有機ＥＬ表示装置
【課題】画素毎に設けた電極の端縁への電界集中に起因する発光能の低下を抑制し、かつ明るい表示画像を得る。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜ＢＮＫの上に形成された透明性の第１電極ＡＤと、第１電極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層ＬＭＬの上に形成された反射性の第２電極ＥＤとを有する。透明性の第２絶縁膜ＩＮＳを第１電極ＡＤの端縁を覆い、かつ画素の基準発光領域を規定する如く第１電極ＡＤの周囲に形成した。
【解決手段】絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜ＢＮＫの上に形成された透明性の第１電極ＡＤと、第１電極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層ＬＭＬの上に形成された反射性の第２電極ＥＤとを有する。透明性の第２絶縁膜ＩＮＳを第１電極ＡＤの端縁を覆い、かつ画素の基準発光領域を規定する如く第１電極ＡＤの周囲に形成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に画素毎に設けた電極の端縁への電界集中に起因する発光能の低下を抑制し、かつ明るい表示画像を得るのに好適な技術である。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ここでは、ボトムエミッション型を対象とする。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板などの絶縁基板の内面に画素毎に形成した第１電極（一方の電極、下部電極）の上に所定の色光で発光する有機発光層を積層し、その上に第２電極（他方の電極、上部電極）を成膜する。第１電極と第２電極の間に電圧を加えることで、有機発光層にホールとキャリアが注入されて有機発光層の材料に依存した所定の周波数の発光が生じる。この画素を二次元に配置して画像表示を行う。
【０００４】
図２１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を構成する１画素の従来の構成例を説明する断面模式図である。この有機ＥＬ表示装置はアクティブ・マトリクス方式である。ガラスを好適とする透明基板ＳＵＢの内面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは保護絶縁層ＰＡＳで覆われている。この保護絶縁層ＰＡＳの上に、第１電極（例えば、陽極）ＡＤとしてＩＴＯを好適とする透明性の導電膜が形成され、保護絶縁層ＰＡＳの開けたスルーホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極（又は、ドレイン電極）に接続され、当該薄膜トランジスタＴＦＴで印加電圧のオン・オフが制御されている。
【０００５】
陽極ＡＤの上には１画素の領域を周囲で区画するためのバンクＢＮＫが絶縁材料で形成されている。このバンクＢＮＫで囲まれた凹部を含めて有機発光層ＬＭＬが成膜されている。有機発光層ＬＭＬは複数層で構成されている。その上に第２電極（例えば、陰極）ＥＤとしてアルミニウムを好適とする反射性の導電膜が形成されている。第２電極ＥＤの上方には素子の保護と有機発光層ＬＭＬへの湿気の侵入を阻止するための封止缶（封止板）ＳＥが設置されている。封止缶ＳＥはガラス板、金属板、プラスチックシートなどが用いられる。なお、通常、封止缶ＳＥの内側には吸湿剤又は防湿剤が配置される。
【０００６】
図２１では、断面が正台形（ここで、正台形とは、下底が上底より長い台形と定義する）のバンクＢＮＫで囲まれた凹部を画素領域としているが、断面が正台形のバンクＢＮＫの凸部（上底部）を画素領域としたものは特許文献１に開示されている。また、断面が正台形のバンクＢＮＫで囲まれた凹部における画素領域内に断面が伏せた椀状の起伏を複数形成したものが特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２００３−３３２３８８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
薄膜トランジスタで制御される第１電極は画素毎に分離され、端縁を持っている。これに対し、第２電極は、複数画素（あるいは、全画素）に対して共通に形成されている。そのため、第１電極の端縁に対し、第２電極との間で電界の集中が起こる。電界の集中はリーク電流の発生をもたらし、有機発光層の発光能を阻害するため、画素の発光量が低下することになる。このことは、特許文献１に開示のようなバンクＢＮＫの凸部を画素領域としたものにおいて顕著である。なお、このような電界の集中による画素の発光量の低下に関して、特許文献１，２では考慮がされていない。
【０００８】
本発明の目的は、画素毎に設けた電極の端縁への電界集中に起因する発光能の低下を抑制し、かつ明るい表示画像を得ることのできる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する。
【００１０】
そして、上記目的を達成するため、本発明は、前記第２絶縁膜を第１電極の端縁を覆い、かつ前記画素の基準発光領域を規定する如く前記第１電極の周囲に形成した。この第２絶縁膜を透明性とすることで、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。この第１絶縁膜の側面、すなわち正台形の側壁の内側立ち上がり角度は４５度未満とするのが好ましい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板の内面に画素毎に突出形成する第１絶縁膜として、断面が伏せた椀状のものとすることができる。この場合も、この第２絶縁膜を透明性とすることで、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。前記基板面と接する位置での前記伏せたお椀状の第１絶縁膜の側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とするのが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
前記第２絶縁膜で第１電極の端縁を覆うことで、第１電極の端縁と第２電極の間の距離が拡大され、第１電極の端縁での電界集中が軽減し、電界集中に起因するリーク電流発生が防止され、リークパスによる表示欠陥や有機発光層の発光能低下が抑制される。また、第２絶縁膜を透明性とし、第１絶縁膜の側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とすることで基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光が基板側に取り出され、第２絶縁膜で規定される基準発光領域の周囲も画素領域となり、開口率が拡大して明るい画像表示が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、第１電極を陽極、第２電極を陰極として説明するが、これらの極性は逆でもよいことは言うまでもない。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する画素の模式図である。図１（ａ）は１画素の断面図ある。また、図１（ｂ）はカラー１画素を構成する３色画素の平面図で、有機発光層と第２電極を除去した状態で示す。図１（ａ）において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜すなわちバンクＢＮＫと、バンクＢＮＫの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００１５】
図１（ｂ）に示したように、カラー１画素は、赤画素ＰＸ（Ｒ）、緑画素ＰＸ（Ｇ）、青画素ＰＸ（Ｂ）の３色の画素で構成される。陽極ＡＤの周囲に形成され第２絶縁膜ＩＮＳは、画素の基準発光領域を規定する如く陽極ＡＤの端部を覆って、その周囲に形成されている。すなわち、第２絶縁膜ＩＮＳは各画素の第１方向（水平走査方向）のサイズＰＺＸ、第２方向（垂直走査方向）のサイズＰＸＹからなる基準発光領域（基準開口）を規定している。
【００１６】
この第２絶縁膜ＩＮＳは、透明性とする。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜ＢＮＫの側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記正台形のバンクＢＮＫの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００１７】
図２は、図１（ａ）の矢印Ａで示す部分の拡大図である。図１と同一符号は同一機能部分を示す。バンクＢＮＫの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００１８】
陰極ＥＤは、バンクＢＮＫの形状に倣って成膜される。したがって、バンクＢＮＫの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はバンクＢＮＫの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００１９】
前記したように、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【００２０】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の製作手順の説明図である。先ず、絶縁基板ＳＵＢの内面に薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、保護絶縁膜ＰＡＳで被覆する。保護絶縁膜ＰＡＳには、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極（又はドレイン電極、以下ソース電極）に達するスルーホールＴＨは形成される（図３（ａ））。
【００２１】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に有機材料（アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等）または無機材料（ＳｉＮ、ＳｉＯ等）でバンクＢＮＫを形成する（図３（ｂ））。バンクＢＮＫは、断面が正台形となるように、かつ絶縁基板ＳＵＢに対するバンクＢＮＫの内側壁の立ち上がり角度θが４５度未満になるように形成する。
【００２２】
バンクＢＮＫの上、かつ保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に接続した陽極ＡＤを成膜する（図３（ｃ））。実施例１では、陽極ＡＤの端部はバンクＢＮＫの周辺で当該バンクＢＮＫの上にある。
【００２３】
画素の基準発光領域の開口サイズを規制し、上記陽極ＡＤの端部を含む外周を覆って第２絶縁膜ＩＮＳを形成する（図３（ｄ））。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。
【００２４】
第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつバンクＢＮＫの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを形成する（図３（ｅ））。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成される。
【００２５】
そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤを成膜する（図３（ｆ））。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００２６】
こうして製作された実施例１の有機ＥＬ表示装置によれば、第２絶縁膜で陽極の端縁を覆うことで、陽極の端縁と陰極の間の距離が拡大され、陽極の端縁での電界集中が軽減し、電界集中に起因するリーク電流発生が防止され、リークパスによる表示欠陥や有機発光層の発光能低下が抑制される。また、第２絶縁膜を透明性とし、第１絶縁膜であるバンクの側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とすることで基準発光領域から絶縁基板面に沿う方向に出て正台形のバンクの側面で反射する光が基板側に取り出され、第２絶縁膜で規定される基準発光領域の周囲も画素領域となり、開口率が拡大して明るい画像表示が得られる。
【実施例２】
【００２７】
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する画素の模式図である。また、図５は、図４の矢印Ｂで示した部分の拡大図である。実施例２は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１における第１絶縁膜のバンクに代えて、断面が正台形の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００２８】
陽極ＡＤ上、かつその上面に基準発光領域を開口させて、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００２９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００３０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００３１】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例３】
【００３２】
図６は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する画素の模式図である。また、図７は、図６の矢印Ｃで示した部分の拡大図である。実施例３は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１と同様の断面が正台形のバンクＢＮＫを形成してある。このバンクＢＮＫの上に陽極ＡＤが形成されている。陽極ＡＤはバンクＢＮＫの全表面を覆っている点で実施例１と異なる。陽極ＡＤの端部は保護絶縁膜ＰＡＳ上にある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００３３】
この陽極ＡＤ上、かつ台形の側壁の一部を含めて陽極ＡＤの端部を覆う第２接続膜ＩＮＳが形成されている。画素の基準発光領域は台形の側壁の残りの部分を含めて開口されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでも、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００３４】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００３５】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００３６】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例４】
【００３７】
図８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する画素の模式図である。また、図９は、図８の矢印Ｄで示した部分の拡大図である。実施例４は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例２と同様に断面が正台形の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００３８】
陽極ＡＤ上、かつその側壁の一部にかけて基準発光領域を開口させ、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでも、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００３９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００４０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００４１】
実施例２と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例５】
【００４２】
図１０は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する画素の断面模式図である。図１１は、図１０の矢印Ｅで示す部分の拡大図である。図１０において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が伏せたお椀状をなす第１絶縁膜すなわちバンクＢＮＫと、バアンクＢＮＫの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００４３】
この第２絶縁膜ＩＮＳは、透明性とする。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て伏せたお椀状の第１絶縁膜ＢＮＫの側面における陰極ＥＤで反射する光を絶縁基板ＳＵＢ側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記伏せたお椀状のバンクＢＮＫの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００４４】
バンクＢＮＫの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００４５】
陰極ＥＤは、バンクＢＮＫの形状に倣って成膜される。したがって、バンクＢＮＫの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はバンクＢＮＫの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００４６】
前記したように、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳをＳｉＮ等の透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例６】
【００４７】
図１２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する画素の模式図である。また、図１３は、図１２の矢印Ｆで示した部分の拡大図である。実施例６は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１における第１絶縁膜のバンクに代えて、断面が伏せたお椀状の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００４８】
陽極ＡＤ上、かつその上面に基準発光領域を開口させて、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００４９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００５０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００５１】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例７】
【００５２】
図１４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１５は、図１４の矢印Ｇで示す部分の拡大図である。図１４において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす如くカラーフィルタＣＦを形成して第１絶縁膜すなわちバンクとする。このカラーフィルタＣＦの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００５３】
この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形のカラーフィルタＣＦの側面で反射する光を絶縁基板側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記正台形のカラーフィルタＣＦの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００５４】
カラーフィルタＣＦの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００５５】
陰極ＥＤは、カラーフィルタＣＦの形状に倣って成膜される。したがって、カラーフィルタＣＦの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はカラーフィルタＣＦの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００５６】
第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例８】
【００５７】
図１６は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例８を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１７は、図１６の矢印Ｈで示す部分の拡大図である。この実施例は前記した実施例１における第２絶縁膜ＩＮＳを陰極ＥＤで囲まれる範囲内に形成したものである。他の構成は実施例１と同様である。実施例８によれば、１画素の内部に第２絶縁膜ＩＮＳの厚み分を取り込むことで、陰極ＥＤの反射光を有効利用でき、明るさが向上する。
【実施例９】
【００５８】
図１８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例９を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１９は、図１８の矢印Ｉで示す部分の拡大図である。この実施例は前記した実施例８における有機発光層ＬＭＬも陰極ＥＤで囲まれる範囲内に形成したものである。他の構成は実施例８と同様である。実施例９によれば、１画素の内部に第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの厚み分を取り込むことで、陰極ＥＤの反射光を有効利用でき、明るさがさらに向上する。
【００５９】
図２０は、有機ＥＬ表示装置の等価回路の一例を説明する図である。１画素は走査線（ゲート線）ＧＬとデータ線ＤＬに囲まれた領域に形成される。ＣＳＬは電流供給線、ＣＳＬBは電流供給母線である。１画素は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１（スイッチングトランジスタ）と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２（ドライバトランジスタ）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、およびコンデンサＣＰＲで構成される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、 前記した陽極―有機発光層―陰極の積層構造で構成される。走査線ＧＬは走査駆動回路ＧＤＲで駆動され、データ線ＤＬはとデータ駆動回路ＤＤＲで駆動される。電流供給線ＣＳＬは、電流供給バスラインＣＳＬＢから表示領域ＡＲの外側で分岐している。そして、各画素に対して上記コンデンサＣＰＲに蓄積された画像データの大きさに応じた電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給し、所定の強さ（光量）で発光させる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する画素の模式図である。
【図２】図１（ａ）の矢印Ａで示す部分の拡大図である。
【図３】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製作手順の説明図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する画素の模式図である。
【図５】図４の矢印Ｂで示した部分の拡大図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する画素の模式図である。
【図７】図６の矢印Ｃで示した部分の拡大図である。
【図８】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する画素の模式図である。
【図９】図８の矢印Ｄで示した部分の拡大図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する画素の断面模式図である。
【図１１】図１０の矢印Ｅで示す部分の拡大図である。
【図１２】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する画素の模式図である。
【図１３】図１２の矢印Ｆで示した部分の拡大図である。
【図１４】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１５】図１４の矢印Ｇで示す部分の拡大図である。
【図１６】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例８を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１７】図１６の矢印Ｈで示す部分の拡大図である。
【図１８】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例９を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１９】図１８の矢印Ｉで示す部分の拡大図である。
【図２０】有機ＥＬ表示装置の等価回路の一例を説明する図である。
【図２１】ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を構成する１画素の従来の構成例を説明する断面模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
ＳＵＢ・・・透明性の絶縁基板、ＢＮＫ・・・第１の絶縁膜（バンク）、ＡＤ・・・透明性の陽極、ＬＭＬ・・・有機発光層、ＥＤ・・・反射性の陰極、ＩＮＳ・・・第２絶縁膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係り、特に画素毎に設けた電極の端縁への電界集中に起因する発光能の低下を抑制し、かつ明るい表示画像を得るのに好適な技術である。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。中でも、有機ＥＬ表示装置は薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。ここでは、ボトムエミッション型を対象とする。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板などの絶縁基板の内面に画素毎に形成した第１電極（一方の電極、下部電極）の上に所定の色光で発光する有機発光層を積層し、その上に第２電極（他方の電極、上部電極）を成膜する。第１電極と第２電極の間に電圧を加えることで、有機発光層にホールとキャリアが注入されて有機発光層の材料に依存した所定の周波数の発光が生じる。この画素を二次元に配置して画像表示を行う。
【０００４】
図２１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を構成する１画素の従来の構成例を説明する断面模式図である。この有機ＥＬ表示装置はアクティブ・マトリクス方式である。ガラスを好適とする透明基板ＳＵＢの内面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは保護絶縁層ＰＡＳで覆われている。この保護絶縁層ＰＡＳの上に、第１電極（例えば、陽極）ＡＤとしてＩＴＯを好適とする透明性の導電膜が形成され、保護絶縁層ＰＡＳの開けたスルーホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極（又は、ドレイン電極）に接続され、当該薄膜トランジスタＴＦＴで印加電圧のオン・オフが制御されている。
【０００５】
陽極ＡＤの上には１画素の領域を周囲で区画するためのバンクＢＮＫが絶縁材料で形成されている。このバンクＢＮＫで囲まれた凹部を含めて有機発光層ＬＭＬが成膜されている。有機発光層ＬＭＬは複数層で構成されている。その上に第２電極（例えば、陰極）ＥＤとしてアルミニウムを好適とする反射性の導電膜が形成されている。第２電極ＥＤの上方には素子の保護と有機発光層ＬＭＬへの湿気の侵入を阻止するための封止缶（封止板）ＳＥが設置されている。封止缶ＳＥはガラス板、金属板、プラスチックシートなどが用いられる。なお、通常、封止缶ＳＥの内側には吸湿剤又は防湿剤が配置される。
【０００６】
図２１では、断面が正台形（ここで、正台形とは、下底が上底より長い台形と定義する）のバンクＢＮＫで囲まれた凹部を画素領域としているが、断面が正台形のバンクＢＮＫの凸部（上底部）を画素領域としたものは特許文献１に開示されている。また、断面が正台形のバンクＢＮＫで囲まれた凹部における画素領域内に断面が伏せた椀状の起伏を複数形成したものが特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２００３−３３２３８８号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
薄膜トランジスタで制御される第１電極は画素毎に分離され、端縁を持っている。これに対し、第２電極は、複数画素（あるいは、全画素）に対して共通に形成されている。そのため、第１電極の端縁に対し、第２電極との間で電界の集中が起こる。電界の集中はリーク電流の発生をもたらし、有機発光層の発光能を阻害するため、画素の発光量が低下することになる。このことは、特許文献１に開示のようなバンクＢＮＫの凸部を画素領域としたものにおいて顕著である。なお、このような電界の集中による画素の発光量の低下に関して、特許文献１，２では考慮がされていない。
【０００８】
本発明の目的は、画素毎に設けた電極の端縁への電界集中に起因する発光能の低下を抑制し、かつ明るい表示画像を得ることのできる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する。
【００１０】
そして、上記目的を達成するため、本発明は、前記第２絶縁膜を第１電極の端縁を覆い、かつ前記画素の基準発光領域を規定する如く前記第１電極の周囲に形成した。この第２絶縁膜を透明性とすることで、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。この第１絶縁膜の側面、すなわち正台形の側壁の内側立ち上がり角度は４５度未満とするのが好ましい。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板の内面に画素毎に突出形成する第１絶縁膜として、断面が伏せた椀状のものとすることができる。この場合も、この第２絶縁膜を透明性とすることで、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。前記基板面と接する位置での前記伏せたお椀状の第１絶縁膜の側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とするのが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
前記第２絶縁膜で第１電極の端縁を覆うことで、第１電極の端縁と第２電極の間の距離が拡大され、第１電極の端縁での電界集中が軽減し、電界集中に起因するリーク電流発生が防止され、リークパスによる表示欠陥や有機発光層の発光能低下が抑制される。また、第２絶縁膜を透明性とし、第１絶縁膜の側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とすることで基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜の側面で反射する光が基板側に取り出され、第２絶縁膜で規定される基準発光領域の周囲も画素領域となり、開口率が拡大して明るい画像表示が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、第１電極を陽極、第２電極を陰極として説明するが、これらの極性は逆でもよいことは言うまでもない。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する画素の模式図である。図１（ａ）は１画素の断面図ある。また、図１（ｂ）はカラー１画素を構成する３色画素の平面図で、有機発光層と第２電極を除去した状態で示す。図１（ａ）において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす第１絶縁膜すなわちバンクＢＮＫと、バンクＢＮＫの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００１５】
図１（ｂ）に示したように、カラー１画素は、赤画素ＰＸ（Ｒ）、緑画素ＰＸ（Ｇ）、青画素ＰＸ（Ｂ）の３色の画素で構成される。陽極ＡＤの周囲に形成され第２絶縁膜ＩＮＳは、画素の基準発光領域を規定する如く陽極ＡＤの端部を覆って、その周囲に形成されている。すなわち、第２絶縁膜ＩＮＳは各画素の第１方向（水平走査方向）のサイズＰＺＸ、第２方向（垂直走査方向）のサイズＰＸＹからなる基準発光領域（基準開口）を規定している。
【００１６】
この第２絶縁膜ＩＮＳは、透明性とする。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形の第１絶縁膜ＢＮＫの側面で反射する光を基板側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記正台形のバンクＢＮＫの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００１７】
図２は、図１（ａ）の矢印Ａで示す部分の拡大図である。図１と同一符号は同一機能部分を示す。バンクＢＮＫの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００１８】
陰極ＥＤは、バンクＢＮＫの形状に倣って成膜される。したがって、バンクＢＮＫの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はバンクＢＮＫの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００１９】
前記したように、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【００２０】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の製作手順の説明図である。先ず、絶縁基板ＳＵＢの内面に薄膜トランジスタＴＦＴを形成し、保護絶縁膜ＰＡＳで被覆する。保護絶縁膜ＰＡＳには、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極（又はドレイン電極、以下ソース電極）に達するスルーホールＴＨは形成される（図３（ａ））。
【００２１】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に有機材料（アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等）または無機材料（ＳｉＮ、ＳｉＯ等）でバンクＢＮＫを形成する（図３（ｂ））。バンクＢＮＫは、断面が正台形となるように、かつ絶縁基板ＳＵＢに対するバンクＢＮＫの内側壁の立ち上がり角度θが４５度未満になるように形成する。
【００２２】
バンクＢＮＫの上、かつ保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に接続した陽極ＡＤを成膜する（図３（ｃ））。実施例１では、陽極ＡＤの端部はバンクＢＮＫの周辺で当該バンクＢＮＫの上にある。
【００２３】
画素の基準発光領域の開口サイズを規制し、上記陽極ＡＤの端部を含む外周を覆って第２絶縁膜ＩＮＳを形成する（図３（ｄ））。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。
【００２４】
第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつバンクＢＮＫの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを形成する（図３（ｅ））。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成される。
【００２５】
そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤを成膜する（図３（ｆ））。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００２６】
こうして製作された実施例１の有機ＥＬ表示装置によれば、第２絶縁膜で陽極の端縁を覆うことで、陽極の端縁と陰極の間の距離が拡大され、陽極の端縁での電界集中が軽減し、電界集中に起因するリーク電流発生が防止され、リークパスによる表示欠陥や有機発光層の発光能低下が抑制される。また、第２絶縁膜を透明性とし、第１絶縁膜であるバンクの側壁の内側立ち上がり角度を４５度未満とすることで基準発光領域から絶縁基板面に沿う方向に出て正台形のバンクの側面で反射する光が基板側に取り出され、第２絶縁膜で規定される基準発光領域の周囲も画素領域となり、開口率が拡大して明るい画像表示が得られる。
【実施例２】
【００２７】
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する画素の模式図である。また、図５は、図４の矢印Ｂで示した部分の拡大図である。実施例２は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１における第１絶縁膜のバンクに代えて、断面が正台形の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００２８】
陽極ＡＤ上、かつその上面に基準発光領域を開口させて、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００２９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００３０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００３１】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例３】
【００３２】
図６は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する画素の模式図である。また、図７は、図６の矢印Ｃで示した部分の拡大図である。実施例３は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１と同様の断面が正台形のバンクＢＮＫを形成してある。このバンクＢＮＫの上に陽極ＡＤが形成されている。陽極ＡＤはバンクＢＮＫの全表面を覆っている点で実施例１と異なる。陽極ＡＤの端部は保護絶縁膜ＰＡＳ上にある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００３３】
この陽極ＡＤ上、かつ台形の側壁の一部を含めて陽極ＡＤの端部を覆う第２接続膜ＩＮＳが形成されている。画素の基準発光領域は台形の側壁の残りの部分を含めて開口されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでも、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００３４】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００３５】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００３６】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例４】
【００３７】
図８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する画素の模式図である。また、図９は、図８の矢印Ｄで示した部分の拡大図である。実施例４は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例２と同様に断面が正台形の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００３８】
陽極ＡＤ上、かつその側壁の一部にかけて基準発光領域を開口させ、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでも、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００３９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００４０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００４１】
実施例２と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例５】
【００４２】
図１０は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する画素の断面模式図である。図１１は、図１０の矢印Ｅで示す部分の拡大図である。図１０において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が伏せたお椀状をなす第１絶縁膜すなわちバンクＢＮＫと、バアンクＢＮＫの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００４３】
この第２絶縁膜ＩＮＳは、透明性とする。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て伏せたお椀状の第１絶縁膜ＢＮＫの側面における陰極ＥＤで反射する光を絶縁基板ＳＵＢ側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記伏せたお椀状のバンクＢＮＫの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００４４】
バンクＢＮＫの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００４５】
陰極ＥＤは、バンクＢＮＫの形状に倣って成膜される。したがって、バンクＢＮＫの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はバンクＢＮＫの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００４６】
前記したように、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳをＳｉＮ等の透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例６】
【００４７】
図１２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する画素の模式図である。また、図１３は、図１２の矢印Ｆで示した部分の拡大図である。実施例６は、絶縁基板ＳＵＢに形成した保護絶縁膜ＰＡＳの上に、実施例１における第１絶縁膜のバンクに代えて、断面が伏せたお椀状の陽極ＡＤを形成してある。陽極ＡＤは保護絶縁膜ＰＡＳのスルーホールで薄膜トランジスタＴＦＴに接続される。
【００４８】
陽極ＡＤ上、かつその上面に基準発光領域を開口させて、当該陽極ＡＤの端部を覆って第２接続膜ＩＮＳが形成されている。第２絶縁膜ＩＮＳはＳｉＮを好適とする透明材料とする。第２絶縁膜ＩＮＳの上、かつ陽極ＡＤの上面の第２絶縁膜ＩＮＳの開口部分（基準発光領域）を覆って有機発光層ＬＭＬを有する。ここでは、有機発光層ＬＭＬは、垂直走査方向に隣接する同色の画素に共通に形成されている。そして、有機発光層ＬＭＬを覆って陰極ＥＤが成膜されている。陰極ＥＤは全ての画素に対して共通に形成される。
【００４９】
保護絶縁膜ＰＡＳの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されているため、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）dは有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００５０】
陰極ＥＤの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度は陽極ＡＤの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００５１】
実施例１と同様に、第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例７】
【００５２】
図１４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１５は、図１４の矢印Ｇで示す部分の拡大図である。図１４において、ガラスを好適とする透明性の絶縁基板ＳＵＢと、絶縁基板ＳＵＢの内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなす如くカラーフィルタＣＦを形成して第１絶縁膜すなわちバンクとする。このカラーフィルタＣＦの上に形成された透明性の陽極ＡＤと、陽極ＡＤの上に形成された有機発光層ＬＭＬと、有機発光層の上に形成された反射性の陰極ＥＤとを有する。そして、陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００５３】
この第２絶縁膜ＩＮＳを透明性とすることで、後述するように、基準発光領域から基板面に沿う方向に出て正台形のカラーフィルタＣＦの側面で反射する光を絶縁基板側に取り出すことができる。絶縁基板ＳＵＢの面と接する位置での前記正台形のカラーフィルタＣＦの側壁の内側立ち上がり角度θを４５度未満とするのが好ましい。
【００５４】
カラーフィルタＣＦの上に形成された陽極ＡＤの端部（エッジ）はバンクＢＮＫの上面の端にあり、この陽極ＡＤの端部を覆って第２絶縁膜ＩＮＳが形成されている。有機発光層ＬＭＬは陽極ＡＤと第２絶縁膜ＩＮＳを覆って形成され、さらにその上に陰極ＥＤが成膜されている。この構造において、陽極ＡＤの一端と陰極ＥＤとは第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの２層で絶縁されており、陽極ＡＤの端部と陰極ＥＤとの間隔（距離）は有機発光層ＬＭＬのみの部分よりも大きい。そのため、当該陽極ＡＤの端部での電界の集中が大幅に緩和される。したがって、この部分での電界の集中による有機発光層ＬＭＬのリークパスの発生が防止され、発光能の低下、発光不能が防止される。
【００５５】
陰極ＥＤは、カラーフィルタＣＦの形状に倣って成膜される。したがって、カラーフィルタＣＦの側壁上での陰極ＥＤの内側立ち上がり角度はカラーフィルタＣＦの内側立ち上がり角度θに略等しい。有機発光層ＬＭＬの発光は、絶縁基板ＳＵＢ側に直接出射される光ＬＤと、絶縁基板ＳＵＢ面と並行な方向に出射して角度θをなす陰極ＥＤで反射し、絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲとなる。
【００５６】
第２絶縁膜ＩＮＳは画素の開口の大きさを規制する如く陽極ＡＤの上に形成されている。この第２絶縁膜ＩＮＳを透明な材料とすることにより、上記のように陰極ＥＤで反射して絶縁基板ＳＵＢ側に出射する光ＬＲにより、実質的に開口率が拡大され、明るい画像を得ることができる。
【実施例８】
【００５７】
図１６は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例８を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１７は、図１６の矢印Ｈで示す部分の拡大図である。この実施例は前記した実施例１における第２絶縁膜ＩＮＳを陰極ＥＤで囲まれる範囲内に形成したものである。他の構成は実施例１と同様である。実施例８によれば、１画素の内部に第２絶縁膜ＩＮＳの厚み分を取り込むことで、陰極ＥＤの反射光を有効利用でき、明るさが向上する。
【実施例９】
【００５８】
図１８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例９を説明する１画素の断面模式図ある。また、図１９は、図１８の矢印Ｉで示す部分の拡大図である。この実施例は前記した実施例８における有機発光層ＬＭＬも陰極ＥＤで囲まれる範囲内に形成したものである。他の構成は実施例８と同様である。実施例９によれば、１画素の内部に第２絶縁膜ＩＮＳと有機発光層ＬＭＬの厚み分を取り込むことで、陰極ＥＤの反射光を有効利用でき、明るさがさらに向上する。
【００５９】
図２０は、有機ＥＬ表示装置の等価回路の一例を説明する図である。１画素は走査線（ゲート線）ＧＬとデータ線ＤＬに囲まれた領域に形成される。ＣＳＬは電流供給線、ＣＳＬBは電流供給母線である。１画素は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１（スイッチングトランジスタ）と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２（ドライバトランジスタ）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、およびコンデンサＣＰＲで構成される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、 前記した陽極―有機発光層―陰極の積層構造で構成される。走査線ＧＬは走査駆動回路ＧＤＲで駆動され、データ線ＤＬはとデータ駆動回路ＤＤＲで駆動される。電流供給線ＣＳＬは、電流供給バスラインＣＳＬＢから表示領域ＡＲの外側で分岐している。そして、各画素に対して上記コンデンサＣＰＲに蓄積された画像データの大きさに応じた電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給し、所定の強さ（光量）で発光させる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する画素の模式図である。
【図２】図１（ａ）の矢印Ａで示す部分の拡大図である。
【図３】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製作手順の説明図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する画素の模式図である。
【図５】図４の矢印Ｂで示した部分の拡大図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する画素の模式図である。
【図７】図６の矢印Ｃで示した部分の拡大図である。
【図８】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する画素の模式図である。
【図９】図８の矢印Ｄで示した部分の拡大図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例５を説明する画素の断面模式図である。
【図１１】図１０の矢印Ｅで示す部分の拡大図である。
【図１２】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例６を説明する画素の模式図である。
【図１３】図１２の矢印Ｆで示した部分の拡大図である。
【図１４】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例７を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１５】図１４の矢印Ｇで示す部分の拡大図である。
【図１６】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例８を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１７】図１６の矢印Ｈで示す部分の拡大図である。
【図１８】本発明の有機ＥＬ表示装置の実施例９を説明する１画素の断面模式図ある。
【図１９】図１８の矢印Ｉで示す部分の拡大図である。
【図２０】有機ＥＬ表示装置の等価回路の一例を説明する図である。
【図２１】ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を構成する１画素の従来の構成例を説明する断面模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
ＳＵＢ・・・透明性の絶縁基板、ＢＮＫ・・・第１の絶縁膜（バンク）、ＡＤ・・・透明性の陽極、ＬＭＬ・・・有機発光層、ＥＤ・・・反射性の陰極、ＩＮＳ・・・第２絶縁膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って第２絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記基板面に対する前記第１絶縁膜の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１電極は前記第１絶縁膜の前記側壁に回り込んで形成されており、
前記第２絶縁膜が前記側壁において前記第１電極の端部を覆って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って第２絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記第２絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記基板面と接する位置での前記第１絶縁膜の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って形成された絶縁膜を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記基板面と前記第１電極の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記第２絶縁膜が前記第１電極の側壁において当該第１電極の端部を覆って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなすカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記絶縁膜は、前記画素の基準発光領域を規定する如く前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
請求項１５において、
前記基板面と前記カラーフィルタ層の前記正台形の側壁の内側立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って第２絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記基板面に対する前記第１絶縁膜の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１電極は前記第１絶縁膜の前記側壁に回り込んで形成されており、
前記第２絶縁膜が前記側壁において前記第１電極の端部を覆って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って第２絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記第２絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記基板面と接する位置での前記第１絶縁膜の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って形成された絶縁膜を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記絶縁膜は、前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記基板面と前記第１電極の立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記第２絶縁膜が前記第１電極の側壁において当該第１電極の端部を覆って形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
絶縁基板と、前記絶縁基板の内面に画素毎に突出形成された断面が正台形をなすカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上に形成された透明性の第１電極と、前記第１電極の上に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上に形成された反射性の第２電極とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１電極の端部を覆って絶縁膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記絶縁膜は、前記画素の基準発光領域を規定する如く前記第１電極の周囲に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記絶縁膜は、透明性であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
請求項１５において、
前記基板面と前記カラーフィルタ層の前記正台形の側壁の内側立ち上がり角度が４５度未満であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２００８−７７９５３（Ｐ２００８−７７９５３Ａ）
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５５３４３（Ｐ２００６−２５５３４３）
【出願日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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