ウエーハの支持基板およびウエーハの加工方法

【課題】ウエーハを支持する支持基板の表面を傷つけることなく、ウエーハの面取り部を容易に切断することを目的とする。
【解決手段】ボンド剤を介在させて円形のウエーハＷが貼着される支持基板１は、その表面１ａにリング状の逃げ溝２が形成されているため、支持基板１の表面１ａにウエーハＷの表面Ｗａを貼着し、ウエーハＷの外周に形成された面取り部４を除去する際に、切削ブレード６０が逃げ溝２に入るため、切削ブレード６０が支持基板１に接触することを回避できる。これにより、切削ブレード６０が支持基板１の表面１ａを傷つけることなくウエーハＷの面取り部４を容易に切断できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを支持する支持基板および支持基板に支持されるウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され所定の厚さに形成された後、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン、テレビ等の各種電気機器に利用される。
【０００３】
ウエーハの裏面が研削された後、ウエーハの裏面にサブデバイスや金属膜等の再加工が施される場合がある。そのため、ウエーハの表面側を支持基板の表面にボンド剤を介在させて貼着し、その状態で研削装置によりウエーハの裏面を所定の厚さに研削している。
【０００４】
ウエーハの外周面には面取り部が施されているため、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、ウエーハの外周がナイフエッジのように鋭角に形成され、ナイフエッジ部分を起点としてウエーハが割れるおそれがある。そこで、支持基板に支持されたウエーハの面取り部を切削ブレードによって切断して除去することとしている（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１４３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記したような支持基板は、ウエーハの加工時に繰り返して使い回すことができるため、切削ブレードで支持基板の表面を傷つけないようにウエーハの面取り部を慎重に切断しなければならず、ウエーハの生産性が悪いという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、支持基板の表面を傷つけることなく、ウエーハの面取り部を容易に切断できるようにすることに解決すべき課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ボンド剤を介在させて円形のウエーハが貼着され、該ウエーハと同等もしくは該ウエーハより大径の外径を有する支持基板であって、該ウエーハの外周には表面から裏面に至る面取り部が形成されており、該支持基板の表面には面取り部を切削ブレードで除去する際に切削ブレードとの接触を回避するリング状の逃げ溝が形成されている。
【０００９】
上記の支持基板は、ガラス、セラミックス、シリコンのいずれかで形成され、厚みは０．５〜１．０ｍｍであり、上記逃げ溝の深さは１０〜１００μｍであることが望ましい。
【００１０】
また、本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成され、外周には表面から裏面に至る面取り部が形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法であって、上記支持基板の表面にウエーハの表面を対面させアクリル、ワックス、ポリイミド等のボンド剤を介して貼着する支持基板貼着工程と、ウエーハが貼着された支持基板側を回転可能なチャックテーブルに保持し、ウエーハの外周余剰領域の裏面側に切削ブレードを位置づけるとともにチャックテーブルを回転させて面取り部を除去する面取り部除去工程と、面取り部が除去されたウエーハが貼着された支持基板側を回転可能なチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、から少なくとも構成され、面取り部除去工程において、逃げ溝によって切削ブレードと支持基板との接触が回避される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、ウエーハを支持する支持基板の表面にリング状の逃げ溝が形成されているため、支持基板にウエーハを貼着してウエーハの外周に形成された面取り部を切削ブレードにより除去する際に、切削ブレードの刃先が逃げ溝に収容され支持基板の表面に接触することが回避され、切削ブレードが支持基板の表面を傷つけることなくウエーハの面取り部を容易に切断できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ウエーハの表面を示す斜視図である。
【図２】ウエーハの裏面を示す斜視図である。
【図３】支持基板を示す斜視図である。
【図４】支持基板を示す断面図である。
【図５】ウエーハの支持基板貼着工程を示す斜視図である。
【図６】ウエーハが貼着された支持基板をチャックテーブルに保持する工程を示す斜視図である。
【図７】面取り部除去工程における切削ブレードとウエーハの外周余剰領域と支持基板の逃げ溝との位置関係を示す拡大断面図である。
【図８】面取り部除去工程を示す斜視図である。
【図９】面取り部の除去されたウエーハが貼着された支持基板をチャックテーブルに保持する工程を示す斜視図である。
【図１０】研削工程を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１に示すウエーハＷは、切削、研削等が施される被加工物の表面Ｗａ側を示した一例である。ウエーハＷは円形に形成されており、表面Ｗａには、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスＤが格子状の分割予定ラインＳによって区画されて形成されている。表面Ｗａにおいては、複数のデバイスＤを囲繞し、デバイスＤが形成されていない領域を外周余剰領域Ｗｃとしている。
【００１４】
図２に示すウエーハＷは、図１に示したウエーハＷを反転させた後の裏面Ｗｂを示している。ウエーハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂに至る外周面は、断面形状が円弧状になるように面取りされた面取り部４としている。
【００１５】
図３に示すように、支持基板１は、ウエーハＷと同等もしくはウエーハＷより大径の外径を有する円盤形状に形成されており、支持基板１の表面１ａにボンド剤を塗布してウエーハＷを貼着し、ウエーハＷを下方から支持することができる。
【００１６】
図３及び図４に示す支持基板１は、ガラス、セラミックス、シリコンなどのうちのいずれかの硬質材料から構成されている。支持基板１は、このような硬質材料から構成されることにより、ウエーハＷを安定して支持することができる。ここで、支持基板１の厚みは、０．５〜１．０ｍｍで形成されることが望ましい。
【００１７】
また、図３及び図４に示す支持基板１には、その表面１ａにリング状の逃げ溝２が形成されている。逃げ溝２は、支持基板１の表面１ａにウエーハＷの表面Ｗａを対面させた場合に、外周余剰領域Ｗｃが対面する位置であって、面取り部４よりも内周側に対面する位置に形成されている。支持基板１の逃げ溝２の深さは、１０〜１００μｍであることが望ましい。
【００１８】
以下においては、上記のように構成される支持基板１にウエーハＷを貼着して加工する方法について説明する。
【００１９】
（１）支持基板貼着工程
図５に示すように、ウエーハＷの表面Ｗａを支持基板１の表面１ａに貼着する。具体的には、ウエーハＷを反転させ、ウエーハＷの裏面Ｗｂを上方に露出させ表面Ｗａを支持基板１の表面１ａに対面させる。支持基板１の表面１ａには、予めボンド剤を塗布しておく。そして、ウエーハＷを下降させ、支持基板１の表面１ａにボンド剤を介在させてウエーハＷの表面Ｗａを貼着する。そうすると、図６に示すように、ウエーハＷの裏面Ｗｂが上方に露出してウエーハＷと支持基板１とが一体となった状態となる。使用されるボンド剤は、例えば、アクリル、ワックス、ポリイミド等からなる接着部材であることが望ましい。
【００２０】
（２）面取り部除去工程
支持基板貼着工程が終了した後、ウエーハＷが貼着された支持基板１を回転可能なチャックテーブル３において保持する。図６に示すチャックテーブル３は、その保持面３ａに微小の吸引孔３ｂを無数に備えている。チャックテーブル３に支持基板１を保持させるためには、支持基板１を下降させチャックテーブル３の保持面３ａに支持基板１を載置する。そして、不図示の吸引源から発生する吸引力によって、吸引孔３ｂを通じてチャックテーブル３の保持面３ａに載置された支持基板１を吸引保持する。
【００２１】
ウエーハＷの面取り部４を除去するためには、図８に示す切削手段６を作動させ、切削手段６の切削ブレード６０をウエーハＷの外周余剰領域Ｗｃの上方に位置づける。その後、チャックテーブル３を矢印Ａ方向に回転させ、切削手段６の切削ブレード６０を矢印Ｂ方向に回転させながらウエーハＷの裏面Ｗｂに接触させ、支持基板１に形成された逃げ溝２に達する位置まで切り込む。そして、回転中のウエーハＷを切削ブレード６０で外周余剰領域Ｗｃに沿って円弧状に切り込んでいき、ウエーハＷの外周全面に形成される面取り部４を除去する。
【００２２】
ウエーハＷの切削中においては、切削ブレード６０がウエーハＷの裏面Ｗｂから表面Ｗａを貫通することとなるが、外周余剰領域Ｗｃの切削位置の下方には、支持基板１に形成された逃げ溝２が位置づけられているため、切削ブレード６０が逃げ溝２に入り、切削ブレード６０が支持基板１の表面１ａに接触することはない。したがって、切削ブレード６０によって支持基板１を傷つけることはなく、ウエーハＷの面取り部４を容易に除去できる。
【００２３】
（３）研削工程
面取り部除去工程が終了した後、ウエーハＷを所定の厚さまで薄化するために、ウエーハＷの裏面Ｗｂを研削する。まず、面取り部４が切断されたウエーハＷを図９に示す回転可能なチャックテーブル５において保持する。チャックテーブル５は上記のチャックテーブル３と同様の構成としており、その保持面５ａに微小の吸引孔５ｂを無数に備えている。チャックテーブル５において支持基板１を保持するためには、支持基板１を下降させチャックテーブル５の保持面５ａに支持基板１を載置する。そして、不図示の吸引源から発生する吸引力によって、吸引孔５ｂを通じてチャックテーブル５の保持面５ａに載置された支持基板１を吸引保持する。
【００２４】
チャックテーブル５に支持基板１を吸引保持した後、図１０に示すようにチャックテーブル５を研削手段７の下方に送り込む。研削手段７は、垂直方向に軸心を有するスピンドル７０と、スピンドル７０の下端に装着された研削ホイール７１と、研削ホイール７１の下部に環状に固着された研削砥石７２とを備えており、中心軸７３の周りを矢印Ｃ’方向に回転できる。そして、研削手段７を矢印Ｄ方向に昇降可能な図示しない昇降手段が配設されている。
【００２５】
チャックテーブル５を矢印Ｃ方向に３００ｒｐｍの回転速度で回転させながら研削手段７の下方に送り込み、チャックテーブル５の回転中心を研削砥石７２が通過する位置に設定し、スピンドル７０を矢印Ｃ’方向に回転させながら研削手段７を矢印Ｄ方向に下降させ、研削砥石７２をウエーハＷの裏面Ｗｂに接触させ、裏面Ｗｂを所定の厚みに至るまで研削する。なお、研削ホイール７１の回転速度は、例えば６０００ｒｐｍに設定しておく。また、研削手段７の矢印Ｄ方向の下降送り速度は、例えば１．０（μｍ／秒）に設定しておく。
【００２６】
支持基板１には、逃げ溝２が形成されているため、切削手段６による切削の際には、切削ブレード６０が逃げ溝２に入るため、切削ブレード６０が支持基板１の表面１ａに接触することはなく、支持基板１を傷つけることはない。そのため、切削ブレード６０で支持基板１の表面１ａを傷つけないようにウエーハＷの面取り部４を慎重に切断することが不要となり、ウエーハＷの生産性が向上する。さらに、支持基板１の表面１ａが傷つけられないため、ウエーハＷを安定的に支持できる平坦面を維持することができ、ウエーハＷの加工において支持基板１を繰り返し使うことが可能となる。
【符号の説明】
【００２７】
１：支持基板１ａ：表面
２：逃げ溝
３：保持テーブル３ａ：保持面３ｂ：吸引孔
４：面取り部
５：保持テーブル５ａ：保持面５ｂ：吸引孔
６：切削手段６０：切削ブレード
７：研削手段７０：スピンドル７１：研削ホイール７２：研削砥石７３：中心軸
Ｗ：ウエーハＷａ：表面Ｗｂ：裏面Ｗｃ：外周余剰領域Ｓ：分割予定ラインＤ：デバイス

【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド剤を介在させて円形のウエーハが貼着され、該ウエーハと同等もしくは該ウエーハより大径の外径を有する支持基板であって、
該ウエーハの外周には表面から裏面に至る面取り部が形成されており、
該支持基板の表面には面取り部を切削ブレードで除去する際に切削ブレードとの接触を回避するリング状の逃げ溝が形成されている支持基板。
【請求項２】
前記支持基板は、ガラス、セラミックス、シリコンのいずれかで形成され、厚みは０．５〜１．０ｍｍであり、前記逃げ溝の深さは１０〜１００μｍである請求項１記載の支持基板。
【請求項３】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成され、外周には表面から裏面に至る面取り部が形成されたウエーハの該裏面を研削するウエーハの加工方法であって、
請求項１又は２に記載の支持基板の表面にウエーハの表面を対面させアクリル、ワックス、ポリイミド等のボンド剤を介して貼着する支持基板貼着工程と、
該ウエーハが貼着された支持基板側を回転可能なチャックテーブルに保持し、該ウエーハの外周余剰領域の裏面側に切削ブレードを位置づけるとともに該チャックテーブルを回転させて該面取り部を除去する面取り部除去工程と、
該面取り部が除去されたウエーハが貼着された支持基板側を回転可能なチャックテーブルに保持し該ウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、
から少なくとも構成され、
該面取り部除去工程において、前記逃げ溝によって該切削ブレードと該支持基板との接触が回避されるウエーハの加工方法。

【図１】