樹脂成形体及び成形回路板
【課題】 金属膜の密着強度が高い樹脂成形体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体に関する。窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物で樹脂成形体を成形する。金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができる。
【解決手段】 プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体に関する。窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物で樹脂成形体を成形する。金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に金属膜が形成されるエポキシ樹脂系の樹脂成形体及びこの樹脂成形体を基板として用いた成形回路板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ樹脂は、種々ある硬化剤を選択して硬化させることにより、一般的に機械的性質、耐水性、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性などに優れたものになり、接着剤、成形材料、積層板、半導体封止など幅広い用途に使用されている。またＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）など樹脂成形品で作製される成形回路板は、比較的高い耐熱性（すなわち高いガラス転移温度）が求められ、特にＩＣなどの半導体素子をフリップチップ実装する場合には、熱膨張率を低く抑える必要があって高いガラス転移温度が求められる。このような成形回路板の樹脂成形体の材料として適した樹脂の一つとしてエポキシ樹脂を挙げることができる。
【０００３】
一方、樹脂成形体を成形回路基板として用いる場合、樹脂成形体の表面にスパッタリングや真空蒸着など乾式めっき法で金属膜を形成し、この金属膜から回路を作製することが行なわれている。このように樹脂成形体の表面に形成した金属膜によって回路形成をする場合、回路の導通信頼性を高めるためには、樹脂成形体の表面に対する金属膜の密着強度を高く得る必要がある。そこで、樹脂成形体の表面をプラズマ処理して活性化した後、樹脂成形体の表面に乾式めっき法で金属膜を形成することによって、樹脂成形体の表面に対する金属膜の密着強度を向上させることが行なわれている（例えば、特許文献１、特許文献２等参照）。
【特許文献１】特開２００２−６０５２２号公報
【特許文献２】特開２００２-２８３４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように熱可塑性樹脂で成形された樹脂成形体の表面にプラズマ処理を行なう場合には、プラズマ処理による表面処理で金属膜の密着強度を向上させる効果を高く得ることが可能であるが、エポキシ樹脂で成形した樹脂成形体の場合には、プラズマ処理によって金属膜の密着強度を向上させる効果を高く得ることができず、金属膜の十分な密着強度を得ることが難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、金属膜の密着強度が高いエポキシ樹脂系の樹脂成形体を提供することを目的とするものであり、また回路の密着信頼性が高い成形回路板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る樹脂成形体は、プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体であって、窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物を成形・硬化させて得られたものであることを特徴とするものである。
【０００７】
この発明によれば、金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものである。
【０００８】
また請求項２の発明は、請求項１において、プラズマ処理は窒素雰囲気で行なわれるものであることを特徴とするものである。
【０００９】
この発明によれば、樹脂成形体の表面の窒素量を増加させることができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度をさらに高めることができるものである。
【００１０】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、プラズマ処理は窒化処理がされた表面に行なわれるものであることを特徴とするものである。
【００１１】
この発明によれば、樹脂成形体の表面の窒素量をさらに増加させることができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度をさらに高めることができるものである。
【００１２】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、窒素官能基を有する硬化剤は、アミノトリアジンノボラック系樹脂であることを特徴とするものである。
【００１３】
この発明によれば、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を向上する効果を高く得ることができるものである。
【００１４】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、エポキシ樹脂組成物の主剤は、ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂から選ばれるものであることを特徴とするものである。
【００１５】
この発明によれば、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を向上する効果を高く得ることができるものである。
【００１６】
本発明の請求項６に係る成形回路板は、請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂成形体の表面に形成された金属膜によって、回路が形成されて成ることを特徴とするものである。
【００１７】
この発明によれば、樹脂成形体の表面に高い密着強度で形成された金属膜によって、密着信頼性の高い回路を形成することができるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものであり、密着信頼性の高い回路を有する成形回路板を得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２０】
本発明においてエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノール型エポキシ樹脂あるい環式脂肪族エポキシ樹脂が好ましい。前者のビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を挙げることができる。また後者の環式脂肪族エポキシ樹脂としては、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物（化学式１参照）を挙げることができる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物が好ましく、またグリシジルアミン型エポキシ樹脂（化学式２の構造含む）が好ましい。これらのものは、他のエポキシ樹脂よりも、金属膜との密着性が高く、また耐湿性や耐熱性がより向上する観点から好ましいものである。
【００２１】
【化１】
【００２２】
そして本発明では、このエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤として、窒素官能基を有するものを用いるものである。この窒素官能基を有する硬化剤としては、フェノール骨格とトリアジン骨格とを有するものが好ましく、このような化合物としては特に制限されるものではないが、トリアジン化合物とフェノール類とアルデヒド類とを縮合反応させて得られる、種々の化合物の混合物として用いることができるものである。
【００２３】
ここで用いられるフェノール類としては、特に限定されるものではなく、公知の種々のフェノール類を単独又は２種以上併用して使用することができるものであるが、アミノ基含有トリアジン化合物との反応性に優れるので、フェノールを使用するのが好ましい。またアルデヒド類についても特に限定されるものではないが、ホルムアルデヒドを使用するのが好ましい。
【００２４】
またトリアジン化合物としては、トリアジン環を含むものであればよく特に限定されるものではないが、次の一般式（３）で表される化合物、あるいはイソシアヌル酸が好ましく、これらを単独で、もしくは２種以上を併用して使用することができる。
【００２５】
【化２】
【００２６】
（一般式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、アミノ基、アルキル基、フェニル基、ヒドロキシル基、ヒドロキシルアルキル基、エーテル基、エステル基、酸基、不飽和基、シアノ基のいずれかを表す）
そしてトリアジン化合物とフェノール類とアルデヒド類とを縮合反応させて得られる化合物のなかでも、次の化学式（４）で示されるアミノトリアジンノボラックフェノール樹脂を硬化剤として用いるのが好ましい。硬化剤としてアミノトリアジンノボラックフェノール樹脂を使用することによって、他の硬化剤を用いる場合よりも、金属膜との密着性を向上させる効果を高く得ることができるものである。
【００２７】
【化３】
【００２８】
また硬化剤は水酸基当量が１２０〜１６０の範囲のものが好ましい。水酸基当量が１２０未満であると、硬化剤中の窒素官能基の含有量が少なくなるため、金属膜の密着性を大きく向上させることが難しい。逆に水酸基当量が１６０を超えると、硬化剤の硬化性能が低くなり、エポキシ樹脂を硬化させて得られる樹脂成形体の強度等の機械的特性に問題が生じるおそれがある。
【００２９】
上記のエポキシ樹脂にこの硬化剤を配合することによって、エポキシ樹脂組成物を調製することができるものである。硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂を完全に硬化させることができる量であればよく、特に限定されるものではないが、用いるエポキシ樹脂の一分子中に含まれるエポキシ基の数と、硬化剤中の活性水素の数が当量付近となる量に設定するのが好ましい。
【００３０】
上記の化合物を硬化剤として用いる場合、硬化促進剤を適宜配合することができる。硬化促進剤としては、公知のものを用いることができ、特に限定されるものではないが、例えばリン系化合物、第三級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等を挙げることができ、これらは単独で使用できるだけでなく、複数を併用することも可能である。
【００３１】
エポキシ樹脂組成物にはさらに無機フィラーを配合することもできる。無機フィラーを配合することによって、樹脂成形体の機械的強度や硬度を高めることができるものであり、また線膨張率や吸水率を低減することができるものである。その配合量は特に制限されるものではないが、線膨張率の観点から、組成物中７０〜９５質量％の範囲が好ましい。このような無機フィラーとしては、特に制限されるものではないが、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラス繊維、タルク、マイカ等を挙げることができる。
【００３２】
エポキシ樹脂組成物には、上記の各成分の他に、必要に応じて、着色剤、難燃剤、離型剤、カップリング剤等の各種の添加剤を適宜配合することができる。
【００３３】
そしてエポキシ樹脂組成物を任意の成形法で成形し、エポキシ樹脂を硬化させることによって、本発明に係る電気絶縁性の樹脂成形体を得ることができるものである。
【００３４】
この樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたっては、金属膜の形成に先立って、樹脂成形体の表面をプラズマ処理し、樹脂成形体の表面を化学的に活性化させる。プラズマ処理は、チャンバー内に一対の電極を対向配置し、一方の電極に高周波電源を接続すると共に他方の電極を接地して構成したプラズマ処理装置を用いて行なうことができる。そして樹脂成形体を電極間において一方の電極の上にセットし、チャンバー内を真空引きして１０−４Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内にプラズマ生成用の活性ガスを導入して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を８〜１５Ｐａに制御し、次に高周波電源によって電極間に高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜１００秒程度印加する。このとき、電極間の高周波グロー放電による気体放電現象によって、チャンバー内の活性ガスが励起され、陽イオンやラジカル等のプラズマが発生し、陽イオンやラジカル等がチャンバー内に形成され、これらの陽イオンやラジカルが樹脂成形体の表面に衝突することによって、樹脂成形体の表面を活性化することができるものであり、樹脂成形体とその表面に被覆される金属膜との密着性を高めることができるものである。
【００３５】
ここで本発明では、プラズマ生成用の活性ガスとして窒素を用い、窒素雰囲気でプラズマ処理を行なうのが好ましい。このように窒素プラズマ処理を行なうことによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性を向上することができるものである。
【００３６】
またこのように樹脂成形体の表面をプラズマ処理するに先立って、その前処理として、樹脂成形体の表面を窒化処理するのが好ましい。窒化処理は、樹脂成形体を加圧した窒素ガス雰囲気中に所定時間保持することによって行なうことができる。窒化処理の条件は特に限定されるものではないが、樹脂成形体を０．３〜０．７ＭＰａの窒素ガス雰囲気で、０．５〜３時間保持することによって、窒化処理を行なうのが望ましい。このように樹脂成形体を窒化処理することによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性を向上することができるものである。
【００３７】
そして上記のように樹脂成形体をプラズマ処理した後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどから選ばれる乾式めっき法（物理蒸着法：ＰＶＤ法）により、樹脂成形体の表面に金属膜を形成する。ここで、上記のように成形体をチャンバー内でプラズマ処理した後、このチャンバー内を大気開放することなく、スパッタリングや真空蒸着やイオンプレーティングなどを連続プロセスで行なうのが好ましい。金属膜を形成する金属としては、銅、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛、黄銅、ニクロムなどの単体、あるいは合金を用いることができる。これらの中でも、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金を用いるのが、樹脂成形体との密着性が高いので好ましい。
【００３８】
スパッタリングとしては、例えばＤＣスパッタ方式を適用することができる。すなわち、まずチャンバー内に成形体を配置した後、真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にアルゴン等の不活性ガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入する。さらに５００Ｖの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードし、膜厚２００〜５００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができるものである。
【００３９】
また真空蒸着としては、例えば電子線加熱式真空蒸着方式を適用することができる。すなわちまず真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行なった後、４００〜８００ｍＡの電子流を発生させ、この電子流をるつぼの中の蒸着材料に衝突させて加熱すると蒸着材料が蒸発し、膜厚２００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができる。
【００４０】
さらにイオンプレーティングで金属膜を形成するにあたっては、例えば、まずチャンバー内の圧力を１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、上記の真空蒸着の条件で蒸着材料を蒸発させると共に、成形体とるつぼの間に設けた誘導アンテナ部にアルゴン等の不活性ガスを導入し、ガス圧を０．０５〜０．１Ｐａとなるようにしてプラズマを発生させ、そして誘導アンテナに１３．５６ＭＨｚの高周波で５００Ｗのパワーを印加すると共に、成形体を載せている電極に所望のバイアス電圧になるように高周波を印加することによって、膜厚２００〜５００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができるものである。
【００４１】
上記のようにして乾式めっき法で樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたって、樹脂成形体は窒素を含有する硬化剤で硬化させたエポキシ樹脂からなるものであり、金属膜の金属との化学反応性が高い窒素を樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものである。そして樹脂成形体の表面は上記のようにプラズマ処理によって化学的に活性化されており、成形体の表面に対する金属膜の密着性をより高く得ることができるものである。
【００４２】
特に、プラズマ処理を上記のように窒素プラズマ処理で行なうことによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性をより向上することができるものである。またプラズマ処理の前処理として、樹脂成形体を窒化処理することによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量をさらに増加させることができるものであり、金属膜の密着性をさらに向上することができるものである。
【００４３】
上記のように金属膜を形成した樹脂成形体を用いて、成形回路板を作製することができる。すなわち、上記のように樹脂成形体の表面に通常２００〜５００ｎｍ程度の厚みで銅などの金属膜を形成し、そしてこの金属膜で回路パターン形成をすることによって、成形回路板として仕上げることができるものである。ここで、樹脂成形体を三次元立体表面を有するように形成し、この立体表面に金属膜を形成した後に回路パターン形成することによって、ＭＩＤ等の立体回路板として仕上げることができるものである。回路パターン形成は例えばレーザ法によって行うことができる。すなわち、回路形成部分と回路非形成部分との境界に沿って金属膜にレーザ光を照射し、この境界部分の金属膜を除去することによって、回路形成部分の金属膜を回路パターンとして、金属膜の他の部分から分離する。次に、この回路形成部分の金属膜に通電して銅などの電解メッキを施して厚付けし、５〜２０μm程度の厚みの導電層にする。次にソフトエッチング処理をして、回路非形成部分に残る金属膜を除去すると共に、電解メッキを施した回路形成部分は残存させることによって、所望のパターン形状の回路を形成した成形回路基板を得ることができるものである。この回路の表面には、さらにニッケルメッキや金メッキ等の導電層を数μｍ程度の厚みで設けるようにしてもよい。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４５】
（実施例１）
エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物（大日本インキ工業株式会社製「エピクロン ＨＰ−７２００」、軟化点６０℃、エポキシ当量２５５〜２６０ｇ／ｅｑ）、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＫＡ−７０５２−Ｌ２」、軟化点８０℃、水酸基当量１２０ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：４６の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４６】
次に、予め１５０℃に加熱された平板状金型（キャビテーの寸法３０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍ）に、トランスファ成形機によりプランジャ圧力７．８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）、成形時間１８０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して成形し、その後、１５０℃で８時間のアフターキュアを行なうことによって、樹脂成形体を得た。
【００４７】
次に、この樹脂成形体の表面をプラズマ処理し、さらにＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使って金属膜を形成した。すなわち、まず成形体をプラズマ処理装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を真空引きして１０−４Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内に活性ガスとしてＮ２を導入して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を１０Ｐａに制御し、この後、電極間にパワー３５０Ｗの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を３０秒間印加することによって、窒素雰囲気でプラズマ処理を行った。さらに、チャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にアルゴンガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入した後、更に５００Ｖの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードしてスパッタリングを行ない、樹脂成形体の表面に３００ｎｍの膜厚の銅の金属膜を形成した。
【００４８】
この後、金属膜に回路形成部分と回路非形成部分との境界に沿ってレーザを照射してレーザ加工を施し、回路形成部分の金属膜に銅の電解めっきを施して厚付けし、ソフトエッチング処理して回路非形成部分に残る金属膜を除去することによって、幅５ｍｍ、厚み１５μｍのピール強度評価用回路を形成した。
【００４９】
（実施例２）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理するにあたって、活性ガスとしてＮ２の代りにＯ２を用いて酸素プラズマ処理を行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５０】
（実施例３）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理するにあたって、活性ガスとしてＮ２の代りにＡｒガスを用いてアルゴンプラズマ処理を行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５１】
（実施例４）
実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を調製し、樹脂成形体を成形した。そしてこの樹脂成形体を耐圧容器に入れて密閉し、耐圧容器に窒素ガスを封入して内圧を０．４９ＭＰａ（５ｋｇ／ｃｍ２）にまで高めた状態で１時間保持し、樹脂成形体を窒化処理した。そして耐圧容器を開放して樹脂成形体を取り出し、後は実施例１と同様にして、樹脂成形体をプラズマ処理し、さらに金属膜を形成し、ピール強度評価用回路を形成した。
【００５２】
（実施例５）
実施例１において、樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたって、まず膜厚１００ｎｍのＮｉスパッタリングを行なった後、膜厚２００ｎｍのＣｕスパッタリングを行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５３】
（実施例６）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ工業株式会社製「エピクロン ８５０Ｓ」、エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ）、硬化剤として実施例１と同じアミノトリアジンノボラック樹脂を用いた。そしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０℃に、アミノトリアジンノボラック樹脂を１００℃に加熱して低粘度化し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：６３の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５４】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５５】
（実施例７）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＬＡ−７７５１」、水酸基当量１３５ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５２の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５６】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５７】
（実施例８）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＥＸＢ−９８０８」、水酸基当量１５１ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５８の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５８】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５９】
（実施例９）
エポキシ樹脂としてグリシジルアミン型のテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン（チバガイギー社製「アラルダイト ＭＹ７２０」）を、硬化剤としてジアミノジフェニルスルホン（チバガイギー社製「ハードナー ＨＹ９０６」）を用いた。そしテトラグリシジルジアミノジフェニルメタンとジアミノジフェニルスルホンを低粘度化するためにそれぞれを８０℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：１２０の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６０】
次に、平板状金型（キャビテーの寸法３０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍ）に、トランスファ成形機によりプランジャ圧力７．８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）、成形時間１８０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、１２０℃で１．５時間及び１８０℃で４時間の条件で硬化させることによって、樹脂成形体を得た。
【００６１】
（比較例１）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＴＤ２１３１」、軟化点８０℃、水酸基当量１０３ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とフェノールノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：４０の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６２】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００６３】
（比較例２）
エポキシ樹脂として実施例６と同じビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤として比較例１と同じフェノールボラック樹脂を用いた。そしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０℃に、フェノールボラック樹脂を１００℃に加熱して低粘度化し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５４の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６４】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００６５】
（比較例３）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理することなく、樹脂成形体の表面に金属膜を形成するようした。その他は実施例１と同様にした。
【００６６】
上記の実施例１〜９及び比較例１〜３で形成したピール強度評価用回路について、万能試験機（島津製作所製「ＥＧ Ｔｅｓｔ」）を用いて、単位幅当たりのピール強度（９０度ピール強度）を測定した。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
各実施例と比較例との比較にみられるように、硬化剤として窒素官能基を有する化合物を用いることよって、金属膜による回路のピール強度が向上することが確認される。また実施例１と実施例２，３の比較から、窒素プラズマ処理を行なうことによって、ピール強度が向上することが確認される。また実施例４にみられるように、窒化処理をすることによって、ピール強度がさらに向上することが確認される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に金属膜が形成されるエポキシ樹脂系の樹脂成形体及びこの樹脂成形体を基板として用いた成形回路板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ樹脂は、種々ある硬化剤を選択して硬化させることにより、一般的に機械的性質、耐水性、耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性などに優れたものになり、接着剤、成形材料、積層板、半導体封止など幅広い用途に使用されている。またＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）など樹脂成形品で作製される成形回路板は、比較的高い耐熱性（すなわち高いガラス転移温度）が求められ、特にＩＣなどの半導体素子をフリップチップ実装する場合には、熱膨張率を低く抑える必要があって高いガラス転移温度が求められる。このような成形回路板の樹脂成形体の材料として適した樹脂の一つとしてエポキシ樹脂を挙げることができる。
【０００３】
一方、樹脂成形体を成形回路基板として用いる場合、樹脂成形体の表面にスパッタリングや真空蒸着など乾式めっき法で金属膜を形成し、この金属膜から回路を作製することが行なわれている。このように樹脂成形体の表面に形成した金属膜によって回路形成をする場合、回路の導通信頼性を高めるためには、樹脂成形体の表面に対する金属膜の密着強度を高く得る必要がある。そこで、樹脂成形体の表面をプラズマ処理して活性化した後、樹脂成形体の表面に乾式めっき法で金属膜を形成することによって、樹脂成形体の表面に対する金属膜の密着強度を向上させることが行なわれている（例えば、特許文献１、特許文献２等参照）。
【特許文献１】特開２００２−６０５２２号公報
【特許文献２】特開２００２-２８３４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように熱可塑性樹脂で成形された樹脂成形体の表面にプラズマ処理を行なう場合には、プラズマ処理による表面処理で金属膜の密着強度を向上させる効果を高く得ることが可能であるが、エポキシ樹脂で成形した樹脂成形体の場合には、プラズマ処理によって金属膜の密着強度を向上させる効果を高く得ることができず、金属膜の十分な密着強度を得ることが難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、金属膜の密着強度が高いエポキシ樹脂系の樹脂成形体を提供することを目的とするものであり、また回路の密着信頼性が高い成形回路板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る樹脂成形体は、プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体であって、窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物を成形・硬化させて得られたものであることを特徴とするものである。
【０００７】
この発明によれば、金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものである。
【０００８】
また請求項２の発明は、請求項１において、プラズマ処理は窒素雰囲気で行なわれるものであることを特徴とするものである。
【０００９】
この発明によれば、樹脂成形体の表面の窒素量を増加させることができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度をさらに高めることができるものである。
【００１０】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、プラズマ処理は窒化処理がされた表面に行なわれるものであることを特徴とするものである。
【００１１】
この発明によれば、樹脂成形体の表面の窒素量をさらに増加させることができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度をさらに高めることができるものである。
【００１２】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、窒素官能基を有する硬化剤は、アミノトリアジンノボラック系樹脂であることを特徴とするものである。
【００１３】
この発明によれば、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を向上する効果を高く得ることができるものである。
【００１４】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、エポキシ樹脂組成物の主剤は、ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂から選ばれるものであることを特徴とするものである。
【００１５】
この発明によれば、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を向上する効果を高く得ることができるものである。
【００１６】
本発明の請求項６に係る成形回路板は、請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂成形体の表面に形成された金属膜によって、回路が形成されて成ることを特徴とするものである。
【００１７】
この発明によれば、樹脂成形体の表面に高い密着強度で形成された金属膜によって、密着信頼性の高い回路を形成することができるものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、金属との化学反応性が高い窒素をエポキシ樹脂で成形される樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものであり、密着信頼性の高い回路を有する成形回路板を得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２０】
本発明においてエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、ビスフェノール型エポキシ樹脂あるい環式脂肪族エポキシ樹脂が好ましい。前者のビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を挙げることができる。また後者の環式脂肪族エポキシ樹脂としては、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物（化学式１参照）を挙げることができる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物が好ましく、またグリシジルアミン型エポキシ樹脂（化学式２の構造含む）が好ましい。これらのものは、他のエポキシ樹脂よりも、金属膜との密着性が高く、また耐湿性や耐熱性がより向上する観点から好ましいものである。
【００２１】
【化１】
【００２２】
そして本発明では、このエポキシ樹脂を硬化させる硬化剤として、窒素官能基を有するものを用いるものである。この窒素官能基を有する硬化剤としては、フェノール骨格とトリアジン骨格とを有するものが好ましく、このような化合物としては特に制限されるものではないが、トリアジン化合物とフェノール類とアルデヒド類とを縮合反応させて得られる、種々の化合物の混合物として用いることができるものである。
【００２３】
ここで用いられるフェノール類としては、特に限定されるものではなく、公知の種々のフェノール類を単独又は２種以上併用して使用することができるものであるが、アミノ基含有トリアジン化合物との反応性に優れるので、フェノールを使用するのが好ましい。またアルデヒド類についても特に限定されるものではないが、ホルムアルデヒドを使用するのが好ましい。
【００２４】
またトリアジン化合物としては、トリアジン環を含むものであればよく特に限定されるものではないが、次の一般式（３）で表される化合物、あるいはイソシアヌル酸が好ましく、これらを単独で、もしくは２種以上を併用して使用することができる。
【００２５】
【化２】
【００２６】
（一般式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、アミノ基、アルキル基、フェニル基、ヒドロキシル基、ヒドロキシルアルキル基、エーテル基、エステル基、酸基、不飽和基、シアノ基のいずれかを表す）
そしてトリアジン化合物とフェノール類とアルデヒド類とを縮合反応させて得られる化合物のなかでも、次の化学式（４）で示されるアミノトリアジンノボラックフェノール樹脂を硬化剤として用いるのが好ましい。硬化剤としてアミノトリアジンノボラックフェノール樹脂を使用することによって、他の硬化剤を用いる場合よりも、金属膜との密着性を向上させる効果を高く得ることができるものである。
【００２７】
【化３】
【００２８】
また硬化剤は水酸基当量が１２０〜１６０の範囲のものが好ましい。水酸基当量が１２０未満であると、硬化剤中の窒素官能基の含有量が少なくなるため、金属膜の密着性を大きく向上させることが難しい。逆に水酸基当量が１６０を超えると、硬化剤の硬化性能が低くなり、エポキシ樹脂を硬化させて得られる樹脂成形体の強度等の機械的特性に問題が生じるおそれがある。
【００２９】
上記のエポキシ樹脂にこの硬化剤を配合することによって、エポキシ樹脂組成物を調製することができるものである。硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂を完全に硬化させることができる量であればよく、特に限定されるものではないが、用いるエポキシ樹脂の一分子中に含まれるエポキシ基の数と、硬化剤中の活性水素の数が当量付近となる量に設定するのが好ましい。
【００３０】
上記の化合物を硬化剤として用いる場合、硬化促進剤を適宜配合することができる。硬化促進剤としては、公知のものを用いることができ、特に限定されるものではないが、例えばリン系化合物、第三級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等を挙げることができ、これらは単独で使用できるだけでなく、複数を併用することも可能である。
【００３１】
エポキシ樹脂組成物にはさらに無機フィラーを配合することもできる。無機フィラーを配合することによって、樹脂成形体の機械的強度や硬度を高めることができるものであり、また線膨張率や吸水率を低減することができるものである。その配合量は特に制限されるものではないが、線膨張率の観点から、組成物中７０〜９５質量％の範囲が好ましい。このような無機フィラーとしては、特に制限されるものではないが、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラス繊維、タルク、マイカ等を挙げることができる。
【００３２】
エポキシ樹脂組成物には、上記の各成分の他に、必要に応じて、着色剤、難燃剤、離型剤、カップリング剤等の各種の添加剤を適宜配合することができる。
【００３３】
そしてエポキシ樹脂組成物を任意の成形法で成形し、エポキシ樹脂を硬化させることによって、本発明に係る電気絶縁性の樹脂成形体を得ることができるものである。
【００３４】
この樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたっては、金属膜の形成に先立って、樹脂成形体の表面をプラズマ処理し、樹脂成形体の表面を化学的に活性化させる。プラズマ処理は、チャンバー内に一対の電極を対向配置し、一方の電極に高周波電源を接続すると共に他方の電極を接地して構成したプラズマ処理装置を用いて行なうことができる。そして樹脂成形体を電極間において一方の電極の上にセットし、チャンバー内を真空引きして１０−４Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内にプラズマ生成用の活性ガスを導入して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を８〜１５Ｐａに制御し、次に高周波電源によって電極間に高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜１００秒程度印加する。このとき、電極間の高周波グロー放電による気体放電現象によって、チャンバー内の活性ガスが励起され、陽イオンやラジカル等のプラズマが発生し、陽イオンやラジカル等がチャンバー内に形成され、これらの陽イオンやラジカルが樹脂成形体の表面に衝突することによって、樹脂成形体の表面を活性化することができるものであり、樹脂成形体とその表面に被覆される金属膜との密着性を高めることができるものである。
【００３５】
ここで本発明では、プラズマ生成用の活性ガスとして窒素を用い、窒素雰囲気でプラズマ処理を行なうのが好ましい。このように窒素プラズマ処理を行なうことによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性を向上することができるものである。
【００３６】
またこのように樹脂成形体の表面をプラズマ処理するに先立って、その前処理として、樹脂成形体の表面を窒化処理するのが好ましい。窒化処理は、樹脂成形体を加圧した窒素ガス雰囲気中に所定時間保持することによって行なうことができる。窒化処理の条件は特に限定されるものではないが、樹脂成形体を０．３〜０．７ＭＰａの窒素ガス雰囲気で、０．５〜３時間保持することによって、窒化処理を行なうのが望ましい。このように樹脂成形体を窒化処理することによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性を向上することができるものである。
【００３７】
そして上記のように樹脂成形体をプラズマ処理した後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどから選ばれる乾式めっき法（物理蒸着法：ＰＶＤ法）により、樹脂成形体の表面に金属膜を形成する。ここで、上記のように成形体をチャンバー内でプラズマ処理した後、このチャンバー内を大気開放することなく、スパッタリングや真空蒸着やイオンプレーティングなどを連続プロセスで行なうのが好ましい。金属膜を形成する金属としては、銅、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛、黄銅、ニクロムなどの単体、あるいは合金を用いることができる。これらの中でも、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金を用いるのが、樹脂成形体との密着性が高いので好ましい。
【００３８】
スパッタリングとしては、例えばＤＣスパッタ方式を適用することができる。すなわち、まずチャンバー内に成形体を配置した後、真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にアルゴン等の不活性ガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入する。さらに５００Ｖの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードし、膜厚２００〜５００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができるものである。
【００３９】
また真空蒸着としては、例えば電子線加熱式真空蒸着方式を適用することができる。すなわちまず真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行なった後、４００〜８００ｍＡの電子流を発生させ、この電子流をるつぼの中の蒸着材料に衝突させて加熱すると蒸着材料が蒸発し、膜厚２００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができる。
【００４０】
さらにイオンプレーティングで金属膜を形成するにあたっては、例えば、まずチャンバー内の圧力を１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、上記の真空蒸着の条件で蒸着材料を蒸発させると共に、成形体とるつぼの間に設けた誘導アンテナ部にアルゴン等の不活性ガスを導入し、ガス圧を０．０５〜０．１Ｐａとなるようにしてプラズマを発生させ、そして誘導アンテナに１３．５６ＭＨｚの高周波で５００Ｗのパワーを印加すると共に、成形体を載せている電極に所望のバイアス電圧になるように高周波を印加することによって、膜厚２００〜５００ｎｍ程度の銅などの金属膜を成形体の表面に形成することができるものである。
【００４１】
上記のようにして乾式めっき法で樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたって、樹脂成形体は窒素を含有する硬化剤で硬化させたエポキシ樹脂からなるものであり、金属膜の金属との化学反応性が高い窒素を樹脂成形体の表面に導入することができ、樹脂成形体に対する金属膜の密着強度を高めることができるものである。そして樹脂成形体の表面は上記のようにプラズマ処理によって化学的に活性化されており、成形体の表面に対する金属膜の密着性をより高く得ることができるものである。
【００４２】
特に、プラズマ処理を上記のように窒素プラズマ処理で行なうことによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量を増加させることができるものであり、金属膜の密着性をより向上することができるものである。またプラズマ処理の前処理として、樹脂成形体を窒化処理することによって、樹脂成形体の表面の窒素含有量をさらに増加させることができるものであり、金属膜の密着性をさらに向上することができるものである。
【００４３】
上記のように金属膜を形成した樹脂成形体を用いて、成形回路板を作製することができる。すなわち、上記のように樹脂成形体の表面に通常２００〜５００ｎｍ程度の厚みで銅などの金属膜を形成し、そしてこの金属膜で回路パターン形成をすることによって、成形回路板として仕上げることができるものである。ここで、樹脂成形体を三次元立体表面を有するように形成し、この立体表面に金属膜を形成した後に回路パターン形成することによって、ＭＩＤ等の立体回路板として仕上げることができるものである。回路パターン形成は例えばレーザ法によって行うことができる。すなわち、回路形成部分と回路非形成部分との境界に沿って金属膜にレーザ光を照射し、この境界部分の金属膜を除去することによって、回路形成部分の金属膜を回路パターンとして、金属膜の他の部分から分離する。次に、この回路形成部分の金属膜に通電して銅などの電解メッキを施して厚付けし、５〜２０μm程度の厚みの導電層にする。次にソフトエッチング処理をして、回路非形成部分に残る金属膜を除去すると共に、電解メッキを施した回路形成部分は残存させることによって、所望のパターン形状の回路を形成した成形回路基板を得ることができるものである。この回路の表面には、さらにニッケルメッキや金メッキ等の導電層を数μｍ程度の厚みで設けるようにしてもよい。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４５】
（実施例１）
エポキシ樹脂としてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物（大日本インキ工業株式会社製「エピクロン ＨＰ−７２００」、軟化点６０℃、エポキシ当量２５５〜２６０ｇ／ｅｑ）、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＫＡ−７０５２−Ｌ２」、軟化点８０℃、水酸基当量１２０ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：４６の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００４６】
次に、予め１５０℃に加熱された平板状金型（キャビテーの寸法３０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍ）に、トランスファ成形機によりプランジャ圧力７．８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）、成形時間１８０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して成形し、その後、１５０℃で８時間のアフターキュアを行なうことによって、樹脂成形体を得た。
【００４７】
次に、この樹脂成形体の表面をプラズマ処理し、さらにＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使って金属膜を形成した。すなわち、まず成形体をプラズマ処理装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を真空引きして１０−４Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内に活性ガスとしてＮ２を導入して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を１０Ｐａに制御し、この後、電極間にパワー３５０Ｗの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を３０秒間印加することによって、窒素雰囲気でプラズマ処理を行った。さらに、チャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にアルゴンガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入した後、更に５００Ｖの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードしてスパッタリングを行ない、樹脂成形体の表面に３００ｎｍの膜厚の銅の金属膜を形成した。
【００４８】
この後、金属膜に回路形成部分と回路非形成部分との境界に沿ってレーザを照射してレーザ加工を施し、回路形成部分の金属膜に銅の電解めっきを施して厚付けし、ソフトエッチング処理して回路非形成部分に残る金属膜を除去することによって、幅５ｍｍ、厚み１５μｍのピール強度評価用回路を形成した。
【００４９】
（実施例２）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理するにあたって、活性ガスとしてＮ２の代りにＯ２を用いて酸素プラズマ処理を行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５０】
（実施例３）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理するにあたって、活性ガスとしてＮ２の代りにＡｒガスを用いてアルゴンプラズマ処理を行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５１】
（実施例４）
実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物を調製し、樹脂成形体を成形した。そしてこの樹脂成形体を耐圧容器に入れて密閉し、耐圧容器に窒素ガスを封入して内圧を０．４９ＭＰａ（５ｋｇ／ｃｍ２）にまで高めた状態で１時間保持し、樹脂成形体を窒化処理した。そして耐圧容器を開放して樹脂成形体を取り出し、後は実施例１と同様にして、樹脂成形体をプラズマ処理し、さらに金属膜を形成し、ピール強度評価用回路を形成した。
【００５２】
（実施例５）
実施例１において、樹脂成形体の表面に金属膜を形成するにあたって、まず膜厚１００ｎｍのＮｉスパッタリングを行なった後、膜厚２００ｎｍのＣｕスパッタリングを行なうようにした。その他は実施例１と同様にした。
【００５３】
（実施例６）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ工業株式会社製「エピクロン ８５０Ｓ」、エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ）、硬化剤として実施例１と同じアミノトリアジンノボラック樹脂を用いた。そしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０℃に、アミノトリアジンノボラック樹脂を１００℃に加熱して低粘度化し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：６３の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５４】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５５】
（実施例７）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＬＡ−７７５１」、水酸基当量１３５ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５２の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５６】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５７】
（実施例８）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてアミノトリアジンノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＥＸＢ−９８０８」、水酸基当量１５１ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とアミノトリアジンノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５８の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５８】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００５９】
（実施例９）
エポキシ樹脂としてグリシジルアミン型のテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン（チバガイギー社製「アラルダイト ＭＹ７２０」）を、硬化剤としてジアミノジフェニルスルホン（チバガイギー社製「ハードナー ＨＹ９０６」）を用いた。そしテトラグリシジルジアミノジフェニルメタンとジアミノジフェニルスルホンを低粘度化するためにそれぞれを８０℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：１２０の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６０】
次に、平板状金型（キャビテーの寸法３０ｍｍ×６０ｍｍ×２ｍｍ）に、トランスファ成形機によりプランジャ圧力７．８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）、成形時間１８０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、１２０℃で１．５時間及び１８０℃で４時間の条件で硬化させることによって、樹脂成形体を得た。
【００６１】
（比較例１）
エポキシ樹脂として実施例１と同じジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物を、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ工業株式会社製「フェノライト ＴＤ２１３１」、軟化点８０℃、水酸基当量１０３ｇ／ｅｑ）を用いた。そしてジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物とフェノールノボラック樹脂を低粘度化するためにそれぞれを１００℃に加熱し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：４０の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６２】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００６３】
（比較例２）
エポキシ樹脂として実施例６と同じビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、硬化剤として比較例１と同じフェノールボラック樹脂を用いた。そしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０℃に、フェノールボラック樹脂を１００℃に加熱して低粘度化し、エポキシ樹脂：硬化剤＝１００：５４の重量比になるように計量した後、ミキサーによって十分に均一に攪拌混合することによって、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００６４】
後は、実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を成形して樹脂成形体を作製し、また実施例１と同様にしてプラズマ処理をした後、金属膜を形成し、さらにピール強度評価用回路を形成した。
【００６５】
（比較例３）
実施例１において、樹脂成形体の表面をプラズマ処理することなく、樹脂成形体の表面に金属膜を形成するようした。その他は実施例１と同様にした。
【００６６】
上記の実施例１〜９及び比較例１〜３で形成したピール強度評価用回路について、万能試験機（島津製作所製「ＥＧ Ｔｅｓｔ」）を用いて、単位幅当たりのピール強度（９０度ピール強度）を測定した。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
各実施例と比較例との比較にみられるように、硬化剤として窒素官能基を有する化合物を用いることよって、金属膜による回路のピール強度が向上することが確認される。また実施例１と実施例２，３の比較から、窒素プラズマ処理を行なうことによって、ピール強度が向上することが確認される。また実施例４にみられるように、窒化処理をすることによって、ピール強度がさらに向上することが確認される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体であって、窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物を成形・硬化させて得られたものであることを特徴とする樹脂成形体。
【請求項２】
プラズマ処理は窒素雰囲気で行なわれるものであることを特徴とする請求項１に記載の樹脂成形体。
【請求項３】
プラズマ処理は窒化処理がされた表面に行なわれるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂成形体。
【請求項４】
窒素官能基を有する硬化剤は、アミノトリアジンノボラック系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の樹脂成形体。
【請求項５】
エポキシ樹脂組成物の主剤は、ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂から選ばれるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の樹脂成形体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂成形体の表面に形成された金属膜によって、回路が形成されて成ることを特徴とする成形回路板。
【請求項１】
プラズマ処理により活性化された表面に乾式めっきで金属膜が形成される樹脂成形体であって、窒素官能基を有する硬化剤を配合したエポキシ樹脂組成物を成形・硬化させて得られたものであることを特徴とする樹脂成形体。
【請求項２】
プラズマ処理は窒素雰囲気で行なわれるものであることを特徴とする請求項１に記載の樹脂成形体。
【請求項３】
プラズマ処理は窒化処理がされた表面に行なわれるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂成形体。
【請求項４】
窒素官能基を有する硬化剤は、アミノトリアジンノボラック系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の樹脂成形体。
【請求項５】
エポキシ樹脂組成物の主剤は、ジシクロペンタジエン−フェノール樹脂のエポキシ化物、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂から選ばれるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の樹脂成形体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂成形体の表面に形成された金属膜によって、回路が形成されて成ることを特徴とする成形回路板。
【公開番号】特開２００６−３５６５７（Ｐ２００６−３５６５７Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２１９３２４（Ｐ２００４−２１９３２４）
【出願日】平成１６年７月２７日（２００４．７．２７）
【出願人】（０００００５８３２）松下電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２７日（２００４．７．２７）
【出願人】（０００００５８３２）松下電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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