光モジュール
【課題】光変調を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光モジュールの小型化を実現しつつ、光モジュールからの電磁波の放射を抑制する。
【解決手段】多層プリント基板１６には、接地されている複数の配線層とアンチパッドにより絶縁されている貫通ビアが形成されている。この多層プリント基板１６には、同軸コネクタ１８と、高周波クロック信号を生成する強度変調制御ＩＣ２０と、が設置されており、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ａを介して高周波クロック信号が同軸コネクタ１８に入力される。ここにおいて、上記複数の配線層のうちの第１の配線層と第２の配線層との間の配線層には、上記貫通ビアに接続されたオープンスタブが設けられている。
【解決手段】多層プリント基板１６には、接地されている複数の配線層とアンチパッドにより絶縁されている貫通ビアが形成されている。この多層プリント基板１６には、同軸コネクタ１８と、高周波クロック信号を生成する強度変調制御ＩＣ２０と、が設置されており、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ａを介して高周波クロック信号が同軸コネクタ１８に入力される。ここにおいて、上記複数の配線層のうちの第１の配線層と第２の配線層との間の配線層には、上記貫通ビアに接続されたオープンスタブが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調器（例えば、ＬＮ変調器）による光変調（例えば、いわゆるＲＺ（Return to Zero）変調）を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光送受信機などの光モジュールが知られている。特許文献１には、このような回路を備えた光送信装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８２０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような回路により生成された高周波クロック信号を同軸ケーブルを介して光変調器に供給する場合を想定する。この場合、光モジュールを小型化するためには、上記の回路と、同軸コネクタと、をプリント基板に設置した上で、該回路の出力端子と同軸コネクタとを信号ライン（例えば、マイクロストリップライン）で接続することが考えられる。この場合、上記同軸コネクタは、同軸ケーブルによって光変調器に接続されることとなる。
【０００５】
また、信号ラインと同軸コネクタとの接続部分や信号ライン自身等から電磁波が放射されるので、光モジュールからの電磁波の放射を抑制するために、例えば、プリント基板に金属カバーを被せることが考えられる。
【０００６】
しかしながら、金属カバーに覆われた上記回路などに外部から駆動電力を供給するためには、プリント基板に孔を開ける必要がある。そのため、高周波クロック信号の周波数が高い場合にはこの孔から電磁波が放射されてしまい、その結果、光モジュールからの電磁波の放射が期待するほど抑制されないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光モジュールの小型化を実現しつつ、光モジュールからの電磁波の放射を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る光モジュールは、複数の接地導体層を含む多層プリント基板であって、前記複数の接地導体層のうちの第１の接地導体層と第２の接地導体層との双方とアンチパッドによって絶縁されているバイアホールが形成された多層プリント基板と、前記多層プリント基板に設置された同軸コネクタと、光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成し、前記同軸コネクタへと出力する変調制御回路と、前記多層プリント基板上に形成された信号ラインであって、前記同軸コネクタと、前記多層プリント基板に設置された前記変調制御回路と、に接続された信号ラインと、を含み、前記バイアホールから伸びるオープンスタブが、前記第１の接地導体層と前記第２の接地導体層との間の層に設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様では、前記オープンスタブの長さが、前記高周波クロック信号の周波数に応じた長さであってもよい。例えば、オープンスタブの長さが、前記周波数に基づいて定まる前記高周波クロック信号に対応する波長、を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さであてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光送受信機の外観図である。
【図２】光送受信機の構成を示す図である。
【図３】強度変調制御部の構成を示す図である。
【図４】多層プリント基板の構造を示す図である。
【図５】強度変調制御部の断面図である。
【図６】放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。
【図７】強度変調制御部の断面図である。
【図８】強度変調制御部の断面図である。
【図９】放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
［光送受信機］
図１は、本発明の実施形態に係る光モジュールである光送受信機２の外観図である。同図に示すように、光送受信機には２つのブッシュ３，５が備えられ、各ブッシュには図示してない光ファイバが接続される。本実施形態の場合、ブッシュ３を介して光信号が受信され、ブッシュ５を介して光信号が送信されるようになっている。なお、ブッシュ３，５の材質は、例えば導電性ゴムである。
【００１３】
図２は、光送受信機２の構成を示す図である。光送受信機２は、光信号の送信に用いる送信用モジュールを構成するデバイスと、光信号の受信に用いる受信用モジュールを構成するデバイスと、を含む。図２は、送信用モジュールを構成するデバイスを示している。
【００１４】
同図に示すように、光送受信機２は、レーザ４と、位相変調器８と強度変調器１０とを含む光変調器モジュール６と、位相変調制御部１２と、強度変調制御部１４等を含む。本実施形態の場合、強度変調制御部１４を含む光送受信機２が「光モジュール」に相当する。
【００１５】
レーザ４はレーザ光を出力する。そして、レーザ４から出力されたレーザ光が光変調器モジュール６により変調され、光信号として出力される。
【００１６】
［光変調器モジュール］
この光送受信機２では、光変調器モジュール６により位相変調と強度変調とが行われる。例えば、光送受信機２が４３Ｇｂｐｓのビットレートで動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ（Return to Zero Differential Quadrature Phase Shift Keying)方式の光送受信機である場合、ＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調が行われる。
【００１７】
具体的には、位相変調器８が、位相変調制御部１２から供給される位相変調制御信号に従い、位相変調を行う。また、マッハツェンダ型ニオブ酸リチウム光変調器（いわゆるＬＮ変調器）や半導体光変調器等の強度変調器である強度変調器１０（光変調器）が、強度変調制御部１４から供給される高周波クロック信号たる強度変調制御信号に従い、強度変調（例えば、ＲＺ変調）を行う。すなわち、強度変調器１０が、強度変調制御信号のクロック周波数で強度変調を行う。ここでは、強度変調制御信号は、正弦波信号であり、４Ｖｐｐ以上の電圧振幅を有する。なお、強度変調制御信号は矩形波信号であってもよいし三角波信号であってもよい。
【００１８】
ここで、強度変調器１０と強度変調制御部１４とは同軸ケーブルによって接続されており、強度変調制御信号は、この同軸ケーブルを介して、強度変調制御部１４から強度変調器１０へと供給される。また、強度変調制御信号のクロック周波数は、例えば、光送受信機２が４３Ｇｂｐｓのビットレートで動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ方式の光送受信機である場合、２１．５ＧＨｚである。
【００１９】
なお、位相変調制御信号は、２チャネルのデータ信号（図２のデータＡとデータＢと）に基づき生成される。また、強度変調制御信号は、図示しないマルチプレクサＩＣにより生成された高周波のクロック信号（図２参照）に基づいて、生成される。より詳しくは、強度変調制御部１４においてこのクロック信号が増幅され、増幅されたクロック信号が上記強度変調制御信号として強度変調器１０へと供給される。
【００２０】
［強度変調制御部］
次に、本発明の実施形態に係る光モジュールである強度変調制御部１４について説明する。
【００２１】
図３は、強度変調制御部１４の構成を示す図である。同図に示すように、強度変調制御部１４は、多層プリント基板１６、金属ケース１７、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０（変調制御回路）、及び増幅ＩＣ２２等を含む。金属ケース１７、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０、及び増幅ＩＣ２２は多層プリント基板１６上に配置される。同軸コネクタ１８はエッジマウント形式で多層プリント基板１６上に配置される。また、ここでは、金属ケース１７が、多層プリント基板１６上に形成された表層銅箔パタン２８の位置に合わせて配置されるようになっており、その結果として、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０、及び増幅ＩＣ２２は金属ケース１７により覆われる。表層銅箔パタン２８は、多層プリント基板１６内部の、接地された配線層に接続されている。
【００２２】
金属ケース１７の意義については後述する。
【００２３】
強度変調制御ＩＣ２０の出力端子と、同軸コネクタ１８の中心導体２４と、は多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ａ（信号ライン）により接続される。また、強度変調制御ＩＣ２０の入力端子と、増幅ＩＣ２２の出力端子と、は、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ｂにより接続される。また、増幅ＩＣ２２の入力端子は、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ｃと接続される。なお、マイクロストリップライン２６ａ，２６ｂ，２６ｃの代わりに、グランデッドコプレーナ導波路を用いてもよい。
【００２４】
上述のクロック信号は、マイクロストリップライン２６ｃを介して増幅ＩＣ２２に入力される。このクロック信号に基づいて強度変調制御ＩＣ２０が上記強度変調制御信号を生成し、この強度変調信号をマイクロストリップライン２６ａを介して同軸コネクタ１８へと出力する。すなわち、上記クロック信号が、増幅ＩＣ２２及び強度変調制御ＩＣ２０とにより増幅され、強度変調制御信号として同軸コネクタ１８へと出力される。強度変調制御信号は、同軸コネクタ１８に接続された図示していない同軸ケーブルを介して強度変調器１０へと供給されることとなる。なお、増幅ＩＣ２２は、強度変調制御ＩＣ２０の利得を補うものであるので、強度変調制御ＩＣ２０の利得が高い場合には省略してもよい。
【００２５】
ところで、マイクロストリップライン２６ａの代わりに、同軸ケーブル等の同軸線路を用いても中心導体２４と、強度変調制御ＩＣ２０と、を接続することは可能である。しかしながら、この場合、強度変調制御部１４の小型化が困難になる。
【００２６】
この点、中心導体２４と強度変調制御ＩＣ２０とをマイクロストリップラインにより接続することで、強度変調制御部１４の小型化が図られている。また、強度変調制御部１４の小型化を図ることで、ひいては、上記送信用モジュールや光送受信機２の小型化も図られている。
【００２７】
［多層プリント基板］
次に多層プリント基板１６の詳細について説明する。多層プリント基板１６は、配線層である銅箔パタンを複数含む多層基板であり、各配線層の間の誘電体の材質は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）である。配線層は、配線膜とも呼ばれる。
【００２８】
多層プリント基板１６には、層間接続を行うため貫通ビア（Through Hole Via）形式またはIVH（Interstitial Via Hole）形式のバイアホール３１が複数形成されている（後述の図４参照）。本実施形態では略円筒状のバイアホール３１が形成されているが、バイアホール３１の形状は円筒形状に限らない。このバイアホール３１により、強度変調制御部１４の外部のＩＣ等と、強度変調制御部１４内部のＩＣ等と、の接続が可能になる。例えば、このバイアホール３１により、強度変調制御部１４の外部に設けられた電源と、強度変調制御ＩＣ２０と、の接続が可能になり、その結果として、この電源から出力される駆動電力を、強度変調制御ＩＣ２０に供給することが可能になる。バイアホール３１は、強度変調制御部２０の外部からの電力を、強度変調制御部２０内部のＩＣに供給するための信号ラインの役割を有している。
【００２９】
また、多層プリント基板１６に含まれる配線層のうちの一部複数の配線層は、接地されている。本実施形態の場合、多層プリント基板１６は、多層プリント基板１６の上から数えて第１の配線層から第１４の配線層までの１４個の配線層を含み、これらのうちの５つの配線層（後述の配線層３４ａ〜配線層３４ｅ）が接地されている。
【００３０】
図４は、多層プリント基板１６の構造を示す図である。配線層３４ｃは、第７の配線層を示し、配線層３４ｄは、第９の配線層を示す。同図に示すように、両配線層は、グラウンド・ビアと呼ばれる接地接続のためのバイアホール（例えば、グラウンド・ビア３３）に接続されており、このグラウンド・ビアにより接地されている。また、図示していないが、第３の配線層である配線層３４ａ、第５の配線層である配線層３４ｂ、及び第１１の配線層である配線層３４ｅも、グラウンド・ビアにより接地されている。
【００３１】
また、同図に示すように、配線層３４ｃ、３４ｄの各所には、アンチパッドと呼ばれる開口部３０が形成されている。また、配線層３４ａ，配線層３４ｂ、及び配線層３４ｅの各所にも同様に、開口部３０が形成されている。ここで、配線層３４ａ〜配線層３４ｅの銅箔パタンは、開口部３０の内部にバイアホール３１が形成されるように設計されるようになっている。本実施形態では、略同心円状の開口部３０の半径がバイアホール３１の半径よりも大きく、且つ、開口部３０の中心の位置とバイアホール３１の中心軸の位置とが一致するように、設計される。そのため、開口部３０によってバイアホール３１は配線層３４ａ〜配線層３４ｅと隔てられ、これらの配線層と電気的に絶縁される。このように、バイアホール３１は、接地されていない。
【００３２】
また、同図に示すように、バイアホール３１には、該バイアホール３１からの伸びるオープンスタブ３２が接続されている。本実施形態の場合、各バイアホール３１には、第４の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブ３２と、第６の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブ３２と、のうちの少なくとも一方が接続されている。本実施形態では、図４に示すように、扇形形状を有するオープンスタブ３２を用いている。
【００３３】
オープンスタブ３２の意義については後述する。
【００３４】
図５は、強度変調制御部１４を図４に示す一点鎖線で切断したときの断面の概略を示す断面図である。上方のオープンスタブ３２は、第４の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示し、下方のオープンスタブ３２は、第６の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示している。同図からもわかるように、上方のオープンスタブ３２は、第３の配線層である配線層３２ａ（第１の接地導体層）と、第５の配線層である配線層３２ｂ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第４の配線層）に設けられている。また、下方のオープンスタブ３２は、第５の配線層である配線層３２ｂ（第１の接地導体層）と、第７の配線層である配線層３２ｃ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第６の配線層）に設けられている。上述のように、両オープンスタブ３２は、接地されている配線層３２ａ〜３２ｅと、開口部３０により隔てられている。
【００３５】
なお、ここでは、バイアホール３１の半径を０．１５ミリメートルとしている。また、配線層３２ａと上方のオープンスタブ３２との距離、上方のオープンスタブ３２と配線層３２ｂとの距離、配線層３２ｂと下方のオープンスタブ３２との距離、及び下方のオープンスタブ３２と配線層３２ｃとの距離を、それぞれ０．１ミリメートルとしている。また、誘電体として比誘電率が３．９６の材料を用いている。また、オープンスタブ３２の長さＲ（図５参照）を、１．７５ミリメートルとしている。
【００３６】
［電磁波妨害の防止に関して］
ところで、発明者の検討によると、クロック周波数が２１．５ＧＨｚと大きい場合、マイクロストリップライン２６ａと同軸コネクタ１８との接続部分から多量の電磁波が放射されるため、電磁波妨害（いわゆるＥＭＩ）の発生を防止すべく、強度変調制御部１４からの電磁波の放射を抑制する必要があることがわかっている。
【００３７】
この点、この光送受信機２では、強度変調制御部１４が金属ケース１７で覆われているので、空気中を伝搬する電磁波の上方への放射が抑制される。また、多層プリント基板１６には接地された配線層（すなわち、配線層３４ａ〜配線層３４ｅ）が備えられているので、誘電体中を伝搬する電磁波の下方への放射が抑制される。
【００３８】
そのため、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅの存在だけで、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が十分抑制されると思われる。
【００３９】
しかしながら、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅが備えられていても、電磁波が配線層３４ａ〜配線層３４ｅの開口部３０から下方へと放射されたり、電磁波がバイアホール３１を伝搬して下方へと放射されたりしてしまう。そのため、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅの存在だけでは、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が期待するほど抑制されない可能性がある。
【００４０】
［オープンスタブの意義］
この点、この光送受信機２では、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層にオープンスタブ３２が設けられているので（図５参照）、このオープンスタブ３２と、配線層３４ａと、配線層３４ｂと、により、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波を減衰させる帯域阻止フィルタが構成されるようになっている。そのため、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波が配線層３４ｂの開口部３０から下方へと放射されたり、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることが抑制される。さらに、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層にもオープンスタブ３２が設けられているので（図５参照）、このオープンスタブ３２と、配線層３４ｂと、配線層３４ｃと、によっても、上記の帯域阻止フィルタが構成されるようになっている。そのため、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波が配線層３４ｃの開口部３０から下方へと放射されることも抑制されるだけでなく、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることがさらに抑制される。
【００４１】
その結果、強度変調制御部１４からの電磁波の放射がさらに抑制されるようになる。
【００４２】
特に、この光送受信機２では、オープンスタブ３２の長さＲがクロック周波数（２１．５ＧＨｚ）に応じた長さになっている。すなわち、オープンスタブ３２の長さＲが、「誘電体の比誘電率（３．９６）、クロック周波数、及び真空中の光速度等に基づいて算出される、クロック周波数を有する電磁波の波長λ（λは約７ミリメートル）」を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さになっている。より詳しくは、オープンスタブ３２の長さＲが、λを４分の１倍した長さである１．７５ミリメートルになっている。そのため、「配線層３４ａと、配線層３４ｂと、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２（図５参照）と、で構成される帯域阻止フィルタ」の中心周波数がクロック周波数とほぼ一致するようになっている。また、「配線層３４ｂと、配線層３４ｃと、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２（図５参照）と、で構成される帯域阻止フィルタ」の中心周波数もクロック周波数とほぼ一致するようになっている。
【００４３】
そのため、クロック周波数を有する電磁波が配線層３４ｂや配線層３４ｃの開口部３０から下方へと放射されたり、クロック周波数を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることが抑制される。その結果として、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が効率よく抑制されるようになる。なお、オープンスタブ３２の長さＲがλを４分の１倍した長さである場合、クロック周波数が２１．５ＧＨｚであるときに長さＲが約１．７５ミリメートル程度になるので、強度変調制御部１４を小型化する上でも好適である。
【００４４】
発明者は、電磁界解析を行い、オープンスタブ３２を設けた場合に強度変調制御部１４から放射される電力と、オープンスタブ３２を設けない場合に強度変調制御部１４から放射される電力と、を実際に算出した。図６は、放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。菱形の点からなる折れ線は、オープンスタブ３２を設けた場合の算出結果を示し、円形の点からなる折れ線は、オープンスタブ３２を設けない場合の算出結果を示している。また、横軸は、クロック周波数を示し、縦軸は、強度変調制御部１４から放射された電力を示している。
【００４５】
図６を見てもわかるように、オープンスタブ３２を設けた場合、オープンスタブ３２を設けない場合に比べ、強度変調制御部１４から放射される電力が低減されている。特にクロック周波数が２１．５ＧＨｚである場合、強度変調制御部１４から放射される電力を７．０ｄＢも低減できている。
【００４６】
以上が、本発明の実施形態に係る光モジュールの内容である。
【００４７】
なお、本発明の実施形態は、上記実施形態だけに限らない。
【００４８】
例えば、図５はバイアホール３１にオープンスタブ３２が２つ接続されている例を示しているが、接地されている２つの配線層（例えば、配線層３４ａ〜３４ｅ）の間の配線層にオープンスタブ３２が設けられているのであれば、バイアホール３１にオープンスタブ３２が何個接続されていてもよい。例えば、バイアホール３１に１つのオープンスタブ３２が接続されていてもよいし、バイアホール３１に３つのオープンスタブ３２が接続されていてもよい。
【００４９】
図７は、バイアホール３１に１つのオープンスタブ３２が接続されている場合の強度変調制御部１４の断面図である。同図に示すように、バイアホール３１には、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２だけが接続されている。また、図８は、バイアホール３１に３つのオープンスタブ３２が接続されている場合の強度変調制御部１４の断面図である。同図に示すように、バイアホール３１には、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２と、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２と、配線層３４ｃと配線層３４ｄとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２とが接続されている。
【００５０】
ちなみに、発明者は、電磁界解析を行い、バイアホール３１に接続されるオープンスタブ３２の数を変えながら、最下層の開口部３０から放射される電力を算出した。図９は、放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。横軸は、バイアホール３１に接続されるオープンスタブ３２の数を示し、縦軸は、放射された電力を示している。電磁界解析の結果、オープンスタブ３２が数が多いほど、放射される電力が減少することがわかった（図９参照）。
【００５１】
また、例えば、各バイアホール３１に設けられるオープンスタブ３２の数は、同じでなくてもよい。
【００５２】
また、例えば、オープンスタブ３２の形状はどのような形状であってもよい。例えば、２つの扇形を結合したような形状であってもよいし、半円形状であってもよいし、矩形形状であってもよい。
【００５３】
また、例えば、金属ケース１７と、強度変調制御ＩＣ２０及び増幅ＩＣ２２と、の間に電磁吸収体を配置してもよい。
【００５４】
また、例えば、上記光送受信機２は、複数のビットレート（例えば４３Ｇｂｐｓ及び４４．６Ｇｂｐｓの２つのビットレート）で動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ方式の光送受信機であってもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、光送受信機２が「光モジュール」であったが、以上に説明した強度変調制御部１４を含む他のモジュールが「光モジュール」であってもよい。例えば、上記送信用モジュールが「光モジュール」であってもよい。また、強度変調制御部１４を含む光伝送装置が「光モジュール」であってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
２ 光送受信機、３，５ ブッシュ、４ レーザ、６ 光変調器モジュール、８ 位相変調器、１０ 強度変調器、１２ 位相変調制御部、１４ 強度変調制御部、１６ 多層プリント基板、１７ 金属ケース、１８ 同軸コネクタ、２０ 強度変調制御ＩＣ、２２ 増幅ＩＣ、２４ 中心導体、２６ａ，２６ｂ，２６ｃ マイクロストリップライン、２８ 表層銅箔パタン、３０ 開口部、３１ バイアホール、３２ オープンスタブ、３３ グラウンド・ビア、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ 配線層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光変調器（例えば、ＬＮ変調器）による光変調（例えば、いわゆるＲＺ（Return to Zero）変調）を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光送受信機などの光モジュールが知られている。特許文献１には、このような回路を備えた光送信装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８２０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような回路により生成された高周波クロック信号を同軸ケーブルを介して光変調器に供給する場合を想定する。この場合、光モジュールを小型化するためには、上記の回路と、同軸コネクタと、をプリント基板に設置した上で、該回路の出力端子と同軸コネクタとを信号ライン（例えば、マイクロストリップライン）で接続することが考えられる。この場合、上記同軸コネクタは、同軸ケーブルによって光変調器に接続されることとなる。
【０００５】
また、信号ラインと同軸コネクタとの接続部分や信号ライン自身等から電磁波が放射されるので、光モジュールからの電磁波の放射を抑制するために、例えば、プリント基板に金属カバーを被せることが考えられる。
【０００６】
しかしながら、金属カバーに覆われた上記回路などに外部から駆動電力を供給するためには、プリント基板に孔を開ける必要がある。そのため、高周波クロック信号の周波数が高い場合にはこの孔から電磁波が放射されてしまい、その結果、光モジュールからの電磁波の放射が期待するほど抑制されないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成する回路を備えた光モジュールの小型化を実現しつつ、光モジュールからの電磁波の放射を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る光モジュールは、複数の接地導体層を含む多層プリント基板であって、前記複数の接地導体層のうちの第１の接地導体層と第２の接地導体層との双方とアンチパッドによって絶縁されているバイアホールが形成された多層プリント基板と、前記多層プリント基板に設置された同軸コネクタと、光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成し、前記同軸コネクタへと出力する変調制御回路と、前記多層プリント基板上に形成された信号ラインであって、前記同軸コネクタと、前記多層プリント基板に設置された前記変調制御回路と、に接続された信号ラインと、を含み、前記バイアホールから伸びるオープンスタブが、前記第１の接地導体層と前記第２の接地導体層との間の層に設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の一態様では、前記オープンスタブの長さが、前記高周波クロック信号の周波数に応じた長さであってもよい。例えば、オープンスタブの長さが、前記周波数に基づいて定まる前記高周波クロック信号に対応する波長、を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さであてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光送受信機の外観図である。
【図２】光送受信機の構成を示す図である。
【図３】強度変調制御部の構成を示す図である。
【図４】多層プリント基板の構造を示す図である。
【図５】強度変調制御部の断面図である。
【図６】放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。
【図７】強度変調制御部の断面図である。
【図８】強度変調制御部の断面図である。
【図９】放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
［光送受信機］
図１は、本発明の実施形態に係る光モジュールである光送受信機２の外観図である。同図に示すように、光送受信機には２つのブッシュ３，５が備えられ、各ブッシュには図示してない光ファイバが接続される。本実施形態の場合、ブッシュ３を介して光信号が受信され、ブッシュ５を介して光信号が送信されるようになっている。なお、ブッシュ３，５の材質は、例えば導電性ゴムである。
【００１３】
図２は、光送受信機２の構成を示す図である。光送受信機２は、光信号の送信に用いる送信用モジュールを構成するデバイスと、光信号の受信に用いる受信用モジュールを構成するデバイスと、を含む。図２は、送信用モジュールを構成するデバイスを示している。
【００１４】
同図に示すように、光送受信機２は、レーザ４と、位相変調器８と強度変調器１０とを含む光変調器モジュール６と、位相変調制御部１２と、強度変調制御部１４等を含む。本実施形態の場合、強度変調制御部１４を含む光送受信機２が「光モジュール」に相当する。
【００１５】
レーザ４はレーザ光を出力する。そして、レーザ４から出力されたレーザ光が光変調器モジュール６により変調され、光信号として出力される。
【００１６】
［光変調器モジュール］
この光送受信機２では、光変調器モジュール６により位相変調と強度変調とが行われる。例えば、光送受信機２が４３Ｇｂｐｓのビットレートで動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ（Return to Zero Differential Quadrature Phase Shift Keying)方式の光送受信機である場合、ＲＺ−ＤＱＰＳＫ変調が行われる。
【００１７】
具体的には、位相変調器８が、位相変調制御部１２から供給される位相変調制御信号に従い、位相変調を行う。また、マッハツェンダ型ニオブ酸リチウム光変調器（いわゆるＬＮ変調器）や半導体光変調器等の強度変調器である強度変調器１０（光変調器）が、強度変調制御部１４から供給される高周波クロック信号たる強度変調制御信号に従い、強度変調（例えば、ＲＺ変調）を行う。すなわち、強度変調器１０が、強度変調制御信号のクロック周波数で強度変調を行う。ここでは、強度変調制御信号は、正弦波信号であり、４Ｖｐｐ以上の電圧振幅を有する。なお、強度変調制御信号は矩形波信号であってもよいし三角波信号であってもよい。
【００１８】
ここで、強度変調器１０と強度変調制御部１４とは同軸ケーブルによって接続されており、強度変調制御信号は、この同軸ケーブルを介して、強度変調制御部１４から強度変調器１０へと供給される。また、強度変調制御信号のクロック周波数は、例えば、光送受信機２が４３Ｇｂｐｓのビットレートで動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ方式の光送受信機である場合、２１．５ＧＨｚである。
【００１９】
なお、位相変調制御信号は、２チャネルのデータ信号（図２のデータＡとデータＢと）に基づき生成される。また、強度変調制御信号は、図示しないマルチプレクサＩＣにより生成された高周波のクロック信号（図２参照）に基づいて、生成される。より詳しくは、強度変調制御部１４においてこのクロック信号が増幅され、増幅されたクロック信号が上記強度変調制御信号として強度変調器１０へと供給される。
【００２０】
［強度変調制御部］
次に、本発明の実施形態に係る光モジュールである強度変調制御部１４について説明する。
【００２１】
図３は、強度変調制御部１４の構成を示す図である。同図に示すように、強度変調制御部１４は、多層プリント基板１６、金属ケース１７、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０（変調制御回路）、及び増幅ＩＣ２２等を含む。金属ケース１７、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０、及び増幅ＩＣ２２は多層プリント基板１６上に配置される。同軸コネクタ１８はエッジマウント形式で多層プリント基板１６上に配置される。また、ここでは、金属ケース１７が、多層プリント基板１６上に形成された表層銅箔パタン２８の位置に合わせて配置されるようになっており、その結果として、同軸コネクタ１８、強度変調制御ＩＣ２０、及び増幅ＩＣ２２は金属ケース１７により覆われる。表層銅箔パタン２８は、多層プリント基板１６内部の、接地された配線層に接続されている。
【００２２】
金属ケース１７の意義については後述する。
【００２３】
強度変調制御ＩＣ２０の出力端子と、同軸コネクタ１８の中心導体２４と、は多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ａ（信号ライン）により接続される。また、強度変調制御ＩＣ２０の入力端子と、増幅ＩＣ２２の出力端子と、は、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ｂにより接続される。また、増幅ＩＣ２２の入力端子は、多層プリント基板１６上に形成されたマイクロストリップライン２６ｃと接続される。なお、マイクロストリップライン２６ａ，２６ｂ，２６ｃの代わりに、グランデッドコプレーナ導波路を用いてもよい。
【００２４】
上述のクロック信号は、マイクロストリップライン２６ｃを介して増幅ＩＣ２２に入力される。このクロック信号に基づいて強度変調制御ＩＣ２０が上記強度変調制御信号を生成し、この強度変調信号をマイクロストリップライン２６ａを介して同軸コネクタ１８へと出力する。すなわち、上記クロック信号が、増幅ＩＣ２２及び強度変調制御ＩＣ２０とにより増幅され、強度変調制御信号として同軸コネクタ１８へと出力される。強度変調制御信号は、同軸コネクタ１８に接続された図示していない同軸ケーブルを介して強度変調器１０へと供給されることとなる。なお、増幅ＩＣ２２は、強度変調制御ＩＣ２０の利得を補うものであるので、強度変調制御ＩＣ２０の利得が高い場合には省略してもよい。
【００２５】
ところで、マイクロストリップライン２６ａの代わりに、同軸ケーブル等の同軸線路を用いても中心導体２４と、強度変調制御ＩＣ２０と、を接続することは可能である。しかしながら、この場合、強度変調制御部１４の小型化が困難になる。
【００２６】
この点、中心導体２４と強度変調制御ＩＣ２０とをマイクロストリップラインにより接続することで、強度変調制御部１４の小型化が図られている。また、強度変調制御部１４の小型化を図ることで、ひいては、上記送信用モジュールや光送受信機２の小型化も図られている。
【００２７】
［多層プリント基板］
次に多層プリント基板１６の詳細について説明する。多層プリント基板１６は、配線層である銅箔パタンを複数含む多層基板であり、各配線層の間の誘電体の材質は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）である。配線層は、配線膜とも呼ばれる。
【００２８】
多層プリント基板１６には、層間接続を行うため貫通ビア（Through Hole Via）形式またはIVH（Interstitial Via Hole）形式のバイアホール３１が複数形成されている（後述の図４参照）。本実施形態では略円筒状のバイアホール３１が形成されているが、バイアホール３１の形状は円筒形状に限らない。このバイアホール３１により、強度変調制御部１４の外部のＩＣ等と、強度変調制御部１４内部のＩＣ等と、の接続が可能になる。例えば、このバイアホール３１により、強度変調制御部１４の外部に設けられた電源と、強度変調制御ＩＣ２０と、の接続が可能になり、その結果として、この電源から出力される駆動電力を、強度変調制御ＩＣ２０に供給することが可能になる。バイアホール３１は、強度変調制御部２０の外部からの電力を、強度変調制御部２０内部のＩＣに供給するための信号ラインの役割を有している。
【００２９】
また、多層プリント基板１６に含まれる配線層のうちの一部複数の配線層は、接地されている。本実施形態の場合、多層プリント基板１６は、多層プリント基板１６の上から数えて第１の配線層から第１４の配線層までの１４個の配線層を含み、これらのうちの５つの配線層（後述の配線層３４ａ〜配線層３４ｅ）が接地されている。
【００３０】
図４は、多層プリント基板１６の構造を示す図である。配線層３４ｃは、第７の配線層を示し、配線層３４ｄは、第９の配線層を示す。同図に示すように、両配線層は、グラウンド・ビアと呼ばれる接地接続のためのバイアホール（例えば、グラウンド・ビア３３）に接続されており、このグラウンド・ビアにより接地されている。また、図示していないが、第３の配線層である配線層３４ａ、第５の配線層である配線層３４ｂ、及び第１１の配線層である配線層３４ｅも、グラウンド・ビアにより接地されている。
【００３１】
また、同図に示すように、配線層３４ｃ、３４ｄの各所には、アンチパッドと呼ばれる開口部３０が形成されている。また、配線層３４ａ，配線層３４ｂ、及び配線層３４ｅの各所にも同様に、開口部３０が形成されている。ここで、配線層３４ａ〜配線層３４ｅの銅箔パタンは、開口部３０の内部にバイアホール３１が形成されるように設計されるようになっている。本実施形態では、略同心円状の開口部３０の半径がバイアホール３１の半径よりも大きく、且つ、開口部３０の中心の位置とバイアホール３１の中心軸の位置とが一致するように、設計される。そのため、開口部３０によってバイアホール３１は配線層３４ａ〜配線層３４ｅと隔てられ、これらの配線層と電気的に絶縁される。このように、バイアホール３１は、接地されていない。
【００３２】
また、同図に示すように、バイアホール３１には、該バイアホール３１からの伸びるオープンスタブ３２が接続されている。本実施形態の場合、各バイアホール３１には、第４の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブ３２と、第６の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブ３２と、のうちの少なくとも一方が接続されている。本実施形態では、図４に示すように、扇形形状を有するオープンスタブ３２を用いている。
【００３３】
オープンスタブ３２の意義については後述する。
【００３４】
図５は、強度変調制御部１４を図４に示す一点鎖線で切断したときの断面の概略を示す断面図である。上方のオープンスタブ３２は、第４の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示し、下方のオープンスタブ３２は、第６の配線層の銅箔パタンにより形成されたオープンスタブを示している。同図からもわかるように、上方のオープンスタブ３２は、第３の配線層である配線層３２ａ（第１の接地導体層）と、第５の配線層である配線層３２ｂ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第４の配線層）に設けられている。また、下方のオープンスタブ３２は、第５の配線層である配線層３２ｂ（第１の接地導体層）と、第７の配線層である配線層３２ｃ（第２の接地導体層）と、の間の配線層（すなわち、第６の配線層）に設けられている。上述のように、両オープンスタブ３２は、接地されている配線層３２ａ〜３２ｅと、開口部３０により隔てられている。
【００３５】
なお、ここでは、バイアホール３１の半径を０．１５ミリメートルとしている。また、配線層３２ａと上方のオープンスタブ３２との距離、上方のオープンスタブ３２と配線層３２ｂとの距離、配線層３２ｂと下方のオープンスタブ３２との距離、及び下方のオープンスタブ３２と配線層３２ｃとの距離を、それぞれ０．１ミリメートルとしている。また、誘電体として比誘電率が３．９６の材料を用いている。また、オープンスタブ３２の長さＲ（図５参照）を、１．７５ミリメートルとしている。
【００３６】
［電磁波妨害の防止に関して］
ところで、発明者の検討によると、クロック周波数が２１．５ＧＨｚと大きい場合、マイクロストリップライン２６ａと同軸コネクタ１８との接続部分から多量の電磁波が放射されるため、電磁波妨害（いわゆるＥＭＩ）の発生を防止すべく、強度変調制御部１４からの電磁波の放射を抑制する必要があることがわかっている。
【００３７】
この点、この光送受信機２では、強度変調制御部１４が金属ケース１７で覆われているので、空気中を伝搬する電磁波の上方への放射が抑制される。また、多層プリント基板１６には接地された配線層（すなわち、配線層３４ａ〜配線層３４ｅ）が備えられているので、誘電体中を伝搬する電磁波の下方への放射が抑制される。
【００３８】
そのため、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅの存在だけで、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が十分抑制されると思われる。
【００３９】
しかしながら、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅが備えられていても、電磁波が配線層３４ａ〜配線層３４ｅの開口部３０から下方へと放射されたり、電磁波がバイアホール３１を伝搬して下方へと放射されたりしてしまう。そのため、金属ケース１７や配線層３４ａ〜配線層３４ｅの存在だけでは、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が期待するほど抑制されない可能性がある。
【００４０】
［オープンスタブの意義］
この点、この光送受信機２では、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層にオープンスタブ３２が設けられているので（図５参照）、このオープンスタブ３２と、配線層３４ａと、配線層３４ｂと、により、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波を減衰させる帯域阻止フィルタが構成されるようになっている。そのため、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波が配線層３４ｂの開口部３０から下方へと放射されたり、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることが抑制される。さらに、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層にもオープンスタブ３２が設けられているので（図５参照）、このオープンスタブ３２と、配線層３４ｂと、配線層３４ｃと、によっても、上記の帯域阻止フィルタが構成されるようになっている。そのため、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波が配線層３４ｃの開口部３０から下方へと放射されることも抑制されるだけでなく、「オープンスタブ３２の長さＲをｎ（ｎは奇数）分の４倍した長さの波長」を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることがさらに抑制される。
【００４１】
その結果、強度変調制御部１４からの電磁波の放射がさらに抑制されるようになる。
【００４２】
特に、この光送受信機２では、オープンスタブ３２の長さＲがクロック周波数（２１．５ＧＨｚ）に応じた長さになっている。すなわち、オープンスタブ３２の長さＲが、「誘電体の比誘電率（３．９６）、クロック周波数、及び真空中の光速度等に基づいて算出される、クロック周波数を有する電磁波の波長λ（λは約７ミリメートル）」を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さになっている。より詳しくは、オープンスタブ３２の長さＲが、λを４分の１倍した長さである１．７５ミリメートルになっている。そのため、「配線層３４ａと、配線層３４ｂと、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２（図５参照）と、で構成される帯域阻止フィルタ」の中心周波数がクロック周波数とほぼ一致するようになっている。また、「配線層３４ｂと、配線層３４ｃと、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２（図５参照）と、で構成される帯域阻止フィルタ」の中心周波数もクロック周波数とほぼ一致するようになっている。
【００４３】
そのため、クロック周波数を有する電磁波が配線層３４ｂや配線層３４ｃの開口部３０から下方へと放射されたり、クロック周波数を有する電磁波がバイアホール３１を介して下方へと放射されたりすることが抑制される。その結果として、強度変調制御部１４からの電磁波の放射が効率よく抑制されるようになる。なお、オープンスタブ３２の長さＲがλを４分の１倍した長さである場合、クロック周波数が２１．５ＧＨｚであるときに長さＲが約１．７５ミリメートル程度になるので、強度変調制御部１４を小型化する上でも好適である。
【００４４】
発明者は、電磁界解析を行い、オープンスタブ３２を設けた場合に強度変調制御部１４から放射される電力と、オープンスタブ３２を設けない場合に強度変調制御部１４から放射される電力と、を実際に算出した。図６は、放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。菱形の点からなる折れ線は、オープンスタブ３２を設けた場合の算出結果を示し、円形の点からなる折れ線は、オープンスタブ３２を設けない場合の算出結果を示している。また、横軸は、クロック周波数を示し、縦軸は、強度変調制御部１４から放射された電力を示している。
【００４５】
図６を見てもわかるように、オープンスタブ３２を設けた場合、オープンスタブ３２を設けない場合に比べ、強度変調制御部１４から放射される電力が低減されている。特にクロック周波数が２１．５ＧＨｚである場合、強度変調制御部１４から放射される電力を７．０ｄＢも低減できている。
【００４６】
以上が、本発明の実施形態に係る光モジュールの内容である。
【００４７】
なお、本発明の実施形態は、上記実施形態だけに限らない。
【００４８】
例えば、図５はバイアホール３１にオープンスタブ３２が２つ接続されている例を示しているが、接地されている２つの配線層（例えば、配線層３４ａ〜３４ｅ）の間の配線層にオープンスタブ３２が設けられているのであれば、バイアホール３１にオープンスタブ３２が何個接続されていてもよい。例えば、バイアホール３１に１つのオープンスタブ３２が接続されていてもよいし、バイアホール３１に３つのオープンスタブ３２が接続されていてもよい。
【００４９】
図７は、バイアホール３１に１つのオープンスタブ３２が接続されている場合の強度変調制御部１４の断面図である。同図に示すように、バイアホール３１には、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２だけが接続されている。また、図８は、バイアホール３１に３つのオープンスタブ３２が接続されている場合の強度変調制御部１４の断面図である。同図に示すように、バイアホール３１には、配線層３４ａと配線層３４ｂとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２と、配線層３４ｂと配線層３４ｃとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２と、配線層３４ｃと配線層３４ｄとの間の配線層に設けられたオープンスタブ３２とが接続されている。
【００５０】
ちなみに、発明者は、電磁界解析を行い、バイアホール３１に接続されるオープンスタブ３２の数を変えながら、最下層の開口部３０から放射される電力を算出した。図９は、放射される電力の算出結果を示す折れ線グラフである。横軸は、バイアホール３１に接続されるオープンスタブ３２の数を示し、縦軸は、放射された電力を示している。電磁界解析の結果、オープンスタブ３２が数が多いほど、放射される電力が減少することがわかった（図９参照）。
【００５１】
また、例えば、各バイアホール３１に設けられるオープンスタブ３２の数は、同じでなくてもよい。
【００５２】
また、例えば、オープンスタブ３２の形状はどのような形状であってもよい。例えば、２つの扇形を結合したような形状であってもよいし、半円形状であってもよいし、矩形形状であってもよい。
【００５３】
また、例えば、金属ケース１７と、強度変調制御ＩＣ２０及び増幅ＩＣ２２と、の間に電磁吸収体を配置してもよい。
【００５４】
また、例えば、上記光送受信機２は、複数のビットレート（例えば４３Ｇｂｐｓ及び４４．６Ｇｂｐｓの２つのビットレート）で動作するＲＺ−ＤＱＰＳＫ方式の光送受信機であってもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、光送受信機２が「光モジュール」であったが、以上に説明した強度変調制御部１４を含む他のモジュールが「光モジュール」であってもよい。例えば、上記送信用モジュールが「光モジュール」であってもよい。また、強度変調制御部１４を含む光伝送装置が「光モジュール」であってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
２ 光送受信機、３，５ ブッシュ、４ レーザ、６ 光変調器モジュール、８ 位相変調器、１０ 強度変調器、１２ 位相変調制御部、１４ 強度変調制御部、１６ 多層プリント基板、１７ 金属ケース、１８ 同軸コネクタ、２０ 強度変調制御ＩＣ、２２ 増幅ＩＣ、２４ 中心導体、２６ａ，２６ｂ，２６ｃ マイクロストリップライン、２８ 表層銅箔パタン、３０ 開口部、３１ バイアホール、３２ オープンスタブ、３３ グラウンド・ビア、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ，３４ｅ 配線層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接地導体層を含む多層プリント基板であって、前記複数の接地導体層のうちの第１の接地導体層と第２の接地導体層との双方とアンチパッドによって絶縁されているバイアホールが形成された多層プリント基板と、
前記多層プリント基板に設置された同軸コネクタと、
光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成し、前記同軸コネクタへと出力する変調制御回路と、
前記多層プリント基板上に形成された信号ラインであって、前記同軸コネクタと、前記多層プリント基板に設置された前記変調制御回路と、に接続された信号ラインと、
を含み、
前記バイアホールから伸びるオープンスタブが、前記第１の接地導体層と前記第２の接地導体層との間の層に設けられていること、
を特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記オープンスタブの長さが、前記高周波クロック信号の周波数に応じた長さであること、
を特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記オープンスタブの長さが、前記周波数に基づいて定まる前記高周波クロック信号に対応する波長、を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さであること、
を特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項１】
複数の接地導体層を含む多層プリント基板であって、前記複数の接地導体層のうちの第１の接地導体層と第２の接地導体層との双方とアンチパッドによって絶縁されているバイアホールが形成された多層プリント基板と、
前記多層プリント基板に設置された同軸コネクタと、
光変調器による光変調を制御するための高周波クロック信号を生成し、前記同軸コネクタへと出力する変調制御回路と、
前記多層プリント基板上に形成された信号ラインであって、前記同軸コネクタと、前記多層プリント基板に設置された前記変調制御回路と、に接続された信号ラインと、
を含み、
前記バイアホールから伸びるオープンスタブが、前記第１の接地導体層と前記第２の接地導体層との間の層に設けられていること、
を特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記オープンスタブの長さが、前記高周波クロック信号の周波数に応じた長さであること、
を特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記オープンスタブの長さが、前記周波数に基づいて定まる前記高周波クロック信号に対応する波長、を４分のｎ（ｎは奇数）倍した長さであること、
を特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１５９７４２（Ｐ２０１１−１５９７４２Ａ）
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９３６２（Ｐ２０１０−１９３６２）
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オプネクスト株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オプネクスト株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
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