レジストパターン形成方法、弾性表面波装置の製造方法、および弾性表面波装置
【課題】 マスクが不要でレジストが節約でき、さらにレジストパターンの識別が容易なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターン形成方法が、レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターン１０Ａを形成する工程と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターン１０Ｂを形成する工程と、を有している。
【解決手段】 レジストパターン形成方法が、レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターン１０Ａを形成する工程と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターン１０Ｂを形成する工程と、を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン形成方法に関し、特に、弾性表面波装置およびその製造に好適なレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置の交差指電極（ＩＤＴ）の表面を陽極酸化する際に、接続ランドに対応する部分にレジストを塗布することが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３３０８８２号公報（段落００５３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、そのような場合には、スピンコート法でレジスト材料を塗布するので、塗布工程中にレジスト材料の殆どが排出されてしまう。また、後の現像工程によってレジスト材料が除去されてしまう部分にも、レジスト材料が塗布されてしまう。これらのことから、従来のレジストパターンの形成方法によれば、レジスト材料の使用効率が極めて悪い。加えて、目的とするレジストパターンの形状が変われば、その都度、レジストをパターニングするためのフォトマスクの変更が必要になる。
【０００５】
また、通常のレジスト材料は、紫外光域の光を吸収するが、可視光域の光に対して透過性を有しているので、目視でレジストパターンを識別することは困難である。
【０００６】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、レジストパターンの識別を容易にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のレジストパターン形成方法は、レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、を有している。また、本発明のレジストパターン形成方法は、レジスト材料と、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、を有している。ここで、上記レジストパターン形成方法が、前記材料パターンの形状または前記レジストパターンの形状を検査する工程（Ｃ）、をさらに有していることが好ましい。
【０００８】
上記特徴によれば、材料パターンおよびレジストパターンに含まれる微粒子が、可視光域において下地物体が反射する光の波長域とは異なる波長域の光を反射するので、下地物体上に形成された材料パターンの形状またはレジストパターンの形状が、予定していた形状であるかを検査しやすい。
【０００９】
本発明のある態様では、前記下地物体は、圧電体上に位置する櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドである。そして、前記工程（Ａ）は、前記液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に前記材料パターンを形成する工程を含んでいる。
【００１０】
上記特徴によれば、導電パッド上に正確にレジストパターンが設けられたかどうかを判別する検査が容易になる。
【００１１】
本発明の他の態様では、前記工程（Ａ）は、前記可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。また、前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなる場合には、前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいてもよい。
【００１２】
上記特徴によれば、液状材料（レジストパターンの前身）が誤って配置された櫛歯状電極の識別が容易である。
【００１３】
本発明によれば、圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法が、レジストと、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、を有している。
【００１４】
また、本発明によれば、圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法が、レジスト材料と、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、を有している。
【００１５】
上記特徴によれば、誤って液状材料（レジストパターンの前身）が配置されてしまった櫛歯状電極の識別が容易になる。このため、櫛歯状電極上に、不均一な酸化膜を形成してしまう惧れがない。
【００１６】
好ましくは、前記工程（Ａ）は、前記導電パッドの反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。
【００１７】
上記特徴によれば、レジストパターンが導電パッドの表面形状に一致しているかどうかの検査が容易になる。
【００１８】
本発明のある態様では、前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなる。そして、前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。
【００１９】
また、本発明の弾性表面波装置は、上記弾性表面波装置の製造方法によって製造されている。このため、櫛歯状電極上に不均一な酸化膜が形成される可能性が低いので、弾性表面波装置の歩留まりを上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（Ａ．基体の構造）
図１に示す基体１ａは、後述する処理を経て、図７に示す弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）１となる構造を有している。具体的には、基体１ａは、水晶から成る圧電体ウエハ５０と、櫛歯状電極２，３と、導電パッド４，５と、反射器６，７と、を備えている。ここで、櫛歯状電極２，３と、導電パッド４，５と、反射器６，７と、はいずれも、圧電体ウエハ５０上に位置している。
【００２１】
櫛歯状電極２，３は、どちらもアルミニウムからなる電極パターンである。櫛歯状電極２は、ベース部２Ｂと、それぞれがストライプ形状を有する複数の櫛歯部２Ａと、からなる。複数の櫛歯部２Ａは、いずれもベース部２Ｂから突出しており、かつ互いに平行に並んでいる。そして、複数の櫛歯部２Ａのピッチは、入力信号（後述）と同じ周波数を有する弾性表面波の波長λにほぼ等しく設計されている。また、複数の櫛歯部２Ａのそれぞれの幅は、上記波長λのほぼ１／４である。
【００２２】
櫛歯状電極３も、ベース部３Ｂと、それぞれがストライプ形状を有する複数の櫛歯部３Ａと、からなる。複数の櫛歯部３Ａは、いずれもベース部３Ｂから突出しており、かつ互いに平行に並んでいる。そして、複数の櫛歯部３Ａのピッチは、上記波長λにほぼ等しく設計されている。また、複数の櫛歯部３Ａのそれぞれの幅は、上記波長λのほぼ１／４である。なお、本実施形態では、櫛歯部２Ａの数と櫛歯部３Ａの数とは異なる。
【００２３】
櫛歯状電極２と櫛歯状電極３とは、複数の櫛歯部２Ａと複数の櫛歯部３Ａとが互いに間挿するように、位置している。具体的には、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａの中間に、１つの櫛歯部３Ａが位置するように、櫛歯状電極２，３が構成されている。このため、櫛歯部２Ａ，３Ａは互いに平行であり、しかも、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａ，３Ａの中心間距離は、波長λのほぼ半分（つまりλ／２）である。そして、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａ、３Ａの間に位置する隙間の幅は、波長λのほぼ１／４である。
【００２４】
反射器６，７のいずれも、アルミニウムからなるパターンである。そして、反射器６，７は、反射器６と反射器７との間に櫛歯状電極２，３が位置するように、配置されている。より具体的には、反射器６，７は、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａが並ぶ方向に位置している。ここで、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａが並ぶ方向とは、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａに対応する部分で発生した弾性波（後述）が伝播する方向でもある。反射器６，７のそれぞれの形状は、上述の弾性波を櫛歯状電極２，３側に反射できるように、設計されている。また、反射器６，７を構成するパターンの幅は、波長λのほぼ１／４である。
【００２５】
導電パッド４，５は、どちらもアルミニウムからなるランドパターンである。そして、導電パッド４，５はＳＡＷデバイス１の入力端子および出力端子としてそれぞれ機能するように、櫛歯状電極２，３にそれぞれ電気的に連結されている。具体的には、導電パッド４は櫛歯状電極２のベース部２Ｂに電気的に連結されており、導電パッド５は櫛歯状電極３のベース部３Ｂに電気的に連結されている。
【００２６】
なお、櫛歯状電極２，３の表面には、ＳＡＷデバイス１の性能維持を目的として、後に酸化膜１３（図７）が形成されることになる。酸化膜１３が設けられていれば、半田くずなどの異物がＳＡＷデバイス１上に付着しても、異物が櫛歯状電極２，３に直接接することを防止でき、この結果、異物によるトラブルを防げるからである。一方、導電パッド４，５はどちらも、ＳＡＷデバイス１が完成した後で、外部回路と電気的に接続される部位なので、導電パッド４，５の表面には酸化膜１３は設けられない。
【００２７】
本実施形態では、２つの櫛歯状電極２，３と、２つの反射器６，７と、２つの導電パッド４，５と、からなるセットを「導電パターン」とも表記する。なお、本実施形態では、導電パッド４，５のそれぞれは、本発明の「下地物体」に対応している。
【００２８】
さて、基体１ａから得られるＳＡＷデバイス１（図７）は、１８０°移相器として機能する。具体的には、導電パッド４に入力信号を供給する場合、導電パッド５に現れる出力信号の位相は、入力信号の位相に対してπラジアン（１８０°）だけ遅れる。このように、ＳＡＷデバイス１が出力する出力信号の位相は、入力信号の位相に対して反転しているので、ＳＡＷデバイス１は差動増幅回路におけるバラン（平衡不平衡変成器）として使用される。
【００２９】
（Ｂ．液滴吐出装置）
ＳＡＷデバイス１の製造方法を説明する前に、説明の便宜上、導電パッド４，５に液状材料を配置または付与して、導電パッド４，５を覆う材料パターン１０Ａを形成する液滴吐出装置について、構造と機能とを説明する。なお、後述するように、材料パターン１０Ａは、乾燥工程または硬化工程を経て、導電パッド４，５を覆うレジストパターン１０Ｂになる。
【００３０】
図２に示す液滴吐出装置１００は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１００は、液状材料１０を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００３１】
ステージ１０６は、圧電体ウエハ５０を固定するための平面を有している。一方、吐出ヘッド部１０３は、図示しないキャリッジと、キャリッジに固定されたヘッド１１４（図３）と、を有している。ヘッド１１４は、制御部１１２からの駆動波形に応じて、液状材料１０の液滴Ｄを、ステージ１０６側へ吐出する。なお、ヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１０が供給される。
【００３２】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００３３】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交する方向である。
【００３４】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
【００３５】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、圧電体ウエハ５０はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、圧電体ウエハ５０に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４（図３）、またはノズル１１８（図３）は、圧電体ウエハ５０から所定距離を維持しながら、圧電体ウエハ５０に対してＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動する。
【００３６】
制御部１１２は、液状材料１０の液滴Ｄを吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。
【００３７】
上記構成を有する液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８を圧電体ウエハ５０のような対象物に対して相対移動させるとともに、導電パッド４，５のような被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１０を吐出する。なお、液滴吐出装置１００によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１０の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
【００３８】
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成することは、液滴吐出装置１００のような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
【００３９】
次に、図３（ａ）および（ｂ）を参照しながら、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４の内部構造を簡単に説明する。ヘッド１１４は、振動板１２６と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、複数のキャビティ１２０と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１と、を備えている。液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１０が常に充填される。
【００４０】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１０が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００４１】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動波形を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１０の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１０の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。このため、吐出された液滴Ｄは、Ｚ軸方向の速度成分を有することになる。
【００４２】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」とも表記する。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。また、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００４３】
次に、図４を参照しながら、制御部１１２の構成を説明する。図４に示す制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、バス（不図示）と、を備えている。そして、入力バッファメモリ２００と、処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、上記バスによって相互に通信可能に接続されている。
【００４４】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１００の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状材料１０の液滴Ｄを吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図４では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００４５】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、ステージ１０６に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、所定の吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、圧電体ウエハ５０に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状材料１０の吐出に必要なノズル１１８を選択するノズル選択信号をヘッド駆動部２０８に与える。そうすると、ヘッド駆動部２０８は、ノズル選択信号が示すノズル１１８に対応した吐出部１２７へ駆動波形を与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状材料１０の液滴Ｄが吐出される。
【００４６】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００４７】
（Ｃ．液状材料）
ここで、「液状材料１０」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状材料１０が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。さらに、液状材料１０の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状材料１０の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状材料１０で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。
【００４８】
後述するように、本実施形態の液状材料１０は固体物質を含有している。具体的には、液状材料１０は、少なくとも４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲（つまり可視光域）に対して上述の導電パターンが呈する反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子１１を含有している。ここで、微粒子１１の平均粒径は１μｍ以下である。このような条件を満足する微粒子１１であれば、液状材料１０が含有する微粒子１１の種類は問わない。なお、微粒子１１の平均粒径の上限は、ノズル１１８の開口の大きさが大きくなれば、１μｍより大きくなり得る。要するに、ノズル１１８から吐出され得る平均粒径であればよい。
【００４９】
微粒子１１の例は、金属粒子または無機粒子である。例えば、微粒子１１は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびインジウム（Ｉｎ）のうちの１種以上の元素を含む金属、合金、または金属酸化物からなる粒子であってよい。特に、金、銀、銅、ニッケル、マンガン、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、またはＡＴＯ（アンチモン錫酸化物）を含む粒子が好ましい。そして、分散剤によってそれらの粒子の表面が覆われるように、それらの粒子に表面処理が施されていてもよい。また、微粒子１１は、シリカ（ＳｉＯ2）からなる粒子であってもよい。なお、吐出の安定性の見地からは、液状材料１０における微粒子１１の量は１５重量％以下であるのが好ましい。
【００５０】
（Ｄ．製造方法）
図５（ａ）から（ｅ）および図６を参照しながら、本実施形態のレジストパターン形成方法を利用したＳＡＷデバイス１の製造方法を説明する。なお、図５（ａ）から（ｅ）のいずれも、図１のＡ−Ａ断面を示している。
【００５１】
まず、蒸着法を用いて、水晶からなる圧電体ウエハ５０上に約０．１μｍのアルミニウム膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー法を用いて、アルミニウム膜をパターニングして、圧電体ウエハ５０上に前出の図１で示した導電パターンを形成する。ここで、導電パターンと、導電パターンに対応する圧電体ウエハ５０の部分とが、１つの基体１ａに相当する。なお、前出の図１には１つの基体１ａが図示されているが、実際の製造の際には、１つの圧電体ウエハ５０に、複数の基体１ａが設けられてよい。
【００５２】
（１．吐出工程）
次に、図５（ａ）に示すように、インクジェット法を用いて、基体１ａの導電パターンのうち、導電パッド４，５上に材料パターン１０Ａを設ける。ここで、導電パターンのうち、櫛歯状電極２，３は、材料パターン１０Ａに覆われないようにする。なお、後述するように、材料パターン１０Ａは、レジストパターン１０Ｂの前身である。
【００５３】
具体的には、まず、圧電体ウエハ５０を、液滴吐出装置１００のステージ１０６上に載置する。その後、液滴吐出装置１００は、基体１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ノズル１１８が導電パッド４，５に対応する領域内に達した場合に、液滴吐出装置１００のヘッド１１４は、そのノズル１１８から液状材料１０の液滴Ｄを吐出する。そうすると、導電パッド４，５上に液滴Ｄが着弾して濡れ広がり、この結果、導電パッド４，５を覆う材料パターン１０Ａが形成される。ここで、ノズル１１８が導電パッド４，５に対応する領域以外にある場合には、ヘッド１１４は液滴Ｄを何ら吐出しない。このため、導電パターンのうち、導電パッド４，５は材料パターン１０Ａで覆われる。その一方で、導電パターンのうち、櫛歯状電極２，３および反射器６，７は、露出したままとなる。
【００５４】
ここで、本実施形態の液状材料１０は、微粒子１１とレジストとを含有している。具体的には、液状材料１０は、平均粒径が約５００ｎｍの銅粒子と、レジストであるポリマー（つまり樹脂）と、を含有している。より具体的には、液状材料１０は、ポリマーが溶けている有機溶液と、この有機溶液中に分散している銅粒子と、を含有している。なお、後述するように、液状材料１０を乾燥すると、ポリマーと、銅粒子と、からなるレジスト層（またはレジストパターン１０Ｂ）が得られる。
【００５５】
（２．検査工程）
次に、図５（ｂ）に示すように、材料パターン１０Ａの形状が適切か否かを検査する。具体的には、顕微鏡１２で導電パッド４，５を観察して、導電パッド４，５の表面形状に従って液状材料１０が配置または付与されているか否かを判定する。本実施形態では、まず、顕微鏡１２を用いた目視に基づいて、櫛歯状電極２，３上に誤って液状材料１０が付与されたか否か、を検査する。
【００５６】
ここで、材料パターン１０Ａにおける微粒子１１は銅を含んでいる。一方、櫛歯状電極２，３は、アルミニウムからなる。４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲、つまり可視光域、において、銅の反射率・波長特性とアルミニウムの反射率・波長特性とは、互いに異なる。具体的には、可視光域の長波長成分に対する銅の反射率は、短波長成分に対する銅の反射率よりも高い。一方、アルミニウムは可視光域の全域で高い反射率を示す。このように、２つの金属の間でそれぞれの反射率の波長依存性が互いに異なるため、観察者には、材料パターン１０Ａの色と櫛歯状電極２，３の色とが異なって見える。したがって、観察者には、材料パターン１０Ａと櫛歯状電極２，３との識別が容易である。特に、櫛歯状電極２，３上に材料パターン１０Ａが位置しているか否かを、判別し易い。
【００５７】
さて、櫛歯状電極２，３上のどこかに液状材料１０が付与されている場合には、その基体１ａを「不良品」としてラベルしておく。なお、櫛歯状電極２，３上に液状材料１０が付与されてしまう事態は、液滴Ｄの吐出に伴って液状材料１０のミストが発生している場合、または、液滴Ｄの飛翔経路がずれている場合に、起こり得る。
【００５８】
櫛歯状電極２，３の表面は、後述する工程において、酸化膜１３が形成されるべき部位である。仮に、櫛歯状電極２，３の表面の一部に液状材料１０（レジストパターンの前身）が位置してしまうと、後述の酸化工程を行っても、それら表面の一部に酸化膜１３が形成されない。この結果、櫛歯状電極２，３上で酸化膜１３が不均一に形成されることになる。酸化膜１３の不均一さは、酸化膜１３をも含めた櫛歯状電極２，３の総質量が設計値からずれることにつながるので、この結果、ＳＡＷデバイスが所期の性能を発揮しない。
【００５９】
基体１ａが「不良品」でない場合には、顕微鏡を用いた目視によって、次のような判定を行う。なお、基体１ａが「不良品」でない場合とは、櫛歯状電極２，３が完全に露出している場合に対応する。
【００６０】
まず、導電パッド４，５が材料パターン１０Ａで完全に覆われているか否か、を判定する。そして、導電パッド４，５の表面形状に一致して、材料パターン１０Ａが導電パッド４，５を覆っている場合には、その基体１ａを「良品」としてラベルする。一方、導電パッド４，５が材料パターン１０Ａで完全に覆われていない場合には、材料パターン１０Ａが不足している部分に、液滴吐出装置１００を用いて再び液状材料１０を配置または付与する。そして、検査工程を再び行う。このような検査工程と吐出工程との繰り返しは、基体１ａが「不良品」としてラベルされない限り、続けられてよい。
【００６１】
ここで、櫛歯状電極２，３だけでなく、導電パッド４，５も、アルミニウムからなる。そして、上述のように、材料パターン１０Ａにおける微粒子１１は銅を含んでいる。このため、観察者にとって、材料パターン１０Ａの色と導電パッド４，５の色とが異なって見える。したがって、観察者には、材料パターン１０Ａと導電パッド４，５との識別が容易である。特に、導電パッド４，５の表面形状に一致して、材料パターン１０Ａが導電パッド４，５を覆っているか否かを、判別し易い。
【００６２】
（３．乾燥工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、導電パッド４，５上の材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂを形成する。本実施形態では、図示しないオーブンを用いて、材料パターン１０Ａが乾燥するように、熱量Ｑを与えて基体１ａを加熱する。そうすると、材料パターン１０Ａから溶媒が蒸発し、レジストパターン１０Ｂを構成する微粒子１１とポリマーとが残る。本実施形態によれば、「良品」としてラベルされた基体１ａには、適切なパターンで液状材料１０が付与されているので、適切な形状を有するレジスト層、つまりレジストパターン１０Ｂ、が得られる。
【００６３】
（４．酸化工程）
次に、図５（ｄ）に示すように、櫛歯状電極２，３の表面に酸化膜１３を設ける。具体的には、図６に示すように、まず、圧電体ウエハ５０に設けられた導電ターミナル５３を、導電クリップ５６で保持する。そして、圧電体ウエハ５０が、槽５５における酸化液５９に浸るように、導電クリップ５６を槽５５に対して位置させる。なお、本実施形態では、酸化液５９は、リン酸塩の水溶液である。次に、電源５７から導電クリップ５６を介して、圧電体ウエハ５０側が陽極となるように電流を流す。ここで導電ターミナル５６と、櫛歯状電極２，３とは、図示しない接続パターンによって導電可能に接続されているので、電源５７から櫛歯状電極２，３に電流が流れることになる。また、電源５７は酸化液５９に浸った陰極５８にも接続されている。これらのことから、櫛歯状電極２，３の表面に、陽極酸化によって酸化膜１３が形成される。
【００６４】
ここで、導電パッド４，５は、櫛歯状電極２，３とそれぞれ電気的に連結されているので、陽極酸化の際には、導電パッド４，５の電位と櫛歯状電極２，３の電位とは等しくなる。しかしながら、レジストパターン１０Ｂがそれぞれの導電パッド４，５を覆っているので、導電パッド４，５は酸化液５９に接しない。つまり、レジストパターン１０Ｂが酸化に対して保護層として機能する。そして、このため、導電パッド４，５の表面には酸化膜１３が形成されない。なお、酸化工程は、上記で説明した陽極酸化による工程に代えて、熱酸化による工程であってもよい。
【００６５】
酸化工程の後で、図５（ｅ）に示すように、導電パッド４，５上のレジストパターン１０Ｂを剥離する。この結果、図７に示すような、弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）１が得られる。
【００６６】
本実施形態によれば、インクジェット法で導電パッド４，５上に材料パターン１０Ａ（レジストパターン１０Ｂの前身）を形成する。このため、レジスト層をパターニングするための露光工程と現像工程とが不要である。特に現像工程が不要であるため、現像工程で用いられる処理液が櫛歯状電極２，３に悪影響を与えることがない。さらに、本実施形態によれば、レジストパターン１０Ｂを形成するための液状材料１０に含まれる微粒子１１が、可視光域において櫛歯状電極２，３および導電パッド４，５が反射する光の波長域とは異なる波長域の光を反射する。このため、レジストパターン１０Ｂが所望のパターンか否かを、観察者が目視によって容易に検査できる。
【００６７】
（変形例１）
上記実施形態では、検査工程の後で乾燥工程を行う。このため、上記実施形態の検査工程では、材料パターン１０Ａの形状が、導電パッド４，５のパターンの形状（つまり下地物体の表面形状）にほぼ一致するか否かを検査することになる。ただし、このような方法に代えて、乾燥工程の後で検査工程を行ってもよい。このような場合には、検査工程において、レジストパターン１０Ｂの形状が、導電パッド４，５のパターンの形状（つまり下地物体の表面形状）にほぼ一致するか否かを検査すればよい。
【００６８】
（変形例２）
本変形例では、液状材料１０は、微粒子１１と感光性のレジスト材料とを含有している。具体的には、液状材料１０は、平均粒径が約５００ｎｍの銅粒子と、光官能基を有するモノマーと、を含有している。より具体的には、液状材料１０は、上記モノマーが溶けている有機溶液と、この有機溶液中に分散している銅粒子と、を含有している。このような液状材料１０におけるモノマーを重合させると、モノマーの重合反応によって得られるポリマーと、銅粒子と、からなるレジスト層（またはレジストパターン１０Ｂ）が得られる。なお、本変形例のモノマーとして、光硬化性イミドモノマーが利用できる。
【００６９】
このような液状材料１０を用いる場合には、上記実施形態の吐出工程の後で、以下の硬化工程を行えばよい。具体的には、吐出工程によって得られる材料パターン１０Ａに、例えば波長３６５ｎｍの光ｈνを照射する（図５（ｃ））。そうすると、材料パターン１０Ａにおけるモノマーの重合反応が進行し、この結果、材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂが得られる。ここで、材料パターン１０Ａは、完全に硬化されなくてもよい。具体的には、得られるレジストパターン１０Ｂが後の酸化工程において導電パッド４，５を保護できる程度に、材料パターン１０Ａが重合されていればよい。このように、本明細書では、材料パターン１０Ａが完全に硬化していなくても、材料パターン１０Ａに含まれるモノマー／ポリマーの重合度が十分であれば、硬化していると表記している。
【００７０】
その後、レジストパターン１０Ｂが乾燥するように、基体１ａを加熱することで、レジストパターン１０Ｂから有機溶媒を蒸発させる。
【００７１】
なお、レジスト材料が熱重合によって硬化可能なモノマーである場合には、上記硬化工程において、上記モノマーの重合反応が進行するように、基体１ａを加熱すればよい。そして、この場合には、基体１ａを加熱するだけでも材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂが得られるので、材料パターン１０Ａへの光ｈνの照射を、上記硬化工程から省略してもよい。つまり、硬化工程は、加熱工程だけからなってもよい。
【００７２】
（変形例３）
上記変形例２において、レジスト材料であるモノマー自体がノズル１１８からの吐出に適した流動性を有する場合には、モノマーが溶けた有機溶液を用いる代わりに、モノマーそれ自体（つまりモノマー液）を用いてもよい。この場合には、液状材料１０は、微粒子１１と、レジスト材料であるモノマー液と、を含有している。ここで、液状材料１０において微粒子１１は、モノマー液に分散している。このような液状材料１０を用いる場合でも、上記製造方法でレジストパターン１０Ｂを形成できる。
【００７３】
（変形例４）
上記実施形態のＳＡＷデバイス１は、移相器として構成されているが、本発明のＳＡＷデバイスは、移相器に代えて、ＳＡＷ共振子として構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタとして構成されてもよい。また、上記実施形態の圧電体ウエハ５０は水晶からなるが、水晶に代えて、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）またはリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3）などの圧電体からなってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施形態の基体を示す平面図。
【図２】液状材料を配置する液滴吐出装置の構造を示す模式図。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、図２の液滴吐出装置におけるヘッドの内部構造を示す模式図である。
【図４】図２の液滴吐出装置における制御部を示す機能ブロック図。
【図５】（ａ）から（ｅ）は、本実施形態の製造方法を説明する図であり、いずれも図１のＡ−Ａ断面を示す図である。
【図６】本実施形態の製造方法における酸化工程を説明する図。
【図７】本実施形態の製造方法によって得られる弾性表面波装置を示す模式図。
【符号の説明】
【００７５】
１…弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）、１ａ…基体、２，３…櫛歯状電極、２Ｂ，３Ｂ…ベース部、２Ａ，３Ａ…櫛歯部、４，５…導電パッド、６，７…反射器、１０…液状材料、１０Ａ…材料パターン、１０Ｂ…レジストパターン、１１…微粒子、１２…顕微鏡、１３…酸化膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン形成方法に関し、特に、弾性表面波装置およびその製造に好適なレジストパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置の交差指電極（ＩＤＴ）の表面を陽極酸化する際に、接続ランドに対応する部分にレジストを塗布することが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３３０８８２号公報（段落００５３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、そのような場合には、スピンコート法でレジスト材料を塗布するので、塗布工程中にレジスト材料の殆どが排出されてしまう。また、後の現像工程によってレジスト材料が除去されてしまう部分にも、レジスト材料が塗布されてしまう。これらのことから、従来のレジストパターンの形成方法によれば、レジスト材料の使用効率が極めて悪い。加えて、目的とするレジストパターンの形状が変われば、その都度、レジストをパターニングするためのフォトマスクの変更が必要になる。
【０００５】
また、通常のレジスト材料は、紫外光域の光を吸収するが、可視光域の光に対して透過性を有しているので、目視でレジストパターンを識別することは困難である。
【０００６】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、レジストパターンの識別を容易にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のレジストパターン形成方法は、レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、を有している。また、本発明のレジストパターン形成方法は、レジスト材料と、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、を有している。ここで、上記レジストパターン形成方法が、前記材料パターンの形状または前記レジストパターンの形状を検査する工程（Ｃ）、をさらに有していることが好ましい。
【０００８】
上記特徴によれば、材料パターンおよびレジストパターンに含まれる微粒子が、可視光域において下地物体が反射する光の波長域とは異なる波長域の光を反射するので、下地物体上に形成された材料パターンの形状またはレジストパターンの形状が、予定していた形状であるかを検査しやすい。
【０００９】
本発明のある態様では、前記下地物体は、圧電体上に位置する櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドである。そして、前記工程（Ａ）は、前記液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に前記材料パターンを形成する工程を含んでいる。
【００１０】
上記特徴によれば、導電パッド上に正確にレジストパターンが設けられたかどうかを判別する検査が容易になる。
【００１１】
本発明の他の態様では、前記工程（Ａ）は、前記可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。また、前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなる場合には、前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいてもよい。
【００１２】
上記特徴によれば、液状材料（レジストパターンの前身）が誤って配置された櫛歯状電極の識別が容易である。
【００１３】
本発明によれば、圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法が、レジストと、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、を有している。
【００１４】
また、本発明によれば、圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法が、レジスト材料と、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、を有している。
【００１５】
上記特徴によれば、誤って液状材料（レジストパターンの前身）が配置されてしまった櫛歯状電極の識別が容易になる。このため、櫛歯状電極上に、不均一な酸化膜を形成してしまう惧れがない。
【００１６】
好ましくは、前記工程（Ａ）は、前記導電パッドの反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。
【００１７】
上記特徴によれば、レジストパターンが導電パッドの表面形状に一致しているかどうかの検査が容易になる。
【００１８】
本発明のある態様では、前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなる。そして、前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる。
【００１９】
また、本発明の弾性表面波装置は、上記弾性表面波装置の製造方法によって製造されている。このため、櫛歯状電極上に不均一な酸化膜が形成される可能性が低いので、弾性表面波装置の歩留まりを上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（Ａ．基体の構造）
図１に示す基体１ａは、後述する処理を経て、図７に示す弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）１となる構造を有している。具体的には、基体１ａは、水晶から成る圧電体ウエハ５０と、櫛歯状電極２，３と、導電パッド４，５と、反射器６，７と、を備えている。ここで、櫛歯状電極２，３と、導電パッド４，５と、反射器６，７と、はいずれも、圧電体ウエハ５０上に位置している。
【００２１】
櫛歯状電極２，３は、どちらもアルミニウムからなる電極パターンである。櫛歯状電極２は、ベース部２Ｂと、それぞれがストライプ形状を有する複数の櫛歯部２Ａと、からなる。複数の櫛歯部２Ａは、いずれもベース部２Ｂから突出しており、かつ互いに平行に並んでいる。そして、複数の櫛歯部２Ａのピッチは、入力信号（後述）と同じ周波数を有する弾性表面波の波長λにほぼ等しく設計されている。また、複数の櫛歯部２Ａのそれぞれの幅は、上記波長λのほぼ１／４である。
【００２２】
櫛歯状電極３も、ベース部３Ｂと、それぞれがストライプ形状を有する複数の櫛歯部３Ａと、からなる。複数の櫛歯部３Ａは、いずれもベース部３Ｂから突出しており、かつ互いに平行に並んでいる。そして、複数の櫛歯部３Ａのピッチは、上記波長λにほぼ等しく設計されている。また、複数の櫛歯部３Ａのそれぞれの幅は、上記波長λのほぼ１／４である。なお、本実施形態では、櫛歯部２Ａの数と櫛歯部３Ａの数とは異なる。
【００２３】
櫛歯状電極２と櫛歯状電極３とは、複数の櫛歯部２Ａと複数の櫛歯部３Ａとが互いに間挿するように、位置している。具体的には、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａの中間に、１つの櫛歯部３Ａが位置するように、櫛歯状電極２，３が構成されている。このため、櫛歯部２Ａ，３Ａは互いに平行であり、しかも、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａ，３Ａの中心間距離は、波長λのほぼ半分（つまりλ／２）である。そして、互いに隣合う２つの櫛歯部２Ａ、３Ａの間に位置する隙間の幅は、波長λのほぼ１／４である。
【００２４】
反射器６，７のいずれも、アルミニウムからなるパターンである。そして、反射器６，７は、反射器６と反射器７との間に櫛歯状電極２，３が位置するように、配置されている。より具体的には、反射器６，７は、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａが並ぶ方向に位置している。ここで、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａが並ぶ方向とは、複数の櫛歯部２Ａ，３Ａに対応する部分で発生した弾性波（後述）が伝播する方向でもある。反射器６，７のそれぞれの形状は、上述の弾性波を櫛歯状電極２，３側に反射できるように、設計されている。また、反射器６，７を構成するパターンの幅は、波長λのほぼ１／４である。
【００２５】
導電パッド４，５は、どちらもアルミニウムからなるランドパターンである。そして、導電パッド４，５はＳＡＷデバイス１の入力端子および出力端子としてそれぞれ機能するように、櫛歯状電極２，３にそれぞれ電気的に連結されている。具体的には、導電パッド４は櫛歯状電極２のベース部２Ｂに電気的に連結されており、導電パッド５は櫛歯状電極３のベース部３Ｂに電気的に連結されている。
【００２６】
なお、櫛歯状電極２，３の表面には、ＳＡＷデバイス１の性能維持を目的として、後に酸化膜１３（図７）が形成されることになる。酸化膜１３が設けられていれば、半田くずなどの異物がＳＡＷデバイス１上に付着しても、異物が櫛歯状電極２，３に直接接することを防止でき、この結果、異物によるトラブルを防げるからである。一方、導電パッド４，５はどちらも、ＳＡＷデバイス１が完成した後で、外部回路と電気的に接続される部位なので、導電パッド４，５の表面には酸化膜１３は設けられない。
【００２７】
本実施形態では、２つの櫛歯状電極２，３と、２つの反射器６，７と、２つの導電パッド４，５と、からなるセットを「導電パターン」とも表記する。なお、本実施形態では、導電パッド４，５のそれぞれは、本発明の「下地物体」に対応している。
【００２８】
さて、基体１ａから得られるＳＡＷデバイス１（図７）は、１８０°移相器として機能する。具体的には、導電パッド４に入力信号を供給する場合、導電パッド５に現れる出力信号の位相は、入力信号の位相に対してπラジアン（１８０°）だけ遅れる。このように、ＳＡＷデバイス１が出力する出力信号の位相は、入力信号の位相に対して反転しているので、ＳＡＷデバイス１は差動増幅回路におけるバラン（平衡不平衡変成器）として使用される。
【００２９】
（Ｂ．液滴吐出装置）
ＳＡＷデバイス１の製造方法を説明する前に、説明の便宜上、導電パッド４，５に液状材料を配置または付与して、導電パッド４，５を覆う材料パターン１０Ａを形成する液滴吐出装置について、構造と機能とを説明する。なお、後述するように、材料パターン１０Ａは、乾燥工程または硬化工程を経て、導電パッド４，５を覆うレジストパターン１０Ｂになる。
【００３０】
図２に示す液滴吐出装置１００は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１００は、液状材料１０を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００３１】
ステージ１０６は、圧電体ウエハ５０を固定するための平面を有している。一方、吐出ヘッド部１０３は、図示しないキャリッジと、キャリッジに固定されたヘッド１１４（図３）と、を有している。ヘッド１１４は、制御部１１２からの駆動波形に応じて、液状材料１０の液滴Ｄを、ステージ１０６側へ吐出する。なお、ヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１０が供給される。
【００３２】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００３３】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交する方向である。
【００３４】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
【００３５】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、圧電体ウエハ５０はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、圧電体ウエハ５０に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４（図３）、またはノズル１１８（図３）は、圧電体ウエハ５０から所定距離を維持しながら、圧電体ウエハ５０に対してＸ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動する。
【００３６】
制御部１１２は、液状材料１０の液滴Ｄを吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。
【００３７】
上記構成を有する液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８を圧電体ウエハ５０のような対象物に対して相対移動させるとともに、導電パッド４，５のような被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１０を吐出する。なお、液滴吐出装置１００によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１０の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
【００３８】
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成することは、液滴吐出装置１００のような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
【００３９】
次に、図３（ａ）および（ｂ）を参照しながら、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４の内部構造を簡単に説明する。ヘッド１１４は、振動板１２６と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、複数のキャビティ１２０と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１と、を備えている。液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１０が常に充填される。
【００４０】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１０が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００４１】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動波形を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１０の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１０の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。このため、吐出された液滴Ｄは、Ｚ軸方向の速度成分を有することになる。
【００４２】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」とも表記する。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。また、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００４３】
次に、図４を参照しながら、制御部１１２の構成を説明する。図４に示す制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、バス（不図示）と、を備えている。そして、入力バッファメモリ２００と、処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、上記バスによって相互に通信可能に接続されている。
【００４４】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１００の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状材料１０の液滴Ｄを吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図４では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００４５】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、ステージ１０６に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、所定の吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、圧電体ウエハ５０に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状材料１０の吐出に必要なノズル１１８を選択するノズル選択信号をヘッド駆動部２０８に与える。そうすると、ヘッド駆動部２０８は、ノズル選択信号が示すノズル１１８に対応した吐出部１２７へ駆動波形を与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状材料１０の液滴Ｄが吐出される。
【００４６】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００４７】
（Ｃ．液状材料）
ここで、「液状材料１０」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状材料１０が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。さらに、液状材料１０の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状材料１０の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状材料１０で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。
【００４８】
後述するように、本実施形態の液状材料１０は固体物質を含有している。具体的には、液状材料１０は、少なくとも４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲（つまり可視光域）に対して上述の導電パターンが呈する反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子１１を含有している。ここで、微粒子１１の平均粒径は１μｍ以下である。このような条件を満足する微粒子１１であれば、液状材料１０が含有する微粒子１１の種類は問わない。なお、微粒子１１の平均粒径の上限は、ノズル１１８の開口の大きさが大きくなれば、１μｍより大きくなり得る。要するに、ノズル１１８から吐出され得る平均粒径であればよい。
【００４９】
微粒子１１の例は、金属粒子または無機粒子である。例えば、微粒子１１は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、およびインジウム（Ｉｎ）のうちの１種以上の元素を含む金属、合金、または金属酸化物からなる粒子であってよい。特に、金、銀、銅、ニッケル、マンガン、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、またはＡＴＯ（アンチモン錫酸化物）を含む粒子が好ましい。そして、分散剤によってそれらの粒子の表面が覆われるように、それらの粒子に表面処理が施されていてもよい。また、微粒子１１は、シリカ（ＳｉＯ2）からなる粒子であってもよい。なお、吐出の安定性の見地からは、液状材料１０における微粒子１１の量は１５重量％以下であるのが好ましい。
【００５０】
（Ｄ．製造方法）
図５（ａ）から（ｅ）および図６を参照しながら、本実施形態のレジストパターン形成方法を利用したＳＡＷデバイス１の製造方法を説明する。なお、図５（ａ）から（ｅ）のいずれも、図１のＡ−Ａ断面を示している。
【００５１】
まず、蒸着法を用いて、水晶からなる圧電体ウエハ５０上に約０．１μｍのアルミニウム膜を形成する。そして、フォトリソグラフィー法を用いて、アルミニウム膜をパターニングして、圧電体ウエハ５０上に前出の図１で示した導電パターンを形成する。ここで、導電パターンと、導電パターンに対応する圧電体ウエハ５０の部分とが、１つの基体１ａに相当する。なお、前出の図１には１つの基体１ａが図示されているが、実際の製造の際には、１つの圧電体ウエハ５０に、複数の基体１ａが設けられてよい。
【００５２】
（１．吐出工程）
次に、図５（ａ）に示すように、インクジェット法を用いて、基体１ａの導電パターンのうち、導電パッド４，５上に材料パターン１０Ａを設ける。ここで、導電パターンのうち、櫛歯状電極２，３は、材料パターン１０Ａに覆われないようにする。なお、後述するように、材料パターン１０Ａは、レジストパターン１０Ｂの前身である。
【００５３】
具体的には、まず、圧電体ウエハ５０を、液滴吐出装置１００のステージ１０６上に載置する。その後、液滴吐出装置１００は、基体１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ノズル１１８が導電パッド４，５に対応する領域内に達した場合に、液滴吐出装置１００のヘッド１１４は、そのノズル１１８から液状材料１０の液滴Ｄを吐出する。そうすると、導電パッド４，５上に液滴Ｄが着弾して濡れ広がり、この結果、導電パッド４，５を覆う材料パターン１０Ａが形成される。ここで、ノズル１１８が導電パッド４，５に対応する領域以外にある場合には、ヘッド１１４は液滴Ｄを何ら吐出しない。このため、導電パターンのうち、導電パッド４，５は材料パターン１０Ａで覆われる。その一方で、導電パターンのうち、櫛歯状電極２，３および反射器６，７は、露出したままとなる。
【００５４】
ここで、本実施形態の液状材料１０は、微粒子１１とレジストとを含有している。具体的には、液状材料１０は、平均粒径が約５００ｎｍの銅粒子と、レジストであるポリマー（つまり樹脂）と、を含有している。より具体的には、液状材料１０は、ポリマーが溶けている有機溶液と、この有機溶液中に分散している銅粒子と、を含有している。なお、後述するように、液状材料１０を乾燥すると、ポリマーと、銅粒子と、からなるレジスト層（またはレジストパターン１０Ｂ）が得られる。
【００５５】
（２．検査工程）
次に、図５（ｂ）に示すように、材料パターン１０Ａの形状が適切か否かを検査する。具体的には、顕微鏡１２で導電パッド４，５を観察して、導電パッド４，５の表面形状に従って液状材料１０が配置または付与されているか否かを判定する。本実施形態では、まず、顕微鏡１２を用いた目視に基づいて、櫛歯状電極２，３上に誤って液状材料１０が付与されたか否か、を検査する。
【００５６】
ここで、材料パターン１０Ａにおける微粒子１１は銅を含んでいる。一方、櫛歯状電極２，３は、アルミニウムからなる。４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲、つまり可視光域、において、銅の反射率・波長特性とアルミニウムの反射率・波長特性とは、互いに異なる。具体的には、可視光域の長波長成分に対する銅の反射率は、短波長成分に対する銅の反射率よりも高い。一方、アルミニウムは可視光域の全域で高い反射率を示す。このように、２つの金属の間でそれぞれの反射率の波長依存性が互いに異なるため、観察者には、材料パターン１０Ａの色と櫛歯状電極２，３の色とが異なって見える。したがって、観察者には、材料パターン１０Ａと櫛歯状電極２，３との識別が容易である。特に、櫛歯状電極２，３上に材料パターン１０Ａが位置しているか否かを、判別し易い。
【００５７】
さて、櫛歯状電極２，３上のどこかに液状材料１０が付与されている場合には、その基体１ａを「不良品」としてラベルしておく。なお、櫛歯状電極２，３上に液状材料１０が付与されてしまう事態は、液滴Ｄの吐出に伴って液状材料１０のミストが発生している場合、または、液滴Ｄの飛翔経路がずれている場合に、起こり得る。
【００５８】
櫛歯状電極２，３の表面は、後述する工程において、酸化膜１３が形成されるべき部位である。仮に、櫛歯状電極２，３の表面の一部に液状材料１０（レジストパターンの前身）が位置してしまうと、後述の酸化工程を行っても、それら表面の一部に酸化膜１３が形成されない。この結果、櫛歯状電極２，３上で酸化膜１３が不均一に形成されることになる。酸化膜１３の不均一さは、酸化膜１３をも含めた櫛歯状電極２，３の総質量が設計値からずれることにつながるので、この結果、ＳＡＷデバイスが所期の性能を発揮しない。
【００５９】
基体１ａが「不良品」でない場合には、顕微鏡を用いた目視によって、次のような判定を行う。なお、基体１ａが「不良品」でない場合とは、櫛歯状電極２，３が完全に露出している場合に対応する。
【００６０】
まず、導電パッド４，５が材料パターン１０Ａで完全に覆われているか否か、を判定する。そして、導電パッド４，５の表面形状に一致して、材料パターン１０Ａが導電パッド４，５を覆っている場合には、その基体１ａを「良品」としてラベルする。一方、導電パッド４，５が材料パターン１０Ａで完全に覆われていない場合には、材料パターン１０Ａが不足している部分に、液滴吐出装置１００を用いて再び液状材料１０を配置または付与する。そして、検査工程を再び行う。このような検査工程と吐出工程との繰り返しは、基体１ａが「不良品」としてラベルされない限り、続けられてよい。
【００６１】
ここで、櫛歯状電極２，３だけでなく、導電パッド４，５も、アルミニウムからなる。そして、上述のように、材料パターン１０Ａにおける微粒子１１は銅を含んでいる。このため、観察者にとって、材料パターン１０Ａの色と導電パッド４，５の色とが異なって見える。したがって、観察者には、材料パターン１０Ａと導電パッド４，５との識別が容易である。特に、導電パッド４，５の表面形状に一致して、材料パターン１０Ａが導電パッド４，５を覆っているか否かを、判別し易い。
【００６２】
（３．乾燥工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、導電パッド４，５上の材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂを形成する。本実施形態では、図示しないオーブンを用いて、材料パターン１０Ａが乾燥するように、熱量Ｑを与えて基体１ａを加熱する。そうすると、材料パターン１０Ａから溶媒が蒸発し、レジストパターン１０Ｂを構成する微粒子１１とポリマーとが残る。本実施形態によれば、「良品」としてラベルされた基体１ａには、適切なパターンで液状材料１０が付与されているので、適切な形状を有するレジスト層、つまりレジストパターン１０Ｂ、が得られる。
【００６３】
（４．酸化工程）
次に、図５（ｄ）に示すように、櫛歯状電極２，３の表面に酸化膜１３を設ける。具体的には、図６に示すように、まず、圧電体ウエハ５０に設けられた導電ターミナル５３を、導電クリップ５６で保持する。そして、圧電体ウエハ５０が、槽５５における酸化液５９に浸るように、導電クリップ５６を槽５５に対して位置させる。なお、本実施形態では、酸化液５９は、リン酸塩の水溶液である。次に、電源５７から導電クリップ５６を介して、圧電体ウエハ５０側が陽極となるように電流を流す。ここで導電ターミナル５６と、櫛歯状電極２，３とは、図示しない接続パターンによって導電可能に接続されているので、電源５７から櫛歯状電極２，３に電流が流れることになる。また、電源５７は酸化液５９に浸った陰極５８にも接続されている。これらのことから、櫛歯状電極２，３の表面に、陽極酸化によって酸化膜１３が形成される。
【００６４】
ここで、導電パッド４，５は、櫛歯状電極２，３とそれぞれ電気的に連結されているので、陽極酸化の際には、導電パッド４，５の電位と櫛歯状電極２，３の電位とは等しくなる。しかしながら、レジストパターン１０Ｂがそれぞれの導電パッド４，５を覆っているので、導電パッド４，５は酸化液５９に接しない。つまり、レジストパターン１０Ｂが酸化に対して保護層として機能する。そして、このため、導電パッド４，５の表面には酸化膜１３が形成されない。なお、酸化工程は、上記で説明した陽極酸化による工程に代えて、熱酸化による工程であってもよい。
【００６５】
酸化工程の後で、図５（ｅ）に示すように、導電パッド４，５上のレジストパターン１０Ｂを剥離する。この結果、図７に示すような、弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）１が得られる。
【００６６】
本実施形態によれば、インクジェット法で導電パッド４，５上に材料パターン１０Ａ（レジストパターン１０Ｂの前身）を形成する。このため、レジスト層をパターニングするための露光工程と現像工程とが不要である。特に現像工程が不要であるため、現像工程で用いられる処理液が櫛歯状電極２，３に悪影響を与えることがない。さらに、本実施形態によれば、レジストパターン１０Ｂを形成するための液状材料１０に含まれる微粒子１１が、可視光域において櫛歯状電極２，３および導電パッド４，５が反射する光の波長域とは異なる波長域の光を反射する。このため、レジストパターン１０Ｂが所望のパターンか否かを、観察者が目視によって容易に検査できる。
【００６７】
（変形例１）
上記実施形態では、検査工程の後で乾燥工程を行う。このため、上記実施形態の検査工程では、材料パターン１０Ａの形状が、導電パッド４，５のパターンの形状（つまり下地物体の表面形状）にほぼ一致するか否かを検査することになる。ただし、このような方法に代えて、乾燥工程の後で検査工程を行ってもよい。このような場合には、検査工程において、レジストパターン１０Ｂの形状が、導電パッド４，５のパターンの形状（つまり下地物体の表面形状）にほぼ一致するか否かを検査すればよい。
【００６８】
（変形例２）
本変形例では、液状材料１０は、微粒子１１と感光性のレジスト材料とを含有している。具体的には、液状材料１０は、平均粒径が約５００ｎｍの銅粒子と、光官能基を有するモノマーと、を含有している。より具体的には、液状材料１０は、上記モノマーが溶けている有機溶液と、この有機溶液中に分散している銅粒子と、を含有している。このような液状材料１０におけるモノマーを重合させると、モノマーの重合反応によって得られるポリマーと、銅粒子と、からなるレジスト層（またはレジストパターン１０Ｂ）が得られる。なお、本変形例のモノマーとして、光硬化性イミドモノマーが利用できる。
【００６９】
このような液状材料１０を用いる場合には、上記実施形態の吐出工程の後で、以下の硬化工程を行えばよい。具体的には、吐出工程によって得られる材料パターン１０Ａに、例えば波長３６５ｎｍの光ｈνを照射する（図５（ｃ））。そうすると、材料パターン１０Ａにおけるモノマーの重合反応が進行し、この結果、材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂが得られる。ここで、材料パターン１０Ａは、完全に硬化されなくてもよい。具体的には、得られるレジストパターン１０Ｂが後の酸化工程において導電パッド４，５を保護できる程度に、材料パターン１０Ａが重合されていればよい。このように、本明細書では、材料パターン１０Ａが完全に硬化していなくても、材料パターン１０Ａに含まれるモノマー／ポリマーの重合度が十分であれば、硬化していると表記している。
【００７０】
その後、レジストパターン１０Ｂが乾燥するように、基体１ａを加熱することで、レジストパターン１０Ｂから有機溶媒を蒸発させる。
【００７１】
なお、レジスト材料が熱重合によって硬化可能なモノマーである場合には、上記硬化工程において、上記モノマーの重合反応が進行するように、基体１ａを加熱すればよい。そして、この場合には、基体１ａを加熱するだけでも材料パターン１０Ａからレジストパターン１０Ｂが得られるので、材料パターン１０Ａへの光ｈνの照射を、上記硬化工程から省略してもよい。つまり、硬化工程は、加熱工程だけからなってもよい。
【００７２】
（変形例３）
上記変形例２において、レジスト材料であるモノマー自体がノズル１１８からの吐出に適した流動性を有する場合には、モノマーが溶けた有機溶液を用いる代わりに、モノマーそれ自体（つまりモノマー液）を用いてもよい。この場合には、液状材料１０は、微粒子１１と、レジスト材料であるモノマー液と、を含有している。ここで、液状材料１０において微粒子１１は、モノマー液に分散している。このような液状材料１０を用いる場合でも、上記製造方法でレジストパターン１０Ｂを形成できる。
【００７３】
（変形例４）
上記実施形態のＳＡＷデバイス１は、移相器として構成されているが、本発明のＳＡＷデバイスは、移相器に代えて、ＳＡＷ共振子として構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタとして構成されてもよい。また、上記実施形態の圧電体ウエハ５０は水晶からなるが、水晶に代えて、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）またはリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3）などの圧電体からなってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施形態の基体を示す平面図。
【図２】液状材料を配置する液滴吐出装置の構造を示す模式図。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、図２の液滴吐出装置におけるヘッドの内部構造を示す模式図である。
【図４】図２の液滴吐出装置における制御部を示す機能ブロック図。
【図５】（ａ）から（ｅ）は、本実施形態の製造方法を説明する図であり、いずれも図１のＡ−Ａ断面を示す図である。
【図６】本実施形態の製造方法における酸化工程を説明する図。
【図７】本実施形態の製造方法によって得られる弾性表面波装置を示す模式図。
【符号の説明】
【００７５】
１…弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）、１ａ…基体、２，３…櫛歯状電極、２Ｂ，３Ｂ…ベース部、２Ａ，３Ａ…櫛歯部、４，５…導電パッド、６，７…反射器、１０…液状材料、１０Ａ…材料パターン、１０Ｂ…レジストパターン、１１…微粒子、１２…顕微鏡、１３…酸化膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
を有したレジストパターン形成方法。
【請求項２】
レジスト材料と、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
を有したレジストパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のレジストパターン形成方法であって、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）、をさらに有したレジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記下地物体は、圧電体上に位置する櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドであり、
前記工程（Ａ）は、前記液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に前記材料パターンを形成する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項５】
請求項４記載のレジストパターン形成方法であって、
前記工程（Ａ）は、前記可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項６】
請求項５記載のレジストパターン形成方法であって、
前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなり、
前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項７】
圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、
レジストと、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、
前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、
を有した弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、
レジスト材料と、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、
前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、
を有した弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記工程（Ａ）は、前記導電パッドの反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含む、
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の弾性表面波装置であって、
前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなり、
前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれか一つに記載の弾性表面波装置の製造方法によって製造された弾性表面波装置。
【請求項１】
レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
を有したレジストパターン形成方法。
【請求項２】
レジスト材料と、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
を有したレジストパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のレジストパターン形成方法であって、前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）、をさらに有したレジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載のレジストパターン形成方法であって、
前記下地物体は、圧電体上に位置する櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドであり、
前記工程（Ａ）は、前記液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に前記材料パターンを形成する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項５】
請求項４記載のレジストパターン形成方法であって、
前記工程（Ａ）は、前記可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項６】
請求項５記載のレジストパターン形成方法であって、
前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなり、
前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
レジストパターン形成方法。
【請求項７】
圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、
レジストと、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを乾燥してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、
前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、
を有した弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
圧電体と、前記圧電体上に位置する櫛歯状電極と、前記櫛歯状電極に電気的に連結された導電パッドと、を備えた弾性表面波装置の製造方法であって、
レジスト材料と、可視光域において前記櫛歯状電極の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記導電パッドの表面形状に一致するように配置して、前記導電パッド上に材料パターンを形成する工程（Ａ）と、
前記材料パターンを硬化してレジストパターンを形成する工程（Ｂ）と、
前記材料パターンおよび前記レジストパターンの少なくとも一方の形状を検査する工程（Ｃ）と、
前記少なくとも一方の形状が前記導電パッドの表面形状に一致する場合に前記櫛歯状電極の表面を酸化する工程（Ｄ）と、
を有した弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の弾性表面波装置の製造方法であって、
前記工程（Ａ）は、前記導電パッドの反射率・波長特性とは異なる前記反射率・波長特性を呈する前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含む、
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の弾性表面波装置であって、
前記櫛歯状電極および前記導電パッドは第１の金属からなり、
前記工程（Ａ）は、前記第１の金属とは異なる第２の金属を含む前記微粒子を含有した前記液状材料を前記導電パッド上に配置する工程を含んでいる、
弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれか一つに記載の弾性表面波装置の製造方法によって製造された弾性表面波装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−２４５３６０（Ｐ２００６−２４５３６０Ａ）
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６００３２（Ｐ２００５−６００３２）
【出願日】平成１７年３月４日（２００５．３．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月４日（２００５．３．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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