渦電流探傷方法
【課題】被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【解決手段】演算制御部４０は、試験体２０Ａの平面に渦電流プローブ３を密着させるまでに発生する検出信号と試験体２０Ｂの曲面に渦電流プローブ３を密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域Ａを求める。さらに、演算制御部４０は、渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号とリフトオフ許容領域Ａを比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価する。
【解決手段】演算制御部４０は、試験体２０Ａの平面に渦電流プローブ３を密着させるまでに発生する検出信号と試験体２０Ｂの曲面に渦電流プローブ３を密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域Ａを求める。さらに、演算制御部４０は、渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号とリフトオフ許容領域Ａを比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流探傷方法に係り、特に、曲率を有する検査面の渦電流探傷に用いるに好適な渦電流探傷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
渦電流探傷法の原理は、導電性の被検査体を対象としてコイルにより発生する交流磁場により、被試験体に渦電流を誘起させ、欠陥による渦電流の乱れに起因するコイルのインピーダンス変化から欠陥の有無を評価するものである。渦電流探傷装置は、プローブと被検査体の距離であるリフトオフの変化によっても信号が発生する。この特性を利用することでリフトオフを測定することが可能である。一方、プローブとして、広範囲の測定や曲面の検査が可能である複数のコイルを規則的に配列したマルチコイルプローブが開発されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
渦電流探傷法は、プローブと被検査体との距離（リフトオフ）により検出感度が変化することから、探傷前にプローブは、適切に被検査体へ配置することが必要となる。この状態は目視で確認できるが、狭隘部や構造物が隣接する部位の検査に関しては、目視での確認が困難となる場合がある。加えて、遠隔操作の場合も同様である。
【０００４】
この対策として、リフトオフの信号が得られる渦電流探傷プローブの利用により、被検査体との距離を推定するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４７５２５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】第８回表面探傷シンポジウム講演論文集p.139-142(2005)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１記載のものは、プローブを被検査体に配置する際の密着性を評価するものであるが、プローブを配置する被検査面の曲率が既知の場合に有効な手段である。それに対して、曲率の分からない部位に対しては、プローブの曲がり状態によってリフトオフの信号特性が変化することが考えられ、適用できない場合が生じる。このため、被検査面の曲率半径が不明な場合は、別の手段が必要となる。
【０００８】
本発明の目的は、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、複数のコイルを規則的に基板に配置した渦電流プローブと被検査体と同材であり、平面及び曲面を模擬した試験体を用いて、該試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させるまでに発生する検出信号と前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域を求め、前記渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号と前記リフトオフ許容領域を比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価するようにしたものである。
かかる方法により、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるものとなる。
【００１０】
（２）上記（１）において、好ましくは、前記リフトオフ許容領域は、前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第二の検出信号と、前記リサージュ平面上の第一の検出信号の前記プローブが密着した位置の点と第二の検出信号の前記プローブが密着した位置での点とにより求められる直線と、前記リサージュ平面上の前記試験体の平面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点とより求められる直線近似とから求めるようにしたものである。
【００１１】
（３）上記（１）において、好ましくは、前記リフトオフ許容領域は、前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、前記試験体の平面にプローブを密着させ、密着（状態を維持し曲面部に向かって走査する際の第二の検出信号と、前記試験体の曲面からにプローブを離す際に発生する第三の検出信号と、試験体の平面にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づけ、この距離を維持し曲面に走査する際に発生する第四の検出信号とから求めるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成図である。
【図２】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。
【図４】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。
【図５】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図６】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図７】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。
【図１２】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号の内容の説明図である。
【図１３】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の説明図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図１〜図１４を用いて、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
最初に、図１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成図である。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）は正面図である。
【００１５】
本実施形態で用いるマルチコイルプローブ３は、可撓性基板２に複数のコイル１を規則的に取り付けたものであり、プローブ自体が曲がることで被検査面の曲率に密着し、曲がりによる信号が発生する。
【００１６】
渦電流探傷プローブ３は、例えば、検出信号１ｃｈは、コイル１Ａ１で磁場を発生し、コイル１Ａ２で信号を検出する。検出信号２ｃｈはコイル１Ｂ１で磁場を発生し、コイル１Ｂ２で検出する。これを、高速に切替えコイル幅に対応する領域の検査を１度の走査で実施できる。
【００１７】
次に、図２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成について説明する。
図２は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００１８】
渦電流探傷装置は、マルチコイルプローブ３と、移動部３０と、演算制御部４０とから構成される。また、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）の許容値を求めるための試験体２０Ａ，２０Ｂが用いられる。試験体２０Ａは、表面が平坦であり、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性を有する部材からなる。試験体２０Ｂは、その表面に所定の曲率を有する断面円弧状の溝が形成されており、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性を有する部材からなる。
【００１９】
移動部３０は、試験体２０Ａ，２０Ｂとの間の距離を変えながら、マルチコイルプローブ３を移動させるものであり、演算制御部４０によって制御される。移動部３０は、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ａ，２０Ｂに密着させることもできる。移動部３０は、破線Ａで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ａの表面に徐々に近づけ、さらに、試験体２０Ａの表面に密着させることができる。また、移動部３０は、破線Ｂで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂの上に移動し、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂの表面に徐々に近づけ、さらに、試験体２０Ｂの表面に密着させることができる。マルチコイルプローブ３は、試験体２０Ｂの円弧状の溝に密着したときは、その溝の曲率に応じて曲げられる。さらに、移動部３０は、破線Ｃで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂに密着した状態から徐々に離すことができる。このとき、移動部３０は、マルチコイルプローブ３が曲げられた状態を保持したまま移動する。
【００２０】
演算制御部４０は、例えば、渦電流探傷プローブ３の図１に示したコイル１Ａで磁場を発生する。このとき、図１に示したコイル２Ａから検出された信号は、演算制御部４０に取り込まれる。
【００２１】
次に、図３〜図１２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ測定の原理について説明する。
励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブは、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して検出信号が発生する。図１に示したように、可撓性基板２に複数のコイル１を規則的に取り付けたマルチコイルプローブ３は、プローブ自体が曲がることで被検査面の曲率に密着するが、曲がりによる信号が発生する。
【００２２】
以下、リフトオフ、プローブ曲がりによる信号に関して説明する。
【００２３】
最初に、図３及び図４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図３及び図４は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２４】
図３に示すように、検査では、プローブ３を被検査面に設置するため、表面が平板状の被検査面２０Ａから離れている（状態１）から、矢印Ａ方向にプローブ３を移動させ、被検査面２０Ａに接近させ密着させ、最終的に密着した（状態２）が存在する。この間に発生するプローブ３の検出信号がリフトオフによる信号である。
【００２５】
ここで、図４は、コイル１Ａｎとコイル１Ａ（ｎ＋１）の対で発生する検出信号を示している。図４において、横軸にＸ成分を示し、縦軸にＹ成分を示している。仮に、（状態１）を（原点５）とした場合を考えると、リフトオフによる信号は（状態２）を示す（点６）に向かう軌跡を描く。
【００２６】
次に、図５〜図７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図５〜図７は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２７】
図５に示すように、（状態１）からプローブがある曲率に曲がった状態３に変化した場合、検出信号は図６に示すようになる。すなわち、（状態１）を（原点５）とすると、（状態３）は（点７）に向かって直線的に変化する。これは、図７に示すように、ｎｃｈを形成するプローブ要素を励磁コイル１Ａｎと検出コイル１Ａ（ｎ＋１）、は、プローブが曲がることにより、励磁コイル１Ａｎと検出コイル１Ａ（ｎ＋１）の距離が変化する。磁場８は励磁コイル１Ａｎから距離が離れるに従い減衰することから、プローブが曲がることにより検出信号も変化する。また、この変化は渦電流の発生、分布の変化を伴わないため、図６に示すように、検出信号は直線的に変化する。
【００２８】
次に、図８及び図９を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図８及び図９は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２９】
図８に示すように、平面部から曲面になめらに変化する被検査体２０’に対して、平面部にプローブ３を配置する。この状態は図３の（状態２）と同様である。プローブ３は、被検査面に密着した状態で曲面部に走査する。表面の曲率半径は徐々に小さくなるように変化する。図８に示すように、プローブ３を曲面部まで走査した状態を、（状態４）とする。
【００３０】
この場合の検出信号は、図９に示すように、（状態２）を示す（点６）から、（点１０）まで直線的に変化する。これは、先に図７により説明したように、プローブの曲がることによる変化を示すためである。また、被検査体９に発生する渦電流は減衰したり分布が大きく変化することがないため、（点６）から（点１０）まで直線的に変化する。
【００３１】
次に、図１０及び図１１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図１０及び図１１は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３２】
図１０に示すように、曲面の被検査体２０Ｂにプローブ３が密着した状態を（状態４）とし、徐々に離した状態を（状態５）とする。このときの検出信号は、図１１に示すように、（点１０）から（点７）に移動する。（状態５）は、先に説明した（状態２）と同様であるため、双方の状態を示す（点７）は重なる。
【００３３】
次に、図１２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号について纏めて説明する。
図１２は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号の内容の説明図である。
【００３４】
以上をまとめると、被検査体及びプローブの状態により検出信号は特徴的な変化を示すことが分かる。
【００３５】
被検査体が無くプローブが伸びた状態（点５）を基準にする（これは検出信号の原点に設定することを示す）。その検出信号は、図１１に示すように、（点５）から（点７）へ矢印１２方向に向かう軌跡は、被検査体が無い状態でプローブが伸びた状態から曲率半径が小さくなるように曲がる際の検出信号である。（点６）から（点１０）へ向かう矢印１３方向の軌跡は、被検査体上にプローブを密着させた状態で、被検査体の曲率に倣ってプローブが曲がる状態を示す。（点６）は平面上にプローブがある状態から曲率半径が小さくなるに従い（点１０）へ変化する。そして、この双方の特性の間を移動する検出信号はプローブと被検査体のリフトオフにより発生する検出信号である。矢印１４に示す方向に対応してリフトオフが小さくなり、（点６）と（点１０）間の線上で被検査体に密着する。
【００３６】
この被検査体及びプローブの状態による検出信号の特性を予め準備しておくことで、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【００３７】
次に、図１３及び図１４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法の内容について説明する。
図１３は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。図１４は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の説明図である。
【００３８】
本実施形態では、図１２の（点５）、（点６）、（点１０）を、以下の手順で決定する。
【００３９】
最初に、ステップＳ１０において、演算制御部４０は、被検査体から離れた位置でプローブを伸ばした状態で検出信号の原点設定を実施する。この設定は、渦電流探傷検査においてバランス設定やＮＵＬＬ設定と呼ばれる。この設定値が（点５）となる。
【００４０】
その後、ステップＳ１５において、演算制御部４０は、移動部３０を制御して、図２に示す試験体２０Ａにプローブを密着させるようにプローブを移動するとともに、この過程で発生する検出信号を収録する。試験体２０Ａは、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性である。この検出信号により（点６）が決定される。
【００４１】
次に、ステップＳ２０において、演算制御部４０は、図１３に示す試験体２０Ｂを利用して、曲面にプローブを密着させた状態の検出信号を収録する。これにより、（点１０）が決定される。
【００４２】
次に、ステップＳ２５において、演算制御部４０は、（点６）と（点１０）の間を直線近似する。
【００４３】
次に、ステップＳ３０及びステップＳ３５において、演算制御部４０は、リフトオフの許容値の値を同様の手順で測定する。この点を（点６’）、（点１０’）とする。具体的には、試験体２０Ａの平面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける過程で検出信号を測定し、また、試験体２０Ｂの曲面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける過程で検出信号を測定する。リフトオフの許容値Ｘｍｍが、例えば１ｍｍであれば、試験体上に１ｍｍのスペーサを配置した状態で測定することで可能である。なお、（点６）、（点１０）を決定する測定で、リフトオフの距離に対応する検出信号を収録している場合は、改めて測定することは必要なく、データからリフトオフ１ｍｍに対する（点６’）、（点１０’）を決定する。
【００４４】
そして、ステップＳ４０において、演算制御部４０は、ステップＳ３０で求められた（点６’）とステップＳ３５で求められた（点１０’）を直線で近似する。
【００４５】
さらに、ステップＳ４５において、演算制御部４０は、リサージュ平面上の（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域Ａを決定する。
【００４６】
このようにして得られる特性は、図１４に示すようになる。（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域がリフトオフ許容値を踏まえリフトオフ許容領域Ａとなる。
【００４７】
なお、前記の説明では、（点７）について論究していたが、実際に必要となるのは、（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域であるので、（点７）は必ずしも求める必要はないものである。（点７）を求める際には、曲面に沿って曲がったプローブ形状を保持した状態で、試験体２１から離す過程で発生する検出信号を収録する。
【００４８】
次に、実際に渦電流プローブを用いて被検査体の検査を行う際には、まず、ステップＳ５０において、演算制御部４０は、移動部３０により被検査部の近傍に配置した状態で原点設定を実施する。被検査体の影響を受けないように、プローブは被検査体から十分はなれた距離であることが必要となる。３０ｍｍ以上離すことが望ましい。
【００４９】
ステップＳ５５において、演算制御部４０は、渦電流プローブ３を被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号を測定し、さらに、ステップＳ６０において、測定した信号と前述のリフトオフ領域Ａを比較する。試験体で求めたリフトオフ許容領域の内部にあれば検査可能、無ければ再試行となる。
【００５０】
以上の手順により、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフを評価できる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、予め平面から曲面までの被検査体に対する渦電流探傷による検査信号を収録できることから、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【００５２】
次に、図１５及び図１６を用いて、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
図１５は、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。なお、図２と同一符号は、同一部分を示している。図１６は、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【００５３】
本実施形態で用いる試験体２０Ｃは、平面部２３から徐々に曲面部２４へと変化する形状を持つ。試験体２０Ｃは、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性である。プローブ３を平面部に密着させる過程で発生する検出信号を収録するには、平面部２３を利用する。これにより、（点６）を決定する。次に、平面部２３から曲面部２４までプローブを密着させた状態で移動させる。これにより、（点６）から（点１０）への検出信号及び（点１０）を決定する。
【００５４】
図１６において、最初にステップＳ１０において、演算制御部４０は、計測器のバランス設置を実施する。すなわち、被検査体から離れた位置でプローブを伸ばした状態で検出信号の原点設定を実施する。この設定値が（点５）となる。
【００５５】
その後、図１５に示す試験体２０Ｃを用いる。この試験体は平面部から徐々に曲面へと変化する形状を持つ。
【００５６】
次に、ステップＳ１５において、演算制御部４０は、平板試験体の平面部にプローブを近づけ、密着させる過程の第一の検出信号（図１４の（点６））を測定する。
【００５７】
次に、ステップＳ２０’において、演算制御部４０は、移動部３０を制御して、試験体２０Ｃの平面部２２にプローブを密着させた状態を維持したまま、曲面部２３に向かって走査する際に発生する第二の検出信号（図１４の（点１０）を測定する。
【００５８】
次に、ステップＳ３５’において、演算制御部４０は、試験体２０Ｃの曲面部２３から、プローブを曲げたままの状態でプローブをリフトオフＸｍｍまで離す際に第三の検出信号（図１４の（点１０’）を測定する。
【００５９】
次に、ステップＳ４０’において、演算制御部４０は、試験体の平面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける際に発生する第四の検出信号（図１４の（点６’）を求める。
【００６０】
さらに、ステップＳ４５において、演算制御部４０は、リサージュ平面上の（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域Ａを決定する。
【００６１】
次に、実際に渦電流プローブを用いて被検査体の検査を行う際には、まず、ステップＳ５０において、演算制御部４０は、移動部３０により被検査部の近傍に配置した状態で原点設定を実施する。被検査体の影響を受けないように、プローブは被検査体から十分はなれた距離であることが必要となる。３０ｍｍ以上離すことが望ましい。
【００６２】
ステップＳ５５において、演算制御部４０は、渦電流プローブ３を被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号を測定し、さらに、ステップＳ６０において、測定した信号と前述のリフトオフ領域Ａを比較する。試験体で求めたリフトオフ許容領域の内部にあれば検査可能、無ければ再試行となる。
【００６３】
以上の手順により、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフを評価できる。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態によれば、予め平面から曲面までの被検査体に対する渦電流探傷による検査信号を収録できることから、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１…コイル
２…可撓性基板
３…マルチコイルプローブ
２０…試験体
３０…移動部
４０…制御演算部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流探傷方法に係り、特に、曲率を有する検査面の渦電流探傷に用いるに好適な渦電流探傷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
渦電流探傷法の原理は、導電性の被検査体を対象としてコイルにより発生する交流磁場により、被試験体に渦電流を誘起させ、欠陥による渦電流の乱れに起因するコイルのインピーダンス変化から欠陥の有無を評価するものである。渦電流探傷装置は、プローブと被検査体の距離であるリフトオフの変化によっても信号が発生する。この特性を利用することでリフトオフを測定することが可能である。一方、プローブとして、広範囲の測定や曲面の検査が可能である複数のコイルを規則的に配列したマルチコイルプローブが開発されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
渦電流探傷法は、プローブと被検査体との距離（リフトオフ）により検出感度が変化することから、探傷前にプローブは、適切に被検査体へ配置することが必要となる。この状態は目視で確認できるが、狭隘部や構造物が隣接する部位の検査に関しては、目視での確認が困難となる場合がある。加えて、遠隔操作の場合も同様である。
【０００４】
この対策として、リフトオフの信号が得られる渦電流探傷プローブの利用により、被検査体との距離を推定するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４７５２５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】第８回表面探傷シンポジウム講演論文集p.139-142(2005)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１記載のものは、プローブを被検査体に配置する際の密着性を評価するものであるが、プローブを配置する被検査面の曲率が既知の場合に有効な手段である。それに対して、曲率の分からない部位に対しては、プローブの曲がり状態によってリフトオフの信号特性が変化することが考えられ、適用できない場合が生じる。このため、被検査面の曲率半径が不明な場合は、別の手段が必要となる。
【０００８】
本発明の目的は、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できる渦電流探傷方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、複数のコイルを規則的に基板に配置した渦電流プローブと被検査体と同材であり、平面及び曲面を模擬した試験体を用いて、該試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させるまでに発生する検出信号と前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域を求め、前記渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号と前記リフトオフ許容領域を比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価するようにしたものである。
かかる方法により、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるものとなる。
【００１０】
（２）上記（１）において、好ましくは、前記リフトオフ許容領域は、前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第二の検出信号と、前記リサージュ平面上の第一の検出信号の前記プローブが密着した位置の点と第二の検出信号の前記プローブが密着した位置での点とにより求められる直線と、前記リサージュ平面上の前記試験体の平面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点とより求められる直線近似とから求めるようにしたものである。
【００１１】
（３）上記（１）において、好ましくは、前記リフトオフ許容領域は、前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、前記試験体の平面にプローブを密着させ、密着（状態を維持し曲面部に向かって走査する際の第二の検出信号と、前記試験体の曲面からにプローブを離す際に発生する第三の検出信号と、試験体の平面にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づけ、この距離を維持し曲面に走査する際に発生する第四の検出信号とから求めるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被検査面の曲率半径が不明な場合でも、被検査面にプローブを押付けた際の密着性を確認できるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成図である。
【図２】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。
【図４】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。
【図５】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図６】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図７】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。
【図１２】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号の内容の説明図である。
【図１３】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【図１４】本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の説明図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図１〜図１４を用いて、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
最初に、図１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法に用いる渦電流プローブの構成図である。図１（Ａ）は平面図であり、図１（Ｂ）は正面図である。
【００１５】
本実施形態で用いるマルチコイルプローブ３は、可撓性基板２に複数のコイル１を規則的に取り付けたものであり、プローブ自体が曲がることで被検査面の曲率に密着し、曲がりによる信号が発生する。
【００１６】
渦電流探傷プローブ３は、例えば、検出信号１ｃｈは、コイル１Ａ１で磁場を発生し、コイル１Ａ２で信号を検出する。検出信号２ｃｈはコイル１Ｂ１で磁場を発生し、コイル１Ｂ２で検出する。これを、高速に切替えコイル幅に対応する領域の検査を１度の走査で実施できる。
【００１７】
次に、図２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成について説明する。
図２は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００１８】
渦電流探傷装置は、マルチコイルプローブ３と、移動部３０と、演算制御部４０とから構成される。また、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）の許容値を求めるための試験体２０Ａ，２０Ｂが用いられる。試験体２０Ａは、表面が平坦であり、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性を有する部材からなる。試験体２０Ｂは、その表面に所定の曲率を有する断面円弧状の溝が形成されており、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性を有する部材からなる。
【００１９】
移動部３０は、試験体２０Ａ，２０Ｂとの間の距離を変えながら、マルチコイルプローブ３を移動させるものであり、演算制御部４０によって制御される。移動部３０は、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ａ，２０Ｂに密着させることもできる。移動部３０は、破線Ａで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ａの表面に徐々に近づけ、さらに、試験体２０Ａの表面に密着させることができる。また、移動部３０は、破線Ｂで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂの上に移動し、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂの表面に徐々に近づけ、さらに、試験体２０Ｂの表面に密着させることができる。マルチコイルプローブ３は、試験体２０Ｂの円弧状の溝に密着したときは、その溝の曲率に応じて曲げられる。さらに、移動部３０は、破線Ｃで示すように、マルチコイルプローブ３を試験体２０Ｂに密着した状態から徐々に離すことができる。このとき、移動部３０は、マルチコイルプローブ３が曲げられた状態を保持したまま移動する。
【００２０】
演算制御部４０は、例えば、渦電流探傷プローブ３の図１に示したコイル１Ａで磁場を発生する。このとき、図１に示したコイル２Ａから検出された信号は、演算制御部４０に取り込まれる。
【００２１】
次に、図３〜図１２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法におけるリフトオフ測定の原理について説明する。
励磁コイルと検出コイルを有する相互誘導形標準比較型の渦電流探傷プローブは、プローブと被検査面との距離（リフトオフ）に対応して検出信号が発生する。図１に示したように、可撓性基板２に複数のコイル１を規則的に取り付けたマルチコイルプローブ３は、プローブ自体が曲がることで被検査面の曲率に密着するが、曲がりによる信号が発生する。
【００２２】
以下、リフトオフ、プローブ曲がりによる信号に関して説明する。
【００２３】
最初に、図３及び図４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図３及び図４は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、平板状の被検査面にプローブが近づく場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２４】
図３に示すように、検査では、プローブ３を被検査面に設置するため、表面が平板状の被検査面２０Ａから離れている（状態１）から、矢印Ａ方向にプローブ３を移動させ、被検査面２０Ａに接近させ密着させ、最終的に密着した（状態２）が存在する。この間に発生するプローブ３の検出信号がリフトオフによる信号である。
【００２５】
ここで、図４は、コイル１Ａｎとコイル１Ａ（ｎ＋１）の対で発生する検出信号を示している。図４において、横軸にＸ成分を示し、縦軸にＹ成分を示している。仮に、（状態１）を（原点５）とした場合を考えると、リフトオフによる信号は（状態２）を示す（点６）に向かう軌跡を描く。
【００２６】
次に、図５〜図７を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図５〜図７は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、プローブが徐々に曲げられた場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２７】
図５に示すように、（状態１）からプローブがある曲率に曲がった状態３に変化した場合、検出信号は図６に示すようになる。すなわち、（状態１）を（原点５）とすると、（状態３）は（点７）に向かって直線的に変化する。これは、図７に示すように、ｎｃｈを形成するプローブ要素を励磁コイル１Ａｎと検出コイル１Ａ（ｎ＋１）、は、プローブが曲がることにより、励磁コイル１Ａｎと検出コイル１Ａ（ｎ＋１）の距離が変化する。磁場８は励磁コイル１Ａｎから距離が離れるに従い減衰することから、プローブが曲がることにより検出信号も変化する。また、この変化は渦電流の発生、分布の変化を伴わないため、図６に示すように、検出信号は直線的に変化する。
【００２８】
次に、図８及び図９を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図８及び図９は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、被検査体の曲率が変化するような部分に対してプローブを走査した場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２９】
図８に示すように、平面部から曲面になめらに変化する被検査体２０’に対して、平面部にプローブ３を配置する。この状態は図３の（状態２）と同様である。プローブ３は、被検査面に密着した状態で曲面部に走査する。表面の曲率半径は徐々に小さくなるように変化する。図８に示すように、プローブ３を曲面部まで走査した状態を、（状態４）とする。
【００３０】
この場合の検出信号は、図９に示すように、（状態２）を示す（点６）から、（点１０）まで直線的に変化する。これは、先に図７により説明したように、プローブの曲がることによる変化を示すためである。また、被検査体９に発生する渦電流は減衰したり分布が大きく変化することがないため、（点６）から（点１０）まで直線的に変化する。
【００３１】
次に、図１０及び図１１を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合のプローブの検出信号の変化について説明する。
図１０及び図１１は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法において、曲面部に密着したプローブを、徐々に被検査面から離した場合の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３２】
図１０に示すように、曲面の被検査体２０Ｂにプローブ３が密着した状態を（状態４）とし、徐々に離した状態を（状態５）とする。このときの検出信号は、図１１に示すように、（点１０）から（点７）に移動する。（状態５）は、先に説明した（状態２）と同様であるため、双方の状態を示す（点７）は重なる。
【００３３】
次に、図１２を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号について纏めて説明する。
図１２は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法における、被検査体及びプローブの状態による検出信号の内容の説明図である。
【００３４】
以上をまとめると、被検査体及びプローブの状態により検出信号は特徴的な変化を示すことが分かる。
【００３５】
被検査体が無くプローブが伸びた状態（点５）を基準にする（これは検出信号の原点に設定することを示す）。その検出信号は、図１１に示すように、（点５）から（点７）へ矢印１２方向に向かう軌跡は、被検査体が無い状態でプローブが伸びた状態から曲率半径が小さくなるように曲がる際の検出信号である。（点６）から（点１０）へ向かう矢印１３方向の軌跡は、被検査体上にプローブを密着させた状態で、被検査体の曲率に倣ってプローブが曲がる状態を示す。（点６）は平面上にプローブがある状態から曲率半径が小さくなるに従い（点１０）へ変化する。そして、この双方の特性の間を移動する検出信号はプローブと被検査体のリフトオフにより発生する検出信号である。矢印１４に示す方向に対応してリフトオフが小さくなり、（点６）と（点１０）間の線上で被検査体に密着する。
【００３６】
この被検査体及びプローブの状態による検出信号の特性を予め準備しておくことで、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【００３７】
次に、図１３及び図１４を用いて、本実施形態による渦電流探傷方法の内容について説明する。
図１３は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。図１４は、本発明の一実施形態による渦電流探傷方法の説明図である。
【００３８】
本実施形態では、図１２の（点５）、（点６）、（点１０）を、以下の手順で決定する。
【００３９】
最初に、ステップＳ１０において、演算制御部４０は、被検査体から離れた位置でプローブを伸ばした状態で検出信号の原点設定を実施する。この設定は、渦電流探傷検査においてバランス設定やＮＵＬＬ設定と呼ばれる。この設定値が（点５）となる。
【００４０】
その後、ステップＳ１５において、演算制御部４０は、移動部３０を制御して、図２に示す試験体２０Ａにプローブを密着させるようにプローブを移動するとともに、この過程で発生する検出信号を収録する。試験体２０Ａは、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性である。この検出信号により（点６）が決定される。
【００４１】
次に、ステップＳ２０において、演算制御部４０は、図１３に示す試験体２０Ｂを利用して、曲面にプローブを密着させた状態の検出信号を収録する。これにより、（点１０）が決定される。
【００４２】
次に、ステップＳ２５において、演算制御部４０は、（点６）と（点１０）の間を直線近似する。
【００４３】
次に、ステップＳ３０及びステップＳ３５において、演算制御部４０は、リフトオフの許容値の値を同様の手順で測定する。この点を（点６’）、（点１０’）とする。具体的には、試験体２０Ａの平面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける過程で検出信号を測定し、また、試験体２０Ｂの曲面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける過程で検出信号を測定する。リフトオフの許容値Ｘｍｍが、例えば１ｍｍであれば、試験体上に１ｍｍのスペーサを配置した状態で測定することで可能である。なお、（点６）、（点１０）を決定する測定で、リフトオフの距離に対応する検出信号を収録している場合は、改めて測定することは必要なく、データからリフトオフ１ｍｍに対する（点６’）、（点１０’）を決定する。
【００４４】
そして、ステップＳ４０において、演算制御部４０は、ステップＳ３０で求められた（点６’）とステップＳ３５で求められた（点１０’）を直線で近似する。
【００４５】
さらに、ステップＳ４５において、演算制御部４０は、リサージュ平面上の（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域Ａを決定する。
【００４６】
このようにして得られる特性は、図１４に示すようになる。（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域がリフトオフ許容値を踏まえリフトオフ許容領域Ａとなる。
【００４７】
なお、前記の説明では、（点７）について論究していたが、実際に必要となるのは、（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域であるので、（点７）は必ずしも求める必要はないものである。（点７）を求める際には、曲面に沿って曲がったプローブ形状を保持した状態で、試験体２１から離す過程で発生する検出信号を収録する。
【００４８】
次に、実際に渦電流プローブを用いて被検査体の検査を行う際には、まず、ステップＳ５０において、演算制御部４０は、移動部３０により被検査部の近傍に配置した状態で原点設定を実施する。被検査体の影響を受けないように、プローブは被検査体から十分はなれた距離であることが必要となる。３０ｍｍ以上離すことが望ましい。
【００４９】
ステップＳ５５において、演算制御部４０は、渦電流プローブ３を被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号を測定し、さらに、ステップＳ６０において、測定した信号と前述のリフトオフ領域Ａを比較する。試験体で求めたリフトオフ許容領域の内部にあれば検査可能、無ければ再試行となる。
【００５０】
以上の手順により、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフを評価できる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、予め平面から曲面までの被検査体に対する渦電流探傷による検査信号を収録できることから、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【００５２】
次に、図１５及び図１６を用いて、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法について説明する。
図１５は、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法を実施する渦電流探傷装置の構成を示すブロック図である。なお、図２と同一符号は、同一部分を示している。図１６は、本発明の他の実施形態による渦電流探傷方法の内容を示すフローチャートである。
【００５３】
本実施形態で用いる試験体２０Ｃは、平面部２３から徐々に曲面部２４へと変化する形状を持つ。試験体２０Ｃは、実検査部と同材、又は同等の電気・磁気特性である。プローブ３を平面部に密着させる過程で発生する検出信号を収録するには、平面部２３を利用する。これにより、（点６）を決定する。次に、平面部２３から曲面部２４までプローブを密着させた状態で移動させる。これにより、（点６）から（点１０）への検出信号及び（点１０）を決定する。
【００５４】
図１６において、最初にステップＳ１０において、演算制御部４０は、計測器のバランス設置を実施する。すなわち、被検査体から離れた位置でプローブを伸ばした状態で検出信号の原点設定を実施する。この設定値が（点５）となる。
【００５５】
その後、図１５に示す試験体２０Ｃを用いる。この試験体は平面部から徐々に曲面へと変化する形状を持つ。
【００５６】
次に、ステップＳ１５において、演算制御部４０は、平板試験体の平面部にプローブを近づけ、密着させる過程の第一の検出信号（図１４の（点６））を測定する。
【００５７】
次に、ステップＳ２０’において、演算制御部４０は、移動部３０を制御して、試験体２０Ｃの平面部２２にプローブを密着させた状態を維持したまま、曲面部２３に向かって走査する際に発生する第二の検出信号（図１４の（点１０）を測定する。
【００５８】
次に、ステップＳ３５’において、演算制御部４０は、試験体２０Ｃの曲面部２３から、プローブを曲げたままの状態でプローブをリフトオフＸｍｍまで離す際に第三の検出信号（図１４の（点１０’）を測定する。
【００５９】
次に、ステップＳ４０’において、演算制御部４０は、試験体の平面部にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づける際に発生する第四の検出信号（図１４の（点６’）を求める。
【００６０】
さらに、ステップＳ４５において、演算制御部４０は、リサージュ平面上の（点６）、（点１０）、（点１０’）、（点６’）、（点６）で囲まれる領域Ａを決定する。
【００６１】
次に、実際に渦電流プローブを用いて被検査体の検査を行う際には、まず、ステップＳ５０において、演算制御部４０は、移動部３０により被検査部の近傍に配置した状態で原点設定を実施する。被検査体の影響を受けないように、プローブは被検査体から十分はなれた距離であることが必要となる。３０ｍｍ以上離すことが望ましい。
【００６２】
ステップＳ５５において、演算制御部４０は、渦電流プローブ３を被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号を測定し、さらに、ステップＳ６０において、測定した信号と前述のリフトオフ領域Ａを比較する。試験体で求めたリフトオフ許容領域の内部にあれば検査可能、無ければ再試行となる。
【００６３】
以上の手順により、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフを評価できる。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態によれば、予め平面から曲面までの被検査体に対する渦電流探傷による検査信号を収録できることから、被検査体の曲率の分からない部位に対しても、プローブを設置した際の密着状態を把握することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１…コイル
２…可撓性基板
３…マルチコイルプローブ
２０…試験体
３０…移動部
４０…制御演算部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイルを規則的に基板に配置した渦電流プローブと被検査体と同材であり、平面及び曲面を模擬した試験体を用いて、
該試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させるまでに発生する検出信号と前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域を求め、
前記渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号と前記リフトオフ許容領域を比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価することを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項２】
請求項１記載の渦電流探傷方法において、
前記リフトオフ許容領域は、
前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、
前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第二の検出信号と、
前記リサージュ平面上の第一の検出信号の前記プローブが密着した位置の点と第二の検出信号の前記プローブが密着した位置での点とにより求められる直線と、
前記リサージュ平面上の前記試験体の平面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点とより求められる直線近似とから求めることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項３】
請求項１記載の渦電流探傷方法において、
前記リフトオフ許容領域は、
前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、
前記試験体の平面にプローブを密着させ、密着（状態を維持し曲面部に向かって走査する際の第二の検出信号と、
前記試験体の曲面からにプローブを離す際に発生する第三の検出信号と、
試験体の平面にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づけ、この距離を維持し曲面に走査する際に発生する第四の検出信号とから求めることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項１】
複数のコイルを規則的に基板に配置した渦電流プローブと被検査体と同材であり、平面及び曲面を模擬した試験体を用いて、
該試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させるまでに発生する検出信号と前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する検出信号からリサージュ平面上にリフトオフ許容領域を求め、
前記渦電流プローブを被検査体に密着させる過程で発生するリサージュ平面上の信号と前記リフトオフ許容領域を比較して、任意曲面に渦電流プローブを押付けた際のリフトオフ量を評価することを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項２】
請求項１記載の渦電流探傷方法において、
前記リフトオフ許容領域は、
前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、
前記試験体の曲面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第二の検出信号と、
前記リサージュ平面上の第一の検出信号の前記プローブが密着した位置の点と第二の検出信号の前記プローブが密着した位置での点とにより求められる直線と、
前記リサージュ平面上の前記試験体の平面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点と、前記試験体の曲面に前記渦電流プローブをリフトオフＸｍｍまで接近させた点とより求められる直線近似とから求めることを特徴とする渦電流探傷方法。
【請求項３】
請求項１記載の渦電流探傷方法において、
前記リフトオフ許容領域は、
前記試験体の平面に前記渦電流プローブを密着させる際に発生する第一の検出信号と、
前記試験体の平面にプローブを密着させ、密着（状態を維持し曲面部に向かって走査する際の第二の検出信号と、
前記試験体の曲面からにプローブを離す際に発生する第三の検出信号と、
試験体の平面にプローブをリフトオフＸｍｍまで近づけ、この距離を維持し曲面に走査する際に発生する第四の検出信号とから求めることを特徴とする渦電流探傷方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−２６３２（Ｐ２０１２−２６３２Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３７１６４（Ｐ２０１０−１３７１６４）
【出願日】平成２２年６月１６日（２０１０．６．１６）
【出願人】（５０７２５０４２７）日立ＧＥニュークリア・エナジー株式会社 (858)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１６日（２０１０．６．１６）
【出願人】（５０７２５０４２７）日立ＧＥニュークリア・エナジー株式会社 (858)
【Ｆターム（参考）】
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