マスクパターン作成装置および作成方法
【課題】補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することのできるマスクパターン作成装置および作成方法を提供する。
【解決手段】マスクパターン作成装置１は、計算機グループ化部１１が、ネットワーク回線を介して接続されている複数の計算機を計算機グループ１〜ｍに振り分け、エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンからエッジ座標群を抽出し、エッジ座標群分配部１３が、抽出されたエッジ座標群を複数の計算機に振り分け、補正値ライブラリ複写部１４が、計算機グループ１〜ｍの記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに補正値ライブラリを複写し、それぞれの計算機が記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写された補正値ライブラリから読み出した、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、補正値群集約部１５が、１つの補正値群データに集約し、マスクパターン生成部１６が、その集約された補正値群データを用いて設計パターンを補正し、マスクパターンを生成する。
【解決手段】マスクパターン作成装置１は、計算機グループ化部１１が、ネットワーク回線を介して接続されている複数の計算機を計算機グループ１〜ｍに振り分け、エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンからエッジ座標群を抽出し、エッジ座標群分配部１３が、抽出されたエッジ座標群を複数の計算機に振り分け、補正値ライブラリ複写部１４が、計算機グループ１〜ｍの記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに補正値ライブラリを複写し、それぞれの計算機が記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写された補正値ライブラリから読み出した、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、補正値群集約部１５が、１つの補正値群データに集約し、マスクパターン生成部１６が、その集約された補正値群データを用いて設計パターンを補正し、マスクパターンを生成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクパターン作成装置および作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置の微細化の進展に伴い、マスクパターンをウェーハに転写する際の光近接効果の影響が大きくなっている。そこで、マスク作成時に、設計パターンに予め光近接効果を補正してマスクパターンを生成する光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を施すことが行われている。
【０００３】
そのようなＯＰＣ手法の１つに、モデルベースＯＰＣがある。モデルベースＯＰＣでは、リソグラフィ・シミュレーションやプロセス・シミュレーションなどのシミュレーションによってウェーハ仕上がり形状を予測し、設計パターンに対する補正値を算出する。
【０００４】
このように、モデルベースＯＰＣは、シミュレーションにもとづいて設計パターンに対する補正値を算出するため高精度の補正を行うことができるが、その反面、シミュレーションの計算に時間がかかり、マスクパターンデータの生成に時間がかかるという問題があった。
【０００５】
そこで、従来、過去に行われたシミュレーション結果から得られた、設計パターンのエッジ座標群に対する補正値群を１つの対にし、この対を補正ライブラリとして蓄積し、この補正ライブラリを使用することにより現在のＯＰＣ処理におけるシミュレーション回数の低減を図る、マスクパターン作成方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
それでも、半導体装置の大規模化が進み、設計パターンのパターン量が増大すると、上述の方法をとったとしても、シミュレーションの計算に時間がかかる。そのような場合、一般的には、複数の計算機を用いて並列・分散処理を行うことにより、処理の高速化が図られる。近年では、数百台の計算機を利用した並列・分散処理も行われている。
【０００７】
ところが、分散規模の増大に伴って新たな問題が顕在化してきた。それは、ネットワークによって相互に接続された多数の計算機に処理を分散させる際、補正値ライブラリが多数の計算機から同時にアクセスされ、補正値ライブラリが格納されているハードディスクおよびネットワークの負荷が増大するという問題である。このような負荷の増大により、ＯＰＣ処理全体の処理効率が低下し、マスクパターンデータの生成時間が増加するという問題が発生する。
【特許文献１】特開２００４−１０９４５３号公報 （第５−６ページ、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することのできるマスクパターン作成装置および作成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成装置であって、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化手段と、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出手段と、前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配手段と、前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写手段と、前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約手段と、前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成手段とを備えることを特徴とするマスクパターン作成装置が提供される。
【００１０】
また、本発明の別の一態様によれば、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成方法であって、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化ステップと、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出ステップと、前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配ステップと、前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写ステップと、前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約ステップと、前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成ステップとを備えることを特徴とするマスクパターン作成方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の実施例１に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図である。
【００１４】
本実施例のマスクパターン作成装置１は、ネットワーク回線を介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化部１１と、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出部１２と、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を上述の複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配部１３と、複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写部１４と、複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた記憶装置にアクセスしてその記憶装置に複写された補正値ライブラリから読み出した、エッジ座標群分配部１３により振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、それぞれの計算機から受け取って、１つの補正値群データに集約する補正値群集約部１５と、補正値群集約部１５により集約された補正値群データを用いて入力された設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成部１６と、を備える。
【００１５】
計算機グループ化部１１は、利用可能である計算機が記載されている計算機リスト１００にもとづいて、ネットワーク回線を介して接続されている計算機を複数の計算機グループに振り分ける。図１では、計算機グループ１から計算機グループｍのｍ個の計算機グループに振り分けた例を示す。各計算機グループには、少なくとも１台の計算機が含まれる。
【００１６】
エッジ座標群抽出部１２は、設計パターンデータ２００から設計パターンを読み出して、その設計パターンから、角部や辺に対応して設定される基準点を中心に光近接効果の及ぶ領域を切り出し、その領域に含まれるパターンのエッジ座標を抽出する。このとき、１つの領域に対して複数のエッジ座標が抽出されることがあるので、ここでは、この複数のエッジ座標をエッジ座標群と称する。
【００１７】
エッジ座標群分配部１３は、計算機グループ化部１１から出力される計算機グループ情報にもとづいて、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する。
【００１８】
補正値ライブラリ複写部１４は、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリ３００を、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する。
【００１９】
なお、補正値ライブラリ３００に蓄積されたエッジ座標群と補正値群の対の数がゼロの場合は、上述の記憶装置Ｍ１〜Ｍｍへの複写を省略してもよい。
【００２０】
ここで、各計算機グループの計算機は、自身の計算機グループに備えられた記憶装置にのみアクセスするものとする。すなわち、計算機グループ１の計算機は記憶装置Ｍ１にアクセスし、計算機グループ２の計算機は記憶装置Ｍ２にアクセスし、計算機グループｍの計算機は記憶装置Ｍｍにアクセする。
【００２１】
これにより、各計算機グループの各計算機は、エッジ座標群分配部１３により自身に振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、記憶装置Ｍ１〜Ｍｍのそれぞれに複写された補正値ライブラリから読み出す。
【００２２】
補正値群集約部１５は、各計算機により読み出された補正値群をそれぞれの計算機から受け取って、１つの補正値群データに集約する。
【００２３】
マスクパターン生成部１６は、補正値群集約部１５により集約された補正値群データを用いて、設計パターンデータ２００から入力された設計パターンを補正し、マスクパターンを生成する。生成されたマスクパターンは、マスクパターンデータ４００として出力される。
【００２４】
次に、本実施例のマスクパターン作成装置１を用いたマスクパターン作成方法について説明する。
【００２５】
図２に、マスクパターン作成装置１によるマスクパターン作成処理フローの例をフロー図で示す。
【００２６】
マスクパターン作成装置１を用いてマスクパターン作成処理を開始すると、まず、計算機グループ化部１１が、利用可能である計算機が記載されている計算機リスト１００にもとづいて、ネットワーク回線を介して接続されている計算機を複数の計算機グループに振り分ける（ステップＳ０１）。
【００２７】
次に、エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンデータ２００の各設計パターンからエッジ座標群を抽出する（ステップＳ０２）。
【００２８】
続いて、補正値ライブラリ複写部１４が、補正値ライブラリ３００を、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する（ステップＳ０３）。
【００２９】
次に、エッジ座標群分配部１３が、計算機グループ化部１１から出力される計算機グループ情報にもとづいて、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する（ステップＳ０４）。
【００３０】
このエッジ座標群の振り分けを受けると、各計算機は、自身の計算機グループに備えられている記憶装置にアクセスし、その記憶装置に複写されている補正値ライブラリから、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群の読み出しを行う（ステップＳ０５）。
【００３１】
このとき、補正値ライブラリに、振り分けられたエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されていないこともあり得る。そのような場合、各計算機は、そのエッジ座標群に対する補正値群を算出し、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写されている補正値ライブラリに、そのエッジ座標群と補正値群の対を追加する。
【００３２】
図３に、この各計算機における処理のフローを示す。
【００３３】
各計算機は、エッジ座標群分配部１３により振り分けられたエッジ座標群のデータを受領すると（ステップＳ１１）、自身の計算機グループに備えられている記憶装置にアクセスし、その記憶装置に複写されている補正値ライブラリの検索を行ない（ステップＳ１２）、その補正値ライブラリに、振り分けられたエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されているかどうかをチェックする（ステップＳ１３）。
【００３４】
このとき、補正値ライブラリに該当のエッジ座標群のデータが格納されていないときは（ＮＯ）、光学シミュレーション、または補正値を多項式で表した数式等を用いたＯＰＣおよびプロセス・シミュレーション、あるいは補正値を多項式で表した数式等を用いたプロセス近接効果補正により、その座標群に対する補正値を算出する。そして、そのエッジ座標群と補正値群の対を、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写されている補正値ライブラリに追加し、ステップＳ１２へ戻る（ステップＳ１４）。
【００３５】
一方、ステップＳ１３におけるチェックで、補正値ライブラリに該当のエッジ座標群のデータが格納されていることが判明したときは（ＹＥＳ）、補正値ライブラリから該当のエッジ座標群に対する補正値群を読み出し（ステップＳ１５）、補正値群集約部１５へ送出する（ステップＳ１６）。
【００３６】
各計算機から補正値群が送出されると、図２のフローに戻って、補正値群集約部１５が、その補正値群を１つの補正値群データに集約する（ステップＳ０６）。
【００３７】
最後に、マスクパターン生成部１６が、この補正値群データを用いて、設計パターンデータ２００から入力された設計パターンを補正してマスクパターンを生成し、マスクパターンデータ４００として出力する（ステップＳ０７）。これにより、本フローの処理が終了する。
【００３８】
このような本実施例によれば、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分け、それぞれの計算機グループに備えられている記憶装置に補正値ライブラリを複写し、各計算機が自身の計算機グループに備えられている記憶装置のみにアクセスする。これにより、補正値ライブラリの読み出しが各記憶装置に分散し、オリジナルの補正値ライブラリが格納されるハードディスクへアクセスが集中することを避けることができる。また、補正値ライブラリの読み出しが、各計算機グループ内で行われるため、ネットワークの負荷を軽減することができる。
【００３９】
その結果、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することができる。
【実施例２】
【００４０】
図１に示した補正値ライブラリ３００には、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積されているため、シミュレーションの実行回数が増えるほど、データ量が増大して行く。そのため、これから補正を行なおうとする設計パターンに対する補正値群が含まれる確率は時間の経過とともに高くなる。しかし、一方では、これから補正を行なおうとする設計パターンの処理に必要でない補正値群のデータも増えて行く。
【００４１】
実施例１では、このような補正値ライブラリ３００をそのまま各計算機グループに備えられている記憶装置に複写している。その結果、これから補正を行なおうとする設計パターンの処理に必要でない補正値群のデータを大量に複写することもある。そのような場合、複写に要する時間に無駄が生じる。また、各計算機が複写された補正値ライブラリを検索するときにも、無駄な検索時間が生じる。
【００４２】
そこで、本実施例では、補正値ライブラリ３００をそのまま各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するのではなく、これから補正を行なおうとする設計パターンに必要なエッジ座標群と補正値の対のみを、各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するようにする。
【００４３】
図４は、本発明の実施例２に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図である。
【００４４】
本実施例のマスクパターン作成装置２は、図１に示した実施例１のマスクパターン作成装置に専用補正値ライブラリ生成部２１を追加したものである。そこで、図２において、図１に示すブロックと同一の機能のブロックには図１と同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００４５】
専用補正値ライブラリ生成部２１は、エッジ座標群抽出部１２により抽出されたエッジ座標群に関し、補正値ライブラリ３００にそのエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されていれば、そのエッジ座標群と補正値群の対を補正値ライブラリ３００から抽出し、設計パターンデータ２００に対する専用補正値ライブラリとする。
【００４６】
図５に、この専用補正値ライブラリ生成部２１の処理に関連する部分の処理フローを示す。図５に示すフローの前後のフローは図２に示したフローと同じである。
【００４７】
エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンデータ２００の各設計パターンからエッジ座標群を抽出すると（ステップＳ０２）、専用補正値ライブラリ生成部２１が、補正値ライブラリ３００から、そのエッジ座標群に関するエッジ座標群と補正値群の対を抽出し（ステップＳ３１）、入力された設計パターンデータ２００に対する専用補正値ライブラリを作成する（ステップＳ３２）。
【００４８】
補正値ライブラリ複写部１４は、この専用補正値ライブラリを、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する（ステップＳ３３）。
【００４９】
その後、実施例１と同様、エッジ座標群分配部１３が、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する（ステップＳ０４）。
【００５０】
本実施例では、各計算機は、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写された専用補正値ライブラリから、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群の読み出しを行う。
【００５１】
このとき、各計算機は、実施例１と同様、図３に示すフローに従って処理を行う。なお、本実施例では、専用補正値ライブラリが、図３のフローの補正値ライブラリに該当する。
【００５２】
このような本実施例によれば、これから補正を行なおうとする設計パターンに必要なエッジ座標群と補正値の対のみが格納された専用補正値ライブラリを各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するので、複写するデータ量が削減され、複写に要する時間を短縮することができる。また、複写時のネットワークの負荷を軽減することができる。
【００５３】
また、各計算機も、複写された専用補正値ライブラリを検索するので、補正値の抽出に無関係なデータの検索を行なわなくて済み、検索時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図。
【図２】実施例１のマスクパターン作成装置によるマスクパターン作成処理フローの例を示すフロー図。
【図３】本発明の実施例のマスクパターン作成装置に接続される計算機における処理フローの例を示すフロー図。
【図４】本発明の実施例２に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図。
【図５】実施例２のマスクパターン作成装置によるマスクパターン作成処理フローの要部を示すフロー図。
【符号の説明】
【００５５】
１、２ マスクパターン作成装置
１１ 計算機グループ化部
１２ エッジ座標群抽出部
１３ エッジ座標群分配部
１４ 補正値ライブラリ複写部
１５ 補正値群集約部
１６ マスクパターン生成部
２１ 専用補正値ライブラリ生成部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクパターン作成装置および作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置の微細化の進展に伴い、マスクパターンをウェーハに転写する際の光近接効果の影響が大きくなっている。そこで、マスク作成時に、設計パターンに予め光近接効果を補正してマスクパターンを生成する光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を施すことが行われている。
【０００３】
そのようなＯＰＣ手法の１つに、モデルベースＯＰＣがある。モデルベースＯＰＣでは、リソグラフィ・シミュレーションやプロセス・シミュレーションなどのシミュレーションによってウェーハ仕上がり形状を予測し、設計パターンに対する補正値を算出する。
【０００４】
このように、モデルベースＯＰＣは、シミュレーションにもとづいて設計パターンに対する補正値を算出するため高精度の補正を行うことができるが、その反面、シミュレーションの計算に時間がかかり、マスクパターンデータの生成に時間がかかるという問題があった。
【０００５】
そこで、従来、過去に行われたシミュレーション結果から得られた、設計パターンのエッジ座標群に対する補正値群を１つの対にし、この対を補正ライブラリとして蓄積し、この補正ライブラリを使用することにより現在のＯＰＣ処理におけるシミュレーション回数の低減を図る、マスクパターン作成方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
それでも、半導体装置の大規模化が進み、設計パターンのパターン量が増大すると、上述の方法をとったとしても、シミュレーションの計算に時間がかかる。そのような場合、一般的には、複数の計算機を用いて並列・分散処理を行うことにより、処理の高速化が図られる。近年では、数百台の計算機を利用した並列・分散処理も行われている。
【０００７】
ところが、分散規模の増大に伴って新たな問題が顕在化してきた。それは、ネットワークによって相互に接続された多数の計算機に処理を分散させる際、補正値ライブラリが多数の計算機から同時にアクセスされ、補正値ライブラリが格納されているハードディスクおよびネットワークの負荷が増大するという問題である。このような負荷の増大により、ＯＰＣ処理全体の処理効率が低下し、マスクパターンデータの生成時間が増加するという問題が発生する。
【特許文献１】特開２００４−１０９４５３号公報 （第５−６ページ、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することのできるマスクパターン作成装置および作成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成装置であって、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化手段と、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出手段と、前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配手段と、前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写手段と、前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約手段と、前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成手段とを備えることを特徴とするマスクパターン作成装置が提供される。
【００１０】
また、本発明の別の一態様によれば、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成方法であって、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化ステップと、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出ステップと、前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配ステップと、前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写ステップと、前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約ステップと、前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成ステップとを備えることを特徴とするマスクパターン作成方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の実施例１に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図である。
【００１４】
本実施例のマスクパターン作成装置１は、ネットワーク回線を介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化部１１と、入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出部１２と、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を上述の複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配部１３と、複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写部１４と、複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた記憶装置にアクセスしてその記憶装置に複写された補正値ライブラリから読み出した、エッジ座標群分配部１３により振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、それぞれの計算機から受け取って、１つの補正値群データに集約する補正値群集約部１５と、補正値群集約部１５により集約された補正値群データを用いて入力された設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成部１６と、を備える。
【００１５】
計算機グループ化部１１は、利用可能である計算機が記載されている計算機リスト１００にもとづいて、ネットワーク回線を介して接続されている計算機を複数の計算機グループに振り分ける。図１では、計算機グループ１から計算機グループｍのｍ個の計算機グループに振り分けた例を示す。各計算機グループには、少なくとも１台の計算機が含まれる。
【００１６】
エッジ座標群抽出部１２は、設計パターンデータ２００から設計パターンを読み出して、その設計パターンから、角部や辺に対応して設定される基準点を中心に光近接効果の及ぶ領域を切り出し、その領域に含まれるパターンのエッジ座標を抽出する。このとき、１つの領域に対して複数のエッジ座標が抽出されることがあるので、ここでは、この複数のエッジ座標をエッジ座標群と称する。
【００１７】
エッジ座標群分配部１３は、計算機グループ化部１１から出力される計算機グループ情報にもとづいて、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する。
【００１８】
補正値ライブラリ複写部１４は、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリ３００を、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する。
【００１９】
なお、補正値ライブラリ３００に蓄積されたエッジ座標群と補正値群の対の数がゼロの場合は、上述の記憶装置Ｍ１〜Ｍｍへの複写を省略してもよい。
【００２０】
ここで、各計算機グループの計算機は、自身の計算機グループに備えられた記憶装置にのみアクセスするものとする。すなわち、計算機グループ１の計算機は記憶装置Ｍ１にアクセスし、計算機グループ２の計算機は記憶装置Ｍ２にアクセスし、計算機グループｍの計算機は記憶装置Ｍｍにアクセする。
【００２１】
これにより、各計算機グループの各計算機は、エッジ座標群分配部１３により自身に振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を、記憶装置Ｍ１〜Ｍｍのそれぞれに複写された補正値ライブラリから読み出す。
【００２２】
補正値群集約部１５は、各計算機により読み出された補正値群をそれぞれの計算機から受け取って、１つの補正値群データに集約する。
【００２３】
マスクパターン生成部１６は、補正値群集約部１５により集約された補正値群データを用いて、設計パターンデータ２００から入力された設計パターンを補正し、マスクパターンを生成する。生成されたマスクパターンは、マスクパターンデータ４００として出力される。
【００２４】
次に、本実施例のマスクパターン作成装置１を用いたマスクパターン作成方法について説明する。
【００２５】
図２に、マスクパターン作成装置１によるマスクパターン作成処理フローの例をフロー図で示す。
【００２６】
マスクパターン作成装置１を用いてマスクパターン作成処理を開始すると、まず、計算機グループ化部１１が、利用可能である計算機が記載されている計算機リスト１００にもとづいて、ネットワーク回線を介して接続されている計算機を複数の計算機グループに振り分ける（ステップＳ０１）。
【００２７】
次に、エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンデータ２００の各設計パターンからエッジ座標群を抽出する（ステップＳ０２）。
【００２８】
続いて、補正値ライブラリ複写部１４が、補正値ライブラリ３００を、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する（ステップＳ０３）。
【００２９】
次に、エッジ座標群分配部１３が、計算機グループ化部１１から出力される計算機グループ情報にもとづいて、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する（ステップＳ０４）。
【００３０】
このエッジ座標群の振り分けを受けると、各計算機は、自身の計算機グループに備えられている記憶装置にアクセスし、その記憶装置に複写されている補正値ライブラリから、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群の読み出しを行う（ステップＳ０５）。
【００３１】
このとき、補正値ライブラリに、振り分けられたエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されていないこともあり得る。そのような場合、各計算機は、そのエッジ座標群に対する補正値群を算出し、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写されている補正値ライブラリに、そのエッジ座標群と補正値群の対を追加する。
【００３２】
図３に、この各計算機における処理のフローを示す。
【００３３】
各計算機は、エッジ座標群分配部１３により振り分けられたエッジ座標群のデータを受領すると（ステップＳ１１）、自身の計算機グループに備えられている記憶装置にアクセスし、その記憶装置に複写されている補正値ライブラリの検索を行ない（ステップＳ１２）、その補正値ライブラリに、振り分けられたエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されているかどうかをチェックする（ステップＳ１３）。
【００３４】
このとき、補正値ライブラリに該当のエッジ座標群のデータが格納されていないときは（ＮＯ）、光学シミュレーション、または補正値を多項式で表した数式等を用いたＯＰＣおよびプロセス・シミュレーション、あるいは補正値を多項式で表した数式等を用いたプロセス近接効果補正により、その座標群に対する補正値を算出する。そして、そのエッジ座標群と補正値群の対を、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写されている補正値ライブラリに追加し、ステップＳ１２へ戻る（ステップＳ１４）。
【００３５】
一方、ステップＳ１３におけるチェックで、補正値ライブラリに該当のエッジ座標群のデータが格納されていることが判明したときは（ＹＥＳ）、補正値ライブラリから該当のエッジ座標群に対する補正値群を読み出し（ステップＳ１５）、補正値群集約部１５へ送出する（ステップＳ１６）。
【００３６】
各計算機から補正値群が送出されると、図２のフローに戻って、補正値群集約部１５が、その補正値群を１つの補正値群データに集約する（ステップＳ０６）。
【００３７】
最後に、マスクパターン生成部１６が、この補正値群データを用いて、設計パターンデータ２００から入力された設計パターンを補正してマスクパターンを生成し、マスクパターンデータ４００として出力する（ステップＳ０７）。これにより、本フローの処理が終了する。
【００３８】
このような本実施例によれば、ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分け、それぞれの計算機グループに備えられている記憶装置に補正値ライブラリを複写し、各計算機が自身の計算機グループに備えられている記憶装置のみにアクセスする。これにより、補正値ライブラリの読み出しが各記憶装置に分散し、オリジナルの補正値ライブラリが格納されるハードディスクへアクセスが集中することを避けることができる。また、補正値ライブラリの読み出しが、各計算機グループ内で行われるため、ネットワークの負荷を軽減することができる。
【００３９】
その結果、補正値ライブラリを用いるＯＰＣを効率的に処理することができる。
【実施例２】
【００４０】
図１に示した補正値ライブラリ３００には、過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積されているため、シミュレーションの実行回数が増えるほど、データ量が増大して行く。そのため、これから補正を行なおうとする設計パターンに対する補正値群が含まれる確率は時間の経過とともに高くなる。しかし、一方では、これから補正を行なおうとする設計パターンの処理に必要でない補正値群のデータも増えて行く。
【００４１】
実施例１では、このような補正値ライブラリ３００をそのまま各計算機グループに備えられている記憶装置に複写している。その結果、これから補正を行なおうとする設計パターンの処理に必要でない補正値群のデータを大量に複写することもある。そのような場合、複写に要する時間に無駄が生じる。また、各計算機が複写された補正値ライブラリを検索するときにも、無駄な検索時間が生じる。
【００４２】
そこで、本実施例では、補正値ライブラリ３００をそのまま各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するのではなく、これから補正を行なおうとする設計パターンに必要なエッジ座標群と補正値の対のみを、各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するようにする。
【００４３】
図４は、本発明の実施例２に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図である。
【００４４】
本実施例のマスクパターン作成装置２は、図１に示した実施例１のマスクパターン作成装置に専用補正値ライブラリ生成部２１を追加したものである。そこで、図２において、図１に示すブロックと同一の機能のブロックには図１と同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００４５】
専用補正値ライブラリ生成部２１は、エッジ座標群抽出部１２により抽出されたエッジ座標群に関し、補正値ライブラリ３００にそのエッジ座標群に該当するエッジ座標群のデータが格納されていれば、そのエッジ座標群と補正値群の対を補正値ライブラリ３００から抽出し、設計パターンデータ２００に対する専用補正値ライブラリとする。
【００４６】
図５に、この専用補正値ライブラリ生成部２１の処理に関連する部分の処理フローを示す。図５に示すフローの前後のフローは図２に示したフローと同じである。
【００４７】
エッジ座標群抽出部１２が、設計パターンデータ２００の各設計パターンからエッジ座標群を抽出すると（ステップＳ０２）、専用補正値ライブラリ生成部２１が、補正値ライブラリ３００から、そのエッジ座標群に関するエッジ座標群と補正値群の対を抽出し（ステップＳ３１）、入力された設計パターンデータ２００に対する専用補正値ライブラリを作成する（ステップＳ３２）。
【００４８】
補正値ライブラリ複写部１４は、この専用補正値ライブラリを、計算機グループ１〜ｍのそれぞれに備えられている記憶装置Ｍ１〜Ｍｍに複写する（ステップＳ３３）。
【００４９】
その後、実施例１と同様、エッジ座標群分配部１３が、エッジ座標群抽出部１２より抽出されたエッジ座標群を、計算機グループ１〜ｍの各計算機に振り分け、ネットワーク回線を介して各計算機へ送出する（ステップＳ０４）。
【００５０】
本実施例では、各計算機は、自身の計算機グループに備えられている記憶装置に複写された専用補正値ライブラリから、振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群の読み出しを行う。
【００５１】
このとき、各計算機は、実施例１と同様、図３に示すフローに従って処理を行う。なお、本実施例では、専用補正値ライブラリが、図３のフローの補正値ライブラリに該当する。
【００５２】
このような本実施例によれば、これから補正を行なおうとする設計パターンに必要なエッジ座標群と補正値の対のみが格納された専用補正値ライブラリを各計算機グループに備えられている記憶装置に複写するので、複写するデータ量が削減され、複写に要する時間を短縮することができる。また、複写時のネットワークの負荷を軽減することができる。
【００５３】
また、各計算機も、複写された専用補正値ライブラリを検索するので、補正値の抽出に無関係なデータの検索を行なわなくて済み、検索時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図。
【図２】実施例１のマスクパターン作成装置によるマスクパターン作成処理フローの例を示すフロー図。
【図３】本発明の実施例のマスクパターン作成装置に接続される計算機における処理フローの例を示すフロー図。
【図４】本発明の実施例２に係るマスクパターン作成装置の構成の例を示すブロック図。
【図５】実施例２のマスクパターン作成装置によるマスクパターン作成処理フローの要部を示すフロー図。
【符号の説明】
【００５５】
１、２ マスクパターン作成装置
１１ 計算機グループ化部
１２ エッジ座標群抽出部
１３ エッジ座標群分配部
１４ 補正値ライブラリ複写部
１５ 補正値群集約部
１６ マスクパターン生成部
２１ 専用補正値ライブラリ生成部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成装置であって、
ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化手段と、
入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出手段と、
前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配手段と、
前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写手段と、
前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約手段と、
前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成手段と
を備えることを特徴とするマスクパターン作成装置。
【請求項２】
前記記憶装置に複写される補正値ライブラリが、
前記補正値ライブラリから、前記設計パターンに含まれるエッジ座標群に関する前記補正値の対のみが抽出された前記設計パターン用の専用補正値ライブラリである
ことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン作成装置。
【請求項３】
過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成方法であって、
ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化ステップと、
入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出ステップと、
前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配ステップと、
前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写ステップと、
前記複数の計算機のそれぞれが前記複写された補正値ライブラリを検索したときに、前記振り分けられたエッジ座標群に一致するエッジ座標群が検出されないときは、そのエッジ座標群に対する補正値群を算出し、そのエッジ座標群と補正値群の対を前記複写された補正値ライブラリに追加するステップと、
前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約ステップと、
前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成ステップと
を備えることを特徴とするマスクパターン作成方法。
【請求項４】
前記複数の計算機グループのそれぞれに複写される補正値ライブラリが、
前記補正値ライブラリから、前記設計パターンに含まれるエッジ座標群に関する前記補正値の対のみが抽出された前記設計パターン用の専用補正値ライブラリである
ことを特徴とする請求項３に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項１】
過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成装置であって、
ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化手段と、
入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出手段と、
前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配手段と、
前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写手段と、
前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約手段と、
前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成手段と
を備えることを特徴とするマスクパターン作成装置。
【請求項２】
前記記憶装置に複写される補正値ライブラリが、
前記補正値ライブラリから、前記設計パターンに含まれるエッジ座標群に関する前記補正値の対のみが抽出された前記設計パターン用の専用補正値ライブラリである
ことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン作成装置。
【請求項３】
過去に実行されたシミュレーション結果から得られたエッジ座標群と補正値群の対が蓄積された補正値ライブラリを用いて設計パターンに対する補正を行なうマスクパターン作成方法であって、
ネットワークを介して接続されている複数の計算機を複数の計算機グループに振り分ける計算機グループ化ステップと、
入力された設計パターンからエッジ座標群を抽出するエッジ座標群抽出ステップと、
前記エッジ座標群を前記複数の計算機に振り分けるエッジ座標群分配ステップと、
前記複数の計算機グループのそれぞれに備えられている記憶装置に前記補正値ライブラリを複写する補正値ライブラリ複写ステップと、
前記複数の計算機のそれぞれが前記複写された補正値ライブラリを検索したときに、前記振り分けられたエッジ座標群に一致するエッジ座標群が検出されないときは、そのエッジ座標群に対する補正値群を算出し、そのエッジ座標群と補正値群の対を前記複写された補正値ライブラリに追加するステップと、
前記複数の計算機のそれぞれが自身の属するグループに備えられた前記記憶装置にアクセスして前記複写された補正値ライブラリから読み出した、前記振り分けられたエッジ座標群に対する補正値群を１つの補正値群データに集約する補正値群集約ステップと、
前記補正値群データを用いて前記設計パターンを補正し、マスクパターンを生成するマスクパターン生成ステップと
を備えることを特徴とするマスクパターン作成方法。
【請求項４】
前記複数の計算機グループのそれぞれに複写される補正値ライブラリが、
前記補正値ライブラリから、前記設計パターンに含まれるエッジ座標群に関する前記補正値の対のみが抽出された前記設計パターン用の専用補正値ライブラリである
ことを特徴とする請求項３に記載のマスクパターン作成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−１５６９８３（Ｐ２００９−１５６９８３Ａ）
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３３３００６（Ｐ２００７−３３３００６）
【出願日】平成１９年１２月２５日（２００７．１２．２５）
【出願人】（０００２２１１９９）東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 (376)
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月１６日（２００９．７．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月２５日（２００７．１２．２５）
【出願人】（０００２２１１９９）東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 (376)
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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