多層積層回路基板
【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8であることを特徴とする。
【解決手段】本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8であることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、多層積層回路基板に関し、特に金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
我々の身の回りにある製品、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、ロボット等はいずれも場所をとらない小型製品に人気が集中しており、さらに小型化した製品の登場が期待されている。このような製品のニーズに対応するため、製品の外形を小型化するというアプローチと、製品の内部を小型化するというアプローチとの両面から製品の小型化の技術開発が進められてきた。ところが、製品の外形を小型化するというアプローチによる製品の小型化はもはや限界に近いと言われ、製品の内部の小型化に期待が寄せられるようになってきた。
【0003】
このような状況下で、製品の内部を小型化するアプローチとして、製品に用いられる回路基板を軽薄短小な回路構造にするという方法が近年特に注目を集めている。従来の回路基板は、1枚の基板を用い、その基板の一方の面もしくは両面に金属回路を形成するものであった。そして、この金属回路を微細化することにより回路基板の小型化を実現していた。ところが、1枚の基板を用いたときよりもはるかに小型化できる方法として、回路基板を複数枚重ね合わせた多層積層回路基板が開発された。このように回路基板を複数枚重ね合わせて立体的な金属回路の構造にすることにより、1枚の基板を用いた平面的な金属回路の構造よりも複雑な回路の設計が可能となる。
【0004】
このような多層積層回路基板は、ビルドアップ法と呼ばれる方法で作製されるのが一般的である。この方法による多層積層回路基板の作製の手順は、まず、1枚の絶縁性の樹脂フィルムを準備する。そして、この樹脂フィルムの表裏に導電層を形成する。次に、この樹脂フィルムの表裏に形成された導電層のうち、不要な部分をエッチングすることにより除去し、これにより除去されずに残された導電層が金属回路となる。そして、この金属回路上に接着剤を塗布して、当該接着剤を介してさらに導電層が形成された樹脂フィルムを貼り合わせる。次に、この貼り合わせた樹脂フィルムの導通部に導通ビアと呼ばれる孔を形成する。そして、当該導通ビアの内部にめっきまたはペースト等を充填し、2枚の樹脂フィルム間の導通を保障する。そして、貼り合わせた樹脂フィルムの導電層のうち、上記同様に不要な部分をエッチングすることにより除去して金属回路を形成する。これらの工程により2枚の樹脂フィルムを積層した回路基板を得ることができる。以後、さらに上述と同様の工程を繰り返すことにより、3枚以上の樹脂フィルムが積層した多層積層回路基板を作製することができる。
【0005】
しかしながら、このビルドアップ法により形成した多層積層回路基板は、それ自体に熱が加わると、金属回路に断線が生じるという問題があった。
【0006】
このような課題を解決すべく、導通ビア内に充填する金属の材料を低融点のはんだに代えることにより、金属回路の断線を防止しようとする試みがなされている(たとえば、特許文献1および2)。この方法によれば、樹脂フィルム間の接合強度を高めることができることから、常温での金属回路の断線は生じにくくなる。しかしながら、この多層積層回路基板は、熱が加わると導通ビア内に充填した金属が再融解してしまい、金属回路が断線しやすいという問題があった。
【0007】
そこで、導通ビアの代わりにバンプを用いて樹脂フィルム間を接合する試みもなされている(たとえば、特許文献3)。しかしながら、当該バンプは径を小さくすることが困難であるから、多層積層回路基板の小型化に対応できず、所期の目的に反するものとなってしまう。
【0008】
また別の試みとして、多層積層回路基板の導通ビアに導電性樹脂や導電性ペーストを充填することにより、金属回路の断線を防止する多層積層回路基板が示されている(たとえば、特許文献4および5)。しかしながら、長期間導通させた際の熱により金属回路に断線が生じるという懸念は残されていた。
【0009】
また、樹脂フィルム間の貼り付けに接着強度の高い接着剤を用いることにより、積層した樹脂フィルム間の位置ズレを防止する試みもなされている(たとえば、特許文献6)。しかしながら、この多層積層回路基板に熱が加わると樹脂フィルム間に位置ズレが生じやすくなり、結果として金属回路に断線が生じていた。
【0010】
以上のように、樹脂フィルム間の接着強度を高めることにより、金属回路の断線を防止しようとする試みは従来から種々なされてきたが、いずれの方法による多層積層回路基板も熱の適用時において金属回路の断線が生じやすいという共通の課題を有していた。
【0011】
そこで、上記の課題を解決する試みとして、たとえば特許文献7には、多層積層回路基板に含まれる複数枚の樹脂フィルムのうち、内層に位置する樹脂フィルムから外層に位置する樹脂フィルムに従って、次第に熱膨張係数の値が大きくなるように、それらの樹脂フィルムを積層する構造の多層積層回路基板が記載されている。このように樹脂フィルムを積層することにより、外部から熱が加わったときに、樹脂フィルム間の熱膨張差をより少なくすることができる。この方法によれば、多層積層回路基板において、樹脂フィルムの熱膨張差に起因する金属回路の断線をある程度抑制することが可能であった。
【特許文献1】特開2005−243911号公報
【特許文献2】特開2007−266481号公報
【特許文献3】特開2008−60582号公報
【特許文献4】特開2007−335631号公報
【特許文献5】特開2005−223010号公報
【特許文献6】特開2008−91439号公報
【特許文献7】特開2005−191244号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
しかしながら、上述のように熱膨張係数の異なる樹脂フィルムを複数積層したとしても、それだけで上述の問題を完全に解決できるというものではなく、依然として多層積層回路基板に熱が加わると、金属回路の断線が生じていた。本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、金属回路の断線がさらに生じにくい多層積層回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8であることを特徴とする。
【0014】
また、上記の樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5であることが好ましい。
【0015】
また、上記の樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下であることが好ましい。
【0016】
また、上記の回路層は、1つ以上の導通接続部と接し、当該導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部の断面の面積は、0.2mm2以下であることが好ましい。
【0017】
また、上記の樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。
また、本発明は、多層積層回路基板を用いる部品または製品である。
【0018】
また、上記の製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかであることが好ましい。
【発明の効果】
【0019】
本発明の多層積層回路基板は、上記の各構成を有することにより、金属回路の断線が生じにくいという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
<多層積層回路基板>
以下、本発明の多層積層回路基板について図1を参照しつつ説明する。図1は、本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的断面図である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【0021】
本発明の多層積層回路基板1は、図1に示されるように、樹脂フィルム100と回路層200とを交互に積層させた積層構造を含む。なお、図1は樹脂フィルム100を3層積層させた構造を示しているが、本発明における積層構造の最小積層数は、樹脂フィルム100を2層積層させたものである。この場合、回路層200の積層数は2層または3層とすることができる。一方、本発明における積層構造の最多積層数は、特に限定されず、用途に応じて積層させることができるが、通常、樹脂フィルム100を2〜30層程度積層させたものが一般的である。以下に本発明の多層積層回路基板に含まれる各構成を説明する。
【0022】
<樹脂フィルム>
本発明の多層積層回路基板は、2層以上の樹脂フィルムが含まれる。この樹脂フィルムは絶縁性の材料からなり、この種の用途に用いられる従来公知の樹脂フィルムをいずれも用いることができる。たとえばこのような樹脂フィルムとして、ポリイミド(PI)系、アクリル系、液晶ポリマ(LCP)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂フィルムを用いることができる。
【0023】
また、樹脂フィルム100の厚みは、4μm以上200μm以下であることが好ましく、4μm以上50μm以下であることがより好ましい。樹脂フィルムの厚みが4μmよりも薄くなると作業性が悪くなる虞があり、200μmよりも厚くなると、多層積層回路基板の厚みが厚くなり所期の目的に反することとなる。
【0024】
<回路層>
本発明の樹脂フィルム100の表裏の一方の面もしくは両面に形成される回路層200には金属回路50が含まれる。また、回路層200の金属回路50以外の部分は、絶縁性の接着性樹脂70が充填されていてもよく、この接着性樹脂を充填する場合、該接着性樹脂70を介して樹脂フィルム100を相互に貼り付けることができる。このように本発明の回路層200は、金属回路50のみにより構成されていてもよいし、金属回路50と接着性樹脂70とにより構成されていてもよい。
【0025】
また、回路層200の厚みは、2μm以上200μm以下であることが好ましく、3μm以上35μm以下であることがより好ましく、3μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。この回路層200の厚みが3μmよりも薄くなると作業性が悪くなるため好ましくなく、35μmよりも厚くなると、その回路層の両面に貼り付けられる樹脂フィルム間の密着性が悪くなるため好ましくない。
【0026】
<金属回路>
金属回路50は、めっき層140を含み、さらにこのめっき層140と樹脂フィルム100との間に下地層130を含むこともできる。なお、本発明においては導通ビア120内に形成される下地層130およびめっき層140も便宜的に金属回路50と呼ぶ場合がある。
【0027】
ここで、下地層130はめっき層140と樹脂フィルム100との密着性を向上させる作用をなすものであり、1層で形成してもよいし、2層以上で形成してもよい。下地層130が2層以上で形成される場合は、酸化防止層と下地金属層とを含むことが好ましい。このような下地層は、どのような方法で形成してもよいが、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。特に正確に膜厚を制御するという観点からスパッタにより形成することが好ましい。
【0028】
この酸化防止層は、Ni、Cr、Ti、CoおよびSiからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましく、その層厚は、2〜20nmとすることが好ましい。
【0029】
また、下地金属層は、酸化防止層上に形成されることが好ましく、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、BiおよびZnからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましい。また、下地金属層の層厚は、50〜500nm程度とすることが好ましい。
【0030】
また、上記めっき層140は、電気めっきにより形成される層であり、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、BiおよびZnからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましく、CuまたはCuを含む合金により構成することがより好ましい。めっき層140の厚みは、2.5μm以上300μm以下であることが好ましく、3μm以上35μm以下であることが好ましく、0.5μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。なお、前述の下地金属層を形成する場合、下地金属層とめっき層140とは同一の材料を用いることが好ましい。
【0031】
<接着性樹脂>
接着性樹脂70は、多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム100間を相互に貼り付けることができるものであれば、どのようなものを用いてもよく、たとえば、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、ポリイミド系の樹脂等を用いることができる。
【0032】
<導通部>
本発明の多層積層回路基板1を構成する各樹脂フィルム100は、1つ以上の導通部を有し、この導通部には1つ以上の導通ビア120が設けられる。ここで、導通部とは、金属回路50の構成上、当該樹脂フィルム100の表裏の両面の金属回路50の導通が所望される部位に形成されるものであって、樹脂フィルム100の表裏を貫通する導通ビアが1つ以上形成されることにより表裏の導通を保障するものである。
【0033】
そして、当該導通部が2つ以上の導通ビアを含む場合、かかる導通部は、所望の部位に近接連関して形成された複数の導通ビアの全てを含み、その断面積が最小となる円柱状領域を占めることとなる。なお、当該断面積は樹脂フィルム上において直径5μm以上3000μm以下の領域を占めることが好ましい。導通部の直径が5μm未満では、樹脂フィルムの表裏に形成される金属回路の導通を十分に保障できない場合があり、また、3000μmを超えると、金属回路の占める面積そのものが過大となり所期の目的に反することとなる。
【0034】
<導通ビア>
本発明の導通部に含まれる導通ビア120は、樹脂フィルム100の表裏を貫通するように設けられる孔であり、この導通ビア内に金属回路を形成することにより樹脂フィルム100の表裏に形成される金属回路を導通することができる。ここで、導通ビア内に金属回路を形成するとは、導通ビアの内壁面に金属回路を形成することをいい、このように形成される金属回路は、導通ビア内の全体を充填するように形成されていてもよいし、スルホール状に導通ビア内に空洞が残るように形成されていてもよい。
【0035】
また、この導通ビアは、樹脂フィルムの表裏の金属回路の導通を保障するという観点からその内径を大きくすることが好ましいが、その内径を大きくするほど前述のように熱が加わったときに導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスが集中するため、金属回路の断線が生じやすくなる。
【0036】
したがって、導通ビアの内径は、5μm以上300μm以下であることが好ましく、10μm以上50μm以下であることがより好ましく、15μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。導通ビアの内径が300μmよりも大きいと、上述の理由により導通ビア内の金属回路が断線されやすくなるため好ましくない。また、導通ビアの内径が5μmより小さいと導通ビアの加工が困難となるばかりか、めっき層を形成させるべく電気めっきをする際にめっき液が導通ビア内に浸入しにくくなることからも好ましくない。
【0037】
また、導通ビア120を形成する個数は、導通部1箇所に対し1〜7個程度を形成することが好ましく、3〜5個程度を形成することがより好ましい。また、導通ビアを8個以上形成すると、導通部の面積が広くなりすぎるという点で好ましくなく、導通ビアの加工時間が長くなりコストが高くなってしまうという点からも好ましくない。
【0038】
導通ビアの内径と導通部に含まれる導通ビアの個数との関係は、たとえば導通ビアの内径が5μm以上50μm未満の場合1〜7個の導通ビアを形成することが好ましく、導通ビアの内径が50μm以上300μm以下の場合1〜3個の導通ビアを形成することが好ましい。ただし、熱のストレスによる金属回路の断線を避けるという観点からすれば、1つの導通部に対し、上述の範囲内で可能な限り多くの導通ビアを設けることが好ましいことは言うまでもない。次に本発明の多層積層回路基板の特徴を説明する。
【0039】
<多層積層回路基板の特徴>
本発明の多層積層回路基板は、特に3つの特徴を有する。すなわち、そのうちの1つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる2以上の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なることである。そして、2つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、当該樹脂フィルムに隣接する回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75を満たすことである。さらに、3つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、当該面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8を満たすことである。本発明の多層積層回路基板は、これらの3つの特徴により得られる効果の相乗効果により、樹脂フィルムの熱膨張差に起因する導通ビア内の金属回路の断線を飛躍的に生じにくくすることができる。以下にこれらの各特徴と、その特徴により得られる効果とを説明する。
【0040】
<熱膨張係数の制御>
本発明の多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なることを特徴とする。このように樹脂フィルムを積層することにより、熱の適用時に樹脂フィルム間の熱膨張差による多層積層回路基板の歪みを緩和することができ、以って導通ビア内の金属回路の断線を効果的に防止することができる。
【0041】
本発明はこのような樹脂フィルムの熱膨張係数の制御に加えて、さらに以下のような多層積層回路基板の構造上の制限を設けることにより、従来よりも一層金属回路の断線を防止することができる。
【0042】
<各層の厚みの制御>
本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた構造であり、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、当該樹脂フィルムに隣接する回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75を満たすことを特徴とする。このように、B/Aの値を特定の数値範囲内に制御することにより、樹脂フィルムと回路層に含まれる金属回路との熱膨張差に起因する金属回路の断線を防止しつつ、より軽薄短小な多層積層回路基板を作製できるという優れた効果を有する。
【0043】
なお、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、過半数の樹脂フィルムにおいて、上記の0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことが好ましく、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムにおいて、0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことがより好ましい。すなわち、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、可能な限り多くの樹脂フィルムにおいて0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことにより、本効果をより顕著に得ることができる。
【0044】
ここで、「樹脂フィルムに隣接する回路層」とは、樹脂フィルムの表裏の一方の面もしくは両面に接している回路層のことをいう。樹脂フィルムに隣接する回路層が1層の場合、その回路層の厚みをBとし、樹脂フィルムに隣接する回路層が2層の場合、2層の回路層のうち厚みの厚い方の回路層の厚みをBとする。なお、隣接する回路層が2層あり、当該2層の回路層の厚みが等しい場合、いずれの回路層の厚みをBとしてもよい。
【0045】
なお、B/Aの値が0.015よりも小さくなると、回路層に対し樹脂フィルムの厚みが厚いことにより多層積層回路基板の厚みも厚くなるため所期の目的に反する。また、B/Aの値が8.75よりも大きくなると、樹脂フィルムに対して回路層の厚みが厚いことにより、樹脂フィルムが回路層の特に金属回路の重みに耐えきれずに撓んでしまい、連続加工の妨げとなる虞がある。
【0046】
また、本発明の多層積層回路基板は、上記のB/Aの値の範囲のうちの上限付近の範囲および下限付近の範囲において、特に優れた効果を有する。
【0047】
すなわち、上記のB/Aの値の範囲のうち、上限付近の範囲の多層積層回路基板は、回路層の厚みに対して樹脂フィルムの厚みが比較的薄い構造となる。このような構造により、熱適用時の樹脂フィルムの熱膨張に対して金属回路が断線しにくく、しかも短時間で樹脂フィルムに導通ビアを形成できるため、生産効率が向上するというメリットがある。このような効果を得るためのB/Aの値の範囲の上限付近の範囲は、0.7≦B/A≦8.75であることが好ましく、1.0≦B/A≦8.75であることがより好ましい。
【0048】
一方、上記のB/Aの値の範囲のうちの下限付近の範囲の多層積層回路基板は、樹脂フィルムの厚みに対して回路層の厚みが極端に薄い多層積層回路基板の構造となる。このような構造により、樹脂フィルム間の密着性が高められ、樹脂フィルム間の熱膨張差を僅少なものとできることから、導通ビア内の金属回路の断線を防止することができ、しかもめっき層の形成が短時間でできるため、製造コストを抑えることができる。このような効果を得るためのB/Aの値の下限付近の範囲は、0.015≦B/A≦0.45であることが好ましく、0.015≦B/A≦0.3であることがより好ましい。
【0049】
<金属回路の占有面積>
本発明の多層積層回路基板において、樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、当該面上に形成される金属回路の占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8を満たすことを特徴とする。このD/Cの値の範囲は、0.2≦D/C≦0.7であることが好ましく、0.4≦D/C≦0.6であることがより好ましい。ここで、Cの値は、多層積層回路基板の厚み方向に対する垂直な面の外形の寸法から算出される値であり、Dの値は、金属回路の設計図面から算出される値である。
【0050】
このように、D/Cの値を特定の数値範囲内に制御することにより、樹脂フィルムと回路層に含まれる金属回路との熱膨張差に起因する金属回路の断線を防止しつつ、樹脂フィルムの一の面あたりに占める金属回路を可能な限り高密度に配置することができるという効果が得られる。
【0051】
多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことにより、本効果は得られる。さらに、いずれか1層の樹脂フィルムの両面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことが好ましい。また、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、過半数の樹脂フィルムの各々の両面において、0.02≦D/C≦0.8を満たすことがより好ましく、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムの各々の両面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことがさらに好ましい。すなわち、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、可能な限り多くの樹脂フィルムの一の面(好ましくは両面)において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことにより、本効果をより顕著に得ることができる。
【0052】
このD/Cの値が0.02よりも小さくなると、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が小さいため、金属回路の構成に無駄が多い。D/Cの値が0.8よりも大きくなると、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が大きいため、樹脂フィルムの熱膨張に対し、樹脂フィルム上に形成された金属回路が追随できない部分が生じ、金属回路が断線してしまう虞がある。
【0053】
<上記以外の特徴>
本発明の多層積層回路基板は、上記で述べた特徴以外にも以下のような特徴A〜Eを備えることが好ましい。
【0054】
A.熱膨張係数の最大差
本発明の多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5を満たすことが好ましく、0.015≦F/E≦0.4であることがより好ましく、0.018≦F/E≦0.35であることがさらに好ましい。このようにF/Eの値を特定の数値範囲内に制御することにより、多層積層回路基板の熱による歪みの発生を抑えつつ、熱適用時にそれ自体の硬さも適度に保つことができるという優れた効果を有する。
【0055】
また、F/Eの値が0.01よりも小さくなると、熱が加わったときの樹脂フィルム間の膨張差が大きくなるため多層積層回路基板が歪み、導通ビア内の金属回路に断線が生じる。また、F/Eの値が0.5よりも大きくなると、樹脂フィルム間の熱膨張の差が小さいため、本発明の効果を十分に得ることができない。
【0056】
なお、本発明の多層積層回路基板に一軸延伸により製造された樹脂フィルムを用いる場合、たとえ同一の樹脂フィルムであっても、延伸方向の熱膨張係数と、延伸方向に対する垂直方向(幅方向)の熱膨張係数と、厚み方向の熱膨張係数との3つの方向の熱膨張係数がそれぞれ異なる場合がある。
【0057】
導通ビア内の金属回路の断線は、これら3つ方向の熱膨張係数の組み合わせにより生じるものと考えられることから、これらの熱膨張係数のバランスをとることが肝要である。このバランスをとるためには、それぞれの方向に対して、後述のような範囲の熱膨張係数を有する樹脂フィルムを用いることが好ましい。なお、特に断わりがない限り、「樹脂フィルムの熱膨張係数」とは、樹脂フィルムの延伸方向の熱膨張係数のことをいうものとする。
【0058】
B.延伸方向の熱膨張係数
本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下が好ましく、2ppm/℃以上200ppm/℃以下がより好ましく、3ppm/℃以上150ppm/℃以下がさらに好ましい。樹脂フィルムの熱膨張係数が1ppm/℃より小さくなると、それ自体がもろくなってしまい、300ppm/℃より大きくなると、熱が加わったときの樹脂フィルムの延伸方向の熱膨張が大きすぎるため、多層積層回路基板が歪み金属回路に断線が生じやすくなる。
【0059】
C.厚み方向の熱膨張係数
また、本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの厚み方向の熱膨張係数は、導通ビア内に充填される金属回路の材料の熱膨張係数の値により異なるが、通常5ppm/℃以上50ppm/℃以下が好ましく、10ppm/℃以上30ppm/℃以下がより好ましく、15ppm/℃以上20ppm/℃以下がさらに好ましい。
【0060】
D.幅方向の熱膨張係数
また、本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの延伸方向に対する垂直方向(幅方向)の熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下が好ましく、2ppm/℃以上200ppm/℃以下がより好ましく、3ppm/℃以上150ppm/℃以下がさらに好ましい。
【0061】
E.樹脂フィルムの積層順序
また、本発明の多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムは、その積層の順に応じて熱膨張係数の値が昇順または降順となるように各樹脂フィルムを積層することが好ましい。たとえば、多層積層回路基板に積層される複数の樹脂フィルムにおいて、熱源に近くなる側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が小さく、熱源から遠ざかるに従い樹脂フィルムの熱膨張係数が大きくなるように樹脂フィルムを積層することができる。このように多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムの熱膨張係数を積層順に異ならしめることにより、これらの樹脂フィルム間において熱源からの距離に応じて生じる膨張差を効果的に緩和することができ、以って導通ビア内の金属回路の断線を生じにくくすることができる。
【0062】
また、多層積層回路基板の歪みやすい部分は、その多層積層回路基板の歪みを緩和するために熱膨張係数が大きい樹脂フィルムを用いることが好ましく、樹脂フィルムの厚みは厚くすることが好ましい。
【0063】
<樹脂フィルムの形状>
樹脂フィルム100は、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。そのような長尺状の樹脂フィルムとしては、たとえば、1〜10000m程度の長さを有するものが好ましく、100〜3000m程度のものがより好ましい。このように長尺状のものを用いることにより、多層積層回路基板を連続加工することができ生産効率を向上させることができる。長尺状の樹脂フィルムの長さが1m未満では、ロール状に巻いた形状のものとして用いることが困難であり生産効率が低下してしまい、10000mを超えると、後述の下地層の形成において連続加工を妨げられる虞がある。
【0064】
なお、樹脂フィルムが「長尺状のもの」とは上記のような長さを有し、ロール状に巻いた形状のものとして用いるのに適したものをいうが、上記のような長さに満たないものであっても、複数の枚葉の樹脂フィルムを貼り合わせることにより、長尺状のものとして取り扱えるようにしたものも含むものとする。
【0065】
また、樹脂フィルム100の厚みは、3μm以上200μm以下であることが好ましい。樹脂フィルム100の厚みが3μmよりも薄いと作業性が悪くなるため好ましくなく、200μmよりも厚くなると、導通ビア120が加工しにくくなるため好ましくない。
【0066】
<多層積層回路基板の使用態様>
本発明の多層積層回路基板1は、たとえば図2に示されるように、多層積層回路基板の最下面の金属回路50とリジッド基板301とが、接着金属401により貼り付けられ、多層積層回路基板の最上面の金属回路50とSi基板302とが、密着金属402により貼り付けられる構成として用いることができる。以下、この使用態様における各構成について説明する。
【0067】
<接着金属>
上記の使用態様で用いられる接着金属は、はんだ、ボンディング、スタットピンおよびバンプのいずれかによって形成されるものであり、これによりリジッド基板と多層積層回路基板との導通を図ることができる。
【0068】
<密着金属>
上記の使用態様で用いられる密着金属は、はんだにより形成されるものであり、これによりSi基板と多層積層回路基板との導通を図ることができる。
【0069】
<Si基板>
上記の使用態様で用いられるSi基板は、Siを主体とする材料からなるものであって、1ppm/℃以上10ppm以下の熱膨張係数を有する材料からなる基板である。なお、Si基板302の代わりにリジッド基板または銅基板を用いる使用態様とすることもできる。
【0070】
<リジッド基板>
上記の使用態様で用いられるリジッド基板は、Si基板の熱膨張係数よりも熱膨張係数の高い材料の基板をいう。なお、リジッド基板301の代わりに銅基板を用いる使用態様とすることもできる。次に、上記の使用態様における各構成の熱膨張係数の関係を説明する。
【0071】
<熱膨張係数の選択等>
たとえば、図2に示されるような使用態様の場合、最上層のSi基板302は熱膨張係数が小さく、最下層のリジッド基板301は熱膨張係数が大きいので、これらの間に積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、Si基板302側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が小さく、リジッド基板301側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が大きくなるように、樹脂フィルムを選択することが好ましい。
【0072】
より具体的には、Si基板302の近傍に配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、2ppm/℃以上10ppm/℃以下が好ましく、3ppm/℃以上5ppm/℃以下がより好ましい。熱膨張係数が2ppm/℃よりも小さいと、多層積層回路基板がもろくなり扱いにくくなるため好ましくなく、熱膨張係数が10ppm/℃よりも大きくなると、Si基板302の熱膨張係数と樹脂フィルムの熱膨張係数との差が大きくなり、多層積層回路基板に歪みが生じ、導通ビア内の金属回路に断線が生じやすくなるため好ましくない。
【0073】
また、リジッド基板301の近傍に配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、リジッド基板301の熱膨張係数に近接した数値とすることが好ましい。また、リジッド基板が屈曲している場合には、この屈曲に対応できる樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、上記のSi基板またはリジッド基板のいずれか一方もしくは両方に、銅基板を用いる場合、銅基板に近接して配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、銅基板の熱膨張係数(16.8ppm/℃)に近接した数値とすることが好ましく、その熱膨張係数の値は10ppm/℃以上20ppm/℃以下であることが好ましく、15ppm/℃以上18ppm/℃以下であることがより好ましい。
【0074】
<導通接続部>
本発明の多層積層回路基板に含まれる各回路層は、それぞれ1つ以上の導通接続部と接している。当該導通接続部は、多層積層回路基板の厚み方向の導通を確保するために設けられるものである。ここで、この導通接続部とは、樹脂フィルムに形成されるものにあっては導通ビアのことをいい、上述の使用態様で用いられる多層積層回路基板にあっては導通ビアに加えて、さらに上述の接着金属および密着金属も含むものとする。
【0075】
このような導通接続部は、熱が加わったときに多層積層回路基板の厚みに対して垂直な方向にせん断応力がかかることによる切断を防止するという観点からは、その断面積は大きい方が好ましいが、多層積層回路基板を小型化するという観点からは、その断面積は小さい方が好ましい。本発明では、上記のような構成にすることにより、これらの相反する要求を満足させることができ、全ての導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部において、その断面積が0.2mm2以下のものを含めるようになり、産業上の利用性を飛躍的に向上させることに成功したものである。
【0076】
<部品または製品>
本発明の多層積層回路基板は、一般的な部品または製品に用いられる。この製品には、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボット等を挙げることができる。
【0077】
<多層積層回路基板の製造方法>
本発明の多層積層回路基板の製造は、まず樹脂フィルム100の各導通部に表裏を貫通する導通ビア120を形成した後、樹脂フィルム100の表面全体(導通ビアの内壁面を含む)に亘って下地層130を形成し、その上に電気めっきによりめっき層140を形成する。その後、下地層130とめっき層140との一部を除去して金属回路50を形成し、接着性樹脂70により別の樹脂フィルム100を貼り付ける。続いて、この新たに貼り付けられた樹脂フィルム100の導通部の位置に導通ビアを形成し、その後上記と同様にして金属回路を形成する。以上の操作を長尺状の樹脂フィルムを用いて連続的に繰り返し行なうことにより本発明の多層積層回路基板は製造される。
【0078】
上述のように金属回路50を電気めっきで形成されるめっき層により構成すれば、導通ビア内の金属回路に断線が生じにくく、しかも樹脂フィルムを多層化してもコストの向上を抑制できるため好ましい。
【0079】
なお、本発明の多層積層回路基板1の金属回路50は、たとえばエッチング法とセミアディティブ法のいずれの方法により形成してもよい。エッチング法は、樹脂フィルムの表面(導通ビアの内壁面を含む)の全面に電気めっきによりめっき層を形成し、その後不要な部分となるめっき層と下地層とをエッチングにより除去することにより金属回路を形成する方法である。
【0080】
一方、セミアディティブ法は、樹脂フィルムの表面(導通ビアの内壁面を含む)上の回路とならない部分に対してレジストによりマスキングした後、電気めっきにより必要な厚みのめっき層を形成し、その後レジストを剥離して金属回路を形成する方法である。
【0081】
以下においては、金属回路の形成方法としてセミアディティブ法を例にとり多層積層回路基板の製造方法を説明する。当該製造方法は、導通ビア形成工程、下地層形成工程、レジスト形成工程、露光工程、現像工程、活性化工程、めっき層形成工程、レジスト剥離工程、ソフトエッチング工程および樹脂フィルム積層工程をこの順に繰り返すことにより多層積層回路基板を製造する方法である。これらの工程を以下に説明する。
【0082】
<導通ビア形成工程>
まず、樹脂フィルム100に対して、導通部を形成するように導通ビア120を形成する(図3)。ここで、導通ビアの深さと樹脂フィルムの厚みとが等しくなるように導通ビアの形成を調節できる装置であればどのような装置でもよいが、小径かつ低コストで導通ビアを形成できるという観点から、UV−YAGレーザを用いることが好ましい。
【0083】
<下地層形成工程>
次に、イオンガンにより樹脂フィルム100の表面(導通ビア120の内壁面を含む)を前処理した後、樹脂フィルム100の表面(導通ビア120の内壁面を含む)に酸化防止層を形成し、酸化防止層上にさらに下地金属層を形成することにより下地層130を形成することができる(図4)。下地層130に含まれる酸化防止層と下地金属層とは、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。なお、酸化防止層または下地金属層のいずれか一方もしくは両方は形成されない場合もある。
【0084】
<レジスト形成工程>
上記工程によって、樹脂フィルム100上に形成した下地層130の表面を酸で洗浄し、下地層130に含まれる下地金属層の表面を活性化させた後レジストを形成する(図示せず)。このレジストは、レジストをフィルム化したドライフィルムを貼り合わせる方法により形成してもよいし、レジストインクを塗布する方法により形成してもよい。
【0085】
ドライフィルムを貼り合わせる方法は、少量生産に適していることから多品種の製品に対応することができ、しかも貼り合わせ作業の工程も煩雑でないという点で優れているが、製造コストが高くなるという問題を有する。
【0086】
一方、レジストインクを塗布する方法は、大量生産に適していることから製造コストを低減することができる点で優れているが、塗布の工程が煩雑になるという問題を有する。以下においては、ドライフィルムを貼り合わせる方法によるレジストの形成を説明する。
【0087】
まず、図4に示される下地層130の形成された樹脂フィルム100をラミネート巻取装置の送出シャフトにセットし、樹脂フィルム100の先端を巻取シャフトにセットした上で、樹脂フィルム100の下地層130上にドライフィルムを貼り付けながら巻取シャフトを回転させて巻き取りを行なう。このようにして樹脂フィルム100にドライフィルムが貼り付けられ、樹脂フィルムの下地層上にレジストが形成される(図示せず)。
【0088】
上述のラミネート時の温度は、30〜150℃であることが好ましく、60〜110℃であることがより好ましい。また、ラミネート時の圧力は、0.3〜5kg/cm2であることが好ましく、2〜3kg/cm2であることがより好ましい。また、ラミネートした樹脂フィルムの巻取時のラインスピードは、0.1〜10m/分であることが好ましく、0.5〜3m/分であることがより好ましい。
【0089】
<露光工程>
次に、上記でレジストを形成した樹脂フィルム上に、所望の金属回路のパターンに対応したマスクを重ね合わせた後、UV露光しマスクで覆われていない部分を感光させる。ここでマスクで覆われていた部分は、次の現像工程で除去され、後述するめっき層形成工程においてめっき層が形成されて金属回路が形成される。
【0090】
この露光に用いられる露光装置は、平行光露光装置を用いてもよいし、ダイレクト露光装置を用いてもよい。しかし、微細回路を形成するという観点からは平行光露光装置を用いることが好ましく、樹脂フィルムの収縮に対応して露光する位置を調整することができるという観点からはダイレクト露光装置を用いることが好ましい。
【0091】
<現像工程>
次に、上述の露光工程のマスクで覆われた部分のレジスト170を弱アルカリ溶液により現像する。これにより図5に示すようなレジスト170を形成した樹脂フィルム100を得ることができる。現像に用いられる弱アルカリ溶液は、炭酸ソーダまたはアミン系の材料を用いることが好ましい。また、弱アルカリ溶液のpHは7以上13以下であることが好ましく、8.5以上10.0以下であることがより好ましい。弱アルカリ溶液のpHが7より小さいとレジストが除去されないため好ましくなく、pHが13より高いと、上記露光工程においてマスクで覆われていない部分のレジスト170も全て剥離されてしまうため好ましくない。
【0092】
また、弱アルカリ溶液の温度は10〜70℃であることが好ましく、20〜35℃であることがより好ましい。弱アルカリ溶液の温度が10℃より低いとレジスト170が除去されないため好ましくなく、弱アルカリ溶液の温度が70℃より高いと、UV露光した部分のレジスト170も剥離するため好ましくない。なお、現像の処理時間はレジストの種類により異なるため一律に規定することはできないが、通常20秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0093】
<活性化工程>
次に、現像した後の樹脂フィルム100上の下地層130(下地金属層)の表面を酸系の溶液で活性化する。これにより、めっき層と下地層(下地金属層)との密着不良を防止することができる。この活性化に用いられる酸系の溶液は、酸性を示すものであればどのようなものでもよいが、低コストで活性化できるという観点から、HCl、H2SO4、過硫酸アンモニウム等を用いることが好ましい。また、酸系の溶液に含まれる酸の濃度は、0.5〜20質量%であることが好ましく、3〜10質量%であることがより好ましい。酸系の溶液の濃度が0.5質量%よりも低いと下地層(下地金属層)の表面が活性化されにくいため好ましくなく、酸系の溶液の濃度が20質量%よりも高いと下地層(下地金属層)の表面に異常が発生する虞があるため好ましくない。
【0094】
また、活性化するときの酸系の溶液の温度は10〜70℃であることが好ましく、30〜50℃であることがより好ましい。酸系の溶液の温度を10℃より低くすると下地層の活性化に時間がかかりすぎるため好ましくなく、酸系の溶液の温度を70℃よりも高くすると環境面での問題が生じることから好ましくない。また、処理時間は下地層(下地金属層)の表面状態により異なるため一律に規定することはできないが、通常3秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0095】
<めっき層形成工程>
次に、上記で活性化した下地層130上に電気めっきすることにより、図6に示すようなめっき層140を形成する。この電気めっきに用いられるめっき液は、めっき層を形成する金属を含む酸性の溶液であればどのようなものでもよいが、めっき液自体が安定であり、かつ低コストでめっきできるという観点から、硫酸銅、ピロリン酸銅等を用いることが好ましい。なお、めっき液に硫酸銅を用いる場合、硫酸銅の濃度は30〜300g/lであることが好ましく、70〜150g/lであることがより好ましい。また、このめっき液の塩素イオン濃度は10〜100ppmであることが好ましく、40〜70ppmであることがより好ましい。
【0096】
また、めっき液に用いられる酸性の溶液としては硫酸を用いることが好ましく、硫酸を用いる場合、硫酸の濃度は50〜300g/lであることが好ましく、80〜200g/lであることがより好ましい。
【0097】
また、電気めっきするときの電流密度は、0.1〜10A/dm2であることが好ましく、0.5〜4A/dm2であることがより好ましい。また、電気めっきするときのめっき液の温度は20〜60℃が好ましく、30〜40℃がより好ましい。なお、めっき時間についてはめっき層の層厚により異なるため、一律に規定することはできないが、通常600秒以上6000秒以下程度とすることが好ましい。
【0098】
<レジスト剥離工程>
次に、上述のめっき層形成工程により金属回路を形成した後にアルカリ液を用いてレジスト剥離を行なう。レジスト剥離に用いられるアルカリ液は、アルカリ性を示す溶液であればどのようなものでもよいが、アルカリ液自体の安定性やアルカリ液のコストの観点から、水酸化ナトリウムやアルコール系のものを用いることが好ましい。
【0099】
また、アルカリ液に水酸化ナトリウムを用いる場合、水酸化ナトリウムの濃度は0.1〜50質量%であることが好ましく、1〜10質量%であることがより好ましい。また、レジスト剥離に用いられるアルカリ液の温度は30〜90℃であることが好ましく、50〜70℃であることがより好ましい。なお、レジスト剥離の処理時間は、レジストの剥離状態により異なるため、一律に規定することはできないが、通常20秒以上120秒以下程度とすることが好ましい。
【0100】
<ソフトエッチング工程>
次に、下地層130をソフトエッチングして剥離除去することにより、図7に示すような金属回路50が形成された樹脂フィルムが得られる。下地層に含まれる下地金属層の剥離に用いられる薬品は、どのようなものを用いてもよいが、低コストであるという観点から過硫酸アンモニウムを用いることが好ましい。この過硫酸アンモニウムを用いる場合、過硫酸アンモニウムの濃度は1〜20%であることが好ましく、5〜10%であることがより好ましい。
【0101】
また、下地金属層をソフトエッチングするときの処理温度は、20〜60℃であることが好ましく、30〜40℃であることがより好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は、下地金属層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常30秒以上200秒以下程度とすることが好ましい。
【0102】
また、酸化防止層の剥離に用いられる薬品としては、ニッケルクロム剥離液(商品名:NC(日本化学工業株式会社製))を用いることが好ましい。また、この薬品を用いる場合この薬品の濃度は60〜100%であることが好ましく、80〜90%であることがより好ましい。この薬品の濃度が60%より低いと剥離時間がかかるため好ましくない。
【0103】
また、酸化防止層をソフトエッチングするときの処理温度は、35〜55℃であることが好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は酸化防止層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常20秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0104】
<樹脂フィルム積層工程>
次に、上述のようにして得られた回路付樹脂フィルム(金属回路が形成された樹脂フィルム)の表裏いずれか一方もしくは両方の面に対して、別の樹脂フィルムを積層する方法としては、接着性樹脂70の付いた樹脂フィルムをラミネートにより回路付樹脂フィルムの片面に貼り合わせる方法、および回路付樹脂フィルムの金属回路形成面に対し接着性樹脂70を塗布してから金属回路が未だ形成されていない樹脂フィルムをラミネートにより貼り合わせる方法等があり、いずれの方法によっても図8に示すように樹脂フィルムを積層することができる。
【0105】
なお、後者の樹脂フィルムの積層方法によれば、金属回路の厚みが厚い場合に金属回路による樹脂フィルムの表面凹凸を少なくすることができることから、より接合強度を高めることができるというメリットがある。
【0106】
また、上述の回路付樹脂フィルムの表裏のいずれかの面もしくは両面に対して、別の樹脂フィルム100を積層するときの温度は、30〜300℃であることが好ましく、積層にかける圧力は0.1〜20kg/cm2であることが好ましい。また、この樹脂フィルムの積層にかける時間は、1秒以上3時間以下であることが好ましい。
【0107】
そして、その後導通ビア形成工程を行なうというように、上記で説明した各工程を繰り返すことにより、図1に示されるような本発明の多層積層回路基板を製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【0108】
<実施例1>
実施例1では、金属回路の形成方法としてエッチング法を採用し、以下の各工程により多層積層回路基板を作製した。
【0109】
<導通ビア形成工程>
多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム100として、ロール状に巻かれた長尺状のポリイミドフィルム(長さ50m、厚み38μm、熱膨張係数16.4ppm/℃、商品名:カプトンEN150(東レ・デュポン株式会社製))を用いた。この樹脂フィルム(以下において「第1の樹脂フィルム」とする)は250mm幅でスリット加工されたものを用いた。この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をUV−YAGレーザ装置にセットし、UV−YAGレーザ装置のプログラムを設定して1つの導通部に対し、15μmの内径の導通ビア120を1つ形成した(図3)。
【0110】
<洗浄工程>
上記で導通ビア120が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を洗浄装置にセットし、下地層の形成工程においてピンホールが発生することを抑制するために樹脂フィルム100の表面を洗浄した。
【0111】
<下地層形成工程>
次に、上記で表面を洗浄した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をスパッタ装置に設置し、真空ポンプにより1×10-3Paの圧力に設定した上で、イオンガンにN2ガスを注入して、それを照射することにより樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表面を前処理した。その後、スパッタリング法によりAr雰囲気下でNiとCrとの合金(NiとCrとの重量比がNi:Cr=80:20)からなる酸化防止層を樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)上に形成し、その上にCuからなる下地金属層を形成することにより下地層130を形成した(図4)。
【0112】
そして、スパッタ装置の真空状態を解除して、下地層130が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を取り出し、樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対して集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)を照射することにより、断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚み10nmであり、下地金属層は厚み350nmであることを確認した。さらに導通ビア120内にもこれらの下地層130が形成されていることを確認した。
【0113】
<めっき層形成工程>
次に、下地層が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を銅めっき装置にセットし、硫酸により下地層を活性化させた後に水洗した。その後、めっき液(硫酸200g/l、硫酸銅90g/l、塩素イオン濃度50ppmからなるもの)を充填しためっき浴に当該樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)を浸漬することにより、下地層130上に銅めっきを行ない、再度水洗して乾燥させ、樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の下地層130上にめっき層140を形成した(図9)。その後、このようにして得られた樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)の一部をサンプリングし、そのサンプルに対してFIBを照射することにより、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面上のめっき層140と下地層130とを含む金属回路の厚みをそれぞれ3点ずつ測定した。そして、この3点の測定値を平均すると表裏いずれにおいても18.5μmであった。
【0114】
<金属回路形成工程>
次に、上記のようにしてめっき層140を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面に対して、250mm幅のスリット加工されたドライフィルム(商品名:NIT215(ニチゴー・モートン株式会社製))をラミネートし、金属回路のパターンのマスクを重ね合わせた後、それをロール式の露光装置にセットして露光を行なった。
【0115】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行なうことができるロール式のエッチング装置に上記で露光を行なった樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をセットしてエッチング処理(めっき層140と下地層130とを除去する処理)を行ない、金属回路50を形成した(図7)。この樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)をサンプリングし、100倍の倍率の顕微鏡で金属回路50の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、図7で示される金属回路50に断線、ショート等の不良は観察されなかった。また、樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面のうち、後述の第2の樹脂フィルムを貼り合わせる側の面の面積Cに対して金属回路が占める面積Dは、金属回路の設計図面から算出した。その結果、第1の樹脂フィルムの上記面に対し、金属回路の占める面積(表1において、「金属回路占有面積」という)は0.55であった(以下の表1参照)。
【0116】
<樹脂フィルム積層工程>
次に、上記のようにして表裏の両面に金属回路を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面を同時にラミネートできる真空ラミネート装置に当該樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)をセットした。そして、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の一の面に当接するように、接着性樹脂70が塗布された樹脂フィルム100(この樹脂フィルムは、ポリイミドフィルム(厚み25μm、熱膨張係数3ppm/℃、商品名:ゼロマックス(東洋紡績株式会社製))であり、以下において「第2の樹脂フィルム」とする)をセットし、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)のもう一方の面に当接するように、接着性樹脂70が塗布された樹脂フィルム100(この樹脂フィルムは、ポリイミドフィルム(厚み25μm、熱膨張係数182ppm/℃、商品名:レイテックFR−5700(日立化成工業株式会社製))であり、以下において「第3の樹脂フィルム」とする)をセットした。そして、この真空ラミネート装置を作動させて表裏の両面に金属回路を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏に各樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)を積層することにより、図8に示すような3層の樹脂フィルム100と2層の回路層200とからなる積層体を得た。
【0117】
この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の全面に対し、シワ、エアー噛み等の検査を行なった。その結果、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)にシワ、エアー噛み等の不良は観察されなかった。
【0118】
<導通ビア形成工程−2>
次に、上述した導通ビア形成工程と同様の方法を用いることにより、上記で得られた積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)に対し、各導通部に導通ビア120を1つずつ形成した(図10)。その後、上記で導通ビアが形成された積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面を洗浄した。
【0119】
<下地層形成工程−2>
次に、上記で得られた積層体をスパッタ装置にセットし、上述した下地層形成工程と同一の条件および方法により、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面にNi−Crからなる酸化防止層と、Cuからなる下地金属層とを含む下地層130をスパッタリング法により形成した(図11)。
【0120】
そして、上記の下地層を形成した積層体の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対してFIBを照射することにより断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚み10nmであり、下地金属層は厚み350nmであることを確認した。
【0121】
<めっき層形成工程−2>
次に、Cuめっき装置に上記で得られた下地層を形成した積層体をセットして、上述のめっき層形成工程と同一の条件により、上記で形成した下地層の全面にめっき層140を形成した(図12)。その後、この積層体の一部をサンプリングし、そのサンプルに対してFIBを照射することにより、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)上のめっき層140と下地層130とを含む金属回路の厚みを3点測定した。そして、この3点の測定値を平均するとその積層体の表裏のいずれにおいても18.5μmであった。
【0122】
<金属回路形成工程−2>
次に、上記で得られためっき層を形成した積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)に対して、ドライフィルム(商品名:NIT215(ニチゴー・モートン株式会社製))をラミネートし、次にロール式の露光装置にそれをセットして露光を行なった。
【0123】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行ない、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面に金属回路50を形成した。以上により、2cm×4cmの大きさにカットして、本発明の多層積層回路基板を作製した(図1)。
【0124】
そして、これをサンプリングし、このサンプルを100倍の顕微鏡を用いて金属回路の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、この多層積層回路基板の金属回路に断線、ショート等の不良は観察されなかった。
【0125】
なお、実施例1では、いずれも同一のマスクを用いて、レジストを剥離し、レジストが剥離された部分をエッチングすることにより金属回路を形成したものである。これにより、樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム、第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の両面に形成される金属回路のパターンはいずれも同一の形状となる。このことから、以下の表1に示されるように、全ての樹脂フィルムのいずれの一の面に対しても、金属回路の占める面積は同一となる。実施例2〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板においても、各多層積層回路基板の全ての樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム、第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表裏の一の面に対する金属回路の占める面積は同一の値となる。
【0126】
<実施例2〜9>
実施例2〜9の多層積層回路基板は、実施例1の多層積層回路基板に対して、導通ビアの内径と積層した樹脂フィルムの熱膨張係数とが以下の表1に示すように異なることを除き、実施例1と同様の方法により作製した。たとえば、表1中の実施例3は、樹脂フィルムが実施例1と同じものを同じ積層順序で使用し、各導通部に対し内径が300μmの導通ビアを形成したことを示す。実施例4は、多層積層回路基板の第2の樹脂フィルムと第1の樹脂フィルムとに熱膨張係数3ppm/℃のゼロマックスを用い、第3の樹脂フィルムに182ppm/℃のレイテックFR−5700を用いたことを示す。なお、表1において、熱膨張係数が同一の数値のものは、同一の樹脂フィルムを用いたことを示す。
【0127】
<実施例10〜15>
実施例10〜15の多層積層回路基板は、実施例1の多層積層回路基板に対して、回路層の厚みが以下の表2に示すように異なり、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が表1に示すように異なることを除き、その他は実施例1と同様の方法により作製した。たとえば、表1および表2中の実施例10は、樹脂フィルムが実施例1と同じものを同じ積層順序で使用し、回路層の厚みが3μmであり、樹脂フィルムの面に対する金属回路の占める面積が下記の表1のように異なる。
【0128】
表2は、樹脂フィルム100の厚みAと、回路層の厚みBと、樹脂フィルムの厚みに対する回路層の厚みB/Aとを示したものであり、0.015≦B/A≦8.75を満たすことにより本発明の効果を得ることができる。
【0129】
なお、表2に示されるように、実施例1の多層積層回路基板に含まれる4層の回路層の厚みは、全て同一の厚みのものを形成した。これと同様に、実施例2〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板においても、各多層積層回路基板における4層の回路層の厚みは、全て同一の厚みを形成した。
【0130】
また、第1の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBの値としては、第1の樹脂フィルムの表裏の両面の回路層がいずれも同一の厚みであるので、いずれの回路層の厚みを採用してもよいが、第2の樹脂フィルム側の回路層の厚みをBの値として用いた。同様に、第3の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBの値には、第3の樹脂フィルムの両面の回路層のうち、第1の樹脂フィルム側の回路層の厚みをBとして用いることとし、第2の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBも上記と同様の方法により定めた。
【0131】
<比較例1〜9>
一方、比較例1〜9の多層積層回路基板は、全ての樹脂フィルムに同一の熱膨張係数を有する樹脂フィルムを用いることを除き、その他は実施例1〜3と同様の方法により作製した(表1参照)。たとえば、表1中の比較例1〜3では、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムに熱膨張係数182ppm/℃のレイテックFR−5700を用い、比較例4〜6では熱膨張係数3ppm/℃のゼロマックスを用い、比較例7〜9では熱膨張係数16.4ppm/℃のカプトンEN150を用いた。
【0132】
<比較例10および11>
比較例10および11の多層積層回路基板は、実施例2の多層積層回路基板に対して、回路層の厚みBが異なることを除き、その他は実施例2と同様の方法により作製した(表2参照)。たとえば、表2中の比較例10では、多層積層回路基板に含まれる4層の回路層の全ての厚みを0.3μmとした。
【0133】
<比較例12および13>
比較例12および13の多層積層回路基板は、実施例2の多層積層回路基板に対して、一の面の樹脂フィルムの面積Cに対する金属回路の占める面積Dが異なることを除き、その他は実施例2と同様の方法により作製した(表1参照)。たとえば、表1中の比較例12は、多層積層回路基板に含まれる一の樹脂フィルムの面に対する金属回路の占める面積D/Cを0.01とした。
【0134】
<導通検査>
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板に対し、LCRメータ(品番:NDH−2000(カスタム株式会社製))を用いて、多層積層回路基板の端子両端での導通検査を行なった。その結果、実施例1〜15および比較例1〜13のいずれの多層積層回路基板においても導通の異常は観察されなかった。
【0135】
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板の金属回路は、およそ200個の導通部が設けられているが、そのうちの1箇所でも断線が生じていれば、導通の異常が計測されることから、多層積層回路基板を作製した段階では、金属回路は断線していないことが明らかとなった。
【0136】
<温度変化サイクル試験>
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板に対し、サイクル試験機(型式:TSA−41L−A(ESPEC株式会社製))を用いて、2つの異なる設定温度を一定時間間隔で交互に繰り返して保持する温度変化サイクル試験を行なった。具体的には、−40℃で30分間保持した後、120℃で30分間保持することを1サイクルとし、500サイクルごとに導通検査を行なった。回路内に含まれている複数の導通部のうち、1箇所でも導通不良が起きた時点でサイクル試験を終了することとし、3000サイクルまで行なった。
【0137】
実施例1〜15の多層積層回路基板は、3000サイクル終了時においても導通不良は認められなかった。これに対し、比較例1、4および7は、2000サイクル終了時に、比較例2、5および8は1500サイクル終了時に、比較例3、6および9は1000サイクル終了時に、比較例10〜13は2500サイクル終了時に導通不良が確認された。
【0138】
上記の結果から、実施例1〜15の多層積層回路基板は、比較例1〜13の多層積層回路基板に比べて、熱が加わったときの金属回路の断線が格段に生じにくいことが明らかとなった。これは、実施例1〜15の多層積層回路基板において熱膨張係数の異なった樹脂フィルムを用い、かつ樹脂フィルムの厚みに対する回路層の厚みB/Aが、0.015≦B/A≦8.75を満たし、さらにこの樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占有面積の値D/Cが、0.02≦D/C≦0.8を満たしていることによるものであることが明らかである。
【0139】
【表1】
【0140】
【表2】
【0141】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【0142】
今回開示された実施の形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【0143】
本発明によれば、金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0144】
【図1】本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的な断面図である。
【図2】本発明の多層積層回路基板の使用態様の一例を示す模式的な断面図である。
【図3】導通ビアを形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図4】下地層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図5】レジストを現像した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図6】めっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図7】ソフトエッチングをした後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図8】金属回路を形成した樹脂フィルムの表裏の両面に、さらに樹脂フィルムを積層させた状態を示す模式的な断面図である。
【図9】下地層にめっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図10】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、導通ビアを形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図11】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、下地層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図12】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、めっき層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【0145】
1 多層積層回路基板、50 金属回路、70 接着性樹脂、100 樹脂フィルム、120 導通ビア、130 下地層、140 めっき層、170 レジスト、200 回路層、301 リジッド基板、302 Si基板、401 接着金属、402 密着金属。
【技術分野】
【0001】
本発明は、多層積層回路基板に関し、特に金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
我々の身の回りにある製品、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、ロボット等はいずれも場所をとらない小型製品に人気が集中しており、さらに小型化した製品の登場が期待されている。このような製品のニーズに対応するため、製品の外形を小型化するというアプローチと、製品の内部を小型化するというアプローチとの両面から製品の小型化の技術開発が進められてきた。ところが、製品の外形を小型化するというアプローチによる製品の小型化はもはや限界に近いと言われ、製品の内部の小型化に期待が寄せられるようになってきた。
【0003】
このような状況下で、製品の内部を小型化するアプローチとして、製品に用いられる回路基板を軽薄短小な回路構造にするという方法が近年特に注目を集めている。従来の回路基板は、1枚の基板を用い、その基板の一方の面もしくは両面に金属回路を形成するものであった。そして、この金属回路を微細化することにより回路基板の小型化を実現していた。ところが、1枚の基板を用いたときよりもはるかに小型化できる方法として、回路基板を複数枚重ね合わせた多層積層回路基板が開発された。このように回路基板を複数枚重ね合わせて立体的な金属回路の構造にすることにより、1枚の基板を用いた平面的な金属回路の構造よりも複雑な回路の設計が可能となる。
【0004】
このような多層積層回路基板は、ビルドアップ法と呼ばれる方法で作製されるのが一般的である。この方法による多層積層回路基板の作製の手順は、まず、1枚の絶縁性の樹脂フィルムを準備する。そして、この樹脂フィルムの表裏に導電層を形成する。次に、この樹脂フィルムの表裏に形成された導電層のうち、不要な部分をエッチングすることにより除去し、これにより除去されずに残された導電層が金属回路となる。そして、この金属回路上に接着剤を塗布して、当該接着剤を介してさらに導電層が形成された樹脂フィルムを貼り合わせる。次に、この貼り合わせた樹脂フィルムの導通部に導通ビアと呼ばれる孔を形成する。そして、当該導通ビアの内部にめっきまたはペースト等を充填し、2枚の樹脂フィルム間の導通を保障する。そして、貼り合わせた樹脂フィルムの導電層のうち、上記同様に不要な部分をエッチングすることにより除去して金属回路を形成する。これらの工程により2枚の樹脂フィルムを積層した回路基板を得ることができる。以後、さらに上述と同様の工程を繰り返すことにより、3枚以上の樹脂フィルムが積層した多層積層回路基板を作製することができる。
【0005】
しかしながら、このビルドアップ法により形成した多層積層回路基板は、それ自体に熱が加わると、金属回路に断線が生じるという問題があった。
【0006】
このような課題を解決すべく、導通ビア内に充填する金属の材料を低融点のはんだに代えることにより、金属回路の断線を防止しようとする試みがなされている(たとえば、特許文献1および2)。この方法によれば、樹脂フィルム間の接合強度を高めることができることから、常温での金属回路の断線は生じにくくなる。しかしながら、この多層積層回路基板は、熱が加わると導通ビア内に充填した金属が再融解してしまい、金属回路が断線しやすいという問題があった。
【0007】
そこで、導通ビアの代わりにバンプを用いて樹脂フィルム間を接合する試みもなされている(たとえば、特許文献3)。しかしながら、当該バンプは径を小さくすることが困難であるから、多層積層回路基板の小型化に対応できず、所期の目的に反するものとなってしまう。
【0008】
また別の試みとして、多層積層回路基板の導通ビアに導電性樹脂や導電性ペーストを充填することにより、金属回路の断線を防止する多層積層回路基板が示されている(たとえば、特許文献4および5)。しかしながら、長期間導通させた際の熱により金属回路に断線が生じるという懸念は残されていた。
【0009】
また、樹脂フィルム間の貼り付けに接着強度の高い接着剤を用いることにより、積層した樹脂フィルム間の位置ズレを防止する試みもなされている(たとえば、特許文献6)。しかしながら、この多層積層回路基板に熱が加わると樹脂フィルム間に位置ズレが生じやすくなり、結果として金属回路に断線が生じていた。
【0010】
以上のように、樹脂フィルム間の接着強度を高めることにより、金属回路の断線を防止しようとする試みは従来から種々なされてきたが、いずれの方法による多層積層回路基板も熱の適用時において金属回路の断線が生じやすいという共通の課題を有していた。
【0011】
そこで、上記の課題を解決する試みとして、たとえば特許文献7には、多層積層回路基板に含まれる複数枚の樹脂フィルムのうち、内層に位置する樹脂フィルムから外層に位置する樹脂フィルムに従って、次第に熱膨張係数の値が大きくなるように、それらの樹脂フィルムを積層する構造の多層積層回路基板が記載されている。このように樹脂フィルムを積層することにより、外部から熱が加わったときに、樹脂フィルム間の熱膨張差をより少なくすることができる。この方法によれば、多層積層回路基板において、樹脂フィルムの熱膨張差に起因する金属回路の断線をある程度抑制することが可能であった。
【特許文献1】特開2005−243911号公報
【特許文献2】特開2007−266481号公報
【特許文献3】特開2008−60582号公報
【特許文献4】特開2007−335631号公報
【特許文献5】特開2005−223010号公報
【特許文献6】特開2008−91439号公報
【特許文献7】特開2005−191244号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
しかしながら、上述のように熱膨張係数の異なる樹脂フィルムを複数積層したとしても、それだけで上述の問題を完全に解決できるというものではなく、依然として多層積層回路基板に熱が加わると、金属回路の断線が生じていた。本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、金属回路の断線がさらに生じにくい多層積層回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8であることを特徴とする。
【0014】
また、上記の樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5であることが好ましい。
【0015】
また、上記の樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下であることが好ましい。
【0016】
また、上記の回路層は、1つ以上の導通接続部と接し、当該導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部の断面の面積は、0.2mm2以下であることが好ましい。
【0017】
また、上記の樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。
また、本発明は、多層積層回路基板を用いる部品または製品である。
【0018】
また、上記の製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかであることが好ましい。
【発明の効果】
【0019】
本発明の多層積層回路基板は、上記の各構成を有することにより、金属回路の断線が生じにくいという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
<多層積層回路基板>
以下、本発明の多層積層回路基板について図1を参照しつつ説明する。図1は、本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的断面図である。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【0021】
本発明の多層積層回路基板1は、図1に示されるように、樹脂フィルム100と回路層200とを交互に積層させた積層構造を含む。なお、図1は樹脂フィルム100を3層積層させた構造を示しているが、本発明における積層構造の最小積層数は、樹脂フィルム100を2層積層させたものである。この場合、回路層200の積層数は2層または3層とすることができる。一方、本発明における積層構造の最多積層数は、特に限定されず、用途に応じて積層させることができるが、通常、樹脂フィルム100を2〜30層程度積層させたものが一般的である。以下に本発明の多層積層回路基板に含まれる各構成を説明する。
【0022】
<樹脂フィルム>
本発明の多層積層回路基板は、2層以上の樹脂フィルムが含まれる。この樹脂フィルムは絶縁性の材料からなり、この種の用途に用いられる従来公知の樹脂フィルムをいずれも用いることができる。たとえばこのような樹脂フィルムとして、ポリイミド(PI)系、アクリル系、液晶ポリマ(LCP)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂フィルムを用いることができる。
【0023】
また、樹脂フィルム100の厚みは、4μm以上200μm以下であることが好ましく、4μm以上50μm以下であることがより好ましい。樹脂フィルムの厚みが4μmよりも薄くなると作業性が悪くなる虞があり、200μmよりも厚くなると、多層積層回路基板の厚みが厚くなり所期の目的に反することとなる。
【0024】
<回路層>
本発明の樹脂フィルム100の表裏の一方の面もしくは両面に形成される回路層200には金属回路50が含まれる。また、回路層200の金属回路50以外の部分は、絶縁性の接着性樹脂70が充填されていてもよく、この接着性樹脂を充填する場合、該接着性樹脂70を介して樹脂フィルム100を相互に貼り付けることができる。このように本発明の回路層200は、金属回路50のみにより構成されていてもよいし、金属回路50と接着性樹脂70とにより構成されていてもよい。
【0025】
また、回路層200の厚みは、2μm以上200μm以下であることが好ましく、3μm以上35μm以下であることがより好ましく、3μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。この回路層200の厚みが3μmよりも薄くなると作業性が悪くなるため好ましくなく、35μmよりも厚くなると、その回路層の両面に貼り付けられる樹脂フィルム間の密着性が悪くなるため好ましくない。
【0026】
<金属回路>
金属回路50は、めっき層140を含み、さらにこのめっき層140と樹脂フィルム100との間に下地層130を含むこともできる。なお、本発明においては導通ビア120内に形成される下地層130およびめっき層140も便宜的に金属回路50と呼ぶ場合がある。
【0027】
ここで、下地層130はめっき層140と樹脂フィルム100との密着性を向上させる作用をなすものであり、1層で形成してもよいし、2層以上で形成してもよい。下地層130が2層以上で形成される場合は、酸化防止層と下地金属層とを含むことが好ましい。このような下地層は、どのような方法で形成してもよいが、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。特に正確に膜厚を制御するという観点からスパッタにより形成することが好ましい。
【0028】
この酸化防止層は、Ni、Cr、Ti、CoおよびSiからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましく、その層厚は、2〜20nmとすることが好ましい。
【0029】
また、下地金属層は、酸化防止層上に形成されることが好ましく、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、BiおよびZnからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましい。また、下地金属層の層厚は、50〜500nm程度とすることが好ましい。
【0030】
また、上記めっき層140は、電気めっきにより形成される層であり、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、BiおよびZnからなる群より選択された少なくとも1種の金属または該金属を少なくとも1種含む合金により構成することが好ましく、CuまたはCuを含む合金により構成することがより好ましい。めっき層140の厚みは、2.5μm以上300μm以下であることが好ましく、3μm以上35μm以下であることが好ましく、0.5μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。なお、前述の下地金属層を形成する場合、下地金属層とめっき層140とは同一の材料を用いることが好ましい。
【0031】
<接着性樹脂>
接着性樹脂70は、多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム100間を相互に貼り付けることができるものであれば、どのようなものを用いてもよく、たとえば、エポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、ポリイミド系の樹脂等を用いることができる。
【0032】
<導通部>
本発明の多層積層回路基板1を構成する各樹脂フィルム100は、1つ以上の導通部を有し、この導通部には1つ以上の導通ビア120が設けられる。ここで、導通部とは、金属回路50の構成上、当該樹脂フィルム100の表裏の両面の金属回路50の導通が所望される部位に形成されるものであって、樹脂フィルム100の表裏を貫通する導通ビアが1つ以上形成されることにより表裏の導通を保障するものである。
【0033】
そして、当該導通部が2つ以上の導通ビアを含む場合、かかる導通部は、所望の部位に近接連関して形成された複数の導通ビアの全てを含み、その断面積が最小となる円柱状領域を占めることとなる。なお、当該断面積は樹脂フィルム上において直径5μm以上3000μm以下の領域を占めることが好ましい。導通部の直径が5μm未満では、樹脂フィルムの表裏に形成される金属回路の導通を十分に保障できない場合があり、また、3000μmを超えると、金属回路の占める面積そのものが過大となり所期の目的に反することとなる。
【0034】
<導通ビア>
本発明の導通部に含まれる導通ビア120は、樹脂フィルム100の表裏を貫通するように設けられる孔であり、この導通ビア内に金属回路を形成することにより樹脂フィルム100の表裏に形成される金属回路を導通することができる。ここで、導通ビア内に金属回路を形成するとは、導通ビアの内壁面に金属回路を形成することをいい、このように形成される金属回路は、導通ビア内の全体を充填するように形成されていてもよいし、スルホール状に導通ビア内に空洞が残るように形成されていてもよい。
【0035】
また、この導通ビアは、樹脂フィルムの表裏の金属回路の導通を保障するという観点からその内径を大きくすることが好ましいが、その内径を大きくするほど前述のように熱が加わったときに導通ビア内の金属回路にかかる圧縮または引張のストレスが集中するため、金属回路の断線が生じやすくなる。
【0036】
したがって、導通ビアの内径は、5μm以上300μm以下であることが好ましく、10μm以上50μm以下であることがより好ましく、15μm以上20μm以下であることがさらに好ましい。導通ビアの内径が300μmよりも大きいと、上述の理由により導通ビア内の金属回路が断線されやすくなるため好ましくない。また、導通ビアの内径が5μmより小さいと導通ビアの加工が困難となるばかりか、めっき層を形成させるべく電気めっきをする際にめっき液が導通ビア内に浸入しにくくなることからも好ましくない。
【0037】
また、導通ビア120を形成する個数は、導通部1箇所に対し1〜7個程度を形成することが好ましく、3〜5個程度を形成することがより好ましい。また、導通ビアを8個以上形成すると、導通部の面積が広くなりすぎるという点で好ましくなく、導通ビアの加工時間が長くなりコストが高くなってしまうという点からも好ましくない。
【0038】
導通ビアの内径と導通部に含まれる導通ビアの個数との関係は、たとえば導通ビアの内径が5μm以上50μm未満の場合1〜7個の導通ビアを形成することが好ましく、導通ビアの内径が50μm以上300μm以下の場合1〜3個の導通ビアを形成することが好ましい。ただし、熱のストレスによる金属回路の断線を避けるという観点からすれば、1つの導通部に対し、上述の範囲内で可能な限り多くの導通ビアを設けることが好ましいことは言うまでもない。次に本発明の多層積層回路基板の特徴を説明する。
【0039】
<多層積層回路基板の特徴>
本発明の多層積層回路基板は、特に3つの特徴を有する。すなわち、そのうちの1つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる2以上の樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なることである。そして、2つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、当該樹脂フィルムに隣接する回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75を満たすことである。さらに、3つ目の特徴は、多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、当該面上に形成される金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8を満たすことである。本発明の多層積層回路基板は、これらの3つの特徴により得られる効果の相乗効果により、樹脂フィルムの熱膨張差に起因する導通ビア内の金属回路の断線を飛躍的に生じにくくすることができる。以下にこれらの各特徴と、その特徴により得られる効果とを説明する。
【0040】
<熱膨張係数の制御>
本発明の多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なることを特徴とする。このように樹脂フィルムを積層することにより、熱の適用時に樹脂フィルム間の熱膨張差による多層積層回路基板の歪みを緩和することができ、以って導通ビア内の金属回路の断線を効果的に防止することができる。
【0041】
本発明はこのような樹脂フィルムの熱膨張係数の制御に加えて、さらに以下のような多層積層回路基板の構造上の制限を設けることにより、従来よりも一層金属回路の断線を防止することができる。
【0042】
<各層の厚みの制御>
本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた構造であり、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、当該樹脂フィルムに隣接する回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75を満たすことを特徴とする。このように、B/Aの値を特定の数値範囲内に制御することにより、樹脂フィルムと回路層に含まれる金属回路との熱膨張差に起因する金属回路の断線を防止しつつ、より軽薄短小な多層積層回路基板を作製できるという優れた効果を有する。
【0043】
なお、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、過半数の樹脂フィルムにおいて、上記の0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことが好ましく、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムにおいて、0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことがより好ましい。すなわち、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、可能な限り多くの樹脂フィルムにおいて0.015≦B/A≦8.75という関係を満たすことにより、本効果をより顕著に得ることができる。
【0044】
ここで、「樹脂フィルムに隣接する回路層」とは、樹脂フィルムの表裏の一方の面もしくは両面に接している回路層のことをいう。樹脂フィルムに隣接する回路層が1層の場合、その回路層の厚みをBとし、樹脂フィルムに隣接する回路層が2層の場合、2層の回路層のうち厚みの厚い方の回路層の厚みをBとする。なお、隣接する回路層が2層あり、当該2層の回路層の厚みが等しい場合、いずれの回路層の厚みをBとしてもよい。
【0045】
なお、B/Aの値が0.015よりも小さくなると、回路層に対し樹脂フィルムの厚みが厚いことにより多層積層回路基板の厚みも厚くなるため所期の目的に反する。また、B/Aの値が8.75よりも大きくなると、樹脂フィルムに対して回路層の厚みが厚いことにより、樹脂フィルムが回路層の特に金属回路の重みに耐えきれずに撓んでしまい、連続加工の妨げとなる虞がある。
【0046】
また、本発明の多層積層回路基板は、上記のB/Aの値の範囲のうちの上限付近の範囲および下限付近の範囲において、特に優れた効果を有する。
【0047】
すなわち、上記のB/Aの値の範囲のうち、上限付近の範囲の多層積層回路基板は、回路層の厚みに対して樹脂フィルムの厚みが比較的薄い構造となる。このような構造により、熱適用時の樹脂フィルムの熱膨張に対して金属回路が断線しにくく、しかも短時間で樹脂フィルムに導通ビアを形成できるため、生産効率が向上するというメリットがある。このような効果を得るためのB/Aの値の範囲の上限付近の範囲は、0.7≦B/A≦8.75であることが好ましく、1.0≦B/A≦8.75であることがより好ましい。
【0048】
一方、上記のB/Aの値の範囲のうちの下限付近の範囲の多層積層回路基板は、樹脂フィルムの厚みに対して回路層の厚みが極端に薄い多層積層回路基板の構造となる。このような構造により、樹脂フィルム間の密着性が高められ、樹脂フィルム間の熱膨張差を僅少なものとできることから、導通ビア内の金属回路の断線を防止することができ、しかもめっき層の形成が短時間でできるため、製造コストを抑えることができる。このような効果を得るためのB/Aの値の下限付近の範囲は、0.015≦B/A≦0.45であることが好ましく、0.015≦B/A≦0.3であることがより好ましい。
【0049】
<金属回路の占有面積>
本発明の多層積層回路基板において、樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、当該面上に形成される金属回路の占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8を満たすことを特徴とする。このD/Cの値の範囲は、0.2≦D/C≦0.7であることが好ましく、0.4≦D/C≦0.6であることがより好ましい。ここで、Cの値は、多層積層回路基板の厚み方向に対する垂直な面の外形の寸法から算出される値であり、Dの値は、金属回路の設計図面から算出される値である。
【0050】
このように、D/Cの値を特定の数値範囲内に制御することにより、樹脂フィルムと回路層に含まれる金属回路との熱膨張差に起因する金属回路の断線を防止しつつ、樹脂フィルムの一の面あたりに占める金属回路を可能な限り高密度に配置することができるという効果が得られる。
【0051】
多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことにより、本効果は得られる。さらに、いずれか1層の樹脂フィルムの両面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことが好ましい。また、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、過半数の樹脂フィルムの各々の両面において、0.02≦D/C≦0.8を満たすことがより好ましく、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムの各々の両面において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことがさらに好ましい。すなわち、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムのうち、可能な限り多くの樹脂フィルムの一の面(好ましくは両面)において、0.02≦D/C≦0.8の関係を満たすことにより、本効果をより顕著に得ることができる。
【0052】
このD/Cの値が0.02よりも小さくなると、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が小さいため、金属回路の構成に無駄が多い。D/Cの値が0.8よりも大きくなると、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が大きいため、樹脂フィルムの熱膨張に対し、樹脂フィルム上に形成された金属回路が追随できない部分が生じ、金属回路が断線してしまう虞がある。
【0053】
<上記以外の特徴>
本発明の多層積層回路基板は、上記で述べた特徴以外にも以下のような特徴A〜Eを備えることが好ましい。
【0054】
A.熱膨張係数の最大差
本発明の多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5を満たすことが好ましく、0.015≦F/E≦0.4であることがより好ましく、0.018≦F/E≦0.35であることがさらに好ましい。このようにF/Eの値を特定の数値範囲内に制御することにより、多層積層回路基板の熱による歪みの発生を抑えつつ、熱適用時にそれ自体の硬さも適度に保つことができるという優れた効果を有する。
【0055】
また、F/Eの値が0.01よりも小さくなると、熱が加わったときの樹脂フィルム間の膨張差が大きくなるため多層積層回路基板が歪み、導通ビア内の金属回路に断線が生じる。また、F/Eの値が0.5よりも大きくなると、樹脂フィルム間の熱膨張の差が小さいため、本発明の効果を十分に得ることができない。
【0056】
なお、本発明の多層積層回路基板に一軸延伸により製造された樹脂フィルムを用いる場合、たとえ同一の樹脂フィルムであっても、延伸方向の熱膨張係数と、延伸方向に対する垂直方向(幅方向)の熱膨張係数と、厚み方向の熱膨張係数との3つの方向の熱膨張係数がそれぞれ異なる場合がある。
【0057】
導通ビア内の金属回路の断線は、これら3つ方向の熱膨張係数の組み合わせにより生じるものと考えられることから、これらの熱膨張係数のバランスをとることが肝要である。このバランスをとるためには、それぞれの方向に対して、後述のような範囲の熱膨張係数を有する樹脂フィルムを用いることが好ましい。なお、特に断わりがない限り、「樹脂フィルムの熱膨張係数」とは、樹脂フィルムの延伸方向の熱膨張係数のことをいうものとする。
【0058】
B.延伸方向の熱膨張係数
本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下が好ましく、2ppm/℃以上200ppm/℃以下がより好ましく、3ppm/℃以上150ppm/℃以下がさらに好ましい。樹脂フィルムの熱膨張係数が1ppm/℃より小さくなると、それ自体がもろくなってしまい、300ppm/℃より大きくなると、熱が加わったときの樹脂フィルムの延伸方向の熱膨張が大きすぎるため、多層積層回路基板が歪み金属回路に断線が生じやすくなる。
【0059】
C.厚み方向の熱膨張係数
また、本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの厚み方向の熱膨張係数は、導通ビア内に充填される金属回路の材料の熱膨張係数の値により異なるが、通常5ppm/℃以上50ppm/℃以下が好ましく、10ppm/℃以上30ppm/℃以下がより好ましく、15ppm/℃以上20ppm/℃以下がさらに好ましい。
【0060】
D.幅方向の熱膨張係数
また、本発明の多層積層回路基板の樹脂フィルムの延伸方向に対する垂直方向(幅方向)の熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下が好ましく、2ppm/℃以上200ppm/℃以下がより好ましく、3ppm/℃以上150ppm/℃以下がさらに好ましい。
【0061】
E.樹脂フィルムの積層順序
また、本発明の多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムは、その積層の順に応じて熱膨張係数の値が昇順または降順となるように各樹脂フィルムを積層することが好ましい。たとえば、多層積層回路基板に積層される複数の樹脂フィルムにおいて、熱源に近くなる側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が小さく、熱源から遠ざかるに従い樹脂フィルムの熱膨張係数が大きくなるように樹脂フィルムを積層することができる。このように多層積層回路基板に含まれる樹脂フィルムの熱膨張係数を積層順に異ならしめることにより、これらの樹脂フィルム間において熱源からの距離に応じて生じる膨張差を効果的に緩和することができ、以って導通ビア内の金属回路の断線を生じにくくすることができる。
【0062】
また、多層積層回路基板の歪みやすい部分は、その多層積層回路基板の歪みを緩和するために熱膨張係数が大きい樹脂フィルムを用いることが好ましく、樹脂フィルムの厚みは厚くすることが好ましい。
【0063】
<樹脂フィルムの形状>
樹脂フィルム100は、長尺状のものを加工して用いることが好ましい。そのような長尺状の樹脂フィルムとしては、たとえば、1〜10000m程度の長さを有するものが好ましく、100〜3000m程度のものがより好ましい。このように長尺状のものを用いることにより、多層積層回路基板を連続加工することができ生産効率を向上させることができる。長尺状の樹脂フィルムの長さが1m未満では、ロール状に巻いた形状のものとして用いることが困難であり生産効率が低下してしまい、10000mを超えると、後述の下地層の形成において連続加工を妨げられる虞がある。
【0064】
なお、樹脂フィルムが「長尺状のもの」とは上記のような長さを有し、ロール状に巻いた形状のものとして用いるのに適したものをいうが、上記のような長さに満たないものであっても、複数の枚葉の樹脂フィルムを貼り合わせることにより、長尺状のものとして取り扱えるようにしたものも含むものとする。
【0065】
また、樹脂フィルム100の厚みは、3μm以上200μm以下であることが好ましい。樹脂フィルム100の厚みが3μmよりも薄いと作業性が悪くなるため好ましくなく、200μmよりも厚くなると、導通ビア120が加工しにくくなるため好ましくない。
【0066】
<多層積層回路基板の使用態様>
本発明の多層積層回路基板1は、たとえば図2に示されるように、多層積層回路基板の最下面の金属回路50とリジッド基板301とが、接着金属401により貼り付けられ、多層積層回路基板の最上面の金属回路50とSi基板302とが、密着金属402により貼り付けられる構成として用いることができる。以下、この使用態様における各構成について説明する。
【0067】
<接着金属>
上記の使用態様で用いられる接着金属は、はんだ、ボンディング、スタットピンおよびバンプのいずれかによって形成されるものであり、これによりリジッド基板と多層積層回路基板との導通を図ることができる。
【0068】
<密着金属>
上記の使用態様で用いられる密着金属は、はんだにより形成されるものであり、これによりSi基板と多層積層回路基板との導通を図ることができる。
【0069】
<Si基板>
上記の使用態様で用いられるSi基板は、Siを主体とする材料からなるものであって、1ppm/℃以上10ppm以下の熱膨張係数を有する材料からなる基板である。なお、Si基板302の代わりにリジッド基板または銅基板を用いる使用態様とすることもできる。
【0070】
<リジッド基板>
上記の使用態様で用いられるリジッド基板は、Si基板の熱膨張係数よりも熱膨張係数の高い材料の基板をいう。なお、リジッド基板301の代わりに銅基板を用いる使用態様とすることもできる。次に、上記の使用態様における各構成の熱膨張係数の関係を説明する。
【0071】
<熱膨張係数の選択等>
たとえば、図2に示されるような使用態様の場合、最上層のSi基板302は熱膨張係数が小さく、最下層のリジッド基板301は熱膨張係数が大きいので、これらの間に積層される樹脂フィルムの熱膨張係数は、Si基板302側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が小さく、リジッド基板301側の樹脂フィルムほど熱膨張係数が大きくなるように、樹脂フィルムを選択することが好ましい。
【0072】
より具体的には、Si基板302の近傍に配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、2ppm/℃以上10ppm/℃以下が好ましく、3ppm/℃以上5ppm/℃以下がより好ましい。熱膨張係数が2ppm/℃よりも小さいと、多層積層回路基板がもろくなり扱いにくくなるため好ましくなく、熱膨張係数が10ppm/℃よりも大きくなると、Si基板302の熱膨張係数と樹脂フィルムの熱膨張係数との差が大きくなり、多層積層回路基板に歪みが生じ、導通ビア内の金属回路に断線が生じやすくなるため好ましくない。
【0073】
また、リジッド基板301の近傍に配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、リジッド基板301の熱膨張係数に近接した数値とすることが好ましい。また、リジッド基板が屈曲している場合には、この屈曲に対応できる樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、上記のSi基板またはリジッド基板のいずれか一方もしくは両方に、銅基板を用いる場合、銅基板に近接して配置される樹脂フィルムの熱膨張係数は、銅基板の熱膨張係数(16.8ppm/℃)に近接した数値とすることが好ましく、その熱膨張係数の値は10ppm/℃以上20ppm/℃以下であることが好ましく、15ppm/℃以上18ppm/℃以下であることがより好ましい。
【0074】
<導通接続部>
本発明の多層積層回路基板に含まれる各回路層は、それぞれ1つ以上の導通接続部と接している。当該導通接続部は、多層積層回路基板の厚み方向の導通を確保するために設けられるものである。ここで、この導通接続部とは、樹脂フィルムに形成されるものにあっては導通ビアのことをいい、上述の使用態様で用いられる多層積層回路基板にあっては導通ビアに加えて、さらに上述の接着金属および密着金属も含むものとする。
【0075】
このような導通接続部は、熱が加わったときに多層積層回路基板の厚みに対して垂直な方向にせん断応力がかかることによる切断を防止するという観点からは、その断面積は大きい方が好ましいが、多層積層回路基板を小型化するという観点からは、その断面積は小さい方が好ましい。本発明では、上記のような構成にすることにより、これらの相反する要求を満足させることができ、全ての導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部において、その断面積が0.2mm2以下のものを含めるようになり、産業上の利用性を飛躍的に向上させることに成功したものである。
【0076】
<部品または製品>
本発明の多層積層回路基板は、一般的な部品または製品に用いられる。この製品には、たとえば電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボット等を挙げることができる。
【0077】
<多層積層回路基板の製造方法>
本発明の多層積層回路基板の製造は、まず樹脂フィルム100の各導通部に表裏を貫通する導通ビア120を形成した後、樹脂フィルム100の表面全体(導通ビアの内壁面を含む)に亘って下地層130を形成し、その上に電気めっきによりめっき層140を形成する。その後、下地層130とめっき層140との一部を除去して金属回路50を形成し、接着性樹脂70により別の樹脂フィルム100を貼り付ける。続いて、この新たに貼り付けられた樹脂フィルム100の導通部の位置に導通ビアを形成し、その後上記と同様にして金属回路を形成する。以上の操作を長尺状の樹脂フィルムを用いて連続的に繰り返し行なうことにより本発明の多層積層回路基板は製造される。
【0078】
上述のように金属回路50を電気めっきで形成されるめっき層により構成すれば、導通ビア内の金属回路に断線が生じにくく、しかも樹脂フィルムを多層化してもコストの向上を抑制できるため好ましい。
【0079】
なお、本発明の多層積層回路基板1の金属回路50は、たとえばエッチング法とセミアディティブ法のいずれの方法により形成してもよい。エッチング法は、樹脂フィルムの表面(導通ビアの内壁面を含む)の全面に電気めっきによりめっき層を形成し、その後不要な部分となるめっき層と下地層とをエッチングにより除去することにより金属回路を形成する方法である。
【0080】
一方、セミアディティブ法は、樹脂フィルムの表面(導通ビアの内壁面を含む)上の回路とならない部分に対してレジストによりマスキングした後、電気めっきにより必要な厚みのめっき層を形成し、その後レジストを剥離して金属回路を形成する方法である。
【0081】
以下においては、金属回路の形成方法としてセミアディティブ法を例にとり多層積層回路基板の製造方法を説明する。当該製造方法は、導通ビア形成工程、下地層形成工程、レジスト形成工程、露光工程、現像工程、活性化工程、めっき層形成工程、レジスト剥離工程、ソフトエッチング工程および樹脂フィルム積層工程をこの順に繰り返すことにより多層積層回路基板を製造する方法である。これらの工程を以下に説明する。
【0082】
<導通ビア形成工程>
まず、樹脂フィルム100に対して、導通部を形成するように導通ビア120を形成する(図3)。ここで、導通ビアの深さと樹脂フィルムの厚みとが等しくなるように導通ビアの形成を調節できる装置であればどのような装置でもよいが、小径かつ低コストで導通ビアを形成できるという観点から、UV−YAGレーザを用いることが好ましい。
【0083】
<下地層形成工程>
次に、イオンガンにより樹脂フィルム100の表面(導通ビア120の内壁面を含む)を前処理した後、樹脂フィルム100の表面(導通ビア120の内壁面を含む)に酸化防止層を形成し、酸化防止層上にさらに下地金属層を形成することにより下地層130を形成することができる(図4)。下地層130に含まれる酸化防止層と下地金属層とは、たとえば無電解めっき、蒸着、スパッタ等により形成することができる。なお、酸化防止層または下地金属層のいずれか一方もしくは両方は形成されない場合もある。
【0084】
<レジスト形成工程>
上記工程によって、樹脂フィルム100上に形成した下地層130の表面を酸で洗浄し、下地層130に含まれる下地金属層の表面を活性化させた後レジストを形成する(図示せず)。このレジストは、レジストをフィルム化したドライフィルムを貼り合わせる方法により形成してもよいし、レジストインクを塗布する方法により形成してもよい。
【0085】
ドライフィルムを貼り合わせる方法は、少量生産に適していることから多品種の製品に対応することができ、しかも貼り合わせ作業の工程も煩雑でないという点で優れているが、製造コストが高くなるという問題を有する。
【0086】
一方、レジストインクを塗布する方法は、大量生産に適していることから製造コストを低減することができる点で優れているが、塗布の工程が煩雑になるという問題を有する。以下においては、ドライフィルムを貼り合わせる方法によるレジストの形成を説明する。
【0087】
まず、図4に示される下地層130の形成された樹脂フィルム100をラミネート巻取装置の送出シャフトにセットし、樹脂フィルム100の先端を巻取シャフトにセットした上で、樹脂フィルム100の下地層130上にドライフィルムを貼り付けながら巻取シャフトを回転させて巻き取りを行なう。このようにして樹脂フィルム100にドライフィルムが貼り付けられ、樹脂フィルムの下地層上にレジストが形成される(図示せず)。
【0088】
上述のラミネート時の温度は、30〜150℃であることが好ましく、60〜110℃であることがより好ましい。また、ラミネート時の圧力は、0.3〜5kg/cm2であることが好ましく、2〜3kg/cm2であることがより好ましい。また、ラミネートした樹脂フィルムの巻取時のラインスピードは、0.1〜10m/分であることが好ましく、0.5〜3m/分であることがより好ましい。
【0089】
<露光工程>
次に、上記でレジストを形成した樹脂フィルム上に、所望の金属回路のパターンに対応したマスクを重ね合わせた後、UV露光しマスクで覆われていない部分を感光させる。ここでマスクで覆われていた部分は、次の現像工程で除去され、後述するめっき層形成工程においてめっき層が形成されて金属回路が形成される。
【0090】
この露光に用いられる露光装置は、平行光露光装置を用いてもよいし、ダイレクト露光装置を用いてもよい。しかし、微細回路を形成するという観点からは平行光露光装置を用いることが好ましく、樹脂フィルムの収縮に対応して露光する位置を調整することができるという観点からはダイレクト露光装置を用いることが好ましい。
【0091】
<現像工程>
次に、上述の露光工程のマスクで覆われた部分のレジスト170を弱アルカリ溶液により現像する。これにより図5に示すようなレジスト170を形成した樹脂フィルム100を得ることができる。現像に用いられる弱アルカリ溶液は、炭酸ソーダまたはアミン系の材料を用いることが好ましい。また、弱アルカリ溶液のpHは7以上13以下であることが好ましく、8.5以上10.0以下であることがより好ましい。弱アルカリ溶液のpHが7より小さいとレジストが除去されないため好ましくなく、pHが13より高いと、上記露光工程においてマスクで覆われていない部分のレジスト170も全て剥離されてしまうため好ましくない。
【0092】
また、弱アルカリ溶液の温度は10〜70℃であることが好ましく、20〜35℃であることがより好ましい。弱アルカリ溶液の温度が10℃より低いとレジスト170が除去されないため好ましくなく、弱アルカリ溶液の温度が70℃より高いと、UV露光した部分のレジスト170も剥離するため好ましくない。なお、現像の処理時間はレジストの種類により異なるため一律に規定することはできないが、通常20秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0093】
<活性化工程>
次に、現像した後の樹脂フィルム100上の下地層130(下地金属層)の表面を酸系の溶液で活性化する。これにより、めっき層と下地層(下地金属層)との密着不良を防止することができる。この活性化に用いられる酸系の溶液は、酸性を示すものであればどのようなものでもよいが、低コストで活性化できるという観点から、HCl、H2SO4、過硫酸アンモニウム等を用いることが好ましい。また、酸系の溶液に含まれる酸の濃度は、0.5〜20質量%であることが好ましく、3〜10質量%であることがより好ましい。酸系の溶液の濃度が0.5質量%よりも低いと下地層(下地金属層)の表面が活性化されにくいため好ましくなく、酸系の溶液の濃度が20質量%よりも高いと下地層(下地金属層)の表面に異常が発生する虞があるため好ましくない。
【0094】
また、活性化するときの酸系の溶液の温度は10〜70℃であることが好ましく、30〜50℃であることがより好ましい。酸系の溶液の温度を10℃より低くすると下地層の活性化に時間がかかりすぎるため好ましくなく、酸系の溶液の温度を70℃よりも高くすると環境面での問題が生じることから好ましくない。また、処理時間は下地層(下地金属層)の表面状態により異なるため一律に規定することはできないが、通常3秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0095】
<めっき層形成工程>
次に、上記で活性化した下地層130上に電気めっきすることにより、図6に示すようなめっき層140を形成する。この電気めっきに用いられるめっき液は、めっき層を形成する金属を含む酸性の溶液であればどのようなものでもよいが、めっき液自体が安定であり、かつ低コストでめっきできるという観点から、硫酸銅、ピロリン酸銅等を用いることが好ましい。なお、めっき液に硫酸銅を用いる場合、硫酸銅の濃度は30〜300g/lであることが好ましく、70〜150g/lであることがより好ましい。また、このめっき液の塩素イオン濃度は10〜100ppmであることが好ましく、40〜70ppmであることがより好ましい。
【0096】
また、めっき液に用いられる酸性の溶液としては硫酸を用いることが好ましく、硫酸を用いる場合、硫酸の濃度は50〜300g/lであることが好ましく、80〜200g/lであることがより好ましい。
【0097】
また、電気めっきするときの電流密度は、0.1〜10A/dm2であることが好ましく、0.5〜4A/dm2であることがより好ましい。また、電気めっきするときのめっき液の温度は20〜60℃が好ましく、30〜40℃がより好ましい。なお、めっき時間についてはめっき層の層厚により異なるため、一律に規定することはできないが、通常600秒以上6000秒以下程度とすることが好ましい。
【0098】
<レジスト剥離工程>
次に、上述のめっき層形成工程により金属回路を形成した後にアルカリ液を用いてレジスト剥離を行なう。レジスト剥離に用いられるアルカリ液は、アルカリ性を示す溶液であればどのようなものでもよいが、アルカリ液自体の安定性やアルカリ液のコストの観点から、水酸化ナトリウムやアルコール系のものを用いることが好ましい。
【0099】
また、アルカリ液に水酸化ナトリウムを用いる場合、水酸化ナトリウムの濃度は0.1〜50質量%であることが好ましく、1〜10質量%であることがより好ましい。また、レジスト剥離に用いられるアルカリ液の温度は30〜90℃であることが好ましく、50〜70℃であることがより好ましい。なお、レジスト剥離の処理時間は、レジストの剥離状態により異なるため、一律に規定することはできないが、通常20秒以上120秒以下程度とすることが好ましい。
【0100】
<ソフトエッチング工程>
次に、下地層130をソフトエッチングして剥離除去することにより、図7に示すような金属回路50が形成された樹脂フィルムが得られる。下地層に含まれる下地金属層の剥離に用いられる薬品は、どのようなものを用いてもよいが、低コストであるという観点から過硫酸アンモニウムを用いることが好ましい。この過硫酸アンモニウムを用いる場合、過硫酸アンモニウムの濃度は1〜20%であることが好ましく、5〜10%であることがより好ましい。
【0101】
また、下地金属層をソフトエッチングするときの処理温度は、20〜60℃であることが好ましく、30〜40℃であることがより好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は、下地金属層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常30秒以上200秒以下程度とすることが好ましい。
【0102】
また、酸化防止層の剥離に用いられる薬品としては、ニッケルクロム剥離液(商品名:NC(日本化学工業株式会社製))を用いることが好ましい。また、この薬品を用いる場合この薬品の濃度は60〜100%であることが好ましく、80〜90%であることがより好ましい。この薬品の濃度が60%より低いと剥離時間がかかるため好ましくない。
【0103】
また、酸化防止層をソフトエッチングするときの処理温度は、35〜55℃であることが好ましい。なお、このソフトエッチングの剥離にかける時間は酸化防止層の厚みや薬品の濃度および温度により異なるため、一律に規定することはできないが、通常20秒以上300秒以下程度とすることが好ましい。
【0104】
<樹脂フィルム積層工程>
次に、上述のようにして得られた回路付樹脂フィルム(金属回路が形成された樹脂フィルム)の表裏いずれか一方もしくは両方の面に対して、別の樹脂フィルムを積層する方法としては、接着性樹脂70の付いた樹脂フィルムをラミネートにより回路付樹脂フィルムの片面に貼り合わせる方法、および回路付樹脂フィルムの金属回路形成面に対し接着性樹脂70を塗布してから金属回路が未だ形成されていない樹脂フィルムをラミネートにより貼り合わせる方法等があり、いずれの方法によっても図8に示すように樹脂フィルムを積層することができる。
【0105】
なお、後者の樹脂フィルムの積層方法によれば、金属回路の厚みが厚い場合に金属回路による樹脂フィルムの表面凹凸を少なくすることができることから、より接合強度を高めることができるというメリットがある。
【0106】
また、上述の回路付樹脂フィルムの表裏のいずれかの面もしくは両面に対して、別の樹脂フィルム100を積層するときの温度は、30〜300℃であることが好ましく、積層にかける圧力は0.1〜20kg/cm2であることが好ましい。また、この樹脂フィルムの積層にかける時間は、1秒以上3時間以下であることが好ましい。
【0107】
そして、その後導通ビア形成工程を行なうというように、上記で説明した各工程を繰り返すことにより、図1に示されるような本発明の多層積層回路基板を製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【0108】
<実施例1>
実施例1では、金属回路の形成方法としてエッチング法を採用し、以下の各工程により多層積層回路基板を作製した。
【0109】
<導通ビア形成工程>
多層積層回路基板に用いられる樹脂フィルム100として、ロール状に巻かれた長尺状のポリイミドフィルム(長さ50m、厚み38μm、熱膨張係数16.4ppm/℃、商品名:カプトンEN150(東レ・デュポン株式会社製))を用いた。この樹脂フィルム(以下において「第1の樹脂フィルム」とする)は250mm幅でスリット加工されたものを用いた。この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をUV−YAGレーザ装置にセットし、UV−YAGレーザ装置のプログラムを設定して1つの導通部に対し、15μmの内径の導通ビア120を1つ形成した(図3)。
【0110】
<洗浄工程>
上記で導通ビア120が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を洗浄装置にセットし、下地層の形成工程においてピンホールが発生することを抑制するために樹脂フィルム100の表面を洗浄した。
【0111】
<下地層形成工程>
次に、上記で表面を洗浄した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をスパッタ装置に設置し、真空ポンプにより1×10-3Paの圧力に設定した上で、イオンガンにN2ガスを注入して、それを照射することにより樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表面を前処理した。その後、スパッタリング法によりAr雰囲気下でNiとCrとの合金(NiとCrとの重量比がNi:Cr=80:20)からなる酸化防止層を樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)上に形成し、その上にCuからなる下地金属層を形成することにより下地層130を形成した(図4)。
【0112】
そして、スパッタ装置の真空状態を解除して、下地層130が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を取り出し、樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対して集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)を照射することにより、断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚み10nmであり、下地金属層は厚み350nmであることを確認した。さらに導通ビア120内にもこれらの下地層130が形成されていることを確認した。
【0113】
<めっき層形成工程>
次に、下地層が形成された樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)を銅めっき装置にセットし、硫酸により下地層を活性化させた後に水洗した。その後、めっき液(硫酸200g/l、硫酸銅90g/l、塩素イオン濃度50ppmからなるもの)を充填しためっき浴に当該樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)を浸漬することにより、下地層130上に銅めっきを行ない、再度水洗して乾燥させ、樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の下地層130上にめっき層140を形成した(図9)。その後、このようにして得られた樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)の一部をサンプリングし、そのサンプルに対してFIBを照射することにより、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面上のめっき層140と下地層130とを含む金属回路の厚みをそれぞれ3点ずつ測定した。そして、この3点の測定値を平均すると表裏いずれにおいても18.5μmであった。
【0114】
<金属回路形成工程>
次に、上記のようにしてめっき層140を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面に対して、250mm幅のスリット加工されたドライフィルム(商品名:NIT215(ニチゴー・モートン株式会社製))をラミネートし、金属回路のパターンのマスクを重ね合わせた後、それをロール式の露光装置にセットして露光を行なった。
【0115】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行なうことができるロール式のエッチング装置に上記で露光を行なった樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)をセットしてエッチング処理(めっき層140と下地層130とを除去する処理)を行ない、金属回路50を形成した(図7)。この樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)をサンプリングし、100倍の倍率の顕微鏡で金属回路50の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、図7で示される金属回路50に断線、ショート等の不良は観察されなかった。また、樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面のうち、後述の第2の樹脂フィルムを貼り合わせる側の面の面積Cに対して金属回路が占める面積Dは、金属回路の設計図面から算出した。その結果、第1の樹脂フィルムの上記面に対し、金属回路の占める面積(表1において、「金属回路占有面積」という)は0.55であった(以下の表1参照)。
【0116】
<樹脂フィルム積層工程>
次に、上記のようにして表裏の両面に金属回路を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏の両面を同時にラミネートできる真空ラミネート装置に当該樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム)をセットした。そして、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の一の面に当接するように、接着性樹脂70が塗布された樹脂フィルム100(この樹脂フィルムは、ポリイミドフィルム(厚み25μm、熱膨張係数3ppm/℃、商品名:ゼロマックス(東洋紡績株式会社製))であり、以下において「第2の樹脂フィルム」とする)をセットし、この樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)のもう一方の面に当接するように、接着性樹脂70が塗布された樹脂フィルム100(この樹脂フィルムは、ポリイミドフィルム(厚み25μm、熱膨張係数182ppm/℃、商品名:レイテックFR−5700(日立化成工業株式会社製))であり、以下において「第3の樹脂フィルム」とする)をセットした。そして、この真空ラミネート装置を作動させて表裏の両面に金属回路を形成した樹脂フィルム100(第1の樹脂フィルム)の表裏に各樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)を積層することにより、図8に示すような3層の樹脂フィルム100と2層の回路層200とからなる積層体を得た。
【0117】
この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の全面に対し、シワ、エアー噛み等の検査を行なった。その結果、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)にシワ、エアー噛み等の不良は観察されなかった。
【0118】
<導通ビア形成工程−2>
次に、上述した導通ビア形成工程と同様の方法を用いることにより、上記で得られた積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)に対し、各導通部に導通ビア120を1つずつ形成した(図10)。その後、上記で導通ビアが形成された積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面を洗浄した。
【0119】
<下地層形成工程−2>
次に、上記で得られた積層体をスパッタ装置にセットし、上述した下地層形成工程と同一の条件および方法により、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面にNi−Crからなる酸化防止層と、Cuからなる下地金属層とを含む下地層130をスパッタリング法により形成した(図11)。
【0120】
そして、上記の下地層を形成した積層体の一部をサンプリングした。そして、そのサンプルに対してFIBを照射することにより断面を観察した。その結果、酸化防止層は厚み10nmであり、下地金属層は厚み350nmであることを確認した。
【0121】
<めっき層形成工程−2>
次に、Cuめっき装置に上記で得られた下地層を形成した積層体をセットして、上述のめっき層形成工程と同一の条件により、上記で形成した下地層の全面にめっき層140を形成した(図12)。その後、この積層体の一部をサンプリングし、そのサンプルに対してFIBを照射することにより、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)上のめっき層140と下地層130とを含む金属回路の厚みを3点測定した。そして、この3点の測定値を平均するとその積層体の表裏のいずれにおいても18.5μmであった。
【0122】
<金属回路形成工程−2>
次に、上記で得られためっき層を形成した積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)に対して、ドライフィルム(商品名:NIT215(ニチゴー・モートン株式会社製))をラミネートし、次にロール式の露光装置にそれをセットして露光を行なった。
【0123】
その後、現像とエッチングとレジスト剥離とを連続して行ない、この積層体の上下の樹脂フィルム100(第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表面に金属回路50を形成した。以上により、2cm×4cmの大きさにカットして、本発明の多層積層回路基板を作製した(図1)。
【0124】
そして、これをサンプリングし、このサンプルを100倍の顕微鏡を用いて金属回路の断線、ショート等の検査を行なった。その結果、この多層積層回路基板の金属回路に断線、ショート等の不良は観察されなかった。
【0125】
なお、実施例1では、いずれも同一のマスクを用いて、レジストを剥離し、レジストが剥離された部分をエッチングすることにより金属回路を形成したものである。これにより、樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム、第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の両面に形成される金属回路のパターンはいずれも同一の形状となる。このことから、以下の表1に示されるように、全ての樹脂フィルムのいずれの一の面に対しても、金属回路の占める面積は同一となる。実施例2〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板においても、各多層積層回路基板の全ての樹脂フィルム(第1の樹脂フィルム、第2の樹脂フィルムおよび第3の樹脂フィルム)の表裏の一の面に対する金属回路の占める面積は同一の値となる。
【0126】
<実施例2〜9>
実施例2〜9の多層積層回路基板は、実施例1の多層積層回路基板に対して、導通ビアの内径と積層した樹脂フィルムの熱膨張係数とが以下の表1に示すように異なることを除き、実施例1と同様の方法により作製した。たとえば、表1中の実施例3は、樹脂フィルムが実施例1と同じものを同じ積層順序で使用し、各導通部に対し内径が300μmの導通ビアを形成したことを示す。実施例4は、多層積層回路基板の第2の樹脂フィルムと第1の樹脂フィルムとに熱膨張係数3ppm/℃のゼロマックスを用い、第3の樹脂フィルムに182ppm/℃のレイテックFR−5700を用いたことを示す。なお、表1において、熱膨張係数が同一の数値のものは、同一の樹脂フィルムを用いたことを示す。
【0127】
<実施例10〜15>
実施例10〜15の多層積層回路基板は、実施例1の多層積層回路基板に対して、回路層の厚みが以下の表2に示すように異なり、樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占める面積が表1に示すように異なることを除き、その他は実施例1と同様の方法により作製した。たとえば、表1および表2中の実施例10は、樹脂フィルムが実施例1と同じものを同じ積層順序で使用し、回路層の厚みが3μmであり、樹脂フィルムの面に対する金属回路の占める面積が下記の表1のように異なる。
【0128】
表2は、樹脂フィルム100の厚みAと、回路層の厚みBと、樹脂フィルムの厚みに対する回路層の厚みB/Aとを示したものであり、0.015≦B/A≦8.75を満たすことにより本発明の効果を得ることができる。
【0129】
なお、表2に示されるように、実施例1の多層積層回路基板に含まれる4層の回路層の厚みは、全て同一の厚みのものを形成した。これと同様に、実施例2〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板においても、各多層積層回路基板における4層の回路層の厚みは、全て同一の厚みを形成した。
【0130】
また、第1の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBの値としては、第1の樹脂フィルムの表裏の両面の回路層がいずれも同一の厚みであるので、いずれの回路層の厚みを採用してもよいが、第2の樹脂フィルム側の回路層の厚みをBの値として用いた。同様に、第3の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBの値には、第3の樹脂フィルムの両面の回路層のうち、第1の樹脂フィルム側の回路層の厚みをBとして用いることとし、第2の樹脂フィルムの厚みAに対する回路層の厚みBも上記と同様の方法により定めた。
【0131】
<比較例1〜9>
一方、比較例1〜9の多層積層回路基板は、全ての樹脂フィルムに同一の熱膨張係数を有する樹脂フィルムを用いることを除き、その他は実施例1〜3と同様の方法により作製した(表1参照)。たとえば、表1中の比較例1〜3では、多層積層回路基板に含まれる全ての樹脂フィルムに熱膨張係数182ppm/℃のレイテックFR−5700を用い、比較例4〜6では熱膨張係数3ppm/℃のゼロマックスを用い、比較例7〜9では熱膨張係数16.4ppm/℃のカプトンEN150を用いた。
【0132】
<比較例10および11>
比較例10および11の多層積層回路基板は、実施例2の多層積層回路基板に対して、回路層の厚みBが異なることを除き、その他は実施例2と同様の方法により作製した(表2参照)。たとえば、表2中の比較例10では、多層積層回路基板に含まれる4層の回路層の全ての厚みを0.3μmとした。
【0133】
<比較例12および13>
比較例12および13の多層積層回路基板は、実施例2の多層積層回路基板に対して、一の面の樹脂フィルムの面積Cに対する金属回路の占める面積Dが異なることを除き、その他は実施例2と同様の方法により作製した(表1参照)。たとえば、表1中の比較例12は、多層積層回路基板に含まれる一の樹脂フィルムの面に対する金属回路の占める面積D/Cを0.01とした。
【0134】
<導通検査>
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板に対し、LCRメータ(品番:NDH−2000(カスタム株式会社製))を用いて、多層積層回路基板の端子両端での導通検査を行なった。その結果、実施例1〜15および比較例1〜13のいずれの多層積層回路基板においても導通の異常は観察されなかった。
【0135】
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板の金属回路は、およそ200個の導通部が設けられているが、そのうちの1箇所でも断線が生じていれば、導通の異常が計測されることから、多層積層回路基板を作製した段階では、金属回路は断線していないことが明らかとなった。
【0136】
<温度変化サイクル試験>
実施例1〜15および比較例1〜13の多層積層回路基板に対し、サイクル試験機(型式:TSA−41L−A(ESPEC株式会社製))を用いて、2つの異なる設定温度を一定時間間隔で交互に繰り返して保持する温度変化サイクル試験を行なった。具体的には、−40℃で30分間保持した後、120℃で30分間保持することを1サイクルとし、500サイクルごとに導通検査を行なった。回路内に含まれている複数の導通部のうち、1箇所でも導通不良が起きた時点でサイクル試験を終了することとし、3000サイクルまで行なった。
【0137】
実施例1〜15の多層積層回路基板は、3000サイクル終了時においても導通不良は認められなかった。これに対し、比較例1、4および7は、2000サイクル終了時に、比較例2、5および8は1500サイクル終了時に、比較例3、6および9は1000サイクル終了時に、比較例10〜13は2500サイクル終了時に導通不良が確認された。
【0138】
上記の結果から、実施例1〜15の多層積層回路基板は、比較例1〜13の多層積層回路基板に比べて、熱が加わったときの金属回路の断線が格段に生じにくいことが明らかとなった。これは、実施例1〜15の多層積層回路基板において熱膨張係数の異なった樹脂フィルムを用い、かつ樹脂フィルムの厚みに対する回路層の厚みB/Aが、0.015≦B/A≦8.75を満たし、さらにこの樹脂フィルムの一の面に対する金属回路の占有面積の値D/Cが、0.02≦D/C≦0.8を満たしていることによるものであることが明らかである。
【0139】
【表1】
【0140】
【表2】
【0141】
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
【0142】
今回開示された実施の形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【0143】
本発明によれば、金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0144】
【図1】本発明の多層積層回路基板の一例を示す模式的な断面図である。
【図2】本発明の多層積層回路基板の使用態様の一例を示す模式的な断面図である。
【図3】導通ビアを形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図4】下地層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図5】レジストを現像した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図6】めっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図7】ソフトエッチングをした後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図8】金属回路を形成した樹脂フィルムの表裏の両面に、さらに樹脂フィルムを積層させた状態を示す模式的な断面図である。
【図9】下地層にめっき層を形成した後の樹脂フィルムを示す模式的な断面図である。
【図10】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、導通ビアを形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図11】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、下地層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【図12】樹脂フィルムを3層積層した積層体の上下面に、めっき層を形成した後の状態を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【0145】
1 多層積層回路基板、50 金属回路、70 接着性樹脂、100 樹脂フィルム、120 導通ビア、130 下地層、140 めっき層、170 レジスト、200 回路層、301 リジッド基板、302 Si基板、401 接着金属、402 密着金属。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、
前記回路層は、金属回路を含み、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、前記樹脂フィルムに隣接する前記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、前記樹脂フィルムの前記面上に形成される前記金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8である、多層積層回路基板。
【請求項2】
前記樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5である、請求項1に記載の多層積層回路基板。
【請求項3】
前記樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下である、請求項1または2に記載の多層積層回路基板。
【請求項4】
前記回路層は、1つ以上の導通接続部と接し、
前記導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部の断面の面積は、0.2mm2以下である、請求項1〜3のいずれかに記載の多層積層回路基板。
【請求項5】
前記樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いる、請求項1〜4のいずれかに記載の多層積層回路基板。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれかに記載の多層積層回路基板を用いる部品または製品。
【請求項7】
前記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかである、請求項6に記載の製品。
【請求項1】
樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、
前記回路層は、金属回路を含み、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも1層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの厚みをAとし、前記樹脂フィルムに隣接する前記回路層の厚みをBとすると、0.015≦B/A≦8.75であり、
前記樹脂フィルムのうち、いずれか1層の樹脂フィルムの一の面の面積をCとし、前記樹脂フィルムの前記面上に形成される前記金属回路が占める面積をDとすると、0.02≦D/C≦0.8である、多層積層回路基板。
【請求項2】
前記樹脂フィルムのうち、最大の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をEとし、最小の熱膨張係数を有する樹脂フィルムの熱膨張係数をFとすると、0.01≦F/E≦0.5である、請求項1に記載の多層積層回路基板。
【請求項3】
前記樹脂フィルムの熱膨張係数は、1ppm/℃以上300ppm/℃以下である、請求項1または2に記載の多層積層回路基板。
【請求項4】
前記回路層は、1つ以上の導通接続部と接し、
前記導通接続部のうち、少なくとも1つの導通接続部の断面の面積は、0.2mm2以下である、請求項1〜3のいずれかに記載の多層積層回路基板。
【請求項5】
前記樹脂フィルムは、長尺状のものを加工して用いる、請求項1〜4のいずれかに記載の多層積層回路基板。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれかに記載の多層積層回路基板を用いる部品または製品。
【請求項7】
前記製品は、電気製品、電子製品、半導体製品、アンテナ回路基板、ICカード、太陽電池、自動車またはロボットのいずれかである、請求項6に記載の製品。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2010−50116(P2010−50116A)
【公開日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−210328(P2008−210328)
【出願日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【出願人】(500356038)FCM株式会社 (10)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【出願人】(500356038)FCM株式会社 (10)
【Fターム(参考)】
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