等価回路パラメータ測定装置および等価回路パラメータ測定方法
【課題】等価回路のパラメータを正確に測定する。
【解決手段】試料のインピーダンスＺ，位相θの実測周波数特性を実測する処理２１と、Ｚの実測周波数特性での極大極小点を検出する処理２２と、極大点のみのときに試料の等価回路が第１，第２等価回路のいずれかであると特定する処理２４と、Ｚ，θの各実測周波数特性から第１，第２等価回路の各パラメータ値を算出する処理２５と、Ｚ，θの各実測周波数特性からリアクタンスの実測特定周波数特性を算出する処理２６と、第１，第２等価回路の各リアクタンスついての理論第１周波数特性および理論第２周波数特性を算出する処理２７と、理論第１周波数特性および理論第２周波数特性のうちの実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性の等価回路を試料の等価回路として特定する処理２８と、特定した等価回路の各パラメータ値を試料の等価回路の各パラメータ値として決定する処理２９とを実行する。
【解決手段】試料のインピーダンスＺ，位相θの実測周波数特性を実測する処理２１と、Ｚの実測周波数特性での極大極小点を検出する処理２２と、極大点のみのときに試料の等価回路が第１，第２等価回路のいずれかであると特定する処理２４と、Ｚ，θの各実測周波数特性から第１，第２等価回路の各パラメータ値を算出する処理２５と、Ｚ，θの各実測周波数特性からリアクタンスの実測特定周波数特性を算出する処理２６と、第１，第２等価回路の各リアクタンスついての理論第１周波数特性および理論第２周波数特性を算出する処理２７と、理論第１周波数特性および理論第２周波数特性のうちの実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性の等価回路を試料の等価回路として特定する処理２８と、特定した等価回路の各パラメータ値を試料の等価回路の各パラメータ値として決定する処理２９とを実行する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタや抵抗などの電子部品についての等価回路のパラメータを測定する等価回路パラメータ測定装置、および等価回路パラメータ測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の等価回路パラメータ測定装置として、下記特許文献１に開示された等価回路パラメータ生成装置が知られている。この等価回路パラメータ生成装置では、はじめに、モデリングしたい測定対象物の周波数特性をインピーダンスメータ等の測定器で測定し（ステップＳ１）、使用する等価回路を選択し（ステップＳ２）、当該周波数特性に応じて次数ｍ、ｎ、及び個数Ｎｃ、Ｎｓを決定する（ステップＳ３）。等価回路は、例えば、一般的な等価回路であるＦｏｓｔｅｒの第１回路、及びＦｏｓｔｅｒの第２回路等から選択される。
【０００３】
続いて、最小自乗近似を実行する前に、各素子の素子値が負とならないような拘束条件を決定する（ステップＳ４）。そして、その拘束条件下で、最小自乗近似を行う（ステップＳ５）。最後に、ステップＳ５で算出された留数を用いて、選択した等価回路における各集中定数素子の素子値である等価回路パラメータを生成する（ステップＳ６）。
【０００４】
この等価回路パラメータ生成装置によれば、事前に決定された拘束条件下で最小自乗近似を行うことにより、負の素子値を含まない等価回路パラメータを生成することができる等の効果を奏することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３４６８３号公報（第８−１７頁、第３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記した等価回路パラメータ生成装置では、等価回路パラメータを生成するに際して、オペレータがモデリングしたい測定対象物としての電子部品の等価回路を予め選択する必要がある。このため、この等価回路パラメータ生成装置には、オペレータが誤った等価回路を選択するおそれがあり、この場合には、電子部品の等価回路を正確に生成できないという解決すべき課題が存在している。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、電子部品の等価回路を正確に測定し得る等価回路パラメータ測定装置、および等価回路パラメータ測定方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている。
【０００９】
また、請求項２記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第１等価回路についての第１評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第１評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第２等価回路についての第２評価値を算出し、当該第１等価回路および当該第２等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する。
【００１０】
また、請求項３記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項１または２記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、前記電子部品の等価回路を、前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１１】
また、請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている。
【００１２】
また、請求項５記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第３等価回路についての第３評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第３評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第４等価回路についての第４評価値を算出し、当該第３等価回路および当該第４等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する。
【００１３】
また、請求項６記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項４または５記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、前記電子部品の等価回路を、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１４】
また、請求項７記載の等価回路パラメータ測定方法は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１５】
また、請求項８記載の等価回路パラメータ測定方法は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項７記載の等価回路パラメータ測定方法によれば、電子部品についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各容量、抵抗およびインダクタンスのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる電子部品についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、電子部品についての等価回路が第１等価回路または第２等価回路のときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【００１７】
また、極大極小検出処理において極大点のみが検出されたときに、第１等価回路および第２等価回路のいずれかが電子部品の等価回路であると特定して、この等価回路の特定成分についての実測特定周波数特性と、第１等価回路の上記特定成分についての理論第１周波数特性と、第２等価回路の上記特定成分についての理論第２周波数特性とを算出し、第１等価回路および第２等価回路のうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を電子部品の等価回路として特定することにより、第１等価回路および第２等価回路の位相についての理論値の周波数特性と位相の実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に電子部品の等価回路を特定することができる。
【００１８】
請求項２記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値およびこの差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出し、この差分値に基づいて各評価値を算出することにより、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第１評価値を算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第２評価値を算出することができる。したがって、両評価値に基づいて、第１等価回路および第２等価回路のうちから電子部品の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【００１９】
請求項３記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項６記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときには、実際に測定した位相についての実測周波数特性を使用して、電子部品についての等価回路を特定することができるため、位相以外のコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのような他の特定成分についての実測周波数特性をインピーダンスおよび位相の各実測周波数特性に基づいて算出する実測特定周波数特性算出処理を省くことができる結果、最終的な等価回路についてのパラメータ値を算出するまでに要する時間を短縮することができる。
【００２０】
請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項８記載の等価回路パラメータ測定方法によれば、電子部品についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各容量、抵抗およびインダクタンスのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる電子部品についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、電子部品についての等価回路が第３等価回路または第４等価回路のときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【００２１】
また、極大極小検出処理において極小点のみが検出されたときに、第３等価回路および第４等価回路のいずれかが電子部品の等価回路であると特定して、この等価回路の特定成分についての実測特定周波数特性と、第３等価回路の上記特定成分についての理論第３周波数特性と、第４等価回路の上記特定成分についての理論第４周波数特性とを算出し、第３等価回路および第４等価回路のうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を電子部品の等価回路として特定することにより、第３等価回路および第４等価回路の位相についての理論値の周波数特性と位相の実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に電子部品の等価回路を特定することができる。
【００２２】
請求項５記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値およびこの差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出し、この差分値に基づいて各評価値を算出することにより、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第３評価値を算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第４評価値を算出することができる。したがって、両評価値に基づいて、第３等価回路および第４等価回路のうちから電子部品の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】等価回路パラメータ測定装置１の構成図である。
【図２】第１等価回路Ａの回路図である。
【図３】第２等価回路Ｂの回路図である。
【図４】第３等価回路Ｃの回路図である。
【図５】第４等価回路Ｄの回路図である。
【図６】第５等価回路Ｅの回路図である。
【図７】パラメータ測定処理２０のフローチャートである。
【図８】パラメータ算出処理５０（パラメータ算出処理Ａ）のフローチャートである。
【図９】パラメータ算出処理６０（パラメータ算出処理Ｂ）のフローチャートである。
【図１０】パラメータ算出処理７０（パラメータ算出処理Ｃ）のフローチャートである。
【図１１】パラメータ算出処理８０（パラメータ算出処理Ｄ）のフローチャートである。
【図１２】パラメータ算出処理９０（パラメータ算出処理Ｅ）のフローチャートである。
【図１３】試料７の等価回路が第１等価回路Ａに近いものであるときのレジスタンスｒとリアクタンスＸの各周波数特性の概要図である。
【図１４】試料７の等価回路が第２等価回路Ｂに近いものであるときのレジスタンスｒとリアクタンスＸの各周波数特性の概要図である。
【図１５】試料７の等価回路が第３等価回路Ｃに近いものであるときのコンダクタンスＧとサセプタンスＢの各周波数特性の概要図である。
【図１６】試料７の等価回路が第４等価回路Ｄに近いものであるときのコンダクタンスＧとサセプタンスＢの各周波数特性の概要図である。
【図１７】試料７の等価回路が第５等価回路Ｅに近いものであるときのインピーダンスＺと位相θの各周波数特性の概要図である。
【図１８】試料７の一具体例でのインピーダンスＺと位相θの各実測周波数特性を示す周波数特性図である。
【図１９】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路Ａでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第１周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２０】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第２周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２１】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路ＡでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２２】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路ＢでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２３】試料７の他の具体例でのインピーダンスＺと位相θの各実測周波数特性を示す周波数特性図である。
【図２４】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路Ａでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第１周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２５】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第２周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２６】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路ＡでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２７】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路ＢでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、等価回路パラメータ測定装置１および等価回路パラメータ測定方法の実施の形態について説明する。
【００２５】
最初に、等価回路パラメータ測定装置１（以下、「測定装置１」ともいう）の構成について、図面を参照して説明する。
【００２６】
測定装置１は、図１に示すように、測定部２、操作部３、記憶部４、処理部５および出力部６を備え、測定部２に接続された測定対象としての試料７の等価回路についての各パラメータを測定可能に構成されている。本例では、測定装置１は、電子部品（コア損失の大きいコイル、コア損失の小さいコイル（または抵抗値の小さい抵抗）、抵抗値の大きい抵抗、コンデンサ、圧電素子）を試料７として、それぞれに予め規定された等価回路の各パラメータ（容量Ｃ（直列容量Ｃｓおよび／または並列容量Ｃｐ）、インダクタンスＬおよび抵抗Ｒ）のパラメータ値Ｃｖ（Ｃｓｖおよび／またはＣｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖを算出するものとする。
【００２７】
なお、コア損失の大きいコイルは、図２に示す等価回路（インダクタンスＬ、容量（並列容量Ｃｐ）および抵抗Ｒが並列に接続された第１等価回路Ａ））で表され、コア損失の小さいコイルは、図３に示す等価回路（インダクタンスＬおよび抵抗Ｒからなる直列回路に容量（並列容量Ｃｐ）が並列に接続された第２等価回路Ｂ）で表される。また、抵抗値の大きい抵抗は、図４に示す等価回路（容量（並列容量Ｃｐ）および抵抗Ｒからなる並列回路にインダクタンスＬが直列に接続された第３等価回路Ｃ）で表され、コンデンサは、図５に示す等価回路（インダクタンスＬ、容量（直列容量Ｃｓ）および抵抗Ｒが直列に接続された第４等価回路Ｄ）で表され、圧電素子は、図６に示す等価回路（容量（直列容量Ｃｓ）、抵抗ＲおよびインダクタンスＬからなる直列回路に他の容量（並列容量Ｃｐ）が並列に接続された第５等価回路Ｅ）で表されるものとする。
【００２８】
測定部２は、各プローブ２ａを介して試料７を接続可能に構成されて、予め規定された周波数帯域での試料７についてのインピーダンスＺの周波数特性および位相θの周波数特性を測定し、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺ、および位相θの周波数特性を示す周波数特性データＤθを処理部５に出力する。また、測定部２は、インピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性の測定、および各周波数特性データＤＺ，Ｄθの処理部５への出力については、処理部５からの要求に応じて実行する。
【００２９】
操作部３は、例えば操作キー（図示せず）を複数備え、操作された操作キーに予め割り当てられた処理を処理部５に対して実行させるための命令データＤｃｍｄを処理部５に出力する。記憶部４は、ＲＡＭなどの半導体メモリや、ＨＤＤ（Hard disk drive）で構成されて、周波数特性データＤＺ，Ｄθ、およびパラメータ値Ｃｖ（Ｃｓｖ，Ｃｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖなどを記憶する。
【００３０】
処理部５は、例えばＣＰＵで構成されて、測定部２に対する制御を実行すると共に、パラメータ測定処理を実行する。また、処理部５は、パラメータ測定処理において特定した試料７の等価回路（第１等価回路Ａ〜第５等価回路Ｅのいずれか）を示すマークＭと、この特定した等価回路について測定したパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを出力部６に出力する。出力部６は、一例として、液晶ディスプレイなどの表示装置で構成されて、マークＭおよびパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを画面に表示する。本例では等価回路を示すマークＭとして、第１等価回路Ａの場合には記号「Ａ」を、第２等価回路Ｂの場合には記号「Ｂ」を、第３等価回路Ｃの場合には記号「Ｃ」を、第４等価回路Ｄの場合には記号「Ｄ」を、第５等価回路Ｅの場合には記号「Ｅ」を処理部５が出力し、また出力部６が画面に表示するものとする。
【００３１】
なお、表示装置に代えて、外部装置（外部記憶媒体などの外部記憶装置を含む）とのインターフェース回路で出力部６を構成して、この外部装置にマークＭおよびパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを出力することもできる。
【００３２】
次いで、測定装置１による試料７についての等価回路の各パラメータＣ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定動作と共に、試料７についての等価回路のパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定方法について図面を参照して説明する。
【００３３】
まず、等価回路が未知である試料７が各プローブ２ａを介して測定部２に接続されている状態において、処理部５は、操作キーに対する操作が行われた操作部３から命令データＤｃｍｄ（パラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定を指示する命令データ）を入力したときに、図７に示すパラメータ測定処理２０を実行する。
【００３４】
このパラメータ測定処理２０では、処理部５は、まず、周波数特性実測処理を実行する（ステップ２１）。この周波数特性実測処理において、処理部５は、測定部２に対して、試料７についてのインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性（予め規定された周波数帯域内での周波数特性）を測定（実測）させる。また、処理部５は、測定部２に対して、測定したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を示す周波数特性データＤＺ，Ｄθを処理部５に出力させる。処理部５は、測定部２から出力される周波数特性データＤＺ，Ｄθを取得して、記憶部４に記憶させる。これにより、周波数特性実測処理が完了する。
【００３５】
次いで、処理部５は、極大極小検出処理を実行する（ステップ２２）。この極大極小検出処理では、処理部５は、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、このインピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点を検出する。
【００３６】
この場合、試料７の等価回路が上記した第１等価回路Ａに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１３に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極大点のみが検出される。また、試料７の等価回路が上記した第２等価回路Ｂに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１４に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極大点のみが検出される。
【００３７】
また、試料７の等価回路が上記した第３等価回路Ｃに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１５に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極小点のみが検出される。また、試料７の等価回路が上記した第４等価回路Ｄに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１６に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極小点のみが検出される。ただし、コンダクタンスＧは、インピーダンスＺの逆数であるアドミタンスの実数成分であるため、図１５，１６に示されるコンダクタンスＧの極大点はインピーダンスＺの極小点に対応する周波数に出現する。
【００３８】
また、試料７の等価回路が上記した第５等価回路Ｅに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点は、図１７に示すように出現する。すなわち、極大点および極小点が検出される。
【００３９】
続いて、処理部５は、ステップ２２の極大極小検出処理で検出した極大点および極小点の状態を判別して（ステップ２３）、試料７の等価回路についての最初の特定処理（一次特定）を実行する。
【００４０】
具体的には、処理部５は、ステップ２３での判別の結果、極大点のみを検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極大点のみが存在している状態のとき）には、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、その極大点の出現の仕方が図１３，１４に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点の出現の仕方に近似しているため、試料７の等価回路は、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【００４１】
また、処理部５は、ステップ２３での極大点および極小点の状態の判別の結果、極小点のみを検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極小点のみが存在している状態のとき）には、他の一次等価回路特定処理（ステップ３０）を実行して、その極小点の出現の仕方が図１５，１６に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点の出現の仕方に近似しているため（ただし、上記したように、コンダクタンスＧは、インピーダンスＺの逆数であるアドミタンスの実数成分であるため、コンダクタンスＧの極大点がインピーダンスＺの極小点に対応する）、試料７の等価回路は、第３等価回路Ｃ（図４参照）および第４等価回路Ｄ（図５参照）のいずれかであると特定する。
【００４２】
また、処理部５は、ステップ２３での極大点および極小点の状態の判別の結果、極大点および極小点を検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極大点および極小点が存在している状態のとき）には、他の一次等価回路特定処理（ステップ３６）を実行して、その極大点および極小点の出現の仕方が図１７に示すインピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似しているため、試料７の等価回路は、第５等価回路Ｅであると特定する。
【００４３】
以下では、まず、処理部５が、ステップ２３において極大点のみを検出したときの動作について説明する。
【００４４】
この場合、処理部５は、一次等価回路特定処理を実行して、極大点のみを検出したことをもって、試料７の等価回路が第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかであると特定（仮特定）する（ステップ２４）。
【００４５】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢを実行する（ステップ２５）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢでは、まず、図８に示すパラメータ算出処理５０をパラメータ算出処理Ａとして実行して、試料７の等価回路を第１等価回路Ａとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００４６】
このパラメータ算出処理Ａでは、処理部５は、まず、ｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ５１）。このｒ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のレジスタンスｒ（インピーダンスＺの実数成分（｜Ｚ｜×ｃｏｓθ））の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤｒを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、算出した周波数特性データＤｒに基づいて、レジスタンスｒが最大となる周波数（並列共振周波数ｆｐ）、およびレジスタンスｒの最大値ｒｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ｒ周波数特性算出処理が完了する。
【００４７】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ５２）。このＱ算出処理では、処理部５は、レジスタンスｒについての周波数特性データＤｒ、および最大値ｒｍａｘに基づいて、並列共振周波数ｆｐについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、レジスタンスｒが最大値ｒｍａｘの１／２となる点での周波数であり、並列共振周波数ｆｐを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および並列共振周波数ｆｐに基づいて、Ｑ（＝ｆｐ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００４８】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ５３）。このＲ算出処理では、処理部５は、第１等価回路Ａについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、最大値ｒｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００４９】
次いで、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ５４）。このＣ算出処理では、処理部５は、最大値ｒｍａｘ、並列共振周波数ｆｐおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｐ×ｒｍａｘ）を算出して、第１等価回路Ａについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００５０】
続いて、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ５５）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｐｖおよび並列共振周波数ｆｐに基づいて、１／｛（２×π×ｆｐ）２×Ｃｐｖ｝を算出して、第１等価回路ＡについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了し、併せて、パラメータ測定処理Ａも完了する。
【００５１】
また、処理部５は、図９に示すパラメータ算出処理６０をパラメータ算出処理Ｂとして実行して、試料７の等価回路を第２等価回路Ｂとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００５２】
このパラメータ算出処理Ｂでは、処理部５は、まず、ｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ６１）。なお、ステップ２５でのパラメータ算出処理Ａ，Ｂの実行順は任意であるが、本例のように、パラメータ算出処理Ａ，Ｂのいずれか一方が既に完了しているときには、処理内容が同一のｒ周波数特性算出処理も既に完了していることになる。このため、この場合には、パラメータ算出処理Ａ，Ｂのうちの後に実行する処理では、処理部５は、このｒ周波数特性算出処理を省略する。
【００５３】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ６２）。このＱ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＡでのＱ算出処理と同一の処理内容である。このため、ｒ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｑ算出処理もパラメータ算出処理Ａで既に完了している。したがって、本例では、処理部５は、このＱ算出処理を省略する。
【００５４】
続いて、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ６３）。このＣ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＡでのＣ算出処理と同一の処理内容である。このため、ｒ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｃ算出処理もパラメータ算出処理Ａで既に完了している。したがって、処理部５は、このＱ算出処理では、パラメータ算出処理Ａのステップ５４において算出したパラメータ値Ｃｐｖ（＝Ｑ／（２×π×ｆｐ×ｒｍａｘ））を、第２等価回路Ｂついての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００５５】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ６４）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｐｖ、Ｑおよび並列共振周波数ｆｐに基づいて、２×Ｑ２／｛（２×π×ｆｐ）２×Ｃｐｖ×（２×Ｑ２−１）｝を算出して、第２等価回路ＢについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００５６】
続いて、処理部５は、ＧＢ算出処理を実行する（ステップ６５）。このＧＢ算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、最も低い周波数（各周波数特性データＤＺ，Ｄθの周波数帯域での下限周波数）である周波数ｆＬでのコンダクタンスＧＬ（＝ｃｏｓθ／｜Ｚ｜）およびサセプタンスＢＬ（＝−ｓｉｎθ／｜Ｚ｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ＧＢ算出処理が完了する。
【００５７】
次いで、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ６６）。このＲ算出処理では、処理部５は、各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ、周波数ｆＬ、コンダクタンスＧＬおよびサセプタンスＢＬに基づいて、２×π×ｆＬ×ＧＬ×Ｌｖ／（２×π×ｆＬ×Ｃｐｖ−ＢＬ）を算出して、第２等価回路Ｂについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了し、併せて、パラメータ測定処理Ｂも完了する。これにより、パラメータ算出処理ＡＢが完了する。
【００５８】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ２６）。この実測特定周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての周波数特性（実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づく実測特定周波数特性）を算出する。
【００５９】
本例では、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理Ａ（またはＢ）において、ｒ周波数特性算出処理を実行して、試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて既に算出している。このため、本例では、一例として、レジスタンスｒを特定成分として規定して、算出済みの周波数特性データＤｒを特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用することにより、実測特定周波数特性算出処理を省略している。なお、レジスタンスｒを特定成分として規定せずに、コンダクタンスＧ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかを特定成分として規定する構成としたときには、処理部５は、この実測特定周波数特性算出処理において、実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、特定成分として規定したコンダクタンスＧ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかについての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データを算出して、記憶部４に記憶させる。
【００６０】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ２７）。この理論特定周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した第１等価回路Ａの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例では上記したようにレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【００６１】
また、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理において、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した第２等価回路Ｂの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（レジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【００６２】
次いで、処理部５は、二次等価回路特定処理を実行する（ステップ２８）。この二次等価回路特定処理では、処理部５は、上記のようにして算出した実測特定周波数特性および理論第１周波数特性を比較すると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性を比較することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【００６３】
具体的には、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第１周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、各周波数におけるレジスタンスｒ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤｒで示される値）と理論値（第１周波数特性データＤｒＡで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出し、記憶部４に記憶させる。本例では、一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤｒの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第１評価値ＤＶＡとして算出する。
【００６４】
また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第２周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、各周波数におけるレジスタンスｒ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤｒで示される値）と理論値（第２周波数特性データＤｒＢで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第１評価値ＤＶＡを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出し、記憶部４に記憶させる。このため、第２評価値ＤＶＢについても、第１評価値ＤＶＡと同様にして、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤｒの個数で除算した平均値（積分値の平均）を使用する。
【００６５】
次いで、処理部５は、第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を、上記の実測特定周波数特性により近似する周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【００６６】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ２９）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（第１等価回路Ａまたは第２等価回路Ｂ）についてパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（Ｃｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第１等価回路Ａに特定したときには、記号「Ａ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において極大点のみを検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定処理が完了する。
【００６７】
次に、処理部５が、ステップ２３において極小点のみを検出したときの動作について説明する。
【００６８】
この場合、処理部５は、一次等価回路特定処理を実行して、極小点のみを検出したことをもって、試料７の等価回路が第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかであると特定（仮特定）する（ステップ３０）。
【００６９】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＣＤを実行する（ステップ３１）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＣＤでは、まず、図１０に示すパラメータ算出処理７０をパラメータ算出処理Ｃとして実行して、試料７の等価回路を第３等価回路Ｃとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００７０】
パラメータ算出処理Ｃでは、処理部５は、まず、Ｇ周波数特性算出処理を実行する（ステップ７１）。このＧ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のコンダクタンスＧ（アドミタンスＹの実数成分（ｃｏｓθ／｜Ｚ｜））の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤＧを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、算出した周波数特性データＤＧに基づいて、コンダクタンスＧが最大となる周波数（直列共振周波数ｆｓ）、およびコンダクタンスＧの最大値Ｇｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｇ周波数特性算出処理が完了する。
【００７１】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ７２）。このＱ算出処理では、処理部５は、コンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧ、および最大値Ｇｍａｘに基づいて、直列共振周波数ｆｓについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、コンダクタンスＧが最大値Ｇｍａｘの１／２となる点での周波数であり、直列共振周波数ｆｓを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および直列共振周波数ｆｓに基づいて、Ｑ（＝ｆｓ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００７２】
続いて、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ７３）。このＬ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｓ×Ｇｍａｘ）を算出して、第３等価回路ＣについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００７３】
次いで、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ７４）。このＣ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｌｖ、Ｑおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、２×Ｑ２／｛（２×π×ｆｓ）２×Ｌｖ×（２×Ｑ２−１）｝を算出して、第３等価回路Ｃについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００７４】
次いで、処理部５は、ｒＸ算出処理を実行する（ステップ７５）。このｒＸ算出処理では、処理部５は、取得した周波数特性データＤＺ，Ｄθのうちの最も低い周波数（各周波数特性データＤＺ，Ｄθの周波数帯域での下限周波数）である周波数ｆＬでのレジスタンスｒＬ（＝｜Ｚ｜×ｃｏｓθ）およびリアクタンスＸＬ（＝｜Ｚ｜×ｓｉｎθ）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ｒＸ算出処理が完了する。
【００７５】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ７６）。このＲ算出処理では、処理部５は、パラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ、周波数ｆＬ、並びに算出したレジスタンスｒＬおよびリアクタンスＸＬに基づいて、（２×π×ｆＬ×Ｌｖ−ＸＬ）／（２×π×ｆＬ×ｒＬ×Ｃｖ）を算出して、第３等価回路Ｃについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｃも完了する。
【００７６】
また、処理部５は、図１１に示すパラメータ算出処理８０をパラメータ算出処理Ｄとして実行して、試料７の等価回路を第４等価回路Ｄとしたときの各パラメータ（直列容量Ｃｓ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００７７】
このパラメータ算出処理Ｄでは、処理部５は、まず、Ｇ周波数特性算出処理を実行する（ステップ８１）。なお、ステップ３１でのパラメータ算出処理Ｃ，Ｄの実行順は任意であるが、本例のように、パラメータ算出処理Ｃ，Ｄのいずれか一方が既に完了しているときには、処理内容が同一のＧ周波数特性算出処理も既に完了していることになる。このため、この場合には、パラメータ算出処理Ｃ，Ｄのうちの後に実行する処理では、処理部５は、このＧ周波数特性算出処理を省略する。
【００７８】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ８２）。このＱ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＣでのＱ算出処理と同一の処理内容である。このため、Ｇ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｑ算出処理もパラメータ算出処理Ｃで既に完了している。したがって、処理部５は、このＱ算出処理を省略する。
【００７９】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ８３）。このＲ算出処理では、処理部５は、第４等価回路Ｄについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、１／Ｇｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００８０】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ８４）。このＬ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｓ×Ｇｍａｘ）を算出して、第４等価回路ＤについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００８１】
続いて、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ８５）。このＣ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｌｖおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、１／｛（２×π×ｆｓ）２×Ｌｖ｝を算出して、第４等価回路Ｄについての直列容量Ｃｓのパラメータ値Ｃｓｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｄも完了する。また、パラメータ算出処理ＣＤも完了する。
【００８２】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ３２）。この実測特定周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての周波数特性（実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づく実測特定周波数特性）を算出する。
【００８３】
本例では、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて、Ｇ周波数特性算出処理を実行して、試料７のコンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧを、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて既に算出している。このため、本例では、一例として、コンダクタンスＧを特定成分として規定して、算出済みの周波数特性データＤＧを特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用することにより、実測特定周波数特性算出処理を省略している。なお、コンダクタンスＧを特定成分として規定せずに、レジスタンスｒ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかを特定成分として規定する構成としたときには、処理部５は、この実測特定周波数特性算出処理において、実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、特定成分として規定したレジスタンスｒ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかについての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データを算出して、記憶部４に記憶させる。
【００８４】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ３３）。この理論特定周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて算出した第３等価回路Ｃの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第３等価回路Ｃの特定成分（本例では上記したようにコンダクタンスＧ）についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第３周波数特性データＤＧＣを記憶部４に記憶させる。
【００８５】
また、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理において、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて算出した第４等価回路Ｄの各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第４等価回路Ｄの特定成分（本例ではコンダクタンスＧ）についての理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第４周波数特性データＤＧＤを記憶部４に記憶させる。
【００８６】
次いで、処理部５は、二次等価回路特定処理を実行する（ステップ３４）。この二次等価回路特定処理では、処理部５は、上記のようにして算出した実測特定周波数特性および理論第３周波数特性を比較すると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性を比較することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【００８７】
具体的には、処理部５は、実測特定周波数特性としてのコンダクタンスＧの周波数特性を示す周波数特性データＤＧおよび理論第３周波数特性としてのコンダクタンスＧについての理論値の周波数特性を示す第３周波数特性データＤＧＣに基づいて、各周波数におけるコンダクタンスＧ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤＧで示される値）と理論値（第３周波数特性データＤＧＣで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての第３評価値ＤＶＣを算出し、記憶部４に記憶させる。本例では、一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤＧの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第３評価値ＤＶＣとして算出する。
【００８８】
また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのコンダクタンスＧの周波数特性を示す周波数特性データＤＧおよび理論第４周波数特性としてのコンダクタンスＧについての理論値の周波数特性を示す第４周波数特性データＤＧＤに基づいて、各周波数におけるコンダクタンスＧ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤＧで示される値）と理論値（第４周波数特性データＤＧＤで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第３評価値ＤＶＣを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての第４評価値ＤＶＤを算出し、記憶部４に記憶させる。このため、第４評価値ＤＶＤについても、第３評価値ＤＶＣと同様にして、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤＧの個数で除算した平均値（積分値の平均）を使用する。
【００８９】
次いで、処理部５は、第３評価値ＤＶＣと第４評価値ＤＶＤとを比較して、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちの算出した評価値の小さい等価回路を、上記の実測特定周波数特性により近似する周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【００９０】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ３５）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ（またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（ＣｐｖまたはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第３等価回路Ｃに特定したときには、記号「Ｃ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において極小点のみを検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐ（またはＣｓ），Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ（またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖの測定処理が完了する。
【００９１】
次に、処理部５が、ステップ２３において極大点および極小点を検出したときの動作について説明する。
【００９２】
この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥを実行する（ステップ３６）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥとして、試料７の等価回路を、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅであると順次特定しつつ、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値をそれぞれ算出して、記憶部４に記憶させる。
【００９３】
具体的には、第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ａ（図８参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｂ（図９参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第３等価回路Ｃについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｃ（図１０参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第４等価回路Ｄについての各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｄ（図１１参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。
【００９４】
また、第５等価回路Ｅについての各パラメータＣｐ，Ｃｓ，Ｌ，Ｒの各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、図１２に示すパラメータ算出処理９０（パラメータ算出処理Ｅ）を実行して算出する。なお、パラメータ算出処理Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄについては、既に説明したため、以下では、パラメータ算出処理Ｅについて説明する。
【００９５】
このパラメータ算出処理Ｅでは、処理部５は、まず、Ｇｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ９１）。このＧｒ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のコンダクタンスＧ（ｃｏｓθ／｜Ｚ｜）の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤＧを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のレジスタンスｒ（｜Ｚ｜×ｃｏｓθ）の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤｒを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｇｒ周波数特性算出処理が完了する。
【００９６】
次いで、処理部５は、直列・並列共振周波数検出処理を実行する（ステップ９２）。この直列・並列共振周波数検出処理では、処理部５は、Ｇｒ周波数特性算出処理において算出した周波数特性データＤＧに基づいて、コンダクタンスＧが最大となる周波数（直列共振周波数ｆｓ）、およびコンダクタンスＧの最大値Ｇｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、Ｇｒ周波数特性算出処理において算出した周波数特性データＤｒに基づいて、レジスタンスｒが最大となる周波数（並列共振周波数ｆｐ）を検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、直列・並列共振周波数検出処理が完了する。
【００９７】
続いて、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ９３）。このＱ算出処理では、処理部５は、コンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧ、および最大値Ｇｍａｘに基づいて、直列共振周波数ｆｓについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、コンダクタンスＧが最大値Ｇｍａｘの１／２となる点での周波数であり、直列共振周波数ｆｓを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および直列共振周波数ｆｓに基づいて、Ｑ（＝ｆｓ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００９８】
次いで、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ９４）。このＲ算出処理では、処理部５は、第５等価回路Ｅについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、１／Ｇｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００９９】
続いて、処理部５は、Ｃｓ算出処理を実行する（ステップ９５）。このＣｓ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｇｍａｘ／（２×π×ｆｓ×Ｑ））を出して、第５等価回路Ｅについての直列容量Ｃｓのパラメータ値Ｃｓｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃｓ算出処理が完了する。
【０１００】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ９６）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータＣｓのパラメータ値Ｃｓｖ、および直列共振周波数ｆｓに基づいて、１／（４×π２×ｆｓ２×Ｃｓｖ）を算出して、第５等価回路ＥについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【０１０１】
続いて、処理部５は、Ｃｐ算出処理を実行する（ステップ９７）。このＣｐ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｓｖ、並列共振周波数ｆｐおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、ｆｓ２×Ｃｓｖ／（ｆｐ２−ｆｓ２）を算出して、第５等価回路Ｅについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃｐ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｅも完了する。また、これにより、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥについても完了する。
【０１０２】
次いで、処理部５は、理論位相周波数特性算出処理を実行する（ステップ３７）。この理論位相周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ３６で算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤθＡを記憶部４に記憶させる。
【０１０３】
同様にして、処理部５は、ステップ３６で算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第２周波数特性データＤθＢを算出して、記憶部４に記憶させ、ステップ３６で算出した第３等価回路Ｃについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第３等価回路Ｃの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第３周波数特性データＤθＣを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、ステップ３６で算出した第４等価回路Ｄについての各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第４等価回路Ｃの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第４周波数特性データＤθＤを算出して、記憶部４に記憶させ、ステップ３６で算出した第５等価回路Ｅについての各パラメータＣｐ，Ｃｓ，Ｌ，Ｒの各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第５等価回路Ｅの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第５周波数特性データＤθＥを算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、理論位相周波数特性算出処理が完了する。
【０１０４】
続いて、処理部５は、等価回路特定処理を実行する（ステップ３８）。この等価回路特定処理では、処理部５は、理論位相周波数特性算出処理において算出した第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅの位相θについての各理論位相周波数特性と、ステップ２１の周波数特性実測処理において実測した位相θの実測周波数特性とを比較することにより、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅのうちから、実測周波数特性に最も近似する（最も近い）周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【０１０５】
具体的には、処理部５は、実測した位相θの周波数特性を示す周波数特性データＤθ、および第１等価回路Ａの位相θについての理論周波数特性を示す第１周波数特性データＤθＡに基づいて、各周波数における位相θの実測値（周波数特性データＤθで示される値）と理論値（第１周波数特性データＤθＡで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に、算出した差分値に基づいて第１等価回路Ａについての位相θに関する第１評価値ＤＶθＡを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤθの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第１評価値ＤＶθＡとして算出する。なお、以下において算出する各評価値ＤＶθＢ，ＤＶθＣ，ＤＶθＤ，ＤＶθＥについても、第１評価値ＤＶθＡと同様にして、上記の平均値を使用する。
【０１０６】
同様にして、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第２等価回路Ｂの位相θについての理論周波数特性を示す第２周波数特性データＤθＢに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第２周波数特性データＤθＢで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての位相θに関する第２評価値ＤＶθＢを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第３等価回路Ｃの位相θについての理論周波数特性を示す第３周波数特性データＤθＣに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第３周波数特性データＤθＣで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての位相θに関する第３評価値ＤＶθＣを算出して、記憶部４に記憶させる。
【０１０７】
また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第４等価回路Ｄの位相θについての理論周波数特性を示す第４周波数特性データＤθＤに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第４周波数特性データＤθＤで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての位相θに関する第４評価値ＤＶθＤを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第５等価回路Ｅの位相θについての理論周波数特性を示す第５周波数特性データＤθＥに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第５波数特性データＤθＥで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第５等価回路Ｅについての位相θに関する第５評価値ＤＶθＥを算出して、記憶部４に記憶させる。
【０１０８】
また、処理部５は、等価回路特定処理（ステップ３８）において、算出した等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅについての位相θに関する各評価値ＤＶθＡ，ＤＶθＢ，ＤＶθＣ，ＤＶθＤ，ＤＶθＥを比較することにより、評価値の最も小さい等価回路を、上記の実測周波数特性に最も近似する（最も近い）周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、等価回路特定処理が完了する。
【０１０９】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ３９）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、ステップ３８での等価回路特定処理において特定した等価回路（第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅのうちのいずれか）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第５等価回路Ｅに特定したときには、記号「Ｅ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において、極大点および極小点を検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐおよび／またはＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定が完了する。
【０１１０】
以下、等価回路パラメータ測定装置１による等価回路が未知の試料７についての等価回路パラメータの測定動作について、具体例を挙げて説明する。
【０１１１】
処理部５が、まず、パラメータ測定処理２０におけるステップ２１での周波数特性実測処理において、図１８に示すようなインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を実測したときには、ステップ２２において、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、極大値のみを検出する。
【０１１２】
次いで、処理部５は、ステップ２３において、極大点および極小点の検出状態を判別し、極大点のみが検出されているため、図７に示すステップ２４〜ステップ２９までの各処理を実行することにより、試料７についての等価回路を特定して、この等価回路についての各パラメータのパラメータ値を測定する。
【０１１３】
まず、処理部５は、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、極大点のみが検出されていることから、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【０１１４】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢ（ステップ２５）を実行して、第１等価回路Ａについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１４９．４ｋΩ），Ｃｐｖ（＝７．４８ｐＦ），Ｌｖ（＝３１．７ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させると共に、第２等価回路Ｂについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝６２２．２ｍΩ），Ｃｐｖ（＝７．４８ｐＦ），Ｌｖ（＝３５．１ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させる。なお、パラメータ算出処理ＡＢでは、上記した各パラメータ値の算出に際して、検出された並列共振周波数ｆｐ（＝３２６．７ｋＨｚ）およびｒｍａｘ（＝１４９．４ｋΩ）と、算出されたＱ（＝２．２９３）とが使用される。
【０１１５】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理（ステップ２６）を実行する。なお、本例では、上記したパラメータ算出処理ＡＢにおいて、ｒ周波数特性算出処理を実行して算出した試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用するため、実測特定周波数特性算出処理の実行を省略可能としている。この周波数特性データＤｒで示されるレジスタンスｒについての周波数特性は、図１９，２０において符号ｒを付して実線で示す。
【０１１６】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理（ステップ２７）を実行して、ステップ２５において算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性（図１９において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【０１１７】
また、処理部５は、ステップ２５において算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性（図２０において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【０１１８】
続いて、処理部５は、二次等価回路特定処理（ステップ２８）を実行して、レジスタンスｒの実測特定周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよびレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、レジスタンスｒの実測特定周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよびレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では、第１評価値ＤＶＡとして、１．７８８７０２×１０３が算出され、第２評価値ＤＶＢとして、３．１８５２８７×１０３が算出される。
【０１１９】
さらに、この二次等価回路特定処理では、処理部５は、算出された第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を試料７についての等価回路として特定する。本例では、第１等価回路Ａの第１評価値ＤＶＡの方が小さいため、第１等価回路Ａを試料７の等価回路として特定する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【０１２０】
次いで、処理部５は、パラメータ決定処理（ステップ２９）を実行して、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（本例では第１等価回路Ａ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。
【０１２１】
このようにして、レジスタンスｒの周波数特性に基づいて試料７の等価回路を第１等価回路Ａと特定した場合には、図１９に示す第１等価回路Ａでのレジスタンスｒの理論第１周波数特性（破線で示す周波数特性）を、図２０に示す第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒの理論第２周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図１９，２０において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができるのは勿論のこと、図１９に示す第１等価回路ＡでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）についても、図２０に示す第２等価回路ＢでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図１９，２０において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができる。また、この結果から、ステップ２６において、レジスタンスｒに代えてリアクタンスＸを特定成分として規定して使用できることが確認される。なお、例を挙げて説明はしないが、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢについても特定成分として規定することができるのは勿論である。
【０１２２】
また、パラメータ決定処理（ステップ２９）において決定した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを適用した第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂについて、インピーダンスＺおよび位相θについての理論値の各周波数特性を算出して、インピーダンスＺおよび位相θについての実測周波数特性と比較すると、第１等価回路Ａについては、図２１に示す結果となり、第２等価回路Ｂについては、図２２に示す結果となる。なお、各図共に、実線は実測周波数特性を示し、破線は理論値の周波数特性を示している。
【０１２３】
この場合、上記したレジスタンスｒのときと同様にして、位相θについて上記した差分値に基づく評価値を算出すると、第１等価回路Ａでの評価値は９．５０８４７８となり、第２等価回路Ｂでの評価値は４．４５８５３８となって、第２等価回路Ｂでの評価値の方が小さくなり、これらの評価値に基づけば、第２等価回路Ｂの方が試料７の等価回路として好ましい結果となるが、図２１，２２に示すように、インピーダンスＺについては、第１等価回路Ａの方が第２等価回路Ｂよりも、理論値の周波数特性が実測周波数特性に極めて近くなることから、インピーダンスＺおよび位相θの双方を勘案すれば（全体としては）、第１等価回路Ａを試料７の等価回路とするのが好ましい。
【０１２４】
このため、パラメータ測定処理２０において極大点および極小点が検出されたときに実行するステップ３６〜ステップ３９での処理（位相θに基づいて評価値を算出する処理）のときとは異なり、極大点のみが検出されたときの等価回路の特定（第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかを特定する場合）において、インピーダンスＺおよび位相θの双方に基づいて算出されるレジスタンスｒ、リアクタンスＸ、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢのいずれかを特定成分とすることにより、より好ましい等価回路を試料７の等価回路として特定することが可能となっている。
【０１２５】
また、等価回路パラメータ測定装置１による等価回路が未知の試料７の等価回路についての等価回路パラメータの測定動作について、他の具体例を挙げて説明する。
【０１２６】
処理部５が、まず、パラメータ測定処理２０におけるステップ２１での周波数特性実測処理において、図２３に示すようなインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を実測したときには、ステップ２２において、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、極大値のみを検出する。
【０１２７】
次いで、処理部５は、ステップ２３において、極大点および極小点の検出状態を判別し、極大点のみが検出されているため、図７に示すステップ２４〜ステップ２９までの各処理を実行することにより、試料７についての等価回路を特定すると共に、特定した等価回路についての各パラメータのパラメータ値を測定する。
【０１２８】
まず、処理部５は、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、極大点のみが検出されていることから、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【０１２９】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢ（ステップ２５）を実行して、第１等価回路Ａについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１２８．７ｋΩ），Ｃｐｖ（＝３１．３６ｐＦ），Ｌｖ（＝４０３．８ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させると共に、第２等価回路Ｂについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１２２．５Ω），Ｃｐｖ（＝３１．３６ｐＦ），Ｌｖ（＝６６０．５ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させる。なお、パラメータ算出処理ＡＢでは、上記した各パラメータ値の算出に際して、検出された並列共振周波数ｆｐ（＝４４．７２ｋＨｚ）およびｒｍａｘ（＝１２８．７ｋΩ）と、算出されたＱ（＝１．１３４）とが使用される。
【０１３０】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理（ステップ２６）を実行する。なお、本例では、上記したパラメータ算出処理ＡＢにおいて、ｒ周波数特性算出処理を実行して算出した試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用するため、実測特定周波数特性算出処理の実行を省略可能としている。この周波数特性データＤｒで示されるレジスタンスｒについての周波数特性は、図２４，２５において符号ｒを付して実線で示す。
【０１３１】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理（ステップ２７）を実行して、ステップ２５において算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性（図２４において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【０１３２】
また、処理部５は、ステップ２５において算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性（図２５において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【０１３３】
続いて、処理部５は、二次等価回路特定処理（ステップ２８）を実行して、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第１周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第２周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では、第１評価値ＤＶＡとして、１０．４９×１０３が算出され、第２評価値ＤＶＢとして、２９７．８×１０３が算出される。
【０１３４】
さらに、この二次等価回路特定処理では、処理部５は、算出された第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を試料７についての等価回路として特定する。本例では、第１等価回路Ａの第１評価値ＤＶＡの方が小さいため、第１等価回路Ａを試料７の等価回路として特定する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【０１３５】
次いで、処理部５は、パラメータ決定処理（ステップ２９）を実行して、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（本例では第１等価回路Ａ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。
【０１３６】
このようにして、レジスタンスｒの周波数特性に基づいて試料７の等価回路を第１等価回路Ａと特定した場合には、図２４に示す第１等価回路Ａでのレジスタンスｒの理論第１周波数特性（破線で示す周波数特性）を、図２５に示す第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒの理論第２周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図２４，２５において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができるのは勿論のこと、図２４に示す第１等価回路ＡでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）についても、図２５に示す第２等価回路ＢでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図２４，２５において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができる。また、この結果から、ステップ２６において、レジスタンスｒに代えてリアクタンスＸを特定成分として規定して使用できることが確認される。なお、例を挙げて説明はしないが、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢについても特定成分として規定することができるのは勿論である。
【０１３７】
また、パラメータ決定処理（ステップ２９）において決定した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを適用した第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂについて、インピーダンスＺおよび位相θについての理論値の各周波数特性を算出して、インピーダンスＺおよび位相θについての実測周波数特性と比較すると、第１等価回路Ａについては、図２６に示す結果となり、第２等価回路Ｂについては、図２７に示す結果となる。なお、各図共に、実線は実測周波数特性を示し、破線は理論値の周波数特性を示している。
【０１３８】
この場合、上記したレジスタンスｒのときと同様にして、位相θについて上記した一方の積分値に基づく評価値を算出すると、第１等価回路Ａでの評価値は４１．１４となり、第２等価回路Ｂでの評価値は２６．５８となって、第２等価回路Ｂでの評価値の方が小さくなり、これらの評価値に基づけば、第２等価回路Ｂの方が試料７の等価回路として好ましい結果となるが、図２６，２７に示すように、インピーダンスＺについては、第１等価回路Ａの方が第２等価回路Ｂよりも、理論値の周波数特性が実測周波数特性に極めて近くなることから、インピーダンスＺおよび位相θの双方を勘案すれば（全体としては）、第１等価回路Ａを試料７の等価回路とするのが好ましい。
【０１３９】
このため、この例においても、パラメータ測定処理２０において極大点および極小点が検出されたときに実行するステップ３６〜ステップ３９での処理（位相θに基づいて評価値を算出する処理）のときとは異なり、極大点のみが検出されたときの等価回路の特定（第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかを特定する場合）において、インピーダンスＺおよび位相θの双方に基づいて算出されるレジスタンスｒ、リアクタンスＸ、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢのいずれかを特定成分とすることにより、より好ましい等価回路を試料７の等価回路として特定できることが確認される。
【０１４０】
このように、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、処理部５が、極大極小検出処理において極大点のみを検出したときに、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかであると特定して、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、特定した第１等価回路Ａについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖおよび第２等価回路Ｂについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖをそれぞれ算出する。次いで、処理部５が、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分（上記例では、レジスタンスｒ）についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出すると共に、パラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて第１等価回路Ａの特定成分（レジスタンスｒ）についての理論第１周波数特性を算出し、かつ第２等価回路Ｂの特定成分（レジスタンスｒ）について理論第２周波数特性を算出する。続いて、処理部５が、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性を比較すると共に実測特定周波数特性および理論第２周波数特性を比較することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、特定した等価回路についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値を試料７の等価回路について各パラメータ値として決定する。
【０１４１】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、試料７についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各パラメータのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる試料７についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、試料７についての等価回路が第１等価回路Ａまたは第２等価回路Ｂのときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【０１４２】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極大点のみが検出されたときに、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかが試料７の等価回路であると特定して、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性と、第１等価回路Ａの特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性と、第２等価回路Ｂの特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性とを算出し、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂの位相θについての理論値の周波数特性と位相θの実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に試料７の等価回路を特定することができる。
【０１４３】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、二次等価回路特定処理において、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出し、かつ実測特定周波数特性および理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第１評価値ＤＶＡを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出するため、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第１評価値ＤＶＡを算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第２評価値ＤＶＢを算出することができる。したがって、両評価値ＤＶＡ，ＤＶＢに基づいて、両等価回路Ａ，Ｂのうちから試料７の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【０１４４】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、処理部５が、極大極小検出処理において極小点のみを検出したときに、試料７の等価回路が、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかであると特定して、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、特定した第３等価回路Ｃについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖおよび第４等価回路Ｄについての各パラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖをそれぞれ算出する。次いで、処理部５が、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分（上記例では、コンダクタンスＧ）についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出すると共に、パラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて第３等価回路Ｃの特定成分（コンダクタンスＧ）についての理論第３周波数特性を算出し、かつ第４等価回路Ｄの特定成分（コンダクタンスＧ）について理論第４周波数特性を算出する。続いて、処理部５が、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性を比較すると共に実測特定周波数特性および理論第４周波数特性を比較することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、特定した等価回路についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値を試料７の等価回路について各パラメータ値として決定する。
【０１４５】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、試料７についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各パラメータのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる試料７についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、試料７についての等価回路が第３等価回路Ｃまたは第４等価回路Ｄのときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【０１４６】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極小点のみが検出されたときに、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかが試料７の等価回路であると特定して、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性と、第３等価回路Ｃの特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性と、第４等価回路Ｄの特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性とを算出し、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄの位相θについての理論値の周波数特性と位相θの実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に試料７の等価回路を特定することができる。
【０１４７】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、二次等価回路特定処理において、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての第３評価値ＤＶＣを算出し、かつ実測特定周波数特性および理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第３評価値ＤＶＣを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての第４評価値ＤＶＤを算出するため、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第３評価値ＤＶＣを算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第４評価値ＤＶＤを算出することができる。したがって、両評価値ＤＶＣ，ＤＶＤに基づいて、両等価回路Ｃ，Ｄのうちから試料７の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【０１４８】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときに、試料７の等価回路を、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅに順次特定しつつ、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値をそれぞれ算出する。次いで、算出した第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値を用いて、各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位相θについての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する。続いて、算出した各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位相θについての各理論位相周波数特性と、実測した位相θの実測周波数特性とを比較することにより、各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅのうちから実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、この特定した等価回路についての各パラメータ値を試料７について各パラメータ値として決定する。
【０１４９】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときには、実際に測定した位相θについての実測周波数特性を使用して、試料７についての等価回路を特定することができるため、位相θ以外のコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのような他の特定成分についての実測周波数特性をインピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて算出する実測特定周波数特性算出処理を省くことができる結果、最終的な等価回路についてのパラメータ値を算出するまでに要する時間を短縮することができる。
【符号の説明】
【０１５０】
１ 測定装置
２ 測定部
５ 処理部
７ 試料
２０ パラメータ測定処理
２１ 周波数特性実測処理
２２ 極大極小検出処理
２４，３０ 一次等価回路特定処理
２５，３１，３６ パラメータ算出処理
２６，３２ 実測特定周波数特性算出処理
２７，３３ 理論特定周波数特性算出処理
２８，３４ 二次等価回路特定処理
２９，３５，３９ パラメータ決定処理
３７ 理論位相周波数特性算出処理
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタや抵抗などの電子部品についての等価回路のパラメータを測定する等価回路パラメータ測定装置、および等価回路パラメータ測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の等価回路パラメータ測定装置として、下記特許文献１に開示された等価回路パラメータ生成装置が知られている。この等価回路パラメータ生成装置では、はじめに、モデリングしたい測定対象物の周波数特性をインピーダンスメータ等の測定器で測定し（ステップＳ１）、使用する等価回路を選択し（ステップＳ２）、当該周波数特性に応じて次数ｍ、ｎ、及び個数Ｎｃ、Ｎｓを決定する（ステップＳ３）。等価回路は、例えば、一般的な等価回路であるＦｏｓｔｅｒの第１回路、及びＦｏｓｔｅｒの第２回路等から選択される。
【０００３】
続いて、最小自乗近似を実行する前に、各素子の素子値が負とならないような拘束条件を決定する（ステップＳ４）。そして、その拘束条件下で、最小自乗近似を行う（ステップＳ５）。最後に、ステップＳ５で算出された留数を用いて、選択した等価回路における各集中定数素子の素子値である等価回路パラメータを生成する（ステップＳ６）。
【０００４】
この等価回路パラメータ生成装置によれば、事前に決定された拘束条件下で最小自乗近似を行うことにより、負の素子値を含まない等価回路パラメータを生成することができる等の効果を奏することが可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３４６８３号公報（第８−１７頁、第３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記した等価回路パラメータ生成装置では、等価回路パラメータを生成するに際して、オペレータがモデリングしたい測定対象物としての電子部品の等価回路を予め選択する必要がある。このため、この等価回路パラメータ生成装置には、オペレータが誤った等価回路を選択するおそれがあり、この場合には、電子部品の等価回路を正確に生成できないという解決すべき課題が存在している。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、電子部品の等価回路を正確に測定し得る等価回路パラメータ測定装置、および等価回路パラメータ測定方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている。
【０００９】
また、請求項２記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第１等価回路についての第１評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第１評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第２等価回路についての第２評価値を算出し、当該第１等価回路および当該第２等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する。
【００１０】
また、請求項３記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項１または２記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、前記電子部品の等価回路を、前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１１】
また、請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている。
【００１２】
また、請求項５記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第３等価回路についての第３評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第３評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第４等価回路についての第４評価値を算出し、当該第３等価回路および当該第４等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する。
【００１３】
また、請求項６記載の等価回路パラメータ測定装置は、請求項４または５記載の等価回路パラメータ測定装置において、前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、前記電子部品の等価回路を、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１４】
また、請求項７記載の等価回路パラメータ測定方法は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【００１５】
また、請求項８記載の等価回路パラメータ測定方法は、容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項７記載の等価回路パラメータ測定方法によれば、電子部品についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各容量、抵抗およびインダクタンスのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる電子部品についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、電子部品についての等価回路が第１等価回路または第２等価回路のときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【００１７】
また、極大極小検出処理において極大点のみが検出されたときに、第１等価回路および第２等価回路のいずれかが電子部品の等価回路であると特定して、この等価回路の特定成分についての実測特定周波数特性と、第１等価回路の上記特定成分についての理論第１周波数特性と、第２等価回路の上記特定成分についての理論第２周波数特性とを算出し、第１等価回路および第２等価回路のうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を電子部品の等価回路として特定することにより、第１等価回路および第２等価回路の位相についての理論値の周波数特性と位相の実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に電子部品の等価回路を特定することができる。
【００１８】
請求項２記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値およびこの差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出し、この差分値に基づいて各評価値を算出することにより、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第１評価値を算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第２評価値を算出することができる。したがって、両評価値に基づいて、第１等価回路および第２等価回路のうちから電子部品の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【００１９】
請求項３記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項６記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときには、実際に測定した位相についての実測周波数特性を使用して、電子部品についての等価回路を特定することができるため、位相以外のコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのような他の特定成分についての実測周波数特性をインピーダンスおよび位相の各実測周波数特性に基づいて算出する実測特定周波数特性算出処理を省くことができる結果、最終的な等価回路についてのパラメータ値を算出するまでに要する時間を短縮することができる。
【００２０】
請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置および請求項８記載の等価回路パラメータ測定方法によれば、電子部品についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各容量、抵抗およびインダクタンスのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる電子部品についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、電子部品についての等価回路が第３等価回路または第４等価回路のときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【００２１】
また、極大極小検出処理において極小点のみが検出されたときに、第３等価回路および第４等価回路のいずれかが電子部品の等価回路であると特定して、この等価回路の特定成分についての実測特定周波数特性と、第３等価回路の上記特定成分についての理論第３周波数特性と、第４等価回路の上記特定成分についての理論第４周波数特性とを算出し、第３等価回路および第４等価回路のうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を電子部品の等価回路として特定することにより、第３等価回路および第４等価回路の位相についての理論値の周波数特性と位相の実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に電子部品の等価回路を特定することができる。
【００２２】
請求項５記載の等価回路パラメータ測定装置によれば、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値およびこの差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出し、この差分値に基づいて各評価値を算出することにより、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第３評価値を算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第４評価値を算出することができる。したがって、両評価値に基づいて、第３等価回路および第４等価回路のうちから電子部品の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】等価回路パラメータ測定装置１の構成図である。
【図２】第１等価回路Ａの回路図である。
【図３】第２等価回路Ｂの回路図である。
【図４】第３等価回路Ｃの回路図である。
【図５】第４等価回路Ｄの回路図である。
【図６】第５等価回路Ｅの回路図である。
【図７】パラメータ測定処理２０のフローチャートである。
【図８】パラメータ算出処理５０（パラメータ算出処理Ａ）のフローチャートである。
【図９】パラメータ算出処理６０（パラメータ算出処理Ｂ）のフローチャートである。
【図１０】パラメータ算出処理７０（パラメータ算出処理Ｃ）のフローチャートである。
【図１１】パラメータ算出処理８０（パラメータ算出処理Ｄ）のフローチャートである。
【図１２】パラメータ算出処理９０（パラメータ算出処理Ｅ）のフローチャートである。
【図１３】試料７の等価回路が第１等価回路Ａに近いものであるときのレジスタンスｒとリアクタンスＸの各周波数特性の概要図である。
【図１４】試料７の等価回路が第２等価回路Ｂに近いものであるときのレジスタンスｒとリアクタンスＸの各周波数特性の概要図である。
【図１５】試料７の等価回路が第３等価回路Ｃに近いものであるときのコンダクタンスＧとサセプタンスＢの各周波数特性の概要図である。
【図１６】試料７の等価回路が第４等価回路Ｄに近いものであるときのコンダクタンスＧとサセプタンスＢの各周波数特性の概要図である。
【図１７】試料７の等価回路が第５等価回路Ｅに近いものであるときのインピーダンスＺと位相θの各周波数特性の概要図である。
【図１８】試料７の一具体例でのインピーダンスＺと位相θの各実測周波数特性を示す周波数特性図である。
【図１９】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路Ａでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第１周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２０】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第２周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２１】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路ＡでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２２】図１８の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路ＢでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２３】試料７の他の具体例でのインピーダンスＺと位相θの各実測周波数特性を示す周波数特性図である。
【図２４】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路Ａでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第１周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２５】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論第２周波数特性（破線で示す特性）、並びにリアクタンスＸについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２６】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第１等価回路ＡでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【図２７】図２３の実測周波数特性に基づいて算出された第２等価回路ＢでのインピーダンスＺについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）、並びに位相θについての実測特定周波数特性（実線で示す特性）および理論周波数特性（破線で示す特性）を示す周波数特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、等価回路パラメータ測定装置１および等価回路パラメータ測定方法の実施の形態について説明する。
【００２５】
最初に、等価回路パラメータ測定装置１（以下、「測定装置１」ともいう）の構成について、図面を参照して説明する。
【００２６】
測定装置１は、図１に示すように、測定部２、操作部３、記憶部４、処理部５および出力部６を備え、測定部２に接続された測定対象としての試料７の等価回路についての各パラメータを測定可能に構成されている。本例では、測定装置１は、電子部品（コア損失の大きいコイル、コア損失の小さいコイル（または抵抗値の小さい抵抗）、抵抗値の大きい抵抗、コンデンサ、圧電素子）を試料７として、それぞれに予め規定された等価回路の各パラメータ（容量Ｃ（直列容量Ｃｓおよび／または並列容量Ｃｐ）、インダクタンスＬおよび抵抗Ｒ）のパラメータ値Ｃｖ（Ｃｓｖおよび／またはＣｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖを算出するものとする。
【００２７】
なお、コア損失の大きいコイルは、図２に示す等価回路（インダクタンスＬ、容量（並列容量Ｃｐ）および抵抗Ｒが並列に接続された第１等価回路Ａ））で表され、コア損失の小さいコイルは、図３に示す等価回路（インダクタンスＬおよび抵抗Ｒからなる直列回路に容量（並列容量Ｃｐ）が並列に接続された第２等価回路Ｂ）で表される。また、抵抗値の大きい抵抗は、図４に示す等価回路（容量（並列容量Ｃｐ）および抵抗Ｒからなる並列回路にインダクタンスＬが直列に接続された第３等価回路Ｃ）で表され、コンデンサは、図５に示す等価回路（インダクタンスＬ、容量（直列容量Ｃｓ）および抵抗Ｒが直列に接続された第４等価回路Ｄ）で表され、圧電素子は、図６に示す等価回路（容量（直列容量Ｃｓ）、抵抗ＲおよびインダクタンスＬからなる直列回路に他の容量（並列容量Ｃｐ）が並列に接続された第５等価回路Ｅ）で表されるものとする。
【００２８】
測定部２は、各プローブ２ａを介して試料７を接続可能に構成されて、予め規定された周波数帯域での試料７についてのインピーダンスＺの周波数特性および位相θの周波数特性を測定し、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺ、および位相θの周波数特性を示す周波数特性データＤθを処理部５に出力する。また、測定部２は、インピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性の測定、および各周波数特性データＤＺ，Ｄθの処理部５への出力については、処理部５からの要求に応じて実行する。
【００２９】
操作部３は、例えば操作キー（図示せず）を複数備え、操作された操作キーに予め割り当てられた処理を処理部５に対して実行させるための命令データＤｃｍｄを処理部５に出力する。記憶部４は、ＲＡＭなどの半導体メモリや、ＨＤＤ（Hard disk drive）で構成されて、周波数特性データＤＺ，Ｄθ、およびパラメータ値Ｃｖ（Ｃｓｖ，Ｃｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖなどを記憶する。
【００３０】
処理部５は、例えばＣＰＵで構成されて、測定部２に対する制御を実行すると共に、パラメータ測定処理を実行する。また、処理部５は、パラメータ測定処理において特定した試料７の等価回路（第１等価回路Ａ〜第５等価回路Ｅのいずれか）を示すマークＭと、この特定した等価回路について測定したパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを出力部６に出力する。出力部６は、一例として、液晶ディスプレイなどの表示装置で構成されて、マークＭおよびパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを画面に表示する。本例では等価回路を示すマークＭとして、第１等価回路Ａの場合には記号「Ａ」を、第２等価回路Ｂの場合には記号「Ｂ」を、第３等価回路Ｃの場合には記号「Ｃ」を、第４等価回路Ｄの場合には記号「Ｄ」を、第５等価回路Ｅの場合には記号「Ｅ」を処理部５が出力し、また出力部６が画面に表示するものとする。
【００３１】
なお、表示装置に代えて、外部装置（外部記憶媒体などの外部記憶装置を含む）とのインターフェース回路で出力部６を構成して、この外部装置にマークＭおよびパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖを出力することもできる。
【００３２】
次いで、測定装置１による試料７についての等価回路の各パラメータＣ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定動作と共に、試料７についての等価回路のパラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定方法について図面を参照して説明する。
【００３３】
まず、等価回路が未知である試料７が各プローブ２ａを介して測定部２に接続されている状態において、処理部５は、操作キーに対する操作が行われた操作部３から命令データＤｃｍｄ（パラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定を指示する命令データ）を入力したときに、図７に示すパラメータ測定処理２０を実行する。
【００３４】
このパラメータ測定処理２０では、処理部５は、まず、周波数特性実測処理を実行する（ステップ２１）。この周波数特性実測処理において、処理部５は、測定部２に対して、試料７についてのインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性（予め規定された周波数帯域内での周波数特性）を測定（実測）させる。また、処理部５は、測定部２に対して、測定したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を示す周波数特性データＤＺ，Ｄθを処理部５に出力させる。処理部５は、測定部２から出力される周波数特性データＤＺ，Ｄθを取得して、記憶部４に記憶させる。これにより、周波数特性実測処理が完了する。
【００３５】
次いで、処理部５は、極大極小検出処理を実行する（ステップ２２）。この極大極小検出処理では、処理部５は、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、このインピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点を検出する。
【００３６】
この場合、試料７の等価回路が上記した第１等価回路Ａに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１３に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極大点のみが検出される。また、試料７の等価回路が上記した第２等価回路Ｂに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１４に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極大点のみが検出される。
【００３７】
また、試料７の等価回路が上記した第３等価回路Ｃに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１５に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極小点のみが検出される。また、試料７の等価回路が上記した第４等価回路Ｄに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方は、図１６に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似している。すなわち、インピーダンスＺの周波数特性には、極小点のみが検出される。ただし、コンダクタンスＧは、インピーダンスＺの逆数であるアドミタンスの実数成分であるため、図１５，１６に示されるコンダクタンスＧの極大点はインピーダンスＺの極小点に対応する周波数に出現する。
【００３８】
また、試料７の等価回路が上記した第５等価回路Ｅに近いものであるときには、インピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点は、図１７に示すように出現する。すなわち、極大点および極小点が検出される。
【００３９】
続いて、処理部５は、ステップ２２の極大極小検出処理で検出した極大点および極小点の状態を判別して（ステップ２３）、試料７の等価回路についての最初の特定処理（一次特定）を実行する。
【００４０】
具体的には、処理部５は、ステップ２３での判別の結果、極大点のみを検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極大点のみが存在している状態のとき）には、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、その極大点の出現の仕方が図１３，１４に示すレジスタンスｒの周波数特性における極大点の出現の仕方に近似しているため、試料７の等価回路は、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【００４１】
また、処理部５は、ステップ２３での極大点および極小点の状態の判別の結果、極小点のみを検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極小点のみが存在している状態のとき）には、他の一次等価回路特定処理（ステップ３０）を実行して、その極小点の出現の仕方が図１５，１６に示すコンダクタンスＧの周波数特性における極大点の出現の仕方に近似しているため（ただし、上記したように、コンダクタンスＧは、インピーダンスＺの逆数であるアドミタンスの実数成分であるため、コンダクタンスＧの極大点がインピーダンスＺの極小点に対応する）、試料７の等価回路は、第３等価回路Ｃ（図４参照）および第４等価回路Ｄ（図５参照）のいずれかであると特定する。
【００４２】
また、処理部５は、ステップ２３での極大点および極小点の状態の判別の結果、極大点および極小点を検出したとき（インピーダンスＺの周波数特性に極大点および極小点が存在している状態のとき）には、他の一次等価回路特定処理（ステップ３６）を実行して、その極大点および極小点の出現の仕方が図１７に示すインピーダンスＺの周波数特性における極大点および極小点の出現の仕方に近似しているため、試料７の等価回路は、第５等価回路Ｅであると特定する。
【００４３】
以下では、まず、処理部５が、ステップ２３において極大点のみを検出したときの動作について説明する。
【００４４】
この場合、処理部５は、一次等価回路特定処理を実行して、極大点のみを検出したことをもって、試料７の等価回路が第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかであると特定（仮特定）する（ステップ２４）。
【００４５】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢを実行する（ステップ２５）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢでは、まず、図８に示すパラメータ算出処理５０をパラメータ算出処理Ａとして実行して、試料７の等価回路を第１等価回路Ａとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００４６】
このパラメータ算出処理Ａでは、処理部５は、まず、ｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ５１）。このｒ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のレジスタンスｒ（インピーダンスＺの実数成分（｜Ｚ｜×ｃｏｓθ））の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤｒを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、算出した周波数特性データＤｒに基づいて、レジスタンスｒが最大となる周波数（並列共振周波数ｆｐ）、およびレジスタンスｒの最大値ｒｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ｒ周波数特性算出処理が完了する。
【００４７】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ５２）。このＱ算出処理では、処理部５は、レジスタンスｒについての周波数特性データＤｒ、および最大値ｒｍａｘに基づいて、並列共振周波数ｆｐについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、レジスタンスｒが最大値ｒｍａｘの１／２となる点での周波数であり、並列共振周波数ｆｐを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および並列共振周波数ｆｐに基づいて、Ｑ（＝ｆｐ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００４８】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ５３）。このＲ算出処理では、処理部５は、第１等価回路Ａについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、最大値ｒｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００４９】
次いで、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ５４）。このＣ算出処理では、処理部５は、最大値ｒｍａｘ、並列共振周波数ｆｐおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｐ×ｒｍａｘ）を算出して、第１等価回路Ａについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００５０】
続いて、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ５５）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｐｖおよび並列共振周波数ｆｐに基づいて、１／｛（２×π×ｆｐ）２×Ｃｐｖ｝を算出して、第１等価回路ＡについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了し、併せて、パラメータ測定処理Ａも完了する。
【００５１】
また、処理部５は、図９に示すパラメータ算出処理６０をパラメータ算出処理Ｂとして実行して、試料７の等価回路を第２等価回路Ｂとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００５２】
このパラメータ算出処理Ｂでは、処理部５は、まず、ｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ６１）。なお、ステップ２５でのパラメータ算出処理Ａ，Ｂの実行順は任意であるが、本例のように、パラメータ算出処理Ａ，Ｂのいずれか一方が既に完了しているときには、処理内容が同一のｒ周波数特性算出処理も既に完了していることになる。このため、この場合には、パラメータ算出処理Ａ，Ｂのうちの後に実行する処理では、処理部５は、このｒ周波数特性算出処理を省略する。
【００５３】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ６２）。このＱ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＡでのＱ算出処理と同一の処理内容である。このため、ｒ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｑ算出処理もパラメータ算出処理Ａで既に完了している。したがって、本例では、処理部５は、このＱ算出処理を省略する。
【００５４】
続いて、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ６３）。このＣ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＡでのＣ算出処理と同一の処理内容である。このため、ｒ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｃ算出処理もパラメータ算出処理Ａで既に完了している。したがって、処理部５は、このＱ算出処理では、パラメータ算出処理Ａのステップ５４において算出したパラメータ値Ｃｐｖ（＝Ｑ／（２×π×ｆｐ×ｒｍａｘ））を、第２等価回路Ｂついての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００５５】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ６４）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｐｖ、Ｑおよび並列共振周波数ｆｐに基づいて、２×Ｑ２／｛（２×π×ｆｐ）２×Ｃｐｖ×（２×Ｑ２−１）｝を算出して、第２等価回路ＢについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００５６】
続いて、処理部５は、ＧＢ算出処理を実行する（ステップ６５）。このＧＢ算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、最も低い周波数（各周波数特性データＤＺ，Ｄθの周波数帯域での下限周波数）である周波数ｆＬでのコンダクタンスＧＬ（＝ｃｏｓθ／｜Ｚ｜）およびサセプタンスＢＬ（＝−ｓｉｎθ／｜Ｚ｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ＧＢ算出処理が完了する。
【００５７】
次いで、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ６６）。このＲ算出処理では、処理部５は、各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ、周波数ｆＬ、コンダクタンスＧＬおよびサセプタンスＢＬに基づいて、２×π×ｆＬ×ＧＬ×Ｌｖ／（２×π×ｆＬ×Ｃｐｖ−ＢＬ）を算出して、第２等価回路Ｂについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了し、併せて、パラメータ測定処理Ｂも完了する。これにより、パラメータ算出処理ＡＢが完了する。
【００５８】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ２６）。この実測特定周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての周波数特性（実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づく実測特定周波数特性）を算出する。
【００５９】
本例では、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理Ａ（またはＢ）において、ｒ周波数特性算出処理を実行して、試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて既に算出している。このため、本例では、一例として、レジスタンスｒを特定成分として規定して、算出済みの周波数特性データＤｒを特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用することにより、実測特定周波数特性算出処理を省略している。なお、レジスタンスｒを特定成分として規定せずに、コンダクタンスＧ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかを特定成分として規定する構成としたときには、処理部５は、この実測特定周波数特性算出処理において、実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、特定成分として規定したコンダクタンスＧ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかについての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データを算出して、記憶部４に記憶させる。
【００６０】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ２７）。この理論特定周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した第１等価回路Ａの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例では上記したようにレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【００６１】
また、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理において、ステップ２５で実行したパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した第２等価回路Ｂの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（レジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【００６２】
次いで、処理部５は、二次等価回路特定処理を実行する（ステップ２８）。この二次等価回路特定処理では、処理部５は、上記のようにして算出した実測特定周波数特性および理論第１周波数特性を比較すると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性を比較することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【００６３】
具体的には、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第１周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、各周波数におけるレジスタンスｒ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤｒで示される値）と理論値（第１周波数特性データＤｒＡで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出し、記憶部４に記憶させる。本例では、一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤｒの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第１評価値ＤＶＡとして算出する。
【００６４】
また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第２周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、各周波数におけるレジスタンスｒ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤｒで示される値）と理論値（第２周波数特性データＤｒＢで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第１評価値ＤＶＡを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出し、記憶部４に記憶させる。このため、第２評価値ＤＶＢについても、第１評価値ＤＶＡと同様にして、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤｒの個数で除算した平均値（積分値の平均）を使用する。
【００６５】
次いで、処理部５は、第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を、上記の実測特定周波数特性により近似する周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【００６６】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ２９）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（第１等価回路Ａまたは第２等価回路Ｂ）についてパラメータ算出処理ＡＢにおいて算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（Ｃｐｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第１等価回路Ａに特定したときには、記号「Ａ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において極大点のみを検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定処理が完了する。
【００６７】
次に、処理部５が、ステップ２３において極小点のみを検出したときの動作について説明する。
【００６８】
この場合、処理部５は、一次等価回路特定処理を実行して、極小点のみを検出したことをもって、試料７の等価回路が第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかであると特定（仮特定）する（ステップ３０）。
【００６９】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＣＤを実行する（ステップ３１）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＣＤでは、まず、図１０に示すパラメータ算出処理７０をパラメータ算出処理Ｃとして実行して、試料７の等価回路を第３等価回路Ｃとしたときの各パラメータ（並列容量Ｃｐ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００７０】
パラメータ算出処理Ｃでは、処理部５は、まず、Ｇ周波数特性算出処理を実行する（ステップ７１）。このＧ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のコンダクタンスＧ（アドミタンスＹの実数成分（ｃｏｓθ／｜Ｚ｜））の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤＧを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、算出した周波数特性データＤＧに基づいて、コンダクタンスＧが最大となる周波数（直列共振周波数ｆｓ）、およびコンダクタンスＧの最大値Ｇｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｇ周波数特性算出処理が完了する。
【００７１】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ７２）。このＱ算出処理では、処理部５は、コンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧ、および最大値Ｇｍａｘに基づいて、直列共振周波数ｆｓについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、コンダクタンスＧが最大値Ｇｍａｘの１／２となる点での周波数であり、直列共振周波数ｆｓを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および直列共振周波数ｆｓに基づいて、Ｑ（＝ｆｓ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００７２】
続いて、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ７３）。このＬ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｓ×Ｇｍａｘ）を算出して、第３等価回路ＣについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００７３】
次いで、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ７４）。このＣ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｌｖ、Ｑおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、２×Ｑ２／｛（２×π×ｆｓ）２×Ｌｖ×（２×Ｑ２−１）｝を算出して、第３等価回路Ｃについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了する。
【００７４】
次いで、処理部５は、ｒＸ算出処理を実行する（ステップ７５）。このｒＸ算出処理では、処理部５は、取得した周波数特性データＤＺ，Ｄθのうちの最も低い周波数（各周波数特性データＤＺ，Ｄθの周波数帯域での下限周波数）である周波数ｆＬでのレジスタンスｒＬ（＝｜Ｚ｜×ｃｏｓθ）およびリアクタンスＸＬ（＝｜Ｚ｜×ｓｉｎθ）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、ｒＸ算出処理が完了する。
【００７５】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ７６）。このＲ算出処理では、処理部５は、パラメータ値Ｃｖ，Ｌｖ、周波数ｆＬ、並びに算出したレジスタンスｒＬおよびリアクタンスＸＬに基づいて、（２×π×ｆＬ×Ｌｖ−ＸＬ）／（２×π×ｆＬ×ｒＬ×Ｃｖ）を算出して、第３等価回路Ｃについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｃも完了する。
【００７６】
また、処理部５は、図１１に示すパラメータ算出処理８０をパラメータ算出処理Ｄとして実行して、試料７の等価回路を第４等価回路Ｄとしたときの各パラメータ（直列容量Ｃｓ，インダクタンスＬ，抵抗Ｒ）についてのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを算出する。
【００７７】
このパラメータ算出処理Ｄでは、処理部５は、まず、Ｇ周波数特性算出処理を実行する（ステップ８１）。なお、ステップ３１でのパラメータ算出処理Ｃ，Ｄの実行順は任意であるが、本例のように、パラメータ算出処理Ｃ，Ｄのいずれか一方が既に完了しているときには、処理内容が同一のＧ周波数特性算出処理も既に完了していることになる。このため、この場合には、パラメータ算出処理Ｃ，Ｄのうちの後に実行する処理では、処理部５は、このＧ周波数特性算出処理を省略する。
【００７８】
次いで、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ８２）。このＱ算出処理は、上記したパラメータ算出処理ＣでのＱ算出処理と同一の処理内容である。このため、Ｇ周波数特性算出処理のときと同様にして、Ｑ算出処理もパラメータ算出処理Ｃで既に完了している。したがって、処理部５は、このＱ算出処理を省略する。
【００７９】
続いて、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ８３）。このＲ算出処理では、処理部５は、第４等価回路Ｄについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、１／Ｇｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００８０】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ８４）。このＬ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｑ／（２×π×ｆｓ×Ｇｍａｘ）を算出して、第４等価回路ＤについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【００８１】
続いて、処理部５は、Ｃ算出処理を実行する（ステップ８５）。このＣ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｌｖおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、１／｛（２×π×ｆｓ）２×Ｌｖ｝を算出して、第４等価回路Ｄについての直列容量Ｃｓのパラメータ値Ｃｓｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｄも完了する。また、パラメータ算出処理ＣＤも完了する。
【００８２】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ３２）。この実測特定周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての周波数特性（実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づく実測特定周波数特性）を算出する。
【００８３】
本例では、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて、Ｇ周波数特性算出処理を実行して、試料７のコンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧを、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて既に算出している。このため、本例では、一例として、コンダクタンスＧを特定成分として規定して、算出済みの周波数特性データＤＧを特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用することにより、実測特定周波数特性算出処理を省略している。なお、コンダクタンスＧを特定成分として規定せずに、レジスタンスｒ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかを特定成分として規定する構成としたときには、処理部５は、この実測特定周波数特性算出処理において、実測値の周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、特定成分として規定したレジスタンスｒ、サセプタンスＢおよびリアクタンスＸのいずれかについての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データを算出して、記憶部４に記憶させる。
【００８４】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理を実行する（ステップ３３）。この理論特定周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて算出した第３等価回路Ｃの各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第３等価回路Ｃの特定成分（本例では上記したようにコンダクタンスＧ）についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第３周波数特性データＤＧＣを記憶部４に記憶させる。
【００８５】
また、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理において、ステップ３１で実行したパラメータ算出処理ＣＤにおいて算出した第４等価回路Ｄの各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第４等価回路Ｄの特定成分（本例ではコンダクタンスＧ）についての理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第４周波数特性データＤＧＤを記憶部４に記憶させる。
【００８６】
次いで、処理部５は、二次等価回路特定処理を実行する（ステップ３４）。この二次等価回路特定処理では、処理部５は、上記のようにして算出した実測特定周波数特性および理論第３周波数特性を比較すると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性を比較することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【００８７】
具体的には、処理部５は、実測特定周波数特性としてのコンダクタンスＧの周波数特性を示す周波数特性データＤＧおよび理論第３周波数特性としてのコンダクタンスＧについての理論値の周波数特性を示す第３周波数特性データＤＧＣに基づいて、各周波数におけるコンダクタンスＧ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤＧで示される値）と理論値（第３周波数特性データＤＧＣで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての第３評価値ＤＶＣを算出し、記憶部４に記憶させる。本例では、一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤＧの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第３評価値ＤＶＣとして算出する。
【００８８】
また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのコンダクタンスＧの周波数特性を示す周波数特性データＤＧおよび理論第４周波数特性としてのコンダクタンスＧについての理論値の周波数特性を示す第４周波数特性データＤＧＤに基づいて、各周波数におけるコンダクタンスＧ（特定成分）の実測値（周波数特性データＤＧで示される値）と理論値（第４周波数特性データＤＧＤで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第３評価値ＤＶＣを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての第４評価値ＤＶＤを算出し、記憶部４に記憶させる。このため、第４評価値ＤＶＤについても、第３評価値ＤＶＣと同様にして、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤＧの個数で除算した平均値（積分値の平均）を使用する。
【００８９】
次いで、処理部５は、第３評価値ＤＶＣと第４評価値ＤＶＤとを比較して、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちの算出した評価値の小さい等価回路を、上記の実測特定周波数特性により近似する周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【００９０】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ３５）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ（またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（ＣｐｖまたはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第３等価回路Ｃに特定したときには、記号「Ｃ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において極小点のみを検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐ（またはＣｓ），Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ（またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖの測定処理が完了する。
【００９１】
次に、処理部５が、ステップ２３において極大点および極小点を検出したときの動作について説明する。
【００９２】
この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥを実行する（ステップ３６）。この場合、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥとして、試料７の等価回路を、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅであると順次特定しつつ、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値をそれぞれ算出して、記憶部４に記憶させる。
【００９３】
具体的には、第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ａ（図８参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｂ（図９参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第３等価回路Ｃについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｃ（図１０参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。また、第４等価回路Ｄについての各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、処理部５は、上記したパラメータ算出処理Ｄ（図１１参照）を実行して算出し、記憶部４に記憶させる。
【００９４】
また、第５等価回路Ｅについての各パラメータＣｐ，Ｃｓ，Ｌ，Ｒの各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖについては、図１２に示すパラメータ算出処理９０（パラメータ算出処理Ｅ）を実行して算出する。なお、パラメータ算出処理Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄについては、既に説明したため、以下では、パラメータ算出処理Ｅについて説明する。
【００９５】
このパラメータ算出処理Ｅでは、処理部５は、まず、Ｇｒ周波数特性算出処理を実行する（ステップ９１）。このＧｒ周波数特性算出処理では、処理部５は、実測したインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のコンダクタンスＧ（ｃｏｓθ／｜Ｚ｜）の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤＧを記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、各周波数特性データＤＺ，Ｄθに基づいて、試料７のレジスタンスｒ（｜Ｚ｜×ｃｏｓθ）の周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す周波数特性データＤｒを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｇｒ周波数特性算出処理が完了する。
【００９６】
次いで、処理部５は、直列・並列共振周波数検出処理を実行する（ステップ９２）。この直列・並列共振周波数検出処理では、処理部５は、Ｇｒ周波数特性算出処理において算出した周波数特性データＤＧに基づいて、コンダクタンスＧが最大となる周波数（直列共振周波数ｆｓ）、およびコンダクタンスＧの最大値Ｇｍａｘを検出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、Ｇｒ周波数特性算出処理において算出した周波数特性データＤｒに基づいて、レジスタンスｒが最大となる周波数（並列共振周波数ｆｐ）を検出して、記憶部４に記憶させる。これにより、直列・並列共振周波数検出処理が完了する。
【００９７】
続いて、処理部５は、Ｑ算出処理を実行する（ステップ９３）。このＱ算出処理では、処理部５は、コンダクタンスＧについての周波数特性データＤＧ、および最大値Ｇｍａｘに基づいて、直列共振周波数ｆｓについての象限周波数ｆ１，ｆ２（ｆ２＞ｆ１）を検出して、記憶部４に記憶させる。象限周波数ｆ１，ｆ２は、コンダクタンスＧが最大値Ｇｍａｘの１／２となる点での周波数であり、直列共振周波数ｆｓを挟んで低域側と高域側とに現れる周波数である。次いで、処理部５は、象限周波数ｆ１，ｆ２および直列共振周波数ｆｓに基づいて、Ｑ（＝ｆｓ／｜ｆ２−ｆ１｜）を算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、Ｑ算出処理が完了する。
【００９８】
次いで、処理部５は、Ｒ算出処理を実行する（ステップ９４）。このＲ算出処理では、処理部５は、第５等価回路Ｅについての抵抗Ｒのパラメータ値Ｒｖとして、１／Ｇｍａｘを記憶部４に記憶させる。これにより、Ｒ算出処理が完了する。
【００９９】
続いて、処理部５は、Ｃｓ算出処理を実行する（ステップ９５）。このＣｓ算出処理では、処理部５は、最大値Ｇｍａｘ、直列共振周波数ｆｓおよびＱに基づいて、Ｇｍａｘ／（２×π×ｆｓ×Ｑ））を出して、第５等価回路Ｅについての直列容量Ｃｓのパラメータ値Ｃｓｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃｓ算出処理が完了する。
【０１００】
次いで、処理部５は、Ｌ算出処理を実行する（ステップ９６）。このＬ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータＣｓのパラメータ値Ｃｓｖ、および直列共振周波数ｆｓに基づいて、１／（４×π２×ｆｓ２×Ｃｓｖ）を算出して、第５等価回路ＥについてのインダクタンスＬのパラメータ値Ｌｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｌ算出処理が完了する。
【０１０１】
続いて、処理部５は、Ｃｐ算出処理を実行する（ステップ９７）。このＣｐ算出処理では、処理部５は、算出したパラメータ値Ｃｓｖ、並列共振周波数ｆｐおよび直列共振周波数ｆｓに基づいて、ｆｓ２×Ｃｓｖ／（ｆｐ２−ｆｓ２）を算出して、第５等価回路Ｅについての並列容量Ｃｐのパラメータ値Ｃｐｖとして記憶部４に記憶させる。これにより、Ｃｐ算出処理が完了し、併せて、パラメータ算出処理Ｅも完了する。また、これにより、パラメータ算出処理ＡＢＣＤＥについても完了する。
【０１０２】
次いで、処理部５は、理論位相周波数特性算出処理を実行する（ステップ３７）。この理論位相周波数特性算出処理では、処理部５は、ステップ３６で算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤθＡを記憶部４に記憶させる。
【０１０３】
同様にして、処理部５は、ステップ３６で算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第２周波数特性データＤθＢを算出して、記憶部４に記憶させ、ステップ３６で算出した第３等価回路Ｃについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第３等価回路Ｃの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第３周波数特性データＤθＣを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、ステップ３６で算出した第４等価回路Ｄについての各パラメータＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第４等価回路Ｃの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第４周波数特性データＤθＤを算出して、記憶部４に記憶させ、ステップ３６で算出した第５等価回路Ｅについての各パラメータＣｐ，Ｃｓ，Ｌ，Ｒの各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第５等価回路Ｅの位相θについての理論値の周波数特性である理論周波数特性を示す第５周波数特性データＤθＥを算出して、記憶部４に記憶させる。これにより、理論位相周波数特性算出処理が完了する。
【０１０４】
続いて、処理部５は、等価回路特定処理を実行する（ステップ３８）。この等価回路特定処理では、処理部５は、理論位相周波数特性算出処理において算出した第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅの位相θについての各理論位相周波数特性と、ステップ２１の周波数特性実測処理において実測した位相θの実測周波数特性とを比較することにより、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅのうちから、実測周波数特性に最も近似する（最も近い）周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定する。
【０１０５】
具体的には、処理部５は、実測した位相θの周波数特性を示す周波数特性データＤθ、および第１等価回路Ａの位相θについての理論周波数特性を示す第１周波数特性データＤθＡに基づいて、各周波数における位相θの実測値（周波数特性データＤθで示される値）と理論値（第１周波数特性データＤθＡで示される値）との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に、算出した差分値に基づいて第１等価回路Ａについての位相θに関する第１評価値ＤＶθＡを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では一例として、差分の自乗の積算値の平方根を差分値として算出し、この差分値を周波数特性データＤθの個数で除算した平均値（積分値の平均）を第１評価値ＤＶθＡとして算出する。なお、以下において算出する各評価値ＤＶθＢ，ＤＶθＣ，ＤＶθＤ，ＤＶθＥについても、第１評価値ＤＶθＡと同様にして、上記の平均値を使用する。
【０１０６】
同様にして、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第２等価回路Ｂの位相θについての理論周波数特性を示す第２周波数特性データＤθＢに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第２周波数特性データＤθＢで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての位相θに関する第２評価値ＤＶθＢを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第３等価回路Ｃの位相θについての理論周波数特性を示す第３周波数特性データＤθＣに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第３周波数特性データＤθＣで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての位相θに関する第３評価値ＤＶθＣを算出して、記憶部４に記憶させる。
【０１０７】
また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第４等価回路Ｄの位相θについての理論周波数特性を示す第４周波数特性データＤθＤに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第４周波数特性データＤθＤで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての位相θに関する第４評価値ＤＶθＤを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測した周波数特性データＤθ、および第５等価回路Ｅの位相θについての理論周波数特性を示す第５周波数特性データＤθＥに基づいて、各周波数における位相θの実測値と理論値（第５波数特性データＤθＥで示される値）との差分から上記した差分値を算出すると共に、算出した差分値に基づいて第５等価回路Ｅについての位相θに関する第５評価値ＤＶθＥを算出して、記憶部４に記憶させる。
【０１０８】
また、処理部５は、等価回路特定処理（ステップ３８）において、算出した等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅについての位相θに関する各評価値ＤＶθＡ，ＤＶθＢ，ＤＶθＣ，ＤＶθＤ，ＤＶθＥを比較することにより、評価値の最も小さい等価回路を、上記の実測周波数特性に最も近似する（最も近い）周波数特性を有する等価回路として、試料７の等価回路に特定（最終特定）する。これにより、等価回路特定処理が完了する。
【０１０９】
続いて、処理部５は、パラメータ決定処理を実行する（ステップ３９）。このパラメータ決定処理では、処理部５は、ステップ３８での等価回路特定処理において特定した等価回路（第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅのうちのいずれか）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。また、処理部５は、決定した試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値Ｃｖ（Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ），Ｌｖ，Ｒｖと、特定した等価回路を示すマークＭ（例えば、第５等価回路Ｅに特定したときには、記号「Ｅ」）とを出力部６に出力する。これにより、パラメータ決定処理が完了し、併せて、ステップ２３において、極大点および極小点を検出した場合の試料７についての等価回路の各パラメータＣｐおよび／またはＣｓ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖおよび／またはＣｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖの測定が完了する。
【０１１０】
以下、等価回路パラメータ測定装置１による等価回路が未知の試料７についての等価回路パラメータの測定動作について、具体例を挙げて説明する。
【０１１１】
処理部５が、まず、パラメータ測定処理２０におけるステップ２１での周波数特性実測処理において、図１８に示すようなインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を実測したときには、ステップ２２において、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、極大値のみを検出する。
【０１１２】
次いで、処理部５は、ステップ２３において、極大点および極小点の検出状態を判別し、極大点のみが検出されているため、図７に示すステップ２４〜ステップ２９までの各処理を実行することにより、試料７についての等価回路を特定して、この等価回路についての各パラメータのパラメータ値を測定する。
【０１１３】
まず、処理部５は、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、極大点のみが検出されていることから、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【０１１４】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢ（ステップ２５）を実行して、第１等価回路Ａについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１４９．４ｋΩ），Ｃｐｖ（＝７．４８ｐＦ），Ｌｖ（＝３１．７ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させると共に、第２等価回路Ｂについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝６２２．２ｍΩ），Ｃｐｖ（＝７．４８ｐＦ），Ｌｖ（＝３５．１ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させる。なお、パラメータ算出処理ＡＢでは、上記した各パラメータ値の算出に際して、検出された並列共振周波数ｆｐ（＝３２６．７ｋＨｚ）およびｒｍａｘ（＝１４９．４ｋΩ）と、算出されたＱ（＝２．２９３）とが使用される。
【０１１５】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理（ステップ２６）を実行する。なお、本例では、上記したパラメータ算出処理ＡＢにおいて、ｒ周波数特性算出処理を実行して算出した試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用するため、実測特定周波数特性算出処理の実行を省略可能としている。この周波数特性データＤｒで示されるレジスタンスｒについての周波数特性は、図１９，２０において符号ｒを付して実線で示す。
【０１１６】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理（ステップ２７）を実行して、ステップ２５において算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性（図１９において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【０１１７】
また、処理部５は、ステップ２５において算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性（図２０において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【０１１８】
続いて、処理部５は、二次等価回路特定処理（ステップ２８）を実行して、レジスタンスｒの実測特定周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよびレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、レジスタンスｒの実測特定周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよびレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では、第１評価値ＤＶＡとして、１．７８８７０２×１０３が算出され、第２評価値ＤＶＢとして、３．１８５２８７×１０３が算出される。
【０１１９】
さらに、この二次等価回路特定処理では、処理部５は、算出された第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を試料７についての等価回路として特定する。本例では、第１等価回路Ａの第１評価値ＤＶＡの方が小さいため、第１等価回路Ａを試料７の等価回路として特定する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【０１２０】
次いで、処理部５は、パラメータ決定処理（ステップ２９）を実行して、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（本例では第１等価回路Ａ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。
【０１２１】
このようにして、レジスタンスｒの周波数特性に基づいて試料７の等価回路を第１等価回路Ａと特定した場合には、図１９に示す第１等価回路Ａでのレジスタンスｒの理論第１周波数特性（破線で示す周波数特性）を、図２０に示す第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒの理論第２周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図１９，２０において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができるのは勿論のこと、図１９に示す第１等価回路ＡでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）についても、図２０に示す第２等価回路ＢでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図１９，２０において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができる。また、この結果から、ステップ２６において、レジスタンスｒに代えてリアクタンスＸを特定成分として規定して使用できることが確認される。なお、例を挙げて説明はしないが、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢについても特定成分として規定することができるのは勿論である。
【０１２２】
また、パラメータ決定処理（ステップ２９）において決定した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを適用した第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂについて、インピーダンスＺおよび位相θについての理論値の各周波数特性を算出して、インピーダンスＺおよび位相θについての実測周波数特性と比較すると、第１等価回路Ａについては、図２１に示す結果となり、第２等価回路Ｂについては、図２２に示す結果となる。なお、各図共に、実線は実測周波数特性を示し、破線は理論値の周波数特性を示している。
【０１２３】
この場合、上記したレジスタンスｒのときと同様にして、位相θについて上記した差分値に基づく評価値を算出すると、第１等価回路Ａでの評価値は９．５０８４７８となり、第２等価回路Ｂでの評価値は４．４５８５３８となって、第２等価回路Ｂでの評価値の方が小さくなり、これらの評価値に基づけば、第２等価回路Ｂの方が試料７の等価回路として好ましい結果となるが、図２１，２２に示すように、インピーダンスＺについては、第１等価回路Ａの方が第２等価回路Ｂよりも、理論値の周波数特性が実測周波数特性に極めて近くなることから、インピーダンスＺおよび位相θの双方を勘案すれば（全体としては）、第１等価回路Ａを試料７の等価回路とするのが好ましい。
【０１２４】
このため、パラメータ測定処理２０において極大点および極小点が検出されたときに実行するステップ３６〜ステップ３９での処理（位相θに基づいて評価値を算出する処理）のときとは異なり、極大点のみが検出されたときの等価回路の特定（第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかを特定する場合）において、インピーダンスＺおよび位相θの双方に基づいて算出されるレジスタンスｒ、リアクタンスＸ、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢのいずれかを特定成分とすることにより、より好ましい等価回路を試料７の等価回路として特定することが可能となっている。
【０１２５】
また、等価回路パラメータ測定装置１による等価回路が未知の試料７の等価回路についての等価回路パラメータの測定動作について、他の具体例を挙げて説明する。
【０１２６】
処理部５が、まず、パラメータ測定処理２０におけるステップ２１での周波数特性実測処理において、図２３に示すようなインピーダンスＺおよび位相θの各周波数特性を実測したときには、ステップ２２において、インピーダンスＺの周波数特性を示す周波数特性データＤＺに基づいて、極大値のみを検出する。
【０１２７】
次いで、処理部５は、ステップ２３において、極大点および極小点の検出状態を判別し、極大点のみが検出されているため、図７に示すステップ２４〜ステップ２９までの各処理を実行することにより、試料７についての等価回路を特定すると共に、特定した等価回路についての各パラメータのパラメータ値を測定する。
【０１２８】
まず、処理部５は、一次等価回路特定処理（ステップ２４）を実行して、極大点のみが検出されていることから、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａ（図２参照）および第２等価回路Ｂ（図３参照）のいずれかであると特定する。
【０１２９】
次いで、処理部５は、パラメータ算出処理ＡＢ（ステップ２５）を実行して、第１等価回路Ａについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１２８．７ｋΩ），Ｃｐｖ（＝３１．３６ｐＦ），Ｌｖ（＝４０３．８ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させると共に、第２等価回路Ｂについての各パラメータＲ，Ｃｐ，Ｌのパラメータ値Ｒｖ（＝１２２．５Ω），Ｃｐｖ（＝３１．３６ｐＦ），Ｌｖ（＝６６０．５ｍＨ）を算出して、記憶部４に記憶させる。なお、パラメータ算出処理ＡＢでは、上記した各パラメータ値の算出に際して、検出された並列共振周波数ｆｐ（＝４４．７２ｋＨｚ）およびｒｍａｘ（＝１２８．７ｋΩ）と、算出されたＱ（＝１．１３４）とが使用される。
【０１３０】
続いて、処理部５は、実測特定周波数特性算出処理（ステップ２６）を実行する。なお、本例では、上記したパラメータ算出処理ＡＢにおいて、ｒ周波数特性算出処理を実行して算出した試料７のレジスタンスｒについての周波数特性データＤｒを、特定成分についての実測特定周波数特性を示す実測特定周波数特性データとして使用するため、実測特定周波数特性算出処理の実行を省略可能としている。この周波数特性データＤｒで示されるレジスタンスｒについての周波数特性は、図２４，２５において符号ｒを付して実線で示す。
【０１３１】
次いで、処理部５は、理論特定周波数特性算出処理（ステップ２７）を実行して、ステップ２５において算出した第１等価回路Ａについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第１等価回路Ａの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性（図２４において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡを記憶部４に記憶させる。
【０１３２】
また、処理部５は、ステップ２５において算出した第２等価回路Ｂについての各パラメータＣｐ，Ｌ，Ｒのパラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて、第２等価回路Ｂの特定成分（本例ではレジスタンスｒ）についての理論値の周波数特性である理論第２周波数特性（図２５において符号ｒを付して破線で示す）を算出すると共に、この周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢを記憶部４に記憶させる。
【０１３３】
続いて、処理部５は、二次等価回路特定処理（ステップ２８）を実行して、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第１周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第１周波数特性データＤｒＡに基づいて、第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出して、記憶部４に記憶させる。また、処理部５は、実測特定周波数特性としてのレジスタンスｒの周波数特性を示す周波数特性データＤｒおよび理論第２周波数特性としてのレジスタンスｒについての理論値の周波数特性を示す第２周波数特性データＤｒＢに基づいて、第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出して、記憶部４に記憶させる。本例では、第１評価値ＤＶＡとして、１０．４９×１０３が算出され、第２評価値ＤＶＢとして、２９７．８×１０３が算出される。
【０１３４】
さらに、この二次等価回路特定処理では、処理部５は、算出された第１評価値ＤＶＡと第２評価値ＤＶＢとを比較して、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちの算出した評価値の小さい等価回路を試料７についての等価回路として特定する。本例では、第１等価回路Ａの第１評価値ＤＶＡの方が小さいため、第１等価回路Ａを試料７の等価回路として特定する。これにより、二次等価回路特定処理が完了する。
【０１３５】
次いで、処理部５は、パラメータ決定処理（ステップ２９）を実行して、二次等価回路特定処理で特定した等価回路（本例では第１等価回路Ａ）についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを試料７の等価回路について最終的な各パラメータ値として決定する。
【０１３６】
このようにして、レジスタンスｒの周波数特性に基づいて試料７の等価回路を第１等価回路Ａと特定した場合には、図２４に示す第１等価回路Ａでのレジスタンスｒの理論第１周波数特性（破線で示す周波数特性）を、図２５に示す第２等価回路Ｂでのレジスタンスｒの理論第２周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図２４，２５において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができるのは勿論のこと、図２４に示す第１等価回路ＡでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）についても、図２５に示す第２等価回路ＢでのリアクタンスＸの理論周波数特性（破線で示す周波数特性）よりも実測周波数特性（図２４，２５において実線で示す周波数特性）に、より近似させることができる。また、この結果から、ステップ２６において、レジスタンスｒに代えてリアクタンスＸを特定成分として規定して使用できることが確認される。なお、例を挙げて説明はしないが、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢについても特定成分として規定することができるのは勿論である。
【０１３７】
また、パラメータ決定処理（ステップ２９）において決定した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを適用した第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂについて、インピーダンスＺおよび位相θについての理論値の各周波数特性を算出して、インピーダンスＺおよび位相θについての実測周波数特性と比較すると、第１等価回路Ａについては、図２６に示す結果となり、第２等価回路Ｂについては、図２７に示す結果となる。なお、各図共に、実線は実測周波数特性を示し、破線は理論値の周波数特性を示している。
【０１３８】
この場合、上記したレジスタンスｒのときと同様にして、位相θについて上記した一方の積分値に基づく評価値を算出すると、第１等価回路Ａでの評価値は４１．１４となり、第２等価回路Ｂでの評価値は２６．５８となって、第２等価回路Ｂでの評価値の方が小さくなり、これらの評価値に基づけば、第２等価回路Ｂの方が試料７の等価回路として好ましい結果となるが、図２６，２７に示すように、インピーダンスＺについては、第１等価回路Ａの方が第２等価回路Ｂよりも、理論値の周波数特性が実測周波数特性に極めて近くなることから、インピーダンスＺおよび位相θの双方を勘案すれば（全体としては）、第１等価回路Ａを試料７の等価回路とするのが好ましい。
【０１３９】
このため、この例においても、パラメータ測定処理２０において極大点および極小点が検出されたときに実行するステップ３６〜ステップ３９での処理（位相θに基づいて評価値を算出する処理）のときとは異なり、極大点のみが検出されたときの等価回路の特定（第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかを特定する場合）において、インピーダンスＺおよび位相θの双方に基づいて算出されるレジスタンスｒ、リアクタンスＸ、コンダクタンスＧおよびサセプタンスＢのいずれかを特定成分とすることにより、より好ましい等価回路を試料７の等価回路として特定できることが確認される。
【０１４０】
このように、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、処理部５が、極大極小検出処理において極大点のみを検出したときに、試料７の等価回路が、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかであると特定して、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、特定した第１等価回路Ａについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖおよび第２等価回路Ｂについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖをそれぞれ算出する。次いで、処理部５が、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分（上記例では、レジスタンスｒ）についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出すると共に、パラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて第１等価回路Ａの特定成分（レジスタンスｒ）についての理論第１周波数特性を算出し、かつ第２等価回路Ｂの特定成分（レジスタンスｒ）について理論第２周波数特性を算出する。続いて、処理部５が、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性を比較すると共に実測特定周波数特性および理論第２周波数特性を比較することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、特定した等価回路についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値を試料７の等価回路について各パラメータ値として決定する。
【０１４１】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、試料７についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各パラメータのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる試料７についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、試料７についての等価回路が第１等価回路Ａまたは第２等価回路Ｂのときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【０１４２】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極大点のみが検出されたときに、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのいずれかが試料７の等価回路であると特定して、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性と、第１等価回路Ａの特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性と、第２等価回路Ｂの特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性とを算出し、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂのうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定することにより、第１等価回路Ａおよび第２等価回路Ｂの位相θについての理論値の周波数特性と位相θの実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に試料７の等価回路を特定することができる。
【０１４３】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、二次等価回路特定処理において、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第１等価回路Ａについての第１評価値ＤＶＡを算出し、かつ実測特定周波数特性および理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第１評価値ＤＶＡを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第２等価回路Ｂについての第２評価値ＤＶＢを算出するため、実測特定周波数特性および理論第１周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第１評価値ＤＶＡを算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第２周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第２評価値ＤＶＢを算出することができる。したがって、両評価値ＤＶＡ，ＤＶＢに基づいて、両等価回路Ａ，Ｂのうちから試料７の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【０１４４】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、処理部５が、極大極小検出処理において極小点のみを検出したときに、試料７の等価回路が、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかであると特定して、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、特定した第３等価回路Ｃについての各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖおよび第４等価回路Ｄについての各パラメータ値Ｃｓｖ，Ｌｖ，Ｒｖをそれぞれ算出する。次いで、処理部５が、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分（上記例では、コンダクタンスＧ）についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出すると共に、パラメータ算出処理において算出した各パラメータ値Ｃｐｖ，Ｌｖ，Ｒｖを用いて第３等価回路Ｃの特定成分（コンダクタンスＧ）についての理論第３周波数特性を算出し、かつ第４等価回路Ｄの特定成分（コンダクタンスＧ）について理論第４周波数特性を算出する。続いて、処理部５が、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性を比較すると共に実測特定周波数特性および理論第４周波数特性を比較することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、特定した等価回路についてパラメータ算出処理において算出した各パラメータ値を試料７の等価回路について各パラメータ値として決定する。
【０１４５】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、試料７についての等価回路が自動的に特定され、特定された等価回路についての各パラメータのパラメータ値が自動的に測定されるため、オペレータによる試料７についての等価回路の選択を不要にできる結果、オペレータによる等価回路の誤選択を回避できることから、試料７についての等価回路が第３等価回路Ｃまたは第４等価回路Ｄのときのパラメータ値を正確に測定することができる。
【０１４６】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極小点のみが検出されたときに、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのいずれかが試料７の等価回路であると特定して、試料７についてのコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性と、第３等価回路Ｃの特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性と、第４等価回路Ｄの特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性とを算出し、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄのうちから実測特定周波数特性に、より近似する理論周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定することにより、第３等価回路Ｃおよび第４等価回路Ｄの位相θについての理論値の周波数特性と位相θの実測周波数特性との比較によって等価回路を特定する方法と比較して、より正確に試料７の等価回路を特定することができる。
【０１４７】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、二次等価回路特定処理において、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第３等価回路Ｃについての第３評価値ＤＶＣを算出し、かつ実測特定周波数特性および理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における実測値と理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方（第３評価値ＤＶＣを算出した上記の差分値に対応するいずれか一方）を差分値として算出すると共にこの差分値に基づいて第４等価回路Ｄについての第４評価値ＤＶＤを算出するため、実測特定周波数特性および理論第３周波数特性が複雑に交差する場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第３評価値ＤＶＣを算出することができると共に、実測特定周波数特性および理論第４周波数特性が複雑に交差したりする場合であっても、それぞれの差分の大きさに応じた第４評価値ＤＶＤを算出することができる。したがって、両評価値ＤＶＣ，ＤＶＤに基づいて、両等価回路Ｃ，Ｄのうちから試料７の等価回路として好ましい方を確実に特定することができる。
【０１４８】
また、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法では、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときに、試料７の等価回路を、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅに順次特定しつつ、インピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて、第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値をそれぞれ算出する。次いで、算出した第１等価回路Ａ、第２等価回路Ｂ、第３等価回路Ｃ、第４等価回路Ｄおよび第５等価回路Ｅについての各パラメータ値を用いて、各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位相θについての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する。続いて、算出した各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位相θについての各理論位相周波数特性と、実測した位相θの実測周波数特性とを比較することにより、各等価回路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅのうちから実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を試料７の等価回路として特定し、この特定した等価回路についての各パラメータ値を試料７について各パラメータ値として決定する。
【０１４９】
したがって、この測定装置１および等価回路パラメータ測定方法によれば、極大極小検出処理において極大点および極小点が検出されたときには、実際に測定した位相θについての実測周波数特性を使用して、試料７についての等価回路を特定することができるため、位相θ以外のコンダクタンスＧ、サセプタンスＢ、レジスタンスｒおよびリアクタンスＸのような他の特定成分についての実測周波数特性をインピーダンスＺおよび位相θの各実測周波数特性に基づいて算出する実測特定周波数特性算出処理を省くことができる結果、最終的な等価回路についてのパラメータ値を算出するまでに要する時間を短縮することができる。
【符号の説明】
【０１５０】
１ 測定装置
２ 測定部
５ 処理部
７ 試料
２０ パラメータ測定処理
２１ 周波数特性実測処理
２２ 極大極小検出処理
２４，３０ 一次等価回路特定処理
２５，３１，３６ パラメータ算出処理
２６，３２ 実測特定周波数特性算出処理
２７，３３ 理論特定周波数特性算出処理
２８，３４ 二次等価回路特定処理
２９，３５，３９ パラメータ決定処理
３７ 理論位相周波数特性算出処理
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている等価回路パラメータ測定装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第１等価回路についての第１評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第１評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第２等価回路についての第２評価値を算出し、当該第１等価回路および当該第２等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、
前記電子部品の等価回路を、前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、
当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、
当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する請求項１または２記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項４】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている等価回路パラメータ測定装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第３等価回路についての第３評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第３評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第４等価回路についての第４評価値を算出し、当該第３等価回路および当該第４等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、
前記電子部品の等価回路を、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、
当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、
当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する請求項４または５記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項７】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する等価回路パラメータ測定方法。
【請求項８】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する等価回路パラメータ測定方法。
【請求項１】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている等価回路パラメータ測定装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第１等価回路についての第１評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第１評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第２等価回路についての第２評価値を算出し、当該第１等価回路および当該第２等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する請求項１記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、
前記電子部品の等価回路を、前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、
当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、
当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する請求項１または２記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項４】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定装置であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する処理部を備えている等価回路パラメータ測定装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記二次等価回路特定処理において、前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちのいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第３等価回路についての第３評価値を算出し、かつ前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性に基づいて、各周波数における前記実測値と前記理論値との差分の自乗の積算値および当該差分の自乗の積算値の平方根のうちの前記第３評価値を算出した前記差分値に対応するいずれか一方を差分値として算出すると共に当該差分値に基づいて前記第４等価回路についての第４評価値を算出し、当該第３等価回路および当該第４等価回路のうちの前記算出した評価値の小さい等価回路を前記より近似する周波数特性を有する等価回路として前記電子部品の前記等価回路に特定する請求項４記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項６】
前記処理部は、前記極大極小検出処理において前記極大点および前記極小点が検出されたときに、
前記電子部品の等価回路を、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路、並びに前記容量としての直列容量、前記抵抗および前記インダクタンスからなる直列回路に他の前記容量としての並列容量が並列に接続された第５等価回路であると順次特定しつつ、前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
当該パラメータ算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路についての前記各パラメータ値を用いて、当該各等価回路の位相についての理論値の周波数特性である理論位相周波数特性を算出する理論位相周波数特性算出処理と、
当該理論位相周波数特性算出処理において算出した前記第１等価回路、前記第２等価回路、前記第３等価回路、前記第４等価回路および前記第５等価回路の位相についての前記各理論位相周波数特性と、前記周波数特性実測処理において実測した位相の前記実測周波数特性とを比較することにより、当該第１等価回路、当該第２等価回路、当該第３等価回路、当該第４等価回路および当該第５等価回路のうちから当該実測周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する等価回路特定処理と、
当該等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する請求項４または５記載の等価回路パラメータ測定装置。
【請求項７】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極大点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が並列に接続された第１等価回路、並びに前記インダクタンスおよび前記抵抗からなる直列回路に前記容量が並列に接続された第２等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第１等価回路についての前記各パラメータ値および前記第２等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第１等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第１周波数特性を算出すると共に、前記第２等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第２周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第１周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第２周波数特性を比較することにより、前記第１等価回路および前記第２等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する等価回路パラメータ測定方法。
【請求項８】
容量、抵抗およびインダクタンスで構成される等価回路で表される電子部品についての前記容量、前記抵抗および前記インダクタンスの各パラメータ値を測定する等価回路パラメータ測定方法であって、
前記電子部品についてのインピーダンスおよび位相の各周波数特性を実測周波数特性として実測する周波数特性実測処理と、
前記インピーダンスの前記実測周波数特性おける極大点および極小点を検出する極大極小検出処理と、
当該極大極小検出処理において前記極小点のみが検出されたときに、前記電子部品の等価回路が、前記容量および前記抵抗からなる並列回路に前記インダクタンスが直列に接続された第３等価回路、並びに前記インダクタンス、前記容量および前記抵抗が直列に接続された第４等価回路のいずれかであると特定する一次等価回路特定処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記一次等価回路特定処理において特定した前記第３等価回路についての前記各パラメータ値および前記第４等価回路についての前記各パラメータ値をそれぞれ算出するパラメータ算出処理と、
前記インピーダンスおよび前記位相の前記各実測周波数特性に基づいて、前記電子部品についてのコンダクタンス、サセプタンス、レジスタンスおよびリアクタンスのうちの１つの特定成分についての実測値の周波数特性である実測特定周波数特性を算出する実測特定周波数特性算出処理と、
前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を用いて前記第３等価回路の前記特定成分についての理論値の周波数特性である理論第３周波数特性を算出すると共に、前記第４等価回路の前記特定成分について理論値の周波数特性である理論第４周波数特性を算出する理論特定周波数特性算出処理と、
前記実測特定周波数特性および前記理論第３周波数特性を比較すると共に前記実測特定周波数特性および前記理論第４周波数特性を比較することにより、前記第３等価回路および前記第４等価回路のうちから当該実測特定周波数特性に、より近似する周波数特性を有する等価回路を前記電子部品の前記等価回路として特定する二次等価回路特定処理と、
当該二次等価回路特定処理で特定した前記等価回路について前記パラメータ算出処理において算出した前記各パラメータ値を前記電子部品の前記等価回路について前記各パラメータ値として決定するパラメータ決定処理とを実行する等価回路パラメータ測定方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１３−４７６１３（Ｐ２０１３−４７６１３Ａ）
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８５４５１（Ｐ２０１１−１８５４５１）
【出願日】平成２３年８月２９日（２０１１．８．２９）
【出願人】（０００２２７１８０）日置電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２９日（２０１１．８．２９）
【出願人】（０００２２７１８０）日置電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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