アトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置
【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アトムプローブ用針状試料の加工方法及びアトムプローブ用針状試料を加工する集束イオンビーム装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アトムプローブは、針状に形成された試料の先端の頂点周辺に高電界を発生させ、電界蒸発現象により針状試料の先端の頂点周辺の組成を原子レベルで分析する装置である。電界蒸発は針状試料の先端の表面第一層から内部に向けて各原子層を順番に進行する。このため、アトムプローブによって、針状試料の層ごとの組成や界面の組成分布、さらには電子状態変化を調べることができる（例えば、特許文献１参照）。
ここで、アトムプローブで分析される針状試料の先端の頂点周辺とは、先端の頂点を中心とした直径が数十ｎｍの範囲のことである。
アトムプローブ用の針状試料の先端の頂点周辺の形状は、その頂点周辺の曲率半径が数十ｎｍ程度に鋭いことが必要であり、ナノメートルサイズの加工が可能な集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を用いて針状試料の加工が行われている。
【０００３】
集束イオンビームを用いた針状試料の一つの加工方法として、針状試料の先端に保護層を形成し、針状試料の軸線方向から集束イオンビームを照射して先端の頂点周辺を鋭く尖らせた形状に加工する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。また、針状試料の他の方法加工として、針状試料の軸線に対して直交する方向から集束イオンビームを照射して先端の頂点周辺を鋭く尖らせた形状に加工する方法がある。
【特許文献１】特開２００２−４２７１５号公報
【特許文献２】特開２００６−２５８６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２の方法では、照射した集束イオンビーム中のイオンが針状試料に打ち込まれて汚染されるために、正確な分析ができないという問題があった。
また、針状試料に集束イオンビーム中のイオンが打ち込まれるために針状試料の機械的な強度が弱くなり、針状試料をアトムプローブで分析する時に針状試料が軸線方向に引っ張られて、折れてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のアトムプローブ用針状試料の加工方法は、集束イオンビームの照射によってアトムプローブ用の針状試料の先端を加工するアトムプローブ用針状試料の加工方法であって、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記集束イオンビームの進行方向に対して前記針状試料の軸線が鋭角をなすように傾斜させて配置し、前記針状試料をその軸線を中心に回転させながら、該針状試料の先端を加工することを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の集束イオンビーム装置は、針状試料を収容するチャンバーと、前記チャンバーの内部を真空排気させる減圧手段と、前記チャンバーの内部に集束イオンビームを照射させるビーム発生手段と、前記チャンバー内に配置された試料載置台とを備え、前記試料載置台に設けられたブラケットには、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記針状試料の軸線を前記集束イオンビームの進行方向に対して鋭角をなすように傾斜させて保持するクランプが設けられ、前記クランプごと前記針状試料をその軸線を中心に回転させる回転手段を備えることを特徴としている。
【０００８】
この発明によれば、アトムプローブで分析される針状試料の先端の頂点周辺が集束イオンビームの進行方向先方に位置する状態で頂点周辺が加工される。このため針状試料の先端において、削除される部分以外には集束イオンビームが当たらないので、針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えることができる。
また、削除される部分にのみ集束イオンビーム中のイオンが打ち込まれるので、針状試料の表面に生じる傷を低減させ、針状試料の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【０００９】
また、前記集束イオンビームの進行方向に対する前記針状試料の軸線の傾斜角度が３０°以上４５°以下の範囲に設定されていることがより好ましい。
この発明によれば、傾斜角度が４５°以下なので、加工された針状試料の先端の円錐面の頂点部の角度は４５°の２倍の９０°以下になる。このため、針状試料をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料の先端の頂点周辺に集中する。従って、針状試料の組成をより正確に分析することができる。
また、傾斜角度が３０°以上なので、集束イオンビームを照射させる装置と針状試料を軸線を中心に回転させながら支持する装置との配置位置の干渉が抑えられる。従って、アトムプローブ用針状試料の加工装置の設計を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置によれば、集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の集束イオンビーム装置１００の側面断面図、図２は図１における要部断面図である。
図１に示すように、本発明の集束イオンビーム装置１００は、真空排気されたチャンバー１０１内に配置された軸線Ｃ１を中心に回転するアトムプローブ用の針状試料１０を、その先端１１をＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながらＦＩＢ鏡筒１２０から照射される集束イオンビームＢで加工する装置である。
集束イオンビーム装置１００は、針状試料１０を収容するチャンバー１０１と、チャンバー１０１の内部を真空排気させる真空ポンプ１０２と、チャンバー１０１の内部に集束イオンビームＢを照射させるＦＩＢ鏡筒１２０と、チャンバー１０１内に配置された試料載置台１３０と、試料載置台１３０に設けられたブラケット１１０と、ブラケット１１０に設けられ針状試料１０を保持するクランプ１０６と、クランプ１０６ごと針状試料１０をその軸線Ｃ１を中心に回転させる試料回転モータ１４０と、針状試料１０を観察するＳＥＭ鏡筒１５０と、各構成を制御する制御手段１６０とを備えている。
なお、真空ポンプ１０２は特許請求の範囲の減圧手段に、ＦＩＢ鏡筒１２０はビーム発生手段に、試料回転モータ１４０は回転手段にそれぞれ相当する。
【００１２】
針状試料１０は、後述する集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程で説明するように、図３に示すような形状に加工される。すなわち、針状試料１０は、基端１２に略直方体の形状を有し、中央部１５から先端１１までは円筒の形状を有し、先端１１には軸線Ｃ１上の頂点１３と外周１６とを有する円錐面１４を備えている。
なお図３に示すように、針状試料１０の先端１１の円錐面１４の頂点１３部の角度はαとなっている。
【００１３】
図１に示すように、真空ポンプ１０２はチャンバー１０１の側面に設けられた排気口１０１ａからチャンバー１０１内の空気を排気する。
また、ＳＥＭ鏡筒１５０は、図示しない電子発生源で発生した電子を図示しない電子光学系で細く絞って電子ビームＥとした後に照射して、測定対象物である針状試料１０を観察する。
【００１４】
ここで、水平面に平行でかつ互いに直交する二軸をＸ軸及びＹ軸、これらＸ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する軸をＺ軸とする。
試料載置台１３０は、ブラケット１１０をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿って移動させるＸＹＺ移動機構１３２と、ブラケット１１０をＺ軸回りに回転させるローテーション機構１３３と、ブラケット１１０をＸ軸回りに回転させるチルト機構１３１と、上部にブラケット１１０を設ける天板１３４とを有する。このように構成された試料載置台１３０は、ブラケット１１０を５軸に変位させることで、クランプ１０６に保持された針状試料１０位置を調節することができる。
【００１５】
図２に示すように、ブラケット１１０は、天板１３４上に設けられ内部に試料回転モータ１４０を収容する凹型溝１１１ａを備えたベース１１１と、ベース１１１の上面であって凹型溝１１１ａの両側からベース１１１の上面に直交する方向へ伸びる一対の側板１１２と、一対の側板１１２に同一軸線Ｃ２を有するように固定された一対の軸受け１１３と、一対の軸受け１１３に固定され、軸線Ｃ２を中心に回転する一対の回転板１１４と、一対の回転板１１４を一対の側板１１２に固定させる固定部材１１５と、一対の回転板１１４を連結させる取付板１１６とを備えている。
【００１６】
一対の側板１１２には、軸線Ｃ２を中心とするガイド孔１１２ａがそれぞれ設けられている。また、一対の回転板１１４は一対の側板１１２の内側に配置され、一対の回転板１１４の側面には円筒形状のボス１１４ａがそれぞれ外側向きに設けられている。ボス１１４ａの径はガイド孔１１２ａの幅より少し小さくなるように設定されていて、ボス１１４ａがガイド孔１１２ａに沿って移動可能なように配置されている。
そして、制御手段１６０からの信号により、図示しない回転板モータが、軸受け１１３の軸線Ｃ２を中心として回転板１１４を回転させ、図示しない固定モータが固定部材１１５をその軸線方向に移動させて側板１１２を回転板１１４と固定部材１１５で挟み込むことにより、回転板１１４を側板１１２に固定させる。
一対の軸受け１１３は同一軸線Ｃ２を有するように固定されているが、この二つの軸受け１１３の間には空間があり、そこに針状試料１０の先端１１が配置されている。そして、この空間に後述する集束イオンビームＢが照射され、針状試料１０の先端１１が加工される。
【００１７】
試料回転モータ１４０は取付板１１６に固定され、試料回転モータ１４０の図示しない出力軸は、軸線Ｃ４を中心に回転する。ブラケット１１０に設けられたクランプ１０６は、４方向から針状試料１０の基端１２を把持し、試料回転モータ１４０はクランプ１０６ごと針状試料１０をその軸線Ｃ１を中心に回転させる。この時、針状試料１０の軸線Ｃ１と試料回転モータ１４０の軸線Ｃ４が一致するとともに、針状試料１０の軸線Ｃ１と軸受け１１３の軸線Ｃ２が直交するように針状試料１０、ブラケット１１０等の形状が設定されている。
【００１８】
ＦＩＢ鏡筒１２０は、ビーム状のイオンを発生させるイオン発生源１２１と、発生したイオンビームをＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ偏向させる偏向器１２２ｘ及び偏向器１２２ｙと、イオンビームを集光させる対物レンズ１２３とを有している。
対物レンズ１２３で集光された集束イオンビームＢは、Ｚ軸の一つの方向である進行方向Ｄに向かって進む。
【００１９】
図２に示す針状試料１０の先端１１を加工する時には、クランプ１０６は、針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ後方を向くように、針状試料１０の軸線Ｃ１を集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対して３０°以上４５°以下の範囲の角度をなすように傾斜させて保持している。すなわち、図２に示す針状試料１０の軸線Ｃ１と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θが３０°以上４５°以下の範囲なるように、クランプ１０６は針状試料１０を保持している。
【００２０】
次に、図４から図８を参照して、集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程について説明する。図４及び図５は斜視図であり、図６から図８は側面図である。また、図９は、集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程を示すフローチャートである。
なお、針状試料１０は、集積回路等の電子デバイスから集束イオンビーム等を用いて加工して取り出された時には図４に示すように細長いブロック状の針状試料２０となっている。そして、集束イオンビーム装置１００により、この針状試料２０は、図３で示した針状試料１０の形状に加工される。
【００２１】
まずステップＳ１０において、図４に示すように、集束イオンビーム装置１００内のブラケット１１０に設けられたクランプ１０６に針状試料２０を固定する。そして制御手段１６０により、針状試料２０の軸線Ｃ３がＸ軸と平行になり、かつＺ軸方向から照射される集束イオンビームＢが針状試料２０に当たるように調整する。この時は、ＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながら制御手段１６０に指示して、ブラケット１１０、試料載置台１３０のチルト機構１３１、ＸＹＺ移動機構１３２及びローテーション機構１３３を調整することになる。
そして、制御手段１６０により真空ポンプ１０２を駆動させ、排気口１０１ａからチャンバー１０１内の空気を排気させ、ステップＳ２０に移行する。
【００２２】
次にステップＳ２０では、図５に示すように、制御手段１６０に指示して試料回転モータ１４０を駆動させて、針状試料２０を軸線Ｃ３を中心に回転させる。そして、ＦＩＢ鏡筒１２０により集束イオンビームＢを照射させながらＸＹＺ移動機構１３２をＸ軸方向に移動させることによりクランプ１０６に保持された針状試料２０をＸ軸方向移動させ、針状試料２０の先端２１から中央部２５までを円筒状に加工し、ステップＳ３０に移行する。
なお、集束イオンビームＢに対して針状試料２０をＸ軸方向に移動させるために、ＸＹＺ移動機構１３２をＸ軸方向に移動させたが、替わりに偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ軸方向に移動させてもよい。
【００２３】
次にステップＳ３０では、図６に示すように、ＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながら制御手段１６０に指示して試料載置台１３０を調整して、軸受け１１３の軸線Ｃ２がＹ軸と平行になり、かつ集束イオンビームＢと針状試料２０の軸線Ｃ３が交わるように配置させる。そして、制御手段１６０に指示して図示しない回転板モータにより、軸受け１１３の軸線Ｃ２を中心として針状試料２０の軸線Ｃ３と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θが３０°以上４５°以下のある角度、例えば４５°になるように回転板１１４を回転させる。さらに、制御手段１６０に指示して図示しない固定モータにより固定部材１１５を移動させて、側板１１２を回転板１１４と固定部材１１５で挟み込むことにより、回転板１１４を側板１１２に固定する。これにより、傾斜角度θが４５°に保持される。
すなわち、針状試料２０を、その先端２１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端２２側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ後方を向くように、集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対して針状試料２０の軸線Ｃ３が４５°をなすように傾斜させて配置させる。
傾斜角度θが４５°に保持されると、ステップＳ４０に移行する。
【００２４】
ステップＳ４０では、図７及び図８に示すように、制御手段１６０に指示して試料回転モータ１４０を駆動させることにより、針状試料２０を軸線Ｃ３を中心に回転させる。次に、ＦＩＢ鏡筒１２０に集束イオンビームＢを照射させながら、偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ軸方向のうち針状試料２０に近づく方向であるＸ１方向に移動させる。そして、針状試料２０の先端２１に円錐面２４が形成されるまで加工を行う。
先端２１の加工が終了すると、針状試料２０は図３に示す針状試料１０となり、ステップＳ４０が終了して、集束イオンビーム装置１００による針状試料１０を加工する工程が終了する。
【００２５】
こうして、本発明の集束イオンビーム装置１００によれば、図８に示すようにアトムプローブで分析される針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方に位置する状態で頂点１３周辺が加工される。このため針状試料１０の先端１１において、削除される部分以外には集束イオンビームＢが当たらないので、針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺の汚染を抑えることができる。すなわち、図８に示す領域Ａは集束イオンビームＢにより汚染されるが、領域Ａより頂点１３側は集束イオンビームＢによる汚染は抑えられる。
また、削除される部分にのみ集束イオンビームＢ中のイオンが打ち込まれるので、針状試料１０の表面に生じる傷を低減させ、針状試料１０の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【００２６】
また、集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対する針状試料１０の軸線Ｃ１の傾斜角度θが３０°以上４５°以下の範囲に設定されている。
傾斜角度θが４５°以下なので、図８に示す加工された針状試料１０の先端１１の円錐面１４の頂点１３部の角度αは４５°の２倍の９０°以下になる。このため、針状試料１０をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺に集中する。従って、針状試料１０の組成をより正確に分析することができる。
また、傾斜角度θが３０°以上なので、ＦＩＢ鏡筒１２０の配置位置と、ブラケット１１０及び試料回転モータ１４０の配置位置の間隔が広く取れて部品の干渉が抑えられる。従って、集束イオンビーム装置１００の設計を容易に行うことができる。
【００２７】
ここで、アトムプローブの構成と、集束イオンビーム装置１００で加工された針状試料１０がアトムプローブで分析される工程を説明する。図１０はアトムプローブ２００の構成を示す説明図である。
アトムプローブ２００は、針状試料１０を収容するチャンバー２０１と、チャンバー２０１の内部を真空排気させる真空ポンプ２０２と、針状試料１０を保持する試料台２０３と、針状試料１０との間に電位差を生じさせる漏斗状の引出電極２０４と、針状試料１０にレーザーＬを照射するレーザー発振器２０５と、針状試料１０から発生したイオンＭを検出する二次元イオン検出器２０６と、各構成を制御する制御装置２０７とを概略備えている。
【００２８】
まず、真空ポンプ２０２によりチャンバー２０１内の空気を排気した後で、制御装置２０７により、針状試料１０と引出電極２０４との間に高電圧を印加し強電界を発生させる。次に、レーザー発振器２０５により、パルス幅が約１００フェムト秒程度のレーザーＬを針状試料１０の先端１１に照射させる。すると電界蒸発により針状試料１０の先端１１の原子がイオンＭとなり、引出電極２０４の方向に導かれて飛び出し、二次元イオン検出器２０６に当たる。
制御装置２０７は、イオンＭが発生してから二次元イオン検出器２０６に到着するまでに要した所要時間を計測し、計測した所要時間からイオンＭの質量を求める。
また制御装置２０７は、二次元イオン検出器２０６で検出されたイオンＭが当たった位置から、イオンＭが針状試料１０から飛び出した位置を求める。
こうして、アトムプローブ２００により、針状試料１０の先端１１における、三次元の微小領域の物質の構造及び組成を分析することができる。
【００２９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の構成の変更等も含まれる。
例えば、上記実施形態では図７及び図８に示すように、ＦＩＢ鏡筒１２０から照射される集束イオンビームＢで針状試料２０の先端１１を加工する時に、偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させている。この集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させている時に、偏向器１２２ｙに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させる速度に比較して高速度でＹ軸方向の一定範囲を往復移動するように集束イオンビームＢを走査させてもよい。
これにより針状試料１０の先端１１の表面の加工をより安定させることができる。
【００３０】
また上記実施形態では、図２に示すように、針状試料１０の軸線Ｃ１と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θは３０°以上４５°以下の範囲としたが、０°より大きく９０°より小さい範囲になるように設定してもよい。
傾斜角度θが９０°より小さければ、針状試料１０の円錐面１４の角度αが１８０°より小さくなる。このため、針状試料１０をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺に集中し、針状試料１０の組成を正確に分析することができる。
また、傾斜角度θが０°より大きければ、針状試料１０の円錐面１４の角度αが０°より大きくなる。本発明の実施形態の集束イオンビーム装置１００で加工された針状試料１０は機械的な強度が高いので、アトムプローブによる分析時に破損することを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態の側面断面図である。
【図２】図１における要部断面図である。
【図３】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で加工された針状試料の説明図である。
【図４】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図７】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図９】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示すフローチャートである。
【図１０】アトムプローブの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０ 針状試料
１１ 先端
１２ 基端
１０１ チャンバー
１０２ 真空ポンプ（減圧手段）
１０６ クランプ
１１０ ブラケット
１２０ ＦＩＢ鏡筒（ビーム発生手段）
１３０ 試料載置台
１４０ 試料回転モータ（回転手段）
１５０ ＳＥＭ鏡筒（観察手段）
Ｂ 集束イオンビーム
Ｃ１ 軸線
Ｄ 進行方向
θ 傾斜角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アトムプローブ用針状試料の加工方法及びアトムプローブ用針状試料を加工する集束イオンビーム装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アトムプローブは、針状に形成された試料の先端の頂点周辺に高電界を発生させ、電界蒸発現象により針状試料の先端の頂点周辺の組成を原子レベルで分析する装置である。電界蒸発は針状試料の先端の表面第一層から内部に向けて各原子層を順番に進行する。このため、アトムプローブによって、針状試料の層ごとの組成や界面の組成分布、さらには電子状態変化を調べることができる（例えば、特許文献１参照）。
ここで、アトムプローブで分析される針状試料の先端の頂点周辺とは、先端の頂点を中心とした直径が数十ｎｍの範囲のことである。
アトムプローブ用の針状試料の先端の頂点周辺の形状は、その頂点周辺の曲率半径が数十ｎｍ程度に鋭いことが必要であり、ナノメートルサイズの加工が可能な集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を用いて針状試料の加工が行われている。
【０００３】
集束イオンビームを用いた針状試料の一つの加工方法として、針状試料の先端に保護層を形成し、針状試料の軸線方向から集束イオンビームを照射して先端の頂点周辺を鋭く尖らせた形状に加工する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。また、針状試料の他の方法加工として、針状試料の軸線に対して直交する方向から集束イオンビームを照射して先端の頂点周辺を鋭く尖らせた形状に加工する方法がある。
【特許文献１】特開２００２−４２７１５号公報
【特許文献２】特開２００６−２５８６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２の方法では、照射した集束イオンビーム中のイオンが針状試料に打ち込まれて汚染されるために、正確な分析ができないという問題があった。
また、針状試料に集束イオンビーム中のイオンが打ち込まれるために針状試料の機械的な強度が弱くなり、針状試料をアトムプローブで分析する時に針状試料が軸線方向に引っ張られて、折れてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のアトムプローブ用針状試料の加工方法は、集束イオンビームの照射によってアトムプローブ用の針状試料の先端を加工するアトムプローブ用針状試料の加工方法であって、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記集束イオンビームの進行方向に対して前記針状試料の軸線が鋭角をなすように傾斜させて配置し、前記針状試料をその軸線を中心に回転させながら、該針状試料の先端を加工することを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の集束イオンビーム装置は、針状試料を収容するチャンバーと、前記チャンバーの内部を真空排気させる減圧手段と、前記チャンバーの内部に集束イオンビームを照射させるビーム発生手段と、前記チャンバー内に配置された試料載置台とを備え、前記試料載置台に設けられたブラケットには、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記針状試料の軸線を前記集束イオンビームの進行方向に対して鋭角をなすように傾斜させて保持するクランプが設けられ、前記クランプごと前記針状試料をその軸線を中心に回転させる回転手段を備えることを特徴としている。
【０００８】
この発明によれば、アトムプローブで分析される針状試料の先端の頂点周辺が集束イオンビームの進行方向先方に位置する状態で頂点周辺が加工される。このため針状試料の先端において、削除される部分以外には集束イオンビームが当たらないので、針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えることができる。
また、削除される部分にのみ集束イオンビーム中のイオンが打ち込まれるので、針状試料の表面に生じる傷を低減させ、針状試料の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【０００９】
また、前記集束イオンビームの進行方向に対する前記針状試料の軸線の傾斜角度が３０°以上４５°以下の範囲に設定されていることがより好ましい。
この発明によれば、傾斜角度が４５°以下なので、加工された針状試料の先端の円錐面の頂点部の角度は４５°の２倍の９０°以下になる。このため、針状試料をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料の先端の頂点周辺に集中する。従って、針状試料の組成をより正確に分析することができる。
また、傾斜角度が３０°以上なので、集束イオンビームを照射させる装置と針状試料を軸線を中心に回転させながら支持する装置との配置位置の干渉が抑えられる。従って、アトムプローブ用針状試料の加工装置の設計を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置によれば、集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の集束イオンビーム装置１００の側面断面図、図２は図１における要部断面図である。
図１に示すように、本発明の集束イオンビーム装置１００は、真空排気されたチャンバー１０１内に配置された軸線Ｃ１を中心に回転するアトムプローブ用の針状試料１０を、その先端１１をＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながらＦＩＢ鏡筒１２０から照射される集束イオンビームＢで加工する装置である。
集束イオンビーム装置１００は、針状試料１０を収容するチャンバー１０１と、チャンバー１０１の内部を真空排気させる真空ポンプ１０２と、チャンバー１０１の内部に集束イオンビームＢを照射させるＦＩＢ鏡筒１２０と、チャンバー１０１内に配置された試料載置台１３０と、試料載置台１３０に設けられたブラケット１１０と、ブラケット１１０に設けられ針状試料１０を保持するクランプ１０６と、クランプ１０６ごと針状試料１０をその軸線Ｃ１を中心に回転させる試料回転モータ１４０と、針状試料１０を観察するＳＥＭ鏡筒１５０と、各構成を制御する制御手段１６０とを備えている。
なお、真空ポンプ１０２は特許請求の範囲の減圧手段に、ＦＩＢ鏡筒１２０はビーム発生手段に、試料回転モータ１４０は回転手段にそれぞれ相当する。
【００１２】
針状試料１０は、後述する集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程で説明するように、図３に示すような形状に加工される。すなわち、針状試料１０は、基端１２に略直方体の形状を有し、中央部１５から先端１１までは円筒の形状を有し、先端１１には軸線Ｃ１上の頂点１３と外周１６とを有する円錐面１４を備えている。
なお図３に示すように、針状試料１０の先端１１の円錐面１４の頂点１３部の角度はαとなっている。
【００１３】
図１に示すように、真空ポンプ１０２はチャンバー１０１の側面に設けられた排気口１０１ａからチャンバー１０１内の空気を排気する。
また、ＳＥＭ鏡筒１５０は、図示しない電子発生源で発生した電子を図示しない電子光学系で細く絞って電子ビームＥとした後に照射して、測定対象物である針状試料１０を観察する。
【００１４】
ここで、水平面に平行でかつ互いに直交する二軸をＸ軸及びＹ軸、これらＸ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する軸をＺ軸とする。
試料載置台１３０は、ブラケット１１０をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿って移動させるＸＹＺ移動機構１３２と、ブラケット１１０をＺ軸回りに回転させるローテーション機構１３３と、ブラケット１１０をＸ軸回りに回転させるチルト機構１３１と、上部にブラケット１１０を設ける天板１３４とを有する。このように構成された試料載置台１３０は、ブラケット１１０を５軸に変位させることで、クランプ１０６に保持された針状試料１０位置を調節することができる。
【００１５】
図２に示すように、ブラケット１１０は、天板１３４上に設けられ内部に試料回転モータ１４０を収容する凹型溝１１１ａを備えたベース１１１と、ベース１１１の上面であって凹型溝１１１ａの両側からベース１１１の上面に直交する方向へ伸びる一対の側板１１２と、一対の側板１１２に同一軸線Ｃ２を有するように固定された一対の軸受け１１３と、一対の軸受け１１３に固定され、軸線Ｃ２を中心に回転する一対の回転板１１４と、一対の回転板１１４を一対の側板１１２に固定させる固定部材１１５と、一対の回転板１１４を連結させる取付板１１６とを備えている。
【００１６】
一対の側板１１２には、軸線Ｃ２を中心とするガイド孔１１２ａがそれぞれ設けられている。また、一対の回転板１１４は一対の側板１１２の内側に配置され、一対の回転板１１４の側面には円筒形状のボス１１４ａがそれぞれ外側向きに設けられている。ボス１１４ａの径はガイド孔１１２ａの幅より少し小さくなるように設定されていて、ボス１１４ａがガイド孔１１２ａに沿って移動可能なように配置されている。
そして、制御手段１６０からの信号により、図示しない回転板モータが、軸受け１１３の軸線Ｃ２を中心として回転板１１４を回転させ、図示しない固定モータが固定部材１１５をその軸線方向に移動させて側板１１２を回転板１１４と固定部材１１５で挟み込むことにより、回転板１１４を側板１１２に固定させる。
一対の軸受け１１３は同一軸線Ｃ２を有するように固定されているが、この二つの軸受け１１３の間には空間があり、そこに針状試料１０の先端１１が配置されている。そして、この空間に後述する集束イオンビームＢが照射され、針状試料１０の先端１１が加工される。
【００１７】
試料回転モータ１４０は取付板１１６に固定され、試料回転モータ１４０の図示しない出力軸は、軸線Ｃ４を中心に回転する。ブラケット１１０に設けられたクランプ１０６は、４方向から針状試料１０の基端１２を把持し、試料回転モータ１４０はクランプ１０６ごと針状試料１０をその軸線Ｃ１を中心に回転させる。この時、針状試料１０の軸線Ｃ１と試料回転モータ１４０の軸線Ｃ４が一致するとともに、針状試料１０の軸線Ｃ１と軸受け１１３の軸線Ｃ２が直交するように針状試料１０、ブラケット１１０等の形状が設定されている。
【００１８】
ＦＩＢ鏡筒１２０は、ビーム状のイオンを発生させるイオン発生源１２１と、発生したイオンビームをＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ偏向させる偏向器１２２ｘ及び偏向器１２２ｙと、イオンビームを集光させる対物レンズ１２３とを有している。
対物レンズ１２３で集光された集束イオンビームＢは、Ｚ軸の一つの方向である進行方向Ｄに向かって進む。
【００１９】
図２に示す針状試料１０の先端１１を加工する時には、クランプ１０６は、針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ後方を向くように、針状試料１０の軸線Ｃ１を集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対して３０°以上４５°以下の範囲の角度をなすように傾斜させて保持している。すなわち、図２に示す針状試料１０の軸線Ｃ１と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θが３０°以上４５°以下の範囲なるように、クランプ１０６は針状試料１０を保持している。
【００２０】
次に、図４から図８を参照して、集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程について説明する。図４及び図５は斜視図であり、図６から図８は側面図である。また、図９は、集束イオンビーム装置１００で針状試料１０を加工する工程を示すフローチャートである。
なお、針状試料１０は、集積回路等の電子デバイスから集束イオンビーム等を用いて加工して取り出された時には図４に示すように細長いブロック状の針状試料２０となっている。そして、集束イオンビーム装置１００により、この針状試料２０は、図３で示した針状試料１０の形状に加工される。
【００２１】
まずステップＳ１０において、図４に示すように、集束イオンビーム装置１００内のブラケット１１０に設けられたクランプ１０６に針状試料２０を固定する。そして制御手段１６０により、針状試料２０の軸線Ｃ３がＸ軸と平行になり、かつＺ軸方向から照射される集束イオンビームＢが針状試料２０に当たるように調整する。この時は、ＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながら制御手段１６０に指示して、ブラケット１１０、試料載置台１３０のチルト機構１３１、ＸＹＺ移動機構１３２及びローテーション機構１３３を調整することになる。
そして、制御手段１６０により真空ポンプ１０２を駆動させ、排気口１０１ａからチャンバー１０１内の空気を排気させ、ステップＳ２０に移行する。
【００２２】
次にステップＳ２０では、図５に示すように、制御手段１６０に指示して試料回転モータ１４０を駆動させて、針状試料２０を軸線Ｃ３を中心に回転させる。そして、ＦＩＢ鏡筒１２０により集束イオンビームＢを照射させながらＸＹＺ移動機構１３２をＸ軸方向に移動させることによりクランプ１０６に保持された針状試料２０をＸ軸方向移動させ、針状試料２０の先端２１から中央部２５までを円筒状に加工し、ステップＳ３０に移行する。
なお、集束イオンビームＢに対して針状試料２０をＸ軸方向に移動させるために、ＸＹＺ移動機構１３２をＸ軸方向に移動させたが、替わりに偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ軸方向に移動させてもよい。
【００２３】
次にステップＳ３０では、図６に示すように、ＳＥＭ鏡筒１５０で観察しながら制御手段１６０に指示して試料載置台１３０を調整して、軸受け１１３の軸線Ｃ２がＹ軸と平行になり、かつ集束イオンビームＢと針状試料２０の軸線Ｃ３が交わるように配置させる。そして、制御手段１６０に指示して図示しない回転板モータにより、軸受け１１３の軸線Ｃ２を中心として針状試料２０の軸線Ｃ３と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θが３０°以上４５°以下のある角度、例えば４５°になるように回転板１１４を回転させる。さらに、制御手段１６０に指示して図示しない固定モータにより固定部材１１５を移動させて、側板１１２を回転板１１４と固定部材１１５で挟み込むことにより、回転板１１４を側板１１２に固定する。これにより、傾斜角度θが４５°に保持される。
すなわち、針状試料２０を、その先端２１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端２２側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ後方を向くように、集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対して針状試料２０の軸線Ｃ３が４５°をなすように傾斜させて配置させる。
傾斜角度θが４５°に保持されると、ステップＳ４０に移行する。
【００２４】
ステップＳ４０では、図７及び図８に示すように、制御手段１６０に指示して試料回転モータ１４０を駆動させることにより、針状試料２０を軸線Ｃ３を中心に回転させる。次に、ＦＩＢ鏡筒１２０に集束イオンビームＢを照射させながら、偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ軸方向のうち針状試料２０に近づく方向であるＸ１方向に移動させる。そして、針状試料２０の先端２１に円錐面２４が形成されるまで加工を行う。
先端２１の加工が終了すると、針状試料２０は図３に示す針状試料１０となり、ステップＳ４０が終了して、集束イオンビーム装置１００による針状試料１０を加工する工程が終了する。
【００２５】
こうして、本発明の集束イオンビーム装置１００によれば、図８に示すようにアトムプローブで分析される針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方に位置する状態で頂点１３周辺が加工される。このため針状試料１０の先端１１において、削除される部分以外には集束イオンビームＢが当たらないので、針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺の汚染を抑えることができる。すなわち、図８に示す領域Ａは集束イオンビームＢにより汚染されるが、領域Ａより頂点１３側は集束イオンビームＢによる汚染は抑えられる。
また、削除される部分にのみ集束イオンビームＢ中のイオンが打ち込まれるので、針状試料１０の表面に生じる傷を低減させ、針状試料１０の機械的な強度の低下を抑えることができる。
【００２６】
また、集束イオンビームＢの進行方向Ｄに対する針状試料１０の軸線Ｃ１の傾斜角度θが３０°以上４５°以下の範囲に設定されている。
傾斜角度θが４５°以下なので、図８に示す加工された針状試料１０の先端１１の円錐面１４の頂点１３部の角度αは４５°の２倍の９０°以下になる。このため、針状試料１０をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺に集中する。従って、針状試料１０の組成をより正確に分析することができる。
また、傾斜角度θが３０°以上なので、ＦＩＢ鏡筒１２０の配置位置と、ブラケット１１０及び試料回転モータ１４０の配置位置の間隔が広く取れて部品の干渉が抑えられる。従って、集束イオンビーム装置１００の設計を容易に行うことができる。
【００２７】
ここで、アトムプローブの構成と、集束イオンビーム装置１００で加工された針状試料１０がアトムプローブで分析される工程を説明する。図１０はアトムプローブ２００の構成を示す説明図である。
アトムプローブ２００は、針状試料１０を収容するチャンバー２０１と、チャンバー２０１の内部を真空排気させる真空ポンプ２０２と、針状試料１０を保持する試料台２０３と、針状試料１０との間に電位差を生じさせる漏斗状の引出電極２０４と、針状試料１０にレーザーＬを照射するレーザー発振器２０５と、針状試料１０から発生したイオンＭを検出する二次元イオン検出器２０６と、各構成を制御する制御装置２０７とを概略備えている。
【００２８】
まず、真空ポンプ２０２によりチャンバー２０１内の空気を排気した後で、制御装置２０７により、針状試料１０と引出電極２０４との間に高電圧を印加し強電界を発生させる。次に、レーザー発振器２０５により、パルス幅が約１００フェムト秒程度のレーザーＬを針状試料１０の先端１１に照射させる。すると電界蒸発により針状試料１０の先端１１の原子がイオンＭとなり、引出電極２０４の方向に導かれて飛び出し、二次元イオン検出器２０６に当たる。
制御装置２０７は、イオンＭが発生してから二次元イオン検出器２０６に到着するまでに要した所要時間を計測し、計測した所要時間からイオンＭの質量を求める。
また制御装置２０７は、二次元イオン検出器２０６で検出されたイオンＭが当たった位置から、イオンＭが針状試料１０から飛び出した位置を求める。
こうして、アトムプローブ２００により、針状試料１０の先端１１における、三次元の微小領域の物質の構造及び組成を分析することができる。
【００２９】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の構成の変更等も含まれる。
例えば、上記実施形態では図７及び図８に示すように、ＦＩＢ鏡筒１２０から照射される集束イオンビームＢで針状試料２０の先端１１を加工する時に、偏向器１２２ｘに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させている。この集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させている時に、偏向器１２２ｙに電圧を印加させて集束イオンビームＢをＸ１方向に移動させる速度に比較して高速度でＹ軸方向の一定範囲を往復移動するように集束イオンビームＢを走査させてもよい。
これにより針状試料１０の先端１１の表面の加工をより安定させることができる。
【００３０】
また上記実施形態では、図２に示すように、針状試料１０の軸線Ｃ１と集束イオンビームＢの進行方向Ｄとのなす傾斜角度θは３０°以上４５°以下の範囲としたが、０°より大きく９０°より小さい範囲になるように設定してもよい。
傾斜角度θが９０°より小さければ、針状試料１０の円錐面１４の角度αが１８０°より小さくなる。このため、針状試料１０をアトムプローブで分析する時に電界蒸発する場所が針状試料１０の先端１１の頂点１３周辺に集中し、針状試料１０の組成を正確に分析することができる。
また、傾斜角度θが０°より大きければ、針状試料１０の円錐面１４の角度αが０°より大きくなる。本発明の実施形態の集束イオンビーム装置１００で加工された針状試料１０は機械的な強度が高いので、アトムプローブによる分析時に破損することを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態の側面断面図である。
【図２】図１における要部断面図である。
【図３】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で加工された針状試料の説明図である。
【図４】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す斜視図である。
【図６】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図７】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示す断面図である。
【図９】本発明の集束イオンビーム装置の実施形態で針状試料を加工する工程を示すフローチャートである。
【図１０】アトムプローブの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０ 針状試料
１１ 先端
１２ 基端
１０１ チャンバー
１０２ 真空ポンプ（減圧手段）
１０６ クランプ
１１０ ブラケット
１２０ ＦＩＢ鏡筒（ビーム発生手段）
１３０ 試料載置台
１４０ 試料回転モータ（回転手段）
１５０ ＳＥＭ鏡筒（観察手段）
Ｂ 集束イオンビーム
Ｃ１ 軸線
Ｄ 進行方向
θ 傾斜角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集束イオンビームの照射によってアトムプローブ用の針状試料の先端を加工するアトムプローブ用針状試料の加工方法であって、
前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記集束イオンビームの進行方向に対して前記針状試料の軸線が鋭角をなすように傾斜させて配置し、
前記針状試料をその軸線を中心に回転させながら、該針状試料の先端を加工することを特徴とするアトムプローブ用針状試料の加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載のアトムプローブ用針状試料の加工方法において、
前記集束イオンビームの進行方向に対する前記針状試料の軸線の傾斜角度が３０°以上４５°以下の範囲に設定されていることを特徴とするアトムプローブ用針状試料の加工方法。
【請求項３】
針状試料を収容するチャンバーと、
前記チャンバーの内部を真空排気させる減圧手段と、
前記チャンバーの内部に集束イオンビームを照射させるビーム発生手段と、
前記チャンバー内に配置された試料載置台とを備え、
前記試料載置台に設けられたブラケットには、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記針状試料の軸線を前記集束イオンビームの進行方向に対して鋭角をなすように傾斜させて保持するクランプが設けられ、
前記クランプごと前記針状試料をその軸線を中心に回転させる回転手段を備えることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項１】
集束イオンビームの照射によってアトムプローブ用の針状試料の先端を加工するアトムプローブ用針状試料の加工方法であって、
前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記集束イオンビームの進行方向に対して前記針状試料の軸線が鋭角をなすように傾斜させて配置し、
前記針状試料をその軸線を中心に回転させながら、該針状試料の先端を加工することを特徴とするアトムプローブ用針状試料の加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載のアトムプローブ用針状試料の加工方法において、
前記集束イオンビームの進行方向に対する前記針状試料の軸線の傾斜角度が３０°以上４５°以下の範囲に設定されていることを特徴とするアトムプローブ用針状試料の加工方法。
【請求項３】
針状試料を収容するチャンバーと、
前記チャンバーの内部を真空排気させる減圧手段と、
前記チャンバーの内部に集束イオンビームを照射させるビーム発生手段と、
前記チャンバー内に配置された試料載置台とを備え、
前記試料載置台に設けられたブラケットには、前記針状試料を、その先端側が前記集束イオンビームの進行方向先方を向きかつ基端側が該集束イオンビームの進行方向後方を向くように、前記針状試料の軸線を前記集束イオンビームの進行方向に対して鋭角をなすように傾斜させて保持するクランプが設けられ、
前記クランプごと前記針状試料をその軸線を中心に回転させる回転手段を備えることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−１０９２３６（Ｐ２００９−１０９２３６Ａ）
【公開日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７９３１９（Ｐ２００７−２７９３１９）
【出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り 平成１９年９月１３日 独立行政法人 日本学術振興会主催の「マイクロビームアナリシス 第１４１委員会 第１２９回研究会」に文書をもって発表
【出願人】（５０７３５５４６７）
【出願人】（５０７３５５４７８）
【出願人】（５０３４６０３２３）エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 (330)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月２１日（２００９．５．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月２６日（２００７．１０．２６）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り 平成１９年９月１３日 独立行政法人 日本学術振興会主催の「マイクロビームアナリシス 第１４１委員会 第１２９回研究会」に文書をもって発表
【出願人】（５０７３５５４６７）
【出願人】（５０７３５５４７８）
【出願人】（５０３４６０３２３）エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 (330)
【Ｆターム（参考）】
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