説明

有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

【課題】フラットパネル表示装置であって、同極性のトランジスタのみを使用した駆動回路構成において、消費電力を低減し、かつ動作を安定化させる。
【解決手段】シフトレジスタの各段に、待機状態と非待機状態とを切り替えるスイッチと待機状態判別手段とを設けることにより、消費電力を低減化した。また、デューティ・サイクルが非対称なクロック信号を用いてシフトレジスタが動作し、よりデータ転送が確実。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は液晶表示装置およびOLED表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
図11に従来の薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の一例を示す。101は液晶表示装置の画素を駆動する薄膜トランジスタでpチャネルのトランジスタである。102は画素の蓄積容量、103は液晶で容量性の負荷である。104は画素トランジスタ101のソース端子に接続するソース線で、105は画素トランジスタ101のゲートに接続するゲート線で、106は蓄積容量102と、液晶の対向電極につながる共通電極を示している。107はゲート線を駆動するゲート線駆動回路である。108はソース線104を駆動するソース線駆動回路である。なお、本発明でいう画素とは、液晶表示装置に表示される画像の最小構成単位であり、光の明暗を制御する光スイッチのことである。
【0003】
ゲート駆動回路107はゲート線105を順に走査し、同一のゲート線につながる画素トランジスタ101をオンさせる電圧をゲート線に印加し、ソース駆動回路108が表示したい画像データに応じた電圧をソース線104に印加することによって、画素トランジスタ101を介して蓄積容量102と液晶103を所望の電圧に充電する。次に、ゲート線105に同一のゲート線上の画素トランジスタ101をオフさせる電圧を印加し、画素トランジスタがオフした後は、蓄積容量102、液晶103に印加された電圧は次の走査まで保持される。順番に走査を行い、ゲート線105を順次オンさせていくことによって画面全体の表示を行う。
【0004】
ゲート線駆動回路107は、ほぼゲート線の本数分の段数のシフトレジスタにより、走査データを順にシフトさせる。図12はVGA(画素数640×480)表示の場合の走査データのタイミングを示したものである。図12のG1〜G480は初段から480段(最終段)までのシフトレジスタの出力を示している。111は垂直走査期間(1フィールド期間)である。112は水平走査期間であり、ゲート線にLレベルが印加され、同一のゲート線上の画素トランジスタがオン状態となる期間に対応している。
【0005】
なお、実際にはブランキング期間が存在するが、本願発明では直接関係しないので図からは省略した。
【0006】
図13にシフトレジスタを構成する1段あたりの構成例を示す。121はインバータであり、入力データを反転して出力する機能を有するものである。図13(a)の例は、ふたつのインバータ121b、121cによる帰還128と、ひとつのインバータ121aとから構成されるDフリップフロップである。126、127はスイッチであり、トランジスタにより構成されたトランスファゲートなどが用いられ、それぞれ図13のSW1、SW2に対応している。図13(a)のDフリップフロップは、図13(b)に示される論理機能を有しており、スイッチ126がオンかつスイッチ127がオフの場合には、入力されたデータをそのままの論理で出力する。また、スイッチ126がオフかつスイッチ127がオンの場合には、保持されている前回入力されたデータを出力する。なおスイッチ127は、帰還を構成しているインバータ121cを高抵抗にすることにより、省略することも可能である。
【0007】
図13(c)は、インバータ121を同一極性のトランジスタのみで構成した例である。123はpMOSトランジスタ、124は抵抗である。pMOSトランジスタ123のソース線は電源122に、ドレイン電極は抵抗124に接続されており、抵抗124の他方の接点はグランド電位129に接続されている。入力をpMOSトランジスタ123のゲート線とし、出力をドレイン電極とすることにより、インバータ機能を構成することができる。
【0008】
図14は図13で示したDフリップフロップによる4段のシフトレジスタ構成の例である。139〜142はそれぞれ1段目〜4段目のDフリップフロップであり、131〜134はスイッチング動作を行うためのpMOSトランジスタであり、それぞれ1段目〜4段目のDフリップフロップ139〜142の動作を制御するものである。135〜138は、131〜134のトランジスタのオン・オフを制御する信号である。以下、図14を参照してシフトレジスタの動作を説明する。
【0009】
シフトレジスタの第1段目は制御信号135により制御される。制御信号135をLレベルにすることによりスイッチングトランジスタ131はオン状態となり、入力端子143の信号が1段目の出力144に現れる。また、制御信号135をHレベルにすることにより、トランジスタスイッチ131はオフ状態となり、入力端子143の信号の変化に依らずDフリップフロップの効果により出力144の信号レベルは前状態のまま保持される。各段のDフリップフロップおよびスイッチングトランジスタについても機能は同様である。各段の制御信号135〜138について、順次LレベルとHレベルを交互に切り替えることにより、入力端子143の信号レベルを端子144、145、146、147の順にシフト動作させることができる。
【0010】
図15は、シフトレジスタの制御信号をデューティ・サイクル50%の位相の180°ずれた2本のクロック(CLK1とCLK2)とした場合におけるデータのシフト動作を示したタイミングチャートである。CLK1を制御端子135、CLK2を制御端子136に入力し、Dに示される信号を入力端子143に入力した場合、CLK1、CLK2に同期して端子144には信号Q1が、端子145には信号Q2が現れる。
【0011】
同様に、ほぼゲート線の本数分の段数を設けたシフトレジスタを構成することにより、走査データを順にシフトさせるゲート線駆動回路を構成することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
液晶表示装置、OLED表示装置などのフラットパネルディスプレイでは、低電力、狭額縁、高品位な表示性能が大きな商品価値となっており、また、製造においては低コスト化が大きな課題である。
【0013】
図13(c)の構成においては、インバータがH出力となる場合にはpMOSトランジスタ123がオン状態であるために、電源122からグランド129に向けて125に示される貫通電流が発生し、消費電流の増加が問題となっていた。
【0014】
また、シフトレジスタを図15の例に示したデューティ・サイクル50%の2相クロックで制御する場合には、148に示されるように同時に反転するふたつのクロック信号が必要とされるが、伝搬されるクロック信号のスキューなどにより、どちらか一方のクロック信号が他方のクロック信号に対して前後する場合が発生した場合には、スイッチングトランジスタのオン、オフ状態が不安定なために、ラッチデータの不安定な状態が生じやすく、走査データのシフト機能の誤動作が懸念された。
【0015】
また、安定してシフトレジスタを動作させる方法として、位相を90°ずらした4本のクロック信号を用いる方法がある。図16は、シフトレジスタの制御信号を4本クロック(CLK1、CLK2、CLK3、CLK4)とした場合におけるデータのシフト動作を示したタイミングチャートである。CLK1を制御端子135、CLK2を制御端子136、CLK3を制御端子137、CLK4を制御端子138に入力し、Dに示される信号を入力端子143に入力した場合、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4に同期して端子144には信号Q1が、端子145には信号Q2が、端子146には信号Q3が、端子147には信号Q4が現れ、データを安定してシフトさせる動作が可能である。しかしながらこの構成においては、制御信号配線数の増加に伴い配線密度が増大し、回路構成が複雑化するために、液晶表示パネルの狭額縁化と回路基板の狭面積化が困難であり、高コスト化をまねくという問題があった。
【0016】
本発明では、かかる事情に鑑み、駆動回路の消費電力を低減し、また、画素トランジスタと同一極性をもつトランジスタのみで構成する場合においても、高信頼性動作が実現でき、高画像品位かつ安価な液晶表示装置、及びOLED表示装置を提供することを目的とする。
【0017】
なお、上記のOLEDは、オーガニック・ライティング・エミッション・ダイオードの略記である。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記の目的を達成するために、本発明は、液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ソース線駆動回路または前記ゲート線駆動回路が同極性のみを有するトランジスタで構成された複数の縦続された段からなるシフトレジスタから構成されており、前記シフトレジスタの各段がデューテイ・サイクル50%ではなく位相のずれたクロック信号に接続されたことを特徴とする。
【0019】
この構成によれば、クロック信号のスキューに起因するラッチデータの不安定状態を排除でき、同一極性のみを有するトランジスタで構成されたシフトレジスタを2相のクロック信号のみを用いて高い信頼性で動作させることができるという作用を有する。
【0020】
また、本発明は、液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ゲート線駆動回路が、複数の縦続されたm段(m>3)からなるシフトレジスタを有しており、走査信号に対応したゲート線を選択する走査信号パルスと、任意複数本のゲート線を一括して選択する複数ゲート線選択パルスが同一フィールド内で位相をずらして走査されるものであり、各々選択されたゲート線には薄膜トランジスタを導通状態にするオン電圧が印加され、前記走査信号に対応したゲート線の画素電極に対しては1走査線に相当する画像信号が書き込まれ、前記複数ゲート線選択パルスに対応した任意複数本のゲート線の画素電極は同時に一定電位に充電されることを特徴とする。
【0021】
また、前記複数ゲート線選択パルスに対応した任意複数本のゲート線の画素電極が同時に充電される一定電位は黒信号レベルであり、画像が書き込まれるフィールド毎に黒信号の書き込みが挿入されることを特徴とする。
【0022】
この構成によれば、液晶表示装置の動画視認性の向上を実現できるという作用を有する。
【0023】
また、本発明は、液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路と前記液晶表示画素との間に補助容量を形成する蓄積容量線を駆動する蓄積容量線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、その駆動方法が、前記画素電極に画像信号電圧を印加するために薄膜トランジスタを導通状態にするオン電圧がゲート線に印加されている期間において前記画像信号電圧が印加される前記画素電極との間に補助容量を形成した隣接する前記蓄積容量線に対して所定の補償電圧を印加するものであり、前記所定の補償電圧は第1、第2および第3の補償電圧からなり、同一走査信号配線に対して1フィールド毎に前記第1および第2の補償電圧を交互に印加し、かつ前記画素電極に前記画像信号電圧が充電された後、各蓄積容量線の電位は前記第3の補償電圧となる事を特徴とする。
【0024】
この構成によれば、前記第3の補償電圧を、前記第1および第2の補償電圧の中間電位に設定でき、前記第1および第2の補償電圧信号が蓄積容量線に印加されるのは選択されたゲート線に対応する蓄積容量線のみでよく、補償電圧信号のシフトレジスタの消費電力低減を実現できるという作用を有する。また、画素電位を補償電圧で制御でき、画像信号電圧の振幅を小さくすることが可能であり、低消費電力のソース線駆動回路を実現することができるという作用を有する。また、画像信号電圧の電位中心と対向電位を同電位にすることによって液晶に印加される直流成分を除去し、フリッカや焼き付き現象の発生を抑えた高品位の液晶表示装置を実現することができるという作用を有する。また、液晶材料の誘電率異方性に起因する容量結合電圧の動的挙動により、表示画像が変化した場合、その変化を増幅する方向へ自動的にオーバードライブ電圧が印加され、液晶の高速応答駆動を実現できるという作用を有する。
【0025】
また、本発明は、請求項5に記載の液晶表示装置であって、前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路を構成するシフトレジスタ部と前記液晶表示画素との間に補助容量を形成する蓄積容量線を駆動する蓄積容量線駆動回路を構成するシフトレジスタ部を共通とした事を特徴とする。
【0026】
この構成によれば、低消費電力かつ高速応答の液晶駆動回路を狭面積で実現できるという作用を有する。
【0027】
また、本発明は、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置において、請求項1から請求項6のいずれかに記載の液晶表示装置の駆動回路を画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成することを特徴とする。
【0028】
この構成によれば、部品点数を削減し安価な液晶表示装置を実現できるという作用を有する。
【0029】
また、本発明は、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置において、請求項1から請求項6のいずれかに記載の液晶表示装置の駆動回路を画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成するものであって、前記駆動回路が表示画面両側に設けられており、駆動信号が画面両側から印加されることを特徴とする。
【0030】
この構成によれば、ゲート配線抵抗あるいは蓄積容量線抵抗が高い場合においても十分な駆動電圧を印加することができ、高品位画像の液晶表示装置が実現できるという作用を有する。
【0031】
また、本発明は、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置において、駆動回路を画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成するものであって、前記駆動回路が複数の機能を有するものであり、前記複数の機能の切り替えは周辺回路は同一でありアレイマスク版の結線変更によって行われることを、または、選択する機能に関与する配線のみにコンタクト部分の絶縁破壊を生じさせることの出きる高電圧または結線を溶断することのできる大電流を印加するための予備配線を有することを特徴とする。
【0032】
この構成によれば、複数の機能を切り替えて使用する場合においても、切り替え信号などの信号配線および前記切り替え信号の制御回路は不要であり、また機能切り替え後のモードによらず周辺部品を共有化することができ、安価かつ多機能な液晶表示装置を実現できるという作用を有する。
【0033】
また、本発明は上記の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成することを特徴とする。液晶層や、液晶セルにかえてOLED層で構成できる。
【発明の効果】
【0034】
以上説明したことからあきらかなように、駆動回路のシフトレジスタ部の消費電力を低減し、また、画素トランジスタと同一極性をもつトランジスタのみで構成する場合においても、動作の信頼性が高く、高画像品位であり、安価な液晶表示装置を提供できるという有効な効果を奏し、産業的価値が大である。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】(a)本発明のインバータ回路構成図(b)本発明のインバータ回路構成の論理を説明する図
【図2】本発明のシフトレジスタ構成例図
【図3】本発明のデューティ・サイクルが非対称な2相クロックによるシフトレジスタ動作を示したタイミングチャート
【図4】(a)本発明の待機状態判別手段を具備したシフトレジスタの構成例図(b)(a)の動作を説明するタイミングチャート
【図5】本発明の実施の形態2の液晶表示装置構成図
【図6】本発明の実施の形態2の液晶表示装置における1画素分の等価回路図
【図7】本発明の実施の形態2の液晶表示装置における駆動方法の説明図
【図8】(a)本発明の実施の形態3の液晶表示装置のゲート駆動回路構成図(b)本発明の実施の形態3における出力信号選択回路部図
【図9】本発明の実施の形態3における出力信号切り替え信号とゲート選択パルス信号のタイミングチャート
【図10】(a)本発明の実施の形態5における順方向走査機能が選択されたシフトレジスタ構成図(b)本発明の実施の形態5における逆方向走査機能が選択されたシフトレジスタ構成図
【図11】従来の薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置構成図
【図12】VGA(画素数640×480)表示の場合の走査データのタイミングの従来例図
【図13】(a)従来のシフトレジスタを構成する1段あたりのDフリップフロップ構成例図(b)(a)に示したDフリップフロップの論理を説明する図(c)(a)に示したDフリップフロップのインバータをpMOSトランジスタで構成した従来例図
【図14】Dフリップフロップによる4段のシフトレジスタ構成の例図
【図15】従来例におけるデューティ・サイクル50%の2相クロックによるシフトレジスタ動作を示したタイミングチャート
【図16】従来例におけるデューティ・サイクル50%の4相クロックによるシフトレジスタ動作を示したタイミングチャート
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、本発明の各実施の形態を説明する。図示していないが、本発明の液晶表示装置には、液晶層、及び液晶セルを有する構成である。
【0037】
(実施の形態1)
まず、本発明の実施の形態1について、図面を参照して説明する。なお、従来例と同一部分は同一の符号を付けて説明を省略する。
【0038】
本発明(実施の形態1)においても、液晶表示装置の構成は従来例と同じで図11のようになっている。本発明(実施の形態1)では、インバータを図1(a)に示される構成とした。11は駆動トランジスタ、12は負荷トランジスタであり、それぞれpチャネルトランジスタである。駆動トランジスタ11のソース線は電源122に、ドレイン電極は負荷トランジスタ12のソース線に接続されており、負荷トランジスタ12のドレイン電極はグランド電位129に接続されている。入力14(IN)を駆動トランジスタ11のゲート線とし、出力13(OUT)をドレイン電極とする。負荷トランジスタ12のゲート線は待機状態切り替え信号15(SB)が入力される。待機状態切り替え信号15がLレベルであるときは、負荷トランジスタ12はゲートオン抵抗をその抵抗値とする負荷として作用し、出力13においては入力14の反転信号を得ることができ、インバータとしてふるまう。
【0039】
また、待機状態切り替え信号15がHレベルであるときは、負荷トランジスタ12はオフし高抵抗となる。この場合も、入力14がLレベルの場合においては出力13にHレベルが現れ、インバータ動作となる。入力14がHレベルの場合においては、駆動トランジスタ11もオフし高抵抗となるため、出力13には駆動トランジスタ11のオフ抵抗値と負荷トランジスタ12のオフ抵抗値とで分圧されたレベルが現れる。上記のように図1(a)の構成は図2(b)に示される論理機能を有する。
【0040】
このようにして、待機状態においては貫通電流125をカットし消費電力を抑えることができ、低消費電力インバータ回路を構成することができた。
【0041】
図2に、Dフリップフロップにインバータ回路を用いて構成したシフトレジスタを示した。21はインバータであり、上記に説明した低消費電力インバータ回路を用いた。22は入力端子である。23は1段目のシフトレジスタの出力、24は2段目のシフトレジスタの出力である。25、28はスイッチング動作を行うためのpチャネルトランジスタであり、それぞれ1段目、2段目のDフリップフロップの動作を制御するものである。26、27は、それぞれトランジスタ25、28のオン・オフを制御する信号である。
【0042】
図3は、図2のシフトレジスタの制御信号26、27を、オン電圧になる期間が重ならないように設定した、デューティ・サイクルが非対称な2相クロック(CLK1とCLK2)とした場合におけるデータのシフト動作を示したタイミングチャートである。CLK1を制御端子26、CLK2を制御端子27に入力し、Dに示される信号を入力端子22に入力した場合、端子23には信号Q1が、端子24には信号Q2が現れる。
【0043】
CLK1、CLK2に同期してスイッチングトランジスタ25(SW1)、スイッチングトランジスタ28(SW2)はON、OFFするが、同時にON状態となることはない。したがって、この構成に依れば、前段の値が確実に保持されてから次段のシフトレジスタにデータが伝送されるために、信頼性の高いデータシフト動作が可能である。
【0044】
同様な構成を用いて、ゲート線の本数分に対応する段数を設けたシフトレジスタを構成することにより、走査データを順にシフトさせる信頼性の高いゲート線駆動回路を構成することができた。
【0045】
図4(a)は前記低消費電力インバータ回路21を用いたDフリップフロップによる、待機状態判別手段を具備したシフトレジスタの構成を示したものである。図4(b)はそのタイミングチャートを示したものである。
【0046】
41は、前記低消費電力インバータ回路21により構成されるDフリップフロップであり、SB端子は図1(a)で説明した待機状態切り替え信号15が入力される。42は待機状態判別手段であり、n−2段目の出力(Qn−2)と、(n−1)段目の出力(Qn−1)と、(n)段目の出力(Qn)を入力したAND回路であり、その出力は(n)段目のSB端子に入力される。
【0047】
43は奇数段目のDフリップフロップに入力されるクロック信号、44は偶数段目のDフリップフロップに入力されるクロック信号である。45は、シフトレジスタのスタートパルス入力端子である。
【0048】
この構成では、シフトされるデータのレベルはLレベルであることから、AND論理演算機能を有する待機状態判別手段42の出力は、3段分のデータ幅を持つ。
【0049】
本発明(実施の形態1)における待機状態判別手段の効果を5段目のDフリップフロップに着目して説明する。
【0050】
5段目のDフリップフロップに対応する待機状態判別手段42の出力は、図4(b)のSB5に示される波形となる。この場合、斜線部46の区間は待機状態切り替え信号がHレベルであるため、5段目のDフリップフロップを構成するインバータの負荷トランジスタをオフに切り替え、貫通電流の発生が抑えられた低消費電力の待機状態となる。また、47の区間においては待機状態切り替え信号がLレベルであり、5段目のDフリップフロップを構成するインバータの負荷トランジスタはオンに切り替わり、通常のインバータ動作として機能する非待機状態となる。
【0051】
斜線部46の区間は5段目のDフリップフロップがデータのシフトに寄与しない区間に相当し、47の区間は5段目のDフリップフロップがデータのシフトに寄与する区間に相当する。
【0052】
このように、シフトレジスタとしての機能に関与しないDフリップフロップ内のインバータ回路を選択的にオフにすることにより、ゲート駆動回路の画面走査におけるシフトレジスタ動作の消費電力を低減することができた。
【0053】
なお、上記の実施の形態の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成できる。液晶層を含む液晶セルをOLED層にかえてOLED表示装置を構成する。
【0054】
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2を図面を参照して説明する。
【0055】
図5、図6は、本発明(実施の形態2)の液晶表示装置の構成を示したものである。従来例図11と同一部分には同一の符号を付けている。
【0056】
図5の51は蓄積容量線であり、液晶表示画素との間に補助容量102を形成している。52はゲート線駆動回路と蓄積容量線駆動回路であり、本発明(実施の形態1)のシフトレジスタを用いて構成した。また、ゲート線駆動回路と蓄積容量線駆動回路については、ひとつのシフトレジスタを共用して構成した。
【0057】
これによって、ゲート線駆動回路と蓄積容量線駆動回路のシフトレジスタは、データのシフトに寄与しない段のフリップフロップについて貫通電流の発生を抑えることができ、液晶表示装置の消費電力を低減することができた。
【0058】
次に、本発明(実施の形態2)の液晶表示装置の駆動の様子を、以下に説明する。
【0059】
図6は1画素の詳細を等価回路で示したものであり、画素トランジスタ10のドレイン電極とゲート線105の間には、ゲート−ドレイン間容量61(Cgd)が存在している。
【0060】
図7は本発明(実施の形態2)の駆動方法を示す駆動電圧波形図である。図7(a)は画像信号電圧Vsおよび対向電圧Vcの波形であり、図7(b)〜(d)はn段目のゲート線(Gn)に対して順次印加される走査信号電圧波形(VGn)と、n段目の蓄積容量線(Cstn)に対して順次印加される補償電圧波形(Vcstn)を示したものである。
【0061】
画像信号電圧Vsは、1走査期間(1H)毎に対向電圧Vcを基準に極性反転する電圧となっている。走査信号電圧VG1〜VG3において、Vgon、Vgoffは、それぞれ画素トランジスタ101をオン、オフさせる電圧である。また、補償信号電圧Vcst1〜Vcst3において、Vep、Vem、Vecは、蓄積容量102(Cs)に与える補償電圧であり、順次走査される走査信号配線ごとにVepとVemが切り替えて印加される。
【0062】
この補償電圧Vep、Vemはゲート線にオン電圧が印加されるタイミングと同時に印加され、画素へ所望の電位の充電が完了する時間が経過した後には、同蓄積容量線に対してVepとVemの中間電位であるVecが印加される。また、補償電圧Vep、Vemは1フィールド毎に画像信号電圧Vsの極性と同期させてVepとVemとを入れ替える。
【0063】
以上のように液晶パネルを駆動することにより、画素トランジスタ101がオフ状態となった時の各画素の液晶に印加される液晶画素電圧Vlcは、
Vlc(+)=Vs−Vc+[Cs・(Vec−Vem)−Cgd・(Vgon−Vgoff)]/(Cs+CLC+Cgd)
または、
Vlc(−)=Vs−Vc−[Cs・(Vep−Vec)+Cgd・(Vgon−Vgoff)]/(Cs+CLC+Cgd)
で算出される。液晶画素電圧Vlcは、画像信号電圧Vsの1フィールド毎の極性反転に対して正、負2種類の電圧となる。そのため、対向電圧Vcに対して正側をVlc(+)、負側をVlc(−)と定義した。
【0064】
ここで、Vlc(+)とVlc(−)の実効値が等しくなるように、補償電圧VepとVemを設定することで、液晶を交流駆動することができる。
【0065】
このようにして、画素電位を補償電圧で制御でき、画像信号電圧の振幅を小さくすることが可能であり、ソース線駆動回路部において低消費電力化を実現することができた。
【0066】
また、画像信号電圧Vsの電位中心と対向電位Vcを同電位にすることによって液晶に印加される直流成分を除去し、フリッカや焼き付き現象の発生を抑えた高品位の液晶表示装置を実現することができた。
【0067】
また、補償電圧Vepと補償電圧Vemの中間電位に設定した第3の補償電圧Vecを利用することにより、補償電圧としてVepとVemの2電位のみを用いた同様の原理の駆動方法に比べて、補償電圧信号が蓄積容量線に印加されるのは選択されたゲート線に対応する蓄積容量線のみでよく、補償電圧信号のシフトレジスタの消費電力低減を実現できた。
【0068】
なお、補償電圧がVemからVecに変化するタイミングおよびVepからVecに変化するタイミングは図7に示したものに限定されず、当段ゲート線に印加される走査信号電圧がVgoffになり、画素電極に画像信号電圧Vsが充電された後、数H期間の間で変化するタイミングであってもよい。
【0069】
また、液晶材料の誘電率異方性のために、液晶画素容量は画素に書き込まれた電位により異なり、黒書き込み時の液晶画素容量は白書き込み時の液晶画素容量に比べて大きいものとなる。したがって、本発明の駆動法によれば、表示画像が変化した場合、このような液晶材料の誘電率異方性に起因する容量結合電圧の動的挙動により、その変化を増幅する方向へ自動的に画素電極にオーバードライブ電圧が印加されるため、液晶の高速応答駆動を実現できた。
【0070】
また、52のゲート線駆動回路と蓄積容量線駆動回路は画面両側にそれぞれ設けられており、ゲート線および蓄積容量線は画面両側から駆動される構成とした。
【0071】
この構成により、ゲート配線抵抗が高い場合においても十分なオン電圧を印加することができ、表示品位の高い大画面液晶表示装置を実現できるようになった。
【0072】
なお、上記の実施の形態の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成できる。液晶層を含む液晶セルをOLED層にかえてOLED表示装置を構成する。
【0073】
(実施の形態3)
次に、本発明の実施の形態3を図面を参照して説明する。
【0074】
図8(a)は、本発明(実施の形態3)の液晶表示装置のゲート駆動回路の構成を示したものである。81はシフトレジスタであり、本発明(実施の形態1)、本発明(実施の形態2)に示した駆動回路を構成する低消費電力動作可能なシフトレジスタを用いた。また、82は出力信号選択回路、83は出力信号切り替え信号である。84は出力信号選択回路の出力であり、各出力はゲート線に接続されている。
【0075】
図8(b)は、出力信号選択回路82の回路構成例である。出力信号選択回路82は、シフトレジスタ81の各段毎に設けられており、シフトレジスタの(n−1)段、(n)段、(n+1)段の各出力信号からゲート駆動信号を発生させる機能を有する。
【0076】
以下に、出力信号選択回路82の動作を説明する。
【0077】
出力信号切り替え信号83が‘H’である場合には、シフトレジスタにおける(n−1)段、(n)段、(n+1)段の各出力信号データが‘0’、‘1’、‘0’(走査信号パルス)である場合においては、走査信号に対応したゲート線を選択し、薄膜トランジスタをオンする電圧を出力し、それ以外の場合においては、出力はオフ電圧となる。
【0078】
また、出力信号切り替え信号83が‘L’である場合には、シフトレジスタにおける(n−1)段、(n)段の各出力信号データが‘1’、‘1’(複数ゲート線選択パルス列)である場合においては、走査信号に対応したゲート線を選択し、薄膜トランジスタをオンする電圧を出力し、それ以外の場合においては、出力はオフ電圧となる。
【0079】
このような構成においては、走査信号に対応したゲート線を選択する走査信号パルスと、任意複数本のゲート線を一括して選択する複数ゲート線選択パルス列は順次同時に走査することが可能である。
【0080】
上記に説明した機能を有するゲートドライバを具備した液晶表示装置においては、走査信号に対応したゲート線の画素電極に対しては1走査線に相当する画像信号をソース線より書き込み、また、前記複数ゲート線選択パルス列に対応した任意複数本のゲート線の画素電極に対しては同時に黒画像信号電位に充電するという構成を持たせることが可能である。
【0081】
上記構成を用いて、画像が書き込まれるフィールド毎に黒信号の書き込みを挿入可能である液晶表示装置を開発した。図9は本発明(実施の形態3)におけるゲート選択パルス信号のタイミングチャートである。図9において、86は画像信号書き込み期間であり、85は黒信号挿入期間である。また、87は1フィールド期間である。
【0082】
画像を表示した後に、一括して複数のゲート線を選択した期間に黒信号挿入期間をあてることにより、画像書き込みの時間を十分に確保しながら、フィールド毎に黒信号の書き込みを挿入可能とすることができた。
【0083】
本実施の形態においては、4ライン分(Gn,Gn−1,Gn−2,Gn−3)について順次画像の書き込みがなされた後に、4ライン分(Gn−4,Gn−5,Gn−6,Gn−7)が一括選択され、一斉に黒信号による書き込みが行われる。
【0084】
このようにして、液晶表示装置に動画像を表示する場合において、液晶画素の容量による電荷保持効果に起因して発生する残像ボケを、黒挿入によるストロボ効果によって解消し、動画視認性の向上した液晶表示装置を実現できた。
【0085】
なお、上記の実施の形態の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成できる。液晶層を含む液晶セルをOLED層にかえてOLED表示装置を構成する。
【0086】
(実施の形態4)
本発明(実施の形態4)では、本発明(実施の形態1〜3)の駆動回路を画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成した。
【0087】
これによって、駆動回路を薄膜トランジスタ製造プロセスで、画素と駆動回路を一括して製造することができ、駆動回路を構成する部品を削減することができた。また、画素トランジスタと駆動回路に使用するトランジスタを同じpチャネルのトランジスタで構成することができるため、薄膜トランジスタの種類を減らし、簡単な薄膜トランジスタ製造プロセスで液晶表示装置を製造することができるようになった。
【0088】
なお、上記の実施の形態の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成できる。液晶層を含む液晶セルをOLED層にかえてOLED表示装置を構成する。
【0089】
(実施の形態5)
次に、本発明の実施の形態5を図面を参照して説明する。
【0090】
図10は、本発明(実施の形態5)の液晶表示装置のゲート駆動回路の構成を示したものである。図10におけるシフトレジスタは、本発明(実施の形態1)、本発明(実施の形態2)、本発明(実施の形態3)に示した駆動回路を構成する低消費電力動作可能なシフトレジスタを用いている。なお、ここではDフリップフロップ41に入力される待機状態切り替え信号および、待機状態判別手段についての記述は省略した。
【0091】
また、本発明(実施の形態4)に示したように、これらの駆動回路は画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成した。
【0092】
図10(a)は、前記駆動回路がQn、Qn+1、Qn+2の順に、データをシフトする場合(順方向走査)の構成であり、95はその走査方向である。
【0093】
また、図10(b)は、前記駆動回路がQn、Qn−1、Qn−2の順に、データをシフトする場合(逆方向走査)の構成であり、96はその走査方向である。
【0094】
Dフリップフロップの動作を制御するクロック信号の結線97と、各段のDフリップフロップのデータ入力端子91と各段の出力Qnを接続する結線94を図10(a)または図10(b)のように切り替えることによって、同一のクロック信号、同一のDフリップフロップを用いて、順方向走査の機能と逆方向走査の機能を切り替えることができる。
【0095】
したがって、順方向スキャンの機能と逆方向スキャンの機能を切り替えて使用する場合においては、機能の切り替えは露光プロセスにおけるアレイマスク版の結線変更のみによって行うことができる。
【0096】
このようにして、切り替え信号などの信号配線および前記切り替え信号の制御回路は不要であり、また機能切り替え後のモードによらず周辺部品および信号制御回路構成を共有化することができ、安価かつ多機能な液晶表示装置を実現できた。
【0097】
なお、本発明では画素トランジスタと駆動回路で使用するトランジスタをpチャネルトランジスタとして説明したが、nチャネルトランジスタであっても、本発明の実施の効果は同じである。
【0098】
なお、上記の実施の形態の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成できる。液晶層を含む液晶セルをOLED層にかえてOLED表示装置を構成する。
【産業上の利用可能性】
【0099】
本発明では、駆動回路の消費電力を低減し、また、画素トランジスタと同一極性をもつトランジスタのみで構成する場合においても、高信頼性動作が実現でき、高画像品位かつ安価な液晶表示装置、及びOLED表示装置を提供できる。
【符号の説明】
【0100】
11 pチャンネル駆動トランジスタ
12 pチャンネル負荷トランジスタ
13 低消費電力インバータ回路の出力
14 低消費電力インバータ回路の入力
15 低消費電力インバータ回路の待機状態切り替え信号
21 低消費電力インバータ回路
22 低消費電力インバータを用いたシフトレジスタの入力
23 低消費電力インバータを用いたシフトレジスタの1段目の出力
24 低消費電力インバータを用いたシフトレジスタの2段目の出力
25 1段目のDフリップフロップを制御するスイッチングトランジスタ
26 トランジスタ25を制御する信号
27 トランジスタ28を制御する信号
28 2段目のDフリップフロップを制御するスイッチングトランジスタ
41 低消費電力インバータ回路21により構成されるDフリップフロップ
42 待機状態判別手段
43 奇数段目のDフリップフロップに入力されるクロック信号
44 偶数段目のDフリップフロップに入力されるクロック信号
45 シフトレジスタのスタートパルス入力端子
46 5段目のDフリップフロップの低消費電力待機状態区間
47 5段目のDフリップフロップが通常動作する非待機状態区間
51 蓄積容量線
52 シフトレジスタを共用して一体構成したゲート線駆動回路と蓄積容量線駆動回路
61 ゲート−ドレイン間容量(Cgd)
81 本発明(実施の形態3)におけるシフトレジスタ
82 出力信号選択回路
83 出力信号切り替え信号(SET)
84 出力信号選択回路82の出力
85 本発明(実施の形態3)における黒信号挿入期間
86 本発明(実施の形態3)における画像信号書き込み期間
87 1フィールド期間
91 Dフリップフロップのデータ入力端子
94 Dフリップフロップのデータ入力端子91と各段の出力Qnを接続する結線
95 本発明(実施の形態5)における順走査方向
96 本発明(実施の形態5)における逆走査方向
97 本発明(実施の形態5)におけるDフリップフロップの動作を制御するクロック信号の結線
101 液晶表示装置の画素を駆動する薄膜トランジスタ
102 画素の蓄積容量
103 液晶
104 ソース線
105 ゲート線
106 共通電極
107 ゲート線駆動回路
108 ソース線駆動回路
111 垂直走査期間
112 水平走査期間
121 従来例のインバータ
122 電源
123 従来例のpチャネルトランジスタ
124 抵抗
125 貫通電流
126 従来例のフリップフロップを構成するスイッチ(SW1)
127 従来例のフリップフロップを構成するスイッチ(SW2)
128 Dフリップフロップ構成における出力帰還部
129 グランド電位
131 従来例のシフトレジスタ1段目のスイッチングトランジスタ
132 従来例のシフトレジスタ2段目のスイッチングトランジスタ
133 従来例のシフトレジスタ2段目のスイッチングトランジスタ
134 従来例のシフトレジスタ4段目のスイッチングトランジスタ
135 トランジスタ131のオン・オフを制御する信号
136 トランジスタ132のオン・オフを制御する信号
137 トランジスタ133のオン・オフを制御する信号
138 トランジスタ134のオン・オフを制御する信号
139 従来例のシフトレジスタにおける1段目のDフリップフロップ
140 従来例のシフトレジスタにおける2段目のDフリップフロップ
141 従来例のシフトレジスタにおける3段目のDフリップフロップ
142 従来例のシフトレジスタにおける4段目のDフリップフロップ
143 従来例のシフトレジスタにおける入力端子
144 従来例のシフトレジスタにおける1段目の出力端子
145 従来例のシフトレジスタにおける2段目の出力端子
146 従来例のシフトレジスタにおける3段目の出力端子
147 従来例のシフトレジスタにおける4段目の出力端子
148 同時に反転する2相のクロック信号波形

【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ソース線駆動回路または前記ゲート線駆動回路が同極性のみを有するトランジスタで構成された複数の縦続された段からなるシフトレジスタから構成されており、前記シフトレジスタの各段がデューテイ・サイクル50%ではなく位相のずれたクロック信号に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項2】
液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ゲート線駆動回路が、複数の縦続されたm段(m>3)からなるシフトレジスタを有しており、走査信号に対応したゲート線を選択する走査信号パルスと、任意複数本のゲート線を一括して選択する複数ゲート線選択パルスが同一フィールド内で位相をずらして走査されるものであり、各々選択されたゲート線には薄膜トランジスタを導通状態にするオン電圧が印加され、前記走査信号に対応したゲート線の画素電極に対しては1走査線に相当する画像信号が書き込まれ、前記複数ゲート線選択パルスに対応した任意複数本のゲート線の画素電極は同時に一定電位に充電されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項3】
請求項2に記載の液晶表示装置の駆動回路において、前記複数ゲート線選択パルスに対応した任意複数本のゲート線の画素電極が同時に充電される一定電位が黒信号レベルであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項4】
液晶表示画素と薄膜トランジスタにより形成された画素駆動用トランジスタと前記画素駆動用トランジスタのソース線を駆動するソース線駆動回路と前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路と前記液晶表示画素との間に補助容量を形成する蓄積容量線を駆動する蓄積容量線駆動回路とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、その駆動方法が、前記画素電極に画像信号電圧を印加するために薄膜トランジスタを導通状態にするオン電圧がゲート線に印加されている期間において前記画像信号電圧が印加される前記画素電極との間に補助容量を形成した隣接する前記蓄積容量線に対して所定の補償電圧を印加するものであり、前記所定の補償電圧は第1、第2および第3の補償電圧からなり、同一走査信号配線に対して1フィールド毎に前記第1および第2の補償電圧を交互に印加し、かつ前記画素電極に前記画像信号電圧が充電された後、各蓄積容量線の電位は第3の補償電圧となる事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項5】
請求項4に記載の液晶表示装置であって、前記画素駆動用トランジスタのゲート線を駆動するゲート線駆動回路を構成するシフトレジスタ部と前記液晶表示画素との間に補助容量を形成する蓄積容量線を駆動する蓄積容量線駆動回路を構成するシフトレジスタ部を共通とした事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項6】
請求項1から請求項5のいずれかに記載の液晶表示装置の駆動回路と画素トランジスタとが同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項7】
請求項1から請求項5のいずれかに記載の液晶表示装置の駆動回路と画素トランジスタとを同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成される液晶表示装置であって、前記駆動回路が表示画面両側に設けられており、駆動信号が画面両側から印加されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項8】
駆動回路を画素トランジスタを形成する同一のプロセスを用いて同一ガラス基板上に形成する液晶表示装置であって、前記駆動回路が複数の機能を有するものであり、前記複数の機能の切り替えは周辺回路は同一でありアレイマスク版の結線変更によって行われることを、または、選択する機能に関与する配線のみにコンタクト部分の絶縁破壊を生じさせることの出きる高電圧または結線を溶断することのできる大電流を印加するための予備配線を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項9】
請求項1から請求項8のいずれかに記載の液晶表示装置をOLED表示装置にかえて構成することをOLED表示装置。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate

【図15】
image rotate

【図16】
image rotate


【公開番号】特開2011−203742(P2011−203742A)
【公開日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−104977(P2011−104977)
【出願日】平成23年5月10日(2011.5.10)
【分割の表示】特願2001−164478(P2001−164478)の分割
【原出願日】平成13年5月31日(2001.5.31)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】