【課題】試料依存性があるＦＩＢ加工において、作業者の個人差の影響を受けることなく、希望の形状に効率良く加工できるようにする。
【解決手段】イオン源で発生されたイオンビームを試料に照射するイオンビーム光学システム装置とその制御装置と、試料の構成元素を検出する元素検出器とその制御装置と、元素検出器で特定された元素に基づいて試料の加工条件を自動設定する中央処理装置とを荷電粒子線装置に実装する。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】パルスビームを高周波化できるとともに、パルスビームの最大値や最小値の値を任意にコントロールでき、品質の高い溶接を可能にする電子ビーム加工機を得ることである。
【解決手段】電子銃の陰極とバイアス電極間に電圧を印加して電子ビームを制御するバイアス電源が、直列に接続された、高安定電源と高応答電源とで形成されており、高安定電源が、ビーム電流を計測する電流検出回路から出力されたビーム電流信号に基づき、ビーム電流をフィートバック制御する電圧を出力し、高応答電源が、パルス信号発生器で発生したパルス基準信号により制御されたパルス電圧を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】被加工物が絶縁性材料である場合に、精度良くイオンビームによる形状加工を行う。
【解決手段】イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。このように測定された電流密度分布によってイオンビーム３の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム３を電子ビーム８とともに光学素子材料５に照射し、形状加工を行う。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さとなる電子顕微鏡用の試料を作製する。
【解決手段】試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、第１の長さを測定する第１の測定工程と、第１の測定工程の後、試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、試料を薄く加工する加工工程と、加工工程の後、試料の面方向に対し、第１の角度とは異なる第２の角度より電子を照射し、第２の長さを測定する第２の測定工程と、第２の測定工程の後、第１の長さと前記第２の長さに基づき、試料の厚さを算出する厚さ算出工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工速度の向上を図る。
【解決手段】レンズで集束されるガスクラスターイオンビームを用いて固体表面を加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの、照射軸に垂直な面内方向の電流密度分布の、照射軸方向の座標に対する変化のデータを実測によって取得し、その電流密度分布のデータから定められるガスクラスターイオンビームの焦点距離よりも短い照射軸方向の範囲において取得した加工対象領域の面積毎のエッチング加工速度の、照射軸方向の座標に対する変化のデータに基づいて、加工対象の固体表面を設置する照射軸方向の座標を、加工対象領域の面積毎に決定する。 （もっと読む）

【解決課題】 本発明は，３次元ミリング方法及び装置により，マイクロメートル又はナノメートルスケールの３次元構造を提供する。
【解決手段】 本装置は，装置台に固定された試料（２０）上にミリングビームを生成するイオンカラム（１２）を含む。パターニングコンピュータ（２２）は，様々なイオンビーム及び／又は滞留時間を生成するため，又は複数のミリングパスを形成するためにイオンカラム（１２）を制御する。後続のパスは，３次元構造を作り出すために，以前のパスを少なくとも部分的に重複する。必要に応じて，ＳＥＭカラム（１４）が提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ピクセルを複数含む加工領域画像を変形しても、もとの画像を再現した加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム２０Ａを試料２に照射する集束イオンビーム照射機構２０と、集束イオンビームを試料に照射して生じる二次荷電粒子を検出する検出器７０と、検出器の検出データに基づき、試料の試料画像を生成する画像生成手段９０と、試料画像上で、集束イオンビームの照射位置に対応したピクセルを複数含む加工領域画像を設定する加工領域設定手段９０と、加工領域画像に含まれるピクセルの座標を、試料への照射位置として設定する照射位置設定手段９０と、ピクセル毎に定められた輝度に応じて、集束イオンビーム照射機構から照射される集束イオンビームのドーズ量を設定するビーム設定手段９０と、加工領域画像が変形された場合に、該加工領域画像を補間処理する補間手段９０とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームのビーム断面積の大小に関係なく、被加工物の多様な表面形状に対する加工のための基礎データを高効率および高精度に得て、高効率かつ高精度の加工を行う。
【解決手段】被照射物９にガスクラスターイオンビーム８を照射して加工するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍ１において、サンプルの被照射物９の一箇所における照射痕のプロファイルである基礎照射作用データ１９ｂを取得し、この基礎照射作用データ１９ｂから、被照射物９のビーム軸の任意の移動量Δｒの位置における加工深さｚ_ｉを離散的に算出して照射作用データ１９ｃを生成し、この照射作用データ１９ｃを被照射物９の材質や曲率等の条件で補正した補正照射作用データ１９ｄを用いてガスクラスターイオンビーム８のドーズ量を制御しつつ被照射物９の加工を行う。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射される荷電粒子ビームの照射ドーズ量を高精度に制御することが可能な荷電粒子ビーム加工技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム８を被加工物１１に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍ１において、ガスクラスターイオンビーム８を整形するアパーチャ１０の上流側に、加工中に被加工物１１と同時にガスクラスターイオンビーム８が照射される電流計測部９を配置し、加工中に実時間で、ガスクラスターイオンビーム８の電流値を計測して累積ドーズ量を把握し、目的の照射ドーズ量となるように照射時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】 試料の薄膜加工終了を正しく判定して実行することができるイオンビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】 イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２においては、第１光源７の輝度と第２光源８の輝度は、オペレータが像を観察しやすい明るさに任意に可変設定される。そして、イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２が経過して時刻ｔ_１となると、輝度設定手段１６は第１光源７の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ａに固定設定すると共に、第２光源８の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ｂに固定設定する。加工終了判定手段１８は、輝度ａ，ｂの光で照らされた試料５の像を加工終了判定用画像として撮像手段９から取り込んで加工終了判定を行う。前記輝度ａおよびｂは、加工終了判定が正確に行えるように設定されたものであり、予め実験により求められたものである。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒１と電子ビーム鏡筒２を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域７と照射禁止領域８を設定し、第三に前記照射可能領域７のみに電子ビーム照射を制限する。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】 集束荷電粒子ビーム照射位置近傍のサンプルの温度を測定し、高精度な微細加工を行う集束荷電粒子ビーム加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】 穴開き構造の走査熱顕微鏡カンチレバー1またはカンチレバーから探針先端が突き出した構造の走査熱顕微鏡探針を使用して、ビーム照射位置近傍のサンプル6の表面温度を測定できるようにする。走査熱顕微鏡で集束荷電粒子ビーム3照射によるサンプル6表面の温度上昇測定し、所定温度を超える場合には加工を中断し、温度が下がるまで待つ。あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。あるいはサンプル6の温度を測定し、サンプルがヒーター等の加熱により所定の温度になってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を行う。 （もっと読む）

気体混合物中の複数のプロセス気体から形成されるガス・クラスター・イオン・ビームを制御する方法および装置。本方法および装置は、気体分析器（３０８、３６０、４１４、５０２、５５２）で気体混合物の組成に関係する気体分析データを測定し、検出されたパラメータに応じて作業対象物（１５２）の照射を修正することに関わる。気体分析データは、気体ソース（２３０、２３２）からガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）に流れる気体混合物の組成のサンプルから、あるいはガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）の真空容器（１０２）内の残留気体のサンプルから導出できる。

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【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線による試料の加工と、その加工断面のモニターと、を高スループットで実現することに関する。
【解決手段】
ＦＩＢ加工途中の断面構造の観察を、断面を削っているイオンビームにより試料から発生する二次粒子像を用いて観察し、少なくとも二つ以上の断面を作製し、加工と加工断面のモニターを行いながら試料の加工を進めれば、所望領域の場所と大きさが未知であっても、所望の領域を失うことなく正確な試料加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】ライン加工においてある程度の深さまで加工すると、更に加工時間を掛けても進まないことに鑑み、ライン状の溝加工で、適切に溝の深さが制御でき、かつ、高速で行うことができる加工装置を提供する。
【解決手段】ラインの必要な深さの加工を加工時間が最小となるように、ライン幅とライン深さを計算して求め加工の設定値として加工する。また、実際にビームが照射される領域を集束イオンビーム走査像と重畳して画面上に表示して加工する。試料表面に対して傾斜したイオンビームの場合にもビームに対する試料の傾斜を考慮して、実際にビームが照射される領域を表示して加工する。 （もっと読む）

【課題】試料を自動で平面に加工することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム照射手段と、荷電粒子ビームを照射された試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示手段と、前記荷電粒子像において所望の加工領域を選択し、前記加工領域において、荷電粒子ビームを照射する各単位照射領域における輝度を取得し、前記輝度に応じて各単位照射領域に照射する荷電粒子ビームの照射時間を決定し、各単位照射領域に対する照射時間を規定した加工データを設定する画像表示及び加工設定手段と、前記加工データにしたがって前記荷電粒子ビーム照射手段を制御し、荷電粒子ビームを前記試料に照射させるビーム走査制御手段とを備える。 （もっと読む）