説明

固体レーザ装置

【課題】励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率を高め、励起光からレーザ光への光−光変換効率を向上させた固体レーザ装置を得る。
【解決手段】励起光およびレーザ光が入射される薄板状の固体の励起媒質1を備えている。励起媒質1は、全反射コート4、5が施された非平行な2辺を有し、レーザ光は、非平行な2辺を多重反射してジグザグに進行する。励起媒質1内のレーザ光が分散する部分の励起密度よりも、励起媒質1内のレーザ光が集中する部分の励起密度の方が高く設定されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、固体を励起媒質とする固体レーザ装置(レーザ発振器、レーザ増幅器)に関し、特に励起媒質への励起光の入射技術の改良に関するものである。
【背景技術】
【0002】
一般に、固体レーザ装置は、半導体レーザなどの光源により励起媒質を励起し、レーザ光を励起媒質内で増幅するように構成されている。また、薄板状の励起媒質を用いた固体スラブレーザ装置や固体ディスクレーザ装置においては、良好な横モードのレーザ光を得るために、励起媒質を均一に励起することが多い。
【0003】
この種の固体レーザ装置において、励起媒質の片側から励起光を入射した場合には、励起媒質内での励起光吸収率は、励起光の伝播方向に沿って指数関数的に減少する。
そこで、従来から、励起媒質内での励起分布をほぼ均一とするために、励起媒質の対向する2面側から励起光を入射する固体レーザ装置が提案されている(たとえば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照)。
【0004】
従来の固体レーザ装置においては、励起媒質の互いに非平行な2辺に全反射コートを施し、非平行な2辺間でレーザ光を多重反射させてジグザグに進行させているので、反射面への入射角が大きい領域ではレーザ光の密度が低くなり、反射面への入射角が垂直に近づくにつれレーザ光の密度が高くなる。
【0005】
したがって、励起媒質内で励起分布が均一である場合、レーザ光路が集中する部分では励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率が高くなるので、励起光からレーザ光への「光−光変換効率」を高くすることができるが、レーザ光路が分散している部分では、励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率が低くなるので、光−光変換効率が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2007−110039号公報
【特許文献2】特開2006−237170号公報
【特許文献3】特開平11−307848号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来の固体レーザ装置は、レーザ光路が集中する部分では、励起光からレーザ光への光−光変換効率を高くすることができるが、レーザ光路が分散している部分では、励起光とレーザ光のビームオーバーラップ効率が低くなるので、光−光変換効率が低下するという課題があった。
【0008】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、励起媒質に励起光を入射する際に、レーザ光路が密集している部分では励起光密度の方を高く設定し、レーザ光路が分散している部分では励起光密度を低く設定して、励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率を高め、励起光からレーザ光への光−光変換効率を向上させた固体レーザ装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
この発明に係る固体レーザ装置は、励起光およびレーザ光が入射される薄板状の固体の励起媒質を備え、励起媒質は、全反射コートが施された非平行な2辺を有し、レーザ光は、非平行な2辺を多重反射してジグザグに進行する固体レーザ装置において、励起媒質内のレーザ光が分散する部分の励起密度よりも、励起媒質内のレーザ光が集中する部分の励起密度の方を高く設定したものである。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、励起光からレーザ光への光−光変換効率を高めることによって、同じレーザ出力を得る場合でも必要な励起光出力が少なくて済むので、システムの電力効率を高めることができる。
また、光−光変換効率が高まることにより、レーザ光に変換されず励起媒質から排熱される余分な熱が少なくなり、励起媒質の冷却能力を低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】一般的なレーザ増幅器の励起動作を示す説明図である。
【図2】一般的なレーザ発振器の励起動作を示す説明図である。
【図3】この発明の実施の形態1に係る固体レーザ装置を示す平面図および側面図である。
【図4】この発明の実施の形態2に係る固体レーザ装置を示す平面図および側面図である。
【図5】この発明の実施の形態3に係る固体レーザ装置を示す平面図および側面図である。
【図6】この発明の実施の形態4に係る固体レーザ装置を示す平面図である。
【図7】この発明の実施の形態5に係る固体レーザ装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
実施の形態1.
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態1について説明する。
まず、一般的な固体レーザ装置として、図1、図2のように、レーザ増幅器およびレーザ発振器に適用した場合について説明する。図1、図2においては、励起媒質1の対向する2面側から励起光を入射する場合を示している。
【0013】
図1は固体レーザ装置において、薄板状の励起媒質1を増幅器として用いた場合の平面図であり、励起媒質1内でのレーザ光増幅動作を示している。
図1において、レーザ増幅器に適用される固体レーザ装置は、レーザ光路2上に位置する励起媒質1と、励起媒質1のレーザ入出力面に設けられた反射防止コート3と、励起媒質1の非平行な対向面に形成された全反射コート4、5と、レーザ光路2の入射側に配列されたλ/2板6、ファラデーローテータ7、偏光プリズム8およびシード光発振器9と、励起光路14の両側に配置された励起用半導体レーザ10と、を備えている。
【0014】
シード光発振器9から出射されたシードレーザ光(以下、単に「レーザ光」という)は、まず偏光プリズム8を通過し、偏光プリズム8を透過できる方向の偏光成分を有するレーザ光のみがファラデーローテータ7に到達し、ファラデーローテータ7において偏光方向が45°回転される。
【0015】
さらに、ファラデーローテータ7を通過したレーザ光は、λ/2板6において、励起媒質1に対して適切な偏光方向となるように偏光方向が回転調整され、励起媒質1のレーザ入出力面に設けられた反射防止コート3を通過して励起媒質1に入射する。
【0016】
励起媒質1の材質は固体であり、一般的なレーザ媒質(レーザ遷移媒質が添加され、励起用半導体レーザ10からの励起光を吸収する材質)を使用することができる。
励起媒質1としては、たとえば、Nd:YAG、Yb:YAG、Er:YAG、Tm:YAG、Ho:YAG、Nd:YLF、Yb:YLF、Er:YLF、Tm:YLF、Ho:YLF、Nd:Glass、Cr:LiSAF、Ti:Sapphireなどが用いられる。
【0017】
励起媒質1は、励起用半導体レーザ10から出射される励起光(励起光路14)によって励起されている。
励起媒質1に入射したレーザ光は、励起媒質1の全反射コート5と全反射コート4との間で反射を繰り返しながら、図示したようにジグザグに進行し、励起用半導体レーザ10によって励起媒質1内に誘起されるレーザ利得により増幅される。
【0018】
このとき、全反射コート4、5が施された各対向面は平行ではないので、レーザ光は、全反射コート4、5の各面での反射ごとに反射角を狭めながら反射を繰り返す。
さらに、全反射コート4または全反射コート5に垂直入射した後、レーザ光は、反転して元のパスを反対に進行し、反射防止コート3を透過して励起媒質1の外に出射される。
【0019】
励起媒質1から出射されたレーザ光は、ファラデーローテータ7において偏光方向がさらに45°回転する。
よって、励起媒質1への入射時に偏光プリズム8を透過したときの偏光方向に比べて、励起媒質1から出射してファラデーローテータ7を再通過したときのレーザ光は、偏光方向が90°回転しているので、偏光プリズム8で反射され、元のパスとは別の経路(破線矢印)をたどり、レーザシステム外部に増幅後のレーザ出力として取り出されて利用される。
【0020】
図2は固体レーザ装置において、励起媒質1を発振器として用いた場合を示す平面図であり、励起媒質1内でのレーザ光の発振動作を示している。
図2において、レーザ発振器に適用される固体レーザ装置は、前述と同様の励起媒質1、反射防止コート3、全反射コート4、5および励起用半導体レーザ10に加えて、レーザ光路2上の部分反射鏡11を備えている。
【0021】
励起媒質1内におけるレーザ光路2の形成については、前述と同様であり、励起用半導体レーザ10によって励起媒質1内に誘起されるレーザ利得により発生したレーザ光は、全反射コート4、5の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
このとき、レーザ光路2が垂直反射する全反射コート4または全反射コート5を有する励起媒質1の面は、レーザのファブリペロー共振器における全反射ミラーの役割を果たす。
【0022】
励起媒質1内で増幅されたレーザ光は、反射防止コート3を透過して励起媒質1の外に出射され、一部が部分反射鏡11を通過して共振器外部に取り出されて利用される。
また、励起媒質1から出射されたレーザ光の他の一部は、レーザ光路2上に配置された部分反射鏡11で反射し、再び反射防止コート3を透過して、励起媒質1に入射する。
【0023】
この場合も、全反射コート4、5が施された対向面は非平行なので、レーザ光は全反射コート4、5の各面での反射ごとに反射角を変化させながら反射を繰り返す。
このとき、非平行な全反射コート4、5の各面を多重反射するレーザ光の光路密度は、全反射コート4または全反射コート5への入射角が小さい領域では光路密度が高く、入射角が大きくなるにつれ光路密度が低くなる。
【0024】
図3はこの発明の実施の形態1に係る固体レーザ装置を示しており、図3(a)は平面図であり、図3(b)は側面図である。
図3において、前述(図1、図2参照)と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
【0025】
この場合、図3(b)のように、励起媒質1の一方(図中左)の端面側が収束形成されているので、励起用半導体レーザ10は、他の一方の端面側(図中右側)のみに配置されている。
なお、ここでは図示を省略するが、レーザ光路2上の外部構成は、用途に応じて、図1または図2に示した構成が適用される。
【0026】
図3(a)の平面構成において、固体レーザ装置は、前述と同様に、励起媒質1、反射防止コート3、全反射コート4、5および励起用半導体レーザ10を備えている。
一方、図3(b)の側面構成において、固体レーザ装置は、薄板状の励起媒質1の上部に設けられた無添加媒質12と、励起用半導体レーザ10の出射側に配設された励起光反射防止コート13と、励起媒質1の下面に配設されたヒートシンク16と、無添加媒質12の上面および励起媒質1の下面に配設された励起光全反射コート17と、を備えている。
【0027】
励起光路14は、励起媒質1の厚さ方向に沿って層状に複数形成されており、励起媒質1に直接入射する励起光と、無添加媒質12を通過して励起光全反射コート17で反射した後に励起媒質1に入射する励起光とを有する。
【0028】
無添加媒質12は、レーザ遷移媒質が無添加で励起光を吸収しない材質(YAG、YLF、Glass、LiSAF、Sapphireなど)からなり、励起媒質1の上面に拡散接合などの手段により接合されている。
【0029】
無添加媒質12の断面は、レーザ光路2に対する全反射コート4、5の傾斜方向と同様に、励起光路14が収束するように三角形状に形成されており、無添加媒質12の先端部(左端部)は励起媒質1と接合されている。
また、励起媒質1と接合されていない無添加媒質12の端面には、励起光に対する励起光反射防止コート13が施され、無添加媒質12の上面には励起光全反射コート17が施されている。
【0030】
励起媒質1の下面(無添加媒質12に接合していない対向面)には、励起光全反射コート17を介して、熱伝導率の高い金属(銅やアルミなど)を材質とする冷却用のヒートシンク16が接合されている。
【0031】
図3(b)において、励起用半導体レーザ10から励起光路14上に出射された励起光は、励起光反射防止コート13を通して、励起媒質1および無添加媒質12に導入される。
励起光反射防止コート13を通過した直後に励起媒質1に入射した励起光は、励起媒質1に入射した時点で最も励起媒質1に吸収され、励起光が励起媒質1内を進行していくにつれて吸収量が少なくなっていく。
【0032】
一方、励起光反射防止コート13を通過した後に無添加媒質12に入射した励起光は、無添加媒質12内で吸収されないまま進行し、励起光全反射コート17で反射して角度を変えた後に励起媒質1に入射し、さらに、励起媒質1の下面に施された励起光全反射コート17で反射する。
以下、励起光は、無添加媒質12の上面と励起媒質1の下面との間で多重反射し、ジグザグの光路を進行しながら励起媒質1に吸収されていく。
【0033】
このとき、励起用半導体レーザ10から複数の励起光が出射されるので、励起媒質1においては、励起用半導体レーザ10に近い部分よりも、励起用半導体レーザ10から遠い部分に多くの励起光が吸収されることになる。
したがって、励起媒質1の励起用半導体レーザ10から遠い部分において、励起分布密度が高くなる。
【0034】
レーザ光路2に関しては、図3(a)のように、全反射コート4、5の各面を非平行にして、励起用半導体レーザ10に近い側でレーザ光路2の密度が低くなり、励起用半導体レーザ10から遠い側でレーザ光路2の密度が高くなるように、光路が形成されている。
【0035】
以上のように、この発明の実施の形態1(図3)に係る固体レーザ装置は、励起光(励起光路14)およびレーザ光(レーザ光路2)が入射される薄板状の固体の励起媒質1を備えており、励起媒質1は、全反射コート4、5が施された非平行な2辺を有する。
レーザ光は、励起媒質1の非平行な2辺(全反射コート4、5)を多重反射してジグザグに進行する。
【0036】
また、励起媒質1内のレーザ光が分散する部分の励起密度よりも、励起媒質1内のレーザ光が集中する部分の励起密度の方を高く設定するために、励起媒質1の上下に互いに非平行な反射面を有する1対の励起光全反射コート17(励起光反射体)を配置し、1対の励起光全反射コート17の間で励起光を多重反射させながら、励起光を励起媒質1に吸収させる。
【0037】
これにより、励起媒質1の励起分布密度が高い側にレーザ光路2の密度を集中させ、励起媒質1の励起分布密度が低い側はレーザ光路2の密度を分散させることができ、励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率を高めることができる。
また、光−光変換効率が高まることにより、レーザ光に変換されず励起媒質から排熱される余分な熱が少なくなり、励起媒質の冷却能力を低く抑えることができる。
【0038】
さらに、励起分布密度とレーザ光路密度との関係は、励起媒質1の下面と無添加媒質12の上面とがなす角度と、全反射コート4、5の各面がなす角度とを調整することにより、任意に調整することができる。
【0039】
実施の形態2.
なお、上記実施の形態1(図3)では、励起媒質1の下面にヒートシンク16を設けたが、励起媒質1の冷却が不要な場合には、図4のように、励起媒質1の上下面の両方に無添加媒質12を配置してもよい。
【0040】
図4はこの発明の実施の形態2に係る固体レーザ装置を示しており、図4(a)は平面図であり、図4(b)は側面図である。
図4において、前述(図1〜図3参照)と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
【0041】
この場合、図4(b)のように、励起媒質1の上面および下面には、励起光を吸収しない無添加媒質12が、拡散接合などの手段によりそれぞれ接合されており、無添加媒質12の上下面には、励起光全反射コート17が施されている。
また、無添加媒質12の断面は、三角形状に形成されており、無添加媒質12の励起媒質1と接合されていない一方の面は、励起光反射防止コート13が施されている。
【0042】
図4(b)において、励起用半導体レーザ10から励起光路14に出射された励起光は、励起光反射防止コート13を通して、励起媒質1および無添加媒質12に導入される。
励起光反射防止コート13を通過した直後に励起媒質1に入射した励起光は、励起媒質1に入射した時点で最も吸収され、励起光が励起媒質1内を進行していくにつれて吸収量が少なくなっていく。
【0043】
励起光反射防止コート13を通過した後に無添加媒質12に入射した励起光は、無添加媒質12内で吸収されないまま進行し、励起光全反射コート17で反射し、角度を変えて励起媒質1に入射する。
励起媒質1に入射した励起光は、励起媒質1内で一部は吸収され、他は励起媒質1を透過する。
【0044】
励起媒質1を透過した励起光は、さらに励起光全反射コート17で反射し、角度を変えて励起媒質1に再度入射する。
以下、励起光は、無添加媒質12の励起光全反射コート17が施された2面間で多重反射してジグザグの光路を進行しながら、励起媒質1に吸収されていく。
【0045】
励起用半導体レーザ10は複数の励起光を出射するので、励起媒質1内においては、励起用半導体レーザ10に近い部分よりも、励起用半導体レーザ10から遠い部分に多くの励起光が吸収される。
したがって、励起媒質1の励起用半導体レーザ10から遠い部分において、励起分布密度が高くなる。
【0046】
以上にように、この発明の実施の形態2(図4)によれば、前述と同様の効果を奏するとともに、励起媒質1の上下面の両側から励起光を導入することができるので、前述の実施の形態1の場合よりも励起分布密度をさらに高めることができる。
また、励起分布密度とレーザ光路密度との関係は、無添加媒質12の励起光全反射コート17が施された2面がなす角度と、全反射コート4、5の各面がなす角度とを調整することにより、任意に調整することができる。
【0047】
実施の形態3.
なお、上記実施の形態2(図4)では、励起媒質1の上下面に無添加媒質12および励起光全反射コート17を配置し、無添加媒質12の端面に励起光反射防止コート13を設けたが、図5のように、無添加媒質12、励起光反射防止コート13および励起光全反射コート17の代わりに、励起光全反射鏡15を配置してもよい。
【0048】
図5はこの発明の実施の形態3に係る固体レーザ装置を示しており、図5(a)は平面図であり、図5(b)は側面図である。
図5において、前述(図4参照)と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
【0049】
この場合、図5(b)のように、励起媒質1の上面側および下面側には、励起光を励起媒質1に多重照射する手段として、励起光を全反射する励起光全反射鏡15が配置されている。励起光全反射鏡15は、互いに非平行となるように2枚配置されている。
【0050】
図5(b)において、励起用半導体レーザ10から励起媒質1に直接入射した励起光は、励起媒質1に入射した時点で最も吸収され、励起光が励起媒質1内を進行していくにつれて、吸収量が少なくなっていく。
【0051】
一方、励起光全反射鏡15で反射した励起光は、反射後に角度を変えて励起媒質1に入射する。励起媒質1に入射した励起光は、励起媒質1内で一部は吸収され、他は励起媒質1を透過する。
励起媒質1を透過した励起光は、さらに励起光全反射鏡15で反射され、角度を変えて励起媒質1に再度入射する。
【0052】
以下、励起光は、1対の励起光全反射鏡15の2面間で多重反射して、ジグザグの光路を進行しながら励起媒質1に吸収されていく。
励起用半導体レーザ10は複数の励起光を出射するので、励起媒質1においては、励起用半導体レーザ10に近い部分よりも、励起用半導体レーザ10から遠い部分に多くの励起光が吸収されて、励起分布密度が高くなる。
【0053】
以上にように、この発明の実施の形態3(図5)によれば、前述と同様の効果を奏するとともに、無添加媒質12および励起光反射防止コート13が不要となるので、前述の実施の形態2の場合よりも構成を簡略化することができる。
また、励起分布密度とレーザ光路密度との関係は、励起媒質1の上下面に配置された2枚の励起光全反射鏡15がなす角度と、全反射コート4、5の各面がなす角度とを調整することにより、任意に調整することができる。
【0054】
実施の形態4.
なお、上記実施の形態1〜3(図1〜図5)では、励起媒質1の一端面から励起光を入射したが、図6のように、複数のピグテールファイバ(pigtail fiber)付励起用半導体レーザ20を配置して、レーザ光路2と光軸が一致する励起光路14を形成してもよい。
【0055】
図6はこの発明の実施の形態4に係る固体レーザ装置を示す平面図であり、前述と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
図6において、励起媒質1の非平行な2面には、前述の全反射コート4、5に代えて、2色性コート18、19が施されている。
【0056】
また、2色性コート18、19の外側には、レーザ光路2の反射位置と一致するように複数のピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20(レーザダイオード)が配置されている。
ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20は、それぞれ、レーザ光路2と光軸が一致するように、励起光路14を形成する。
【0057】
励起媒質1内において、レーザ光路2を通過するレーザ光は、レーザ光波長を反射する2色性コート18、19の相互間で反射を繰り返しながらジグザグに進行し、ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20によって誘起されるレーザ利得により増幅される。
【0058】
ここで、2色性コート18、19が施された対向面は非平行なので、レーザ光は、2色性コート18、19の各面での反射ごとに反射角を狭めながら反射を繰り返し、2色性コート18または2色性コート19に垂直入射した後、反転して元のパスを反対にたどり、反射防止コート3を透過して励起媒質1の外に出射される。
【0059】
一方、2色性コート18、19の各面は、ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20の励起光波長を透過するので、2色性コート18、19に近接配置されたピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20からの各励起光は、励起媒質1内に入射する。
【0060】
また、ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20からの励起光出射角度は、レーザ光路2の光路と一致する角度に調整されているので、各励起光は、レーザ光路2と同軸となって励起媒質1内を進行する。
【0061】
以上のように、この発明の実施の形態4(図6)に係る固体レーザ装置は、励起媒質1の側面に、励起光を透過しかつレーザ光を反射する2色性コート18、19が施され、励起媒質1の側面に近接して、複数のピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20(レーザダイオード)が配置されている。
【0062】
これにより、ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20からの励起光路14の光軸と、レーザ光路2の光軸とが一致し、励起光とレーザ光とが同軸となるので、励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率を高くすることができる。
【0063】
実施の形態5.
なお、上記実施の形態4(図6)では、複数のピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20を設けたが、図7のように、複数のバー状の励起用半導体レーザ10A(レーザダイオード)を設けてもよい。
図7はこの発明の実施の形態5に係る固体レーザ装置を示す平面図であり、前述と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
【0064】
図7において、励起媒質1の2色性コート18、19の外側には、前述のピグテールファイバ付励起用半導体レーザ20に代えて、バー状の励起用半導体レーザ10Aが設けられている。
【0065】
この場合、励起媒質1内において、レーザ光は、レーザ光波長を反射する2色性コート18、19の相互間で反射を繰り返しながらジグザグに進行し、バー状の励起用半導体レーザ10Aによって誘起されるレーザ利得により増幅される。
【0066】
ここで、2色性コート18、19が施された対向面は非平行なので、レーザ光は、2色性コート18、19の各面での反射ごとに反射角を狭めながら反射を繰り返し、2色性コート18または2色性コート19に垂直入射した後、反転して元のパスを反対にたどり、反射防止コート3を透過して励起媒質1外に出射される。
【0067】
一方、2色性コート18、19の各面は、励起用半導体レーザ10Aの励起光波長を透過するので、2色性コート18、19に近接配置された励起用半導体レーザ10Aからの各励起光は、励起媒質1内に入射する。
また、励起用半導体レーザ10Aは、レーザ光路2の密度が高い部分を集中して励起するように角度調整されている。
【0068】
以上のように、この発明の実施の形態5(図7)に係る固体レーザ装置は、励起媒質1の側面に、励起光を透過しかつレーザ光を反射する2色性コート18、19が施され、励起媒質1の側面に近接して、複数のバー状の励起用半導体レーザ10A(レーザダイオード)が配置されている。
これにより、励起光路14の光軸を、レーザ光路2が集中する方向に調整して、励起光とレーザ光とのビームオーバーラップ効率を高めることができる。
【符号の説明】
【0069】
1 励起媒質、2 レーザ光路、3 反射防止コート、4、5 全反射コート、6 λ/2板、7 ファラデーローテータ、8 偏光プリズム、9 シード光発振器、10 励起用半導体レーザ、10A バー状の励起用半導体レーザ、11 部分反射鏡、12 無添加媒質、13 励起光反射防止コート、14 励起光路、15 励起光全反射鏡、16 ヒートシンク、17 励起光全反射コート、18、19 2色性コート、20 ピグテールファイバ付励起用半導体レーザ。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
励起光およびレーザ光が入射される薄板状の固体の励起媒質を備え、
前記励起媒質は、全反射コートが施された非平行な2辺を有し、
前記レーザ光は、前記非平行な2辺を多重反射してジグザグに進行する固体レーザ装置において、
前記励起媒質内の前記レーザ光が分散する部分の励起密度よりも、前記励起媒質内の前記レーザ光が集中する部分の励起密度の方を高く設定したことを特徴とする固体レーザ装置。
【請求項2】
前記励起媒質の上下に互いに非平行な反射面を有する1対の励起光反射体を配置し、前記1対の励起光反射体の間で励起光を多重反射させながら、前記励起光を前記励起媒質に吸収させることを特徴とする請求項1に記載の固体レーザ装置。
【請求項3】
前記励起媒質の側面に励起光を透過しレーザ光を反射するコートを施し、
前記励起媒質の側面に近接して複数のレーザダイオードを配置して励起光の光軸とレーザ光の光軸を一致させたことを特徴とする請求項1に記載の固体レーザ装置。
【請求項4】
前記励起媒質の側面に励起光を透過しレーザ光を反射するコートを施し、側面に近接して複数のレーザダイオードを配置して励起光の光軸の光軸をレーザ光路が集中する方向に調整したことを特徴とする請求項1に記載の固体レーザ装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2011−254035(P2011−254035A)
【公開日】平成23年12月15日(2011.12.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−128516(P2010−128516)
【出願日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【出願人】(000006013)三菱電機株式会社 (33,312)
【Fターム(参考)】