ディスプレイデバイス内の間隙にスペーサーを用いることによってディスプレイアレイのミクロ組織を保護するためのシステムおよび方法
【課題】ディスプレイデバイス内の間隙においてスペーサーを用いることによってディスプレイアレイのミクロ組織を保護するためのシステムおよび方法。
【解決手段】電子デバイス７００に関する該実装システムは、アレイ７２０がバックプレート７５０と接触することに起因する該電子デバイス７００の損傷を防止するかまたは低減させる１つ以上のスペーサー７３０を含む。いくつかの実施形態においては、スペーサーを具備する該実装された電子デバイスは、スペーサーを具備せずに製造された同等の電子デバイスよりも薄い。
【解決手段】電子デバイス７００に関する該実装システムは、アレイ７２０がバックプレート７５０と接触することに起因する該電子デバイス７００の損傷を防止するかまたは低減させる１つ以上のスペーサー７３０を含む。いくつかの実施形態においては、スペーサーを具備する該実装された電子デバイスは、スペーサーを具備せずに製造された同等の電子デバイスよりも薄い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、電子デバイスに関するものである。本発明は、より具体的には、微小電気機械デバイスを物理的損傷から保護するための実装システムおよび方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータ、及び電子機器を含む。微小機械要素は、基板及び／又は蒸着させた材料層の一部をエッチングによって除去するか又は材料層を追加することによって電気デバイス及び電気機械デバイスを形成する、蒸着、エッチング、及び／又はその他のマイクロ加工プロセスを用いて製作することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つの型はインターフェロメトリックモジュレータ（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）と呼ばれている。インターフェロメトリックモジュレータは、一対の伝導性プレートを具備しており、これらのプレートの１方又は両方は、全体又は一部が透明及び／又は反射性であり、適切な電気信号を加えると相対運動をすることができる。１方のプレートは、基板上に蒸着された静止層を具備しており、他方のプレートは、エアギャップによって該静止層から分離された金属膜を具備している。これらのデバイスは非常に広範な用途を有しており、当業においては、既存製品を改良する際に及びまだ開発されていない新製品を製造する際にこれらの型のデバイスの特長を活用できるようにするためにこれらの型のデバイスの特性を利用及び／又は変更することが有益になる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の１つの実施形態は、基板上に形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するディスプレイデバイスである。この実施形態は、バックプレート及び該基板と該バックプレートとの間に配置されたシールを具備し、該基板及びバックプレートは、該インターフェロメトリックモジュレータアレイを実装するためにいっしょに密封する。該アレイと該バックプレートとの間には１つ以上のスペーサーが配置され、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００４】
本発明のもう１つの実施形態は、ディスプレイデバイスを製造するための方法である。この実施形態は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上において提供すること及び１つ以上のスペーサーを該基板上に配置することを具備する。さらに、該方法は、ディスプレイデバイスを形成させるためにバックプレートを該基板上に密封することも提供し、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００５】
本発明のさらにもう１つの実施形態は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上において提供しさらに１つ以上のスペーサーを該基板上に配置する方法によって製造されたディスプレイデバイスである。該ディスプレイデバイスを製造する方法は、ディスプレイデバイスを形成させるためにバックプレートを該基板上に密封することも含み、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００６】
本発明のもう１つの実施形態は、ディスプレイデバイスである。この実施形態においては、該ディスプレイデバイスは、光が自己の内部を透過するようにするための透過性手段と、該透過性手段内を透過された光を変調するための変調手段と、を含む。該ディスプレイデバイスは、該変調手段を被覆するための被覆手段と、パッケージを形成させるために該透過性手段と該被覆手段との間に配置された密封手段と、をさらに具備する。さらに、該ディスプレイデバイスは、該変調手段及び該被覆手段がディスプレイデバイス内において互いに接触するのを防止するための間隔保持手段も含む。
【０００７】
本発明の上記の側面及びその他の側面は、以下の説明及び添付図面（一定の拡大率に従ったものではない）によって簡単に明確になるであろう。但し、これらの説明及び図面は、例示することを目的とするものであって本発明を限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
電子デバイスは、物理的な攻撃(例えば、落下、ねじれ、衝撃、圧力、等)による損傷を受けやすい。いくつかのデバイスは、その他のデバイスよりも損傷を受けやすい。例えば、可動部分を有するデバイスは、該可動部分のうちの１つ以上の部分の変位または破損による影響を受けやすい。いくつかの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、構成要素が微小な寸法を有しているために物理的攻撃の影響を特に受けやすい。従って、該デバイスは、一般的には、該デバイスを損傷させる可能性がある望ましくない接触を低減または防止するためにパッケージに実装されている。
【０００９】
いくつかの事例においては、該パッケージ自体が外力によってゆがみまたは変形され、該ゆがみまたは変形が該パッケージの構成要素を接触させ、さらに、いくつかの事例においては、該パッケージに実装されているデバイスの動作を損ねるかまたは低下させる。従って、本出願明細書において開示されている実装システムは、実装されたデバイス内の構成要素が接触して該電子デバイスを損傷させるのを防止又は減少させるように構成されたスペーサーを含む、電子デバイス（ＭＥＭＳデバイスを含む）用実装システムである。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、インターフェロメトリックモジュレータアレイと該インターフェロメトリックモジュレータアレイに関する実装システムのバックプレートとの間における接触に起因する損傷を防止又は減少させるように構成されている。従って、以下において説明されているように、スペーサーは、該バックプレートを該インターフェロメトリックモジュレータアレイのほうにより近づけて配置することを可能にするため、いくつかの実施形態においては、これらの１つ以上のスペーサーを具備するパッケージディスプレイは、スペーサーを具備しないで製作された同等のパッケージディスプレイよりも薄型である。
【００１０】
本出願明細書において開示されているインターフェロメトリックモジュレータＭＥＭＳデバイスは、ディスプレイデバイスを製作する上で有用である。いくつかの実施形態においては、該ディスプレイは、基板上において形成させてそれによって長さ及び／又は幅と比較して相対的に薄いデバイスを作り出しているインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備する。該構造のいくつかの実施形態は、該デバイスの表面に対して直角な成分を有する力によるそり又は変形が生じやすい。該構造のいくつかの実施形態は、ねじれを受けたときに変形しやすい。当業者は、その他のすべての条件が同じであると仮定した場合には、該そり又は変形は、デバイスの長さ及び／又は幅が大きくなるに従って増大するということを理解することになる。
【００１１】
上記のようなそり及び／又は変形を誘発させる力は、携帯式電子デバイスにおいては異例なことではない。これらの力は、タッチ画面に関する用途において（例えば、スタイラスを用いて触れる場合に）発生する。さらに、例えばユーザーがコンピュータのディスプレイ上において画像を指し示すときに該ディスプレイの表面に触れるか又は該表面を押すことは共通の行為である。さらに加えて、例えばユーザーのポケット又は財布の中に携帯電話が入っているときに偶然にディスプレイに触れることもある。
【００１２】
以下の詳細な説明は、本発明のいくつかの具体的な実施形態を対象にしたものである。しかしながら、本発明は、数多くの異なった形で具体化することが可能である。本説明では図面を参照しており、同一のものについては図面全体に渡って同一の参照数字を付してある。以下の説明によって明確になるように、本発明は、動画（映像、等）又は静止画（静止画像、等）のいずれであるかにかかわらず、さらに、テキスト又は絵のいずれであるかにかかわらず、画像を表示するように構成されているあらゆる装置において実装することができる。さらに具体的には、本発明は、様々な電子機器、例えば、携帯電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、携帯式コンピュータ、ポータブルコンピュータ、ＧＰＳ受信装置／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤー、カムコーダー、ゲームコンソール、腕時計、柱時計、計算器、テレビモニター、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、自動車の表示盤（オドメーターの表示盤、等）、コックピットの制御盤及び／又は表示盤、カメラのディスプレイ(車両内のリアビューカメラのディスプレイ、等)、電子写真、電子広告掲示板又は看板、プロジェクター、建築構造物、梱包、美的構造物（宝石上におけるイメージの表示、等）（但し、これらの電子機器に限定するものではない）の内部に又はこれらの電子機器と関連させて実装できるようにすることが企図されている。さらに、本出願明細書において説明されているＭＥＭＳデバイスと同様の構造を有するＭＥＭＳデバイスは、電子式開閉装置等の表示以外の用途においても使用することができる。
【００１３】
干渉型ＭＥＭＳ表示素子を具備する１つのインターフェロメトリックモジュレータディスプレイ実施形態が図１に例示されている。これらのデバイスにおいて、画素は、明るい状態又は暗い状態のいずれかである。明るい（「オン」又は「開いた」）状態においては、該表示素子は、入射可視光の大部分をユーザーに対して反射させる。暗い（「オフ」又は「閉じた」）状態においては、該表示素子は、ユーザーに対して入射可視光をほとんど反射させない。該「オン」状態及び「オフ状態」の光反射特性は反転させることができ、実施形態に依存する。ＭＥＭＳ画素は、白黒に加えてカラーディスプレイを考慮して、主に選択された色において反射するように構成させることができる。
【００１４】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連の画素内の２個の隣接する画素を描いた等大図であり、各画素は、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを具備している。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータのロー／コラムアレイ（横列／縦列）を具備している。各インターフェロメトリックモジュレータは、一対の反射層を含んでいる。これらの一対の反射層は、可変でかつ制御可能な距離に互いに配置されており、少なくとも１つの可変寸法を有する共鳴光学空洞を形成している。１つの実施形態においては、該反射層のうちの１つは、２つの位置の間を移動させることができる。第１の位置（本出願明細書では解放状態と呼ばれている）においては、該移動可能な反射層は、固定された部分的反射層から相対的に遠く離れた距離に配置されている。第２の位置においては、該移動可能な層は、該部分的反射層のほうにより近づけて配置されている。これらの２つの層から反射された入射光は、該移動可能な反射層の位置に依存して建設的に又は破壊的に干渉し、各画素に関して全体的な反射状態又は非反射状態を作り出す。
【００１５】
図１において、画素アレイのうちの描かれた部分は、２つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ及び１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａにおいては、移動可能で反射能力が高い反射層１４ａが、固定された部分的反射層１６ａから予め決められた距離にある位置において解放状態になっている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂにおいては、移動可能で反射能力が高い反射層１４ｂが、固定された部分的反射層１６ｂに隣接した作動位置にある。
【００１６】
固定層１６ａ及び１６ｂは、電導性で、部分的に透明でさらに部分的反射性であり、例えば、各々がクロム及びインジウム−スズ酸化物から成る１つ以上の層を透明な基板２０上に蒸着することによって製作される。後述するように、これらの層は、平行なストリップから成るパターンが付けられており、ディスプレイデバイス内においてロー電極を形成している。移動可能層１４ａ及び１４ｂは、柱１８の頂部に蒸着した（ロー電極１６ａ及び１６ｂと直交の）蒸着金属層の一連の平行ストリップとして及び柱１８間に蒸着した介在犠牲材料として形成することができる。該犠牲材料をエッチングによって取り除くと、変形可能な金属層が定められたエアギャップ１９よって固定金属層から分離される。変形可能な層には伝導性が高い反射性材料（アルミニウム、等）を用いることができ、これらのストリップは、ディスプレイデバイス内においてコラム電極を形成する。
【００１７】
図１において画素１２ａによって例示されているように、電圧が印加されていない状態では、空洞１９は層１４ａと１６ａの間にとどまっており、変形可能層は、機械的に解放された状態になっている。しかしながら、選択したロー及びコラムに電位差を印加すると、対応する画素におけるロー電極及びコラム電極の交差部において形成されているコンデンサが荷電され、静電力がこれらの電極を引き寄せる。図１内の右側の画素１２ｂによって例示されているように、電圧が十分に高い場合は、移動可能層が変形されて固定層に押しつけられる（本図に示されていない誘電材料を固定層に蒸着することによって短絡を防止すること及び分離距離を制御することができる）。この挙動は、印加した電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射性対非反射性画素の状態を制御することができるロー／コラム作動は、従来のＬＣＤ及びその他の表示技術において用いられている作動と多くの点で類似している。
【００１８】
図２乃至５ｂは、表示用途においてインターフェロメトリックモジュレータアレイを用いるための１つの典型的なプロセス及びシステムを例示した図である。図２は、本発明の諸側面を組み入れることができる電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。この典型的実施形態においては、該電子デバイスはプロセッサ２１を含んでおり、該プロセッサ２１は、あらゆる汎用の単チップ又は多チップのマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、ＰｏｗｅｒＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）、等）、又は、あらゆる専用マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイ、等）にすることができる。当業においては従来の方法であるが、プロセッサ２１は、１つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。プロセッサ２１は、オペレーティングシステムを実行することに加えて、１つ以上のソフトウェアアプリケーション（例えば、ウェブブラウザー、電話に関するアプリケーション、電子メールプログラム、又はその他のあらゆるソフトウェアアプリケーション）を実行するように構成することができる。
【００１９】
１つの実施形態においては、プロセッサ２１はアレイコントローラ２２と通信するようにも構成されている。１つの実施形態においては、アレイコントローラ２２は、画素アレイ３０に信号を提供するロードライバ回路２４及びコラムドライバ回路２６を含む。図１において例示されている該アレイの横断面は、図２では線１−１によって示されている。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータにおいては、ロー／コラム作動プロトコルは、図３において例示されているこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、移動可能層を解放状態から作動状態に変形させるためには１０Ｖの電位差が必要である。しかしながら、同値から電圧を減じたときには、移動可能層は、電圧が低下して再び１０Ｖよりも低くなる間にその状態を維持する。図３において例示されている典型的実施形態においては、移動可能層は、電圧が２Ｖよりも低くなるまで完全には解放されない。このため、図３において示されている例においては、約３乃至７Ｖの電圧範囲が存在しており、デバイスが解放された状態又は作動された状態において安定している印加電圧の窓が存在している。本出願明細書では、この窓を「ヒステリシスウインドー」又は「安定ウインドー」と呼んでいる。図３において例示されているヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合は、ローストローブ中に、ストローブされたロー内の作動対象画素が約１０Ｖの電圧差にさらされ、さらに、解放対象画素が約ゼロＶの電圧差にさらされることになるように、ロー／コラム作動プロトコルを設計することができる。ストローブ後は、画素は、約５Ｖの定常状態電圧差にさらされ、このため、ローストローブによって置かれたあらゆる状態にとどまる。本例においては、各画素は、書かれた後には、３乃至７Ｖの「安定ウインドー」内において電位差にさらされる。この特長は、図１において例示されている画素設計を、作動状態又は先在する解放状態のいずれであるかにかかわらず同じ印加電圧状態の下で安定させることになる。インターフェロメトリックモジュレータの各画素は、作動状態又は解放状態のいずれであるかにかかわらず、本質的には、固定反射層及び移動可能反射層によって形成されたコンデンサであるため、この安定状態は、電力散逸がほとんどゼロの状態でヒステリシスウインドー内のある１つの電圧において保持することができる。本質的に、印加電位が固定されている場合は、画素内には電流は流れ込まない。
【００２０】
典型的な用途においては、第１のロー内の希望する作動画素の組に従ってコラム電極の組を選択することによって表示フレームを製造する。次に、ローパルスをロー１電極に加え、選択されたコラムラインに対応する画素を作動させる。次に、選択されたコラム電極の組を変更し、第２ロー内の希望される作動画素の組に対応させる。次に、ロー２電極にパルスを加え、選択されたコラム電極に従ってロー２内の該当画素を作動させる。この際、ロー１の画素は、ロー２のパルスによる影響を受けず、ロー１のパルス中に設定された状態にとどまる。このプロセスが一連のロー全体に関して逐次的に繰り返されることによって表示フレームが製造される。一般的には、これらの表示フレームは、希望する何らかの１秒当たりのフレーム数の時点において、該プロセスを連続的に繰り返すことによってリフレッシュされるか及び／又は新しい表示データによって更新される。画素アレイのロー電極及びコラム電極を駆動して表示フレームを生産するためのプロトコルは非常に様々であることがよく知られており、これらのプロトコルを本発明ととともに使用することができる。
【００２１】
図４、５ａ及び５ｂは、図２に示されている３ｘ３アレイ上において表示フレームを製作するために用いることが可能な１つの作動プロトコルを例示した図である。図４は、図３のヒステリシス曲線を示している画素に関して使用することができる一組のコラム／ロー電圧レベルを示した図である。図４の実施形態において、画素を作動させることは、該当するコラムを−Ｖｂｉａｓに設定すること及び該当するローを＋ΔＶに設定することが関わっており、これらの電圧は、−５Ｖ及び＋５Ｖにそれぞれ該当する。画素の解放は、該当するコラムを＋Ｖｂｉａｓに設定してさらに該当するローを同じ＋ΔＶに設定し、該画素においてゼロボルトの電位差を作り出すことによって達成させる。ロー電圧がゼロボルトに保持されているローにおいては、画素は、コラムが＋Ｖｂｉａｓ又は−Ｖｂｉａｓのいずれであるかにかかわらず、最初に置かれていた状態において安定している。
【００２２】
図５ｂは、図２の３ｘ３アレイに加えられた一連のロー信号及びコラム信号を示したタイミング図であり、結果的には、図５ａに例示されている表示配置になる（同図における作動画素は非反射性である）。図５ａに例示されているフレームを書く前においては、画素はあらゆる状態になることが可能であり、本例では、すべてのローが０ボルト、すべてのコラムが＋５Ｖである。これらの電圧を印加した状態では、すべての画素は、印加以前における作動状態又は解放状態で安定している。
【００２３】
図５ａのフレームにおいては、画素（１、１）、（１、２）、（２、２）、（３、２）及び（３、３）を作動させる。該作動させるためには、ロー１に関する「ラインタイム」中に、コラム１及び２を−５Ｖに設定し、コラム３を＋５Ｖに設定する。この場合、すべての画素が３Ｖ乃至７Ｖの安定ウインドー内にとどまっているためいずれの画素の状態も変化しない。次に、パルスを用いてロー１をストローブし、０から最高５Ｖまで上昇させて０に戻る。この動作は、画素（１、１）及び（１、２）を作動させ、画素（１、３）を解放する。画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。ロー２を希望どおりに設定するためには、コラム２を−５Ｖに設定し、コラム１及び３を＋５Ｖに設定する。これで、ロー２に加えられた同じストローブが、画素（２、２）を作動させ、画素（２，１）及び（２、３）を解放する。この場合も、画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。同様に、コラム２及び３を−５Ｖに設定し、コラム１を＋５Ｖに設定することによってロー３を設定する。ロー３のストローブは、ロー３の画素を図５ａに示したように設定する。表示フレームを書いた後は、ロー電位はゼロであり、コラム電位は、＋５Ｖ又は−５Ｖのいずれかにとどまることができ、従って、図５ａに示した配置において表示が安定する。この手順は、何十ものローとコラムのアレイさらには何百ものローとコラムのアレイに関しても採用できるという点が高く評価されることになる。さらに、ロー及びコラムの作動を実施するために用いるタイミング、順序、及び電圧レベルは、上述した一般原理内において大きく変化させることが可能である点、及び、上例は典型的な例であるにすぎず、あらゆる作動電圧方法を本発明とともに用いることができる点も高く評価されることになる。
【００２４】
上記の原理に従って動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の詳細は、大きく変わることができる。例えば、図６ａ乃至図６ｃは、移動可能鏡構造物の３つの異なった実施形態を例示した図である。図６ａは、図１の実施形態の横断面であり、細長い帯状の金属材料１４が直交支持物１８上に蒸着されている。図６ｂにおいては、移動可能反射材料１４は、支持物の角のみに（テザー３２上に）取り付けられている。図６ｃにおいて、移動可能反射材料１４は、変形可能層３４から吊り下げられている。この実施形態においては、反射材料１４に関して用いられる構造設計及び材料を光学的性質に関して最適化することができ、さらに、変形可能層３４に関して用いられる構造設計及び材料を希望する機械的性質に関して最適化することができるため、いくつかの便益を有している。様々な出版物（例えば、U.S.公開２004/005１9２9、等）において様々な型の干渉デバイスの生産に関する説明が行われている。さらに、材料蒸着、パターン形成、及びエッチングの一連の手順が関わる上記の構造物は、非常に様々なよく知られた技術を用いて生産することができる。
【００２５】
図７ａ及び図７ｂは、基板７１０、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のアレイ７２０、１つ以上のスペーサー７３０、シール７４０、及びバックプレート７５０を具備する実装された電子デバイス７００の実施形態の分解図及び横断面図である。図７ｂにおいて最も良くわかることであるが、デバイス７００は、第１の側面７０２及び第２の側面７０４を具備する。基板７１０は、第１の表面７１２及び第２の表面７１４を具備する。該基板の第２の表面７１４上には、インターフェロメトリックモジュレータアレイ７２０が形成されている。該例示されている実施形態においては、バックプレート７５０は、シール７４０によって基板７１０に固定されている。アレイ７２０とバックプレート７５０の間には、１つ以上のスペーサー７３０が蒸着されている。さらに、図７ａには、本出願明細書における説明の中で引用されるx軸、y軸、及びz軸が例示されており、図７ｂには、本出願明細書における説明の中で引用されるy軸、及びz軸が例示されている。
【００２６】
基板７１０及びインターフェロメトリックモジュレータ７２２については、上記においてさらに詳細に説明されている。概説すると、基板７１０は、インターフェロメトリックモジュレータ７２２を形成させることが可能なあらゆる基板である。いくつかの実施形態においては、デバイス７００は、第１の側面７０２から見ることができる画像を表示し、従って、基板７１０は、実質的に透明及び／又は半透明である。例えば、いくつかの実施形態においては、該基板は、ガラス、シリカ、及び／又はアルミナである。その他の実施形態においては、基板７１０は、例えば第２の側面７０４から見ることができる画像を表示するデバイス７００内、又は見ることができる画像を表示しないデバイス７００内においては、実質的に透明及び／又は半透明ではない。いくつかの実施形態においては、基板７１０の第１の表面７１２は、１つ以上のさらなる構造物（例えば、１つ以上の構造用膜、保護膜、及び／又は光学膜）をさらに具備する。
【００２７】
インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、あらゆる型のインターフェロメトリックモジュレータである。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、基板７１０から離れておりさらにバックプレート７５０に隣接する機械層７２４を具備する。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、機械層７２４は、物理的損傷を受けやすい。
【００２８】
例示されている実施形態においては、シール７４０は、バックプレート７５０を基板７１０に固定している。本出願明細書においては、シール７４０に言及するために「周囲支持物」という表現も用いられている。図７ｂにおいて例示されている実施形態においては、シール７４０は、バックプレート７５０と基板７１０との間の予め決められた間隔を維持する働きもする。図７ｃにおいて例示されている実施形態においては、シール７４０'は、間隔を維持する機能を有していない。いくつかの実施形態においては、該シールは、揮発性化合物（例えば、炭化水素、酸、アミン、等）を生成せずさらに放出しない。いくつかの実施形態においては、該シールは、液体の水及び／又は水蒸気を部分的に又は実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、該シールは、空気及び／又はその他の気体を部分的に又は実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、該シールは、剛性である。その他の実施形態においては、該シールは、弾性又はエラストマー性である。その他の実施形態においては、該シールは、剛性と弾性の両方の構成要素又は剛性とエラストマー性の両方の構成要素を具備する。いくつの実施形態においては、該シールは、基板及び／又はバックプレートと適合する１つ以上の接着剤を具備する。該１つの接着剤又は該複数の接着剤は、当業において知られている適切な型の接着剤である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、感圧型である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、熱硬化型である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、ＵＶ硬化型である。いくつかの実施形態においては、該シールは、基板及び／又はバックプレートに熱接合される。いくつかの実施形態においては、該シールは、基板及び/又はバックプレートに機械的に固定される。いくつかの実施形態は、該シールを基板及び／又はバックプレートに固定するための複数の方法の組合せを使用する。いくつかの実施形態は、例えば、基板が例えば熱溶接によって直接バックプレートに固定される場合はシールを具備しない。
【００２９】
該シールは、あらゆる適切な材料（例えば、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、銅、スズ、鉛、亜鉛、はんだ、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、シアノアクリラート、アクリルエポキシ、シリコーン、ゴム、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリイソプレン、スチレンブタジン、パリレン、ＵＶ硬化型接着剤、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、及び/又はその複合物、等）を具備する。いくつかの実施形態においては、該シールは、補強材（例えば、ファイバー）、メッシュ、及び／又は繊維（例えば、ガラス繊維、金属繊維、炭素繊維、ホウ素繊維、炭素ナノチューブ、等）をさらに具備する。いくつかの実施形態においては、選択されたシール材は、部分的に又は実質的に不透水性である。従って、いくつかの実施形態においては、該シールは、半密封性又は密封性のシールである。いくつかの実施形態においては、該シールは、厚さが約５０μｍ未満（例えば、約１０μｍ乃至約３０μｍ）である。いくつかの実施形態においては、該シールは、幅が約０．５ｍｍ乃至約５ｍｍ（例えば、約１ｍｍ乃至約２ｍｍ）である。
【００３０】
以下では、同じく図７ａ及び図７ｂを参照しつつ、ＵＶ硬化型エポキシを用いて例示されたシール７４０を製造するための方法の実施形態について説明されている。該エポキシは、当業において知られている手段（例えば、プリント、等）を用いてバックプレート７５０及び／又は基板７１０に塗布される。エポキシの型及び量は、幅、厚さ、及び透水性に関して希望される性質を有するシール７４０を提供することができる型及び量が予め選択される。バックプレート７５０及び基板７１０は、ひとつに結合され、適切なＵＶ線源を用いて照射によってエポキシが硬化される。典型的なエポキシは、約６０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ線を用いて硬化される。さらに、いくつかの実施形態は、硬化後に約８０℃でベーキングすることも含む。
【００３１】
本出願明細書においては、バックプレート７５０は、「キャップ」又は「バックプレーン」とも呼ばれている。これらの用語は、デバイス７００内におけるバックプレート７５０の位置を制限することを意図するものではなく、さらに、デバイス７００自体の方位を制限することを意図するものでもない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、アレイ７２０が損傷しないように保護する。上述されているように、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のいくつかの実施形態は、物理的攻撃によって損傷される可能性がある。従って、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、例えばアレイ７２０を具備する装置内の異物及び／又はその他の構成要素とアレイ７２０が接触しないように保護する。さらに、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、その他の環境条件（例えば、湿度、水分、塵埃、周囲圧の変化、等）からアレイ７２０を保護する。
【００３２】
デバイス７００が第２の側面７０４から見ることができる画像を表示する実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に透明及び／又は半透明である。その他の実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に透明及び／又は半透明でない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、揮発性化合物（例えば、炭化水素、酸、アミン、等）を生成せずかつ放出しない材料によって製造される。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、液体の水及び／又は水蒸気を実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、空気及び／又はその他の気体を実質的に浸透させない。バックプレート７５０に関して適切な材料は、例えば、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、パリレン、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、複合材、及び/又はその組合せ、を含む。適切な複合材の例は、バイテックス・システムズ（Ｖｉｔｅｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ）（カリフォルニア州サンホセ）から入手可能な複合膜を含む。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、補強材（例えば、ファイバー）及び／又は繊維（例えば、ガラス繊維、金属繊維、炭素繊維、ホウ素繊維、炭素ナノチューブ、等）をさらに具備する。
【００３３】
いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に剛性である。その他の実施形態においては、バックプレート７５０は、柔軟であり、例えば箔又は膜である。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、パッケージ構造７００の組立前及び／又は組立中に予め決められた形状に変形される。以下においてさらに詳細に説明されるように、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、アレイ７１０の損傷を防止するためのシステム内における１つの要素である。
【００３４】
バックプレート７５０は、内面７５２及び外面７５３を具備する。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の該内面及び／又は該外面は、１つ以上の追加構造物（例えば、構造用膜、保護膜、機械的膜、及び／又は光学膜、等）をさらに具備する。
【００３５】
図７ｂにおいて例示されている実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に平面である。図７ｃは、該バックプレートの内面７５２'が凹所を有しており、それによってバックプレート７５０'の外辺部においてフランジ７５４'を形成しているデバイス７００'の実施形態を例示した図である。この形状を有するバックプレートは、本出願明細書においては「凹所付きキャップ」と呼ばれている。
【００３６】
図７ｄは、湾曲した又は弓形のバックプレート７５０''を具備するパッケージデバイス７００''の実施形態の横断面を例示した図である。該例示されている実施形態においては、スペーサー７３０''は、相対的にバックプレート７５０''のほうにより近く従ってバックプレート７５０''と接触して損傷を受ける可能性がより高いアレイ７２０''の周縁部付近に蒸着されている。その他の実施形態は、１つ以上のスペーサーの異なった構成を具備する。スペーサーは、以下においてさらに詳細に説明されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０''は、湾曲した形状に予め成形される。その他の実施形態においては、バックプレート７５０''の湾曲形状は、パッケージデバイス７００''の組立中に実質的に平らな前駆体を曲げるか又は変形させることによって形成される。例えば、いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータアレイ７２０''は、上述されているように、基板７１０''上において形成される。また、基板７１０''よりも幅が広く及び／又は長い実質的に平面なバックプレート７５０''の周縁部にシール材（例えば、ＵＶ硬化型エポキシ、等）が塗布される。バックプレート７５０''は、例えば圧縮によって希望される大きさにまで変形されて基板７１０''上に配置される。さらに、該エポキシは、例えばＵＶ線を用いて硬化されてシール７４０''を形成させる。
【００３７】
バックプレートに関するその他の実施形態が、図８ａ乃至図８ｃにおいて例示されている。図８ａは、内面８５２が凹状になっている凹所付きキャップ８５０を例示した図である。該例示されている実施形態においては、内面８５２及び外面８５３は、平行ではない。従って、凹付きキャップ８５０は、縁部８５９よりも中央部８５８のほうが薄い。当業者は、その他の配置も可能であることを理解することになる。該例示されている実施形態は、基板と凹所付きキャップバックプレートの内面８５２との間において最低限の間隔を設ける周縁フランジ８５４を具備する。いくつかの実施形態においては、周縁フランジ８５４は、凹所付きキャップ８５０の外周において実質的に連続した構造物を形成する。その他の実施形態においては、周縁フランジ８５４は、連続的でない。その他の実施形態は、周縁フランジを具備しない。図８ｂにおいては、バックプレート８５０は、外面８５３上に補強リブ８５６を具備する。その他の実施形態においては、該補強リブは、内面８５２上又は該バックプレートの両面上に存在する。いくつかの実施形態においては、該補強構造物は、別の形状（例えば、格子又はハニカム）を有する。いくつかの実施形態は、これらの特長の組合せを具備する。例えば、図８ｃは、凹状内面８５２を有しさらに外面８５３上に補強リブ８５６を有する凹所付きキャップ８５０の実施形態を例示した図である。開示されているバックプレートのいくつかの実施形態は、改良された性質（例えば、強度、重量、コスト、剛性、透明性、製造の容易さ、等）を示している。
【００３８】
図８ｄ及び図８ｅは、乾燥剤を入れるように構成された１つ以上の空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である。図８ｄは、バックプレート８５０の内面８５２上に（即ち、バックプレート８５０とアレイの間に）形成された空洞８５７を具備するバックプレート８５０の実施形態を例示した図である。空洞８５７内には、乾燥剤８５５が蒸着されている。図８ｅは、乾燥剤８５５が蒸着された２つの空洞８５７を具備する凹所付きキャップバックプレート８５０の実施形態を例示した図である。図８ｄ及び図８ｅに例示されている実施形態においては、乾燥剤８５５は、実質的には、該バックプレートの内面８５２を越えて延びていない。従って、後述されている同じスペーサーを、該アレイと該バックプレートとの間のあらゆる箇所において使用可能である。空洞８５７の寸法は、当業において知られている要因（例えば、乾燥剤の性質、乾燥剤の使用量、吸収すべき水分量、デバイスの体積、バックプレートの機械的性質、等）に従って選択される。以下では、適切な乾燥剤について及び乾燥剤をバックプレートに固定するための方法について説明されている。当業者は、その他の実施形態においては、空洞８５７は異なった形状（例えば、異なった長さ、幅、厚さ、及び／又は形）を有していることを評価することになる。空洞８５７は、当業において知られているいずれかの方法（例えば、エッチング、エンボス加工、スタンピング、彫刻、機械加工、研削、フライス削り、サンドブラスト、造型、スランピング、等）によって製作される。いくつかの実施形態においては、凹所は、バックプレート８５９の凹所でない部分を盛り上げることによって（例えば、接着剤の使用、溶接、融接、焼結、等によって）製作される。例えば、いくつかの実施形態においては、ガラスのスラリをバックプレート上に吹き付けるか又は造型し、該スラリを融接又は焼結して空洞を形成させる。当業者は、本出願明細書において説明されている特長のうちのいずれかの特長を備えたバックプレート（例えば、図７ａ乃至図７ｄ及び図８ａ乃至図８ｅにおいて例示されているバックプレート）を製作する上ではこれらの方法の組合せも適切であることを理解することになる。
【００３９】
再度図７ｂにおいて、シール７４０は、基板７１０とバックプレート７５０との間にわたっている。いくつかの実施形態においては、基板７１０、バックプレート７５０、及びシール７４０は、共同でアレイ７２０を実質的に完全に閉じ込めている。いくつかの実施形態においては、該方法によって形成されたエンクロージャ７０６は、液体の水、水蒸気、及び／又は粒子（例えば、ごみ、塵埃、等）を実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、エンクロージャ７０６は、実質的に完全な密封状態及び／又は半密封状態である。
【００４０】
いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の内面７５２は、アレイ７２０に接触している。いくつかの実施形態においては、内面７５２は、アレイ７２０に接触していない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の内面７５２とアレイ７２０との間の間隙又は頭隙は、少なくとも約１０μｍである。いくつかの好ましい実施形態においては、該間隙は、約３０μｍ乃至約１００μｍ（例えば、約４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ）である。いくつかの実施形態においては、該間隙は、１００μｍよりも大きい（例えば、０．５ｍｍ １ｍｍ又は１ｍｍ超である）。いくつかの実施形態においては、該バックプレートの内面７５２とアレイ７２０との間の間隙または頭隙は、一定ではない。
【００４１】
図９は、インターフェロメトリックモジュレータ９２２ａの第１のアレイ９２０ａが形成されている第１の基板９１０ａと、インターフェロメトリックモジュレータ９２２ｂの第２のアレイ９２０ｂが形成されている第２の基板９１０ｂとを具備するパッケージデバイス９００の実施形態を例示した図である。この構成を有するデバイスは、本出願明細書においては、「ダブルアレイデバイス」とも呼ばれている。該デバイスは、該バックプレートの代わりに第２のインターフェロメトリックモジュレータアレイが用いられているとみることができる。従って、パッケージデバイス９００は、第１のアレイ９２０ａ上に第１の画像、第２のアレイ９２０ｂ上に第２の画像を同時に表示することができる。パッケージデバイス９００は、上述されているシール９４０をさらに具備する。第１のアレイ９２０ａと第２のアレイ９２０ｂとの間には、本出願明細書において開示されているあらゆる適切な型の１つ以上のスペーサー９３０が蒸着される。
【００４２】
図１０において例示されている実施形態１０００は、基板１０１０上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイ１０２０を具備する。凹所付きキャップバックプレート１０５０及びシール１０４０は、基板１０１０とともに、１つ以上のスペーサー１０３０が蒸着される空洞または密閉空間１００６を形成する。該例示されている実施形態においては、バックプレート１０５０は、乾燥剤１０５５を１つ以上具備する。該乾燥剤は、密閉空間１００６内において低下された湿度を維持する。いくつかの実施形態においては、１つのパッケージの乾燥剤１０５５が、例えば、接着剤を用いて、熱的な方法で、及び／または機械的な方法で、該バックプレートの内面１０５２に固定されている。当業においては、乾燥剤が保持される適切なパッケージが知られており、例えば、メッシュの表面を有する容器、穿孔された容器、浸透性の繊維製又はカバーストック製の袋、等を含む。その他の実施形態においては、該パッケージは、例えば感圧型接着剤を用いてバックプレートに固定された適切な材料製のシートである。いくつかの実施形態においては、該パッケージは、非粉塵発生型であり、粉塵を放出しない。いくつかの実施形態においては、該乾燥剤は、不活性キャリア（例えば、ポリマー樹脂、等）内に埋め込まれており、そのアセンブリが内面１０５２に固定される。いくつかの実施形態においては、乾燥剤１０５５は、該バックプレートの内面１０５２に直接固定されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート１０５０の製作材料は、乾燥剤を具備する。いくつかの実施形態においては、該バックプレートは、塗布された乾燥剤層を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、液体の乾燥剤又は適切な液体内において溶解又は懸濁された乾燥剤が、バックプレート１０５０に塗布されて焼結され、それによってバックプレート１０５０上において乾燥剤層が形成される。その他の実施形態においては、乾燥剤が非硬化ポリマー樹脂と混合され、該混合物がバックプレート１０５０に塗布されて硬化される。
【００４３】
該乾燥剤は、当業において知られているいずれかの適切な乾燥剤（例えば、金属酸化物、酸化カルシウム、酸化バリウム、無水ホウ素、五酸化燐、金属硫酸塩、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、金属、ナトリウム、鉛／ナトリウム合金、金属水素化物、ホウ素水素化ナトリウム、水素化ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、シリカゲル、活性アルミナ、沸石、分子ふるい、燐、金属塩、過塩素酸マグネシウム、塩化亜鉛、炭素ナノチューブ、及びこれらの材料の組合せ）である。
【００４４】
同じく図７ａ及び図７ｂにおいて、さらに、上述されているように、いくつかの実施形態においては、デバイス７００は、外力が加えられると変形する。当業者は、いくつかの実施形態においては、該変形の結果アレイ７２０とバックプレート７５０との間で相対的な動き又は差動的な動きが生じることを認識することになる。いくつかの実施形態においては、デバイス７００を通常の方法で使用する際に、例えば、デバイス７００を組み立てる際、デバイス７００を装置内に取り付ける際、又はデバイス７００を通常の方法で使用する際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０をバックプレート７５０に接触させる力としては不十分である。上述されているように、インターフェロメトリックモジュレータ７２２の一部の構成要素（例えば、機械層７２４、等）は、物理的に接触すると損傷しやすい。従って、これらの実施形態においては、バックプレート７５０は、通常の方法で使用される際にはアレイ７２０及び／又は該アレイ内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させる可能性がない。
【００４５】
その他の実施形態においては、デバイス７００が通常の方法で使用される際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０をバックプレート７５０に接触させる力として十分であり、一般的には、バックプレート７５０の中央部又は中央部付近とアレイ７２０が接触する。例えば、当業者は、その他のすべての条件が同じであると仮定した場合には、デバイス７００の長さ及び／又は幅が（図７ａにおいて例示されているｘ軸及び／又はｙ軸に沿って）大きくなるに従って、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における相対的な動きも増大するという点を理解することになる。デバイス７００の長さ及び／又は幅は、例えば、アレイ７２０内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２の大きさ及び／又は数が大きくなるのに応じて増大する。ある時点において、デバイス７００が通常の方法で使用される際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０の一部をバックプレート７５０と接触させ、それによってデバイス７００内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２のうちの１つ以上を損傷させる可能性がある相対運動を誘発させる。いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、アレイ７２０とバックプレート７５０の間の距離を拡大させることによって中和される。いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、デバイス７００（例えば、基板７１０、バックプレート７５０、及び／又はシール７４０）の剛性を増大させることによって中和される。剛性を増大させるための方法は、当業においては既知であり、例えば、構成要素の剛性を増大させること、構成要素の寸法を変更すること、構成要素の形状又は輪郭を変更すること、補強材を追加すること、等を含む。
【００４６】
いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、アレイ７２０と該バックプレートの内面７５２との間の距離を広げることによって中和される。該デバイスの一部の実施形態は、図８ａにおいて例示されているバックプレート７５０を使用し、該図においては、内面８５２が凹状であってそれによって該バックプレートの中心８５８とアレイ８２０との間の距離が広げられている。図７ｂにおいて、バックプレート７５２とアレイ７２０との間の距離を広げることは、デバイス７００の厚さを増大させることになる（特に、デバイス７００内の構成要素の剛性を増大させるために該構成要素がより厚くなっている場合）。いくつかの用途においては、厚さがより厚くなったデバイス７００は、好ましくない。
【００４７】
従って、デバイス７００の一部の実施形態は、アレイ７２０とバックプレート７５０との間に蒸着された１つ以上のスペーサー７３０を具備する。スペーサー７３０は、デバイス７００が変形させる力を受けたときにアレイ７２０とバックプレート７５０の間における接触を防止及び／又は減少させ、それによってインターフェロメトリックモジュレータ７２２の損傷を防止及び／又は低減させるように構成されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、上述されているような不規則部分又は造作（例えば、補強リブ及び／又は乾燥剤パッケージ、等）を具備する。スペーサー７３０は、不規則部分又は造作がアレイ７２０の機械層７２４に接触するのを、直接的に防止する（例えば、該スペーサーに接触する造作、等）、又は間接的に防止する（例えば、該バックプレートのうちで該スペーサーに接触しているその他のいずれかの部分であって、該造作が機械層７２４に接触するのを防止する）。これらの実施形態のうちの一部においては、アレイ７２０に隣接するスペーサー７２０の表面は、実質的に平滑である。いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、加えられた力を分散させ、それによって、該力が特定のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させる可能性を低下させる。例えば、いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、加えられた力をインターフェロメトリックモジュレータの柱７２６に分散させ、それによって機械層７２４を保護する。いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、アレイ７２０とバックプレート７５０との間において例えば滑り及び／又は回転によって生じる横方向又は接線方向の相対運動に起因する損傷を、減少させるか又は防止する。例えば、これらの実施形態の一部においては、スペーサー７３０は、１つ以上の低摩擦面を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、円状の横断面（例えば、球状又は棒状）を有する。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、該１つの又は複数のスペーサー７３０は弾性であり、それによって、加えられた力を吸収する及び／又は分散させる。さらに、該力がアレイ７２０内の複数のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させた場合でも、いくつかの実施形態においては、アレイ７２０全体にわたって分散された損傷は、ユーザーにとっては、アレイ７２０の１カ所の特定の領域に集中した損傷よりも目立たない。その他の実施形態においては、スペーサー７３０は、例えば特定の大きさ及び／又は形状を有する１つ以上のスペーサー７３０を用いることによって、少数のインターフェロメトリックモジュレータに損傷を集中させるように設計されている。例えば、いくつかの実施形態においては、アレイ７２０は、１つの隔離された画素が使用不能になってもエンドユーザーには目立たないようにするために冗長な画素を具備する。従って、これらの実施形態においては、スペーサー７３０は、エンドユーザーにとって目立つことになる１つのグループの隣接画素にではなく単一の画素に損傷を集中させる。
【００４８】
図１１ａは、デバイス１１００を上から見た場合における該スペーサー及び該アレイの相対的位置関係を例示した図である。上述されているように、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、該アレイに接触しており、その他の実施形態においては、該スペーサーは、該バックプレートに接触しており、その他の実施形態においては、該スペーサーは、該アレイ及び該バックプレートに接触している。デバイス１１００は、基板１１１０上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイ１１２０の上方において実質的に規則的なパターンで配列された複数のスペーサー１１３０を具備する。該例示されている実施形態においては、スペーサー１１３０は、インターフェロメトリックモジュレータの柱１１２６の実質的に上方に配置されている。架空の柱１１２６が例示されている図１１ａにおいて示されているように、該例示されている実施形態においては、スペーサー１１３０は、すべての各々の柱１１２６の上方に配置されているわけではない。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の上方に配置される。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０とシール１１４０の間の空間１１１０に配置される。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の上方及びアレイ１１２０とシール１１４０との間の空間１１１０内の両方の位置に配置される。当業者は、スペーサー１１３０に関してはその他の空間及び／又はパターンも可能であることを理解することになる。
【００４９】
図１１ｂは、スペーサー１１３０がアレイ１１２０上方において実質的に不規則に配置されているデバイス１１００のもう１つの実施形態を上から見た図である。図１１ｃにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の周縁部ではなく中央部周辺に備えられている。図１１ｄにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態が具備するスペーサー１１３０の配置は、アレイ１１２０の周縁部におけるスペーサー１１３０の配置密度よりもアレイ１１２０の中央部周辺におけるスペーサー１１３０の配置密度のほうが高い。図１１ｅにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態は、３つの同心円のスペーサー１１３０帯を具備し、アレイ１１２０の中心に向かうほど密度が高い。当業者は、その他の配置も可能であることを理解することになる。
【００５０】
該スペーサーは、適切であるあらゆる大きさ、形状、及び材料のスペーサーである。いくつかの実施形態においては、これらのスペーサーはすべて同じ型である。その他の実施形態は、異なった型（例えば、異なった大きさ、形状、及び／又は材料）のスペーサーを具備する。スペーサーに関する特定の寸法は、当業において知られている要因（例えば、該スペーサーの製造材料、該アレイと該バックプレートの間の頭隙、ディスプレイパッケージの所定の用途、等）に依存する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーの厚さは、該アレイと該バックプレートの間の頭隙とほぼ同じである。その他の実施形態においては、該スペーサーの厚さは、該アレイと該バックプレートの間の頭隙よりも薄い。該頭隙の寸法は上述されている。
【００５１】
これらのスペーサーに関する適切な材料は、剛性材料及び／又はエラストマー材を含む。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば変形によって該スペーサーに加えられた力の少なくとも一部分を吸収することができる材料を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、弾性であり、変形させる力が除去された後に実質的に元来の形状に戻る。その他の実施形態においては、該スペーサーは、該スペーサーに加えられた力を吸収する際に永久的に変形する。適切な材料の例は、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリフルオロアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、及び/又はその複合物を含む。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば、１つの材料製の心部及び別の材料製の塗料を具備する複合物である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、剛性材料（例えば、金属）製の心部及びエラストマー材料（例えば、ポリマー樹脂）製の塗料を具備する。バックプレートを通じて画像を見ることができるいくつかの実施形態においては、該スペーサーは、透明又は半透明である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、電導性である。
【００５２】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、当業において知られているいずれかの型の乾燥剤（例えば、金属酸化物、酸化カルシウム、酸化バリウム、無水ホウ素、五酸化燐、金属硫酸塩、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、金属、ナトリウム、鉛／ナトリウム合金、金属水素化物、ホウ素水素化ナトリウム、水素化ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、シリカゲル、活性アルミナ、沸石、分子ふるい、燐、金属塩、過塩素酸マグネシウム、塩化亜鉛、炭素ナノチューブ、及びこれらの材料の組合せ）を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、乾燥剤を実質的に具備する。その他の実施形態においては、該スペーサーは、乾燥剤が１つの構成要素である複合物を具備する。いくつかの実施形態においては、該乾燥剤は、該複合物全体にわたって分散されている。その他の実施形態においては、該乾燥剤は、該スペーサーの１部分（例えば、心部内）に集中している。該複合物内のその他の１つの又は複数の構成要素は、適切であるいずれかの材料（例えば、上記においてスペーサーに適した材料として開示されている材料）である。いくつかの実施形態、例えば、該スペーサーが乾燥剤の心部を具備する実施形態においては、もう１つの材料（例えば、乾燥剤に塗布された塗料、等）は、水及び／又は水蒸気を浸透させてそれによって該乾燥剤による水の吸収を容易にする材料である。いくつかの実施形態においては、該塗料は、心部内の乾燥剤と周囲の大気との接触を可能にするために、例えば該塗料を摩滅させることによって又は該スペーサーの製造プロセスを通じて作られた１つ以上の開口を具備する。
【００５３】
スペーサーは、当業において知られている方法を用いて製造され、これらの方法は、当業において知られている要因（例えば、該スペーサーの製造材料、該スペーサーの大きさと形状、該スペーサーに関する公差を含む）に依存する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、流体（例えば、液体、ゲル、及び／又はペースト、等）として加えられ、次に硬化させてスペーサーを形成させる。適切な流体材料の例は、例えば、接着剤及びフォトレジストを含む。当業者は、硬化条件は特定の材料に依存すること、及び、熱硬化、光硬化、ＵＶ硬化、及び／又は放射線硬化を含むことを理解することになる。
【００５４】
その他の実施形態においては、該スペーサーは、予め製造される。予め製造されたスペーサーの実施形態が、図１２ｅ乃至１２ｔにおいて例示されている。当業者は、該例示されている形状は典型的な例であること及びその他の形状も可能であることを理解することになる。例えば、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、不規則な形状を有する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、実質的に中実である。その他の実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の空隙を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の中空領域を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、複数の空隙（例えば、オープンセル（連続気泡）型発泡又はクローズドセル（独立気泡）型発泡、等）を具備する。図１２ｄ及び図１２ｉにおいてそれぞれ例示されている球状スペーサー及び棒状スペーサーは、ガラス製、シリカ製、及び／又はポリスチレン製が市販されている。例えば、ガラス製の棒状スペーサーは、約１．５μｍ乃至約６０μｍの直径を有するスペーサーが日本電気硝子株式会社（日本国滋賀県大津市）によって市販されている。プラスチック製の球状スペーサーは、例えば、約１．５μｍ乃至約３５０μｍの直径を有するスペーサーが積水化学株式会社（日本国大阪）によって市販されている。いくつかの実施形態は、入手性、均一性、及び／又はコストを理由に該スペーサーを使用する。その他の形状（例えば、正方形及び円形、等）も容易に製造され、その他の実施形態において使用される。
【００５５】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば図１２ｎ乃至図１２ｔにおいて例示されている１つ以上の突起及び／又はくぼみを具備する。いくつかの実施形態においては、該突起及び／又はくぼみは、以下においてさらに詳細に説明されているように、アレイ及び／又はバックプレート上の構造物又は造作を嵌合させる。いくつかの実施形態においては、これらの突起及び／又はくぼみは、デバイスに加えられた力の少なくとも一部を吸収するように設計されている。例えば、いくつかの実施形態は、図１２ｐ乃至図１２ｓにおいて例示されているように、ばねを具備する。いくつかの実施形態は、図１２ｎ、図１２ｏ、及び図１２ｔにおいて例示されているように突起を具備し、これらの突起は、以下においてさらに詳細に説明されている。図１２ｔにおいて例示されている実施形態は、突起１２３２及びくぼみ１２３４の両方を具備する。
【００５６】
図１３ａの上から見た図において例示されている実施形態においては、スペーサー１３３０は、インターフェロメトリックモジュレータアレイ１３２０の少なくとも２つの柱１３２６の間にわたっている。該例示されている実施形態においては、スペーサー１３３０の最も小さい直径Ｄは、柱１３２６の間の間隔ｄの少なくとも約２倍であり、これによって、該スペーサーが常に少なくとも２つの柱１３２６の間にわたるようにしている。いくつかの実施形態においては、間隔ｄは、約３０μm乃至約８０μｍ（例えば、約３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、又は８０μｍ）である。その他の実施形態においては、間隔ｄは、これらの値よりも大きく、例えば、最大で１ｍｍ又は最大で５ｍｍである。上述されているように、いくつかの実施形態においては、アレイ１３２０は、異なった寸法（例えば、幅、等）を有するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２を具備し、従って、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２に関する柱１３２６間の間隔は、均一ではない。従って、いくつかの実施形態においては、寸法Ｄは、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２の外柱１３２６間の間隔は、均一ではない。従って、いくつかの実施形態においては、寸法Ｄは、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２の外柱１３２６の間の少なくとも最長距離である。該配置の１つの実施形態が図１３ｂにおいて例示されており、該図においては、柱１３２６'は、図１３ａにおいて例示されている設計とは異なった設計を有しており、さらに、スペーサー１３３０'は、ディスク形である。
【００５７】
図１４において例示されている実施形態においては、スペーサー１４３０は、１つのインターフェロメトリックモジュレータ１４２２と少なくとも同じ大きさであり、従って、少なくとも１つの柱１４２６の上方に配置されている。該例示されている実施形態においては、スペーサー１４３０は、穿孔された正方形である。インターフェロメトリックモジュレータの大きさについては上述されている。
【００５８】
図１５ａにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０は、実質的に柱１５２６上方の中心に配置されている。図１５ｂにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０の少なくとも一部分は、柱１５２６の上方に配置されている。図１５ｃにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０のいずれの部分も、柱１５２６の上方には配置されていない。例示されていないその他の実施形態は、これらの配置のいずれかの組合せを含む。
【００５９】
図１６において例示されているデバイス６００の実施形態は、実質的にアレイ１６２０の上方に配置された異なった大きさのスペーサー１６３０を具備する。
【００６０】
いくつかの実施形態は、単独で使用されるか又は本出願明細書において開示されているその他のスペーサーと組み合わせて使用される１つ以上の一体化されたスペーサーを具備する。図１７ａは、アレイ１７２０の中央部分の上方に配置されたメッシュ形のスペーサー１７３０を具備するデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｂは、周縁部においてよりも中央部におけるほうが密度が高いメッシュスペーサー１７３０を具備するデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｃは、スペーサー１７３０が、アレイ１７２０の上方の実質的に中央に配置されたほぼ開いた長方形であるデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｄは、スペーサー１７３０がアレイ１７２０の対角線によって実質的に定められているデバイス１７００の実施形態を例示した図である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の領域においてはその他の領域よりも厚く、１つ以上の領域においてはその他の領域よりも薄い。例えば、いくつかの実施形態においては、外スペーサーは、中央領域においてより厚く、周縁部においてより薄い。いくつかの実施形態においては、スペーサー１７３０は、上述されている乾燥剤を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、スペーサー１７３０は、外層（例えば、ポリマー樹脂、等）によって囲われた乾燥剤心部を具備する。その他の実施形態においては、乾燥剤は、スペーサー材料内に埋め込まれている。
【００６１】
図１８ａにおいて例示されている実施形態１８００は、アレイ１８２０とバックプレート１８５０の間に配置された膜の形態のスペーサー１８３０を具備する。該例示されている実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０を越えて延びている。その他の実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０と実質的に同一の広がりを有する。その他の実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０全体を覆っていない。
【００６２】
いくつかの実施形態においては、該膜は、実質的に平らな膜である。いくつかの実施形態においては、該膜は、厚さが約５μｍ乃至約５０μｍ（例えば、厚さが約１０μｍ乃至約２０μｍ）である。その他の実施形態においては、該膜は、これらの値よりも厚い。いくつかの実施形態においては、該膜は、該アレイと該バックプレートの間の空所を実質的に満たすことができる十分な厚さである。いくつかの実施形態においては、該膜は、弾性材料（例えば、発泡、等）を具備する。いくつかの実施形態においては、該発泡は、被覆（例えば、不浸透性ポリマー、等）を有し、該被覆は、いくつかの実施形態においては、穿孔を具備する。その他の実施形態においては、該膜は、異なった形状を有する。図１８ｂは、平面でない横断面（例えば、波形）又は「枡形ルーバー」形を有する膜の形態であり、さらにアレイ１８２０'とバックプレート１８５０'との間において圧縮されたときに変形力のうちの少なくとも一部を吸収するスペーサー１８３０'を例示した図である。当業者は、該平らでない膜は、相当する平らな膜よりも厚いことを理解することになる。いくつかの実施形態においては、該膜スペーサーは、様々な性質（例えば、厚さ、組成（複合材、等）、突起、くぼみ、等）を有する部分を具備する。その他の実施形態においては、該膜の一方の面又は両方の面は、上述されている追加のスペーサー（例えば、図１２ａ乃至図１２ｔにおいて例示されているスペーサー、等）をさらに具備する。いくつかの実施形態においては、該膜及びスペーサーは、１つの一体化されたユニットとして形成される。その他の実施形態においては、該スペーサー及び膜は、別々に製作されて別のステップにおいて接合される。その他の実施形態においては、該膜は、穿孔される。例えば、図１７ａ及び図１７ｂにおいて例示されているスペーサーのいくつかの実施形態は、穿孔された膜である。図１８ｃは、スペーサー１８３０''が、アレイ１８２０''とバックプレート１８５０"との間に配置されかつ１つの体積のガスを閉じ込めた密封袋である実施形態を例示した図である。当業者は、ある用途のために選択される特定の膜は、該膜の厚さ、機械的性質、形、形状、該アレイと該バックプレートとの間の頭隙、及びディスプレイパッケージの予想用途を含む要因に依存することを理解することになる。
【００６３】
いくつかの実施形態においては、該膜は、乾燥剤を具備する。いくつかの実施形態においては、該膜は、乾燥剤である。その他の実施形態においては、該膜（例えば、ポリマー樹脂膜）は、乾燥剤で含浸されている。さらにその他の実施形態においては、該膜は、例えばポリマー樹脂を用いて封入された薄い乾燥剤層を具備する。
【００６４】
いくつかの実施形態は、力をより大きな面積にわたって分散させるためにアレイ又はその一部分と接触する平面状の膜スペーサーを具備する。いくつかの実施形態においては、本出願明細書において開示されている１つ以上のその他のスペーサー（例えば、上述されているスペーサーのうちのいずれかのスペーサー）は、該膜とバックプレートとの間、及び／又は該膜と該アレイとの間に配置される。
【００６５】
図１９は、アレイ１９２０とバックプレート１９５０との間に配置された複数の膜スペーサー１９３０を具備する実施形態１９００を例示した図である。該膜スペーサーは、上述されている膜スペーサーである。いくつかの実施形態は、平面状の膜スペーサー及び平面状でない膜スペーサーの組合せを具備し、例えば該平面状の膜スペーサーは、上述されているようにアレイ１９２０と接触している。いくつかの実施形態は、例えば直角の波形を有する状態で配置された一対の波形膜と入れ子状に重ならないように配置された少なくとも２つの非平面状膜スペーサーを具備する。いくつかの実施形態は、平面状膜スペーサーを間に配置しそれによって入れ子状に重なるのを防止している少なくとも２つの非平面状膜スペーサーを具備する。
【００６６】
いくつかの実施形態においては、該スペーサー又は該スペーサーの一部分は、加えられた力に段階的に反応するように設計された形状を有し、例えば、三角形の横断面を有するスペーサー又はその一部分を含む。図１２ｔにおいては、スペーサーの一部分の例が、突起１２３２として示されている。図２０ａには、スペーサーの三角形の部分が例示されている。該三角形部分は、図２０ｂにおいて例示されているように小さい変形が相対的に生じやすいが、図２０ｃ及び図２０ｄにおいて例示されているように徐々に変形しにくくなる。図２０ｅは、スペーサー２０３２が２つの領域を有するもう１つの実施形態を例示した図である。これらの領域は、より薄い上側部分２０３２a及びより厚い下側部分２０３４bであり、各領域は、加えられた力に対して異なった反応をする。図２０ｆにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２０３０'も、２つの反応領域（即ち、相対的に多い空隙を有する上側領域２０３２'、及び相対的に少ない空隙を有する下側領域２０３４'）を有する。いくつかの実施形態においては、スペーサーは、段階的に反応する複合物を具備する。
【００６７】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、バックプレートに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートの両方に固定される。その他の実施形態においては、第１の一組の１つ以上のスペーサーがアレイに固定され、第２の一組の１つ以上のスペーサーがバックプレートに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートのいずれにも固定されない。スペーサーがアレイ及び／又はバックプレートに固定される実施形態においては、該スペーサーは、当業において知られているいずれかの方法で（例えば、接着剤を用いて、機械的に、及び／又は溶接によって）固定される。
【００６８】
接着剤を用いた実施形態においては、当業において知られているいずれかの方法（例えば、リソグラフ、インクジェットプリント、接触プリント、等）を用いて１つ以上の接着剤がアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。次に、１つのスペーサー又は複数のスペーサーが該接着剤に塗布される。いくつかの実施形態においては、該接着剤は、該スペーサーに塗布され、次に、該スペーサーは、例えば、吹き付け、回転、個別塗布、等の方法を用いてアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。その他の実施形態においては、該スペーサーは、該接着剤を具備する液体内において懸濁される。該スペーサー懸濁液は、アレイに塗布され、該液体は、例えば蒸発によって取り除かれる。適切な液体の例は、低級アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノル、等）、及び、その他の揮発性液体（例えば、アセトン、メチルｔ−ブチルエーテル、及びエチルアセテート）を含む。上述されているように、いくつかの実施形態においては、スペーサーが膜に塗布され、次に、該膜がアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、アレイ又はバックプレートと一体化されている。スペーサーは、実質的に同様の方法を用いてバックプレートに固定される。
【００６９】
いくつかの実施形態においては、１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートのいずれにも固定されない。例えば、大きなスペーサー（例えば、図１７ａ及び図１７ｂにおいて例示されているメッシュスペーサー、図１７ｃ及び１７ｄにおいて例示されているスペーサー、及び／又は、図１８ａ乃至図１８ｃにおいて例示されている膜スペーサー、等）を用いたいくつかの実施形態においては、該スペーサーは、パッケージデバイスアセンブリ内のアレイ及び／又はバックプレート上に単純に配置されている。
【００７０】
該スペーサーがより小さい（例えば、マイクロメーター乃至数百マイクロメーターの範囲内の大きさを有する）実施形態においては、該スペーサーは、都合良いことに、流体キャリア内において懸濁させ、該懸濁されたスペーサーを例えば吹き付け及び／又はスピンコーティングによってアレイ及び／又はバックプレートに塗布することによって配置される。いくつかの実施形態においては、該流体キャリアは、例えば真空下において及び／又は加熱によって簡単に除去される液体である。適切な液体の例は、当業において知られており、低級アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノル、等）、炭化水素（例えば、プロパン、ブタン、ペンタン、等）、ハロゲン化合物（例えば、フルオロカーボン、クロロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、クロロカーボン、ハイドロクロロカーボン、等）、エーテル（例えば、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、等）、エステル（例えば、エチルアセテート、等）、ケトン（例えば、アセトン、等）、及びこれらの液体の組合せを含む。その他の実施形態においては、該流体は、気体（例えば、空気又は窒素）である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、追加された接着剤が存在しない場合においても、溶剤が除去された後に定位置にとどまる傾向がある。
【００７１】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば、該スペーサーの塗布中にシールが形成される部分をマスキングすることによって、実質的にアレイ上のみに塗布される。その他の実施形態においては、該スペーサーは、アレイ上及びデバイスのその他の部分（例えば、シールが形成される部分）の上に塗布される。これらの実施形態の一部においては、該スペーサーは、シールの厚さも定め、それによって均一なシール厚を提供する。例えば、２０μｍのスペーサーをシール内に配置して基板及びバックプレートを該スペーサーと接触させることは、２０μｍのシール厚を提供する。
【００７２】
図２１ａにおいて例示されているように、いくつかの実施形態においては、スペーサー２１３０のうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ２１２０とバックプレート２１５０との間にわたっている。図２１ｂにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２１３０'は、アレイ２１２０'に接触しているが、バックプレート２１５０'には接触していない。図２１ｃにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２１３０''は、バックプレート２１５０''に接触しているが、アレイ２１２０''には接触していない。いくつかの実施形態は、これらの構成の組合せを具備する。
【００７３】
図２２ａにおいて例示されている実施形態は、図６ｃにおいて例示されているデバイスと類似している。実施形態２２００においては、スペーサー２２３０は、アレイ２２２０インターフェロメトリックモジュレータと一体化されている。該例示されている実施形態においては、スペーサー２２３０は、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の柱２２２６の上方において形成されている。いくつかの実施形態においては、スペーサー２２３０を形成させるプロセスは、薄膜プロセスであり、例えば、上記において及び米国特許Ｎｏ．５，８３５，２５５において開示されているように、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２を形成するプロセスと統合されている。いくつかの実施形態においては、スペーサー材料は、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２製造プロセスにおいて犠牲材料（例示されていない）を取り除く前に機械層２２２４上に蒸着される。スペーサー２２３０は、当業において知られている方法を用いてパターンが形成されさらにスペーサー材料からエッチングされる。当業者は、該特定の方法は、使用された特定のスペーサー材料、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の製造において使用されたその他の材料、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の幾何形状、等を含む要因に依存することを理解することになる。
【００７４】
いくつかの実施形態においては、スペーサー２２３０の形成は、インターフェロメトリックモジュレータを形成させるためのプロセス流（例えば、米国特許Ｎｏ．５，８３５，２５５において開示されているプロセス、等）の中に組み入れられる。例えば、鏡の間に存在する空洞を占有している犠牲材料（図示されていない）を取り除く前に機械層２２２４上にスペーサー材料の１つの層（図示されていない）が蒸着される。次に、該スペーサー層がエッチングされて個々のスペーサー２２３０が形成される。いくつかの実施形態においては、該スペーサー層は、インターフェロメトリックモジュレータアレイ２２２０内の各空洞への気体の伝達を可能にする通路が形成されるようにパターンが形成されさらにエッチングされる。次に、該空洞は、該通路を通じて犠牲材料を取り除くことによって形成される。
【００７５】
いくつかの実施形態においては、一体化されたスペーサーは、簡単に圧縮されない優れた形状保持力を有する固体材料で製作される。いくつかの実施形態においては、該材料は、金属、酸化物、窒化物、フォトレジスト、その他の有機材料、スピンオンガラス、及びその組合せを具備するグループの中から選択される。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、電導性である。当業者は、バックプレートの内面上において一体化されたスペーサーを製作する際には同様のプロセスが役立つことを理解することになる。
【００７６】
図２２ｂにおいて例示されているように、いくつかの実施形態においては、アレイ２２２０'は、異なった高さを有するインターフェロメトリックモジュレータ２２２２'を具備する。該例示されている実施形態においては、第１のスペーサー２２３０'は、これらの高さの違いを補正し、それによって、上記において開示されているあらゆる型の第２のスペーサー２２６０'を支持する一様なプラットフォームを提供する。いくつかの実施形態においては、第２のスペーサー２２６０'は、該第１のスペーサーに固定される。その他の実施形態においては、第２のスペーサー２２６０'は、該第１のスペーサーに固定されない。図２２ｃに例示されている実施形態においては、第２のスペーサー２２６０''は、第１のスペーサー２２３０''を嵌合させるくぼみ２２３４''を具備する。
【００７７】
図２３は、実装された電子デバイスを製造するための方法を、図７ａ及び図７ｂにおいて例示されている構造を参照しつつ例示した流れ図である。ステップ２３１０においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２が形成されている基板７１０が得られる。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のアレイ７２０の一部である。ステップ２２２０においては、バックプレート７５０が得られる。ステップ２２３０においては、１つ以上のスペーサー７３０がインターフェロメトリックモジュレータ７２２とバックプレート７５０との間に配置される。ステップ２２４０においては、シール７４０が基板７１０とバックプレート７５０との間に形成される。
【００７８】
いくつかの実施形態においては、該製造プロセスの産物は、複数のパッケージディスプレイを具備するパネルである。次に、個々のパッケージディスプレイが該パネルから切り取られる。該製造プロセスにおいては、上述されているように、複数のインターフェロメトリックモジュレータアレイが単一の基板（マザーガラス）上に形成される。また、該インターフェロメトリックモジュレータアレイに合わせて寸法と間隔が定められた複数の（一般的には、該インターフェロメトリックモジュレータアレイと同じ数の）バックプレートを具備するシートが得られる。上述されているように、該基板と該バックプレートとの間にスペーサーが配置される。上述されているように、各アレイとバックプレートとの間にシールが形成され、それによって、複数のインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するパネルが形成される。個々のパッケージディスプレイは、当業において知られているいずれかの方法（例えば、スクライビング、等）を用いて該パネルから切り取られる。
【００７９】
図２４は、電子デバイスを保護するための方法を、図７ａ及び図７ｂにおいて示されている構造を参照しつつ例示した流れ図である。ステップ２４１０においては、基板７１０上に形成されたインターフェロメトリックモジュレータ７２２及びバックプレート７５０を具備するデバイスが得られる。ステップ２４２０においては、１つ以上のスペーサーがインターフェロメトリックモジュレータ７２２とバックプレート７５０との間に配置される。
【００８０】
例１
６つの２５０ｍｍｘ３００ｍｍインターフェロメトリックモジュレータアレイが、６８０ｍｍｘ８８０ｍｍのガラス基板上において製作される。６つの凹所付きキャップを有するガラスのシート（厚さ７ｍｍ、大きさ２５２ｍｍｘ３０２ｍｍ、凹所０．３ｍｍ）が清浄化されて乾燥される。薄いＣａＯ乾燥剤膜（High Cap 2800、Cookson、London、UK）が該凹所に塗布され、完全に硬化されて調製される。イソプロパノル内において懸濁させた直径１０μｍのポリスチレン製ロッドスペーサー（積水化学株式会社、日本国大阪）の懸濁液（体積比１％）がバックプレート上に均一に吹き付けられ、表面上においてスペーサーによる２％の被覆が提供される。凹所間のシール部は、マスキングされない。該イソプロパノルは、１００℃で５秒間加熱することによって除去される。玉状のＵＶ硬化用エポキシ（H5516、Nagase、日本国東京）が、凹所付きキャップバックプレートの周縁部に塗布され、基板上において該ガラスシートが整合される。該シートに圧力が加えられ、平均１５μｍの厚さを有するエポキシ層が提供される。該エポキシは、６０００ｍＪ／ｃｍ２３５０ｎｍで（約２分間）照射し、その後に、８０℃で３０分間ベーキングする。結果的に得られたパネルから６つのインターフェロメトリックモジュレータパッケージが切り取られる。
【００８１】
図２５ａ及び２５ｂは、ディスプレイデバイス２０４０の１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。ディスプレイデバイス２０４０は、例えば携帯電話であることができる。しかしながら、ディスプレイデバイス２０４０の同じ構成要素又はわずかに変形させた構成要素は、テレビ及び携帯式メディアプレーヤー等の様々な型のディスプレイデバイスも可能であることを例示するものである。
【００８２】
ディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１、ディスプレイ２０３０、アンテナ２０４３、スピーカー２０４５、入力デバイス２０４８、及びマイク２０４６を含む。ハウジング２０４１は、一般的には、当業者によく知られている様々な製造プロセス（例えば、射出成形、及び真空成形、等）のうちのいずれかの製造プロセスによって成形される。さらに、ハウジング２０４１は、様々な材料（例えば、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、又はその組合せを含むが、これらの材料に限定するものではない）によって製造することができる。１つの実施形態においては、ハウジング２０４１は、異なった色を有するか又は異なったロゴ、絵、又は記号を有するその他の取り外し可能な部分と互換可能である取り外し可能な部分（図示されていない）を含む。
【００８３】
典型的ディスプレイデバイス２０４０のディスプレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているように、双安定表示ディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかのディスプレイであることができる。その他の実施形態においては、ディスプレイ２０３０は、当業者によく知られている上述のフラットパネルディスプレイ（例えば、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、又はＴＦＴ ＬＣＤ、等）、又は非フラットパネルディスプレイ（例えば、ＣＲＴ又はその他の管デバイス）を含む。しかしながら、本実施形態について説明する目的上、ディスプレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているインターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含む。
【００８４】
典型的ディスプレイデバイス２０４０の１つの実施形態の構成要素が図２５ｂにおいて概略的に例示されている。例示されている典型的ディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１を含み、さらに、その中に少なくとも部分的に内蔵されているさらなる構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施形態においては、典型的ディスプレイデバイス２０４０は、トランシーバ２０４７に結合されたアンテナ２０４３を含むネットワークインタフェース２０２７を含んでいる。トランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１に接続されており、プロセッサ２０２１は、コンディショニングハードウェア２０５２に接続されている。コンディショニングハードウェア２０５２は、信号のコンディショニング（例えば、信号のフィルタリング、等）を行うように構成することができる。コンディショニングハードウェア２０５２は、スピーカー２０４５及びマイク２０４６に接続されている。プロセッサ２０２１は、入力デバイス２０４８及びドライバコントローラ２０２９にも接続されている。ドライバコントローラ２０２９は、フレームバッファ２０２８及びアレイドライバ２０２２に結合されており、アレイドライバ２０２２は、ディスプレイアレイ２０３０に結合されている。電源２０５０は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の特定の設計上の必要に応じて全構成要素に電力を供給する。
【００８５】
ネットワークインタフェース２０２７は、典型的ディスプレイデバイス２０４０がネットワーク上の１つ以上のデバイスと通信できるようにするために、アンテナ２０４３及びトランシーバ２０４７を含む。１つの実施形態においては、ネットワークインタフェース２０２７は、プロセッサ２０２１に対する要求を緩和するためのいくつかの処理能力を有することもできる。アンテナ２０４３は、当業者によく知られているいずれかの信号送受信用アンテナである。１つの実施形態においては、該アンテナは、ＩＥＥＥ ８０２．１１規格（ＩＥＥＥ ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、又は（ｇ）を含む）に準拠してＲＦ信号を送受信する。もう１つの実施形態においては、該アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）規格に準拠してＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合は、該アンテナは、無線携帯電話ネットワーク内において通信するために使用されるＣＤＭＡ信号、ＧＳＭ信号、ＡＭＰＳ信号、又はその他の既知の信号を受信するように設計されている。トランシーバ２０４７は、アンテナ２０４３から受信した信号をプロセッサ２０２１が受け取ってさらなる処理を行うことができるようにこれらの受信信号を前処理する。さらに、トランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１から受け取った信号をアンテナ２０４３を通じて典型的ディスプレイデバイス２０４０から送信できるようにするための処理も行う。
【００８６】
代替実施形態においては、トランシーバ２０４７は、受信機に代えることができる。さらにもう１つの代替実施形態においては、ネットワークインタフェース２０２７は、プロセッサ２０２１に伝送される画像データを保存又は生成することができる画像ソースに代えることができる。例えば、該画像ソースは、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、画像データを内蔵するハードディスクドライブ、又は画像データを生成するソフトウェアモジュールにすることができる。
【００８７】
プロセッサ２０２１は、一般的には、典型的ディスプレイデバイス２０４０の全体的な動作を制御する。プロセッサ２０２１は、データ（圧縮画像データ、等）をネットワークインタフェース２０２７又は画像ソースから受け取り、該データを処理して生画像データにするか、又は、簡単に処理して生画像データにすることができるフォーマットにする。次に、プロセッサ２０２１は、処理したデータをドライバコントローラ２０２９に送るか又はフレームバッファ２０２８に送って保存する。生データとは、一般的には、１つの画像内の各記憶場所における画像の特徴を識別する情報である。例えば、画像に関するこれらの特徴は、色、飽和、及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００８８】
１つの実施形態においては、プロセッサ２０２１は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、又は論理装置を含む。コンディショニングハードウェア２０５２は、一般的には、スピーカー２０４５に信号を送信するための及びマイク２０４６から信号を受信するための増幅器及びフィルタを含む。コンディショニングハードウェア２０５２は、典型的ディスプレイデバイス２０４０内の個別構成要素にすること、又は、プロセッサ２０２１又はその他の構成要素の中に組み入れることができる。
【００８９】
ドライバコントローラ２０２９は、プロセッサ２０２１によって生成された生の画像データを、プロセッサ２０２１から直接受け取るか又はフレームバッファ２０２８から受け取り、アレイドライバ２０２２に高速伝送するのに適した再フォーマット化を該生画像データに対して行う。具体的には、ドライバコントローラ２０２９は、生画像データを再フォーマット化し、ラスターに似たフォーマットを有するデータ流にする。このため、該データ流は、ディスプレイアレイ２０３０全体を走査するのに適した時間的順序を有している。次に、ドライバコントローラ２０２９は、フォーマット化された情報をアレイドライバ２０２２に送る。ドライバコントローラ２０２９（例えば、ＬＣＤコントローラ、等）は、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２０２１と関係していることがしばしばあるが、これらのコントローラは、数多くの方法で実装することができる。例えば、これらのコントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２０２１内に埋め込むこと、ソフトウェアとしてプロセッサ２０２１内に埋め込むこと、又は、アレイドライバ２０２２とともにハードウェア内に完全に組み込むことができる。
【００９０】
一般的には、アレイドライバ２０２２は、フォーマット化された情報をドライバコントローラ２０２９から受け取り、映像データを再フォーマット化して平行する一組の波形にする。これらの波形は、ディスプレイのｘ−ｙ画素行列から来る何百ものそして時には何千ものリード線に対して１秒間に何回も加えられる。
１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９、アレイドライバ２０２２、及びディスプレイアレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているあらゆる型のディスプレイに関して適している。例えば、１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９は、従来のディスプレイコントローラ又は双安定表示ディスプレイコントローラ（例えば、インターフェロメトリックモジュレータコントローラ、等）である。もう１つの実施形態においては、アレイドライバ２０２２は、従来のドライバ又は双安定表示ディスプレイドライバ（インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ、等）である。１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９は、アレイドライバ２０２２と一体化されている。該１つの実施形態は、携帯電話、腕時計、及びその他の小型ディスプレイ等のような高度に一体化されたシステムにおいて共通する実施形態である。さらに別の実施形態においては、ディスプレイアレイ２０３０は、典型的なディスプレイアレイ又は双安定表示ディスプレイアレイ（インターフェロメトリックモジュレータアレイを含むディスプレイ、等）である。
【００９１】
入力デバイス２０４８は、ユーザーが典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するのを可能にするデバイスである。１つの実施形態においては、入力デバイス２０４８は、キーパッド（ＱＷＥＲＴＹキーボード又は電話のキーパッド、等）、ボタン、スイッチ、タッチ画面、感圧膜、感熱膜、等を含む。１つの実施形態においては、マイク２０４６は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の入力デバイスである。データをデバイスに入力するためにマイク２０４６を使用時には、ユーザーは、典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するための音声コマンドを使用することができる。
【００９２】
電源２０５０は、当業界においてよく知られている様々なエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、１つの実施形態においては、電源２０５０は、充電可能な電池（例えば、ニッカド電池又はリチウムイオン電池、等）である。もう１つの実施形態においては、電源２０５０は、再生可能なエネルギー源、コンデンサ、又は太陽電池（例えば、プラスチック太陽電池、太陽電池塗料、等）である。別の実施形態においては、電源２０５０は、コンセントから電力を受け取るように構成されている。
【００９３】
いくつかの実装においては、制御プログラマビリティは、上述されているように、電子ディスプレイシステム内の数カ所に配置することができるドライバコントローラ内に常駐する。いくつかの事例においては、制御プログラマビリティは、アレイドライバ２０２２内に常駐する。当業者は、上述した最適化はあらゆる数のハードウェア及び／又はソフトウエアコンポーネントにおいて及び様々なコンフィギュレーションで実装できることを認識することになる。
【００９４】
上記において例示及び説明されている実施形態は、例を示すことのみを目的として提供されている。当業者は、本出願明細書において示されている教義の精神及び適用範囲から逸脱せずに、本出願明細書において提示されている実施形態に対して様々な変更及び修正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態の一部分を描いた等大図であり、第１のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が解放位置にあり、第２のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が作動位置にある。
【図２】３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。
【図３】図１のインターフェロメトリックモジュレータの１つの典型的実施形態に関する移動可能な鏡の位置及び印加電圧の関係を示した概略図である。
【図４】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用される一組のロー電圧及びコラム電圧を例示した図である。
【図５ａ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ内における１つの典型的なフレームの表示データを例示した図である。
【図５ｂ】図５ａのフレームを書くために使用することができるロー信号及びコラム信号に関する１つの典型的なタイミング図である。
【図６ａ】図１のデバイスの横断面である。
【図６ｂ】インターフェロメトリックモジュレータの代替実施形態の横断面である。
【図６ｃ】インターフェロメトリックモジュレータの代替実施形態の横断面である。
【図７ａ】スペーサーを具備するディスプレイパッケージの実施形態の分解図及び横断面図である（その１）。
【図７ｂ】スペーサーを具備するディスプレイパッケージの実施形態の分解図及び横断面図である（その２）。
【図７ｃ】凹所付きキャップを具備するディスプレイパッケージの実施形態を例示した図である。
【図７ｄ】湾曲したバックプレートを具備するディスプレイパッケージの実施形態を例示した図である。
【図８ａ】凹所付きキャップの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｂ】補強リブを具備するバックプレートの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｃ】補強リブを具備する凹所付きキャップの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｄ】乾燥剤が配置される空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である（その１）。
【図８ｅ】乾燥剤が配置される空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である（その２）。
【図９】２つのインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するダブルアレイデバイスの横断面を例示した図である。
【図１０】乾燥剤を具備するディスプレイパッケージの実施形態の横断面を例示した図である。
【図１１ａ】スペーサーが実質的に規則的なパターンで配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｂ】スペーサーが不規則なパターンで配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｃ】スペーサーがアレイ中央部の周囲に配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｄ】アレイ中央部の周囲におけるスペーサー密度がより高く、アレイ周縁部におけるスペーサー密度がより低いデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｅ】３つの同心円スペーサー帯を具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１２ａ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１）。
【図１２ｂ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その２）。
【図１２ｃ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その３）。
【図１２ｄ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その４）。
【図１２ｅ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その５）。
【図１２ｆ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その６）。
【図１２ｇ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その７）。
【図１２ｈ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その８）。
【図１２ｉ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その９）。
【図１２ｊ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１０）。
【図１２ｋ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１１）。
【図１２ｌ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１２）。
【図１２ｍ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１３）。
【図１２ｎ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１４）。
【図１２ｏ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１５）。
【図１２ｐ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１６）。
【図１２ｑ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１７）。
【図１２ｒ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１８）。
【図１２ｓ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１９）。
【図１２ｔ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その２０）。
【図１３ａ】アレイ内の少なくとも２つの柱にわたっているスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１３ｂ】アレイ内の少なくとも２つの柱にわたっているディスク形スペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１４】アレイ内の１つのインターフェロメトリックモジュレータ素子と少なくとも同じ大きさのスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ａ】柱の上方かつ実質的に中心に配置されたスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ｂ】各スペーサーの一部分が柱の上方に配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ｃ】いずれのスペーサーのいずれの部分も柱の上方に配置されていないデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１６】異なった大きさのスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ａ】メッシュスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｂ】周縁部よりも中央部のほうが密度が高いメッシュスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｃ】一体化された長方形スペーサーを上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｄ】一体化された対角スペーサーを上から見た状態を例示した図である。
【図１８ａ】膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１８ｂ】平面でない横断面を有する膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１８ｃ】袋の形を有する膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１９】複数の膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２０ａ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その１）。
【図２０ｂ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その２）。
【図２０ｃ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その３）。
【図２０ｄ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その４）。
【図２０ｅ】より厚い上部分及びより薄い下部分を有するスペーサーの実施形態を例示した図である。
【図２０ｆ】加えられた力に対して異なった反応をする２つの領域を有するスペーサーの実施形態の横断面を例示した図である。
【図２１ａ】スペーサーがアレイとバックプレートの間にわたっているデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２１ｂ】スペーサーがアレイに接触しているがバックプレートには接触していないデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２１ｃ】スペーサーがバックプレートに接触しているがアレイには接触していないデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ａ】インターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ｂ】異なった高さを有するインターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサー及び該一体化スペーサー上に配置された第２のスペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ｃ】インターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサー及び該一体化スペーサーを嵌合させる第２のスペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２３】物理的損傷に抗する実装電子デバイスを製造するための方法の実施形態を例示した流れ図である。
【図２４】電子デバイスを物理的損傷から保護するための方法の実施形態を例示した流れ図である。
【図２５ａ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを具備するビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示したシステムブロック図である（その１）。
【図２５ｂ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを具備するビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示したシステムブロック図である（その２）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、電子デバイスに関するものである。本発明は、より具体的には、微小電気機械デバイスを物理的損傷から保護するための実装システムおよび方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータ、及び電子機器を含む。微小機械要素は、基板及び／又は蒸着させた材料層の一部をエッチングによって除去するか又は材料層を追加することによって電気デバイス及び電気機械デバイスを形成する、蒸着、エッチング、及び／又はその他のマイクロ加工プロセスを用いて製作することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つの型はインターフェロメトリックモジュレータ（ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）と呼ばれている。インターフェロメトリックモジュレータは、一対の伝導性プレートを具備しており、これらのプレートの１方又は両方は、全体又は一部が透明及び／又は反射性であり、適切な電気信号を加えると相対運動をすることができる。１方のプレートは、基板上に蒸着された静止層を具備しており、他方のプレートは、エアギャップによって該静止層から分離された金属膜を具備している。これらのデバイスは非常に広範な用途を有しており、当業においては、既存製品を改良する際に及びまだ開発されていない新製品を製造する際にこれらの型のデバイスの特長を活用できるようにするためにこれらの型のデバイスの特性を利用及び／又は変更することが有益になる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の１つの実施形態は、基板上に形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するディスプレイデバイスである。この実施形態は、バックプレート及び該基板と該バックプレートとの間に配置されたシールを具備し、該基板及びバックプレートは、該インターフェロメトリックモジュレータアレイを実装するためにいっしょに密封する。該アレイと該バックプレートとの間には１つ以上のスペーサーが配置され、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００４】
本発明のもう１つの実施形態は、ディスプレイデバイスを製造するための方法である。この実施形態は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上において提供すること及び１つ以上のスペーサーを該基板上に配置することを具備する。さらに、該方法は、ディスプレイデバイスを形成させるためにバックプレートを該基板上に密封することも提供し、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００５】
本発明のさらにもう１つの実施形態は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上において提供しさらに１つ以上のスペーサーを該基板上に配置する方法によって製造されたディスプレイデバイスである。該ディスプレイデバイスを製造する方法は、ディスプレイデバイスを形成させるためにバックプレートを該基板上に密封することも含み、該１つ以上のスペーサーは、該バックプレートが該アレイに接触するのを防止する。
【０００６】
本発明のもう１つの実施形態は、ディスプレイデバイスである。この実施形態においては、該ディスプレイデバイスは、光が自己の内部を透過するようにするための透過性手段と、該透過性手段内を透過された光を変調するための変調手段と、を含む。該ディスプレイデバイスは、該変調手段を被覆するための被覆手段と、パッケージを形成させるために該透過性手段と該被覆手段との間に配置された密封手段と、をさらに具備する。さらに、該ディスプレイデバイスは、該変調手段及び該被覆手段がディスプレイデバイス内において互いに接触するのを防止するための間隔保持手段も含む。
【０００７】
本発明の上記の側面及びその他の側面は、以下の説明及び添付図面（一定の拡大率に従ったものではない）によって簡単に明確になるであろう。但し、これらの説明及び図面は、例示することを目的とするものであって本発明を限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
電子デバイスは、物理的な攻撃(例えば、落下、ねじれ、衝撃、圧力、等)による損傷を受けやすい。いくつかのデバイスは、その他のデバイスよりも損傷を受けやすい。例えば、可動部分を有するデバイスは、該可動部分のうちの１つ以上の部分の変位または破損による影響を受けやすい。いくつかの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、構成要素が微小な寸法を有しているために物理的攻撃の影響を特に受けやすい。従って、該デバイスは、一般的には、該デバイスを損傷させる可能性がある望ましくない接触を低減または防止するためにパッケージに実装されている。
【０００９】
いくつかの事例においては、該パッケージ自体が外力によってゆがみまたは変形され、該ゆがみまたは変形が該パッケージの構成要素を接触させ、さらに、いくつかの事例においては、該パッケージに実装されているデバイスの動作を損ねるかまたは低下させる。従って、本出願明細書において開示されている実装システムは、実装されたデバイス内の構成要素が接触して該電子デバイスを損傷させるのを防止又は減少させるように構成されたスペーサーを含む、電子デバイス（ＭＥＭＳデバイスを含む）用実装システムである。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、インターフェロメトリックモジュレータアレイと該インターフェロメトリックモジュレータアレイに関する実装システムのバックプレートとの間における接触に起因する損傷を防止又は減少させるように構成されている。従って、以下において説明されているように、スペーサーは、該バックプレートを該インターフェロメトリックモジュレータアレイのほうにより近づけて配置することを可能にするため、いくつかの実施形態においては、これらの１つ以上のスペーサーを具備するパッケージディスプレイは、スペーサーを具備しないで製作された同等のパッケージディスプレイよりも薄型である。
【００１０】
本出願明細書において開示されているインターフェロメトリックモジュレータＭＥＭＳデバイスは、ディスプレイデバイスを製作する上で有用である。いくつかの実施形態においては、該ディスプレイは、基板上において形成させてそれによって長さ及び／又は幅と比較して相対的に薄いデバイスを作り出しているインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備する。該構造のいくつかの実施形態は、該デバイスの表面に対して直角な成分を有する力によるそり又は変形が生じやすい。該構造のいくつかの実施形態は、ねじれを受けたときに変形しやすい。当業者は、その他のすべての条件が同じであると仮定した場合には、該そり又は変形は、デバイスの長さ及び／又は幅が大きくなるに従って増大するということを理解することになる。
【００１１】
上記のようなそり及び／又は変形を誘発させる力は、携帯式電子デバイスにおいては異例なことではない。これらの力は、タッチ画面に関する用途において（例えば、スタイラスを用いて触れる場合に）発生する。さらに、例えばユーザーがコンピュータのディスプレイ上において画像を指し示すときに該ディスプレイの表面に触れるか又は該表面を押すことは共通の行為である。さらに加えて、例えばユーザーのポケット又は財布の中に携帯電話が入っているときに偶然にディスプレイに触れることもある。
【００１２】
以下の詳細な説明は、本発明のいくつかの具体的な実施形態を対象にしたものである。しかしながら、本発明は、数多くの異なった形で具体化することが可能である。本説明では図面を参照しており、同一のものについては図面全体に渡って同一の参照数字を付してある。以下の説明によって明確になるように、本発明は、動画（映像、等）又は静止画（静止画像、等）のいずれであるかにかかわらず、さらに、テキスト又は絵のいずれであるかにかかわらず、画像を表示するように構成されているあらゆる装置において実装することができる。さらに具体的には、本発明は、様々な電子機器、例えば、携帯電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、携帯式コンピュータ、ポータブルコンピュータ、ＧＰＳ受信装置／ナビゲーター、カメラ、ＭＰ３プレーヤー、カムコーダー、ゲームコンソール、腕時計、柱時計、計算器、テレビモニター、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、自動車の表示盤（オドメーターの表示盤、等）、コックピットの制御盤及び／又は表示盤、カメラのディスプレイ(車両内のリアビューカメラのディスプレイ、等)、電子写真、電子広告掲示板又は看板、プロジェクター、建築構造物、梱包、美的構造物（宝石上におけるイメージの表示、等）（但し、これらの電子機器に限定するものではない）の内部に又はこれらの電子機器と関連させて実装できるようにすることが企図されている。さらに、本出願明細書において説明されているＭＥＭＳデバイスと同様の構造を有するＭＥＭＳデバイスは、電子式開閉装置等の表示以外の用途においても使用することができる。
【００１３】
干渉型ＭＥＭＳ表示素子を具備する１つのインターフェロメトリックモジュレータディスプレイ実施形態が図１に例示されている。これらのデバイスにおいて、画素は、明るい状態又は暗い状態のいずれかである。明るい（「オン」又は「開いた」）状態においては、該表示素子は、入射可視光の大部分をユーザーに対して反射させる。暗い（「オフ」又は「閉じた」）状態においては、該表示素子は、ユーザーに対して入射可視光をほとんど反射させない。該「オン」状態及び「オフ状態」の光反射特性は反転させることができ、実施形態に依存する。ＭＥＭＳ画素は、白黒に加えてカラーディスプレイを考慮して、主に選択された色において反射するように構成させることができる。
【００１４】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連の画素内の２個の隣接する画素を描いた等大図であり、各画素は、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを具備している。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータのロー／コラムアレイ（横列／縦列）を具備している。各インターフェロメトリックモジュレータは、一対の反射層を含んでいる。これらの一対の反射層は、可変でかつ制御可能な距離に互いに配置されており、少なくとも１つの可変寸法を有する共鳴光学空洞を形成している。１つの実施形態においては、該反射層のうちの１つは、２つの位置の間を移動させることができる。第１の位置（本出願明細書では解放状態と呼ばれている）においては、該移動可能な反射層は、固定された部分的反射層から相対的に遠く離れた距離に配置されている。第２の位置においては、該移動可能な層は、該部分的反射層のほうにより近づけて配置されている。これらの２つの層から反射された入射光は、該移動可能な反射層の位置に依存して建設的に又は破壊的に干渉し、各画素に関して全体的な反射状態又は非反射状態を作り出す。
【００１５】
図１において、画素アレイのうちの描かれた部分は、２つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ及び１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａにおいては、移動可能で反射能力が高い反射層１４ａが、固定された部分的反射層１６ａから予め決められた距離にある位置において解放状態になっている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂにおいては、移動可能で反射能力が高い反射層１４ｂが、固定された部分的反射層１６ｂに隣接した作動位置にある。
【００１６】
固定層１６ａ及び１６ｂは、電導性で、部分的に透明でさらに部分的反射性であり、例えば、各々がクロム及びインジウム−スズ酸化物から成る１つ以上の層を透明な基板２０上に蒸着することによって製作される。後述するように、これらの層は、平行なストリップから成るパターンが付けられており、ディスプレイデバイス内においてロー電極を形成している。移動可能層１４ａ及び１４ｂは、柱１８の頂部に蒸着した（ロー電極１６ａ及び１６ｂと直交の）蒸着金属層の一連の平行ストリップとして及び柱１８間に蒸着した介在犠牲材料として形成することができる。該犠牲材料をエッチングによって取り除くと、変形可能な金属層が定められたエアギャップ１９よって固定金属層から分離される。変形可能な層には伝導性が高い反射性材料（アルミニウム、等）を用いることができ、これらのストリップは、ディスプレイデバイス内においてコラム電極を形成する。
【００１７】
図１において画素１２ａによって例示されているように、電圧が印加されていない状態では、空洞１９は層１４ａと１６ａの間にとどまっており、変形可能層は、機械的に解放された状態になっている。しかしながら、選択したロー及びコラムに電位差を印加すると、対応する画素におけるロー電極及びコラム電極の交差部において形成されているコンデンサが荷電され、静電力がこれらの電極を引き寄せる。図１内の右側の画素１２ｂによって例示されているように、電圧が十分に高い場合は、移動可能層が変形されて固定層に押しつけられる（本図に示されていない誘電材料を固定層に蒸着することによって短絡を防止すること及び分離距離を制御することができる）。この挙動は、印加した電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射性対非反射性画素の状態を制御することができるロー／コラム作動は、従来のＬＣＤ及びその他の表示技術において用いられている作動と多くの点で類似している。
【００１８】
図２乃至５ｂは、表示用途においてインターフェロメトリックモジュレータアレイを用いるための１つの典型的なプロセス及びシステムを例示した図である。図２は、本発明の諸側面を組み入れることができる電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。この典型的実施形態においては、該電子デバイスはプロセッサ２１を含んでおり、該プロセッサ２１は、あらゆる汎用の単チップ又は多チップのマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＩＩ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、ＰｏｗｅｒＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）、等）、又は、あらゆる専用マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイ、等）にすることができる。当業においては従来の方法であるが、プロセッサ２１は、１つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。プロセッサ２１は、オペレーティングシステムを実行することに加えて、１つ以上のソフトウェアアプリケーション（例えば、ウェブブラウザー、電話に関するアプリケーション、電子メールプログラム、又はその他のあらゆるソフトウェアアプリケーション）を実行するように構成することができる。
【００１９】
１つの実施形態においては、プロセッサ２１はアレイコントローラ２２と通信するようにも構成されている。１つの実施形態においては、アレイコントローラ２２は、画素アレイ３０に信号を提供するロードライバ回路２４及びコラムドライバ回路２６を含む。図１において例示されている該アレイの横断面は、図２では線１−１によって示されている。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータにおいては、ロー／コラム作動プロトコルは、図３において例示されているこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、移動可能層を解放状態から作動状態に変形させるためには１０Ｖの電位差が必要である。しかしながら、同値から電圧を減じたときには、移動可能層は、電圧が低下して再び１０Ｖよりも低くなる間にその状態を維持する。図３において例示されている典型的実施形態においては、移動可能層は、電圧が２Ｖよりも低くなるまで完全には解放されない。このため、図３において示されている例においては、約３乃至７Ｖの電圧範囲が存在しており、デバイスが解放された状態又は作動された状態において安定している印加電圧の窓が存在している。本出願明細書では、この窓を「ヒステリシスウインドー」又は「安定ウインドー」と呼んでいる。図３において例示されているヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合は、ローストローブ中に、ストローブされたロー内の作動対象画素が約１０Ｖの電圧差にさらされ、さらに、解放対象画素が約ゼロＶの電圧差にさらされることになるように、ロー／コラム作動プロトコルを設計することができる。ストローブ後は、画素は、約５Ｖの定常状態電圧差にさらされ、このため、ローストローブによって置かれたあらゆる状態にとどまる。本例においては、各画素は、書かれた後には、３乃至７Ｖの「安定ウインドー」内において電位差にさらされる。この特長は、図１において例示されている画素設計を、作動状態又は先在する解放状態のいずれであるかにかかわらず同じ印加電圧状態の下で安定させることになる。インターフェロメトリックモジュレータの各画素は、作動状態又は解放状態のいずれであるかにかかわらず、本質的には、固定反射層及び移動可能反射層によって形成されたコンデンサであるため、この安定状態は、電力散逸がほとんどゼロの状態でヒステリシスウインドー内のある１つの電圧において保持することができる。本質的に、印加電位が固定されている場合は、画素内には電流は流れ込まない。
【００２０】
典型的な用途においては、第１のロー内の希望する作動画素の組に従ってコラム電極の組を選択することによって表示フレームを製造する。次に、ローパルスをロー１電極に加え、選択されたコラムラインに対応する画素を作動させる。次に、選択されたコラム電極の組を変更し、第２ロー内の希望される作動画素の組に対応させる。次に、ロー２電極にパルスを加え、選択されたコラム電極に従ってロー２内の該当画素を作動させる。この際、ロー１の画素は、ロー２のパルスによる影響を受けず、ロー１のパルス中に設定された状態にとどまる。このプロセスが一連のロー全体に関して逐次的に繰り返されることによって表示フレームが製造される。一般的には、これらの表示フレームは、希望する何らかの１秒当たりのフレーム数の時点において、該プロセスを連続的に繰り返すことによってリフレッシュされるか及び／又は新しい表示データによって更新される。画素アレイのロー電極及びコラム電極を駆動して表示フレームを生産するためのプロトコルは非常に様々であることがよく知られており、これらのプロトコルを本発明ととともに使用することができる。
【００２１】
図４、５ａ及び５ｂは、図２に示されている３ｘ３アレイ上において表示フレームを製作するために用いることが可能な１つの作動プロトコルを例示した図である。図４は、図３のヒステリシス曲線を示している画素に関して使用することができる一組のコラム／ロー電圧レベルを示した図である。図４の実施形態において、画素を作動させることは、該当するコラムを−Ｖｂｉａｓに設定すること及び該当するローを＋ΔＶに設定することが関わっており、これらの電圧は、−５Ｖ及び＋５Ｖにそれぞれ該当する。画素の解放は、該当するコラムを＋Ｖｂｉａｓに設定してさらに該当するローを同じ＋ΔＶに設定し、該画素においてゼロボルトの電位差を作り出すことによって達成させる。ロー電圧がゼロボルトに保持されているローにおいては、画素は、コラムが＋Ｖｂｉａｓ又は−Ｖｂｉａｓのいずれであるかにかかわらず、最初に置かれていた状態において安定している。
【００２２】
図５ｂは、図２の３ｘ３アレイに加えられた一連のロー信号及びコラム信号を示したタイミング図であり、結果的には、図５ａに例示されている表示配置になる（同図における作動画素は非反射性である）。図５ａに例示されているフレームを書く前においては、画素はあらゆる状態になることが可能であり、本例では、すべてのローが０ボルト、すべてのコラムが＋５Ｖである。これらの電圧を印加した状態では、すべての画素は、印加以前における作動状態又は解放状態で安定している。
【００２３】
図５ａのフレームにおいては、画素（１、１）、（１、２）、（２、２）、（３、２）及び（３、３）を作動させる。該作動させるためには、ロー１に関する「ラインタイム」中に、コラム１及び２を−５Ｖに設定し、コラム３を＋５Ｖに設定する。この場合、すべての画素が３Ｖ乃至７Ｖの安定ウインドー内にとどまっているためいずれの画素の状態も変化しない。次に、パルスを用いてロー１をストローブし、０から最高５Ｖまで上昇させて０に戻る。この動作は、画素（１、１）及び（１、２）を作動させ、画素（１、３）を解放する。画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。ロー２を希望どおりに設定するためには、コラム２を−５Ｖに設定し、コラム１及び３を＋５Ｖに設定する。これで、ロー２に加えられた同じストローブが、画素（２、２）を作動させ、画素（２，１）及び（２、３）を解放する。この場合も、画素アレイ内のその他の画素は影響を受けない。同様に、コラム２及び３を−５Ｖに設定し、コラム１を＋５Ｖに設定することによってロー３を設定する。ロー３のストローブは、ロー３の画素を図５ａに示したように設定する。表示フレームを書いた後は、ロー電位はゼロであり、コラム電位は、＋５Ｖ又は−５Ｖのいずれかにとどまることができ、従って、図５ａに示した配置において表示が安定する。この手順は、何十ものローとコラムのアレイさらには何百ものローとコラムのアレイに関しても採用できるという点が高く評価されることになる。さらに、ロー及びコラムの作動を実施するために用いるタイミング、順序、及び電圧レベルは、上述した一般原理内において大きく変化させることが可能である点、及び、上例は典型的な例であるにすぎず、あらゆる作動電圧方法を本発明とともに用いることができる点も高く評価されることになる。
【００２４】
上記の原理に従って動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の詳細は、大きく変わることができる。例えば、図６ａ乃至図６ｃは、移動可能鏡構造物の３つの異なった実施形態を例示した図である。図６ａは、図１の実施形態の横断面であり、細長い帯状の金属材料１４が直交支持物１８上に蒸着されている。図６ｂにおいては、移動可能反射材料１４は、支持物の角のみに（テザー３２上に）取り付けられている。図６ｃにおいて、移動可能反射材料１４は、変形可能層３４から吊り下げられている。この実施形態においては、反射材料１４に関して用いられる構造設計及び材料を光学的性質に関して最適化することができ、さらに、変形可能層３４に関して用いられる構造設計及び材料を希望する機械的性質に関して最適化することができるため、いくつかの便益を有している。様々な出版物（例えば、U.S.公開２004/005１9２9、等）において様々な型の干渉デバイスの生産に関する説明が行われている。さらに、材料蒸着、パターン形成、及びエッチングの一連の手順が関わる上記の構造物は、非常に様々なよく知られた技術を用いて生産することができる。
【００２５】
図７ａ及び図７ｂは、基板７１０、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のアレイ７２０、１つ以上のスペーサー７３０、シール７４０、及びバックプレート７５０を具備する実装された電子デバイス７００の実施形態の分解図及び横断面図である。図７ｂにおいて最も良くわかることであるが、デバイス７００は、第１の側面７０２及び第２の側面７０４を具備する。基板７１０は、第１の表面７１２及び第２の表面７１４を具備する。該基板の第２の表面７１４上には、インターフェロメトリックモジュレータアレイ７２０が形成されている。該例示されている実施形態においては、バックプレート７５０は、シール７４０によって基板７１０に固定されている。アレイ７２０とバックプレート７５０の間には、１つ以上のスペーサー７３０が蒸着されている。さらに、図７ａには、本出願明細書における説明の中で引用されるx軸、y軸、及びz軸が例示されており、図７ｂには、本出願明細書における説明の中で引用されるy軸、及びz軸が例示されている。
【００２６】
基板７１０及びインターフェロメトリックモジュレータ７２２については、上記においてさらに詳細に説明されている。概説すると、基板７１０は、インターフェロメトリックモジュレータ７２２を形成させることが可能なあらゆる基板である。いくつかの実施形態においては、デバイス７００は、第１の側面７０２から見ることができる画像を表示し、従って、基板７１０は、実質的に透明及び／又は半透明である。例えば、いくつかの実施形態においては、該基板は、ガラス、シリカ、及び／又はアルミナである。その他の実施形態においては、基板７１０は、例えば第２の側面７０４から見ることができる画像を表示するデバイス７００内、又は見ることができる画像を表示しないデバイス７００内においては、実質的に透明及び／又は半透明ではない。いくつかの実施形態においては、基板７１０の第１の表面７１２は、１つ以上のさらなる構造物（例えば、１つ以上の構造用膜、保護膜、及び／又は光学膜）をさらに具備する。
【００２７】
インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、あらゆる型のインターフェロメトリックモジュレータである。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、基板７１０から離れておりさらにバックプレート７５０に隣接する機械層７２４を具備する。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、機械層７２４は、物理的損傷を受けやすい。
【００２８】
例示されている実施形態においては、シール７４０は、バックプレート７５０を基板７１０に固定している。本出願明細書においては、シール７４０に言及するために「周囲支持物」という表現も用いられている。図７ｂにおいて例示されている実施形態においては、シール７４０は、バックプレート７５０と基板７１０との間の予め決められた間隔を維持する働きもする。図７ｃにおいて例示されている実施形態においては、シール７４０'は、間隔を維持する機能を有していない。いくつかの実施形態においては、該シールは、揮発性化合物（例えば、炭化水素、酸、アミン、等）を生成せずさらに放出しない。いくつかの実施形態においては、該シールは、液体の水及び／又は水蒸気を部分的に又は実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、該シールは、空気及び／又はその他の気体を部分的に又は実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、該シールは、剛性である。その他の実施形態においては、該シールは、弾性又はエラストマー性である。その他の実施形態においては、該シールは、剛性と弾性の両方の構成要素又は剛性とエラストマー性の両方の構成要素を具備する。いくつの実施形態においては、該シールは、基板及び／又はバックプレートと適合する１つ以上の接着剤を具備する。該１つの接着剤又は該複数の接着剤は、当業において知られている適切な型の接着剤である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、感圧型である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、熱硬化型である。いくつかの実施形態においては、該接着剤のうちの１つ以上は、ＵＶ硬化型である。いくつかの実施形態においては、該シールは、基板及び／又はバックプレートに熱接合される。いくつかの実施形態においては、該シールは、基板及び/又はバックプレートに機械的に固定される。いくつかの実施形態は、該シールを基板及び／又はバックプレートに固定するための複数の方法の組合せを使用する。いくつかの実施形態は、例えば、基板が例えば熱溶接によって直接バックプレートに固定される場合はシールを具備しない。
【００２９】
該シールは、あらゆる適切な材料（例えば、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、銅、スズ、鉛、亜鉛、はんだ、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、シアノアクリラート、アクリルエポキシ、シリコーン、ゴム、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリイソプレン、スチレンブタジン、パリレン、ＵＶ硬化型接着剤、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、及び/又はその複合物、等）を具備する。いくつかの実施形態においては、該シールは、補強材（例えば、ファイバー）、メッシュ、及び／又は繊維（例えば、ガラス繊維、金属繊維、炭素繊維、ホウ素繊維、炭素ナノチューブ、等）をさらに具備する。いくつかの実施形態においては、選択されたシール材は、部分的に又は実質的に不透水性である。従って、いくつかの実施形態においては、該シールは、半密封性又は密封性のシールである。いくつかの実施形態においては、該シールは、厚さが約５０μｍ未満（例えば、約１０μｍ乃至約３０μｍ）である。いくつかの実施形態においては、該シールは、幅が約０．５ｍｍ乃至約５ｍｍ（例えば、約１ｍｍ乃至約２ｍｍ）である。
【００３０】
以下では、同じく図７ａ及び図７ｂを参照しつつ、ＵＶ硬化型エポキシを用いて例示されたシール７４０を製造するための方法の実施形態について説明されている。該エポキシは、当業において知られている手段（例えば、プリント、等）を用いてバックプレート７５０及び／又は基板７１０に塗布される。エポキシの型及び量は、幅、厚さ、及び透水性に関して希望される性質を有するシール７４０を提供することができる型及び量が予め選択される。バックプレート７５０及び基板７１０は、ひとつに結合され、適切なＵＶ線源を用いて照射によってエポキシが硬化される。典型的なエポキシは、約６０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ線を用いて硬化される。さらに、いくつかの実施形態は、硬化後に約８０℃でベーキングすることも含む。
【００３１】
本出願明細書においては、バックプレート７５０は、「キャップ」又は「バックプレーン」とも呼ばれている。これらの用語は、デバイス７００内におけるバックプレート７５０の位置を制限することを意図するものではなく、さらに、デバイス７００自体の方位を制限することを意図するものでもない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、アレイ７２０が損傷しないように保護する。上述されているように、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のいくつかの実施形態は、物理的攻撃によって損傷される可能性がある。従って、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、例えばアレイ７２０を具備する装置内の異物及び／又はその他の構成要素とアレイ７２０が接触しないように保護する。さらに、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、その他の環境条件（例えば、湿度、水分、塵埃、周囲圧の変化、等）からアレイ７２０を保護する。
【００３２】
デバイス７００が第２の側面７０４から見ることができる画像を表示する実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に透明及び／又は半透明である。その他の実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に透明及び／又は半透明でない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、揮発性化合物（例えば、炭化水素、酸、アミン、等）を生成せずかつ放出しない材料によって製造される。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、液体の水及び／又は水蒸気を実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、空気及び／又はその他の気体を実質的に浸透させない。バックプレート７５０に関して適切な材料は、例えば、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、パリレン、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、複合材、及び/又はその組合せ、を含む。適切な複合材の例は、バイテックス・システムズ（Ｖｉｔｅｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ）（カリフォルニア州サンホセ）から入手可能な複合膜を含む。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、補強材（例えば、ファイバー）及び／又は繊維（例えば、ガラス繊維、金属繊維、炭素繊維、ホウ素繊維、炭素ナノチューブ、等）をさらに具備する。
【００３３】
いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に剛性である。その他の実施形態においては、バックプレート７５０は、柔軟であり、例えば箔又は膜である。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、パッケージ構造７００の組立前及び／又は組立中に予め決められた形状に変形される。以下においてさらに詳細に説明されるように、いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、アレイ７１０の損傷を防止するためのシステム内における１つの要素である。
【００３４】
バックプレート７５０は、内面７５２及び外面７５３を具備する。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の該内面及び／又は該外面は、１つ以上の追加構造物（例えば、構造用膜、保護膜、機械的膜、及び／又は光学膜、等）をさらに具備する。
【００３５】
図７ｂにおいて例示されている実施形態においては、バックプレート７５０は、実質的に平面である。図７ｃは、該バックプレートの内面７５２'が凹所を有しており、それによってバックプレート７５０'の外辺部においてフランジ７５４'を形成しているデバイス７００'の実施形態を例示した図である。この形状を有するバックプレートは、本出願明細書においては「凹所付きキャップ」と呼ばれている。
【００３６】
図７ｄは、湾曲した又は弓形のバックプレート７５０''を具備するパッケージデバイス７００''の実施形態の横断面を例示した図である。該例示されている実施形態においては、スペーサー７３０''は、相対的にバックプレート７５０''のほうにより近く従ってバックプレート７５０''と接触して損傷を受ける可能性がより高いアレイ７２０''の周縁部付近に蒸着されている。その他の実施形態は、１つ以上のスペーサーの異なった構成を具備する。スペーサーは、以下においてさらに詳細に説明されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０''は、湾曲した形状に予め成形される。その他の実施形態においては、バックプレート７５０''の湾曲形状は、パッケージデバイス７００''の組立中に実質的に平らな前駆体を曲げるか又は変形させることによって形成される。例えば、いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータアレイ７２０''は、上述されているように、基板７１０''上において形成される。また、基板７１０''よりも幅が広く及び／又は長い実質的に平面なバックプレート７５０''の周縁部にシール材（例えば、ＵＶ硬化型エポキシ、等）が塗布される。バックプレート７５０''は、例えば圧縮によって希望される大きさにまで変形されて基板７１０''上に配置される。さらに、該エポキシは、例えばＵＶ線を用いて硬化されてシール７４０''を形成させる。
【００３７】
バックプレートに関するその他の実施形態が、図８ａ乃至図８ｃにおいて例示されている。図８ａは、内面８５２が凹状になっている凹所付きキャップ８５０を例示した図である。該例示されている実施形態においては、内面８５２及び外面８５３は、平行ではない。従って、凹付きキャップ８５０は、縁部８５９よりも中央部８５８のほうが薄い。当業者は、その他の配置も可能であることを理解することになる。該例示されている実施形態は、基板と凹所付きキャップバックプレートの内面８５２との間において最低限の間隔を設ける周縁フランジ８５４を具備する。いくつかの実施形態においては、周縁フランジ８５４は、凹所付きキャップ８５０の外周において実質的に連続した構造物を形成する。その他の実施形態においては、周縁フランジ８５４は、連続的でない。その他の実施形態は、周縁フランジを具備しない。図８ｂにおいては、バックプレート８５０は、外面８５３上に補強リブ８５６を具備する。その他の実施形態においては、該補強リブは、内面８５２上又は該バックプレートの両面上に存在する。いくつかの実施形態においては、該補強構造物は、別の形状（例えば、格子又はハニカム）を有する。いくつかの実施形態は、これらの特長の組合せを具備する。例えば、図８ｃは、凹状内面８５２を有しさらに外面８５３上に補強リブ８５６を有する凹所付きキャップ８５０の実施形態を例示した図である。開示されているバックプレートのいくつかの実施形態は、改良された性質（例えば、強度、重量、コスト、剛性、透明性、製造の容易さ、等）を示している。
【００３８】
図８ｄ及び図８ｅは、乾燥剤を入れるように構成された１つ以上の空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である。図８ｄは、バックプレート８５０の内面８５２上に（即ち、バックプレート８５０とアレイの間に）形成された空洞８５７を具備するバックプレート８５０の実施形態を例示した図である。空洞８５７内には、乾燥剤８５５が蒸着されている。図８ｅは、乾燥剤８５５が蒸着された２つの空洞８５７を具備する凹所付きキャップバックプレート８５０の実施形態を例示した図である。図８ｄ及び図８ｅに例示されている実施形態においては、乾燥剤８５５は、実質的には、該バックプレートの内面８５２を越えて延びていない。従って、後述されている同じスペーサーを、該アレイと該バックプレートとの間のあらゆる箇所において使用可能である。空洞８５７の寸法は、当業において知られている要因（例えば、乾燥剤の性質、乾燥剤の使用量、吸収すべき水分量、デバイスの体積、バックプレートの機械的性質、等）に従って選択される。以下では、適切な乾燥剤について及び乾燥剤をバックプレートに固定するための方法について説明されている。当業者は、その他の実施形態においては、空洞８５７は異なった形状（例えば、異なった長さ、幅、厚さ、及び／又は形）を有していることを評価することになる。空洞８５７は、当業において知られているいずれかの方法（例えば、エッチング、エンボス加工、スタンピング、彫刻、機械加工、研削、フライス削り、サンドブラスト、造型、スランピング、等）によって製作される。いくつかの実施形態においては、凹所は、バックプレート８５９の凹所でない部分を盛り上げることによって（例えば、接着剤の使用、溶接、融接、焼結、等によって）製作される。例えば、いくつかの実施形態においては、ガラスのスラリをバックプレート上に吹き付けるか又は造型し、該スラリを融接又は焼結して空洞を形成させる。当業者は、本出願明細書において説明されている特長のうちのいずれかの特長を備えたバックプレート（例えば、図７ａ乃至図７ｄ及び図８ａ乃至図８ｅにおいて例示されているバックプレート）を製作する上ではこれらの方法の組合せも適切であることを理解することになる。
【００３９】
再度図７ｂにおいて、シール７４０は、基板７１０とバックプレート７５０との間にわたっている。いくつかの実施形態においては、基板７１０、バックプレート７５０、及びシール７４０は、共同でアレイ７２０を実質的に完全に閉じ込めている。いくつかの実施形態においては、該方法によって形成されたエンクロージャ７０６は、液体の水、水蒸気、及び／又は粒子（例えば、ごみ、塵埃、等）を実質的に浸透させない。いくつかの実施形態においては、エンクロージャ７０６は、実質的に完全な密封状態及び／又は半密封状態である。
【００４０】
いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の内面７５２は、アレイ７２０に接触している。いくつかの実施形態においては、内面７５２は、アレイ７２０に接触していない。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０の内面７５２とアレイ７２０との間の間隙又は頭隙は、少なくとも約１０μｍである。いくつかの好ましい実施形態においては、該間隙は、約３０μｍ乃至約１００μｍ（例えば、約４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ）である。いくつかの実施形態においては、該間隙は、１００μｍよりも大きい（例えば、０．５ｍｍ １ｍｍ又は１ｍｍ超である）。いくつかの実施形態においては、該バックプレートの内面７５２とアレイ７２０との間の間隙または頭隙は、一定ではない。
【００４１】
図９は、インターフェロメトリックモジュレータ９２２ａの第１のアレイ９２０ａが形成されている第１の基板９１０ａと、インターフェロメトリックモジュレータ９２２ｂの第２のアレイ９２０ｂが形成されている第２の基板９１０ｂとを具備するパッケージデバイス９００の実施形態を例示した図である。この構成を有するデバイスは、本出願明細書においては、「ダブルアレイデバイス」とも呼ばれている。該デバイスは、該バックプレートの代わりに第２のインターフェロメトリックモジュレータアレイが用いられているとみることができる。従って、パッケージデバイス９００は、第１のアレイ９２０ａ上に第１の画像、第２のアレイ９２０ｂ上に第２の画像を同時に表示することができる。パッケージデバイス９００は、上述されているシール９４０をさらに具備する。第１のアレイ９２０ａと第２のアレイ９２０ｂとの間には、本出願明細書において開示されているあらゆる適切な型の１つ以上のスペーサー９３０が蒸着される。
【００４２】
図１０において例示されている実施形態１０００は、基板１０１０上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイ１０２０を具備する。凹所付きキャップバックプレート１０５０及びシール１０４０は、基板１０１０とともに、１つ以上のスペーサー１０３０が蒸着される空洞または密閉空間１００６を形成する。該例示されている実施形態においては、バックプレート１０５０は、乾燥剤１０５５を１つ以上具備する。該乾燥剤は、密閉空間１００６内において低下された湿度を維持する。いくつかの実施形態においては、１つのパッケージの乾燥剤１０５５が、例えば、接着剤を用いて、熱的な方法で、及び／または機械的な方法で、該バックプレートの内面１０５２に固定されている。当業においては、乾燥剤が保持される適切なパッケージが知られており、例えば、メッシュの表面を有する容器、穿孔された容器、浸透性の繊維製又はカバーストック製の袋、等を含む。その他の実施形態においては、該パッケージは、例えば感圧型接着剤を用いてバックプレートに固定された適切な材料製のシートである。いくつかの実施形態においては、該パッケージは、非粉塵発生型であり、粉塵を放出しない。いくつかの実施形態においては、該乾燥剤は、不活性キャリア（例えば、ポリマー樹脂、等）内に埋め込まれており、そのアセンブリが内面１０５２に固定される。いくつかの実施形態においては、乾燥剤１０５５は、該バックプレートの内面１０５２に直接固定されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート１０５０の製作材料は、乾燥剤を具備する。いくつかの実施形態においては、該バックプレートは、塗布された乾燥剤層を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、液体の乾燥剤又は適切な液体内において溶解又は懸濁された乾燥剤が、バックプレート１０５０に塗布されて焼結され、それによってバックプレート１０５０上において乾燥剤層が形成される。その他の実施形態においては、乾燥剤が非硬化ポリマー樹脂と混合され、該混合物がバックプレート１０５０に塗布されて硬化される。
【００４３】
該乾燥剤は、当業において知られているいずれかの適切な乾燥剤（例えば、金属酸化物、酸化カルシウム、酸化バリウム、無水ホウ素、五酸化燐、金属硫酸塩、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、金属、ナトリウム、鉛／ナトリウム合金、金属水素化物、ホウ素水素化ナトリウム、水素化ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、シリカゲル、活性アルミナ、沸石、分子ふるい、燐、金属塩、過塩素酸マグネシウム、塩化亜鉛、炭素ナノチューブ、及びこれらの材料の組合せ）である。
【００４４】
同じく図７ａ及び図７ｂにおいて、さらに、上述されているように、いくつかの実施形態においては、デバイス７００は、外力が加えられると変形する。当業者は、いくつかの実施形態においては、該変形の結果アレイ７２０とバックプレート７５０との間で相対的な動き又は差動的な動きが生じることを認識することになる。いくつかの実施形態においては、デバイス７００を通常の方法で使用する際に、例えば、デバイス７００を組み立てる際、デバイス７００を装置内に取り付ける際、又はデバイス７００を通常の方法で使用する際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０をバックプレート７５０に接触させる力としては不十分である。上述されているように、インターフェロメトリックモジュレータ７２２の一部の構成要素（例えば、機械層７２４、等）は、物理的に接触すると損傷しやすい。従って、これらの実施形態においては、バックプレート７５０は、通常の方法で使用される際にはアレイ７２０及び／又は該アレイ内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させる可能性がない。
【００４５】
その他の実施形態においては、デバイス７００が通常の方法で使用される際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０をバックプレート７５０に接触させる力として十分であり、一般的には、バックプレート７５０の中央部又は中央部付近とアレイ７２０が接触する。例えば、当業者は、その他のすべての条件が同じであると仮定した場合には、デバイス７００の長さ及び／又は幅が（図７ａにおいて例示されているｘ軸及び／又はｙ軸に沿って）大きくなるに従って、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における相対的な動きも増大するという点を理解することになる。デバイス７００の長さ及び／又は幅は、例えば、アレイ７２０内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２の大きさ及び／又は数が大きくなるのに応じて増大する。ある時点において、デバイス７００が通常の方法で使用される際に発生する可能性がある力は、アレイ７２０の一部をバックプレート７５０と接触させ、それによってデバイス７００内のインターフェロメトリックモジュレータ７２２のうちの１つ以上を損傷させる可能性がある相対運動を誘発させる。いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、アレイ７２０とバックプレート７５０の間の距離を拡大させることによって中和される。いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、デバイス７００（例えば、基板７１０、バックプレート７５０、及び／又はシール７４０）の剛性を増大させることによって中和される。剛性を増大させるための方法は、当業においては既知であり、例えば、構成要素の剛性を増大させること、構成要素の寸法を変更すること、構成要素の形状又は輪郭を変更すること、補強材を追加すること、等を含む。
【００４６】
いくつかの実施形態においては、アレイ７２０とバックプレート７５０との間における接触の可能性の増大は、アレイ７２０と該バックプレートの内面７５２との間の距離を広げることによって中和される。該デバイスの一部の実施形態は、図８ａにおいて例示されているバックプレート７５０を使用し、該図においては、内面８５２が凹状であってそれによって該バックプレートの中心８５８とアレイ８２０との間の距離が広げられている。図７ｂにおいて、バックプレート７５２とアレイ７２０との間の距離を広げることは、デバイス７００の厚さを増大させることになる（特に、デバイス７００内の構成要素の剛性を増大させるために該構成要素がより厚くなっている場合）。いくつかの用途においては、厚さがより厚くなったデバイス７００は、好ましくない。
【００４７】
従って、デバイス７００の一部の実施形態は、アレイ７２０とバックプレート７５０との間に蒸着された１つ以上のスペーサー７３０を具備する。スペーサー７３０は、デバイス７００が変形させる力を受けたときにアレイ７２０とバックプレート７５０の間における接触を防止及び／又は減少させ、それによってインターフェロメトリックモジュレータ７２２の損傷を防止及び／又は低減させるように構成されている。いくつかの実施形態においては、バックプレート７５０は、上述されているような不規則部分又は造作（例えば、補強リブ及び／又は乾燥剤パッケージ、等）を具備する。スペーサー７３０は、不規則部分又は造作がアレイ７２０の機械層７２４に接触するのを、直接的に防止する（例えば、該スペーサーに接触する造作、等）、又は間接的に防止する（例えば、該バックプレートのうちで該スペーサーに接触しているその他のいずれかの部分であって、該造作が機械層７２４に接触するのを防止する）。これらの実施形態のうちの一部においては、アレイ７２０に隣接するスペーサー７２０の表面は、実質的に平滑である。いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、加えられた力を分散させ、それによって、該力が特定のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させる可能性を低下させる。例えば、いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、加えられた力をインターフェロメトリックモジュレータの柱７２６に分散させ、それによって機械層７２４を保護する。いくつかの実施形態においては、スペーサー７３０は、アレイ７２０とバックプレート７５０との間において例えば滑り及び／又は回転によって生じる横方向又は接線方向の相対運動に起因する損傷を、減少させるか又は防止する。例えば、これらの実施形態の一部においては、スペーサー７３０は、１つ以上の低摩擦面を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、円状の横断面（例えば、球状又は棒状）を有する。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、該１つの又は複数のスペーサー７３０は弾性であり、それによって、加えられた力を吸収する及び／又は分散させる。さらに、該力がアレイ７２０内の複数のインターフェロメトリックモジュレータ７２２を損傷させた場合でも、いくつかの実施形態においては、アレイ７２０全体にわたって分散された損傷は、ユーザーにとっては、アレイ７２０の１カ所の特定の領域に集中した損傷よりも目立たない。その他の実施形態においては、スペーサー７３０は、例えば特定の大きさ及び／又は形状を有する１つ以上のスペーサー７３０を用いることによって、少数のインターフェロメトリックモジュレータに損傷を集中させるように設計されている。例えば、いくつかの実施形態においては、アレイ７２０は、１つの隔離された画素が使用不能になってもエンドユーザーには目立たないようにするために冗長な画素を具備する。従って、これらの実施形態においては、スペーサー７３０は、エンドユーザーにとって目立つことになる１つのグループの隣接画素にではなく単一の画素に損傷を集中させる。
【００４８】
図１１ａは、デバイス１１００を上から見た場合における該スペーサー及び該アレイの相対的位置関係を例示した図である。上述されているように、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、該アレイに接触しており、その他の実施形態においては、該スペーサーは、該バックプレートに接触しており、その他の実施形態においては、該スペーサーは、該アレイ及び該バックプレートに接触している。デバイス１１００は、基板１１１０上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイ１１２０の上方において実質的に規則的なパターンで配列された複数のスペーサー１１３０を具備する。該例示されている実施形態においては、スペーサー１１３０は、インターフェロメトリックモジュレータの柱１１２６の実質的に上方に配置されている。架空の柱１１２６が例示されている図１１ａにおいて示されているように、該例示されている実施形態においては、スペーサー１１３０は、すべての各々の柱１１２６の上方に配置されているわけではない。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の上方に配置される。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０とシール１１４０の間の空間１１１０に配置される。いくつかの実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の上方及びアレイ１１２０とシール１１４０との間の空間１１１０内の両方の位置に配置される。当業者は、スペーサー１１３０に関してはその他の空間及び／又はパターンも可能であることを理解することになる。
【００４９】
図１１ｂは、スペーサー１１３０がアレイ１１２０上方において実質的に不規則に配置されているデバイス１１００のもう１つの実施形態を上から見た図である。図１１ｃにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態においては、スペーサー１１３０は、アレイ１１２０の周縁部ではなく中央部周辺に備えられている。図１１ｄにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態が具備するスペーサー１１３０の配置は、アレイ１１２０の周縁部におけるスペーサー１１３０の配置密度よりもアレイ１１２０の中央部周辺におけるスペーサー１１３０の配置密度のほうが高い。図１１ｅにおいて例示されているデバイス１１００の実施形態は、３つの同心円のスペーサー１１３０帯を具備し、アレイ１１２０の中心に向かうほど密度が高い。当業者は、その他の配置も可能であることを理解することになる。
【００５０】
該スペーサーは、適切であるあらゆる大きさ、形状、及び材料のスペーサーである。いくつかの実施形態においては、これらのスペーサーはすべて同じ型である。その他の実施形態は、異なった型（例えば、異なった大きさ、形状、及び／又は材料）のスペーサーを具備する。スペーサーに関する特定の寸法は、当業において知られている要因（例えば、該スペーサーの製造材料、該アレイと該バックプレートの間の頭隙、ディスプレイパッケージの所定の用途、等）に依存する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーの厚さは、該アレイと該バックプレートの間の頭隙とほぼ同じである。その他の実施形態においては、該スペーサーの厚さは、該アレイと該バックプレートの間の頭隙よりも薄い。該頭隙の寸法は上述されている。
【００５１】
これらのスペーサーに関する適切な材料は、剛性材料及び／又はエラストマー材を含む。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば変形によって該スペーサーに加えられた力の少なくとも一部分を吸収することができる材料を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、弾性であり、変形させる力が除去された後に実質的に元来の形状に戻る。その他の実施形態においては、該スペーサーは、該スペーサーに加えられた力を吸収する際に永久的に変形する。適切な材料の例は、金属、鋼、ステンレス鋼、黄銅、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリフルオロアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリラート、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、及び混合物、共重合体、合金、及び/又はその複合物を含む。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば、１つの材料製の心部及び別の材料製の塗料を具備する複合物である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、剛性材料（例えば、金属）製の心部及びエラストマー材料（例えば、ポリマー樹脂）製の塗料を具備する。バックプレートを通じて画像を見ることができるいくつかの実施形態においては、該スペーサーは、透明又は半透明である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、電導性である。
【００５２】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、当業において知られているいずれかの型の乾燥剤（例えば、金属酸化物、酸化カルシウム、酸化バリウム、無水ホウ素、五酸化燐、金属硫酸塩、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、金属、ナトリウム、鉛／ナトリウム合金、金属水素化物、ホウ素水素化ナトリウム、水素化ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、シリカゲル、活性アルミナ、沸石、分子ふるい、燐、金属塩、過塩素酸マグネシウム、塩化亜鉛、炭素ナノチューブ、及びこれらの材料の組合せ）を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、乾燥剤を実質的に具備する。その他の実施形態においては、該スペーサーは、乾燥剤が１つの構成要素である複合物を具備する。いくつかの実施形態においては、該乾燥剤は、該複合物全体にわたって分散されている。その他の実施形態においては、該乾燥剤は、該スペーサーの１部分（例えば、心部内）に集中している。該複合物内のその他の１つの又は複数の構成要素は、適切であるいずれかの材料（例えば、上記においてスペーサーに適した材料として開示されている材料）である。いくつかの実施形態、例えば、該スペーサーが乾燥剤の心部を具備する実施形態においては、もう１つの材料（例えば、乾燥剤に塗布された塗料、等）は、水及び／又は水蒸気を浸透させてそれによって該乾燥剤による水の吸収を容易にする材料である。いくつかの実施形態においては、該塗料は、心部内の乾燥剤と周囲の大気との接触を可能にするために、例えば該塗料を摩滅させることによって又は該スペーサーの製造プロセスを通じて作られた１つ以上の開口を具備する。
【００５３】
スペーサーは、当業において知られている方法を用いて製造され、これらの方法は、当業において知られている要因（例えば、該スペーサーの製造材料、該スペーサーの大きさと形状、該スペーサーに関する公差を含む）に依存する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、流体（例えば、液体、ゲル、及び／又はペースト、等）として加えられ、次に硬化させてスペーサーを形成させる。適切な流体材料の例は、例えば、接着剤及びフォトレジストを含む。当業者は、硬化条件は特定の材料に依存すること、及び、熱硬化、光硬化、ＵＶ硬化、及び／又は放射線硬化を含むことを理解することになる。
【００５４】
その他の実施形態においては、該スペーサーは、予め製造される。予め製造されたスペーサーの実施形態が、図１２ｅ乃至１２ｔにおいて例示されている。当業者は、該例示されている形状は典型的な例であること及びその他の形状も可能であることを理解することになる。例えば、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、不規則な形状を有する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、実質的に中実である。その他の実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の空隙を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の中空領域を具備する。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、複数の空隙（例えば、オープンセル（連続気泡）型発泡又はクローズドセル（独立気泡）型発泡、等）を具備する。図１２ｄ及び図１２ｉにおいてそれぞれ例示されている球状スペーサー及び棒状スペーサーは、ガラス製、シリカ製、及び／又はポリスチレン製が市販されている。例えば、ガラス製の棒状スペーサーは、約１．５μｍ乃至約６０μｍの直径を有するスペーサーが日本電気硝子株式会社（日本国滋賀県大津市）によって市販されている。プラスチック製の球状スペーサーは、例えば、約１．５μｍ乃至約３５０μｍの直径を有するスペーサーが積水化学株式会社（日本国大阪）によって市販されている。いくつかの実施形態は、入手性、均一性、及び／又はコストを理由に該スペーサーを使用する。その他の形状（例えば、正方形及び円形、等）も容易に製造され、その他の実施形態において使用される。
【００５５】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば図１２ｎ乃至図１２ｔにおいて例示されている１つ以上の突起及び／又はくぼみを具備する。いくつかの実施形態においては、該突起及び／又はくぼみは、以下においてさらに詳細に説明されているように、アレイ及び／又はバックプレート上の構造物又は造作を嵌合させる。いくつかの実施形態においては、これらの突起及び／又はくぼみは、デバイスに加えられた力の少なくとも一部を吸収するように設計されている。例えば、いくつかの実施形態は、図１２ｐ乃至図１２ｓにおいて例示されているように、ばねを具備する。いくつかの実施形態は、図１２ｎ、図１２ｏ、及び図１２ｔにおいて例示されているように突起を具備し、これらの突起は、以下においてさらに詳細に説明されている。図１２ｔにおいて例示されている実施形態は、突起１２３２及びくぼみ１２３４の両方を具備する。
【００５６】
図１３ａの上から見た図において例示されている実施形態においては、スペーサー１３３０は、インターフェロメトリックモジュレータアレイ１３２０の少なくとも２つの柱１３２６の間にわたっている。該例示されている実施形態においては、スペーサー１３３０の最も小さい直径Ｄは、柱１３２６の間の間隔ｄの少なくとも約２倍であり、これによって、該スペーサーが常に少なくとも２つの柱１３２６の間にわたるようにしている。いくつかの実施形態においては、間隔ｄは、約３０μm乃至約８０μｍ（例えば、約３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、又は８０μｍ）である。その他の実施形態においては、間隔ｄは、これらの値よりも大きく、例えば、最大で１ｍｍ又は最大で５ｍｍである。上述されているように、いくつかの実施形態においては、アレイ１３２０は、異なった寸法（例えば、幅、等）を有するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２を具備し、従って、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２に関する柱１３２６間の間隔は、均一ではない。従って、いくつかの実施形態においては、寸法Ｄは、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２の外柱１３２６間の間隔は、均一ではない。従って、いくつかの実施形態においては、寸法Ｄは、隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１３２２の外柱１３２６の間の少なくとも最長距離である。該配置の１つの実施形態が図１３ｂにおいて例示されており、該図においては、柱１３２６'は、図１３ａにおいて例示されている設計とは異なった設計を有しており、さらに、スペーサー１３３０'は、ディスク形である。
【００５７】
図１４において例示されている実施形態においては、スペーサー１４３０は、１つのインターフェロメトリックモジュレータ１４２２と少なくとも同じ大きさであり、従って、少なくとも１つの柱１４２６の上方に配置されている。該例示されている実施形態においては、スペーサー１４３０は、穿孔された正方形である。インターフェロメトリックモジュレータの大きさについては上述されている。
【００５８】
図１５ａにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０は、実質的に柱１５２６上方の中心に配置されている。図１５ｂにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０の少なくとも一部分は、柱１５２６の上方に配置されている。図１５ｃにおいて例示されている実施形態においては、各スペーサー１５３０のいずれの部分も、柱１５２６の上方には配置されていない。例示されていないその他の実施形態は、これらの配置のいずれかの組合せを含む。
【００５９】
図１６において例示されているデバイス６００の実施形態は、実質的にアレイ１６２０の上方に配置された異なった大きさのスペーサー１６３０を具備する。
【００６０】
いくつかの実施形態は、単独で使用されるか又は本出願明細書において開示されているその他のスペーサーと組み合わせて使用される１つ以上の一体化されたスペーサーを具備する。図１７ａは、アレイ１７２０の中央部分の上方に配置されたメッシュ形のスペーサー１７３０を具備するデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｂは、周縁部においてよりも中央部におけるほうが密度が高いメッシュスペーサー１７３０を具備するデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｃは、スペーサー１７３０が、アレイ１７２０の上方の実質的に中央に配置されたほぼ開いた長方形であるデバイス１７００の実施形態を例示した図である。図１７ｄは、スペーサー１７３０がアレイ１７２０の対角線によって実質的に定められているデバイス１７００の実施形態を例示した図である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、１つ以上の領域においてはその他の領域よりも厚く、１つ以上の領域においてはその他の領域よりも薄い。例えば、いくつかの実施形態においては、外スペーサーは、中央領域においてより厚く、周縁部においてより薄い。いくつかの実施形態においては、スペーサー１７３０は、上述されている乾燥剤を具備する。例えば、いくつかの実施形態においては、スペーサー１７３０は、外層（例えば、ポリマー樹脂、等）によって囲われた乾燥剤心部を具備する。その他の実施形態においては、乾燥剤は、スペーサー材料内に埋め込まれている。
【００６１】
図１８ａにおいて例示されている実施形態１８００は、アレイ１８２０とバックプレート１８５０の間に配置された膜の形態のスペーサー１８３０を具備する。該例示されている実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０を越えて延びている。その他の実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０と実質的に同一の広がりを有する。その他の実施形態においては、スペーサー１８３０は、アレイ１８２０全体を覆っていない。
【００６２】
いくつかの実施形態においては、該膜は、実質的に平らな膜である。いくつかの実施形態においては、該膜は、厚さが約５μｍ乃至約５０μｍ（例えば、厚さが約１０μｍ乃至約２０μｍ）である。その他の実施形態においては、該膜は、これらの値よりも厚い。いくつかの実施形態においては、該膜は、該アレイと該バックプレートの間の空所を実質的に満たすことができる十分な厚さである。いくつかの実施形態においては、該膜は、弾性材料（例えば、発泡、等）を具備する。いくつかの実施形態においては、該発泡は、被覆（例えば、不浸透性ポリマー、等）を有し、該被覆は、いくつかの実施形態においては、穿孔を具備する。その他の実施形態においては、該膜は、異なった形状を有する。図１８ｂは、平面でない横断面（例えば、波形）又は「枡形ルーバー」形を有する膜の形態であり、さらにアレイ１８２０'とバックプレート１８５０'との間において圧縮されたときに変形力のうちの少なくとも一部を吸収するスペーサー１８３０'を例示した図である。当業者は、該平らでない膜は、相当する平らな膜よりも厚いことを理解することになる。いくつかの実施形態においては、該膜スペーサーは、様々な性質（例えば、厚さ、組成（複合材、等）、突起、くぼみ、等）を有する部分を具備する。その他の実施形態においては、該膜の一方の面又は両方の面は、上述されている追加のスペーサー（例えば、図１２ａ乃至図１２ｔにおいて例示されているスペーサー、等）をさらに具備する。いくつかの実施形態においては、該膜及びスペーサーは、１つの一体化されたユニットとして形成される。その他の実施形態においては、該スペーサー及び膜は、別々に製作されて別のステップにおいて接合される。その他の実施形態においては、該膜は、穿孔される。例えば、図１７ａ及び図１７ｂにおいて例示されているスペーサーのいくつかの実施形態は、穿孔された膜である。図１８ｃは、スペーサー１８３０''が、アレイ１８２０''とバックプレート１８５０"との間に配置されかつ１つの体積のガスを閉じ込めた密封袋である実施形態を例示した図である。当業者は、ある用途のために選択される特定の膜は、該膜の厚さ、機械的性質、形、形状、該アレイと該バックプレートとの間の頭隙、及びディスプレイパッケージの予想用途を含む要因に依存することを理解することになる。
【００６３】
いくつかの実施形態においては、該膜は、乾燥剤を具備する。いくつかの実施形態においては、該膜は、乾燥剤である。その他の実施形態においては、該膜（例えば、ポリマー樹脂膜）は、乾燥剤で含浸されている。さらにその他の実施形態においては、該膜は、例えばポリマー樹脂を用いて封入された薄い乾燥剤層を具備する。
【００６４】
いくつかの実施形態は、力をより大きな面積にわたって分散させるためにアレイ又はその一部分と接触する平面状の膜スペーサーを具備する。いくつかの実施形態においては、本出願明細書において開示されている１つ以上のその他のスペーサー（例えば、上述されているスペーサーのうちのいずれかのスペーサー）は、該膜とバックプレートとの間、及び／又は該膜と該アレイとの間に配置される。
【００６５】
図１９は、アレイ１９２０とバックプレート１９５０との間に配置された複数の膜スペーサー１９３０を具備する実施形態１９００を例示した図である。該膜スペーサーは、上述されている膜スペーサーである。いくつかの実施形態は、平面状の膜スペーサー及び平面状でない膜スペーサーの組合せを具備し、例えば該平面状の膜スペーサーは、上述されているようにアレイ１９２０と接触している。いくつかの実施形態は、例えば直角の波形を有する状態で配置された一対の波形膜と入れ子状に重ならないように配置された少なくとも２つの非平面状膜スペーサーを具備する。いくつかの実施形態は、平面状膜スペーサーを間に配置しそれによって入れ子状に重なるのを防止している少なくとも２つの非平面状膜スペーサーを具備する。
【００６６】
いくつかの実施形態においては、該スペーサー又は該スペーサーの一部分は、加えられた力に段階的に反応するように設計された形状を有し、例えば、三角形の横断面を有するスペーサー又はその一部分を含む。図１２ｔにおいては、スペーサーの一部分の例が、突起１２３２として示されている。図２０ａには、スペーサーの三角形の部分が例示されている。該三角形部分は、図２０ｂにおいて例示されているように小さい変形が相対的に生じやすいが、図２０ｃ及び図２０ｄにおいて例示されているように徐々に変形しにくくなる。図２０ｅは、スペーサー２０３２が２つの領域を有するもう１つの実施形態を例示した図である。これらの領域は、より薄い上側部分２０３２a及びより厚い下側部分２０３４bであり、各領域は、加えられた力に対して異なった反応をする。図２０ｆにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２０３０'も、２つの反応領域（即ち、相対的に多い空隙を有する上側領域２０３２'、及び相対的に少ない空隙を有する下側領域２０３４'）を有する。いくつかの実施形態においては、スペーサーは、段階的に反応する複合物を具備する。
【００６７】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、バックプレートに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートの両方に固定される。その他の実施形態においては、第１の一組の１つ以上のスペーサーがアレイに固定され、第２の一組の１つ以上のスペーサーがバックプレートに固定される。その他の実施形態においては、該スペーサーのうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートのいずれにも固定されない。スペーサーがアレイ及び／又はバックプレートに固定される実施形態においては、該スペーサーは、当業において知られているいずれかの方法で（例えば、接着剤を用いて、機械的に、及び／又は溶接によって）固定される。
【００６８】
接着剤を用いた実施形態においては、当業において知られているいずれかの方法（例えば、リソグラフ、インクジェットプリント、接触プリント、等）を用いて１つ以上の接着剤がアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。次に、１つのスペーサー又は複数のスペーサーが該接着剤に塗布される。いくつかの実施形態においては、該接着剤は、該スペーサーに塗布され、次に、該スペーサーは、例えば、吹き付け、回転、個別塗布、等の方法を用いてアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。その他の実施形態においては、該スペーサーは、該接着剤を具備する液体内において懸濁される。該スペーサー懸濁液は、アレイに塗布され、該液体は、例えば蒸発によって取り除かれる。適切な液体の例は、低級アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノル、等）、及び、その他の揮発性液体（例えば、アセトン、メチルｔ−ブチルエーテル、及びエチルアセテート）を含む。上述されているように、いくつかの実施形態においては、スペーサーが膜に塗布され、次に、該膜がアレイ及び／又はバックプレートに塗布される。以下においてさらに詳細に説明されているように、いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、アレイ又はバックプレートと一体化されている。スペーサーは、実質的に同様の方法を用いてバックプレートに固定される。
【００６９】
いくつかの実施形態においては、１つ以上のスペーサーは、アレイ及びバックプレートのいずれにも固定されない。例えば、大きなスペーサー（例えば、図１７ａ及び図１７ｂにおいて例示されているメッシュスペーサー、図１７ｃ及び１７ｄにおいて例示されているスペーサー、及び／又は、図１８ａ乃至図１８ｃにおいて例示されている膜スペーサー、等）を用いたいくつかの実施形態においては、該スペーサーは、パッケージデバイスアセンブリ内のアレイ及び／又はバックプレート上に単純に配置されている。
【００７０】
該スペーサーがより小さい（例えば、マイクロメーター乃至数百マイクロメーターの範囲内の大きさを有する）実施形態においては、該スペーサーは、都合良いことに、流体キャリア内において懸濁させ、該懸濁されたスペーサーを例えば吹き付け及び／又はスピンコーティングによってアレイ及び／又はバックプレートに塗布することによって配置される。いくつかの実施形態においては、該流体キャリアは、例えば真空下において及び／又は加熱によって簡単に除去される液体である。適切な液体の例は、当業において知られており、低級アルコール（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノル、等）、炭化水素（例えば、プロパン、ブタン、ペンタン、等）、ハロゲン化合物（例えば、フルオロカーボン、クロロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、クロロカーボン、ハイドロクロロカーボン、等）、エーテル（例えば、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、等）、エステル（例えば、エチルアセテート、等）、ケトン（例えば、アセトン、等）、及びこれらの液体の組合せを含む。その他の実施形態においては、該流体は、気体（例えば、空気又は窒素）である。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、追加された接着剤が存在しない場合においても、溶剤が除去された後に定位置にとどまる傾向がある。
【００７１】
いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、例えば、該スペーサーの塗布中にシールが形成される部分をマスキングすることによって、実質的にアレイ上のみに塗布される。その他の実施形態においては、該スペーサーは、アレイ上及びデバイスのその他の部分（例えば、シールが形成される部分）の上に塗布される。これらの実施形態の一部においては、該スペーサーは、シールの厚さも定め、それによって均一なシール厚を提供する。例えば、２０μｍのスペーサーをシール内に配置して基板及びバックプレートを該スペーサーと接触させることは、２０μｍのシール厚を提供する。
【００７２】
図２１ａにおいて例示されているように、いくつかの実施形態においては、スペーサー２１３０のうちの１つ以上のスペーサーは、アレイ２１２０とバックプレート２１５０との間にわたっている。図２１ｂにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２１３０'は、アレイ２１２０'に接触しているが、バックプレート２１５０'には接触していない。図２１ｃにおいて例示されている実施形態においては、スペーサー２１３０''は、バックプレート２１５０''に接触しているが、アレイ２１２０''には接触していない。いくつかの実施形態は、これらの構成の組合せを具備する。
【００７３】
図２２ａにおいて例示されている実施形態は、図６ｃにおいて例示されているデバイスと類似している。実施形態２２００においては、スペーサー２２３０は、アレイ２２２０インターフェロメトリックモジュレータと一体化されている。該例示されている実施形態においては、スペーサー２２３０は、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の柱２２２６の上方において形成されている。いくつかの実施形態においては、スペーサー２２３０を形成させるプロセスは、薄膜プロセスであり、例えば、上記において及び米国特許Ｎｏ．５，８３５，２５５において開示されているように、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２を形成するプロセスと統合されている。いくつかの実施形態においては、スペーサー材料は、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２製造プロセスにおいて犠牲材料（例示されていない）を取り除く前に機械層２２２４上に蒸着される。スペーサー２２３０は、当業において知られている方法を用いてパターンが形成されさらにスペーサー材料からエッチングされる。当業者は、該特定の方法は、使用された特定のスペーサー材料、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の製造において使用されたその他の材料、インターフェロメトリックモジュレータ２２２２の幾何形状、等を含む要因に依存することを理解することになる。
【００７４】
いくつかの実施形態においては、スペーサー２２３０の形成は、インターフェロメトリックモジュレータを形成させるためのプロセス流（例えば、米国特許Ｎｏ．５，８３５，２５５において開示されているプロセス、等）の中に組み入れられる。例えば、鏡の間に存在する空洞を占有している犠牲材料（図示されていない）を取り除く前に機械層２２２４上にスペーサー材料の１つの層（図示されていない）が蒸着される。次に、該スペーサー層がエッチングされて個々のスペーサー２２３０が形成される。いくつかの実施形態においては、該スペーサー層は、インターフェロメトリックモジュレータアレイ２２２０内の各空洞への気体の伝達を可能にする通路が形成されるようにパターンが形成されさらにエッチングされる。次に、該空洞は、該通路を通じて犠牲材料を取り除くことによって形成される。
【００７５】
いくつかの実施形態においては、一体化されたスペーサーは、簡単に圧縮されない優れた形状保持力を有する固体材料で製作される。いくつかの実施形態においては、該材料は、金属、酸化物、窒化物、フォトレジスト、その他の有機材料、スピンオンガラス、及びその組合せを具備するグループの中から選択される。いくつかの実施形態においては、該スペーサーは、電導性である。当業者は、バックプレートの内面上において一体化されたスペーサーを製作する際には同様のプロセスが役立つことを理解することになる。
【００７６】
図２２ｂにおいて例示されているように、いくつかの実施形態においては、アレイ２２２０'は、異なった高さを有するインターフェロメトリックモジュレータ２２２２'を具備する。該例示されている実施形態においては、第１のスペーサー２２３０'は、これらの高さの違いを補正し、それによって、上記において開示されているあらゆる型の第２のスペーサー２２６０'を支持する一様なプラットフォームを提供する。いくつかの実施形態においては、第２のスペーサー２２６０'は、該第１のスペーサーに固定される。その他の実施形態においては、第２のスペーサー２２６０'は、該第１のスペーサーに固定されない。図２２ｃに例示されている実施形態においては、第２のスペーサー２２６０''は、第１のスペーサー２２３０''を嵌合させるくぼみ２２３４''を具備する。
【００７７】
図２３は、実装された電子デバイスを製造するための方法を、図７ａ及び図７ｂにおいて例示されている構造を参照しつつ例示した流れ図である。ステップ２３１０においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２が形成されている基板７１０が得られる。いくつかの実施形態においては、インターフェロメトリックモジュレータ７２２は、インターフェロメトリックモジュレータ７２２のアレイ７２０の一部である。ステップ２２２０においては、バックプレート７５０が得られる。ステップ２２３０においては、１つ以上のスペーサー７３０がインターフェロメトリックモジュレータ７２２とバックプレート７５０との間に配置される。ステップ２２４０においては、シール７４０が基板７１０とバックプレート７５０との間に形成される。
【００７８】
いくつかの実施形態においては、該製造プロセスの産物は、複数のパッケージディスプレイを具備するパネルである。次に、個々のパッケージディスプレイが該パネルから切り取られる。該製造プロセスにおいては、上述されているように、複数のインターフェロメトリックモジュレータアレイが単一の基板（マザーガラス）上に形成される。また、該インターフェロメトリックモジュレータアレイに合わせて寸法と間隔が定められた複数の（一般的には、該インターフェロメトリックモジュレータアレイと同じ数の）バックプレートを具備するシートが得られる。上述されているように、該基板と該バックプレートとの間にスペーサーが配置される。上述されているように、各アレイとバックプレートとの間にシールが形成され、それによって、複数のインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するパネルが形成される。個々のパッケージディスプレイは、当業において知られているいずれかの方法（例えば、スクライビング、等）を用いて該パネルから切り取られる。
【００７９】
図２４は、電子デバイスを保護するための方法を、図７ａ及び図７ｂにおいて示されている構造を参照しつつ例示した流れ図である。ステップ２４１０においては、基板７１０上に形成されたインターフェロメトリックモジュレータ７２２及びバックプレート７５０を具備するデバイスが得られる。ステップ２４２０においては、１つ以上のスペーサーがインターフェロメトリックモジュレータ７２２とバックプレート７５０との間に配置される。
【００８０】
例１
６つの２５０ｍｍｘ３００ｍｍインターフェロメトリックモジュレータアレイが、６８０ｍｍｘ８８０ｍｍのガラス基板上において製作される。６つの凹所付きキャップを有するガラスのシート（厚さ７ｍｍ、大きさ２５２ｍｍｘ３０２ｍｍ、凹所０．３ｍｍ）が清浄化されて乾燥される。薄いＣａＯ乾燥剤膜（High Cap 2800、Cookson、London、UK）が該凹所に塗布され、完全に硬化されて調製される。イソプロパノル内において懸濁させた直径１０μｍのポリスチレン製ロッドスペーサー（積水化学株式会社、日本国大阪）の懸濁液（体積比１％）がバックプレート上に均一に吹き付けられ、表面上においてスペーサーによる２％の被覆が提供される。凹所間のシール部は、マスキングされない。該イソプロパノルは、１００℃で５秒間加熱することによって除去される。玉状のＵＶ硬化用エポキシ（H5516、Nagase、日本国東京）が、凹所付きキャップバックプレートの周縁部に塗布され、基板上において該ガラスシートが整合される。該シートに圧力が加えられ、平均１５μｍの厚さを有するエポキシ層が提供される。該エポキシは、６０００ｍＪ／ｃｍ２３５０ｎｍで（約２分間）照射し、その後に、８０℃で３０分間ベーキングする。結果的に得られたパネルから６つのインターフェロメトリックモジュレータパッケージが切り取られる。
【００８１】
図２５ａ及び２５ｂは、ディスプレイデバイス２０４０の１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。ディスプレイデバイス２０４０は、例えば携帯電話であることができる。しかしながら、ディスプレイデバイス２０４０の同じ構成要素又はわずかに変形させた構成要素は、テレビ及び携帯式メディアプレーヤー等の様々な型のディスプレイデバイスも可能であることを例示するものである。
【００８２】
ディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１、ディスプレイ２０３０、アンテナ２０４３、スピーカー２０４５、入力デバイス２０４８、及びマイク２０４６を含む。ハウジング２０４１は、一般的には、当業者によく知られている様々な製造プロセス（例えば、射出成形、及び真空成形、等）のうちのいずれかの製造プロセスによって成形される。さらに、ハウジング２０４１は、様々な材料（例えば、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、セラミック、又はその組合せを含むが、これらの材料に限定するものではない）によって製造することができる。１つの実施形態においては、ハウジング２０４１は、異なった色を有するか又は異なったロゴ、絵、又は記号を有するその他の取り外し可能な部分と互換可能である取り外し可能な部分（図示されていない）を含む。
【００８３】
典型的ディスプレイデバイス２０４０のディスプレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているように、双安定表示ディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかのディスプレイであることができる。その他の実施形態においては、ディスプレイ２０３０は、当業者によく知られている上述のフラットパネルディスプレイ（例えば、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、又はＴＦＴ ＬＣＤ、等）、又は非フラットパネルディスプレイ（例えば、ＣＲＴ又はその他の管デバイス）を含む。しかしながら、本実施形態について説明する目的上、ディスプレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているインターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含む。
【００８４】
典型的ディスプレイデバイス２０４０の１つの実施形態の構成要素が図２５ｂにおいて概略的に例示されている。例示されている典型的ディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１を含み、さらに、その中に少なくとも部分的に内蔵されているさらなる構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施形態においては、典型的ディスプレイデバイス２０４０は、トランシーバ２０４７に結合されたアンテナ２０４３を含むネットワークインタフェース２０２７を含んでいる。トランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１に接続されており、プロセッサ２０２１は、コンディショニングハードウェア２０５２に接続されている。コンディショニングハードウェア２０５２は、信号のコンディショニング（例えば、信号のフィルタリング、等）を行うように構成することができる。コンディショニングハードウェア２０５２は、スピーカー２０４５及びマイク２０４６に接続されている。プロセッサ２０２１は、入力デバイス２０４８及びドライバコントローラ２０２９にも接続されている。ドライバコントローラ２０２９は、フレームバッファ２０２８及びアレイドライバ２０２２に結合されており、アレイドライバ２０２２は、ディスプレイアレイ２０３０に結合されている。電源２０５０は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の特定の設計上の必要に応じて全構成要素に電力を供給する。
【００８５】
ネットワークインタフェース２０２７は、典型的ディスプレイデバイス２０４０がネットワーク上の１つ以上のデバイスと通信できるようにするために、アンテナ２０４３及びトランシーバ２０４７を含む。１つの実施形態においては、ネットワークインタフェース２０２７は、プロセッサ２０２１に対する要求を緩和するためのいくつかの処理能力を有することもできる。アンテナ２０４３は、当業者によく知られているいずれかの信号送受信用アンテナである。１つの実施形態においては、該アンテナは、ＩＥＥＥ ８０２．１１規格（ＩＥＥＥ ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、又は（ｇ）を含む）に準拠してＲＦ信号を送受信する。もう１つの実施形態においては、該アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）規格に準拠してＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合は、該アンテナは、無線携帯電話ネットワーク内において通信するために使用されるＣＤＭＡ信号、ＧＳＭ信号、ＡＭＰＳ信号、又はその他の既知の信号を受信するように設計されている。トランシーバ２０４７は、アンテナ２０４３から受信した信号をプロセッサ２０２１が受け取ってさらなる処理を行うことができるようにこれらの受信信号を前処理する。さらに、トランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１から受け取った信号をアンテナ２０４３を通じて典型的ディスプレイデバイス２０４０から送信できるようにするための処理も行う。
【００８６】
代替実施形態においては、トランシーバ２０４７は、受信機に代えることができる。さらにもう１つの代替実施形態においては、ネットワークインタフェース２０２７は、プロセッサ２０２１に伝送される画像データを保存又は生成することができる画像ソースに代えることができる。例えば、該画像ソースは、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、画像データを内蔵するハードディスクドライブ、又は画像データを生成するソフトウェアモジュールにすることができる。
【００８７】
プロセッサ２０２１は、一般的には、典型的ディスプレイデバイス２０４０の全体的な動作を制御する。プロセッサ２０２１は、データ（圧縮画像データ、等）をネットワークインタフェース２０２７又は画像ソースから受け取り、該データを処理して生画像データにするか、又は、簡単に処理して生画像データにすることができるフォーマットにする。次に、プロセッサ２０２１は、処理したデータをドライバコントローラ２０２９に送るか又はフレームバッファ２０２８に送って保存する。生データとは、一般的には、１つの画像内の各記憶場所における画像の特徴を識別する情報である。例えば、画像に関するこれらの特徴は、色、飽和、及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００８８】
１つの実施形態においては、プロセッサ２０２１は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、又は論理装置を含む。コンディショニングハードウェア２０５２は、一般的には、スピーカー２０４５に信号を送信するための及びマイク２０４６から信号を受信するための増幅器及びフィルタを含む。コンディショニングハードウェア２０５２は、典型的ディスプレイデバイス２０４０内の個別構成要素にすること、又は、プロセッサ２０２１又はその他の構成要素の中に組み入れることができる。
【００８９】
ドライバコントローラ２０２９は、プロセッサ２０２１によって生成された生の画像データを、プロセッサ２０２１から直接受け取るか又はフレームバッファ２０２８から受け取り、アレイドライバ２０２２に高速伝送するのに適した再フォーマット化を該生画像データに対して行う。具体的には、ドライバコントローラ２０２９は、生画像データを再フォーマット化し、ラスターに似たフォーマットを有するデータ流にする。このため、該データ流は、ディスプレイアレイ２０３０全体を走査するのに適した時間的順序を有している。次に、ドライバコントローラ２０２９は、フォーマット化された情報をアレイドライバ２０２２に送る。ドライバコントローラ２０２９（例えば、ＬＣＤコントローラ、等）は、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２０２１と関係していることがしばしばあるが、これらのコントローラは、数多くの方法で実装することができる。例えば、これらのコントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２０２１内に埋め込むこと、ソフトウェアとしてプロセッサ２０２１内に埋め込むこと、又は、アレイドライバ２０２２とともにハードウェア内に完全に組み込むことができる。
【００９０】
一般的には、アレイドライバ２０２２は、フォーマット化された情報をドライバコントローラ２０２９から受け取り、映像データを再フォーマット化して平行する一組の波形にする。これらの波形は、ディスプレイのｘ−ｙ画素行列から来る何百ものそして時には何千ものリード線に対して１秒間に何回も加えられる。
１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９、アレイドライバ２０２２、及びディスプレイアレイ２０３０は、本出願明細書において説明されているあらゆる型のディスプレイに関して適している。例えば、１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９は、従来のディスプレイコントローラ又は双安定表示ディスプレイコントローラ（例えば、インターフェロメトリックモジュレータコントローラ、等）である。もう１つの実施形態においては、アレイドライバ２０２２は、従来のドライバ又は双安定表示ディスプレイドライバ（インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ、等）である。１つの実施形態においては、ドライバコントローラ２０２９は、アレイドライバ２０２２と一体化されている。該１つの実施形態は、携帯電話、腕時計、及びその他の小型ディスプレイ等のような高度に一体化されたシステムにおいて共通する実施形態である。さらに別の実施形態においては、ディスプレイアレイ２０３０は、典型的なディスプレイアレイ又は双安定表示ディスプレイアレイ（インターフェロメトリックモジュレータアレイを含むディスプレイ、等）である。
【００９１】
入力デバイス２０４８は、ユーザーが典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するのを可能にするデバイスである。１つの実施形態においては、入力デバイス２０４８は、キーパッド（ＱＷＥＲＴＹキーボード又は電話のキーパッド、等）、ボタン、スイッチ、タッチ画面、感圧膜、感熱膜、等を含む。１つの実施形態においては、マイク２０４６は、典型的ディスプレイデバイス２０４０の入力デバイスである。データをデバイスに入力するためにマイク２０４６を使用時には、ユーザーは、典型的ディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するための音声コマンドを使用することができる。
【００９２】
電源２０５０は、当業界においてよく知られている様々なエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、１つの実施形態においては、電源２０５０は、充電可能な電池（例えば、ニッカド電池又はリチウムイオン電池、等）である。もう１つの実施形態においては、電源２０５０は、再生可能なエネルギー源、コンデンサ、又は太陽電池（例えば、プラスチック太陽電池、太陽電池塗料、等）である。別の実施形態においては、電源２０５０は、コンセントから電力を受け取るように構成されている。
【００９３】
いくつかの実装においては、制御プログラマビリティは、上述されているように、電子ディスプレイシステム内の数カ所に配置することができるドライバコントローラ内に常駐する。いくつかの事例においては、制御プログラマビリティは、アレイドライバ２０２２内に常駐する。当業者は、上述した最適化はあらゆる数のハードウェア及び／又はソフトウエアコンポーネントにおいて及び様々なコンフィギュレーションで実装できることを認識することになる。
【００９４】
上記において例示及び説明されている実施形態は、例を示すことのみを目的として提供されている。当業者は、本出願明細書において示されている教義の精神及び適用範囲から逸脱せずに、本出願明細書において提示されている実施形態に対して様々な変更及び修正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態の一部分を描いた等大図であり、第１のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が解放位置にあり、第２のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が作動位置にある。
【図２】３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を例示したシステムブロック図である。
【図３】図１のインターフェロメトリックモジュレータの１つの典型的実施形態に関する移動可能な鏡の位置及び印加電圧の関係を示した概略図である。
【図４】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用される一組のロー電圧及びコラム電圧を例示した図である。
【図５ａ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ内における１つの典型的なフレームの表示データを例示した図である。
【図５ｂ】図５ａのフレームを書くために使用することができるロー信号及びコラム信号に関する１つの典型的なタイミング図である。
【図６ａ】図１のデバイスの横断面である。
【図６ｂ】インターフェロメトリックモジュレータの代替実施形態の横断面である。
【図６ｃ】インターフェロメトリックモジュレータの代替実施形態の横断面である。
【図７ａ】スペーサーを具備するディスプレイパッケージの実施形態の分解図及び横断面図である（その１）。
【図７ｂ】スペーサーを具備するディスプレイパッケージの実施形態の分解図及び横断面図である（その２）。
【図７ｃ】凹所付きキャップを具備するディスプレイパッケージの実施形態を例示した図である。
【図７ｄ】湾曲したバックプレートを具備するディスプレイパッケージの実施形態を例示した図である。
【図８ａ】凹所付きキャップの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｂ】補強リブを具備するバックプレートの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｃ】補強リブを具備する凹所付きキャップの実施形態の横断面を例示した図である。
【図８ｄ】乾燥剤が配置される空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である（その１）。
【図８ｅ】乾燥剤が配置される空洞を具備するバックプレートの横断面を例示した図である（その２）。
【図９】２つのインターフェロメトリックモジュレータアレイを具備するダブルアレイデバイスの横断面を例示した図である。
【図１０】乾燥剤を具備するディスプレイパッケージの実施形態の横断面を例示した図である。
【図１１ａ】スペーサーが実質的に規則的なパターンで配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｂ】スペーサーが不規則なパターンで配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｃ】スペーサーがアレイ中央部の周囲に配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｄ】アレイ中央部の周囲におけるスペーサー密度がより高く、アレイ周縁部におけるスペーサー密度がより低いデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１１ｅ】３つの同心円スペーサー帯を具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１２ａ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１）。
【図１２ｂ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その２）。
【図１２ｃ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その３）。
【図１２ｄ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その４）。
【図１２ｅ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その５）。
【図１２ｆ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その６）。
【図１２ｇ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その７）。
【図１２ｈ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その８）。
【図１２ｉ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その９）。
【図１２ｊ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１０）。
【図１２ｋ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１１）。
【図１２ｌ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１２）。
【図１２ｍ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１３）。
【図１２ｎ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１４）。
【図１２ｏ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１５）。
【図１２ｐ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１６）。
【図１２ｑ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１７）。
【図１２ｒ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１８）。
【図１２ｓ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その１９）。
【図１２ｔ】スペーサーの実施形態を例示した図である（その２０）。
【図１３ａ】アレイ内の少なくとも２つの柱にわたっているスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１３ｂ】アレイ内の少なくとも２つの柱にわたっているディスク形スペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１４】アレイ内の１つのインターフェロメトリックモジュレータ素子と少なくとも同じ大きさのスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ａ】柱の上方かつ実質的に中心に配置されたスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ｂ】各スペーサーの一部分が柱の上方に配置されているデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１５ｃ】いずれのスペーサーのいずれの部分も柱の上方に配置されていないデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１６】異なった大きさのスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ａ】メッシュスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｂ】周縁部よりも中央部のほうが密度が高いメッシュスペーサーを具備するデバイスの実施形態を上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｃ】一体化された長方形スペーサーを上から見た状態を例示した図である。
【図１７ｄ】一体化された対角スペーサーを上から見た状態を例示した図である。
【図１８ａ】膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１８ｂ】平面でない横断面を有する膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１８ｃ】袋の形を有する膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図１９】複数の膜スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２０ａ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その１）。
【図２０ｂ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その２）。
【図２０ｃ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その３）。
【図２０ｄ】三角形の横断面を有するスペーサーの実施形態が加えられた力に反応時の横断面を例示した図である（その４）。
【図２０ｅ】より厚い上部分及びより薄い下部分を有するスペーサーの実施形態を例示した図である。
【図２０ｆ】加えられた力に対して異なった反応をする２つの領域を有するスペーサーの実施形態の横断面を例示した図である。
【図２１ａ】スペーサーがアレイとバックプレートの間にわたっているデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２１ｂ】スペーサーがアレイに接触しているがバックプレートには接触していないデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２１ｃ】スペーサーがバックプレートに接触しているがアレイには接触していないデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ａ】インターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ｂ】異なった高さを有するインターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサー及び該一体化スペーサー上に配置された第２のスペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２２ｃ】インターフェロメトリックモジュレータの柱の上方において形成された一体化スペーサー及び該一体化スペーサーを嵌合させる第２のスペーサーを具備するデバイスの実施形態の横断面図である。
【図２３】物理的損傷に抗する実装電子デバイスを製造するための方法の実施形態を例示した流れ図である。
【図２４】電子デバイスを物理的損傷から保護するための方法の実施形態を例示した流れ図である。
【図２５ａ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを具備するビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示したシステムブロック図である（その１）。
【図２５ｂ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを具備するビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示したシステムブロック図である（その２）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイデバイスであって、
基板上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイと、
バックプレートと、
前記基板と前記バックプレートとの間に配置されたシールであって、前記基板及び前記バックプレートをいっしょに密封して前記インターフェロメトリックモジュレータアレイを実装するシールと、
前記アレイと前記バックプレートとの間に配置された１つ以上のスペーサーであって、前記バックプレートが前記アレイに接触するのを防止する１つ以上のスペーサーと、を具備するディスプレイデバイス。
【請求項２】
前記基板は、少なくとも部分的に透明及び／又は半透明であって、前記インターフェロメトリックモジュレータは、前記基板の前記透明及び／又は半透明部分を通じて光を反射させるように構成されている、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３】
前記バックプレートは、凹所付きキャップを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４】
前記バックプレートは、ガラスのバックプレートを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項５】
前記バックプレートは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項６】
前記シールは、密閉性シールを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項７】
前記シールは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項８】
前記１つ以上のスペーサーは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項９】
前記１つ以上のスペーサーは、規則的に間隔があけられている、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１０】
前記１つ以上のスペーサーは、不規則な間隔で配置されている請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１１】
前記インターフェロメトリックモジュレータと電気的に通じているプロセッサであって、画像データを処理するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通じているメモリデバイスと、を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１２】
少なくとも１つの信号を前記インターフェロメトリックモジュレータに送るように構成されたドライバ回路をさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１３】
前記画像データのうちの少なくとも一部分を前記ドライバ回路に伝送するように構成されたコントローラをさらに具備する、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１４】
前記画像データを前記プロセッサに伝送するように構成された画像ソースモジュールをさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１５】
前記画像ソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを具備する、請求項１４に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１６】
入力データを受け取りさらに前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成された入力デバイスをさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１７】
ディスプレイデバイスを製造する方法であって、
インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上に提供することと、
１つ以上のスペーサーを前記基板上に配置することと、
前記基板上にバックプレートを密封してディスプレイデバイスを形成させることであって、前記１つ以上のスペーサーは、前記バックプレートが前記アレイに接触するのを防止すること、とを具備する方法。
【請求項１８】
前記基板は、少なくとも部分的に透明及び／又は半透明であって、前記インターフェロメトリックモジュレータは、前記基板の前記透明及び／又は半透明部分を通じて光を反射させるように構成されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記バックプレートは、凹所付きキャップを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記バックプレートは、ガラスのバックプレートを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記バックプレートは、乾燥剤を具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板上にバックプレートを密封することは、密閉性シールを形成させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記スペーサーのうちの少なくとも１つは、乾燥剤を具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記１つ以上のスペーサーは、複数の規則的な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記１つ以上のスペーサーは、複数の不規則な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１７に記載の方法によって製造されたディスプレイデバイス。
【請求項２７】
ディスプレイデバイスであって、
光が自己の内部を透過するようにするための透過性手段と、
前記透過性手段内を透過した光を変調するための変調手段と、
前記変調手段を被覆するための被覆手段と、
パッケージを形成させるために前記透過性手段と前記被覆手段との間に配置された密封手段と、
前記変調手段及び被覆手段が前記ディスプレイデバイス内において互いに接触するのを防止するための間隔保持手段と、を具備するディスプレイデバイス。
【請求項２８】
前記透過性手段は、透明な基板を具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項２９】
前記変調手段は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３０】
前記被覆手段は、バックプレートを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３１】
前記密封手段は、接着シールを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３２】
前記間隔保持手段は、前記透過性手段上または前記被覆手段上において製作されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３３】
前記被覆手段は、凹所付きキャップを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３４】
前記被覆手段は、乾燥剤を具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３５】
前記密封手段は、複数の均一な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３６】
前記密封手段は、複数の不規則な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１】
ディスプレイデバイスであって、
基板上において形成されたインターフェロメトリックモジュレータアレイと、
バックプレートと、
前記基板と前記バックプレートとの間に配置されたシールであって、前記基板及び前記バックプレートをいっしょに密封して前記インターフェロメトリックモジュレータアレイを実装するシールと、
前記アレイと前記バックプレートとの間に配置された１つ以上のスペーサーであって、前記バックプレートが前記アレイに接触するのを防止する１つ以上のスペーサーと、を具備するディスプレイデバイス。
【請求項２】
前記基板は、少なくとも部分的に透明及び／又は半透明であって、前記インターフェロメトリックモジュレータは、前記基板の前記透明及び／又は半透明部分を通じて光を反射させるように構成されている、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３】
前記バックプレートは、凹所付きキャップを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４】
前記バックプレートは、ガラスのバックプレートを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項５】
前記バックプレートは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項６】
前記シールは、密閉性シールを具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項７】
前記シールは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項８】
前記１つ以上のスペーサーは、乾燥剤を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項９】
前記１つ以上のスペーサーは、規則的に間隔があけられている、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１０】
前記１つ以上のスペーサーは、不規則な間隔で配置されている請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１１】
前記インターフェロメトリックモジュレータと電気的に通じているプロセッサであって、画像データを処理するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通じているメモリデバイスと、を具備する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１２】
少なくとも１つの信号を前記インターフェロメトリックモジュレータに送るように構成されたドライバ回路をさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１３】
前記画像データのうちの少なくとも一部分を前記ドライバ回路に伝送するように構成されたコントローラをさらに具備する、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１４】
前記画像データを前記プロセッサに伝送するように構成された画像ソースモジュールをさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１５】
前記画像ソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを具備する、請求項１４に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１６】
入力データを受け取りさらに前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成された入力デバイスをさらに具備する、請求項１１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１７】
ディスプレイデバイスを製造する方法であって、
インターフェロメトリックモジュレータアレイを基板上に提供することと、
１つ以上のスペーサーを前記基板上に配置することと、
前記基板上にバックプレートを密封してディスプレイデバイスを形成させることであって、前記１つ以上のスペーサーは、前記バックプレートが前記アレイに接触するのを防止すること、とを具備する方法。
【請求項１８】
前記基板は、少なくとも部分的に透明及び／又は半透明であって、前記インターフェロメトリックモジュレータは、前記基板の前記透明及び／又は半透明部分を通じて光を反射させるように構成されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記バックプレートは、凹所付きキャップを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記バックプレートは、ガラスのバックプレートを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記バックプレートは、乾燥剤を具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板上にバックプレートを密封することは、密閉性シールを形成させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記スペーサーのうちの少なくとも１つは、乾燥剤を具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記１つ以上のスペーサーは、複数の規則的な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記１つ以上のスペーサーは、複数の不規則な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１７に記載の方法によって製造されたディスプレイデバイス。
【請求項２７】
ディスプレイデバイスであって、
光が自己の内部を透過するようにするための透過性手段と、
前記透過性手段内を透過した光を変調するための変調手段と、
前記変調手段を被覆するための被覆手段と、
パッケージを形成させるために前記透過性手段と前記被覆手段との間に配置された密封手段と、
前記変調手段及び被覆手段が前記ディスプレイデバイス内において互いに接触するのを防止するための間隔保持手段と、を具備するディスプレイデバイス。
【請求項２８】
前記透過性手段は、透明な基板を具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項２９】
前記変調手段は、インターフェロメトリックモジュレータアレイを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３０】
前記被覆手段は、バックプレートを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３１】
前記密封手段は、接着シールを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３２】
前記間隔保持手段は、前記透過性手段上または前記被覆手段上において製作されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３３】
前記被覆手段は、凹所付きキャップを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３４】
前記被覆手段は、乾燥剤を具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３５】
前記密封手段は、複数の均一な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３６】
前記密封手段は、複数の不規則な間隔で配置されたスペーサーを具備する、請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図６ｃ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図７ｄ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図８ｅ】
【図９】
【図１０】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１１ｃ】
【図１１ｄ】
【図１１ｅ】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１２ｃ】
【図１２ｄ】
【図１２ｅ】
【図１２ｆ】
【図１２ｇ】
【図１２ｈ】
【図１２ｉ】
【図１２ｊ】
【図１２ｋ】
【図１２ｌ】
【図１２ｍ】
【図１２ｎ】
【図１２ｏ】
【図１２ｐ】
【図１２ｑ】
【図１２ｒ】
【図１２ｓ】
【図１２ｔ】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１４】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１５ｃ】
【図１６】
【図１７ａ】
【図１７ｂ】
【図１７ｃ】
【図１７ｄ】
【図１８ａ】
【図１８ｂ】
【図１８ｃ】
【図１９】
【図２０ａ】
【図２０ｂ】
【図２０ｃ】
【図２０ｄ】
【図２０ｅ】
【図２０ｆ】
【図２１ａ】
【図２１ｂ】
【図２１ｃ】
【図２２ａ】
【図２２ｂ】
【図２２ｃ】
【図２３】
【図２４】
【図２５ａ】
【図２５ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図６ｃ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図７ｃ】
【図７ｄ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図８ｅ】
【図９】
【図１０】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１１ｃ】
【図１１ｄ】
【図１１ｅ】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１２ｃ】
【図１２ｄ】
【図１２ｅ】
【図１２ｆ】
【図１２ｇ】
【図１２ｈ】
【図１２ｉ】
【図１２ｊ】
【図１２ｋ】
【図１２ｌ】
【図１２ｍ】
【図１２ｎ】
【図１２ｏ】
【図１２ｐ】
【図１２ｑ】
【図１２ｒ】
【図１２ｓ】
【図１２ｔ】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１４】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１５ｃ】
【図１６】
【図１７ａ】
【図１７ｂ】
【図１７ｃ】
【図１７ｄ】
【図１８ａ】
【図１８ｂ】
【図１８ｃ】
【図１９】
【図２０ａ】
【図２０ｂ】
【図２０ｃ】
【図２０ｄ】
【図２０ｅ】
【図２０ｆ】
【図２１ａ】
【図２１ｂ】
【図２１ｃ】
【図２２ａ】
【図２２ｂ】
【図２２ｃ】
【図２３】
【図２４】
【図２５ａ】
【図２５ｂ】
【公開番号】特開２００６−１４６１６９（Ｐ２００６−１４６１６９Ａ）
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００５−２７６４４２（Ｐ２００５−２７６４４２）
【出願日】平成１７年９月２２日（２００５．９．２２）
【出願人】（５０５２５８４７２）アイディーシー、エルエルシー (122)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２７６４４２（Ｐ２００５−２７６４４２）
【出願日】平成１７年９月２２日（２００５．９．２２）
【出願人】（５０５２５８４７２）アイディーシー、エルエルシー (122)
【Ｆターム（参考）】
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