積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法
【課題】積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法の提供。
【解決手段】アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。この合成樹脂接着層２は、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去し電気絶縁性を有している。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成する。このようにして得られる回路基板４０は、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の一部に露出部５を形成している。
【解決手段】アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。この合成樹脂接着層２は、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去し電気絶縁性を有している。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成する。このようにして得られる回路基板４０は、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の一部に露出部５を形成している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハンダ付けが簡単に行えると共に優れた放熱性が得られる積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
既存のＡｌ板を用いた電子部品搭載用回路基板は、純Ａｌ板あるいはＡｌ基板に電気絶縁層を介して電気導電層を持つ構造となっている。該回路板は、Ａｌ板に電気絶縁接着層を介して銅箔を張り合わせた積層基板を化学エッチングして回路基板を形成してなるもの、あるいはＡｌ板に電気絶縁層を形成した上に電気導電回路を印刷して形成したものなどが知られている。
【０００３】
回路基板に搭載される電子部品の温度上昇を抑制する手段は、回路基板との金属電気接点を通じて回路基板に伝達されるか、または、電子部品に設けられた電気接点以外の金属体を通じて回路基板に伝達されるか、電子部品あるいは回路基板に設けられた放熱体から輻射放熱されるか、それらの手段を複数用いることが効果的である。
【０００４】
このような積層基板や回路基板に用いることができるアルミ基板として、特許文献１には、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有するアルミ基板が記載されている。また、特許文献２には、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有するアルミ基板が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特許３７６６４１１
【特許文献２】特開２００４−２６３２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
効果的な温度上昇抑制手段の一つは、電子部品を伝熱性の高い金属体を介して回路板のＡｌ板に直接接合する方法であるが、表面処理されていないＡｌ板表面と電子部品をハンダなどを使って直接金属接合することは困難であるという問題があった。前記特許文献１、特許文献２には、アルミ基板に絶縁層や電気導電層をどのようにして形成するのか記載されておらず、実際に積層基板や回路基板を作成することができない、という問題があった。
【０００７】
本発明は、従来技術のこのような種々の問題点に鑑みてなされたものである。（１）ハンダの濡れ性に優れる表面処理を施したＡｌ板に電気絶縁層を介して電気導電層を積層した積層基板から、前記電気導電層に
電気導電回路を形成した回路基板を製造することにより、搭載する電子部品の電気的接続と併せて、Ａｌ板表面と電子部品とを伝熱性の高いハンダで接続できる積層基板と回路基板を安価に提供することを目的とする。（２）また、Ａｌ板の反対面に放熱性の高い層を形成することにより、（1）と併せて搭載部品の温度上昇を抑制する効果を高めた積層基板と回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成する本発明の積層基板は、（１）Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（２）この積層基板は、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【０００９】
（３）また、本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層、前記Ｓｎ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（４）この積層基板は、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１０】
（５）本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（６）この積層基板は、前記Ｎｉ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１１】
（７）また、本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有し、前記Ｓｎ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（８）この積層基板は、前記Ｓｎ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１２】
（９）本発明の回路基板は、（１）〜（８）のいずれかに記載の電気導電層を電気導電回路として形成することを特徴とする。（１０）この回路基板は、前記電気導電回路をエッチング処理で形成しても良い。（１１）また、前記電気導電回路を、前記合成樹脂接着層に印刷、蒸着、スパッタリングのいずれかにより直接形成しても良い。
【００１３】
（１２）また、本発明の回路基板は、（１１）の回路基板において、前記合成樹脂膜をパターン形成後硬化させ、前記合成樹脂膜上に前記電気導電回路膜を直接形成することを特徴とする。
【００１４】
（１３）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダ膜を形成したことを特徴とする。（１４）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより電子部品搭載部位にのみハンダ膜を形成することを特徴とする。（１５）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載の電気導電層の搭載電子部品に対する電気接続部、および前記Ｎｉ層またはＳｎ層の搭載電子部品の伝熱接続部にハンダめっき層を形成したことを特徴とする。（１６）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、搭載電子部品と伝熱接続をするためのハンダペーストをスクリーン印刷により形成したことを特徴とする。（１７）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層の電子部品搭載部位に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする。
【００１５】
（１８）また、本発明の回路基板は、前記（１）〜（８）のいずれかに記載の電気導電層として、電気導電回路を予め基板に形成しておき、当該電気導電回路の基板に前記合成樹脂接着層を形成して、前記合成樹脂接着層を前記Ｎｉ層またはＳｎ層に積層することを特徴とする。
【００１６】
（１９）また、本発明の回路基板は、前記（２）または（４）に記載の前記積層基板において、Ｎｉ層またはＳｎ層が露出された領域に凹部を形成したことを特徴とする。
【００１７】
（２０）また、本発明の回路基板は、（１９）の発明の前記凹部を、前記（９）〜（１７）のいずれかに記載の回路基板に形成したことを特徴とする。
【００１８】
（２１）また、本発明の回路基板は、（１９）の発明の前記凹部の底面に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする。（２２）また、本発明の回路基板は、（２０）または（２１）の発明の凹部の断面形状を、略逆台形状としたことを特徴とする。（２３）この凹部の内面に反射層を形成しても良い。
【００１９】
（２４）本発明の回路基板は、（６）または（８）に記載の積層基板において、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層を貫通する穴を有し、前記両側表面の合成樹脂接着層に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする。（２５）この回路基板は、この回路基板は、前記電気導電層を前記合成樹脂接着層の片側表面に予め接着してから前記貫通穴を形成しても良い。
【００２０】
（２６）本発明の回路基板は、（５）または（７）に記載の積層基板において、前記積層基板の両側表面に形成された前記電気導電層を貫通する穴を有し、前記両側表面に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする。（２７）この回路基板は、（２４）〜（２６）のいずれかに記載の回路基板において、前記電気導電層として銅箔を使用し、前記銅箔をエッチング処理して電気回路を形成しても良い。
【００２１】
（２８）本発明の回路基板の製造方法は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させて伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を前記積層基板の両側表面に形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２２】
（２９）また、本発明の回路基板の製造方法は、（２８）の発明において、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２３】
（３０）また、本発明の回路基板の製造方法は、（２８）の発明において、前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の片側表面に形成された電気導電層と前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２４】
（３１）また、本発明の回路基板の製造方法は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板の両側表面の全面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に電気導電層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記第２の貫通穴にめっきレジスト層を形成する工程と、前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。（３２）また、本発明の回路基板の製造方法は、（３１）の発明において、前記電気導電層を銅箔で形成し、前記銅箔にエッチング処理で電気回路を形成する工程を付加しても良い。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明の積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法によれば、次のような効果が得られる。
【００２６】
（１）アルミ基板両面に施されたＮｉ層またはＳｎ層のめっき面のハンダ付け性が良好となる。その結果、（ａ）発熱量が多い半導体素子の発熱チップ（ＬＥＤまたはパワーＴｒ）の接合チップボンドが可能となる。（ｂ）発熱チップパッケージのヒートシンクとのハンダ接合表面実装が可能となる。（ｃ）他の部材とのハンダによる機械的接合が可能となる。また、放熱層とのハンダによる機械的接合が可能となる。
【００２７】
（２）アルミ基板折り曲げによるめっき層の接合強度と追随性が良好となる。その結果、（ａ）チップボンド材との接着性向上目的のめっき面へのエンボス加工が可能となる。（ｂ）電気回路形成前、または電気回路形成後のアルミ基板に対するプレス加工による三次元実装用ＰＣＢを形成できる。（ｃ）半導体チップを実装するための凹部（ポケット）を形成し、封止材ポケットやＬＥＤ光反射面の加工が簡単に行える。（ｄ）他の部材へのハンダによる機械的接合のための折り曲げ加工が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図により本発明の実施形態を説明する。図４６は、本発明の積層基板、および回路基板の基本的構成部材であるＡｌ基板１の構成を示す説明図である。図４６において、Ａｌ基板１は、Ａｌ板の両面にＺｎ層を形成し、このＺｎ層の両面にはＮｉ層を形成する（特許文献１の特許第３７６６４１１号公報）。または、前記Ｎｉ層の両面にはさらにＳｎ層を形成する（特許文献２の特開２００４−２６３２１０号公報）ものである。
【００２９】
ここで、Ｎｉ層はＺｎ層の両側表面に形成される。また、Ｓｎ層は、前記Ｎｉ層の両側表面に下地めっき層を介して形成される。
【００３０】
図１〜図４５は、本発明の実施形態を示す説明図である。図１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。
この合成樹脂接着層２は、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去し電気絶縁性を有している。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成する。このようにして得られる回路基板４０は、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の一部に露出部５を形成し、後述するように、前記めっき層を介して電子部品を搭載する。
【００３１】
図２において、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に、部品搭載設計に従って電子部品が搭載される部位にランダムなエンボス、または凹凸パターンをプレス型加工により施した加工面１１を形成する。このような加工面１１を形成した積層基板３０は、電子部品をアルミ基板１に搭載する際の接着性を向上することができる。ここで、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層し、電気導電層３に電気回路６を形成して回路基板４０を作成する。
【００３２】
図３において、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５の搭載電子部品の伝熱接続部位にのみ、ハンダ膜（ハンダめっき層）９を形成する。このハンダ膜９は、電子部品搭載設計に従って形成され、ハンダレジスト層を除去して、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層し、積層基板３０を形成する。電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成して、回路基板４０を作成する。このように、本発明の実施形態においては、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面にハンダ膜９が良好に形成されるので、発熱量が多い半導体素子の発熱チップ（ＬＥＤまたはパワーＴｒ）の接合チップボンドが可能となる。また、発熱チップパッケージのヒートシンクやヒートパイプなどの部品とのハンダ接合表面実装が可能となる。
【００３３】
図４において、アルミ基板１は、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に、電子部品を搭載するための凹部１２をプレス加工により形成する。この凹部１２には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を有する。このような凹部１２、加工面１１を形成した後に、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に合成樹脂接着層２、電気導電層３を積層し、回路基板４０を作成する。このように、本発明の実施形態においては、アルミ基板折り曲げによるめっき層の接合強度と追随性が良好であるので、チップボンド材との接着性向上目的のめっき面へのエンボス加工が可能となる。また、電気回路形成前、または電気回路形成後のアルミ基板に対するプレス加工による三次元実装用ＰＣＢを形成できる。さらに、後述するように半導体チップを実装するための凹部（ポケット）を形成し、封止材ポケットやＬＥＤ光反射面の加工が簡単に行える。なお、他の部材へのハンダによる機械的接合のための折り曲げ加工が容易となるという利点がある。
【００３４】
図５において、アルミ基板１に凹部１２をプレス加工により形成し、この凹部１２には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を設ける。また、凹部１２の傾斜面と底部には、反射層１３を形成する。この反射層１３は、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきで形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００３５】
図６において、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に、部品搭載設計に従って電子部品が搭載される部位にランダムなエンボス、または凹凸パターンをプレス型加工により施した加工面１１を形成する。このような処理を行うことにより、電子部品が搭載される部位に接着性を向上させることができる。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。次に、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成し、回路基板４０を作成する。
【００３６】
図７において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５と、電気導電層３の電子部品接続位置を残してハンダレジスト層１７を印刷、またはフィルム積層で形成する。その後、前記アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５（電子部品取り付けの伝熱位置）と、電気導電層３の電子部品接続位置にハンダめっき層９を形成し、ハンダレジスト層１７を剥離して最終的な回路基板４０'を作成する。ここで、電子部品取り付けの伝熱位置は、例えばＬＥＤチップの底面（発熱する位置）であり、電子部品接続位置は、当該ＬＥＤチップの金属リードフレームの位置である。なお、ＬＥＤチップをパッケージで封止する場合には、前記電子部品接続位置に形成されるハンダ膜は、電子部品取り付けの伝熱位置に形成されるハンダ膜と合わせて、「電子部品搭載部位」に形成されるハンダ膜として機能する。
【００３７】
図８において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に凹部１２を形成する。この凹部１２の底面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を形成し、回路基板４０'を作成する。このような加工面１１を形成しているので、電子部品搭載時の接着性を向上させることができる。
【００３８】
図９において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５の必要な部位に、電子部品と伝熱接続をするためのハンダペースト１０をスクリーン印刷により形成する。このようにして、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００３９】
図１０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４０】
図１１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って、予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２と電気導電層３をプレス機で加熱加圧して積層し、回路基板４０を作成する。次に、Ｎｉ層、またはＳｎ層の露出部５の必要な部位に、電子部品を搭載するための凹部１２を形成する。この凹部１２のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成し、回路基板４０'を作成する。このような加工面１１を形成することにより、電子部品搭載時の接着性を向上させることができる。
【００４１】
図１２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。また、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の露出部５の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載するための位置を残してハンダレジスト層１７を形成する。ハンダ浴槽内で、電子部品を搭載するための位置にハンダめっき層９を形成し、ハンダレジスト層１７を剥離して最終的な回路基板４０を作成する。
【００４２】
図１３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。次に、予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４３】
図１４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、凹部１２以外のＮｉ層、またはＳｎ層に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４４】
図１５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、電子部品搭載位置を残してレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。この電子部品搭載位置の伝熱接続部位には、ハンダめっき膜９を形成する。次に、レジスト層１７を除去し、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４５】
図１６において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、反射層１３は、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきで形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。Ｎｉ層、またはＳｎ層の平坦面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００４６】
図１７において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００４７】
図１８において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層する。合成樹脂接着層２は、印刷法などでパターン形成後硬化させる。また、電気導電層３の電気導電回路膜は、印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。次に、電子部品の電気接続部および伝熱接続部を残してハンダレジスト層１７を形成し、ハンダ浴槽内で該電気接続部および伝熱接続部にハンダめっき層９を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００４８】
図１９において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の電子部品搭載位置に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００４９】
図２０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の平坦面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００５０】
図２１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。次に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダめっき層９を形成した後にハンダレジスト層１７を除去する。次に、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の平坦面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成する。
【００５１】
図２２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきすることにより、反射層１３を形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。Ｎｉ層、またはＳｎ層の平坦面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００５２】
図２３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５３】
図２４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５４】
図２５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。次に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダめっき層９を形成した後にハンダレジスト層を除去する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５５】
図２６において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載するための位置を残してレジスト層１７を形成する。ハンダ浴槽内で、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２と電気導電層３をプレス機で加熱加圧して積層し、回路基板４０を作成する。
【００５６】
図２７において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。加工面１１には、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００５７】
図２８において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着して回路基板４０を作成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００５８】
図２９において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきすることにより、反射層１３を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０'を形成する。
【００５９】
図３０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、前記加工面１１に、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９（伝熱ペースト）を形成し、最終的な回路基板４０を作成する。
【００６０】
図３１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の電子部品を搭載する位置に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。加工面１１には、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９（伝熱ペースト）を形成して、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００６１】
図３２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、電子部品の電気接続部および伝熱接続部を残してハンダレジスト層１７を形成し、ハンダ浴槽内で該電気接続部および伝熱接続部にハンダめっき層９を形成する。ハンダレジスト層１７を剥離して、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００６２】
図３３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の全面に、電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００６３】
図３４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成し、回路基板４０を作成する。
【００６４】
図３５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の全面に合成樹脂接着層２を形成する。合成樹脂接着層２の所定位置には、電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。次に、合成樹脂接着層２の必要な部位に、ＮＣドリル機またはＮＣルーター機によりめっき層まで貫通して露出部５を形成する。当該露出部５には、面加工を施してその加工面にハンダめっき層（伝熱ペースト）９を印刷により塗布し、電子部品をめっき層面に直接搭載できる回路基板４０を作成する。
【００６５】
図３６〜図４５は、本発明の実施形態にかかる回路基板の製造工程を示す説明図である。図３６の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６６】
図３７の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の片面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。（ｂ）で第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６７】
図３８の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７をＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６８】
図３９の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。次に第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。（ｃ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｄ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｅ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（ｆ）で、電気銅めっき（導電材）１５にエッチング処理６により電気回路を形成する。
【００６９】
図４０の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の片面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。また、アルミ基板１の反対側表面の全面に合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、両面の合成樹脂接着層２間を貫通する第１の貫通穴１４を形成して絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施し、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（ｆ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７０】
次に、前記図３６〜図４０の製造工程の詳細を、図４１〜図４５により説明する。最初に図４１の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（Ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で、第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（Ｄ）で充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成し、第２の貫通穴にめっきレジストを塗布する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｅ）で、第２の貫通穴２２の内面に形成されためっきレジストと合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｆ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｇ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（Ｈ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させ、エッチング回路を形成する。
【００７１】
図４２の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３（銅箔）を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。（Ｂ）で第１の貫通穴を形成し、この第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｃ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成し、第２の貫通穴にめっきレジストを塗布する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１（導電ペースト）を充填する。（Ｇ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７２】
図４３の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３（銅箔）を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を形成する。（Ｂ）で、第１の貫通穴を形成し、この第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｃ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７をＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の表面に形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴に導電材２１（導電ペースト）を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
（Ｇ）で、回路エッチングのハンダレジスト層１７を塗布する。（Ｈ）で、ハンダレジスト層１７を剥離する。
【００７３】
図４４の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の両面のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機で加熱加圧して固着する。（Ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。次に絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴に導電材２１を充填する。（Ｇ）で、電気銅めっき（導電材）１５にエッチング処理６により電気回路を形成する。
【００７４】
図４５の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。合成樹脂接着層２は印刷により形成しても良い。（Ｂ）で、両面の合成樹脂接着層２間を貫通する第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｄ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｅ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｆ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｇ）で、第２の貫通穴に導電材２１（導電ペースト）を充填し、ハンダレジスト層１７を剥離する。（Ｈ）で、回路レジシト用のハンダレジスト層を形成する。Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７５】
以上、本発明の積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法について実施例に基づいて説明したが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明によれば、表面処理ＡＬ板に電気絶縁層を介して電気導電層を持つ積層基板と、当該積層基板を用いた電子部品搭載用回路基板が得られる。特にアルミ基板の表面のハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに熱伝導率や熱放射率が大きく、ハンダ付けが可能で優れた放熱性が求められる回路基板に好適である。この回路基板は、表面処理Ａｌ板に電気絶縁層を介して電気導電層を有しており、電子部品搭載用回路基板及び配線回路基板に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４６】本発明の積層基板の基本的構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・アルミ基板、２・・・合成樹脂接着層、３・・・電気導電層、４・・・放熱層、５・・・Ｎｉ層またはＳｎ層の露出部、６・・・エッチング、９・・・ハンダめっき層、１１・・・エンボスまたは凹凸パターン型加工面、１２・・・凹部、１３・・・反射面、１４・・・第１の貫通穴、１５・・・導電材、１６・・・銅箔、１７・・・レジスト層、１８・・・電子部品、１９・・・接着膜、２０・・・絶縁材、２１・・・導電ペースト、２２・・・第２の貫通穴、２３・・・無電解銅めっき、３０・・・積層基板、４０・・・回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハンダ付けが簡単に行えると共に優れた放熱性が得られる積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
既存のＡｌ板を用いた電子部品搭載用回路基板は、純Ａｌ板あるいはＡｌ基板に電気絶縁層を介して電気導電層を持つ構造となっている。該回路板は、Ａｌ板に電気絶縁接着層を介して銅箔を張り合わせた積層基板を化学エッチングして回路基板を形成してなるもの、あるいはＡｌ板に電気絶縁層を形成した上に電気導電回路を印刷して形成したものなどが知られている。
【０００３】
回路基板に搭載される電子部品の温度上昇を抑制する手段は、回路基板との金属電気接点を通じて回路基板に伝達されるか、または、電子部品に設けられた電気接点以外の金属体を通じて回路基板に伝達されるか、電子部品あるいは回路基板に設けられた放熱体から輻射放熱されるか、それらの手段を複数用いることが効果的である。
【０００４】
このような積層基板や回路基板に用いることができるアルミ基板として、特許文献１には、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有するアルミ基板が記載されている。また、特許文献２には、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有するアルミ基板が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特許３７６６４１１
【特許文献２】特開２００４−２６３２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
効果的な温度上昇抑制手段の一つは、電子部品を伝熱性の高い金属体を介して回路板のＡｌ板に直接接合する方法であるが、表面処理されていないＡｌ板表面と電子部品をハンダなどを使って直接金属接合することは困難であるという問題があった。前記特許文献１、特許文献２には、アルミ基板に絶縁層や電気導電層をどのようにして形成するのか記載されておらず、実際に積層基板や回路基板を作成することができない、という問題があった。
【０００７】
本発明は、従来技術のこのような種々の問題点に鑑みてなされたものである。（１）ハンダの濡れ性に優れる表面処理を施したＡｌ板に電気絶縁層を介して電気導電層を積層した積層基板から、前記電気導電層に
電気導電回路を形成した回路基板を製造することにより、搭載する電子部品の電気的接続と併せて、Ａｌ板表面と電子部品とを伝熱性の高いハンダで接続できる積層基板と回路基板を安価に提供することを目的とする。（２）また、Ａｌ板の反対面に放熱性の高い層を形成することにより、（1）と併せて搭載部品の温度上昇を抑制する効果を高めた積層基板と回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成する本発明の積層基板は、（１）Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（２）この積層基板は、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【０００９】
（３）また、本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層、前記Ｓｎ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（４）この積層基板は、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１０】
（５）本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（６）この積層基板は、前記Ｎｉ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１１】
（７）また、本発明の積層基板は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有し、前記Ｓｎ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする。（８）この積層基板は、前記Ｓｎ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層しても良い。
【００１２】
（９）本発明の回路基板は、（１）〜（８）のいずれかに記載の電気導電層を電気導電回路として形成することを特徴とする。（１０）この回路基板は、前記電気導電回路をエッチング処理で形成しても良い。（１１）また、前記電気導電回路を、前記合成樹脂接着層に印刷、蒸着、スパッタリングのいずれかにより直接形成しても良い。
【００１３】
（１２）また、本発明の回路基板は、（１１）の回路基板において、前記合成樹脂膜をパターン形成後硬化させ、前記合成樹脂膜上に前記電気導電回路膜を直接形成することを特徴とする。
【００１４】
（１３）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダ膜を形成したことを特徴とする。（１４）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより電子部品搭載部位にのみハンダ膜を形成することを特徴とする。（１５）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載の電気導電層の搭載電子部品に対する電気接続部、および前記Ｎｉ層またはＳｎ層の搭載電子部品の伝熱接続部にハンダめっき層を形成したことを特徴とする。（１６）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、搭載電子部品と伝熱接続をするためのハンダペーストをスクリーン印刷により形成したことを特徴とする。（１７）また、本発明の回路基板は、前記（２）、（４）、（６）、（８）のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層の電子部品搭載部位に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする。
【００１５】
（１８）また、本発明の回路基板は、前記（１）〜（８）のいずれかに記載の電気導電層として、電気導電回路を予め基板に形成しておき、当該電気導電回路の基板に前記合成樹脂接着層を形成して、前記合成樹脂接着層を前記Ｎｉ層またはＳｎ層に積層することを特徴とする。
【００１６】
（１９）また、本発明の回路基板は、前記（２）または（４）に記載の前記積層基板において、Ｎｉ層またはＳｎ層が露出された領域に凹部を形成したことを特徴とする。
【００１７】
（２０）また、本発明の回路基板は、（１９）の発明の前記凹部を、前記（９）〜（１７）のいずれかに記載の回路基板に形成したことを特徴とする。
【００１８】
（２１）また、本発明の回路基板は、（１９）の発明の前記凹部の底面に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする。（２２）また、本発明の回路基板は、（２０）または（２１）の発明の凹部の断面形状を、略逆台形状としたことを特徴とする。（２３）この凹部の内面に反射層を形成しても良い。
【００１９】
（２４）本発明の回路基板は、（６）または（８）に記載の積層基板において、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層を貫通する穴を有し、前記両側表面の合成樹脂接着層に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする。（２５）この回路基板は、この回路基板は、前記電気導電層を前記合成樹脂接着層の片側表面に予め接着してから前記貫通穴を形成しても良い。
【００２０】
（２６）本発明の回路基板は、（５）または（７）に記載の積層基板において、前記積層基板の両側表面に形成された前記電気導電層を貫通する穴を有し、前記両側表面に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする。（２７）この回路基板は、（２４）〜（２６）のいずれかに記載の回路基板において、前記電気導電層として銅箔を使用し、前記銅箔をエッチング処理して電気回路を形成しても良い。
【００２１】
（２８）本発明の回路基板の製造方法は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させて伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を前記積層基板の両側表面に形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２２】
（２９）また、本発明の回路基板の製造方法は、（２８）の発明において、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２３】
（３０）また、本発明の回路基板の製造方法は、（２８）の発明において、前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の片側表面に形成された電気導電層と前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。
【００２４】
（３１）また、本発明の回路基板の製造方法は、Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板の両側表面の全面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に電気導電層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記第２の貫通穴にめっきレジスト層を形成する工程と、前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする。（３２）また、本発明の回路基板の製造方法は、（３１）の発明において、前記電気導電層を銅箔で形成し、前記銅箔にエッチング処理で電気回路を形成する工程を付加しても良い。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明の積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法によれば、次のような効果が得られる。
【００２６】
（１）アルミ基板両面に施されたＮｉ層またはＳｎ層のめっき面のハンダ付け性が良好となる。その結果、（ａ）発熱量が多い半導体素子の発熱チップ（ＬＥＤまたはパワーＴｒ）の接合チップボンドが可能となる。（ｂ）発熱チップパッケージのヒートシンクとのハンダ接合表面実装が可能となる。（ｃ）他の部材とのハンダによる機械的接合が可能となる。また、放熱層とのハンダによる機械的接合が可能となる。
【００２７】
（２）アルミ基板折り曲げによるめっき層の接合強度と追随性が良好となる。その結果、（ａ）チップボンド材との接着性向上目的のめっき面へのエンボス加工が可能となる。（ｂ）電気回路形成前、または電気回路形成後のアルミ基板に対するプレス加工による三次元実装用ＰＣＢを形成できる。（ｃ）半導体チップを実装するための凹部（ポケット）を形成し、封止材ポケットやＬＥＤ光反射面の加工が簡単に行える。（ｄ）他の部材へのハンダによる機械的接合のための折り曲げ加工が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図により本発明の実施形態を説明する。図４６は、本発明の積層基板、および回路基板の基本的構成部材であるＡｌ基板１の構成を示す説明図である。図４６において、Ａｌ基板１は、Ａｌ板の両面にＺｎ層を形成し、このＺｎ層の両面にはＮｉ層を形成する（特許文献１の特許第３７６６４１１号公報）。または、前記Ｎｉ層の両面にはさらにＳｎ層を形成する（特許文献２の特開２００４−２６３２１０号公報）ものである。
【００２９】
ここで、Ｎｉ層はＺｎ層の両側表面に形成される。また、Ｓｎ層は、前記Ｎｉ層の両側表面に下地めっき層を介して形成される。
【００３０】
図１〜図４５は、本発明の実施形態を示す説明図である。図１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。
この合成樹脂接着層２は、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去し電気絶縁性を有している。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成する。このようにして得られる回路基板４０は、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の一部に露出部５を形成し、後述するように、前記めっき層を介して電子部品を搭載する。
【００３１】
図２において、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に、部品搭載設計に従って電子部品が搭載される部位にランダムなエンボス、または凹凸パターンをプレス型加工により施した加工面１１を形成する。このような加工面１１を形成した積層基板３０は、電子部品をアルミ基板１に搭載する際の接着性を向上することができる。ここで、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層し、電気導電層３に電気回路６を形成して回路基板４０を作成する。
【００３２】
図３において、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５の搭載電子部品の伝熱接続部位にのみ、ハンダ膜（ハンダめっき層）９を形成する。このハンダ膜９は、電子部品搭載設計に従って形成され、ハンダレジスト層を除去して、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層し、積層基板３０を形成する。電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成して、回路基板４０を作成する。このように、本発明の実施形態においては、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面にハンダ膜９が良好に形成されるので、発熱量が多い半導体素子の発熱チップ（ＬＥＤまたはパワーＴｒ）の接合チップボンドが可能となる。また、発熱チップパッケージのヒートシンクやヒートパイプなどの部品とのハンダ接合表面実装が可能となる。
【００３３】
図４において、アルミ基板１は、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に、電子部品を搭載するための凹部１２をプレス加工により形成する。この凹部１２には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を有する。このような凹部１２、加工面１１を形成した後に、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に合成樹脂接着層２、電気導電層３を積層し、回路基板４０を作成する。このように、本発明の実施形態においては、アルミ基板折り曲げによるめっき層の接合強度と追随性が良好であるので、チップボンド材との接着性向上目的のめっき面へのエンボス加工が可能となる。また、電気回路形成前、または電気回路形成後のアルミ基板に対するプレス加工による三次元実装用ＰＣＢを形成できる。さらに、後述するように半導体チップを実装するための凹部（ポケット）を形成し、封止材ポケットやＬＥＤ光反射面の加工が簡単に行える。なお、他の部材へのハンダによる機械的接合のための折り曲げ加工が容易となるという利点がある。
【００３４】
図５において、アルミ基板１に凹部１２をプレス加工により形成し、この凹部１２には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を設ける。また、凹部１２の傾斜面と底部には、反射層１３を形成する。この反射層１３は、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきで形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００３５】
図６において、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に、部品搭載設計に従って電子部品が搭載される部位にランダムなエンボス、または凹凸パターンをプレス型加工により施した加工面１１を形成する。このような処理を行うことにより、電子部品が搭載される部位に接着性を向上させることができる。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。次に、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成し、回路基板４０を作成する。
【００３６】
図７において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５と、電気導電層３の電子部品接続位置を残してハンダレジスト層１７を印刷、またはフィルム積層で形成する。その後、前記アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５（電子部品取り付けの伝熱位置）と、電気導電層３の電子部品接続位置にハンダめっき層９を形成し、ハンダレジスト層１７を剥離して最終的な回路基板４０'を作成する。ここで、電子部品取り付けの伝熱位置は、例えばＬＥＤチップの底面（発熱する位置）であり、電子部品接続位置は、当該ＬＥＤチップの金属リードフレームの位置である。なお、ＬＥＤチップをパッケージで封止する場合には、前記電子部品接続位置に形成されるハンダ膜は、電子部品取り付けの伝熱位置に形成されるハンダ膜と合わせて、「電子部品搭載部位」に形成されるハンダ膜として機能する。
【００３７】
図８において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５に凹部１２を形成する。この凹部１２の底面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工で施した加工面１１を形成し、回路基板４０'を作成する。このような加工面１１を形成しているので、電子部品搭載時の接着性を向上させることができる。
【００３８】
図９において、図１の回路基板４０を形成後に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の露出部５の必要な部位に、電子部品と伝熱接続をするためのハンダペースト１０をスクリーン印刷により形成する。このようにして、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００３９】
図１０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４０】
図１１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って、予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２と電気導電層３をプレス機で加熱加圧して積層し、回路基板４０を作成する。次に、Ｎｉ層、またはＳｎ層の露出部５の必要な部位に、電子部品を搭載するための凹部１２を形成する。この凹部１２のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成し、回路基板４０'を作成する。このような加工面１１を形成することにより、電子部品搭載時の接着性を向上させることができる。
【００４１】
図１２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。また、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の露出部５の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載するための位置を残してハンダレジスト層１７を形成する。ハンダ浴槽内で、電子部品を搭載するための位置にハンダめっき層９を形成し、ハンダレジスト層１７を剥離して最終的な回路基板４０を作成する。
【００４２】
図１３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。次に、予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４３】
図１４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、凹部１２以外のＮｉ層、またはＳｎ層に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４４】
図１５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、電子部品搭載位置を残してレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。この電子部品搭載位置の伝熱接続部位には、ハンダめっき膜９を形成する。次に、レジスト層１７を除去し、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に、合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００４５】
図１６において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、反射層１３は、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきで形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。Ｎｉ層、またはＳｎ層の平坦面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００４６】
図１７において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００４７】
図１８において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層する。合成樹脂接着層２は、印刷法などでパターン形成後硬化させる。また、電気導電層３の電気導電回路膜は、印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。次に、電子部品の電気接続部および伝熱接続部を残してハンダレジスト層１７を形成し、ハンダ浴槽内で該電気接続部および伝熱接続部にハンダめっき層９を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００４８】
図１９において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の電子部品搭載位置に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００４９】
図２０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の平坦面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成し、回路基板４０を作成する。
【００５０】
図２１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。次に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダめっき層９を形成した後にハンダレジスト層１７を除去する。次に、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。また、前記Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の平坦面の必要な部位に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２を印刷法などでパターン形成後硬化させる。この合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成する。
【００５１】
図２２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきすることにより、反射層１３を形成する。この凹部１２には、発光ダイオードなどの発熱量が大きい電子部品１８を搭載する。Ｎｉ層、またはＳｎ層の平坦面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して、回路基板４０を形成する。
【００５２】
図２３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５３】
図２４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５４】
図２５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、ハンダレジスト層１７を印刷またはフィルム積層で形成する。次に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダめっき層９を形成した後にハンダレジスト層を除去する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。
【００５５】
図２６において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載するための位置を残してレジスト層１７を形成する。ハンダ浴槽内で、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に、回路設計と部品搭載設計に従って予め所定部位を除去した電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２と電気導電層３をプレス機で加熱加圧して積層し、回路基板４０を作成する。
【００５６】
図２７において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を作成する。加工面１１には、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００５７】
図２８において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着して回路基板４０を作成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成し、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００５８】
図２９において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、反射率の良好な銀合金などを蒸着またはめっきすることにより、反射層１３を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０'を形成する。
【００５９】
図３０において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の必要な部位に凹部１２を形成する。この凹部１２には、電子部品を搭載する位置にランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。また、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、前記加工面１１に、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９（伝熱ペースト）を形成し、最終的な回路基板４０を作成する。
【００６０】
図３１において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の電子部品を搭載する位置に、ランダムなエンボスまたは凹凸パターンをプレス型加工した加工面１１を形成する。加工面１１には、電子部品を搭載する位置にハンダめっき層９（伝熱ペースト）を形成して、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００６１】
図３２において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面には、予め回路形成された電気導電層３を接着材１９により合成樹脂接着層２と積層し、アルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面に加熱加圧して固着し、回路基板４０を形成する。次に、電子部品の電気接続部および伝熱接続部を残してハンダレジスト層１７を形成し、ハンダ浴槽内で該電気接続部および伝熱接続部にハンダめっき層９を形成する。ハンダレジスト層１７を剥離して、最終的な回路基板４０'を作成する。
【００６２】
図３３において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層面の全面に、電気絶縁性を有する合成樹脂接着膜２をプレス機で加熱加圧して積層する。次に合成樹脂接着膜２上の必要な部位に、電気導電層３の電気導電回路膜を印刷法あるいは蒸着・スパッタ法などにより直接形成することにより、回路基板４０を作成する。
【００６３】
図３４において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。また、電気導電層３には、化学的または物理的にエッチングした電気回路６を形成し、回路基板４０を作成する。
【００６４】
図３５において、アルミ基板１の片側面には、放熱層４を形成する。また、前記放熱層４が形成されないアルミ基板１のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の全面に合成樹脂接着層２を形成する。合成樹脂接着層２の所定位置には、電気導電層３を積層して積層基板３０を形成する。次に、合成樹脂接着層２の必要な部位に、ＮＣドリル機またはＮＣルーター機によりめっき層まで貫通して露出部５を形成する。当該露出部５には、面加工を施してその加工面にハンダめっき層（伝熱ペースト）９を印刷により塗布し、電子部品をめっき層面に直接搭載できる回路基板４０を作成する。
【００６５】
図３６〜図４５は、本発明の実施形態にかかる回路基板の製造工程を示す説明図である。図３６の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６６】
図３７の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の片面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。（ｂ）で第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６７】
図３８の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７をＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００６８】
図３９の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の両面のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成し、この第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。次に第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。（ｃ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｄ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（ｅ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（ｆ）で、電気銅めっき（導電材）１５にエッチング処理６により電気回路を形成する。
【００６９】
図４０の製造工程について説明する。（ａ）で、アルミ基板１の片面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。また、アルミ基板１の反対側表面の全面に合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（ｂ）で、両面の合成樹脂接着層２間を貫通する第１の貫通穴１４を形成して絶縁材２０を充填する。（ｃ）で、第１の貫通穴１４に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（ｅ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施し、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（ｆ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７０】
次に、前記図３６〜図４０の製造工程の詳細を、図４１〜図４５により説明する。最初に図４１の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の両面に、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を残して合成樹脂接着層２をプレス機で加熱加圧して固着する。（Ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で、第１の貫通穴１４に絶縁材２０を充填する。（Ｄ）で充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成し、第２の貫通穴にめっきレジストを塗布する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｅ）で、第２の貫通穴２２の内面に形成されためっきレジストと合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｆ）で、無電解銅めっき２３の上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｇ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１を充填する。（Ｈ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させ、エッチング回路を形成する。
【００７１】
図４２の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３（銅箔）を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。（Ｂ）で第１の貫通穴を形成し、この第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｃ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成し、第２の貫通穴にめっきレジストを塗布する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴２２の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴２２に導電材２１（導電ペースト）を充填する。（Ｇ）で、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７２】
図４３の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２と電気導電層３（銅箔）を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２と電気導電層３を形成する。（Ｂ）で、第１の貫通穴を形成し、この第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｃ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７をＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の表面に形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴に導電材２１（導電ペースト）を充填する。また、ハンダレジスト層１７を剥離して、Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
（Ｇ）で、回路エッチングのハンダレジスト層１７を塗布する。（Ｈ）で、ハンダレジスト層１７を剥離する。
【００７３】
図４４の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の両面のＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層全面に合成樹脂接着層２と電気導電層３を積層してプレス機で加熱加圧して固着する。（Ｂ）で、第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。次に絶縁材２０に第２の貫通穴２２を形成する。（Ｄ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｅ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｆ）で、第２の貫通穴に導電材２１を充填する。（Ｇ）で、電気銅めっき（導電材）１５にエッチング処理６により電気回路を形成する。
【００７４】
図４５の製造工程について説明する。（Ａ）で、アルミ基板１の片面に、合成樹脂接着層２を積層し、ブランク打ち抜きでＮｉ層、またはＳｎ層のめっき層の露出部５を形成する。また、反対面には合成樹脂接着層２を形成する。合成樹脂接着層２は印刷により形成しても良い。（Ｂ）で、両面の合成樹脂接着層２間を貫通する第１の貫通穴１４を形成する。（Ｃ）で第１の貫通穴に絶縁材２０を充填する。（Ｄ）で、第１の貫通穴に充填された絶縁材に第２の貫通穴２２を形成する。また、ハンダレジスト層１７を合成樹脂接着層２の表面に形成する。（Ｅ）で、第２の貫通穴の内面と合成樹脂接着層２の一部に無電解銅めっき２３を施す。（Ｆ）で、無電解銅めっきの上に電気銅めっき（導電材）１５を施す。（Ｇ）で、第２の貫通穴に導電材２１（導電ペースト）を充填し、ハンダレジスト層１７を剥離する。（Ｈ）で、回路レジシト用のハンダレジスト層を形成する。Ｎｉ層、またはＳｎ層のめっき層に露出部５を出現させる。
【００７５】
以上、本発明の積層基板と回路基板、および回路基板の製造方法について実施例に基づいて説明したが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明によれば、表面処理ＡＬ板に電気絶縁層を介して電気導電層を持つ積層基板と、当該積層基板を用いた電子部品搭載用回路基板が得られる。特にアルミ基板の表面のハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに熱伝導率や熱放射率が大きく、ハンダ付けが可能で優れた放熱性が求められる回路基板に好適である。この回路基板は、表面処理Ａｌ板に電気絶縁層を介して電気導電層を有しており、電子部品搭載用回路基板及び配線回路基板に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図１９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図２９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３６】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３７】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３８】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図３９】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４０】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４１】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４２】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４３】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４４】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４５】本発明の実施形態を示す説明図である。
【図４６】本発明の積層基板の基本的構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・アルミ基板、２・・・合成樹脂接着層、３・・・電気導電層、４・・・放熱層、５・・・Ｎｉ層またはＳｎ層の露出部、６・・・エッチング、９・・・ハンダめっき層、１１・・・エンボスまたは凹凸パターン型加工面、１２・・・凹部、１３・・・反射面、１４・・・第１の貫通穴、１５・・・導電材、１６・・・銅箔、１７・・・レジスト層、１８・・・電子部品、１９・・・接着膜、２０・・・絶縁材、２１・・・導電ペースト、２２・・・第２の貫通穴、２３・・・無電解銅めっき、３０・・・積層基板、４０・・・回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項２】
前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項１に記載の積層基板。
【請求項３】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層、前記Ｓｎ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする積層基板。
【請求項４】
前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項３に記載の積層基板。
【請求項５】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項６】
前記Ｎｉ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項５に記載の積層基板。
【請求項７】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有し、前記Ｓｎ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項８】
前記Ｓｎ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項７に記載の積層基板。
【請求項９】
前記請求項１〜請求項８のいずれかに記載の電気導電層を電気導電回路として形成することを特徴とする回路基板。
【請求項１０】
前記電気導電回路をエッチング処理で形成することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記電気導電回路を、前記合成樹脂接着層に印刷、蒸着、スパッタリングのいずれかにより直接形成することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記合成樹脂膜をパターン形成後硬化させ、前記合成樹脂膜上に前記電気導電回路膜を直接形成することを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダ膜を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１４】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより電子部品搭載部位にのみハンダ膜を形成することを特徴とする、回路基板。
【請求項１５】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載の電気導電層の搭載電子部品に対する電気接続部、および前記Ｎｉ層またはＳｎ層の搭載電子部品の伝熱接続部にハンダめっき層を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１６】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、搭載電子部品と伝熱接続をするためのハンダペーストをスクリーン印刷により形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１７】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層の電子部品搭載部位に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１８】
前記請求項１〜８のいずれかに記載の電気導電層として、電気導電回路を予め基板に形成しておき、当該電気導電回路の基板に前記合成樹脂接着層を形成して、前記合成樹脂接着層を前記Ｎｉ層またはＳｎ層に積層することを特徴とする、回路基板。
【請求項１９】
前記請求項２または請求項４に記載の前記積層基板において、Ｎｉ層またはＳｎ層が露出された領域に凹部を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項２０】
前記凹部を、前記請求項９〜請求項１７のいずれかに記載の回路基板に形成したことを特徴とする、請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記凹部の底面に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする、請求項２０に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記凹部の断面形状を、略逆台形状としたことを特徴とする、請求項２０または請求項２１に記載の回路基板。
【請求項２３】
前記凹部の内面に反射層を形成したことを特徴とする、請求項２２に記載の回路基板。
【請求項２４】
前記請求項６または請求項８に記載の前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層を貫通する穴を有し、前記両側表面の合成樹脂接着層に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする回路基板。
【請求項２５】
前記電気導電層を前記合成樹脂接着層の片側表面に予め接着してから前記貫通穴を形成したことを特徴とする、請求項２４に記載の回路基板。
【請求項２６】
請求項５または請求項７に記載の前記積層基板の両側表面に形成された前記電気導電層を貫通する穴を有し、前記両側表面に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする回路基板。
【請求項２７】
前記電気導電層として銅箔を使用し、前記銅箔をエッチング処理して電気回路を形成したことを特徴とする、請求項２４〜２６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項２８】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させて伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を前記基板の両側表面に形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２９】
前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする請求項２８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３０】
前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の片側表面に形成された電気導電層と前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする、請求項２８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３１】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板の両側表面の全面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を形成する工程と、前記基板の両側表面に電気導電層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記第２の貫通穴にめっきレジスト層を形成する工程と、前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項３２】
前記電気導電層を銅箔で形成し、前記銅箔にエッチング処理で電気回路を形成する工程を付加することを特徴とする、請求項３１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項２】
前記放熱層が形成されない側のＮｉ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項１に記載の積層基板。
【請求項３】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層、前記Ｓｎ層の片側表面に形成された放熱層を有し、前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする積層基板。
【請求項４】
前記放熱層が形成されない側のＳｎ層に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項３に記載の積層基板。
【請求項５】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項６】
前記Ｎｉ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項５に記載の積層基板。
【請求項７】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層、前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有し、前記Ｓｎ層の両側表面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなる積層基板。
【請求項８】
前記Ｓｎ層の両側表面に部分的に、伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を介して電気導電層を積層してなることを特徴とする請求項７に記載の積層基板。
【請求項９】
前記請求項１〜請求項８のいずれかに記載の電気導電層を電気導電回路として形成することを特徴とする回路基板。
【請求項１０】
前記電気導電回路をエッチング処理で形成することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記電気導電回路を、前記合成樹脂接着層に印刷、蒸着、スパッタリングのいずれかにより直接形成することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記合成樹脂膜をパターン形成後硬化させ、前記合成樹脂膜上に前記電気導電回路膜を直接形成することを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより搭載電子部品の伝熱接続部位にのみハンダ膜を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１４】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、ハンダめっきにより電子部品搭載部位にのみハンダ膜を形成することを特徴とする、回路基板。
【請求項１５】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載の電気導電層の搭載電子部品に対する電気接続部、および前記Ｎｉ層またはＳｎ層の搭載電子部品の伝熱接続部にハンダめっき層を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１６】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層に、搭載電子部品と伝熱接続をするためのハンダペーストをスクリーン印刷により形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１７】
前記請求項２、４、６、８のいずれかに記載のＮｉ層またはＳｎ層の電子部品搭載部位に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする、回路基板。
【請求項１８】
前記請求項１〜８のいずれかに記載の電気導電層として、電気導電回路を予め基板に形成しておき、当該電気導電回路の基板に前記合成樹脂接着層を形成して、前記合成樹脂接着層を前記Ｎｉ層またはＳｎ層に積層することを特徴とする、回路基板。
【請求項１９】
前記請求項２または請求項４に記載の前記積層基板において、Ｎｉ層またはＳｎ層が露出された領域に凹部を形成したことを特徴とする、回路基板。
【請求項２０】
前記凹部を、前記請求項９〜請求項１７のいずれかに記載の回路基板に形成したことを特徴とする、請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記凹部の底面に、エンボス加工または凹凸パターンの型加工を施したことを特徴とする、請求項２０に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記凹部の断面形状を、略逆台形状としたことを特徴とする、請求項２０または請求項２１に記載の回路基板。
【請求項２３】
前記凹部の内面に反射層を形成したことを特徴とする、請求項２２に記載の回路基板。
【請求項２４】
前記請求項６または請求項８に記載の前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層を貫通する穴を有し、前記両側表面の合成樹脂接着層に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする回路基板。
【請求項２５】
前記電気導電層を前記合成樹脂接着層の片側表面に予め接着してから前記貫通穴を形成したことを特徴とする、請求項２４に記載の回路基板。
【請求項２６】
請求項５または請求項７に記載の前記積層基板の両側表面に形成された前記電気導電層を貫通する穴を有し、前記両側表面に形成された電気導電層を前記貫通穴内に形成した導電材で電気的に接続すると共に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させたことを特徴とする回路基板。
【請求項２７】
前記電気導電層として銅箔を使用し、前記銅箔をエッチング処理して電気回路を形成したことを特徴とする、請求項２４〜２６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項２８】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板に、前記Ｎｉ層またはＳｎ層を部分的に露出させて伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を前記基板の両側表面に形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２９】
前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記積層基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする請求項２８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３０】
前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層に電気導電層を形成する工程を付加し、前記合成樹脂接着層の片側表面に形成された電気導電層と前記積層基板の片側表面に形成された合成樹脂接着層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記露出されたＮｉ層またはＳｎ層にめっきレジスト層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された合成樹脂接着層の所定位置と前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする、請求項２８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３１】
Ａｌ板の両側表面に形成されたＺｎ層、前記Ｚｎ層の両側表面に形成されたＮｉ層を有し、または前記Ｎｉ層の両側表面に形成されたＳｎ層を有する積層基板の両側表面の全面に伝熱性と電気絶縁性を有する合成樹脂接着層を形成する工程と、前記基板の両側表面に電気導電層を形成する工程と、前記基板の両側表面に形成された電気導電層間を貫通する第１の貫通穴を形成する工程と、前記第１の貫通穴に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材を貫通する第２の貫通穴を形成する工程と、前記第２の貫通穴にめっきレジスト層を形成する工程と、前記第２の貫通穴の内面にめっき層を形成する工程と、前記第２の貫通穴に導電材を充填する工程と、前記めっきレジスト層を剥離する工程と、からなることを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項３２】
前記電気導電層を銅箔で形成し、前記銅箔にエッチング処理で電気回路を形成する工程を付加することを特徴とする、請求項３１に記載の回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【公開番号】特開２００８−２３８５１１（Ｐ２００８−２３８５１１Ａ）
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８０６４５（Ｐ２００７−８０６４５）
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（５０４１１２８３８）株式会社庸和 (8)
【出願人】（３９０００３１９３）東洋鋼鈑株式会社 (265)
【出願人】（５００２８２４２７）東レインターナショナル株式会社 (27)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（５０４１１２８３８）株式会社庸和 (8)
【出願人】（３９０００３１９３）東洋鋼鈑株式会社 (265)
【出願人】（５００２８２４２７）東レインターナショナル株式会社 (27)
【Ｆターム（参考）】
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