光源モジュール
【課題】光源モジュールの寿命を長くし、信頼性を高めること。
【解決手段】１つ又は複数の半導体レーザ素子４１と、光を入射端から入射し、出射端から出射するテーパファイバ１５と、半導体レーザ素子４１から出射された光を集光し、テーパファイバ１５の入射端面に結合させる結合レンズ４４とを備える光源モジュール４０において、テーパファイバ１５の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいものであること。
【解決手段】１つ又は複数の半導体レーザ素子４１と、光を入射端から入射し、出射端から出射するテーパファイバ１５と、半導体レーザ素子４１から出射された光を集光し、テーパファイバ１５の入射端面に結合させる結合レンズ４４とを備える光源モジュール４０において、テーパファイバ１５の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいものであること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源と、光導波路と、光源から出射した光を光導波路の一端側に結合させる入射光学系とを備えた光源モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光ファイバの入射端面に結合させる入射光学系とを備えた光源モジュールが光通信部品として一般的に知られている。光源モジュール内部においては、半導体レーザ素子と光ファイバの入射端面とが光学的に結合された状態をマイクロメートルオーダで安定に維持するために、光ファイバ及び入射光学系等は、ハンダ又は接着剤等の接着手段を用いて固定されている。
【０００３】
このような光学モジュールは、一般的に、外気の湿気等によるレーザ劣化を防ぐために、光源モジュールの入ったパッケージを気密封止する。例えば、ＣＡＮパッケージに代表される構造は、半導体レーザ素子及びレーザ端面を保護する封止構造として代表的である。このような光源モジュールにおいて、気密封止されたパッケージ内に残存する汚染物質が半導体レーザ素子の出射端面、入射光学系及び光ファイバ等の光学部品に付着して、レーザ特性を劣化させるという問題があった。特に、光密度の高い部分において汚染物質が多く付着する（集塵効果）。更に、３５０〜５００［ｎｍ］（４００［ｎｍ］帯）の波長のレーザ光を出射するＧａＮ系半導体レーザ素子等のを備えた光源モジュールにおいては、光子エネルギーが高く、物質との光化学反応が起こりやすいため、集塵効果がより顕著に現れる。
【０００４】
汚染物質の１つとしては、製造工程の雰囲気中から混入される炭化水素化合物等が挙げられ、この炭化水素化合物にレーザ光で重合或いは分解された分解物が付着し、光出力の向上を妨げることが知られている。
【０００５】
そこで特許文献１には、光ファイバの入射端面の汚染を抑制するために、レーザ光に活性な酸化チタン薄膜や窒素をドープした酸化チタン薄膜の光触媒で光ファイバの入射端面をコートする技術が開示されている。また、特許文献２には、ガラスブロック等の透明体を入射端面に密着させて入射端面を保護する技術が開示されている。更に、特許文献３には、パッケージの窓の外側に光ファイバの入射端面を密着させることにより、汚染物質の付着を抑制する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１７９５９５号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３７８３号公報
【特許文献３】特開２００４−２５２４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、半導体レーザ素子や光ファイバ等の精密光学部品は、汚染物質から守るためにパッケージを気密封止する。しかし形状が様々な光学系を気密封止するパッケージは汎用性がなく特注となるため、数千円〜数万円のコストがかかり、光源モジュールのコストアップの問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、コストを抑えて汚染物質の付着を抑制し、高い信頼性を有する光源モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するために、１つ又は複数の光源と、光を入射端から入射し、出射端から出射する第１光導波路と、光源から出射された光を集光し、第１光導波路の入射端面に結合させる入射光学系とを備える光源モジュールにおいて、第１光導波路の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいものであることとする。
【０００９】
ここで、第１光導波路は光ファイバであってもよい。「第１光導波路の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいもの」として、例えばテーパ状の光導波路とすることが好ましい。
【００１０】
また、第１光導波路の出射端側に、導波方向にコア断面積が一定である第２光導波路が融着もしくは接触されているものであることとしてもよい。更に、第２光導波路が光ファイバであることとしてもよい。ここで、第１光導波路の出射端側に融着又は接触される第２光導波路の第１光導波路側の端面のコア径は、第１光導波路の出射端面のコア径より大きいことが好ましい。
【００１１】
そして、光源が１つ又は複数の半導体レーザ素子より発せられたレーザ光を出射するものであり、該レーザ光の発振波長が３５０［ｎｍ］〜４５０［ｎｍ］であることとしてもよい。ここで、第１光導波路の入射端面に入射されるレーザ光のパワー密度は、０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下であることが好ましい。
【００１２】
また、光源が１つのシングルモードキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられたシングルキャビティ半導体レーザ素子、１つのマルチキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられた複数のマルチキャビティ半導体レーザ素子、及びシングルキャビティ半導体レーザ素子とマルチキャビティ半導体レーザ素子の組み合わせのうち何れか１つであることとしてもよい。
【００１３】
尚、シングルキャビティ半導体レーザ素子とは、横モードがシングルモードの半導体レーザ素子であり、マルチキャビティ半導体レーザ素子とは、横モードがマルチモードの半導体レーザ素子である。「アレイ状に並べられた」とは、例えば、個々の半導体レーザ素子のチップを個別に並べたもの、又は同一基板に発光点が２以上あるものを言う。
【００１４】
また、第１光導波路の入射端に入射される光の入射端面における光の直径をＤｂｅａｍ、該光の前記第１光導波路の入射端側における開口数をＮＡｂｅａｍ、第１光導波路の入射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｉｎ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｉｎ、第１光導波路の出射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｏｕｔ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｏｕｔとしたとき、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ
を満足することとしてもよい。
【００１５】
尚、第１光導波路の入射端、出射端のコアの断面が円筒形である場合はＤｉｎ、Ｄｏｕｔをコアの直径とし、矩形状である場合はＤｉｎ、Ｄｏｕｔをコアの長辺側の長さとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本実施の形態の光源モジュールについて、図を参考にして説明する。
【００１７】
１．テーパファイバの作り方
まずテーパファイバ（第１導波路）の作製方法を説明する。
【００１８】
１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法
最初にコア径２００［μｍ］、クラッド径４００［μｍ］の石英ファイバ１１の所定部分を例えばガスバーナー１２で石英の融点前後まで加熱する（図１（ａ））。次に加熱部分が軟化した直後に石英ファイバ１１の一端側方向及び他端側方向（矢印Ｘ方向）に均一の力で延伸する（図１（ｂ））。これにより、一端側端面１３ａ及び他端側端面１３ｂのコア径が２００［μｍ］、クラッド径が４００［μｍ］、例えば加熱部分１４のコア径が５０［μｍ］、クラッド径が１００［μｍ］となる。そして光ファイバ１１の所望のコア径及びクラッド径の位置において切断することにより（図１（ｃ）；例えば切断位置Ｙ）、一端側端面１３ａのコア径が他端側端面１４のコア径より大きいテーパファイバ１５が出来上がる（図１（ｄ））。尚、コア径及びクラッド径の数値は上述の数値に限定されるものではない。
【００１９】
１−２ 熱処理によって作製する方法
図２に示すように、石英ガラスチューブ２４に石英ファイバ２１が挿入され、アルミナ断熱ブロック２２によって断熱されたＳｉＣヒータ２３上に石英ガラスチューブ２４及び石英ファイバ２１を設置する。そしてＳｉＣヒータ２３によって石英ファイバ２１の熱処理を行う。石英ガラスチューブ２４の中にはN2ガスが充填されている。熱処理は１２００〜１３００℃程度、３０〜５０時間程度行う。この熱処理により、石英ファイバ２１のコアにドーパントされているGeO2が石英ファイバ２１のコア径を広げる方向に拡散する。熱処理後、石英ファイバ２１の所望のコア径及びクラッド径の位置において切断する。これにより、図３のようなテーパファイバ２５が出来上がる。このようなテーパファイバ２５は、ファイバ外形は熱処理前の石英ファイバ２１と変わらないため、「１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法」において作製されたテーパファイバ１５に比べて取り扱いが容易である。また、石英ファイバ２１の外側を保護シートで覆うことも簡単にできる。
【００２０】
１−３ ＣＶＤ法を用いて作製する方法
図４（ａ）に示すように、石英基板又はSi基板３１上に熱処理によってSiO2膜を形成する。またはSi基板３１上にＣＶＤ法でSiO2膜３２を成膜する。次にSiO2膜３２上にテーパ状のレジストマスク３３を形成し（図４（ｂ））、更にＣＶＤ法でSiO2GeO2膜３４を堆積させる（図４（ｃ））。そしてリフトオフによってレジストマスク３３とレジストマスク３３上に堆積したSiO2GeO2膜３４を除去し（図４（ｄ））、残ったSiO2GeO2膜３４の上方までSiO2膜３５をＣＶＤ法で成長させる（図４（ｅ））。これにより図５で示すようなテーパ状の光導波路３６が完成する。
【００２１】
１−４ テーパファイバの特徴
上記１−１〜１−３において、テーパファイバの作製方法を説明したが、後述する光源から出射されたビーム光のテーパファイバの入射端面における直径及びテーパファイバの入射端側におけるビーム光の開口数、テーパファイバの入射端及び出射端のコア径及び開口数の関係を、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ ・・・（１）
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ ・・・（２）
（但し、Ｄｉｎはテーパファイバの入射端のコアの直径又は長辺側の長さ、ＮＡｉｎはテーパファイバの入射端のコアの開口数、Ｄｏｕｔはテーパファイバの出射端のコアの直径又は長辺側の長さ、ＮＡｏｕｔはテーパファイバの出射端のコアの開口数、Ｄｂｅａｍはテーパファイバの入射端に入射されるビーム光の入射端面における直径、ＮＡｂｅａｍはテーパファイバの入射端側におけるビーム光の開口数）
と規定することで、入射端におけるビーム光の結合効率が上げることができる。図１３にテーパファイバと各変数の関係を示す。図１３（ａ）は図１で示したテーパファイバ１５について示したものであり、図１３（ｂ）はテーパファイバ１５の入射端面１３ａにおけるコア１３０のコア径Ｄｉｎ及びコア１３０に入射されるビーム光（領域１３１の部分）の直径Ｄｂｅａｍを示したものである。尚、図５に示すテーパファイバ３６のように、入射端及び出射端のコアの形状が矩形である場合は、Ｄｉｎを入射端のコアの長辺側の長さ、Ｄｏｕｔを出射端のコアの長辺側の長さとする。
【００２２】
上記式（１）及び式（２）を満足するように項目を規定することによって、テーパファイバにおけるレーザ光の伝播ロスが減少し、光利用効率の高いテーパファイバとすることができる。更に、ビーム光の入射光量を低減することができるため、テーパファイバの入射端の汚染も減り、テーパファイバ及びテーパファイバを備える光源モジュールを寿命を長くすることができる。
【００２３】
２．光源モジュール
次に「１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法」に基づいて作製されたテーパファイバ１５を用いた光源モジュール４０について図６を用いて説明する。図６に示すように光源モジュール４０は、半導体レーザ素子４１と、半導体レーザ素子４１から射出されて窓４３を通過したビーム光を集光してテーパファイバ１５の入射端面に結合させる集光レンズ４４（入射光学系）と、集光レンズ４４によって結合されたビーム光を入射するテーパファイバ１５と、テーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触された導波方向にコア断面積が一定である光ファイバ４５（第２光導波路）とが順に配設されている。ここで、テーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触される光ファイバ４５のテーパファイバ１５側の端面のコア径は、損失を防ぐためにテーパファイバ１５の出射端面のコア径以上であることが好ましい。また、半導体レーザ素子４１は、ＣＡＮタイプの安価なパッケージ４２で気密封止され、半導体レーザ素子４１を大気による汚染から保護する構造となっている。
【００２４】
図７は、光源モジュール４０の概略形状を示す平面図である。本実施の形態による光源モジュール４０は、銅または銅合金からなるヒートブロック（放熱ブロック）７４上に配列固定された一例として８個のＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８（図６における半導体レーザ素子４０に相当）と、コリメータレンズアレイ７２と、集光レンズ４４とを備え、集光レンズ４４によって集光されたビーム光をテーパファイバ１５が入射可能なように構成されている。
【００２５】
尚、図７は本実施の形態の光源モジュール４０の基本構成を示すものであり、コリメータレンズアレイ７２および集光レンズ４４の形状は概略的に示してある。また図の煩雑化を避けるため、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８のうち両端に配されている素子ＬＤ１およびＬＤ８にのみ符号を付し、またレーザ光Ｂ１〜Ｂ８のうちＢ１およびＢ８にのみ符号を付してある。尚、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８は、例えばＡｌＮからなるサブマウント上に固設されたものをヒートブロック７４に取り付けてもよい。
【００２６】
これらのＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１〜８は、それぞれコリメータレンズアレイ７２によって平行光化される。
【００２７】
平行光とされたレーザ光Ｂ１〜８は、集光レンズ４４によって集光される。テーパファイバ１５はフェルール４６に挿入されており、テーパファイバ１５の光入射端がレーザ光収束位置に一致するように、フェルール４６ごと配置される。本例ではコリメータレンズアレイ７２よび集光レンズ４４によって集光光学系が構成され、それとテーパファイバ１５とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ４４によって集光されたレーザ光Ｂ１〜８はテーパファイバ１５のコアに入射してテーパファイバ１５内を伝搬し、更にテーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触された光ファイバ４５内を伝播して光ファイバ４５の出射端面から出射する。また、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８には、配線４８を介して駆動電流が供給される。
【００２８】
図８に示すように、光ファイバ４５は外形１２５［μｍ］程度、コア径５０［μｍ］程度のものを用い、光ファイバ４５は内径が１２５［μｍ］より大きいジルコニア等のフェルール５１に挿入され、接着剤等で固定される。フェルール５１の内径と外形は精密に加工されており、１［μｍ］以下の高精度で加工されている。またフェルール５１の外形に対して光ファイバ４５の偏芯量は１［μｍ］以下と高精度に加工されている。このような構造は光ファイバとして一般的に使用されており、信頼性は非常に高い。
【００２９】
また、光源モジュール４０において、半導体レーザ素子４１はＣＡＮタイプのパッケージ４２によって気密封止されているが、テーパファイバ１５及び光ファイバ４５は気密封止されていない。光ファイバの出力端が気密封止されていないときの特性について図９及び図１０を用いて説明する。一般的な実験室、室内の環境で、波長３９０〜４１０［ｎｍ］、ＬＤパワー５０〜１００［ｍＷ］の推定寿命１万時間以上のGaN系の半導体レーザを、ビーム径が２０×４０［μｍ］の楕円形状となるようにビーム成形し、コア径５０〜１００［μｍ］で外形が１２５［μｍ］の光ファイバの入射端面に入射した。このときの通電時間（入射時間）と光出力の関係を図９に示す。半導体レーザ素子の駆動電流を一定にして光ファイバの入射端面に長時間入射すると、４０００〜５０００時間で透過率が入射直後の５０〜６０％となった。
【００３０】
この時の光ファイバの入射端面を観測すると、図１０に示すように入射端面のコアの表面に堆積物が付着していた。６１は光ファイバであり、６２は光ファイバ６１の入射端面に付着した堆積物である。この堆積物６２を金属顕微鏡で観測すると、色が変化して見え、中央から周囲に向かって楕円の縞模様が見られた。更に堆積物６２をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）又はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観測すると、ビームの中心付近が高く盛り上がるように見られた。この観測された堆積物６２においては、ビーム光の光パワー密度の最も高い位置に相当する位置の厚さが最大であった。これより、堆積物６２の厚さは光パワー密度に依存することが言える。また具体的には、ＡＦＭの観測による堆積物６２の厚さは数百〜数千［ｎｍ］であり、堆積物６２をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光）分析によって観測すると、Si系の有機化合物であることが分かった。
【００３１】
更に、従来から用いられてきた光源モジュールと本実施の形態の光源モジュール４０の特性を測定した。表１は従来の光源モジュールと本実施の形態の光源モジュール４０の各種測定条件と光パワー密度を示したものである。本測定で用いた半導体レーザ素子の推定寿命は２万時間以上、発振波長３９０［ｎｍ］〜４１０［ｎｍ］、出力定格２００［ｍＷ］のGaN系の半導体レーザを出射開始時点で２００［ｍＷ］、ＡＣＣ駆動で通電させた。本実施の形態の光源モジュール４０の入射端側の光パワー密度は従来の光源モジュールの約１／１０程度に減少しているため、汚染物質の付着が低減され、光源モジュール４０の長寿命化を実現できた。結果として、本実施の形態の光源モジュール４０の寿命は従来の光源モジュールの寿命より約３倍長くなった。
【表１】
【００３２】
更に、ＬＤパワー２００［ｍＷ］のレーザ光の入力ビーム径を変化させたときの、光源モジュール４０の寿命を測定した。表２はそれぞれの入力ビーム径に対する光パワー密度を示している。
【表２】
【００３３】
また図１１は表２に示した各光パワー密度に対する光源モジュール４０の寿命を示したグラフである。図１２は各光パワー密度における通電時間（入射時間）に対する光出力の関係を、光ファイバの入射端面を気密封止した場合の測定データを加えて示したグラフである。ここで、光源モジュール４０の寿命とは、半導体レーザ素子４１の駆動電流を一定にして連続してレーザ光を出射し、テーパファイバ１５の入射端面における光パワー密度が入射直後の約６０％になるまでにかかった時間である。図１１に示すように、光パワー密度が０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下の時は寿命が１４０００時間を超える結果となった。これより、光パワー密度が０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下となるようなレーザ光をテーパファイバ１５に入射させることによって、光源モジュール４０を長寿命化することが可能である。
【００３４】
尚、半導体レーザ素子４１の出射するレーザ光のビーム径が大きく、光パワー密度が低いため、光源モジュール４０における入射光学系４４等の他の光学系に対する汚染物質の付着による劣化は観測されなかった。
【００３５】
以上、説明したように、光源モジュール４０に用いる光導波路として、入射端面のコア径が出射端面のコア径より大きいテーパファイバ１５を配設することによって、光パワー密度が低くなり、汚染物質の付着を低減させることができる。更にテーパファイバ１５の出射端面のコア径は小さいので、高パワー密度の出射光が得られ、面積あたりの光パワーの大きい高輝度なレーザ光が得られる。更に、半導体レーザ素子４１のみをパッケージによって気密封止するため、安価で高い信頼性の光源モジュールを実現できる。
【００３６】
また、テーパファイバ１５の出射端側に汎用品である光ファイバ４５を融着又は接触することにより、コア形状の特殊なテーパファイバ１５はビーム光の入射側のみに配設すればよく、自由度の高い光源モジュールの設計が可能である。
【００３７】
尚、本実施の形態において記載したテーパファイバ１５及び光ファイバ４５のコア径及びクラッド径等は上記の数値に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ガスバーナーで加熱してテーパファイバを作製する方法を説明するための図
【図２】熱処理によってテーパファイバを作製する方法を説明するための図
【図３】熱処理によって作製されたテーパファイバの概略断面図
【図４】ＣＶＤ法を用いて光導波路を作製する方法を説明するための図
【図５】ＣＶＤ法を用いて作製された光導波路の斜視図
【図６】光源モジュールの概略構成図
【図７】光源モジュールの概略形状を示す平面図
【図８】光ファイバの一端側を説明するための図
【図９】気密封止されていない光ファイバの通電時間に対する光出力を示したグラフ
【図１０】気密封止されていない光ファイバの入射側の断面図
【図１１】各光パワー密度に対する光源モジュールの寿命を示したグラフ
【図１２】各光パワー密度における通電時間に対する光出力の関係を示したグラフ
【図１３】テーパファイバと各変数の関係を示した図
【符号の説明】
【００３９】
１５ テーパファイバ
４０ 光源モジュール
４１ 半導体レーザ素子
４２ パッケージ
４３ 窓
４４ 集光レンズ
４５ 光ファイバ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源と、光導波路と、光源から出射した光を光導波路の一端側に結合させる入射光学系とを備えた光源モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光ファイバの入射端面に結合させる入射光学系とを備えた光源モジュールが光通信部品として一般的に知られている。光源モジュール内部においては、半導体レーザ素子と光ファイバの入射端面とが光学的に結合された状態をマイクロメートルオーダで安定に維持するために、光ファイバ及び入射光学系等は、ハンダ又は接着剤等の接着手段を用いて固定されている。
【０００３】
このような光学モジュールは、一般的に、外気の湿気等によるレーザ劣化を防ぐために、光源モジュールの入ったパッケージを気密封止する。例えば、ＣＡＮパッケージに代表される構造は、半導体レーザ素子及びレーザ端面を保護する封止構造として代表的である。このような光源モジュールにおいて、気密封止されたパッケージ内に残存する汚染物質が半導体レーザ素子の出射端面、入射光学系及び光ファイバ等の光学部品に付着して、レーザ特性を劣化させるという問題があった。特に、光密度の高い部分において汚染物質が多く付着する（集塵効果）。更に、３５０〜５００［ｎｍ］（４００［ｎｍ］帯）の波長のレーザ光を出射するＧａＮ系半導体レーザ素子等のを備えた光源モジュールにおいては、光子エネルギーが高く、物質との光化学反応が起こりやすいため、集塵効果がより顕著に現れる。
【０００４】
汚染物質の１つとしては、製造工程の雰囲気中から混入される炭化水素化合物等が挙げられ、この炭化水素化合物にレーザ光で重合或いは分解された分解物が付着し、光出力の向上を妨げることが知られている。
【０００５】
そこで特許文献１には、光ファイバの入射端面の汚染を抑制するために、レーザ光に活性な酸化チタン薄膜や窒素をドープした酸化チタン薄膜の光触媒で光ファイバの入射端面をコートする技術が開示されている。また、特許文献２には、ガラスブロック等の透明体を入射端面に密着させて入射端面を保護する技術が開示されている。更に、特許文献３には、パッケージの窓の外側に光ファイバの入射端面を密着させることにより、汚染物質の付着を抑制する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１７９５９５号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３７８３号公報
【特許文献３】特開２００４−２５２４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、半導体レーザ素子や光ファイバ等の精密光学部品は、汚染物質から守るためにパッケージを気密封止する。しかし形状が様々な光学系を気密封止するパッケージは汎用性がなく特注となるため、数千円〜数万円のコストがかかり、光源モジュールのコストアップの問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、コストを抑えて汚染物質の付着を抑制し、高い信頼性を有する光源モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するために、１つ又は複数の光源と、光を入射端から入射し、出射端から出射する第１光導波路と、光源から出射された光を集光し、第１光導波路の入射端面に結合させる入射光学系とを備える光源モジュールにおいて、第１光導波路の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいものであることとする。
【０００９】
ここで、第１光導波路は光ファイバであってもよい。「第１光導波路の入射端のコア断面積が出射端のコア断面積より大きいもの」として、例えばテーパ状の光導波路とすることが好ましい。
【００１０】
また、第１光導波路の出射端側に、導波方向にコア断面積が一定である第２光導波路が融着もしくは接触されているものであることとしてもよい。更に、第２光導波路が光ファイバであることとしてもよい。ここで、第１光導波路の出射端側に融着又は接触される第２光導波路の第１光導波路側の端面のコア径は、第１光導波路の出射端面のコア径より大きいことが好ましい。
【００１１】
そして、光源が１つ又は複数の半導体レーザ素子より発せられたレーザ光を出射するものであり、該レーザ光の発振波長が３５０［ｎｍ］〜４５０［ｎｍ］であることとしてもよい。ここで、第１光導波路の入射端面に入射されるレーザ光のパワー密度は、０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下であることが好ましい。
【００１２】
また、光源が１つのシングルモードキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられたシングルキャビティ半導体レーザ素子、１つのマルチキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられた複数のマルチキャビティ半導体レーザ素子、及びシングルキャビティ半導体レーザ素子とマルチキャビティ半導体レーザ素子の組み合わせのうち何れか１つであることとしてもよい。
【００１３】
尚、シングルキャビティ半導体レーザ素子とは、横モードがシングルモードの半導体レーザ素子であり、マルチキャビティ半導体レーザ素子とは、横モードがマルチモードの半導体レーザ素子である。「アレイ状に並べられた」とは、例えば、個々の半導体レーザ素子のチップを個別に並べたもの、又は同一基板に発光点が２以上あるものを言う。
【００１４】
また、第１光導波路の入射端に入射される光の入射端面における光の直径をＤｂｅａｍ、該光の前記第１光導波路の入射端側における開口数をＮＡｂｅａｍ、第１光導波路の入射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｉｎ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｉｎ、第１光導波路の出射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｏｕｔ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｏｕｔとしたとき、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ
を満足することとしてもよい。
【００１５】
尚、第１光導波路の入射端、出射端のコアの断面が円筒形である場合はＤｉｎ、Ｄｏｕｔをコアの直径とし、矩形状である場合はＤｉｎ、Ｄｏｕｔをコアの長辺側の長さとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本実施の形態の光源モジュールについて、図を参考にして説明する。
【００１７】
１．テーパファイバの作り方
まずテーパファイバ（第１導波路）の作製方法を説明する。
【００１８】
１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法
最初にコア径２００［μｍ］、クラッド径４００［μｍ］の石英ファイバ１１の所定部分を例えばガスバーナー１２で石英の融点前後まで加熱する（図１（ａ））。次に加熱部分が軟化した直後に石英ファイバ１１の一端側方向及び他端側方向（矢印Ｘ方向）に均一の力で延伸する（図１（ｂ））。これにより、一端側端面１３ａ及び他端側端面１３ｂのコア径が２００［μｍ］、クラッド径が４００［μｍ］、例えば加熱部分１４のコア径が５０［μｍ］、クラッド径が１００［μｍ］となる。そして光ファイバ１１の所望のコア径及びクラッド径の位置において切断することにより（図１（ｃ）；例えば切断位置Ｙ）、一端側端面１３ａのコア径が他端側端面１４のコア径より大きいテーパファイバ１５が出来上がる（図１（ｄ））。尚、コア径及びクラッド径の数値は上述の数値に限定されるものではない。
【００１９】
１−２ 熱処理によって作製する方法
図２に示すように、石英ガラスチューブ２４に石英ファイバ２１が挿入され、アルミナ断熱ブロック２２によって断熱されたＳｉＣヒータ２３上に石英ガラスチューブ２４及び石英ファイバ２１を設置する。そしてＳｉＣヒータ２３によって石英ファイバ２１の熱処理を行う。石英ガラスチューブ２４の中にはN2ガスが充填されている。熱処理は１２００〜１３００℃程度、３０〜５０時間程度行う。この熱処理により、石英ファイバ２１のコアにドーパントされているGeO2が石英ファイバ２１のコア径を広げる方向に拡散する。熱処理後、石英ファイバ２１の所望のコア径及びクラッド径の位置において切断する。これにより、図３のようなテーパファイバ２５が出来上がる。このようなテーパファイバ２５は、ファイバ外形は熱処理前の石英ファイバ２１と変わらないため、「１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法」において作製されたテーパファイバ１５に比べて取り扱いが容易である。また、石英ファイバ２１の外側を保護シートで覆うことも簡単にできる。
【００２０】
１−３ ＣＶＤ法を用いて作製する方法
図４（ａ）に示すように、石英基板又はSi基板３１上に熱処理によってSiO2膜を形成する。またはSi基板３１上にＣＶＤ法でSiO2膜３２を成膜する。次にSiO2膜３２上にテーパ状のレジストマスク３３を形成し（図４（ｂ））、更にＣＶＤ法でSiO2GeO2膜３４を堆積させる（図４（ｃ））。そしてリフトオフによってレジストマスク３３とレジストマスク３３上に堆積したSiO2GeO2膜３４を除去し（図４（ｄ））、残ったSiO2GeO2膜３４の上方までSiO2膜３５をＣＶＤ法で成長させる（図４（ｅ））。これにより図５で示すようなテーパ状の光導波路３６が完成する。
【００２１】
１−４ テーパファイバの特徴
上記１−１〜１−３において、テーパファイバの作製方法を説明したが、後述する光源から出射されたビーム光のテーパファイバの入射端面における直径及びテーパファイバの入射端側におけるビーム光の開口数、テーパファイバの入射端及び出射端のコア径及び開口数の関係を、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ ・・・（１）
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ ・・・（２）
（但し、Ｄｉｎはテーパファイバの入射端のコアの直径又は長辺側の長さ、ＮＡｉｎはテーパファイバの入射端のコアの開口数、Ｄｏｕｔはテーパファイバの出射端のコアの直径又は長辺側の長さ、ＮＡｏｕｔはテーパファイバの出射端のコアの開口数、Ｄｂｅａｍはテーパファイバの入射端に入射されるビーム光の入射端面における直径、ＮＡｂｅａｍはテーパファイバの入射端側におけるビーム光の開口数）
と規定することで、入射端におけるビーム光の結合効率が上げることができる。図１３にテーパファイバと各変数の関係を示す。図１３（ａ）は図１で示したテーパファイバ１５について示したものであり、図１３（ｂ）はテーパファイバ１５の入射端面１３ａにおけるコア１３０のコア径Ｄｉｎ及びコア１３０に入射されるビーム光（領域１３１の部分）の直径Ｄｂｅａｍを示したものである。尚、図５に示すテーパファイバ３６のように、入射端及び出射端のコアの形状が矩形である場合は、Ｄｉｎを入射端のコアの長辺側の長さ、Ｄｏｕｔを出射端のコアの長辺側の長さとする。
【００２２】
上記式（１）及び式（２）を満足するように項目を規定することによって、テーパファイバにおけるレーザ光の伝播ロスが減少し、光利用効率の高いテーパファイバとすることができる。更に、ビーム光の入射光量を低減することができるため、テーパファイバの入射端の汚染も減り、テーパファイバ及びテーパファイバを備える光源モジュールを寿命を長くすることができる。
【００２３】
２．光源モジュール
次に「１−１ ガスバーナーで加熱して作製する方法」に基づいて作製されたテーパファイバ１５を用いた光源モジュール４０について図６を用いて説明する。図６に示すように光源モジュール４０は、半導体レーザ素子４１と、半導体レーザ素子４１から射出されて窓４３を通過したビーム光を集光してテーパファイバ１５の入射端面に結合させる集光レンズ４４（入射光学系）と、集光レンズ４４によって結合されたビーム光を入射するテーパファイバ１５と、テーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触された導波方向にコア断面積が一定である光ファイバ４５（第２光導波路）とが順に配設されている。ここで、テーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触される光ファイバ４５のテーパファイバ１５側の端面のコア径は、損失を防ぐためにテーパファイバ１５の出射端面のコア径以上であることが好ましい。また、半導体レーザ素子４１は、ＣＡＮタイプの安価なパッケージ４２で気密封止され、半導体レーザ素子４１を大気による汚染から保護する構造となっている。
【００２４】
図７は、光源モジュール４０の概略形状を示す平面図である。本実施の形態による光源モジュール４０は、銅または銅合金からなるヒートブロック（放熱ブロック）７４上に配列固定された一例として８個のＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８（図６における半導体レーザ素子４０に相当）と、コリメータレンズアレイ７２と、集光レンズ４４とを備え、集光レンズ４４によって集光されたビーム光をテーパファイバ１５が入射可能なように構成されている。
【００２５】
尚、図７は本実施の形態の光源モジュール４０の基本構成を示すものであり、コリメータレンズアレイ７２および集光レンズ４４の形状は概略的に示してある。また図の煩雑化を避けるため、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８のうち両端に配されている素子ＬＤ１およびＬＤ８にのみ符号を付し、またレーザ光Ｂ１〜Ｂ８のうちＢ１およびＢ８にのみ符号を付してある。尚、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８は、例えばＡｌＮからなるサブマウント上に固設されたものをヒートブロック７４に取り付けてもよい。
【００２６】
これらのＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１〜８は、それぞれコリメータレンズアレイ７２によって平行光化される。
【００２７】
平行光とされたレーザ光Ｂ１〜８は、集光レンズ４４によって集光される。テーパファイバ１５はフェルール４６に挿入されており、テーパファイバ１５の光入射端がレーザ光収束位置に一致するように、フェルール４６ごと配置される。本例ではコリメータレンズアレイ７２よび集光レンズ４４によって集光光学系が構成され、それとテーパファイバ１５とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ４４によって集光されたレーザ光Ｂ１〜８はテーパファイバ１５のコアに入射してテーパファイバ１５内を伝搬し、更にテーパファイバ１５の出射端側に融着又は接触された光ファイバ４５内を伝播して光ファイバ４５の出射端面から出射する。また、ＧａＮ系半導体レーザ素子ＬＤ１〜８には、配線４８を介して駆動電流が供給される。
【００２８】
図８に示すように、光ファイバ４５は外形１２５［μｍ］程度、コア径５０［μｍ］程度のものを用い、光ファイバ４５は内径が１２５［μｍ］より大きいジルコニア等のフェルール５１に挿入され、接着剤等で固定される。フェルール５１の内径と外形は精密に加工されており、１［μｍ］以下の高精度で加工されている。またフェルール５１の外形に対して光ファイバ４５の偏芯量は１［μｍ］以下と高精度に加工されている。このような構造は光ファイバとして一般的に使用されており、信頼性は非常に高い。
【００２９】
また、光源モジュール４０において、半導体レーザ素子４１はＣＡＮタイプのパッケージ４２によって気密封止されているが、テーパファイバ１５及び光ファイバ４５は気密封止されていない。光ファイバの出力端が気密封止されていないときの特性について図９及び図１０を用いて説明する。一般的な実験室、室内の環境で、波長３９０〜４１０［ｎｍ］、ＬＤパワー５０〜１００［ｍＷ］の推定寿命１万時間以上のGaN系の半導体レーザを、ビーム径が２０×４０［μｍ］の楕円形状となるようにビーム成形し、コア径５０〜１００［μｍ］で外形が１２５［μｍ］の光ファイバの入射端面に入射した。このときの通電時間（入射時間）と光出力の関係を図９に示す。半導体レーザ素子の駆動電流を一定にして光ファイバの入射端面に長時間入射すると、４０００〜５０００時間で透過率が入射直後の５０〜６０％となった。
【００３０】
この時の光ファイバの入射端面を観測すると、図１０に示すように入射端面のコアの表面に堆積物が付着していた。６１は光ファイバであり、６２は光ファイバ６１の入射端面に付着した堆積物である。この堆積物６２を金属顕微鏡で観測すると、色が変化して見え、中央から周囲に向かって楕円の縞模様が見られた。更に堆積物６２をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）又はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観測すると、ビームの中心付近が高く盛り上がるように見られた。この観測された堆積物６２においては、ビーム光の光パワー密度の最も高い位置に相当する位置の厚さが最大であった。これより、堆積物６２の厚さは光パワー密度に依存することが言える。また具体的には、ＡＦＭの観測による堆積物６２の厚さは数百〜数千［ｎｍ］であり、堆積物６２をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光）分析によって観測すると、Si系の有機化合物であることが分かった。
【００３１】
更に、従来から用いられてきた光源モジュールと本実施の形態の光源モジュール４０の特性を測定した。表１は従来の光源モジュールと本実施の形態の光源モジュール４０の各種測定条件と光パワー密度を示したものである。本測定で用いた半導体レーザ素子の推定寿命は２万時間以上、発振波長３９０［ｎｍ］〜４１０［ｎｍ］、出力定格２００［ｍＷ］のGaN系の半導体レーザを出射開始時点で２００［ｍＷ］、ＡＣＣ駆動で通電させた。本実施の形態の光源モジュール４０の入射端側の光パワー密度は従来の光源モジュールの約１／１０程度に減少しているため、汚染物質の付着が低減され、光源モジュール４０の長寿命化を実現できた。結果として、本実施の形態の光源モジュール４０の寿命は従来の光源モジュールの寿命より約３倍長くなった。
【表１】
【００３２】
更に、ＬＤパワー２００［ｍＷ］のレーザ光の入力ビーム径を変化させたときの、光源モジュール４０の寿命を測定した。表２はそれぞれの入力ビーム径に対する光パワー密度を示している。
【表２】
【００３３】
また図１１は表２に示した各光パワー密度に対する光源モジュール４０の寿命を示したグラフである。図１２は各光パワー密度における通電時間（入射時間）に対する光出力の関係を、光ファイバの入射端面を気密封止した場合の測定データを加えて示したグラフである。ここで、光源モジュール４０の寿命とは、半導体レーザ素子４１の駆動電流を一定にして連続してレーザ光を出射し、テーパファイバ１５の入射端面における光パワー密度が入射直後の約６０％になるまでにかかった時間である。図１１に示すように、光パワー密度が０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下の時は寿命が１４０００時間を超える結果となった。これより、光パワー密度が０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下となるようなレーザ光をテーパファイバ１５に入射させることによって、光源モジュール４０を長寿命化することが可能である。
【００３４】
尚、半導体レーザ素子４１の出射するレーザ光のビーム径が大きく、光パワー密度が低いため、光源モジュール４０における入射光学系４４等の他の光学系に対する汚染物質の付着による劣化は観測されなかった。
【００３５】
以上、説明したように、光源モジュール４０に用いる光導波路として、入射端面のコア径が出射端面のコア径より大きいテーパファイバ１５を配設することによって、光パワー密度が低くなり、汚染物質の付着を低減させることができる。更にテーパファイバ１５の出射端面のコア径は小さいので、高パワー密度の出射光が得られ、面積あたりの光パワーの大きい高輝度なレーザ光が得られる。更に、半導体レーザ素子４１のみをパッケージによって気密封止するため、安価で高い信頼性の光源モジュールを実現できる。
【００３６】
また、テーパファイバ１５の出射端側に汎用品である光ファイバ４５を融着又は接触することにより、コア形状の特殊なテーパファイバ１５はビーム光の入射側のみに配設すればよく、自由度の高い光源モジュールの設計が可能である。
【００３７】
尚、本実施の形態において記載したテーパファイバ１５及び光ファイバ４５のコア径及びクラッド径等は上記の数値に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ガスバーナーで加熱してテーパファイバを作製する方法を説明するための図
【図２】熱処理によってテーパファイバを作製する方法を説明するための図
【図３】熱処理によって作製されたテーパファイバの概略断面図
【図４】ＣＶＤ法を用いて光導波路を作製する方法を説明するための図
【図５】ＣＶＤ法を用いて作製された光導波路の斜視図
【図６】光源モジュールの概略構成図
【図７】光源モジュールの概略形状を示す平面図
【図８】光ファイバの一端側を説明するための図
【図９】気密封止されていない光ファイバの通電時間に対する光出力を示したグラフ
【図１０】気密封止されていない光ファイバの入射側の断面図
【図１１】各光パワー密度に対する光源モジュールの寿命を示したグラフ
【図１２】各光パワー密度における通電時間に対する光出力の関係を示したグラフ
【図１３】テーパファイバと各変数の関係を示した図
【符号の説明】
【００３９】
１５ テーパファイバ
４０ 光源モジュール
４１ 半導体レーザ素子
４２ パッケージ
４３ 窓
４４ 集光レンズ
４５ 光ファイバ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数の光源と、
光を入射端から入射し、出射端から出射する第１光導波路と、
前記光源から出射された光を集光し、前記第１光導波路の入射端面に結合させる入射光学系とを備える光源モジュールにおいて、
前記第１光導波路の入射端のコア断面積が前記出射端のコア断面積より大きいものであることを特徴とする光源モジュール。
【請求項２】
前記第１光導波路が光ファイバであることを特徴とする請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項３】
前記第１光導波路の出射端側に、導波方向にコア断面積が一定である第２光導波路が融着もしくは接触されているものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源モジュール。
【請求項４】
前記第２光導波路が光ファイバであることを特徴とする請求項３に記載の光源モジュール。
【請求項５】
前記光源が１つ又は複数の半導体レーザ素子より発せられたレーザ光を出射するものであり、該レーザ光の発振波長が３５０［ｎｍ］〜４５０［ｎｍ］であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の光源モジュール。
【請求項６】
前記第１光導波路の入射端面に入射されるレーザ光のパワー密度が、０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下であることを特徴とする請求項５に記載の光源モジュール。
【請求項７】
前記光源が１つのシングルモードキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられたシングルキャビティ半導体レーザ素子、１つのマルチキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられた複数のマルチキャビティ半導体レーザ素子、及びシングルキャビティ半導体レーザ素子とマルチキャビティ半導体レーザ素子の組み合わせのうち何れか１つであることを特徴とする請求項５又は６に記載の光源モジュール。
【請求項８】
前記第１光導波路の入射端に入射される光の前記入射端面における光の直径をＤｂｅａｍ、該光の前記第１光導波路の入射端側における開口数をＮＡｂｅａｍ、前記第１光導波路の入射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｉｎ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｉｎ、前記第１光導波路の出射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｏｕｔ、前記第１光導波路の出射端のコアの開口数をＮＡｏｕｔとしたとき、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ
を満足することを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の光源モジュール。
【請求項１】
１つ又は複数の光源と、
光を入射端から入射し、出射端から出射する第１光導波路と、
前記光源から出射された光を集光し、前記第１光導波路の入射端面に結合させる入射光学系とを備える光源モジュールにおいて、
前記第１光導波路の入射端のコア断面積が前記出射端のコア断面積より大きいものであることを特徴とする光源モジュール。
【請求項２】
前記第１光導波路が光ファイバであることを特徴とする請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項３】
前記第１光導波路の出射端側に、導波方向にコア断面積が一定である第２光導波路が融着もしくは接触されているものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源モジュール。
【請求項４】
前記第２光導波路が光ファイバであることを特徴とする請求項３に記載の光源モジュール。
【請求項５】
前記光源が１つ又は複数の半導体レーザ素子より発せられたレーザ光を出射するものであり、該レーザ光の発振波長が３５０［ｎｍ］〜４５０［ｎｍ］であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の光源モジュール。
【請求項６】
前記第１光導波路の入射端面に入射されるレーザ光のパワー密度が、０．０８［ｍＷ／μｍ２］以下であることを特徴とする請求項５に記載の光源モジュール。
【請求項７】
前記光源が１つのシングルモードキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられたシングルキャビティ半導体レーザ素子、１つのマルチキャビティ半導体レーザ素子、アレイ状に並べられた複数のマルチキャビティ半導体レーザ素子、及びシングルキャビティ半導体レーザ素子とマルチキャビティ半導体レーザ素子の組み合わせのうち何れか１つであることを特徴とする請求項５又は６に記載の光源モジュール。
【請求項８】
前記第１光導波路の入射端に入射される光の前記入射端面における光の直径をＤｂｅａｍ、該光の前記第１光導波路の入射端側における開口数をＮＡｂｅａｍ、前記第１光導波路の入射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｉｎ、前記第１光導波路の入射端のコアの開口数をＮＡｉｎ、前記第１光導波路の出射端のコアの直径又は長辺側の長さをＤｏｕｔ、前記第１光導波路の出射端のコアの開口数をＮＡｏｕｔとしたとき、
Ｄｉｎ×ＮＡｉｎ＝Ｄｏｕｔ×ＮＡｏｕｔ
であって、
Ｄｂｅａｍ＜Ｄｉｎ 且つ ＮＡｂｅａｍ＜ＮＡｉｎ
を満足することを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の光源モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００６−３０９１４６（Ｐ２００６−３０９１４６Ａ）
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３８１５（Ｐ２００６−１３８１５）
【出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月９日（２００６．１１．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
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