光電池の転写方法
電極の調製方法と、関連した部品、システムおよび方法とを開示する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光電池の調製方法と、関連した部品、システムおよび方法とに関する。
【背景技術】
【0002】
光電池は、光形態のエネルギーを電気形態のエネルギーへ変換するために一般に用いられる。典型的な光電池は、2つの電極の間に配置された光活性材料を備える。一般に、光は一方または両方の電極を通過して、光活性材料と相互作用し、太陽エネルギーが電気エネルギーに変換される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0003】
一態様では、本発明は、光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる工程を含む方法を特徴とする。
別の態様では、本発明は、圧着加工を用いて光電池を形成する工程を含む方法を特徴とする。
【0004】
実施形態には、次の態様のうちの1つ以上が含まれてよい。
方法は、約100℃以上(例えば、約150℃以上、約200℃以上、約250℃以上または約300℃以上)までダイを加熱する工程を、さらに含んでよい。
【0005】
接触させる工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上(例えば、約6.895MPa(約1,000psi)以上または約34.47MPa(約5,000psi)以上)の圧力を加える工程を含んでよい。
【0006】
方法は、光電池と第1の層との間に放出層を配置する工程を、さらに含んでよい。一部の実施形態では、放出層はポリエステル(例えば、脂肪族ポリエステル)またはポリエチレン(例えば、低分子量ポリエチレン)を含む。
【0007】
光電池は接触層と第1の層との間に配置可能である。一部の実施形態では、接触層は接着剤(例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマー)を含んでよい。
【0008】
光電池は光活性材料を含んでよい。一実施形態では、光活性材料は電子供与性材料および電子受容性材料を含んでよい。一部の実施形態では、光活性材料は相互接続した感光性ナノ粒子材料を含んでよい。一部の実施形態では、光活性材料はアモルファスシリコンまたは銅インジウムガリウムセレン化物(CuInGaSe2;CIGS)を含む。
【0009】
電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0010】
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレンおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0011】
相互接続した感光性ナノ粒子材料は、セレン化物、硫化物、テルル化物、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニウム酸化物およびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0012】
ダイは、少なくとも一部が湾曲しているダイ上の表面で、第1の層と接触してよい。
第2の層は、少なくとも一部が湾曲している第2の層上の表面で、光電池を受容してよい。
【0013】
第1の層または第2の層はフレキシブル基板を含んでよい。一部の実施形態では、第1の層または第2の層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせから選択されたポリマーを含んでよい。
【0014】
他の特徴および利点は、明細書、図面および特許請求の範囲から明らかとなる。
様々な図面において、同様の参照符号は同様の要素を示す。
一般に、本開示は光電モジュールまたは光電池の転写方法に関する。
【0015】
一部の実施形態では、次の圧着加工法によって、1つ以上の光電池を含む光電モジュールを層へ転写することが可能である。ダイ(例えば、熱圧着ダイ)の表面(例えば、湾曲面)を第1の層(例えば、フレキシブル基板)の背面と接触させる。第1の層の前面を、光電モジュールでコーティングする。次いで、第1の層の前面を、受容層として作用する第2の層と接触させる。ダイへ圧力が加えられると、第1の層の前面上の光電モジュールは第2の層へ転写されて付着する。ダイに加えられる圧力は、約0.689MPa(約100psi)以上(例えば、約6.895MPa(約1,000psi)以上、約34.47MPa(約5,000psi)以上)である。一部の実施形態では、ダイが第1の層の背面と接触する前に、第1の層の前面を第2の層と接触させる。これらの実施形態では、第1の層から分離する前に光電モジュールを第2の層に付着させることが可能である。
【0016】
一部の実施形態では、第1の層の前面から第2の層へ光電モジュールを転写するように、ダイを適温(例えば、約100℃以上、約150℃以上、約200℃以上、約250℃以上または約300℃以上)まで加熱する。
【0017】
一部の実施形態では、光電モジュールの放出を補助するように、光電モジュールと第1の層との間に放出層が設けられてよい。放出層は圧着処理中にダイの温度以下で軟化または溶融する材料を含んでよい。そのような材料の例には、ワックスまたは低融点のポリマー(例えば、脂肪族ポリエステルまたは低分子量ポリエチレン)が含まれる。放出層の厚さは、約0.1μm以上(約0.5μm以上、約1.0μm以上)または約50μm以下(約10μm以下、約5μm以下)であってよい。一部の実施形態では、放出層は圧着処理中に軟化または溶融し、第1の層から光電モジュールが分離する。放出層の頂部、底部または頂部と底部との間の適所にて、光電モジュールを分離することが可能である。
【0018】
一部の実施形態では、光電モジュールは第1の層上の接触層と放出層との間に配置されてよい。接触層の厚さは、約0.1μm以上(約0.5μm以上、約1.0μm以上)または約50μm以下(約10μm以下、約5μm以下)であってよい。接触層は接着剤を含んでよい。一般に、接触層には、光電モジュールを定位置に保持することが可能な任意の接着剤が用いられてよい。一部の実施形態では、接着剤は感熱性接着剤、すなわち、一定の活性化温度(例えば、150℃以下、100℃以下、50℃以下)に加熱されると接着性となる材料)である。好適には、活性化温度は、圧着処理中に用いられるダイの温度以下である。感熱性接着剤の例には、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマーが含まれる。理論に拘束されることなく、接触層は光電モジュールを第2の層へ付着させることが可能であると考えられる。例えば、ダイが圧着処理中に加熱されるとき、接触層に
の感熱性接着剤は粘着性となり、光電モジュールを第2の層へ付着させる。一部の実施形態では、接着剤にはフッ素化接着剤が含まれてよい。また、接着剤は用いられる厚さで透明な材料から形成されてもよく、導電性接着剤を含んでもよい。
【0019】
一部の実施形態では、光電モジュールは、有機光電池、色素増感太陽電池(DSSC)、アモルファスシリコン太陽電池、CIGS太陽電池およびタンデム型電池のうちの1つ以上など、1つ以上の光電池を含んでよい。
【0020】
図1は、ダイ100を用いることによって平坦基板110から基板150の平坦な受容面151へ光電モジュール130を転写する、熱圧着処理の概略図である。図1に示すように、光電モジュール130は放出層120と接触層140との間に配置される。熱圧着処理中、ダイ100を適温(例えば、約100℃以上)まで加熱し、基板110と接触させる。放出層120および接触層140が軟化または溶融した後、ダイ100に圧力(例えば、約0.689MPa(約100psi)以上)を加え、接触層140が基板150に付着するように、接触層140を受容面151と接触させる。次いで、ダイ100を除去するとき、放出層120にて光電モジュール130を基板110から分離することが可能である。図2には、接触層140を通じて基板150へ付着された光電モジュール130の断面図を示す。図3には、基板110,150の両方が湾曲面を有する以外は図1に示したものと同様である処理を示す。図4には、接触層140を通じて基板150へ付着され、湾曲した受容面151に適合した光電モジュール130の断面図を示す。
【0021】
一部の実施形態では、上述の方法は、ロールツーロールプロセスまたはウェブプロセスなど、連続的な製造工程において用いられてよい。ロールツーロール法の例は、例えば、米国特許出願公開第2005−0263179号明細書に記載されている。
【0022】
一部の実施形態では、上述の方法を用いて、1つの基板から別の基板へ有機光電池を転写することが可能である。図5には、有機光電池200の断面図を示す。有機光電池200は、透明基板210、メッシュカソード220、ホールキャリア層230、光活性層(電子受容性材料および電子供与性材料を含有する)240、ホールブロック層250、アノード260、および基板270を備える。
【0023】
図6,7は、それぞれメッシュ電極の正面図、断面図を示す。図6,7に示すように、メッシュカソード220は中実領域222および開放領域224を備える。一般に、開放領域224を介して光が通過し、中実領域222を介して電子が伝導することがメッシュカソード220によって可能となるように、中実領域222は導電性材料から形成される。
【0024】
メッシュカソード220において開放領域224が占める領域(メッシュカソード220の開放面積)は、所望の通りに選択可能である。一般に、メッシュカソード220の開放面積は、メッシュカソード220の全面積のうちの約10%以上(例えば、約20%以上、約30%以上、約40%以上、約50%以上、約60%以上、約70%以上、約80%以上)、約99%以下(例えば、約95%以下、約90%以下、約85%以下)またはその両方である。
【0025】
様々な手法によってメッシュカソード220を調製することが可能である。一部の実施形態では、上述のように、メッシュ電極を層(例えば、基板)の上に圧着加工することが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220は、中実領域222を形成する材料のワイヤを織ることにより形成される、メッシュ織物である。例えば、平織り、畳織り(Dutch weave)、綾織り(twill weave)、綾畳織り、またはそれらの組み合わせを用いて、ワイヤを織ることが可能である。一定の実施形態では、
メッシュカソード220は溶接されたワイヤメッシュから形成される。一部の実施形態では、メッシュカソード220はエキスパンドメッシュ形体である。例えば、材料(例えば、金属などの導電性材料)のシートから開放領域224を取除き(例えば、レーザ除去、化学的エッチング、穿孔によって)、続いてシートを伸展する(例えば、シートを2次元に伸展する)ことによって、金属エキスパンドメッシュを調製することが可能である。一定の実施形態では、メッシュカソード220は、開放領域224を取除くこと(例えば、レーザ除去、化学的エッチング、穿孔によって)によって形成される金属シートであり、続くシートの伸展は行わない。
【0026】
一定の実施形態では、中実領域222は完全に導電性材料から形成される(例えば、中実領域222は、ほぼ一様な導電性材料から形成される)。中実領域222に用いることの可能な導電性材料の例には、導電性金属、導電性合金、および導電性ポリマーが含まれる。代表的な導電性金属には、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、白金およびチタンが含まれる。代表的な導電性合金には、ステンレス鋼(例えば、332ステンレス鋼、316ステンレス鋼)、金の合金、銀の合金、銅の合金、アルミニウム合金、ニッケル合金、パラジウム合金、白金の合金、およびチタン合金が含まれる。代表的な導電性ポリマーには、ポリチオフェン(例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT))、ポリアニリン(例えば、ドープしたポリアニリン)、ポリピロール(例えば、ドープしたポリピロール)が含まれる。一部の実施形態では、導電性材料の組み合わせが用いられる。一部の実施形態では、中実領域222の抵抗は約3オーム/平方未満であってよい。
【0027】
図8に示すように、一部の実施形態では、中実領域222は、異なる材料304でコーティング(例えば、メタライゼーションを用いて、蒸着を用いて)された材料302から形成される。一般に、材料302は任意の所望の材料(例えば、電気絶縁材料、導電性材料または半導体材料)から形成されてよく、材料304は導電性材料である。材料302を形成可能な電気絶縁材料の例には、織布、光ファイバ材料、ポリマー性材料(例えば、ナイロン)および天然材料(例えば、亜麻、木綿、羊毛、絹)が含まれる。材料302を形成可能な導電性材料の例には、上述の導電性材料が含まれる。材料302を形成可能な半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。一部の実施形態では、材料302は繊維形状であり、材料304は材料302上へコーティングされた導電性材料である。一定の実施形態では、材料302はメッシュ形状(上述を参照)であり、メッシュへと形成された後、材料304でコーティングされる。一例では、材料302は金属エキスパンドメッシュであってよく、材料304はその金属エキスパンドメッシュへコーティングされたPEDOTであってよい。
【0028】
一般に、メッシュカソード220の最大厚さ(すなわち、基板210がメッシュカソード220と接触している表面に対しほぼ垂直な方向へのメッシュカソード220の最大厚さ)は、ホールキャリア層230の全厚さ未満である。典型的には、メッシュカソード220の最大厚さは、0.1μm以上(例えば、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.4μm以上、約0.5μm以上、約0.6μm以上、約0.7μm以上、約0.8μm以上、約0.9μm以上、約1μm以上)、約10μm以下(例えば、約9μm以下、約8μm以下、約7μm以下、約6μm以下、約5μm以下、約4μm以下、約3μm以下、約2μm以下)、またはその両方である。
【0029】
図6には長方形の形状を有するように示したが、一般に、開放領域224を任意の所望の形状(例えば、正方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形)とすることが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる開放領域224の形状は異なってよい。
【0030】
図7には正方形の断面形状を有するように示したが、一般に、中実領域222を任意の所望の形状(例えば、長方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形など)とすることが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる中実領域222の形状は異なってよい。中実領域222の断面が円形である実施形態では、断面の直径は約5μm〜約200μmの範囲であってよい。中実領域222の断面が台形である実施形態では、断面の高さは約0.1μm〜約5μmの範囲であってよく、断面の幅は約5μm〜約200μmの範囲であってよい。
【0031】
一部の実施形態では、メッシュカソード220は可撓性(例えば、連続的なロールツーロール製造プロセスを用いて光電池200に組込まれるのに充分に柔軟)である。一定の実施形態では、メッシュカソード220は半剛性または不撓性である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる領域は、可撓性、半剛性、または不撓性であってよい(例えば、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の半剛性領域、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の不撓性領域)。
【0032】
一般に、メッシュ電極220を基板210に配置することが可能である。一部の実施形態では、メッシュ電極220を基板210に部分的に埋め込むことが可能である。
基板210は一般に透明材料から形成される。本明細書では、光電池200において用いられる厚さにて、光電池の動作中に用いられる波長または波長範囲の入射光のうちの約60%以上(例えば、約70%以上、約75%以上、約80%以上、約85%以上、約90%以上、約95%以上)を透過させる材料を、透明材料と呼ぶ。基板210を形成可能な代表的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせが含まれる。一定の実施形態では、ポリマーはフッ素化ポリマーであってよい。一部の実施形態では、ポリマー材料の組み合わせを用いる。一定の実施形態では、基板210の異なる領域は、異なる材料から形成されてよい。
【0033】
一般に、基板210は、可撓性、半剛性または剛性(例えば、ガラスなど)であることが可能である。一部の実施形態では、基板210の曲げ弾性率は約5,000MPa未満(例えば、約2,500MPa未満または約1,000MPa未満)である。一定の実施形態では、基板210の異なる領域は、可撓性、半剛性または不撓性であってよい(例えば、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の半剛性領域、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の不撓性領域)。
【0034】
典型的には、基板210の厚さは、約1μm以上(例えば、約5μm以上、約10μm以上)、約1,000μm以下(例えば、約500μm以下、約300μm以下、約200μm以下、約100μm以下、約50μm以下)、またはその両方である。
【0035】
一般に、基板210は有色または無色であってよい。一部の実施形態では、基板210のうちの1つ以上の部分は有色であり、基板210のうちの異なる1つ以上の部分は無色である。
【0036】
基板210は、1つの平坦面(例えば、光の衝突面)を備えてもよく、2つの平坦面(例えば、光の衝突面および対向面)を備えてもよく、あるいは平坦面を備えなくてもよい。基板210非平坦面は、例えば、湾曲面または段を有する面であってよい。一部の実施形態では、基板210の非平坦面はパターンを形成されている(例えば、フレネルレンズ、レンチキュラーレンズまたはレンチキュラープリズムを形成するようなパターンの形成された段を備える)。
【0037】
ホールキャリア層230は、一般に、光電池200に用いられる厚さにて、メッシュカソード220へホールを輸送するとともに、メッシュカソード220への電子の輸送をほぼ阻止する材料から形成される。ホールキャリア層230を形成可能な材料の例には、ポリチオフェン(例えば、PEDOT)、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレンが含まれる。一部の実施形態では、ホールキャリア層230はホールキャリア材料の組み合わせを含んでよい。
【0038】
一般に、ホールキャリア層230の上面(すなわち、ホールキャリア層230が活性層240と接触している表面)と、基板210の上面(すなわち、基板210がメッシュ電極220と接触している表面)との間の距離を、所望の通りに変更することが可能である。典型的には、ホールキャリア層230の上面とメッシュカソード220の上面との間の距離は、0.01μm以上(例えば、約0.05μm以上、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.5μm以上)、約5μm以下(例えば、約3μm以下、約2μm以下、約1μm以下)、またはその両方である。一部の実施形態では、ホールキャリア層230の上面とメッシュカソード220の上面との間の距離は、約0.01μm〜約0.5μmである。
【0039】
活性層240は、一般に電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する。
電子受容性材料の例には、フラーレン、オキサジアゾール、カーボンナノロッド、ディスコティック液晶、無機ナノ粒子(例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、カドミウムセレン化物および鉛硫化物のうちの1つ以上から形成されるナノ粒子)、無機ナノロッド(例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、カドミウムセレン化物および鉛硫化物のうちの1つ以上から形成されるナノロッド)、または電子を受容可能な部位もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー(例えば、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーなど)から形成される材料が含まれる。一部の実施形態では、電子受容性材料は置換フラーレン(例えば、C61フェニル酪酸メチルエステル、すなわち、PCBMなど)である。一部の実施形態では、活性層240は電子受容性材料の組み合わせを含んでよい。
【0040】
電子供与性材料の例には、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレンおよびそれらの組み合わせが含まれる。一部の実施形態では、電子供与性材料はポリ(3−ヘキシルチオフェン)である。一定の実施形態では、活性層240は電子供与性材料の組み合わせを含んでよい。
【0041】
一般に、活性層240は、衝突する光子を吸収して対応する電子およびホールを形成する際に比較的効率的であるように充分に厚く、このホールおよび電子をそれぞれ層230,250へ輸送する際に比較的効率的であるように充分に薄い。一定の実施形態では、層240の厚さは、0.05μm以上(例えば、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上)、約1μm以下(例えば、約0.5μm以下、約0.4μm以下)、またはその両方である。一部の実施形態では、層240の厚さは、約0.1μm〜約0.2μmである。
【0042】
ホールブロック層250は、一般に、光電池200に用いる厚さにて、アノード260へ電子を輸送するとともに、アノード260へのホールの輸送をほぼ阻止する材料から形成される。ホールブロック層250を形成可能な材料の例には、LiFおよび金属酸化物(例えば、亜鉛酸化物、チタン酸化物)が含まれる。
【0043】
典型的には、ホールブロック層250の厚さは、0.02μm以上(例えば、約0.0
3μm以上、約0.04μm以上、約0.05μm以上)、約0.5μm以下(例えば、約0.4μm以下、約0.3μm以下、約0.2μm以下、約0.1μm以下)、またはその両方である。
【0044】
アノード260は、一般に、上述の導電性材料のうちの1つ以上など、導電性材料から形成される。一部の実施形態では、アノード260は導電性材料の組み合わせから形成される。
【0045】
一般に、基板270は基板220と同一であってよい。一部の実施形態では、基板270は基板220と異なってよい。(例えば、異なる形状を有するか、あるいは異なる材料または不透明な材料から形成される)。
【0046】
図9には、光電池400の断面図を示す。光電池400は、基板210とホールキャリア層230との間の接着層410を備える。
一般に、接着層410には、メッシュカソード220を定位置に保持することの可能な任意の材料を用いてよい。一般に、接着層410は、光電池400に用いる厚さにて透明な材料から形成される。接着剤の例には、エポキシおよびウレタンが含まれる。接着層410に用いられてよい市販材料の例には、デュポン(DuPont)社のBynel(商標)接着剤およびスリーエム(3M)社の615接着剤が含まれる。一部の実施形態では、接着層410にはフッ素化接着剤が含まれてよい。一定の実施形態では、接着層410は導電性接着剤を含む。導電性接着剤は、例えば、上述の導電性ポリマー(例えば、PEDOT)など、本質的に導電性のポリマーから形成されてよい。また、導電性接着剤は、1つ以上の導電性材料(例えば、導電性粒子)を含むポリマー(例えば、本質的に導電性でないポリマー)から形成されてもよい。一部の実施形態では、接着層410は、1つ以上の導電性材料を含む、本質的に導電性のポリマーを含有する。
【0047】
一部の実施形態では、接着層410の厚さ(すなわち、基板210が接着層410と接触している表面に対しほぼ垂直な方向への接着層410の厚さ)は、メッシュカソード220の最大厚さ未満である。一部の実施形態では、接着層410の厚さは、メッシュカソード220の最大厚さの約90%以下(例えば、約80%以下、約70%以下、約60%以下、約50%以下、約40%以下、約30%以下、約20%以下)である。しかしながら、一定の実施形態では、接着層410の厚さはメッシュカソード220の最大厚さとほぼ同じであるか、またはメッシュカソード220の最大厚さより大きい。
【0048】
一般に、メッシュカソードを備える光電池を所望の通りに製造することが可能である。
一部の実施形態では、光電池を次のように調製することが可能である。従来技術を用いて基板270上に電極260を形成し、電極260上にホールブロック層250を形成する(例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールブロック層250上に活性層240を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。活性層240上にホールキャリア層230を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールキャリア層230にはメッシュカソード220を部分的に配置する(例えば、上述の圧着加工法によって)。次いで、従来法を用いて、メッシュカソード220およびホールキャリア層230の上に基板210を形成する。
【0049】
一定の実施形態では、光電池を次のように調製することが可能である。従来技術を用いて基板270上に電極260を形成し、電極260上にホールブロック層250を形成する(例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールブロック層250上に活性層240を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコー
ティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。活性層240上にホールキャリア層230を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。従来技術を用いて、ホールキャリア層230上に接着層410を配置する。接着層410およびホールキャリア層230にメッシュカソード220を部分的に配置する(例えば、接着層410の表面の上にメッシュカソード220を配置し、メッシュカソード220をプレス加工することによって)。次いで、従来法を用いて、メッシュカソード220および接着層410の上に基板210を形成する。
【0050】
上述のプロセスには、ホールキャリア層230にメッシュカソード220を部分的に配置する工程が含まれるが、一部の実施形態では、図に示した開放構造を備える電極を与えるように、キャリア層230または接着層410の表面の上にカソード材料を印刷することによって、メッシュカソード220を形成する。例えば、圧着加工、ディップコーティング、押出コーティング、スプレーコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷およびグラビア印刷を用いて、メッシュカソード220を印刷することが可能である。加熱または放射(例えば、紫外線放射、可視光放射、赤外線放射、電子線放射など)により固化するペーストに、カソード材料を配置することも可能である。例えば、スクリーンを通じるメッシュパターンによってカソード材料を真空蒸着することも可能であり、蒸着後にフォトリソグラフィーによってパターンが形成されてもよい。
【0051】
複数の光電池を電気的に接続し、光電システムを形成することが可能である。一例として、図10には、光電池520を含むモジュール510を備える光電システム500の概略図を示す。光電池520は電気的に直列に接続されており、システム500は負荷へ電気的に接続されている。図11には、光電池620を含むモジュール610を備える光電システム600の概略図を示す。光電池620は電気的に並列に接続されており、システム600は負荷へ電気的に接続されている。一部の実施形態では、光電システムにおける一部(例えば、全部)の光電池は、1つ以上の共通の基板を有してよい。一定の実施形態では、光電システムにおける一部の光電池は電気的に直列に接続されており、その光電システムの光電池のうちの一部は電気的に並列に接続されている。
【0052】
一部の実施形態では、ロールツーロールプロセスまたはウェブプロセスなど連続的な製造プロセスを用いて、複数の光電池を含む光電システムを製造することが可能である。一部の実施形態では、連続的な製造プロセスは次の工程を含む。すなわち、進行する第1の基板上に1群の光電池部分を形成する工程と、第1の基板上の電池部分のうちの2つ以上の間に電気絶縁材料を配置する工程と、第1の基板上の2つ以上の光電池部分の間の電気絶縁材料にワイヤを埋め込む工程と、進行する第2の基板上に1群の光電池部分を形成する工程と、2つ以上の光電池がワイヤによって電気的に直列に接続されるように、第1および第2の基板ならびに光電池部分を組み合わせ、複数の光電池を形成する工程とである。一部の実施形態では、第1および第2の基板を連続的に進行させてもよく、定期的に進行させてもよく、あるいは不規則に進行させてもよい。
【0053】
一部の実施形態では、上述の圧着加工法を用いて、DSSCにおいて用いられる基板上の電極を印刷することが可能である。図12は、DSSC 700の断面図である。DSSC 700は、基板710、電極720、触媒層730、電荷キャリア層740、光活性層750、電極760、基板770および外部負荷780を備える。DSSCの例は、2005年12月19日に出願の米国特許出願第11/311,805号明細書および2005年11月9日に出願の米国特許出願公開第11/269,956号明細書に説明されている。これらの内容を引用によって本明細書に援用する。
【0054】
一部の実施形態では、上述の圧着加工法を用いて、タンデム型電池において用いられる
基板上に電極を印刷することが可能である。タンデム型光電池の例は、米国特許出願第10/558,878号明細書、ならびに米国特許仮出願第60/790,606号、第60/792,635号、第60/792,485号、第60/793,442、第60/795,103号および第60/798,258号明細書に説明されている。これらの内容を引用によって本明細書に援用する。
【0055】
一定の実施形態を開示したが、他の実施形態も可能である。
一例として、メッシュから形成されたカソードを開示したが、一部の実施形態ではメッシュアノードを用いることが可能である。これは例えば、アノードを透過する光を用いる場合、好適である。一定の実施形態では、メッシュカソードおよびメッシュアノードの両方が用いられる。これは例えば、カソードおよびアノードの両方を透過する光を用いる場合、好適である。
【0056】
別の例として、一般に電池のカソード側を透過する光を用いる実施形態について説明したが、一定の実施形態では電池のアノード側を透過する光を用いる(例えば、メッシュアノードを用いる場合)。一部の実施形態では、電池のカソード側およびアノード側の両方を透過する光を用いる(メッシュカソードおよびメッシュアノードを用いる場合)。
【0057】
別の例として、メッシュから形成されたカソードについて説明したが、一定の実施形態では、非メッシュカソードおよび非メッシュアノードの両方を用いる。
さらなる例として、導電性材料から形成されるものとして電極(例えば、メッシュ電極、非メッシュ電極)について説明したが、一部の実施形態では光電池が半導体材料から形成された1つ以上の電極(例えば、1つ以上のメッシュ電極、1つ以上の非メッシュ電極)を備えてもよい。半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。
【0058】
さらなる例として、一部の実施形態では、メッシュ電極の開放領域(例えば、メッシュカソードの開放領域、メッシュアノードの開放領域、メッシュカソードの開放領域およびメッシュアノードの開放領域)に、1つ以上の半導体材料を配置することが可能である。半導体材料の例には、スズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。また、部分的に透明な半導体高分子など、他の半導体材料をメッシュ電極の開放領域に配置することも可能である。例えば、部分的に透明なポリマーは、光電池に用いる厚さにて、光電池の動作中に用いられる波長または波長範囲の入射光のうちの約60%以上(例えば、約70%以上、約75%以上、約80%以上、約85%以上、約90%以上、約95%以上)を透過させるポリマーであってよい。典型的には、メッシュ電極の開放領域に配置される半導体材料は、光電池に用いられる厚さにて透明である。
【0059】
別の例として、一定の実施形態では、一方または両方の基板に保護層が付着されてよい。例えば、汚染物質(例えば、塵埃、水分、酸素、化学物質)を光電池の中に入れないため、電池の耐久性を高めるため、またはその両方のために、保護層を用いることが可能である。一定の実施形態では、保護層はポリマー(例えば、フッ素化ポリマー)から形成されてよい。
【0060】
さらなる例として、1つ以上のメッシュ電極を備える種類の光電池について説明したが、他の種類の光電池にも1つ以上のメッシュ電極(メッシュカソード、メッシュアノード、メッシュカソードおよびメッシュアノード)を用いることが可能である。そのような光電池の例には、アモルファスシリコン、カドミウムセレン化物、カドミウムテルル物、銅インジウム硫化物、および銅インジウムガリウム砒化物から形成される活性材料を含む光電池が含まれる。
【0061】
さらなる例として、材料302,304は異なる材料から形成されるものとして説明したが、一部の実施形態では材料302,304は同じ材料から形成される。
別の例として、図8には中実領域222を異なる材料の上にコーティングされた1つの材料から形成されるものとして示したが、一部の実施形態では2より多くのコーティングされた材料(例えば、3つのコーティングされた材料、4つのコーティングされた材料、5つのコーティングされた材料、6つのコーティングされた材料)から中実領域222を形成することが可能である。
【0062】
特許請求の範囲には他の実施形態が存在する。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1】平坦基板に光電モジュールを転写する熱圧着処理の概略図。
【図2】平坦基板に付着された光電モジュールの断面図。
【図3】湾曲基板に光電モジュールを転写する熱圧着処理の概略図。
【図4】湾曲基板に付着された湾曲光電モジュールの断面図。
【図5】有機光電池の断面図。
【図6】メッシュ電極の一実施形態の正面図。
【図7】図6のメッシュ電極の断面図。
【図8】メッシュ電極の一部分の断面図。
【図9】別の有機光電池の断面図。
【図10】電気的に直列に接続された複数の光電池を含むシステムの概略図。
【図11】電気的に並列に接続された複数の光電池を含むシステムの概略図。
【図12】色素増感太陽電池の断面図。
【技術分野】
【0001】
本開示は、光電池の調製方法と、関連した部品、システムおよび方法とに関する。
【背景技術】
【0002】
光電池は、光形態のエネルギーを電気形態のエネルギーへ変換するために一般に用いられる。典型的な光電池は、2つの電極の間に配置された光活性材料を備える。一般に、光は一方または両方の電極を通過して、光活性材料と相互作用し、太陽エネルギーが電気エネルギーに変換される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0003】
一態様では、本発明は、光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる工程を含む方法を特徴とする。
別の態様では、本発明は、圧着加工を用いて光電池を形成する工程を含む方法を特徴とする。
【0004】
実施形態には、次の態様のうちの1つ以上が含まれてよい。
方法は、約100℃以上(例えば、約150℃以上、約200℃以上、約250℃以上または約300℃以上)までダイを加熱する工程を、さらに含んでよい。
【0005】
接触させる工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上(例えば、約6.895MPa(約1,000psi)以上または約34.47MPa(約5,000psi)以上)の圧力を加える工程を含んでよい。
【0006】
方法は、光電池と第1の層との間に放出層を配置する工程を、さらに含んでよい。一部の実施形態では、放出層はポリエステル(例えば、脂肪族ポリエステル)またはポリエチレン(例えば、低分子量ポリエチレン)を含む。
【0007】
光電池は接触層と第1の層との間に配置可能である。一部の実施形態では、接触層は接着剤(例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマー)を含んでよい。
【0008】
光電池は光活性材料を含んでよい。一実施形態では、光活性材料は電子供与性材料および電子受容性材料を含んでよい。一部の実施形態では、光活性材料は相互接続した感光性ナノ粒子材料を含んでよい。一部の実施形態では、光活性材料はアモルファスシリコンまたは銅インジウムガリウムセレン化物(CuInGaSe2;CIGS)を含む。
【0009】
電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0010】
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレンおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0011】
相互接続した感光性ナノ粒子材料は、セレン化物、硫化物、テルル化物、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニウム酸化物およびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
【0012】
ダイは、少なくとも一部が湾曲しているダイ上の表面で、第1の層と接触してよい。
第2の層は、少なくとも一部が湾曲している第2の層上の表面で、光電池を受容してよい。
【0013】
第1の層または第2の層はフレキシブル基板を含んでよい。一部の実施形態では、第1の層または第2の層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせから選択されたポリマーを含んでよい。
【0014】
他の特徴および利点は、明細書、図面および特許請求の範囲から明らかとなる。
様々な図面において、同様の参照符号は同様の要素を示す。
一般に、本開示は光電モジュールまたは光電池の転写方法に関する。
【0015】
一部の実施形態では、次の圧着加工法によって、1つ以上の光電池を含む光電モジュールを層へ転写することが可能である。ダイ(例えば、熱圧着ダイ)の表面(例えば、湾曲面)を第1の層(例えば、フレキシブル基板)の背面と接触させる。第1の層の前面を、光電モジュールでコーティングする。次いで、第1の層の前面を、受容層として作用する第2の層と接触させる。ダイへ圧力が加えられると、第1の層の前面上の光電モジュールは第2の層へ転写されて付着する。ダイに加えられる圧力は、約0.689MPa(約100psi)以上(例えば、約6.895MPa(約1,000psi)以上、約34.47MPa(約5,000psi)以上)である。一部の実施形態では、ダイが第1の層の背面と接触する前に、第1の層の前面を第2の層と接触させる。これらの実施形態では、第1の層から分離する前に光電モジュールを第2の層に付着させることが可能である。
【0016】
一部の実施形態では、第1の層の前面から第2の層へ光電モジュールを転写するように、ダイを適温(例えば、約100℃以上、約150℃以上、約200℃以上、約250℃以上または約300℃以上)まで加熱する。
【0017】
一部の実施形態では、光電モジュールの放出を補助するように、光電モジュールと第1の層との間に放出層が設けられてよい。放出層は圧着処理中にダイの温度以下で軟化または溶融する材料を含んでよい。そのような材料の例には、ワックスまたは低融点のポリマー(例えば、脂肪族ポリエステルまたは低分子量ポリエチレン)が含まれる。放出層の厚さは、約0.1μm以上(約0.5μm以上、約1.0μm以上)または約50μm以下(約10μm以下、約5μm以下)であってよい。一部の実施形態では、放出層は圧着処理中に軟化または溶融し、第1の層から光電モジュールが分離する。放出層の頂部、底部または頂部と底部との間の適所にて、光電モジュールを分離することが可能である。
【0018】
一部の実施形態では、光電モジュールは第1の層上の接触層と放出層との間に配置されてよい。接触層の厚さは、約0.1μm以上(約0.5μm以上、約1.0μm以上)または約50μm以下(約10μm以下、約5μm以下)であってよい。接触層は接着剤を含んでよい。一般に、接触層には、光電モジュールを定位置に保持することが可能な任意の接着剤が用いられてよい。一部の実施形態では、接着剤は感熱性接着剤、すなわち、一定の活性化温度(例えば、150℃以下、100℃以下、50℃以下)に加熱されると接着性となる材料)である。好適には、活性化温度は、圧着処理中に用いられるダイの温度以下である。感熱性接着剤の例には、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマーが含まれる。理論に拘束されることなく、接触層は光電モジュールを第2の層へ付着させることが可能であると考えられる。例えば、ダイが圧着処理中に加熱されるとき、接触層に
の感熱性接着剤は粘着性となり、光電モジュールを第2の層へ付着させる。一部の実施形態では、接着剤にはフッ素化接着剤が含まれてよい。また、接着剤は用いられる厚さで透明な材料から形成されてもよく、導電性接着剤を含んでもよい。
【0019】
一部の実施形態では、光電モジュールは、有機光電池、色素増感太陽電池(DSSC)、アモルファスシリコン太陽電池、CIGS太陽電池およびタンデム型電池のうちの1つ以上など、1つ以上の光電池を含んでよい。
【0020】
図1は、ダイ100を用いることによって平坦基板110から基板150の平坦な受容面151へ光電モジュール130を転写する、熱圧着処理の概略図である。図1に示すように、光電モジュール130は放出層120と接触層140との間に配置される。熱圧着処理中、ダイ100を適温(例えば、約100℃以上)まで加熱し、基板110と接触させる。放出層120および接触層140が軟化または溶融した後、ダイ100に圧力(例えば、約0.689MPa(約100psi)以上)を加え、接触層140が基板150に付着するように、接触層140を受容面151と接触させる。次いで、ダイ100を除去するとき、放出層120にて光電モジュール130を基板110から分離することが可能である。図2には、接触層140を通じて基板150へ付着された光電モジュール130の断面図を示す。図3には、基板110,150の両方が湾曲面を有する以外は図1に示したものと同様である処理を示す。図4には、接触層140を通じて基板150へ付着され、湾曲した受容面151に適合した光電モジュール130の断面図を示す。
【0021】
一部の実施形態では、上述の方法は、ロールツーロールプロセスまたはウェブプロセスなど、連続的な製造工程において用いられてよい。ロールツーロール法の例は、例えば、米国特許出願公開第2005−0263179号明細書に記載されている。
【0022】
一部の実施形態では、上述の方法を用いて、1つの基板から別の基板へ有機光電池を転写することが可能である。図5には、有機光電池200の断面図を示す。有機光電池200は、透明基板210、メッシュカソード220、ホールキャリア層230、光活性層(電子受容性材料および電子供与性材料を含有する)240、ホールブロック層250、アノード260、および基板270を備える。
【0023】
図6,7は、それぞれメッシュ電極の正面図、断面図を示す。図6,7に示すように、メッシュカソード220は中実領域222および開放領域224を備える。一般に、開放領域224を介して光が通過し、中実領域222を介して電子が伝導することがメッシュカソード220によって可能となるように、中実領域222は導電性材料から形成される。
【0024】
メッシュカソード220において開放領域224が占める領域(メッシュカソード220の開放面積)は、所望の通りに選択可能である。一般に、メッシュカソード220の開放面積は、メッシュカソード220の全面積のうちの約10%以上(例えば、約20%以上、約30%以上、約40%以上、約50%以上、約60%以上、約70%以上、約80%以上)、約99%以下(例えば、約95%以下、約90%以下、約85%以下)またはその両方である。
【0025】
様々な手法によってメッシュカソード220を調製することが可能である。一部の実施形態では、上述のように、メッシュ電極を層(例えば、基板)の上に圧着加工することが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220は、中実領域222を形成する材料のワイヤを織ることにより形成される、メッシュ織物である。例えば、平織り、畳織り(Dutch weave)、綾織り(twill weave)、綾畳織り、またはそれらの組み合わせを用いて、ワイヤを織ることが可能である。一定の実施形態では、
メッシュカソード220は溶接されたワイヤメッシュから形成される。一部の実施形態では、メッシュカソード220はエキスパンドメッシュ形体である。例えば、材料(例えば、金属などの導電性材料)のシートから開放領域224を取除き(例えば、レーザ除去、化学的エッチング、穿孔によって)、続いてシートを伸展する(例えば、シートを2次元に伸展する)ことによって、金属エキスパンドメッシュを調製することが可能である。一定の実施形態では、メッシュカソード220は、開放領域224を取除くこと(例えば、レーザ除去、化学的エッチング、穿孔によって)によって形成される金属シートであり、続くシートの伸展は行わない。
【0026】
一定の実施形態では、中実領域222は完全に導電性材料から形成される(例えば、中実領域222は、ほぼ一様な導電性材料から形成される)。中実領域222に用いることの可能な導電性材料の例には、導電性金属、導電性合金、および導電性ポリマーが含まれる。代表的な導電性金属には、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、白金およびチタンが含まれる。代表的な導電性合金には、ステンレス鋼(例えば、332ステンレス鋼、316ステンレス鋼)、金の合金、銀の合金、銅の合金、アルミニウム合金、ニッケル合金、パラジウム合金、白金の合金、およびチタン合金が含まれる。代表的な導電性ポリマーには、ポリチオフェン(例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT))、ポリアニリン(例えば、ドープしたポリアニリン)、ポリピロール(例えば、ドープしたポリピロール)が含まれる。一部の実施形態では、導電性材料の組み合わせが用いられる。一部の実施形態では、中実領域222の抵抗は約3オーム/平方未満であってよい。
【0027】
図8に示すように、一部の実施形態では、中実領域222は、異なる材料304でコーティング(例えば、メタライゼーションを用いて、蒸着を用いて)された材料302から形成される。一般に、材料302は任意の所望の材料(例えば、電気絶縁材料、導電性材料または半導体材料)から形成されてよく、材料304は導電性材料である。材料302を形成可能な電気絶縁材料の例には、織布、光ファイバ材料、ポリマー性材料(例えば、ナイロン)および天然材料(例えば、亜麻、木綿、羊毛、絹)が含まれる。材料302を形成可能な導電性材料の例には、上述の導電性材料が含まれる。材料302を形成可能な半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。一部の実施形態では、材料302は繊維形状であり、材料304は材料302上へコーティングされた導電性材料である。一定の実施形態では、材料302はメッシュ形状(上述を参照)であり、メッシュへと形成された後、材料304でコーティングされる。一例では、材料302は金属エキスパンドメッシュであってよく、材料304はその金属エキスパンドメッシュへコーティングされたPEDOTであってよい。
【0028】
一般に、メッシュカソード220の最大厚さ(すなわち、基板210がメッシュカソード220と接触している表面に対しほぼ垂直な方向へのメッシュカソード220の最大厚さ)は、ホールキャリア層230の全厚さ未満である。典型的には、メッシュカソード220の最大厚さは、0.1μm以上(例えば、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.4μm以上、約0.5μm以上、約0.6μm以上、約0.7μm以上、約0.8μm以上、約0.9μm以上、約1μm以上)、約10μm以下(例えば、約9μm以下、約8μm以下、約7μm以下、約6μm以下、約5μm以下、約4μm以下、約3μm以下、約2μm以下)、またはその両方である。
【0029】
図6には長方形の形状を有するように示したが、一般に、開放領域224を任意の所望の形状(例えば、正方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形)とすることが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる開放領域224の形状は異なってよい。
【0030】
図7には正方形の断面形状を有するように示したが、一般に、中実領域222を任意の所望の形状(例えば、長方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形など)とすることが可能である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる中実領域222の形状は異なってよい。中実領域222の断面が円形である実施形態では、断面の直径は約5μm〜約200μmの範囲であってよい。中実領域222の断面が台形である実施形態では、断面の高さは約0.1μm〜約5μmの範囲であってよく、断面の幅は約5μm〜約200μmの範囲であってよい。
【0031】
一部の実施形態では、メッシュカソード220は可撓性(例えば、連続的なロールツーロール製造プロセスを用いて光電池200に組込まれるのに充分に柔軟)である。一定の実施形態では、メッシュカソード220は半剛性または不撓性である。一部の実施形態では、メッシュカソード220の異なる領域は、可撓性、半剛性、または不撓性であってよい(例えば、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の半剛性領域、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の不撓性領域)。
【0032】
一般に、メッシュ電極220を基板210に配置することが可能である。一部の実施形態では、メッシュ電極220を基板210に部分的に埋め込むことが可能である。
基板210は一般に透明材料から形成される。本明細書では、光電池200において用いられる厚さにて、光電池の動作中に用いられる波長または波長範囲の入射光のうちの約60%以上(例えば、約70%以上、約75%以上、約80%以上、約85%以上、約90%以上、約95%以上)を透過させる材料を、透明材料と呼ぶ。基板210を形成可能な代表的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせが含まれる。一定の実施形態では、ポリマーはフッ素化ポリマーであってよい。一部の実施形態では、ポリマー材料の組み合わせを用いる。一定の実施形態では、基板210の異なる領域は、異なる材料から形成されてよい。
【0033】
一般に、基板210は、可撓性、半剛性または剛性(例えば、ガラスなど)であることが可能である。一部の実施形態では、基板210の曲げ弾性率は約5,000MPa未満(例えば、約2,500MPa未満または約1,000MPa未満)である。一定の実施形態では、基板210の異なる領域は、可撓性、半剛性または不撓性であってよい(例えば、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の半剛性領域、1つ以上の可撓性領域および異なる1つ以上の不撓性領域)。
【0034】
典型的には、基板210の厚さは、約1μm以上(例えば、約5μm以上、約10μm以上)、約1,000μm以下(例えば、約500μm以下、約300μm以下、約200μm以下、約100μm以下、約50μm以下)、またはその両方である。
【0035】
一般に、基板210は有色または無色であってよい。一部の実施形態では、基板210のうちの1つ以上の部分は有色であり、基板210のうちの異なる1つ以上の部分は無色である。
【0036】
基板210は、1つの平坦面(例えば、光の衝突面)を備えてもよく、2つの平坦面(例えば、光の衝突面および対向面)を備えてもよく、あるいは平坦面を備えなくてもよい。基板210非平坦面は、例えば、湾曲面または段を有する面であってよい。一部の実施形態では、基板210の非平坦面はパターンを形成されている(例えば、フレネルレンズ、レンチキュラーレンズまたはレンチキュラープリズムを形成するようなパターンの形成された段を備える)。
【0037】
ホールキャリア層230は、一般に、光電池200に用いられる厚さにて、メッシュカソード220へホールを輸送するとともに、メッシュカソード220への電子の輸送をほぼ阻止する材料から形成される。ホールキャリア層230を形成可能な材料の例には、ポリチオフェン(例えば、PEDOT)、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレンが含まれる。一部の実施形態では、ホールキャリア層230はホールキャリア材料の組み合わせを含んでよい。
【0038】
一般に、ホールキャリア層230の上面(すなわち、ホールキャリア層230が活性層240と接触している表面)と、基板210の上面(すなわち、基板210がメッシュ電極220と接触している表面)との間の距離を、所望の通りに変更することが可能である。典型的には、ホールキャリア層230の上面とメッシュカソード220の上面との間の距離は、0.01μm以上(例えば、約0.05μm以上、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.5μm以上)、約5μm以下(例えば、約3μm以下、約2μm以下、約1μm以下)、またはその両方である。一部の実施形態では、ホールキャリア層230の上面とメッシュカソード220の上面との間の距離は、約0.01μm〜約0.5μmである。
【0039】
活性層240は、一般に電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する。
電子受容性材料の例には、フラーレン、オキサジアゾール、カーボンナノロッド、ディスコティック液晶、無機ナノ粒子(例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、カドミウムセレン化物および鉛硫化物のうちの1つ以上から形成されるナノ粒子)、無機ナノロッド(例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、カドミウムセレン化物および鉛硫化物のうちの1つ以上から形成されるナノロッド)、または電子を受容可能な部位もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー(例えば、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーなど)から形成される材料が含まれる。一部の実施形態では、電子受容性材料は置換フラーレン(例えば、C61フェニル酪酸メチルエステル、すなわち、PCBMなど)である。一部の実施形態では、活性層240は電子受容性材料の組み合わせを含んでよい。
【0040】
電子供与性材料の例には、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレンおよびそれらの組み合わせが含まれる。一部の実施形態では、電子供与性材料はポリ(3−ヘキシルチオフェン)である。一定の実施形態では、活性層240は電子供与性材料の組み合わせを含んでよい。
【0041】
一般に、活性層240は、衝突する光子を吸収して対応する電子およびホールを形成する際に比較的効率的であるように充分に厚く、このホールおよび電子をそれぞれ層230,250へ輸送する際に比較的効率的であるように充分に薄い。一定の実施形態では、層240の厚さは、0.05μm以上(例えば、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上)、約1μm以下(例えば、約0.5μm以下、約0.4μm以下)、またはその両方である。一部の実施形態では、層240の厚さは、約0.1μm〜約0.2μmである。
【0042】
ホールブロック層250は、一般に、光電池200に用いる厚さにて、アノード260へ電子を輸送するとともに、アノード260へのホールの輸送をほぼ阻止する材料から形成される。ホールブロック層250を形成可能な材料の例には、LiFおよび金属酸化物(例えば、亜鉛酸化物、チタン酸化物)が含まれる。
【0043】
典型的には、ホールブロック層250の厚さは、0.02μm以上(例えば、約0.0
3μm以上、約0.04μm以上、約0.05μm以上)、約0.5μm以下(例えば、約0.4μm以下、約0.3μm以下、約0.2μm以下、約0.1μm以下)、またはその両方である。
【0044】
アノード260は、一般に、上述の導電性材料のうちの1つ以上など、導電性材料から形成される。一部の実施形態では、アノード260は導電性材料の組み合わせから形成される。
【0045】
一般に、基板270は基板220と同一であってよい。一部の実施形態では、基板270は基板220と異なってよい。(例えば、異なる形状を有するか、あるいは異なる材料または不透明な材料から形成される)。
【0046】
図9には、光電池400の断面図を示す。光電池400は、基板210とホールキャリア層230との間の接着層410を備える。
一般に、接着層410には、メッシュカソード220を定位置に保持することの可能な任意の材料を用いてよい。一般に、接着層410は、光電池400に用いる厚さにて透明な材料から形成される。接着剤の例には、エポキシおよびウレタンが含まれる。接着層410に用いられてよい市販材料の例には、デュポン(DuPont)社のBynel(商標)接着剤およびスリーエム(3M)社の615接着剤が含まれる。一部の実施形態では、接着層410にはフッ素化接着剤が含まれてよい。一定の実施形態では、接着層410は導電性接着剤を含む。導電性接着剤は、例えば、上述の導電性ポリマー(例えば、PEDOT)など、本質的に導電性のポリマーから形成されてよい。また、導電性接着剤は、1つ以上の導電性材料(例えば、導電性粒子)を含むポリマー(例えば、本質的に導電性でないポリマー)から形成されてもよい。一部の実施形態では、接着層410は、1つ以上の導電性材料を含む、本質的に導電性のポリマーを含有する。
【0047】
一部の実施形態では、接着層410の厚さ(すなわち、基板210が接着層410と接触している表面に対しほぼ垂直な方向への接着層410の厚さ)は、メッシュカソード220の最大厚さ未満である。一部の実施形態では、接着層410の厚さは、メッシュカソード220の最大厚さの約90%以下(例えば、約80%以下、約70%以下、約60%以下、約50%以下、約40%以下、約30%以下、約20%以下)である。しかしながら、一定の実施形態では、接着層410の厚さはメッシュカソード220の最大厚さとほぼ同じであるか、またはメッシュカソード220の最大厚さより大きい。
【0048】
一般に、メッシュカソードを備える光電池を所望の通りに製造することが可能である。
一部の実施形態では、光電池を次のように調製することが可能である。従来技術を用いて基板270上に電極260を形成し、電極260上にホールブロック層250を形成する(例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールブロック層250上に活性層240を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。活性層240上にホールキャリア層230を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールキャリア層230にはメッシュカソード220を部分的に配置する(例えば、上述の圧着加工法によって)。次いで、従来法を用いて、メッシュカソード220およびホールキャリア層230の上に基板210を形成する。
【0049】
一定の実施形態では、光電池を次のように調製することが可能である。従来技術を用いて基板270上に電極260を形成し、電極260上にホールブロック層250を形成する(例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて)。ホールブロック層250上に活性層240を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコー
ティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。活性層240上にホールキャリア層230を形成する(例えば、スロットコーティング、スピンコーティングまたはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて)。従来技術を用いて、ホールキャリア層230上に接着層410を配置する。接着層410およびホールキャリア層230にメッシュカソード220を部分的に配置する(例えば、接着層410の表面の上にメッシュカソード220を配置し、メッシュカソード220をプレス加工することによって)。次いで、従来法を用いて、メッシュカソード220および接着層410の上に基板210を形成する。
【0050】
上述のプロセスには、ホールキャリア層230にメッシュカソード220を部分的に配置する工程が含まれるが、一部の実施形態では、図に示した開放構造を備える電極を与えるように、キャリア層230または接着層410の表面の上にカソード材料を印刷することによって、メッシュカソード220を形成する。例えば、圧着加工、ディップコーティング、押出コーティング、スプレーコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷およびグラビア印刷を用いて、メッシュカソード220を印刷することが可能である。加熱または放射(例えば、紫外線放射、可視光放射、赤外線放射、電子線放射など)により固化するペーストに、カソード材料を配置することも可能である。例えば、スクリーンを通じるメッシュパターンによってカソード材料を真空蒸着することも可能であり、蒸着後にフォトリソグラフィーによってパターンが形成されてもよい。
【0051】
複数の光電池を電気的に接続し、光電システムを形成することが可能である。一例として、図10には、光電池520を含むモジュール510を備える光電システム500の概略図を示す。光電池520は電気的に直列に接続されており、システム500は負荷へ電気的に接続されている。図11には、光電池620を含むモジュール610を備える光電システム600の概略図を示す。光電池620は電気的に並列に接続されており、システム600は負荷へ電気的に接続されている。一部の実施形態では、光電システムにおける一部(例えば、全部)の光電池は、1つ以上の共通の基板を有してよい。一定の実施形態では、光電システムにおける一部の光電池は電気的に直列に接続されており、その光電システムの光電池のうちの一部は電気的に並列に接続されている。
【0052】
一部の実施形態では、ロールツーロールプロセスまたはウェブプロセスなど連続的な製造プロセスを用いて、複数の光電池を含む光電システムを製造することが可能である。一部の実施形態では、連続的な製造プロセスは次の工程を含む。すなわち、進行する第1の基板上に1群の光電池部分を形成する工程と、第1の基板上の電池部分のうちの2つ以上の間に電気絶縁材料を配置する工程と、第1の基板上の2つ以上の光電池部分の間の電気絶縁材料にワイヤを埋め込む工程と、進行する第2の基板上に1群の光電池部分を形成する工程と、2つ以上の光電池がワイヤによって電気的に直列に接続されるように、第1および第2の基板ならびに光電池部分を組み合わせ、複数の光電池を形成する工程とである。一部の実施形態では、第1および第2の基板を連続的に進行させてもよく、定期的に進行させてもよく、あるいは不規則に進行させてもよい。
【0053】
一部の実施形態では、上述の圧着加工法を用いて、DSSCにおいて用いられる基板上の電極を印刷することが可能である。図12は、DSSC 700の断面図である。DSSC 700は、基板710、電極720、触媒層730、電荷キャリア層740、光活性層750、電極760、基板770および外部負荷780を備える。DSSCの例は、2005年12月19日に出願の米国特許出願第11/311,805号明細書および2005年11月9日に出願の米国特許出願公開第11/269,956号明細書に説明されている。これらの内容を引用によって本明細書に援用する。
【0054】
一部の実施形態では、上述の圧着加工法を用いて、タンデム型電池において用いられる
基板上に電極を印刷することが可能である。タンデム型光電池の例は、米国特許出願第10/558,878号明細書、ならびに米国特許仮出願第60/790,606号、第60/792,635号、第60/792,485号、第60/793,442、第60/795,103号および第60/798,258号明細書に説明されている。これらの内容を引用によって本明細書に援用する。
【0055】
一定の実施形態を開示したが、他の実施形態も可能である。
一例として、メッシュから形成されたカソードを開示したが、一部の実施形態ではメッシュアノードを用いることが可能である。これは例えば、アノードを透過する光を用いる場合、好適である。一定の実施形態では、メッシュカソードおよびメッシュアノードの両方が用いられる。これは例えば、カソードおよびアノードの両方を透過する光を用いる場合、好適である。
【0056】
別の例として、一般に電池のカソード側を透過する光を用いる実施形態について説明したが、一定の実施形態では電池のアノード側を透過する光を用いる(例えば、メッシュアノードを用いる場合)。一部の実施形態では、電池のカソード側およびアノード側の両方を透過する光を用いる(メッシュカソードおよびメッシュアノードを用いる場合)。
【0057】
別の例として、メッシュから形成されたカソードについて説明したが、一定の実施形態では、非メッシュカソードおよび非メッシュアノードの両方を用いる。
さらなる例として、導電性材料から形成されるものとして電極(例えば、メッシュ電極、非メッシュ電極)について説明したが、一部の実施形態では光電池が半導体材料から形成された1つ以上の電極(例えば、1つ以上のメッシュ電極、1つ以上の非メッシュ電極)を備えてもよい。半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。
【0058】
さらなる例として、一部の実施形態では、メッシュ電極の開放領域(例えば、メッシュカソードの開放領域、メッシュアノードの開放領域、メッシュカソードの開放領域およびメッシュアノードの開放領域)に、1つ以上の半導体材料を配置することが可能である。半導体材料の例には、スズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物および亜鉛酸化物が含まれる。また、部分的に透明な半導体高分子など、他の半導体材料をメッシュ電極の開放領域に配置することも可能である。例えば、部分的に透明なポリマーは、光電池に用いる厚さにて、光電池の動作中に用いられる波長または波長範囲の入射光のうちの約60%以上(例えば、約70%以上、約75%以上、約80%以上、約85%以上、約90%以上、約95%以上)を透過させるポリマーであってよい。典型的には、メッシュ電極の開放領域に配置される半導体材料は、光電池に用いられる厚さにて透明である。
【0059】
別の例として、一定の実施形態では、一方または両方の基板に保護層が付着されてよい。例えば、汚染物質(例えば、塵埃、水分、酸素、化学物質)を光電池の中に入れないため、電池の耐久性を高めるため、またはその両方のために、保護層を用いることが可能である。一定の実施形態では、保護層はポリマー(例えば、フッ素化ポリマー)から形成されてよい。
【0060】
さらなる例として、1つ以上のメッシュ電極を備える種類の光電池について説明したが、他の種類の光電池にも1つ以上のメッシュ電極(メッシュカソード、メッシュアノード、メッシュカソードおよびメッシュアノード)を用いることが可能である。そのような光電池の例には、アモルファスシリコン、カドミウムセレン化物、カドミウムテルル物、銅インジウム硫化物、および銅インジウムガリウム砒化物から形成される活性材料を含む光電池が含まれる。
【0061】
さらなる例として、材料302,304は異なる材料から形成されるものとして説明したが、一部の実施形態では材料302,304は同じ材料から形成される。
別の例として、図8には中実領域222を異なる材料の上にコーティングされた1つの材料から形成されるものとして示したが、一部の実施形態では2より多くのコーティングされた材料(例えば、3つのコーティングされた材料、4つのコーティングされた材料、5つのコーティングされた材料、6つのコーティングされた材料)から中実領域222を形成することが可能である。
【0062】
特許請求の範囲には他の実施形態が存在する。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1】平坦基板に光電モジュールを転写する熱圧着処理の概略図。
【図2】平坦基板に付着された光電モジュールの断面図。
【図3】湾曲基板に光電モジュールを転写する熱圧着処理の概略図。
【図4】湾曲基板に付着された湾曲光電モジュールの断面図。
【図5】有機光電池の断面図。
【図6】メッシュ電極の一実施形態の正面図。
【図7】図6のメッシュ電極の断面図。
【図8】メッシュ電極の一部分の断面図。
【図9】別の有機光電池の断面図。
【図10】電気的に直列に接続された複数の光電池を含むシステムの概略図。
【図11】電気的に並列に接続された複数の光電池を含むシステムの概略図。
【図12】色素増感太陽電池の断面図。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる接触工程を含む方法。
【請求項2】
約100℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項3】
約300℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項4】
接触工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項5】
接触工程は、ダイに約6.895MPa(約1,000psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項6】
接触工程は、ダイに約34.47MPa(約5,000psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項7】
1つの光電池と第1の層との間に放出層を配置する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項8】
放出層はポリエステルまたはポリエチレンを含む請求項7に記載の方法。
【請求項9】
光電池は接触層と第1の層との間に配置される請求項1に記載の方法。
【請求項10】
接触層は接着剤を含む請求項9に記載の方法。
【請求項11】
接着剤は、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマーを含む請求項9に記載の方法。
【請求項12】
光電池は光活性材料を含む請求項1に記載の方法。
【請求項13】
光活性材料は電子供与性材料および電子受容性材料を含む請求項12に記載の方法。
【請求項14】
電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含む請求項13に記載の方法。
【請求項15】
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレンおよびポリイソチアナフタレンから選択された材料を含む請求項13に記載の方法。
【請求項16】
光活性材料は相互接続した感光性ナノ粒子材料を含む請求項12に記載の方法。
【請求項17】
相互接続した感光性ナノ粒子材料は、セレン化物、硫化物、テルル化物、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニウム酸化物およびそれらの組み合わせから選択された材料を含む請求項16に記載の方法。
【請求項18】
光活性材料はアモルファスシリコンまたはCIGSを含む請求項12に記載の方法。
【請求項19】
ダイは、少なくとも一部が湾曲しているダイ上の表面で、第1の層と接触する請求項1に記載の方法。
【請求項20】
第2の層は、少なくとも一部が湾曲している第2の層上の表面で、光電池を受容する請求項1に記載の方法。
【請求項21】
第1の層または第2の層はフレキシブル基板を含む請求項1に記載の方法。
【請求項22】
第1の層または第2の層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせから選択されたポリマーを含む請求項21に記載の方法。
【請求項23】
圧着加工を用いて光電池を形成する形成工程を含む方法。
【請求項24】
形成工程は、光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる接触工程を含む請求項23に記載の方法。
【請求項25】
約100℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項24に記載の方法。
【請求項26】
接触工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項24に記載の方法。
【請求項1】
光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる接触工程を含む方法。
【請求項2】
約100℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項3】
約300℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項4】
接触工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項5】
接触工程は、ダイに約6.895MPa(約1,000psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項6】
接触工程は、ダイに約34.47MPa(約5,000psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項7】
1つの光電池と第1の層との間に放出層を配置する工程を含む請求項1に記載の方法。
【請求項8】
放出層はポリエステルまたはポリエチレンを含む請求項7に記載の方法。
【請求項9】
光電池は接触層と第1の層との間に配置される請求項1に記載の方法。
【請求項10】
接触層は接着剤を含む請求項9に記載の方法。
【請求項11】
接着剤は、エポキシ樹脂、ポリウレタン、尿素樹脂、スチレンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン系ポリマーまたはポリプロピレン系ポリマーを含む請求項9に記載の方法。
【請求項12】
光電池は光活性材料を含む請求項1に記載の方法。
【請求項13】
光活性材料は電子供与性材料および電子受容性材料を含む請求項12に記載の方法。
【請求項14】
電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含む請求項13に記載の方法。
【請求項15】
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレンおよびポリイソチアナフタレンから選択された材料を含む請求項13に記載の方法。
【請求項16】
光活性材料は相互接続した感光性ナノ粒子材料を含む請求項12に記載の方法。
【請求項17】
相互接続した感光性ナノ粒子材料は、セレン化物、硫化物、テルル化物、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ジルコニウム酸化物およびそれらの組み合わせから選択された材料を含む請求項16に記載の方法。
【請求項18】
光活性材料はアモルファスシリコンまたはCIGSを含む請求項12に記載の方法。
【請求項19】
ダイは、少なくとも一部が湾曲しているダイ上の表面で、第1の層と接触する請求項1に記載の方法。
【請求項20】
第2の層は、少なくとも一部が湾曲している第2の層上の表面で、光電池を受容する請求項1に記載の方法。
【請求項21】
第1の層または第2の層はフレキシブル基板を含む請求項1に記載の方法。
【請求項22】
第1の層または第2の層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトンおよびそれらの組み合わせから選択されたポリマーを含む請求項21に記載の方法。
【請求項23】
圧着加工を用いて光電池を形成する形成工程を含む方法。
【請求項24】
形成工程は、光電池を支持する第1の層とダイを接触させ、光電池を第2の層へ転写させる接触工程を含む請求項23に記載の方法。
【請求項25】
約100℃以上までダイを加熱する工程を含む請求項24に記載の方法。
【請求項26】
接触工程は、ダイに約0.689MPa(約100psi)以上の圧力を加える工程を含む請求項24に記載の方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公表番号】特表2009−501448(P2009−501448A)
【公表日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−521510(P2008−521510)
【出願日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【国際出願番号】PCT/US2006/026825
【国際公開番号】WO2007/008861
【国際公開日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【出願人】(504455218)コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド (42)
【氏名又は名称原語表記】KONARKA TECHNOLOGIES,INC.
【出願人】(507416986)
【氏名又は名称原語表記】LEONHARD KURZ STIFTUNG & CO.KG
【Fターム(参考)】
【公表日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【国際出願番号】PCT/US2006/026825
【国際公開番号】WO2007/008861
【国際公開日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【出願人】(504455218)コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド (42)
【氏名又は名称原語表記】KONARKA TECHNOLOGIES,INC.
【出願人】(507416986)
【氏名又は名称原語表記】LEONHARD KURZ STIFTUNG & CO.KG
【Fターム(参考)】
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