回路基板およびその製造方法
【目的】本発明は、工程能力を向上させることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、以下のステップを有する。基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成する。誘電層の上に絶縁層を形成する。絶縁層の一部および誘電層の一部を取り除いて、誘電層および絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイアを形成する。ブラインドバイアの側壁および絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層を形成する。ここで、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい。パターン化された導電層をメッキして、無電解メッキ層を覆う。
【解決手段】回路基板の製造方法は、以下のステップを有する。基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成する。誘電層の上に絶縁層を形成する。絶縁層の一部および誘電層の一部を取り除いて、誘電層および絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイアを形成する。ブラインドバイアの側壁および絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層を形成する。ここで、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい。パターン化された導電層をメッキして、無電解メッキ層を覆う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板およびその製造方法に関するものであり、特に、工程能力を向上させることのできる回路基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、微細パターンと高密度を有する回路基板を製造する方法は、セミアディティブ法（semi-additive process, SAP）を用いて、必要な回路層を形成する。セミアディティブ法は、絶縁材料の特性により、層間絶縁フィルム（Ajinomoto build-up film, ABF）のセミアディティブ法と、非ＡＢＦのセミアディティブ法の２つのグループに分けられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＡＢＦの表面が粗くなった後、ＡＢＦの上に導電層を直接製造することができる。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行って、微細パターンを有する回路層を形成する。しかし、絶縁材料がＡＢＦに限定されるため、製造コストが高い。
【０００４】
非ＡＢＦを使用して製造する方法は、非ＡＢＦの表面に薄い銅層を押圧することを含む。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行って、微細パターンを有する回路層を形成する。しかし、薄い銅膜は非ＡＢＳに対して接着力が弱いため、非ＡＢＳを使用する方法の工程能力は、ＡＢＳを使用する方法の工程能力よりも低い。したがって、現在のセミアディティブ工程では、ＡＢＦのような特定の材料を使用する場合に、メッキ銅を形成する前に尻銅（bottom copper）を形成しなくても、ＡＢＦにメッキ銅を形成することができる。また、非ＡＢＦを使用する場合は、非ＡＢＦに尻銅とメッキ銅の両方を形成することが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、工程能力を向上させることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【０００６】
本発明は、ＡＢＦのような特定の材料を必要としないことにより、製造コストを下げることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【０００７】
本発明は、以下のステップを有する回路基板の製造方法を提供する。基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成する。誘電層の上に絶縁層を形成する。絶縁層の一部および誘電層の一部を取り除いて、誘電層および絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイア（blind via）を形成する。ブラインドバイアの側壁および絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層（electroless plating layer）を形成する。ここで、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい。パターン化された導電層をメッキして、無電解メッキ層を覆う。
【０００８】
本発明は、基板と、誘電層と、絶縁層と、無電解メッキ層と、パターン化された導電層とを含む回路基板を提供する。誘電層は、基板の少なくとも１つの表面に配置される。絶縁層は、誘電層の上に配置される。無電解メッキ層は、絶縁層の一部および少なくとも１つのブラインドバイアの側壁を覆う。ここで、ブラインドバイアは、誘電層および絶縁層の中に形成され、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の結合力よりも大きい。パターン化された導電層は、無電解メッキ層の上、およびブラインドバイアの中に配置される。
【０００９】
本発明のある実施形態中、誘電層は、熱硬化性樹脂を含む。
【００１０】
本発明のある実施形態中、誘電層は、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む。
【００１１】
本発明のある実施形態中、絶縁層は、熱可塑性樹脂を含む。
【００１２】
本発明のある実施形態中、絶縁層は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む。
【００１３】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、誘電層の上に絶縁層を形成するステップの後に、絶縁層に対して表面粗化処理（surface roughening treatment）を行うことを含む。
【００１４】
本発明のある実施形態中、絶縁層を形成する方法は、コーティングプロセス（coating process）またはインクジェット印刷プロセス（inkjet printing process）を行うことを含む。
【００１５】
本発明のある実施形態中、少なくとも１つのブラインドバイアを形成する方法は、レーザ穴あけプロセス（laser-drilling process）を行うことを含む。
【００１６】
本発明のある実施形態中、少なくとも１つのブラインドバイアを形成するステップは、さらに、ブラインドバイアの下に配置された電気接続パッドを露出して、電気接続パッドを基板の表面に配置することを含む。
【００１７】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、パターン化された導電層をメッキするステップの前に、無電解メッキ層の上にパターン化されたフォトレジスト層を形成することを含む。
【００１８】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、パターン化された導電層をメッキするステップの後に、パターン化されたフォトレジスト層およびパターン化された導電層によって覆われていない無電解メッキ層を取り除くことを含む。
【００１９】
本発明のある実施形態中、無電解メッキ層の材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である。
【００２０】
本発明のある実施形態中、パターン化された導電層は、Ｃｕを含む。
【００２１】
本発明のある実施形態中、基板の表面は、その上に電気接続パッドを有し、パターン化された導電層は、ブラインドバイアを介して電気接続パッドに電気的に接続される。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。
【００２３】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｃ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｄ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｅ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｆ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図２】本発明の実施形態に係る回路基板の断面図を概略的に示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。各図面および関連説明において、同一または類似する構成要素には、同一の参照番号を使用する。
【００２６】
図１Ａ〜１Ｆは、本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。図２は、本発明の実施形態に係る回路基板の断面図を概略的に示したものである。
【００２７】
回路基板の製造方法は、以下のステップを含む。図１Ａを参照すると、基板１００の２つの表面１００ａおよび１００ｂに、誘電層１１０を形成する。基板１００は、相互に積層された複数のパターン化された回路層（図示せず）および複数のパターン化された誘電層（図示せず）を含む回路板、または他の絶縁材料によって形成されたキャリアである。基板１００の表面１００ａおよび１００ｂは、その上に、それぞれ電気接続パッド１０２およびパターン化された回路１０４を有する。電気接続パッド１０２およびパターン化された回路１０４は、例えば、Ｃｕを含む。誘電層１１０は、例えば、熱硬化性樹脂でもよい。基板１００の１つの表面に半硬化プリプレグ（semi-cured prepreg）を塗布し、硬化温度（hardening temperature）まで加熱して、流体の変形特性（fluid-deformation property）を有する半硬化プリプレグを硬化した誘電層になるまで硬化する。誘電層１１０は、初期液体状態のエポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂、あるいは、初期液体状態の不可逆性高分子材料でもよい。
【００２８】
図１Ｂおよび１Ｃを参照すると、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の一部および誘電層１１０の一部を取り除いて、誘電層１１０および絶縁層１２０の中に少なくとも１つのブラインドバイアＣを形成する。絶縁層１２０は、熱可塑性樹脂でもよく、その形成方法は、例えば、コーティングプロセスまたはインクジェット印刷プロセスを行うことを含む。したがって、絶縁層１２０は、加熱されると液状樹脂になるまで軟化され、冷却されると固体状樹脂になるまで硬化される。さらに、絶縁層１２０が誘電層１１０の上に形成される前に、誘電層１１０に対して表面粗化処理を行って、硬化した誘電層１１０と絶縁層１２０の間の結合力を増強し、各層の間の剥離を防ぐ。
【００２９】
少なくとも１つのブラインドバイアＣを形成する方法は、例えば、レーザ穴あけプロセスを行うことを含む。レーザ穴あけプロセスの後に、デスミア（desmear）ステップを行って、ブラインドバイアＣの中の残留物を取り除く。本実施形態において、レーザで誘電層１１０および絶縁層１２０を開けた後、ブラインドバイアＣの下に配置された電気接続パッド１０２が露出する。絶縁層１２０は、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む。代わりに、絶縁層１２０は、例えば、熱可塑性高分子材料でもよい。熱可塑性高分子材料は初期固体状態にあるが、加熱されると溶けて、冷却されると初期状態に戻る。さらに、後のセミアディティブ法のために、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成した後に、絶縁層１２０に対して表面粗化処理を行う。
【００３０】
図１Ｄおよび１Ｅを参照すると、ブラインドバイアＣの側壁および絶縁層１２０の残りの部分の上に無電解メッキ層１３０を形成する。パターン化された導電層１４０をメッキして、無電解メッキ層１３０を覆う。注意すべきこととして、絶縁層１２０は熱可塑性樹脂でもよく、誘電層１１０は熱硬化性樹脂でもよい。誘電層１１０の上に無電解メッキ層１３０を直接形成する場合、無電解メッキ層１３０は熱可塑性樹脂に対して接着力が弱いため、工程能力を上げることができない。本発明では、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成し、それから、絶縁層１２０の上に無電解メッキ層１３０を形成する。絶縁層１２０と無電解メッキ層１３０の間の結合力は、誘電層１１０と無電解メッキ層１３０の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。本実施形態において、無電解メッキ層１３０の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である。しかしながら、無電解メッキ層１３０の材料は、これらに限定されない。
【００３１】
また、パターン化された導電層１４０をメッキするステップの前に、無電解メッキ層１３０の上にパターン化されたフォトレジスト層１５０を形成し、それから、パターン化されたフォトレジスト層１５０に覆われていない無電解メッキ層１３０の上に（すなわち、パターン化されたフォトレジスト層１５０の開口１５２の中に）導電材料をメッキして、必要なパターン化された導電層１４０を形成する。本実施形態において、パターン化された導電層１４０は、ブラインドバイアＣを充填し、ブラインドバイアＣの下の電気接続パッド１０２に電気的に接続される。パターン化された導電層１４０は、例えば、Ｃｕを含む。
【００３２】
図１Ｆを参照すると、パターン化された導電層１４０をメッキするステップの後に、パターン化されたフォトレジスト層１５０およびパターン化された導電層１４０に覆われていない無電解メッキ層１３０をさらに取り除いて、回路パターンを有する回路層を形成する。無電解メッキ層１３０を取り除く方法は、例えば、エッチングプロセスを行うことを含む。エッチングプロセスの後、無電解メッキ層１３０がエッチングされ、同じ回路パターンを有する無電解メッキ層１３０ａを形成する。上述した実施形態において、基板１００の２つの表面に、２つの誘電層１１０、２つの絶縁層１２０、および２つの無電解メッキ層１３０を形成し、両面メッキ（double-side plating）を行って、２つのパターン化された導電層１４０を同時に形成する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。当業者であれば、必要に応じて、上述したプロセスを基板の単面に行っても、または両面に行ってもよいことを理解できるであろう。
【００３３】
図２に示すように、回路基板１０は、基板１００と、２つの誘電層１１０と、２つの絶縁層１２０と、２つの無電解メッキ層１３０ａと、２つのパターン化された導電層１４０とを備える。２つの誘電層１１０は、それぞれ基板１００の２つの対抗する表面１００ａおよび１００ｂに配置される。２つの絶縁層１２０は、それぞれ２つの誘電層１１０の上に配置される。２つの無電解メッキ層１３０ａは、２つの絶縁層１２０の一部および少なくとも１つのブラインドバイアＣの側壁を覆う。ここで、ブラインドバイアＣは、誘電層１１０および対応する絶縁層１２０の中に形成される。絶縁層１２０と無電解メッキ層１３０ａの間の結合力は、誘電層１１０と無電解メッキ層１３０ａの間の結合力よりも大きい。２つのパターン化された導電層１４０は、２つの無電解メッキ層１３０ａの上、およびブラインドバイアＣの中に形成され、回路パターンを有する回路層を形成する。さらに、基板１００の表面１００ａは、その上に電気接続パッド１０２を有し、対応するパターン化された導電層１４０は、ブラインドバイアＣを介して電気接続パッド１０２に電気的に接続される。上述した実施形態において、回路基板１０は、２つの誘電層１１０と、２つの絶縁層１２０と、２つの無電解メッキ層１３０ａと、２つのパターン化された導電層１４０とを備える。しかしながら、本発明はこれらに限定されない。当業者であれば、必要に応じて、単面構造または両面構造が利用可能であることを理解できるであろう。
【００３４】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。本発明の絶縁材料はＡＢＦに限定されないため、製造コストが下がる。同様に、本発明の絶縁材料が粗くなった後、無電解メッキプロセスまたは液浸コーティング（immersion coating）プロセスを行うことによって、その上に無電解メッキ層を形成することができる。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行う。
【００３５】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００３６】
１０ 回路基板
１００ 基板
１００ａ、１００ｂ 表面
１０２ 電気接続パッド
１０４ パターン化された回路
１１０ 誘電層
１２０ 絶縁層
１３０、１３０ａ 無電解メッキ層
１４０ パターン化された導電層
１５０ パターン化されたフォトレジスト層
１５２ 開口
Ｃ ブラインドバイア
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板およびその製造方法に関するものであり、特に、工程能力を向上させることのできる回路基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、微細パターンと高密度を有する回路基板を製造する方法は、セミアディティブ法（semi-additive process, SAP）を用いて、必要な回路層を形成する。セミアディティブ法は、絶縁材料の特性により、層間絶縁フィルム（Ajinomoto build-up film, ABF）のセミアディティブ法と、非ＡＢＦのセミアディティブ法の２つのグループに分けられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＡＢＦの表面が粗くなった後、ＡＢＦの上に導電層を直接製造することができる。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行って、微細パターンを有する回路層を形成する。しかし、絶縁材料がＡＢＦに限定されるため、製造コストが高い。
【０００４】
非ＡＢＦを使用して製造する方法は、非ＡＢＦの表面に薄い銅層を押圧することを含む。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行って、微細パターンを有する回路層を形成する。しかし、薄い銅膜は非ＡＢＳに対して接着力が弱いため、非ＡＢＳを使用する方法の工程能力は、ＡＢＳを使用する方法の工程能力よりも低い。したがって、現在のセミアディティブ工程では、ＡＢＦのような特定の材料を使用する場合に、メッキ銅を形成する前に尻銅（bottom copper）を形成しなくても、ＡＢＦにメッキ銅を形成することができる。また、非ＡＢＦを使用する場合は、非ＡＢＦに尻銅とメッキ銅の両方を形成することが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、工程能力を向上させることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【０００６】
本発明は、ＡＢＦのような特定の材料を必要としないことにより、製造コストを下げることのできる回路基板およびその製造方法を提供する。
【０００７】
本発明は、以下のステップを有する回路基板の製造方法を提供する。基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成する。誘電層の上に絶縁層を形成する。絶縁層の一部および誘電層の一部を取り除いて、誘電層および絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイア（blind via）を形成する。ブラインドバイアの側壁および絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層（electroless plating layer）を形成する。ここで、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい。パターン化された導電層をメッキして、無電解メッキ層を覆う。
【０００８】
本発明は、基板と、誘電層と、絶縁層と、無電解メッキ層と、パターン化された導電層とを含む回路基板を提供する。誘電層は、基板の少なくとも１つの表面に配置される。絶縁層は、誘電層の上に配置される。無電解メッキ層は、絶縁層の一部および少なくとも１つのブラインドバイアの側壁を覆う。ここで、ブラインドバイアは、誘電層および絶縁層の中に形成され、絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の結合力よりも大きい。パターン化された導電層は、無電解メッキ層の上、およびブラインドバイアの中に配置される。
【０００９】
本発明のある実施形態中、誘電層は、熱硬化性樹脂を含む。
【００１０】
本発明のある実施形態中、誘電層は、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む。
【００１１】
本発明のある実施形態中、絶縁層は、熱可塑性樹脂を含む。
【００１２】
本発明のある実施形態中、絶縁層は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む。
【００１３】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、誘電層の上に絶縁層を形成するステップの後に、絶縁層に対して表面粗化処理（surface roughening treatment）を行うことを含む。
【００１４】
本発明のある実施形態中、絶縁層を形成する方法は、コーティングプロセス（coating process）またはインクジェット印刷プロセス（inkjet printing process）を行うことを含む。
【００１５】
本発明のある実施形態中、少なくとも１つのブラインドバイアを形成する方法は、レーザ穴あけプロセス（laser-drilling process）を行うことを含む。
【００１６】
本発明のある実施形態中、少なくとも１つのブラインドバイアを形成するステップは、さらに、ブラインドバイアの下に配置された電気接続パッドを露出して、電気接続パッドを基板の表面に配置することを含む。
【００１７】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、パターン化された導電層をメッキするステップの前に、無電解メッキ層の上にパターン化されたフォトレジスト層を形成することを含む。
【００１８】
本発明のある実施形態中、製造方法は、さらに、パターン化された導電層をメッキするステップの後に、パターン化されたフォトレジスト層およびパターン化された導電層によって覆われていない無電解メッキ層を取り除くことを含む。
【００１９】
本発明のある実施形態中、無電解メッキ層の材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である。
【００２０】
本発明のある実施形態中、パターン化された導電層は、Ｃｕを含む。
【００２１】
本発明のある実施形態中、基板の表面は、その上に電気接続パッドを有し、パターン化された導電層は、ブラインドバイアを介して電気接続パッドに電気的に接続される。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。
【００２３】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｃ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｄ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｅ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図１Ｆ】本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。
【図２】本発明の実施形態に係る回路基板の断面図を概略的に示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。各図面および関連説明において、同一または類似する構成要素には、同一の参照番号を使用する。
【００２６】
図１Ａ〜１Ｆは、本発明の実施形態に係る回路基板の製造方法の断面図を概略的に示したものである。図２は、本発明の実施形態に係る回路基板の断面図を概略的に示したものである。
【００２７】
回路基板の製造方法は、以下のステップを含む。図１Ａを参照すると、基板１００の２つの表面１００ａおよび１００ｂに、誘電層１１０を形成する。基板１００は、相互に積層された複数のパターン化された回路層（図示せず）および複数のパターン化された誘電層（図示せず）を含む回路板、または他の絶縁材料によって形成されたキャリアである。基板１００の表面１００ａおよび１００ｂは、その上に、それぞれ電気接続パッド１０２およびパターン化された回路１０４を有する。電気接続パッド１０２およびパターン化された回路１０４は、例えば、Ｃｕを含む。誘電層１１０は、例えば、熱硬化性樹脂でもよい。基板１００の１つの表面に半硬化プリプレグ（semi-cured prepreg）を塗布し、硬化温度（hardening temperature）まで加熱して、流体の変形特性（fluid-deformation property）を有する半硬化プリプレグを硬化した誘電層になるまで硬化する。誘電層１１０は、初期液体状態のエポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂、あるいは、初期液体状態の不可逆性高分子材料でもよい。
【００２８】
図１Ｂおよび１Ｃを参照すると、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の一部および誘電層１１０の一部を取り除いて、誘電層１１０および絶縁層１２０の中に少なくとも１つのブラインドバイアＣを形成する。絶縁層１２０は、熱可塑性樹脂でもよく、その形成方法は、例えば、コーティングプロセスまたはインクジェット印刷プロセスを行うことを含む。したがって、絶縁層１２０は、加熱されると液状樹脂になるまで軟化され、冷却されると固体状樹脂になるまで硬化される。さらに、絶縁層１２０が誘電層１１０の上に形成される前に、誘電層１１０に対して表面粗化処理を行って、硬化した誘電層１１０と絶縁層１２０の間の結合力を増強し、各層の間の剥離を防ぐ。
【００２９】
少なくとも１つのブラインドバイアＣを形成する方法は、例えば、レーザ穴あけプロセスを行うことを含む。レーザ穴あけプロセスの後に、デスミア（desmear）ステップを行って、ブラインドバイアＣの中の残留物を取り除く。本実施形態において、レーザで誘電層１１０および絶縁層１２０を開けた後、ブラインドバイアＣの下に配置された電気接続パッド１０２が露出する。絶縁層１２０は、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む。代わりに、絶縁層１２０は、例えば、熱可塑性高分子材料でもよい。熱可塑性高分子材料は初期固体状態にあるが、加熱されると溶けて、冷却されると初期状態に戻る。さらに、後のセミアディティブ法のために、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成した後に、絶縁層１２０に対して表面粗化処理を行う。
【００３０】
図１Ｄおよび１Ｅを参照すると、ブラインドバイアＣの側壁および絶縁層１２０の残りの部分の上に無電解メッキ層１３０を形成する。パターン化された導電層１４０をメッキして、無電解メッキ層１３０を覆う。注意すべきこととして、絶縁層１２０は熱可塑性樹脂でもよく、誘電層１１０は熱硬化性樹脂でもよい。誘電層１１０の上に無電解メッキ層１３０を直接形成する場合、無電解メッキ層１３０は熱可塑性樹脂に対して接着力が弱いため、工程能力を上げることができない。本発明では、誘電層１１０の上に絶縁層１２０を形成し、それから、絶縁層１２０の上に無電解メッキ層１３０を形成する。絶縁層１２０と無電解メッキ層１３０の間の結合力は、誘電層１１０と無電解メッキ層１３０の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。本実施形態において、無電解メッキ層１３０の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である。しかしながら、無電解メッキ層１３０の材料は、これらに限定されない。
【００３１】
また、パターン化された導電層１４０をメッキするステップの前に、無電解メッキ層１３０の上にパターン化されたフォトレジスト層１５０を形成し、それから、パターン化されたフォトレジスト層１５０に覆われていない無電解メッキ層１３０の上に（すなわち、パターン化されたフォトレジスト層１５０の開口１５２の中に）導電材料をメッキして、必要なパターン化された導電層１４０を形成する。本実施形態において、パターン化された導電層１４０は、ブラインドバイアＣを充填し、ブラインドバイアＣの下の電気接続パッド１０２に電気的に接続される。パターン化された導電層１４０は、例えば、Ｃｕを含む。
【００３２】
図１Ｆを参照すると、パターン化された導電層１４０をメッキするステップの後に、パターン化されたフォトレジスト層１５０およびパターン化された導電層１４０に覆われていない無電解メッキ層１３０をさらに取り除いて、回路パターンを有する回路層を形成する。無電解メッキ層１３０を取り除く方法は、例えば、エッチングプロセスを行うことを含む。エッチングプロセスの後、無電解メッキ層１３０がエッチングされ、同じ回路パターンを有する無電解メッキ層１３０ａを形成する。上述した実施形態において、基板１００の２つの表面に、２つの誘電層１１０、２つの絶縁層１２０、および２つの無電解メッキ層１３０を形成し、両面メッキ（double-side plating）を行って、２つのパターン化された導電層１４０を同時に形成する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。当業者であれば、必要に応じて、上述したプロセスを基板の単面に行っても、または両面に行ってもよいことを理解できるであろう。
【００３３】
図２に示すように、回路基板１０は、基板１００と、２つの誘電層１１０と、２つの絶縁層１２０と、２つの無電解メッキ層１３０ａと、２つのパターン化された導電層１４０とを備える。２つの誘電層１１０は、それぞれ基板１００の２つの対抗する表面１００ａおよび１００ｂに配置される。２つの絶縁層１２０は、それぞれ２つの誘電層１１０の上に配置される。２つの無電解メッキ層１３０ａは、２つの絶縁層１２０の一部および少なくとも１つのブラインドバイアＣの側壁を覆う。ここで、ブラインドバイアＣは、誘電層１１０および対応する絶縁層１２０の中に形成される。絶縁層１２０と無電解メッキ層１３０ａの間の結合力は、誘電層１１０と無電解メッキ層１３０ａの間の結合力よりも大きい。２つのパターン化された導電層１４０は、２つの無電解メッキ層１３０ａの上、およびブラインドバイアＣの中に形成され、回路パターンを有する回路層を形成する。さらに、基板１００の表面１００ａは、その上に電気接続パッド１０２を有し、対応するパターン化された導電層１４０は、ブラインドバイアＣを介して電気接続パッド１０２に電気的に接続される。上述した実施形態において、回路基板１０は、２つの誘電層１１０と、２つの絶縁層１２０と、２つの無電解メッキ層１３０ａと、２つのパターン化された導電層１４０とを備える。しかしながら、本発明はこれらに限定されない。当業者であれば、必要に応じて、単面構造または両面構造が利用可能であることを理解できるであろう。
【００３４】
以上のように、回路基板およびその製造方法において、誘電層の上に絶縁層を形成し、それから、絶縁層の上に無電解メッキ層を形成する。絶縁層と無電解メッキ層の間の結合力は、誘電層と無電解メッキ層の間の結合力よりも大きいため、工程能力が向上する。本発明の絶縁材料はＡＢＦに限定されないため、製造コストが下がる。同様に、本発明の絶縁材料が粗くなった後、無電解メッキプロセスまたは液浸コーティング（immersion coating）プロセスを行うことによって、その上に無電解メッキ層を形成することができる。それから、平版印刷、メッキ、剥離、エッチング等のセミアディティブ工程を行う。
【００３５】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００３６】
１０ 回路基板
１００ 基板
１００ａ、１００ｂ 表面
１０２ 電気接続パッド
１０４ パターン化された回路
１１０ 誘電層
１２０ 絶縁層
１３０、１３０ａ 無電解メッキ層
１４０ パターン化された導電層
１５０ パターン化されたフォトレジスト層
１５２ 開口
Ｃ ブラインドバイア
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成することと、
前記誘電層の上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の一部および前記誘電層の一部を取り除いて、前記誘電層および前記絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイアを形成することと、
前記ブラインドバイアの側壁および前記絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層を形成することと、
パターン化された導電層をメッキして、前記無電解メッキ層を覆うことと
を含み、前記絶縁層と前記無電解メッキ層の間の結合力が、前記誘電層と前記無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記誘電層が、熱硬化性樹脂を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記誘電層が、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層が、熱可塑性樹脂を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層が、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記誘電層の上に前記絶縁層を形成する前記ステップの後に、前記絶縁層に対して表面粗化処理を行うことをさらに含む請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する方法が、コーティングプロセスまたはインクジェット印刷プロセスを行うことを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのブラインドバイアを形成する方法が、レーザ穴あけプロセスを行うことを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのブラインドバイアを形成する前記ステップが、さらに、前記ブラインドバイアの下に配置された電気接続パッドを露出して、前記電気接続パッドを前記基板の前記表面に配置することを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記パターン化された導電層をメッキする前記ステップの前に、前記無電解メッキ層の上にパターン化されたフォトレジスト層を形成することをさらに含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
前記パターン化された導電層をメッキする前記ステップの後に、前記パターン化されたフォトレジスト層および前記パターン化された導電層によって覆われていない前記無電解メッキ層を取り除くことをさらに含む請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の少なくとも１つの表面に配置された誘電層と、
前記誘電層の上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の一部および少なくとも１つのブラインドバイアの側壁を覆う無電解メッキ層と、
前記無電解メッキ層の上、および前記ブラインドバイアの中に配置されたパターン化された導電層と
を含み、前記ブラインドバイアが前記誘電層および前記絶縁層の中に形成され、前記絶縁層と前記無電解メッキ層の間の結合力が、前記誘電層と前記無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい回路基板。
【請求項１３】
前記誘電層が、熱硬化性樹脂を含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１４】
前記誘電層が、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む請求項１３記載の回路基板。
【請求項１５】
前記絶縁層が、熱可塑性樹脂を含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１６】
前記絶縁層が、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む請求項１５記載の回路基板。
【請求項１７】
前記無電解メッキ層の材料が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である請求項１２記載の回路基板。
【請求項１８】
前記パターン化された導電層が、Ｃｕを含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１９】
前記基板の表面が、その上に電気接続パッドを有し、前記パターン化された導電層が、前記ブラインドバイアを介して前記電気接続パッドに電気的に接続された請求項１２記載の回路基板。
【請求項１】
基板の少なくとも１つの表面に誘電層を形成することと、
前記誘電層の上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の一部および前記誘電層の一部を取り除いて、前記誘電層および前記絶縁層の中に少なくとも１つのブラインドバイアを形成することと、
前記ブラインドバイアの側壁および前記絶縁層の残りの部分の上に無電解メッキ層を形成することと、
パターン化された導電層をメッキして、前記無電解メッキ層を覆うことと
を含み、前記絶縁層と前記無電解メッキ層の間の結合力が、前記誘電層と前記無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記誘電層が、熱硬化性樹脂を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記誘電層が、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層が、熱可塑性樹脂を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層が、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記誘電層の上に前記絶縁層を形成する前記ステップの後に、前記絶縁層に対して表面粗化処理を行うことをさらに含む請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層を形成する方法が、コーティングプロセスまたはインクジェット印刷プロセスを行うことを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのブラインドバイアを形成する方法が、レーザ穴あけプロセスを行うことを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのブラインドバイアを形成する前記ステップが、さらに、前記ブラインドバイアの下に配置された電気接続パッドを露出して、前記電気接続パッドを前記基板の前記表面に配置することを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記パターン化された導電層をメッキする前記ステップの前に、前記無電解メッキ層の上にパターン化されたフォトレジスト層を形成することをさらに含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
前記パターン化された導電層をメッキする前記ステップの後に、前記パターン化されたフォトレジスト層および前記パターン化された導電層によって覆われていない前記無電解メッキ層を取り除くことをさらに含む請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の少なくとも１つの表面に配置された誘電層と、
前記誘電層の上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の一部および少なくとも１つのブラインドバイアの側壁を覆う無電解メッキ層と、
前記無電解メッキ層の上、および前記ブラインドバイアの中に配置されたパターン化された導電層と
を含み、前記ブラインドバイアが前記誘電層および前記絶縁層の中に形成され、前記絶縁層と前記無電解メッキ層の間の結合力が、前記誘電層と前記無電解メッキ層の間の結合力よりも大きい回路基板。
【請求項１３】
前記誘電層が、熱硬化性樹脂を含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１４】
前記誘電層が、エポキシ樹脂またはガラス繊維強化エポキシ樹脂を含む請求項１３記載の回路基板。
【請求項１５】
前記絶縁層が、熱可塑性樹脂を含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１６】
前記絶縁層が、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、またはポリイミド樹脂を含む請求項１５記載の回路基板。
【請求項１７】
前記無電解メッキ層の材料が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、およびＳｎから成る群から選ばれた金属である請求項１２記載の回路基板。
【請求項１８】
前記パターン化された導電層が、Ｃｕを含む請求項１２記載の回路基板。
【請求項１９】
前記基板の表面が、その上に電気接続パッドを有し、前記パターン化された導電層が、前記ブラインドバイアを介して前記電気接続パッドに電気的に接続された請求項１２記載の回路基板。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図２】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１３９０１０（Ｐ２０１１−１３９０１０Ａ）
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１０−１００６７７（Ｐ２０１０−１００６７７）
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【出願人】（５０４３６６１０９）欣興電子股▲ふん▼有限公司 (21)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１００６７７（Ｐ２０１０−１００６７７）
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【出願人】（５０４３６６１０９）欣興電子股▲ふん▼有限公司 (21)
【Ｆターム（参考）】
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