表示装置及びその表示駆動方法
【課題】 アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置において、動画像をボケやにじみのない良好な表示品質で表示することができるとともに、映像データ（表示データ）に対応した適切な階調で画像情報を表示することができる表示装置及びその表示駆動方法を提供する。
【解決手段】 １処理サイクル期間Ｔcyc内に、表示画素ＥＭにローレベルの電源電圧Ｖscを印加することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して発光動作させない非発光動作期間Ｔnemと、表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して発光動作させる発光動作期間Ｔemと、を含むように設定されている。
【解決手段】 １処理サイクル期間Ｔcyc内に、表示画素ＥＭにローレベルの電源電圧Ｖscを印加することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して発光動作させない非発光動作期間Ｔnemと、表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して発光動作させる発光動作期間Ｔemと、を含むように設定されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその表示駆動方法に関し、特に、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置及びその表示駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや映像機器のモニタやディスプレイとして、薄型軽量で低消費電力の表示デバイスの普及が著しい。特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は、近年普及が著しい携帯電話やデジタルカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、電子辞書等の携帯機器（モバイル機器）の表示デバイスとして広く適用されている。
【０００３】
また、このような液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や無機エレクトロルミネッセンス素子（無機ＥＬ素子）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自己発光型の光学要素（発光素子）を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置の本格的な普及に向けた研究開発も盛んに行われている。
【０００４】
特に、アクティブマトリックス型の駆動方式を適用した発光素子型の表示装置においては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性もなく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化や低消費電力化が可能である、という携帯機器への適用に極めて優位な特徴を有している。
【０００５】
ここで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置における駆動制御方法について、図面を参照して簡単に説明する。
図１６は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。また、図１７は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートであり、図１８は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。ここで、図１７及び図１８においては、後述する実施形態との比較のために、便宜的に表示パネルに１２行（第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有する場合について、その表示駆動方法を示した。図中、ｋは正の整数である。なお、各行における映像データの書込動作及び表示動作、ブランキングデータの書込動作及び表示動作を明確にするため、便宜的にハッチングを施して示した。
【０００６】
まず、旧来の陰極線管（ＣＲＴ）を適用した表示装置においては、周知のように、電子ビームを陰極線管内部で偏向させて、蛍光面（スクリーン）を照射しつつ走査することにより、１フレーム期間のうち、僅かな時間だけ発光動作させ、次のフレーム期間において再び電子ビームが照射されるまで、何も表示（発光）しない、インパルス型の表示駆動制御が実行される。
【０００７】
これによれば、前のフレーム期間における画像情報が消えた後に次のフレーム期間の画像情報が表示されるので、動画像の表示動作において残像が視認されにくくなり、良好な表示画質を実現することができる反面、動きのない静止画像の表示動作においてはちらつきが生じやすいという問題を有している。
【０００８】
一方、液晶表示装置や発光素子型の表示装置のようなアクティブマトリックス型の表示装置は、一般に、図１６に示すように、行、列方向に配設された複数の走査ラインＳＬｐ及びデータラインＤＬｐの各交点近傍に、複数の表示画素ＥＭｐが２次元配列された表示パネル１１０Ｐと、各走査ラインＳＬｐに接続された走査ドライバ１２０Ｐと、各データラインＤＬに接続されたデータドライバ１３０Ｐと、を備えた構成を有している。
【０００９】
このような構成を有する表示装置における表示駆動制御は、例えば、図１７に示すように、まず、走査ドライバ１２０Ｐから各行の走査ラインＳＬｐに選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐを順次選択状態に設定し、各行の選択タイミングに同期して、データドライバ１３０Ｐから当該行の映像データ（表示データ）に応じた階調電圧Ｖpixを各列のデータラインＤＬｐに印加することにより、各表示画素ＥＭｐに階調電圧Ｖpixに基づく電圧成分が保持される（映像データが書き込まれる；映像データ書込動作）。
【００１０】
これにより、各表示画素ＥＭｐにおいて上記電圧成分に応じた階調制御が行われる（具体的には、液晶表示装置においては液晶分子の配向状態が制御され、発光素子型の表示装置においては、発光素子の発光輝度が制御される）ことにより、上記映像データに応じた表示動作（発光動作）が実行され、表示パネルに所望の画像情報が表示される。
【００１１】
次いで、走査ドライバ１２０Ｐから走査ラインＳＬｐに非選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐが非選択状態に設定されるが、このとき、各表示画素に書き込まれた映像データ（電圧成分）が保持されることにより、上記映像データに応じた表示動作が継続される（映像表示動作）。この表示動作は、次の映像データが各行の表示画素ＥＭｐに書き込まれるまで、例えば、１フレーム期間継続して実行される（ホールド型の表示駆動制御）。
【００１２】
このようなホールド型の表示駆動方法においては、上述したインパルス型の表示駆動方法とは異なり、１フレーム期間のほとんどの期間において、映像データに応じた表示動作（発光動作）が継続されるので、静止画像の表示動作においてはちらつきが生じにくいという特性を有しているが、その反面、動画像の表示動作においては、前のフレーム期間に表示された画像情報が残像として視認されやすくなり、画像情報のボケやにじみを生じ、表示画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１３】
そこで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置において、上述した動画像の表示動作におけるボケやにじみを抑制して表示画質を向上させる表示駆動方法として、例えば、図１８に示すように、１フレーム期間に、上述した各行の表示画素ＥＭｐに対する映像データ書込動作（映像データ書込期間）及び映像表示動作（映像表示期間）に加え、各表示画素ＥＭｐを最低階調で表示動作（発光動作）、又は、非表示動作（非発光動作）させるために、データドライバから各データラインにブランキングデータを供給して、各表示画素に当該ブランキングデータを書き込む動作（ブランキングデータ書込期間）、及び、当該ブランキングデータに基づく黒表示動作（黒表示期間）を実行する手法が知られている。
【００１４】
これにより、１フレーム期間に一定期間の黒表示期間が挿入されて、何も表示（発光）されない表示状態が設定されるので、映像表示期間が相対的に短縮されて、上述した陰極線管に適用されるインパルス型に類似した表示駆動方法（便宜的に「擬似インパルス型の表示駆動方法」と記す）を実現することができ、動画像の表示動作における表示品質を向上させることができる。このような表示装置の駆動制御方法については、例えば、特許文献１等に詳しく記載されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−２６４４８１号公報 （第１７頁〜第１８頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来技術に示した擬似インパルス型の表示駆動方法においては、図１８に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込期間及び映像表示期間と、同様にデータドライバから供給されるブランキングデータの書込期間及び黒表示期間とを設定する必要があるため、図１７に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込動作及び映像表示動作のみを実行し、黒表示動作を実行しない場合に比較して、映像データの書込動作に割り当てられる時間が短くなり、書込動作に係る駆動周波数（すなわち、表示装置の駆動周波数）を高くする必要がある（高速で書き込む必要がある）。
【００１７】
このように映像データ（表示データ）の書込期間が短くなり、高速で書込動作を実行しなければならなくなると、表示パネル（信号配線等）に寄生する抵抗成分や容量成分等によるＣＲ時定数に起因して信号遅延が生じ、各表示画素への映像データの書込状態が不十分となる書込不足が発生して、映像データに応じた階調表示が適切に実行されなくなるという問題を有していた。
【００１８】
また、図１７、図１８においては図示を省略したが、各表示画素に映像データを書き込む際には、先のフレーム期間において当該表示画素に書き込まれ、残留している映像データに基づく電圧成分を放電して初期化（リセット）するリセット動作や、当該行の走査ラインを選択レベルに設定する際の信号レベルの立ち上がり動作のための時間を短くする必要があるため、動作タイミングの設定に余裕がなくなり、タイミング制御が複雑になったり、誤動作が生じやすくなったりするという問題を有していた。
【００１９】
そこで、本発明は、上述した種々の問題点に鑑み、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置において、動画像をボケやにじみのない良好な表示品質で表示することができるとともに、映像データ（表示データ）に対応した適切な階調で画像情報を表示することができる表示装置及びその表示駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１記載の発明は、行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有する表示装置において、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動部と、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に順次供給するデータ駆動部と、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記データ駆動部から供給された前記階調信号に基づいて前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部と、タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部及び前記データ駆動部、前記電源駆動部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記各行ごとの前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させる期間以外の期間に、前記電源駆動部による当該行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる駆動制御部と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記データ駆動部から前記階調信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする。
【００２２】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示装置において、前記表示装置は、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記階調信号に基づいて前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するための設定信号を印加する状態設定制御部を、さらに備えていることを特徴とする。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の表示装置において、前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記状態設定制御部から前記設定信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする。
【００２４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記各表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、前記発光駆動回路は、少なくとも、前記階調信号に基づく電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量に応じた順バイアス電圧に基づいて所定の電流値を有する発光駆動電流を生成し、前記発光素子に供給する発光制御手段と、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する書込制御手段と、を備えていることを特徴とする。
【００２５】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記発光制御手段は、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記発光素子に接続されて、前記発光駆動電流を流す導通路と、前記電荷蓄積手段に接続され、前記導通路の導通状態を制御して前記発光素子への前記発光駆動電流の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００２６】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記書込制御手段は、一端が前記階調信号が供給される前記データラインに接続され、他端が前記電荷蓄積手段を介して前記発光制御手段の前記制御端子に接続された導通路と、前記走査信号が印加される前記走査ラインに接続され、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００２７】
請求項８記載の発明は、請求項５乃至７のいずれかに記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、少なくとも、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記データラインが接続され、該導通路の他端に前記接続接点が接続された第３のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の制御端子と前記接続接点との間に接続された容量素子と、を備え、前記発光制御手段は、前記第１のスイッチ手段を含んで構成され、前記電荷蓄積手段は、前記容量素子を含んで構成されていることを特徴とする。
【００２８】
請求項９記載の発明は、請求項５乃至８のいずれかに記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を放電して、前記発光制御手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加するバイアス制御手段を、さらに備えていることを特徴とする。
【００２９】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記バイアス制御手段は、一端が前記走査信号が供給される走査ラインに接続され、他端が前記発光制御手段の前記制御端子に接続されて、所定の信号レベルの前記走査信号を前記発光制御手段の前記制御端子に印加する導通路と、前記設定信号が印加されるバイアスラインに接続され、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷の放電状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００３０】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、制御端子が前記バイアスラインに接続され、導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第４のスイッチ手段を、さらに備え、前記バイアス制御手段は、前記第４のスイッチ手段を含んで構成されていることを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項５乃至１１のいずれかに記載の表示装置において、少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記発光制御手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする。
【００３１】
請求項１３記載の発明は、請求項５乃至１２のいずれかに記載の表示装置において、前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする。
請求項１４記載の発明は、請求項５乃至１３のいずれかに記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
【００３２】
請求項１５記載の発明は、行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定するタイミングに同期して、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を供給することにより、前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させて、前記表示パネルに前記所望の画像情報を表示する表示装置の表示駆動方法において、前記表示パネルに配列された各行ごとの前記表示画素を順次選択状態に設定して前記階調信号を供給するステップと、前記階調信号が供給された前記各行の前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で順次表示動作させるステップと、前記各行ごとの前記表示画素に前記階調信号を供給するステップを実行する期間を含む期間に、前記各行ごとの前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧の印加を遮断して非表示動作させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００３３】
請求項１６記載の発明は、請求項１５記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各表示画素は、表示駆動手段を備え、前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記表示駆動手段に前記階調信号に応じた順バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする。
【００３４】
請求項１７記載の発明は、請求項１５又は１６記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行ごとの前記表示画素を非表示動作させるステップを実行する期間中に、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする。
【００３５】
請求項１８記載の発明は、請求項１７記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップは、前記表示駆動手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする。
【００３６】
請求項１９記載の発明は、請求項１５乃至１８のいずれかに記載の表示装置の表示駆動方法において、 前記各表示画素は、発光素子を備え、前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させることを特徴とする。
【００３７】
請求項２０記載の発明は、請求項１９記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行の前記表示画素に前記階調信号を供給するステップは、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３８】
すなわち、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法においては、表示パネルに２次元配列された複数の表示画素を、各行ごとに表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部（電源ドライバ）を備え、表示パネルに配列された各行の表示画素を表示データに応じたバイアス状態で表示させる表示動作期間（発光動作期間）においては、各行の表示画素に電源電圧を印加し、一方、各行の表示画素への表示データに応じた階調信号（階調電流）の書込動作期間を含む非表示動作期間においては、各行の表示画素への電源電圧の印加を遮断するように制御する。
【００３９】
これにより、各行の表示画素へのブランキングデータの書込動作を行うことなく、電源電圧の印加を遮断する動作のみで、当該行の表示画素（発光素子）を非表示動作（非発光動作）させることができるので、所定の１処理サイクル期間（１フレーム期間）のうち、一定期間のみ表示データに応じた輝度階調で表示動作（発光動作）する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。
【００４０】
ここで、各行の表示画素への電源電圧の印加を遮断する期間を任意に設定することにより、１処理サイクル期間（１フレーム期間）における上記非表示期間の比率（黒挿入率）を、動画像においてボケやにじみを抑制することができる概ね３０％以上に設定することができるので、鮮明で良好な表示画質を実現することができる。
【００４１】
また、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、動画像を鮮明な表示画質で表示するために、１フレーム期間中に黒表示動作（ブランキングデータの書込動作及び表示動作）を実行する必要がないので、各行の表示画素に対する表示データの書込動作期間が短縮されることがなく、各行の書込時間を充分に確保することができる。したがって、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。
【００４２】
さらに、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、表示パネルに配列される各表示画素に、発光制御手段や表示駆動手段（発光駆動用のスイッチング素子）として、例えば、アモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる回路構成を適用した場合、非表示動作期間中に各表示画素に設けられた発光制御手段や表示駆動手段に無電圧（０Ｖ）、又は、逆バイアス電圧を印加した状態（逆バイアス状態）に設定することができるので、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにおける素子特性（しきい値電圧の変動；Ｖthシフト）の劣化を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な階調表示（適切な輝度階調での発光素子の発光動作）を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
［第１の実施形態］
＜表示装置＞
まず、本発明に係る表示装置の概略構成について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図であり、図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【００４４】
なお、以下に示す実施形態においては、表示パネルとして、発光素子を備えた複数の表示画素を２次元配列した構成を有し、各表示画素が表示データ（映像データ）に応じた輝度階調で発光動作することにより画像情報を表示する発光素子型の表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置のように、各表示画素が表示データに応じて階調制御（表示データに応じたバイアス状態に設定）され、透過光や反射光により所望の画像情報を階調表示（表示動作）する表示装置であってもよい。
【００４５】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ａは、概略、行、列方向に相互に直交するように配設された複数の走査ラインＳＬと複数のデータラインＤＬとの各交点近傍に、後述する発光駆動回路及び発光素子を備えた複数の表示画素ＥＭが配列された表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各走査ラインＳＬに接続され、各走査ラインＳＬごとに所定のタイミングで選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ（走査駆動部）１２０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された複数の電源ラインＶＬに接続され、各電源ラインＶＬごとに所定のタイミングで電源電圧Ｖscを順次印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、表示パネル１１０の各データラインＤＬに接続され、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を、各データラインＤＬを介して表示画素ＥＭへ供給するデータドライバ（データ駆動部）１４０と、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも上記走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ（駆動制御部）１５０と、例えば、表示装置１００Ａの外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成してシステムコントローラ１５０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備えて構成されている。
【００４６】
以下、上記各構成について具体的に説明する。
（表示パネル・表示画素）
図３は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。なお、本実施形態においては、表示画素として、表示データに応じた電流値を有する階調電流を供給することにより、各表示画素に設けられた発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作（表示動作）させる電流階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成（発光駆動回路）を備えた場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、表示データに応じた電圧値を有する階調電圧を印加することにより、各表示画素の発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成を備えたものであってもよい。
【００４７】
本実施形態に係る表示装置１００Ａに適用される表示パネル１１０は、行、列方向に２次元配列された複数の表示画素ＥＭにおいて、例えば、まず、各行ごとの表示画素ＥＭに対して、発光駆動のための電源電圧の印加を順次遮断することにより、各行の表示画素ＥＭを所定の期間、順次非発光動作（非表示動作）させ、その後、表示データの書込動作を順次実行して、各行ごとの表示画素ＥＭを所定の輝度階調で順次発光動作（表示動作）させるように制御する。
【００４８】
そのための構成として、本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される表示画素ＥＭは、例えば、図３に示すように、概略、走査ドライバ１２０から印加される走査信号Ｖselに基づいて、表示画素ＥＭを選択状態に設定し、当該選択状態においてデータドライバ１４０から供給される階調信号（階調電流Ｉdata）を取り込み、該階調信号に応じた発光駆動電流を生成する発光駆動回路ＤＣ１と、該発光駆動回路ＤＣ１から供給される発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する周知の有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えた構成を適用することができる。
【００４９】
本実施形態に係る発光駆動回路ＤＣ１は、具体的には、図３に示すように、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が所定の電源電圧Ｖscが印加される電源ラインＶＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第２のスイッチ手段）Ｔｒ１１と、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ソース端子及びドレイン端子（導通路の一端、他端）がデータラインＤＬ及び接点Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第３のスイッチ手段）Ｔｒ１２と、ゲート端子（制御端子）が接点Ｎ１１に、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が電源ラインＶＬ及び接点（接続接点）Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（発光制御手段、第１のスイッチ手段、表示駆動手段）Ｔｒ１３と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間）に接続されたコンデンサ（電荷蓄積手段、容量素子）Ｃｓと、を備えた構成を有している。
【００５０】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子が上記発光駆動回路ＤＣ１の接点Ｎ１２に接続され、カソード端子には共通電圧Ｖcomが印加されている。ここで、共通電圧Ｖcomは、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）が当該表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）に供給される書込動作期間、及び、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬを発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）においてローレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）と等電位であるか、あるいは、当該電源電圧Ｖscよりも高い電位であって、かつ、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに発光駆動電流が供給されて所定の輝度階調で発光動作する発光動作期間（表示動作期間）においてハイレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）よりも低電位となる、任意の電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に設定されている（Ｖｓ≦Ｖcom＜Ｖｅ）。
【００５１】
ここで、コンデンサＣｓは、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間にさらに容量素子を並列に接続したものであってもよい。また、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３については、特に限定するものではないが、例えば、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全て単一のチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）により構成することにより、ｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができる。
【００５２】
この場合、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を適用して、素子特性（電子移動度等）が均一で安定したアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる発光駆動回路を、比較的簡易な製造プロセスで製造することができる。なお、以下の説明においては、発光駆動回路ＤＣ１の一構成例として、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全てｎチャネル型の薄膜トランジスタにより構成した場合について説明する。
【００５３】
また、上記においては、発光駆動回路ＤＣ１により発光駆動される発光素子を有機ＥＬ素子ＯＥＬとしたが、本発明における発光素子は有機ＥＬ素子ＯＥＬに限定されるものではなく、電流制御型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。さらに、本実施形態においては、発光駆動回路ＤＣ１により電流制御型の発光素子を発光駆動することにより画像情報を表示する場合について説明するが、表示データに応じた電圧成分を生成して、電圧制御型の発光素子を発光駆動する構成や、液晶分子の配向状態を変化させる回路構成を有するものであってもよい。
【００５４】
（走査ドライバ）
走査ドライバ１２０は、システムコントローラ１５０から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインＳＬに選択レベル（上述した表示画素ＥＭにおいては、ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する。具体的には、各行の走査ラインＳＬに走査信号Ｖselを印加する動作を、相互に時間的に重ならないタイミングでずらして実行することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを順次選択状態に設定する。
【００５５】
ここで、走査ドライバ１２０は、例えば、図２に示すように、後述するシステムコントローラ１５０から走査制御信号として供給される走査クロック信号ＳＣＫ及び走査スタート信号ＳＳＴに基づいて、各行の走査ラインＳＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１２１と、該シフトレジスタ１２１から出力されるシフト信号を所定の信号レベル（オンレベル）に変換して、システムコントローラ１５０から走査制御信号として供給される出力制御信号ＳＯＥに基づいて、各走査ラインＳＬに走査信号Ｖselとして出力する出力回路部（出力バッファ）１２２と、を備えた構成を有している。
【００５６】
（電源ドライバ）
電源ドライバ１３０は、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、各行の表示画素ＥＭについて、発光動作期間中のみハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）を当該行の電源ラインＶＬに印加し、発光動作（表示動作）期間以外の動作期間（書込動作期間を含む非発光動作（非表示動作）期間）中、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を印加する。ここで、ローレベルの電源電圧Ｖscを印加する動作は、実質的に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）への電源電圧Ｖscの供給を遮断する動作と等価となる。
【００５７】
ここで、電源ドライバ１３０は、例えば、図２に示すように、上述した走査ドライバ１２０と同様に、システムコントローラ１５０から電源制御信号として供給されるクロック信号ＶＣＫ及びスタート信号ＶＳＴに基づいて、各行の電源ラインＶＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１３１と、シフト信号を所定の電圧レベル（電圧値Ｖｅ、Ｖｓ）に変換して、電源制御信号として供給される出力制御信号ＶＯＥに基づいて、各電源ラインＶＬに電源電圧Ｖscとして出力する出力回路部１３２と、を備えた構成を有している。
【００５８】
（データドライバ）
図４は、本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。なお、図４に示すデータドライバの内部構成については、表示データに応じた電流値を有する階調電流を生成することができる一構成例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５９】
データドライバ１４０は、概略、図１、図２に示すように、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、後述する表示信号生成回路１６０から供給される、デジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）を１行分ごとに所定のタイミングで順次取り込んで保持し、該表示データの階調値に対応する電流値を有する階調電流Ｉdataを生成して、書込動作期間に選択状態に設定された行の表示画素ＥＭに対して、各データラインＤＬを介して一斉に供給する。
【００６０】
データドライバ１４０は、具体的には、図５に示すように、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（シフトクロック信号ＣＬＫ、サンプリングスタート信号ＳＴＲ）に基づいて、順次シフト信号を出力するシフトレジスタ回路４１と、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを順次取り込むデータレジスタ回路４２と、データ制御信号（データラッチ信号ＳＴＢ）に基づいて、データレジスタ回路４２により取り込まれた１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを保持するデータラッチ回路４３と、図示を省略した電源供給手段から供給される階調基準電圧Ｖ０〜ＶＰに基づいて、上記保持された表示データＤ０〜Ｄｍを、所定のアナログ信号電圧（階調電圧Ｖpix）に変換するＤ／Ａコンバータ４４と、アナログ信号電圧に変換された表示データに対応する階調電流Ｉdataを生成し、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（出力イネ−ブル信号ＯＥ）に基づくタイミングで、当該表示データに対応する列のデータラインＤＬに一斉に出力する電圧電流変換・階調電流供給回路４５と、を備えた構成を適用することができる。
【００６１】
（システムコントローラ）
システムコントローラ１５０は、少なくとも、走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０の各々に対して、動作状態を制御するタイミング制御信号として、走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する走査信号Ｖsel及び電源電圧Ｖsc、並びに、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を生成して出力させ、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）における駆動制御動作（非発光動作、書込動作、発光動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御（後述する表示装置の表示駆動制御）を行う。
【００６２】
（表示信号生成回路）
表示信号生成回路１６０は、例えば、表示装置１００Ａの外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）としてデータドライバ１４０のデータレジスタ回路４２に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１６０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１５０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１５０は、表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、走査ドライバ１２０や電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に対して個別に供給する各制御信号を生成する。
【００６３】
＜表示画素（発光駆動回路）の駆動制御方法＞
次に、本実施形態において、上述した表示パネルを構成する表示画素（図３参照）の駆動制御方法について説明する。
図５は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。また、図６は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における非発光動作及び書込動作を示す概念図であり、図７は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における発光動作を示す概念図である。
【００６４】
本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）における駆動制御動作は、図５に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcyc内に、走査ラインＳＬに接続された表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを供給することにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に、当該表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（表示動作期間）Ｔemと、当該発光動作期間Ｔem以外の期間（上記書込動作期間Ｔwrtを含む期間）であって、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）への電源電圧Ｖscの供給を遮断（ローレベルの電源電圧Ｖscを印加）することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して、発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔem＋Ｔnem、Ｔnem≧Ｔwrt）。
【００６５】
ここで、１処理サイクル期間Ｔcyc中に設定される書込動作期間Ｔwrt、発光動作期間Ｔem及び非発光動作期間Ｔnemは、図５に示すように、非発光動作の後に、書込動作及び発光動作を連続的に実行するものであってもよいし、非発光動作期間の任意のタイミング（非発光動作期間の途中）で書込動作を実行し、当該発光動作期間の終了後に発光動作を実行するものであってもよい。
【００６６】
また、本実施形態に係る１処理サイクル期間Ｔcycは、例えば、表示画素ＥＭが１フレーム（１画面）の画像のうちの１画素分の画像情報を表示するのに要する期間に設定される。すなわち、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、複数の表示画素ＥＭを行方向及び列方向に２次元配列した表示パネル１１０に、１フレームの画像を表示する場合、上記１処理サイクル期間Ｔcycは、１行分の表示画素ＥＭが１フレームの画像のうちの１行分の画像を表示するのに要する期間に設定される。
【００６７】
（非表示動作期間）
まず、非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemにおいては、図５、図６（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、非選択レベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。また、データドライバ１４０からはデータラインＤＬに対して階調電流Ｉdataは供給されない。
【００６８】
これにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と電源ラインＶＬとの電気的な接続が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）とデータラインＤＬとの電気的な接続も遮断された状態に設定される。
【００６９】
ここで、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、各表示画素における駆動制御動作は、１処理サイクル期間Ｔcyc（１フレーム期間Ｔfr）を周期として繰り返し実行されるので、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点における薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にある。
【００７０】
そのため、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）には、電源ラインＶＬに印加されているローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が薄膜トランジスタＴｒ１３を介して印加されることになり、カソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下の電位に設定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【００７１】
（書込動作期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される書込動作期間Ｔwrtにおいては、図５、図６（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを選択状態に設定するとともに、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０からデータラインＤＬに対して、表示データに応じた（負極性の）電流値を有する階調電流Ｉdataを供給する。また、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【００７２】
これにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの電源電圧Ｖscが薄膜トランジスタＴｒ１１を介して薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）に印加されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）が薄膜トランジスタＴｒ１２を介して、データラインＤＬに電気的に接続される。
【００７３】
ここで、データラインＤＬには負極性の電流値を有する階調電流Ｉdataが供給されることにより、データラインＤＬ側からデータドライバ１４０方向に階調電流Ｉdataを引き込む動作が行われ、ローレベルの電源電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）に印加される。
【００７４】
このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に電位差が生じることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、薄膜トランジスタＴｒ１２、データラインＤＬを介して、データドライバ１４０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。
【００７５】
このとき、コンデンサＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間）に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（図５中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。また、電源ラインＶＬには、ローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、さらに、書込電流ＩａがデータラインＤＬ方向に流れるように制御されていることから、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも低くなるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【００７６】
（表示動作期間）
次いで、書込動作期間Ｔwrt、又は、該書込動作期間Ｔwrtを含む非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnem終了後の発光動作期間（表示動作期間）Ｔemにおいては、図５、図７に示すように、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、この非選択タイミングに同期して、データドライバ１３０からの階調電流Ｉdataの供給が遮断されて、当該階調電流Ｉdataの引き込み動作が停止される。また、この発光動作期間Ｔemにおいては、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加される。
【００７７】
これにより、発光駆動回路ＤＣ1に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）への電源電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサＣｓには、上述した書込動作期間Ｔwrtにおいて蓄積された電荷が保持される。
【００７８】
このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間；コンデンサＣｓの両端）の電位差が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬには、共通電圧Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも高電位の電源電圧Ｖscが印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。
【００７９】
したがって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂが流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。ここで、コンデンサＣｓにより保持される電圧成分（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）は、薄膜トランジスタＴｒ１３において階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａを流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流Ｉｂは、上記書込電流Ｉａと同等の電流値（Ｉｂ≒Ｉａ）を有することになる。
【００８０】
そして、当該表示画素ＥＭにおいて、書込動作期間Ｔwrtに書き込まれた表示データ（階調電流Ｉdata）に対応する電圧成分に基づいて、発光動作期間Ｔem中、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して発光駆動電流Ｉｂが継続的に供給されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは当該表示データに応じた輝度階調で発光する動作を継続する。
【００８１】
このように、本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）によれば、書込動作期間Ｔwrtにおいて、表示データ（輝度階調）に応じた電流値を指定した階調電流Ｉdata（書込電流Ｉａ）を強制的に駆動トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流して、その電流値に応じて保持される駆動トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間の電圧成分に基づいて、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに流す発光駆動電流Ｉｂを制御することにより、所定の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式の駆動制御方法を適用することができる。
【００８２】
また、本実施形態に係る表示画素ＥＭによれば、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動回路ＤＣ１を構成する単一の発光駆動用トランジスタ（薄膜トランジスタＴｒ１３）により、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流レベルを電圧レベルに変換する機能（電流／電圧変換機能）と、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給する機能（発光駆動機能）の双方を実現することができるので、発光駆動回路ＤＣを構成する各トランジスタの動作特性のバラツキや経時変化の影響を受けることなく、長期間にわたり安定的に所望の発光特性を実現することができる。
【００８３】
＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図８は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。なお、本実施形態においては、説明の都合上、便宜的に表示パネルに１２行（ｎ＝１２；第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有しているものとして説明する。また、図中、ｋは正の整数であり、図中の各行のクロスメッシュで示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの書込動作期間を表しており、ドットで示したハッチング部分は、各々、上述した発光動作期間を表している。
【００８４】
本実施形態に係る表示装置１００Ａの表示駆動方法は、まず、表示パネル１１０に配列された各行ごとの表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）に対して、表示画素ＥＭを表示動作させない（有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させない）非発光動作を実行し、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの終了間際）で、表示データに応じた階調電流Ｉdataを書き込む書込動作を各行ごとに順次実行し、その後、表示データ（階調電流）に応じた所定の輝度階調で順次発光動作させることにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。ここで、少なくとも各行における書込動作期間Ｔwrtが相互に（時間的に）重ならないように動作タイミングが制御される。
【００８５】
具体的には、まず、図８に示すように、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）において、図５に示したように、走査ドライバ１２０から表示パネル１１０の特定の行（例えば、ｉ行目；１≦ｉ≦１２）の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。また、データドライバ１４０から各データラインＤＬに階調電流Ｉdataが供給されない状態（階調電流Ｉdataの供給が遮断された状態）に設定する。
【００８６】
そして、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることにより、図６（ａ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じないので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
【００８７】
次いで、図８に示すように、上記非発光動作期間Ｔnem内に設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、図５に示したように、走査ドライバ１２０から表示パネル１１０のｉ行の走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを選択状態に設定する。また、当該書込動作期間Ｔwrtにおいては、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【００８８】
そして、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０から当該ｉ行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各データラインＤＬに供給することにより、図６（ｂ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭの発光駆動回路ＤＣに階調電流Ｉdataに応じた書込電流Ｉａが流れて、各薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間（コンデンサＣｓの両端）に、階調電流Ｉdataに応じた電圧成分Ｖdataが保持（電荷が蓄積）される。
【００８９】
ここで、当該書込動作期間Ｔwrtにおいては、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、書込動作が行われているｉ行目の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることにより、各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じないので、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流は流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
このような書込動作を含む非発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、各行ごとにタイミングをずらして順次実行され、特に各行における書き込み動作は相互に時間的に重ならないように順次実行される。
【００９０】
次いで、図８に示すように、発光動作期間Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、図５に示したように、走査ドライバ１２０から非発光動作期間Ｔnemが終了したｉ行の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の各表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。また、データドライバ１４０から各データラインＤＬへの階調電流Ｉdataの供給が遮断される。
【００９１】
そして、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、図７に示したように、ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じるので、各表示画素ＥＭ（発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に充電された電圧成分に基づいて、表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流Ｉｂが有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給されて、所定の輝度階調で発光動作が行われる。
このような発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、上述した書込動作（又は、書込動作を含む非発光動作）が終了した行の表示画素ＥＭごとにタイミングをずらして順次実行される。
【００９２】
すなわち、表示パネル１１０に２次元配列された複数の表示画素ＥＭについて、各行ごとに１フレーム期間Ｔfr中に所定の長さの非発光動作期間Ｔnemが設定されるので、１フレーム期間Ｔfrのうち、一定期間のみ表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で各表示画素ＥＭが発光動作する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。ここで、１フレーム期間Ｔfr中に設定される非発光動作期間Ｔnem、又は、発光動作期間Ｔemの長さは、例えば、システムコントローラ１５０から走査ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０にタイミング制御信号として供給される走査制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号により任意に設定することができる。
【００９３】
したがって、図８に示したタイミングチャートにおいて、１フレーム期間Ｔfrにおける上記非発光動作（書込動作を含む）による非表示期間の比率（黒挿入率）を、例えば、５０％に設定することにより、表示パネル１１０に表示される画像情報（表示画面）の半分を黒表示（非表示）することができるので、人間の視覚において、動画像をボケやにじみがなく鮮明に視認するために必要とされる概ね３０％以上の黒挿入率を実現することができ、良好な表示画質で動画像を表示することができる。なお、１フレーム期間Ｔfrにおける黒挿入率（非表示期間の比率）は、上述した５０％に限定されるものではなく、上記３０％以上の任意の数値であることが望ましいが、３０％以下の数値であってもよい。
【００９４】
また、この場合、従来技術に示した表示駆動方法（図１７参照）と同様に、１フレーム期間Ｔfrの全時間を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができるので、図１８に示した表示駆動方法のように、ブランキングデータの書込動作及び黒表示動作を実行するために、各行における書込動作期間Ｔwrt（従来技術における映像データ書込期間に相当する）が短縮されることがなく、各行の書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。
【００９５】
なお、本実施形態においては、説明の都合上、図８のタイミングチャートに示したように、１フレーム期間Ｔfr中に、書込動作期間を含む非発光動作（非表示動作）を実行した後、発光動作（表示動作）を実行する場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光動作（表示画素ＥＭの表示動作）を伴わない書込動作を実行した後、所定の長さの発光動作を実行し、その後に、非発光動作を実行する場合であっても、実質的に制御動作は同等である。
【００９６】
［第２の実施形態］
次に、本実施形態に係る表示装置及びその表示駆動方法の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。
図９は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ、バイアス制御ドライバ）の一例を示す要部構成図である。また、図１０は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。ここで、上述した第１の実施形態（図１〜図３参照）と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【００９７】
上述した第１の実施形態においては、図３に示したように、各表示画素ＥＭに設けられる発光駆動回路ＤＣ１として、単一のチャネル型の複数の薄膜トランジスタからなる回路構成を示し、この場合、製造プロセスが簡易で素子特性（電子移動度）が均一なアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができることを説明したが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、一般に駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）が発生しやすいということが知られている。
【００９８】
そのため、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合、そのしきい値電圧の変動により、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される発光駆動電流Ｉｂの電流値が、表示データに対応しなくなって適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができなくなり、表示画質の劣化を招く可能性がある。
【００９９】
そこで、本実施形態においては、上述した１フレーム期間Ｔfrにおいて、しきい値電圧の変動をもたらす発光動作（表示動作）時以外の非発光動作期間（非表示動作期間）に、各表示画素ＥＭの発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ２３）のゲート−ソース間電圧（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）を０Ｖ（無電圧）又は負電圧（逆バイアス電圧）に設定して、当該スイッチング素子のしきい値電圧の変動を抑制するようにした構成を有している。
【０１００】
図９に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ｂは、具体的には、上述した第１の実施形態と同様に、行、列方向に複数の表示画素ＥＭが２次元配列された表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各走査ラインＳＬに選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加して、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ（走査駆動部）１２０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された電源ラインＶＬに電源電圧Ｖscを順次印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を、各データラインＤＬを介して表示画素ＥＭへ供給するデータドライバ（データ駆動部）１４０と、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ（駆動制御部）１５０と、外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備え、さらに、各行の走査ラインＳＬに並行に配設されたバイアスラインＢＬを介して、各行の表示画素ＥＭに所定の電圧レベルを有するバイアス信号（設定信号）Ｖbsを印加するバイアス制御ドライバ（状態設定制御部）１７０と、を備えた構成されている。
【０１０１】
バイアス制御ドライバ１７０は、システムコントローラ１５０から供給されるバイアス制御信号に基づいて、各行の表示画素ＥＭについて、非発光動作期間Ｔnem中の特定の期間のみ、バイアス信号Ｖbsを当該行のバイアスラインＢＬに印加し、書込動作期間Ｔwrtを除く非発光動作期間Ｔnem中、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に０Ｖ（無電圧）、又は、逆バイアス電圧を印加して）を無電界状態、又は、逆バイアス状態（特定のバイアス状態）に設定する。
【０１０２】
ここで、バイアス制御ドライバ１７０は、例えば、図９に示すように、上述した走査ドライバ１２０や電源ドライバ１３０と同様に、システムコントローラ１５０からバイアス制御信号として供給されるクロック信号ＢＣＫ及びスタート信号ＢＳＴに基づいて、各行のバイアスラインＢＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１７１と、シフト信号を所定の電圧レベルに変換して、バイアス制御信号として供給される出力制御信号ＢＯＥに基づいて、各バイアスラインＢＬにバイアス信号Ｖbsとして出力する出力回路部１７２と、を備えた構成を有している。
【０１０３】
システムコントローラ１５０は、バイアス制御ドライバ１７０に対して、動作状態を制御するタイミング制御信号としてバイアス制御信号を生成して出力することにより、第１の実施形態に示した走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に加え、バイアス制御ドライバ１７０を所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する走査信号Ｖsel及び電源電圧Ｖsc、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）、バイアス信号Ｖbsを生成して表示パネル１１０に出力させ、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）における駆動制御動作（非発光動作、逆バイアス設定動作、書込動作、発光動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御（後述する表示装置の表示駆動制御）を行う。
【０１０４】
また、本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される表示画素ＥＭは、例えば、図１０に示すように、上述した第１の実施形態に示した構成（図３参照）と同様に、表示データ応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を取り込み、発光駆動電流を生成する発光駆動回路ＤＣ２と、該発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備え、特に、本実施形態に係る表示画素ＥＭに適用される発光駆動回路ＤＣ２は、具体的には、第１の実施形態に示した薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及びコンデンサＣｓに加え、ゲート端子（制御端子）がバイアスラインＢＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が走査ラインＳＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（バイアス制御手段、第４のスイッチ手段）Ｔｒ１４を備えた構成を有している。
ここで、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１４は、上述したように、製造技術が簡易で素子特性（電子移動度等）が均一なアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用して構成されている。
【０１０５】
次いで、本実施形態に係る表示パネルに適用される表示画素（図１０参照）の駆動制御方法について説明する。
図１１は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。また、図１２は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図であり、図１３は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の駆動制御動作については、その説明を簡略化する。
【０１０６】
本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）における駆動制御動作は、図１１に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcyc（例えば、１フレーム期間Ｔfr）内に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）への電源電圧Ｖscの供給を遮断（ローレベルの電源電圧Ｖscを印加）することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して、発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemと、当該非発光動作期間Ｔnem中に実行され、バイアスラインＢＬを介してバイアス信号Ｖbsを印加することにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に保持された（残留する）電荷を放電して０Ｖ（無電圧）又は逆バイアス電圧が印加された無電界状態又は逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定期間Ｔbsと、当該非発光動作期間Ｔnem中に実行され、走査ラインＳＬに接続された表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを供給することにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に、当該表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（表示動作期間）Ｔemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔem＋Ｔnem、Ｔnem≧Ｔbs＋Ｔwrt）。
【０１０７】
ここで、非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtは、図１１に示すように、各々、非発光動作期間Ｔnemの開始時及び終了時に設定されるものであってもよいし、非発光動作期間の任意のタイミング（非発光動作期間の途中）で逆バイアス設定動作及び書込動作が実行されるように、逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtが設定されるものであってもよい。
【０１０８】
（非発光動作期間）
まず、非発光動作期間Ｔnemにおいては、図１１、図１２（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、非選択レベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。また、データドライバ１４０からはデータラインＤＬに対して階調電流Ｉdataは供給されない。
【０１０９】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と電源ラインＶＬとの電気的な接続が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）とデータラインＤＬとの電気的な接続も遮断された状態に設定される。なお、非発光動作期間Ｔnemにおいて、後述する逆バイアス設定期間Ｔbs以外の期間においては、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加され、薄膜トランジスタＴｒ１４はオフ状態に設定されることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定される。
【０１１０】
ここで、上述した第１の実施形態に示した非表示動作期間と同様に、各表示画素における駆動制御動作は、１処理サイクル期間Ｔcyc（１フレーム期間Ｔfr）を周期として繰り返し実行されるので、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点における薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にある。
【０１１１】
そのため、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）には、電源ラインＶＬに印加されているローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が薄膜トランジスタＴｒ１３を介して印加されることになり、カソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下の電位に設定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１１２】
（逆バイアス設定期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbsにおいては、図１１、図１２（ｂ）に示すように、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ハイレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。
【０１１３】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１４がオン動作することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）には非選択レベル（ローレベル；Ｖsn）に設定された走査信号Ｖselの電圧レベルが印加された状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記非選択レベルの走査信号Ｖselに基づく電圧レベル（＝Ｖsn）と、接点Ｎ１２の電位との差分が生じることになる。
【０１１４】
ここで、上述したように、非発光動作期間Ｔnemの開始時点におけるコンデンサＣｓには、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にあるので、図１１に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行する場合、接点Ｎ１２（コンデンサＣｓの他端）には、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して電源ラインＶＬに印加されている電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることになる。
【０１１５】
したがって、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）と、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）との差分（Ｖsn−Ｖｓ）が印加、保持されることになる（図１１、図１２（ｂ）中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。ここで、少なくとも非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）の電圧レベルを、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）に対して同等、もしくは、低く設定することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加される電位差（コンデンサＣｓの両端電圧Ｖｃ）を、０Ｖ（無電界状態）又は逆バイアス状態に設定することができる。
【０１１６】
なお、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行した場合、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記逆バイアス電圧（Ｖsn−Ｖｓ）が保持され、非発光動作期間Ｔnem中、継続して無電界状態又は逆バイアス状態が保持される。
【０１１７】
これにより、薄膜トランジスタＴｒ１３は確実にオフ動作するように制御されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下に設定されて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１１８】
（書込動作期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される書込動作期間Ｔwrtにおいては、図１１、図１３（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを選択状態に設定するとともに、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０からデータラインＤＬに対して、表示データに応じた（負極性の）電流値を有する階調電流Ｉdataを供給する。また、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。
【０１１９】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１４がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定され、上述した第１の実施形態に示した書込動作期間と同様に、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、薄膜トランジスタＴｒ１２、データラインＤＬを介して、データドライバ１４０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。
【０１２０】
したがって、薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、書込電流Ｉａにより生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分Ｖdataとして保持される（図１１中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。また、このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬには逆バイアス電圧が印加されることになり、発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１２１】
（発光動作期間）
次いで、書込動作期間Ｔwrt、又は、該書込動作期間Ｔwrtを含む非発光動作期間Ｔnem終了後の発光動作期間Ｔemにおいては、図１１、図１３（ｂ）に示すように、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、この非選択タイミングに同期して、データドライバ１３０からの階調電流Ｉdataの供給が遮断されて、当該階調電流Ｉdataの引き込み動作が停止される。また、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。一方、この発光動作期間Ｔemにおいては、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加される。
【０１２２】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１４がオフ動作するので、上述した第１の実施形態に示した発光動作期間と同様に、コンデンサＣｓには、上述した書込動作期間Ｔwrtにおいて蓄積された電荷（電圧成分Ｖdata）が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬにハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）の電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。
【０１２３】
したがって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂ（≒Ｉａ）が流れ、発光動作期間Ｔem中、有機ＥＬ素子ＯＥＬは表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で発光する動作を継続する。
【０１２４】
ここで、上述した回路構成を有する表示画素（発光駆動回路）及びその駆動制御方法によるしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）について具体的に説明する。
図１４は、本実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。ここでは、発光駆動用のスイッチング素子として適用されるｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタについて、ゲート−ソース間に順バイアス電圧を印加して継続的にオン動作させた場合（図中、点線で示す）と、駆動動作期間の１／５の期間だけ、逆バイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）を印加して逆バイアス状態に設定した場合（図中、実線で示す）の、時間経過に対するしきい値電圧の変動量の変化傾向を測定した結果の一例を示す。
【０１２５】
図１４に示すように、薄膜トランジスタに順バイアス電圧を継続的に印加した場合においては、図中、点線で示すように、時間の経過（横軸）にしたがって、しきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）が顕著に増大する傾向を示す（２５０時間経過で２Ｖ程度）のに対して、薄膜トランジスタに一定期間、逆バイアス電圧を印加した場合においては、図中、実線で示すように、時間の経過（横軸）に対して、しきい値電圧の変動量が大幅に抑制される傾向を示す（２５０時間経過で０．６Ｖ程度）ことが判明した。
【０１２６】
このようなしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの素子構造において、駆動動作期間中に一定期間だけ逆バイアス状態を設定することによって、ゲート絶縁膜を構成する窒化膜中への電荷の導入が膜厚の比較的浅い領域において行われ、深い領域への導入が抑制されること、さらに、逆バイアス状態に設定されることにより、窒化膜にトラップされた電荷が放出されることによるものと考えられている。
【０１２７】
したがって、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられる発光駆動用のスイッチング素子として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して表示データに対応した電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給することができ、適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２８】
＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図１５は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。ここで、上述した第１の実施形態と同等の制御方法については、その説明を簡略化する。また、図中の各行の斜線で示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの逆バイアス設定期間を表している。
【０１２９】
本実施形態に係る表示装置１００Ｂの表示駆動方法は、まず、表示パネル１１０に配列された各行ごとの表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に対して、表示画素ＥＭを表示動作させない（有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させない）非発光動作を実行し、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの開始と同時）で、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス設定動作を各行ごとに順次実行する。その後、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの終了間際）で、表示データに応じた階調電流Ｉdataを書き込む書込動作を各行ごとに順次実行し、その後、当該表示データ（階調電流）に応じた所定の輝度階調で順次発光動作させることにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。ここで、少なくとも各行における書込動作期間Ｔwrtが相互に（時間的に）重ならないように動作タイミングが制御される。
【０１３０】
具体的には、まず、図１５に示すように、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間Ｔnemの開始タイミングに同期して設定される逆バイアス設定期間Ｔbs（図中、斜線で表示）においては、図１１に示したように、表示パネル１１０の特定の行（例えば、ｉ行目；１≦ｉ≦１２）の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。
【０１３１】
そして、このタイミングに同期して、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を印加するとともに、当該ｉ行のバイアスラインＢＬに対して、バイアス信号Ｖbsを印加することにより、図１２（ｂ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に逆バイアス電圧が印加される（逆バイアス設定動作）ので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ動作して、有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
【０１３２】
また、逆バイアス設定期間Ｔbs終了後の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）においては、上述した逆バイアス設定動作により薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加された逆バイアス電圧が保持されることにより、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ状態を保持して、有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態を継続する（非発光動作する）。
【０１３３】
次いで、図１５に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemの終了タイミングに同期して設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、図１１に示したように、ｉ行の走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを選択状態に設定する。また、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【０１３４】
そして、この選択タイミングに同期して、当該ｉ行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各データラインＤＬに供給することにより、図１３（ａ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間（コンデンサＣｓの両端）に、階調電流Ｉdataに応じた電圧成分が保持（電荷が蓄積）される。
【０１３５】
このような書込動作を含む非発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、各行ごとにタイミングをずらして順次実行され、特に各行における書込動作は相互に時間的に重ならないように順次実行される。
次いで、図１５に示すように、発光動作期間Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、ｉ行の各表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、各データラインＤＬへの階調電流Ｉdataの供給が遮断される。
【０１３６】
そして、このタイミングに同期して、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、図１３（ｂ）に示したように、各表示画素ＥＭ（発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に充電された電圧成分に基づいて、表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流Ｉｂが薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給されて、所定の輝度階調で発光動作が行われる。
このような発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、上述した書込動作（又は、書込動作を含む非発光動作）が終了した行の表示画素ＥＭごとにタイミングをずらして順次実行される。
【０１３７】
すなわち、表示パネル１１０に２次元配列された複数の表示画素ＥＭについて、各行ごとに１フレーム期間Ｔfr中に所定の長さの非発光動作期間Ｔnemが設定されるので、１フレーム期間Ｔfrのうち、一定期間のみ表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で各表示画素ＥＭが発光動作する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。これにより、動画像をボケやにじみがなく鮮明に表示することができる。
【０１３８】
また、この場合、従来技術に示した表示駆動方法（図１７参照）と同様に、１フレーム期間Ｔfrの全時間を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができるので、各行における書込動作期間Ｔwrtが短縮されることがなく、書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。
【０１３９】
さらに、非発光動作期間Ｔnemにおいて、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）に逆バイアス電圧を印加して逆バイアス状態に設定することができるので、上記スイッチング素子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、しきい値電圧の変動（Ｖthシフト）を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。
【図５】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。
【図６】第１の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における非発光動作及び書込動作を示す概念図である。
【図７】第１の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における発光動作を示す概念図である。
【図８】第１の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。
【図９】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ、バイアス制御ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【図１０】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。
【図１１】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。
【図１２】第２の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図である。
【図１３】第２の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。
【図１４】第２の実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。
【図１５】第２の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。
【図１６】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。
【図１７】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートである。
【図１８】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。
【符号の説明】
【０１４１】
１００Ａ、１００Ｂ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 走査ドライバ
１３０ 電源ドライバ
１４０ データドライバ
１５０ システムコントローラ
１６０ 表示信号生成回路
１５０ バイアス制御ドライバ
ＥＭ 表示画素
ＤＣ１、ＤＣ２ 発光駆動回路
ＳＬ 走査ライン
ＶＬ 電源ライン
ＤＬ データライン
ＢＬ バイアスライン
Ｔｒ１１〜Ｔｒ１４ 薄膜トランジスタ
Ｃｓ コンデンサ
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその表示駆動方法に関し、特に、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置及びその表示駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータや映像機器のモニタやディスプレイとして、薄型軽量で低消費電力の表示デバイスの普及が著しい。特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は、近年普及が著しい携帯電話やデジタルカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、電子辞書等の携帯機器（モバイル機器）の表示デバイスとして広く適用されている。
【０００３】
また、このような液晶表示装置に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）や無機エレクトロルミネッセンス素子（無機ＥＬ素子）、あるいは、発光ダイオード（ＬＥＤ）等のような自己発光型の光学要素（発光素子）を、マトリクス状に配列した表示パネルを備えた発光素子型の表示装置の本格的な普及に向けた研究開発も盛んに行われている。
【０００４】
特に、アクティブマトリックス型の駆動方式を適用した発光素子型の表示装置においては、液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、また、視野角依存性もなく、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるとともに、液晶表示装置のようにバックライトを必要としないので、一層の薄型軽量化や低消費電力化が可能である、という携帯機器への適用に極めて優位な特徴を有している。
【０００５】
ここで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置における駆動制御方法について、図面を参照して簡単に説明する。
図１６は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。また、図１７は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートであり、図１８は、従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。ここで、図１７及び図１８においては、後述する実施形態との比較のために、便宜的に表示パネルに１２行（第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有する場合について、その表示駆動方法を示した。図中、ｋは正の整数である。なお、各行における映像データの書込動作及び表示動作、ブランキングデータの書込動作及び表示動作を明確にするため、便宜的にハッチングを施して示した。
【０００６】
まず、旧来の陰極線管（ＣＲＴ）を適用した表示装置においては、周知のように、電子ビームを陰極線管内部で偏向させて、蛍光面（スクリーン）を照射しつつ走査することにより、１フレーム期間のうち、僅かな時間だけ発光動作させ、次のフレーム期間において再び電子ビームが照射されるまで、何も表示（発光）しない、インパルス型の表示駆動制御が実行される。
【０００７】
これによれば、前のフレーム期間における画像情報が消えた後に次のフレーム期間の画像情報が表示されるので、動画像の表示動作において残像が視認されにくくなり、良好な表示画質を実現することができる反面、動きのない静止画像の表示動作においてはちらつきが生じやすいという問題を有している。
【０００８】
一方、液晶表示装置や発光素子型の表示装置のようなアクティブマトリックス型の表示装置は、一般に、図１６に示すように、行、列方向に配設された複数の走査ラインＳＬｐ及びデータラインＤＬｐの各交点近傍に、複数の表示画素ＥＭｐが２次元配列された表示パネル１１０Ｐと、各走査ラインＳＬｐに接続された走査ドライバ１２０Ｐと、各データラインＤＬに接続されたデータドライバ１３０Ｐと、を備えた構成を有している。
【０００９】
このような構成を有する表示装置における表示駆動制御は、例えば、図１７に示すように、まず、走査ドライバ１２０Ｐから各行の走査ラインＳＬｐに選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐを順次選択状態に設定し、各行の選択タイミングに同期して、データドライバ１３０Ｐから当該行の映像データ（表示データ）に応じた階調電圧Ｖpixを各列のデータラインＤＬｐに印加することにより、各表示画素ＥＭｐに階調電圧Ｖpixに基づく電圧成分が保持される（映像データが書き込まれる；映像データ書込動作）。
【００１０】
これにより、各表示画素ＥＭｐにおいて上記電圧成分に応じた階調制御が行われる（具体的には、液晶表示装置においては液晶分子の配向状態が制御され、発光素子型の表示装置においては、発光素子の発光輝度が制御される）ことにより、上記映像データに応じた表示動作（発光動作）が実行され、表示パネルに所望の画像情報が表示される。
【００１１】
次いで、走査ドライバ１２０Ｐから走査ラインＳＬｐに非選択レベルの走査信号Ｓselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭｐが非選択状態に設定されるが、このとき、各表示画素に書き込まれた映像データ（電圧成分）が保持されることにより、上記映像データに応じた表示動作が継続される（映像表示動作）。この表示動作は、次の映像データが各行の表示画素ＥＭｐに書き込まれるまで、例えば、１フレーム期間継続して実行される（ホールド型の表示駆動制御）。
【００１２】
このようなホールド型の表示駆動方法においては、上述したインパルス型の表示駆動方法とは異なり、１フレーム期間のほとんどの期間において、映像データに応じた表示動作（発光動作）が継続されるので、静止画像の表示動作においてはちらつきが生じにくいという特性を有しているが、その反面、動画像の表示動作においては、前のフレーム期間に表示された画像情報が残像として視認されやすくなり、画像情報のボケやにじみを生じ、表示画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１３】
そこで、液晶表示装置や発光素子型の表示装置において、上述した動画像の表示動作におけるボケやにじみを抑制して表示画質を向上させる表示駆動方法として、例えば、図１８に示すように、１フレーム期間に、上述した各行の表示画素ＥＭｐに対する映像データ書込動作（映像データ書込期間）及び映像表示動作（映像表示期間）に加え、各表示画素ＥＭｐを最低階調で表示動作（発光動作）、又は、非表示動作（非発光動作）させるために、データドライバから各データラインにブランキングデータを供給して、各表示画素に当該ブランキングデータを書き込む動作（ブランキングデータ書込期間）、及び、当該ブランキングデータに基づく黒表示動作（黒表示期間）を実行する手法が知られている。
【００１４】
これにより、１フレーム期間に一定期間の黒表示期間が挿入されて、何も表示（発光）されない表示状態が設定されるので、映像表示期間が相対的に短縮されて、上述した陰極線管に適用されるインパルス型に類似した表示駆動方法（便宜的に「擬似インパルス型の表示駆動方法」と記す）を実現することができ、動画像の表示動作における表示品質を向上させることができる。このような表示装置の駆動制御方法については、例えば、特許文献１等に詳しく記載されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−２６４４８１号公報 （第１７頁〜第１８頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来技術に示した擬似インパルス型の表示駆動方法においては、図１８に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込期間及び映像表示期間と、同様にデータドライバから供給されるブランキングデータの書込期間及び黒表示期間とを設定する必要があるため、図１７に示したように、１フレーム期間内に、データドライバから供給される映像データの書込動作及び映像表示動作のみを実行し、黒表示動作を実行しない場合に比較して、映像データの書込動作に割り当てられる時間が短くなり、書込動作に係る駆動周波数（すなわち、表示装置の駆動周波数）を高くする必要がある（高速で書き込む必要がある）。
【００１７】
このように映像データ（表示データ）の書込期間が短くなり、高速で書込動作を実行しなければならなくなると、表示パネル（信号配線等）に寄生する抵抗成分や容量成分等によるＣＲ時定数に起因して信号遅延が生じ、各表示画素への映像データの書込状態が不十分となる書込不足が発生して、映像データに応じた階調表示が適切に実行されなくなるという問題を有していた。
【００１８】
また、図１７、図１８においては図示を省略したが、各表示画素に映像データを書き込む際には、先のフレーム期間において当該表示画素に書き込まれ、残留している映像データに基づく電圧成分を放電して初期化（リセット）するリセット動作や、当該行の走査ラインを選択レベルに設定する際の信号レベルの立ち上がり動作のための時間を短くする必要があるため、動作タイミングの設定に余裕がなくなり、タイミング制御が複雑になったり、誤動作が生じやすくなったりするという問題を有していた。
【００１９】
そこで、本発明は、上述した種々の問題点に鑑み、アクティブマトリックス型の駆動方式に対応した表示パネルを備えた表示装置において、動画像をボケやにじみのない良好な表示品質で表示することができるとともに、映像データ（表示データ）に対応した適切な階調で画像情報を表示することができる表示装置及びその表示駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
請求項１記載の発明は、行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有する表示装置において、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動部と、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に順次供給するデータ駆動部と、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記データ駆動部から供給された前記階調信号に基づいて前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部と、タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部及び前記データ駆動部、前記電源駆動部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記各行ごとの前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させる期間以外の期間に、前記電源駆動部による当該行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる駆動制御部と、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記データ駆動部から前記階調信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする。
【００２２】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示装置において、前記表示装置は、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記階調信号に基づいて前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するための設定信号を印加する状態設定制御部を、さらに備えていることを特徴とする。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の表示装置において、前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記状態設定制御部から前記設定信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする。
【００２４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置において、前記各表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、前記発光駆動回路は、少なくとも、前記階調信号に基づく電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量に応じた順バイアス電圧に基づいて所定の電流値を有する発光駆動電流を生成し、前記発光素子に供給する発光制御手段と、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する書込制御手段と、を備えていることを特徴とする。
【００２５】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記発光制御手段は、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記発光素子に接続されて、前記発光駆動電流を流す導通路と、前記電荷蓄積手段に接続され、前記導通路の導通状態を制御して前記発光素子への前記発光駆動電流の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００２６】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記書込制御手段は、一端が前記階調信号が供給される前記データラインに接続され、他端が前記電荷蓄積手段を介して前記発光制御手段の前記制御端子に接続された導通路と、前記走査信号が印加される前記走査ラインに接続され、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００２７】
請求項８記載の発明は、請求項５乃至７のいずれかに記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、少なくとも、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記データラインが接続され、該導通路の他端に前記接続接点が接続された第３のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の制御端子と前記接続接点との間に接続された容量素子と、を備え、前記発光制御手段は、前記第１のスイッチ手段を含んで構成され、前記電荷蓄積手段は、前記容量素子を含んで構成されていることを特徴とする。
【００２８】
請求項９記載の発明は、請求項５乃至８のいずれかに記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を放電して、前記発光制御手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加するバイアス制御手段を、さらに備えていることを特徴とする。
【００２９】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の表示装置において、前記各表示画素に設けられる前記バイアス制御手段は、一端が前記走査信号が供給される走査ラインに接続され、他端が前記発光制御手段の前記制御端子に接続されて、所定の信号レベルの前記走査信号を前記発光制御手段の前記制御端子に印加する導通路と、前記設定信号が印加されるバイアスラインに接続され、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷の放電状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする。
【００３０】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の表示装置において、前記発光駆動回路は、制御端子が前記バイアスラインに接続され、導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第４のスイッチ手段を、さらに備え、前記バイアス制御手段は、前記第４のスイッチ手段を含んで構成されていることを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項５乃至１１のいずれかに記載の表示装置において、少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記発光制御手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする。
【００３１】
請求項１３記載の発明は、請求項５乃至１２のいずれかに記載の表示装置において、前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする。
請求項１４記載の発明は、請求項５乃至１３のいずれかに記載の表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
【００３２】
請求項１５記載の発明は、行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定するタイミングに同期して、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を供給することにより、前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させて、前記表示パネルに前記所望の画像情報を表示する表示装置の表示駆動方法において、前記表示パネルに配列された各行ごとの前記表示画素を順次選択状態に設定して前記階調信号を供給するステップと、前記階調信号が供給された前記各行の前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で順次表示動作させるステップと、前記各行ごとの前記表示画素に前記階調信号を供給するステップを実行する期間を含む期間に、前記各行ごとの前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧の印加を遮断して非表示動作させるステップと、を含むことを特徴とする。
【００３３】
請求項１６記載の発明は、請求項１５記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各表示画素は、表示駆動手段を備え、前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記表示駆動手段に前記階調信号に応じた順バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする。
【００３４】
請求項１７記載の発明は、請求項１５又は１６記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行ごとの前記表示画素を非表示動作させるステップを実行する期間中に、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする。
【００３５】
請求項１８記載の発明は、請求項１７記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップは、前記表示駆動手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする。
【００３６】
請求項１９記載の発明は、請求項１５乃至１８のいずれかに記載の表示装置の表示駆動方法において、 前記各表示画素は、発光素子を備え、前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させることを特徴とする。
【００３７】
請求項２０記載の発明は、請求項１９記載の表示装置の表示駆動方法において、前記各行の前記表示画素に前記階調信号を供給するステップは、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３８】
すなわち、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法においては、表示パネルに２次元配列された複数の表示画素を、各行ごとに表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部（電源ドライバ）を備え、表示パネルに配列された各行の表示画素を表示データに応じたバイアス状態で表示させる表示動作期間（発光動作期間）においては、各行の表示画素に電源電圧を印加し、一方、各行の表示画素への表示データに応じた階調信号（階調電流）の書込動作期間を含む非表示動作期間においては、各行の表示画素への電源電圧の印加を遮断するように制御する。
【００３９】
これにより、各行の表示画素へのブランキングデータの書込動作を行うことなく、電源電圧の印加を遮断する動作のみで、当該行の表示画素（発光素子）を非表示動作（非発光動作）させることができるので、所定の１処理サイクル期間（１フレーム期間）のうち、一定期間のみ表示データに応じた輝度階調で表示動作（発光動作）する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。
【００４０】
ここで、各行の表示画素への電源電圧の印加を遮断する期間を任意に設定することにより、１処理サイクル期間（１フレーム期間）における上記非表示期間の比率（黒挿入率）を、動画像においてボケやにじみを抑制することができる概ね３０％以上に設定することができるので、鮮明で良好な表示画質を実現することができる。
【００４１】
また、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、動画像を鮮明な表示画質で表示するために、１フレーム期間中に黒表示動作（ブランキングデータの書込動作及び表示動作）を実行する必要がないので、各行の表示画素に対する表示データの書込動作期間が短縮されることがなく、各行の書込時間を充分に確保することができる。したがって、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。
【００４２】
さらに、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法によれば、表示パネルに配列される各表示画素に、発光制御手段や表示駆動手段（発光駆動用のスイッチング素子）として、例えば、アモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる回路構成を適用した場合、非表示動作期間中に各表示画素に設けられた発光制御手段や表示駆動手段に無電圧（０Ｖ）、又は、逆バイアス電圧を印加した状態（逆バイアス状態）に設定することができるので、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにおける素子特性（しきい値電圧の変動；Ｖthシフト）の劣化を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な階調表示（適切な輝度階調での発光素子の発光動作）を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明に係る表示装置及びその表示駆動方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。
［第１の実施形態］
＜表示装置＞
まず、本発明に係る表示装置の概略構成について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図であり、図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【００４４】
なお、以下に示す実施形態においては、表示パネルとして、発光素子を備えた複数の表示画素を２次元配列した構成を有し、各表示画素が表示データ（映像データ）に応じた輝度階調で発光動作することにより画像情報を表示する発光素子型の表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置のように、各表示画素が表示データに応じて階調制御（表示データに応じたバイアス状態に設定）され、透過光や反射光により所望の画像情報を階調表示（表示動作）する表示装置であってもよい。
【００４５】
図１、図２に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ａは、概略、行、列方向に相互に直交するように配設された複数の走査ラインＳＬと複数のデータラインＤＬとの各交点近傍に、後述する発光駆動回路及び発光素子を備えた複数の表示画素ＥＭが配列された表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各走査ラインＳＬに接続され、各走査ラインＳＬごとに所定のタイミングで選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加することにより、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ（走査駆動部）１２０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された複数の電源ラインＶＬに接続され、各電源ラインＶＬごとに所定のタイミングで電源電圧Ｖscを順次印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、表示パネル１１０の各データラインＤＬに接続され、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を、各データラインＤＬを介して表示画素ＥＭへ供給するデータドライバ（データ駆動部）１４０と、後述する表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、少なくとも上記走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ（駆動制御部）１５０と、例えば、表示装置１００Ａの外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給するとともに、該表示データに基づいて表示パネル１１０に所定の画像情報を表示するためのタイミング信号（システムクロック等）を抽出、又は、生成してシステムコントローラ１５０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備えて構成されている。
【００４６】
以下、上記各構成について具体的に説明する。
（表示パネル・表示画素）
図３は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。なお、本実施形態においては、表示画素として、表示データに応じた電流値を有する階調電流を供給することにより、各表示画素に設けられた発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作（表示動作）させる電流階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成（発光駆動回路）を備えた場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、表示データに応じた電圧値を有する階調電圧を印加することにより、各表示画素の発光素子に表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を流して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧階調指定方式の駆動制御方法に対応した回路構成を備えたものであってもよい。
【００４７】
本実施形態に係る表示装置１００Ａに適用される表示パネル１１０は、行、列方向に２次元配列された複数の表示画素ＥＭにおいて、例えば、まず、各行ごとの表示画素ＥＭに対して、発光駆動のための電源電圧の印加を順次遮断することにより、各行の表示画素ＥＭを所定の期間、順次非発光動作（非表示動作）させ、その後、表示データの書込動作を順次実行して、各行ごとの表示画素ＥＭを所定の輝度階調で順次発光動作（表示動作）させるように制御する。
【００４８】
そのための構成として、本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される表示画素ＥＭは、例えば、図３に示すように、概略、走査ドライバ１２０から印加される走査信号Ｖselに基づいて、表示画素ＥＭを選択状態に設定し、当該選択状態においてデータドライバ１４０から供給される階調信号（階調電流Ｉdata）を取り込み、該階調信号に応じた発光駆動電流を生成する発光駆動回路ＤＣ１と、該発光駆動回路ＤＣ１から供給される発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する周知の有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えた構成を適用することができる。
【００４９】
本実施形態に係る発光駆動回路ＤＣ１は、具体的には、図３に示すように、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が所定の電源電圧Ｖscが印加される電源ラインＶＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第２のスイッチ手段）Ｔｒ１１と、ゲート端子（制御端子）が走査ラインＳＬに、ソース端子及びドレイン端子（導通路の一端、他端）がデータラインＤＬ及び接点Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（書込制御手段、第３のスイッチ手段）Ｔｒ１２と、ゲート端子（制御端子）が接点Ｎ１１に、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が電源ラインＶＬ及び接点（接続接点）Ｎ１２に各々接続された薄膜トランジスタ（発光制御手段、第１のスイッチ手段、表示駆動手段）Ｔｒ１３と、接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間）に接続されたコンデンサ（電荷蓄積手段、容量素子）Ｃｓと、を備えた構成を有している。
【００５０】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード端子が上記発光駆動回路ＤＣ１の接点Ｎ１２に接続され、カソード端子には共通電圧Ｖcomが印加されている。ここで、共通電圧Ｖcomは、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）が当該表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）に供給される書込動作期間、及び、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬを発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）においてローレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）と等電位であるか、あるいは、当該電源電圧Ｖscよりも高い電位であって、かつ、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに発光駆動電流が供給されて所定の輝度階調で発光動作する発光動作期間（表示動作期間）においてハイレベルに設定される電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）よりも低電位となる、任意の電位（例えば、接地電位ＧＮＤ）に設定されている（Ｖｓ≦Ｖcom＜Ｖｅ）。
【００５１】
ここで、コンデンサＣｓは、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に形成される寄生容量であってもよいし、該寄生容量に加えて接点Ｎ１１及び接点Ｎ１２間にさらに容量素子を並列に接続したものであってもよい。また、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３については、特に限定するものではないが、例えば、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全て単一のチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）により構成することにより、ｎチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができる。
【００５２】
この場合、すでに確立されたアモルファスシリコン製造技術を適用して、素子特性（電子移動度等）が均一で安定したアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる発光駆動回路を、比較的簡易な製造プロセスで製造することができる。なお、以下の説明においては、発光駆動回路ＤＣ１の一構成例として、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３を全てｎチャネル型の薄膜トランジスタにより構成した場合について説明する。
【００５３】
また、上記においては、発光駆動回路ＤＣ１により発光駆動される発光素子を有機ＥＬ素子ＯＥＬとしたが、本発明における発光素子は有機ＥＬ素子ＯＥＬに限定されるものではなく、電流制御型の発光素子であれば、例えば、発光ダイオード等の他の発光素子であってもよい。さらに、本実施形態においては、発光駆動回路ＤＣ１により電流制御型の発光素子を発光駆動することにより画像情報を表示する場合について説明するが、表示データに応じた電圧成分を生成して、電圧制御型の発光素子を発光駆動する構成や、液晶分子の配向状態を変化させる回路構成を有するものであってもよい。
【００５４】
（走査ドライバ）
走査ドライバ１２０は、システムコントローラ１５０から供給される走査制御信号に基づいて、各走査ラインＳＬに選択レベル（上述した表示画素ＥＭにおいては、ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する。具体的には、各行の走査ラインＳＬに走査信号Ｖselを印加する動作を、相互に時間的に重ならないタイミングでずらして実行することにより、各行ごとの表示画素ＥＭを順次選択状態に設定する。
【００５５】
ここで、走査ドライバ１２０は、例えば、図２に示すように、後述するシステムコントローラ１５０から走査制御信号として供給される走査クロック信号ＳＣＫ及び走査スタート信号ＳＳＴに基づいて、各行の走査ラインＳＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１２１と、該シフトレジスタ１２１から出力されるシフト信号を所定の信号レベル（オンレベル）に変換して、システムコントローラ１５０から走査制御信号として供給される出力制御信号ＳＯＥに基づいて、各走査ラインＳＬに走査信号Ｖselとして出力する出力回路部（出力バッファ）１２２と、を備えた構成を有している。
【００５６】
（電源ドライバ）
電源ドライバ１３０は、システムコントローラ１５０から供給される電源制御信号に基づいて、各行の表示画素ＥＭについて、発光動作期間中のみハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）を当該行の電源ラインＶＬに印加し、発光動作（表示動作）期間以外の動作期間（書込動作期間を含む非発光動作（非表示動作）期間）中、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を印加する。ここで、ローレベルの電源電圧Ｖscを印加する動作は、実質的に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）への電源電圧Ｖscの供給を遮断する動作と等価となる。
【００５７】
ここで、電源ドライバ１３０は、例えば、図２に示すように、上述した走査ドライバ１２０と同様に、システムコントローラ１５０から電源制御信号として供給されるクロック信号ＶＣＫ及びスタート信号ＶＳＴに基づいて、各行の電源ラインＶＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１３１と、シフト信号を所定の電圧レベル（電圧値Ｖｅ、Ｖｓ）に変換して、電源制御信号として供給される出力制御信号ＶＯＥに基づいて、各電源ラインＶＬに電源電圧Ｖscとして出力する出力回路部１３２と、を備えた構成を有している。
【００５８】
（データドライバ）
図４は、本実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。なお、図４に示すデータドライバの内部構成については、表示データに応じた電流値を有する階調電流を生成することができる一構成例を示したものに過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５９】
データドライバ１４０は、概略、図１、図２に示すように、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号に基づいて、後述する表示信号生成回路１６０から供給される、デジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）を１行分ごとに所定のタイミングで順次取り込んで保持し、該表示データの階調値に対応する電流値を有する階調電流Ｉdataを生成して、書込動作期間に選択状態に設定された行の表示画素ＥＭに対して、各データラインＤＬを介して一斉に供給する。
【００６０】
データドライバ１４０は、具体的には、図５に示すように、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（シフトクロック信号ＣＬＫ、サンプリングスタート信号ＳＴＲ）に基づいて、順次シフト信号を出力するシフトレジスタ回路４１と、該シフト信号の入力タイミングに基づいて、表示信号生成回路１６０から供給される１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを順次取り込むデータレジスタ回路４２と、データ制御信号（データラッチ信号ＳＴＢ）に基づいて、データレジスタ回路４２により取り込まれた１行分の表示データＤ０〜Ｄｍを保持するデータラッチ回路４３と、図示を省略した電源供給手段から供給される階調基準電圧Ｖ０〜ＶＰに基づいて、上記保持された表示データＤ０〜Ｄｍを、所定のアナログ信号電圧（階調電圧Ｖpix）に変換するＤ／Ａコンバータ４４と、アナログ信号電圧に変換された表示データに対応する階調電流Ｉdataを生成し、システムコントローラ１５０から供給されるデータ制御信号（出力イネ−ブル信号ＯＥ）に基づくタイミングで、当該表示データに対応する列のデータラインＤＬに一斉に出力する電圧電流変換・階調電流供給回路４５と、を備えた構成を適用することができる。
【００６１】
（システムコントローラ）
システムコントローラ１５０は、少なくとも、走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０の各々に対して、動作状態を制御するタイミング制御信号として、走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力することにより、各ドライバを所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する走査信号Ｖsel及び電源電圧Ｖsc、並びに、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を生成して出力させ、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）における駆動制御動作（非発光動作、書込動作、発光動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御（後述する表示装置の表示駆動制御）を行う。
【００６２】
（表示信号生成回路）
表示信号生成回路１６０は、例えば、表示装置１００Ａの外部から供給される映像信号から輝度階調信号成分を抽出し、表示パネル１１０の１行分ごとに、該輝度階調信号成分をデジタル信号からなる表示データ（輝度階調データ）としてデータドライバ１４０のデータレジスタ回路４２に供給する。ここで、上記映像信号が、テレビ放送信号（コンポジット映像信号）のように、画像情報の表示タイミングを規定するタイミング信号成分を含む場合には、表示信号生成回路１６０は、上記輝度階調信号成分を抽出する機能のほか、タイミング信号成分を抽出してシステムコントローラ１５０に供給する機能を有するものであってもよい。この場合においては、上記システムコントローラ１５０は、表示信号生成回路１６０から供給されるタイミング信号に基づいて、走査ドライバ１２０や電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に対して個別に供給する各制御信号を生成する。
【００６３】
＜表示画素（発光駆動回路）の駆動制御方法＞
次に、本実施形態において、上述した表示パネルを構成する表示画素（図３参照）の駆動制御方法について説明する。
図５は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。また、図６は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における非発光動作及び書込動作を示す概念図であり、図７は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における発光動作を示す概念図である。
【００６４】
本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）における駆動制御動作は、図５に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcyc内に、走査ラインＳＬに接続された表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを供給することにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に、当該表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流を有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（表示動作期間）Ｔemと、当該発光動作期間Ｔem以外の期間（上記書込動作期間Ｔwrtを含む期間）であって、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）への電源電圧Ｖscの供給を遮断（ローレベルの電源電圧Ｖscを印加）することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して、発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔem＋Ｔnem、Ｔnem≧Ｔwrt）。
【００６５】
ここで、１処理サイクル期間Ｔcyc中に設定される書込動作期間Ｔwrt、発光動作期間Ｔem及び非発光動作期間Ｔnemは、図５に示すように、非発光動作の後に、書込動作及び発光動作を連続的に実行するものであってもよいし、非発光動作期間の任意のタイミング（非発光動作期間の途中）で書込動作を実行し、当該発光動作期間の終了後に発光動作を実行するものであってもよい。
【００６６】
また、本実施形態に係る１処理サイクル期間Ｔcycは、例えば、表示画素ＥＭが１フレーム（１画面）の画像のうちの１画素分の画像情報を表示するのに要する期間に設定される。すなわち、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、複数の表示画素ＥＭを行方向及び列方向に２次元配列した表示パネル１１０に、１フレームの画像を表示する場合、上記１処理サイクル期間Ｔcycは、１行分の表示画素ＥＭが１フレームの画像のうちの１行分の画像を表示するのに要する期間に設定される。
【００６７】
（非表示動作期間）
まず、非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemにおいては、図５、図６（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、非選択レベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。また、データドライバ１４０からはデータラインＤＬに対して階調電流Ｉdataは供給されない。
【００６８】
これにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と電源ラインＶＬとの電気的な接続が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）とデータラインＤＬとの電気的な接続も遮断された状態に設定される。
【００６９】
ここで、後述する表示装置の表示駆動方法において説明するように、各表示画素における駆動制御動作は、１処理サイクル期間Ｔcyc（１フレーム期間Ｔfr）を周期として繰り返し実行されるので、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点における薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にある。
【００７０】
そのため、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）には、電源ラインＶＬに印加されているローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が薄膜トランジスタＴｒ１３を介して印加されることになり、カソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下の電位に設定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【００７１】
（書込動作期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される書込動作期間Ｔwrtにおいては、図５、図６（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを選択状態に設定するとともに、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０からデータラインＤＬに対して、表示データに応じた（負極性の）電流値を有する階調電流Ｉdataを供給する。また、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【００７２】
これにより、発光駆動回路ＤＣ１に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオン動作して、ローレベルの電源電圧Ｖscが薄膜トランジスタＴｒ１１を介して薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）に印加されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）が薄膜トランジスタＴｒ１２を介して、データラインＤＬに電気的に接続される。
【００７３】
ここで、データラインＤＬには負極性の電流値を有する階調電流Ｉdataが供給されることにより、データラインＤＬ側からデータドライバ１４０方向に階調電流Ｉdataを引き込む動作が行われ、ローレベルの電源電圧Ｖscよりも低電位の電圧レベルが薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）に印加される。
【００７４】
このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に電位差が生じることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、薄膜トランジスタＴｒ１２、データラインＤＬを介して、データドライバ１４０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。
【００７５】
このとき、コンデンサＣｓには、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間）に生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分として保持される（図５中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。また、電源ラインＶＬには、ローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、さらに、書込電流ＩａがデータラインＤＬ方向に流れるように制御されていることから、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも低くなるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【００７６】
（表示動作期間）
次いで、書込動作期間Ｔwrt、又は、該書込動作期間Ｔwrtを含む非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnem終了後の発光動作期間（表示動作期間）Ｔemにおいては、図５、図７に示すように、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、この非選択タイミングに同期して、データドライバ１３０からの階調電流Ｉdataの供給が遮断されて、当該階調電流Ｉdataの引き込み動作が停止される。また、この発光動作期間Ｔemにおいては、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加される。
【００７７】
これにより、発光駆動回路ＤＣ1に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ動作して、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）への電源電圧Ｖscの印加が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）への階調電流Ｉdataの引き込み動作に起因する電圧レベルの印加が遮断されるので、コンデンサＣｓには、上述した書込動作期間Ｔwrtにおいて蓄積された電荷が保持される。
【００７８】
このように、接点Ｎ１１及びＮ１２間（薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間；コンデンサＣｓの両端）の電位差が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬには、共通電圧Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）よりも高電位の電源電圧Ｖscが印加されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。
【００７９】
したがって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂが流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬが発光する。ここで、コンデンサＣｓにより保持される電圧成分（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）は、薄膜トランジスタＴｒ１３において階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａを流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流Ｉｂは、上記書込電流Ｉａと同等の電流値（Ｉｂ≒Ｉａ）を有することになる。
【００８０】
そして、当該表示画素ＥＭにおいて、書込動作期間Ｔwrtに書き込まれた表示データ（階調電流Ｉdata）に対応する電圧成分に基づいて、発光動作期間Ｔem中、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して発光駆動電流Ｉｂが継続的に供給されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬは当該表示データに応じた輝度階調で発光する動作を継続する。
【００８１】
このように、本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）によれば、書込動作期間Ｔwrtにおいて、表示データ（輝度階調）に応じた電流値を指定した階調電流Ｉdata（書込電流Ｉａ）を強制的に駆動トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に流して、その電流値に応じて保持される駆動トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間の電圧成分に基づいて、有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬに流す発光駆動電流Ｉｂを制御することにより、所定の輝度階調で発光動作させる電流階調指定方式の駆動制御方法を適用することができる。
【００８２】
また、本実施形態に係る表示画素ＥＭによれば、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動回路ＤＣ１を構成する単一の発光駆動用トランジスタ（薄膜トランジスタＴｒ１３）により、表示データに応じた階調電流Ｉdataの電流レベルを電圧レベルに変換する機能（電流／電圧変換機能）と、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給する機能（発光駆動機能）の双方を実現することができるので、発光駆動回路ＤＣを構成する各トランジスタの動作特性のバラツキや経時変化の影響を受けることなく、長期間にわたり安定的に所望の発光特性を実現することができる。
【００８３】
＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図８は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。なお、本実施形態においては、説明の都合上、便宜的に表示パネルに１２行（ｎ＝１２；第１行〜第１２行）の表示画素が配列された構成を有しているものとして説明する。また、図中、ｋは正の整数であり、図中の各行のクロスメッシュで示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの書込動作期間を表しており、ドットで示したハッチング部分は、各々、上述した発光動作期間を表している。
【００８４】
本実施形態に係る表示装置１００Ａの表示駆動方法は、まず、表示パネル１１０に配列された各行ごとの表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ１）に対して、表示画素ＥＭを表示動作させない（有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させない）非発光動作を実行し、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの終了間際）で、表示データに応じた階調電流Ｉdataを書き込む書込動作を各行ごとに順次実行し、その後、表示データ（階調電流）に応じた所定の輝度階調で順次発光動作させることにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。ここで、少なくとも各行における書込動作期間Ｔwrtが相互に（時間的に）重ならないように動作タイミングが制御される。
【００８５】
具体的には、まず、図８に示すように、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）において、図５に示したように、走査ドライバ１２０から表示パネル１１０の特定の行（例えば、ｉ行目；１≦ｉ≦１２）の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。また、データドライバ１４０から各データラインＤＬに階調電流Ｉdataが供給されない状態（階調電流Ｉdataの供給が遮断された状態）に設定する。
【００８６】
そして、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることにより、図６（ａ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じないので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
【００８７】
次いで、図８に示すように、上記非発光動作期間Ｔnem内に設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、図５に示したように、走査ドライバ１２０から表示パネル１１０のｉ行の走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを選択状態に設定する。また、当該書込動作期間Ｔwrtにおいては、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【００８８】
そして、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０から当該ｉ行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各データラインＤＬに供給することにより、図６（ｂ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭの発光駆動回路ＤＣに階調電流Ｉdataに応じた書込電流Ｉａが流れて、各薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間（コンデンサＣｓの両端）に、階調電流Ｉdataに応じた電圧成分Ｖdataが保持（電荷が蓄積）される。
【００８９】
ここで、当該書込動作期間Ｔwrtにおいては、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、書込動作が行われているｉ行目の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることにより、各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じないので、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流は流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
このような書込動作を含む非発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、各行ごとにタイミングをずらして順次実行され、特に各行における書き込み動作は相互に時間的に重ならないように順次実行される。
【００９０】
次いで、図８に示すように、発光動作期間Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、図５に示したように、走査ドライバ１２０から非発光動作期間Ｔnemが終了したｉ行の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の各表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。また、データドライバ１４０から各データラインＤＬへの階調電流Ｉdataの供給が遮断される。
【００９１】
そして、このタイミングに同期して、電源ドライバ１３０から当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、図７に示したように、ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のドレイン−ソース間に電位差が生じるので、各表示画素ＥＭ（発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に充電された電圧成分に基づいて、表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流Ｉｂが有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給されて、所定の輝度階調で発光動作が行われる。
このような発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、上述した書込動作（又は、書込動作を含む非発光動作）が終了した行の表示画素ＥＭごとにタイミングをずらして順次実行される。
【００９２】
すなわち、表示パネル１１０に２次元配列された複数の表示画素ＥＭについて、各行ごとに１フレーム期間Ｔfr中に所定の長さの非発光動作期間Ｔnemが設定されるので、１フレーム期間Ｔfrのうち、一定期間のみ表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で各表示画素ＥＭが発光動作する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。ここで、１フレーム期間Ｔfr中に設定される非発光動作期間Ｔnem、又は、発光動作期間Ｔemの長さは、例えば、システムコントローラ１５０から走査ドライバ１２０、電源ドライバ１３０及びデータドライバ１４０にタイミング制御信号として供給される走査制御信号、電源制御信号及びデータ制御信号により任意に設定することができる。
【００９３】
したがって、図８に示したタイミングチャートにおいて、１フレーム期間Ｔfrにおける上記非発光動作（書込動作を含む）による非表示期間の比率（黒挿入率）を、例えば、５０％に設定することにより、表示パネル１１０に表示される画像情報（表示画面）の半分を黒表示（非表示）することができるので、人間の視覚において、動画像をボケやにじみがなく鮮明に視認するために必要とされる概ね３０％以上の黒挿入率を実現することができ、良好な表示画質で動画像を表示することができる。なお、１フレーム期間Ｔfrにおける黒挿入率（非表示期間の比率）は、上述した５０％に限定されるものではなく、上記３０％以上の任意の数値であることが望ましいが、３０％以下の数値であってもよい。
【００９４】
また、この場合、従来技術に示した表示駆動方法（図１７参照）と同様に、１フレーム期間Ｔfrの全時間を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができるので、図１８に示した表示駆動方法のように、ブランキングデータの書込動作及び黒表示動作を実行するために、各行における書込動作期間Ｔwrt（従来技術における映像データ書込期間に相当する）が短縮されることがなく、各行の書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。また、これにより、各種信号のタイミング制御に余裕を持たせることができるので、表示装置の誤動作の発生を抑制することができる。
【００９５】
なお、本実施形態においては、説明の都合上、図８のタイミングチャートに示したように、１フレーム期間Ｔfr中に、書込動作期間を含む非発光動作（非表示動作）を実行した後、発光動作（表示動作）を実行する場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＥＬの発光動作（表示画素ＥＭの表示動作）を伴わない書込動作を実行した後、所定の長さの発光動作を実行し、その後に、非発光動作を実行する場合であっても、実質的に制御動作は同等である。
【００９６】
［第２の実施形態］
次に、本実施形態に係る表示装置及びその表示駆動方法の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。
図９は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ、バイアス制御ドライバ）の一例を示す要部構成図である。また、図１０は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。ここで、上述した第１の実施形態（図１〜図３参照）と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【００９７】
上述した第１の実施形態においては、図３に示したように、各表示画素ＥＭに設けられる発光駆動回路ＤＣ１として、単一のチャネル型の複数の薄膜トランジスタからなる回路構成を示し、この場合、製造プロセスが簡易で素子特性（電子移動度）が均一なアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用することができることを説明したが、アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、一般に駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）が発生しやすいということが知られている。
【００９８】
そのため、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合、そのしきい値電圧の変動により、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給される発光駆動電流Ｉｂの電流値が、表示データに対応しなくなって適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができなくなり、表示画質の劣化を招く可能性がある。
【００９９】
そこで、本実施形態においては、上述した１フレーム期間Ｔfrにおいて、しきい値電圧の変動をもたらす発光動作（表示動作）時以外の非発光動作期間（非表示動作期間）に、各表示画素ＥＭの発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ２３）のゲート−ソース間電圧（コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ）を０Ｖ（無電圧）又は負電圧（逆バイアス電圧）に設定して、当該スイッチング素子のしきい値電圧の変動を抑制するようにした構成を有している。
【０１００】
図９に示すように、本実施形態に係る表示装置１００Ｂは、具体的には、上述した第１の実施形態と同様に、行、列方向に複数の表示画素ＥＭが２次元配列された表示パネル１１０と、該表示パネル１１０の各走査ラインＳＬに選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを順次印加して、行ごとの表示画素ＥＭを選択状態に設定する走査ドライバ（走査駆動部）１２０と、各行の走査ラインＳＬに並行に配設された電源ラインＶＬに電源電圧Ｖscを順次印加する電源ドライバ（電源駆動部）１３０と、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を、各データラインＤＬを介して表示画素ＥＭへ供給するデータドライバ（データ駆動部）１４０と、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための走査制御信号及び電源制御信号、データ制御信号を生成して出力するシステムコントローラ（駆動制御部）１５０と、外部から供給される映像信号に基づいて、表示データ（輝度階調データ）を生成してデータドライバ１４０に供給する表示信号生成回路１６０と、を備え、さらに、各行の走査ラインＳＬに並行に配設されたバイアスラインＢＬを介して、各行の表示画素ＥＭに所定の電圧レベルを有するバイアス信号（設定信号）Ｖbsを印加するバイアス制御ドライバ（状態設定制御部）１７０と、を備えた構成されている。
【０１０１】
バイアス制御ドライバ１７０は、システムコントローラ１５０から供給されるバイアス制御信号に基づいて、各行の表示画素ＥＭについて、非発光動作期間Ｔnem中の特定の期間のみ、バイアス信号Ｖbsを当該行のバイアスラインＢＬに印加し、書込動作期間Ｔwrtを除く非発光動作期間Ｔnem中、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に０Ｖ（無電圧）、又は、逆バイアス電圧を印加して）を無電界状態、又は、逆バイアス状態（特定のバイアス状態）に設定する。
【０１０２】
ここで、バイアス制御ドライバ１７０は、例えば、図９に示すように、上述した走査ドライバ１２０や電源ドライバ１３０と同様に、システムコントローラ１５０からバイアス制御信号として供給されるクロック信号ＢＣＫ及びスタート信号ＢＳＴに基づいて、各行のバイアスラインＢＬに対応するシフト信号を順次出力する周知のシフトレジスタ１７１と、シフト信号を所定の電圧レベルに変換して、バイアス制御信号として供給される出力制御信号ＢＯＥに基づいて、各バイアスラインＢＬにバイアス信号Ｖbsとして出力する出力回路部１７２と、を備えた構成を有している。
【０１０３】
システムコントローラ１５０は、バイアス制御ドライバ１７０に対して、動作状態を制御するタイミング制御信号としてバイアス制御信号を生成して出力することにより、第１の実施形態に示した走査ドライバ１２０及び電源ドライバ１３０、データドライバ１４０に加え、バイアス制御ドライバ１７０を所定のタイミングで動作させて、所定の電圧レベルを有する走査信号Ｖsel及び電源電圧Ｖsc、表示データに応じた階調信号（階調電流Ｉdata）、バイアス信号Ｖbsを生成して表示パネル１１０に出力させ、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）における駆動制御動作（非発光動作、逆バイアス設定動作、書込動作、発光動作）を連続的に実行させて、映像信号に基づく所定の画像情報を表示パネル１１０に表示させる制御（後述する表示装置の表示駆動制御）を行う。
【０１０４】
また、本実施形態に係る表示パネル１１０に配列される表示画素ＥＭは、例えば、図１０に示すように、上述した第１の実施形態に示した構成（図３参照）と同様に、表示データ応じた階調信号（階調電流Ｉdata）を取り込み、発光駆動電流を生成する発光駆動回路ＤＣ２と、該発光駆動電流に基づいて、所定の輝度階調で発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備え、特に、本実施形態に係る表示画素ＥＭに適用される発光駆動回路ＤＣ２は、具体的には、第１の実施形態に示した薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３及びコンデンサＣｓに加え、ゲート端子（制御端子）がバイアスラインＢＬに、ドレイン端子及びソース端子（導通路の一端、他端）が走査ラインＳＬ及び接点Ｎ１１に各々接続された薄膜トランジスタ（バイアス制御手段、第４のスイッチ手段）Ｔｒ１４を備えた構成を有している。
ここで、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１４は、上述したように、製造技術が簡易で素子特性（電子移動度等）が均一なアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用して構成されている。
【０１０５】
次いで、本実施形態に係る表示パネルに適用される表示画素（図１０参照）の駆動制御方法について説明する。
図１１は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。また、図１２は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図であり、図１３は、本実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の駆動制御動作については、その説明を簡略化する。
【０１０６】
本実施形態に係る表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）における駆動制御動作は、図１１に示すように、所定の１処理サイクル期間Ｔcyc（例えば、１フレーム期間Ｔfr）内に、表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）への電源電圧Ｖscの供給を遮断（ローレベルの電源電圧Ｖscを印加）することにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬへの発光駆動電流の供給を遮断して、発光動作させない非発光動作期間（非表示動作期間）Ｔnemと、当該非発光動作期間Ｔnem中に実行され、バイアスラインＢＬを介してバイアス信号Ｖbsを印加することにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に保持された（残留する）電荷を放電して０Ｖ（無電圧）又は逆バイアス電圧が印加された無電界状態又は逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定期間Ｔbsと、当該非発光動作期間Ｔnem中に実行され、走査ラインＳＬに接続された表示画素ＥＭを選択状態に設定し、表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを供給することにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓ）に、当該表示データに応じた電圧成分を保持させる書込動作期間Ｔwrtと、当該書込動作期間Ｔwrtに薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に保持された電圧成分に基づいて、表示データに応じた電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを有機ＥＬ素子ＯＥＬに流して、所定の輝度階調で発光動作させる発光動作期間（表示動作期間）Ｔemと、を含むように設定されている（Ｔcyc≧Ｔem＋Ｔnem、Ｔnem≧Ｔbs＋Ｔwrt）。
【０１０７】
ここで、非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtは、図１１に示すように、各々、非発光動作期間Ｔnemの開始時及び終了時に設定されるものであってもよいし、非発光動作期間の任意のタイミング（非発光動作期間の途中）で逆バイアス設定動作及び書込動作が実行されるように、逆バイアス設定期間Ｔbs及び書込動作期間Ｔwrtが設定されるものであってもよい。
【０１０８】
（非発光動作期間）
まず、非発光動作期間Ｔnemにおいては、図１１、図１２（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、非選択レベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。また、データドライバ１４０からはデータラインＤＬに対して階調電流Ｉdataは供給されない。
【０１０９】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と電源ラインＶＬとの電気的な接続が遮断されるとともに、薄膜トランジスタＴｒ１３のソース端子（接点Ｎ１２；コンデンサＣｓの他端側）とデータラインＤＬとの電気的な接続も遮断された状態に設定される。なお、非発光動作期間Ｔnemにおいて、後述する逆バイアス設定期間Ｔbs以外の期間においては、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加され、薄膜トランジスタＴｒ１４はオフ状態に設定されることにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定される。
【０１１０】
ここで、上述した第１の実施形態に示した非表示動作期間と同様に、各表示画素における駆動制御動作は、１処理サイクル期間Ｔcyc（１フレーム期間Ｔfr）を周期として繰り返し実行されるので、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点における薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にある。
【０１１１】
そのため、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）には、電源ラインＶＬに印加されているローレベル（接地電位ＧＮＤ以下）の電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が薄膜トランジスタＴｒ１３を介して印加されることになり、カソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下の電位に設定されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１１２】
（逆バイアス設定期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される逆バイアス設定期間Ｔbsにおいては、図１１、図１２（ｂ）に示すように、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ハイレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。
【０１１３】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１４がオン動作することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）には非選択レベル（ローレベル；Ｖsn）に設定された走査信号Ｖselの電圧レベルが印加された状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記非選択レベルの走査信号Ｖselに基づく電圧レベル（＝Ｖsn）と、接点Ｎ１２の電位との差分が生じることになる。
【０１１４】
ここで、上述したように、非発光動作期間Ｔnemの開始時点におけるコンデンサＣｓには、一つ前の処理サイクル期間において表示データに基づいて書き込まれた電圧成分が保持された状態にあり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態にあるので、図１１に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行する場合、接点Ｎ１２（コンデンサＣｓの他端）には、薄膜トランジスタＴｒ１３を介して電源ラインＶＬに印加されている電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加されることになる。
【０１１５】
したがって、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）と、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）との差分（Ｖsn−Ｖｓ）が印加、保持されることになる（図１１、図１２（ｂ）中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。ここで、少なくとも非選択レベルの走査信号Ｖsel（＝Ｖsn）の電圧レベルを、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）に対して同等、もしくは、低く設定することにより、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加される電位差（コンデンサＣｓの両端電圧Ｖｃ）を、０Ｖ（無電界状態）又は逆バイアス状態に設定することができる。
【０１１６】
なお、上記非発光動作期間Ｔnemの開始時点で逆バイアス設定動作を実行した場合、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、上記逆バイアス電圧（Ｖsn−Ｖｓ）が保持され、非発光動作期間Ｔnem中、継続して無電界状態又は逆バイアス状態が保持される。
【０１１７】
これにより、薄膜トランジスタＴｒ１３は確実にオフ動作するように制御されるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）に印加される電位はカソード端子の電位Ｖcom（接地電位ＧＮＤ）に対して同等以下に設定されて、有機ＥＬ素子ＯＥＬに逆バイアス電圧が印加されることになり、有機ＥＬ素子ＯＥＬには発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１１８】
（書込動作期間）
次いで、上記非発光動作期間Ｔnem中に設定される書込動作期間Ｔwrtにおいては、図１１、図１３（ａ）に示すように、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを選択状態に設定するとともに、この選択タイミングに同期して、データドライバ１４０からデータラインＤＬに対して、表示データに応じた（負極性の）電流値を有する階調電流Ｉdataを供給する。また、この書込動作期間Ｔwrtにおいては、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加され、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。
【０１１９】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１４がオフ状態に設定されるので、薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート端子（接点Ｎ１１；コンデンサＣｓの一端側）と走査ラインＳＬとの電気的な接続が遮断された状態に設定され、上述した第１の実施形態に示した書込動作期間と同様に、薄膜トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１３がオン動作して、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２、薄膜トランジスタＴｒ１２、データラインＤＬを介して、データドライバ１４０方向に、階調電流Ｉdataに対応した書込電流Ｉａが流れる。
【０１２０】
したがって、薄膜トランジスタのＴｒ１３のゲート−ソース間（コンデンサＣｓの両端）には、書込電流Ｉａにより生じた電位差に対応する電荷が蓄積され、電圧成分Ｖdataとして保持される（図１１中、コンデンサＣｓの両端電位Ｖｃ参照）。また、このとき、有機ＥＬ素子ＯＥＬには逆バイアス電圧が印加されることになり、発光駆動電流は流れず、発光動作は行われない（非発光動作）。
【０１２１】
（発光動作期間）
次いで、書込動作期間Ｔwrt、又は、該書込動作期間Ｔwrtを含む非発光動作期間Ｔnem終了後の発光動作期間Ｔemにおいては、図１１、図１３（ｂ）に示すように、上述した非発光動作期間Ｔnemと同様に、走査ドライバ１２０から走査ラインＳＬに対して、ローレベルの走査信号Ｖselを印加して当該表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、この非選択タイミングに同期して、データドライバ１３０からの階調電流Ｉdataの供給が遮断されて、当該階調電流Ｉdataの引き込み動作が停止される。また、上記非発光動作期間Ｔnemと同様に、バイアス制御ドライバ１７０からバイアスラインＢＬに対して、ローレベルのバイアス信号Ｖbsが印加される。一方、この発光動作期間Ｔemにおいては、電源ドライバ１３０から電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加される。
【０１２２】
これにより、発光駆動回路ＤＣ２に設けられた薄膜トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ１４がオフ動作するので、上述した第１の実施形態に示した発光動作期間と同様に、コンデンサＣｓには、上述した書込動作期間Ｔwrtにおいて蓄積された電荷（電圧成分Ｖdata）が保持されることになり、薄膜トランジスタＴｒ１３はオン状態を維持する。また、電源ラインＶＬにハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード端子（接点Ｎ１２）の電位はカソード端子の電位（接地電位）よりも高くなる。
【０１２３】
したがって、電源ラインＶＬから薄膜トランジスタＴｒ１３、接点Ｎ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに順バイアス方向に所定の発光駆動電流Ｉｂ（≒Ｉａ）が流れ、発光動作期間Ｔem中、有機ＥＬ素子ＯＥＬは表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で発光する動作を継続する。
【０１２４】
ここで、上述した回路構成を有する表示画素（発光駆動回路）及びその駆動制御方法によるしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）について具体的に説明する。
図１４は、本実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。ここでは、発光駆動用のスイッチング素子として適用されるｎチャネル型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタについて、ゲート−ソース間に順バイアス電圧を印加して継続的にオン動作させた場合（図中、点線で示す）と、駆動動作期間の１／５の期間だけ、逆バイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）を印加して逆バイアス状態に設定した場合（図中、実線で示す）の、時間経過に対するしきい値電圧の変動量の変化傾向を測定した結果の一例を示す。
【０１２５】
図１４に示すように、薄膜トランジスタに順バイアス電圧を継続的に印加した場合においては、図中、点線で示すように、時間の経過（横軸）にしたがって、しきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）が顕著に増大する傾向を示す（２５０時間経過で２Ｖ程度）のに対して、薄膜トランジスタに一定期間、逆バイアス電圧を印加した場合においては、図中、実線で示すように、時間の経過（横軸）に対して、しきい値電圧の変動量が大幅に抑制される傾向を示す（２５０時間経過で０．６Ｖ程度）ことが判明した。
【０１２６】
このようなしきい値電圧の変動抑制効果（Ｖthシフト量抑制効果）は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの素子構造において、駆動動作期間中に一定期間だけ逆バイアス状態を設定することによって、ゲート絶縁膜を構成する窒化膜中への電荷の導入が膜厚の比較的浅い領域において行われ、深い領域への導入が抑制されること、さらに、逆バイアス状態に設定されることにより、窒化膜にトラップされた電荷が放出されることによるものと考えられている。
【０１２７】
したがって、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられる発光駆動用のスイッチング素子として、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、駆動履歴によるしきい値電圧の変動（Ｖthシフト）を抑制することができるので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに対して表示データに対応した電流値を有する発光駆動電流Ｉｂを供給することができ、適切な輝度階調で発光動作（表示動作）することができ、表示画質を向上させることができる。
【０１２８】
＜表示装置の表示駆動方法＞
次に、本実施形態に係る表示装置における表示駆動方法（画像情報の表示動作）について説明する。
図１５は、本実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。ここで、上述した第１の実施形態と同等の制御方法については、その説明を簡略化する。また、図中の各行の斜線で示したハッチング部分は、各々、上述した表示データの逆バイアス設定期間を表している。
【０１２９】
本実施形態に係る表示装置１００Ｂの表示駆動方法は、まず、表示パネル１１０に配列された各行ごとの表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に対して、表示画素ＥＭを表示動作させない（有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させない）非発光動作を実行し、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの開始と同時）で、各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ２）に設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス設定動作を各行ごとに順次実行する。その後、当該非発光動作期間Ｔnem中の任意のタイミング（本実施形態では非発光動作期間Ｔnemの終了間際）で、表示データに応じた階調電流Ｉdataを書き込む書込動作を各行ごとに順次実行し、その後、当該表示データ（階調電流）に応じた所定の輝度階調で順次発光動作させることにより、表示パネル１１０一画面分の画像情報が表示される。ここで、少なくとも各行における書込動作期間Ｔwrtが相互に（時間的に）重ならないように動作タイミングが制御される。
【０１３０】
具体的には、まず、図１５に示すように、１フレーム期間Ｔfr内の非発光動作期間Ｔnemの開始タイミングに同期して設定される逆バイアス設定期間Ｔbs（図中、斜線で表示）においては、図１１に示したように、表示パネル１１０の特定の行（例えば、ｉ行目；１≦ｉ≦１２）の走査ラインＳＬに対して、非選択レベル（ローレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを非選択状態に設定する。
【０１３１】
そして、このタイミングに同期して、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）を印加するとともに、当該ｉ行のバイアスラインＢＬに対して、バイアス信号Ｖbsを印加することにより、図１２（ｂ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭにおいて発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に逆バイアス電圧が印加される（逆バイアス設定動作）ので、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ動作して、有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態に設定される（非発光動作する）。
【０１３２】
また、逆バイアス設定期間Ｔbs終了後の非発光動作期間Ｔnem（図中、白抜きで表示）においては、上述した逆バイアス設定動作により薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間に印加された逆バイアス電圧が保持されることにより、当該薄膜トランジスタＴｒ１３はオフ状態を保持して、有機ＥＬ素子ＯＥＬ方向に発光駆動電流Ｉｂは流れず、当該ｉ行の表示画素ＥＭが非発光状態を継続する（非発光動作する）。
【０１３３】
次いで、図１５に示すように、上記非発光動作期間Ｔnemの終了タイミングに同期して設定される書込動作期間Ｔwrt（図中、クロスメッシュで表示）においては、図１１に示したように、ｉ行の走査ラインＳＬに対して、選択レベル（ハイレベル）の走査信号Ｖselを印加することにより、当該ｉ行の表示画素ＥＭを選択状態に設定する。また、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ローレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｓ）が印加される。
【０１３４】
そして、この選択タイミングに同期して、当該ｉ行の表示データに応じた電流値を有する階調電流Ｉdataを、各データラインＤＬに供給することにより、図１３（ａ）に示したように、当該ｉ行の各表示画素ＥＭ（発光駆動回路ＤＣ）の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース端子間（コンデンサＣｓの両端）に、階調電流Ｉdataに応じた電圧成分が保持（電荷が蓄積）される。
【０１３５】
このような書込動作を含む非発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、各行ごとにタイミングをずらして順次実行され、特に各行における書込動作は相互に時間的に重ならないように順次実行される。
次いで、図１５に示すように、発光動作期間Ｔem（図中、ドットハッチングで表示）においては、ｉ行の各表示画素ＥＭを非選択状態に設定するとともに、各データラインＤＬへの階調電流Ｉdataの供給が遮断される。
【０１３６】
そして、このタイミングに同期して、当該ｉ行の電源ラインＶＬに対して、ハイレベルの電源電圧Ｖsc（＝Ｖｅ）が印加されることにより、図１３（ｂ）に示したように、各表示画素ＥＭ（発光駆動用の薄膜トランジスタＴｒ１３のゲート−ソース間）に充電された電圧成分に基づいて、表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた発光駆動電流Ｉｂが薄膜トランジスタＴｒ１３を介して有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給されて、所定の輝度階調で発光動作が行われる。
このような発光動作は、表示パネル１１０に配列された表示画素ＥＭについて、上述した書込動作（又は、書込動作を含む非発光動作）が終了した行の表示画素ＥＭごとにタイミングをずらして順次実行される。
【０１３７】
すなわち、表示パネル１１０に２次元配列された複数の表示画素ＥＭについて、各行ごとに１フレーム期間Ｔfr中に所定の長さの非発光動作期間Ｔnemが設定されるので、１フレーム期間Ｔfrのうち、一定期間のみ表示データ（階調電流Ｉdata）に応じた輝度階調で各表示画素ＥＭが発光動作する擬似インパルス型の表示駆動制御を実現することができる。これにより、動画像をボケやにじみがなく鮮明に表示することができる。
【０１３８】
また、この場合、従来技術に示した表示駆動方法（図１７参照）と同様に、１フレーム期間Ｔfrの全時間を用いて表示パネル１１０の全行（１２行分）の表示画素ＥＭに対して、順次書込動作を実行することができるので、各行における書込動作期間Ｔwrtが短縮されることがなく、書込時間を充分に確保することができ、表示データの書込不足に起因する表示品質の低下を抑制して、表示データに応じた適切な階調表示を実現することができる。
【０１３９】
さらに、非発光動作期間Ｔnemにおいて、各表示画素ＥＭに設けられた発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタＴｒ１３）に逆バイアス電圧を印加して逆バイアス状態に設定することができるので、上記スイッチング素子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタを適用した場合であっても、しきい値電圧の変動（Ｖthシフト）を大幅に抑制して、表示データに応じた適切な輝度階調で有機ＥＬ素子ＯＥＬを発光動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示す概略ブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示装置に適用可能なデータドライバの一例を示す概略ブロック図である。
【図５】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。
【図６】第１の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における非発光動作及び書込動作を示す概念図である。
【図７】第１の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における発光動作を示す概念図である。
【図８】第１の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。
【図９】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル及びその周辺回路（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ、バイアス制御ドライバ）の一例を示す要部構成図である。
【図１０】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素（発光駆動回路）の一例を示す回路構成図である。
【図１１】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示画素における駆動制御方法（逆バイアス設定動作、非発光動作、書込動作、発光動作）を示すタイミングチャートである。
【図１２】第２の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における逆バイアス設定動作及び非発光動作を示す概念図である。
【図１３】第２の実施形態に係る表示画素（発光駆動回路）における書込動作及び発光動作を示す概念図である。
【図１４】第２の実施形態に係る表示画素において、発光駆動用のスイッチング素子（薄膜トランジスタ）を逆バイアス状態に設定した場合のしきい値電圧の変動量（Ｖthシフト量）を示す実験結果である。
【図１５】第２の実施形態に係る表示装置の表示駆動方法の一例を模式的に示したタイミングチャ−トである。
【図１６】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の要部を示す概略構成図である。
【図１７】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の一例（ホールド型）を模式的に示したタイミングチャートである。
【図１８】従来技術におけるアクティブマトリックス型の表示装置の表示駆動方法の他の例（擬似インパルス型）を模式的に示したタイミングチャートである。
【符号の説明】
【０１４１】
１００Ａ、１００Ｂ 表示装置
１１０ 表示パネル
１２０ 走査ドライバ
１３０ 電源ドライバ
１４０ データドライバ
１５０ システムコントローラ
１６０ 表示信号生成回路
１５０ バイアス制御ドライバ
ＥＭ 表示画素
ＤＣ１、ＤＣ２ 発光駆動回路
ＳＬ 走査ライン
ＶＬ 電源ライン
ＤＬ データライン
ＢＬ バイアスライン
Ｔｒ１１〜Ｔｒ１４ 薄膜トランジスタ
Ｃｓ コンデンサ
ＯＥＬ 有機ＥＬ素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有する表示装置において、
所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動部と、
所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に順次供給するデータ駆動部と、
前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記データ駆動部から供給された前記階調信号に基づいて前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部と、
タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部及び前記データ駆動部、前記電源駆動部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記各行ごとの前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させる期間以外の期間に、前記電源駆動部による当該行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる駆動制御部と、
を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記データ駆動部から前記階調信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示装置は、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記階調信号に基づいて前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するための設定信号を印加する状態設定制御部を、さらに備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記状態設定制御部から前記設定信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記各表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、
前記発光駆動回路は、少なくとも、前記階調信号に基づく電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量に応じた順バイアス電圧に基づいて所定の電流値を有する発光駆動電流を生成し、前記発光素子に供給する発光制御手段と、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する書込制御手段と、を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記各表示画素に設けられる前記発光制御手段は、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記発光素子に接続されて、前記発光駆動電流を流す導通路と、前記電荷蓄積手段に接続され、前記導通路の導通状態を制御して前記発光素子への前記発光駆動電流の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記各表示画素に設けられる前記書込制御手段は、一端が前記階調信号が供給される前記データラインに接続され、他端が前記電荷蓄積手段を介して前記発光制御手段の前記制御端子に接続された導通路と、前記走査信号が印加される前記走査ラインに接続され、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光駆動回路は、少なくとも、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記データラインが接続され、該導通路の他端に前記接続接点が接続された第３のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の制御端子と前記接続接点との間に接続された容量素子と、を備え、
前記発光制御手段は、前記第１のスイッチ手段を含んで構成され、前記電荷蓄積手段は、前記容量素子を含んで構成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光駆動回路は、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を放電して、前記発光制御手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加するバイアス制御手段を、さらに備えていることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記各表示画素に設けられる前記バイアス制御手段は、一端が前記走査信号が供給される走査ラインに接続され、他端が前記発光制御手段の前記制御端子に接続されて、所定の信号レベルの前記走査信号を前記発光制御手段の前記制御端子に印加する導通路と、前記設定信号が印加されるバイアスラインに接続され、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷の放電状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光駆動回路は、制御端子が前記バイアスラインに接続され、導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第４のスイッチ手段を、さらに備え、
前記バイアス制御手段は、前記第４のスイッチ手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項９又は１０記載の表示装置。
【請求項１２】
少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記発光制御手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする請求項５乃至１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項５乃至１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定するタイミングに同期して、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を供給することにより、前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させて、前記表示パネルに前記所望の画像情報を表示する表示装置の表示駆動方法において、
前記表示パネルに配列された各行ごとの前記表示画素を順次選択状態に設定して前記階調信号を供給するステップと、
前記階調信号が供給された前記各行の前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で順次表示動作させるステップと、
前記各行ごとの前記表示画素に前記階調信号を供給するステップを実行する期間を含む期間に、前記各行ごとの前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧の印加を遮断して非表示動作させるステップと、
を含むことを特徴とする表示装置の表示駆動方法。
【請求項１６】
前記各表示画素は、表示駆動手段を備え、
前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記表示駆動手段に前記階調信号に応じた順バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１７】
前記各行ごとの前記表示画素を非表示動作させるステップを実行する期間中に、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１５又は１６記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１８】
前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップは、前記表示駆動手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１９】
前記各表示画素は、発光素子を備え、
前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させることを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれかに記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項２０】
前記各行の前記表示画素に前記階調信号を供給するステップは、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を供給することを特徴とする請求項１９記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１】
行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有する表示装置において、
所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定する走査駆動部と、
所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を生成し、前記選択状態に設定された行の前記表示画素に順次供給するデータ駆動部と、
前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記データ駆動部から供給された前記階調信号に基づいて前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧を印加する電源駆動部と、
タイミング制御信号を供給することにより、前記走査駆動部及び前記データ駆動部、前記電源駆動部の各々を所定のタイミングで動作させ、少なくとも、前記各行ごとの前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させる期間以外の期間に、前記電源駆動部による当該行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる駆動制御部と、
を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記データ駆動部から前記階調信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示装置は、前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に、前記階調信号に基づいて前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するための設定信号を印加する状態設定制御部を、さらに備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動制御部は、前記各行の前記表示画素への前記電源電圧の印加を遮断して非表示動作させる期間中に、当該行の前記表示画素に前記状態設定制御部から前記設定信号を供給する前記タイミング制御信号を生成する手段を有していることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記各表示画素は、発光素子と、前記発光素子の発光動作を制御する発光駆動回路と、を備え、
前記発光駆動回路は、少なくとも、前記階調信号に基づく電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量に応じた順バイアス電圧に基づいて所定の電流値を有する発光駆動電流を生成し、前記発光素子に供給する発光制御手段と、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する書込制御手段と、を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記各表示画素に設けられる前記発光制御手段は、一端が前記電源ラインに接続され、他端が前記発光素子に接続されて、前記発光駆動電流を流す導通路と、前記電荷蓄積手段に接続され、前記導通路の導通状態を制御して前記発光素子への前記発光駆動電流の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記各表示画素に設けられる前記書込制御手段は、一端が前記階調信号が供給される前記データラインに接続され、他端が前記電荷蓄積手段を介して前記発光制御手段の前記制御端子に接続された導通路と、前記走査信号が印加される前記走査ラインに接続され、前記電荷蓄積手段への前記階調信号に基づく電荷の供給状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光駆動回路は、少なくとも、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記発光素子との接続接点が接続された第１のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記電源電圧が印加され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第２のスイッチ手段と、制御端子が前記走査ラインに接続され、導通路の一端に前記データラインが接続され、該導通路の他端に前記接続接点が接続された第３のスイッチ手段と、前記第１のスイッチ手段の制御端子と前記接続接点との間に接続された容量素子と、を備え、
前記発光制御手段は、前記第１のスイッチ手段を含んで構成され、前記電荷蓄積手段は、前記容量素子を含んで構成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光駆動回路は、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を放電して、前記発光制御手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加するバイアス制御手段を、さらに備えていることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記各表示画素に設けられる前記バイアス制御手段は、一端が前記走査信号が供給される走査ラインに接続され、他端が前記発光制御手段の前記制御端子に接続されて、所定の信号レベルの前記走査信号を前記発光制御手段の前記制御端子に印加する導通路と、前記設定信号が印加されるバイアスラインに接続され、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷の放電状態を制御する制御端子を備えていることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記発光駆動回路は、制御端子が前記バイアスラインに接続され、導通路の一端が前記走査ラインに接続され、該導通路の他端に前記第１のスイッチ手段の制御端子が接続された第４のスイッチ手段を、さらに備え、
前記バイアス制御手段は、前記第４のスイッチ手段を含んで構成されていることを特徴とする請求項９又は１０記載の表示装置。
【請求項１２】
少なくとも前記発光駆動回路に設けられる前記発光制御手段は、アモルファスシリコン薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記データ駆動部は、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を生成する手段を備えていることを特徴とする請求項５乃至１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項５乃至１３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１５】
行方向に配設され複数の走査ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に、複数の表示画素が配列された表示パネルを有し、所定のタイミングで前記表示パネルの各行ごとの前記表示画素に走査信号を順次印加して、選択状態に設定するタイミングに同期して、所望の画像情報を表示するための表示データに応じた階調信号を供給することにより、前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させて、前記表示パネルに前記所望の画像情報を表示する表示装置の表示駆動方法において、
前記表示パネルに配列された各行ごとの前記表示画素を順次選択状態に設定して前記階調信号を供給するステップと、
前記階調信号が供給された前記各行の前記表示画素を、前記表示データに応じたバイアス状態で順次表示動作させるステップと、
前記各行ごとの前記表示画素に前記階調信号を供給するステップを実行する期間を含む期間に、前記各行ごとの前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるための電源電圧の印加を遮断して非表示動作させるステップと、
を含むことを特徴とする表示装置の表示駆動方法。
【請求項１６】
前記各表示画素は、表示駆動手段を備え、
前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記表示駆動手段に前記階調信号に応じた順バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１７】
前記各行ごとの前記表示画素を非表示動作させるステップを実行する期間中に、前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１５又は１６記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１８】
前記各行の前記表示画素に設定された、前記表示データに応じたバイアス状態を解消して特定のバイアス状態に設定するステップは、前記表示駆動手段に無電圧、又は、逆バイアス電圧を印加することにより実行されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項１９】
前記各表示画素は、発光素子を備え、
前記各行の前記表示画素を前記表示データに応じたバイアス状態で表示動作させるステップは、前記各表示画素の前記発光素子を前記表示データに応じた輝度階調で発光動作させることを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれかに記載の表示装置の表示駆動方法。
【請求項２０】
前記各行の前記表示画素に前記階調信号を供給するステップは、前記階調信号として、前記発光素子を所定の輝度階調で発光動作させるための所定の電流値を有する階調電流を供給することを特徴とする請求項１９記載の表示装置の表示駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００６−３３０１３８（Ｐ２００６−３３０１３８Ａ）
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１５０５６６（Ｐ２００５−１５０５６６）
【出願日】平成１７年５月２４日（２００５．５．２４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２４日（２００５．５．２４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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