めっき方法、めっき処理液及び導電性パターンシート
【課題】経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供する。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法、めっき処理液及び導電性パターンシートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
不導体表面に導電性を付与する方法として、無電解めっき法を用いる方法が知られている。この無電解めっき法は、不導体表面に無電解めっき用触媒を付与した後、無電解めっきを行うのが一般的である。
【０００３】
無電解めっき用触媒としてはパラジウムを用いる方法が知られているが、パラジウムは不導体表面等への付着性が強いため、目的とする領域以外の部分にも付着し、洗浄しても取れないことから、めっき皮膜を付着させる／させないのｏｎ／ｏｆｆ比が小さい、パラジウム自体が高価であり、経済的な負荷が大きい等の課題を抱えている。
【０００４】
また、銀パラジウム微粒子、銀微粒子を触媒核（例えば、特許文献１参照。）として、直接微粒子を被めっき基板に付着させる方法が知られているが、微粒子の溶液中での安定性が十分でなく、これを向上させるための方法として、微粒子表面を分散剤またはポリマーで被覆する方法が知られているが、この方法では微粒子表面の触媒活性を阻害することになり、触媒活性と微粒子分散液のポットライフがトレードオフの関係にある。また、銀イオンを含む水溶液を無電解めっき用の処理液として用いる方法が知られている（例えば特許文献２参照。）。しかしながら、特許文献２に記載の添加剤構成では、たとえ２液に分割していても、処理液の光、熱に対する安定性が十分とは言い難い。従って、これら各特許文献に記載の方法では、処理安定性に優れ、かつ良好なめっき皮膜が得られないという課題がある。
【特許文献１】特許第３８９０５４２号公報
【特許文献２】特開２００６−１６６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。
【０００７】
１．可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【０００８】
２．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、下記一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物から選択される少なくとも１種から形成されていることを特徴とする前記１に記載のめっき方法。
【０００９】
一般式（１）
Ｒ1−ＳＭ
〔式中、Ｒ1はアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。〕
一般式（２）
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。〕
３．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、前記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、該一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことを特徴とする前記２に記載のめっき方法。
【００１０】
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
４．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１１】
【化１】
【００１２】
〔式中、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。〕
【００１３】
【化２】
【００１４】
〔式中、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。〕
５．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１５】
【化３】
【００１６】
〔式中、Ｒ5、Ｒ6は各々アルキル基または水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。〕
６．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１７】
７．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的に水を含まないことを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１８】
８．前記可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、該被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１９】
９．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を、インクジェット記録装置を用いて被めっき基材上に付与することを特徴とする前記１〜８のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００２０】
１０．前記インクジェット記録装置のインクジェット記録手段が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることを特徴とする前記９に記載のめっき方法。
【００２１】
１１．前記１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法に用いることを特徴とするめっき処理液。
【００２２】
１２．前記１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法で形成されたことを特徴とする導電性パターンシート。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２５】
《可溶性銀錯体化合物》
本発明のめっき方法においては、可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａ及び可溶性銀錯体化合物Ｂは、それぞれ同一化合物であっても、あるいはそれぞれ異なる構成からなる可溶性銀錯体化合物を用いて、異なる組成からなる処理液を形成してもよい。
【００２７】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物とは、めっき処理液の溶媒中に可溶な銀錯体化合物であれば、いかなる化合物であってもよい。この様な銀錯体化合物を形成しうる配位子としては、例えば、ヨウ素や臭素や塩素やフッ素等のハロゲン類、亜硫酸類やチオ硫酸類等の硫黄元素を含む無機塩類、アミノ基を有する化合物類、エチレンジアミン類、イミノジ酢酸類、窒素原子を含む複素環類または芳香環類、カルボキシル基を２個以上含む化合物類、メルカプト基を有する化合物類、チオエーテル基を有する化合物類等を挙げることができる。
【００２８】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物としては、その中でも前記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物から形成されることが好ましい。
【００２９】
はじめに、一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００３０】
一般式（１）：Ｒ−ＳＭ
式中、Ｒはアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。
【００３１】
ここで、アルキル基とは炭素数１〜３０の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基を意味する。また、アリール基とはフェニル基やナフチル基のような、単環もしくは縮合環の、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を意味する。また、ヘテロ環基とはヘテロ原子を少なくとも１つ含有する、芳香族もしくは非芳香族の、単環もしくは縮合環の、置換もしくは無置換のヘテロ環基を意味する。
【００３２】
ここで置換基とは、例えば、メルカプト基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）ジチオ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基や活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、トリアルコキシシリル基等が挙げられる。
【００３３】
なお、ここで活性メチン基とは、２つの電子求引性基で置換されたメチン基を意味し、ここに電子求引性基とはアシル基、アルコシキカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）を意味する。ここで２つの電子求引性基は互いに結合して環状構造をとっていてもよい。また、塩とはアルカリ金属、アルカリ土類金属、重金属などの陽イオンや、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオンなどの有機の陽イオンを意味する。
【００３４】
これらの置換基は、これらの置換基で更に置換されていてもよい。
【００３５】
好ましく用いられるメルカプト化合物としては、以下の化合物が挙げられる。
【００３６】
【化４】
【００３７】
【化５】
【００３８】
【化６】
【００３９】
【化７】
【００４０】
【化８】
【００４１】
上記例示した各化合物の中でも、本発明の目的効果をいかんなく発揮できる観点から、特に、例示化合物１−１０９、１−１１４、１−１１５が好ましい。
【００４２】
次いで、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００４３】
一般式（２）：Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
上記一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表し、これらには直鎖基または分岐基が含まれる。また、これらの炭化水素基では１個以上の窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでもよい。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には芳香族基をとることはない。また、Ｓ原子に隣接するそれぞれの元素は炭素原子であることが好ましい。
【００４４】
炭化水素基に置換可能な基としては、例えば、アミノ基、グアニジノ基、４級アンモニウム基、ヒドロキシル基、ハロゲン化合物、カルボン酸基、カルボキシレート基、アミド基、スルフィン酸基、スルホン酸基、スルフェート基、ホスホン酸基、ホスフェート基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。
【００４５】
一般に銀を処理液に溶解させるためには、溶媒中で銀を可溶化することが必要である。例えば、銀と配位結合を生じさたり、銀と弱い共有結合を生じさせるような銀と相互作用を示す化学構造種を含む化合物等と共存させて、銀または銀を含む化合物を可溶化物に変換する手段を用いるのが一般的である。前記化学構造種として、ハロゲン原子、メルカプト基、カルボキシル基、イミノ基等が知られているが、本発明においては、チオエーテル基も銀溶剤として有用に作用し、共存化合物への影響が少なく、溶媒への溶解度が高い特徴がある。
【００４６】
以下、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
【００４７】
２−１：ＣＨ3ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−２：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−３：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−４：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−５：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−６：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−７：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−８：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−９：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１０：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１１：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１２：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１３：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１４：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１５：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１６：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１７：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−１８：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１９：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−２０：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−２１：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２２：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２３：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２４：Ｈ2Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2
２−２５：Ｈ2Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2
２−２６：Ｈ2ＮＨＮ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＮＨ2
２−２７：Ｈ3Ｃ（Ｏ＝）ＣＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ3
２−２８：Ｈ2ＮＯ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＯ2ＮＨ2
２−２９：ＮａＯ3ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳＯ3Ｎａ
２−３０：Ｈ3ＣＳＯ2ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＯ2ＳＣＨ3
２−３１：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＢｒ
２−３２：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＣｌ
２−３３：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＢｒ
２−３４：〔（ＣＨ3）3ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3〕2+・２Ｃｌ-
【００４８】
【化９】
【００４９】
【化１０】
【００５０】
上記例示した各化合物の中でも、本発明の目的効果をいかんなく発揮できる観点から、特に、例示化合物２−２が好ましい。
【００５１】
本発明に係る請求項３においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、上記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことが好ましい。
【００５２】
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
一般式（１）で表される化合物と銀との銀錯体化合物は、各種溶媒に可溶であり、錯安定度定数が大きく、これ自体でめっき処理液中で安定であるが、還元して金属銀を生成させるためには比較的大きなエネルギーを要する。一方、一般式（２）で表される化合物と銀との銀錯体化合物は、同じく各種溶媒に可溶であるが、錯安定度定数が大きくなく、還元して金属銀を生成しやすいが、光や熱に対して処理液中で不安定である。本発明の添加量比を用いることにより、処理液中での安定性と金属銀の生成のしやすさとを両立できる。
【００５３】
《めっき処理液の溶媒》
本発明のめっき処理液に用いることのできる溶媒としては、例えば、水、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等）、多価アルコール類（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール等）、多価アルコールエーテル類（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等）、アミン類（例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ポリエチレンイミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、テトラメチルプロピレンジアミン等）、アミド類（例えば、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、複素環類（例えば、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキシルピロリドン、２−オキサゾリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等）、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシド等）、スルホン類（例えば、スルホラン等）、炭酸エステル類（γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル等）、尿素、アセトニトリル、アセトン等が挙げられる。
【００５４】
本発明に係る請求項７に記載のめっき方法においては、可溶性銀錯体化合物を含有する処理液が、実質的に水を含まないことが好ましい。非水系溶媒中で銀錯体化合物を存在させると、水系溶媒で起こりうる酸化銀や水酸化銀の生成が抑えられ、処理液の安定性がさらに向上する。また被めっき基材が樹脂製の場合、非水系溶媒の方が濡れ性が良く、μｍオーダー以下の微量領域へのめっき膜均一性が向上する。
【００５５】
本発明に係る請求項４に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、前記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することが好ましい態様の１つである。
【００５６】
以下、一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類の詳細について説明する。
【００５７】
前記一般式（Ａ）において、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。
【００５８】
以下、一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を下記に示すがこれらに限定されるものではない。
【００５９】
【化１１】
【００６０】
本発明に係る一般式（Ａ）で表される化合物は、公知の合成方法で容易に合成できる。
【００６１】
上記例示した一般式（Ａ）で表される化合物のうち、好ましい化合物は例示化合物（Ａ−５）である。
【００６２】
次いで、一般式（Ｂ）で表される化合物について説明する。
【００６３】
前記一般式（Ｂ）において、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。
【００６４】
一般式（Ｂ）において、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基（置換基としてエチル、ブチル、ヒドロキシエチル等のアルキル基を有してもよい）、アシルアミノ基（アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等）、アルキルスルホニルアミノ基（メタンスルホニルアミノ、ブタンスルホニルアミノ等）、アリールスルホニルアミノ基（ベンゼンスルホニルアミノ、ｐ−トルエンスルホニルアミノ等）、アルコキシカルボニルアミノ基（メトキシカルボニルアミノ等）、メルカプト基又はアルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ等）を表すが、Ｒ2及びＲ3として好ましくは、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基を挙げることができる。
【００６５】
Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、ブトキシ等）、ヒドロキシアルキル基（ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル等）、カルボキシアルキル基（カルボキシメチル、カルボキシエチル等）、スルホ基（塩を含む）、スルホアルキル基（スルホエチル、スルホプロピル等）、アミノ基（アルキル置換を含む）、アミノアルキル基（アミノエチル、アミノプロピル等）、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル等）又はアリール基（フェニル、ｐ−トリル、ナフチル等）を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。この５〜８員環は飽和又は不飽和の縮合環を形成してもよい。
【００６６】
この５〜８員環の例として、ジヒドロフラノン環、ジヒドロピロン環、ピラノン環、シクロペンテノン環、ピロリノン環、ピラゾリノン環、ピリドン環、アザシクロヘキセノン環、ウラシル環、シクロヘプテノン環、アゼピン環、シクロオクテノン環などが挙げられるが、５〜６員環が好ましい。中でも好ましい５〜６員環の例として、ジヒドロフラノン環、シクロペンテノン環、シクロヘキサノン環、ピラゾリノン環、アザシクロヘキセノン環、ウラシル環を挙げることができる。
【００６７】
Ｙが＝ＮＲ4を表す場合、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基又はカルボキシアルキル基を表すが、各置換基の具体例としては上記Ｒ2、Ｒ3、Ｐ及びＱで挙げた基と同様な基を挙げることができる。
【００６８】
以下に一般式（Ｂ）で表される化合物の具体例を示すが、これに限定されるものではない。
【００６９】
【化１２】
【００７０】
【化１３】
【００７１】
【化１４】
【００７２】
これらの塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウムなどの各塩が挙げられる。これらの中で好ましいのは、アスコルビン酸或いはエリソルビン酸（立体異性）（例示化合物Ｂ−１）である。
【００７３】
本発明に係るｐ−フェニレンジアミン類としては、芳香族一級アミン発色現像主薬が好ましく用いられ、例えばＮ，Ｎ−ジエチル−ｐ−フェニレンジアミン、２−アミノ−５−ジエチルアミノトルエン、２−アミノ−５−（Ｎ−エチル−Ｎ−ラウリルアミノ）トルエン、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−（βーヒドロキシエチル）アミノ）アニリン、２−メチル−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−（β−ヒドロキシエチル）アミノ）アニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−（メタンスルホンアミド）エチル）−アニリン、Ｎ−（２−アミノ−５−ジエチルアミノフェニルエチル）メタンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−メトキシエチルアニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−エトキシエチル）アニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（γ−ヒドロキシプロピル）アニリン等が挙げられる。
【００７４】
また、本発明においては、上記以外の銀還元剤を処理液に含有することもできる。例えば、欧州特許第５６５，１６５号、同第５７２，０５４号、同第５９３，１１０号、特開平８−２０２００２号、同８−２２７１３１号、同８−２３４３９０号等に記載されてるスルホニルヒドラジド、カルボニルヒドラジド型発色現像主薬も好ましく用いることができる。
【００７５】
具体的例示化合物としては、特開平４−８６７４１号公報の７〜９頁に記載されている（Ｃ−１）〜（Ｃ−１６）、特開昭６１−２８９３５０号公報の２９〜３１頁に記載されている（１）〜（８）、及び特開平３−２４６５４３号公報の５〜９頁に記載されている（１）〜（６２）、特開昭６１−２８９３５０号公報に記載されている例示化合物（２）、及び特開平３−２４６５４３号公報に記載されている例示化合物（１）、特開２００１−１５４３２５号公報の一般式（８）〜（１２）に記載されているスルホンアミドフェノール系還元剤、スルホンアミドアニリン系啓還元剤、ヒドラジン系還元剤、等を挙げることができる。
【００７６】
本発明に係る請求項５に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、前記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことが好ましい。
【００７７】
前記一般式（Ｃ）において、Ｒ5及びＲ6は各々アルキル基又は水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。
【００７８】
前記一般式（Ｃ）において、Ｒ5及びＲ6は、各々が同時に水素原子ではないアルキル基または水素原子を表すが、Ｒ5及びＲ6で表されるアルキル基は、同一でも異なってもよく、各々炭素数１〜３のアルキル基が好ましい。Ｒ5及びＲ6のアルキル基は置換基を有するものも含み、また、Ｒ5及びＲ6は結合して環を構成してもよく、例えば、ピペリジンやモルホリンの如き複素環を構成してもよい。
【００７９】
本発明においては、特に、置換基としてスルホン酸基またはアルコキシ基であることが好ましい。
【００８０】
前記一般式（Ｃ）で表されるヒドロキシルアミン化合物の具体的化合物は、例えば、米国特許第３，２８７，１２５号、同第３，２９３，０３４号及び同第３，２８７，１２４号等に記載されているが、以下に特に好ましい具体的な化合物を示す。
【００８１】
【化１５】
【００８２】
【化１６】
【００８３】
本発明に係る前記一般式（Ｃ）で表される化合物は、通常、遊離のアミン、塩酸塩、硫酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩、シュウ酸塩、リン酸塩、酢酸塩等の形で用いられる。
【００８４】
本発明に係る一般式（Ｃ）で表される化合物の内、好ましい化合物は、例示化合物Ｃ−３２またはこれらの反応物である。更に好ましい化合物は、メルカプト基を含有する化合物である。
【００８５】
本発明に係る請求項６に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことが好ましい。処理液にハロゲンイオンを含む場合、処理液中でハロゲンイオンの酸化還元平衡が銀塩の酸化還元平衡とクロスして存在することになり、また処理液中に硝酸イオンを含む場合、光に対して銀が還元されやすくなり、いずれの場合も処理液の安定性を低下させる要因となる。
【００８６】
《基材》
本発明に用いることができる基材としては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム等の樹脂フィルム、ガラス−エポキシ基板、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板等が挙げられる。
【００８７】
本発明で用いられる樹脂フィルムの材質としては、特に限定はないが、例えば、ポリエステル系フィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム，ポリカーボネートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム（例えば、アートン（ＪＳＲ社製）、ゼオネックス、ゼオネア（以上、日本ゼオン社製）等）、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリアクリレート系フィルム、ポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。これらの素材を主成分とする異なる材質のフィルムを積層したフィルムであってもよい。また、本発明においては、基材とその上に設ける構造物との密着性を高める観点から、基材表面に予め表面をコロナ放電処理、火炎処理、オゾン処理、プライマー処理、デスミア処理、紫外線処理、放射線処理、粗面化処理、シランカップリング剤や酸やアルカリや界面活性剤等を含む化学薬品処理を施すことが好ましい。密着性を高める機構としては、接着阻害となる表面付着の異物を取り除き表面をクリーンにする、部材界面の凹凸によるアンカー効果を用いる、両部材との界面に接着化合物を挿入する、等が挙げられる。また、また基材との密着性を向上させるため、基材上に下地層を設けてもよい。下地層に含有するバインダーは、予め基体とバインダーとの接着性が良い化合物を選択することが好ましい。例えば、ポリエステル系の基体にはポリウレタン系バインダー、ポリイミド系の基体やガラス繊維練りこみエポキシ系基板にはポリアクリル系バインダーやポリエポキシ系バインダー等が挙げられる。
【００８８】
本発明に係る請求項８に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することが好ましい。メルカプト基を含む化合物としては、前記一般式（１）で表される化合物を用いても良いし、あるいは下記一般式（Ｉ）で表される化合物で該メルカプト基と基材とをシロキサン結合を介して連結さえておいてもよい。
【００８９】
一般式（Ｉ）
（Ｒ）ｎ−Ｓｉ（Ａ）3-n−（Ｂ）
上記一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、好ましくは、炭素原子数１〜４の低級アルキル基であり、ｎは０〜２の整数を表す。Ａは、アルコキシ基またはハロゲン原子であり、アルコキシ基は例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の低級アルコキシ基（炭素原子数１〜４）であり、特に好ましいのはメトキシ、エトキシ基である。ハロゲン原子中好ましいのは塩素原子である。Ｂは、ＳＨ基を含む置換基を表す。Ｂは特に限定されず、メルカプト基をその構造中の何れかに少なくとも一つ、好ましくは２つ以上含有する、脂肪族或いは（ヘテロ）芳香族基であればよい。
【００９０】
これらの例としては、以下のものが挙げられる。
【００９１】
（Ｉ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオール
（Ｉ−２）γ−メルカプトプロピル−トリメトキシシラン
（Ｉ−３）３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
（Ｉ−４）メルカプトプロピルトリエトキシシラン
（Ｉ−５）γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
（Ｉ−６）γ−メルカプトプロピル−トリクロルシラン
上記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、トリアジン環を有する化合物が特に好ましく、例えば、（Ｉ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオールは、γ−プロピルトリエトキシシランと対応するメルカプトアミン類、この場合１−アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン（特開２００１−３１６８７２等に記載）を縮合反応させることで容易に得られる。
【００９２】
《パターン形成方法》
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液（以下、インクともいう）をバターン状に付与する方法としては、パターン状にインクを付与できる方法であれば特に制限はなく、公知のパターン形成方法を適用することができる。例えば、塗布方式、液噴霧方式、気相を介する噴霧方式として、圧電素子の振動を利用して液滴を飛翔させる方式、例えば、ピエゾ方式のインクジェットヘッドや、突沸を利用したサーマルヘッドを用いて液滴を飛翔させるバブルジェット（登録商標）方式のインクジェットヘッド、また空気圧や液圧により液を噴霧するスプレー方式等が挙げられる。
【００９３】
また、印刷方式としては、スクリーン印刷、フレキソ印刷、凸版や凹版印刷を挙げることができる。塗布方式としては、公知の塗布方式より適宜選択することができ、例えば、エアードクターコーター、ブレードコーター、ロッドコーター、ナイフコーター、スクイズコーター、含浸コーター、リバースローラーコーター、トランスファーローラーコーター、カーテンコーター、ダブルローラーコーター、スライドホッパーコーター、グラビアコーター、キスロールコーター、ビードコーター、キャストコーター、スプレイコーター、カレンダーコーター、押し出しコーター等が挙げられる。
【００９４】
これらの内、本発明においてはインクジェット方式を好ましく用いることができる。特に、インクジェット記録装置を用いたインクジェット方式を適用することが好ましく、更には電気回路等に使用される線幅が２０μｍ以下の細線を高精度に形成できる観点から、インクジェット記録装置によるインクの吐出方法が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることが好ましい。
【００９５】
以下、本発明に好ましく適用することができる圧力印加手段と電界印加手段とを用いたインクジェット記録方法について説明する。
【００９６】
一般に、電子回路等で要求されている微細な線幅のパターンを高精細に描画するには、インクジェット記録装置から射出するインク液滴をより微細化する必要がある。
【００９７】
しかしながら、電気−機械変換方式（例えば、シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアーモード型、シェアードウォール型等）や電気−熱変換方式（例えば、サーマルインクジェット型、バブルジェット（登録商標）型等）のみの出力手段を用いて、極微小インク液滴を吐出した場合、ノズルから吐出したインク液滴に付与される運動エネルギーは、インク液滴の半径の３乗に比例して小さくなるため、微小液滴は空気抵抗に耐えるほどの十分な運動エネルギーを確保できず、空気対流などによる擾乱を受け、正確な着弾が困難となる。
【００９８】
更にインク液滴が微細になるほど表面張力の効果が増すために、液滴の蒸気圧が高くなり蒸発量が激しくなる。このため、微細液滴は飛翔中の著しい質量の消失を招き、着弾時に液滴の形態を保つことすら難しいという問題があった。このように着弾位置の高精度化は、インク液滴の微細化と相反する課題であり、これら２つを同時に実現することに対し、障害を抱えていた。
【００９９】
本発明においては、上記課題を解決する方法として、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた射出方法を適用することが好ましい。
【０１００】
この射出方法は、０．１〜１００μｍの内径の吐出口を有するノズルを用い、導電性インクに任意波形の電圧を印加して、この導電性インクを帯電させることにより、そのインク液滴を吐出口から、樹脂層を有する基材に吐出する方法である。即ち、この射出方法はノズルの吐出口の内径が０．１〜１００μｍであり、電界強度分布が狭くなっているため、ノズル内に供給された導電性インクに任意波形の電圧を印加することにより電界を集中させることができる。
【０１０１】
その結果、形成されるインク液滴を微小で、且つ形状の安定化したものとすることができる。従って、従来よりも微細な、例えば、１ｐｌ（ピコリットル）未満の複数のインク液滴からなるインク液滴パターンを樹脂層表面に形成することができる。また、電界強度分布が狭くなっているため、ノズル内の導電性インクに印加する総印加電圧を低減することができる。また、インク液滴はノズルから吐出された直後、電界と電荷の間に働く静電力により加速されるが、ノズルから離れると電界は急激に低下するので、その後は空気抵抗により減速する。しかしながら、微小液滴で且つ電界が集中したインク液滴は、樹脂層に近づくにつれ鏡像力により加速される。この空気抵抗による減速と鏡像力による加速とのバランスをとることにより、微小液滴を安定に飛翔させ、着弾精度を向上させることが可能となる。
【０１０２】
図１は、本発明に好ましく適用できる圧力印加手段と電界印加手段とを用い導電性インク吐出装置の一例を示した概略断面図である。
【０１０３】
図１において、導電性インク吐出装置２０は、帯電可能な導電性インクの液滴を先端部から樹脂層を有する基材Ｋに向かって吐出する超微細径のノズル２１と、ノズル２１の先端部に対向する面側に配置され、その対向面で基材Ｋを支持する対向電極２３と、ノズル２１内の流路２２に導電性インクを供給する導電性インク供給手段と、ノズル２１内の導電性インクに任意波形の吐出電圧を印加する吐出電圧印加手段（電圧印加手段）２５とを備えている。なお、上記ノズル２１と導電性インク供給手段の一部の構成と吐出電圧印加手段２５の一部の構成とは、ノズルプレート２６と一体的に形成されている。
【０１０４】
ノズル２１はノズルプレート２６の下面層２６ｃから垂設され、この下面層２６ｃと一体的に形成されている。ノズル２１の先端部は対向電極２３に指向している。ノズル２１の内部には、その先端部からその中心線に沿って貫通するノズル内流路２２が形成されている。
【０１０５】
ノズル２１は、例えば、ガラスなどの電気絶縁体により、超微細径で形成されている。ノズル２１の各部の寸法の具体例を挙げると、ノズル内流路２２の内部直径は１μｍ、ノズル２１の先端部における外部直径は２μｍ、ノズル２１の根元、即ち、上端部の直径は５μｍ、ノズル２１の高さは１００μｍに設定されている。また、ノズル２１の形状は限りなく円錐形に近い円錐台形に形成されている。このようなノズル２１は、その全体がノズルプレート２６の下面層２６ｃと共に絶縁性の樹脂材により形成されている。
【０１０６】
なお、ノズル２１の各寸法は上記一例に限定されるものではない。特に吐出口の内径については、電界集中の効果により液滴の吐出を可能とする吐出電圧が１０００Ｖ未満を実現する範囲であって、例えば、１００μｍ以下であり、より望ましくは２０μｍ以下であって、現行のノズル形成技術により溶液を通す貫通穴を形成することが実現可能な範囲である内径、例えば０．１μｍをその下限値とする。
【０１０７】
導電性インク供給手段は、ノズルプレート２６の内部であってノズル２１の根元となる位置に設けられると共にノズル内流路２２に連通する溶液室２４と、図示しない外部の導電性インクタンクからインク室２４に導電性インクを導く供給路２７と、インク室２４への溶液の供給圧力を付与する図示しない供給ポンプとを備えている。
【０１０８】
上記供給ポンプはノズル２１の先端部まで導電性インクを供給し、当該先端部からこぼれ出さない範囲の供給圧力を維持して導電性インクの供給を行う。
【０１０９】
吐出電圧印加手段２５は、ノズル２１内の導電性インクに吐出電圧を印加してこの導電性インクを帯電させることにより、この導電性インクの液滴をノズル２１の吐出口から基材Ｋに向かって吐出させるものである。この吐出電圧印加手段２５は、ノズルプレート２６の内部であってインク室２４とノズル内流路２２との境界位置に設けられた吐出電圧印加用の吐出電極２８と、この吐出電極２８に常時、直流のバイアス電圧を印加するバイアス電源３０と、吐出電極２８にバイアス電圧に重畳して吐出に要する電位とするパルス電圧を印加する吐出電圧電源２９とを備えている。
【０１１０】
吐出電極２８は、インク室２４内部において導電性インクに直接接触し、導電性インクを帯電させると共に吐出電圧を印加する。
【０１１１】
バイアス電源３０によるバイアス電圧は、導電性インクの吐出が行われない範囲で常時電圧印加を行うことにより、吐出時に印加すべき電圧の幅を予め低減し、これによる吐出時の反応性の向上を図っている。一例を挙げると、バイアス電圧はＤＣ３００Ｖで印加され、パルス電圧は１００Ｖで印される。従って、吐出の際の重畳電圧は４００Ｖとなる。
【０１１２】
ノズルプレート２６は、最も上層に位置する上面層２６ａと、その下に位置する導電性インクの供給路を形成する流路層２６ｂと、この流路層２６ｂの更に下に形成される下面層２６ｃとを備え、流路層２６ｂと下面層２６ｃとの間には、吐出電極２８が介挿されている。
【０１１３】
対向電極２３はノズル２１に垂直な対向面を備えており、かかる対向面に沿うように基材Ｋの支持を行う。ノズル２１の先端部から対向電極２３の対向面までの距離は、例えば、１００μｍ等一定に保持されている。
【０１１４】
また、対向電極２３は接地されているため、常時、接地電位を維持している。従って、パルス電圧の印加時にはノズル２１の先端部と対向面との間に生じる電界による静電力により吐出された液滴を対向電極２３側に誘導する。
【０１１５】
なお、導電性インク吐出装置２０は、ノズル２１の超微細化による当該ノズル２１の先端部での電界集中により電界強度を高めることで液滴の吐出を行うことから、対向電極２３による誘導がなくとも液滴の吐出を行うことは可能ではあるが、ノズル２１と対向電極２３との間での静電力による誘導が行われた方が望ましい。この場合、ノズル２１から吐出され空気抵抗により減速する液滴を、鏡像力により加速することができる。従って、これら空気抵抗による減速と鏡像力による加速とのバランスをとることにより、微小液滴を安定に飛翔させ、着弾精度を向上させることができる。またなお、帯電した液滴の電荷を、対向電極２３の接地により逃がすことも可能である。
【０１１６】
以上のような導電性インク吐出装置２０は、図示しない駆動機構により、基材Ｋの搬送方向に対して直交する方向に走査自在とされた走査型の導電性インク吐出装置としてもよい。この場合において、導電性インク吐出装置２０に複数のノズル２１を配列するようにしてもよい。また、導電性インク吐出装置２０は、基材Ｋの搬送方向に対して直交する方向に多数のノズル２１を配列してなるライン型の導電性インク吐出装置としてもよい。
【０１１７】
《めっき処理方法》
本発明においては、従来公知のめっき法を適用できるが、その中でも、低抵抗の導電性パターンを煩雑な工程なしに簡便、低コストでめっき処理することができる観点から、無電解めっき法を適用することが好ましい。
【０１１８】
無電解めっき法によるめっき処理は、上述の方法に従ってめっき触媒として作用する金属微粒子を含有する導電性パターンにめっき剤を接触させる方法である。これにより、めっき触媒である金属微粒子とめっき剤とが接触し、導電性パターン部に無電解めっきが施されて、より優れた導電性を得ることができる。
【０１１９】
本発明に係るめっき処理で使用できるめっき剤としては、例えば、めっき材料として析出させる金属イオンが均一溶解された溶液が用いられ、金属塩とともに還元剤が含有される。ここで、通常は溶液が用いられるが、無電解めっきを生じさせるものであればこれに限らず、ガス状や粉体のめっき剤を適用することも可能である。
【０１２０】
具体的に、この金属塩としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の金属のハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩などが適用可能である。また、還元剤としては、ヒドラジン、ヒドラジン塩、ボロハライド塩、次亜リン酸塩、次亜硫酸塩、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、カルボン酸塩などが適用可能である。なお、これらの還元剤に含有されるボロン、燐、窒素などの元素が析出する電極に含有されていても構わない。あるいは、これらの金属塩の混合物を用いて合金が形成されていても構わない。
【０１２１】
めっき剤は上記金属塩と還元剤とが混合されたものを適用するようにしてもよいし、あるいは金属塩と還元剤とを別個に適用するようにしてもよい。ここで、導電性パターンをより鮮明に形成するためには、金属塩と還元剤とが混合されたものを適用することが好ましい。また、金属塩と還元剤とを別個に適用する場合には、導電性パターン部にまず金属塩を配した後、還元剤を配することでより安定した電極パターンを形成することができる。
【０１２２】
めっき剤には、必要があればｐＨ調整のための緩衝剤、界面活性剤などの添加物を含有させることができる。また、溶液に用いる溶媒としては、水以外にアルコール、ケトン、エステルなどの有機溶剤を添加するようにしても構わない。
【０１２３】
めっき剤の組成は、析出させる金属の金属塩、還元剤、及び必要に応じて添加物、有機溶媒を添加した組成で構成されるが、析出速度に応じて濃度や組成を調整することができる。また、めっき剤の温度を調節して析出速度を調整することもできる。この温度調整の方法としては、めっき剤の温度を調整する方法、また、例えば、めっき剤中に浸漬する場合、浸漬前に基材を加熱、冷却して温度調節する方法などが挙げられる。更にめっき剤に浸漬する時間で析出する金属薄膜の膜厚を調整することもできる。
【０１２４】
《可溶性銀錯体化合物を含有する処理液のその他の構成》
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液は、前述の可溶性銀錯体化合物を含む溶液であればいかなる組成であってもよい。
【０１２５】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液がインクジェットインクの場合には、上記説明した他に必要に応じて各種添加剤を適用することができる。
【０１２６】
本発明に係る処理液においては、前述の溶媒の他には、吐出安定性、プリントヘッドやインクカートリッジ適合性、保存安定性、画像保存性、その他の諸性能向上の目的に応じて、公知の各種添加剤、例えば、粘度調整剤、表面張力調整剤、比抵抗調整剤、皮膜形成剤、分散剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、退色防止剤、防ばい剤、防錆剤等を適宜選択して用いることができ、例えば、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル類、ポリメタクリル酸エステル類、ポリアクリルアミド類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、またはこれらの共重合体、尿素樹脂、またはメラミン樹脂等の有機ラテックス、流動パラフィン、ジオクチルフタレート、トリクレジルホスフェート、シリコンオイル等の油滴微粒子、カチオンまたはノニオンの各種界面活性剤、特開昭５７−７４１９３号、同５７−８７９８８号及び同６２−２６１４７６号の各公報に記載の紫外線吸収剤、特開昭５７−７４１９２号、同５７−８７９８９号、同６０−７２７８５号、同６１−１４６５９１号、特開平１−９５０９１号及び同３−１３３７６号の各公報等に記載されている退色防止剤、特開昭５９−４２９９３号、同５９−５２６８９号、同６２−２８００６９号、同６１−２４２８７１号及び特開平４−２１９２６６号の各公報等に記載されている蛍光増白剤、硫酸、リン酸、クエン酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等のｐＨ調整剤等を挙げることができる。
【０１２７】
本発明に係る処理液の調製については、特に制限はないが、各種添加剤を含むインクの調製を行う場合、調製過程での凝集、沈降が生じないようにインクを調製することが好ましい。必要に応じて、添加物の添加順序、添加速度を調節する等の調合方法を取ることができる。
【０１２８】
本発明に係る処理液の粘度は特に制限はないが、２５℃における粘度が２ｍＰａ・ｓ以上、１０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。また、本発明に係るインクジェットインクの粘度は、シェアレート依存性がない方が好ましい。
【０１２９】
また、本発明に係る処理液においては、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２５〜３５ｍＮ／ｍである。本発明で言うインクの表面張力（ｍＮ／ｍ）は、２５℃で測定した表面張力で値であり、その測定法は一般的な界面化学、コロイド化学の参考書等において述べられているが、例えば、新実験化学講座第１８巻（界面とコロイド）、日本化学会編、丸善株式会社発行：Ｐ．６８〜１１７を参照することができる。
【０１３０】
本発明に係る処理液においては、インク保存安定性の観点から、電気伝導度が１ｍＳ／ｍ以上、５００ｍＳ／ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１ｍＳ／ｍ以上、２００ｍＳ／ｍ以下であり、更に好ましくは１０ｍＳ／ｍ以上、１００ｍＳ／ｍ以下である。また、本発明に係るインクの調製においては、イオン濃度を適宜調整することが好ましい。
【０１３１】
《導電性パターンシート》
上記方法により作製されるシート状の基材上に導電性パターンを形成した本発明の導電性パターンシートは、構成が簡単で安価であり、接触型、非接触あるいはハイブリッド型のＩＣカード、ＩＣラベル、ＩＣタグ、ＩＣフォームなどの情報記録媒体やペーパーコンピュータなどとして用いられる他、プリント基板など一般の導電回路として用いることができる。また、基材として透明フィルムを用いて、電磁波遮蔽フィルムとして用いることもできる。
【実施例】
【０１３２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
【０１３３】
実施例１
《導電性パターン試料の作製》
〔試料１の作製〕
表面に１２Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2のコロナ放電処理を２秒間施した市販のガラス−エポキシ基板上に、オフセット印刷法を用いて、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ｃ−１を、回路幅１００μｍ、回路間隔１００μｍの櫛歯パターン状で、ウエット膜厚１０μｍで付与し、その後、溶媒を乾燥させた。次に、下記の無電解銅めっき液１に浸漬し、７５℃で２０分間の無電解めっき処理を行って、平均膜厚が４．５μｍの導電性パターンを形成し、これを試料１とした。
【０１３４】
〈めっき液Ｃ−１の調製〉
平均粒子径が２０ｎｍの銀コロイド微粒子（保護コロイド成分を１．５質量％含む）を５質量％、平均粒子径が５０ｎｍのパラジウムコロイド微粒子（保護コロイド成分を３質量％含む）を１５質量％、ポロピレングリコールモノメチルアセテート２０質量％、水６０質量％を混合させて、めっき液Ｃ−１を調製した。
【０１３５】
〈無電解銅めっき液１の調製〉
硫酸銅０．０４モル、ホルムアルデヒド（３７質量％）０．０８モル、水酸化ナトリウム０．１０モル、トリエタノールアミン０．０５モル、ポリエチレングリコール１００ｐｐｍに、水を加えて全量を１Ｌとし、無電解銅めっき液１を調製した。
【０１３６】
〔試料２の作製〕
上記試料１の作製において、めっき液Ｃ−１を、下記Ｃ−２に変更した以外は同様にして、試料２を作製した。
【０１３７】
〈めっき液Ｃ−２の調製〉
平均粒子径が２０ｎｍの銀コロイド微粒子（保護コロイド成分を１．５質量％含む）を２０質量％、ポロピレングリコールモノメチルアセテート２０質量％、水６０質量％を混合させて、めっき液Ｃ−２を調製した。
【０１３８】
〔試料３の作製〕
表面に１２Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2のコロナ放電処理を２秒間施した市販のガラス−エポキシ基板上に、オフセット印刷法を用いて、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ａ−１を、回路幅１００μｍ、回路間隔１００μｍの櫛歯パターン状で、ウエット膜厚１０μｍで付与し、その後、溶媒を乾燥させた。この基板に、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ａ−２を、ウエット膜厚１５μｍの条件で基板全面に付与し、その後溶媒を乾燥させた。次に、無電解銅めっき液１に浸漬し、７５℃で２０分間の無電解めっき処理を行って、平均膜厚が４．５μｍの導電性パターンを形成し、これを試料３とした。
【０１３９】
〈めっき液Ａ−１の調製〉
硝酸銀０．８５ｇ、チオ硫酸ナトリウム４．２５ｇ、りん酸カリウム１５．０ｇ、ホウ酸カリウム５．０ｇ及びポリエチレングリコール１００ｐｐｍに水を加えて、全量を１Ｌとして、めっき液Ａ−１を調製した。
【０１４０】
〈めっき液Ａ−２の調製〉
硝酸銀０．８５ｇ、チオ硫酸ナトリウム４．２５ｇ、りん酸カリウム１５．０ｇ、ホウ酸カリウム５．０ｇ、ポリエチレングリコール０．１ｇ及び硫酸ヒドラジン５．０ｇに水を加えて全量を１Ｌとして、めっき液Ａ−２を調製した。
【０１４１】
〔試料４の作製〕
上記試料３の作製において、めっき液Ａ−１及びめっき液Ａ−２の調製に用いた硝酸銀を、等モルの塩化銀に変更した以外は同様にして、試料４を作製した。
【０１４２】
〔試料５の作製〕
上記試料３の作製において、めっき液Ａ−１及びめっき液Ａ−２の調製に用いたチオ硫酸ナトリムを、銀に対して２倍モルの例示化合物（１−１０９）に変更した以外は同様にして、試料５を作製した。
【０１４３】
〔試料６の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１１０）に変更した以外は同様にして、試料６を作製した。
【０１４４】
〔試料７の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（２−２）に変更した以外は同様にして、試料７を作製した。
【０１４５】
〔試料８の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（２−３）に変更した以外は同様にして、試料８を作製した。
【０１４６】
〔試料９の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１１の混合物に変更した以外は同様にして、試料９を作製した。
【０１４７】
〔試料１０の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１５の混合物に変更した以外は同様にして、試料１０を作製した。
【０１４８】
〔試料１１の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１０の混合物に変更した以外は同様にして、試料１１を作製した。
【０１４９】
〔試料１２の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．０８の混合物に変更した以外は同様にして、試料１２を作製した。
【０１５０】
〔試料１３の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのスルホハイドロキノンに変更した以外は同様にして、試料１３を作製した。
【０１５１】
〔試料１４の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのＬ−アスコルビン酸に変更した以外は同様にして、試料１４を作製した。
【０１５２】
〔試料１５の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのエルソルビン酸に変更した以外は同様にして、試料１５を作製した。
【０１５３】
〔試料１６の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルの４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−（メタンスルホンアミド）エチル）アニリン硫酸塩に変更した以外は同様にして、試料１６を作製した。
【０１５４】
〔試料１７の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのＮ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩に変更した以外は同様にして、試料１７を作製した。
【０１５５】
〔試料１８の作製〕
上記試料１７の作製において、Ｎ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩をジナトリウム−Ｎ，Ｎ−ビス（スルホナートエチル）ヒドロキシルアミンに変更した以外は同様にして、試料１８を作製した。
【０１５６】
〔試料１９の作製〕
上記試料１７の作製において、硝酸銀に対して、５モル％のヒドロキシルアミン硫酸塩を添加した以外は同様にして、試料１９を作製した。
【０１５７】
〔試料２０の作製〕
上記試料１９の作製において、硝酸銀を等モルのｐ−トルエンスルホン酸銀に変更し、塩化カリウムを除いた以外は同様にして、試料２０を作製した。
【０１５８】
〔試料２１の作製〕
上記試料２０の作製において、りん酸カリウム及びホウ酸カリウムを除き、水を同質量の炭酸プロピレンに変更した以外は同様にして、試料２１を作製した。
【０１５９】
〔試料２２の作製〕
上記試料２１の作製において、炭酸プロピレンを同質量の炭酸プロピレン／γブチロラクトン＝７／３に変更し、Ｎ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩を等モルのエルソルビン酸に、ヒドロキシルアミン硫酸塩を等モルのジナトリウム−Ｎ，Ｎ−ビス（スルホナートエチル）ヒドロキシルアミンに変更した以外は同様にして、試料２２を作製した。
【０１６０】
〔試料２３の作製〕
上記試料２２の作製において、ガラス−エポキシ基板を、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを付与して６０℃で１時間加熱処理したガラス−エポキシ基板に変更した以外は同様にして、試料２３を作製した。可溶性銀錯体化合物Ａを付与の後、この基板を十分に水洗して、基板表面の銀を光電子分光装置を用いて既知の方法で分析したところ、基板表面から銀が検出され、銀が固定されていることが分かった。一方、シラン処理を行わなかった基板については、基板表面から銀は検出されなかった。
【０１６１】
《導電性パターン試料の評価》
（絶縁抵抗値の測定）
得られた櫛歯パターンを有する各試料（回路基板）を、８５℃、８５％ＲＨの恒温槽内にて、２４Ｖ印加で５００時間通電させた後、絶縁抵抗値（ＭΩ）を測定した。
【０１６２】
（絶縁部のめっき析出耐性の評価）
上記絶縁抵抗値の評価で用いた試料の絶縁部分への無電解めっき膜の析出状況を１００倍顕微鏡で観察し、下記の基準に従ってめっき析出耐性の評価を行った。
【０１６３】
◎：絶縁部で、めっき析出が確認できない
○：絶縁部で僅かなめっき析出が確認できる、その面積は絶縁部全面積に対して５％未満である
△：絶縁部でめっき析出が確認でき、その面積は絶縁部全面積に対して、５％以上、５０％以下である
×：ほぼ絶縁部全面積にわたって析出が確認される
以上により得られた結果を、表１に示す。
【０１６４】
【表１】
【０１６５】
表１に記載の結果より明らかな様に、本発明で規定する構成を満たす試料は、めっき液の強制劣化を行っても絶縁抵抗が高く、良好なめっき皮膜が形成されていることが分かる。
【０１６６】
実施例２
実施例１に記載の各試料の作製において、オフセット印刷によるパターン形成に代えて、図１に記載の圧力印加手段と電界印加手段とを備えたインクジェット記録装置の圧力印加手段のみを用いてパターンを形成した以外は実施例１と同様にして各試料を作製し、実施例１に記載の各評価を行った結果、実施例１と同様の結果を得ることができた。
【０１６７】
実施例３
実施例２に記載の各試料の作製において、インクジェット記録装置によるパターン形成を、圧力印加手段と電界印加手段の両方を用いて行った所、強制劣化を行っためっき液Ｃ−１，Ｃ−２がインクジェット記録ヘッドのノズル部でノズル詰まりを起こし、試料１、２は作製できなかった。これに対し、試料５〜２３で用いためっき液は、良好に射出でき、実施例１と同様の評価結果を得ることができた。
【０１６８】
実施例４
実施例１〜３に記載の各試料の作製において、無電解銅めっきの代わりに、以下に示す無電解銀めっき液２を用いてめっき処理を行った結果、実施例１〜３と同様の結果を得ることができた。
【０１６９】
〈無電解銀めっき液２〉
ｐ−トルエンスルホン酸銀を１．００ｇ、リン酸カリウムを１５．０ｇ、ホウ酸カリウムを５．０ｇ、ヒダントインを１０．０ｇ、トリエタノールアミンを０．０５モル、ポリエチレングリコールを１００ｐｐｍ、水を加えて全量を１Ｌとして、無電解めっき液２を調製した。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】本発明に好ましく適用できる圧力印加手段と電界印加手段とを用い導電性インク吐出装置の一例を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【０１７１】
２０ 導電性インク吐出装置
２１ ノズル
２２ ノズル内流路
２３ 対向電極
２４ インク室
２５ 吐出電圧印加手段
２６ ノズルプレート
２７ 供給路
２８ 吐出電極
３０ バイアス電源
Ｋ 基材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法、めっき処理液及び導電性パターンシートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
不導体表面に導電性を付与する方法として、無電解めっき法を用いる方法が知られている。この無電解めっき法は、不導体表面に無電解めっき用触媒を付与した後、無電解めっきを行うのが一般的である。
【０００３】
無電解めっき用触媒としてはパラジウムを用いる方法が知られているが、パラジウムは不導体表面等への付着性が強いため、目的とする領域以外の部分にも付着し、洗浄しても取れないことから、めっき皮膜を付着させる／させないのｏｎ／ｏｆｆ比が小さい、パラジウム自体が高価であり、経済的な負荷が大きい等の課題を抱えている。
【０００４】
また、銀パラジウム微粒子、銀微粒子を触媒核（例えば、特許文献１参照。）として、直接微粒子を被めっき基板に付着させる方法が知られているが、微粒子の溶液中での安定性が十分でなく、これを向上させるための方法として、微粒子表面を分散剤またはポリマーで被覆する方法が知られているが、この方法では微粒子表面の触媒活性を阻害することになり、触媒活性と微粒子分散液のポットライフがトレードオフの関係にある。また、銀イオンを含む水溶液を無電解めっき用の処理液として用いる方法が知られている（例えば特許文献２参照。）。しかしながら、特許文献２に記載の添加剤構成では、たとえ２液に分割していても、処理液の光、熱に対する安定性が十分とは言い難い。従って、これら各特許文献に記載の方法では、処理安定性に優れ、かつ良好なめっき皮膜が得られないという課題がある。
【特許文献１】特許第３８９０５４２号公報
【特許文献２】特開２００６−１６６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。
【０００７】
１．可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【０００８】
２．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、下記一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物から選択される少なくとも１種から形成されていることを特徴とする前記１に記載のめっき方法。
【０００９】
一般式（１）
Ｒ1−ＳＭ
〔式中、Ｒ1はアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。〕
一般式（２）
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。〕
３．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、前記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、該一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことを特徴とする前記２に記載のめっき方法。
【００１０】
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
４．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１１】
【化１】
【００１２】
〔式中、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。〕
【００１３】
【化２】
【００１４】
〔式中、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。〕
５．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１５】
【化３】
【００１６】
〔式中、Ｒ5、Ｒ6は各々アルキル基または水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。〕
６．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１７】
７．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的に水を含まないことを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１８】
８．前記可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、該被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００１９】
９．前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を、インクジェット記録装置を用いて被めっき基材上に付与することを特徴とする前記１〜８のいずれか１項に記載のめっき方法。
【００２０】
１０．前記インクジェット記録装置のインクジェット記録手段が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることを特徴とする前記９に記載のめっき方法。
【００２１】
１１．前記１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法に用いることを特徴とするめっき処理液。
【００２２】
１２．前記１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法で形成されたことを特徴とする導電性パターンシート。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２５】
《可溶性銀錯体化合物》
本発明のめっき方法においては、可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａ及び可溶性銀錯体化合物Ｂは、それぞれ同一化合物であっても、あるいはそれぞれ異なる構成からなる可溶性銀錯体化合物を用いて、異なる組成からなる処理液を形成してもよい。
【００２７】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物とは、めっき処理液の溶媒中に可溶な銀錯体化合物であれば、いかなる化合物であってもよい。この様な銀錯体化合物を形成しうる配位子としては、例えば、ヨウ素や臭素や塩素やフッ素等のハロゲン類、亜硫酸類やチオ硫酸類等の硫黄元素を含む無機塩類、アミノ基を有する化合物類、エチレンジアミン類、イミノジ酢酸類、窒素原子を含む複素環類または芳香環類、カルボキシル基を２個以上含む化合物類、メルカプト基を有する化合物類、チオエーテル基を有する化合物類等を挙げることができる。
【００２８】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物としては、その中でも前記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物から形成されることが好ましい。
【００２９】
はじめに、一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００３０】
一般式（１）：Ｒ−ＳＭ
式中、Ｒはアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。
【００３１】
ここで、アルキル基とは炭素数１〜３０の直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基を意味する。また、アリール基とはフェニル基やナフチル基のような、単環もしくは縮合環の、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を意味する。また、ヘテロ環基とはヘテロ原子を少なくとも１つ含有する、芳香族もしくは非芳香族の、単環もしくは縮合環の、置換もしくは無置換のヘテロ環基を意味する。
【００３２】
ここで置換基とは、例えば、メルカプト基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、またはヘテロ環）ジチオ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基や活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、トリアルコキシシリル基等が挙げられる。
【００３３】
なお、ここで活性メチン基とは、２つの電子求引性基で置換されたメチン基を意味し、ここに電子求引性基とはアシル基、アルコシキカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）を意味する。ここで２つの電子求引性基は互いに結合して環状構造をとっていてもよい。また、塩とはアルカリ金属、アルカリ土類金属、重金属などの陽イオンや、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオンなどの有機の陽イオンを意味する。
【００３４】
これらの置換基は、これらの置換基で更に置換されていてもよい。
【００３５】
好ましく用いられるメルカプト化合物としては、以下の化合物が挙げられる。
【００３６】
【化４】
【００３７】
【化５】
【００３８】
【化６】
【００３９】
【化７】
【００４０】
【化８】
【００４１】
上記例示した各化合物の中でも、本発明の目的効果をいかんなく発揮できる観点から、特に、例示化合物１−１０９、１−１１４、１−１１５が好ましい。
【００４２】
次いで、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００４３】
一般式（２）：Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
上記一般式（２）において、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表し、これらには直鎖基または分岐基が含まれる。また、これらの炭化水素基では１個以上の窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含んでもよい。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には芳香族基をとることはない。また、Ｓ原子に隣接するそれぞれの元素は炭素原子であることが好ましい。
【００４４】
炭化水素基に置換可能な基としては、例えば、アミノ基、グアニジノ基、４級アンモニウム基、ヒドロキシル基、ハロゲン化合物、カルボン酸基、カルボキシレート基、アミド基、スルフィン酸基、スルホン酸基、スルフェート基、ホスホン酸基、ホスフェート基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。
【００４５】
一般に銀を処理液に溶解させるためには、溶媒中で銀を可溶化することが必要である。例えば、銀と配位結合を生じさたり、銀と弱い共有結合を生じさせるような銀と相互作用を示す化学構造種を含む化合物等と共存させて、銀または銀を含む化合物を可溶化物に変換する手段を用いるのが一般的である。前記化学構造種として、ハロゲン原子、メルカプト基、カルボキシル基、イミノ基等が知られているが、本発明においては、チオエーテル基も銀溶剤として有用に作用し、共存化合物への影響が少なく、溶媒への溶解度が高い特徴がある。
【００４６】
以下、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
【００４７】
２−１：ＣＨ3ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−２：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−３：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−４：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−５：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−６：ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＨ
２−７：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−８：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−９：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１０：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１１：ＨＯＯＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１２：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１３：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ
２−１４：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１５：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１６：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１７：Ｈ3ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−１８：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−１９：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−２０：Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2
２−２１：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２２：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２３：ＨＯＯＣ（ＮＨ2）ＣＨＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＮＨ2）ＣＯＯＨ
２−２４：Ｈ2Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2
２−２５：Ｈ2Ｎ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2
２−２６：Ｈ2ＮＨＮ（Ｏ＝）ＣＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＮＨ2
２−２７：Ｈ3Ｃ（Ｏ＝）ＣＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ3
２−２８：Ｈ2ＮＯ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＯ2ＮＨ2
２−２９：ＮａＯ3ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳＯ3Ｎａ
２−３０：Ｈ3ＣＳＯ2ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＯ2ＳＣＨ3
２−３１：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＢｒ
２−３２：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＳＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＳＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＣｌ
２−３３：Ｈ2Ｎ（ＮＨ）ＣＮＨＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣ（ＮＨ）ＮＨ2・２ＨＢｒ
２−３４：〔（ＣＨ3）3ＮＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2ＳＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）3〕2+・２Ｃｌ-
【００４８】
【化９】
【００４９】
【化１０】
【００５０】
上記例示した各化合物の中でも、本発明の目的効果をいかんなく発揮できる観点から、特に、例示化合物２−２が好ましい。
【００５１】
本発明に係る請求項３においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、上記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことが好ましい。
【００５２】
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
一般式（１）で表される化合物と銀との銀錯体化合物は、各種溶媒に可溶であり、錯安定度定数が大きく、これ自体でめっき処理液中で安定であるが、還元して金属銀を生成させるためには比較的大きなエネルギーを要する。一方、一般式（２）で表される化合物と銀との銀錯体化合物は、同じく各種溶媒に可溶であるが、錯安定度定数が大きくなく、還元して金属銀を生成しやすいが、光や熱に対して処理液中で不安定である。本発明の添加量比を用いることにより、処理液中での安定性と金属銀の生成のしやすさとを両立できる。
【００５３】
《めっき処理液の溶媒》
本発明のめっき処理液に用いることのできる溶媒としては、例えば、水、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等）、多価アルコール類（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール等）、多価アルコールエーテル類（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等）、アミン類（例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、エチレンジアミン、ジエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ポリエチレンイミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、テトラメチルプロピレンジアミン等）、アミド類（例えば、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、複素環類（例えば、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキシルピロリドン、２−オキサゾリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等）、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシド等）、スルホン類（例えば、スルホラン等）、炭酸エステル類（γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル等）、尿素、アセトニトリル、アセトン等が挙げられる。
【００５４】
本発明に係る請求項７に記載のめっき方法においては、可溶性銀錯体化合物を含有する処理液が、実質的に水を含まないことが好ましい。非水系溶媒中で銀錯体化合物を存在させると、水系溶媒で起こりうる酸化銀や水酸化銀の生成が抑えられ、処理液の安定性がさらに向上する。また被めっき基材が樹脂製の場合、非水系溶媒の方が濡れ性が良く、μｍオーダー以下の微量領域へのめっき膜均一性が向上する。
【００５５】
本発明に係る請求項４に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、前記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することが好ましい態様の１つである。
【００５６】
以下、一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類の詳細について説明する。
【００５７】
前記一般式（Ａ）において、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。
【００５８】
以下、一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を下記に示すがこれらに限定されるものではない。
【００５９】
【化１１】
【００６０】
本発明に係る一般式（Ａ）で表される化合物は、公知の合成方法で容易に合成できる。
【００６１】
上記例示した一般式（Ａ）で表される化合物のうち、好ましい化合物は例示化合物（Ａ−５）である。
【００６２】
次いで、一般式（Ｂ）で表される化合物について説明する。
【００６３】
前記一般式（Ｂ）において、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。
【００６４】
一般式（Ｂ）において、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基（置換基としてエチル、ブチル、ヒドロキシエチル等のアルキル基を有してもよい）、アシルアミノ基（アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等）、アルキルスルホニルアミノ基（メタンスルホニルアミノ、ブタンスルホニルアミノ等）、アリールスルホニルアミノ基（ベンゼンスルホニルアミノ、ｐ−トルエンスルホニルアミノ等）、アルコキシカルボニルアミノ基（メトキシカルボニルアミノ等）、メルカプト基又はアルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ等）を表すが、Ｒ2及びＲ3として好ましくは、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基を挙げることができる。
【００６５】
Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、ブトキシ等）、ヒドロキシアルキル基（ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル等）、カルボキシアルキル基（カルボキシメチル、カルボキシエチル等）、スルホ基（塩を含む）、スルホアルキル基（スルホエチル、スルホプロピル等）、アミノ基（アルキル置換を含む）、アミノアルキル基（アミノエチル、アミノプロピル等）、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル等）又はアリール基（フェニル、ｐ−トリル、ナフチル等）を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。この５〜８員環は飽和又は不飽和の縮合環を形成してもよい。
【００６６】
この５〜８員環の例として、ジヒドロフラノン環、ジヒドロピロン環、ピラノン環、シクロペンテノン環、ピロリノン環、ピラゾリノン環、ピリドン環、アザシクロヘキセノン環、ウラシル環、シクロヘプテノン環、アゼピン環、シクロオクテノン環などが挙げられるが、５〜６員環が好ましい。中でも好ましい５〜６員環の例として、ジヒドロフラノン環、シクロペンテノン環、シクロヘキサノン環、ピラゾリノン環、アザシクロヘキセノン環、ウラシル環を挙げることができる。
【００６７】
Ｙが＝ＮＲ4を表す場合、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基又はカルボキシアルキル基を表すが、各置換基の具体例としては上記Ｒ2、Ｒ3、Ｐ及びＱで挙げた基と同様な基を挙げることができる。
【００６８】
以下に一般式（Ｂ）で表される化合物の具体例を示すが、これに限定されるものではない。
【００６９】
【化１２】
【００７０】
【化１３】
【００７１】
【化１４】
【００７２】
これらの塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウムなどの各塩が挙げられる。これらの中で好ましいのは、アスコルビン酸或いはエリソルビン酸（立体異性）（例示化合物Ｂ−１）である。
【００７３】
本発明に係るｐ−フェニレンジアミン類としては、芳香族一級アミン発色現像主薬が好ましく用いられ、例えばＮ，Ｎ−ジエチル−ｐ−フェニレンジアミン、２−アミノ−５−ジエチルアミノトルエン、２−アミノ−５−（Ｎ−エチル−Ｎ−ラウリルアミノ）トルエン、４−（Ｎ−エチル−Ｎ−（βーヒドロキシエチル）アミノ）アニリン、２−メチル−４−（Ｎ−エチル−Ｎ−（β−ヒドロキシエチル）アミノ）アニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−（メタンスルホンアミド）エチル）−アニリン、Ｎ−（２−アミノ−５−ジエチルアミノフェニルエチル）メタンスルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−メトキシエチルアニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−エトキシエチル）アニリン、４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（γ−ヒドロキシプロピル）アニリン等が挙げられる。
【００７４】
また、本発明においては、上記以外の銀還元剤を処理液に含有することもできる。例えば、欧州特許第５６５，１６５号、同第５７２，０５４号、同第５９３，１１０号、特開平８−２０２００２号、同８−２２７１３１号、同８−２３４３９０号等に記載されてるスルホニルヒドラジド、カルボニルヒドラジド型発色現像主薬も好ましく用いることができる。
【００７５】
具体的例示化合物としては、特開平４−８６７４１号公報の７〜９頁に記載されている（Ｃ−１）〜（Ｃ−１６）、特開昭６１−２８９３５０号公報の２９〜３１頁に記載されている（１）〜（８）、及び特開平３−２４６５４３号公報の５〜９頁に記載されている（１）〜（６２）、特開昭６１−２８９３５０号公報に記載されている例示化合物（２）、及び特開平３−２４６５４３号公報に記載されている例示化合物（１）、特開２００１−１５４３２５号公報の一般式（８）〜（１２）に記載されているスルホンアミドフェノール系還元剤、スルホンアミドアニリン系啓還元剤、ヒドラジン系還元剤、等を挙げることができる。
【００７６】
本発明に係る請求項５に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、前記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことが好ましい。
【００７７】
前記一般式（Ｃ）において、Ｒ5及びＲ6は各々アルキル基又は水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。
【００７８】
前記一般式（Ｃ）において、Ｒ5及びＲ6は、各々が同時に水素原子ではないアルキル基または水素原子を表すが、Ｒ5及びＲ6で表されるアルキル基は、同一でも異なってもよく、各々炭素数１〜３のアルキル基が好ましい。Ｒ5及びＲ6のアルキル基は置換基を有するものも含み、また、Ｒ5及びＲ6は結合して環を構成してもよく、例えば、ピペリジンやモルホリンの如き複素環を構成してもよい。
【００７９】
本発明においては、特に、置換基としてスルホン酸基またはアルコキシ基であることが好ましい。
【００８０】
前記一般式（Ｃ）で表されるヒドロキシルアミン化合物の具体的化合物は、例えば、米国特許第３，２８７，１２５号、同第３，２９３，０３４号及び同第３，２８７，１２４号等に記載されているが、以下に特に好ましい具体的な化合物を示す。
【００８１】
【化１５】
【００８２】
【化１６】
【００８３】
本発明に係る前記一般式（Ｃ）で表される化合物は、通常、遊離のアミン、塩酸塩、硫酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩、シュウ酸塩、リン酸塩、酢酸塩等の形で用いられる。
【００８４】
本発明に係る一般式（Ｃ）で表される化合物の内、好ましい化合物は、例示化合物Ｃ−３２またはこれらの反応物である。更に好ましい化合物は、メルカプト基を含有する化合物である。
【００８５】
本発明に係る請求項６に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことが好ましい。処理液にハロゲンイオンを含む場合、処理液中でハロゲンイオンの酸化還元平衡が銀塩の酸化還元平衡とクロスして存在することになり、また処理液中に硝酸イオンを含む場合、光に対して銀が還元されやすくなり、いずれの場合も処理液の安定性を低下させる要因となる。
【００８６】
《基材》
本発明に用いることができる基材としては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム等の樹脂フィルム、ガラス−エポキシ基板、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板等が挙げられる。
【００８７】
本発明で用いられる樹脂フィルムの材質としては、特に限定はないが、例えば、ポリエステル系フィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系フィルム、ポリアリレート系フィルム、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム，ポリカーボネートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム（例えば、アートン（ＪＳＲ社製）、ゼオネックス、ゼオネア（以上、日本ゼオン社製）等）、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリアクリレート系フィルム、ポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。これらの素材を主成分とする異なる材質のフィルムを積層したフィルムであってもよい。また、本発明においては、基材とその上に設ける構造物との密着性を高める観点から、基材表面に予め表面をコロナ放電処理、火炎処理、オゾン処理、プライマー処理、デスミア処理、紫外線処理、放射線処理、粗面化処理、シランカップリング剤や酸やアルカリや界面活性剤等を含む化学薬品処理を施すことが好ましい。密着性を高める機構としては、接着阻害となる表面付着の異物を取り除き表面をクリーンにする、部材界面の凹凸によるアンカー効果を用いる、両部材との界面に接着化合物を挿入する、等が挙げられる。また、また基材との密着性を向上させるため、基材上に下地層を設けてもよい。下地層に含有するバインダーは、予め基体とバインダーとの接着性が良い化合物を選択することが好ましい。例えば、ポリエステル系の基体にはポリウレタン系バインダー、ポリイミド系の基体やガラス繊維練りこみエポキシ系基板にはポリアクリル系バインダーやポリエポキシ系バインダー等が挙げられる。
【００８８】
本発明に係る請求項８に記載のめっき方法においては、本発明に係る可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することが好ましい。メルカプト基を含む化合物としては、前記一般式（１）で表される化合物を用いても良いし、あるいは下記一般式（Ｉ）で表される化合物で該メルカプト基と基材とをシロキサン結合を介して連結さえておいてもよい。
【００８９】
一般式（Ｉ）
（Ｒ）ｎ−Ｓｉ（Ａ）3-n−（Ｂ）
上記一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、好ましくは、炭素原子数１〜４の低級アルキル基であり、ｎは０〜２の整数を表す。Ａは、アルコキシ基またはハロゲン原子であり、アルコキシ基は例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の低級アルコキシ基（炭素原子数１〜４）であり、特に好ましいのはメトキシ、エトキシ基である。ハロゲン原子中好ましいのは塩素原子である。Ｂは、ＳＨ基を含む置換基を表す。Ｂは特に限定されず、メルカプト基をその構造中の何れかに少なくとも一つ、好ましくは２つ以上含有する、脂肪族或いは（ヘテロ）芳香族基であればよい。
【００９０】
これらの例としては、以下のものが挙げられる。
【００９１】
（Ｉ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオール
（Ｉ−２）γ−メルカプトプロピル−トリメトキシシラン
（Ｉ−３）３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
（Ｉ−４）メルカプトプロピルトリエトキシシラン
（Ｉ−５）γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
（Ｉ−６）γ−メルカプトプロピル−トリクロルシラン
上記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、トリアジン環を有する化合物が特に好ましく、例えば、（Ｉ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオールは、γ−プロピルトリエトキシシランと対応するメルカプトアミン類、この場合１−アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン（特開２００１−３１６８７２等に記載）を縮合反応させることで容易に得られる。
【００９２】
《パターン形成方法》
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液（以下、インクともいう）をバターン状に付与する方法としては、パターン状にインクを付与できる方法であれば特に制限はなく、公知のパターン形成方法を適用することができる。例えば、塗布方式、液噴霧方式、気相を介する噴霧方式として、圧電素子の振動を利用して液滴を飛翔させる方式、例えば、ピエゾ方式のインクジェットヘッドや、突沸を利用したサーマルヘッドを用いて液滴を飛翔させるバブルジェット（登録商標）方式のインクジェットヘッド、また空気圧や液圧により液を噴霧するスプレー方式等が挙げられる。
【００９３】
また、印刷方式としては、スクリーン印刷、フレキソ印刷、凸版や凹版印刷を挙げることができる。塗布方式としては、公知の塗布方式より適宜選択することができ、例えば、エアードクターコーター、ブレードコーター、ロッドコーター、ナイフコーター、スクイズコーター、含浸コーター、リバースローラーコーター、トランスファーローラーコーター、カーテンコーター、ダブルローラーコーター、スライドホッパーコーター、グラビアコーター、キスロールコーター、ビードコーター、キャストコーター、スプレイコーター、カレンダーコーター、押し出しコーター等が挙げられる。
【００９４】
これらの内、本発明においてはインクジェット方式を好ましく用いることができる。特に、インクジェット記録装置を用いたインクジェット方式を適用することが好ましく、更には電気回路等に使用される線幅が２０μｍ以下の細線を高精度に形成できる観点から、インクジェット記録装置によるインクの吐出方法が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることが好ましい。
【００９５】
以下、本発明に好ましく適用することができる圧力印加手段と電界印加手段とを用いたインクジェット記録方法について説明する。
【００９６】
一般に、電子回路等で要求されている微細な線幅のパターンを高精細に描画するには、インクジェット記録装置から射出するインク液滴をより微細化する必要がある。
【００９７】
しかしながら、電気−機械変換方式（例えば、シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアーモード型、シェアードウォール型等）や電気−熱変換方式（例えば、サーマルインクジェット型、バブルジェット（登録商標）型等）のみの出力手段を用いて、極微小インク液滴を吐出した場合、ノズルから吐出したインク液滴に付与される運動エネルギーは、インク液滴の半径の３乗に比例して小さくなるため、微小液滴は空気抵抗に耐えるほどの十分な運動エネルギーを確保できず、空気対流などによる擾乱を受け、正確な着弾が困難となる。
【００９８】
更にインク液滴が微細になるほど表面張力の効果が増すために、液滴の蒸気圧が高くなり蒸発量が激しくなる。このため、微細液滴は飛翔中の著しい質量の消失を招き、着弾時に液滴の形態を保つことすら難しいという問題があった。このように着弾位置の高精度化は、インク液滴の微細化と相反する課題であり、これら２つを同時に実現することに対し、障害を抱えていた。
【００９９】
本発明においては、上記課題を解決する方法として、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた射出方法を適用することが好ましい。
【０１００】
この射出方法は、０．１〜１００μｍの内径の吐出口を有するノズルを用い、導電性インクに任意波形の電圧を印加して、この導電性インクを帯電させることにより、そのインク液滴を吐出口から、樹脂層を有する基材に吐出する方法である。即ち、この射出方法はノズルの吐出口の内径が０．１〜１００μｍであり、電界強度分布が狭くなっているため、ノズル内に供給された導電性インクに任意波形の電圧を印加することにより電界を集中させることができる。
【０１０１】
その結果、形成されるインク液滴を微小で、且つ形状の安定化したものとすることができる。従って、従来よりも微細な、例えば、１ｐｌ（ピコリットル）未満の複数のインク液滴からなるインク液滴パターンを樹脂層表面に形成することができる。また、電界強度分布が狭くなっているため、ノズル内の導電性インクに印加する総印加電圧を低減することができる。また、インク液滴はノズルから吐出された直後、電界と電荷の間に働く静電力により加速されるが、ノズルから離れると電界は急激に低下するので、その後は空気抵抗により減速する。しかしながら、微小液滴で且つ電界が集中したインク液滴は、樹脂層に近づくにつれ鏡像力により加速される。この空気抵抗による減速と鏡像力による加速とのバランスをとることにより、微小液滴を安定に飛翔させ、着弾精度を向上させることが可能となる。
【０１０２】
図１は、本発明に好ましく適用できる圧力印加手段と電界印加手段とを用い導電性インク吐出装置の一例を示した概略断面図である。
【０１０３】
図１において、導電性インク吐出装置２０は、帯電可能な導電性インクの液滴を先端部から樹脂層を有する基材Ｋに向かって吐出する超微細径のノズル２１と、ノズル２１の先端部に対向する面側に配置され、その対向面で基材Ｋを支持する対向電極２３と、ノズル２１内の流路２２に導電性インクを供給する導電性インク供給手段と、ノズル２１内の導電性インクに任意波形の吐出電圧を印加する吐出電圧印加手段（電圧印加手段）２５とを備えている。なお、上記ノズル２１と導電性インク供給手段の一部の構成と吐出電圧印加手段２５の一部の構成とは、ノズルプレート２６と一体的に形成されている。
【０１０４】
ノズル２１はノズルプレート２６の下面層２６ｃから垂設され、この下面層２６ｃと一体的に形成されている。ノズル２１の先端部は対向電極２３に指向している。ノズル２１の内部には、その先端部からその中心線に沿って貫通するノズル内流路２２が形成されている。
【０１０５】
ノズル２１は、例えば、ガラスなどの電気絶縁体により、超微細径で形成されている。ノズル２１の各部の寸法の具体例を挙げると、ノズル内流路２２の内部直径は１μｍ、ノズル２１の先端部における外部直径は２μｍ、ノズル２１の根元、即ち、上端部の直径は５μｍ、ノズル２１の高さは１００μｍに設定されている。また、ノズル２１の形状は限りなく円錐形に近い円錐台形に形成されている。このようなノズル２１は、その全体がノズルプレート２６の下面層２６ｃと共に絶縁性の樹脂材により形成されている。
【０１０６】
なお、ノズル２１の各寸法は上記一例に限定されるものではない。特に吐出口の内径については、電界集中の効果により液滴の吐出を可能とする吐出電圧が１０００Ｖ未満を実現する範囲であって、例えば、１００μｍ以下であり、より望ましくは２０μｍ以下であって、現行のノズル形成技術により溶液を通す貫通穴を形成することが実現可能な範囲である内径、例えば０．１μｍをその下限値とする。
【０１０７】
導電性インク供給手段は、ノズルプレート２６の内部であってノズル２１の根元となる位置に設けられると共にノズル内流路２２に連通する溶液室２４と、図示しない外部の導電性インクタンクからインク室２４に導電性インクを導く供給路２７と、インク室２４への溶液の供給圧力を付与する図示しない供給ポンプとを備えている。
【０１０８】
上記供給ポンプはノズル２１の先端部まで導電性インクを供給し、当該先端部からこぼれ出さない範囲の供給圧力を維持して導電性インクの供給を行う。
【０１０９】
吐出電圧印加手段２５は、ノズル２１内の導電性インクに吐出電圧を印加してこの導電性インクを帯電させることにより、この導電性インクの液滴をノズル２１の吐出口から基材Ｋに向かって吐出させるものである。この吐出電圧印加手段２５は、ノズルプレート２６の内部であってインク室２４とノズル内流路２２との境界位置に設けられた吐出電圧印加用の吐出電極２８と、この吐出電極２８に常時、直流のバイアス電圧を印加するバイアス電源３０と、吐出電極２８にバイアス電圧に重畳して吐出に要する電位とするパルス電圧を印加する吐出電圧電源２９とを備えている。
【０１１０】
吐出電極２８は、インク室２４内部において導電性インクに直接接触し、導電性インクを帯電させると共に吐出電圧を印加する。
【０１１１】
バイアス電源３０によるバイアス電圧は、導電性インクの吐出が行われない範囲で常時電圧印加を行うことにより、吐出時に印加すべき電圧の幅を予め低減し、これによる吐出時の反応性の向上を図っている。一例を挙げると、バイアス電圧はＤＣ３００Ｖで印加され、パルス電圧は１００Ｖで印される。従って、吐出の際の重畳電圧は４００Ｖとなる。
【０１１２】
ノズルプレート２６は、最も上層に位置する上面層２６ａと、その下に位置する導電性インクの供給路を形成する流路層２６ｂと、この流路層２６ｂの更に下に形成される下面層２６ｃとを備え、流路層２６ｂと下面層２６ｃとの間には、吐出電極２８が介挿されている。
【０１１３】
対向電極２３はノズル２１に垂直な対向面を備えており、かかる対向面に沿うように基材Ｋの支持を行う。ノズル２１の先端部から対向電極２３の対向面までの距離は、例えば、１００μｍ等一定に保持されている。
【０１１４】
また、対向電極２３は接地されているため、常時、接地電位を維持している。従って、パルス電圧の印加時にはノズル２１の先端部と対向面との間に生じる電界による静電力により吐出された液滴を対向電極２３側に誘導する。
【０１１５】
なお、導電性インク吐出装置２０は、ノズル２１の超微細化による当該ノズル２１の先端部での電界集中により電界強度を高めることで液滴の吐出を行うことから、対向電極２３による誘導がなくとも液滴の吐出を行うことは可能ではあるが、ノズル２１と対向電極２３との間での静電力による誘導が行われた方が望ましい。この場合、ノズル２１から吐出され空気抵抗により減速する液滴を、鏡像力により加速することができる。従って、これら空気抵抗による減速と鏡像力による加速とのバランスをとることにより、微小液滴を安定に飛翔させ、着弾精度を向上させることができる。またなお、帯電した液滴の電荷を、対向電極２３の接地により逃がすことも可能である。
【０１１６】
以上のような導電性インク吐出装置２０は、図示しない駆動機構により、基材Ｋの搬送方向に対して直交する方向に走査自在とされた走査型の導電性インク吐出装置としてもよい。この場合において、導電性インク吐出装置２０に複数のノズル２１を配列するようにしてもよい。また、導電性インク吐出装置２０は、基材Ｋの搬送方向に対して直交する方向に多数のノズル２１を配列してなるライン型の導電性インク吐出装置としてもよい。
【０１１７】
《めっき処理方法》
本発明においては、従来公知のめっき法を適用できるが、その中でも、低抵抗の導電性パターンを煩雑な工程なしに簡便、低コストでめっき処理することができる観点から、無電解めっき法を適用することが好ましい。
【０１１８】
無電解めっき法によるめっき処理は、上述の方法に従ってめっき触媒として作用する金属微粒子を含有する導電性パターンにめっき剤を接触させる方法である。これにより、めっき触媒である金属微粒子とめっき剤とが接触し、導電性パターン部に無電解めっきが施されて、より優れた導電性を得ることができる。
【０１１９】
本発明に係るめっき処理で使用できるめっき剤としては、例えば、めっき材料として析出させる金属イオンが均一溶解された溶液が用いられ、金属塩とともに還元剤が含有される。ここで、通常は溶液が用いられるが、無電解めっきを生じさせるものであればこれに限らず、ガス状や粉体のめっき剤を適用することも可能である。
【０１２０】
具体的に、この金属塩としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の金属のハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩などが適用可能である。また、還元剤としては、ヒドラジン、ヒドラジン塩、ボロハライド塩、次亜リン酸塩、次亜硫酸塩、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、カルボン酸塩などが適用可能である。なお、これらの還元剤に含有されるボロン、燐、窒素などの元素が析出する電極に含有されていても構わない。あるいは、これらの金属塩の混合物を用いて合金が形成されていても構わない。
【０１２１】
めっき剤は上記金属塩と還元剤とが混合されたものを適用するようにしてもよいし、あるいは金属塩と還元剤とを別個に適用するようにしてもよい。ここで、導電性パターンをより鮮明に形成するためには、金属塩と還元剤とが混合されたものを適用することが好ましい。また、金属塩と還元剤とを別個に適用する場合には、導電性パターン部にまず金属塩を配した後、還元剤を配することでより安定した電極パターンを形成することができる。
【０１２２】
めっき剤には、必要があればｐＨ調整のための緩衝剤、界面活性剤などの添加物を含有させることができる。また、溶液に用いる溶媒としては、水以外にアルコール、ケトン、エステルなどの有機溶剤を添加するようにしても構わない。
【０１２３】
めっき剤の組成は、析出させる金属の金属塩、還元剤、及び必要に応じて添加物、有機溶媒を添加した組成で構成されるが、析出速度に応じて濃度や組成を調整することができる。また、めっき剤の温度を調節して析出速度を調整することもできる。この温度調整の方法としては、めっき剤の温度を調整する方法、また、例えば、めっき剤中に浸漬する場合、浸漬前に基材を加熱、冷却して温度調節する方法などが挙げられる。更にめっき剤に浸漬する時間で析出する金属薄膜の膜厚を調整することもできる。
【０１２４】
《可溶性銀錯体化合物を含有する処理液のその他の構成》
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液は、前述の可溶性銀錯体化合物を含む溶液であればいかなる組成であってもよい。
【０１２５】
本発明に係る可溶性銀錯体化合物を含有する処理液がインクジェットインクの場合には、上記説明した他に必要に応じて各種添加剤を適用することができる。
【０１２６】
本発明に係る処理液においては、前述の溶媒の他には、吐出安定性、プリントヘッドやインクカートリッジ適合性、保存安定性、画像保存性、その他の諸性能向上の目的に応じて、公知の各種添加剤、例えば、粘度調整剤、表面張力調整剤、比抵抗調整剤、皮膜形成剤、分散剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、退色防止剤、防ばい剤、防錆剤等を適宜選択して用いることができ、例えば、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル類、ポリメタクリル酸エステル類、ポリアクリルアミド類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、またはこれらの共重合体、尿素樹脂、またはメラミン樹脂等の有機ラテックス、流動パラフィン、ジオクチルフタレート、トリクレジルホスフェート、シリコンオイル等の油滴微粒子、カチオンまたはノニオンの各種界面活性剤、特開昭５７−７４１９３号、同５７−８７９８８号及び同６２−２６１４７６号の各公報に記載の紫外線吸収剤、特開昭５７−７４１９２号、同５７−８７９８９号、同６０−７２７８５号、同６１−１４６５９１号、特開平１−９５０９１号及び同３−１３３７６号の各公報等に記載されている退色防止剤、特開昭５９−４２９９３号、同５９−５２６８９号、同６２−２８００６９号、同６１−２４２８７１号及び特開平４−２１９２６６号の各公報等に記載されている蛍光増白剤、硫酸、リン酸、クエン酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等のｐＨ調整剤等を挙げることができる。
【０１２７】
本発明に係る処理液の調製については、特に制限はないが、各種添加剤を含むインクの調製を行う場合、調製過程での凝集、沈降が生じないようにインクを調製することが好ましい。必要に応じて、添加物の添加順序、添加速度を調節する等の調合方法を取ることができる。
【０１２８】
本発明に係る処理液の粘度は特に制限はないが、２５℃における粘度が２ｍＰａ・ｓ以上、１０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。また、本発明に係るインクジェットインクの粘度は、シェアレート依存性がない方が好ましい。
【０１２９】
また、本発明に係る処理液においては、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２５〜３５ｍＮ／ｍである。本発明で言うインクの表面張力（ｍＮ／ｍ）は、２５℃で測定した表面張力で値であり、その測定法は一般的な界面化学、コロイド化学の参考書等において述べられているが、例えば、新実験化学講座第１８巻（界面とコロイド）、日本化学会編、丸善株式会社発行：Ｐ．６８〜１１７を参照することができる。
【０１３０】
本発明に係る処理液においては、インク保存安定性の観点から、電気伝導度が１ｍＳ／ｍ以上、５００ｍＳ／ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１ｍＳ／ｍ以上、２００ｍＳ／ｍ以下であり、更に好ましくは１０ｍＳ／ｍ以上、１００ｍＳ／ｍ以下である。また、本発明に係るインクの調製においては、イオン濃度を適宜調整することが好ましい。
【０１３１】
《導電性パターンシート》
上記方法により作製されるシート状の基材上に導電性パターンを形成した本発明の導電性パターンシートは、構成が簡単で安価であり、接触型、非接触あるいはハイブリッド型のＩＣカード、ＩＣラベル、ＩＣタグ、ＩＣフォームなどの情報記録媒体やペーパーコンピュータなどとして用いられる他、プリント基板など一般の導電回路として用いることができる。また、基材として透明フィルムを用いて、電磁波遮蔽フィルムとして用いることもできる。
【実施例】
【０１３２】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
【０１３３】
実施例１
《導電性パターン試料の作製》
〔試料１の作製〕
表面に１２Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2のコロナ放電処理を２秒間施した市販のガラス−エポキシ基板上に、オフセット印刷法を用いて、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ｃ−１を、回路幅１００μｍ、回路間隔１００μｍの櫛歯パターン状で、ウエット膜厚１０μｍで付与し、その後、溶媒を乾燥させた。次に、下記の無電解銅めっき液１に浸漬し、７５℃で２０分間の無電解めっき処理を行って、平均膜厚が４．５μｍの導電性パターンを形成し、これを試料１とした。
【０１３４】
〈めっき液Ｃ−１の調製〉
平均粒子径が２０ｎｍの銀コロイド微粒子（保護コロイド成分を１．５質量％含む）を５質量％、平均粒子径が５０ｎｍのパラジウムコロイド微粒子（保護コロイド成分を３質量％含む）を１５質量％、ポロピレングリコールモノメチルアセテート２０質量％、水６０質量％を混合させて、めっき液Ｃ−１を調製した。
【０１３５】
〈無電解銅めっき液１の調製〉
硫酸銅０．０４モル、ホルムアルデヒド（３７質量％）０．０８モル、水酸化ナトリウム０．１０モル、トリエタノールアミン０．０５モル、ポリエチレングリコール１００ｐｐｍに、水を加えて全量を１Ｌとし、無電解銅めっき液１を調製した。
【０１３６】
〔試料２の作製〕
上記試料１の作製において、めっき液Ｃ−１を、下記Ｃ−２に変更した以外は同様にして、試料２を作製した。
【０１３７】
〈めっき液Ｃ−２の調製〉
平均粒子径が２０ｎｍの銀コロイド微粒子（保護コロイド成分を１．５質量％含む）を２０質量％、ポロピレングリコールモノメチルアセテート２０質量％、水６０質量％を混合させて、めっき液Ｃ−２を調製した。
【０１３８】
〔試料３の作製〕
表面に１２Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2のコロナ放電処理を２秒間施した市販のガラス−エポキシ基板上に、オフセット印刷法を用いて、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ａ−１を、回路幅１００μｍ、回路間隔１００μｍの櫛歯パターン状で、ウエット膜厚１０μｍで付与し、その後、溶媒を乾燥させた。この基板に、８５℃、８０％ＲＨ環境下で１２時間の強制劣化処理を施した下記めっき液Ａ−２を、ウエット膜厚１５μｍの条件で基板全面に付与し、その後溶媒を乾燥させた。次に、無電解銅めっき液１に浸漬し、７５℃で２０分間の無電解めっき処理を行って、平均膜厚が４．５μｍの導電性パターンを形成し、これを試料３とした。
【０１３９】
〈めっき液Ａ−１の調製〉
硝酸銀０．８５ｇ、チオ硫酸ナトリウム４．２５ｇ、りん酸カリウム１５．０ｇ、ホウ酸カリウム５．０ｇ及びポリエチレングリコール１００ｐｐｍに水を加えて、全量を１Ｌとして、めっき液Ａ−１を調製した。
【０１４０】
〈めっき液Ａ−２の調製〉
硝酸銀０．８５ｇ、チオ硫酸ナトリウム４．２５ｇ、りん酸カリウム１５．０ｇ、ホウ酸カリウム５．０ｇ、ポリエチレングリコール０．１ｇ及び硫酸ヒドラジン５．０ｇに水を加えて全量を１Ｌとして、めっき液Ａ−２を調製した。
【０１４１】
〔試料４の作製〕
上記試料３の作製において、めっき液Ａ−１及びめっき液Ａ−２の調製に用いた硝酸銀を、等モルの塩化銀に変更した以外は同様にして、試料４を作製した。
【０１４２】
〔試料５の作製〕
上記試料３の作製において、めっき液Ａ−１及びめっき液Ａ−２の調製に用いたチオ硫酸ナトリムを、銀に対して２倍モルの例示化合物（１−１０９）に変更した以外は同様にして、試料５を作製した。
【０１４３】
〔試料６の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１１０）に変更した以外は同様にして、試料６を作製した。
【０１４４】
〔試料７の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（２−２）に変更した以外は同様にして、試料７を作製した。
【０１４５】
〔試料８の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（２−３）に変更した以外は同様にして、試料８を作製した。
【０１４６】
〔試料９の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１１の混合物に変更した以外は同様にして、試料９を作製した。
【０１４７】
〔試料１０の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１５の混合物に変更した以外は同様にして、試料１０を作製した。
【０１４８】
〔試料１１の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．１０の混合物に変更した以外は同様にして、試料１１を作製した。
【０１４９】
〔試料１２の作製〕
上記試料５の作製において、例示化合物（１−１０９）を等モルの例示化合物（１−１０９）／例示化合物（２−３）＝０．０８の混合物に変更した以外は同様にして、試料１２を作製した。
【０１５０】
〔試料１３の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのスルホハイドロキノンに変更した以外は同様にして、試料１３を作製した。
【０１５１】
〔試料１４の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのＬ−アスコルビン酸に変更した以外は同様にして、試料１４を作製した。
【０１５２】
〔試料１５の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのエルソルビン酸に変更した以外は同様にして、試料１５を作製した。
【０１５３】
〔試料１６の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルの４−アミノ−３−メチル−Ｎ−エチル−Ｎ−（β−（メタンスルホンアミド）エチル）アニリン硫酸塩に変更した以外は同様にして、試料１６を作製した。
【０１５４】
〔試料１７の作製〕
上記試料１２の作製において、硫酸ヒドラジンを等モルのＮ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩に変更した以外は同様にして、試料１７を作製した。
【０１５５】
〔試料１８の作製〕
上記試料１７の作製において、Ｎ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩をジナトリウム−Ｎ，Ｎ−ビス（スルホナートエチル）ヒドロキシルアミンに変更した以外は同様にして、試料１８を作製した。
【０１５６】
〔試料１９の作製〕
上記試料１７の作製において、硝酸銀に対して、５モル％のヒドロキシルアミン硫酸塩を添加した以外は同様にして、試料１９を作製した。
【０１５７】
〔試料２０の作製〕
上記試料１９の作製において、硝酸銀を等モルのｐ−トルエンスルホン酸銀に変更し、塩化カリウムを除いた以外は同様にして、試料２０を作製した。
【０１５８】
〔試料２１の作製〕
上記試料２０の作製において、りん酸カリウム及びホウ酸カリウムを除き、水を同質量の炭酸プロピレンに変更した以外は同様にして、試料２１を作製した。
【０１５９】
〔試料２２の作製〕
上記試料２１の作製において、炭酸プロピレンを同質量の炭酸プロピレン／γブチロラクトン＝７／３に変更し、Ｎ−エチル−Ｎ−（ヒドロキシエチル）−３−メチル−４−アミノアニリン硫酸塩を等モルのエルソルビン酸に、ヒドロキシルアミン硫酸塩を等モルのジナトリウム−Ｎ，Ｎ−ビス（スルホナートエチル）ヒドロキシルアミンに変更した以外は同様にして、試料２２を作製した。
【０１６０】
〔試料２３の作製〕
上記試料２２の作製において、ガラス−エポキシ基板を、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランを付与して６０℃で１時間加熱処理したガラス−エポキシ基板に変更した以外は同様にして、試料２３を作製した。可溶性銀錯体化合物Ａを付与の後、この基板を十分に水洗して、基板表面の銀を光電子分光装置を用いて既知の方法で分析したところ、基板表面から銀が検出され、銀が固定されていることが分かった。一方、シラン処理を行わなかった基板については、基板表面から銀は検出されなかった。
【０１６１】
《導電性パターン試料の評価》
（絶縁抵抗値の測定）
得られた櫛歯パターンを有する各試料（回路基板）を、８５℃、８５％ＲＨの恒温槽内にて、２４Ｖ印加で５００時間通電させた後、絶縁抵抗値（ＭΩ）を測定した。
【０１６２】
（絶縁部のめっき析出耐性の評価）
上記絶縁抵抗値の評価で用いた試料の絶縁部分への無電解めっき膜の析出状況を１００倍顕微鏡で観察し、下記の基準に従ってめっき析出耐性の評価を行った。
【０１６３】
◎：絶縁部で、めっき析出が確認できない
○：絶縁部で僅かなめっき析出が確認できる、その面積は絶縁部全面積に対して５％未満である
△：絶縁部でめっき析出が確認でき、その面積は絶縁部全面積に対して、５％以上、５０％以下である
×：ほぼ絶縁部全面積にわたって析出が確認される
以上により得られた結果を、表１に示す。
【０１６４】
【表１】
【０１６５】
表１に記載の結果より明らかな様に、本発明で規定する構成を満たす試料は、めっき液の強制劣化を行っても絶縁抵抗が高く、良好なめっき皮膜が形成されていることが分かる。
【０１６６】
実施例２
実施例１に記載の各試料の作製において、オフセット印刷によるパターン形成に代えて、図１に記載の圧力印加手段と電界印加手段とを備えたインクジェット記録装置の圧力印加手段のみを用いてパターンを形成した以外は実施例１と同様にして各試料を作製し、実施例１に記載の各評価を行った結果、実施例１と同様の結果を得ることができた。
【０１６７】
実施例３
実施例２に記載の各試料の作製において、インクジェット記録装置によるパターン形成を、圧力印加手段と電界印加手段の両方を用いて行った所、強制劣化を行っためっき液Ｃ−１，Ｃ−２がインクジェット記録ヘッドのノズル部でノズル詰まりを起こし、試料１、２は作製できなかった。これに対し、試料５〜２３で用いためっき液は、良好に射出でき、実施例１と同様の評価結果を得ることができた。
【０１６８】
実施例４
実施例１〜３に記載の各試料の作製において、無電解銅めっきの代わりに、以下に示す無電解銀めっき液２を用いてめっき処理を行った結果、実施例１〜３と同様の結果を得ることができた。
【０１６９】
〈無電解銀めっき液２〉
ｐ−トルエンスルホン酸銀を１．００ｇ、リン酸カリウムを１５．０ｇ、ホウ酸カリウムを５．０ｇ、ヒダントインを１０．０ｇ、トリエタノールアミンを０．０５モル、ポリエチレングリコールを１００ｐｐｍ、水を加えて全量を１Ｌとして、無電解めっき液２を調製した。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】本発明に好ましく適用できる圧力印加手段と電界印加手段とを用い導電性インク吐出装置の一例を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【０１７１】
２０ 導電性インク吐出装置
２１ ノズル
２２ ノズル内流路
２３ 対向電極
２４ インク室
２５ 吐出電圧印加手段
２６ ノズルプレート
２７ 供給路
２８ 吐出電極
３０ バイアス電源
Ｋ 基材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、下記一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物から選択される少なくとも１種から形成されていることを特徴とする請求項１に記載のめっき方法。
一般式（１）
Ｒ1−ＳＭ
〔式中、Ｒ1はアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。〕
一般式（２）
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。〕
【請求項３】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、前記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、該一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことを特徴とする請求項２に記載のめっき方法。
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
【請求項４】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき方法。
【化１】
〔式中、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。〕
【化２】
〔式中、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。〕
【請求項５】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のめっき方法。
【化３】
〔式中、Ｒ5、Ｒ6は各々アルキル基または水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。〕
【請求項６】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的に水を含まないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項８】
前記可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、該被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項９】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を、インクジェット記録装置を用いて被めっき基材上に付与することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項１０】
前記インクジェット記録装置のインクジェット記録手段が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることを特徴とする請求項９に記載のめっき方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法に用いることを特徴とするめっき処理液。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法で形成されたことを特徴とする導電性パターンシート。
【請求項１】
可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、下記一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物から選択される少なくとも１種から形成されていることを特徴とする請求項１に記載のめっき方法。
一般式（１）
Ｒ1−ＳＭ
〔式中、Ｒ1はアルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｍは水素原子、金属原子またはアンモニウムを表す。〕
一般式（２）
Ｒ2−Ｓ−Ｒ3
〔式中、Ｒ2、Ｒ3は各々置換または無置換の炭化水素基を表す。但し、Ｓ原子を含む環を形成する場合には、芳香族基をとることはない。〕
【請求項３】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂが、前記一般式（１）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とから形成され、該一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物の添加量比が、下記式（１）で規定する条件を満たすことを特徴とする請求項２に記載のめっき方法。
式（１）
０＜〔一般式（１）で表される化合物のモル数／一般式（２）で表される化合物のモル数〕≦０．１
【請求項４】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及びｐ−フェニレンジアミン類から選ばれる少なくとも１種の銀還元剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のめっき方法。
【化１】
〔式中、Ｒ1は、−ＳＯ3Ｍ基、−ＣＯＯＭ基、置換若しくは無置換のアミノ基、または置換若しくは無置換のアンモニオ基を表す。Ｍは、水素原子、アルカリ金属原子、または置換若しくは無置換のアンモニウムイオンを表す。ｎは１または２を表し、ｍは１、２または３を表す。〕
【化２】
〔式中、Ｒ2及びＲ3は各々、ヒドロキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、メルカプト基またはアルキルチオ基を表す。Ｐ及びＱは各々、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、スルホ基、スルホアルキル基、アミノ基、アミノアルキル基、アルキル基またはアリール基を表すか、互いに結合してＲ2、Ｒ3が置換している二つのビニル炭素原子及びＹが置換している炭素原子と共に５〜８員環を形成する非金属原子群を表す。Ｙは＝Ｏまたは＝ＮＲ4を表し、Ｒ4は水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホアルキル基またはカルボキシアルキル基を表す。〕
【請求項５】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、下記一般式（Ｃ）で表される化合物を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のめっき方法。
【化３】
〔式中、Ｒ5、Ｒ6は各々アルキル基または水素原子を表す。ただし、Ｒ5及びＲ6が同時に水素原子であることはない。また、Ｒ5及びＲ6は環を形成してもよい。〕
【請求項６】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的にハロゲンイオン、まはた硝酸イオンを含まないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液が、実質的に水を含まないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項８】
前記可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与する前に、該被めっき基材上にメルカプト基を含む化合物を固定化し、さらに、該メルカプト基に、該可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液に含まれる銀または銀イオンを固定することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項９】
前記可溶性銀錯体化合物Ａまたは可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を、インクジェット記録装置を用いて被めっき基材上に付与することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のめっき方法。
【請求項１０】
前記インクジェット記録装置のインクジェット記録手段が、圧力印加手段と電界印加手段とを用いた方法であることを特徴とする請求項９に記載のめっき方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法に用いることを特徴とするめっき処理液。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のめっき方法で形成されたことを特徴とする導電性パターンシート。
【図１】
【公開番号】特開２００９−１０２６７５（Ｐ２００９−１０２６７５Ａ）
【公開日】平成２１年５月１４日（２００９．５．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７３４９０（Ｐ２００７−２７３４９０）
【出願日】平成１９年１０月２２日（２００７．１０．２２）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月１４日（２００９．５．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月２２日（２００７．１０．２２）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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