弾性表面波デバイス及びその製造方法
【課題】配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２上に設けられたＩＤＴ６と、前記圧電基板２上に設けられ、前記ＩＤＴ６に接続され、前記ＩＤＴ６と同じ金属からなる配線電極１２と、少なくとも前記配線電極１２が露出するように、前記圧電基板２上に設けられた無機絶縁層２０と、前記無機絶縁層２０から露出した前記配線電極１２と前記無機絶縁層２０との境界の上に、前記配線電極１２の側面１２ａを覆うように設けられた絶縁樹脂層２２と、前記配線電極１２及び前記絶縁樹脂層２２の上に設けられた金属層１４及び１８と、を具備する弾性表面波デバイス。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２上に設けられたＩＤＴ６と、前記圧電基板２上に設けられ、前記ＩＤＴ６に接続され、前記ＩＤＴ６と同じ金属からなる配線電極１２と、少なくとも前記配線電極１２が露出するように、前記圧電基板２上に設けられた無機絶縁層２０と、前記無機絶縁層２０から露出した前記配線電極１２と前記無機絶縁層２０との境界の上に、前記配線電極１２の側面１２ａを覆うように設けられた絶縁樹脂層２２と、前記配線電極１２及び前記絶縁樹脂層２２の上に設けられた金属層１４及び１８と、を具備する弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関し、特に櫛型電極からなるＩＤＴを有した弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の進展と共に、携帯電話に代表される移動体通信機器の普及が進んでいる。弾性波デバイスは、こうした移動体通信機器にデュプレクサ、受信用バンドパスフィルタ及び送信用バンドパスフィルタ等として使用されており、小型化、軽量化、及び信頼性の向上が要求されている。
【０００３】
弾性波デバイスの一つに、圧電基板の表面に櫛型電極からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び反射器を備えた弾性表面波デバイスがある。弾性表面波デバイスに電気信号が入力されると、ＩＤＴにより弾性波が励振され、通過帯域の周波数を有した電気信号として出力される。
【０００４】
従来例として、特許文献１に開示された弾性表面波デバイスについて説明する。特許文献１には、配線電極の上に反応抑制膜と金属層とを設ける技術が開示されている。
【０００５】
図１（ａ）は従来例に係る弾性表面波デバイス１００の上面図である。例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２上に、例えばＡｌ等の金属からなる反射器４及びＩＤＴ６が設けられている。また、ＩＤＴ６と接続されている配線１０、及び配線１０と接続された外部接続端子８が、各々設けられている。
【０００６】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａに沿った断面図である。図１（ｂ）に示すように、配線１０は、圧電基板２上に設けられたＡｌからなる配線電極１２、配線電極１２の上に順に積層されたＴｉ等からなる第１金属層１４、Ｐｄ等からなる第２金属層１６、及びＡｕ等からなる第３金属層１８、並びに配線電極１２と第１金属層１４との間に設けられた無機絶縁層２０からなる。
【０００７】
図２（ａ）は、従来例の変形例であり、無機絶縁層２０が配線電極１２の側面を覆うように設けられている。特許文献１によれば、配線電極１２と各金属層との反応を抑制できるため、配線電極１２と各金属層との接合、及び配線１０と外部接続端子８との接合を強固にすることができると記載されている。
【特許文献１】特許第３４０５３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１（ｂ）の例では配線電極１２の側面１２ａが露出しているため、配線１０は耐湿性に欠け、水分が浸入した場合に配線電極１２が腐食し、弾性表面波デバイスの信頼性が低下する可能性がある。
【０００９】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の配線電極１２の側面１２ａ付近の拡大図である。図２（ｂ）に示すように、圧電基板２と配線電極１２との間に大きな段差があるため、無機絶縁層２０の厚さが薄くなる可能性がある。この場合、図１（ｂ）の例と同様に、耐湿性に欠け、信頼性が低下する可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑み、配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴに接続され、前記ＩＤＴと同じ金属からなる配線電極と、少なくとも前記配線電極が露出するように、前記圧電基板上に設けられた無機絶縁層と、前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に、前記配線電極の側面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に設けられた金属層と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスである。本発明によれば、配線電極が絶縁樹脂層により保護されるため、配線の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイスの信頼性を高めることができる。
【００１２】
上記構成において、前記絶縁樹脂層の端部は、順テーパー部である構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の厚さが薄くなることを防ぐことができ、また金属層にクラックが発生することも防ぐことができる。このため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００１３】
上記構成において、前記無機絶縁層は前記配線電極の上に重なるように設けられている構成とすることができる。この構成によれば、配線電極を無機絶縁層で覆うため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００１４】
上記構成において、前記絶縁樹脂層は感光性樹脂からなる構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することが可能となる。
【００１５】
上記構成において、前記感光性樹脂は感光性ポリイミドである構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することができ、かつ順テーパー部を容易に形成することができる。
【００１６】
上記構成において、前記ＩＤＴ及び前記配線電極はＡｌまたはＡｌ−Ｃｕからなる構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記金属層は、前記配線電極と接するＴｉ層と、前記Ｔｉ層の上に位置するＡｕ層とを含む構成とすることができる。この構成によれば、配線電極と各金属層との接合が強固で、かつ低抵抗な配線を得ることができる。
【００１８】
本発明は、圧電基板上に、ＩＤＴと、前記ＩＤＴに接続された配線電極とを、同じ金属から形成する工程と、前記圧電基板上に、少なくとも前記配線電極が露出するように、無機絶縁層を設ける工程と、前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に金属層を設ける工程と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法である。本発明によれば、配線電極が絶縁樹脂層により保護されるため、配線の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイスの信頼性を高めることができる。
【００１９】
上記構成において、前記絶縁樹脂層を設ける工程は、前記絶縁樹脂層の端部が順テーパーとなるように、前記絶縁樹脂層を設ける工程とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の厚さが薄くなることを防ぐことができ、また金属層にクラックが発生することも防ぐことができる。このため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００２０】
上記構成において、前記無機絶縁層を設ける工程は、前記無機絶縁層が前記配線電極の上に重なるように、前記無機絶縁層を設ける工程とすることができる。この構成によれば、配線電極を無機絶縁層で覆うため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００２１】
上記構成において、前記絶縁樹脂層を設ける工程は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法で成形する工程と、前記成形された感光性樹脂を加熱する工程とを含む構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することができ、かつ順テーパー部を容易に形成することができる。
【００２２】
上記構成において、前記加熱する工程は、前記圧電基板の前記ＩＤＴが設けられた面、及び前記ＩＤＴが設けられていない面の両面から加熱する工程とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の順テーパー部の形状制御を精度よく、かつ効率的に行うことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２５】
図３（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイス２００の上面図である。図３（ａ）に示すように、従来例と同様に、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２上に、例えばＡｌやＡｌ−Ｃｕ等の金属からなる反射器４及びＩＤＴ６、配線１０、並びに外部接続端子８が設けられている。例えばＳｉＯ２等のケイ素化合物からなる無機絶縁層２０が、少なくとも外部接続端子８と配線電極１２とが露出するように、圧電基板２上に設けられている（後述）。図３（ａ）においては、無機絶縁層２０を透視して反射器４及びＩＤＴ６を図示している。
【００２６】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａに沿った断面図である。図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、例えば厚さ３５０ｎｍの配線電極１２が設けられている。また、配線電極１２が露出するように例えば厚さ５０ｎｍの無機絶縁層２０が設けられている。無機絶縁層２０から露出した配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上には、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂からなる、例えば厚さ１μｍの絶縁樹脂層２２が、配線電極１２の側面１２ａを覆うように設けられている。配線電極１２及び絶縁樹脂層２２の上には例えば厚さ２００ｎｍの第１金属層１４が設けられ、その上には例えば厚さ１５０ｎｍの第３金属層１８が設けられている。絶縁樹脂層２２の端部は順テーパー部２２ａとなっている。
【００２７】
配線電極１２は、反射器４及びＩＤＴ６と同じ金属、例えばＡｌやＡｌ−Ｃｕ等からなる。第３金属層１８は例えばＡｕのように、低抵抗の金属からなる。第１金属層１４は、配線電極１２を形成するＡｌ及び第３金属層１８を形成するＡｕと密着性のよい金属、例えばＴｉからなる。
【００２８】
次に、実施例１に係る弾性表面波フィルタ２００の製造方法について説明する。図４は弾性表面波フィルタ２００の製造方法を示すフローチャートであり、図５（ａ）から図６は製造方法を示す断面図である。
【００２９】
図５（ａ）は図４のステップＳ１０を示す断面図であり、圧電基板２を準備する。
【００３０】
図５（ｂ）はステップＳ１１を示す断面図である。例えばスパッタリング法により、圧電基板２上にＡｌ膜、またはＡｌ−Ｃｕ膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィ法により、反射器４、ＩＤＴ６、外部接続端子８、及び配線電極１２を形成する。すなわち、これらは同じ金属から形成される。
【００３１】
図５（ｃ）はステップＳ１２を示す断面図である。圧電基板２上に、例えばＳｉＯ２の膜を成膜する。フォトリソグラフィ法により、外部接続端子８及び配線電極１２上に位置するＳｉＯ２膜を除去する。これにより、外部接続端子８及び配線電極１２が露出するように、無機絶縁層２０が形成される。
【００３２】
図５（ｄ）はステップＳ１３及びＳ１４を示す断面図である。圧電基板２上に、例えば感光性ポリイミド樹脂をスピン塗布する。その後、フォトリソグラフィ法により感光性ポリイミド樹脂を成形することで、無機絶縁層２０から露出した配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上に、配線電極１２の側面１２ａを覆うように絶縁樹脂層２２が形成される。
【００３３】
ステップＳ１４において絶縁樹脂層２２を加熱し、硬化させる。このとき、例えばオーブンを使用して、圧電基板２のＩＤＴ６の設けられている面、及びＩＤＴ６の設けられていない面の両面から加熱する。加熱硬化工程後の絶縁樹脂層２２の端部は、順テーパー部２２ａとなる。
【００３４】
図６はステップＳ１５を示す断面図である。蒸着及びリフトオフ法により、配線電極１２及び絶縁樹脂層２２の上に第１金属層１４を、第１金属層１４の上に第３金属層１８を、各々形成する。以上の工程により、実施例１に係る弾性波表面デバイス２００が完成する。
【００３５】
実施例１によれば、配線電極１２の側面１２ａを絶縁樹脂層２２で覆うことにより、配線電極１２を保護することができる。さらに第１金属層１４及び第３金属層１８により配線電極１２及び絶縁樹脂層２２を完全に覆うことができる。このため、配線１０の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイス２００の信頼性を高めることが可能となる。また、絶縁樹脂層２２の端部は順テーパー部２２ａであるため、無機絶縁層２０と絶縁樹脂層２２との段差が緩やかになる。このため、絶縁樹脂層２２の厚さが薄くなることを防止することができる。また、第１金属層１４及び第３金属層１８にクラックが発生することを防止することもできる。従って、配線１０の耐湿性がより向上する。
【００３６】
上述したように、第１金属層１４は配線電極１２を形成する金属、及び第３金属層１８を形成する金属と密着性のよい金属からなる。配線電極１２と第３金属層１８との間に、第１金属層１４を挟み込んだ構成とすることで、配線１０が強固に形成されることとなり、弾性表面波デバイス２００の信頼性が向上する。また、第３金属層１８を例えばＡｕのような低抵抗の金属で形成できるため、配線１０の抵抗を低くすることができる。
【００３７】
無機絶縁層２０には、ＳｉＯ２の他に例えばＳｉＮ、ＳｉＯＣ等のケイ素化合物を用いることができる。また、無機絶縁層２０は少なくとも外部接続端子８と配線電極１２とが露出するように設けられていればよい。
【００３８】
絶縁樹脂層２２は感光性樹脂、特に感光性ポリイミドとしたが、これに限定されない。しかし、ステップＳ１３においてフォトリソグラフィ法を行うことにより、絶縁樹脂層２２を精度よく形成できることから、感光性樹脂であることが好ましい。またステップＳ１４において加熱することにより、容易に順テーパー部２２ａを形成できることから、感光性ポリイミドであることが好ましい。
【００３９】
ステップＳ１４の加熱工程では、圧電基板２のＩＤＴ６の設けられている面、又はＩＤＴ６の設けられていない面のどちらか片方の面から加熱してもよい。しかし、絶縁樹脂層２２の順テーパー部２２ａの形状制御を精度よく、かつ効率的に行うことができるため、両面から加熱することが好ましい。
【実施例２】
【００４０】
図７は実施例２に係る弾性表面波デバイス３００の断面図である。
【００４１】
図７に示すように、無機絶縁層２０が、配線電極１２と重なるように設けられている。配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上には、無機絶縁層２０を介して配線電極１２の側面１２ａを覆うように絶縁樹脂層２２が設けられている。
【００４２】
実施例２によれば、配線電極１２の側面１２ａを無機絶縁層２０で覆うため、耐湿性をさらに向上させることができ、弾性表面波デバイス３００の信頼性を高くすることが可能となる。
【００４３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１（ａ）は従来例に係る弾性表面波デバイス１００の上面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａに沿った断面図である。
【図２】図２（ａ）は従来例の変形例に係る弾性表面波デバイス１００のＡ−Ａに沿った断面図であり、図２（ｂ）は配線電極１２の側面１２ａ付近の拡大図である。
【図３】図３（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイス２００の上面図であり、図３（ｂ）はＡ−Ａに沿った断面図である。
【図４】図４は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は実施例２に係る弾性表面波デバイス３００の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
圧電基板 ２
反射器 ４
ＩＤＴ ６
外部接続端子 ８
配線 １０
配線電極 １２
第１金属層 １４
第２金属層 １６
第３金属層 １８
無機絶縁層 ２０
絶縁樹脂層 ２２
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関し、特に櫛型電極からなるＩＤＴを有した弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の進展と共に、携帯電話に代表される移動体通信機器の普及が進んでいる。弾性波デバイスは、こうした移動体通信機器にデュプレクサ、受信用バンドパスフィルタ及び送信用バンドパスフィルタ等として使用されており、小型化、軽量化、及び信頼性の向上が要求されている。
【０００３】
弾性波デバイスの一つに、圧電基板の表面に櫛型電極からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び反射器を備えた弾性表面波デバイスがある。弾性表面波デバイスに電気信号が入力されると、ＩＤＴにより弾性波が励振され、通過帯域の周波数を有した電気信号として出力される。
【０００４】
従来例として、特許文献１に開示された弾性表面波デバイスについて説明する。特許文献１には、配線電極の上に反応抑制膜と金属層とを設ける技術が開示されている。
【０００５】
図１（ａ）は従来例に係る弾性表面波デバイス１００の上面図である。例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２上に、例えばＡｌ等の金属からなる反射器４及びＩＤＴ６が設けられている。また、ＩＤＴ６と接続されている配線１０、及び配線１０と接続された外部接続端子８が、各々設けられている。
【０００６】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａに沿った断面図である。図１（ｂ）に示すように、配線１０は、圧電基板２上に設けられたＡｌからなる配線電極１２、配線電極１２の上に順に積層されたＴｉ等からなる第１金属層１４、Ｐｄ等からなる第２金属層１６、及びＡｕ等からなる第３金属層１８、並びに配線電極１２と第１金属層１４との間に設けられた無機絶縁層２０からなる。
【０００７】
図２（ａ）は、従来例の変形例であり、無機絶縁層２０が配線電極１２の側面を覆うように設けられている。特許文献１によれば、配線電極１２と各金属層との反応を抑制できるため、配線電極１２と各金属層との接合、及び配線１０と外部接続端子８との接合を強固にすることができると記載されている。
【特許文献１】特許第３４０５３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１（ｂ）の例では配線電極１２の側面１２ａが露出しているため、配線１０は耐湿性に欠け、水分が浸入した場合に配線電極１２が腐食し、弾性表面波デバイスの信頼性が低下する可能性がある。
【０００９】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の配線電極１２の側面１２ａ付近の拡大図である。図２（ｂ）に示すように、圧電基板２と配線電極１２との間に大きな段差があるため、無機絶縁層２０の厚さが薄くなる可能性がある。この場合、図１（ｂ）の例と同様に、耐湿性に欠け、信頼性が低下する可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑み、配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴに接続され、前記ＩＤＴと同じ金属からなる配線電極と、少なくとも前記配線電極が露出するように、前記圧電基板上に設けられた無機絶縁層と、前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に、前記配線電極の側面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に設けられた金属層と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスである。本発明によれば、配線電極が絶縁樹脂層により保護されるため、配線の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイスの信頼性を高めることができる。
【００１２】
上記構成において、前記絶縁樹脂層の端部は、順テーパー部である構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の厚さが薄くなることを防ぐことができ、また金属層にクラックが発生することも防ぐことができる。このため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００１３】
上記構成において、前記無機絶縁層は前記配線電極の上に重なるように設けられている構成とすることができる。この構成によれば、配線電極を無機絶縁層で覆うため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００１４】
上記構成において、前記絶縁樹脂層は感光性樹脂からなる構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することが可能となる。
【００１５】
上記構成において、前記感光性樹脂は感光性ポリイミドである構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することができ、かつ順テーパー部を容易に形成することができる。
【００１６】
上記構成において、前記ＩＤＴ及び前記配線電極はＡｌまたはＡｌ−Ｃｕからなる構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記金属層は、前記配線電極と接するＴｉ層と、前記Ｔｉ層の上に位置するＡｕ層とを含む構成とすることができる。この構成によれば、配線電極と各金属層との接合が強固で、かつ低抵抗な配線を得ることができる。
【００１８】
本発明は、圧電基板上に、ＩＤＴと、前記ＩＤＴに接続された配線電極とを、同じ金属から形成する工程と、前記圧電基板上に、少なくとも前記配線電極が露出するように、無機絶縁層を設ける工程と、前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に金属層を設ける工程と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法である。本発明によれば、配線電極が絶縁樹脂層により保護されるため、配線の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイスの信頼性を高めることができる。
【００１９】
上記構成において、前記絶縁樹脂層を設ける工程は、前記絶縁樹脂層の端部が順テーパーとなるように、前記絶縁樹脂層を設ける工程とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の厚さが薄くなることを防ぐことができ、また金属層にクラックが発生することも防ぐことができる。このため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００２０】
上記構成において、前記無機絶縁層を設ける工程は、前記無機絶縁層が前記配線電極の上に重なるように、前記無機絶縁層を設ける工程とすることができる。この構成によれば、配線電極を無機絶縁層で覆うため、配線の耐湿性がさらに向上し、弾性表面波デバイスの信頼性をさらに高めることができる。
【００２１】
上記構成において、前記絶縁樹脂層を設ける工程は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法で成形する工程と、前記成形された感光性樹脂を加熱する工程とを含む構成とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層を精度よく形成することができ、かつ順テーパー部を容易に形成することができる。
【００２２】
上記構成において、前記加熱する工程は、前記圧電基板の前記ＩＤＴが設けられた面、及び前記ＩＤＴが設けられていない面の両面から加熱する工程とすることができる。この構成によれば、絶縁樹脂層の順テーパー部の形状制御を精度よく、かつ効率的に行うことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、配線の耐湿性を向上させることにより、信頼性を高めることが可能な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２５】
図３（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイス２００の上面図である。図３（ａ）に示すように、従来例と同様に、例えばＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電体からなる圧電基板２上に、例えばＡｌやＡｌ−Ｃｕ等の金属からなる反射器４及びＩＤＴ６、配線１０、並びに外部接続端子８が設けられている。例えばＳｉＯ２等のケイ素化合物からなる無機絶縁層２０が、少なくとも外部接続端子８と配線電極１２とが露出するように、圧電基板２上に設けられている（後述）。図３（ａ）においては、無機絶縁層２０を透視して反射器４及びＩＤＴ６を図示している。
【００２６】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａに沿った断面図である。図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、例えば厚さ３５０ｎｍの配線電極１２が設けられている。また、配線電極１２が露出するように例えば厚さ５０ｎｍの無機絶縁層２０が設けられている。無機絶縁層２０から露出した配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上には、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂からなる、例えば厚さ１μｍの絶縁樹脂層２２が、配線電極１２の側面１２ａを覆うように設けられている。配線電極１２及び絶縁樹脂層２２の上には例えば厚さ２００ｎｍの第１金属層１４が設けられ、その上には例えば厚さ１５０ｎｍの第３金属層１８が設けられている。絶縁樹脂層２２の端部は順テーパー部２２ａとなっている。
【００２７】
配線電極１２は、反射器４及びＩＤＴ６と同じ金属、例えばＡｌやＡｌ−Ｃｕ等からなる。第３金属層１８は例えばＡｕのように、低抵抗の金属からなる。第１金属層１４は、配線電極１２を形成するＡｌ及び第３金属層１８を形成するＡｕと密着性のよい金属、例えばＴｉからなる。
【００２８】
次に、実施例１に係る弾性表面波フィルタ２００の製造方法について説明する。図４は弾性表面波フィルタ２００の製造方法を示すフローチャートであり、図５（ａ）から図６は製造方法を示す断面図である。
【００２９】
図５（ａ）は図４のステップＳ１０を示す断面図であり、圧電基板２を準備する。
【００３０】
図５（ｂ）はステップＳ１１を示す断面図である。例えばスパッタリング法により、圧電基板２上にＡｌ膜、またはＡｌ−Ｃｕ膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィ法により、反射器４、ＩＤＴ６、外部接続端子８、及び配線電極１２を形成する。すなわち、これらは同じ金属から形成される。
【００３１】
図５（ｃ）はステップＳ１２を示す断面図である。圧電基板２上に、例えばＳｉＯ２の膜を成膜する。フォトリソグラフィ法により、外部接続端子８及び配線電極１２上に位置するＳｉＯ２膜を除去する。これにより、外部接続端子８及び配線電極１２が露出するように、無機絶縁層２０が形成される。
【００３２】
図５（ｄ）はステップＳ１３及びＳ１４を示す断面図である。圧電基板２上に、例えば感光性ポリイミド樹脂をスピン塗布する。その後、フォトリソグラフィ法により感光性ポリイミド樹脂を成形することで、無機絶縁層２０から露出した配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上に、配線電極１２の側面１２ａを覆うように絶縁樹脂層２２が形成される。
【００３３】
ステップＳ１４において絶縁樹脂層２２を加熱し、硬化させる。このとき、例えばオーブンを使用して、圧電基板２のＩＤＴ６の設けられている面、及びＩＤＴ６の設けられていない面の両面から加熱する。加熱硬化工程後の絶縁樹脂層２２の端部は、順テーパー部２２ａとなる。
【００３４】
図６はステップＳ１５を示す断面図である。蒸着及びリフトオフ法により、配線電極１２及び絶縁樹脂層２２の上に第１金属層１４を、第１金属層１４の上に第３金属層１８を、各々形成する。以上の工程により、実施例１に係る弾性波表面デバイス２００が完成する。
【００３５】
実施例１によれば、配線電極１２の側面１２ａを絶縁樹脂層２２で覆うことにより、配線電極１２を保護することができる。さらに第１金属層１４及び第３金属層１８により配線電極１２及び絶縁樹脂層２２を完全に覆うことができる。このため、配線１０の耐湿性が向上し、弾性表面波デバイス２００の信頼性を高めることが可能となる。また、絶縁樹脂層２２の端部は順テーパー部２２ａであるため、無機絶縁層２０と絶縁樹脂層２２との段差が緩やかになる。このため、絶縁樹脂層２２の厚さが薄くなることを防止することができる。また、第１金属層１４及び第３金属層１８にクラックが発生することを防止することもできる。従って、配線１０の耐湿性がより向上する。
【００３６】
上述したように、第１金属層１４は配線電極１２を形成する金属、及び第３金属層１８を形成する金属と密着性のよい金属からなる。配線電極１２と第３金属層１８との間に、第１金属層１４を挟み込んだ構成とすることで、配線１０が強固に形成されることとなり、弾性表面波デバイス２００の信頼性が向上する。また、第３金属層１８を例えばＡｕのような低抵抗の金属で形成できるため、配線１０の抵抗を低くすることができる。
【００３７】
無機絶縁層２０には、ＳｉＯ２の他に例えばＳｉＮ、ＳｉＯＣ等のケイ素化合物を用いることができる。また、無機絶縁層２０は少なくとも外部接続端子８と配線電極１２とが露出するように設けられていればよい。
【００３８】
絶縁樹脂層２２は感光性樹脂、特に感光性ポリイミドとしたが、これに限定されない。しかし、ステップＳ１３においてフォトリソグラフィ法を行うことにより、絶縁樹脂層２２を精度よく形成できることから、感光性樹脂であることが好ましい。またステップＳ１４において加熱することにより、容易に順テーパー部２２ａを形成できることから、感光性ポリイミドであることが好ましい。
【００３９】
ステップＳ１４の加熱工程では、圧電基板２のＩＤＴ６の設けられている面、又はＩＤＴ６の設けられていない面のどちらか片方の面から加熱してもよい。しかし、絶縁樹脂層２２の順テーパー部２２ａの形状制御を精度よく、かつ効率的に行うことができるため、両面から加熱することが好ましい。
【実施例２】
【００４０】
図７は実施例２に係る弾性表面波デバイス３００の断面図である。
【００４１】
図７に示すように、無機絶縁層２０が、配線電極１２と重なるように設けられている。配線電極１２と無機絶縁層２０との境界の上には、無機絶縁層２０を介して配線電極１２の側面１２ａを覆うように絶縁樹脂層２２が設けられている。
【００４２】
実施例２によれば、配線電極１２の側面１２ａを無機絶縁層２０で覆うため、耐湿性をさらに向上させることができ、弾性表面波デバイス３００の信頼性を高くすることが可能となる。
【００４３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１（ａ）は従来例に係る弾性表面波デバイス１００の上面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａに沿った断面図である。
【図２】図２（ａ）は従来例の変形例に係る弾性表面波デバイス１００のＡ−Ａに沿った断面図であり、図２（ｂ）は配線電極１２の側面１２ａ付近の拡大図である。
【図３】図３（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイス２００の上面図であり、図３（ｂ）はＡ−Ａに沿った断面図である。
【図４】図４は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は弾性表面波デバイス２００の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は実施例２に係る弾性表面波デバイス３００の断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
圧電基板 ２
反射器 ４
ＩＤＴ ６
外部接続端子 ８
配線 １０
配線電極 １２
第１金属層 １４
第２金属層 １６
第３金属層 １８
無機絶縁層 ２０
絶縁樹脂層 ２２
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、
前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴに接続され、前記ＩＤＴと同じ金属からなる配線電極と、
少なくとも前記配線電極が露出するように、前記圧電基板上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に、前記配線電極の側面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に設けられた金属層と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層の端部は、順テーパー部であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記無機絶縁層は前記配線電極の上に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層は感光性樹脂からなることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記感光性樹脂は感光性ポリイミドであることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記ＩＤＴ及び前記配線電極はＡｌまたはＡｌ−Ｃｕからなることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記金属層は、前記配線電極と接するＴｉ層と、前記Ｔｉ層の上に位置するＡｕ層とを含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
圧電基板上に、ＩＤＴと、前記ＩＤＴに接続された配線電極とを、同じ金属から形成する工程と、
前記圧電基板上に、少なくとも前記配線電極が露出するように、無機絶縁層を設ける工程と、
前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と、前記無機絶縁層との境界の上に絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に金属層を設ける工程と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁樹脂層を設ける工程は、前記絶縁樹脂層の端部が順テーパーとなるように、前記絶縁樹脂層を設ける工程であることを特徴とする請求項８記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記無機絶縁層を設ける工程は、前記無機絶縁層が前記配線電極の上に重なるように、前記無機絶縁層を設ける工程であることを特徴とする請求項８または９記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁樹脂層を設ける工程は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法で成形する工程と、前記成形された感光性樹脂を加熱する工程とを含むことを特徴とする請求項８から１０いずれか一項記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記加熱する工程は、前記圧電基板の前記ＩＤＴが設けられた面、及び前記ＩＤＴが設けられていない面の両面から加熱する工程であることを特徴とする請求項１１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴと、
前記圧電基板上に設けられ、前記ＩＤＴに接続され、前記ＩＤＴと同じ金属からなる配線電極と、
少なくとも前記配線電極が露出するように、前記圧電基板上に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と前記無機絶縁層との境界の上に、前記配線電極の側面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に設けられた金属層と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層の端部は、順テーパー部であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記無機絶縁層は前記配線電極の上に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層は感光性樹脂からなることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記感光性樹脂は感光性ポリイミドであることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記ＩＤＴ及び前記配線電極はＡｌまたはＡｌ−Ｃｕからなることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記金属層は、前記配線電極と接するＴｉ層と、前記Ｔｉ層の上に位置するＡｕ層とを含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
圧電基板上に、ＩＤＴと、前記ＩＤＴに接続された配線電極とを、同じ金属から形成する工程と、
前記圧電基板上に、少なくとも前記配線電極が露出するように、無機絶縁層を設ける工程と、
前記無機絶縁層から露出した前記配線電極と、前記無機絶縁層との境界の上に絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記配線電極及び前記絶縁樹脂層の上に金属層を設ける工程と、を具備することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁樹脂層を設ける工程は、前記絶縁樹脂層の端部が順テーパーとなるように、前記絶縁樹脂層を設ける工程であることを特徴とする請求項８記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記無機絶縁層を設ける工程は、前記無機絶縁層が前記配線電極の上に重なるように、前記無機絶縁層を設ける工程であることを特徴とする請求項８または９記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁樹脂層を設ける工程は、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法で成形する工程と、前記成形された感光性樹脂を加熱する工程とを含むことを特徴とする請求項８から１０いずれか一項記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記加熱する工程は、前記圧電基板の前記ＩＤＴが設けられた面、及び前記ＩＤＴが設けられていない面の両面から加熱する工程であることを特徴とする請求項１１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−２３２１３８（Ｐ２００９−２３２１３８Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７４８８５（Ｐ２００８−７４８８５）
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２４日（２００８．３．２４）
【出願人】（３９８０６７２７０）富士通メディアデバイス株式会社 (198)
【Ｆターム（参考）】
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