させたはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ａｇが０．１〜１．０重量％、Ｃｕが０．５〜３．０重量％、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＹｂからなる群から選んだ１種の元素が０．００５〜０．５重量％、および残部がＳｎおよび不可避不純物よりなることを特徴とするはんだ合金。また、Ａｇが０．１〜１．０重量％、Ｃｕが０．５〜３．０重量％、Ｙ、ＧｄおよびＤｙからなる群から選んだ１種の元素が０．００５〜０．１重量％、および残部がＳｎおよび不可避不純物よりなることを特徴とするはんだ合金。鉛フリーはんだ合金の主成分であるＳｎに、高価なＡｇの添加を最小限にとどめた上で、上記元素を所定の濃度添加することで、接合強度を大きく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁板中に半導体チップがフリップ接続で埋設、実装された部品内蔵配線板において、フリップ接続の信頼性向上、配線板としての機能性の保全、および低コスト化。
【解決手段】積層状の第１、第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられた最外層の第１の配線パターンと、第２の絶縁層上に設けられた他方の最外層の第２の配線パターンと、第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体チップと、第１の絶縁層と第２の絶縁層とに挟まれた、半導体チップ用の実装用ランドを含む第３の配線パターンと、端子パッドと実装用ランドとの間に挟設された導電性バンプと、半導体チップと第１の絶縁層および第３の配線パターンとの間に設けられた樹脂とを具備し、第１の配線パターンの第１の絶縁層側とは反対側および第２の配線パターンの第２の絶縁層側とは反対側が粗化されていない一方、第３の配線パターンの第２の絶縁層側の表面が粗化されている。 （もっと読む）

【課題】スプリング端子付き基板において、スプリング端子のはんだ接続部を補強すること。
【解決手段】接続パッドＰを備える基板１０と、接続部３２がはんだ層２２によって接続パッドＰに接続されたスプリング端子３０と、はんだ層２２の側面を覆って形成された補強樹脂部２４とを含む。はんだ層２２及び補強樹脂部２４は、樹脂含有はんだペーストから形成される。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）