光ヘッド、その駆動方法、発光装置および電子機器
【課題】各発光ラインにおける不良素子について対策を講じる。
【解決手段】駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定手段によって発光素子１０４が指定されない場合は、選択部１０８は選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択し、その選択された発光素子１０４に駆動電流Ｉｄｓが供給される。素子指定手段によって発光素子１０４が指定された場合は、選択部１０８は素子指定手段によって指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択する。
【解決手段】駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定手段によって発光素子１０４が指定されない場合は、選択部１０８は選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択し、その選択された発光素子１０４に駆動電流Ｉｄｓが供給される。素子指定手段によって発光素子１０４が指定された場合は、選択部１０８は素子指定手段によって指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を用いた光ヘッド、その駆動方法、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば電子写真方式の画像形成装置においては、感光体ドラムなどの像担持体に静電潜像を形成するための光ヘッドとして、複数の発光素子を基板上に配置した発光装置が用いられる。特許文献１には、複数の発光素子を主走査方向に沿って配置した発光ラインを複数行設け、実際に像担持体の露光に使用する発光ラインを所定の条件により変更するという技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５―９６２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１の構成は、使用する発光ラインを切り替えるのみであり、例えば使用中の発光ラインにおいて発光不良の素子が存在する場合であっても、その発光不良の発光素子をそのまま使用するしかなかった。従って、その不良素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキなどを解消できないという問題があった。
このような事情に鑑みて、本発明は、各発光ラインにおける発光素子の不良の影響（発光強度の低下やバラツキ）を低減するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る光ヘッドは、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給される光ヘッドであって、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を選択する選択手段と、選択手段によって選択された発光素子に駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備し、選択手段は、素子指定手段によって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択し、素子指定手段によって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択する。
【０００５】
以上の態様によれば、例えば製品出荷時の検査等において、１つの発光ラインを構成する素子群の各発光素子のうち発光不良の素子が検出された場合は、駆動電流を供給すべき発光素子として他の発光ラインの発光素子を素子指定手段によって指定することができる。これによって、選択信号の如何に拘わらず他の発光ラインの発光素子が選択されるから、不良素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキを抑制できる。
【０００６】
本発明の好適な態様において、素子指定手段は、前記駆動電流を供給すべき前記発光素子を指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有することが好ましい。この態様によれば、例えば光ヘッドの使用時において、ある単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子において発光不良が検出された場合は、当該単位回路における素子指定手段の記憶部の内容を発光不良が検出されていない方の発光素子を指定する素子指定データに書き換えることができる。これによって、発光不良が検出されていない方の発光素子が選択信号とは無関係に選択される。従って、発光不良の発光素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキなどを抑制できる。
【０００７】
また、本発明に係る発光装置は、光ヘッドと制御回路とを備えた発光装置であって、
光ヘッドは、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる前記素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給され、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を選択する選択手段と、選択手段によって選択された発光素子に駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、を具備し、制御回路は、複数の単位回路の各々について、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定データを選択手段に供給し、複数の単位回路の各々における選択手段は、素子指定データによって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択し、素子指定データによって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択する。以上の態様においても、素子指定手段は、前記駆動電流を供給すべき前記発光素子を指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有することが好ましい。
【０００８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に例示した発光装置を備える。本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各態様に係る発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像材（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。
【０００９】
さらに、上述した発明は、光ヘッドの制御方法として捉えることもできる。すなわち、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給され、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備した光ヘッドの駆動方法であって、素子指定手段によって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択して当該発光素子に駆動電流を供給し、素子指定手段によって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択して当該発光素子に駆動電流を供給することを特徴とする。以上の制御方法によっても本発明に係る光ヘッドと同様の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１０を利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は発光装置１０と集光性レンズアレイ１１と感光体ドラム（像担持体）１２とを含む。発光装置１０は、基板１３の表面に直線状に配列された多数の発光素子（図１においては図示略）を含む。これらの発光素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム１２は、主走査方向に延在する回転軸に支持され、外周面を発光装置１０に対向させた状態で記録材が搬送される副走査方向に回転する。
【００１１】
集光性レンズアレイ１１は発光装置１０と感光体ドラム１２との間隙に配置される。集光性レンズアレイ１１は、各々の光軸を発光装置１０に向けた姿勢でアレイ状に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。集光性レンズアレイ１１としては、例えば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。
【００１２】
発光装置１０の各発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ１１の各屈折率分布型レンズを透過したうえで感光体ドラム１２の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム１２の表面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１３】
図２は、発光装置１０の概略構成を示す図面である。発光装置１０は、光ヘッド１００と制御回路２００とを含む。図２に示すように、光ヘッド１００は、シフトレジスタ１０２と、ｎ個の単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）とが基板１３の表面に配置された構造となっている。シフトレジスタ１０２には開始パルスＳＰとクロック信号ＣＬＫが制御回路２００から供給される。シフトレジスタ１０２は、開始パルスＳＰをクロック信号ＣＬＫに従って順次にシフトして各単位回路Ｕに転送する。このとき、シフトレジスタから各単位回路Ｕに転送される信号をラッチパルス信号ＬＡＴｉ（ｉ＝１〜ｎ）と呼ぶ。
【００１４】
図２に示すように、各単位回路Ｕは、駆動電流に応じた輝度で発光する第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂと、駆動電流を生成する駆動部１０６と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂのうち駆動電流を供給すべき何れかの発光素子１０４を選択する選択部１０８と、駆動電流を供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定データＳＤを記憶するメモリ１１０と、選択部１０８によって選択された発光素子１０４に駆動電流を供給する駆動電流供給部１１２とを含む。図２に示すように、各単位回路Ｕにおけるｎ個の第１の発光素子１０４ａの集合が素子群Ｇ１（一方の発光ライン）を構成し、各単位回路Ｕにおけるｎ個の第２の発光素子１０４ｂの集合が素子群Ｇ２（他方の発光ライン）を構成する。
【００１５】
各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における駆動部１０６には、各発光素子１０４の階調を指定する階調データＤが階調データ線３００を介して制御回路２００からそれぞれ供給される。また、各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における選択部１０８には、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２のうち何れかの一方の素子群Ｇ（発光ライン）を選択する選択信号ＳＥＬが選択信号線４００を介して制御回路２００から共通に供給される。各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）におけるメモリ１１０には、駆動電流を供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定データＳＤがデータ線５００を介して制御回路２００から供給される。各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における選択部１０８は、メモリ１１０に記憶された素子指定データＳＤおよび選択信号ＳＥＬに基づいて駆動電流を供給すべき発光素子１０４を選択する。
【００１６】
図３は、単位回路Ｕ１の詳細な電気的構成を示すブロック図である。他の単位回路Ｕ２〜Ｕｎも単位回路Ｕ１と同様に構成されており、ここでは単位回路Ｕ１を例として説明する。
図２および図３に示すように、単位回路Ｕ１は、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂと、駆動部１０６と、選択部１０８と、メモリ１１０（１１０ａ，１１０ｂ）と、駆動電流供給部１１２と、第１の選択回路１１４および第２の選択回路１１６と、を含む。
【００１７】
図３に示すように、シフトレジスタ１０２から単位回路Ｕ１に転送されるラッチパルス信号ＬＡＴ１は、第１の選択回路１１４および第２の選択回路１１６に供給される。第１の選択回路１１４には制御回路２００からライトイネーブル信号ＷＥ１が供給され、第２の選択回路１１６には制御回路２００からライトイネーブル信号ＷＥ２が供給される。ライトイネーブル信号ＷＥ１がＨレベルになると、第１の選択回路１１４は、ラッチパルス信号ＬＡＴ１が供給された時点でデータ線５００から素子指定データＳＤ（ＳＤ１，ＳＤ２）を取り込み、その素子指定データＳＤ（ＳＤ１，ＳＤ２）をメモリ１１０に供給する。メモリ１１０は第１のメモリ１１０ａと第２のメモリ１１０ｂとを含む。本形態では、これらのメモリ１１０は書き換え可能な不揮発性メモリとして構成される。第１のメモリ１１０ａには第１の素子指定データＳＤ１が書き込まれ、第２のメモリ１１０ｂには第２の素子指定データＳＤ２が書き込まれる。第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２はそれぞれ１ビットのデータである。一方、ライトイネーブル信号ＷＥ２がＨレベルになると、第２の選択回路１１４はラッチパルス信号ＬＡＴ１を駆動部１０６に供給する。
【００１８】
駆動部１０６は、スイッチ用トランジスタＴｗと駆動トランジスタＴｄとを含む。第２の選択回路１１６からのラッチパルス信号ＬＡＴ１がスイッチ用トランジスタＴｗのゲートに供給されると、スイッチ用トランジスタＴｗはオン状態となる。スイッチ用トランジスタＴｗがオン状態になると、階調データ線３００からの階調データＤに応じた電位が駆動トランジスタＴｄのゲートに供給される。駆動トランジスタＴｄでは、そのゲート・ソース間電圧に応じた駆動電流Ｉｄｓが生成される。駆動トランジスタＴｄで生成された駆動電流Ｉｄｓは駆動電流供給部１１２に供給される。
【００１９】
駆動電流供給部１１２は、第１のトランジスタＴｅ１と第２のトランジスタＴｅ２とを含む。第１のトランジスタＴｅ１がオン状態になると、駆動電流Ｉｄｓは第１の発光素子１０４ａに供給され、第２のトランジスタＴｅ２がオン状態になると、駆動電流Ｉｄｓは第２の発光素子１０４ｂに供給される。第１のトランジスタＴｅ１および第２のトランジスタＴｅ２のうち何れのトランジスタＴｅがオン状態となるかは、選択部１０８による選択動作に応じて決まる。この動作については後述する。
【００２０】
選択部１０８は、第１のメモリ１１０ａに記憶された第１の素子指定データＳＤ１と、第２のメモリ１１０ｂに記憶された第２の素子指定データＳＤ２と、選択信号ＳＥＬと、に基づいて、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂのうち駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を選択する。図３に示すように、選択部１０８は、ＡＮＤ回路１２０と、第１〜第３のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３と、第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２とを含む。ＡＮＤ回路１２０は第１のメモリ１１０ａから供給される第１の素子指定データＳＤ１の反転信号と、選択信号線４００から供給される選択信号ＳＥＬと、の論理積を出力する。第１のスイッチＳＷ１は、第１のインバータＩＮＶ１で反転したＡＮＤ回路１２０の出力を図３に示すＺ点に供給するか否かを決める手段である。また、第２のスイッチＳＷ２は、図３に示すＺ点に対するＡＮＤ回路の出力の供給の可否を決める手段である。
【００２１】
第１のスイッチＳＷ１には、第２のメモリ１１０ｂから第２の素子指定データＳＤ２が供給される。第２の素子指定データＳＤ２がハイレベルの場合、第１のスイッチＳＷ１はオン状態となり、第２の素子指定データＳＤ２がローレベルの場合、第１のスイッチＳＷ１はオフ状態となる。第２のスイッチＳＷ２には、第２のインバータＩＮＶ２で反転された第２の素子指定データＳＤ２が供給される。第２の素子指定データＳＤ２の反転信号がハイレベルの場合、第２のスイッチＳＷ２はオン状態となり、第２の素子指定データＳＤ２の反転信号がローレベルの場合、第２のスイッチＳＷ２はオフ状態となる。すなわち、第２のメモリ１１０ｂから供給される第２の素子指定データＳＤ２によって、第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２のうち何れか一方のスイッチＳＷがオン状態にされる。第１のスイッチＳＷ１がオン状態にされると、第１のインバータＩＮＶ１の出力はスイッチＳＷ１を介して図３に示すＺ点に供給される。一方、第２のスイッチＳＷ２がオン状態にされると、ＡＮＤ回路１２０の出力はスイッチＳＷ２を介して図３に示すＺ点に供給される。
【００２２】
図３に示すＺ点に供給された信号は駆動電流供給部１１２の第１のトランジスタＴｅ１のゲートに供給されるとともに、第３のインバータＩＮＶ３で反転されて第２のトランジスタＴｅ２のゲートに供給される。Ｚ点に供給された信号がハイレベルであれば、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。反対に、Ｚ点に供給された信号がローレベルであれば、第１のトランジスタＴｅ１がオフ状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオン状態となる。
【００２３】
各単位回路Ｕのメモリ１１０に格納される素子指定データＳＤは、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れも指定しない状態（以下「非指定状態」という）と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示する。さらに詳述すると、第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル（「０」）に指定された場合には選択部１０８に非指定状態が指示される。一方、第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がハイレベル（「１」）に設定された場合には第１の発光素子１０４ａの指定が選択部１０８に指示される。また、第１の素子指定データＳＤ１がハイレベルに設定され、第２の素子指定データＳＤ２がローレベルに設定された場合には第２の発光素子１０４ｂの指定が選択部１０８に指示される。
【００２４】
第ｉ番目の単位回路Ｕｉ（ｉ＝１〜ｎ）における第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れか一方に不良が検出された場合は、当該単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤは、他方の発光素子１０４を指定するように設定される。例えば、素子指定データＳＤは、発光装置１０の製造の過程において各発光素子１０４の輝度を測定した結果に応じて予め設定されたうえで記憶装置（図示略）に格納される。すなわち、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２の一方に属する第ｉ番目の発光素子１０４の輝度の測定値が所定の基準値を下回る場合、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２の他方に属する第ｉ番目の発光素子１０４を指定するように第ｉ番目の単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤが作成される。また、単位回路Ｕｉの何れの発光素子１０４の輝度も基準値を上回る場合には非指定状態を指示するように当該単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤが設定される。
【００２５】
制御回路２００は、所定の時期（例えば発光装置１０の電源投入時）に、ライトイネーブル信号ＷＥ１をハイレベルに設定したうえで、記憶装置に格納された素子指定データＳＤを読み出してシリアルにデータ線５００に出力する。各単位回路Ｕに対応する素子指定データＳＤは、ラッチ信号ＬＡＴ１〜ＬＡＴｎに応じて順次に単位回路Ｕに取り込まれてメモリ１１０に格納される。
【００２６】
次に単位回路Ｕ（特に選択部１０８および駆動電流供給部１１２）の具体的な動作を説明する。図４は、素子指定データＳＤが非指定状態を示す（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル）とともに選択信号ＳＥＬがハイレベルに設定された場合の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。図４に示すように、ＡＮＤ回路１２０には、ローレベルの第１の素子指定データＳＤ１の反転信号（すなわちハイレベル）と、選択信号線４００から供給されるハイレベルの選択信号ＳＥＬと、が供給され、ＡＮＤ回路１２０の出力はハイレベルとなる。第１のスイッチＳＷ１は、第２のメモリ１１０ｂからローレベルの第２の素子指定データＳＤ２が供給されてオフ状態となる。第２のスイッチＳＷ２は、第２のインバータＩＮＶ２からローレベルの第２の素子指定データＳＤ２の反転信号、すなわちハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、ＡＮＤ回路１２０のハイレベルの出力がスイッチＳＷ２を介してＺ点に供給される。これによって、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第１のトランジスタＴｅ１を介して第１の発光素子１０４ａに供給される。
【００２７】
図５は、素子指定データＳＤが非指定状態を示す（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル）とともに選択信号ＳＥＬがローレベルに設定された場合の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。図５に示すように、第１のメモリ１１０ａに書き込まれる第１の素子指定データＳＤ１、および、第２のメモリ１１０ｂに書き込まれる第２の素子指定データＳＤ２はともにローレベルに設定され、選択信号ＳＥＬはローレベルに設定される。この場合は、図５に示すように、第１のトランジスタＴｅ１のゲートにはローレベルの信号が供給されてオフ状態となり、第２のトランジスタＴｅ２のゲートにはハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第２のトランジスタＴｅ２を介して第２の発光素子１０４ｂに供給される。
【００２８】
以上のように、選択部１０８は、素子指定データＳＤによって発光素子１０４が指定されない場合は、図４および図５に示したように、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択する。すなわち、選択信号ＳＥＬがハイレベルの場合は第１の発光素子１０４ａが選択され、選択信号ＳＥＬがローレベルの場合は第２の発光素子１０４ｂが選択される。
【００２９】
図６は、素子指定データＳＤによって第１の発光素子１０４ａが指定された場合（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がハイレベル）の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。この場合は、図６に示すように、ＡＮＤ回路１２０には第１の素子指定データＳＤ１を反転したローレベルの信号が供給されるから、ＡＮＤ回路１２０の出力は、選択信号ＳＥＬがハイレベルであるかローレベルであるかに拘わらずローレベルとなる。
【００３０】
第１のスイッチＳＷ１は、第２のメモリ１１０ｂからハイレベルの第２の素子指定データＳＤ２が供給されてオン状態となる。第２のスイッチＳＷ２は、第２のインバータＩＮＶから第２の素子指定データＳＤ２を反転した信号、すなわちローレベルの信号が供給されてオフ状態となる。従って、第１のインバータＩＮＶ１で反転されたＡＮＤ回路１２０の出力（ハイレベルの信号）がＺ点に供給される。これによって、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第１のトランジスタＴｅ１を介して第１の発光素子１０４ａに供給される。
【００３１】
図７は、素子指定データＳＤによって第２の発光素子１０４ｂが指定された場合（第１の素子指定データＳＤ１がハイレベル、第２の素子指定データＳＤ２がローレベル）の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。この場合は、図７に示すように、選択信号ＳＥＬに拘わらず、第１のトランジスタＴｅ１のゲートにはローレベルの信号が供給されてオフ状態となり、第２のトランジスタＴｅ２のゲートにはハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第２のトランジスタＴｅ２を介して第２の発光素子１０４ｂに供給される。
【００３２】
以上のように、選択部１０８は、素子指定データＳＤによって発光素子１０４が指定された場合は、図６および図７に示したように、その指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択する。本実施形態の構成によれば、一方の素子群Ｇの発光素子１０４に発光不良の素子が含まれる場合は、他方の素子群Ｇの発光素子１０４を指定するように素子指定データＳＤを設定することができる。これによって、不良素子が選択信号ＳＥＬに応じて選択されることはなく、指定された発光素子１０４が選択信号ＳＥＬとは無関係に選択されるから、不良素子の影響（発光強度の低下やバラツキ）を軽減できる。
【００３３】
また、本実施形態においては、メモリ１１０は書き換え可能に構成されるから、例えば発光装置１０の動作時に、単位回路Ｕｉにおいて何れか一方の発光素子１０４の発光不良が検出された場合は、発光不良が検出されていない他方の発光素子１０４を指定する素子指定データＳＤを当該単位回路Ｕｉにおけるメモリ１１０に供給して、メモリ１１０が保持する内容を当該素子指定データＳＤに書き換えることができる。これによって、当該素子指定データＳＤによって指定された発光素子１０４が選択信号ＳＥＬとは無関係に選択される。従って、発光不良の発光素子の影響（発光強度の低下やバラツキなど）を軽減できる。
【００３４】
＜Ｂ：第２実施形態＞
本実施形態は、発光素子１０４の指定にメモリ１１０を使用しない点で第１の実施形態と相違する。図８（ａ）は、第１のメモリ１１０ａの代わりに用いられる第１の電位設定部６００ａの概略構成図である。第１の電位設定部６００ａは、基準電源ＶＤＤから接地電位ＧＮＤへ延びる配線Ｃ１を備える。配線Ｃ１は、配線Ｃ１の途中に設けられた接続点Ｙ１を介してＡＮＤ回路１２０の入力側に接続される。図８（ａ）に示すように、接続点Ｙ１から接地電位ＧＮＤに至るまでの経路には抵抗ｒ１が設けられる。また、図８（ｂ）は、第２のメモリ１１０ｂに代わりに用いられる第２の電位設定部６００ｂの概略構成図である。第２の電位設定部６００ｂは、基準電源ＶＤＤから接地電位ＧＮＤへ延びる配線Ｃ２を備える。配線Ｃ２は、配線Ｃ２の途中に設けられた接続点Ｙ２を介して第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２へ接続される。接続点Ｙ２から接地電位ＧＮＤに至るまでの経路には抵抗ｒ２が設けられる。
【００３５】
第１の電位設定部６００ａおよび第２の電位設定部６００ｂは、非指定状態と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示する。さらに詳述すると、第１の電位設定部６００ａの出力および第２の電位設定部６００ｂの出力の双方がローレベル（接続点Ｙ１および接続点Ｙ２における電位が０）に設定された場合には選択部１０８に非指定状態が指示される。一方、第１の電位設定部６００ａの出力および第２の電位設定部６００ｂの出力の双方がハイレベル（接続点Ｙ１および接続点Ｙ２における電位がＶＤＤ）に設定された場合には第１の発光素子１０４ａの指定が選択部１０８に指示される。また、第１の電位設定部６００ａの出力がハイレベルに設定され、第２の電位設定部６００ｂの出力がローレベルに設定された場合には第２の発光素子１０４ｂの指定が選択部１０８に指示される。
【００３６】
非指定状態を指示する場合、第１の電位設定部６００ａにおいては、図８（ｃ）に示すように、配線Ｃ１における基準電源ＶＤＤから接続点Ｙ１に至るまでの経路がレーザーカットされる。これにより、接続点Ｙ１における電位は０Ｖとなり、ＡＮＤ回路１２０に供給される電位も０Ｖとなる。従って、ローレベルの信号がＡＮＤ回路１２０ａに供給される。第２の電位設定部６００ｂにおいては、図８（ｄ）に示すように、配線Ｃ２における基準電源ＶＤＤから接続点Ｙ２に至るまでの経路がレーザーカットされる。これにより、接続点Ｙ２における電位は０Ｖとなり、第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される電位も０Ｖとなる。従って、ローレベルの信号が第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。そして、図４および図５に示したように、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４が選択される。
【００３７】
次に、第１の発光素子１０４ａが指定される場合について説明する。この場合、第１の電位設定部６００ａは図８（ａ）に示す構成とされ、接続点Ｙ１における電位は基準電源ＶＤＤから供給される電位ＶＤＤとなり、当該電位ＶＤＤがＡＮＤ回路１２０に供給される。これにより、ＡＮＤ回路１２０にはハイレベルの信号が供給される。また、第２の電位設定部６００ｂは図８（ｂ）に示す構成とされ、接続点Ｙ２における電位は基準電源ＶＤＤから供給される電位ＶＤＤとなり、当該電位ＶＤＤが第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。これにより、第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２にはハイレベルの信号が供給される。そして、図６に示したように、選択信号ＳＥＬとは無関係に第１の発光素子１０４ａが選択される。
【００３８】
次に、第２の発光素子１０４ｂが指定される場合について説明する。この場合、第１の電位設定部６００ａは図８（ａ）に示す構成とされ、ＡＮＤ回路１２０にはハイレベルの信号が供給される。また、第２の電位設定部６００ｂは図８（ｄ）に示す構成とされ、ローレベルの信号が第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。そして、図７に示したように、選択信号ＳＥＬとは無関係に第２の発光素子１０４ｂが選択される。
【００３９】
本実施形態の構成によれば、メモリ１１０を設けない構成で、非指定状態と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示できる。第１実施形態および第２実施形態の説明から理解されるように、本発明の具体的な態様において、駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を指定する手段（素子指定手段）の構成は任意である。
【００４０】
＜Ｃ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
【００４１】
（１） 変形例１
上述の各実施形態においては、選択部１０８は図３に示す構成であるが、これに限らず、選択部１０８の構成は任意である。要するに、選択部１０８は、素子指定手段（例えばメモリ１１０や電位設定部６００等）によって発光素子１０４が指定されない場合は、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択し、素子指定手段によって発光素子１０４が指定された場合は、その指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択するという機能を有するものであればよい。
【００４２】
（２）変形例２
上述の第１実施形態においては、メモリ１１０は不揮発性メモリで構成される態様であるが、これに限らず、例えば揮発性メモリで構成することもできる。ただし、メモリ１１０が不揮発性メモリで構成される態様であれば、発光装置１０の動作中においてメモリ１１０に対する素子指定データＳＤの書き込み（リフレッシュ）を反復する必要は無いという利点がある。
【００４３】
（３）変形例３
発光素子１０４は、ＯＬＥＤ素子であってもよいし、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。要は、電気エネルギーの供給（電界の印加や電流の供給）に応じて発光する総ての素子を本発明の発光素子１０４として利用できる。
【００４４】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、図９を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。
【００４５】
この画像形成装置では、各々が同様の構成である４個の発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが、各々の構成が同様である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの像形成面１１０に対向する位置にそれぞれ配置されている。発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、上記の各形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００４６】
図９に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２とが設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。
【００４７】
この中間転写ベルト１２０の周囲には、外周面に感光層を有する４個の感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「Ｋ」，「Ｃ」，「Ｍ」，「Ｙ」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。
【００４８】
各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）とが配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、これに対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の像形成面１１０Ａ（外周面）を一様に帯電させる。発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、各感光体ドラムの帯電した像形成面１１０Ａに静電潜像を書き込む。各発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）においては、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子２０が配列する。静電潜像の書き込みは、複数の発光素子２０によって感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に光を照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に顕像（すなわち可視像）を形成する。
【００４９】
このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次に一次転写されることによって中間転写ベルト１２０上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。
【００５０】
最終的に画像を形成する対象（記録材）としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。
【００５１】
次に、図１０を参照して、本発明に係る画像形成装置の他の形態について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置である。図１０に示すように、感光体ドラム１１０の周囲には、コロナ帯電器１６８と、ロータリ式の現像ユニット１６１と、上記の実施形態に係る発光装置１０と、中間転写ベルト１６９とが設けられている。
【００５２】
コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１１０の外周面を一様に帯電させる。発光装置１０は、感光体ドラム１１０の帯電させられた像形成面（外周面）に静電潜像を書き込む。この発光装置１０においては、感光体ドラム１１０の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子３２が配列する。静電潜像の書き込みは、これらの発光素子３２から感光体ドラム１１０に光を照射することにより行う。
【００５３】
現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シアン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１１０に供給して、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０に顕像（すなわち可視像）を形成する。
【００５４】
無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１１０から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラム１１０と一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベルト１６９に顕像を転写する。
【００５５】
具体的には、感光体ドラム１１０の最初の１回転で、発光装置１０によりイエロー（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、発光装置１０Ａによりシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして、このようにして感光体ドラム１１０が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の顕像が中間転写ベルト１６９に順次に重ね合わせられ、この結果としてフルカラーの顕像が転写ベルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中間転写ベルト１６９上に形成する。
【００５６】
画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出され、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接した中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ローラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引することにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッチにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１から離される。
【００５７】
以上のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され、再び定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される。
【００５８】
図９および図１０に例示した画像形成装置は、ＯＬＥＤ素子を発光素子２０として採用した光源（露光手段）を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の発光装置１０を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも本発明に係る発光装置１０を応用することが可能である。
【００５９】
本発明に係る発光装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の発光装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子（特に発光素子）を面状に配列した発光装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用される。また、複数の発光素子を行列状に配列した発光装置は各種の電子機器の表示装置として採用される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図である。
【図３】同実施形態に係る単位回路Ｕ１の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図５】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図６】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図７】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図８】第２実施形態の具体的な態様を示す説明図である。
【図９】本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０……発光装置、１００……光ヘッド、１０４……発光素子、１０６……駆動部、１０８……選択部、１１０……メモリ、１１２……駆動電流供給部、２００……制御回路、Ｕ１〜Ｕｎ……単位回路、ＳＤ……素子指定データ、ＳＥＬ……選択信号、Ｔｄ……駆動トランジスタ、Ｉｄｓ……駆動電流。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を用いた光ヘッド、その駆動方法、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば電子写真方式の画像形成装置においては、感光体ドラムなどの像担持体に静電潜像を形成するための光ヘッドとして、複数の発光素子を基板上に配置した発光装置が用いられる。特許文献１には、複数の発光素子を主走査方向に沿って配置した発光ラインを複数行設け、実際に像担持体の露光に使用する発光ラインを所定の条件により変更するという技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００５―９６２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１の構成は、使用する発光ラインを切り替えるのみであり、例えば使用中の発光ラインにおいて発光不良の素子が存在する場合であっても、その発光不良の発光素子をそのまま使用するしかなかった。従って、その不良素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキなどを解消できないという問題があった。
このような事情に鑑みて、本発明は、各発光ラインにおける発光素子の不良の影響（発光強度の低下やバラツキ）を低減するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る光ヘッドは、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給される光ヘッドであって、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を選択する選択手段と、選択手段によって選択された発光素子に駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備し、選択手段は、素子指定手段によって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択し、素子指定手段によって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択する。
【０００５】
以上の態様によれば、例えば製品出荷時の検査等において、１つの発光ラインを構成する素子群の各発光素子のうち発光不良の素子が検出された場合は、駆動電流を供給すべき発光素子として他の発光ラインの発光素子を素子指定手段によって指定することができる。これによって、選択信号の如何に拘わらず他の発光ラインの発光素子が選択されるから、不良素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキを抑制できる。
【０００６】
本発明の好適な態様において、素子指定手段は、前記駆動電流を供給すべき前記発光素子を指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有することが好ましい。この態様によれば、例えば光ヘッドの使用時において、ある単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子において発光不良が検出された場合は、当該単位回路における素子指定手段の記憶部の内容を発光不良が検出されていない方の発光素子を指定する素子指定データに書き換えることができる。これによって、発光不良が検出されていない方の発光素子が選択信号とは無関係に選択される。従って、発光不良の発光素子の存在によって起こる、発光ラインにおける発光強度の低下やバラツキなどを抑制できる。
【０００７】
また、本発明に係る発光装置は、光ヘッドと制御回路とを備えた発光装置であって、
光ヘッドは、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる前記素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給され、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を選択する選択手段と、選択手段によって選択された発光素子に駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、を具備し、制御回路は、複数の単位回路の各々について、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定データを選択手段に供給し、複数の単位回路の各々における選択手段は、素子指定データによって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択し、素子指定データによって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択する。以上の態様においても、素子指定手段は、前記駆動電流を供給すべき前記発光素子を指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有することが好ましい。
【０００８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に例示した発光装置を備える。本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各態様に係る発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像材（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。
【０００９】
さらに、上述した発明は、光ヘッドの制御方法として捉えることもできる。すなわち、駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、異なる素子群に属する２以上の発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、何れかの素子群を選択する選択信号が各単位回路に共通に供給され、複数の単位回路の各々は、駆動電流を生成する電流生成手段と、当該単位回路に含まれる２以上の発光素子のうち何れかの発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備した光ヘッドの駆動方法であって、素子指定手段によって発光素子が指定されない場合は、選択信号に応じて発光素子を選択して当該発光素子に駆動電流を供給し、素子指定手段によって発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を選択信号とは無関係に選択して当該発光素子に駆動電流を供給することを特徴とする。以上の制御方法によっても本発明に係る光ヘッドと同様の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１０を利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は発光装置１０と集光性レンズアレイ１１と感光体ドラム（像担持体）１２とを含む。発光装置１０は、基板１３の表面に直線状に配列された多数の発光素子（図１においては図示略）を含む。これらの発光素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム１２は、主走査方向に延在する回転軸に支持され、外周面を発光装置１０に対向させた状態で記録材が搬送される副走査方向に回転する。
【００１１】
集光性レンズアレイ１１は発光装置１０と感光体ドラム１２との間隙に配置される。集光性レンズアレイ１１は、各々の光軸を発光装置１０に向けた姿勢でアレイ状に配列された多数の屈折率分布型レンズを含む。集光性レンズアレイ１１としては、例えば日本板硝子株式会社から入手可能なＳＬＡ（セルフォック・レンズ・アレイ）がある（セルフォック／ＳＥＬＦＯＣは日本板硝子株式会社の登録商標）。
【００１２】
発光装置１０の各発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ１１の各屈折率分布型レンズを透過したうえで感光体ドラム１２の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム１２の表面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１３】
図２は、発光装置１０の概略構成を示す図面である。発光装置１０は、光ヘッド１００と制御回路２００とを含む。図２に示すように、光ヘッド１００は、シフトレジスタ１０２と、ｎ個の単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）とが基板１３の表面に配置された構造となっている。シフトレジスタ１０２には開始パルスＳＰとクロック信号ＣＬＫが制御回路２００から供給される。シフトレジスタ１０２は、開始パルスＳＰをクロック信号ＣＬＫに従って順次にシフトして各単位回路Ｕに転送する。このとき、シフトレジスタから各単位回路Ｕに転送される信号をラッチパルス信号ＬＡＴｉ（ｉ＝１〜ｎ）と呼ぶ。
【００１４】
図２に示すように、各単位回路Ｕは、駆動電流に応じた輝度で発光する第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂと、駆動電流を生成する駆動部１０６と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂのうち駆動電流を供給すべき何れかの発光素子１０４を選択する選択部１０８と、駆動電流を供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定データＳＤを記憶するメモリ１１０と、選択部１０８によって選択された発光素子１０４に駆動電流を供給する駆動電流供給部１１２とを含む。図２に示すように、各単位回路Ｕにおけるｎ個の第１の発光素子１０４ａの集合が素子群Ｇ１（一方の発光ライン）を構成し、各単位回路Ｕにおけるｎ個の第２の発光素子１０４ｂの集合が素子群Ｇ２（他方の発光ライン）を構成する。
【００１５】
各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における駆動部１０６には、各発光素子１０４の階調を指定する階調データＤが階調データ線３００を介して制御回路２００からそれぞれ供給される。また、各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における選択部１０８には、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２のうち何れかの一方の素子群Ｇ（発光ライン）を選択する選択信号ＳＥＬが選択信号線４００を介して制御回路２００から共通に供給される。各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）におけるメモリ１１０には、駆動電流を供給すべき発光素子１０４を指定可能な素子指定データＳＤがデータ線５００を介して制御回路２００から供給される。各単位回路Ｕ（Ｕ１〜Ｕｎ）における選択部１０８は、メモリ１１０に記憶された素子指定データＳＤおよび選択信号ＳＥＬに基づいて駆動電流を供給すべき発光素子１０４を選択する。
【００１６】
図３は、単位回路Ｕ１の詳細な電気的構成を示すブロック図である。他の単位回路Ｕ２〜Ｕｎも単位回路Ｕ１と同様に構成されており、ここでは単位回路Ｕ１を例として説明する。
図２および図３に示すように、単位回路Ｕ１は、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂと、駆動部１０６と、選択部１０８と、メモリ１１０（１１０ａ，１１０ｂ）と、駆動電流供給部１１２と、第１の選択回路１１４および第２の選択回路１１６と、を含む。
【００１７】
図３に示すように、シフトレジスタ１０２から単位回路Ｕ１に転送されるラッチパルス信号ＬＡＴ１は、第１の選択回路１１４および第２の選択回路１１６に供給される。第１の選択回路１１４には制御回路２００からライトイネーブル信号ＷＥ１が供給され、第２の選択回路１１６には制御回路２００からライトイネーブル信号ＷＥ２が供給される。ライトイネーブル信号ＷＥ１がＨレベルになると、第１の選択回路１１４は、ラッチパルス信号ＬＡＴ１が供給された時点でデータ線５００から素子指定データＳＤ（ＳＤ１，ＳＤ２）を取り込み、その素子指定データＳＤ（ＳＤ１，ＳＤ２）をメモリ１１０に供給する。メモリ１１０は第１のメモリ１１０ａと第２のメモリ１１０ｂとを含む。本形態では、これらのメモリ１１０は書き換え可能な不揮発性メモリとして構成される。第１のメモリ１１０ａには第１の素子指定データＳＤ１が書き込まれ、第２のメモリ１１０ｂには第２の素子指定データＳＤ２が書き込まれる。第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２はそれぞれ１ビットのデータである。一方、ライトイネーブル信号ＷＥ２がＨレベルになると、第２の選択回路１１４はラッチパルス信号ＬＡＴ１を駆動部１０６に供給する。
【００１８】
駆動部１０６は、スイッチ用トランジスタＴｗと駆動トランジスタＴｄとを含む。第２の選択回路１１６からのラッチパルス信号ＬＡＴ１がスイッチ用トランジスタＴｗのゲートに供給されると、スイッチ用トランジスタＴｗはオン状態となる。スイッチ用トランジスタＴｗがオン状態になると、階調データ線３００からの階調データＤに応じた電位が駆動トランジスタＴｄのゲートに供給される。駆動トランジスタＴｄでは、そのゲート・ソース間電圧に応じた駆動電流Ｉｄｓが生成される。駆動トランジスタＴｄで生成された駆動電流Ｉｄｓは駆動電流供給部１１２に供給される。
【００１９】
駆動電流供給部１１２は、第１のトランジスタＴｅ１と第２のトランジスタＴｅ２とを含む。第１のトランジスタＴｅ１がオン状態になると、駆動電流Ｉｄｓは第１の発光素子１０４ａに供給され、第２のトランジスタＴｅ２がオン状態になると、駆動電流Ｉｄｓは第２の発光素子１０４ｂに供給される。第１のトランジスタＴｅ１および第２のトランジスタＴｅ２のうち何れのトランジスタＴｅがオン状態となるかは、選択部１０８による選択動作に応じて決まる。この動作については後述する。
【００２０】
選択部１０８は、第１のメモリ１１０ａに記憶された第１の素子指定データＳＤ１と、第２のメモリ１１０ｂに記憶された第２の素子指定データＳＤ２と、選択信号ＳＥＬと、に基づいて、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂのうち駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を選択する。図３に示すように、選択部１０８は、ＡＮＤ回路１２０と、第１〜第３のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３と、第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２とを含む。ＡＮＤ回路１２０は第１のメモリ１１０ａから供給される第１の素子指定データＳＤ１の反転信号と、選択信号線４００から供給される選択信号ＳＥＬと、の論理積を出力する。第１のスイッチＳＷ１は、第１のインバータＩＮＶ１で反転したＡＮＤ回路１２０の出力を図３に示すＺ点に供給するか否かを決める手段である。また、第２のスイッチＳＷ２は、図３に示すＺ点に対するＡＮＤ回路の出力の供給の可否を決める手段である。
【００２１】
第１のスイッチＳＷ１には、第２のメモリ１１０ｂから第２の素子指定データＳＤ２が供給される。第２の素子指定データＳＤ２がハイレベルの場合、第１のスイッチＳＷ１はオン状態となり、第２の素子指定データＳＤ２がローレベルの場合、第１のスイッチＳＷ１はオフ状態となる。第２のスイッチＳＷ２には、第２のインバータＩＮＶ２で反転された第２の素子指定データＳＤ２が供給される。第２の素子指定データＳＤ２の反転信号がハイレベルの場合、第２のスイッチＳＷ２はオン状態となり、第２の素子指定データＳＤ２の反転信号がローレベルの場合、第２のスイッチＳＷ２はオフ状態となる。すなわち、第２のメモリ１１０ｂから供給される第２の素子指定データＳＤ２によって、第１のスイッチＳＷ１および第２のスイッチＳＷ２のうち何れか一方のスイッチＳＷがオン状態にされる。第１のスイッチＳＷ１がオン状態にされると、第１のインバータＩＮＶ１の出力はスイッチＳＷ１を介して図３に示すＺ点に供給される。一方、第２のスイッチＳＷ２がオン状態にされると、ＡＮＤ回路１２０の出力はスイッチＳＷ２を介して図３に示すＺ点に供給される。
【００２２】
図３に示すＺ点に供給された信号は駆動電流供給部１１２の第１のトランジスタＴｅ１のゲートに供給されるとともに、第３のインバータＩＮＶ３で反転されて第２のトランジスタＴｅ２のゲートに供給される。Ｚ点に供給された信号がハイレベルであれば、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。反対に、Ｚ点に供給された信号がローレベルであれば、第１のトランジスタＴｅ１がオフ状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオン状態となる。
【００２３】
各単位回路Ｕのメモリ１１０に格納される素子指定データＳＤは、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れも指定しない状態（以下「非指定状態」という）と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示する。さらに詳述すると、第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル（「０」）に指定された場合には選択部１０８に非指定状態が指示される。一方、第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がハイレベル（「１」）に設定された場合には第１の発光素子１０４ａの指定が選択部１０８に指示される。また、第１の素子指定データＳＤ１がハイレベルに設定され、第２の素子指定データＳＤ２がローレベルに設定された場合には第２の発光素子１０４ｂの指定が選択部１０８に指示される。
【００２４】
第ｉ番目の単位回路Ｕｉ（ｉ＝１〜ｎ）における第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れか一方に不良が検出された場合は、当該単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤは、他方の発光素子１０４を指定するように設定される。例えば、素子指定データＳＤは、発光装置１０の製造の過程において各発光素子１０４の輝度を測定した結果に応じて予め設定されたうえで記憶装置（図示略）に格納される。すなわち、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２の一方に属する第ｉ番目の発光素子１０４の輝度の測定値が所定の基準値を下回る場合、素子群Ｇ１および素子群Ｇ２の他方に属する第ｉ番目の発光素子１０４を指定するように第ｉ番目の単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤが作成される。また、単位回路Ｕｉの何れの発光素子１０４の輝度も基準値を上回る場合には非指定状態を指示するように当該単位回路Ｕｉの素子指定データＳＤが設定される。
【００２５】
制御回路２００は、所定の時期（例えば発光装置１０の電源投入時）に、ライトイネーブル信号ＷＥ１をハイレベルに設定したうえで、記憶装置に格納された素子指定データＳＤを読み出してシリアルにデータ線５００に出力する。各単位回路Ｕに対応する素子指定データＳＤは、ラッチ信号ＬＡＴ１〜ＬＡＴｎに応じて順次に単位回路Ｕに取り込まれてメモリ１１０に格納される。
【００２６】
次に単位回路Ｕ（特に選択部１０８および駆動電流供給部１１２）の具体的な動作を説明する。図４は、素子指定データＳＤが非指定状態を示す（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル）とともに選択信号ＳＥＬがハイレベルに設定された場合の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。図４に示すように、ＡＮＤ回路１２０には、ローレベルの第１の素子指定データＳＤ１の反転信号（すなわちハイレベル）と、選択信号線４００から供給されるハイレベルの選択信号ＳＥＬと、が供給され、ＡＮＤ回路１２０の出力はハイレベルとなる。第１のスイッチＳＷ１は、第２のメモリ１１０ｂからローレベルの第２の素子指定データＳＤ２が供給されてオフ状態となる。第２のスイッチＳＷ２は、第２のインバータＩＮＶ２からローレベルの第２の素子指定データＳＤ２の反転信号、すなわちハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、ＡＮＤ回路１２０のハイレベルの出力がスイッチＳＷ２を介してＺ点に供給される。これによって、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第１のトランジスタＴｅ１を介して第１の発光素子１０４ａに供給される。
【００２７】
図５は、素子指定データＳＤが非指定状態を示す（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がローレベル）とともに選択信号ＳＥＬがローレベルに設定された場合の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。図５に示すように、第１のメモリ１１０ａに書き込まれる第１の素子指定データＳＤ１、および、第２のメモリ１１０ｂに書き込まれる第２の素子指定データＳＤ２はともにローレベルに設定され、選択信号ＳＥＬはローレベルに設定される。この場合は、図５に示すように、第１のトランジスタＴｅ１のゲートにはローレベルの信号が供給されてオフ状態となり、第２のトランジスタＴｅ２のゲートにはハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第２のトランジスタＴｅ２を介して第２の発光素子１０４ｂに供給される。
【００２８】
以上のように、選択部１０８は、素子指定データＳＤによって発光素子１０４が指定されない場合は、図４および図５に示したように、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択する。すなわち、選択信号ＳＥＬがハイレベルの場合は第１の発光素子１０４ａが選択され、選択信号ＳＥＬがローレベルの場合は第２の発光素子１０４ｂが選択される。
【００２９】
図６は、素子指定データＳＤによって第１の発光素子１０４ａが指定された場合（第１の素子指定データＳＤ１および第２の素子指定データＳＤ２の双方がハイレベル）の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。この場合は、図６に示すように、ＡＮＤ回路１２０には第１の素子指定データＳＤ１を反転したローレベルの信号が供給されるから、ＡＮＤ回路１２０の出力は、選択信号ＳＥＬがハイレベルであるかローレベルであるかに拘わらずローレベルとなる。
【００３０】
第１のスイッチＳＷ１は、第２のメモリ１１０ｂからハイレベルの第２の素子指定データＳＤ２が供給されてオン状態となる。第２のスイッチＳＷ２は、第２のインバータＩＮＶから第２の素子指定データＳＤ２を反転した信号、すなわちローレベルの信号が供給されてオフ状態となる。従って、第１のインバータＩＮＶ１で反転されたＡＮＤ回路１２０の出力（ハイレベルの信号）がＺ点に供給される。これによって、第１のトランジスタＴｅ１がオン状態となって、第２のトランジスタＴｅ２がオフ状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第１のトランジスタＴｅ１を介して第１の発光素子１０４ａに供給される。
【００３１】
図７は、素子指定データＳＤによって第２の発光素子１０４ｂが指定された場合（第１の素子指定データＳＤ１がハイレベル、第２の素子指定データＳＤ２がローレベル）の単位回路Ｕの状態を模式的に示す図である。この場合は、図７に示すように、選択信号ＳＥＬに拘わらず、第１のトランジスタＴｅ１のゲートにはローレベルの信号が供給されてオフ状態となり、第２のトランジスタＴｅ２のゲートにはハイレベルの信号が供給されてオン状態となる。従って、駆動電流Ｉｄｓは、第２のトランジスタＴｅ２を介して第２の発光素子１０４ｂに供給される。
【００３２】
以上のように、選択部１０８は、素子指定データＳＤによって発光素子１０４が指定された場合は、図６および図７に示したように、その指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択する。本実施形態の構成によれば、一方の素子群Ｇの発光素子１０４に発光不良の素子が含まれる場合は、他方の素子群Ｇの発光素子１０４を指定するように素子指定データＳＤを設定することができる。これによって、不良素子が選択信号ＳＥＬに応じて選択されることはなく、指定された発光素子１０４が選択信号ＳＥＬとは無関係に選択されるから、不良素子の影響（発光強度の低下やバラツキ）を軽減できる。
【００３３】
また、本実施形態においては、メモリ１１０は書き換え可能に構成されるから、例えば発光装置１０の動作時に、単位回路Ｕｉにおいて何れか一方の発光素子１０４の発光不良が検出された場合は、発光不良が検出されていない他方の発光素子１０４を指定する素子指定データＳＤを当該単位回路Ｕｉにおけるメモリ１１０に供給して、メモリ１１０が保持する内容を当該素子指定データＳＤに書き換えることができる。これによって、当該素子指定データＳＤによって指定された発光素子１０４が選択信号ＳＥＬとは無関係に選択される。従って、発光不良の発光素子の影響（発光強度の低下やバラツキなど）を軽減できる。
【００３４】
＜Ｂ：第２実施形態＞
本実施形態は、発光素子１０４の指定にメモリ１１０を使用しない点で第１の実施形態と相違する。図８（ａ）は、第１のメモリ１１０ａの代わりに用いられる第１の電位設定部６００ａの概略構成図である。第１の電位設定部６００ａは、基準電源ＶＤＤから接地電位ＧＮＤへ延びる配線Ｃ１を備える。配線Ｃ１は、配線Ｃ１の途中に設けられた接続点Ｙ１を介してＡＮＤ回路１２０の入力側に接続される。図８（ａ）に示すように、接続点Ｙ１から接地電位ＧＮＤに至るまでの経路には抵抗ｒ１が設けられる。また、図８（ｂ）は、第２のメモリ１１０ｂに代わりに用いられる第２の電位設定部６００ｂの概略構成図である。第２の電位設定部６００ｂは、基準電源ＶＤＤから接地電位ＧＮＤへ延びる配線Ｃ２を備える。配線Ｃ２は、配線Ｃ２の途中に設けられた接続点Ｙ２を介して第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２へ接続される。接続点Ｙ２から接地電位ＧＮＤに至るまでの経路には抵抗ｒ２が設けられる。
【００３５】
第１の電位設定部６００ａおよび第２の電位設定部６００ｂは、非指定状態と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示する。さらに詳述すると、第１の電位設定部６００ａの出力および第２の電位設定部６００ｂの出力の双方がローレベル（接続点Ｙ１および接続点Ｙ２における電位が０）に設定された場合には選択部１０８に非指定状態が指示される。一方、第１の電位設定部６００ａの出力および第２の電位設定部６００ｂの出力の双方がハイレベル（接続点Ｙ１および接続点Ｙ２における電位がＶＤＤ）に設定された場合には第１の発光素子１０４ａの指定が選択部１０８に指示される。また、第１の電位設定部６００ａの出力がハイレベルに設定され、第２の電位設定部６００ｂの出力がローレベルに設定された場合には第２の発光素子１０４ｂの指定が選択部１０８に指示される。
【００３６】
非指定状態を指示する場合、第１の電位設定部６００ａにおいては、図８（ｃ）に示すように、配線Ｃ１における基準電源ＶＤＤから接続点Ｙ１に至るまでの経路がレーザーカットされる。これにより、接続点Ｙ１における電位は０Ｖとなり、ＡＮＤ回路１２０に供給される電位も０Ｖとなる。従って、ローレベルの信号がＡＮＤ回路１２０ａに供給される。第２の電位設定部６００ｂにおいては、図８（ｄ）に示すように、配線Ｃ２における基準電源ＶＤＤから接続点Ｙ２に至るまでの経路がレーザーカットされる。これにより、接続点Ｙ２における電位は０Ｖとなり、第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される電位も０Ｖとなる。従って、ローレベルの信号が第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。そして、図４および図５に示したように、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４が選択される。
【００３７】
次に、第１の発光素子１０４ａが指定される場合について説明する。この場合、第１の電位設定部６００ａは図８（ａ）に示す構成とされ、接続点Ｙ１における電位は基準電源ＶＤＤから供給される電位ＶＤＤとなり、当該電位ＶＤＤがＡＮＤ回路１２０に供給される。これにより、ＡＮＤ回路１２０にはハイレベルの信号が供給される。また、第２の電位設定部６００ｂは図８（ｂ）に示す構成とされ、接続点Ｙ２における電位は基準電源ＶＤＤから供給される電位ＶＤＤとなり、当該電位ＶＤＤが第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。これにより、第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２にはハイレベルの信号が供給される。そして、図６に示したように、選択信号ＳＥＬとは無関係に第１の発光素子１０４ａが選択される。
【００３８】
次に、第２の発光素子１０４ｂが指定される場合について説明する。この場合、第１の電位設定部６００ａは図８（ａ）に示す構成とされ、ＡＮＤ回路１２０にはハイレベルの信号が供給される。また、第２の電位設定部６００ｂは図８（ｄ）に示す構成とされ、ローレベルの信号が第１のスイッチＳＷ１および第２のインバータＩＮＶ２に供給される。そして、図７に示したように、選択信号ＳＥＬとは無関係に第２の発光素子１０４ｂが選択される。
【００３９】
本実施形態の構成によれば、メモリ１１０を設けない構成で、非指定状態と、第１の発光素子１０４ａおよび第２の発光素子１０４ｂの何れかを指定する状態とを選択的に選択部１０８に指示できる。第１実施形態および第２実施形態の説明から理解されるように、本発明の具体的な態様において、駆動電流Ｉｄｓを供給すべき発光素子１０４を指定する手段（素子指定手段）の構成は任意である。
【００４０】
＜Ｃ：変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。
【００４１】
（１） 変形例１
上述の各実施形態においては、選択部１０８は図３に示す構成であるが、これに限らず、選択部１０８の構成は任意である。要するに、選択部１０８は、素子指定手段（例えばメモリ１１０や電位設定部６００等）によって発光素子１０４が指定されない場合は、選択信号ＳＥＬに応じて発光素子１０４を選択し、素子指定手段によって発光素子１０４が指定された場合は、その指定された発光素子１０４を選択信号ＳＥＬとは無関係に選択するという機能を有するものであればよい。
【００４２】
（２）変形例２
上述の第１実施形態においては、メモリ１１０は不揮発性メモリで構成される態様であるが、これに限らず、例えば揮発性メモリで構成することもできる。ただし、メモリ１１０が不揮発性メモリで構成される態様であれば、発光装置１０の動作中においてメモリ１１０に対する素子指定データＳＤの書き込み（リフレッシュ）を反復する必要は無いという利点がある。
【００４３】
（３）変形例３
発光素子１０４は、ＯＬＥＤ素子であってもよいし、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。要は、電気エネルギーの供給（電界の印加や電流の供給）に応じて発光する総ての素子を本発明の発光素子１０４として利用できる。
【００４４】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、図９を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。
【００４５】
この画像形成装置では、各々が同様の構成である４個の発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが、各々の構成が同様である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの像形成面１１０に対向する位置にそれぞれ配置されている。発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、上記の各形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００４６】
図９に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２とが設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。
【００４７】
この中間転写ベルト１２０の周囲には、外周面に感光層を有する４個の感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「Ｋ」，「Ｃ」，「Ｍ」，「Ｙ」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。
【００４８】
各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）とが配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、これに対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の像形成面１１０Ａ（外周面）を一様に帯電させる。発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、各感光体ドラムの帯電した像形成面１１０Ａに静電潜像を書き込む。各発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）においては、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子２０が配列する。静電潜像の書き込みは、複数の発光素子２０によって感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に光を照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に顕像（すなわち可視像）を形成する。
【００４９】
このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次に一次転写されることによって中間転写ベルト１２０上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。
【００５０】
最終的に画像を形成する対象（記録材）としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。
【００５１】
次に、図１０を参照して、本発明に係る画像形成装置の他の形態について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置である。図１０に示すように、感光体ドラム１１０の周囲には、コロナ帯電器１６８と、ロータリ式の現像ユニット１６１と、上記の実施形態に係る発光装置１０と、中間転写ベルト１６９とが設けられている。
【００５２】
コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１１０の外周面を一様に帯電させる。発光装置１０は、感光体ドラム１１０の帯電させられた像形成面（外周面）に静電潜像を書き込む。この発光装置１０においては、感光体ドラム１１０の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子３２が配列する。静電潜像の書き込みは、これらの発光素子３２から感光体ドラム１１０に光を照射することにより行う。
【００５３】
現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シアン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１１０に供給して、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０に顕像（すなわち可視像）を形成する。
【００５４】
無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１１０から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラム１１０と一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベルト１６９に顕像を転写する。
【００５５】
具体的には、感光体ドラム１１０の最初の１回転で、発光装置１０によりイエロー（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、発光装置１０Ａによりシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして、このようにして感光体ドラム１１０が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の顕像が中間転写ベルト１６９に順次に重ね合わせられ、この結果としてフルカラーの顕像が転写ベルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中間転写ベルト１６９上に形成する。
【００５６】
画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出され、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接した中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ローラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引することにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッチにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１から離される。
【００５７】
以上のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され、再び定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される。
【００５８】
図９および図１０に例示した画像形成装置は、ＯＬＥＤ素子を発光素子２０として採用した光源（露光手段）を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の発光装置１０を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも本発明に係る発光装置１０を応用することが可能である。
【００５９】
本発明に係る発光装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の発光装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子（特に発光素子）を面状に配列した発光装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用される。また、複数の発光素子を行列状に配列した発光装置は各種の電子機器の表示装置として採用される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態に係る発光装置の概略構成を示す図である。
【図３】同実施形態に係る単位回路Ｕ１の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図５】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図６】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図７】同実施形態に係る選択部の動作を示すブロック図である。
【図８】第２実施形態の具体的な態様を示す説明図である。
【図９】本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０……発光装置、１００……光ヘッド、１０４……発光素子、１０６……駆動部、１０８……選択部、１１０……メモリ、１１２……駆動電流供給部、２００……制御回路、Ｕ１〜Ｕｎ……単位回路、ＳＤ……素子指定データ、ＳＥＬ……選択信号、Ｔｄ……駆動トランジスタ、Ｉｄｓ……駆動電流。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給される光ヘッドであって、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備し、
前記選択手段は、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択し、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を前記選択信号とは無関係に選択する
光ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の光ヘッドであって、
前記素子指定手段は、前記２以上の前記発光素子のうちの何れかを指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有する
光ヘッド。
【請求項３】
光ヘッドと制御回路とを備えた発光装置であって、
前記光ヘッドは、
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、を具備し、
前記制御回路は、
前記複数の単位回路の各々について、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定データを前記選択手段に供給し、
前記複数の単位回路の各々における前記選択手段は、
前記素子指定データによって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択し、
前記素子指定データによって前記発光素子が指定された場合は、その指定された前記発光素子を前記選択信号とは無関係に選択する
発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項５】
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
前記単位回路に含まれる素子群のうち何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備した光ヘッドの駆動方法であって、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択して当該発光素子に前記駆動電流を供給し、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を前記選択信号とは無関係に選択して当該発光素子に前記駆動電流を供給する
光ヘッドの駆動方法。
【請求項１】
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給される光ヘッドであって、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備し、
前記選択手段は、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択し、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を前記選択信号とは無関係に選択する
光ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の光ヘッドであって、
前記素子指定手段は、前記２以上の前記発光素子のうちの何れかを指定する素子指定データを書き換え可能に記憶する記憶部を有する
光ヘッド。
【請求項３】
光ヘッドと制御回路とを備えた発光装置であって、
前記光ヘッドは、
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を選択する選択手段と、
前記選択手段によって選択された前記発光素子に前記駆動電流を供給する駆動電流供給手段と、を具備し、
前記制御回路は、
前記複数の単位回路の各々について、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定データを前記選択手段に供給し、
前記複数の単位回路の各々における前記選択手段は、
前記素子指定データによって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択し、
前記素子指定データによって前記発光素子が指定された場合は、その指定された前記発光素子を前記選択信号とは無関係に選択する
発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項５】
駆動電流に応じた輝度で発光する複数の発光素子を各々が含む複数の素子群と、
異なる前記素子群に属する２以上の前記発光素子を各々が含む複数の単位回路と、を備え、
前記単位回路に含まれる素子群のうち何れかの前記素子群を選択する選択信号が前記各単位回路に共通に供給され、
前記複数の単位回路の各々は、
前記駆動電流を生成する電流生成手段と、
当該単位回路に含まれる前記２以上の前記発光素子のうち何れかの前記発光素子を指定可能な素子指定手段と、を具備した光ヘッドの駆動方法であって、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定されない場合は、前記選択信号に応じて前記発光素子を選択して当該発光素子に前記駆動電流を供給し、
前記素子指定手段によって前記発光素子が指定された場合は、その指定された発光素子を前記選択信号とは無関係に選択して当該発光素子に前記駆動電流を供給する
光ヘッドの駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−１４８９１９（Ｐ２００９−１４８９１９Ａ）
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３２６８６２（Ｐ２００７−３２６８６２）
【出願日】平成１９年１２月１９日（２００７．１２．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１９日（２００７．１２．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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