マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法
【課題】被成膜基板に高精度に成膜することができるマスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着マスク２０は、マスク基体２２と、マスク基体２２上に形成されたドライフィルム２３とを有する。マスク基体２２は、シリコン又はシリコン化合物からなる。蒸着マスク２０の製造方法は、まず、マスク基体２２をＭＥＭＳ加工により形成する。次に、開口孔２１ａを有するマスク基体２２上に、熱転写法を用いてドライフィルム２３を転写する。マスク基体２２がシリコンからなるので、熱転写によってマスク基体２２に熱が加わったとしてもマスク基体２２が伸縮（変形）することを抑えることができる。その結果、マスク基体２２にドライフィルム２３を安定した状態で転写させることが可能となり、開口孔２１ｂの形状が変形したり開口孔２１ｂの位置がずれたりすることを抑えることができる。
【解決手段】蒸着マスク２０は、マスク基体２２と、マスク基体２２上に形成されたドライフィルム２３とを有する。マスク基体２２は、シリコン又はシリコン化合物からなる。蒸着マスク２０の製造方法は、まず、マスク基体２２をＭＥＭＳ加工により形成する。次に、開口孔２１ａを有するマスク基体２２上に、熱転写法を用いてドライフィルム２３を転写する。マスク基体２２がシリコンからなるので、熱転写によってマスク基体２２に熱が加わったとしてもマスク基体２２が伸縮（変形）することを抑えることができる。その結果、マスク基体２２にドライフィルム２３を安定した状態で転写させることが可能となり、開口孔２１ｂの形状が変形したり開口孔２１ｂの位置がずれたりすることを抑えることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に膜を形成する際に用いられるマスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した電気光学装置の一つに、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、発光層が画素電極と共通電極とに挟まれた構造となっており、供給された電流値に応じて発光層が発光するようになっている。
【０００３】
上記した画素電極や共通電極、発光層などは、例えば、真空蒸着装置を用いた蒸着法によって形成することができる。真空蒸着装置は、例えば、真空チャンバの下側に膜の材料が貯留された蒸着源が配置され、真空チャンバの上側にメタルマスクと被成膜基板とが密着されて配置された構造となっている。そして、蒸着源から蒸発した膜材料粒子がメタルマスクに形成された開口孔を通過して被成膜基板に蒸着する。
【０００４】
メタルマスクは、例えば、開口孔の周縁部にエッジ部や加工した際に発生したバリを有している場合がある。これにより、メタルマスクと密着している被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜が削られたりするという問題がある。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、メタルマスクの表面に保護膜を形成し、メタルマスクと被成膜基板とが直接接触しないようにして、被成膜基板に悪影響を与えないようにしている。保護膜は、例えば、樹脂材料で構成されており、熱転写法によって形成することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２９５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、メタルマスクに熱転写した際、メタルマスクの熱膨張係数が高いことから、熱によってメタルマスクが変形し、更に、メタルマスクの温度が低下するとメタルマスクが収縮する。これにより、メタルマスクに転写された保護膜に応力がかかり、保護膜に形成した開口孔の形状が変形したり、開口孔の位置がずれたりする。その結果、被成膜基板に成膜した際、高いパターン精度が得られないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係るマスクは、シリコン又はシリコン化合物からなる開口孔を有するマスク基体と、前記マスク基体の少なくとも一つの面に形成された前記開口孔の領域に相当する領域に開口孔を有する樹脂層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、マスク基体にエッジ部や加工した際に発生したバリ等があっても、樹脂層を介してマスク基体と被成膜基板とが密着するため、マスク基体と被成膜基板とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。更に、マスク基体がシリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、メタルマスクと比べて熱膨張係数が小さいので、マスク基体に熱が加えられた場合でも、マスク基体が伸縮することが抑えられる。よって、樹脂層に応力が加わった場合に起こる、開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層は、熱転写法によって形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、シリコン又はシリコン化合物が、例えば、メタルマスクと比較して熱膨張係数が小さいので、熱転写法を用いてマスク基体上に樹脂層を転写した際、樹脂層を介して伝えられた熱転写の熱によってマスク基体が変形することを抑えることができる。これにより、マスク基体の温度が低下した場合でも、マスク基体が収縮することが抑えられ、樹脂層の開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。よって、高精度な開口孔を形成することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層は、ドライフィルムであることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、ドライフィルムを用いることにより、予めマスク基体に開口孔が形成されている場合でも、熱転写法によってマスク基体に貼り付けることができる。また、ドライフィルムを貼り付ける方法なので、比較的簡単に形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、樹脂層の厚みを樹脂層全体で管理できるので、この樹脂層が形成されたマスクを用いて被成膜基板に成膜した際、高いパターン精度で形成することができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係るマスクの製造方法は、シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体の少なくとも一つの面に熱転写法を用いて樹脂層を形成する熱転写工程と、前記樹脂層に露光及びエッチングを施して前記マスク基体に形成された開口孔の領域に相当する領域に開口孔を形成する開口孔形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、マスク基体がシリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、メタルマスクと比べて熱膨張係数が小さいので、熱転写法によってマスク基体に熱が加えられた場合でも、マスク基体が伸縮することが抑えられる。これにより、樹脂層に応力が加わった場合に起こる、開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。その結果、樹脂層の開口孔を高精度に形成することができる。更に、マスク基体にエッジ部や加工した際に発生したバリ等があっても、樹脂層を介してマスク基体と被成膜基板とが密着するため、マスク基体と被成膜基板とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係るマスクの製造方法において、前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、樹脂層の厚みを樹脂層全体で管理できるので、この樹脂層が形成されたマスクを用いて成膜した際、被成膜基板に高いパターン精度で形成することができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、上記したマスクを用いて電気光学装置を製造することを特徴とする。
【００２１】
この方法によれば、被成膜基板に高いパターン精度で成膜させることが可能となり、表示品質の高い電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
図１は、マスクを用いて成膜を行う真空蒸着装置の構造を示す模式図である。以下、真空蒸着装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２３】
図１に示すように、真空蒸着装置１０は、例えば、電気光学装置としての有機ＥＬ装置に用いられる被成膜基板としての透明基板１１に電極などを形成するために用いられ、真空チャンバ１２と、蒸着源１３と、マスクとしての蒸着マスク２０と、加圧板１４と、を有する。透明基板１１は、例えば、ガラス基板である。
【００２４】
真空チャンバ１２は、密閉された中空の空間を有し、内部を真空状態にするために、例えば、図示しない排気管を介して真空ポンプと接続されている。
【００２５】
蒸着源１３は、真空チャンバ１２内の下側に配置されており、透明基板１１に成膜するための膜材料が貯留されている。また、蒸着源１３は、膜材料を蒸発（気化）させるための図示しない加熱部を有する。蒸着源１３によって、膜材料を気化させることにより、真空チャンバ１２の上側に向かって膜材料粒子１５が移動する。
【００２６】
蒸着マスク２０は、透明基板１１の所望の領域に材料（膜）を蒸着させるために用いられ、真空チャンバ１２の上側に設けられたガイド部１６に、外周部分が支持されるようになっている。蒸着マスク２０には、透明基板１１の材料を蒸着させたい領域に相当する領域に開口孔２１が形成されている。
【００２７】
加圧板１４は、重力を用いて力学的に押圧する手段であり、成膜される透明基板１１と蒸着マスク２０とを密着固定させるために用いられる。詳述すると、透明基板１１及び蒸着マスク２０は、透明基板１１上に載置した平板形状の加圧板１４とガイド部１６とによって挟持される。なお、加圧板１４は、上記した平板形状に限定されず、例えば、複数個の平板や円板からなるものであってもよい。
【００２８】
以上のような真空蒸着装置１０において、蒸着マスク２０上に透明基板１１や加圧板１４を配置した後、蒸着源１３から膜材料を蒸発（気化）させて、膜材料粒子１５が蒸着マスク２０の開口孔２１を通過することにより、透明基板１１の所望の部分に膜材料粒子１５が蒸着されるようになっている。
【００２９】
図２は、蒸着マスクの構成を示す模式図である。（ａ）は蒸着マスクの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す蒸着マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、蒸着マスクの構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３０】
図２に示すように、蒸着マスク２０は、マスク基体２２と、樹脂層２３とを有する。マスク基体２２は、シリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、厚みが１００μｍである。マスク基体２２には、例えば、透明基板１１の成膜領域に相当する領域に開口孔２１が形成されている。開口孔２１は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により形成することができる。
【００３１】
マスク基体２２をシリコン又はシリコン化合物で構成することにより、例えば、アルミニウム等のメタルマスクと比較して熱膨張係数が小さいので、マスク基体２２に熱が加わったとしても、マスク基体２２が伸縮することを抑えることが可能となる。
【００３２】
また、蒸着膜（膜材料）が金属であった場合、マスク基体２２がシリコンからなり材質が異なるので、マスク基体２２に蒸着した金属膜を除去する際にマスク基体２２が劣化する（エッチングされる）ことを防ぐことができる。よって、洗浄（エッチング）することにより、マスク基体２２を繰り返し使用することができる。また、マスク基体２２の材質としては、微細で高精度な開口孔２１ａを必要とする場合は、単結晶シリコンを用いることがより好ましい。
【００３３】
単結晶シリコンを用いることにより、結晶の面方位依存性を利用した異方性のエッチングを行うことが可能となる。よって、微細な開口孔２１ａを形成するのに、必要以上（例えば、耐久性が低下する程度）にマスク基体２２の厚みを薄くしなくても対応することができる。また、薄くし過ぎることに起因して、取り扱いが難しくなることを防ぐことができる。なお、単結晶シリコンの面方位依存性を利用してエッチングした場合、例えば、樹脂層２３側と反対側の開口孔２１ａの部分がテーパ状になっている。
【００３４】
樹脂層２３は、例えば、露光されない部分が残るポジ型の透明な感光性樹脂からなる。樹脂層２３の厚みは、例えば、２０μｍである。樹脂層２３としては、例えば、ドライフィルム等が挙げられる（以下、樹脂層２３を「ドライフィルム２３」と称する。）。また、ドライフィルム２３には、マスク基体２２に形成された開口孔２１ａの領域に相当する領域に開口孔２１ｂが形成されている。
【００３５】
マスク基体２２における透明基板１１側にドライフィルム２３が貼り付けられているので、例えば、マスク基体２２の開口孔２１ａの周縁にエッジ部や加工する際に発生したバリ２５等がある場合でも、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とが密着するので、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。
【００３６】
加えて、蒸着マスク２０と透明基板１１との間にゴミ等の凸部が存在していた場合でも、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することが可能となるので、凸部によって透明基板１１を傷つけることを防ぐことができる。また、マスク基体２２が比較的応力に弱いシリコンから構成されていても、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することができるので、マスク基体２２に亀裂が入ったり破壊したりすることを防ぐことができる。
【００３７】
図３（ａ）〜（ｄ）は、蒸着マスクの製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、蒸着マスクの製造方法を、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
図３（ａ）に示す工程では、マスク基体２２を形成する。マスク基体２２の材料としては、例えば、シリコンウエハが挙げられる。このシリコンウエハに、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いたエッチング加工により、開口孔２１ａを形成する。そして、研磨加工などを施してマスク基体２２を完成させる。
【００３９】
図３（ｂ）に示す工程（熱転写工程）では、マスク基体２２上にドライフィルム２３を貼り付ける。ドライフィルム２３は、例えば、感光性を有している。ドライフィルム２３を貼り付ける方法としては、熱転写法を用いることにより形成することができる。詳述すると、マスク基体２２に開口孔２１ａが形成されているので、ドライフィルム２３を用いて熱転写法で転写させる方法が好ましい。より詳しくは、例えば、熱転写ヘッド３１を用いて、透明なフィルム基材３２の片面に貼り付けられたドライフィルム２３の一部分を加熱させることにより、マスク基体２２の全面にドライフィルム２３を転写させる。
【００４０】
マスク基体２２がシリコンからなるので、熱転写によってドライフィルム２３をマスク基体２２に転写した際、マスク基体２２に熱が加わったとしてもマスク基体２２が膨張（変形）することを抑えることができる。よって、マスク基体２２にドライフィルム２３を貼り付けた後、マスク基体２２の温度が低下しても、マスク基体２２が収縮することを抑えることが可能となり、ドライフィルム２３に応力が加わることを抑えることができる。その結果、マスク基体２２にドライフィルム２３を安定して転写させることができる。
【００４１】
図３（ｃ）に示す工程（開口孔形成工程）では、転写して貼り付けたドライフィルム２３に露光処理を行う。詳しくは、マスク基体２２をマスクとして開口孔２１ａからドライフィルム２３に露光（矢印）する。これにより、ドライフィルム２３における開口孔２１ａに相当する領域３３が露光される。
【００４２】
図３（ｄ）に示す工程（開口孔形成工程）では、ドライフィルム２３に開口孔２１ｂを形成して蒸着マスク２０を完成させる。まず、露光したドライフィルム２３の露光部分（領域３３）にエッチング処理をすることにより、ドライフィルム２３がパターンニングされる。以上により、開口孔２１ａに相当する領域に開口孔２１ｂが形成されたドライフィルム２３が完成すると共に、蒸着マスク２０が完成する。なお、感光性を有さないドライフィルム２３を用いた場合には、例えば、マスク基体２２をマスクとして、ドライエッチング法を用いることにより、ドライフィルム２３に開口孔２１ｂを形成することができる。
【００４３】
図４（ａ）〜（ｄ）は、上記した蒸着マスクを用いて有機ＥＬ装置を製造する製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４を参照しながら説明する。
【００４４】
図４（ａ）に示す工程では、まず、透明基板１１上に画素電極４１（陽極）を形成する。透明基板１１は、支持体であると同時に光を取り出す面として機能する。まず、透明基板１１上に、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子や配線など（いずれも図示せず）を形成する。次に、透明基板１１上のスイッチング素子や配線上に、画素電極４１を形成する。画素電極４１は、例えば、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いた蒸着法により形成することができる。なお、画素電極４１としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明電極が好ましい。
【００４５】
次に、透明基板１１上に、各画素領域を隔てるバンク（隔壁）４２を形成する。バンク４２は、例えば、感光性ポリイミドである。バンク４２は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることにより形成することができる。
【００４６】
次に、画素電極４１上の開口部に、正孔注入／輸送層４３を蒸着法により形成する。詳しくは、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いて形成する。正孔注入／輸送層４３の材料としては、低分子有機材料を用いることができる。
【００４７】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、正孔注入／輸送層４３上に、赤色発光層４４Ｒ、緑色発光層４４Ｇ、青色発光層４４Ｂを形成する。形成方法としては、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いた蒸着法を用いることができる。赤色発光層４４Ｒ、緑色発光層４４Ｇ、青色発光層４４Ｂの材料としては、低分子有機ＥＬ材料を使用することができる。
【００４８】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、各色発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及びバンク４２上に共通電極（陰極）４５を形成する。共通電極４５としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等の金属薄膜電極が好ましい。共通電極４５は、例えば、蒸着法により形成することができる。なお、共通電極４５上に保護膜を形成するようにしてもよい。以上により、有機ＥＬ装置４０が完成する。
【００４９】
上記したように、蒸着法を用いて透明基板１１上に各種膜を成膜するのに、ドライフィルム２３が貼り付けられた蒸着マスク２０を用いる。よって、例えば、マスク基体２２の開口孔２１ａの周縁にエッジ部やバリ２５等があっても、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とが密着するので、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。更に、ドライフィルム２３が劣化したり汚れたりした場合は、ドライフィルム２３を除去した後、再度マスク基体２２上に新しいドライフィルム２３を形成することで簡単に修整できる。
【００５０】
また、マスク基体２２がシリコン又はシリコン化合物からなるので、図４（ｃ）に示す工程のように金属薄膜電極を形成した場合、蒸着マスク２０に蒸着した金属薄膜を洗浄（エッチング）したときに金属薄膜のみを除去することができる。よって、メタルマスクのように、金属薄膜と共にマスク基体がエッチングされることと比較して、開口孔２１ａの形状を劣化させることなく繰り返し使用することができる。
【００５１】
また、マスク基体２２にドライフィルム２３が貼り付けられているので、開口孔２１ａの周縁部に生じたバリ２５等の大きさに合わせて、ドライフィルム２３の厚みを随時変更させることができる。一方、透明基板１１側で対応しようとした場合、透明基板１１上にこれらを吸収させる厚い膜を形成しようとしたり、随時膜厚を変更したりすることは難しい。
【００５２】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５３】
（１）第１実施形態によれば、マスク基体２２がシリコン又はシリコン化合物からなるので、例えば、アルミニウム等のメタルマスクと比較して熱膨張係数が小さい。よって、熱転写法によってマスク基体２２に熱が加えられた場合でも、マスク基体２２が伸縮することを抑えることができる。これにより、ドライフィルム２３に応力が加わった場合に起こる、開口孔２１ｂの形状が変形したり開口孔２１ｂの位置がずれたりすることを抑えることができ、安定してドライフィルム２３を貼り付けることができる。その結果、高精度に開口孔２１ｂを形成することができ、透明基板１１上に精度よく膜を蒸着させることができる。
【００５４】
（２）第１実施形態によれば、マスク基体２２にエッジ部やバリ２５等があった場合でも、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とを密着させるため、マスク基体２２と透明基板１１とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。また、蒸着マスク２０と透明基板１１との間にゴミ等の凸部が存在していた場合でも、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することが可能となり、凸部に起因して透明基板１１に傷が付く等の悪影響を防ぐことができる。加えて、マスク基体２２が比較的応力に弱いシリコンから構成されていても、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することができるので、マスク基体２２に亀裂が入ったり破壊したりすることを防ぐことができる。
【００５５】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態の蒸着マスクの構成を示す模式図である。（ａ）は蒸着マスクの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す蒸着マスクのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。なお、第２実施形態の蒸着マスクは、ドライフィルムにスペーサが含まれている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の蒸着マスクの構成を、図５を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００５６】
図５に示すように、第２実施形態の蒸着マスク５０は、マスク基体２２と、ドライフィルム５１とを有する。マスク基体２２の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５７】
ドライフィルム５１には、開口孔２１ｂを除く領域にスペーサ５２が散布されている。スペーサ５２は、図示するような球状のビーズスペーサに限定されず、例えば、柱状（円筒を含む）のカラムスペーサ等であってもよい。なお、所望の位置にスペーサ５２を配置することができ、力学的強度を高くできることから、カラムスペーサを用いることが好ましい。また、スペーサ５２の材料としては、感光性の合成樹脂、シリカ、アルミナ等が挙げられる。
【００５８】
ドライフィルム５１の中にスペーサ５２が散布されていることにより、ドライフィルム５１の厚みをドライフィルム５１の全体に亘って管理することが可能となり、透明基板１１と蒸着マスク５０との間のギャップを均一にすることができる。その結果、透明基板１１上に、膜の厚みや形状のばらつきが抑えられた膜を形成することができる。
【００５９】
なお、蒸着マスク５０の製造方法としては、上記した第１実施形態の蒸着マスク２０の製造方法と同様にして形成することができる。
【００６０】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００６１】
（３）第２実施形態によれば、ドライフィルム５１にスペーサ５２が含まれているので、ドライフィルム５１の全体（面内全体）に亘って厚みを均一にすることが可能となる。そして、このドライフィルム５１がマスク基体２２に貼り付けられているので、透明基板１１と蒸着マスク５０との厚み方向の寸法を管理することができる。よって、この蒸着マスク５０を用いて透明基板１１に成膜した際、膜の形状や厚みを高精度に成膜することができると共に、透明基板１１の面内で均一に成膜することができる。
【００６２】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６３】
（変形例１）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）一枚を用いて透明基板１１に成膜することに限定されず、例えば、図６に示すように、ガラスからなるガラスフレーム６１に蒸着マスク２０を複数枚並べ、大きなサイズの透明基板１１に対して蒸着するようにしてもよい。図６（ａ）は、複数の蒸着マスク２０で構成されたマスク構成体を上方から見た模式平面図である。図６（ｂ）は、（ａ）に示すマスク構成体のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。なお、蒸着マスク２０に形成されている開口孔２１の図示は省略している。ガラスフレーム６１は、蒸着マスク２０が貼り付けられる部分に開口孔６２が形成されている。そして、蒸着マスク２０は、ガラスフレーム６１の開口孔６２を覆うように接合されている。なお、ガラスフレーム６１に対して蒸着マスク２０を着脱可能な構成としてもよい。
【００６４】
（変形例２）
上記したように、マスク基体２２の一面にドライフィルム２３（又は、ドライフィルム５１）を貼り付けていることに限定されず、例えば、対向する面に貼り付けるようにしてもよいし、マスク基体２２の全面を覆うように形成してもよい。これによれば、シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体２２の強度を補強する、つまり、マスク基体２２が割れることを防ぐことができる。
【００６５】
（変形例３）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）と透明基板１１とを密着させる方法として加圧板１４を用いることに限定されず、その他の方法で密着（固定）させるようにしてもよい。
【００６６】
（変形例４）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）を用いて有機ＥＬ装置４０を製造することに限定されず、例えば、液晶装置やその他の電気光学装置を製造する際に用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１実施形態に係る真空蒸着装置の構造を示す模式図。
【図２】蒸着マスクの構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図３】蒸着マスクの製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図５】第２実施形態に係る蒸着マスクの構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図６】蒸着マスクの構成の変形例を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【符号の説明】
【００６８】
１０…真空蒸着装置、１１…被成膜基板としての透明基板、１２…真空チャンバ、１３…蒸着源、１４…加圧板、１５…膜材料粒子、１６…ガイド部、２０，５０…マスクとしての蒸着マスク、２１，２１ａ，２１ｂ…開口孔、２２…マスク基体、２３，５１…ドライフィルム（樹脂層）、２５…バリ、３１…熱転写ヘッド、３２…フィルム基材、３３…領域、４０…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、４１…画素電極、４２…バンク、４３…正孔注入／輸送層、４４Ｒ…赤色発光層、４４Ｇ…緑色発光層、４４Ｂ…青色発光層、４５…共通電極、５２…スペーサ、６１…ガラスフレーム、６２…開口孔。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に膜を形成する際に用いられるマスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した電気光学装置の一つに、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、発光層が画素電極と共通電極とに挟まれた構造となっており、供給された電流値に応じて発光層が発光するようになっている。
【０００３】
上記した画素電極や共通電極、発光層などは、例えば、真空蒸着装置を用いた蒸着法によって形成することができる。真空蒸着装置は、例えば、真空チャンバの下側に膜の材料が貯留された蒸着源が配置され、真空チャンバの上側にメタルマスクと被成膜基板とが密着されて配置された構造となっている。そして、蒸着源から蒸発した膜材料粒子がメタルマスクに形成された開口孔を通過して被成膜基板に蒸着する。
【０００４】
メタルマスクは、例えば、開口孔の周縁部にエッジ部や加工した際に発生したバリを有している場合がある。これにより、メタルマスクと密着している被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜が削られたりするという問題がある。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、メタルマスクの表面に保護膜を形成し、メタルマスクと被成膜基板とが直接接触しないようにして、被成膜基板に悪影響を与えないようにしている。保護膜は、例えば、樹脂材料で構成されており、熱転写法によって形成することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２９５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、メタルマスクに熱転写した際、メタルマスクの熱膨張係数が高いことから、熱によってメタルマスクが変形し、更に、メタルマスクの温度が低下するとメタルマスクが収縮する。これにより、メタルマスクに転写された保護膜に応力がかかり、保護膜に形成した開口孔の形状が変形したり、開口孔の位置がずれたりする。その結果、被成膜基板に成膜した際、高いパターン精度が得られないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係るマスクは、シリコン又はシリコン化合物からなる開口孔を有するマスク基体と、前記マスク基体の少なくとも一つの面に形成された前記開口孔の領域に相当する領域に開口孔を有する樹脂層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、マスク基体にエッジ部や加工した際に発生したバリ等があっても、樹脂層を介してマスク基体と被成膜基板とが密着するため、マスク基体と被成膜基板とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。更に、マスク基体がシリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、メタルマスクと比べて熱膨張係数が小さいので、マスク基体に熱が加えられた場合でも、マスク基体が伸縮することが抑えられる。よって、樹脂層に応力が加わった場合に起こる、開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層は、熱転写法によって形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、シリコン又はシリコン化合物が、例えば、メタルマスクと比較して熱膨張係数が小さいので、熱転写法を用いてマスク基体上に樹脂層を転写した際、樹脂層を介して伝えられた熱転写の熱によってマスク基体が変形することを抑えることができる。これにより、マスク基体の温度が低下した場合でも、マスク基体が収縮することが抑えられ、樹脂層の開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。よって、高精度な開口孔を形成することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層は、ドライフィルムであることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、ドライフィルムを用いることにより、予めマスク基体に開口孔が形成されている場合でも、熱転写法によってマスク基体に貼り付けることができる。また、ドライフィルムを貼り付ける方法なので、比較的簡単に形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係るマスクにおいて、前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、樹脂層の厚みを樹脂層全体で管理できるので、この樹脂層が形成されたマスクを用いて被成膜基板に成膜した際、高いパターン精度で形成することができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係るマスクの製造方法は、シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体の少なくとも一つの面に熱転写法を用いて樹脂層を形成する熱転写工程と、前記樹脂層に露光及びエッチングを施して前記マスク基体に形成された開口孔の領域に相当する領域に開口孔を形成する開口孔形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、マスク基体がシリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、メタルマスクと比べて熱膨張係数が小さいので、熱転写法によってマスク基体に熱が加えられた場合でも、マスク基体が伸縮することが抑えられる。これにより、樹脂層に応力が加わった場合に起こる、開口孔の形状が変形したり開口孔の位置がずれたりすることを抑えることができる。その結果、樹脂層の開口孔を高精度に形成することができる。更に、マスク基体にエッジ部や加工した際に発生したバリ等があっても、樹脂層を介してマスク基体と被成膜基板とが密着するため、マスク基体と被成膜基板とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、被成膜基板に傷がついたり、被成膜基板に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係るマスクの製造方法において、前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、樹脂層の厚みを樹脂層全体で管理できるので、この樹脂層が形成されたマスクを用いて成膜した際、被成膜基板に高いパターン精度で形成することができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、上記したマスクを用いて電気光学装置を製造することを特徴とする。
【００２１】
この方法によれば、被成膜基板に高いパターン精度で成膜させることが可能となり、表示品質の高い電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
図１は、マスクを用いて成膜を行う真空蒸着装置の構造を示す模式図である。以下、真空蒸着装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２３】
図１に示すように、真空蒸着装置１０は、例えば、電気光学装置としての有機ＥＬ装置に用いられる被成膜基板としての透明基板１１に電極などを形成するために用いられ、真空チャンバ１２と、蒸着源１３と、マスクとしての蒸着マスク２０と、加圧板１４と、を有する。透明基板１１は、例えば、ガラス基板である。
【００２４】
真空チャンバ１２は、密閉された中空の空間を有し、内部を真空状態にするために、例えば、図示しない排気管を介して真空ポンプと接続されている。
【００２５】
蒸着源１３は、真空チャンバ１２内の下側に配置されており、透明基板１１に成膜するための膜材料が貯留されている。また、蒸着源１３は、膜材料を蒸発（気化）させるための図示しない加熱部を有する。蒸着源１３によって、膜材料を気化させることにより、真空チャンバ１２の上側に向かって膜材料粒子１５が移動する。
【００２６】
蒸着マスク２０は、透明基板１１の所望の領域に材料（膜）を蒸着させるために用いられ、真空チャンバ１２の上側に設けられたガイド部１６に、外周部分が支持されるようになっている。蒸着マスク２０には、透明基板１１の材料を蒸着させたい領域に相当する領域に開口孔２１が形成されている。
【００２７】
加圧板１４は、重力を用いて力学的に押圧する手段であり、成膜される透明基板１１と蒸着マスク２０とを密着固定させるために用いられる。詳述すると、透明基板１１及び蒸着マスク２０は、透明基板１１上に載置した平板形状の加圧板１４とガイド部１６とによって挟持される。なお、加圧板１４は、上記した平板形状に限定されず、例えば、複数個の平板や円板からなるものであってもよい。
【００２８】
以上のような真空蒸着装置１０において、蒸着マスク２０上に透明基板１１や加圧板１４を配置した後、蒸着源１３から膜材料を蒸発（気化）させて、膜材料粒子１５が蒸着マスク２０の開口孔２１を通過することにより、透明基板１１の所望の部分に膜材料粒子１５が蒸着されるようになっている。
【００２９】
図２は、蒸着マスクの構成を示す模式図である。（ａ）は蒸着マスクの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す蒸着マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、蒸着マスクの構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３０】
図２に示すように、蒸着マスク２０は、マスク基体２２と、樹脂層２３とを有する。マスク基体２２は、シリコン又はシリコン化合物からなり、例えば、厚みが１００μｍである。マスク基体２２には、例えば、透明基板１１の成膜領域に相当する領域に開口孔２１が形成されている。開口孔２１は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により形成することができる。
【００３１】
マスク基体２２をシリコン又はシリコン化合物で構成することにより、例えば、アルミニウム等のメタルマスクと比較して熱膨張係数が小さいので、マスク基体２２に熱が加わったとしても、マスク基体２２が伸縮することを抑えることが可能となる。
【００３２】
また、蒸着膜（膜材料）が金属であった場合、マスク基体２２がシリコンからなり材質が異なるので、マスク基体２２に蒸着した金属膜を除去する際にマスク基体２２が劣化する（エッチングされる）ことを防ぐことができる。よって、洗浄（エッチング）することにより、マスク基体２２を繰り返し使用することができる。また、マスク基体２２の材質としては、微細で高精度な開口孔２１ａを必要とする場合は、単結晶シリコンを用いることがより好ましい。
【００３３】
単結晶シリコンを用いることにより、結晶の面方位依存性を利用した異方性のエッチングを行うことが可能となる。よって、微細な開口孔２１ａを形成するのに、必要以上（例えば、耐久性が低下する程度）にマスク基体２２の厚みを薄くしなくても対応することができる。また、薄くし過ぎることに起因して、取り扱いが難しくなることを防ぐことができる。なお、単結晶シリコンの面方位依存性を利用してエッチングした場合、例えば、樹脂層２３側と反対側の開口孔２１ａの部分がテーパ状になっている。
【００３４】
樹脂層２３は、例えば、露光されない部分が残るポジ型の透明な感光性樹脂からなる。樹脂層２３の厚みは、例えば、２０μｍである。樹脂層２３としては、例えば、ドライフィルム等が挙げられる（以下、樹脂層２３を「ドライフィルム２３」と称する。）。また、ドライフィルム２３には、マスク基体２２に形成された開口孔２１ａの領域に相当する領域に開口孔２１ｂが形成されている。
【００３５】
マスク基体２２における透明基板１１側にドライフィルム２３が貼り付けられているので、例えば、マスク基体２２の開口孔２１ａの周縁にエッジ部や加工する際に発生したバリ２５等がある場合でも、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とが密着するので、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。
【００３６】
加えて、蒸着マスク２０と透明基板１１との間にゴミ等の凸部が存在していた場合でも、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することが可能となるので、凸部によって透明基板１１を傷つけることを防ぐことができる。また、マスク基体２２が比較的応力に弱いシリコンから構成されていても、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することができるので、マスク基体２２に亀裂が入ったり破壊したりすることを防ぐことができる。
【００３７】
図３（ａ）〜（ｄ）は、蒸着マスクの製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、蒸着マスクの製造方法を、図３を参照しながら説明する。
【００３８】
図３（ａ）に示す工程では、マスク基体２２を形成する。マスク基体２２の材料としては、例えば、シリコンウエハが挙げられる。このシリコンウエハに、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いたエッチング加工により、開口孔２１ａを形成する。そして、研磨加工などを施してマスク基体２２を完成させる。
【００３９】
図３（ｂ）に示す工程（熱転写工程）では、マスク基体２２上にドライフィルム２３を貼り付ける。ドライフィルム２３は、例えば、感光性を有している。ドライフィルム２３を貼り付ける方法としては、熱転写法を用いることにより形成することができる。詳述すると、マスク基体２２に開口孔２１ａが形成されているので、ドライフィルム２３を用いて熱転写法で転写させる方法が好ましい。より詳しくは、例えば、熱転写ヘッド３１を用いて、透明なフィルム基材３２の片面に貼り付けられたドライフィルム２３の一部分を加熱させることにより、マスク基体２２の全面にドライフィルム２３を転写させる。
【００４０】
マスク基体２２がシリコンからなるので、熱転写によってドライフィルム２３をマスク基体２２に転写した際、マスク基体２２に熱が加わったとしてもマスク基体２２が膨張（変形）することを抑えることができる。よって、マスク基体２２にドライフィルム２３を貼り付けた後、マスク基体２２の温度が低下しても、マスク基体２２が収縮することを抑えることが可能となり、ドライフィルム２３に応力が加わることを抑えることができる。その結果、マスク基体２２にドライフィルム２３を安定して転写させることができる。
【００４１】
図３（ｃ）に示す工程（開口孔形成工程）では、転写して貼り付けたドライフィルム２３に露光処理を行う。詳しくは、マスク基体２２をマスクとして開口孔２１ａからドライフィルム２３に露光（矢印）する。これにより、ドライフィルム２３における開口孔２１ａに相当する領域３３が露光される。
【００４２】
図３（ｄ）に示す工程（開口孔形成工程）では、ドライフィルム２３に開口孔２１ｂを形成して蒸着マスク２０を完成させる。まず、露光したドライフィルム２３の露光部分（領域３３）にエッチング処理をすることにより、ドライフィルム２３がパターンニングされる。以上により、開口孔２１ａに相当する領域に開口孔２１ｂが形成されたドライフィルム２３が完成すると共に、蒸着マスク２０が完成する。なお、感光性を有さないドライフィルム２３を用いた場合には、例えば、マスク基体２２をマスクとして、ドライエッチング法を用いることにより、ドライフィルム２３に開口孔２１ｂを形成することができる。
【００４３】
図４（ａ）〜（ｄ）は、上記した蒸着マスクを用いて有機ＥＬ装置を製造する製造方法を工程順に示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４を参照しながら説明する。
【００４４】
図４（ａ）に示す工程では、まず、透明基板１１上に画素電極４１（陽極）を形成する。透明基板１１は、支持体であると同時に光を取り出す面として機能する。まず、透明基板１１上に、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子や配線など（いずれも図示せず）を形成する。次に、透明基板１１上のスイッチング素子や配線上に、画素電極４１を形成する。画素電極４１は、例えば、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いた蒸着法により形成することができる。なお、画素電極４１としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明電極が好ましい。
【００４５】
次に、透明基板１１上に、各画素領域を隔てるバンク（隔壁）４２を形成する。バンク４２は、例えば、感光性ポリイミドである。バンク４２は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いることにより形成することができる。
【００４６】
次に、画素電極４１上の開口部に、正孔注入／輸送層４３を蒸着法により形成する。詳しくは、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いて形成する。正孔注入／輸送層４３の材料としては、低分子有機材料を用いることができる。
【００４７】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、正孔注入／輸送層４３上に、赤色発光層４４Ｒ、緑色発光層４４Ｇ、青色発光層４４Ｂを形成する。形成方法としては、上記した蒸着マスク２０及び真空蒸着装置１０を用いた蒸着法を用いることができる。赤色発光層４４Ｒ、緑色発光層４４Ｇ、青色発光層４４Ｂの材料としては、低分子有機ＥＬ材料を使用することができる。
【００４８】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、各色発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及びバンク４２上に共通電極（陰極）４５を形成する。共通電極４５としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等の金属薄膜電極が好ましい。共通電極４５は、例えば、蒸着法により形成することができる。なお、共通電極４５上に保護膜を形成するようにしてもよい。以上により、有機ＥＬ装置４０が完成する。
【００４９】
上記したように、蒸着法を用いて透明基板１１上に各種膜を成膜するのに、ドライフィルム２３が貼り付けられた蒸着マスク２０を用いる。よって、例えば、マスク基体２２の開口孔２１ａの周縁にエッジ部やバリ２５等があっても、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とが密着するので、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。更に、ドライフィルム２３が劣化したり汚れたりした場合は、ドライフィルム２３を除去した後、再度マスク基体２２上に新しいドライフィルム２３を形成することで簡単に修整できる。
【００５０】
また、マスク基体２２がシリコン又はシリコン化合物からなるので、図４（ｃ）に示す工程のように金属薄膜電極を形成した場合、蒸着マスク２０に蒸着した金属薄膜を洗浄（エッチング）したときに金属薄膜のみを除去することができる。よって、メタルマスクのように、金属薄膜と共にマスク基体がエッチングされることと比較して、開口孔２１ａの形状を劣化させることなく繰り返し使用することができる。
【００５１】
また、マスク基体２２にドライフィルム２３が貼り付けられているので、開口孔２１ａの周縁部に生じたバリ２５等の大きさに合わせて、ドライフィルム２３の厚みを随時変更させることができる。一方、透明基板１１側で対応しようとした場合、透明基板１１上にこれらを吸収させる厚い膜を形成しようとしたり、随時膜厚を変更したりすることは難しい。
【００５２】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５３】
（１）第１実施形態によれば、マスク基体２２がシリコン又はシリコン化合物からなるので、例えば、アルミニウム等のメタルマスクと比較して熱膨張係数が小さい。よって、熱転写法によってマスク基体２２に熱が加えられた場合でも、マスク基体２２が伸縮することを抑えることができる。これにより、ドライフィルム２３に応力が加わった場合に起こる、開口孔２１ｂの形状が変形したり開口孔２１ｂの位置がずれたりすることを抑えることができ、安定してドライフィルム２３を貼り付けることができる。その結果、高精度に開口孔２１ｂを形成することができ、透明基板１１上に精度よく膜を蒸着させることができる。
【００５４】
（２）第１実施形態によれば、マスク基体２２にエッジ部やバリ２５等があった場合でも、ドライフィルム２３を介してマスク基体２２と透明基板１１とを密着させるため、マスク基体２２と透明基板１１とが直接接触することを防ぐことが可能となる。よって、透明基板１１に傷がついたり、透明基板１１に予め形成されている膜を削ったりすることを防ぐことができる。また、蒸着マスク２０と透明基板１１との間にゴミ等の凸部が存在していた場合でも、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することが可能となり、凸部に起因して透明基板１１に傷が付く等の悪影響を防ぐことができる。加えて、マスク基体２２が比較的応力に弱いシリコンから構成されていても、ドライフィルム２３によって凸部を吸収することができるので、マスク基体２２に亀裂が入ったり破壊したりすることを防ぐことができる。
【００５５】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態の蒸着マスクの構成を示す模式図である。（ａ）は蒸着マスクの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す蒸着マスクのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。なお、第２実施形態の蒸着マスクは、ドライフィルムにスペーサが含まれている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の蒸着マスクの構成を、図５を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００５６】
図５に示すように、第２実施形態の蒸着マスク５０は、マスク基体２２と、ドライフィルム５１とを有する。マスク基体２２の構成は、上記した第１実施形態と同様である。
【００５７】
ドライフィルム５１には、開口孔２１ｂを除く領域にスペーサ５２が散布されている。スペーサ５２は、図示するような球状のビーズスペーサに限定されず、例えば、柱状（円筒を含む）のカラムスペーサ等であってもよい。なお、所望の位置にスペーサ５２を配置することができ、力学的強度を高くできることから、カラムスペーサを用いることが好ましい。また、スペーサ５２の材料としては、感光性の合成樹脂、シリカ、アルミナ等が挙げられる。
【００５８】
ドライフィルム５１の中にスペーサ５２が散布されていることにより、ドライフィルム５１の厚みをドライフィルム５１の全体に亘って管理することが可能となり、透明基板１１と蒸着マスク５０との間のギャップを均一にすることができる。その結果、透明基板１１上に、膜の厚みや形状のばらつきが抑えられた膜を形成することができる。
【００５９】
なお、蒸着マスク５０の製造方法としては、上記した第１実施形態の蒸着マスク２０の製造方法と同様にして形成することができる。
【００６０】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００６１】
（３）第２実施形態によれば、ドライフィルム５１にスペーサ５２が含まれているので、ドライフィルム５１の全体（面内全体）に亘って厚みを均一にすることが可能となる。そして、このドライフィルム５１がマスク基体２２に貼り付けられているので、透明基板１１と蒸着マスク５０との厚み方向の寸法を管理することができる。よって、この蒸着マスク５０を用いて透明基板１１に成膜した際、膜の形状や厚みを高精度に成膜することができると共に、透明基板１１の面内で均一に成膜することができる。
【００６２】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６３】
（変形例１）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）一枚を用いて透明基板１１に成膜することに限定されず、例えば、図６に示すように、ガラスからなるガラスフレーム６１に蒸着マスク２０を複数枚並べ、大きなサイズの透明基板１１に対して蒸着するようにしてもよい。図６（ａ）は、複数の蒸着マスク２０で構成されたマスク構成体を上方から見た模式平面図である。図６（ｂ）は、（ａ）に示すマスク構成体のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。なお、蒸着マスク２０に形成されている開口孔２１の図示は省略している。ガラスフレーム６１は、蒸着マスク２０が貼り付けられる部分に開口孔６２が形成されている。そして、蒸着マスク２０は、ガラスフレーム６１の開口孔６２を覆うように接合されている。なお、ガラスフレーム６１に対して蒸着マスク２０を着脱可能な構成としてもよい。
【００６４】
（変形例２）
上記したように、マスク基体２２の一面にドライフィルム２３（又は、ドライフィルム５１）を貼り付けていることに限定されず、例えば、対向する面に貼り付けるようにしてもよいし、マスク基体２２の全面を覆うように形成してもよい。これによれば、シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体２２の強度を補強する、つまり、マスク基体２２が割れることを防ぐことができる。
【００６５】
（変形例３）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）と透明基板１１とを密着させる方法として加圧板１４を用いることに限定されず、その他の方法で密着（固定）させるようにしてもよい。
【００６６】
（変形例４）
上記したように、蒸着マスク２０（又は、蒸着マスク５０）を用いて有機ＥＬ装置４０を製造することに限定されず、例えば、液晶装置やその他の電気光学装置を製造する際に用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１実施形態に係る真空蒸着装置の構造を示す模式図。
【図２】蒸着マスクの構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図３】蒸着マスクの製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図５】第２実施形態に係る蒸着マスクの構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図６】蒸着マスクの構成の変形例を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【符号の説明】
【００６８】
１０…真空蒸着装置、１１…被成膜基板としての透明基板、１２…真空チャンバ、１３…蒸着源、１４…加圧板、１５…膜材料粒子、１６…ガイド部、２０，５０…マスクとしての蒸着マスク、２１，２１ａ，２１ｂ…開口孔、２２…マスク基体、２３，５１…ドライフィルム（樹脂層）、２５…バリ、３１…熱転写ヘッド、３２…フィルム基材、３３…領域、４０…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、４１…画素電極、４２…バンク、４３…正孔注入／輸送層、４４Ｒ…赤色発光層、４４Ｇ…緑色発光層、４４Ｂ…青色発光層、４５…共通電極、５２…スペーサ、６１…ガラスフレーム、６２…開口孔。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン又はシリコン化合物からなる開口孔を有するマスク基体と、
前記マスク基体の少なくとも一つの面に形成された前記開口孔の領域に相当する領域に開口孔を有する樹脂層と、
を有することを特徴とするマスク。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクであって、
前記樹脂層は、熱転写法によって形成されていることを特徴とするマスク。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のマスクであって、
前記樹脂層は、ドライフィルムであることを特徴とするマスク。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のマスクであって、
前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることを特徴とするマスク。
【請求項５】
シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体の少なくとも一つの面に熱転写法を用いて樹脂層を形成する熱転写工程と、
前記樹脂層に露光及びエッチングを施して前記マスク基体に形成された開口孔の領域に相当する領域に開口孔を形成する開口孔形成工程と、
を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクの製造方法であって、
前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のマスクを用いて電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
シリコン又はシリコン化合物からなる開口孔を有するマスク基体と、
前記マスク基体の少なくとも一つの面に形成された前記開口孔の領域に相当する領域に開口孔を有する樹脂層と、
を有することを特徴とするマスク。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクであって、
前記樹脂層は、熱転写法によって形成されていることを特徴とするマスク。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のマスクであって、
前記樹脂層は、ドライフィルムであることを特徴とするマスク。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のマスクであって、
前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることを特徴とするマスク。
【請求項５】
シリコン又はシリコン化合物からなるマスク基体の少なくとも一つの面に熱転写法を用いて樹脂層を形成する熱転写工程と、
前記樹脂層に露光及びエッチングを施して前記マスク基体に形成された開口孔の領域に相当する領域に開口孔を形成する開口孔形成工程と、
を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクの製造方法であって、
前記樹脂層に前記樹脂層の厚みを管理するスペーサが含まれていることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のマスクを用いて電気光学装置を製造することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００９−６２５６５（Ｐ２００９−６２５６５Ａ）
【公開日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２９８１３（Ｐ２００７−２２９８１３）
【出願日】平成１９年９月５日（２００７．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月２６日（２００９．３．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月５日（２００７．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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