説明

多層プリント配線板の製造方法

【課題】ステップビアの上穴および下穴の各中心が略等しい位置に配置された多層プリント配線板を安価かつ安定的に製造する方法を提供する。
【解決手段】絶縁ベース材の上に1層以上の導電層を有する内層コア基板に少なくとも一面に導電層を有する外層ビルドアップ層を積層して積層回路基材を形成、この積層回路基材に外層側ほど径の大きいステップビアホールを含む層間接続体を形成、外層ビルドアップ層および内層コア基板の3層以上の配線層間を接続する多層プリント配線板の製造方法において、内層コア基板におけるステップビアホールの形成位置に、外層ビルドアップ層の導電層の厚さよりも厚いランド10a,10bを設け、ランドにステップビアホールの下穴径に略等しい径を開口し、この開口を中心に、ステップビアホールの上穴径に等しい径の、導電層を除去可能なレーザ照射を行って積層回路基材を穿孔しステップビアホールを形成することを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ビルドアップ型多層プリント配線板の製造方法に係わり、特に層間接続部にステップビア構造を含んだ多層フレキシブルプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の小型化および高機能化は益々促進されている。この一環として、携帯電話等の小型電子機器を中心に、多層フレキシブルプリント配線板が広く普及している(特許文献1(P3、図1))。これは、各種電子部品を実装する多層プリント配線板や硬質プリント配線板の間を、コネクタ等を介して接続する別体のフレキシブルプリント配線板やフレキシブルフラットケーブルを一体化した可撓性ケーブル部を持ったものである。
【0003】
特に携帯電話は、小型化・高機能化がめざましく、それに伴い多層フレキシブルプリント配線板に実装される部品もCSP(チップサイズパッケージ)に置き換わり、高機能かつ高密度にパッケージングし、基板サイズを大きくすることなく、高機能を付加しようという流れがある。
【0004】
そして、工程を増やすことなく、高密度な層間接続を可能とする段状のビアホール、所謂ステップビアホールを組み合わせることも提案されている(特許文献2(P3、図1)参照)。
【0005】
これは、多層構造の層間接続を一括で行うことが可能な手法で、内層に行くに従い、レーザ加工用のメタルマスク、所謂コンフォーマルマスクの径を、位置ズレ等を考慮して小さくしていき、レーザ加工により導通用孔を形成し、めっき等により層間接続を得る。
【0006】
しかしながら、このステップビアホールを形成する上で幾つか問題がある。上述したように、位置ズレを考慮して外層側のコンフォーマルマスクを大きく形成する必要があり、積層等の位置精度によっては、必ずしも高密度な層間接続にならないことがある。
【0007】
図2は、従来の層間接続部にステップビア構造を含むケーブル部を持った多層プリント配線板の断面図である。この図2に示すように、予め作製したレーザ加工の際のコンフォーマルマスク201および内層の両面コア基板110に形成したコンフォーマルマスク202を用いてレーザ加工を行い、コア基板110、ビルドアップ基板120および接着材130により構成された積層回路基材に、後でめっきを付けてビアホールとなる導通用孔201A,202Aを形成する。
【特許文献1】特許第3427011号公報
【特許文献2】特許第2562373号公報
【特許文献3】特開2001−177248号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
この場合、図2に示すように、積層時に位置ズレが起こることから、コンフォーマルマスク201とコンフォーマルマスク202とは中心が揃わない。最大で約100μm程度の位置ズレが発生することから、導通用孔202の下側に形成される孔202Aの安定したレーザ加工が困難である。
【0009】
さらに、特許文献3ないし特許文献5に示す技術を含めて種々の提案がなされており、高密度実装が可能なケーブル部を有する多層プリント配線板をより安価かつ安定的に製造する方法が要望されている。
【0010】
本発明は、上述の点を考慮してなされたもので、層間接続部にステップビア構造を含む多層プリント配線板を製造するにつき、ステップビアの上穴および下穴の各中心が略等しい位置に配置された多層プリント配線板を安価かつ安定的に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記目的達成のため、本発明は、
樹脂フィルムからなる絶縁ベース材の上に少なくとも1層の導電層を有する内層コア基板を形成し、少なくとも一面に導電層を有する積層板により構成された外層ビルドアップ層を前記内層コア基板に接着材を介し積層して積層回路基材を形成し、前記積層回路基材に外層側ほど径の大きいステップビアホールを含む層間接続体を形成し、前記外層ビルドアップ層および前記内層コア基板の3層以上の配線層の層間を接続するステップビアホールを形成する多層プリント配線板の製造方法において、
前記内層コア基板における前記ステップビアホールの形成位置に、前記外層ビルドアップ層の導電層の厚さよりも厚いランドを設け、
前記ランドに前記ステップビアホールの下穴径に略等しい径の開口を開け、
前記開口を中心にして、前記ステップビアホールの上穴径に等しい径の、前記導電層を除去可能なレーザ照射を行って前記積層回路基材を穿孔し前記ステップビアホールを形成する
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、3層の配線層を接続するステップビアホールの受けランドの銅厚を最外層とその1層下の配線層のみの層間接続を行うブラインドビアホールの受けランドの銅厚よりも厚くすることで、ステップビアホールを形成する際に、最外層のみコンフォーマルマスクを形成し、その中心にダイレクトレーザ加工によりステップビアホールの下穴を好適に形成できる。したがって、歩留まりの向上や信頼性を確保するのに必要なめっき厚の低減が図れる。
【0013】
この結果、本発明によれば、従来の製造方法では困難であった、層間接続部にステップビア構造を含む多層プリント配線板のうち、ステップビアの上穴および下穴の各中心を略等しい位置に安定的に配置することができる。これにより、ステップビアの上穴を小さくすることができるから、より高密度なステップビア形成が可能な多層プリント配線板を安価かつ安定的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下、図1Aないし図1Cを参照して本発明の実施例を説明する。
【実施例1】
【0015】
図1Aないし図1Cは、本発明の実施形態を示す断面工程図である。この工程では、まず図1A(1)に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材1(ここでは、厚さ25μmのポリイミド)の両面に厚さ7μmの銅箔2および3を有する、所謂、両面銅張積層板4を用意する。そして、この両面銅張積層板4に導通用孔5をNCドリル等で形成する。このときの銅箔2および3は、屈曲性に優れる圧延銅箔あるいは特殊電解銅箔が好ましい。
【0016】
その後、導電化処理を行い、ケーブル等の配線パターンの上には、めっきを付けずに内壁に位置する部分に選択的に電解めっきを行うために、部分めっき用レジスト層6を形成する。
【0017】
この際、露光の位置ずれ、基板の寸法ばらつき、NCドリル加工位置のずれ等を考慮した寸法のスルーホールランドも含めて、導通用孔5の内壁およびビルドアップ層との層間接続用孔の受けランドに位置する部分に、選択的に電解めっきを行う。ただし、ビルドアップ後にレーザで貫通させるランドには、電解めっきを付けないため、これに相当する箇所にも部分めっき用レジスト層6を形成する。
【0018】
次に、図1A(2)に示すように、導通用孔5および上記受けランドに位置する部分8に対し、10μm程度の電解めっきを行い、層間導通を形成する。ここまでの工程で、スルーホール7を形成する。また、上記受けランドに位置する部分8にもめっきが厚付けされる。
【0019】
次いで、図1A(3)に示すように、両面の回路パターンをフォトファブリケーション手法により形成するためのレジスト層を形成する。レジスト層を用い、フォトファブリケーション手法により、回路パターン9およびランド10a,10bを形成した後、レジスト層を剥離する。
【0020】
なお、ランド10aの中心孔は、後のレーザ加工の際のコンフォーマルマスクとして、機能する。ここでは、コンフォーマルマスク径を100μmとした。ここまでの工程で、多層プリント配線板のコア基板となる両面コア基板11を得る。この実施例1では、スルーホール型の両面コア基板に適用したが、ビアホール型の両面コア基板にも適用可能である。
【0021】
さらに、この後、両面コア基板11の銅表面に粗化処理を行い、後のカバーレイ形成時の密着性を向上させるとともに、ビルドアップ後にレーザ加工する際のレーザ光の吸収を安定的に向上させる。ここでは、日本マクダーミット社(株)のマルチボンド150を用いて粗化処理した。
【0022】
これにより、密着を確保するとともに、銅表面の炭酸ガスレーザ光(波長:約9.8μm)の吸収を向上させることができた。処理前後で、炭酸ガスレーザ光(波長:約9.8μm)の吸収は、約20%から約30%に向上することを確認した。
【0023】
この後、図1A(4)に示すように、例えば12μm厚のポリイミドフィルム12の上に厚さ20μmのアクリル・エポキシ等の接着材13を有する、所謂カバーレイ14を用意し、両面コア基板11の両面にカバーレイ14を、真空プレス、ラミネーター等で貼り付ける。ここまでの工程で、カバーレイ付きの両面コア基板15を得る。
【0024】
次に図1B(5)に示すように、ポリイミド等の可撓性絶縁ベース材16(ここでは、厚さ25μmのポリイミド)の片面に厚さ7μmの銅箔17を有する、所謂、片面銅張積層板18を用意する。そして、この片面銅張積層板18を型抜きし、これを多層プリント配線板のビルドアップ層18bとする。
【0025】
このビルドアップ層18bをカバーレイ付きの両面コア基板15にビルドアップするための接着材19を予め型抜きし、位置合わせを行う。接着材19としては、ローフロータイプのプリプレグやボンディングシート等の流れ出しの少ないものが好ましい。
【0026】
ここでは導体層を充填する必要がないため、接着材19の厚さは15μm程度、あるいはさらに薄いものが選択できる。接着材19を介し、ビルドアップ層18bとカバーレイ付きの両面コア基板15とを真空プレス等で積層する。ここまでの工程で、多層回路基材20を得る。
【0027】
さらに、この後、多層回路基材20のビルドアップ層18bの銅箔表面に粗化処理を行い、ビルドアップ後にレーザ加工する際のレーザ光の吸収を安定的に向上させる。ここでは、上記と同様に日本マクダーミット社(株)のマルチボンド150を用いた。
【0028】
これにより、密着を確保するとともに、銅表面の炭酸ガスレーザ光(波長:約9.8μm)の吸収を向上させることができた。処理前後で、炭酸ガスレーザ光(波長:約9.8μm)の吸収は、約20%から約30%に向上することを確認した。また、この粗化処理により、銅箔の厚みは約1μm薄くなる。
【0029】
なお、この銅箔表面に粗化処理を行う工程順序としては、(1)片面銅張積層板にまず粗化処理を行い、両面コア基板に積層する、(2)両面コア基板に積層した後、粗化処理を行う2つの工程順序があり、この実施例1では(2)の工程順序により行っている。この理由として、上記(1)のように積層前に粗化処理を行うと、積層の熱や圧力等の履歴で粗化面の形状や色調といったレーザ光の吸収に関係する表面状態が変化してしまうためである。
【0030】
次に図1B(6)に示すように、銅箔17にダイレクトレーザ加工を行い、ステップビアホール用の導通用孔21aを形成する。レーザ加工法については、銅箔の貫通加工が必須であることから、レーザ照射により銅を除去可能なエキシマレーザ、UV−YAGレーザ、YAGレーザ、炭酸ガスレーザ等による加工が必要である。この実施例1では、加工速度が速く、生産性に優れた炭酸ガスレーザを用いた。
【0031】
まず、ステップビアホール用の導通用孔21aを形成するために、銅箔17の所定の位置に、ステップビアホールの上穴径に略等しいビーム径、ここではビーム径200μmのレーザビームを照射する。レーザビームを照射する位置については、X線等により、内層のランド10aの中心のレーザ遮光されていない孔、所謂、コンフォーマルマスクの中心を狙うように位置合わせをする。
【0032】
これにより、図1B(6)に示すように、まず、銅箔17を200μm径に貫通させ、その下のランド10aまでの樹脂も除去し、その後、予めめっきで厚付けされたランド10aによりコンフォーマル加工することにより、ステップビアホール用の導通用孔の上穴21aが形成される。また、ビアホール用の導通用孔21bについても、ビーム径200μmのレーザビームを照射するダイレクトレーザ加工により形成した。
【0033】
この場合も、ランド10bは、予めめっきで厚付けされていることから、貫通することなくビアホール用の導通用孔21bが形成される。
【0034】
内層のランド10aの中心のレーザ遮光されていない孔にレーザビームを位置合わせする別の手法を採用することもできる。それは、加工部位の近傍に内層の位置合わせターゲットとなるマークが2点以上配置されており、このマーク位置を読み取ることで、加工部位近傍の基板の伸縮等の情報を入手し、演算処理を行って加工部位の位置を補正し、レーザビームを照射するものである。
【0035】
この実施例1のように、様々な材料により構成された複層構造体は、均一な伸縮挙動を示さないことも多い。これに対応するには、上述のマークは、好ましくはX方向、Y方向の位置ズレを検出するために3点以上配置されていることが望ましい。
【0036】
次いで図1C(7)に示すように、X線等による画像処理等の手法でステップビアホール用の導通用孔21aの下穴の中心、すなわち内層のランド10aのコンフォーマルマスクの中心を狙い、所定のアパーチャー等でビーム径を200μmまで絞って加工する。これにより、銅箔17がレーザビーム径に略等しい大きさに貫通し、さらに照射を加えることでステップビアホール用の導通用孔の下穴が形成される。
【0037】
形成された導通用孔21aの形状について整理すると、導通用孔21aの上側の孔の径は200μmとなり、導通用孔21aの下側の孔は100μmの穴径で、導通用孔21aの上側の略中心に安定的に形成された。
【0038】
なお、図1Bに示すように、導通用孔21aと導通用孔21bとが対応する位置に配置されている場合には、ランド10bを貫通させないことを考慮し、貫通加工を含む導通用孔21aを先に形成し、その後、導通用孔21bを形成することが好ましい。
【0039】
このため、図1Cにおいては、図中の上側の導通用孔21aを先に加工し、下側の導通用孔21aおよび導通用孔21bを加工する。したがって、導通用孔21aと導通用孔21bとが対応する位置にある場合、導通用孔21aが全て上側に位置するように設計すると、レーザ加工をまず上側の全ての導通用孔から行い、次に下側の全ての導通用孔に対して行うことが可能で、効率的である。
【0040】
図1B(6)から図1C(7)での一連のレーザ加工の条件例として、以下のように行った。炭酸ガスレーザ加工機としてML605GTXIII−5100U2(三菱電機(株)製)を用い、X線等による画像処理等の手法により位置合わせし、まず所定のアパーチャー等でビーム径200μm、パルス幅15μsec、15mJ、5ショットにより加工し、銅厚が薄く炭酸ガスレーザ光の吸収の良い表面状態とした銅箔17の所定位置を200μm径に開口する。
【0041】
これにより、その下のめっきで厚付けしたランド10aまでの樹脂も除去される。そして、めっきで厚付けしたランド10aは、炭酸ガスレーザ光の吸収の良い表面状態であっても、貫通せずにコンフォーマルマスクとして機能するから、ステップビアホール用の導通用孔21aが形成される。
【0042】
銅箔17aおよびランド10aの銅箔の所定の箇所を安定した径で貫通するためには、レーザ光の中心のエネルギー密度が高いガウシアン分布等のビームプロファイルを有するレーザ光学系が必要となる。
【0043】
銅箔17の銅厚みとしては、10μm以下であれば、上述のレーザ加工条件のプラスマイナス30%程度のエネルギー量においても再現性よく貫通することも確認している。5μm以下の厚みになると、上述の粗化工程、この後のめっき前処理のエッチング等で残すべきランドの銅が部分的になくなることもあるため、銅厚としては5〜10μmが好ましい。
【0044】
ランド10aおよびランド10bの銅厚みについては、ステップビアホールの下側の孔のレーザ照射面の反対面に位置するランド10bの銅厚みを厚くしておくことで、ランド10bの貫通に対するマージンを得ることができる。
【0045】
具体的には、14μm以上であれば、貫通に必要なレーザのエネルギーが3倍以上になることも確認しており、十分なマージンとなる。このため、14μm以上の銅厚であることが好ましい。さらに、電解めっきにより層間接続を行うためのデスミア処理、導電化処理を行う。
【0046】
次に図1C(8)に示すように、導通用孔21aおよび導通用孔21bを有する多層回路基材22に10〜15μm程度の電解めっきを行い、導通用孔21aより得られたステップビアホール23a、導通用孔21bより得られたビアホール23bを形成し、層間導通を形成する。
【0047】
ステップビアホール23aの上穴および下穴の中心が位置ズレしないので、ステップビアの上穴を小さくすることができる。このため、より高密度にステップビアを形成できる。
【0048】
また、導通用孔の下側の孔へのめっき付き周りが安定であり、めっきボイド等の不良が発生し難いことや、めっきされて得られたステップビアホールが構造的に対称となることから、温度サイクル試験等でステップビアホール23aに発生する熱応力が均一に分散するため、層間接続信頼性が向上する効果も期待できる。これにより、上述のように電解めっき厚は10〜15μm程度で良好な層間接続信頼性を確保できる。
【0049】
ここまでの工程で、層間導通の完成した多層回路基材24を得る。また、挿し部品等の実装用の貫通穴が必要な場合には、導通用孔の形成の際にNCドリル等で貫通孔を形成し、上記のビアホールめっきの際にスルーホールを同時に形成することも可能である。
【0050】
なお、ステップビアホールについては、特許文献3(P3、図1)等に記載されているが、本発明によるダイレクトレーザ加工を利用し、各配線層の位置ずれのないステップビアの形成方法には触れられていない。
【0051】
次いで図1C(8)に示すように、外層のパターン25を通常のフォトファブリケーション手法により形成する。この際、コア基板15のカバーフィルム12の上に析出しためっき層があれば、これも除去される。この後、必要に応じて基板表面に半田めっき、ニッケルめっき、金めっき等の表面処理を施し、フォトソルダーレジスト層の形成および外形加工を行うことで、内層にケーブル部を有する多層プリント配線板26を得る。
【0052】
高密度実装基板に要求されるパターン形成能力としては、例えば0.5mmピッチCSPを実装するランドの大きさが300μmとすると、ランド間にパターンを1本通すためには、ライン/スペース=50μm/50μm、ピッチ100μmとする必要がある。
【0053】
しかしながら、上述のように10〜15μm程度の電解めっきを7μm厚の銅箔上に行うと、外層の総導体厚は17〜22μmになり、ピッチ100μmの微細パターンを歩留まり良く形成することが十分可能であるため、高密度実装の要求を満足することができる。
【0054】
また、ケーブルが第2層に配置されていることから、最短距離で部品実装部を接続するためには、第1層と第2層とを接続するビアホールが、狭ピッチに配置可能でしかも第2層の配線が微細であることが必要である。ビアホールの配置に関しては、ビアホール23a,23bはビアホール径200μmで形成可能であることから、ピッチ0.4mm以下にできる。
【0055】
本発明によるケーブル部を有する多層プリント配線板の層間接続構造は、ビアホール径200μmのビアホール23aを採用していることから、高密度化に有利な構造となり、高密度実装の要求を満足することができる。そして、層間接続部にステップビア構造を含む多層プリント配線板であって、ステップビアの上穴および下穴の各中心が略等しい位置に配置された多層プリント配線板を安価かつ安定的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0056】
【図1A】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示す工程断面図。
【図1B】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示す工程断面図。
【図1C】本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示す工程断面図。
【図2】従来工法によるケーブル部を有する多層プリント配線板の製造方法の概念的断面構成図。
【符号の説明】
【0057】
1 可撓性絶縁ベース材
2 銅箔
3 銅箔
4 両面銅張積層板
5 導通用孔
6 部分めっき用レジスト層
7 スルーホール
8 受けランドに位置する部分
9 回路パターン
10a ランド
10b ランド
11 両面コア基板
12 ポリイミドフィルム
13 接着材
14 カバーレイ
15 両面コア基板
16 可撓性絶縁ベース材
17 銅箔
18a 片面銅張積層板
18b ビルドアップ層
19 接着材
20 多層回路基材
21a 導通用孔
21b 導通用孔
22 多層回路基材
23a ステップビアホール
23b ビアホール
24 層間導通の完了した多層回路基材
25 外層回路パターン
26 本発明によるケーブル部を有する多層プリント配線板
157 スルーホール
158 スルーホールランド
159a 回路パターン
159b コンフォーマルマスク
160 両面コア基板
161 ポリイミドフィルム
162 接着材
163 カバーレイ
164 カバーレイ付き両面コア基板
165 可撓性絶縁ベース材
166a 銅箔
166b コンフォーマルマスク
167a 片面銅張積層板
167b ビルドアップ層
168 接着材
169a 多層回路基材
169b 導通用孔を有する多層回路基材
170a 導通用孔
170b 導通用孔
171a ステップビアホール
171b ビアホール
172 層間導通の完成した多層回路基材
173 外層回路パターン
174 ケーブル部
175 従来工法によるケーブル部を有する多層プリント配線板

【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂フィルムからなる絶縁ベース材の上に少なくとも1層の導電層を有する内層コア基板を形成し、少なくとも一面に導電層を有する積層板により構成された外層ビルドアップ層を前記内層コア基板に接着材を介し積層して積層回路基材を形成し、前記積層回路基材に外層側ほど径の大きいステップビアホールを含む層間接続体を形成し、前記外層ビルドアップ層および前記内層コア基板の3層以上の配線層の層間を接続するステップビアホールを形成する多層プリント配線板の製造方法において、
前記内層コア基板における前記ステップビアホールの形成位置に、前記外層ビルドアップ層の導電層の厚さよりも厚いランドを設け、
前記ランドに前記ステップビアホールの下穴径に略等しい径の開口を開け、
前記開口を中心にして、前記ステップビアホールの上穴径に等しい径の、前記導電層を除去可能なレーザ照射を行って前記積層回路基材を穿孔し前記ステップビアホールを形成する
ことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

【図1A】
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【図1B】
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【図1C】
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【図2】
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【公開番号】特開2009−26912(P2009−26912A)
【公開日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−187825(P2007−187825)
【出願日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【出願人】(000230249)日本メクトロン株式会社 (216)
【Fターム(参考)】