光ディスク媒体及び光ディスク記録方法
【課題】 高密度光ディスクにおいてマークエッジ位置を高精度に制御する。
【解決手段】 ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマーク対応するパルス列がｑ本のライトパワーレベルのパルスから構成されるいわゆるｎ／２記録ストラテジを用いる光ディスク記録方法において，ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御する。
【解決手段】 ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマーク対応するパルス列がｑ本のライトパワーレベルのパルスから構成されるいわゆるｎ／２記録ストラテジを用いる光ディスク記録方法において，ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，パルス状に強度変調されたレーザ光を照射することにより情報を記録する光ディスク媒体及び光ディスク記録方法に関し，特に情報の高密度記録に適した光ディスク媒体及び光ディスク記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録型光ディスクでは，パルス状に強度変調されたレーザ光を光ディスクに照射することにより記録膜の状態を変化させ，マークとマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する。記録型光ディスクのうち，情報を１回のみ記録可能な追記型光ディスクとして，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋Ｒが，情報を上書き可能な書き換え型光ディスクとして，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷがよく知られている。また最近では，青色光源を用いることで記録層１層あたり２５ＧＢの情報記録容量を実現した大容量光ディスクであるBlu-ray Disc（ＢＤ）が実用化されている。
【０００３】
記録速度の高速化に適した記録方式として「Ｎ／２記録ストラテジ」があり，ＢＤ等で用いられている。図１は，Ｎ／２記録ストラテジにおける記録パルス波形を示した図である。ここでは，ＢＤのRLL(1,7)コードに用いられる２Ｔ〜８Ｔと、Frame Syncで用いられる９Ｔ（Ｔはチャネルビット長）の長さのマークに対応した記録パルス波形を，ＮＲＺＩデータ信号とともに示した。Ｎ／２記録ストラテジでは，ｎを整数，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応する記録パルス列は，ｑ本のライトパワーレベルのパルスから構成されるのが特徴である。すなわち，２Ｔマークおよび３Ｔマークに対応するパルス列は１本，４Ｔマークおよび５Ｔマークに対応するパルス列は２本，６Ｔマークおよび７Ｔマークに対応するパルス列は３本，８Ｔマークおよび９Ｔマークに対応するパルス列は４本のライトパワーレベルのパルスから構成される。このように，記録マーク長が２Ｔ増加する毎にパルスが１本ずつ増加し，パルス間隔は約２Ｔとなる。「Ｎ−１記録ストラテジ」のようなパルス間隔が約１Ｔとなる記録方式と比較したときの本方式の利点の１つは，各パルスの時間幅を大きくできるため，レーザ発光の立ち上がり時間や立ち下がり時間の影響を低減できる点である。もう１つの利点は，パルス間隔が大きく冷却期間を十分長く取れるため，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクに対してアモルファス相のマークを安定に形成できる点である。これらの利点により，Ｎ／２記録ストラテジは高速記録に適しているとされる。
【０００４】
図２は，記録パルスのパワーレベルを示した図である。ここでは，８Ｔマークの記録パルスを例に示した。レーザ光の出力パワーレベルとしては，ライトパワーＰＷ，スペースパワー（イレーズパワー）ＰＳ（ＰＥ），バイアスパワーＰＢ，クーリングパワーＰＣがある。ライトパワーＰＷは，記録膜にエネルギーを投入して状態変化を起こさせるためのパワーレベルである。バイアスパワーＰＢは，ライトパワーのパルス間のギャップに対応するパワーレベルである。スペースパワーＰＳは，追記型ディスクに対してマーク間（スペース）となる部分に照射するパワーレベルであり，主に次のマークを形成するための予熱に用いられる。イレーズパワーＰＥは，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクに対してスペースとなる部分に照射するパワーレベルであり，マークを消去してスペースに変化させることで直接書き換えを行うために用いられる。クーリングパワーＰＣは，クーリングパルスのパワーレベルであり，追記型ディスクに対しては後続マーク記録部への熱の拡散を遮断し熱干渉を低減する目的で用いられ，書き換え型ディスクに対しては記録膜の加熱後の急冷により非晶質のマークを形成する目的で用いられる。上記の各パワーレベルはマーク長によらず一律の値が用いられる。
【０００５】
次に，各パワーレベルに対応したパルスの名称について，図２を用いて説明する。ライトパワーレベルＰＷを持つパルスのうち，最初のパルスはファーストパルス，最終のパルスはラストパルスと呼ばれる。ファーストパルスとラストパルスの間の複数のパルスはマルチパルスと呼ばれる。２Ｔから５Ｔのマークに対応するパルス列にはマルチパルスは存在しない。２Ｔマークおよび３Ｔマークに対応するパルス列における１本のライトパワーレベルＰＷを持つパルスはファーストパルスであると定義する。また，ラストパルスの直後のクーリングパワーレベルＰＣを持つパルスはクーリングパルスと呼ばれる。
【０００６】
次に，各パルスの制御パラメータについて，図１を用いて説明する。パルスの制御パラメータとしては，ファーストパルスの開始時刻ｄＴｔｏｐ，ファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐ，マルチパルスの開始時刻ｄＴｍｐ，マルチパルスの時間幅Ｔｍｐ，ラストパルスの開始時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐおよびクーリングパルスの終了時刻ｄＴｓ（ｄＴｅ）がある。ｄＴｓは追記型ディスクに対して用いられ，ｄＴｅは書き換え型ディスクに対して用いられるパラメータであり，ともにクーリングパルスの幅を制御するためのものである。パルスの開始時刻または終了時刻を指定するパラメータｄＴｔｏｐ，ｄＴｍｐ，ｄＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）は，ＮＲＺＩ信号のタイミングを基準として図１に示したように定義される。これらのパラメータの符号は，ＮＲＺＩ信号の基準時刻に対して進んだ方向（図の左方向）のときにプラス，遅れた方向（図の右方向）のときにマイナスと定義される。
【０００７】
以上の制御パラメータの値は可変であり，各パラメータの値を調整することによりマークエッジ位置を適切に制御することができる。ｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐは主にマークの前エッジ位置を制御するのに用いられ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）は主にマークの後エッジ位置を制御するのに用いられる。
【０００８】
また，マークのエッジ位置は，そのマークの前後のマークを記録するときの熱の影響も考慮して制御する必要があるため，パルスの始端の時刻やパルスの時間幅を当該マークの長さと隣接スペースの長さの組み合わせのパターンで分類して制御する適応記録制御が用いられる。
【０００９】
図３（ａ）〜（ｅ）は，上記のパルスの制御パラメータの指定値を与えるテーブルを示した図である。（ａ）ｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐは記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。（ｂ）ｄＴｍｐは記録マーク長（４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）のみで分類して指定される。（ｃ）Ｔｍｐは６Ｔ以上の記録マークについて，記録マーク長によらず一律の値が指定される。（ｄ）ｄＴｌｐおよびＴｌｐは記録マーク長（４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。（ｅ）ｄＴｓ（ｄＴｅ）は記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。なお，各パラメータの調整単位はチャネルビット周期（Ｔｗ）の１／１６である。
【００１０】
以上のような記録方法の基本的な考え方は，例えば特許文献１に開示されている。
【００１１】
各制御パラメータの値は，チャネルビット周期の１／１６で除した商（整数値）に変換され，ディスク媒体上のユーザデータ記録領域とは別に設けられたコントロール情報記録領域に，ディスク媒体製造時に格納される。
【００１２】
各パルスの制御パラメータを最適値に調整する方法として，例えばエッジシフトを最小にする方法がある。図４は媒体上に記録されたマーク／スペース，それに対応した等化再生信号，ダイレクトスライス方式によって等化再生信号を２値化した２値化再生信号及び２値化再生信号から生成されたチャネルビットクロック信号の波形を模式的に示した図である。エッジシフトとは，２値化再生信号とチャネルクロック信号のエッジにおける時間差の平均値をチャネルクロック周期で規格化したものであり，特定のパターンのエッジ位置の平均的なずれの大きさと方向を示している。エッジシフトの符号は，チャネルビットクロック信号に対して再生信号が遅れた方向（図の右方向）のときはプラス，進んだ方向（図の左方向）のときはマイナスと定義する。
【００１３】
図５は，Ｎ／２記録ストラテジを用いたパルス調整手順の一例を示したフローチャートである。各パルスの制御パラメータは，図３（ａ）〜（ｅ）に示したテーブルに従い分類して指定される。
【００１４】
処理開始後，ステップ１１では，パルスの制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）の初期値が設定される。これらの初期値は，前述のコントロール情報記録領域に格納されたデータを読み出すことによって取得される。次にステップ１２では，光ディスク媒体上に設けられた試し書き専用領域にランダムデータが記録され，記録されたデータが再生される。次にステップ１３では，再生信号を用いてエッジシフトを算出する。ここで，マークの前エッジのエッジシフトについては，前エッジの制御に用いられるｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐの指定値のテーブルの形に合わせて，図６（ａ）に示したように記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して算出される。後エッジのエッジシフトについては，後エッジの制御に用いられるｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）の指定値のテーブルの形に合わせて，図６（ｂ）に示したように記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して算出される。次にステップ１４では，全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になったかを判定し，Ｙｅｓであれば処理が終了し，Ｎｏであればステップ１５でエッジシフトが残留しているパターンに対応する制御パラメータの値が更新され，再びステップ１２に戻る。
【００１５】
以上のようにして全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるまで処理が繰り返され，各制御パラメータが調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００５−１４９５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
最近，光ディスクにおいて更なる大容量化を実現するために，ＢＤのフォーマットをベースにして線記録密度を高めることにより，記録層１層あたりの記録容量を増加させる技術の研究が行われている。
【００１８】
しかしながら，従来のＮ／２記録ストラテジを用いて，３０ＧＢ／層以上の記録密度で記録を行うと，マークエッジ位置を高精度に制御できなくなるという課題があった。これについて，実験結果を用いて説明する。
【００１９】
実験は，市販の書き換え型ＢＤ（ＢＤ−ＲＥ）ディスクを用いて行った。記録ストラテジとして従来のＮ／２記録ストラテジを用い，記録層１層あたりの記録容量が３３．４ＧＢ（チャネルビット長＝５５．８ｎｍ相当）となるようにした。記録パルスの制御パラメータは図３のテーブルに従い指定した。各パラメータの調整単位はチャネルビット周期の１／１６とした。ｄＴｍｐおよびＴｍｐについては，それぞれ固定値として与えることとし，ｄＴｍｐ（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）＝０，ｄＴｍｐ（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）＝０，Ｔｍｐ＝６とした。
【００２０】
ここで，制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅを，前述のパルス調整手順に従い，各パターンのエッジシフトの絶対値が最小になるように調整した。その結果，各制御パラメータの値は図７Ａ，図７Ｂに示した通りとなった。このとき記録した箇所を再生し，図６（ａ）および（ｂ）に示したテーブルに従ってエッジシフトを算出したところ，各パターンのエッジシフトの値は図８（ａ）および図８（ｂ）のようになった。また，このときのビットエラー率（総ビット数におけるエラービット数の割合）の推定値は１．７×１０−７であった。
【００２１】
図８（ａ）および図８（ｂ）によると，パルス調整後の各エッジシフトの絶対値は十分に小さい値に抑えられており，その記録品質は問題ないように見える。しかしながら，より詳細な解析を行うことにより，課題が明らかとなった。
【００２２】
図８（ｃ）および（ｄ）は，それぞれ図８（ａ）および（ｂ）に示した前エッジおよび後エッジのエッジシフトのテーブルにおいて，記録マーク長が４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）であるグループを更に分解し，４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループに分けたテーブルである。前エッジの場合，図８（ｃ）のように４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループとでエッジシフトの値はほぼ等しいのに対して，後エッジの場合，図８（ｄ）のように記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループとでエッジシフトの値が正負にスプリットしている。なお，図示しないが，記録マーク長が５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）であるグループについては，５Ｔのグループと７Ｔ以上の奇数（７Ｔ，９Ｔ）のグループとで，上記のようなスプリットは発生しなかった。
【００２３】
図９は，マークの後エッジについてエッジ位置ずれの分布を示したヒストグラムであり，横軸はエッジ位置ずれ，縦軸は計測エッジ数を示している。ここで，エッジ位置ずれは図４における２値化再生信号とチャネルクロック信号の各エッジにおける時間差をチャネルクロック周期で規格化したものに相当する。図９（ａ）には，マーク長が４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのエッジ位置ずれの分布を，２Ｔ〜９Ｔの全マーク長についての分布（Ｔｏｔａｌ）とともに示した。また，図９（ｂ）には，マーク長が５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループのエッジ位置ずれの分布を，２Ｔ〜９Ｔの全マーク長についての分布（Ｔｏｔａｌ）とともに示した。図９によると，（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループについては，エッジシフトの分布がほぼエッジシフト＝０を中心にしてひと山にまとまっているのに対して，（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループについては，エッジシフトの分布がふた山にスプリットしている。
【００２４】
図９（ａ）に示した４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループの場合のエッジシフトのヒストグラムは，図８（ｄ）において４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループでエッジシフトの値がスプリットしていることから推測すると，図１０（ａ）のようになっていると考えられる。すなわち，マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループのエッジシフトの分布は互いにスプリットしており，４Ｔ以上のグループの分布（破線）はプラス側，６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループの分布（一点鎖線）はマイナス側にそれぞれ寄っている。
【００２５】
上記のようなエッジシフトの分布のスプリットにより，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルのエッジシフトの分布の幅が広がり，再生エラーが発生しやすくなると考えられる。従来のＮ／２記録ストラテジでは，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループで，パルスの制御パラメータを一律に制御するため，上記のようなエッジシフトのスプリットを補正することはできない。
【００２６】
従来のＮ／２記録ストラテジを用いて３０ＧＢ／層以上の記録密度で記録を行う場合に上記のようなマークの後エッジのエッジシフトのスプリットが生じるのは，チャネルビット長，すなわち１Ｔあたりのマーク長が従来のＢＤと比較して小さいため，記録時の熱の蓄積がマークの後エッジ部に与える影響の度合いが，４Ｔとそれ以外（６Ｔおよび８Ｔ）とで大きく異なるためであると考えられる。
【００２７】
図２０は，マークの前エッジについて，図９の後エッジの場合と同様にマーク長が（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループと（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループについて，それぞれマークの後エッジのエッジシフトの分布を示したヒストグラムである。図２０から分かるように，マークの前エッジの場合は（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループおよび（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループともにエッジシフトの分布はひと山にまとまっており，後エッジの場合に見られた分布のスプリットは見られない。このことは，図８（ｃ）に示した通りである。
【００２８】
本発明の目的は，上記の課題を解決し，Ｎ／２記録ストラテジを用いた高密度記録を行うことを可能とする光ディスク媒体，光ディスク記録方法及び光ディスク記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明では，上記の目的を達成するために以下の手段を用いた。
（１）記録方法；制御パラメータの少なくとも一つを制御
光ディスク媒体に，パルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する光ディスク記録方法であって，
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成された光ディスク記録方法において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３０】
これにより，パルスの制御パラメータを，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで分けて制御することができるようになるため，上記の課題で述べたようなエッジシフト分布のスプリットを適切に補正することができるようになった。
【００３１】
（２）記録方法；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻のうち少なくとも１種類を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３２】
この構成は基本的には上記（１）と同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで指定値を分けるパラメータを，後エッジの制御に関わるパラメータｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）の少なくとも何れかのみに限定したものである。これは，先にも述べたように記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとの間でエッジシフト分布のスプリットが生じるのは主に後エッジであり，前エッジには殆ど生じないためである。これにより，制御パラメータの種類を上記（１）の所定のケースの場合より少なくすることができるため，記録パルス調整時間の短縮等のメリットがある。
【００３３】
（３）記録方法；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３４】
この構成は基本的には上記（２）と同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで指定値を分けるパラメータを，クーリングパルス幅を指定するパラメータｄＴｓ（ｄＴｅ）のみに限定したものである。これは，特に書き換え型ディスクでは，マークの後エッジ位置はクーリングパルス幅の寄与が最も大きいことによる。これにより，制御パラメータの種類を上記（２）の場合より更に減少させることができるため，記録パルス調整時間をより短縮できるというメリットがある。
【００３５】
（４）記録方法；前エッジと後エッジのシフトテーブルを４Ｔ分離
上記（１）〜（３）の記録方法で、更に、ｎ＝４以上のマークに対応した前エッジおよび後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することとした。
【００３６】
これは，上記（１）〜（３）の記録方法を，より理想的に実施するための構成である。すなわち，エッジシフトの値を記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループとで分けて検出することにより，記録マーク長が４Ｔのグループのパラメータおよび６Ｔ以上の偶数のグループのパラメータのそれぞれについて最適な指定値を得ることができる。
【００３７】
（５）記録方法；後エッジのシフトテーブルのみ４Ｔ分離
上記（１）〜（３）の記録方法で、更に、ｎ＝４以上のマークに対応した後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することとした。
【００３８】
この構成は，基本的には上記（４）と同じであるが，エッジシフトの値を記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループとで分けて検出するのをマークの後エッジに限定したものである。これは，先にも述べたように記録マーク長が４Ｔと６Ｔ以上の偶数とでエッジシフト分布がスプリットするのは主に後エッジであるため，前エッジのエッジシフトに関しては４Ｔと６Ｔ以上の偶数とで分けて検出する必要が小さいからである。これにより，上記（４）に比べてエッジシフト検出工程を簡略化することができる。
【００３９】
（６）記録方法；高密度
前記光ディスクは記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することとした。
【００４０】
上記に述べた，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループの間のエッジシフトのスプリットは，３０ＧＢ／層以上の高記録密度で特に顕著となってくるため，上記（１）〜（５）の光ディスク記録方法は，３０ＧＢ／層以上の記録密度での記録の際に適用することにより，より効果的なものとなる。
【００４１】
（７）記録方法；ＲＥ
前記光ディスク媒体は書き換え型であることとした。
【００４２】
Ｎ／２記録ストラテジは主に書き換え型ディスクにおいて用いられる。従って，上記（１）〜（６）の光ディスク記録方法は，書き換え型ディスクに適用することにより，より効果的なものとなる。
【００４３】
（８）媒体；制御パラメータの少なくとも一つを制御
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための記録パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４４】
これは，上記（１）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置は本構成の光ディスク媒体のコントロール情報記録領域に格納された記録パルスパラメータの指定値を読み出し，設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００４５】
（９）媒体；制御パラメータの少なくとも一つを制御，差分形式
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４６】
この構成は，上記（８）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これは，制御パラメータの値そのものと比較して，４Ｔのグループの制御パラメータの値と６Ｔ以上の偶数グループの制御パラメータの値との差分の方が指定値の範囲が小さくなるため，少ないビット数で制御パラメータの値を表現することができるからである。これにより，上記（４）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくできるというメリットがある。
【００４７】
（１０）媒体；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４８】
これは，上記（２）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置はディスクから読み出した指定値を設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００４９】
更に上記（４）の構成と比較して光ディスク媒体上のディスク情報領域に格納する制御パラメータの種類が少なくなるため，ディスク情報領域のデータ量を節約できるというメリットもある。
【００５０】
（１１）媒体；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御，差分形式
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記少なくとも１種類のパラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記少なくとも１種類のパラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５１】
この構成は，上記（１０）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これにより，上記（９）の構成と同様の理由により，上記（１０）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくすることができるというメリットがある。
【００５２】
（１２）媒体；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみ制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５３】
これは，上記（３）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置はディスクから読み出した指定値を設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００５４】
また，上記（８）の所定の場合の構成と比較して光ディスク媒体上のディスク情報領域に格納する制御パラメータの種類が更に少なくなるため，ディスク情報領域のデータ量を更に節約できるというメリットもある。
【００５５】
（１３）媒体；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみ，差分形式
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５６】
この構成は，上記（１２）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これにより，上記（９）の構成と同様の理由により，上記（１２）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくすることができるというメリットがある。
【００５７】
（１４）媒体；高密度
記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有するものとした。
上記に述べた，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループの間のエッジシフトのスプリットは，３０ＧＢ／層以上の高記録密度で特に顕著となってくるため，上記（８）〜（１３）の光ディスク媒体の構成は，３０ＧＢ／層以上の光ディスク媒体に適用することにより，より効果的なものとなる。
【００５８】
（１５）媒体；ＲＥ
書き換え型であるものとした。
【００５９】
Ｎ／２記録ストラテジは特に書き換え型ディスクに対して有効である。これは，前述のようにＮ／２記録ストラテジではパルス間隔が大きく冷却期間を十分長く取れるため，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクにおいてアモルファス相のマークを安定に形成できるからである。従って，上記（８）〜（１３）の光ディスク媒体の構成は，書き換え型ディスクに適用することにより，より効果的なものとなる。また，書き換え型ディスクにおいてはマークの後エッジ位置に対してクーリングパルス幅の寄与が最も大きいため，特に（１２）及び（１３）の光ディスク媒体の構成を書き換え型ディスクに適用することにより，更に効果的なものとなる。
【発明の効果】
【００６０】
上記のように、記録パルスの制御パラメータを、ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けることにより、エッジシフトのスプリットを適切に補正することができるので、結果的にビットエラー率の改善が見込まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来のＮ／２記録ストラテジの記録パルス波形を示した図。
【図２】記録パルスのパワーレベルを示した図。
【図３】従来のＮ／２記録ストラテジの記録パルスパラメータテーブルを示した図。
【図４】エッジシフト算出方法を示した図。
【図５】従来の記録パルス調整フローを示した図。
【図６】従来のＮ／２記録ストラテジに対応したエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図７Ａ】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図７Ｂ】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図８】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の検出されたエッジシフト値を示した図。
【図９】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の後エッジのエッジシフトの分布を示した図。
【図１０】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のエッジシフトの分布を模式的に示した図。
【図１１Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図１１Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図１２】本発明のエッジシフト検出テーブルを示した図。
【図１３】本発明を適用した場合のエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図１４】本発明を適用した場合のエッジシフトの分布を示した図。
【図１５】本発明の光ディスク装置の構成例を示した図。
【図１６】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図１７】本発明の記録パルス調整フローを示した図。
【図１８】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図１９】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図２０】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の前エッジのエッジシフトの分布を示した図。
【図２１Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２１Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２２】本発明を適用した場合のエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図２３】本発明を適用した場合のエッジシフトの分布を示した図。
【図２４Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２４Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２５】本発明の光ディスク媒体におけるディスク情報領域のデータ構成を示した図。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
以下，図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００６３】
下記の通り、実験結果を用いて説明する。実験は次の手順で行った。
【００６４】
まず，市販の書き換え型ＢＤ（ＢＤ−ＲＥ）ディスクにＮ／２記録ストラテジを用いて，記録パルスの各制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅに適当な初期値を与えてランダムデータを記録する。記録層１層あたりの記録容量は３３．４ＧＢ（チャネルビット長＝５５．８ｎｍ）とする。各パラメータの調整単位はチャネルビット周期の１／１６とする。ｄＴｍｐおよびＴｍｐについては，それぞれｄＴｍｐ（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）＝０，ｄＴｍｐ（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）＝０，Ｔｍｐ＝６を与え，これらは固定値として以降調整しないこととする。
【００６５】
次に記録した箇所を再生し，再生信号からエッジシフトを検出する。検出したエッジシフトは図１２に示したテーブルに従って，（ａ）マークの前エッジシフトと（ｂ）マークの後エッジシフトに分類する。
【００６６】
次に，エッジシフト検出テーブルにおける各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，マークの前エッジまたは後エッジを制御するパラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅを調整する。
【００６７】
以上の実験を本発明に基づく２種類の制御パラメータテーブルを用いて行った。
【００６８】
１つ目のテーブルは，前記解決手段（２）に基づいてラストパルスの開始時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐおよびクーリングパルスの終了時刻ｄＴＥについて，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定するものである。
【００６９】
このとき，各制御パラメータの値は調整の結果，図１１Ａ，図１１Ｂに示した通りとなった。また，このときの各パターンのエッジシフトの値は図１３に示した通りとなった。
【００７０】
図１４は，エッジシフトの分布を示したヒストグラムである。図１４によると，本発明のパルスの制御パラメータを適用したＮ／２記録ストラテジを用いることより，従来のＮ／２記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループの間に見られたマークの後エッジのエッジシフトのスプリットが適切に補正され，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルの分布はひと山にまとまった。
【００７１】
また，ビットエラー率の推定値は，従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合に１．７×１０−７であったのに対して，本発明を適用することにより６．３×１０−８に改善した。
【００７２】
２つ目のテーブルは，前記解決手段（３）に基づいてクーリングパルスの終了時刻ｄＴＥのみについて，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定するものである。
【００７３】
このとき，各制御パラメータの値は調整の結果，図２１Ａ，図２１Ｂに示した通りとなった。また，このときの各パターンのエッジシフトの値は図２２に示した通りとなった。
【００７４】
図２３は，エッジシフトの分布を示したヒストグラムである。このように，記録マーク長が４Ｔの場合と６Ｔ以上の偶数の場合とで分けて制御するパラメータをクーリングパルスの終了時刻のみに限定した場合にも，マークの後エッジのエッジシフトのスプリットが適切に補正され，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルの分布はひと山にまとまった。
また，本構成を適用した場合のビットエラー率は６．１×１０−８と，従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合に対して改善した。
【００７５】
上記のビットエラー率の改善は，いずれのテーブルを用いた場合にも，エッジシフトの分布が図１０（ｂ）に示したような理想的な分布に補正されたことによることは明らかである。ビットエラー率の改善は，ドライブ装置の動作時の種々の外乱に対するマージンを拡大し，記録再生速度の高速化や記録密度の高密度化に寄与する。以上の結果より，本発明の効果が示された。
【実施例２】
【００７６】
本実施例では、全パラメータで４Ｔ分離した例を説明する。
【００７７】
本発明を実施するのに好適な光ディスク装置の構成例について述べる。ここではＢＤのシステムを前提とする。図１５は，本発明を適用した光ディスク装置の構成例を示す模式図である。装置に装着された光ディスク媒体１００は，スピンドルモータ１６０により回転される。再生時には，ｄＴｓ（ｄＴｅ）Ｕ１４０によって指令された光強度になるようにレーザパワー／パルス制御器１２０が光ヘッド１１０内のレーザドライバ１１６を介して半導体レーザ１１２に流す電流を制御し，レーザ光１１４を発生させる。レーザ光１１４は対物レンズ１１１によって集光され，光スポット１０１を光ディスク媒体１００上に形成する。この光スポット１０１からの反射光１１５は対物レンズ１１１を介して，光検出器１１３で検出される。光検出器は複数に分割された光検出素子から構成されている。再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号を用いて，光ディスク媒体１００上に記録された情報を再生する。これら装置全体は，システムコントローラ２００によって制御される。
【００７８】
再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号に対して帯域制限フィルタ，オートスライサ，ＰＬＬ（Phase Locked Loop）等の処理を行うことにより，チャネルビットクロック信号を生成し，２値化再生信号を生成する。エッジシフト検出器１３５は，再生信号処理回路１３０が生成したチャネルビットクロック信号と２値化再生信号を用いて，再生信号エッジにおける２値化再生信号とチャネルビットクロック信号の間の時間差をチャネルビットクロック周期で規格化した値をエッジシフトとして計測する。更に各計測エッジにおけるエッジシフトの値を，２値化再生信号のデータパターンに基づいて当該マーク長と先行スペース長と先行マーク長の組み合わせのパターンで分類し，パターン毎に集計してエッジシフトの平均値を算出して出力する。
【００７９】
次に，レーザパワー／パルス制御部１２０の構成例について説明する。ここでは，記録方式として図１に示したＮ／２記録ストラテジを用いるものとする。
【００８０】
レーザ光の出力パワーレベルＰＷ，ＰＳ（ＰＥ），ＰＢ及びＰＣとして，光ディスク媒体のコントロール情報記憶領域に記録されたデータによって指定された値を用いる。パワーレベルの指定値が無い場合は試し書きを行うことにより各パワーレベルを決定する。
【００８１】
パルスパラメータについては，図１６（ａ）に示したテーブルに従い，ファーストパルスの始端の時刻ｄＴｔｏｐ及びファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐの設定値を与え，図１６（ｂ）に示したテーブルに従い，マルチパルスの開始時刻ｄＴｍｐの設定値を与え，図１６（ｃ）に示したテーブルに従い，マルチパルスの時間幅Ｔｍｐの設定値を与え，図１６（ｄ）に示したテーブルに従い，ラストパルスの始端の時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐの設定値を与え，図１６（ｅ）に示したテーブルに従い，クーリングパルスの終了時刻ｄＴｓ（ｄＴｅ）の設定値を与える。すなわち，ｄＴｔｏｐ及びＴｔｏｐは，図１６（ａ）のパラメータテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターン毎に設定し，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）は，図１６（ｂ）のパラメータテーブルに従い，当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターン毎に設定する。
【００８２】
次に，本発明による記録パルス調整方法の実施例を説明する。図１７は，パルスの制御パラメータの調整手順の一例を示したフローチャートである。記録ストラテジとしてＮ／２記録ストラテジを用い，図１６に示したテーブルに従って前エッジ位置の制御に関するパラメータｄＴｔｏｐ及びＴｔｏｐは記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，６Ｔ以上の偶数及び５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の５×４の組み合わせのパターンで分類され，後エッジの制御に関するパラメータｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）は記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，６Ｔ以上の偶数及び５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の５×４の組み合わせのパターンで分類される。
【００８３】
処理開始後，ステップ２１では，パルスの制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）の初期値が設定される。制御パラメータの設定値のテーブルは，図１５に示したものと同じである。ステップ２２では，光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータが記録され，記録されたデータが再生される。ステップ２３では，再生信号を用いてエッジシフトを算出し，記録マーク長と先行・後続スペース長の組み合わせのパターンに分類される。ここで，マークの前エッジのエッジシフトについては図１６（ａ）のテーブルと同一の形に分類され，マークの後エッジのエッジシフトについては図１６（ｄ）および（ｅ）のテーブルと同一の形に分類される。ステップ２４では，全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理が終了し，Ｎｏであればステップ２５でエッジシフトが残留しているパターンに対応するパターンの制御パラメータの値が更新され，ステップ２２に戻る。
【００８４】
以上のようにして全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように各制御パラメータが決定される。
【実施例３】
【００８５】
本実施例では、各制御パラメータの指定値がディスク情報領域に格納された光ディスク媒体の実施例について述べる。
【００８６】
制御パラメータの指定値は，ディスクの記録や再生に必要な種々の情報の集合である「ディスク情報」にまとめられ，光ディスク媒体上においてユーザデータ記録領域より内周に位置したディスク情報領域に記録される。
【００８７】
図２５は，ディスク情報のデータ構成を示した模式図である。ディスク情報の１単位（図２５の上段の図）はヘッダ，ディスク情報の本体，およびフッタからなる。
【００８８】
このうち，ディスク情報の本体には記録パルスの制御パラメータの他に媒体種別に関する情報，データ転送速度に関する情報，あるいは記録／再生パワーに関するパラメータなどが含まれる。
【００８９】
記録パルスの制御パラメータ（図の網掛け部分）の構成について述べる。ここでは例として，前記解決手段（１１）に基づき，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅの値を，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定する構成を用いる。本構成では，各制御パラメータは図１８に示したように分類され，分類された各パラメータに対して１バイトずつのデータが割り当てられる。
【００９０】
１バイト（８ビット）データの内訳は，例えば図２５の下段の図のようになる。この図はファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐの場合の例である。８ビットのうち上位６ビット（ビット７〜ビット２）には指定する時間幅をチャネルビットクロック周期の１／１６で除した商（整数値）が２進数の形で格納される。この場合，時間幅は０以上６３以下の範囲で指定される。また，残りの２ビット（ビット１〜ビット０）は不使用ビットであり，固定値として“００”が格納される。
【００９１】
他の制御パラメータの指定値も同様の方法でディスク情報領域に格納される。但し，ｄＴｔｏｐ，ｄＴｌｐ及びｄＴｅについては正負の値を取り得るため，整数値の指定には２の補数表現が用いられる。例えばファーストパルスの開始時刻ｄＴｔｏｐの場合，図示しないが８ビットのうち上位５ビットを用いることにより整数値は−１６以上１５以下の範囲で指定される。
【００９２】
また，本構成の光ディスク媒体がドライブ装置において用いられる際，上記整数値にチャネルビット周期を乗ずることにより，各制御パラメータの値が算出される。
【実施例４】
【００９３】
次に，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値について，６Ｔ以上の偶数グループとの差分をディスク情報領域に格納された光ディスク媒体の実施例について述べる。
【００９４】
ここでは実施例３と同様に，例として前記解決手段（１１）に基づき，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅの値を，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定する構成を用いる。各制御パラメータは図１８に示したように分類される。
【００９５】
本構成において実施例３と異なるのは，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅについて，記録マーク長が４Ｔのグループの場合には，４Ｔグループの値と６Ｔ以上の偶数グループの値との差分を，ディスク情報領域に格納する点である。
【００９６】
差分の値は４ビットに割り当てられ，２の補数表現の場合に−４以上＋３以下の範囲で指定される。この指定範囲は，４Ｔグループと６Ｔ以上の偶数グループとの差分を指定するのに十分な大きさである。
【００９７】
各制御パラメータの指定値が，図１１Ａ及び図１１Ｂの通りであるとする。このとき，ディスク情報領域に格納する値は図２４Ａ及び図２４Ｂのようになる。すなわち，記録マーク長が４Ｔのグループについては，ディスク情報領域に格納する値は，４Ｔグループの値と６Ｔ以上の偶数グループの値との差分となり，ｄＴｌｐについては０−０＝０，Ｔｌｐについては６−７＝（−１），ｄＴｅについては（−１）−（−２）＝（＋１）となる。
指定値の範囲が小さくなるため，より少ないビット数で表現することが可能となる。
【００９８】
ここで，本構成のように差分の値を４ビットで指定することとし，１バイトデータにおける上位４ビット（ビット７〜ビット４）に１つのパラメータ，下位４ビット（ビット３〜ビット０）に別のパラメータを割り当てることにより，パラメータ２つ分の指定値を１バイトに格納することが可能となる。このようにすると，本構成では記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータは，ｄＴｔｏｐ，ｄＴｌｐ及びｄＴｅに関して合計１２種類あるため，実施例３の構成と比較してディスク情報のデータ量は６バイト少なくなる。
【００９９】
また，本構成の光ディスク媒体がドライブ装置において用いられる際，記録マーク長が６Ｔ以上の偶数グループの場合の整数値に上記差分を加算することにより記録マーク長が４Ｔの場合の整数値が得られ，これにチャネルビット周期を乗ずることにより，記録マーク長が４Ｔの場合の制御パラメータの値が算出される。
【０１００】
本発明の効果は，以上説明した実施例に限られるものではない。
【０１０１】
上記の実施例ではエッジシフトとして，チャネルビットクロック信号と２値化再生信号の時間差に基づいて算出されるエッジシフトを用いたが，これに限られるものではない。広義のエッジシフトとして，ＰＲＭＬを用いた再生システムにおいて目標信号と再生信号のユークリッド距離差に基づいて算出されるエッジシフトを用いても構わない。また、ＲＬＬ（１，７）に限らず、Ｎ／２記録ストラテジを用いるものであれば、同様の効果が得られることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【０１０２】
１００：光ディスク
１０１：光スポット
１１０：光ヘッド
１１１：対物レンズ
１１２：半導体レーザ
１１３：光検出器
１１４：レーザ光
１１５：反射光
１１６：レーザドライバ
１２０：レーザパワー／パルス制御器
１３０：再生信号処理器
１３５：エッジシフト検出器
１４０：ｄＴｓ（ｄＴｅ）Ｕ
１６０：スピンドルモータ
２００：システムコントローラ
【技術分野】
【０００１】
本発明は，パルス状に強度変調されたレーザ光を照射することにより情報を記録する光ディスク媒体及び光ディスク記録方法に関し，特に情報の高密度記録に適した光ディスク媒体及び光ディスク記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録型光ディスクでは，パルス状に強度変調されたレーザ光を光ディスクに照射することにより記録膜の状態を変化させ，マークとマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する。記録型光ディスクのうち，情報を１回のみ記録可能な追記型光ディスクとして，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋Ｒが，情報を上書き可能な書き換え型光ディスクとして，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷがよく知られている。また最近では，青色光源を用いることで記録層１層あたり２５ＧＢの情報記録容量を実現した大容量光ディスクであるBlu-ray Disc（ＢＤ）が実用化されている。
【０００３】
記録速度の高速化に適した記録方式として「Ｎ／２記録ストラテジ」があり，ＢＤ等で用いられている。図１は，Ｎ／２記録ストラテジにおける記録パルス波形を示した図である。ここでは，ＢＤのRLL(1,7)コードに用いられる２Ｔ〜８Ｔと、Frame Syncで用いられる９Ｔ（Ｔはチャネルビット長）の長さのマークに対応した記録パルス波形を，ＮＲＺＩデータ信号とともに示した。Ｎ／２記録ストラテジでは，ｎを整数，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応する記録パルス列は，ｑ本のライトパワーレベルのパルスから構成されるのが特徴である。すなわち，２Ｔマークおよび３Ｔマークに対応するパルス列は１本，４Ｔマークおよび５Ｔマークに対応するパルス列は２本，６Ｔマークおよび７Ｔマークに対応するパルス列は３本，８Ｔマークおよび９Ｔマークに対応するパルス列は４本のライトパワーレベルのパルスから構成される。このように，記録マーク長が２Ｔ増加する毎にパルスが１本ずつ増加し，パルス間隔は約２Ｔとなる。「Ｎ−１記録ストラテジ」のようなパルス間隔が約１Ｔとなる記録方式と比較したときの本方式の利点の１つは，各パルスの時間幅を大きくできるため，レーザ発光の立ち上がり時間や立ち下がり時間の影響を低減できる点である。もう１つの利点は，パルス間隔が大きく冷却期間を十分長く取れるため，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクに対してアモルファス相のマークを安定に形成できる点である。これらの利点により，Ｎ／２記録ストラテジは高速記録に適しているとされる。
【０００４】
図２は，記録パルスのパワーレベルを示した図である。ここでは，８Ｔマークの記録パルスを例に示した。レーザ光の出力パワーレベルとしては，ライトパワーＰＷ，スペースパワー（イレーズパワー）ＰＳ（ＰＥ），バイアスパワーＰＢ，クーリングパワーＰＣがある。ライトパワーＰＷは，記録膜にエネルギーを投入して状態変化を起こさせるためのパワーレベルである。バイアスパワーＰＢは，ライトパワーのパルス間のギャップに対応するパワーレベルである。スペースパワーＰＳは，追記型ディスクに対してマーク間（スペース）となる部分に照射するパワーレベルであり，主に次のマークを形成するための予熱に用いられる。イレーズパワーＰＥは，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクに対してスペースとなる部分に照射するパワーレベルであり，マークを消去してスペースに変化させることで直接書き換えを行うために用いられる。クーリングパワーＰＣは，クーリングパルスのパワーレベルであり，追記型ディスクに対しては後続マーク記録部への熱の拡散を遮断し熱干渉を低減する目的で用いられ，書き換え型ディスクに対しては記録膜の加熱後の急冷により非晶質のマークを形成する目的で用いられる。上記の各パワーレベルはマーク長によらず一律の値が用いられる。
【０００５】
次に，各パワーレベルに対応したパルスの名称について，図２を用いて説明する。ライトパワーレベルＰＷを持つパルスのうち，最初のパルスはファーストパルス，最終のパルスはラストパルスと呼ばれる。ファーストパルスとラストパルスの間の複数のパルスはマルチパルスと呼ばれる。２Ｔから５Ｔのマークに対応するパルス列にはマルチパルスは存在しない。２Ｔマークおよび３Ｔマークに対応するパルス列における１本のライトパワーレベルＰＷを持つパルスはファーストパルスであると定義する。また，ラストパルスの直後のクーリングパワーレベルＰＣを持つパルスはクーリングパルスと呼ばれる。
【０００６】
次に，各パルスの制御パラメータについて，図１を用いて説明する。パルスの制御パラメータとしては，ファーストパルスの開始時刻ｄＴｔｏｐ，ファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐ，マルチパルスの開始時刻ｄＴｍｐ，マルチパルスの時間幅Ｔｍｐ，ラストパルスの開始時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐおよびクーリングパルスの終了時刻ｄＴｓ（ｄＴｅ）がある。ｄＴｓは追記型ディスクに対して用いられ，ｄＴｅは書き換え型ディスクに対して用いられるパラメータであり，ともにクーリングパルスの幅を制御するためのものである。パルスの開始時刻または終了時刻を指定するパラメータｄＴｔｏｐ，ｄＴｍｐ，ｄＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）は，ＮＲＺＩ信号のタイミングを基準として図１に示したように定義される。これらのパラメータの符号は，ＮＲＺＩ信号の基準時刻に対して進んだ方向（図の左方向）のときにプラス，遅れた方向（図の右方向）のときにマイナスと定義される。
【０００７】
以上の制御パラメータの値は可変であり，各パラメータの値を調整することによりマークエッジ位置を適切に制御することができる。ｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐは主にマークの前エッジ位置を制御するのに用いられ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）は主にマークの後エッジ位置を制御するのに用いられる。
【０００８】
また，マークのエッジ位置は，そのマークの前後のマークを記録するときの熱の影響も考慮して制御する必要があるため，パルスの始端の時刻やパルスの時間幅を当該マークの長さと隣接スペースの長さの組み合わせのパターンで分類して制御する適応記録制御が用いられる。
【０００９】
図３（ａ）〜（ｅ）は，上記のパルスの制御パラメータの指定値を与えるテーブルを示した図である。（ａ）ｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐは記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。（ｂ）ｄＴｍｐは記録マーク長（４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）のみで分類して指定される。（ｃ）Ｔｍｐは６Ｔ以上の記録マークについて，記録マーク長によらず一律の値が指定される。（ｄ）ｄＴｌｐおよびＴｌｐは記録マーク長（４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。（ｅ）ｄＴｓ（ｄＴｅ）は記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して指定される。なお，各パラメータの調整単位はチャネルビット周期（Ｔｗ）の１／１６である。
【００１０】
以上のような記録方法の基本的な考え方は，例えば特許文献１に開示されている。
【００１１】
各制御パラメータの値は，チャネルビット周期の１／１６で除した商（整数値）に変換され，ディスク媒体上のユーザデータ記録領域とは別に設けられたコントロール情報記録領域に，ディスク媒体製造時に格納される。
【００１２】
各パルスの制御パラメータを最適値に調整する方法として，例えばエッジシフトを最小にする方法がある。図４は媒体上に記録されたマーク／スペース，それに対応した等化再生信号，ダイレクトスライス方式によって等化再生信号を２値化した２値化再生信号及び２値化再生信号から生成されたチャネルビットクロック信号の波形を模式的に示した図である。エッジシフトとは，２値化再生信号とチャネルクロック信号のエッジにおける時間差の平均値をチャネルクロック周期で規格化したものであり，特定のパターンのエッジ位置の平均的なずれの大きさと方向を示している。エッジシフトの符号は，チャネルビットクロック信号に対して再生信号が遅れた方向（図の右方向）のときはプラス，進んだ方向（図の左方向）のときはマイナスと定義する。
【００１３】
図５は，Ｎ／２記録ストラテジを用いたパルス調整手順の一例を示したフローチャートである。各パルスの制御パラメータは，図３（ａ）〜（ｅ）に示したテーブルに従い分類して指定される。
【００１４】
処理開始後，ステップ１１では，パルスの制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）の初期値が設定される。これらの初期値は，前述のコントロール情報記録領域に格納されたデータを読み出すことによって取得される。次にステップ１２では，光ディスク媒体上に設けられた試し書き専用領域にランダムデータが記録され，記録されたデータが再生される。次にステップ１３では，再生信号を用いてエッジシフトを算出する。ここで，マークの前エッジのエッジシフトについては，前エッジの制御に用いられるｄＴｔｏｐおよびＴｔｏｐの指定値のテーブルの形に合わせて，図６（ａ）に示したように記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して算出される。後エッジのエッジシフトについては，後エッジの制御に用いられるｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）の指定値のテーブルの形に合わせて，図６（ｂ）に示したように記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ以上の偶数および５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔおよび５Ｔ以上）の組み合わせのパターンで分類して算出される。次にステップ１４では，全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になったかを判定し，Ｙｅｓであれば処理が終了し，Ｎｏであればステップ１５でエッジシフトが残留しているパターンに対応する制御パラメータの値が更新され，再びステップ１２に戻る。
【００１５】
以上のようにして全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるまで処理が繰り返され，各制御パラメータが調整される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００５−１４９５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
最近，光ディスクにおいて更なる大容量化を実現するために，ＢＤのフォーマットをベースにして線記録密度を高めることにより，記録層１層あたりの記録容量を増加させる技術の研究が行われている。
【００１８】
しかしながら，従来のＮ／２記録ストラテジを用いて，３０ＧＢ／層以上の記録密度で記録を行うと，マークエッジ位置を高精度に制御できなくなるという課題があった。これについて，実験結果を用いて説明する。
【００１９】
実験は，市販の書き換え型ＢＤ（ＢＤ−ＲＥ）ディスクを用いて行った。記録ストラテジとして従来のＮ／２記録ストラテジを用い，記録層１層あたりの記録容量が３３．４ＧＢ（チャネルビット長＝５５．８ｎｍ相当）となるようにした。記録パルスの制御パラメータは図３のテーブルに従い指定した。各パラメータの調整単位はチャネルビット周期の１／１６とした。ｄＴｍｐおよびＴｍｐについては，それぞれ固定値として与えることとし，ｄＴｍｐ（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）＝０，ｄＴｍｐ（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）＝０，Ｔｍｐ＝６とした。
【００２０】
ここで，制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅを，前述のパルス調整手順に従い，各パターンのエッジシフトの絶対値が最小になるように調整した。その結果，各制御パラメータの値は図７Ａ，図７Ｂに示した通りとなった。このとき記録した箇所を再生し，図６（ａ）および（ｂ）に示したテーブルに従ってエッジシフトを算出したところ，各パターンのエッジシフトの値は図８（ａ）および図８（ｂ）のようになった。また，このときのビットエラー率（総ビット数におけるエラービット数の割合）の推定値は１．７×１０−７であった。
【００２１】
図８（ａ）および図８（ｂ）によると，パルス調整後の各エッジシフトの絶対値は十分に小さい値に抑えられており，その記録品質は問題ないように見える。しかしながら，より詳細な解析を行うことにより，課題が明らかとなった。
【００２２】
図８（ｃ）および（ｄ）は，それぞれ図８（ａ）および（ｂ）に示した前エッジおよび後エッジのエッジシフトのテーブルにおいて，記録マーク長が４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）であるグループを更に分解し，４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループに分けたテーブルである。前エッジの場合，図８（ｃ）のように４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループとでエッジシフトの値はほぼ等しいのに対して，後エッジの場合，図８（ｄ）のように記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループとでエッジシフトの値が正負にスプリットしている。なお，図示しないが，記録マーク長が５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）であるグループについては，５Ｔのグループと７Ｔ以上の奇数（７Ｔ，９Ｔ）のグループとで，上記のようなスプリットは発生しなかった。
【００２３】
図９は，マークの後エッジについてエッジ位置ずれの分布を示したヒストグラムであり，横軸はエッジ位置ずれ，縦軸は計測エッジ数を示している。ここで，エッジ位置ずれは図４における２値化再生信号とチャネルクロック信号の各エッジにおける時間差をチャネルクロック周期で規格化したものに相当する。図９（ａ）には，マーク長が４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのエッジ位置ずれの分布を，２Ｔ〜９Ｔの全マーク長についての分布（Ｔｏｔａｌ）とともに示した。また，図９（ｂ）には，マーク長が５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループのエッジ位置ずれの分布を，２Ｔ〜９Ｔの全マーク長についての分布（Ｔｏｔａｌ）とともに示した。図９によると，（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループについては，エッジシフトの分布がほぼエッジシフト＝０を中心にしてひと山にまとまっているのに対して，（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループについては，エッジシフトの分布がふた山にスプリットしている。
【００２４】
図９（ａ）に示した４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループの場合のエッジシフトのヒストグラムは，図８（ｄ）において４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループでエッジシフトの値がスプリットしていることから推測すると，図１０（ａ）のようになっていると考えられる。すなわち，マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループのエッジシフトの分布は互いにスプリットしており，４Ｔ以上のグループの分布（破線）はプラス側，６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループの分布（一点鎖線）はマイナス側にそれぞれ寄っている。
【００２５】
上記のようなエッジシフトの分布のスプリットにより，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルのエッジシフトの分布の幅が広がり，再生エラーが発生しやすくなると考えられる。従来のＮ／２記録ストラテジでは，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループで，パルスの制御パラメータを一律に制御するため，上記のようなエッジシフトのスプリットを補正することはできない。
【００２６】
従来のＮ／２記録ストラテジを用いて３０ＧＢ／層以上の記録密度で記録を行う場合に上記のようなマークの後エッジのエッジシフトのスプリットが生じるのは，チャネルビット長，すなわち１Ｔあたりのマーク長が従来のＢＤと比較して小さいため，記録時の熱の蓄積がマークの後エッジ部に与える影響の度合いが，４Ｔとそれ以外（６Ｔおよび８Ｔ）とで大きく異なるためであると考えられる。
【００２７】
図２０は，マークの前エッジについて，図９の後エッジの場合と同様にマーク長が（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループと（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループについて，それぞれマークの後エッジのエッジシフトの分布を示したヒストグラムである。図２０から分かるように，マークの前エッジの場合は（ａ）４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループおよび（ｂ）５Ｔ以上の奇数（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）のグループともにエッジシフトの分布はひと山にまとまっており，後エッジの場合に見られた分布のスプリットは見られない。このことは，図８（ｃ）に示した通りである。
【００２８】
本発明の目的は，上記の課題を解決し，Ｎ／２記録ストラテジを用いた高密度記録を行うことを可能とする光ディスク媒体，光ディスク記録方法及び光ディスク記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明では，上記の目的を達成するために以下の手段を用いた。
（１）記録方法；制御パラメータの少なくとも一つを制御
光ディスク媒体に，パルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する光ディスク記録方法であって，
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成された光ディスク記録方法において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３０】
これにより，パルスの制御パラメータを，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで分けて制御することができるようになるため，上記の課題で述べたようなエッジシフト分布のスプリットを適切に補正することができるようになった。
【００３１】
（２）記録方法；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻のうち少なくとも１種類を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３２】
この構成は基本的には上記（１）と同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで指定値を分けるパラメータを，後エッジの制御に関わるパラメータｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｓ（ｄＴｅ）の少なくとも何れかのみに限定したものである。これは，先にも述べたように記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとの間でエッジシフト分布のスプリットが生じるのは主に後エッジであり，前エッジには殆ど生じないためである。これにより，制御パラメータの種類を上記（１）の所定のケースの場合より少なくすることができるため，記録パルス調整時間の短縮等のメリットがある。
【００３３】
（３）記録方法；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することとした。
【００３４】
この構成は基本的には上記（２）と同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループとで指定値を分けるパラメータを，クーリングパルス幅を指定するパラメータｄＴｓ（ｄＴｅ）のみに限定したものである。これは，特に書き換え型ディスクでは，マークの後エッジ位置はクーリングパルス幅の寄与が最も大きいことによる。これにより，制御パラメータの種類を上記（２）の場合より更に減少させることができるため，記録パルス調整時間をより短縮できるというメリットがある。
【００３５】
（４）記録方法；前エッジと後エッジのシフトテーブルを４Ｔ分離
上記（１）〜（３）の記録方法で、更に、ｎ＝４以上のマークに対応した前エッジおよび後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することとした。
【００３６】
これは，上記（１）〜（３）の記録方法を，より理想的に実施するための構成である。すなわち，エッジシフトの値を記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループとで分けて検出することにより，記録マーク長が４Ｔのグループのパラメータおよび６Ｔ以上の偶数のグループのパラメータのそれぞれについて最適な指定値を得ることができる。
【００３７】
（５）記録方法；後エッジのシフトテーブルのみ４Ｔ分離
上記（１）〜（３）の記録方法で、更に、ｎ＝４以上のマークに対応した後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することとした。
【００３８】
この構成は，基本的には上記（４）と同じであるが，エッジシフトの値を記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループとで分けて検出するのをマークの後エッジに限定したものである。これは，先にも述べたように記録マーク長が４Ｔと６Ｔ以上の偶数とでエッジシフト分布がスプリットするのは主に後エッジであるため，前エッジのエッジシフトに関しては４Ｔと６Ｔ以上の偶数とで分けて検出する必要が小さいからである。これにより，上記（４）に比べてエッジシフト検出工程を簡略化することができる。
【００３９】
（６）記録方法；高密度
前記光ディスクは記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することとした。
【００４０】
上記に述べた，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループの間のエッジシフトのスプリットは，３０ＧＢ／層以上の高記録密度で特に顕著となってくるため，上記（１）〜（５）の光ディスク記録方法は，３０ＧＢ／層以上の記録密度での記録の際に適用することにより，より効果的なものとなる。
【００４１】
（７）記録方法；ＲＥ
前記光ディスク媒体は書き換え型であることとした。
【００４２】
Ｎ／２記録ストラテジは主に書き換え型ディスクにおいて用いられる。従って，上記（１）〜（６）の光ディスク記録方法は，書き換え型ディスクに適用することにより，より効果的なものとなる。
【００４３】
（８）媒体；制御パラメータの少なくとも一つを制御
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための記録パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４４】
これは，上記（１）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置は本構成の光ディスク媒体のコントロール情報記録領域に格納された記録パルスパラメータの指定値を読み出し，設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００４５】
（９）媒体；制御パラメータの少なくとも一つを制御，差分形式
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４６】
この構成は，上記（８）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これは，制御パラメータの値そのものと比較して，４Ｔのグループの制御パラメータの値と６Ｔ以上の偶数グループの制御パラメータの値との差分の方が指定値の範囲が小さくなるため，少ないビット数で制御パラメータの値を表現することができるからである。これにより，上記（４）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくできるというメリットがある。
【００４７】
（１０）媒体；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００４８】
これは，上記（２）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置はディスクから読み出した指定値を設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００４９】
更に上記（４）の構成と比較して光ディスク媒体上のディスク情報領域に格納する制御パラメータの種類が少なくなるため，ディスク情報領域のデータ量を節約できるというメリットもある。
【００５０】
（１１）媒体；ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ，ｄＴｓ（ｄＴｅ）のうち少なくとも１つを制御，差分形式
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記少なくとも１種類のパラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記少なくとも１種類のパラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５１】
この構成は，上記（１０）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これにより，上記（９）の構成と同様の理由により，上記（１０）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくすることができるというメリットがある。
【００５２】
（１２）媒体；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみ制御
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５３】
これは，上記（３）の光ディスク記録方法を光ディスク記録装置において実施することを可能にする光ディスク媒体である。すなわち，ドライブ装置はディスクから読み出した指定値を設定することで，高品質な記録を行うことが可能となる。
【００５４】
また，上記（８）の所定の場合の構成と比較して光ディスク媒体上のディスク情報領域に格納する制御パラメータの種類が更に少なくなるため，ディスク情報領域のデータ量を更に節約できるというメリットもある。
【００５５】
（１３）媒体；ｄＴｓ（ｄＴｅ）のみ，差分形式
ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたものとした。
【００５６】
この構成は，上記（１２）の構成と基本的に同じであるが，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値については，６Ｔ以上の偶数のグループの制御パラメータの値との差分の値をディスク情報領域に格納するものである。これにより，上記（９）の構成と同様の理由により，上記（１２）の構成と比較してディスク情報領域に格納するデータ量を小さくすることができるというメリットがある。
【００５７】
（１４）媒体；高密度
記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有するものとした。
上記に述べた，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数のグループの間のエッジシフトのスプリットは，３０ＧＢ／層以上の高記録密度で特に顕著となってくるため，上記（８）〜（１３）の光ディスク媒体の構成は，３０ＧＢ／層以上の光ディスク媒体に適用することにより，より効果的なものとなる。
【００５８】
（１５）媒体；ＲＥ
書き換え型であるものとした。
【００５９】
Ｎ／２記録ストラテジは特に書き換え型ディスクに対して有効である。これは，前述のようにＮ／２記録ストラテジではパルス間隔が大きく冷却期間を十分長く取れるため，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクにおいてアモルファス相のマークを安定に形成できるからである。従って，上記（８）〜（１３）の光ディスク媒体の構成は，書き換え型ディスクに適用することにより，より効果的なものとなる。また，書き換え型ディスクにおいてはマークの後エッジ位置に対してクーリングパルス幅の寄与が最も大きいため，特に（１２）及び（１３）の光ディスク媒体の構成を書き換え型ディスクに適用することにより，更に効果的なものとなる。
【発明の効果】
【００６０】
上記のように、記録パルスの制御パラメータを、ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けることにより、エッジシフトのスプリットを適切に補正することができるので、結果的にビットエラー率の改善が見込まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来のＮ／２記録ストラテジの記録パルス波形を示した図。
【図２】記録パルスのパワーレベルを示した図。
【図３】従来のＮ／２記録ストラテジの記録パルスパラメータテーブルを示した図。
【図４】エッジシフト算出方法を示した図。
【図５】従来の記録パルス調整フローを示した図。
【図６】従来のＮ／２記録ストラテジに対応したエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図７Ａ】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図７Ｂ】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図８】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の検出されたエッジシフト値を示した図。
【図９】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の後エッジのエッジシフトの分布を示した図。
【図１０】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合のエッジシフトの分布を模式的に示した図。
【図１１Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図１１Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図１２】本発明のエッジシフト検出テーブルを示した図。
【図１３】本発明を適用した場合のエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図１４】本発明を適用した場合のエッジシフトの分布を示した図。
【図１５】本発明の光ディスク装置の構成例を示した図。
【図１６】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図１７】本発明の記録パルス調整フローを示した図。
【図１８】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図１９】本発明のパルス制御パラメータテーブルの実施例を示した図。
【図２０】従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合の前エッジのエッジシフトの分布を示した図。
【図２１Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２１Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２２】本発明を適用した場合のエッジシフト値のテーブルを示した図。
【図２３】本発明を適用した場合のエッジシフトの分布を示した図。
【図２４Ａ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２４Ｂ】本発明を適用した場合のパルスの制御パラメータの設定値を示した図。
【図２５】本発明の光ディスク媒体におけるディスク情報領域のデータ構成を示した図。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
以下，図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００６３】
下記の通り、実験結果を用いて説明する。実験は次の手順で行った。
【００６４】
まず，市販の書き換え型ＢＤ（ＢＤ−ＲＥ）ディスクにＮ／２記録ストラテジを用いて，記録パルスの各制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅに適当な初期値を与えてランダムデータを記録する。記録層１層あたりの記録容量は３３．４ＧＢ（チャネルビット長＝５５．８ｎｍ）とする。各パラメータの調整単位はチャネルビット周期の１／１６とする。ｄＴｍｐおよびＴｍｐについては，それぞれｄＴｍｐ（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）＝０，ｄＴｍｐ（５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ）＝０，Ｔｍｐ＝６を与え，これらは固定値として以降調整しないこととする。
【００６５】
次に記録した箇所を再生し，再生信号からエッジシフトを検出する。検出したエッジシフトは図１２に示したテーブルに従って，（ａ）マークの前エッジシフトと（ｂ）マークの後エッジシフトに分類する。
【００６６】
次に，エッジシフト検出テーブルにおける各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，マークの前エッジまたは後エッジを制御するパラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｌｐ，ＴｌｐおよびｄＴｅを調整する。
【００６７】
以上の実験を本発明に基づく２種類の制御パラメータテーブルを用いて行った。
【００６８】
１つ目のテーブルは，前記解決手段（２）に基づいてラストパルスの開始時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐおよびクーリングパルスの終了時刻ｄＴＥについて，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定するものである。
【００６９】
このとき，各制御パラメータの値は調整の結果，図１１Ａ，図１１Ｂに示した通りとなった。また，このときの各パターンのエッジシフトの値は図１３に示した通りとなった。
【００７０】
図１４は，エッジシフトの分布を示したヒストグラムである。図１４によると，本発明のパルスの制御パラメータを適用したＮ／２記録ストラテジを用いることより，従来のＮ／２記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数（６Ｔ，８Ｔ）のグループの間に見られたマークの後エッジのエッジシフトのスプリットが適切に補正され，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルの分布はひと山にまとまった。
【００７１】
また，ビットエラー率の推定値は，従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合に１．７×１０−７であったのに対して，本発明を適用することにより６．３×１０−８に改善した。
【００７２】
２つ目のテーブルは，前記解決手段（３）に基づいてクーリングパルスの終了時刻ｄＴＥのみについて，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定するものである。
【００７３】
このとき，各制御パラメータの値は調整の結果，図２１Ａ，図２１Ｂに示した通りとなった。また，このときの各パターンのエッジシフトの値は図２２に示した通りとなった。
【００７４】
図２３は，エッジシフトの分布を示したヒストグラムである。このように，記録マーク長が４Ｔの場合と６Ｔ以上の偶数の場合とで分けて制御するパラメータをクーリングパルスの終了時刻のみに限定した場合にも，マークの後エッジのエッジシフトのスプリットが適切に補正され，４Ｔ以上の偶数（４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ）のグループのトータルの分布はひと山にまとまった。
また，本構成を適用した場合のビットエラー率は６．１×１０−８と，従来のＮ／２記録ストラテジを用いた場合に対して改善した。
【００７５】
上記のビットエラー率の改善は，いずれのテーブルを用いた場合にも，エッジシフトの分布が図１０（ｂ）に示したような理想的な分布に補正されたことによることは明らかである。ビットエラー率の改善は，ドライブ装置の動作時の種々の外乱に対するマージンを拡大し，記録再生速度の高速化や記録密度の高密度化に寄与する。以上の結果より，本発明の効果が示された。
【実施例２】
【００７６】
本実施例では、全パラメータで４Ｔ分離した例を説明する。
【００７７】
本発明を実施するのに好適な光ディスク装置の構成例について述べる。ここではＢＤのシステムを前提とする。図１５は，本発明を適用した光ディスク装置の構成例を示す模式図である。装置に装着された光ディスク媒体１００は，スピンドルモータ１６０により回転される。再生時には，ｄＴｓ（ｄＴｅ）Ｕ１４０によって指令された光強度になるようにレーザパワー／パルス制御器１２０が光ヘッド１１０内のレーザドライバ１１６を介して半導体レーザ１１２に流す電流を制御し，レーザ光１１４を発生させる。レーザ光１１４は対物レンズ１１１によって集光され，光スポット１０１を光ディスク媒体１００上に形成する。この光スポット１０１からの反射光１１５は対物レンズ１１１を介して，光検出器１１３で検出される。光検出器は複数に分割された光検出素子から構成されている。再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号を用いて，光ディスク媒体１００上に記録された情報を再生する。これら装置全体は，システムコントローラ２００によって制御される。
【００７８】
再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号に対して帯域制限フィルタ，オートスライサ，ＰＬＬ（Phase Locked Loop）等の処理を行うことにより，チャネルビットクロック信号を生成し，２値化再生信号を生成する。エッジシフト検出器１３５は，再生信号処理回路１３０が生成したチャネルビットクロック信号と２値化再生信号を用いて，再生信号エッジにおける２値化再生信号とチャネルビットクロック信号の間の時間差をチャネルビットクロック周期で規格化した値をエッジシフトとして計測する。更に各計測エッジにおけるエッジシフトの値を，２値化再生信号のデータパターンに基づいて当該マーク長と先行スペース長と先行マーク長の組み合わせのパターンで分類し，パターン毎に集計してエッジシフトの平均値を算出して出力する。
【００７９】
次に，レーザパワー／パルス制御部１２０の構成例について説明する。ここでは，記録方式として図１に示したＮ／２記録ストラテジを用いるものとする。
【００８０】
レーザ光の出力パワーレベルＰＷ，ＰＳ（ＰＥ），ＰＢ及びＰＣとして，光ディスク媒体のコントロール情報記憶領域に記録されたデータによって指定された値を用いる。パワーレベルの指定値が無い場合は試し書きを行うことにより各パワーレベルを決定する。
【００８１】
パルスパラメータについては，図１６（ａ）に示したテーブルに従い，ファーストパルスの始端の時刻ｄＴｔｏｐ及びファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐの設定値を与え，図１６（ｂ）に示したテーブルに従い，マルチパルスの開始時刻ｄＴｍｐの設定値を与え，図１６（ｃ）に示したテーブルに従い，マルチパルスの時間幅Ｔｍｐの設定値を与え，図１６（ｄ）に示したテーブルに従い，ラストパルスの始端の時刻ｄＴｌｐ，ラストパルスの時間幅Ｔｌｐの設定値を与え，図１６（ｅ）に示したテーブルに従い，クーリングパルスの終了時刻ｄＴｓ（ｄＴｅ）の設定値を与える。すなわち，ｄＴｔｏｐ及びＴｔｏｐは，図１６（ａ）のパラメータテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターン毎に設定し，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）は，図１６（ｂ）のパラメータテーブルに従い，当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターン毎に設定する。
【００８２】
次に，本発明による記録パルス調整方法の実施例を説明する。図１７は，パルスの制御パラメータの調整手順の一例を示したフローチャートである。記録ストラテジとしてＮ／２記録ストラテジを用い，図１６に示したテーブルに従って前エッジ位置の制御に関するパラメータｄＴｔｏｐ及びＴｔｏｐは記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，６Ｔ以上の偶数及び５Ｔ以上の奇数）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の５×４の組み合わせのパターンで分類され，後エッジの制御に関するパラメータｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）は記録マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，６Ｔ以上の偶数及び５Ｔ以上の奇数）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の５×４の組み合わせのパターンで分類される。
【００８３】
処理開始後，ステップ２１では，パルスの制御パラメータｄＴｔｏｐ，Ｔｔｏｐ，ｄＴｍｐ，Ｔｍｐ，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｓ（ｄＴｅ）の初期値が設定される。制御パラメータの設定値のテーブルは，図１５に示したものと同じである。ステップ２２では，光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータが記録され，記録されたデータが再生される。ステップ２３では，再生信号を用いてエッジシフトを算出し，記録マーク長と先行・後続スペース長の組み合わせのパターンに分類される。ここで，マークの前エッジのエッジシフトについては図１６（ａ）のテーブルと同一の形に分類され，マークの後エッジのエッジシフトについては図１６（ｄ）および（ｅ）のテーブルと同一の形に分類される。ステップ２４では，全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理が終了し，Ｎｏであればステップ２５でエッジシフトが残留しているパターンに対応するパターンの制御パラメータの値が更新され，ステップ２２に戻る。
【００８４】
以上のようにして全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように各制御パラメータが決定される。
【実施例３】
【００８５】
本実施例では、各制御パラメータの指定値がディスク情報領域に格納された光ディスク媒体の実施例について述べる。
【００８６】
制御パラメータの指定値は，ディスクの記録や再生に必要な種々の情報の集合である「ディスク情報」にまとめられ，光ディスク媒体上においてユーザデータ記録領域より内周に位置したディスク情報領域に記録される。
【００８７】
図２５は，ディスク情報のデータ構成を示した模式図である。ディスク情報の１単位（図２５の上段の図）はヘッダ，ディスク情報の本体，およびフッタからなる。
【００８８】
このうち，ディスク情報の本体には記録パルスの制御パラメータの他に媒体種別に関する情報，データ転送速度に関する情報，あるいは記録／再生パワーに関するパラメータなどが含まれる。
【００８９】
記録パルスの制御パラメータ（図の網掛け部分）の構成について述べる。ここでは例として，前記解決手段（１１）に基づき，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅの値を，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定する構成を用いる。本構成では，各制御パラメータは図１８に示したように分類され，分類された各パラメータに対して１バイトずつのデータが割り当てられる。
【００９０】
１バイト（８ビット）データの内訳は，例えば図２５の下段の図のようになる。この図はファーストパルスの時間幅Ｔｔｏｐの場合の例である。８ビットのうち上位６ビット（ビット７〜ビット２）には指定する時間幅をチャネルビットクロック周期の１／１６で除した商（整数値）が２進数の形で格納される。この場合，時間幅は０以上６３以下の範囲で指定される。また，残りの２ビット（ビット１〜ビット０）は不使用ビットであり，固定値として“００”が格納される。
【００９１】
他の制御パラメータの指定値も同様の方法でディスク情報領域に格納される。但し，ｄＴｔｏｐ，ｄＴｌｐ及びｄＴｅについては正負の値を取り得るため，整数値の指定には２の補数表現が用いられる。例えばファーストパルスの開始時刻ｄＴｔｏｐの場合，図示しないが８ビットのうち上位５ビットを用いることにより整数値は−１６以上１５以下の範囲で指定される。
【００９２】
また，本構成の光ディスク媒体がドライブ装置において用いられる際，上記整数値にチャネルビット周期を乗ずることにより，各制御パラメータの値が算出される。
【実施例４】
【００９３】
次に，記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータの値について，６Ｔ以上の偶数グループとの差分をディスク情報領域に格納された光ディスク媒体の実施例について述べる。
【００９４】
ここでは実施例３と同様に，例として前記解決手段（１１）に基づき，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅの値を，記録マーク長が４Ｔのグループと６Ｔ以上の偶数グループに分けて指定する構成を用いる。各制御パラメータは図１８に示したように分類される。
【００９５】
本構成において実施例３と異なるのは，ｄＴｌｐ，Ｔｌｐ及びｄＴｅについて，記録マーク長が４Ｔのグループの場合には，４Ｔグループの値と６Ｔ以上の偶数グループの値との差分を，ディスク情報領域に格納する点である。
【００９６】
差分の値は４ビットに割り当てられ，２の補数表現の場合に−４以上＋３以下の範囲で指定される。この指定範囲は，４Ｔグループと６Ｔ以上の偶数グループとの差分を指定するのに十分な大きさである。
【００９７】
各制御パラメータの指定値が，図１１Ａ及び図１１Ｂの通りであるとする。このとき，ディスク情報領域に格納する値は図２４Ａ及び図２４Ｂのようになる。すなわち，記録マーク長が４Ｔのグループについては，ディスク情報領域に格納する値は，４Ｔグループの値と６Ｔ以上の偶数グループの値との差分となり，ｄＴｌｐについては０−０＝０，Ｔｌｐについては６−７＝（−１），ｄＴｅについては（−１）−（−２）＝（＋１）となる。
指定値の範囲が小さくなるため，より少ないビット数で表現することが可能となる。
【００９８】
ここで，本構成のように差分の値を４ビットで指定することとし，１バイトデータにおける上位４ビット（ビット７〜ビット４）に１つのパラメータ，下位４ビット（ビット３〜ビット０）に別のパラメータを割り当てることにより，パラメータ２つ分の指定値を１バイトに格納することが可能となる。このようにすると，本構成では記録マーク長が４Ｔのグループの制御パラメータは，ｄＴｔｏｐ，ｄＴｌｐ及びｄＴｅに関して合計１２種類あるため，実施例３の構成と比較してディスク情報のデータ量は６バイト少なくなる。
【００９９】
また，本構成の光ディスク媒体がドライブ装置において用いられる際，記録マーク長が６Ｔ以上の偶数グループの場合の整数値に上記差分を加算することにより記録マーク長が４Ｔの場合の整数値が得られ，これにチャネルビット周期を乗ずることにより，記録マーク長が４Ｔの場合の制御パラメータの値が算出される。
【０１００】
本発明の効果は，以上説明した実施例に限られるものではない。
【０１０１】
上記の実施例ではエッジシフトとして，チャネルビットクロック信号と２値化再生信号の時間差に基づいて算出されるエッジシフトを用いたが，これに限られるものではない。広義のエッジシフトとして，ＰＲＭＬを用いた再生システムにおいて目標信号と再生信号のユークリッド距離差に基づいて算出されるエッジシフトを用いても構わない。また、ＲＬＬ（１，７）に限らず、Ｎ／２記録ストラテジを用いるものであれば、同様の効果が得られることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【０１０２】
１００：光ディスク
１０１：光スポット
１１０：光ヘッド
１１１：対物レンズ
１１２：半導体レーザ
１１３：光検出器
１１４：レーザ光
１１５：反射光
１１６：レーザドライバ
１２０：レーザパワー／パルス制御器
１３０：再生信号処理器
１３５：エッジシフト検出器
１４０：ｄＴｓ（ｄＴｅ）Ｕ
１６０：スピンドルモータ
２００：システムコントローラ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク媒体に，パルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する光ディスク記録方法であって，
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成された光ディスク記録方法において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を指定するパラメータを，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする光ディスク記録方法。
【請求項２】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻のうち少なくとも１種類を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする請求項１記載の光ディスク記録方法。
【請求項３】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする請求項１記載の光ディスク記録方法。
【請求項４】
前記ｎ＝４以上のマークに対応した前エッジおよび後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することを特徴とする，請求項１乃至３何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項５】
前記ｎ＝４以上のマークに対応した後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することを特徴とする，請求項１乃至３何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項６】
前記光ディスクは記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することを特徴とする，請求項１乃至５何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項７】
前記光ディスク媒体は書き換え型であることを特徴とする請求項１乃至６何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項８】
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応したパルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための前記パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝４以上のマークに対応した前記パルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする光ディスク媒体。
【請求項９】
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための前記パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝５以上のマークに対応した前記パルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応した前記パルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする光ディスク媒体。
【請求項１０】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項８記載の光ディスク媒体。
【請求項１１】
前記ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記少なくとも１種類のパラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記少なくとも１種類のパラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項９記載の光ディスク媒体。
【請求項１２】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項８記載の光ディスク媒体。
【請求項１３】
前記ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項９記載の光ディスク媒体。
【請求項１４】
前記光ディスク媒体は、記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することを特徴とする請求項８乃至１３何れかに記載の光ディスク媒体。
【請求項１５】
前記光ディスク媒体は、書き換え型であることを特徴とする請求項８乃至１４何れかに記載の光ディスク媒体。
【請求項１】
光ディスク媒体に，パルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する光ディスク記録方法であって，
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成された光ディスク記録方法において，
ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅のうち少なくとも１種類を指定するパラメータを，少なくともｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする光ディスク記録方法。
【請求項２】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻のうち少なくとも１種類を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする請求項１記載の光ディスク記録方法。
【請求項３】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けてそれぞれ制御することを特徴とする請求項１記載の光ディスク記録方法。
【請求項４】
前記ｎ＝４以上のマークに対応した前エッジおよび後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することを特徴とする，請求項１乃至３何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項５】
前記ｎ＝４以上のマークに対応した後エッジのエッジシフトを，ｎ＝４の場合，６Ｔ以上の偶数グループおよび５Ｔ以上の奇数グループに分けてそれぞれ算出し，
各エッジシフトの絶対値がそれぞれ最小になるように，前記パラメータを調整することを特徴とする，請求項１乃至３何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項６】
前記光ディスクは記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することを特徴とする，請求項１乃至５何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項７】
前記光ディスク媒体は書き換え型であることを特徴とする請求項１乃至６何れかに記載の光ディスク記録方法。
【請求項８】
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応したパルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための前記パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝４以上のマークに対応した前記パルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする光ディスク媒体。
【請求項９】
ｎを２以上の整数とし，ｎを２で割った商をｑとしたとき，長さｎＴのマークに対応した前記パルス列がｑ本のライトパワーレベルを有するパルスから構成されたパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射することによりラン長制限されたマークおよびスペースを形成することにより情報が記録され，
前記マークを形成するための前記パルス列における各パルスの開始時刻および時間幅を指定するパラメータの値が，ユーザデータ記録領域とは異なる場所に配置されたディスク情報領域に格納された光ディスク媒体において，
ｎ＝５以上のマークに対応した前記パルス列における，各パルスの開始時刻，終了時刻あるいは時間幅を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分られ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応した前記パルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする光ディスク媒体。
【請求項１０】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項８記載の光ディスク媒体。
【請求項１１】
前記ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，最終のライトパワーレベルのパルスであるラストパルスの開始時刻および時間幅，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値のうち少なくとも１種類が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記少なくとも１種類のパラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記少なくとも１種類のパラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項９記載の光ディスク媒体。
【請求項１２】
前記ｎ＝４以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝４の場合，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合の３通りの場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項８記載の光ディスク媒体。
【請求項１３】
前記ｎ＝５以上のマークに対応したパルス列における，ラストパルスの直後のパルスであるクーリングパルスの終了時刻を指定するパラメータの値が，ｎ＝６以上の偶数の場合およびｎ＝５以上の奇数の場合に分けられ，それぞれ前記ディスク情報領域に格納され，
ｎ＝４のマークに対応したパルス列における前記パラメータの値とｎ＝６以上の偶数の場合の前記パラメータの値との差分の値が，前記ディスク情報領域に格納されたことを特徴とする，請求項９記載の光ディスク媒体。
【請求項１４】
前記光ディスク媒体は、記録層１層あたり３０ＧＢ以上の記録容量を有することを特徴とする請求項８乃至１３何れかに記載の光ディスク媒体。
【請求項１５】
前記光ディスク媒体は、書き換え型であることを特徴とする請求項８乃至１４何れかに記載の光ディスク媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５】
【公開番号】特開２０１３−１０１７２７（Ｐ２０１３−１０１７２７Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５５２７３（Ｐ２０１０−５５２７３）
【出願日】平成２２年３月１２日（２０１０．３．１２）
【出願人】（５０９１８９４４４）日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 (998)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１２日（２０１０．３．１２）
【出願人】（５０９１８９４４４）日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 (998)
【Ｆターム（参考）】
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