説明

ヒートシールフィルム

【課題】 剥離強度のバラツキが小さいヒートシールフィルムを提供する。
【解決手段】 (a)数平均分子量Mnが14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロックの数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満であることを特徴とする、スチレン系炭化水素50〜95質量%と共役ジエン系炭化水素5〜50質量%とのブロック共重合体5〜50質量%、(b)エチレン-αオレフィン共重合体5〜50質量%、(c)スチレン系炭化水素10〜50質量%と共役ジエン系炭化水素90〜50質量%とのブロック共重合体5〜70質量%からなる樹脂組成物をシーラント層とするヒートシールフィルム。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は包装容器に用いられるヒートシールフィルムに関する。
【背景技術】
【0002】
プラスチック、紙などの容器を密封するヒートシールフィルムは、例えばキャリアテープに代表される電子部品の包装をはじめ多様な分野で用いられている。ヒートシールフィルムをキャリアテープのカバーテープに用いる場合、蓋材となるヒートシールフィルムに求められる重要な性能として、輸送、保管中に容易に剥がれないこと、実装時に内容物を取り出す際に容易に剥がれ、且つカバーテープが切れないことが挙げられる。
カバーテープは通常数百ミリ以上の幅を有するフィルム原反1本から、スリッターにより要求に応じた幅にスリットして使用されるが、この時原反の幅方向で剥離強度にバラツキがあると、例えば最も剥離強度が低いスリット品を使用してシール条件を調整した場合、同条件にて最も剥離強度が高いスリット品をシールすると剥離強度が高くなりすぎるため、実装時カバーテープを剥がした際にカバーテープが切れて内容物が取り出せなくなる場合がある。逆の場合、剥離強度が低すぎるため、保管や輸送中にカバーテープが剥がれて内容物が容器からこぼれてしまう場合がある。カバーテープ用の原反フィルムにはどの位置で使用しても剥離強度が安定していることが望まれている。特許文献1〜3には、ヒートシールフィルムをカバーテープに用いた場合の易開封性や透明性に関して記載されているが、この剥離強度の安定化に関しては記載されていない。
【特許文献1】特表2003−508253号公報
【特許文献2】特開2002−179183号公報
【特許文献3】特開2004−244115号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は、剥離強度のバラツキが小さいヒートシールフィルムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。
(1)(a)数平均分子量Mnが14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロックの数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満であることを特徴とする、スチレン系炭化水素50〜95質量%と共役ジエン系炭化水素5〜50質量%とのブロック共重合体5〜50質量%、
(b)エチレン-αオレフィン共重合体5〜50質量%、
(c)スチレン系炭化水素10〜50質量%と共役ジエン系炭化水素90〜50質量%とのブロック共重合体5〜70質量%
からなる樹脂組成物をシーラント層とするヒートシールフィルム。
(2)(a)数平均分子量Mnが14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロックの数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満であることを特徴とする、スチレン系炭化水素50〜95質量%と共役ジエン系炭化水素5〜50質量%とのブロック共重合体5〜50質量%、
(b)エチレン-αオレフィン共重合体5〜50質量%、
(c)スチレン系炭化水素10〜50質量%と共役ジエン系炭化水素90〜50質量%とのブロック共重合体5〜70質量%
からなる樹脂組成物をシーラント層として用いたヒートシールフィルムの製造方法。
(3)上記(1)の(a)〜(c)の樹脂組成物50〜99質量%と耐衝撃性ポリスチレン1〜50質量%をシーラント層とするヒートシールフィルム。
(4)上記(1)の(a)〜(c)の樹脂組成物50〜99質量%と耐衝撃性ポリスチレン1〜50質量%をシーラント層として用いたヒートシールフィルムの製造方法。
(5)層構成が少なくとも4層で最外層/二軸延伸ポリエチレンテレフタレート層、第2層/ポリエチレン樹脂層、第3層/ポリオレフィン系樹脂層、第4層/シーラント層であることを特徴とする上記(1)又は(3)記載のヒートシールフィルム。
(6)上記(5)記載のヒートシールフィルムの製造方法。
(7)上記(5)記載のヒートシールフィルムにおいて、第3層のポリオレフィン系樹脂層と第4層のシーラント層を共押出法により製造することを特徴とするヒートシールフィルムの製造方法。
(8)上記(1)、(3)、(5)の何れか一項記載のヒートシールフィルムにおいて、少なくとも片側に帯電防止処理がなされていることを特徴とするヒートシールフィルム。
(9)上記(1)、(3)、(5)、(8)の何れか一項記載のヒートシールフィルムからなる半導体・電子部品キャリアテープ用カバーテープ。
(10)上記(1)、(3)、(5)、(8)の何れか一項記載のヒートシールフィルムを用いた半導体・電子部品容器。
【発明の効果】
【0005】
本発明によれば、剥離強度のバラツキが小さいヒートシールフィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0006】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で用いるスチレン系炭化水素とは例えばスチレン、α-メチルスチレン、各種アルキル置換スチレンなどがある。なかでもスチレンを好適に用いることができる。共役ジエン系炭化水素とは例えばイソプレン、ブタジエンなどがある。なかでもブタジエンを好適に用いることができる。ブロック共重合体には、スチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素のブロック共重合体の共役ジエン系炭化水素に由来する不飽和結合部に水素が添加したものも含まれる。これらのブロック共重合体のうち、(a)及び(c)としてそれぞれ1種用いることができるが、2種類以上を併用することもできる。
【0007】
エチレン-αオレフィン共重合体におけるαオレフィンとは、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセンなどが挙げられる。好ましくはエチレン成分とαオレフィン成分が無秩序に配列した構造であるランダム共重合体である。
【0008】
耐衝撃性ポリスチレンとしては、スチレン系炭化水素重合体のマトリックス中に共役ジエン系炭化水素重合体からなる軟質成分粒子が分散して存在しているものを好適に用いる事が出来る。
【0009】
(a)のスチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素とのブロック共重合体は、クロロホルム可溶分の数平均分子量が14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロック成分の数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満である。好ましくは前者が14〜16万g/molであり、後者が2〜4万g/molである。
【0010】
エチレン−αオレフィン共重合体及び耐衝撃性ポリスチレンとしては市販のものを用いることができる。
【0011】
(a)〜(c)の樹脂組成物の配合は、(a)5〜50質量%、(b)5〜50質量%、(c)5〜70質量%である。好ましくは、(a)30〜45質量%、(b)20〜40質量%、(c)10〜25質量%である。また、(a)〜(c)の樹脂組成物と樹脂(d)の配合は、(a)〜(c)の樹脂組成物50〜99質量%と(d)1〜50質量%である。好ましくは、前者が70〜90質量%であり、後者が10〜30質量%である。(a)は5質量%未満であるとフィルム化が困難となる場合があり、50質量%を超えると剥離強度の温度依存性が顕著となり易開封性が損なわれる傾向にある。(b)は5質量%未満であると十分な剥離強度が得られない場合があり、50質量%を超えると成膜時のロールへの粘着性が大きくフィルム化が困難となる場合がある。(c)が5質量%未満であると易開封性を付与するために必要なシール条件が得にくくなり、70質量%を超えるとフィルム化が困難になることがある。(d)においては50質量%を超えるとフィルムの透明性が低下していく傾向にある。
【0012】
ヒートシールフィルムは層構成が少なくとも4層で二軸延伸ポリエチレンテレフタレート層を最外層とし、これに接する第2層としてポリエチレン樹脂層、第2層に接する第3層としてポリオレフィン系樹脂層、第3層に接する第4層として上述したシーラント層という構成において好適に用いることができる。
【0013】
二軸延伸ポリエチレンテレフタレート層に用いられる二軸延伸ポリエチレンテレフタレートとしては、通常用いられているものの他に帯電防止剤が塗布または練り込まれたもの、制電防止処理およびコロナ処理等を施したものも用いることができる。
【0014】
ポリエチレン樹脂層には低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン等を用いることができ、これらを単独或いは複数を併用することもできる。またエチレン−1−ブテンやエチレンとカルボン酸基を有するビニル基の共重合体、例えばエチレン−アクリル酸エステルやエチレン−酢酸ビニル共重合体等やさらに酸無水物との3元共重合体等とブレンドし用いることもできる。その中でも、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレンを好適に用いることができる。
【0015】
最外層と第2層の接着力をより強くするために一般的に用いられている各種アンカーコート剤や表面処理技術を用いることができる。アンカーコート剤としては、特に二軸延伸ポリエチレンテレフタレートとポリエチレン樹脂との接着を強固にするために2液硬化型イソシアネート系のアンカーコート剤を用いることができる。また、アンカーコート剤と二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムとの接着をより強固なものとするために二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム側にコロナ処理、ポリエチレン樹脂側にオゾン処理を施すこともできる。
【0016】
ポリオレフィン系樹脂層に用いられるポリオレフィン樹脂としては、例えばエチレン−1−ブテン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−マレイン酸共重合体、スチレン−エチレングラフト共重合体、スチレン−プロピレングラフト共重合体、スチレン−エチレン−ブタジエンのブロック共重合体、プロピレン重合体、エチレン重合体等およびこれらのブレンド物があげられる。
その中でも、エチレン−1−ブテン共重合体とエチレン重合体のブレンド物を好適に用いることができる。
【0017】
本発明の積層フィルムの製造方法としては、押出コーティング法、押出ラミネート法等の一般的な手法を用いる事ができ、中でも押出ラミネート法が好ましい。 第3層のポリオレフィン系樹脂層と第4層のシーラント層を共押出法により2層フィルムとして製膜して得ることができ、中でもT−ダイ法により2層フィルムを得る方法が好ましい。なお、得られた2層フィルムは溶融した第2層であるポリエチレン樹脂層を介して二軸延伸ポリエチレンテレフタレート層と積層して、ヒートシールフィルムとすることができる。
【0018】
本発明で得られたヒートシールフィルムはその基材面及びシーラントフィルム面の少なくとも片側に帯電防止処理を行うことができる。帯電防止処理は帯電防止剤としては界面活性剤系帯電防止剤、高分子型帯電防止剤や導電剤などを、グラビアロール等を用いたロールコーターやスプレー等で塗布することができる。
【0019】
本発明で得られたヒートシールフィルムは、電子部品の保管、輸送、装着に用いられる電子部品キャリアテープ用カバーテープや電子部品搬送容器に使用することができる。
【実施例】
【0020】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
(実施例1〜5)
シーラント層の樹脂組成物として、表1に示す(a)1〜(a)5のスチレン−ブタジエンブロック共重合体樹脂(スチレン含量80質量%、ブタジエン含量20質量%)42.5質量部と、(b)エチレン−ブテン−1ランダム共重合体(商品名タフマーA−4085、三井化学社製)25質量部と、(c)スチレン−ブタジエンブロック共重合体(スチレン含量40質量%、ブタジエン含量60質量%、商品名STR1602、JSR社製)22.5質量部と、(d)耐衝撃性ポリスチレン樹脂(商品名トーヨースチロールH870、東洋スチレン社製)10質量部を各々ハンドブレンドし、40mm押出機にてコンパウンド化し樹脂組成物を得た。この樹脂組成物とポリオレフィン系樹脂として低密度ポリエチレンをT−ダイ法による共押出法により2層フィルム(総厚33μm)を得た。この2層フィルムを押出ラミネート法によりポリエチレン樹脂(厚み13μm)を介して、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み16μm)と積層させてそれぞれ880mm幅のヒートシールフィルムを得た。
【0021】
スチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素のブロック共重合体(a)の分子量の測定方法にはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いた。測定条件を下記に示す。
測定条件
溶媒(移動相):THF
流速:0.2ml/min
設定温度:40℃
カラム構成:昭和電工製KF−G 4.6mmID×10cm 1本、及び昭和電工製KF−404HQ 4.6mmID×25cm(理論段数25000段)4本、計5本(全体として理論段数100000段
サンプル注入量:10μl(試料液濃度3mg/ml)
送液圧力:127kg/cm
検出器:RI検出器
スチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素のブロック共重合体(a)中にブロック状ホモ重合セグメントとして存在しているスチレン系炭化水素の分子量の測定方法は下記の方法で行った。
スチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素のブロック共重合体(a)のサンプルを0.1g取り、クロロホルム20ccに溶解した後、t−BuOOH70%水溶液、OsO1%クロロホルム溶液、蒸留水を加え、90℃で30分反応(分解反応)させた。この溶液を冷却後、メタノール中に注ぎ、スチレン系炭化水素のブロック状ホモ重合体を得た。スチレン系炭化水素と共役ジエン系炭化水素のブロック共重合体(a)の分子量測定と同様にこの重合体の分子量を測定した。
【0022】
(実施例6〜11)
表2に示す樹脂(a)と樹脂の配合で、シーラント層の樹脂組成物を得た以外は、実施例1〜5と同様の操作を行った。
【0023】
(比較例1〜3)
表1に示す(a)6〜(a)8のスチレン−ブタジエンブロック共重合体樹脂(スチレン含量80質量%、ブタジエン含量20質量%)をシーラント層の樹脂組成物に用いた以外は、実施例1〜5と同様の操作を行った。
【0024】
実施例及び比較例で得られたフィルムに対して、以下に示す評価を行った。
(1)剥離強度バラツキ評価
得られたフィルムから幅方向等間隔に20本の試験片(幅21mm、長さ20cm)を切り出し、シールヘッド幅0.5mm×2、シール圧力0.34MPa、シール時間0.5秒、シール回数2回の条件にて155℃でヒートシールフィルムを電子包装材用のポリスチレン系キャリアテープ(24mm幅)にシール後、剥離強度を測定した。剥離強度は一般的に低くとも30gfで管理されており、10gfより低いと剥がれる可能性が高い。表2の範囲は、剥離強度の最大値から最小値を引いた値であり、範囲が10gf以下のものを優、範囲が20gf以下のものを良、それ以上のものを不良と判定した。
【0025】
【表1】




【0026】
【表2】




【0027】
本発明によれば、フィルム原反内幅方向の剥離強度バラツキが低減されるため、そこから得られるカバーテープの剥離強度が安定し、剥離強度が高くなりすぎることによる実装時のカバーテープの切れトラブルや、剥離強度が低くなりすぎることによる保管や輸送中のカバーテープの剥がれトラブルが無いヒートシールフィルムを得ることができる。


【特許請求の範囲】
【請求項1】
(a)数平均分子量Mnが14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロックの数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満であることを特徴とする、スチレン系炭化水素50〜95質量%と共役ジエン系炭化水素5〜50質量%とのブロック共重合体5〜50質量%、
(b)エチレン-αオレフィン共重合体5〜50質量%、
(c)スチレン系炭化水素10〜50質量%と共役ジエン系炭化水素90〜50質量%とのブロック共重合体5〜70質量%
からなる樹脂組成物をシーラント層とするヒートシールフィルム。
【請求項2】
(a)数平均分子量Mnが14〜18万g/molであり、且つスチレン系炭化水素ブロックの数平均分子量が1万g/mol以上5万g/mol未満であることを特徴とする、スチレン系炭化水素50〜95質量%と共役ジエン系炭化水素5〜50質量%とのブロック共重合体5〜50質量%、
(b)エチレン-αオレフィン共重合体5〜50質量%、
(c)スチレン系炭化水素10〜50質量%と共役ジエン系炭化水素90〜50質量%とのブロック共重合体5〜70質量%
からなる樹脂組成物をシーラント層として用いたヒートシールフィルムの製造方法。
【請求項3】
請求項1の(a)〜(c)の樹脂組成物50〜99質量%と耐衝撃性ポリスチレン1〜50質量%をシーラント層とするヒートシールフィルム。
【請求項4】
請求項1の(a)〜(c)の樹脂組成物50〜99質量%と耐衝撃性ポリスチレン1〜50質量%をシーラント層として用いたヒートシールフィルムの製造方法。
【請求項5】
層構成が少なくとも4層で最外層/二軸延伸ポリエチレンテレフタレート層、第2層/ポリエチレン樹脂層、第3層/ポリオレフィン系樹脂層、第4層/シーラント層であることを特徴とする請求項1又は請求項3記載のヒートシールフィルム。
【請求項6】
請求項5記載のヒートシールフィルムの製造方法。
【請求項7】
請求項5記載のヒートシールフィルムにおいて、第3層のポリオレフィン系樹脂層と第4層のシーラント層を共押出法により製造することを特徴とするヒートシールフィルムの製造方法。
【請求項8】
請求項1、3、5の何れか一項記載のヒートシールフィルムにおいて、少なくとも片側に帯電防止処理がなされていることを特徴とするヒートシールフィルム。
【請求項9】
請求項1、3、5、8の何れか一項記載のヒートシールフィルムからなる半導体・電子部品キャリアテープ用カバーテープ。
【請求項10】
請求項1、3、5、8の何れか一項記載のヒートシールフィルムを用いた半導体・電子部品容器。


【公開番号】特開2007−161295(P2007−161295A)
【公開日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−359804(P2005−359804)
【出願日】平成17年12月14日(2005.12.14)
【出願人】(000003296)電気化学工業株式会社 (1,539)
【Fターム(参考)】