弾性表面波装置及びその製造方法
【課題】圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極の周囲に絶縁膜が形成されており、耐電力性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３を含む電極が形成されており、該電極が形成されている領域の周囲に絶縁膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３の電極指３ａの下方部分において、電極指３ａの幅が圧電基板２に近づくにつれて狭くなっており、絶縁膜６が、電極指３ａの幅方向寸法が狭くなっている下方部分に入り込むように形成されている、弾性表面波装置１。
【解決手段】圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３を含む電極が形成されており、該電極が形成されている領域の周囲に絶縁膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３の電極指３ａの下方部分において、電極指３ａの幅が圧電基板２に近づくにつれて狭くなっており、絶縁膜６が、電極指３ａの幅方向寸法が狭くなっている下方部分に入り込むように形成されている、弾性表面波装置１。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性表面波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、絶縁膜がＩＤＴ電極が形成されている部分の周囲に形成されている構造を備えた弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、帯域フィルタや共振子として、弾性表面波装置が広く用いられている。ところで、弾性表面波装置では、その特性が温度により変化しないことが望ましい。他方、弾性表面波装置に用いられている圧電単結晶基板、例えばＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板は、負の周波数温度特性を有する。
【０００３】
そこで、下記の特許文献１には、このような圧電基板を用いた弾性表面波装置において、周波数温度特性を改善することを可能とした構造が開示されている。図６は、特許文献１に記載の弾性表面波装置の要部を示す模式的部分切欠正面断面図である。
【０００４】
弾性表面波装置１０１では、圧電基板１０２上に、ＩＤＴ電極１０３が形成されている。圧電基板１０２は、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３からなり、負の周波数温度特性を有する。ＩＤＴ電極１０３は、ＣｕやＡｇなどの適宜の金属材料により形成されており、ＩＤＴ電極１０３が形成されている領域以外の領域には、ＳｉＯ２膜１０４が形成されている。ＳｉＯ２膜１０４は、ＩＤＴ電極１０３と等しい厚みに形成されており、かつＩＤＴ電極１０３及びＳｉＯ２膜１０４を覆うように、第２のＳｉＯ２膜１０５が形成されている。ＳｉＯ２膜１０４，１０５の形成により、弾性表面波装置１０１では、ＳｉＯ２が正の周波数温度係数ＴＣＦを有するため、周波数温度特性を改善することが可能とされている。また、第２のＳｉＯ２膜１０５の表面が平坦化されているので、所望でないリップルを抑圧することができるとされている。
【特許文献１】特開２００４−１１２７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
弾性表面波装置は、共振子や帯域フィルタとして用いられ、比較的大きな電力が印加されることがある。従って、弾性表面波装置は耐電力性に優れていることが求められているが、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、このような要求に応えることが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極の周囲に絶縁膜が形成されている弾性表面波装置であって、耐電力性に優れた弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指を有するＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように前記圧電基板上に形成されている絶縁膜とを備え、前記電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から、前記電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が、下方部分において狭くされており、前記絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、前記絶縁膜が、前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の５〜２０％の範囲とされている。より好ましくは、上記下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法は、電極指の上面の幅方向寸法の１０〜２０％の範囲とされる。
【０００９】
絶縁膜が電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法を上記のように、５％以上、さらに好ましくは１０％以上とすることにより、耐電力性をより一層高めることができる。なお、２０％を超えると、電極指が圧電基板に接する部分の面積が小さくなりすぎ、電気機械結合係数が大幅に低下し、弾性表面波装置としての特性を得ることが困難となることがある。
【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、前記絶縁膜が前記ＩＤＴ電極と等しい膜厚を有しており、ＩＤＴ電極及び絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜が形成されており、その場合には、第２の絶縁膜がＩＤＴ電極を被覆しているため、例えば周波数温度特性などの特性を第２の絶縁膜により改善することが可能となる。
【００１１】
本発明に係る弾性表面波装置では、圧電基板は、様々な圧電材料からなるが、例えば圧電単結晶基板からなり、絶縁膜が酸化ケイ素膜からなる場合には、酸化ケイ素膜が正の周波数温度係数を有するため、圧電単結晶基板として、負の周波数温度係数を有する材料を用いた場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。例えば、圧電単結晶基板が、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３基板である場合には、絶縁膜として上記酸化ケイ素膜を用いることにより、温度に対して周波数特性の変化が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【００１２】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ＩＤＴ電極が形成される部分において、フォトレジスト層及び絶縁膜を除去し、圧電基板の上面を露出させる工程と、前記圧電基板上にＩＤＴ電極を形成するための金属膜を成膜する工程と、前記金属膜を成膜した後に、残存しているフォトレジスト層と、該フォトレジスト上の金属膜をリフトオフ法により除去する工程とを備え、前記フォトレジスト層及び絶縁膜をパターニングして圧電基板の上面を露出させる工程において、前記ＩＤＴ電極の電極指が形成される部分において、圧電基板の上面に近づくにつれて、電極指が形成される領域の両側から絶縁膜を電極指側に向かって入り込むようにエッチングを施すことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法においては、好ましくは、上記電極指上面の幅方向寸法に対し、絶縁膜が電極指の下方に入り込む部分の電極指幅方向寸法が５〜２０％の範囲となるように上記エッチングが施される。従って、本発明により、耐電力性がより一層高められた弾性表面波装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように圧電基板上に絶縁膜が形成されているが、電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が下方部分において狭くなっており、絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が小さくされている下方部分に入り込むように形成されている。従って、後述の具体的な実験例から明らかなように、耐電力性を効果的に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部を示す部分切欠正面断面図及び該弾性表面波装置の模式的平面図である。
【００１７】
弾性表面波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、適宜の圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。本実施形態では、圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３基板からなる。
【００１８】
圧電基板２上に、図１（ｂ）に破線で示されているように、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側に配置された反射器４，５とが設けられており、それによって１ポート型の弾性表面波共振子が構成されている。
【００１９】
図１（ａ）に、ＩＤＴ電極３が形成されている部分を模式的部分切欠正面断面図で示すように、ＩＤＴ電極３と等しい膜厚の第１の絶縁膜６がＩＤＴ電極３及び反射器４，５が形成されている部分の領域の周囲に、つまり電極指間などに形成されている。第１の絶縁膜６は、本実施形態では、酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ２膜からなる。
【００２０】
従って、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５と第１の絶縁膜６の上面は面一とされている。そして、第２の絶縁膜７が、ＩＤＴ電極３、反射器４，５及び第１の絶縁膜６を覆うように形成されている。第２の絶縁膜７もまた、酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ２膜からなる。
【００２１】
本実施形態では、圧電基板２が負の周波数温度係数ＴＣＦを有するＬｉＮｂＯ３基板からなる。そこで、第１，第２の絶縁膜６，７を、正の周波数温度係数ＴＣＦを有するＳｉＯ２膜により形成することにより、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることが可能とされている。
【００２２】
また、上記のように、第１の絶縁膜６を形成した後に、第２の絶縁膜７が形成されることになるため、第２の絶縁膜７の上面７ａを平坦化することができ、それによって、所望でないリップルを抑制することが可能とされている。
【００２３】
本実施形態の弾性表面波装置１の特徴は、ＩＤＴ電極３の電極指３ａが、その一対の側面の中間高さ位置から、圧電基板２に接触する下面側に至るにつれて、電極指３ａの幅方向中央に位置するように電極指の幅方向寸法が狭くされており、第１の絶縁膜６が、上記電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることにある。
【００２４】
すなわち、ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指３ａを有するが、図１（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３の上面の幅方向寸法をＷ０としたとき、ＩＤＴ電極３は、その下面側において、幅方向寸法が狭くされている。言い換えれば、ＩＤＴ電極３の電極指３ａの側面は、上面から中間高さ位置に至るまで圧電基板２の上面２ａと垂直な方向に延びているものの、中間高さ位置より下方部分では、圧電基板２の上面２ａ側に近づくにつれて、電極指３ａの幅方向中央に向かって近づくように移動されている。そのため、電極指３ａの下面では、電極指３ａの幅方向寸法が狭くされている。より具体的には、電極指３ａの上面側に比べ、電極指３ａの下面側においては、片側において図１（ａ）の幅Ｗ１だけ幅方向寸法が狭くされている。従って、電極指３ａの幅方向寸法は、上面ではＷ０であるが、下面では、（Ｗ０−２Ｗ１）とされている。
【００２５】
そして、第１の絶縁膜６は、電極指３ａが下面側においてその幅方向寸法が狭くされている部分に入り込んでいる。これは、第１の絶縁膜６は、電極形成部分の周囲を充填するように設けられているものであることによる。もっとも、実際の製造に際しては、後述するように、第１の絶縁膜６において、電極形成部分をエッチングした後に、ＩＤＴ電極３が形成される。従って、より具体的には、上記第１の絶縁膜６の電極指３ａの下方に入り込んでいる部分を有するように、上記エッチングが行われる。
【００２６】
本実施形態の弾性表面波装置１では、ＩＤＴ電極３において、上記のように電極指３ａの幅方向寸法が下方部分において下面に近づくにつれて狭くされているが、反射器４，５の電極指も同様に構成されている。
【００２７】
そして、上記のように、電極指の幅方向寸法を、電極指の下面側において狭くなるように電極指を形成し、絶縁膜が上記電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることにより、弾性表面波装置１では、耐電力性を高めることが可能となる。
【００２８】
次に、弾性表面波装置１の具体的な製造方法の一例を、図２及び図３を参照して説明する。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に、第１の絶縁膜６を、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法により形成する。本実施形態では、ＳｉＯ２膜が、薄膜形成方法により均一な膜厚に形成される。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜６上に、フォトレジストパターン７を形成する。フォトレジストパターン７は、周知のフォトリソグラフィー法によりフォトレジスト層を全面に形成した後、パターニングすることにより形成されている。フォトレジストパターン７は、電極形成部分以外の領域において、第１の絶縁膜６を被覆するように形成されている。
【００３１】
しかる後、フォトレジストパターン７をマスクとしてエッチングを施し、図２（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン７で被覆されていない領域において、第１の絶縁膜６をエッチングする。このエッチングの程度を調整することにより、図２（ｃ）及び図３に部分拡大断面図で示すように、第１の絶縁膜６のエッチングにより除去される領域に臨む絶縁膜６の側壁６ａ，６ａの下方部分を、電極指形成領域側に近づくように湾曲させることができる。
【００３２】
すなわち、エッチングを強く行えば、このような湾曲部分は除去され、側壁６ａ，６ａは、第１の絶縁膜６の上面から下面側に向かって直線的に、かつ上面に垂直な方向に延びるように形成されることになる。しかしながら、エッチングの時間を短縮したりして、エッチング条件を弱めることにより、図３に矢印Ａで示す湾曲部すなわち最終的に電極指の下方部分に入り込む部分を形成することができる。
【００３３】
上記エッチングは、フォトレジストパターンを溶解せず、第１の絶縁膜６を溶解する適宜のエッチャントを用いて行うことができる。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、上記エッチング後に、電極膜３Ａを全面に形成する。電極膜３Ａの形成は、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行うことができる。この電極膜３Ａは、第１の絶縁膜６で囲まれた領域と、フォトレジストパターン７の上面とに付与される。そして、第１の絶縁膜６のエッチングされた領域に充填された電極膜により、ＩＤＴ電極３及び図示されていない反射器４，５が形成されることになる。
【００３５】
次に、図２（ｅ）に示すように、リフトオフ法により、フォトレジストパターン７及びフォトレジストパターン７の上面に形成されている電極膜３Ａを除去する。
【００３６】
しかる後、図２（ｆ）に示すように、ＩＤＴ電極３及び第１の絶縁膜６を覆うように、第２の絶縁膜としてのＳｉＯ２膜を、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法により形成する。このようにして、図１に示す弾性表面波装置１を得ることができる。
【００３７】
なお、図１〜図３では、理解を容易とするために、電極膜３Ａ及びＩＤＴ電極３は、単一の金属層により形成されているように図示したが、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５は、複数の金属層を積層した積層金属膜により形成されていてもよい。その場合には、図２（ｄ）における電極膜３Ａの形成に際し、複数の金属膜を順次薄膜形成方法により形成すればよい。
【００３８】
次に、具体的な実施例を説明することにより、上記弾性表面波装置１において耐電力性が高められることを説明する。
【００３９】
弾性表面波装置１として、４°Ｙ回転Ｘ伝播のＬｉＮｂＯ３基板からなる圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を形成した。ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を構成する電極膜３Ａとしては、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜を形成した。より具体的には、下地となる密着層としての金属膜として、１８ｎｍの厚みのＴｉ膜を形成し、次に、膜厚ｈ／λ＝５．２％であるＣｕからなる主たる電極層としての金属膜を成膜し、最後に、保護膜としての金属膜として、１０ｎｍの厚みのＡｌＣｕ膜を形成した。
【００４０】
また、第１の絶縁膜６の厚みは、上記電極の膜厚に応じて、１３０ｎｍとし、第２の絶縁膜７の厚みは、ｈ／λ＝２３．８％とした。
【００４１】
また、上記第１の絶縁膜６をエッチングする際のエッチング条件を制御し、電極指３ａの下方に第１の絶縁膜６が入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１（図１参照）を、０．２Ｗ０とした。なお、電極指の上面の幅方向寸法Ｗ０は０．４８７μｍとし、電極指の対数は１２０対、交差幅３２．３μｍとした。
【００４２】
さらに、反射器４，５における電極指の本数は２０本とした。
【００４３】
比較のために、上記第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいないことを除いては、すなわち上記寸法Ｗ１＝０とされていることを除いては、上記実施例と同様にして形成された従来の弾性表面波装置を作製した。
【００４４】
上記実施例及び比較例で用意した弾性表面波装置の耐電力性を以下の要領で評価した。
【００４５】
すなわち、弾性表面波装置１に０．１Ｗの電力を５分間印加し、しかる後、０．１Ｗ刻みで印加電力値を階段状に高めていき、但し、各ステップにおいて電力を印加する時間を５分とし、ＩＤＴが溶断するに至った印加電力値を、破壊電力値とした。
【００４６】
その結果、上記従来例の弾性表面波装置では、破壊電力値は、１．０５Ｗであったのに対し、上記実施例の弾性表面波装置１では、破壊電力値は１．７Ｗであり、破壊電力値が約６１％高められた。
【００４７】
従って、上記実施形態の弾性表面波装置１では、電極指３ａの下方部分において、第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいることにより、耐電力性が効果的に高められていることがわかる。
【００４８】
次に、上記実施形態の弾性表面波装置において、図１（ａ）の寸法Ｗ１、すなわち第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１を種々変化させ、上記と同様にして破壊電力値を測定した。結果を下記の図４に示す。また、図４では、上記第１の絶縁膜の入り込んでいる部分の寸法Ｗ１を変化させた場合の破壊電力値の変化を示したが、図５に、第１の絶縁膜６が電極指の下方に入り込んでいない、上記従来例の弾性表面波装置の破壊電力値に対する、上記実施形態の弾性表面波装置１における入り込み部分の寸法Ｗ１の増加による破壊電力増加率の変化を示した。
【００４９】
図４及び図５から明らかなように、第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいる部分の寸法Ｗ１を大きくしていくことにより、破壊電力値を高め得ることがわかる。もっとも、上記入り込み寸法Ｗ１の電極指３ａの幅方向寸法Ｗ０に対する割合を大きくしていった場合、上記寸法Ｗ１のＷ０に対する割合（％）が、０％を超え、１０％程度までは、破壊電力が上記寸法Ｗ１の増加に伴ってかなり大きくなっていくことがわかり、１０％を超えると、破壊電力増加率はほぼ飽和することがわかる。
【００５０】
他方、上記入り込み部分の寸法Ｗ１の割合が２０％を超えると、電極指３ａと圧電基板２との接触面積が非常に小さくなり、圧電効果による良好な共振特性を得ることはできないことが確かめられている。従って、上記入り込み部分の寸法の電極指の幅方向寸法Ｗ０に対する割合は、２０％以下であることが望ましく、図４及び図５から明らかなように、好ましくは、５〜２０％の範囲内とすることにより、破壊電力をより十分な大きさとすることができ、より好ましくは、１０〜２０％の範囲内とすることにより、破壊電力値をさらに一層大きくし得ることがわかる。
【００５１】
なお、上記実施形態では、第２の絶縁膜７が電極及び第１の絶縁膜６を覆うように形成されていたが、本発明においては、第２の絶縁膜７は必ずしも形成されずともよい。すなわち、ＩＤＴ電極３などを保護するために、第１の絶縁膜６のみが形成されている構造の弾性表面波装置にも、本発明を適用することができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、１ポート型弾性表面波共振子につき説明したが、本発明は、１ポート型の弾性表面波共振子だけでなく、電極の周囲に第１の絶縁膜が形成されており、電極及び第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜が形成されている構造を備えた様々な弾性表面波装置、例えば共振子型弾性表面波フィルタなどの様々な弾性表面波装置に用いることができる。
【００５３】
さらに、上記実施形態で、第１の絶縁膜６及び第２の絶縁膜７は、酸化ケイ素膜からなり、ＬｉＮｂＯ３基板の周波数温度特性を補償ことにより、周波数温度特性の改善が図られていたが、第１，第２の絶縁膜６，７は、他の絶縁性材料で形成されていてもよい。すなわち、使用する圧電基板２が弾性表面波装置１の構造に応じて、適宜の絶縁材料からなるように、絶縁膜６及び絶縁膜７を形成することができる。また、第１の絶縁膜６と、第２の絶縁膜７は、周波数温度特性の改善とは関係なく、異なる絶縁性材料で形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部を示す模式的部分切欠正面断面図及び模式的平面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、図１に示した実施形態の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各部分切欠正面断面図。
【図３】図２に示した製造方法において、第１の絶縁膜をエッチングする工程を説明するための拡大正面断面図。
【図４】電極指の下方に第１の絶縁膜が入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１の電極指の幅方向寸法Ｗ０に対する割合を変化させた場合の破壊電力値の変化を示す図。
【図５】第１の絶縁膜が電極指の下方に入り込んでいる部分の寸法Ｗ１が０である従来の弾性表面波装置の破壊電力に対する、上記寸法Ｗ１を増加させた場合の破壊電力値の増加率の変化を示す図。
【図６】従来の弾性表面波装置を説明するための模式的正面断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１…弾性表面波装置
２…圧電基板
２ａ…上面
３…ＩＤＴ電極
３ａ…電極指
３Ａ…金属膜
４，５…反射器
６…第１の絶縁膜
６ａ…側面
７…第２の絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性表面波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、絶縁膜がＩＤＴ電極が形成されている部分の周囲に形成されている構造を備えた弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、帯域フィルタや共振子として、弾性表面波装置が広く用いられている。ところで、弾性表面波装置では、その特性が温度により変化しないことが望ましい。他方、弾性表面波装置に用いられている圧電単結晶基板、例えばＬｉＴａＯ３基板やＬｉＮｂＯ３基板は、負の周波数温度特性を有する。
【０００３】
そこで、下記の特許文献１には、このような圧電基板を用いた弾性表面波装置において、周波数温度特性を改善することを可能とした構造が開示されている。図６は、特許文献１に記載の弾性表面波装置の要部を示す模式的部分切欠正面断面図である。
【０００４】
弾性表面波装置１０１では、圧電基板１０２上に、ＩＤＴ電極１０３が形成されている。圧電基板１０２は、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３からなり、負の周波数温度特性を有する。ＩＤＴ電極１０３は、ＣｕやＡｇなどの適宜の金属材料により形成されており、ＩＤＴ電極１０３が形成されている領域以外の領域には、ＳｉＯ２膜１０４が形成されている。ＳｉＯ２膜１０４は、ＩＤＴ電極１０３と等しい厚みに形成されており、かつＩＤＴ電極１０３及びＳｉＯ２膜１０４を覆うように、第２のＳｉＯ２膜１０５が形成されている。ＳｉＯ２膜１０４，１０５の形成により、弾性表面波装置１０１では、ＳｉＯ２が正の周波数温度係数ＴＣＦを有するため、周波数温度特性を改善することが可能とされている。また、第２のＳｉＯ２膜１０５の表面が平坦化されているので、所望でないリップルを抑圧することができるとされている。
【特許文献１】特開２００４−１１２７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
弾性表面波装置は、共振子や帯域フィルタとして用いられ、比較的大きな電力が印加されることがある。従って、弾性表面波装置は耐電力性に優れていることが求められているが、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、このような要求に応えることが困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極の周囲に絶縁膜が形成されている弾性表面波装置であって、耐電力性に優れた弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指を有するＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように前記圧電基板上に形成されている絶縁膜とを備え、前記電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から、前記電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が、下方部分において狭くされており、前記絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、前記絶縁膜が、前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の５〜２０％の範囲とされている。より好ましくは、上記下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法は、電極指の上面の幅方向寸法の１０〜２０％の範囲とされる。
【０００９】
絶縁膜が電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法を上記のように、５％以上、さらに好ましくは１０％以上とすることにより、耐電力性をより一層高めることができる。なお、２０％を超えると、電極指が圧電基板に接する部分の面積が小さくなりすぎ、電気機械結合係数が大幅に低下し、弾性表面波装置としての特性を得ることが困難となることがある。
【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、前記絶縁膜が前記ＩＤＴ電極と等しい膜厚を有しており、ＩＤＴ電極及び絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜が形成されており、その場合には、第２の絶縁膜がＩＤＴ電極を被覆しているため、例えば周波数温度特性などの特性を第２の絶縁膜により改善することが可能となる。
【００１１】
本発明に係る弾性表面波装置では、圧電基板は、様々な圧電材料からなるが、例えば圧電単結晶基板からなり、絶縁膜が酸化ケイ素膜からなる場合には、酸化ケイ素膜が正の周波数温度係数を有するため、圧電単結晶基板として、負の周波数温度係数を有する材料を用いた場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。例えば、圧電単結晶基板が、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３基板である場合には、絶縁膜として上記酸化ケイ素膜を用いることにより、温度に対して周波数特性の変化が生じ難い、信頼性に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【００１２】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ＩＤＴ電極が形成される部分において、フォトレジスト層及び絶縁膜を除去し、圧電基板の上面を露出させる工程と、前記圧電基板上にＩＤＴ電極を形成するための金属膜を成膜する工程と、前記金属膜を成膜した後に、残存しているフォトレジスト層と、該フォトレジスト上の金属膜をリフトオフ法により除去する工程とを備え、前記フォトレジスト層及び絶縁膜をパターニングして圧電基板の上面を露出させる工程において、前記ＩＤＴ電極の電極指が形成される部分において、圧電基板の上面に近づくにつれて、電極指が形成される領域の両側から絶縁膜を電極指側に向かって入り込むようにエッチングを施すことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法においては、好ましくは、上記電極指上面の幅方向寸法に対し、絶縁膜が電極指の下方に入り込む部分の電極指幅方向寸法が５〜２０％の範囲となるように上記エッチングが施される。従って、本発明により、耐電力性がより一層高められた弾性表面波装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように圧電基板上に絶縁膜が形成されているが、電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が下方部分において狭くなっており、絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が小さくされている下方部分に入り込むように形成されている。従って、後述の具体的な実験例から明らかなように、耐電力性を効果的に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部を示す部分切欠正面断面図及び該弾性表面波装置の模式的平面図である。
【００１７】
弾性表面波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、適宜の圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。本実施形態では、圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３基板からなる。
【００１８】
圧電基板２上に、図１（ｂ）に破線で示されているように、ＩＤＴ電極３と、ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側に配置された反射器４，５とが設けられており、それによって１ポート型の弾性表面波共振子が構成されている。
【００１９】
図１（ａ）に、ＩＤＴ電極３が形成されている部分を模式的部分切欠正面断面図で示すように、ＩＤＴ電極３と等しい膜厚の第１の絶縁膜６がＩＤＴ電極３及び反射器４，５が形成されている部分の領域の周囲に、つまり電極指間などに形成されている。第１の絶縁膜６は、本実施形態では、酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ２膜からなる。
【００２０】
従って、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５と第１の絶縁膜６の上面は面一とされている。そして、第２の絶縁膜７が、ＩＤＴ電極３、反射器４，５及び第１の絶縁膜６を覆うように形成されている。第２の絶縁膜７もまた、酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ２膜からなる。
【００２１】
本実施形態では、圧電基板２が負の周波数温度係数ＴＣＦを有するＬｉＮｂＯ３基板からなる。そこで、第１，第２の絶縁膜６，７を、正の周波数温度係数ＴＣＦを有するＳｉＯ２膜により形成することにより、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることが可能とされている。
【００２２】
また、上記のように、第１の絶縁膜６を形成した後に、第２の絶縁膜７が形成されることになるため、第２の絶縁膜７の上面７ａを平坦化することができ、それによって、所望でないリップルを抑制することが可能とされている。
【００２３】
本実施形態の弾性表面波装置１の特徴は、ＩＤＴ電極３の電極指３ａが、その一対の側面の中間高さ位置から、圧電基板２に接触する下面側に至るにつれて、電極指３ａの幅方向中央に位置するように電極指の幅方向寸法が狭くされており、第１の絶縁膜６が、上記電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることにある。
【００２４】
すなわち、ＩＤＴ電極３は、複数本の電極指３ａを有するが、図１（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３の上面の幅方向寸法をＷ０としたとき、ＩＤＴ電極３は、その下面側において、幅方向寸法が狭くされている。言い換えれば、ＩＤＴ電極３の電極指３ａの側面は、上面から中間高さ位置に至るまで圧電基板２の上面２ａと垂直な方向に延びているものの、中間高さ位置より下方部分では、圧電基板２の上面２ａ側に近づくにつれて、電極指３ａの幅方向中央に向かって近づくように移動されている。そのため、電極指３ａの下面では、電極指３ａの幅方向寸法が狭くされている。より具体的には、電極指３ａの上面側に比べ、電極指３ａの下面側においては、片側において図１（ａ）の幅Ｗ１だけ幅方向寸法が狭くされている。従って、電極指３ａの幅方向寸法は、上面ではＷ０であるが、下面では、（Ｗ０−２Ｗ１）とされている。
【００２５】
そして、第１の絶縁膜６は、電極指３ａが下面側においてその幅方向寸法が狭くされている部分に入り込んでいる。これは、第１の絶縁膜６は、電極形成部分の周囲を充填するように設けられているものであることによる。もっとも、実際の製造に際しては、後述するように、第１の絶縁膜６において、電極形成部分をエッチングした後に、ＩＤＴ電極３が形成される。従って、より具体的には、上記第１の絶縁膜６の電極指３ａの下方に入り込んでいる部分を有するように、上記エッチングが行われる。
【００２６】
本実施形態の弾性表面波装置１では、ＩＤＴ電極３において、上記のように電極指３ａの幅方向寸法が下方部分において下面に近づくにつれて狭くされているが、反射器４，５の電極指も同様に構成されている。
【００２７】
そして、上記のように、電極指の幅方向寸法を、電極指の下面側において狭くなるように電極指を形成し、絶縁膜が上記電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されていることにより、弾性表面波装置１では、耐電力性を高めることが可能となる。
【００２８】
次に、弾性表面波装置１の具体的な製造方法の一例を、図２及び図３を参照して説明する。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に、第１の絶縁膜６を、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法により形成する。本実施形態では、ＳｉＯ２膜が、薄膜形成方法により均一な膜厚に形成される。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜６上に、フォトレジストパターン７を形成する。フォトレジストパターン７は、周知のフォトリソグラフィー法によりフォトレジスト層を全面に形成した後、パターニングすることにより形成されている。フォトレジストパターン７は、電極形成部分以外の領域において、第１の絶縁膜６を被覆するように形成されている。
【００３１】
しかる後、フォトレジストパターン７をマスクとしてエッチングを施し、図２（ｃ）に示すように、フォトレジストパターン７で被覆されていない領域において、第１の絶縁膜６をエッチングする。このエッチングの程度を調整することにより、図２（ｃ）及び図３に部分拡大断面図で示すように、第１の絶縁膜６のエッチングにより除去される領域に臨む絶縁膜６の側壁６ａ，６ａの下方部分を、電極指形成領域側に近づくように湾曲させることができる。
【００３２】
すなわち、エッチングを強く行えば、このような湾曲部分は除去され、側壁６ａ，６ａは、第１の絶縁膜６の上面から下面側に向かって直線的に、かつ上面に垂直な方向に延びるように形成されることになる。しかしながら、エッチングの時間を短縮したりして、エッチング条件を弱めることにより、図３に矢印Ａで示す湾曲部すなわち最終的に電極指の下方部分に入り込む部分を形成することができる。
【００３３】
上記エッチングは、フォトレジストパターンを溶解せず、第１の絶縁膜６を溶解する適宜のエッチャントを用いて行うことができる。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、上記エッチング後に、電極膜３Ａを全面に形成する。電極膜３Ａの形成は、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行うことができる。この電極膜３Ａは、第１の絶縁膜６で囲まれた領域と、フォトレジストパターン７の上面とに付与される。そして、第１の絶縁膜６のエッチングされた領域に充填された電極膜により、ＩＤＴ電極３及び図示されていない反射器４，５が形成されることになる。
【００３５】
次に、図２（ｅ）に示すように、リフトオフ法により、フォトレジストパターン７及びフォトレジストパターン７の上面に形成されている電極膜３Ａを除去する。
【００３６】
しかる後、図２（ｆ）に示すように、ＩＤＴ電極３及び第１の絶縁膜６を覆うように、第２の絶縁膜としてのＳｉＯ２膜を、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法により形成する。このようにして、図１に示す弾性表面波装置１を得ることができる。
【００３７】
なお、図１〜図３では、理解を容易とするために、電極膜３Ａ及びＩＤＴ電極３は、単一の金属層により形成されているように図示したが、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５は、複数の金属層を積層した積層金属膜により形成されていてもよい。その場合には、図２（ｄ）における電極膜３Ａの形成に際し、複数の金属膜を順次薄膜形成方法により形成すればよい。
【００３８】
次に、具体的な実施例を説明することにより、上記弾性表面波装置１において耐電力性が高められることを説明する。
【００３９】
弾性表面波装置１として、４°Ｙ回転Ｘ伝播のＬｉＮｂＯ３基板からなる圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を形成した。ＩＤＴ電極３及び反射器４，５を構成する電極膜３Ａとしては、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜を形成した。より具体的には、下地となる密着層としての金属膜として、１８ｎｍの厚みのＴｉ膜を形成し、次に、膜厚ｈ／λ＝５．２％であるＣｕからなる主たる電極層としての金属膜を成膜し、最後に、保護膜としての金属膜として、１０ｎｍの厚みのＡｌＣｕ膜を形成した。
【００４０】
また、第１の絶縁膜６の厚みは、上記電極の膜厚に応じて、１３０ｎｍとし、第２の絶縁膜７の厚みは、ｈ／λ＝２３．８％とした。
【００４１】
また、上記第１の絶縁膜６をエッチングする際のエッチング条件を制御し、電極指３ａの下方に第１の絶縁膜６が入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１（図１参照）を、０．２Ｗ０とした。なお、電極指の上面の幅方向寸法Ｗ０は０．４８７μｍとし、電極指の対数は１２０対、交差幅３２．３μｍとした。
【００４２】
さらに、反射器４，５における電極指の本数は２０本とした。
【００４３】
比較のために、上記第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいないことを除いては、すなわち上記寸法Ｗ１＝０とされていることを除いては、上記実施例と同様にして形成された従来の弾性表面波装置を作製した。
【００４４】
上記実施例及び比較例で用意した弾性表面波装置の耐電力性を以下の要領で評価した。
【００４５】
すなわち、弾性表面波装置１に０．１Ｗの電力を５分間印加し、しかる後、０．１Ｗ刻みで印加電力値を階段状に高めていき、但し、各ステップにおいて電力を印加する時間を５分とし、ＩＤＴが溶断するに至った印加電力値を、破壊電力値とした。
【００４６】
その結果、上記従来例の弾性表面波装置では、破壊電力値は、１．０５Ｗであったのに対し、上記実施例の弾性表面波装置１では、破壊電力値は１．７Ｗであり、破壊電力値が約６１％高められた。
【００４７】
従って、上記実施形態の弾性表面波装置１では、電極指３ａの下方部分において、第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいることにより、耐電力性が効果的に高められていることがわかる。
【００４８】
次に、上記実施形態の弾性表面波装置において、図１（ａ）の寸法Ｗ１、すなわち第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１を種々変化させ、上記と同様にして破壊電力値を測定した。結果を下記の図４に示す。また、図４では、上記第１の絶縁膜の入り込んでいる部分の寸法Ｗ１を変化させた場合の破壊電力値の変化を示したが、図５に、第１の絶縁膜６が電極指の下方に入り込んでいない、上記従来例の弾性表面波装置の破壊電力値に対する、上記実施形態の弾性表面波装置１における入り込み部分の寸法Ｗ１の増加による破壊電力増加率の変化を示した。
【００４９】
図４及び図５から明らかなように、第１の絶縁膜６が電極指３ａの下方に入り込んでいる部分の寸法Ｗ１を大きくしていくことにより、破壊電力値を高め得ることがわかる。もっとも、上記入り込み寸法Ｗ１の電極指３ａの幅方向寸法Ｗ０に対する割合を大きくしていった場合、上記寸法Ｗ１のＷ０に対する割合（％）が、０％を超え、１０％程度までは、破壊電力が上記寸法Ｗ１の増加に伴ってかなり大きくなっていくことがわかり、１０％を超えると、破壊電力増加率はほぼ飽和することがわかる。
【００５０】
他方、上記入り込み部分の寸法Ｗ１の割合が２０％を超えると、電極指３ａと圧電基板２との接触面積が非常に小さくなり、圧電効果による良好な共振特性を得ることはできないことが確かめられている。従って、上記入り込み部分の寸法の電極指の幅方向寸法Ｗ０に対する割合は、２０％以下であることが望ましく、図４及び図５から明らかなように、好ましくは、５〜２０％の範囲内とすることにより、破壊電力をより十分な大きさとすることができ、より好ましくは、１０〜２０％の範囲内とすることにより、破壊電力値をさらに一層大きくし得ることがわかる。
【００５１】
なお、上記実施形態では、第２の絶縁膜７が電極及び第１の絶縁膜６を覆うように形成されていたが、本発明においては、第２の絶縁膜７は必ずしも形成されずともよい。すなわち、ＩＤＴ電極３などを保護するために、第１の絶縁膜６のみが形成されている構造の弾性表面波装置にも、本発明を適用することができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、１ポート型弾性表面波共振子につき説明したが、本発明は、１ポート型の弾性表面波共振子だけでなく、電極の周囲に第１の絶縁膜が形成されており、電極及び第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜が形成されている構造を備えた様々な弾性表面波装置、例えば共振子型弾性表面波フィルタなどの様々な弾性表面波装置に用いることができる。
【００５３】
さらに、上記実施形態で、第１の絶縁膜６及び第２の絶縁膜７は、酸化ケイ素膜からなり、ＬｉＮｂＯ３基板の周波数温度特性を補償ことにより、周波数温度特性の改善が図られていたが、第１，第２の絶縁膜６，７は、他の絶縁性材料で形成されていてもよい。すなわち、使用する圧電基板２が弾性表面波装置１の構造に応じて、適宜の絶縁材料からなるように、絶縁膜６及び絶縁膜７を形成することができる。また、第１の絶縁膜６と、第２の絶縁膜７は、周波数温度特性の改善とは関係なく、異なる絶縁性材料で形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部を示す模式的部分切欠正面断面図及び模式的平面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、図１に示した実施形態の弾性表面波装置の製造方法を説明するための各部分切欠正面断面図。
【図３】図２に示した製造方法において、第１の絶縁膜をエッチングする工程を説明するための拡大正面断面図。
【図４】電極指の下方に第１の絶縁膜が入り込んでいる部分の幅方向寸法Ｗ１の電極指の幅方向寸法Ｗ０に対する割合を変化させた場合の破壊電力値の変化を示す図。
【図５】第１の絶縁膜が電極指の下方に入り込んでいる部分の寸法Ｗ１が０である従来の弾性表面波装置の破壊電力に対する、上記寸法Ｗ１を増加させた場合の破壊電力値の増加率の変化を示す図。
【図６】従来の弾性表面波装置を説明するための模式的正面断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１…弾性表面波装置
２…圧電基板
２ａ…上面
３…ＩＤＴ電極
３ａ…電極指
３Ａ…金属膜
４，５…反射器
６…第１の絶縁膜
６ａ…側面
７…第２の絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように前記圧電基板上に形成されている絶縁膜とを備え、
前記電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から、前記電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が、下方部分において狭くされており、前記絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されている、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記絶縁膜が、前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の５〜２０％の範囲とされている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記絶縁膜の前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の１０〜２０％の範囲とされている、請求項２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記絶縁膜が前記ＩＤＴ電極と等しい膜厚を有しており、
前記ＩＤＴ電極及び絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記圧電基板が、圧電単結晶基板からなり、前記絶縁膜が酸化ケイ素膜からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記圧電単結晶基板が、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３基板である、請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ＩＤＴ電極が形成される部分において、フォトレジスト層及び絶縁膜を除去し、圧電基板の上面を露出させる工程と、
前記圧電基板上にＩＤＴ電極を形成するための金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜を成膜した後に、残存しているフォトレジスト層と、該フォトレジスト上の金属膜をリフトオフ法により除去する工程とを備え、
前記フォトレジスト層及び絶縁膜をパターニングして圧電基板の上面を露出させる工程において、前記ＩＤＴ電極の電極指が形成される部分において、圧電基板の上面に近づくにつれて、電極指が形成される領域の両側から絶縁膜を電極指側に向かって入り込むようにエッチングを施すことを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングに際し、電極指が形成されている部分において、電極指上面の幅方向寸法に対し、前記絶縁膜が電極指の下方に入り込み部分の電極指幅方向寸法が５〜２０％の範囲となるように前記エッチングを施す、請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、複数本の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極の電極指間の領域を埋めるように前記圧電基板上に形成されている絶縁膜とを備え、
前記電極指の延びる方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記電極指の一対の側面が、該側面の中間高さ位置から、前記電極指の圧電基板と接している下面に至るにつれて、電極指の幅方向寸法が、下方部分において狭くされており、前記絶縁膜が、電極指の幅方向寸法が狭くされている下方部分に入り込むように形成されている、弾性表面波装置。
【請求項２】
前記絶縁膜が、前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の５〜２０％の範囲とされている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記絶縁膜の前記電極指の下方に入り込んでいる部分の幅方向寸法が、前記電極指の上面の幅方向寸法の１０〜２０％の範囲とされている、請求項２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記絶縁膜が前記ＩＤＴ電極と等しい膜厚を有しており、
前記ＩＤＴ電極及び絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記圧電基板が、圧電単結晶基板からなり、前記絶縁膜が酸化ケイ素膜からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記圧電単結晶基板が、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３基板である、請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ＩＤＴ電極が形成される部分において、フォトレジスト層及び絶縁膜を除去し、圧電基板の上面を露出させる工程と、
前記圧電基板上にＩＤＴ電極を形成するための金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜を成膜した後に、残存しているフォトレジスト層と、該フォトレジスト上の金属膜をリフトオフ法により除去する工程とを備え、
前記フォトレジスト層及び絶縁膜をパターニングして圧電基板の上面を露出させる工程において、前記ＩＤＴ電極の電極指が形成される部分において、圧電基板の上面に近づくにつれて、電極指が形成される領域の両側から絶縁膜を電極指側に向かって入り込むようにエッチングを施すことを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングに際し、電極指が形成されている部分において、電極指上面の幅方向寸法に対し、前記絶縁膜が電極指の下方に入り込み部分の電極指幅方向寸法が５〜２０％の範囲となるように前記エッチングを施す、請求項７に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−２６７１１７（Ｐ２００７−２６７１１７Ａ）
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−９０４２９（Ｐ２００６−９０４２９）
【出願日】平成１８年３月２９日（２００６．３．２９）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２９日（２００６．３．２９）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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