回路基板及びその製造方法
【課題】歩留りを向上できる回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２上に形成される導体部４の一部を露出した第１、第２ランド部１１、２１を設け、第１ランド部１１にチップ部品１０を半田付けするとともに貫通孔２１ａを有する第２ランド部２１に挿入部品２０を半田付けする回路基板１の製造方法において、マスク６により所定位置を覆って第１、第２ランド部１１、２１にペースト状の第１半田１２を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部１１にチップ部品１０を半田付けするチップ部品実装工程と、絶縁基板２を半田槽に浸漬して第２半田２２を第２ランド部２１に設けるフロー半田工程と、貫通孔２１ａに挿入した挿入部品２０を第２ランド部２１に半田付けする挿入部品実装工程とを備えた。
【解決手段】絶縁基板２上に形成される導体部４の一部を露出した第１、第２ランド部１１、２１を設け、第１ランド部１１にチップ部品１０を半田付けするとともに貫通孔２１ａを有する第２ランド部２１に挿入部品２０を半田付けする回路基板１の製造方法において、マスク６により所定位置を覆って第１、第２ランド部１１、２１にペースト状の第１半田１２を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部１１にチップ部品１０を半田付けするチップ部品実装工程と、絶縁基板２を半田槽に浸漬して第２半田２２を第２ランド部２１に設けるフロー半田工程と、貫通孔２１ａに挿入した挿入部品２０を第２ランド部２１に半田付けする挿入部品実装工程とを備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品と挿入部品を実装した回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板は特許文献１に開示される。この回路基板は絶縁基板に設けられた導体部の一部を露出したランド部にリフロー半田工程及びフロー半田工程によって半田が設けられる。リフロー半田工程はクリーム半田等のペースト状の半田がランド部に塗布される。ＩＣ等のチップ部品はリフロー半田工程で設けられた半田上に設置され、恒温槽で所定温度に昇温して半田付けされる。
【０００３】
フロー工程は半田槽内に絶縁基板を浸漬して貫通孔を有するランド部に半田が設けられる。コンデンサ等の挿入部品は貫通孔に挿入され、貫通孔の周囲のランド部に設けた半田により半田付けされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６０３２７号公報（第４頁−第５頁、第５図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の回路基板によると、リフロー半田工程で絶縁基板を恒温槽に入れるため、挿入部品が配されるランド部が酸化し易くなる。このため、フロー半田工程で該ランド部に半田が付きにくく、挿入部品の半田付け不良が生じて回路基板の歩留りが低下する問題があった。
【０００６】
本発明は、歩留りを向上できる回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板上に形成される導体部の一部を露出した第１、第２ランド部を設け、第１ランド部にチップ部品を半田付けするとともに貫通孔を有する第２ランド部に挿入部品を半田付けする回路基板の製造方法において、マスクにより所定位置を覆って第１、第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部に前記チップ部品を半田付けするチップ部品実装工程と、前記絶縁基板を半田槽に浸漬して第２半田を第２ランド部に設けるフロー半田工程と、前記貫通孔に挿入した前記挿入部品を第２ランド部に半田付けする挿入部品実装工程とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
この構成によると、絶縁基板上には所定のパターンの導体部が形成され、導体部の一部を露出して第１、第２ランド部が設けられる。リフロー半田工程では第１、第２ランド部を露出してマスクにより絶縁基板が覆われ、第１、第２ランド部上にクリーム半田等のペースト状の第１半田が塗布される。チップ部品実装工程では第１ランド部の第１半田上にチップ部品が設置され、絶縁基板を恒温槽に入れてチップ部品が半田付けされる。フロー半田工程では絶縁基板が半田槽に浸漬され、第２ランド部の第１半田上に第２半田が付着する。この時、チップ部品を覆って絶縁基板を半田槽に浸漬してもよい。挿入部品実装工程では第２ランド部の貫通孔に挿入部品が挿入され、第２半田によって挿入部品が半田付けされる。
【０００９】
また本発明は、上記構成の回路基板の製造方法において、前記マスクにより前記貫通孔を覆うことを特徴としている。この構成によると、リフロー半田工程で貫通孔がマスクにより覆われ、第１半田による貫通孔の閉塞が防止される。
【００１０】
また本発明は、上記構成の回路基板の製造方法において、前記絶縁基板の両面に第１ランド部を設けて前記チップ部品が実装されるとともに一方の面の第２ランド部に第２半田を設け、一方の面の前記リフロー半田工程を他方の面の前記チップ部品実装工程の前に行うことを特徴としている。
【００１１】
この構成によると、例えば、絶縁基板の表面の第１ランド部にリフロー半田工程によって第１半田が塗布され、次に裏面の第１、第２ランド部にリフロー半田工程によって第１半田が塗布される。そして、チップ部品実装工程によって両面の第１ランド部にチップ部品が実装された後に、フロー半田工程によって裏面の第２ランド部に第２半田が設けられる。裏面の第１ランド部にチップ部品を実装した後に表面の第１ランド部のリフロー半田工程を行ってもよい。
【００１２】
また本発明は、絶縁基板上に第１ランド部と貫通孔を有する第２ランド部とが露出し、第１ランド部にペースト状の第１半田を塗布してチップ部品が半田付けされるとともに、前記絶縁基板を半田槽に浸漬することによって第２ランド部に第２半田を設けて挿入部品が半田付けされる回路基板において、第２ランド部に第１半田を塗布した後に第２半田を設けたことを特徴としている。
【００１３】
この構成によると、第１半田が塗布された第１ランド部上にチップ部品が半田付けされる。第２ランド部には第１、第２半田が積層され、第２ランド部の貫通孔に挿入された挿入部品が半田付けされる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、挿入部品が取り付けられる第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布し、絶縁基板を半田槽に浸漬して第２ランド部の第１半田上に第２半田を設けるので、高価なメッキ処理等を必要とせず第２ランド部の酸化を防止することができる。従って、挿入部品の半田付け不良を低減して回路基板の歩留りを向上することができる。加えて、第１半田に含まれるフラックス成分によって第２半田が付きやすくなり、半田付け時間を短縮して電子部品への熱ストレスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態の回路基板を示す側面断面図
【図２】本発明の実施形態の回路基板の表面リフロー半田工程を示す側面断面図
【図３】本発明の実施形態の回路基板の表面チップ部品実装工程を示す側面断面図
【図４】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程を示す側面断面図
【図５】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程のマスクを示す平面図
【図６】図５のＡ部及びＢ部拡大図
【図７】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程の第２ランド部を示す平面図
【図８】本発明の実施形態の回路基板の裏面チップ部品実装工程を示す側面断面図
【図９】本発明の実施形態の回路基板のフロー半田工程を示す側面断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は一実施形態の回路基板を示す側面断面図である。回路基板１は絶縁基板２上に銅箔等によって所定のパターンの導体部４が形成される。導体部４はレジスト５により覆われて一部が露出し、第１、第２ランド部１１、２１が形成される。第２ランド部２１は絶縁基板２を貫通する貫通孔２１ａの周囲に設けられる。
【００１７】
第１ランド部１１上にはクリーム半田等のペースト状の第１半田１２が塗布され、ＩＣ等のチップ部品１０の脚部１０ａが半田付けされる。第２ランド部１２上には半田槽に絶縁基板２を浸漬して第２半田２２が設けられ、コンデンサ等の挿入部品２０の脚部２０ａが貫通孔２１ａに挿入して半田付けされる。
【００１８】
図２〜図９は回路基板１の製造工程を示している。図２は絶縁基板２の一方の面（表面）の第１ランド部１１に第１半田を塗布する表面リフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２には導体部４の一部を露出した第１、第２ランド部１１、２１が形成され、表面の第１ランド部１１にクリーム半田等のペースト状の第１半田１２が塗布される。この時、貫通孔２１ａを有する表面の第２ランド部２１はマスク等により覆われる。
【００１９】
次に、図３は絶縁基板２の表面にチップ部品１０を実装する表面チップ部品実装工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の表面の第１ランド部１１の第１半田１２上にはＩＣ等のチップ部品１０の脚部１０ａが設置される。そして、絶縁基板２が恒温槽に入れられ、溶融した第１半田１２によってチップ部品１０が半田付けされる。
【００２０】
次に、図４は絶縁基板２の他方の面（裏面）の第１ランド部１１に第１半田１２を塗布する裏面リフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の裏面上には図５に示すようなマスク６が設置される。マスク６によって第１半田１２を塗布する第１、第２ランド部１１、２１を露出して絶縁基板２が覆われる。そして、クリーム半田等のペースト状の第１半田１２が第１、第２ランド部１１、２１に塗布される。
【００２１】
図６は図５のＡ部及びＢ部の詳細を示している。マスク６は第２ランド部２１に対向する複数のアーチ状の孔部６ａが環状に配置される。これにより、孔部６ａの内縁の内側には第２ランド部２１の貫通孔２１ａを覆う円形の遮蔽部６ｂが形成される。絶縁基板２をマスク６で覆って第１半田１２を塗布すると、図７に示すように第２ランド部２１上にアーチ状の第１半田１２が形成される。
【００２２】
次に、図８は絶縁基板２の裏面にチップ部品１０を実装する裏面チップ部品実装工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の裏面の第１ランド部１１の第１半田１２上にはチップ部品１０の脚部１０ａが設置される。そして、絶縁基板２が恒温槽に入れられ、溶融した第１半田１２によってチップ部品１０が半田付けされる。
【００２３】
次に、図９は絶縁基板２の裏面の第２ランド部２１に第２半田２２を設けるフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２は両面のチップ部品１０や表面の第２ランド部２１をマスク（不図示）により覆われ、半田槽に浸漬される。これにより、裏面の第２ランド部２１に第２半田２２が設けられる。この時、第２半田２２は第２ランド部２１に塗布された第１半田１２上に付着するため、第１半田１２に含まれるフラックス成分により第２半田２２を容易に付着させることができる。
【００２４】
そして、挿入部品実装工程で貫通孔２１ａに挿入部品２０の脚部２０ａが挿入されて挿入部品２０が半田付けされ、前述の図１に示す回路基板１が得られる。
【００２５】
本実施形態によると、裏面リフロー半田工程（リフロー半田工程）で挿入部品２０が取り付けられる第２ランド部２１にペースト状の第１半田１２を塗布し、フロー半田工程で絶縁基板２を半田槽に浸漬して第２ランド部２１の第１半田上１２に第２半田２２を設けるので、高価なメッキ処理等を必要とせず第２ランド部２１の酸化を防止することができる。従って、挿入部品２０の半田付け不良を低減して回路基板１の歩留りを向上することができる。加えて、第１半田１２に含まれるフラックス成分によって第２半田２２が付きやすくなり、半田付け時間を短縮して電子部品への熱ストレスを低減することができる。
【００２６】
また、裏面リフロー半田工程でマスク６により貫通孔２１ａを覆うので、貫通孔２１ａの第１半田１２による閉塞を防止することができる。
【００２７】
本実施形態において、裏面リフロー半田工程を表面チップ部品実装工程の後に行っているが、表面チップ部品実装工程の前に行ってもよい。これにより、表面チップ部品実装工程で絶縁基板２を恒温槽に入れる前に第２半田２２が設けられる裏面の第２ランド部２１に第１半田１２が塗布される。従って、第２ランド部２１の酸化をより確実に防止することができる。尚、裏面チップ部品実装工程の後に表面リフロー半田工程及び表面チップ部品実装工程を行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明によると、チップ部品と挿入部品を実装した回路基板に利用することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１ 回路基板
２ 絶縁基板
４ 導体部
５ レジスト
６ マスク
６ａ 孔部
１０ チップ部品
１１ 第１ランド部
１２ 第１半田
２０ 挿入部品
２１ 第２ランド部
２１ａ 貫通孔
２２ 第２半田
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品と挿入部品を実装した回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板は特許文献１に開示される。この回路基板は絶縁基板に設けられた導体部の一部を露出したランド部にリフロー半田工程及びフロー半田工程によって半田が設けられる。リフロー半田工程はクリーム半田等のペースト状の半田がランド部に塗布される。ＩＣ等のチップ部品はリフロー半田工程で設けられた半田上に設置され、恒温槽で所定温度に昇温して半田付けされる。
【０００３】
フロー工程は半田槽内に絶縁基板を浸漬して貫通孔を有するランド部に半田が設けられる。コンデンサ等の挿入部品は貫通孔に挿入され、貫通孔の周囲のランド部に設けた半田により半田付けされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６０３２７号公報（第４頁−第５頁、第５図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の回路基板によると、リフロー半田工程で絶縁基板を恒温槽に入れるため、挿入部品が配されるランド部が酸化し易くなる。このため、フロー半田工程で該ランド部に半田が付きにくく、挿入部品の半田付け不良が生じて回路基板の歩留りが低下する問題があった。
【０００６】
本発明は、歩留りを向上できる回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板上に形成される導体部の一部を露出した第１、第２ランド部を設け、第１ランド部にチップ部品を半田付けするとともに貫通孔を有する第２ランド部に挿入部品を半田付けする回路基板の製造方法において、マスクにより所定位置を覆って第１、第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部に前記チップ部品を半田付けするチップ部品実装工程と、前記絶縁基板を半田槽に浸漬して第２半田を第２ランド部に設けるフロー半田工程と、前記貫通孔に挿入した前記挿入部品を第２ランド部に半田付けする挿入部品実装工程とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
この構成によると、絶縁基板上には所定のパターンの導体部が形成され、導体部の一部を露出して第１、第２ランド部が設けられる。リフロー半田工程では第１、第２ランド部を露出してマスクにより絶縁基板が覆われ、第１、第２ランド部上にクリーム半田等のペースト状の第１半田が塗布される。チップ部品実装工程では第１ランド部の第１半田上にチップ部品が設置され、絶縁基板を恒温槽に入れてチップ部品が半田付けされる。フロー半田工程では絶縁基板が半田槽に浸漬され、第２ランド部の第１半田上に第２半田が付着する。この時、チップ部品を覆って絶縁基板を半田槽に浸漬してもよい。挿入部品実装工程では第２ランド部の貫通孔に挿入部品が挿入され、第２半田によって挿入部品が半田付けされる。
【０００９】
また本発明は、上記構成の回路基板の製造方法において、前記マスクにより前記貫通孔を覆うことを特徴としている。この構成によると、リフロー半田工程で貫通孔がマスクにより覆われ、第１半田による貫通孔の閉塞が防止される。
【００１０】
また本発明は、上記構成の回路基板の製造方法において、前記絶縁基板の両面に第１ランド部を設けて前記チップ部品が実装されるとともに一方の面の第２ランド部に第２半田を設け、一方の面の前記リフロー半田工程を他方の面の前記チップ部品実装工程の前に行うことを特徴としている。
【００１１】
この構成によると、例えば、絶縁基板の表面の第１ランド部にリフロー半田工程によって第１半田が塗布され、次に裏面の第１、第２ランド部にリフロー半田工程によって第１半田が塗布される。そして、チップ部品実装工程によって両面の第１ランド部にチップ部品が実装された後に、フロー半田工程によって裏面の第２ランド部に第２半田が設けられる。裏面の第１ランド部にチップ部品を実装した後に表面の第１ランド部のリフロー半田工程を行ってもよい。
【００１２】
また本発明は、絶縁基板上に第１ランド部と貫通孔を有する第２ランド部とが露出し、第１ランド部にペースト状の第１半田を塗布してチップ部品が半田付けされるとともに、前記絶縁基板を半田槽に浸漬することによって第２ランド部に第２半田を設けて挿入部品が半田付けされる回路基板において、第２ランド部に第１半田を塗布した後に第２半田を設けたことを特徴としている。
【００１３】
この構成によると、第１半田が塗布された第１ランド部上にチップ部品が半田付けされる。第２ランド部には第１、第２半田が積層され、第２ランド部の貫通孔に挿入された挿入部品が半田付けされる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、挿入部品が取り付けられる第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布し、絶縁基板を半田槽に浸漬して第２ランド部の第１半田上に第２半田を設けるので、高価なメッキ処理等を必要とせず第２ランド部の酸化を防止することができる。従って、挿入部品の半田付け不良を低減して回路基板の歩留りを向上することができる。加えて、第１半田に含まれるフラックス成分によって第２半田が付きやすくなり、半田付け時間を短縮して電子部品への熱ストレスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態の回路基板を示す側面断面図
【図２】本発明の実施形態の回路基板の表面リフロー半田工程を示す側面断面図
【図３】本発明の実施形態の回路基板の表面チップ部品実装工程を示す側面断面図
【図４】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程を示す側面断面図
【図５】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程のマスクを示す平面図
【図６】図５のＡ部及びＢ部拡大図
【図７】本発明の実施形態の回路基板の裏面リフロー半田工程の第２ランド部を示す平面図
【図８】本発明の実施形態の回路基板の裏面チップ部品実装工程を示す側面断面図
【図９】本発明の実施形態の回路基板のフロー半田工程を示す側面断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は一実施形態の回路基板を示す側面断面図である。回路基板１は絶縁基板２上に銅箔等によって所定のパターンの導体部４が形成される。導体部４はレジスト５により覆われて一部が露出し、第１、第２ランド部１１、２１が形成される。第２ランド部２１は絶縁基板２を貫通する貫通孔２１ａの周囲に設けられる。
【００１７】
第１ランド部１１上にはクリーム半田等のペースト状の第１半田１２が塗布され、ＩＣ等のチップ部品１０の脚部１０ａが半田付けされる。第２ランド部１２上には半田槽に絶縁基板２を浸漬して第２半田２２が設けられ、コンデンサ等の挿入部品２０の脚部２０ａが貫通孔２１ａに挿入して半田付けされる。
【００１８】
図２〜図９は回路基板１の製造工程を示している。図２は絶縁基板２の一方の面（表面）の第１ランド部１１に第１半田を塗布する表面リフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２には導体部４の一部を露出した第１、第２ランド部１１、２１が形成され、表面の第１ランド部１１にクリーム半田等のペースト状の第１半田１２が塗布される。この時、貫通孔２１ａを有する表面の第２ランド部２１はマスク等により覆われる。
【００１９】
次に、図３は絶縁基板２の表面にチップ部品１０を実装する表面チップ部品実装工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の表面の第１ランド部１１の第１半田１２上にはＩＣ等のチップ部品１０の脚部１０ａが設置される。そして、絶縁基板２が恒温槽に入れられ、溶融した第１半田１２によってチップ部品１０が半田付けされる。
【００２０】
次に、図４は絶縁基板２の他方の面（裏面）の第１ランド部１１に第１半田１２を塗布する裏面リフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の裏面上には図５に示すようなマスク６が設置される。マスク６によって第１半田１２を塗布する第１、第２ランド部１１、２１を露出して絶縁基板２が覆われる。そして、クリーム半田等のペースト状の第１半田１２が第１、第２ランド部１１、２１に塗布される。
【００２１】
図６は図５のＡ部及びＢ部の詳細を示している。マスク６は第２ランド部２１に対向する複数のアーチ状の孔部６ａが環状に配置される。これにより、孔部６ａの内縁の内側には第２ランド部２１の貫通孔２１ａを覆う円形の遮蔽部６ｂが形成される。絶縁基板２をマスク６で覆って第１半田１２を塗布すると、図７に示すように第２ランド部２１上にアーチ状の第１半田１２が形成される。
【００２２】
次に、図８は絶縁基板２の裏面にチップ部品１０を実装する裏面チップ部品実装工程の側面断面図を示している。絶縁基板２の裏面の第１ランド部１１の第１半田１２上にはチップ部品１０の脚部１０ａが設置される。そして、絶縁基板２が恒温槽に入れられ、溶融した第１半田１２によってチップ部品１０が半田付けされる。
【００２３】
次に、図９は絶縁基板２の裏面の第２ランド部２１に第２半田２２を設けるフロー半田工程の側面断面図を示している。絶縁基板２は両面のチップ部品１０や表面の第２ランド部２１をマスク（不図示）により覆われ、半田槽に浸漬される。これにより、裏面の第２ランド部２１に第２半田２２が設けられる。この時、第２半田２２は第２ランド部２１に塗布された第１半田１２上に付着するため、第１半田１２に含まれるフラックス成分により第２半田２２を容易に付着させることができる。
【００２４】
そして、挿入部品実装工程で貫通孔２１ａに挿入部品２０の脚部２０ａが挿入されて挿入部品２０が半田付けされ、前述の図１に示す回路基板１が得られる。
【００２５】
本実施形態によると、裏面リフロー半田工程（リフロー半田工程）で挿入部品２０が取り付けられる第２ランド部２１にペースト状の第１半田１２を塗布し、フロー半田工程で絶縁基板２を半田槽に浸漬して第２ランド部２１の第１半田上１２に第２半田２２を設けるので、高価なメッキ処理等を必要とせず第２ランド部２１の酸化を防止することができる。従って、挿入部品２０の半田付け不良を低減して回路基板１の歩留りを向上することができる。加えて、第１半田１２に含まれるフラックス成分によって第２半田２２が付きやすくなり、半田付け時間を短縮して電子部品への熱ストレスを低減することができる。
【００２６】
また、裏面リフロー半田工程でマスク６により貫通孔２１ａを覆うので、貫通孔２１ａの第１半田１２による閉塞を防止することができる。
【００２７】
本実施形態において、裏面リフロー半田工程を表面チップ部品実装工程の後に行っているが、表面チップ部品実装工程の前に行ってもよい。これにより、表面チップ部品実装工程で絶縁基板２を恒温槽に入れる前に第２半田２２が設けられる裏面の第２ランド部２１に第１半田１２が塗布される。従って、第２ランド部２１の酸化をより確実に防止することができる。尚、裏面チップ部品実装工程の後に表面リフロー半田工程及び表面チップ部品実装工程を行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明によると、チップ部品と挿入部品を実装した回路基板に利用することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１ 回路基板
２ 絶縁基板
４ 導体部
５ レジスト
６ マスク
６ａ 孔部
１０ チップ部品
１１ 第１ランド部
１２ 第１半田
２０ 挿入部品
２１ 第２ランド部
２１ａ 貫通孔
２２ 第２半田
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成される導体部の一部を露出した第１、第２ランド部を設け、第１ランド部にチップ部品を半田付けするとともに貫通孔を有する第２ランド部に挿入部品を半田付けする回路基板の製造方法において、マスクにより所定位置を覆って第１、第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部に前記チップ部品を半田付けするチップ部品実装工程と、前記絶縁基板を半田槽に浸漬して第２半田を第２ランド部に設けるフロー半田工程と、前記貫通孔に挿入した前記挿入部品を第２ランド部に半田付けする挿入部品実装工程とを備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記マスクにより前記貫通孔を覆うことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基板の両面に第１ランド部を設けて前記チップ部品が実装されるとともに一方の面の第２ランド部に第２半田を設け、一方の面の前記リフロー半田工程を他方の面の前記チップ部品実装工程の前に行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板上に第１ランド部と貫通孔を有する第２ランド部とが露出し、第１ランド部にペースト状の第１半田を塗布してチップ部品が半田付けされるとともに、前記絶縁基板を半田槽に浸漬することによって第２ランド部に第２半田を設けて挿入部品が半田付けされる回路基板において、第２ランド部に第１半田を塗布した後に第２半田を設けたことを特徴とする回路基板。
【請求項１】
絶縁基板上に形成される導体部の一部を露出した第１、第２ランド部を設け、第１ランド部にチップ部品を半田付けするとともに貫通孔を有する第２ランド部に挿入部品を半田付けする回路基板の製造方法において、マスクにより所定位置を覆って第１、第２ランド部にペースト状の第１半田を塗布するリフロー半田工程と、第１ランド部に前記チップ部品を半田付けするチップ部品実装工程と、前記絶縁基板を半田槽に浸漬して第２半田を第２ランド部に設けるフロー半田工程と、前記貫通孔に挿入した前記挿入部品を第２ランド部に半田付けする挿入部品実装工程とを備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記マスクにより前記貫通孔を覆うことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基板の両面に第１ランド部を設けて前記チップ部品が実装されるとともに一方の面の第２ランド部に第２半田を設け、一方の面の前記リフロー半田工程を他方の面の前記チップ部品実装工程の前に行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板上に第１ランド部と貫通孔を有する第２ランド部とが露出し、第１ランド部にペースト状の第１半田を塗布してチップ部品が半田付けされるとともに、前記絶縁基板を半田槽に浸漬することによって第２ランド部に第２半田を設けて挿入部品が半田付けされる回路基板において、第２ランド部に第１半田を塗布した後に第２半田を設けたことを特徴とする回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
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【公開番号】特開２０１０−２１２５９１（Ｐ２０１０−２１２５９１Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５９４１１（Ｐ２００９−５９４１１）
【出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（０００２１４８９２）三洋電機コンシューマエレクトロニクス株式会社 (1,582)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【出願人】（０００００１８８９）三洋電機株式会社 (18,308)
【出願人】（０００２１４８９２）三洋電機コンシューマエレクトロニクス株式会社 (1,582)
【Ｆターム（参考）】
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