セラミックスチップコンデンサシートの分割方法
【課題】シングルスピンドルの切削装置でも、容易にセラミックスチップコンデンサシートの分割が可能なセラミックスチップコンデンサシートの分割方法を提供する。
【解決手段】最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法であって、切削ブレードでアライメントマーク領域１９を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝２３ａ〜２３ｆを形成し、該切削溝の底部に該アライメントマーク１９ａを表出させるアライメントマーク表出ステップと、該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、を具備する。
【解決手段】最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法であって、切削ブレードでアライメントマーク領域１９を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝２３ａ〜２３ｆを形成し、該切削溝の底部に該アライメントマーク１９ａを表出させるアライメントマーク表出ステップと、該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、を具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックスチップコンデンサシートは、セラミックス層と、セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層、とを交互に複数層（例えば２００層程度）積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成されている。
【０００３】
このように構成されたセラミックスチップコンデンサシートは、最上位にセラミックス層が形成されているため、表面から電極の位置を確認することができないので、個々のチップコンデンサに分割するに際しては、何らかの方法で電極の位置を確認する必要がある。
【０００４】
そこで、従来セラミックスチップコンデンサシートを分割する際には、先端がＶ形状に形成された所謂Ｖブレードでアライメントマーク領域を切削してＶ溝を形成し、Ｖ溝の側面に表出したアライメントマークを基に分割位置を検出していた（例えば、特開２００４−３９９０６号公報参照）。
【０００５】
分割位置検出後、先端がＶ形状でない通常の切削ブレードで検出した分割位置を切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３９９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、引用文献１に開示された方法では、Ｖブレードと通常のブレードとの二種類の切削ブレードが必要であり、アライメントマークを表出させた後、Ｖブレードから通常のブレードに交換する必要があるため、非常に手間がかかるという問題がある。代替案として、スピンドルを二つ備えた高価なデュアルダイサーを使用することも考えられるが、生産コストがかかるという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スピンドルを一つ備えた通常の切削装置でも、容易にセラミックスチップコンデンサシートの分割が可能なセラミックスチップコンデンサシートの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によると、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し該電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層とを交互に複数層積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシートを格子状に区画された個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法であって、切削ブレードで該アライメントマーク領域を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、該切削溝の底部に該アライメントマークを表出させるアライメントマーク表出ステップと、該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とするセラミックスチップコンデンサシートの分割方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、前記アライメントマーク表出ステップは、前記アライメントマーク領域を前記切削ブレードで切削して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップを実施した後、該第１切削溝から所定距離離れた位置を該切削ブレードで切削して該第１切削溝と平行な第２切削溝を形成するとともに、該第１切削溝と該第２切削溝との間に残存領域を形成する第２切削ステップと、該第２切削ステップを実施した後、該切削ブレードで該残存領域を切削して除去する第３切削ステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサへ分割する際に使用する切削ブレードで、アライメントマーク領域を複数回切削して切削ブレードの厚みより広い幅を有する切削溝を形成することで、切削溝の底部にアライメントマークを表出させ、アライメントを可能にした。
【００１２】
従って、一本のスピンドルを有する通常の切削装置でも容易にセラミックスチップコンデンサシートの分割が可能となる。
【００１３】
請求項２記載の発明によると、アライメントマーク表出ステップで第１切削溝と第２切削溝の間に残存領域が残るようにしたので、切削ブレードの蛇行を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の分割方法を実施するのに適した切削装置の斜視図である。
【図２】セラミックスチップコンデンサシートの一部破断斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】アライメントマーク表出ステップを説明する平面図である。
【図５】第１実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図６】第２実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図７】第３実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図８】アライメントステップを説明する平面図である。
【図９】分割ステップを説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、セラミックスチップコンデンサシートを切削して個々のチップコンデンサに分割することのできる切削装置２の外観を示している。
【００１６】
切削装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１７】
図２に示すように、本発明のダイシング対象（切削対象）となるセラミックスチップコンデンサシート１１は、ガラス板からなる矩形状のキャリア基板４０の表面に分離層となるテープ４２を介して搭載されている。
【００１８】
キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１はカセット８中に複数枚収容される。カセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００１９】
カセット８の後方にはカセット８から切削前のセラミックスチップコンデンサシート１１を搬出するとともに、切削後のセラミックスチップコンデンサシート１１をカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２０】
カセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のセラミックスチップコンデンサシート１１が一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２には、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２１】
仮置き領域１２の近傍には、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されており、仮置き領域１２に搬出されたセラミックスチップコンデンサシート１１は、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送される。
【００２２】
チャックテーブル１８は、支持台２０と、支持台２０上に装着された矩形状の吸着チャック２２と、吸着チャック２２の二辺に沿って配設された三本の位置決めピン２４を具備しており、吸着チャック２２の表面である保持面上にキャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１が載置される。
【００２３】
このとき、キャリア基板４０の二辺を三本の位置決めピン２４に当接することによってキャリア基板４０が位置決めされ、図示しない吸引手段を作用させることによりセラミックスチップコンデンサシート１１がキャリア基板４０を介してチャックテーブル１８の吸着チャック２２により吸引保持される。
【００２４】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、セラミックスチップコンデンサシート１１の切削すべき位置を検出するアライメント手段２６が配設されている。
【００２５】
アライメント手段２６は、セラミックスチップコンデンサシート１１の表面を撮像する撮像カメラ及び顕微鏡を有する撮像手段２８を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によって切削すべき位置を検出することができる。撮像手段２８によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２６】
アライメント手段２６の左側には、チャックテーブル１８に保持されたセラミックスチップコンデンサシート１８に対して切削加工を施す切削手段３０が配設されている。切削手段３０はアライメント手段２６と一体的に構成されており、両者が連動してＹ軸方向及びＺ軸方向に移動する。
【００２７】
切削手段３０は、回転可能なスピンドル３２の先端に切削ブレード３４が装着されて構成され、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード３４は撮像手段２８のＸ軸方向の延長線上に位置している。
【００２８】
切削加工の終了したセラミックスチップコンデンサシート１１は、搬送手段３６によってスピンナ洗浄ユニット３８に搬送され、スピンナ洗浄ユニット３８でスピン洗浄された後、スピン乾燥される。
【００２９】
図２に示すように、セラミックスチップコンデンサシート１１は分離層となるテープ４２を介してガラス製のキャリア基板４０上に搭載されている。図２のＡ−Ａ線断面である図３に示すように、キャリア基板４０の表面に貼着されたテープ４２上に生セラミックスが塗布され厚さ５μｍ程度の生セラミックス層１３を形成し、この生セラミックス層１３の表面に例えばパラジウム等の電極金属をスクリーン印刷して厚さ１μｍ程度の電極層１５を形成する。
【００３０】
この電極層１５は、図２の破断部分に示すように、格子状に区画された複数個の電極１７ａを有する電極領域１７と、電極領域１７を囲繞し電極１７ａの位置を示すアライメントマーク１９ａを有する４個のアライメントマーク領域１９とを備えている。
【００３１】
このように形成された生セラミックス層１３と電極層１５を交互に２００層程度積層し、最上位層に生セラミックス層１３が形成されてセラミックスチップコンデンサシート１１が構成されている。
【００３２】
このように構成されたセラミックスチップコンデンサシート１１を個々のチップコンデンサに分割するに際しては、電極１７ａの位置を検出する必要があるが、最上位層にセラミックス層１３が形成されているため表面から電極１７ａの位置を確認することができない。
【００３３】
そこで、本発明のセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法では、切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を複数回切削して切削ブレード３４の厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、切削溝の底部にアライメントマーク１９ａを表出するアライメントマーク表出ステップを実施する。
【００３４】
切削ブレード３４を用いて切削溝を形成するに際しては、最上位層のセラミックス層１３の表面に、電極層１５のアライメントマーク領域１９の両端部に対応する位置に２個のアライメントマーク２１が形成されており、この２個のアライメントマーク２１を検出して両者を結ぶ直線上を切削ブレード３４で切削する。
【００３５】
最上位層のセラミックス層１３にアライメントマーク２１を設けるのは本発明の分割方法では必須ではなく、最上位層のセラミックス層１３にアライメントマーク２１が形成されていなくてもよい。この場合には、セラミックスチップコンデンサシート１１の設計値に基づいて、切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削する。
【００３６】
以下、切削装置２による本発明実施形態のセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法について説明する。まず、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を複数枚収容したカセット８がカセットエレベータ９上に搭載される。次いで、カセットエレベータ９の上下動により搬出すべきセラミックスチップコンデンサシート１１が搬出位置に位置付けられる。
【００３７】
次いで、搬出入手段１０によりカセット８内からセラミックスチップコンデンサシート１１を搬出して仮置き領域１２に載置する。仮置き領域１２でキャリア基板４０の位置合わせをした後、搬送手段１６の旋回動作によってチャックテーブル１８の吸着チャック２２上にキャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を載置し、キャリア基板４０の二辺を三本の位置決めピン２４に当接することによってキャリア基板４０を位置決めし、吸着チャック２２によりキャリア基板４０を吸引保持する。
【００３８】
キャリア基板４０を介してセラミックスチップコンデンサシート１１を吸引保持したチャックテーブル１８は、Ｘ軸方向に移動されて撮像手段２８の直下に位置付けられる。チャックテーブル１８が撮像手段２８の直下に位置付けられたならば、撮像手段２８により一つのアライメントマーク領域１９に対応するセラミックスチップコンデンサシート１１の表面を撮像し、該アライメントマーク領域に対応する２個のアライメントマーク２１を検出し、それぞれの座標値を切削装置２のコントローラ２のメモリに格納する。
【００３９】
次いで、検出した該２個のアライメントマーク２１を結んだ直線がＸ軸方向に一致するようにチャックテーブル１８を回転してから、切削ブレード３４の延長線上に２個のアライメントマーク２１を結んだ直線が一致するように切削ブレード３４をＹ軸方向に移動する。
【００４０】
次いで、切削ブレード３４を回転させつつ、セラミックスチップコンデンサシート１１を吸引保持したチャックテーブル１８をＸ軸方向に切削送りすることにより、図４の拡大図に示すように、アライメントマーク領域１９に第１切削溝２３ａを形成する。
【００４１】
次いで、図４及び図５に示すように、切削ブレード３４で形成される切削溝が一部重なるように第２切削溝２３ｂ、第３切削溝２３ｃ、第４切削溝２３ｄ、第５切削溝２３ｅ、第６切削溝２３ｆを形成し、これらの切削溝２３ａ〜２３ｆの全体で切削ブレード３４の厚み以上の幅を有するアライメントマーク表出溝２３を形成する。
【００４２】
このように十分な幅を有するアライメントマーク表出溝２３を形成することにより、アライメントマーク表出溝２３の底部にアライメントマーク１９ａが表出される。
【００４３】
このアライメントマーク表出ステップを電極領域１７を囲繞して形成された４個のアライメントマーク領域１９に実施することにより、各アライメントマーク表出溝２３にアライメントマーク１９ａが表出する。
【００４４】
図６を参照すると、本発明第２実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図が示されている。本実施形態のアライメントマーク表出ステップでは、まず図６（Ａ）に示すように、各溝間に残存部２５を設けて切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削して、全体でアライメントマーク表出溝幅２３Ａ´となる切削溝（１）〜（３）を形成する。
【００４５】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、切削ブレード３４で残存部２５を切削して切削溝（４）及び（５）を形成し、全体でアライメントマーク表出溝２３Ａとする。この第２実施形態のアライメントマーク表出ステップによると、切削ブレード３４の倒れを防止することができ、形成される切削溝の蛇行を防止することができる。
【００４６】
図７を参照すると、本発明第３実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図が示されている。本実施形態のアライメントマーク表出ステップでは、まず図７（Ａ）に示すように、残存部を残さないように切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削して切削溝（１）〜（３）を連続して形成する。図３（Ａ）で２３Ｂ´はアライメントマーク表出溝幅である。
【００４７】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、切削溝（１）と切削溝（２）の間に切削溝（４）を形成し、切削溝（２）と切削溝（３）の間に切削溝（５）を形成し、切削溝（３）に部分的に重なるように切削溝（６）を形成して、全体でアライメントマーク表出溝２３Ｂとする。
【００４８】
切削ブレード３４は切削するにつれて先端にＲ形状が形成されるが、本実施形態のように切削することで、切削ブレード３４の蛇行を防止できるとともに、アライメントマーク表出溝２３Ｂの底面をより平坦にすることができる。
【００４９】
アライメントマーク表出ステップを実施した後、本発明の分割方法では、アライメントマーク表出ステップで表出されたアライメントマーク１９ａに基づいて分割位置を検出するアライメントステップを実施する。
【００５０】
このアライメントステップでは、チャックテーブル２８を撮像手段２８の直下に位置付ける。そして、上述したアライメントマーク表出ステップによってアライメントマーク表出溝２３に表示されたアライメントマーク１９ａに基づいて、切削領域を設定するアライメントステップを実行する。
【００５１】
即ち、撮像手段２８で第１のアライメントマーク領域１９を撮像して第１のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａを検出してその座標値をメモリに格納する。
【００５２】
次いで、第１のアライメントマーク領域１９に対向する第２のアライメントマーク領域１９を撮像手段２８で撮像して第２のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａを検出し、その座標値をメモリに格納する。
【００５３】
本実施形態のセラミックスチップコンデンサシート１１では、隣接するアライメントマーク１９ａと１９ａの間を切削するため、第１のアライメントマーク領域１９のアライメントマーク１９ａと、対向する第２のアライメントマーク領域１９のアライメントマーク１９ａを検出したならば、第１番目（左端）のアライメントマーク１９ａを結ぶ直線を引き、この直線が切削ブレード３４のＸ軸方向の延長線に一致するようにアライメントした後、隣接するアライメントマーク１９ａの間隔の１／２の位置を分割位置２７に設定し、この分割位置２７をメモリに格納する。
【００５４】
第２番目のアライメントマーク１９ａについても同様な操作を実行して、分割位置２７を検出し、この分割位置２７をメモリに格納する。この操作を第１のアライメントマーク領域１９と対向する第２のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａについて実行して、第１の方向に伸長する分割位置２７を設定する。
【００５５】
次いで、チャックテーブル１８を９０度回転して、第３のアライメントマーク領域１９と対向する第４のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａについても同様な操作を実行して、第１の方向に伸長する分割位置２７に直交する第２の方向に伸長する分割位置２７を設定する。アライメントステップ終了後のセラミックスチップコンデンサシート１１の平面図が図８に示されている。
【００５６】
アライメントステップ終了後、アライメントステップで検出された第１の方向に伸長する全ての分割位置２７を切削ブレード３４で切削して第１の方向に伸長する分割溝２９を形成する。
【００５７】
次いで、チャックテーブル１８を９０度回転してから、第２の方向に伸長する全ての分割位置２７を切削ブレード３４で切削して第２の方向に伸長する分割溝２９を形成することにより、図９に示すように、セラミックスチップコンデンサシート１１を個々のチップコンデンサへと分割する。
【００５８】
上述した本発明実施形態の分割方法では、個々のチップコンデンサへの分割を行う切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を複数回切削して、切削ブレード３４の厚みより広い幅を有するアライメントマーク表出溝２３，２３Ａ，２３Ｂを形成するようにしたので、アライメントマーク表出溝２３，２３Ａ，２３Ｂの底部にアライメントマーク１９ａを確実に表出させることができ、これらのアライメントマーク１９ａに基づいてアライメントを行うことができる。従って、図１に示したようなシングルスピンドルの切削装置２でも、容易にセラミックスチップコンデンサシート１１の分割が可能となる。
【符号の説明】
【００５９】
２ 切削装置
１１ セラミックスチップコンデンサシート
１３ セラミックス層
１５ 電極層
１７ 電極領域
１７ａ 電極
１８ チャックテーブル
１９ アライメントマーク領域
１９ａ アライメントマーク
２３，２３Ａ，２３Ｂ アライメントマーク表出溝
２３ａ〜２３ｆ 切削溝
２５ 残存部
２７ 分割位置
２８ 撮像手段
２９ 分割溝
３４ 切削ブレード
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックスチップコンデンサシートは、セラミックス層と、セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層、とを交互に複数層（例えば２００層程度）積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成されている。
【０００３】
このように構成されたセラミックスチップコンデンサシートは、最上位にセラミックス層が形成されているため、表面から電極の位置を確認することができないので、個々のチップコンデンサに分割するに際しては、何らかの方法で電極の位置を確認する必要がある。
【０００４】
そこで、従来セラミックスチップコンデンサシートを分割する際には、先端がＶ形状に形成された所謂Ｖブレードでアライメントマーク領域を切削してＶ溝を形成し、Ｖ溝の側面に表出したアライメントマークを基に分割位置を検出していた（例えば、特開２００４−３９９０６号公報参照）。
【０００５】
分割位置検出後、先端がＶ形状でない通常の切削ブレードで検出した分割位置を切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３９９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、引用文献１に開示された方法では、Ｖブレードと通常のブレードとの二種類の切削ブレードが必要であり、アライメントマークを表出させた後、Ｖブレードから通常のブレードに交換する必要があるため、非常に手間がかかるという問題がある。代替案として、スピンドルを二つ備えた高価なデュアルダイサーを使用することも考えられるが、生産コストがかかるという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スピンドルを一つ備えた通常の切削装置でも、容易にセラミックスチップコンデンサシートの分割が可能なセラミックスチップコンデンサシートの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によると、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し該電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層とを交互に複数層積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシートを格子状に区画された個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法であって、切削ブレードで該アライメントマーク領域を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、該切削溝の底部に該アライメントマークを表出させるアライメントマーク表出ステップと、該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とするセラミックスチップコンデンサシートの分割方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、前記アライメントマーク表出ステップは、前記アライメントマーク領域を前記切削ブレードで切削して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップを実施した後、該第１切削溝から所定距離離れた位置を該切削ブレードで切削して該第１切削溝と平行な第２切削溝を形成するとともに、該第１切削溝と該第２切削溝との間に残存領域を形成する第２切削ステップと、該第２切削ステップを実施した後、該切削ブレードで該残存領域を切削して除去する第３切削ステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサへ分割する際に使用する切削ブレードで、アライメントマーク領域を複数回切削して切削ブレードの厚みより広い幅を有する切削溝を形成することで、切削溝の底部にアライメントマークを表出させ、アライメントを可能にした。
【００１２】
従って、一本のスピンドルを有する通常の切削装置でも容易にセラミックスチップコンデンサシートの分割が可能となる。
【００１３】
請求項２記載の発明によると、アライメントマーク表出ステップで第１切削溝と第２切削溝の間に残存領域が残るようにしたので、切削ブレードの蛇行を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の分割方法を実施するのに適した切削装置の斜視図である。
【図２】セラミックスチップコンデンサシートの一部破断斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】アライメントマーク表出ステップを説明する平面図である。
【図５】第１実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図６】第２実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図７】第３実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図である。
【図８】アライメントステップを説明する平面図である。
【図９】分割ステップを説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、セラミックスチップコンデンサシートを切削して個々のチップコンデンサに分割することのできる切削装置２の外観を示している。
【００１６】
切削装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
【００１７】
図２に示すように、本発明のダイシング対象（切削対象）となるセラミックスチップコンデンサシート１１は、ガラス板からなる矩形状のキャリア基板４０の表面に分離層となるテープ４２を介して搭載されている。
【００１８】
キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１はカセット８中に複数枚収容される。カセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
【００１９】
カセット８の後方にはカセット８から切削前のセラミックスチップコンデンサシート１１を搬出するとともに、切削後のセラミックスチップコンデンサシート１１をカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。
【００２０】
カセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のセラミックスチップコンデンサシート１１が一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２には、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段１４が配設されている。
【００２１】
仮置き領域１２の近傍には、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されており、仮置き領域１２に搬出されたセラミックスチップコンデンサシート１１は、搬送手段１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送される。
【００２２】
チャックテーブル１８は、支持台２０と、支持台２０上に装着された矩形状の吸着チャック２２と、吸着チャック２２の二辺に沿って配設された三本の位置決めピン２４を具備しており、吸着チャック２２の表面である保持面上にキャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１が載置される。
【００２３】
このとき、キャリア基板４０の二辺を三本の位置決めピン２４に当接することによってキャリア基板４０が位置決めされ、図示しない吸引手段を作用させることによりセラミックスチップコンデンサシート１１がキャリア基板４０を介してチャックテーブル１８の吸着チャック２２により吸引保持される。
【００２４】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、セラミックスチップコンデンサシート１１の切削すべき位置を検出するアライメント手段２６が配設されている。
【００２５】
アライメント手段２６は、セラミックスチップコンデンサシート１１の表面を撮像する撮像カメラ及び顕微鏡を有する撮像手段２８を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によって切削すべき位置を検出することができる。撮像手段２８によって取得された画像は、表示手段６に表示される。
【００２６】
アライメント手段２６の左側には、チャックテーブル１８に保持されたセラミックスチップコンデンサシート１８に対して切削加工を施す切削手段３０が配設されている。切削手段３０はアライメント手段２６と一体的に構成されており、両者が連動してＹ軸方向及びＺ軸方向に移動する。
【００２７】
切削手段３０は、回転可能なスピンドル３２の先端に切削ブレード３４が装着されて構成され、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード３４は撮像手段２８のＸ軸方向の延長線上に位置している。
【００２８】
切削加工の終了したセラミックスチップコンデンサシート１１は、搬送手段３６によってスピンナ洗浄ユニット３８に搬送され、スピンナ洗浄ユニット３８でスピン洗浄された後、スピン乾燥される。
【００２９】
図２に示すように、セラミックスチップコンデンサシート１１は分離層となるテープ４２を介してガラス製のキャリア基板４０上に搭載されている。図２のＡ−Ａ線断面である図３に示すように、キャリア基板４０の表面に貼着されたテープ４２上に生セラミックスが塗布され厚さ５μｍ程度の生セラミックス層１３を形成し、この生セラミックス層１３の表面に例えばパラジウム等の電極金属をスクリーン印刷して厚さ１μｍ程度の電極層１５を形成する。
【００３０】
この電極層１５は、図２の破断部分に示すように、格子状に区画された複数個の電極１７ａを有する電極領域１７と、電極領域１７を囲繞し電極１７ａの位置を示すアライメントマーク１９ａを有する４個のアライメントマーク領域１９とを備えている。
【００３１】
このように形成された生セラミックス層１３と電極層１５を交互に２００層程度積層し、最上位層に生セラミックス層１３が形成されてセラミックスチップコンデンサシート１１が構成されている。
【００３２】
このように構成されたセラミックスチップコンデンサシート１１を個々のチップコンデンサに分割するに際しては、電極１７ａの位置を検出する必要があるが、最上位層にセラミックス層１３が形成されているため表面から電極１７ａの位置を確認することができない。
【００３３】
そこで、本発明のセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法では、切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を複数回切削して切削ブレード３４の厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、切削溝の底部にアライメントマーク１９ａを表出するアライメントマーク表出ステップを実施する。
【００３４】
切削ブレード３４を用いて切削溝を形成するに際しては、最上位層のセラミックス層１３の表面に、電極層１５のアライメントマーク領域１９の両端部に対応する位置に２個のアライメントマーク２１が形成されており、この２個のアライメントマーク２１を検出して両者を結ぶ直線上を切削ブレード３４で切削する。
【００３５】
最上位層のセラミックス層１３にアライメントマーク２１を設けるのは本発明の分割方法では必須ではなく、最上位層のセラミックス層１３にアライメントマーク２１が形成されていなくてもよい。この場合には、セラミックスチップコンデンサシート１１の設計値に基づいて、切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削する。
【００３６】
以下、切削装置２による本発明実施形態のセラミックスチップコンデンサシート１１の分割方法について説明する。まず、キャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を複数枚収容したカセット８がカセットエレベータ９上に搭載される。次いで、カセットエレベータ９の上下動により搬出すべきセラミックスチップコンデンサシート１１が搬出位置に位置付けられる。
【００３７】
次いで、搬出入手段１０によりカセット８内からセラミックスチップコンデンサシート１１を搬出して仮置き領域１２に載置する。仮置き領域１２でキャリア基板４０の位置合わせをした後、搬送手段１６の旋回動作によってチャックテーブル１８の吸着チャック２２上にキャリア基板４０上に搭載されたセラミックスチップコンデンサシート１１を載置し、キャリア基板４０の二辺を三本の位置決めピン２４に当接することによってキャリア基板４０を位置決めし、吸着チャック２２によりキャリア基板４０を吸引保持する。
【００３８】
キャリア基板４０を介してセラミックスチップコンデンサシート１１を吸引保持したチャックテーブル１８は、Ｘ軸方向に移動されて撮像手段２８の直下に位置付けられる。チャックテーブル１８が撮像手段２８の直下に位置付けられたならば、撮像手段２８により一つのアライメントマーク領域１９に対応するセラミックスチップコンデンサシート１１の表面を撮像し、該アライメントマーク領域に対応する２個のアライメントマーク２１を検出し、それぞれの座標値を切削装置２のコントローラ２のメモリに格納する。
【００３９】
次いで、検出した該２個のアライメントマーク２１を結んだ直線がＸ軸方向に一致するようにチャックテーブル１８を回転してから、切削ブレード３４の延長線上に２個のアライメントマーク２１を結んだ直線が一致するように切削ブレード３４をＹ軸方向に移動する。
【００４０】
次いで、切削ブレード３４を回転させつつ、セラミックスチップコンデンサシート１１を吸引保持したチャックテーブル１８をＸ軸方向に切削送りすることにより、図４の拡大図に示すように、アライメントマーク領域１９に第１切削溝２３ａを形成する。
【００４１】
次いで、図４及び図５に示すように、切削ブレード３４で形成される切削溝が一部重なるように第２切削溝２３ｂ、第３切削溝２３ｃ、第４切削溝２３ｄ、第５切削溝２３ｅ、第６切削溝２３ｆを形成し、これらの切削溝２３ａ〜２３ｆの全体で切削ブレード３４の厚み以上の幅を有するアライメントマーク表出溝２３を形成する。
【００４２】
このように十分な幅を有するアライメントマーク表出溝２３を形成することにより、アライメントマーク表出溝２３の底部にアライメントマーク１９ａが表出される。
【００４３】
このアライメントマーク表出ステップを電極領域１７を囲繞して形成された４個のアライメントマーク領域１９に実施することにより、各アライメントマーク表出溝２３にアライメントマーク１９ａが表出する。
【００４４】
図６を参照すると、本発明第２実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図が示されている。本実施形態のアライメントマーク表出ステップでは、まず図６（Ａ）に示すように、各溝間に残存部２５を設けて切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削して、全体でアライメントマーク表出溝幅２３Ａ´となる切削溝（１）〜（３）を形成する。
【００４５】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、切削ブレード３４で残存部２５を切削して切削溝（４）及び（５）を形成し、全体でアライメントマーク表出溝２３Ａとする。この第２実施形態のアライメントマーク表出ステップによると、切削ブレード３４の倒れを防止することができ、形成される切削溝の蛇行を防止することができる。
【００４６】
図７を参照すると、本発明第３実施形態のアライメントマーク表出ステップを説明する断面図が示されている。本実施形態のアライメントマーク表出ステップでは、まず図７（Ａ）に示すように、残存部を残さないように切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を切削して切削溝（１）〜（３）を連続して形成する。図３（Ａ）で２３Ｂ´はアライメントマーク表出溝幅である。
【００４７】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、切削溝（１）と切削溝（２）の間に切削溝（４）を形成し、切削溝（２）と切削溝（３）の間に切削溝（５）を形成し、切削溝（３）に部分的に重なるように切削溝（６）を形成して、全体でアライメントマーク表出溝２３Ｂとする。
【００４８】
切削ブレード３４は切削するにつれて先端にＲ形状が形成されるが、本実施形態のように切削することで、切削ブレード３４の蛇行を防止できるとともに、アライメントマーク表出溝２３Ｂの底面をより平坦にすることができる。
【００４９】
アライメントマーク表出ステップを実施した後、本発明の分割方法では、アライメントマーク表出ステップで表出されたアライメントマーク１９ａに基づいて分割位置を検出するアライメントステップを実施する。
【００５０】
このアライメントステップでは、チャックテーブル２８を撮像手段２８の直下に位置付ける。そして、上述したアライメントマーク表出ステップによってアライメントマーク表出溝２３に表示されたアライメントマーク１９ａに基づいて、切削領域を設定するアライメントステップを実行する。
【００５１】
即ち、撮像手段２８で第１のアライメントマーク領域１９を撮像して第１のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａを検出してその座標値をメモリに格納する。
【００５２】
次いで、第１のアライメントマーク領域１９に対向する第２のアライメントマーク領域１９を撮像手段２８で撮像して第２のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａを検出し、その座標値をメモリに格納する。
【００５３】
本実施形態のセラミックスチップコンデンサシート１１では、隣接するアライメントマーク１９ａと１９ａの間を切削するため、第１のアライメントマーク領域１９のアライメントマーク１９ａと、対向する第２のアライメントマーク領域１９のアライメントマーク１９ａを検出したならば、第１番目（左端）のアライメントマーク１９ａを結ぶ直線を引き、この直線が切削ブレード３４のＸ軸方向の延長線に一致するようにアライメントした後、隣接するアライメントマーク１９ａの間隔の１／２の位置を分割位置２７に設定し、この分割位置２７をメモリに格納する。
【００５４】
第２番目のアライメントマーク１９ａについても同様な操作を実行して、分割位置２７を検出し、この分割位置２７をメモリに格納する。この操作を第１のアライメントマーク領域１９と対向する第２のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａについて実行して、第１の方向に伸長する分割位置２７を設定する。
【００５５】
次いで、チャックテーブル１８を９０度回転して、第３のアライメントマーク領域１９と対向する第４のアライメントマーク領域１９の全てのアライメントマーク１９ａについても同様な操作を実行して、第１の方向に伸長する分割位置２７に直交する第２の方向に伸長する分割位置２７を設定する。アライメントステップ終了後のセラミックスチップコンデンサシート１１の平面図が図８に示されている。
【００５６】
アライメントステップ終了後、アライメントステップで検出された第１の方向に伸長する全ての分割位置２７を切削ブレード３４で切削して第１の方向に伸長する分割溝２９を形成する。
【００５７】
次いで、チャックテーブル１８を９０度回転してから、第２の方向に伸長する全ての分割位置２７を切削ブレード３４で切削して第２の方向に伸長する分割溝２９を形成することにより、図９に示すように、セラミックスチップコンデンサシート１１を個々のチップコンデンサへと分割する。
【００５８】
上述した本発明実施形態の分割方法では、個々のチップコンデンサへの分割を行う切削ブレード３４でアライメントマーク領域１９を複数回切削して、切削ブレード３４の厚みより広い幅を有するアライメントマーク表出溝２３，２３Ａ，２３Ｂを形成するようにしたので、アライメントマーク表出溝２３，２３Ａ，２３Ｂの底部にアライメントマーク１９ａを確実に表出させることができ、これらのアライメントマーク１９ａに基づいてアライメントを行うことができる。従って、図１に示したようなシングルスピンドルの切削装置２でも、容易にセラミックスチップコンデンサシート１１の分割が可能となる。
【符号の説明】
【００５９】
２ 切削装置
１１ セラミックスチップコンデンサシート
１３ セラミックス層
１５ 電極層
１７ 電極領域
１７ａ 電極
１８ チャックテーブル
１９ アライメントマーク領域
１９ａ アライメントマーク
２３，２３Ａ，２３Ｂ アライメントマーク表出溝
２３ａ〜２３ｆ 切削溝
２５ 残存部
２７ 分割位置
２８ 撮像手段
２９ 分割溝
３４ 切削ブレード
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し該電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層とを交互に複数層積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシートを格子状に区画された個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法であって、
切削ブレードで該アライメントマーク領域を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、該切削溝の底部に該アライメントマークを表出させるアライメントマーク表出ステップと、
該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、
該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、
を具備したことを特徴とするセラミックスチップコンデンサシートの分割方法。
【請求項２】
前記アライメントマーク表出ステップは、
前記アライメントマーク領域を前記切削ブレードで切削して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップを実施した後、該第１切削溝から所定距離離れた位置を該切削ブレードで切削して該第１切削溝と平行な第２切削溝を形成するとともに、該第１切削溝と該第２切削溝との間に残存領域を形成する第２切削ステップと、
該第２切削ステップを実施した後、該切削ブレードで該残存領域を切削して除去する第３切削ステップと、
を含む請求項１記載のセラミックスチップコンデンサシートの分割方法。
【請求項１】
セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域を囲繞し該電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域とを備えた電極層とを交互に複数層積層し、最上位にセラミックス層を積層して構成したセラミックスチップコンデンサシートを格子状に区画された個々のチップコンデンサに分割するセラミックスチップコンデンサシートの分割方法であって、
切削ブレードで該アライメントマーク領域を複数回切削して該切削ブレードの厚み以上の幅を有する切削溝を形成し、該切削溝の底部に該アライメントマークを表出させるアライメントマーク表出ステップと、
該アライメントマーク表出ステップで表出された該アライメントマークに基づいて分割位置を検出するアライメントステップと、
該アライメントステップで検出された該分割位置を該切削ブレードで切削して、セラミックスチップコンデンサシートを個々のチップコンデンサに分割する分割ステップと、
を具備したことを特徴とするセラミックスチップコンデンサシートの分割方法。
【請求項２】
前記アライメントマーク表出ステップは、
前記アライメントマーク領域を前記切削ブレードで切削して第１切削溝を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップを実施した後、該第１切削溝から所定距離離れた位置を該切削ブレードで切削して該第１切削溝と平行な第２切削溝を形成するとともに、該第１切削溝と該第２切削溝との間に残存領域を形成する第２切削ステップと、
該第２切削ステップを実施した後、該切削ブレードで該残存領域を切削して除去する第３切削ステップと、
を含む請求項１記載のセラミックスチップコンデンサシートの分割方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２４４０５７（Ｐ２０１２−２４４０５７Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１４９１５（Ｐ２０１１−１１４９１５）
【出願日】平成２３年５月２３日（２０１１．５．２３）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２３日（２０１１．５．２３）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
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