検査用プローブ基板及びその製造方法
【課題】製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能である検査用プローブ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したことにある。
【解決手段】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したことにある。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子と電気的に接触して半導体装置または電子装置の検査を行なうための検査用プローブ基板及びその製造方法に関するものである。更に詳述すれば本発明は、特に半導体集積回路チップ／ＣＳＰ（Chip Size/Scale Package ）パッケージの品質を単体のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パッケージしていないベアチップを複数個搭載したプリント基板を、ＭＣＭ（Multi Chip Module ）という。このＭＣＭは、電子機器の発展と共に本質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段として、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになってきた。
【０００３】また、パッケージをする場合でも、パッケージ基材量を最小限とし、パッケージ面積（体積）がチップと略等しい程度に小型化したＣＳＰ（Chip Size/ScalePackage ）の開発が極めて活発で、デバイスメーカから種々の形状の小型パッケージが発表されている。このＣＳＰパッケージの多くは、外部端子がパッケージの裏面にはんだボールを配列するＢＧＡ構造である。
【０００４】これらのベアチップやＣＳＰの最大の障壁は、品質保証されたチップ／パッケージ（ＫＧＤ：Known Good Die）選別のための非破壊検査方法であり、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確保するための突起を設けた検査用プローブ基板の開発がポイントになる。
【０００５】従来は、チップのアルミパッドの位置に合わせてタングステン製の微小針を設けた検査用プローブ基板が使用されていた。しかし、チップの小型化、多ピン化に伴い、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピッチはますます狭くなっているため、タングステン針を配置した検査用プローブ基板では、基板自体の製造に大きな制約が生じている。
【０００６】そのため現在では、テープキャリアと微小バンプ製造技術を組み合せたＫＧＤ判別用プローブ組み込みソケットが開発されている。これらの構造は、微細配線を設けた基板にチップの電極パッド、或いはパッケージの外部端子のはんだボールに対応する位置に突起を設けて検査用プローブ基板とし、この検査用プローブ基板と上型との間に検査すべきチップを挟む方式となっている。
【０００７】図３は従来の検査用プローブ基板の製造方法を示した部分製造工程図である。３１は銅箔、３２はフレキシブル基板、３３はブラインドビア開口部、３４はブラインドビア、３５はビアフィリング用銅めっき、３６はフォトレジスト、３７はフォトエッチング塗布部、３８は突起、３９は第１の配線パターン、４０は第２の配線パターン、４１は検査用プローブ基板である。
【０００８】なお、ここでは便宜上、検査用プローブ基板の一部分について説明しており、本来突起はベアチップの電極パッドに対応する程の数を有している。この突起は検査用プローブ基板の上に格子状に形成されている。
【０００９】まず、図３（ａ）に示すように、両面に銅箔３１を有するフレキシブル基板３２の一方の銅箔３１上にフォトエッチングを施し、ブラインドビア開口部３３を設ける。そして、炭酸ガスレーザでフレキシブル基板３２に穴を開け、図３（ｂ）に示すようにブラインドビア３４を形成する。
【００１０】次いで、図３（ｃ）に示すように、フレキシブル基板３２のブラインドビア３４の壁面に導通化処理を施した後、ブラインドビア３４及びフレキシブル基板３２の銅箔３１の上にビアフィリング用銅めっき３５を施す。これにより、ブラインドビア３４の内部は銅めっきで埋め込まれ、上下銅箔３１の間を電気的に導通化することができると共に、ブラインドビア３４が開口する側に位置する銅箔３１には、約２０μｍの銅めっきが施される。
【００１１】次に、図３（ｄ）に示すように、一方の銅箔３１の面及びその裏面である他方の銅箔３１の面にフォトレジスト３６を塗布した後、フレキシブル基板３２の両面に露光および現像を施し、所望の形状のエッチングマスクを形成する。
【００１２】そして、図３（ｅ）に示すように、塩化第二鉄水溶液をスプレーし、一方の銅箔３１の面をエッチング加工した後レジスト膜を剥膜し、図３（ｆ）に示すような第１の配緑パターン３９を形成する。
【００１３】次に、図３（ｇ）に示すように、第１の配線パターン３９の面の上の所望の位置に再びフォトレジスト３６を塗布し、露光および現像工程を経て、エッチングマスクとしてのレジスト膜を形成する。
【００１４】そして、図３（ｈ）に示すように、再び塩化第二鉄水溶液をスプレーし、フォトエッチング塗布部３７の下に位置する銅めっきを残し、ビアフィリング用銅めっき３５をハーフエッチングし、その後フォトエッチング塗布部３７を剥膜して図３（ｉ）に示すように突起３８を形成する。
【００１５】さらに、図３（ｊ）に示すように、第１の配線パターン３９の面をフォトレジスト３６により遮蔽し、他方の銅箔３１の面にフォトレジスト３６を塗布し、露光及び現像工程を経て、図３（ｋ）に示すようなエッチング加工を施し、第２の配線パターン４０を形成する。
【００１６】最後に、図３（ｌ）に示すように、第１の配線パターン３９の面及び第２の配線パターン４０の面のレジスト膜を剥離して、検査用プローブ基板４１を製作する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の検査用プローブ基板及びその製造方法には以下に説明する問題点があった。
【００１８】従来の検査用プローブ基板では、突起とチップの電極パッドとのアライメントに、画像認識などを用いることはなく、通常はチップをソケットに落とし込んで機械的な位置合わせで接触させるので、検査用プローブ基板の製造精度やチップの切断精度などから、チップの電極パッドと検査用プローブ基板の突起の位置が１０μｍずれることは普通である。このずれによって、接触部分が１点のみとなってしまい、接触抵抗が増大することがあった。また、電極パッドは通常酸化膜で覆われているため、接触抵抗が大きくなりがちであった。
【００１９】以上のような要因と、従来の検査用プローブ基板の突起はその表面が鋭角ではないことから、接触抵抗が大きいという問題があった。
【００２０】また、検査用プローブ基板の突起の製作は、レジスト膜の形成やエッチング作業など複雑な工程を多く含むめっき突起形成方法を採用しているため、製作時間が多大にかかり、製造効率が悪いという問題もあった。
【００２１】従って本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能である検査用プローブ基板及びその製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実現するため、銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成して成る検査用プローブ基板において、前記突起は、ＡｕボールとＡｕワイヤとから構成して成り、且つ該突起上に第１のめっき及び第２のめっきを施した。
【００２３】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金とした。
【００２４】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属とした。
【００２５】本発明は上記の目的を実現するため、銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施す製造方法を採用した。
【００２６】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金をめっきすることにより行なった。
【００２７】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属をめっきすることにより行なった。
【００２８】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、以下図面に基づいて詳述する。
【００２９】図１は、本発明の検査用プローブ基板の一実施例を示したものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。１は絶縁テープ、２はランド、３は突起、４は第１のめっき、５は第２のめっき、８はビア導通めっき、９は第２の配線パターン、１０は第１の配線パターンである。なお、図１（ａ）、（ｂ）は主要部分の構成を説明し易いように表示している。
【００３０】検査用プローブ基板は、ポリイミドなどの絶縁テープ１と、検査する半導体装置の外部端子の位置に合わせて絶縁テープ１上に設けられた銅箔などの導電性薄膜で形成されたランド２と、絶縁テープ１のランド２形成面と反対面に形成された検査装置と接続される第２の配線パターン９と、ランド２と第２の配線パターン９とを電気的に接続するビア導通めっき８及び第１の配線パターン１０と、外部端子との接続位置に合わせてそのランド２上に設けられた突起３とから構成される。
【００３１】図２は、本発明の検査用プローブ基板の製造方法の一実施例を示した部分製造工程図である。主要部分の構成を説明し易いように表示している。１は絶縁テープ、３は突起、４は第１のめっき、５は第２のめっき、６は銅箔、７はブラインドビア、８はビア導通めっき、９は第２の配線パターン、１０は第１の配線パターン、１１はＡｕボール、１２はキャピラリである。
【００３２】この絶縁テープ１は、検査する半導体装置と絶縁性があり、且つ半導体装置の外部端子の高低差を吸収するために変形しやすいフレキシブル材料を用いる。例えば、ポリイミド、液晶ポリマなどがあげられる。
【００３３】まず、図２（ａ）に示すように、両面に銅箔６を有する絶縁テープ２の一方の銅箔６の上にフォトエッチングを施しブラインドビア開口部を設け、炭酸ガスレーザで絶縁テープ１に穴を開け、図２（ｂ）に示すようにブラインドビア７を形成する。
【００３４】次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁テープ１のブラインドビア７の壁面に導通化処理を施した後、ブラインドビア７及び絶縁テープ１の銅箔６の上にビア導通めっき８を施す。これにより、ブラインビア７の内部は銅めっきで埋め込まれ、上下銅箔６の間を電気的に導通化することができると共に、ブラインドビア７が開口する側に位置する銅箔６には、約２０μｍの銅めっきが施される。なお、本実施例では、ブラインドビア７の表面のみを被覆するビア導通めっき８を示しているが、ブラインドビア７全体を埋めるようにした金属めっき或いはろう付けであっても構わない。
【００３５】次に、ブラインドビア７の裏面の銅箔６の全面にフォトレジストを塗布した後に露光及び現像を施し、所望の形状のエッチングマスクを形成する。そして、塩化第二鉄水溶液をスプレーして銅箔６の面をエッチング加工した後、レジスト膜を剥膜し、図３（ｄ）に示すような第２の配緑パターン９を形成する。そして、上記と同様な手段により、図３（ｅ）に示すように第１の配緑パターン１０を形成する。
【００３６】そして、図２（ｆ）に示すように、ビア導通めっき８上所定の位置にＡｕボールをボンディングにより形成する。その後、図２（ｇ）、（ｈ）に示すように、超音波併用の熱圧着を行ない、Ａｕワイヤをクランプしたキャピラリ１２を絶縁テープ１と垂直方向に移動させ、Ａｕワイヤを切断することによって突起３を形成する。
【００３７】最後に、突起３の上に図２（ｉ）に示したように第１のめっき４を施す。これは、突起３が半導体装置の外部端子と押圧接触するため、突起３の耐久性を高めるためであり、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｃｒ或いはこれらの金属の合金をめっきする。そして、図２（ｊ）に示すように、第２のめっき５を第１のめっき４の上から施す。これは、外部端子との接触部分の酸化防止のためであり、ここではＡｕめっきを施している。
【００３８】以上で説明したように、本発明の検査用プローブ基板は、ワイヤボンディング法によって形成された１ｓｔボンディングを突起として利用したことから、レジスト膜の形成やエッチング作業などの複雑な工程を多く含むめっき突起形成方法を採用する必要がなくなり、製作工程を短縮化することができた。
【００３９】また、１ｓｔボンディング突起は、ちぎれた状態で突起を形成することになるから、元来突起角度は鋭角であり、これに固いめっきを施すことにより、検査時にはんだボールなどの酸化膜を容易に破ることができ、適切なバーンイン試験を行なうことができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の検査用プローブ基板及びその製造方法によれば、突起の形成をＡｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後に前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したので、製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の検査用プローブ基板の一実施例を示したものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の検査用プローブ基板の製造方法の一実施例を示した部分製造工程図である。
【図３】従来の検査用プローブ基板の製造方法を示した部分製造工程図である。
【符号の説明】
１ 絶縁テープ
２ ランド
３ 突起
４ 第１のめっき
５ 第２のめっき
６ 銅箔
７ ブラインドビア
８ ビア導通めっき
９ 第２の配線パターン
１０ 第１の配線パターン
１１ Ａｕボール
１２ キャピラリ
３１ 銅箔
３２ フレキシブル基板
３３ ブラインドビア開口部
３４ ブラインドビア
３５ ビアフィリング用銅めっき
３６ フォトレジスト
３７ フォトエッチング塗布部
３８ 突起
３９ 第１の配線パターン
４０ 第２の配線パターン
４１ 検査用プローブ基板
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子と電気的に接触して半導体装置または電子装置の検査を行なうための検査用プローブ基板及びその製造方法に関するものである。更に詳述すれば本発明は、特に半導体集積回路チップ／ＣＳＰ（Chip Size/Scale Package ）パッケージの品質を単体のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パッケージしていないベアチップを複数個搭載したプリント基板を、ＭＣＭ（Multi Chip Module ）という。このＭＣＭは、電子機器の発展と共に本質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段として、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになってきた。
【０００３】また、パッケージをする場合でも、パッケージ基材量を最小限とし、パッケージ面積（体積）がチップと略等しい程度に小型化したＣＳＰ（Chip Size/ScalePackage ）の開発が極めて活発で、デバイスメーカから種々の形状の小型パッケージが発表されている。このＣＳＰパッケージの多くは、外部端子がパッケージの裏面にはんだボールを配列するＢＧＡ構造である。
【０００４】これらのベアチップやＣＳＰの最大の障壁は、品質保証されたチップ／パッケージ（ＫＧＤ：Known Good Die）選別のための非破壊検査方法であり、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確保するための突起を設けた検査用プローブ基板の開発がポイントになる。
【０００５】従来は、チップのアルミパッドの位置に合わせてタングステン製の微小針を設けた検査用プローブ基板が使用されていた。しかし、チップの小型化、多ピン化に伴い、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピッチはますます狭くなっているため、タングステン針を配置した検査用プローブ基板では、基板自体の製造に大きな制約が生じている。
【０００６】そのため現在では、テープキャリアと微小バンプ製造技術を組み合せたＫＧＤ判別用プローブ組み込みソケットが開発されている。これらの構造は、微細配線を設けた基板にチップの電極パッド、或いはパッケージの外部端子のはんだボールに対応する位置に突起を設けて検査用プローブ基板とし、この検査用プローブ基板と上型との間に検査すべきチップを挟む方式となっている。
【０００７】図３は従来の検査用プローブ基板の製造方法を示した部分製造工程図である。３１は銅箔、３２はフレキシブル基板、３３はブラインドビア開口部、３４はブラインドビア、３５はビアフィリング用銅めっき、３６はフォトレジスト、３７はフォトエッチング塗布部、３８は突起、３９は第１の配線パターン、４０は第２の配線パターン、４１は検査用プローブ基板である。
【０００８】なお、ここでは便宜上、検査用プローブ基板の一部分について説明しており、本来突起はベアチップの電極パッドに対応する程の数を有している。この突起は検査用プローブ基板の上に格子状に形成されている。
【０００９】まず、図３（ａ）に示すように、両面に銅箔３１を有するフレキシブル基板３２の一方の銅箔３１上にフォトエッチングを施し、ブラインドビア開口部３３を設ける。そして、炭酸ガスレーザでフレキシブル基板３２に穴を開け、図３（ｂ）に示すようにブラインドビア３４を形成する。
【００１０】次いで、図３（ｃ）に示すように、フレキシブル基板３２のブラインドビア３４の壁面に導通化処理を施した後、ブラインドビア３４及びフレキシブル基板３２の銅箔３１の上にビアフィリング用銅めっき３５を施す。これにより、ブラインドビア３４の内部は銅めっきで埋め込まれ、上下銅箔３１の間を電気的に導通化することができると共に、ブラインドビア３４が開口する側に位置する銅箔３１には、約２０μｍの銅めっきが施される。
【００１１】次に、図３（ｄ）に示すように、一方の銅箔３１の面及びその裏面である他方の銅箔３１の面にフォトレジスト３６を塗布した後、フレキシブル基板３２の両面に露光および現像を施し、所望の形状のエッチングマスクを形成する。
【００１２】そして、図３（ｅ）に示すように、塩化第二鉄水溶液をスプレーし、一方の銅箔３１の面をエッチング加工した後レジスト膜を剥膜し、図３（ｆ）に示すような第１の配緑パターン３９を形成する。
【００１３】次に、図３（ｇ）に示すように、第１の配線パターン３９の面の上の所望の位置に再びフォトレジスト３６を塗布し、露光および現像工程を経て、エッチングマスクとしてのレジスト膜を形成する。
【００１４】そして、図３（ｈ）に示すように、再び塩化第二鉄水溶液をスプレーし、フォトエッチング塗布部３７の下に位置する銅めっきを残し、ビアフィリング用銅めっき３５をハーフエッチングし、その後フォトエッチング塗布部３７を剥膜して図３（ｉ）に示すように突起３８を形成する。
【００１５】さらに、図３（ｊ）に示すように、第１の配線パターン３９の面をフォトレジスト３６により遮蔽し、他方の銅箔３１の面にフォトレジスト３６を塗布し、露光及び現像工程を経て、図３（ｋ）に示すようなエッチング加工を施し、第２の配線パターン４０を形成する。
【００１６】最後に、図３（ｌ）に示すように、第１の配線パターン３９の面及び第２の配線パターン４０の面のレジスト膜を剥離して、検査用プローブ基板４１を製作する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の検査用プローブ基板及びその製造方法には以下に説明する問題点があった。
【００１８】従来の検査用プローブ基板では、突起とチップの電極パッドとのアライメントに、画像認識などを用いることはなく、通常はチップをソケットに落とし込んで機械的な位置合わせで接触させるので、検査用プローブ基板の製造精度やチップの切断精度などから、チップの電極パッドと検査用プローブ基板の突起の位置が１０μｍずれることは普通である。このずれによって、接触部分が１点のみとなってしまい、接触抵抗が増大することがあった。また、電極パッドは通常酸化膜で覆われているため、接触抵抗が大きくなりがちであった。
【００１９】以上のような要因と、従来の検査用プローブ基板の突起はその表面が鋭角ではないことから、接触抵抗が大きいという問題があった。
【００２０】また、検査用プローブ基板の突起の製作は、レジスト膜の形成やエッチング作業など複雑な工程を多く含むめっき突起形成方法を採用しているため、製作時間が多大にかかり、製造効率が悪いという問題もあった。
【００２１】従って本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能である検査用プローブ基板及びその製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実現するため、銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成して成る検査用プローブ基板において、前記突起は、ＡｕボールとＡｕワイヤとから構成して成り、且つ該突起上に第１のめっき及び第２のめっきを施した。
【００２３】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金とした。
【００２４】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属とした。
【００２５】本発明は上記の目的を実現するため、銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施す製造方法を採用した。
【００２６】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金をめっきすることにより行なった。
【００２７】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属をめっきすることにより行なった。
【００２８】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、以下図面に基づいて詳述する。
【００２９】図１は、本発明の検査用プローブ基板の一実施例を示したものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。１は絶縁テープ、２はランド、３は突起、４は第１のめっき、５は第２のめっき、８はビア導通めっき、９は第２の配線パターン、１０は第１の配線パターンである。なお、図１（ａ）、（ｂ）は主要部分の構成を説明し易いように表示している。
【００３０】検査用プローブ基板は、ポリイミドなどの絶縁テープ１と、検査する半導体装置の外部端子の位置に合わせて絶縁テープ１上に設けられた銅箔などの導電性薄膜で形成されたランド２と、絶縁テープ１のランド２形成面と反対面に形成された検査装置と接続される第２の配線パターン９と、ランド２と第２の配線パターン９とを電気的に接続するビア導通めっき８及び第１の配線パターン１０と、外部端子との接続位置に合わせてそのランド２上に設けられた突起３とから構成される。
【００３１】図２は、本発明の検査用プローブ基板の製造方法の一実施例を示した部分製造工程図である。主要部分の構成を説明し易いように表示している。１は絶縁テープ、３は突起、４は第１のめっき、５は第２のめっき、６は銅箔、７はブラインドビア、８はビア導通めっき、９は第２の配線パターン、１０は第１の配線パターン、１１はＡｕボール、１２はキャピラリである。
【００３２】この絶縁テープ１は、検査する半導体装置と絶縁性があり、且つ半導体装置の外部端子の高低差を吸収するために変形しやすいフレキシブル材料を用いる。例えば、ポリイミド、液晶ポリマなどがあげられる。
【００３３】まず、図２（ａ）に示すように、両面に銅箔６を有する絶縁テープ２の一方の銅箔６の上にフォトエッチングを施しブラインドビア開口部を設け、炭酸ガスレーザで絶縁テープ１に穴を開け、図２（ｂ）に示すようにブラインドビア７を形成する。
【００３４】次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁テープ１のブラインドビア７の壁面に導通化処理を施した後、ブラインドビア７及び絶縁テープ１の銅箔６の上にビア導通めっき８を施す。これにより、ブラインビア７の内部は銅めっきで埋め込まれ、上下銅箔６の間を電気的に導通化することができると共に、ブラインドビア７が開口する側に位置する銅箔６には、約２０μｍの銅めっきが施される。なお、本実施例では、ブラインドビア７の表面のみを被覆するビア導通めっき８を示しているが、ブラインドビア７全体を埋めるようにした金属めっき或いはろう付けであっても構わない。
【００３５】次に、ブラインドビア７の裏面の銅箔６の全面にフォトレジストを塗布した後に露光及び現像を施し、所望の形状のエッチングマスクを形成する。そして、塩化第二鉄水溶液をスプレーして銅箔６の面をエッチング加工した後、レジスト膜を剥膜し、図３（ｄ）に示すような第２の配緑パターン９を形成する。そして、上記と同様な手段により、図３（ｅ）に示すように第１の配緑パターン１０を形成する。
【００３６】そして、図２（ｆ）に示すように、ビア導通めっき８上所定の位置にＡｕボールをボンディングにより形成する。その後、図２（ｇ）、（ｈ）に示すように、超音波併用の熱圧着を行ない、Ａｕワイヤをクランプしたキャピラリ１２を絶縁テープ１と垂直方向に移動させ、Ａｕワイヤを切断することによって突起３を形成する。
【００３７】最後に、突起３の上に図２（ｉ）に示したように第１のめっき４を施す。これは、突起３が半導体装置の外部端子と押圧接触するため、突起３の耐久性を高めるためであり、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｃｒ或いはこれらの金属の合金をめっきする。そして、図２（ｊ）に示すように、第２のめっき５を第１のめっき４の上から施す。これは、外部端子との接触部分の酸化防止のためであり、ここではＡｕめっきを施している。
【００３８】以上で説明したように、本発明の検査用プローブ基板は、ワイヤボンディング法によって形成された１ｓｔボンディングを突起として利用したことから、レジスト膜の形成やエッチング作業などの複雑な工程を多く含むめっき突起形成方法を採用する必要がなくなり、製作工程を短縮化することができた。
【００３９】また、１ｓｔボンディング突起は、ちぎれた状態で突起を形成することになるから、元来突起角度は鋭角であり、これに固いめっきを施すことにより、検査時にはんだボールなどの酸化膜を容易に破ることができ、適切なバーンイン試験を行なうことができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の検査用プローブ基板及びその製造方法によれば、突起の形成をＡｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後に前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施したので、製造効率が良く、且つ半導体チップとの接触抵抗をより小さくして正確な検査を行なうことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の検査用プローブ基板の一実施例を示したものであって、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の検査用プローブ基板の製造方法の一実施例を示した部分製造工程図である。
【図３】従来の検査用プローブ基板の製造方法を示した部分製造工程図である。
【符号の説明】
１ 絶縁テープ
２ ランド
３ 突起
４ 第１のめっき
５ 第２のめっき
６ 銅箔
７ ブラインドビア
８ ビア導通めっき
９ 第２の配線パターン
１０ 第１の配線パターン
１１ Ａｕボール
１２ キャピラリ
３１ 銅箔
３２ フレキシブル基板
３３ ブラインドビア開口部
３４ ブラインドビア
３５ ビアフィリング用銅めっき
３６ フォトレジスト
３７ フォトエッチング塗布部
３８ 突起
３９ 第１の配線パターン
４０ 第２の配線パターン
４１ 検査用プローブ基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成して成る検査用プローブ基板において、前記突起は、ＡｕボールとＡｕワイヤとから構成して成り、且つ該突起上に第１のめっき及び第２のめっきを施して成ることを特徴とする検査用プローブ基板。
【請求項２】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金であることを特徴とする請求項１記載の検査用プローブ基板。
【請求項３】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属であることを特徴とする請求項１記載の検査用プローブ基板。
【請求項４】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後に前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施すことを特徴とする検査用プローブ基板の製造方法。
【請求項５】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金をめっきすることにより行なうことを特徴とする請求項４記載の検査用プローブ基板の製造方法。
【請求項６】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属をめっきすることにより行なうことを特徴とする請求項４記載の検査用プローブ基板の製造方法。
【請求項１】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成して成る検査用プローブ基板において、前記突起は、ＡｕボールとＡｕワイヤとから構成して成り、且つ該突起上に第１のめっき及び第２のめっきを施して成ることを特徴とする検査用プローブ基板。
【請求項２】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金であることを特徴とする請求項１記載の検査用プローブ基板。
【請求項３】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属であることを特徴とする請求項１記載の検査用プローブ基板。
【請求項４】銅箔を備えた基板に突起と該突起に接続する配線パターンとを形成する検査用プローブ基板の製造方法において、前記突起の形成は、Ａｕボールをボンディングした後にＡｕワイヤをクランプしたキャピラリを移動することにより行ない、その後に前記突起の上に第１のめっき及び第２のめっきを施すことを特徴とする検査用プローブ基板の製造方法。
【請求項５】第１のめっきは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒのうちの何れか一つの金属或いはこれらの合金をめっきすることにより行なうことを特徴とする請求項４記載の検査用プローブ基板の製造方法。
【請求項６】第２のめっきは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈのうちの何れか一つの金属をめっきすることにより行なうことを特徴とする請求項４記載の検査用プローブ基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００３−２３２８１１（Ｐ２００３−２３２８１１Ａ）
【公開日】平成１５年８月２２日（２００３．８．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００２−３１９８７（Ｐ２００２−３１９８７）
【出願日】平成１４年２月８日（２００２．２．８）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１５年８月２２日（２００３．８．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１４年２月８日（２００２．２．８）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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