弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置
【課題】温度特性の調整を可能とする弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することで温度特性を調整する。
【解決手段】オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することで温度特性を調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＴカットに代表される水晶基板を用いた弾性表面波装置は、水晶が持つ高い温度安定性を利用し高精度化が図られ、発振器用途などに用いられている。近年、携帯通信機器等の普及により、高周波化、小型化に対応し、さらに温度に対して安定である高精度な弾性表面波装置が要求されている。
【０００３】
このＳＴカット水晶基板を利用した弾性表面波装置は、非特許文献１に示すように、ＩＤＴ電極の厚みにより温度特性（温度変化に対する周波数変動量の特性）が変化することが知られている。
また、面内回転ＳＴカット水晶基板を利用した弾性表面波装置は、特許文献１および非特許文献２にあるように、水晶基板のカット角、ＩＤＴ電極厚み、基準化電極幅（ＩＤＴ電極幅／ＩＤＴ電極ピッチ）の変化に対応して、温度特性が変化することも知られている。そして、これらの設計要素を考慮しながら、温度特性が所望の特性となるように弾性表面波装置の設計が行われている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５２４８７号公報
【非特許文献１】信学技報、社団法人電子情報通信学会、ＵＳ９９−２０（１９９９―０６）、ｐ．３７−４２
【非特許文献２】「Temperature Stability of Surface Acoustic Wave Resonators on In-Plane Rotated 33° Y-Cut Quartz」JJAP、Vol.４２（２００３）pp．３１３６−３１３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、水晶基板のカット角、ＩＤＴ電極厚み、基準化電極幅などは弾性表面波装置の設計上で設定され、ＩＤＴ電極を形成した後では、これらの設計要素を大きく変化させることは困難であり、温度特性の調整はほとんど行われていなかった。
このように、設計およびＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の両者において、弾性表面波装置の温度特性を調整できる知見は少ない。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、設計およびＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の両者において温度特性の調整を可能とする弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することを特徴とする。
【０００７】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【０００８】
また本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることが望ましい。
【０００９】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置を得ることができる。
【００１０】
本発明では、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることが望ましい。
【００１１】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００１２】
本発明では、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することが望ましい。
【００１３】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００１４】
本発明では、オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することを特徴とする。
【００１５】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。そして、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００１６】
本発明では、オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することが望ましい。
【００１７】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。また、この水晶基板のカット角では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの下限モードを利用した場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、高精度な温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００１８】
本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることが望ましい。
【００１９】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置を得ることができる。
【００２０】
本発明では、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずることが望ましい。
【００２１】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００２２】
本発明では、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することが望ましい。
【００２３】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００２４】
本発明の弾性表面波装置は、上記弾性表面波装置の温度特性調整方法により製造されたことを特徴とする。
【００２５】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置の温度特性が調整され、優れた温度特性を有する弾性表面波装置を提供できる。
【００２６】
本発明では、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、前記ＩＤＴ電極と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることが望ましい。
【００２７】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極が導電性材料にて接続されてＩＤＴ電極の対数が増し、温度特性が調整されて、優れた温度特性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００２８】
本発明では、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、前記反射器と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることが望ましい。
【００２９】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極の対数がＩＤＴ電極と櫛形電極の接続またはＩＤＴ電極の切断により増減され、温度特性が調整され、櫛形電極が反射器に接続されている。このようにすることで、反射器の弾性表面波の反射係数を大きくすることができ、温度特性に優れ良好な特性を備えた弾性表面波装置を提供することができる。
【００３０】
本発明は、オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする。
【００３１】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００３２】
また、本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることが望ましい。
【００３３】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００３４】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずる工程であることが望ましい。
【００３５】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００３６】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることが望ましい。
【００３７】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００３８】
また、本発明は、オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする。
【００３９】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。そして、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４０】
本発明では、オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことが望ましい。
【００４１】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。また、この水晶基板のカット角では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの下限モードを利用した場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、高精度な温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４２】
本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることが望ましい。
【００４３】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４４】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずる工程であることが望ましい。
【００４５】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００４６】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることが望ましい。
【００４７】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（第１の実施形態）
【００４９】
まず、本発明における実施形態の説明に先立ち、水晶基板の切り出し角（カット角）及び弾性表面波の伝搬方向を特定するために、オイラー角（φ，θ，ψ）表示について説明する。
図１は、オイラー角について説明するための図である。
水晶の結晶軸はＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光軸）によって定義され、オイラー角（０°，０°，０°）はＺ軸に垂直な水晶板となる。本発明において、Ｚ軸を回転軸としてＸ軸およびＹ軸を回転させる角度φはφ＝０°として固定する。
【００５０】
Ｘ軸を回転軸としてＹ軸およびＺ軸を反時計方向に角度θだけ回転させたとき、新たに生ずる座標軸を、それぞれＹ´軸およびＺ´軸とする。このＺ´軸を法線としてＸ軸とＹ´軸を含む面方位でカットしたものを、水晶基板１とする。そして、この面方位にカットした水晶基板１において、Ｚ´軸を回転軸としてＸ軸およびＹ´軸を角度ψだけ回転させたとき、新たに生ずる座標軸を、それぞれＸ´軸およびＹ″軸とする。このＸ´軸を弾性表面波装置２の弾性表面波伝搬方向とする。なお、この水晶基板１における角度ψを、面内回転角と呼び、面内回転のないときにはψ＝０°である。
このように、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示して特定することができる。
【００５１】
次に、本発明の弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置に至る経緯について説明する。
図２は弾性表面波装置の構成を説明する説明図である。図２（ａ）は、弾性表面波装置の模式平面図、図２（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
【００５２】
弾性表面波装置１０は水晶基板１１の表面にＩＤＴ電極２０を備えている。ＩＤＴ電極２０は多数の電極指２１を設けた電極１２と、多数の電極指２２を設けた電極１３から構成され、それぞれの電極指２１，２２が噛み合うように配置されている。電極指２１，２２は厚さＨ、電極幅ｄにて形成され、電極指２１と電極指２２の間隔（ピッチ）Ｐは等間隔で連続し形成されている。また、弾性表面波の１波長λ中に電極指２１，２２が１本ずつ設けられている。一般に、この構成のＩＤＴ電極２０はシングル型ＩＤＴ電極と呼ばれている。また、一つの電極指２１と一つの電極指２２で１対のＩＤＴ電極と呼び、この１対のＩＤＴ電極の数がＩＤＴ電極全体の対数として表現される。そして、電極１２，１３はお互いに逆相となるように駆動される。
また、水晶基板１１は、あるカット角となるように水晶から切り出され、矢印Ｅの方向が図１で説明した弾性表面波の伝搬方向であるＸ´軸に合致するように構成されている。
【００５３】
水晶などの圧電基板に設けたＩＤＴ電極により励振されるＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波において、ストップバンドと呼ばれる２つの周波数解が計算で得られることが知られており、この２つの周波数解である低い周波数（下限モード）あるいは、高い周波数（上限モード）のどちらか一方が励振に利用されている。上記のように、弾性表面波の１波長中に２本の電極指を設けたシングル型ＩＤＴ電極をＳＴカット水晶基板に備えた場合、ストップバンドの下限モードで弾性表面波が励振されることがわかっている。
【００５４】
ここで、本発明者は、ＩＤＴ電極の対数に着目し、このＩＤＴ電極の対数を変化させたとき、弾性表面波装置の温度特性の変化について解析を行った。
まず、ＳＴカット水晶基板を用いた場合の、ＩＤＴ電極の対数と温度特性の変化について解析した。
図３はＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
【００５５】
図３では、詳しくは、ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，０°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．０３、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．５、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）としたとき、ＩＤＴ電極の対数を９０対と２６５対の温度特性を示している。また、図３のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
図３によれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対と２６５対とでは温度特性の変化はなく、ＳＴカット水晶基板を用いた場合、ＩＤＴ電極の対数は温度特性に影響を与えない。
【００５６】
次に、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いた場合の、ＩＤＴ電極の対数と温度特性の変化について解析した。面内回転ＳＴカット水晶基板は、特許文献１にあるようにオイラー角表示（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）のカット角が使用されている。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波装置では、非特許文献２にあるようにストップバンドの下限モードが利用されている。
【００５７】
図４は面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
図４では、詳しくは、面内回転ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，４３°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．０４、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．５、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）のとき、ＩＤＴ電極の対数が７０対、９０対、１５０対、２６５対の温度特性を示している。また、図４のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
【００５８】
図４によれば、それぞれのＩＤＴ電極の対数では２次関数の温度特性曲線を示し、ある温度で周波数（周波数偏差）が最大となる頂点温度を有している。また、ＩＤＴ電極の対数が多くなるに従って、この頂点温度が低い温度に移動するのがわかる。
例えば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では頂点温度がおよそ５０℃であり、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では頂点温度がおよそ１５℃である。また、このとき、弾性表面波装置の使用温度範囲が−４０℃〜９０℃であれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では約１１０ｐｐｍ、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では約７５ｐｐｍの周波数変動量が得られる。
【００５９】
このように、ＩＤＴ電極の対数を変化させて頂点温度を調整することで、温度特性を調整することが可能である。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの下限モードを利用する弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することは、従来知られていなかったことである。
このことを利用して、弾性表面波装置の設計においてＩＤＴ電極の対数を考慮することで、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。
また、ＳＴカット水晶基板の２次温度係数は一般に−３．４×１０-8（１／℃2）であり、温度範囲を−４０℃〜９０℃とした場合、周波数変動量は約１４４ｐｐｍである。これに対して、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モードの２次温度係数は−１．４×１０-8（１／℃2）であり、温度範囲を−４０℃〜９０℃とした場合、周波数変動量は約５９ｐｐｍである。
このように、本発明に係る水晶基板のカット角（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００６０】
次に、上記で説明したＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することを利用して、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程において、温度特性を調整する方法について説明する。
図５は、本実施形態の弾性表面波装置の構成を示す模式図であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
【００６１】
弾性表面波装置３０は、水晶基板３１の表面にＩＤＴ電極３２、その両側に櫛形電極３５，３６，３７，３８、さらにその外側に反射器３３，３４を備えている。ＩＤＴ電極３２は電極指３２ｂ，３２ｄが噛み合うように配置されている。電極指３２ｂはバスバー３２ａに連結され、電極指３２ｄはバスバー３２ｃに連結されている。電極指３２ｂ，３２ｄは厚さＨ、電極幅ｄにて形成され、電極指３２ｂと電極指３２ｄの間隔（ピッチ）Ｐは等間隔で連続し形成されている。また、弾性表面波の１波長λ中に電極指３２ｂ，３２ｄが１本ずつ設けられ、シングル型のＩＤＴ電極３２が構成されている。
【００６２】
ＩＤＴ電極３２の一方の側には、ＩＤＴ電極３２とは独立した、櫛形電極３５，３６が形成されている。櫛形電極３５は電極指３５ｂ，３５ｄを備え、それぞれバスバー３５ａ、３５ｃに連結されている。同様に、櫛形電極３６は電極指３６ｂ，３６ｄを備え、それぞれバスバー３６ａ、３６ｃに連結されている。
ＩＤＴ電極３２の他方の側には、ＩＤＴ電極３２とは独立した、櫛形電極３７，３８が形成されている。櫛形電極３７は電極指３７ｂ，３７ｄを備え、それぞれバスバー３７ａ、３７ｃに連結されている。同様に、櫛形電極３８は電極指３８ｂ，３８ｄを備え、それぞれバスバー３８ａ、３８ｃに連結されている。
【００６３】
これらの櫛形電極３５，３６，３７，３８はＩＤＴ電極３２の電極指３２ｂ，３２ｄから連続して同じピッチとなるように電極指３５ｂ、３５ｄ、３６ｂ、３６ｄ、３７ｂ、３７ｄ、３８ｂ、３８ｄが配置されている。
なお、本実施形態では１対の電極指を備えた櫛形電極３５，３６，３７，３８を形成しているが、例えば５対の電極指を備えた櫛形電極としてもよく、その対数は適宜変更しても良い。
【００６４】
さらに、ＩＤＴ電極３２、櫛形電極３５，３６，３７，３８を両側から挟むように反射器３３，３４が形成されている。
また、水晶基板３１は、オイラー角表示（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）のカット角となるように水晶から切り出され、矢印Ｅの方向が図１で説明した弾性表面波の伝搬方向であるＸ´軸に合致するように構成されている。
【００６５】
次に、上記の弾性表面波装置３０を用い、温度特性を調整する手順について説明する。
図６は、弾性表面波装置における温度特性調整方法の手順を説明するフローチャート図である。また、図７、図８はその温度特性調整方法について説明する模式平面図である。ここでは図６のフローチャート図に従い、図７、図８を参照して温度特性調整方法について説明する。
【００６６】
まず、ステップＳ１にて図５で説明した弾性表面波装置３０の温度特性を測定する。次にステップＳ２で、測定した温度特性に基づき温度特性の頂点温度が所望の範囲に入っているかどうかを確認する。温度特性の頂点温度が所望の範囲に入っていない場合には、ステップＳ３に進み、測定した温度特性の頂点温度が所望の範囲に対して高いかどうかを判断する。そして、頂点温度が所望の範囲に対して低い場合には、ステップＳ４に進み、ＩＤＴ電極３２を切断する作業に入る。
【００６７】
ここで、ＩＤＴ電極３２の切断は図７（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３２の両側から切断線Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って、所望の対数のＩＤＴ電極を切断する。ＩＤＴ電極３２の切断にあたっては、レーザ光をＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃに照射して、このバスバー３２ａ，３２ｃを切断する。この切断により、電極指がバスバー４１ａ，４１ｃ，４２ａ，４２ｃに連結された櫛形電極４１，４２がＩＤＴ電極３２から切り離される。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数を切り離すのが好ましい。
【００６８】
次に、ステップＳ１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、頂点温度が所望の範囲に入るまでステップＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が繰り返され、ステップＳ２で頂点温度が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ６に進み、反射器３３，３４に独立している櫛形電極を接続する作業に入る。
【００６９】
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図７（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。続いて櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。そして、櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃと櫛形電極４１のバスバー４１ａ，４１ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
また、反射器３４と櫛形電極３８、３７、４２の接続においても、同様に、それぞれのバスバーの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
液滴４５の塗布後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６，３５，４１および反射器３４と櫛形電極３８，３７，４２の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００７０】
また、図６のステップＳ３において、頂点温度が所望の範囲に対して高い場合には、ステップＳ５に進み、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続する作業に入る。
この櫛形電極を接続する作業は、所望のＩＤＴ電極の対数に相当する櫛形電極をＩＤＴ電極３２に、接続する作業である。図８（ａ）に示すように、まず、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３７のバスバー３７ａ，３７ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極３５，３７が接続され、電気的な導通がなされる。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数となる櫛形電極を接続するのが好ましい。
【００７１】
次に、ステップＳ１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、頂点温度が所望の範囲に入るまでステップＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５が繰り返され、ステップＳ２で頂点温度が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ６に進み、反射器３３，３４に独立している櫛形電極を接続する作業に入る。
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図８（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、同様に、反射器３４と櫛形電極３８のバスバー３８ａ，３８ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６および反射器３４と櫛形電極３８の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００７２】
以上のように、本実施形態では、ＩＤＴ電極３２を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極３２を切断してＩＤＴ電極３２の対数を減らすことで、温度特性の頂点温度を高温側に調整でき、また、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続することで温度特性の頂点温度を低温側に調整することができる。このようにして、面内回転ＳＴカット水晶基板３１を用い、シングル型のＩＤＴ電極３２を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置３０において、従来知られていなかったＩＤＴ電極３２の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置３０の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置３０を得ることができる。
【００７３】
また、ＩＤＴ電極３２にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極３２を切断でき、ＩＤＴ電極３２の電極指の対数を減ずることができる。さらに、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極３２と櫛形電極を接続することができる。
そして、反射器３３，３４に櫛形電極を接続することで、櫛形電極を反射器として利用することができるため、反射器の反射係数を大きくでき、良好な特性の弾性表面波装置３０を得ることができる。
（第２の実施形態）
【００７４】
続いて、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置における実施形態について説明する。
従来より知られたＳＴカット水晶基板はオイラー角表示で、例えば（０°，１２３°，０°）があり、この基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成した場合、弾性表面波が励振されるのはストップバンドにおける下限モードである。
シングル型ＩＤＴ電極において、弾性表面波のストップバンドの上限モード、下限モードが励振されるかどうかは、それぞれのモードの周波数での短絡条件と開放条件における周波数の差により決まり、周波数差があれば、そのモードは励振されることが分かっている。
【００７５】
表１は、シングル型ＩＤＴ電極を用いたＳＴカット水晶基板および本発明に係るカット角の水晶基板において、上限モードでの短絡条件と開放条件における周波数の差を示す表である。
この表１では、弾性表面波の波長λ＝１０μｍとし、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）、及び電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λの条件を変えて示している。また、上限モードにおける短絡条件の周波数をｆｕｓ、上限モードにおける開放条件の周波数をｆｕｏとし、その差を絶対値で示している。
【００７６】
【表１】
【００７７】
表１において、条件ＡはＳＴカット水晶基板を用い、η＝０．５，Ｈ／λ＝０．０３の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０となっている。また、条件ＢはＳＴカット水晶基板を用い、η＝０．７，Ｈ／λ＝０．１０の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０となっている。
このように、ＳＴカット水晶基板を用いた場合には、ＩＤＴ電極における電極指の寸法が変わってもストップバンドの上限モードでは弾性表面波を励振できないことがわかる。
【００７８】
次に、本発明で利用するカット角であるオイラー角（０°，１２３°，４１°）の水晶基板を例にとり説明する。
条件Ｃでは本発明に係るカット角の水晶基板を用い、η＝０．５，Ｈ／λ＝０．０３の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０．００１５ＭＨｚとなっている。
また、同様に条件Ｄでは本発明に係るカット角の水晶基板を用い、η＝０．７，Ｈ／λ＝０．１０の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０．１６６７ＭＨｚとなっている。
このように、上記のような水晶基板を用いた場合には、ストップバンドの上限モードで弾性表面波を励振できることがわかる。このことは、水晶の結晶における対称性についてカット角をずらすことで非対称とし、上限モードの弾性表面波を励振可能としている。
【００７９】
次に、ストップバンドの上限モードを利用し、本実施形態のカット角の水晶基板を用いた場合の温度に対する周波数変動について説明する。
図９は、本実施形態における弾性表面波装置の温度に対する周波数変動量を示すグラフである。なお、周波数変動量＝周波数偏差の最大値−周波数偏差の最小値であり、周波数偏差＝（各温度における周波数−２５℃における周波数）／２５℃における周波数である。
条件として、温度範囲を−４０℃〜９０℃、シングル型ＩＤＴ電極における基準化電極幅ｄ／Ｐ＝０．７、基準化電極厚みＨ／λ＝０．１０としている。そして、水晶基板のカット角をφ＝０°に固定し、θ＝０°〜１８０°間で面内回転角ψ＝０°〜９０°を変化させたときに周波数変動量が最適値（最小値）となる周波数変動量を黒丸印で示している。また、そのときの面内回転角ψを三角印で示している。例えば、φ＝０°，θ＝４０°のとき、ψ＝０°〜９０°間で変化させた場合の、周波数変動量の最小値はおよそ８０ｐｐｍであり、そのときの面内回転角ψはおよそ１２°である。
なお、ψは水晶結晶の対称性から、プラス及びマイナスのどちら側の角度を用いても結果は同じであり、実施可能である。また、オイラー角による表記にこだわらず、結晶学的に等価なカット角の水晶基板を用いても良い。
【００８０】
このように、カット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、弾性表面波の伝搬方向を水晶基板における結晶の対称位置から離れた位置に移動させることができ、シングル型ＩＤＴ電極を用いて弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させることができる。
また、図９よりカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、ＳＴカット水晶基板を用いた場合より周波数変動量が小さくすることができる。さらにカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、下限モードを利用した場合より周波数変動量が小さいことがわかる。
【００８１】
図１０は面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの上限モードを励振する弾性表面波装置のＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
図１０では、詳しくは、面内回転ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，４１°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．１０、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．７、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）のとき、ＩＤＴ電極の対数が５０対、７０対、９０対、１５０対、２６５対の温度特性を示している。また、図１０のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
【００８２】
図１０によれば、それぞれのＩＤＴ電極の対数では３次関数の温度特性を示している。ＩＤＴ電極の対数が少なくなると温度特性曲線が右回転したように現れる。これは温度特性曲線をテーラー展開したときの１次温度係数が減少したことに相当する。例えば、ＩＤＴ電極の対数が２６５対の場合、１次温度係数はほぼ０であるのに対して、９０対の場合、１次温度係数は負の値を持っている。また、このとき、弾性表面波装置の使用温度範囲が−４０℃〜９０℃であれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では約６７ｐｐｍ、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では約１０ｐｐｍの周波数変動量が得られる。
【００８３】
このように、ＩＤＴ電極の対数を変化させて３次関数の１次温度係数を調整することで、温度特性を調整することが可能である。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することは、従来知られていなかったことである。
このことを利用して、弾性表面波装置の設計においてＩＤＴ電極の対数を考慮することで、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。
また、この水晶基板のカット角（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モード場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００８４】
次に、上記で説明したＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することを利用して、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程において、温度特性を調整する方法について説明する。
本実施形態で用いる弾性表面波装置は第１の実施形態の図５で説明した弾性表面波装置３０と同様な構成を備え、水晶基板３１のカット角のみ異なるため、構成の説明を省略する。
本実施形態の弾性表面波装置３０は、水晶基板３１のカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）としており、ストップバンドの上限モードを励振する。
【００８５】
このような弾性表面波装置３０を用い、温度特性を調整する手順について説明する。
図１１は、弾性表面波装置における温度特性調整方法の手順を説明するフローチャート図である。また、第１の実施形態において温度特性調整方法について説明した図７、図８についても同様な調整作業を行うため、これらの図を用いて説明する。ここでは図１１のフローチャート図に従い、図７、図８を参照して温度特性調整方法について説明する。
【００８６】
まず、ステップＳ１１にて弾性表面波装置３０の温度特性を測定する。次にステップＳ１２で、測定した温度特性に基づき温度特性の１次温度係数が所望の範囲に入っているかどうかを確認する。温度特性の１次温度係数が所望の範囲に入っていない場合には、ステップＳ１３に進み、測定した温度特性の１次温度係数が所望の範囲に対して小さいかどうかを判断する。そして、１次温度係数が所望の範囲に対して大きい場合には、ステップＳ１４に進み、ＩＤＴ電極３２を切断する作業に入る。
ここで、ＩＤＴ電極３２の切断は図７（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３２の両側から切断線Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って、所望の対数のＩＤＴ電極を切断する。ＩＤＴ電極３２の切断にあたってはレーザ光をＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃに照射して、このバスバー３２ａ，３２ｃを切断する。この切断により、電極指がバスバー４１ａ，４１ｃ，４２ａ，４２ｃに連結された櫛形電極４１，４２がＩＤＴ電極３２から切り離される。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数を切り離すのが好ましい。
【００８７】
次に、ステップＳ１１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、１次温度係数が所望の範囲に入るまでステップＳ１１以降、ステップＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１４が繰り返され、ステップＳ１２で１次温度係数が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ１６に進み、反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業に入る。
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図７（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。続いて櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。そして、櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃと櫛形電極４１のバスバー４１ａ，４１ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
また、反射器３４と櫛形電極３８、３７、４２の接続においても、同様に、それぞれのバスバーの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
液滴４５の塗布後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６，３５，４１および反射器３４と櫛形電極３８，３７，４２の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００８８】
また、図１１のステップＳ１３において、１次温度係数が所望の範囲に対して小さい場合には、ステップＳ１５に進み、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続する作業に入る。
この櫛形電極を接続する作業は、所望のＩＤＴ電極の対数に相当する櫛形電極をＩＤＴ電極３２に、接続する作業である。図８（ａ）に示すように、まず、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３７のバスバー３７ａ，３７ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極３５，３７が接続され、電気的な導通がなされる。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数となる櫛形電極を接続するのが好ましい。
【００８９】
次に、ステップＳ１１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、１次温度係数が所望の範囲に入るまでステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１５が繰り返され、ステップＳ１２で１次温度係数が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ１６に進み、反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業に入る。反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図８（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、同様に、反射器３４と櫛形電極３８のバスバー３８ａ，３８ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６および反射器３４と櫛形電極３８の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００９０】
以上のように、本実施形態では、ＩＤＴ電極３２を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極３２を切断してＩＤＴ電極３２の対数を減らすことで、温度特性の１次温度係数を小さくして、温度特性曲線を右回転させるように調整でき、また、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続することで温度特性の１次温度係数を大きくして、温度特性曲線を左回転させるように調整することができる。
このようにして、面内回転ＳＴカット水晶基板３１を用い、シングル型のＩＤＴ電極３２を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置３０において、従来知られていなかったＩＤＴ電極３２の対数を変化させることで温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置３０の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置３０を得ることができる。
また、ＩＤＴ電極３２にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極３２を切断でき、ＩＤＴ電極３２の電極指の対数を減ずることができる。さらに、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極３２と櫛形電極を接続することができる。
そして、反射器３３，３４に櫛形電極を接続することで、櫛形電極を反射器として利用することができるため、反射器の反射係数を大きくでき、良好な特性の弾性表面波装置３０を得ることができる。
また、水晶基板のカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）とすれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モードを利用する場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
（第３の実施形態）
【００９１】
次に、弾性表面波装置の製造方法について説明する。
図１２は弾性表面波装置の製造工程を説明するフローチャート図である。
弾性表面波装置の製造方法は、まず、水晶基板の表面にＡｌなどの金属膜を所定の厚みで形成し、この金属膜にフォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＤＴ電極および反射器の形状を形成する（ステップＳ２１）。次に、ＩＤＴ電極の電極をエッチングまたは、ＩＤＴ電極周辺の水晶基板をエッチングして弾性表面波装置の周波数を調整する（ステップＳ２２）。続いて、第１の実施形態、第２の実施形態で説明した温度特性調整方法で弾性表面波装置の温度特性の調整を行う（ステップＳ２３）。このようにして、各工程を流動して弾性表面波装置の製造がなされている。
【００９２】
以上のように、本実施形態の弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードまたは上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度または３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００９３】
なお、本発明は、弾性表面波装置としてＳＡＷ共振子または共振子型弾性表面波フィルタなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】オイラー角について説明するための図。
【図２】弾性表面波装置の構成を説明する説明図であり、（ａ）は弾性表面波装置の模式平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図。
【図３】ＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図４】面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、下限モードを励振させるＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図５】第１の実施形態に係る弾性表面波装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図。
【図６】第１の実施形態に係る温度特性調整方法の手順を示すフローチャート図。
【図７】第１および第２の実施形態の温度特性調整方法について説明する模式平面図。
【図８】第１および第２の実施形態の温度特性調整方法について説明する模式平面図。
【図９】第２の実施形態における弾性表面波装置の周波数変動量および基板切り出し角度θおよびψを示すグラフ。
【図１０】面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、上限モードを励振させるＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図１１】第２の実施形態に係る温度特性調整方法の手順を示すフローチャート図。
【図１２】第３の実施形態における弾性表面波装置の製造方法を説明するフローチャート図。
【符号の説明】
【００９５】
３０…弾性表面波装置、３１…水晶基板、３２…ＩＤＴ電極、３２ｂ，３２ｄ…電極指、３３，３４…反射器、３５，３６，３７，３８…櫛形電極、４５…導電性材料を含む液滴。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＴカットに代表される水晶基板を用いた弾性表面波装置は、水晶が持つ高い温度安定性を利用し高精度化が図られ、発振器用途などに用いられている。近年、携帯通信機器等の普及により、高周波化、小型化に対応し、さらに温度に対して安定である高精度な弾性表面波装置が要求されている。
【０００３】
このＳＴカット水晶基板を利用した弾性表面波装置は、非特許文献１に示すように、ＩＤＴ電極の厚みにより温度特性（温度変化に対する周波数変動量の特性）が変化することが知られている。
また、面内回転ＳＴカット水晶基板を利用した弾性表面波装置は、特許文献１および非特許文献２にあるように、水晶基板のカット角、ＩＤＴ電極厚み、基準化電極幅（ＩＤＴ電極幅／ＩＤＴ電極ピッチ）の変化に対応して、温度特性が変化することも知られている。そして、これらの設計要素を考慮しながら、温度特性が所望の特性となるように弾性表面波装置の設計が行われている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５２４８７号公報
【非特許文献１】信学技報、社団法人電子情報通信学会、ＵＳ９９−２０（１９９９―０６）、ｐ．３７−４２
【非特許文献２】「Temperature Stability of Surface Acoustic Wave Resonators on In-Plane Rotated 33° Y-Cut Quartz」JJAP、Vol.４２（２００３）pp．３１３６−３１３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、水晶基板のカット角、ＩＤＴ電極厚み、基準化電極幅などは弾性表面波装置の設計上で設定され、ＩＤＴ電極を形成した後では、これらの設計要素を大きく変化させることは困難であり、温度特性の調整はほとんど行われていなかった。
このように、設計およびＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の両者において、弾性表面波装置の温度特性を調整できる知見は少ない。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、設計およびＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の両者において温度特性の調整を可能とする弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することを特徴とする。
【０００７】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【０００８】
また本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることが望ましい。
【０００９】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置を得ることができる。
【００１０】
本発明では、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることが望ましい。
【００１１】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００１２】
本発明では、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することが望ましい。
【００１３】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００１４】
本発明では、オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することを特徴とする。
【００１５】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。そして、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００１６】
本発明では、オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することが望ましい。
【００１７】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。また、この水晶基板のカット角では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの下限モードを利用した場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、高精度な温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００１８】
本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることが望ましい。
【００１９】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置を得ることができる。
【００２０】
本発明では、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずることが望ましい。
【００２１】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００２２】
本発明では、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することが望ましい。
【００２３】
この弾性表面波装置の温度特性調整方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００２４】
本発明の弾性表面波装置は、上記弾性表面波装置の温度特性調整方法により製造されたことを特徴とする。
【００２５】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置の温度特性が調整され、優れた温度特性を有する弾性表面波装置を提供できる。
【００２６】
本発明では、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、前記ＩＤＴ電極と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることが望ましい。
【００２７】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極が導電性材料にて接続されてＩＤＴ電極の対数が増し、温度特性が調整されて、優れた温度特性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００２８】
本発明では、水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、前記反射器と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることが望ましい。
【００２９】
この弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極の対数がＩＤＴ電極と櫛形電極の接続またはＩＤＴ電極の切断により増減され、温度特性が調整され、櫛形電極が反射器に接続されている。このようにすることで、反射器の弾性表面波の反射係数を大きくすることができ、温度特性に優れ良好な特性を備えた弾性表面波装置を提供することができる。
【００３０】
本発明は、オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする。
【００３１】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００３２】
また、本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることが望ましい。
【００３３】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００３４】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずる工程であることが望ましい。
【００３５】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００３６】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることが望ましい。
【００３７】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【００３８】
また、本発明は、オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする。
【００３９】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。そして、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４０】
本発明では、オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことが望ましい。
【００４１】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することができ、弾性表面波装置の温度特性を調整することが可能である。また、この水晶基板のカット角では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの下限モードを利用した場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、高精度な温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４２】
本発明では、前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることが望ましい。
【００４３】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続すること、またはＩＤＴ電極を切断することでＩＤＴ電極の対数を増減することができる。そして、弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００４４】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずる工程であることが望ましい。
【００４５】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極を切断でき、ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることができる。
【００４６】
本発明では、前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることが望ましい。
【００４７】
この弾性表面波装置の製造方法によれば、ＩＤＴ電極と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極と櫛形電極を接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（第１の実施形態）
【００４９】
まず、本発明における実施形態の説明に先立ち、水晶基板の切り出し角（カット角）及び弾性表面波の伝搬方向を特定するために、オイラー角（φ，θ，ψ）表示について説明する。
図１は、オイラー角について説明するための図である。
水晶の結晶軸はＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光軸）によって定義され、オイラー角（０°，０°，０°）はＺ軸に垂直な水晶板となる。本発明において、Ｚ軸を回転軸としてＸ軸およびＹ軸を回転させる角度φはφ＝０°として固定する。
【００５０】
Ｘ軸を回転軸としてＹ軸およびＺ軸を反時計方向に角度θだけ回転させたとき、新たに生ずる座標軸を、それぞれＹ´軸およびＺ´軸とする。このＺ´軸を法線としてＸ軸とＹ´軸を含む面方位でカットしたものを、水晶基板１とする。そして、この面方位にカットした水晶基板１において、Ｚ´軸を回転軸としてＸ軸およびＹ´軸を角度ψだけ回転させたとき、新たに生ずる座標軸を、それぞれＸ´軸およびＹ″軸とする。このＸ´軸を弾性表面波装置２の弾性表面波伝搬方向とする。なお、この水晶基板１における角度ψを、面内回転角と呼び、面内回転のないときにはψ＝０°である。
このように、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示して特定することができる。
【００５１】
次に、本発明の弾性表面波装置の温度特性調整方法および弾性表面波装置に至る経緯について説明する。
図２は弾性表面波装置の構成を説明する説明図である。図２（ａ）は、弾性表面波装置の模式平面図、図２（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
【００５２】
弾性表面波装置１０は水晶基板１１の表面にＩＤＴ電極２０を備えている。ＩＤＴ電極２０は多数の電極指２１を設けた電極１２と、多数の電極指２２を設けた電極１３から構成され、それぞれの電極指２１，２２が噛み合うように配置されている。電極指２１，２２は厚さＨ、電極幅ｄにて形成され、電極指２１と電極指２２の間隔（ピッチ）Ｐは等間隔で連続し形成されている。また、弾性表面波の１波長λ中に電極指２１，２２が１本ずつ設けられている。一般に、この構成のＩＤＴ電極２０はシングル型ＩＤＴ電極と呼ばれている。また、一つの電極指２１と一つの電極指２２で１対のＩＤＴ電極と呼び、この１対のＩＤＴ電極の数がＩＤＴ電極全体の対数として表現される。そして、電極１２，１３はお互いに逆相となるように駆動される。
また、水晶基板１１は、あるカット角となるように水晶から切り出され、矢印Ｅの方向が図１で説明した弾性表面波の伝搬方向であるＸ´軸に合致するように構成されている。
【００５３】
水晶などの圧電基板に設けたＩＤＴ電極により励振されるＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波において、ストップバンドと呼ばれる２つの周波数解が計算で得られることが知られており、この２つの周波数解である低い周波数（下限モード）あるいは、高い周波数（上限モード）のどちらか一方が励振に利用されている。上記のように、弾性表面波の１波長中に２本の電極指を設けたシングル型ＩＤＴ電極をＳＴカット水晶基板に備えた場合、ストップバンドの下限モードで弾性表面波が励振されることがわかっている。
【００５４】
ここで、本発明者は、ＩＤＴ電極の対数に着目し、このＩＤＴ電極の対数を変化させたとき、弾性表面波装置の温度特性の変化について解析を行った。
まず、ＳＴカット水晶基板を用いた場合の、ＩＤＴ電極の対数と温度特性の変化について解析した。
図３はＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
【００５５】
図３では、詳しくは、ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，０°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．０３、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．５、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）としたとき、ＩＤＴ電極の対数を９０対と２６５対の温度特性を示している。また、図３のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
図３によれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対と２６５対とでは温度特性の変化はなく、ＳＴカット水晶基板を用いた場合、ＩＤＴ電極の対数は温度特性に影響を与えない。
【００５６】
次に、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いた場合の、ＩＤＴ電極の対数と温度特性の変化について解析した。面内回転ＳＴカット水晶基板は、特許文献１にあるようにオイラー角表示（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）のカット角が使用されている。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波装置では、非特許文献２にあるようにストップバンドの下限モードが利用されている。
【００５７】
図４は面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
図４では、詳しくは、面内回転ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，４３°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．０４、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．５、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）のとき、ＩＤＴ電極の対数が７０対、９０対、１５０対、２６５対の温度特性を示している。また、図４のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
【００５８】
図４によれば、それぞれのＩＤＴ電極の対数では２次関数の温度特性曲線を示し、ある温度で周波数（周波数偏差）が最大となる頂点温度を有している。また、ＩＤＴ電極の対数が多くなるに従って、この頂点温度が低い温度に移動するのがわかる。
例えば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では頂点温度がおよそ５０℃であり、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では頂点温度がおよそ１５℃である。また、このとき、弾性表面波装置の使用温度範囲が−４０℃〜９０℃であれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では約１１０ｐｐｍ、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では約７５ｐｐｍの周波数変動量が得られる。
【００５９】
このように、ＩＤＴ電極の対数を変化させて頂点温度を調整することで、温度特性を調整することが可能である。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの下限モードを利用する弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することは、従来知られていなかったことである。
このことを利用して、弾性表面波装置の設計においてＩＤＴ電極の対数を考慮することで、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。
また、ＳＴカット水晶基板の２次温度係数は一般に−３．４×１０-8（１／℃2）であり、温度範囲を−４０℃〜９０℃とした場合、周波数変動量は約１４４ｐｐｍである。これに対して、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モードの２次温度係数は−１．４×１０-8（１／℃2）であり、温度範囲を−４０℃〜９０℃とした場合、周波数変動量は約５９ｐｐｍである。
このように、本発明に係る水晶基板のカット角（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００６０】
次に、上記で説明したＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することを利用して、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程において、温度特性を調整する方法について説明する。
図５は、本実施形態の弾性表面波装置の構成を示す模式図であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
【００６１】
弾性表面波装置３０は、水晶基板３１の表面にＩＤＴ電極３２、その両側に櫛形電極３５，３６，３７，３８、さらにその外側に反射器３３，３４を備えている。ＩＤＴ電極３２は電極指３２ｂ，３２ｄが噛み合うように配置されている。電極指３２ｂはバスバー３２ａに連結され、電極指３２ｄはバスバー３２ｃに連結されている。電極指３２ｂ，３２ｄは厚さＨ、電極幅ｄにて形成され、電極指３２ｂと電極指３２ｄの間隔（ピッチ）Ｐは等間隔で連続し形成されている。また、弾性表面波の１波長λ中に電極指３２ｂ，３２ｄが１本ずつ設けられ、シングル型のＩＤＴ電極３２が構成されている。
【００６２】
ＩＤＴ電極３２の一方の側には、ＩＤＴ電極３２とは独立した、櫛形電極３５，３６が形成されている。櫛形電極３５は電極指３５ｂ，３５ｄを備え、それぞれバスバー３５ａ、３５ｃに連結されている。同様に、櫛形電極３６は電極指３６ｂ，３６ｄを備え、それぞれバスバー３６ａ、３６ｃに連結されている。
ＩＤＴ電極３２の他方の側には、ＩＤＴ電極３２とは独立した、櫛形電極３７，３８が形成されている。櫛形電極３７は電極指３７ｂ，３７ｄを備え、それぞれバスバー３７ａ、３７ｃに連結されている。同様に、櫛形電極３８は電極指３８ｂ，３８ｄを備え、それぞれバスバー３８ａ、３８ｃに連結されている。
【００６３】
これらの櫛形電極３５，３６，３７，３８はＩＤＴ電極３２の電極指３２ｂ，３２ｄから連続して同じピッチとなるように電極指３５ｂ、３５ｄ、３６ｂ、３６ｄ、３７ｂ、３７ｄ、３８ｂ、３８ｄが配置されている。
なお、本実施形態では１対の電極指を備えた櫛形電極３５，３６，３７，３８を形成しているが、例えば５対の電極指を備えた櫛形電極としてもよく、その対数は適宜変更しても良い。
【００６４】
さらに、ＩＤＴ電極３２、櫛形電極３５，３６，３７，３８を両側から挟むように反射器３３，３４が形成されている。
また、水晶基板３１は、オイラー角表示（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）のカット角となるように水晶から切り出され、矢印Ｅの方向が図１で説明した弾性表面波の伝搬方向であるＸ´軸に合致するように構成されている。
【００６５】
次に、上記の弾性表面波装置３０を用い、温度特性を調整する手順について説明する。
図６は、弾性表面波装置における温度特性調整方法の手順を説明するフローチャート図である。また、図７、図８はその温度特性調整方法について説明する模式平面図である。ここでは図６のフローチャート図に従い、図７、図８を参照して温度特性調整方法について説明する。
【００６６】
まず、ステップＳ１にて図５で説明した弾性表面波装置３０の温度特性を測定する。次にステップＳ２で、測定した温度特性に基づき温度特性の頂点温度が所望の範囲に入っているかどうかを確認する。温度特性の頂点温度が所望の範囲に入っていない場合には、ステップＳ３に進み、測定した温度特性の頂点温度が所望の範囲に対して高いかどうかを判断する。そして、頂点温度が所望の範囲に対して低い場合には、ステップＳ４に進み、ＩＤＴ電極３２を切断する作業に入る。
【００６７】
ここで、ＩＤＴ電極３２の切断は図７（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３２の両側から切断線Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って、所望の対数のＩＤＴ電極を切断する。ＩＤＴ電極３２の切断にあたっては、レーザ光をＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃに照射して、このバスバー３２ａ，３２ｃを切断する。この切断により、電極指がバスバー４１ａ，４１ｃ，４２ａ，４２ｃに連結された櫛形電極４１，４２がＩＤＴ電極３２から切り離される。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数を切り離すのが好ましい。
【００６８】
次に、ステップＳ１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、頂点温度が所望の範囲に入るまでステップＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が繰り返され、ステップＳ２で頂点温度が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ６に進み、反射器３３，３４に独立している櫛形電極を接続する作業に入る。
【００６９】
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図７（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。続いて櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。そして、櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃと櫛形電極４１のバスバー４１ａ，４１ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
また、反射器３４と櫛形電極３８、３７、４２の接続においても、同様に、それぞれのバスバーの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
液滴４５の塗布後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６，３５，４１および反射器３４と櫛形電極３８，３７，４２の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００７０】
また、図６のステップＳ３において、頂点温度が所望の範囲に対して高い場合には、ステップＳ５に進み、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続する作業に入る。
この櫛形電極を接続する作業は、所望のＩＤＴ電極の対数に相当する櫛形電極をＩＤＴ電極３２に、接続する作業である。図８（ａ）に示すように、まず、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３７のバスバー３７ａ，３７ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極３５，３７が接続され、電気的な導通がなされる。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数となる櫛形電極を接続するのが好ましい。
【００７１】
次に、ステップＳ１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、頂点温度が所望の範囲に入るまでステップＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ５が繰り返され、ステップＳ２で頂点温度が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ６に進み、反射器３３，３４に独立している櫛形電極を接続する作業に入る。
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図８（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、同様に、反射器３４と櫛形電極３８のバスバー３８ａ，３８ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６および反射器３４と櫛形電極３８の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００７２】
以上のように、本実施形態では、ＩＤＴ電極３２を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極３２を切断してＩＤＴ電極３２の対数を減らすことで、温度特性の頂点温度を高温側に調整でき、また、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続することで温度特性の頂点温度を低温側に調整することができる。このようにして、面内回転ＳＴカット水晶基板３１を用い、シングル型のＩＤＴ電極３２を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置３０において、従来知られていなかったＩＤＴ電極３２の対数を変化させることで温度特性の頂点温度を調整し、弾性表面波装置３０の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置３０を得ることができる。
【００７３】
また、ＩＤＴ電極３２にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極３２を切断でき、ＩＤＴ電極３２の電極指の対数を減ずることができる。さらに、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極３２と櫛形電極を接続することができる。
そして、反射器３３，３４に櫛形電極を接続することで、櫛形電極を反射器として利用することができるため、反射器の反射係数を大きくでき、良好な特性の弾性表面波装置３０を得ることができる。
（第２の実施形態）
【００７４】
続いて、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置における実施形態について説明する。
従来より知られたＳＴカット水晶基板はオイラー角表示で、例えば（０°，１２３°，０°）があり、この基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成した場合、弾性表面波が励振されるのはストップバンドにおける下限モードである。
シングル型ＩＤＴ電極において、弾性表面波のストップバンドの上限モード、下限モードが励振されるかどうかは、それぞれのモードの周波数での短絡条件と開放条件における周波数の差により決まり、周波数差があれば、そのモードは励振されることが分かっている。
【００７５】
表１は、シングル型ＩＤＴ電極を用いたＳＴカット水晶基板および本発明に係るカット角の水晶基板において、上限モードでの短絡条件と開放条件における周波数の差を示す表である。
この表１では、弾性表面波の波長λ＝１０μｍとし、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）、及び電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λの条件を変えて示している。また、上限モードにおける短絡条件の周波数をｆｕｓ、上限モードにおける開放条件の周波数をｆｕｏとし、その差を絶対値で示している。
【００７６】
【表１】
【００７７】
表１において、条件ＡはＳＴカット水晶基板を用い、η＝０．５，Ｈ／λ＝０．０３の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０となっている。また、条件ＢはＳＴカット水晶基板を用い、η＝０．７，Ｈ／λ＝０．１０の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０となっている。
このように、ＳＴカット水晶基板を用いた場合には、ＩＤＴ電極における電極指の寸法が変わってもストップバンドの上限モードでは弾性表面波を励振できないことがわかる。
【００７８】
次に、本発明で利用するカット角であるオイラー角（０°，１２３°，４１°）の水晶基板を例にとり説明する。
条件Ｃでは本発明に係るカット角の水晶基板を用い、η＝０．５，Ｈ／λ＝０．０３の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０．００１５ＭＨｚとなっている。
また、同様に条件Ｄでは本発明に係るカット角の水晶基板を用い、η＝０．７，Ｈ／λ＝０．１０の場合であり、上限モードにおける短絡条件の周波数と開放条件の周波数の差は０．１６６７ＭＨｚとなっている。
このように、上記のような水晶基板を用いた場合には、ストップバンドの上限モードで弾性表面波を励振できることがわかる。このことは、水晶の結晶における対称性についてカット角をずらすことで非対称とし、上限モードの弾性表面波を励振可能としている。
【００７９】
次に、ストップバンドの上限モードを利用し、本実施形態のカット角の水晶基板を用いた場合の温度に対する周波数変動について説明する。
図９は、本実施形態における弾性表面波装置の温度に対する周波数変動量を示すグラフである。なお、周波数変動量＝周波数偏差の最大値−周波数偏差の最小値であり、周波数偏差＝（各温度における周波数−２５℃における周波数）／２５℃における周波数である。
条件として、温度範囲を−４０℃〜９０℃、シングル型ＩＤＴ電極における基準化電極幅ｄ／Ｐ＝０．７、基準化電極厚みＨ／λ＝０．１０としている。そして、水晶基板のカット角をφ＝０°に固定し、θ＝０°〜１８０°間で面内回転角ψ＝０°〜９０°を変化させたときに周波数変動量が最適値（最小値）となる周波数変動量を黒丸印で示している。また、そのときの面内回転角ψを三角印で示している。例えば、φ＝０°，θ＝４０°のとき、ψ＝０°〜９０°間で変化させた場合の、周波数変動量の最小値はおよそ８０ｐｐｍであり、そのときの面内回転角ψはおよそ１２°である。
なお、ψは水晶結晶の対称性から、プラス及びマイナスのどちら側の角度を用いても結果は同じであり、実施可能である。また、オイラー角による表記にこだわらず、結晶学的に等価なカット角の水晶基板を用いても良い。
【００８０】
このように、カット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、弾性表面波の伝搬方向を水晶基板における結晶の対称位置から離れた位置に移動させることができ、シングル型ＩＤＴ電極を用いて弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させることができる。
また、図９よりカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、ＳＴカット水晶基板を用いた場合より周波数変動量が小さくすることができる。さらにカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）とした水晶基板において、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、下限モードを利用した場合より周波数変動量が小さいことがわかる。
【００８１】
図１０は面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、ストップバンドの上限モードを励振する弾性表面波装置のＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフである。
図１０では、詳しくは、面内回転ＳＴカット水晶基板としてオイラー角表示（０°，１２３°，４１°）の基板を用いてシングル型ＩＤＴ電極を構成し、電極指の厚さＨを波長λで除した基準化電極厚みＨ／λ＝０．１０、電極指の幅ｄを電極指のピッチＰで除した基準化電極幅η（ｄ／Ｐ）＝０．７、電極指の交差する交差幅＝３２λ（λ＝１０μｍ）のとき、ＩＤＴ電極の対数が５０対、７０対、９０対、１５０対、２６５対の温度特性を示している。また、図１０のグラフでは、２０℃のときの周波数を基準にした周波数偏差を縦軸にとり、温度を横軸にとり示している。
【００８２】
図１０によれば、それぞれのＩＤＴ電極の対数では３次関数の温度特性を示している。ＩＤＴ電極の対数が少なくなると温度特性曲線が右回転したように現れる。これは温度特性曲線をテーラー展開したときの１次温度係数が減少したことに相当する。例えば、ＩＤＴ電極の対数が２６５対の場合、１次温度係数はほぼ０であるのに対して、９０対の場合、１次温度係数は負の値を持っている。また、このとき、弾性表面波装置の使用温度範囲が−４０℃〜９０℃であれば、ＩＤＴ電極の対数が９０対では約６７ｐｐｍ、ＩＤＴ電極の対数が２６５対では約１０ｐｐｍの周波数変動量が得られる。
【００８３】
このように、ＩＤＴ電極の対数を変化させて３次関数の１次温度係数を調整することで、温度特性を調整することが可能である。この面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型ＩＤＴ電極を設けた弾性表面波のストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、ＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することは、従来知られていなかったことである。
このことを利用して、弾性表面波装置の設計においてＩＤＴ電極の対数を考慮することで、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。
また、この水晶基板のカット角（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）では、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モード場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
【００８４】
次に、上記で説明したＩＤＴ電極の対数により温度特性が変化することを利用して、ＩＤＴ電極を形成した後の製造工程において、温度特性を調整する方法について説明する。
本実施形態で用いる弾性表面波装置は第１の実施形態の図５で説明した弾性表面波装置３０と同様な構成を備え、水晶基板３１のカット角のみ異なるため、構成の説明を省略する。
本実施形態の弾性表面波装置３０は、水晶基板３１のカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）としており、ストップバンドの上限モードを励振する。
【００８５】
このような弾性表面波装置３０を用い、温度特性を調整する手順について説明する。
図１１は、弾性表面波装置における温度特性調整方法の手順を説明するフローチャート図である。また、第１の実施形態において温度特性調整方法について説明した図７、図８についても同様な調整作業を行うため、これらの図を用いて説明する。ここでは図１１のフローチャート図に従い、図７、図８を参照して温度特性調整方法について説明する。
【００８６】
まず、ステップＳ１１にて弾性表面波装置３０の温度特性を測定する。次にステップＳ１２で、測定した温度特性に基づき温度特性の１次温度係数が所望の範囲に入っているかどうかを確認する。温度特性の１次温度係数が所望の範囲に入っていない場合には、ステップＳ１３に進み、測定した温度特性の１次温度係数が所望の範囲に対して小さいかどうかを判断する。そして、１次温度係数が所望の範囲に対して大きい場合には、ステップＳ１４に進み、ＩＤＴ電極３２を切断する作業に入る。
ここで、ＩＤＴ電極３２の切断は図７（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３２の両側から切断線Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃに沿って、所望の対数のＩＤＴ電極を切断する。ＩＤＴ電極３２の切断にあたってはレーザ光をＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃに照射して、このバスバー３２ａ，３２ｃを切断する。この切断により、電極指がバスバー４１ａ，４１ｃ，４２ａ，４２ｃに連結された櫛形電極４１，４２がＩＤＴ電極３２から切り離される。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数を切り離すのが好ましい。
【００８７】
次に、ステップＳ１１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、１次温度係数が所望の範囲に入るまでステップＳ１１以降、ステップＳ１２、Ｓ１３、Ｓ１４が繰り返され、ステップＳ１２で１次温度係数が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ１６に進み、反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業に入る。
反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図７（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。続いて櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。そして、櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃと櫛形電極４１のバスバー４１ａ，４１ｃの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
また、反射器３４と櫛形電極３８、３７、４２の接続においても、同様に、それぞれのバスバーの間に液滴４５をインクジェット法により塗布する。
液滴４５の塗布後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６，３５，４１および反射器３４と櫛形電極３８，３７，４２の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００８８】
また、図１１のステップＳ１３において、１次温度係数が所望の範囲に対して小さい場合には、ステップＳ１５に進み、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続する作業に入る。
この櫛形電極を接続する作業は、所望のＩＤＴ電極の対数に相当する櫛形電極をＩＤＴ電極３２に、接続する作業である。図８（ａ）に示すように、まず、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３５のバスバー３５ａ，３５ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、ＩＤＴ電極３２のバスバー３２ａ，３２ｃと櫛形電極３７のバスバー３７ａ，３７ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極３５，３７が接続され、電気的な導通がなされる。
なお、弾性表面波装置３０のＩＤＴ電極３２を中心に左右の対称性を維持するために、ＩＤＴ電極３２の両側から同じ対数となる櫛形電極を接続するのが好ましい。
【００８９】
次に、ステップＳ１１に戻り、再度温度特性の測定が行われる。そして、１次温度係数が所望の範囲に入るまでステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１５が繰り返され、ステップＳ１２で１次温度係数が所望の範囲に入ると、弾性表面波装置の温度特性調整が終了しステップＳ１６に進み、反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業に入る。反射器３３，３４に櫛形電極を接続する作業は、図８（ｂ）に示すように、まず、反射器３３と櫛形電極３６のバスバー３６ａ，３６ｃの間にインクジェット法により導電性粒子を含む溶液からなる液滴４５を塗布する。次に、同様に、反射器３４と櫛形電極３８のバスバー３８ａ，３８ｃの間にインクジェット法により液滴４５を塗布する。その後、液滴４５を乾燥させることで、反射器３３と櫛形電極３６および反射器３４と櫛形電極３８の接続がなされ、弾性表面波装置３０が完成する。
【００９０】
以上のように、本実施形態では、ＩＤＴ電極３２を形成した後の製造工程の中で、ＩＤＴ電極３２を切断してＩＤＴ電極３２の対数を減らすことで、温度特性の１次温度係数を小さくして、温度特性曲線を右回転させるように調整でき、また、ＩＤＴ電極３２に櫛形電極を接続することで温度特性の１次温度係数を大きくして、温度特性曲線を左回転させるように調整することができる。
このようにして、面内回転ＳＴカット水晶基板３１を用い、シングル型のＩＤＴ電極３２を備えた、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置３０において、従来知られていなかったＩＤＴ電極３２の対数を変化させることで温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置３０の温度特性を調整することができる。このことから、製造工程における温度特性のばらつきを抑えることができ、より高安定な弾性表面波装置３０を得ることができる。
また、ＩＤＴ電極３２にレーザ光を照射することで容易にＩＤＴ電極３２を切断でき、ＩＤＴ電極３２の電極指の対数を減ずることができる。さらに、ＩＤＴ電極３２と櫛形電極の間にインクジェット法により導電性材料を塗布することで、容易にＩＤＴ電極３２と櫛形電極を接続することができる。
そして、反射器３３，３４に櫛形電極を接続することで、櫛形電極を反射器として利用することができるため、反射器の反射係数を大きくでき、良好な特性の弾性表面波装置３０を得ることができる。
また、水晶基板のカット角及び弾性表面波伝搬方向を（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）とすれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用いストップバンドの下限モードを利用する場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることが可能であり、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置を提供できる。
（第３の実施形態）
【００９１】
次に、弾性表面波装置の製造方法について説明する。
図１２は弾性表面波装置の製造工程を説明するフローチャート図である。
弾性表面波装置の製造方法は、まず、水晶基板の表面にＡｌなどの金属膜を所定の厚みで形成し、この金属膜にフォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＤＴ電極および反射器の形状を形成する（ステップＳ２１）。次に、ＩＤＴ電極の電極をエッチングまたは、ＩＤＴ電極周辺の水晶基板をエッチングして弾性表面波装置の周波数を調整する（ステップＳ２２）。続いて、第１の実施形態、第２の実施形態で説明した温度特性調整方法で弾性表面波装置の温度特性の調整を行う（ステップＳ２３）。このようにして、各工程を流動して弾性表面波装置の製造がなされている。
【００９２】
以上のように、本実施形態の弾性表面波装置の製造方法によれば、面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、シングル型のＩＤＴ電極を備えた、弾性表面波のストップバンドの下限モードまたは上限モードを励振させる弾性表面波装置において、従来知られていなかったＩＤＴ電極の対数を変化させることで温度特性の頂点温度または３次関数の温度特性の１次温度係数を調整し、弾性表面波装置の温度特性を調整することができる。また、この水晶基板のカット角では、ＳＴカット水晶基板を用いる場合に比較して、温度に対する周波数変動量を小さくすることができ、優れた温度特性を備えた弾性表面波装置の製造方法を提供できる。
【００９３】
なお、本発明は、弾性表面波装置としてＳＡＷ共振子または共振子型弾性表面波フィルタなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】オイラー角について説明するための図。
【図２】弾性表面波装置の構成を説明する説明図であり、（ａ）は弾性表面波装置の模式平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図。
【図３】ＳＴカット水晶基板を用い、ＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図４】面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、下限モードを励振させるＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図５】第１の実施形態に係る弾性表面波装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図。
【図６】第１の実施形態に係る温度特性調整方法の手順を示すフローチャート図。
【図７】第１および第２の実施形態の温度特性調整方法について説明する模式平面図。
【図８】第１および第２の実施形態の温度特性調整方法について説明する模式平面図。
【図９】第２の実施形態における弾性表面波装置の周波数変動量および基板切り出し角度θおよびψを示すグラフ。
【図１０】面内回転ＳＴカット水晶基板を用い、上限モードを励振させるＩＤＴ電極の対数を変化させたときの温度特性を示すグラフ。
【図１１】第２の実施形態に係る温度特性調整方法の手順を示すフローチャート図。
【図１２】第３の実施形態における弾性表面波装置の製造方法を説明するフローチャート図。
【符号の説明】
【００９５】
３０…弾性表面波装置、３１…水晶基板、３２…ＩＤＴ電極、３２ｂ，３２ｄ…電極指、３３，３４…反射器、３５，３６，３７，３８…櫛形電極、４５…導電性材料を含む液滴。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、
前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項３】
請求項２に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、
前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項４】
請求項２に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項５】
オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項６】
請求項５に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板であることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、
前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項８】
請求項７に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、
前記ＩＤＴ電極の対数を減ずることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項９】
請求項７に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法により製造されたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の弾性表面波装置において、
水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、
前記ＩＤＴ電極と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の弾性表面波装置において、
水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、
前記反射器と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１３】
オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１７】
オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１】
オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、
前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項３】
請求項２に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、
前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項４】
請求項２に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項５】
オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に反射器を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の温度特性調整方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項６】
請求項５に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板であることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極をさらに備え、
前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項８】
請求項７に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、
前記ＩＤＴ電極の対数を減ずることを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項９】
請求項７に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法において、
前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続することを特徴とする弾性表面波装置の温度特性調整方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の弾性表面波装置の温度特性調整方法により製造されたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の弾性表面波装置において、
水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、
前記ＩＤＴ電極と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の弾性表面波装置において、
水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるシングル型のＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の両側にＩＤＴ電極とは独立して形成された複数の櫛形電極と、前記櫛形電極の外側に形成された反射器と、を備え、
前記反射器と少なくとも一つの前記櫛形電極とが導電性材料にて接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１３】
オイラー角が（０°，１１３°≦θ≦１３５°，４０°≦｜ψ｜≦４９°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの下限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における温度特性の頂点温度を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して前記ＩＤＴ電極の電極指の対数を減ずる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１７】
オイラー角が（０°，０°≦θ≦１８０°，９°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させる多数の電極指を設けたシングル型のＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極の両側に配置する反射器を形成する工程を有し、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置の製造方法であって、
前記ＩＤＴ電極の対数を変化させて前記弾性表面波装置における３次関数の温度特性の１次温度係数を調整する温度特性調整工程を含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
オイラー角が（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の水晶基板であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記弾性表面波装置に前記ＩＤＴ電極と前記反射器との間に櫛形電極を有し、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極を切断してＩＤＴ電極の対数を減ずること、または前記ＩＤＴ電極に前記櫛形電極を接続してＩＤＴ電極の対数を増すことで、前記ＩＤＴ電極の対数を変化させる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極の一部にレーザ光を照射することで前記ＩＤＴ電極を切断して、前記ＩＤＴ電極の対数を減ずる工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の弾性表面波装置の製造方法において、
前記温度特性調整工程が、前記ＩＤＴ電極と前記櫛形電極とをインクジェット法により導電性材料を塗布して接続する工程であることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２５９４１４（Ｐ２００７−２５９４１４Ａ）
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３４５３７５（Ｐ２００６−３４５３７５）
【出願日】平成１８年１２月２２日（２００６．１２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月２２日（２００６．１２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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