【課題】表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム源１０として第１イオンガン１１と、第２イオンガン１２と、を備え、第１イオンガン１１を制御する第１制御部２９ａと、第２イオンガン１２を制御する第２制御部２９ｂと、イオンビームが照射される位置に基板１４を搭載し回転する基板ホルダー３５と、を備え第１イオンガン１１は、第１イオンガン１１の中心軸Ｃ１が基板ホルダー３５の中心を通る位置に配置され、第２イオンガン１２は、第１イオンガン１１と同じ方向にイオンビームが出射され、かつ第２イオンガン１２の中心軸Ｃ２が基板ホルダー３５の中心から偏心した位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低加速電圧でのイオン電流の制御を容易にしつつ、カソードに付着するリデポジションによる影響を抑制することを目的とするイオンミリング装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、イオンガンの内部に配置され、正電圧が印加されるアノードと、当該アノードとの間に電位差を発生させることによってイオンを発生させるカソードを備えたイオンミリング装置において、カソードは、前記ガス供給源によってガスが供給される空間と、前記イオンが照射される試料側の空間を分圧すると共に、前記イオンを通過させる開口を備え、当該開口を通過したイオンを試料に向かって加速させる加速電極を備えたイオンミリング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。
【解決手段】加工すべき試料６にイオンビームを発射するイオン銃２と，試料６を下面に装着しイオンビームの一部を遮蔽する遮蔽板７とを備えるイオンビーム加工装置において，試料６の断面作成側の側面６ａに，熱伝導部材８を接触して設け、試料の上面６ｃを遮蔽板の端部７ａより、ずらして突出させて被加工部６ｂを形成し，イオンビーム４を，この被加工部６ｂの上面６ｃ，熱伝導部材８の側面近傍の上面８ｂに照射して，試料６の被加工部６ｂを研削し，加工処理を行う。断面に，加工処理による熱が発生しても，熱伝導部材８を経て外部に熱放出され，熱によるダメージで断面に荒れが生じるのを回避できる。 （もっと読む）

【課題】被加工物が絶縁性材料である場合に、精度良くイオンビームによる形状加工を行う。
【解決手段】イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。このように測定された電流密度分布によってイオンビーム３の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム３を電子ビーム８とともに光学素子材料５に照射し、形状加工を行う。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】加速イオンを用いた低温プラズマ浸漬イオンにより様々な試片を加工処理する装置と方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマ浸漬イオンを用いた加工装置は、チャンバ内部に円筒形加工物が載置されると共に円筒形加工物の周囲を低温プラズマが囲むようになり、多重スロットを有する抽出電極を含む加工物蓋が円筒形加工物の周囲を覆ってプラズマから分離させ、スパッタリングを誘発するに十分な負電位が円筒形加工物と加工物蓋の抽出電極に付加されることにより、プラズマから出てきたイオンが抽出電極とプラズマとの間に形成されたシース内で加速され、抽出電極のスロットを通過して円筒形加工物に衝突して円筒形加工物の表面粗さを減少させる方式で行われ、本発明による加工装置及び方法は、大面積の円筒形基板、特に、マイクロまたはナノパターン転写技術のための基板表面を数ｎｍの表面粗さにする効果があり、単一または多重チャンバ内でプラズマ洗浄、表面活性、表面研磨、乾式エッチング、蒸着、プラズマ浸漬イオンの注入及び蒸着などの工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子線を電線に照射して電線の被覆部に架橋処理を施す際に、特別な装置を用いることなく、電線の帯電を防止することができる電子線照射装置を提供する。
【解決手段】照射室２０の外部には、照射室２０から外部に送り出された電線Ａを巻き取るための巻取り装置９０が設けられている。巻取り装置９０は、電線Ａを巻き取るドラム９１と、そのドラム９１の回転軸であるシャフト９２とを有する。シャフト９２としては金属製のものを用い、そのシャフト９２は電気的に接地されている。電子線照射処理を開始する前に、電線Ａの先端における被覆部を剥がし、露わになった芯線を、シャフト９２に電気的に接続している。これにより、電線Ａの芯線はアースに落とされる。電子線照射処理は、当該芯線をシャフト９２に電気的に接続した状態のまま行われる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、荷電粒子線加工装置において、反応性ガスが光学鏡筒内に流入することによって発生する、加工点位置ずれ，フォーカスずれ、及びビーム分解能低下に伴う像質劣化などの不良問題を解決することに関する。
【解決手段】
本発明は、対物レンズ近傍にガスカーテンを形成し、光学鏡筒内への反応性ガスの流入を防ぐことに関する。本発明により、光学鏡筒内の真空度低下や、光学鏡筒内への絶縁膜形成を低減でき、加工性能や装置稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。
【解決手段】加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム１は開口部１９から排気される真空容器２内に電子ビーム８を発生させる電子源３、集光／偏向要素２１、集束レンズ１１、二次電子検出器１７、およびスタック２３とガス導管３９と物質リザーバ４１とからなるガス供給装置２０を備え、第３導管部３０からガスを物体３３の表面３３ａに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームによって活性化された反応ガスを用いて物体を加工する加工システムであって、小型のガス供給装置を用いた加工システムを提供する。更に、加工中に物体を検査して、加工状態を監視及び制御できる加工システムを提供する。
【解決手段】システムは粒子ビームカラム２６と、物体３３を載置する物体ホルダ２４と、ガス供給装置２８とを備える。物体ホルダは、基台２０と、該基台に対して移動可能な第１テーブル２１と、該第１テーブルに対して移動可能な第２テーブル２２と、該第２テーブルに対して回転可能な第３テーブル２３とを備えて構成され、ガス供給装置２８はカニューレ３０とガスリザーバ３１を備え、ホルダ３２によって第１テーブル２１に固定されている。粒子ビームカラム２６で物体３３を加工した後、該粒子ビームカラムを用いて物体から放出される電子を電子検出器１７で検出し加工部の顕微鏡画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能でかつコストの低減が可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワーク２の加工を行うためのビームを出射するビーム出射源と、ワーク２に向けてビームを出射する出射部２５ａを有しビーム出射源からワーク２に向かうビームが通過するビーム通過部材２５と、ワーク２が固定される固定面６ａを有し所定方向へ移動可能な固定部材６と、３次元方向に変形可能にかつ中空状に形成され、ビーム通過部材２５が内部に配置される中空部材２３とを備えている。中空部材２３は、少なくとも、互いに接続される第１の中空部２６と第２の中空部２７とから構成されている。また、中空部材２３の一端には開口部３７が形成され、中空部材２３の一端は固定面に当接するとともに、中空部材２３の内部は真空状態とされる。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム（２０２）を用いて系統的な不均一性を補正するための装置及び方法の実施例が一般的に本書で記載される。他の実施例は、記載され且つクレームされ得る。
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【課題】０．１ｍｍ以下の微小領域を局所的に加熱して微小領域を溶融接合することができる電子線溶融装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生して走査する電子線集束偏向部１と、被加工物を保持して移動可能なステージ８と、ステージ８を収容する加工室２と、電子ビーム照射点で発生する二次電子または反射電子を検出するための検出器１０とを備え、電子線集束偏向部１により、被加工物の所望の位置に電子ビームを照射し、被加工物を溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】加工物を加工するために使用されるガスクラスターイオンビームを制限するためのビーム制限装置および方法を提供すること。
【解決手段】ビーム制限装置(400、500、600)は、加工物(152)から離れる方向に第1の部材(402)から突出する第2の部材(412)と、第1および第2の部材(402、412)内で画成され、ガスクラスターイオンビームの少なくとも一部分を加工物(152)に送るような形状にされた開口(404)を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）