複合リードフレーム及びその製造方法
【課題】リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上する。
【解決手段】導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されている複合リードフレームである。
【解決手段】導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されている複合リードフレームである。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合リードフレーム及びその製造方法に関し、特に、高周波動作をし、発熱量が高い半導体チップを実装する複合リードフレームに適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置で用いられるリードフレームには、図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、銅版などの平板状の導体板を開口してアウターリード１０１を形成したリードフレーム１上に、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）などで用いられるテープ状の配線基板（テープキャリア）２を接続した複合リードフレームがある。ここで、図１５は前記複合リードフレームの模式平面図、図１６（ａ）は図１５のＢ−Ｂ’線での模式断面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の要部拡大図である。
【０００３】前記複合リードフレームに用いられる配線基板２は、図１５、及び図１６（ａ）に示したように、例えば、ポリイミドテープなどの薄い絶縁基板２０１の表面に、所定のパターンの導体配線（インナーリード）２０２が設けられており、前記インナーリード２０２の一端（接続端子部）２０４と前記アウターリード１０１が電気的に接続されている。
【０００４】またこのとき、実際には、前記インナーリード２０２の表面に、図１６（ｂ）に示すように、例えば、金めっき膜３が設けられ、一方の前記アウターリード１０１には銀めっき膜４が設けられており、前記インナーリード２０２と前記アウターリード１０１は、前記金めっき膜３、及び前記銀めっき膜４を介在して接続されている。
【０００５】前記複合リードフレームの製造方法は、大きく分けると、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程と、前記配線基板２を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム１と前記配線基板２とを接続する配線基板接続工程とに分けられる。
【０００６】前記リードフレーム形成工程は、従来のリードフレームの形成工程と同様であり、短冊状、あるいはテープ状に加工された銅板などの導体板に、例えば、金型を用いた打ち抜き加工で所定形状の開口部、すなわち、図１５に示したようなアウターリード１０１を形成する。また、前記アウターリード１０１を形成した後、前記アウターリード１０１の先端部、すなわち、前記配線基板２のインナーリードの接続端子部２０４と接続される部分に、例えば、銀めっき膜４を形成する。また、前記金型を用いる代わりに、例えば、エッチング処理により前記アウターリード１０１を形成する方法もある。
【０００７】また、前記配線基板形成工程も、従来の配線基板の形成工程と同様であり、例えば、ポリイミドテープなどの一方向に長尺なテープ状の絶縁基板２０１の表面に導体膜を形成し、前記導体膜をエッチング処理して図１５に示したようなパターンの導体配線２０２を形成する。また、前記導体配線２０２を形成した後、前記導体配線２０２の表面に、図１６（ｂ）に示したように、例えば、金めっき膜３を形成する。
【０００８】前記配線基板接続工程は、図１７に示すように、前記リードフレーム１の前記銀めっき膜４を形成した面と、前記配線基板２の前記導体配線２０２が形成された面とを向かい合わせ、前記リードフレーム1の銀めっき膜4と前記配線基板2の接続端子部２０４の位置合わせをした後、前記金めっき膜３及び前記銀めっき膜４を熱圧着させ、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示したように、前記アウターリード１０１と前記インナーリード２０２とを電気的に接続する。
【０００９】前記各工程を経て形成された前記複合リードフレームを用いて半導体装置を製造する工程では、例えば、図１８に示すように、前記配線基板２の中央部に、銀ペーストなどの接着剤５を用いて半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極（ボンディングパッド）６０１と前記配線基板２のインナーリード２０２とを、ボンディングワイヤ７で接続する。
【００１０】その後、例えば、金型を用いたトランスファーモールドにより、前記半導体チップ６、前記配線基板２、前記ボンディングワイヤ７、及び前記アウターリード１０１の前記インナーリードの接続端子部２０４との接続部を熱硬化性樹脂などの絶縁体で封止し、前記アウターリード１０１を切断、成形すると、樹脂封止型半導体装置になる。
【００１１】前記半導体チップ６は、小型化、高機能化が進んでおり、前記外部電極６０１の面積が小さくなり、且つ密に配置されるようになってきており、リードフレーム１にインナーリードを形成するのが非常に難しくなってきているが、前記複合リードフレームのように、前記半導体チップの外部電極６０１と前記ボンディングワイヤ７で接続されるインナーリード２０２を前記配線基板２に設けることにより、前記インナーリード２０２の微細化が容易になる。また、前記配線基板２に前記インナーリード２０２を設けることにより、配線の微細化が可能なだけでなく、前記配線基板２をマイクロストリップ構造にすることもでき、前記半導体チップ６の動作が高速化（高周波化）した場合でも、伝送する信号の高周波特性の劣化を低減できる。そのため、今後、前記複合リードフレームの需要が増えると予想される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従来の技術では、図１８に示したように、前記絶縁基板２上に前記半導体チップ６を接着しているため、例えば、前記半導体チップ６の動作が高速化し、発熱量が大きくなったときに、前記半導体チップ６から発生した熱を効率よく放熱することが難しい。そのため、装置内にたまった熱による電気的特性の変化、熱暴走などにより動作が不安定になりやすく、動作信頼性が低下するという問題があった。
【００１３】また、従来の複合リードフレームを用いた半導体装置は、図１９に示したように、前記導体配線２０２が形成された配線基板２上に前記半導体チップ６を接着しているため、前記導体配線２０２（金めっき膜３）の表面から、前記半導体チップの外部電極６０１が形成された面６Ａまで高さ△Ｔが大きくなる。すなわち、前記半導体チップの外部電極６０１から前記導体配線２０２までの距離が長くなり、前記半導体チップの外部電極６０１と前記導体配線２０２を接続するボンディングワイヤ７が長くなる。前記ボンディングワイヤ７は、例えば、金ワイヤなどが用いられるが、前記金ワイヤが長くなることにより、前記金ワイヤ中で信号の劣化が起こりやすくなる。そのため、高周波動作をする半導体チップ６などで、伝達する信号の高周波特性が劣化しやすいという問題があった。
【００１４】本発明の目的は、リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上することが可能な技術を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、高周波特性の劣化を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】（１）導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されている複合リードフレームである。
【００１９】前記（１）の手段によれば、前記リードフレームに半導体チップを搭載するダイパッドを設け、前記アウターリード及び前記ダイパッドの外周部に前記配線基板を接着することにより、前記半導体チップを前記ダイパッド上に接着することができる。前記ダイパッド、すなわち前記導体板の熱伝導率は、絶縁基板の熱伝導率よりも高いため、従来の、絶縁基板上に半導体チップを接着する複合リードフレームよりも放熱性の高い複合リードフレームを得ることができる。
【００２０】また、前記リードフレームにダイパッドを設け、前記ダイパッドの外周部に前記配線基板を接着することにより、前記ダイパッド上に半導体チップを接着したときに、前記半導体チップの外部電極と前記配線基板上の導体配線との距離が近くなる。そのため、前記半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極と前記配線基板上の導体端子とをボンディングワイヤで接続したとき、ボンディングワイヤを短くし、前記ボンディングワイヤによる高周波特性の劣化を低減することができる。
【００２１】また、前記配線基板は、前記絶縁基板の第１主面に前記導体配線を設け、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線とビアで接続され、前記アウターリードと接続される接続端子と、前記ダイパッドと接続されるダミー端子を設けておき、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドと、金の薄膜及び銀の薄膜を介在させて接続することにより、前記インナーリードと前記アウターリードとの接続信頼性を向上させるとともに、前記配線基板と前記ダイパッドとの接着信頼性を向上させることができる。またこのとき、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドとの接続は、前記金薄膜及び銀薄膜を介在した接続に限らず、はんだを介在させた接続などであってもよい。
【００２２】また、前記（１）の手段において、前記ダイパッドの外周部に所定の間隔で突起部を設け、前記配線基板のダミー端子と前記突起部を接着することにより、前記アウターリードの平坦性と前記配線基板の平坦性が一致していなくても、確実に接続されて剥離しにくいため、装置の信頼性が低下することを防げる。
【００２３】（２）平板状の導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、絶縁基板の第１主面に導体配線（インナーリード）が形成され、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線と接続された接続端子が形成された配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム形成工程で形成された前記リードフレームと、前記配線基板形成工程で形成された前記配線基板とを重ねあわせ、前記配線基板の接続端子と前記リードフレームのアウターリードを電気的に接続する配線基板接続工程とを備える複合リードフレームの製造方法であって、前記配線基板形成工程は、前記絶縁基板の前記第１主面に第１導体膜を形成し、前記絶縁基板の前記第２主面に第２導体膜を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置で、前記第１導体膜と前記第２導体膜をビアで電気的に接続する工程と、前記第１導体膜をエッチング処理して所定のパターンの導体配線（インナーリード）を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に開口部（デバイスホール）を形成する工程と、前記第２導体膜をエッチング処理して、前記ビアにより前記導体配線と接続される接続端子と、前記絶縁基板の第２開口部の周辺のダミー端子とを形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続する複合リードフレームの製造方法である。
【００２４】前記（２）の手段によれば、前記配線基板形成工程において、前記絶縁基板の所定位置、言い換えると、前記ダイパッドの半導体チップを乗せる部分と重なる部分に前記第２開口部を形成し、前記配線基板のダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続することにより、前記ダイパッドを有する複合リードフレームを得ることができる。このとき、前記ダイパッド、すなわち前記導体板の熱伝導率は、絶縁基板の熱伝導率よりも高いため、従来の、絶縁基板上に半導体チップを接着する複合リードフレームよりも放熱性の高い複合リードフレームを得ることができる。
【００２５】また、前記リードフレーム形成工程は、前記導体板を開口して前記アウターリード及び前記ダイパッドを形成する工程と、前記ダイパッドの表面をエッチング処理し、前記ダイパッドの外周部に突起部を形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードとを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの前記突起部とを接続することにより、前記ダイパッドもしくは前記配線基板にゆがみ、ひずみ、あるいは変形などが生じた場合でも、各ダミー端子を確実に接続することができる。すなわち、前記配線基板と前記ダイパッドの外周部とを全面的に接続する場合には、前記ダイパッドもしくは前記配線基板にゆがみ、ひずみ、あるいは変形などが生じた場合、内部に空気が残ったりして剥離しやすくなるが、前記ダイパッドに突起部を形成して接続することにより、剥離しにくくし、接続信頼性が低下することを防げる。
【００２６】また、前記配線基板形成工程に、前記接続端子及び前記ダミー端子を形成する工程の後、前記接続端子及び前記ダミー端子の表面に金めっきを形成する工程を備え、前記リードフレーム形成工程に、前記アウターリード及び前記ダイパッドの所定領域に銀めっきを形成する工程を備え、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドはそれぞれ、前記金めっき及び前記銀めっきを介在させて接続することにより、熱圧着で簡単に接続でき、且つ接続信頼性を高くすることができる。
【００２７】以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００２８】なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
【発明の実施の形態】（実施例）図１及び図２は、本発明による一実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図１は本実施例の複合リードフレーム全体の平面図、図２（ａ）は図１の複合リードフレームのＡ−Ａ’線での断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の要部拡大図である。
【００３０】図１において、１はリードフレーム、１０１はアウターリード、１０２はダイパッド、１０３は位置決め用の穴、２は配線基板、２０１は絶縁基板、２０２は導体配線（第１導体膜）、２０３は電解銅めっき膜（第３導体膜）、２０３Ａはビア、２０４Ａは接続端子、２０４Ｂはダミー端子、２０５は開口部（デバイスホール）、２０６はビア穴、３は金めっき膜、４は銀めっき膜である。
【００３１】本実施例の複合リードフレームは、図１及び図２（ａ）に示すように、アウターリード１０１及び半導体チップ（図示しない）を搭載するダイパッド１０２が設けられたリードフレーム１と、絶縁基板２０１の第１主面に導体配線（インナーリード）２０２が設けられた配線基板２とにより構成されている。また、前記リードフレーム１は、例えば、銅板などの短冊状、あるいはテープ状の導体板からなり、図１に示したようなパターンが連続して設けられている。
【００３２】また、前記配線基板２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、前記絶縁基板２０１の所定位置に、ビア２０３Ａにより前記導体配線２０２と電気的に接続される接続端子２０４Ａ及びダミー端子２０４Ｂが設けられており、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１が接続されるとともに、前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の外周部が接続されている。このとき、前記絶縁基板２０１は、例えば、フィルム状の薄いポリイミド樹脂からなり、前記導体配線２０２、前記ビア２０３Ａ、前記接続端子２０４Ａ、及び前記ダミー端子２０４Ｂはそれぞれ、銅などの薄膜導体からなる。
【００３３】また、前記配線基板２の前記絶縁基板２０１は、前記ダイパッド１０２の前記半導体チップが搭載される領域Ｌ１と平面的に重なる領域に開口部（デバイスホール）２０５が設けられている。
【００３４】また、前記導体配線２０２は、図２（ｂ）に示すように、その表面に、例えば、電解銅めっき膜２０３が形成されており、前記電解銅めっき膜２０３の一部は、前記絶縁基板２０１の所定位置に設けられた開口部（ビア穴）２０６の内壁にも設けられている。すなわち、前記導体配線２０２と前記接続端子２０４Ａは、前記ビア穴２０６の内壁に設けられた銅めっき膜（ビア）２０３Ａにより電気的に接続されている。
【００３５】また、前記ダイパッド１０２は、図２（ａ）に示したように、前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂと接続される部分に突起部１０２Ａが設けられている。
【００３６】また、前記導体配線２０２上の電解銅めっき膜２０３、ならびに前記接続端子２０４Ａ及び前記ダミー端子２０４Ｂの表面には、図２（ｂ）に示したように、例えば、金めっき膜３が設けられており、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１、前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａはそれぞれ、前記金めっき膜３及び銀めっき膜４を介在させて接続されている。
【００３７】前記複合リードフレームの製造方法は、大きく分けると、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程と、前記配線基板２を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム１上に前記配線基板２を接続する配線基板接続工程に分けられる。以下、前記各工程に沿って、前記複合リードフレームの製造方法について説明する。
【００３８】図３乃至図５は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図３、図４、図５はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する各工程の模式平面図である。
【００３９】前記リードフレーム形成工程、すなわち、本実施例の複合リードフレームに用いられるリードフレームを形成する工程では、まず、例えば、銅板などの導体板を所定形状に開口し、図３に示すような、アウターリード１０１及び半導体チップを搭載するダイパッド１０２を有するリードフレーム１を形成する。
【００４０】このとき、前記導体板は、例えば、あらかじめ短冊状あるいはテープ状に加工し、長辺方向の端部に沿って、位置合わせ用の開口部１０３が形成されており、前記アウターリード１０１及び前記ダイパッド１０２は、例えば、金型を用いた打ち抜き加工や、エッチング処理などで、前記導体板上に数個から１０数個、連続的に形成する。
【００４１】次に、例えば、前記ダイパッド１０２の表面をハーフエッチングして、図４に示すように、前記ダイパッド１０２の外周部に突起部１０２Ａを形成する。
【００４２】次に、図５に示すように、前記アウターリード１０１の所定位置、及び前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａ上に、銀めっき膜４を形成すると、本実施例の複合リードフレームに用いられるリードフレーム１が得られる。
【００４３】図６乃至図８は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図７（ａ）、及び図７（ｂ）はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の模式断面図であり、図８は前記各工程が終了した配線基板の模式平面図である。
【００４４】前記配線基板形成工程、すなわち、本実施例の複合リードフレームに用いられる配線基板は、まず、例えば、テープ状の絶縁基板２０１の第１主面に第１導体膜２０２が形成され、前記絶縁基板２０１の第２主面に第２導体膜２０４が形成されたテープ材料を準備し、前記絶縁基板２０１の所定位置に、図６（ａ）に示すように、前記第１導体膜２０２側から開口部（ビア穴）２０６を形成し、図６（ｂ）に示すように、前記第１導体膜２０２上の全面及び前記ビア穴２０６の内壁に第３導体膜２０３を形成する。
【００４５】前記テープ材料は、例えば、両面銅張積層板のようなものであり、前記絶縁基板２０１には、例えば、ポリイミドテープや、ガラス布を基材としてエポキシ系樹脂を含浸させた基板（ガラスエポキシ基板）などが用いられる。また、前記第１導体膜２０２及び第２導体膜２０４を形成する方法には、例えば、圧延銅箔や電解銅箔などの薄い銅箔を接着する方法や、例えば、無電解銅めっき、あるいはスパッタリング等で薄膜を形成する方法がある。
【００４６】また、前記ビア穴２０６を形成する工程は、例えば、前記ビア穴２０６を形成する領域の前記第１導体膜２０２をエッチングで除去しておき、前記第１導体膜２０２をマスクとして、炭酸ガスレーザなどを用いたレーザ加工により前記絶縁基板２０１をエッチングする。また、前記第３導体膜２０３は、例えば、電解銅めっきにより形成する。
【００４７】次に、図６（ｃ）に示すように、前記第３導体膜２０３及び前記第１導体膜２０２をエッチング処理して、所定のパターンの導体配線（インナーリード）２０２を形成する。
【００４８】次に、例えば、図７（ａ）に示すように、前記絶縁基板２０１の所定位置、言い換えると、前記リードフレーム１のダイパッド１０２の半導体チップを搭載する領域Ｌ１と重なる位置に開口部（デバイスホール）２０５を形成する。
【００４９】次に、図７（ｂ）に示すように、前記第２導体膜２０４をエッチング処理して、前記接続端子２０４Ａ及び前記ダミー端子２０４Ｂを形成した後、前記導体配線２０２上の電解銅めっき膜２０３、前記接続端子２０４Ａ、及び前記接続端子２０４Ｂの表面に、例えば、無電解めっきで金めっき膜３を形成すると、本実施例の複合リードフレームに用いる配線基板２を得ることができる。
【００５０】なお、前記配線基板２は、従来のテープキャリアパッケージ（TCP）に用いられる配線基板（テープキャリア）の製造方法で利用されているリールツーリール（Reel to Reel）方式により形成されている。このとき、前記絶縁基板２０１は、一方向に長尺なテープ状であり、図８に示すように、前記絶縁基板２０１の長手方向の端部に沿って位置合わせ用の開口部２０７が設けられている。また、前記絶縁基板２０１上には、図８に示したように、一個の複合リードフレームに用いられる配線板領域Ｌ２が連続して形成されている。
【００５１】図９及び図１０は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図９は前記リードフレームと前記配線基板とを接続する工程の模式平面図であり、図１０は図９の正面方向から見た模式断面図である。
【００５２】前記配線基板接続工程、すなわち、前記リードフレーム形成工程で形成した前記リードフレーム１と、前記配線基板形成工程で形成した配線基板２を接続する工程では、まず、例えば、図９及び図１０に示すように、前記リードフレーム１と前記配線基板２とを重ね合わせ、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１上の銀めっき膜４、及び前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａ上の銀めっき膜４との位置合わせを行う。このとき、例えば、前記リードフレーム１は、図９における紙面水平方向に搬送しながら前記位置合わせ用の開口部１０３で位置合わせをし、前記配線基板２は、図９における紙面上下方向に搬送しながら前記絶縁基板２０１の位置合わせ用の開口部２０７で位置合わせを行う。
【００５３】その後、例えば、前記絶縁基板２０１から前記領域Ｌ２を切り出して、前記リードフレーム１と前記配線基板２を接触させ、前記接続端子２０４Ａの表面の金めっき膜３と前記アウターリード１０１上の銀めっき膜４、及び前記ダミー端子２０４Ｂの表面の金めっき膜３と前記ダイパッドの突起部１０２Ａ上の銀めっき膜４をそれぞれ熱圧着すると、図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に示したような、本実施例の複合リードフレームを得ることができる。
【００５４】このとき、前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａを形成しておき、前記ダミー端子２０４Ｂと前記突起部１０２Ａを接続することにより、例えば、前記絶縁基板２０１や前記ダイパッド１０２にゆがみ、ひずみ、あるいは変形が生じている場合でも、接続ムラをなくし、確実に接続することができる。
【００５５】図１１及び図１２は、本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１２は樹脂封止する工程の断面図である。
【００５６】前記手順に沿って形成した複合リードフレームを用いて半導体装置を形成する場合、まず、図１１（ａ）に示すように、前記複合リードフレームのダイパッド１０２上に、例えば、銀ペーストなどの接着剤５を用いて半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極（ボンディングパッド）６０１と前記導体配線２０２をボンディングワイヤ７で接続する。
【００５７】このとき、図１１（ａ）では省略しているが、実際には、前記導体配線２０２上に、図１１（ｂ）に示したように、電解銅めっき膜２０３及び金めっき膜３が形成されており、前記ボンディングワイヤ７は前記導体配線２０２上の金めっき膜３と接続される。
【００５８】またこのとき、前記半導体チップ６を接着した前記ダイパッド１０２は、前記リードフレーム１、すなわち、導体板（金属板）であり、ポリイミドテープなどの前記絶縁基板２０１の熱伝導性よりも高い熱伝導性を持つ。そのため、従来の配線基板２（絶縁基板２０１）上に半導体チップ６を接着する場合に比べ、放熱特性が向上し、前記半導体チップ６が高周波動作をするなどして、発熱量が高い場合でも、電気的特性の劣化を低減させ、熱暴走などにより動作信頼性が低下することを防げる。
【００５９】また、本実施例の複合リードフレームを用いた場合、前記ダイパッド１０２上に前記配線基板２を接続するため、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示したように、前記導体配線２０２の表面の金めっき膜３から前記半導体チップの前記外部電極６０１が設けられた面６Ａまでの高さ△Ｔが小さくなる。そのため、前記半導体チップの外部電極６０１から前記導体配線２０２までの距離が近くなり、前記ボンディングワイヤ７を短くすることができる。そのため、高周波動作をさせる場合でも、前記ボンディングワイヤ７による高周波特性の劣化を起こしにくくすることができる。
【００６０】前記手順で、前記複合リードフレーム上に半導体チップ６を実装した後は、例えば、金型を用いたトランスファーモールドにより、図１２に示すように、前記半導体チップ６、前記配線基板２、前記ダイパッド１０２、及び前記配線基板２と前記アウターリード１０１の接続部を、例えば、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂８で封止し、前記アウターリード１０１を切断して個片化し、前記アウターリードを所定の形状に成形すると、樹脂封止型の半導体装置となる。
【００６１】以上説明したように、本実施例の複合リードフレームによれば、前記リードフレーム１にアウターリード１０１及びダイパッド１０２を形成し、前記ダイパッド１０２の半導体チップ６を載せる領域Ｌ１と重なる部分が開口した配線基板２を接続することにより、前記ダイパッド１０２上に半導体チップ６を載せたときの放熱特性が向上し、熱暴走などにより動作信頼性が低下することを防げる。
【００６２】また、前記ダイパッド１０２上に前記配線基板２を接続することにより、前記ダイパッド１０２上に半導体チップを接着したときに、前記配線基板の導体端子（インナーリード）２０２と前記半導体チップ６の外部電極６０１との距離が近くなるため、従来の配線基板２上に半導体チップ６を接着する場合に比べ、前記導体配線２０２と前記外部電極６０１とを接続するボンディングワイヤ７の長さを短くすることができる。そのため、前記複合リードフレームを用いて半導体装置を製造したときに、前記ボンディングワイヤ７による高周波特性の劣化を低減できる。
【００６３】また、本実施例の複合リードフレームでは、前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂは、図１及び図８に示したように、前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａの形状に合わせたパッド状に形成しているが、これに限らず、任意の形状に形成することができる。このとき、例えば、前記絶縁基板の開口部（デバイスホール）２０５の端辺に沿って線状（帯状）に形成してもよいし、前記開口部２０５の周囲に沿って環状に形成してもよいことは言うまでもない。
【００６４】図１３は、前記実施例の複合リードフレームの変形例を示す模式図であり、図１３（ａ）は図１のＡ−Ａ’での断面に相当する断面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の要部断面図である。
【００６５】前記実施例の複合リードフレームでは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示したように、前記ダイパッド１０２をハーフエッチングして形成した突起部１０２Ａと前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂを接続していたが、これに限らず、例えば、前記実施例で説明したように、前記配線基板２上に所定の間隔で前記ダミー端子２０４Ｂを形成しておき、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示したように、前記突起部１０２Ａを形成していないダイパッド１０２上と接続してもよい。この場合も、前記ダイパッド１０２上に銀めっき膜４を形成しておき、前記ダミー配線２０４Ｂの表面の金めっき膜３と前記銀めっき膜４が熱圧着されるため、前記配線基板２あるいは前記ダイパッド１０２にひずみ、ゆがみ、変形が生じている場合でも、接続ムラをなくし、確実に接続することができる。また、このとき、前記ダミー端子２０４Ｂは、任意の形状にすることができ、例えば、前記絶縁基板の開口部（デバイスホール）２０５の端辺に沿った直線状（帯状）であってもよいし、周囲を囲むような環状であってもよいことは言うまでもない。
【００６６】図１４は、前記実施例の複合リードフレームの他の変形例を示す模式平面図である。
【００６７】前記実施例の複合リードフレームでは、図１に示したように、前記アウターリード１０１が対向する２方向に形成されたリードフレームを用いているが、これに限らず、例えば、図１４に示すように、前記アウターリード１０１が４方向、すなわち、前記ダイパッド１０２の周囲を囲むように形成されたリードフレームを用いてもよいことはいうまでもない。
【００６８】また、図示は省略するが、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程において、従来の、図１５に示したような、アウターリード１０１のみが形成されたリードフレームの所定位置に、別工程で準備した、前記リードフレームよりも厚い金属材料からなるダイパッドを接続してもよい。この場合、前記リードフレーム上に配線板を接続した複合リードフレームを用いて半導体装置を製造したときに、前記ダイパッドの一面、すなわち、半導体チップを接着した面と対向する面を、モールド樹脂８から露出させることができ、前記実施例の複合リードフレームに比べ、さらに放熱特性をよくすることができる。
【００６９】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【００７０】
【発明の効果】本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００７１】（１）リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上することができる。
【００７２】（２）リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、高周波特性の劣化を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図２（ａ）は図１の複合リードフレームのＡ−Ａ’線での断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の要部拡大図である。
【図３】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図４】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図５】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図６】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、及び図６（ｃ）はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の断面図である。
【図７】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の断面図である。
【図８】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、配線基板を形成する各工程が終了した後の配線基板の平面図である。
【図９】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記リードフレームと前記配線基板とを接続する工程の平面図である。
【図１０】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図９の正面方向から見た断面図である。
【図１１】本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１１（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の要部拡大図である。
【図１２】本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１３】前記実施例の複合リードフレームの変形例を示す模式図であり、図１３（ａ）は図１のＡ−Ａ’線に相当する断面での断面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の要部拡大図である。
【図１４】前記実施例の複合リードフレームの他の変形例を示す模式平面図である。
【図１５】従来の複合リードフレームの概略構成を示す模式平面図である。
【図１６】従来の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図１６（ａ）は図１５の複合リードフレームのＢ−Ｂ’線での断面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の要部拡大図である。
【図１７】従来の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式断面図である。
【図１８】従来の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図１９】従来の複合リードフレームの課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム
１０１ アウターリード
１０２ ダイパッド
１０２Ａ 突起部
１０３ 位置合わせ用の開口部
２ 配線基板
２０１ 絶縁基板
２０２ 導体配線（第１導体膜）
２０３ 電解銅めっき膜（第３導体膜）
２０３Ａ ビア
２０４ 第２導体膜
２０４Ａ 接続端子
２０４Ｂ ダミー端子
２０５ 絶縁基板の開口部（デバイスホール）
２０６ ビア穴
２０７ 位置合わせ用の開口部
３ 金めっき膜
４ 銀めっき膜
５ 接着剤（ダイペースト）
６ 半導体チップ
６０１ 半導体チップの外部電極
７ ボンディングワイヤ
８ 熱硬化性樹脂（封止用絶縁体）
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合リードフレーム及びその製造方法に関し、特に、高周波動作をし、発熱量が高い半導体チップを実装する複合リードフレームに適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置で用いられるリードフレームには、図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、銅版などの平板状の導体板を開口してアウターリード１０１を形成したリードフレーム１上に、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）などで用いられるテープ状の配線基板（テープキャリア）２を接続した複合リードフレームがある。ここで、図１５は前記複合リードフレームの模式平面図、図１６（ａ）は図１５のＢ−Ｂ’線での模式断面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の要部拡大図である。
【０００３】前記複合リードフレームに用いられる配線基板２は、図１５、及び図１６（ａ）に示したように、例えば、ポリイミドテープなどの薄い絶縁基板２０１の表面に、所定のパターンの導体配線（インナーリード）２０２が設けられており、前記インナーリード２０２の一端（接続端子部）２０４と前記アウターリード１０１が電気的に接続されている。
【０００４】またこのとき、実際には、前記インナーリード２０２の表面に、図１６（ｂ）に示すように、例えば、金めっき膜３が設けられ、一方の前記アウターリード１０１には銀めっき膜４が設けられており、前記インナーリード２０２と前記アウターリード１０１は、前記金めっき膜３、及び前記銀めっき膜４を介在して接続されている。
【０００５】前記複合リードフレームの製造方法は、大きく分けると、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程と、前記配線基板２を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム１と前記配線基板２とを接続する配線基板接続工程とに分けられる。
【０００６】前記リードフレーム形成工程は、従来のリードフレームの形成工程と同様であり、短冊状、あるいはテープ状に加工された銅板などの導体板に、例えば、金型を用いた打ち抜き加工で所定形状の開口部、すなわち、図１５に示したようなアウターリード１０１を形成する。また、前記アウターリード１０１を形成した後、前記アウターリード１０１の先端部、すなわち、前記配線基板２のインナーリードの接続端子部２０４と接続される部分に、例えば、銀めっき膜４を形成する。また、前記金型を用いる代わりに、例えば、エッチング処理により前記アウターリード１０１を形成する方法もある。
【０００７】また、前記配線基板形成工程も、従来の配線基板の形成工程と同様であり、例えば、ポリイミドテープなどの一方向に長尺なテープ状の絶縁基板２０１の表面に導体膜を形成し、前記導体膜をエッチング処理して図１５に示したようなパターンの導体配線２０２を形成する。また、前記導体配線２０２を形成した後、前記導体配線２０２の表面に、図１６（ｂ）に示したように、例えば、金めっき膜３を形成する。
【０００８】前記配線基板接続工程は、図１７に示すように、前記リードフレーム１の前記銀めっき膜４を形成した面と、前記配線基板２の前記導体配線２０２が形成された面とを向かい合わせ、前記リードフレーム1の銀めっき膜4と前記配線基板2の接続端子部２０４の位置合わせをした後、前記金めっき膜３及び前記銀めっき膜４を熱圧着させ、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示したように、前記アウターリード１０１と前記インナーリード２０２とを電気的に接続する。
【０００９】前記各工程を経て形成された前記複合リードフレームを用いて半導体装置を製造する工程では、例えば、図１８に示すように、前記配線基板２の中央部に、銀ペーストなどの接着剤５を用いて半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極（ボンディングパッド）６０１と前記配線基板２のインナーリード２０２とを、ボンディングワイヤ７で接続する。
【００１０】その後、例えば、金型を用いたトランスファーモールドにより、前記半導体チップ６、前記配線基板２、前記ボンディングワイヤ７、及び前記アウターリード１０１の前記インナーリードの接続端子部２０４との接続部を熱硬化性樹脂などの絶縁体で封止し、前記アウターリード１０１を切断、成形すると、樹脂封止型半導体装置になる。
【００１１】前記半導体チップ６は、小型化、高機能化が進んでおり、前記外部電極６０１の面積が小さくなり、且つ密に配置されるようになってきており、リードフレーム１にインナーリードを形成するのが非常に難しくなってきているが、前記複合リードフレームのように、前記半導体チップの外部電極６０１と前記ボンディングワイヤ７で接続されるインナーリード２０２を前記配線基板２に設けることにより、前記インナーリード２０２の微細化が容易になる。また、前記配線基板２に前記インナーリード２０２を設けることにより、配線の微細化が可能なだけでなく、前記配線基板２をマイクロストリップ構造にすることもでき、前記半導体チップ６の動作が高速化（高周波化）した場合でも、伝送する信号の高周波特性の劣化を低減できる。そのため、今後、前記複合リードフレームの需要が増えると予想される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従来の技術では、図１８に示したように、前記絶縁基板２上に前記半導体チップ６を接着しているため、例えば、前記半導体チップ６の動作が高速化し、発熱量が大きくなったときに、前記半導体チップ６から発生した熱を効率よく放熱することが難しい。そのため、装置内にたまった熱による電気的特性の変化、熱暴走などにより動作が不安定になりやすく、動作信頼性が低下するという問題があった。
【００１３】また、従来の複合リードフレームを用いた半導体装置は、図１９に示したように、前記導体配線２０２が形成された配線基板２上に前記半導体チップ６を接着しているため、前記導体配線２０２（金めっき膜３）の表面から、前記半導体チップの外部電極６０１が形成された面６Ａまで高さ△Ｔが大きくなる。すなわち、前記半導体チップの外部電極６０１から前記導体配線２０２までの距離が長くなり、前記半導体チップの外部電極６０１と前記導体配線２０２を接続するボンディングワイヤ７が長くなる。前記ボンディングワイヤ７は、例えば、金ワイヤなどが用いられるが、前記金ワイヤが長くなることにより、前記金ワイヤ中で信号の劣化が起こりやすくなる。そのため、高周波動作をする半導体チップ６などで、伝達する信号の高周波特性が劣化しやすいという問題があった。
【００１４】本発明の目的は、リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上することが可能な技術を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、高周波特性の劣化を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】（１）導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されている複合リードフレームである。
【００１９】前記（１）の手段によれば、前記リードフレームに半導体チップを搭載するダイパッドを設け、前記アウターリード及び前記ダイパッドの外周部に前記配線基板を接着することにより、前記半導体チップを前記ダイパッド上に接着することができる。前記ダイパッド、すなわち前記導体板の熱伝導率は、絶縁基板の熱伝導率よりも高いため、従来の、絶縁基板上に半導体チップを接着する複合リードフレームよりも放熱性の高い複合リードフレームを得ることができる。
【００２０】また、前記リードフレームにダイパッドを設け、前記ダイパッドの外周部に前記配線基板を接着することにより、前記ダイパッド上に半導体チップを接着したときに、前記半導体チップの外部電極と前記配線基板上の導体配線との距離が近くなる。そのため、前記半導体チップを接着し、前記半導体チップの外部電極と前記配線基板上の導体端子とをボンディングワイヤで接続したとき、ボンディングワイヤを短くし、前記ボンディングワイヤによる高周波特性の劣化を低減することができる。
【００２１】また、前記配線基板は、前記絶縁基板の第１主面に前記導体配線を設け、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線とビアで接続され、前記アウターリードと接続される接続端子と、前記ダイパッドと接続されるダミー端子を設けておき、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドと、金の薄膜及び銀の薄膜を介在させて接続することにより、前記インナーリードと前記アウターリードとの接続信頼性を向上させるとともに、前記配線基板と前記ダイパッドとの接着信頼性を向上させることができる。またこのとき、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドとの接続は、前記金薄膜及び銀薄膜を介在した接続に限らず、はんだを介在させた接続などであってもよい。
【００２２】また、前記（１）の手段において、前記ダイパッドの外周部に所定の間隔で突起部を設け、前記配線基板のダミー端子と前記突起部を接着することにより、前記アウターリードの平坦性と前記配線基板の平坦性が一致していなくても、確実に接続されて剥離しにくいため、装置の信頼性が低下することを防げる。
【００２３】（２）平板状の導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、絶縁基板の第１主面に導体配線（インナーリード）が形成され、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線と接続された接続端子が形成された配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム形成工程で形成された前記リードフレームと、前記配線基板形成工程で形成された前記配線基板とを重ねあわせ、前記配線基板の接続端子と前記リードフレームのアウターリードを電気的に接続する配線基板接続工程とを備える複合リードフレームの製造方法であって、前記配線基板形成工程は、前記絶縁基板の前記第１主面に第１導体膜を形成し、前記絶縁基板の前記第２主面に第２導体膜を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置で、前記第１導体膜と前記第２導体膜をビアで電気的に接続する工程と、前記第１導体膜をエッチング処理して所定のパターンの導体配線（インナーリード）を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に開口部（デバイスホール）を形成する工程と、前記第２導体膜をエッチング処理して、前記ビアにより前記導体配線と接続される接続端子と、前記絶縁基板の第２開口部の周辺のダミー端子とを形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続する複合リードフレームの製造方法である。
【００２４】前記（２）の手段によれば、前記配線基板形成工程において、前記絶縁基板の所定位置、言い換えると、前記ダイパッドの半導体チップを乗せる部分と重なる部分に前記第２開口部を形成し、前記配線基板のダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続することにより、前記ダイパッドを有する複合リードフレームを得ることができる。このとき、前記ダイパッド、すなわち前記導体板の熱伝導率は、絶縁基板の熱伝導率よりも高いため、従来の、絶縁基板上に半導体チップを接着する複合リードフレームよりも放熱性の高い複合リードフレームを得ることができる。
【００２５】また、前記リードフレーム形成工程は、前記導体板を開口して前記アウターリード及び前記ダイパッドを形成する工程と、前記ダイパッドの表面をエッチング処理し、前記ダイパッドの外周部に突起部を形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードとを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの前記突起部とを接続することにより、前記ダイパッドもしくは前記配線基板にゆがみ、ひずみ、あるいは変形などが生じた場合でも、各ダミー端子を確実に接続することができる。すなわち、前記配線基板と前記ダイパッドの外周部とを全面的に接続する場合には、前記ダイパッドもしくは前記配線基板にゆがみ、ひずみ、あるいは変形などが生じた場合、内部に空気が残ったりして剥離しやすくなるが、前記ダイパッドに突起部を形成して接続することにより、剥離しにくくし、接続信頼性が低下することを防げる。
【００２６】また、前記配線基板形成工程に、前記接続端子及び前記ダミー端子を形成する工程の後、前記接続端子及び前記ダミー端子の表面に金めっきを形成する工程を備え、前記リードフレーム形成工程に、前記アウターリード及び前記ダイパッドの所定領域に銀めっきを形成する工程を備え、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドはそれぞれ、前記金めっき及び前記銀めっきを介在させて接続することにより、熱圧着で簡単に接続でき、且つ接続信頼性を高くすることができる。
【００２７】以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００２８】なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
【発明の実施の形態】（実施例）図１及び図２は、本発明による一実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図１は本実施例の複合リードフレーム全体の平面図、図２（ａ）は図１の複合リードフレームのＡ−Ａ’線での断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の要部拡大図である。
【００３０】図１において、１はリードフレーム、１０１はアウターリード、１０２はダイパッド、１０３は位置決め用の穴、２は配線基板、２０１は絶縁基板、２０２は導体配線（第１導体膜）、２０３は電解銅めっき膜（第３導体膜）、２０３Ａはビア、２０４Ａは接続端子、２０４Ｂはダミー端子、２０５は開口部（デバイスホール）、２０６はビア穴、３は金めっき膜、４は銀めっき膜である。
【００３１】本実施例の複合リードフレームは、図１及び図２（ａ）に示すように、アウターリード１０１及び半導体チップ（図示しない）を搭載するダイパッド１０２が設けられたリードフレーム１と、絶縁基板２０１の第１主面に導体配線（インナーリード）２０２が設けられた配線基板２とにより構成されている。また、前記リードフレーム１は、例えば、銅板などの短冊状、あるいはテープ状の導体板からなり、図１に示したようなパターンが連続して設けられている。
【００３２】また、前記配線基板２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、前記絶縁基板２０１の所定位置に、ビア２０３Ａにより前記導体配線２０２と電気的に接続される接続端子２０４Ａ及びダミー端子２０４Ｂが設けられており、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１が接続されるとともに、前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の外周部が接続されている。このとき、前記絶縁基板２０１は、例えば、フィルム状の薄いポリイミド樹脂からなり、前記導体配線２０２、前記ビア２０３Ａ、前記接続端子２０４Ａ、及び前記ダミー端子２０４Ｂはそれぞれ、銅などの薄膜導体からなる。
【００３３】また、前記配線基板２の前記絶縁基板２０１は、前記ダイパッド１０２の前記半導体チップが搭載される領域Ｌ１と平面的に重なる領域に開口部（デバイスホール）２０５が設けられている。
【００３４】また、前記導体配線２０２は、図２（ｂ）に示すように、その表面に、例えば、電解銅めっき膜２０３が形成されており、前記電解銅めっき膜２０３の一部は、前記絶縁基板２０１の所定位置に設けられた開口部（ビア穴）２０６の内壁にも設けられている。すなわち、前記導体配線２０２と前記接続端子２０４Ａは、前記ビア穴２０６の内壁に設けられた銅めっき膜（ビア）２０３Ａにより電気的に接続されている。
【００３５】また、前記ダイパッド１０２は、図２（ａ）に示したように、前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂと接続される部分に突起部１０２Ａが設けられている。
【００３６】また、前記導体配線２０２上の電解銅めっき膜２０３、ならびに前記接続端子２０４Ａ及び前記ダミー端子２０４Ｂの表面には、図２（ｂ）に示したように、例えば、金めっき膜３が設けられており、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１、前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａはそれぞれ、前記金めっき膜３及び銀めっき膜４を介在させて接続されている。
【００３７】前記複合リードフレームの製造方法は、大きく分けると、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程と、前記配線基板２を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム１上に前記配線基板２を接続する配線基板接続工程に分けられる。以下、前記各工程に沿って、前記複合リードフレームの製造方法について説明する。
【００３８】図３乃至図５は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図３、図４、図５はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する各工程の模式平面図である。
【００３９】前記リードフレーム形成工程、すなわち、本実施例の複合リードフレームに用いられるリードフレームを形成する工程では、まず、例えば、銅板などの導体板を所定形状に開口し、図３に示すような、アウターリード１０１及び半導体チップを搭載するダイパッド１０２を有するリードフレーム１を形成する。
【００４０】このとき、前記導体板は、例えば、あらかじめ短冊状あるいはテープ状に加工し、長辺方向の端部に沿って、位置合わせ用の開口部１０３が形成されており、前記アウターリード１０１及び前記ダイパッド１０２は、例えば、金型を用いた打ち抜き加工や、エッチング処理などで、前記導体板上に数個から１０数個、連続的に形成する。
【００４１】次に、例えば、前記ダイパッド１０２の表面をハーフエッチングして、図４に示すように、前記ダイパッド１０２の外周部に突起部１０２Ａを形成する。
【００４２】次に、図５に示すように、前記アウターリード１０１の所定位置、及び前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａ上に、銀めっき膜４を形成すると、本実施例の複合リードフレームに用いられるリードフレーム１が得られる。
【００４３】図６乃至図８は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図７（ａ）、及び図７（ｂ）はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の模式断面図であり、図８は前記各工程が終了した配線基板の模式平面図である。
【００４４】前記配線基板形成工程、すなわち、本実施例の複合リードフレームに用いられる配線基板は、まず、例えば、テープ状の絶縁基板２０１の第１主面に第１導体膜２０２が形成され、前記絶縁基板２０１の第２主面に第２導体膜２０４が形成されたテープ材料を準備し、前記絶縁基板２０１の所定位置に、図６（ａ）に示すように、前記第１導体膜２０２側から開口部（ビア穴）２０６を形成し、図６（ｂ）に示すように、前記第１導体膜２０２上の全面及び前記ビア穴２０６の内壁に第３導体膜２０３を形成する。
【００４５】前記テープ材料は、例えば、両面銅張積層板のようなものであり、前記絶縁基板２０１には、例えば、ポリイミドテープや、ガラス布を基材としてエポキシ系樹脂を含浸させた基板（ガラスエポキシ基板）などが用いられる。また、前記第１導体膜２０２及び第２導体膜２０４を形成する方法には、例えば、圧延銅箔や電解銅箔などの薄い銅箔を接着する方法や、例えば、無電解銅めっき、あるいはスパッタリング等で薄膜を形成する方法がある。
【００４６】また、前記ビア穴２０６を形成する工程は、例えば、前記ビア穴２０６を形成する領域の前記第１導体膜２０２をエッチングで除去しておき、前記第１導体膜２０２をマスクとして、炭酸ガスレーザなどを用いたレーザ加工により前記絶縁基板２０１をエッチングする。また、前記第３導体膜２０３は、例えば、電解銅めっきにより形成する。
【００４７】次に、図６（ｃ）に示すように、前記第３導体膜２０３及び前記第１導体膜２０２をエッチング処理して、所定のパターンの導体配線（インナーリード）２０２を形成する。
【００４８】次に、例えば、図７（ａ）に示すように、前記絶縁基板２０１の所定位置、言い換えると、前記リードフレーム１のダイパッド１０２の半導体チップを搭載する領域Ｌ１と重なる位置に開口部（デバイスホール）２０５を形成する。
【００４９】次に、図７（ｂ）に示すように、前記第２導体膜２０４をエッチング処理して、前記接続端子２０４Ａ及び前記ダミー端子２０４Ｂを形成した後、前記導体配線２０２上の電解銅めっき膜２０３、前記接続端子２０４Ａ、及び前記接続端子２０４Ｂの表面に、例えば、無電解めっきで金めっき膜３を形成すると、本実施例の複合リードフレームに用いる配線基板２を得ることができる。
【００５０】なお、前記配線基板２は、従来のテープキャリアパッケージ（TCP）に用いられる配線基板（テープキャリア）の製造方法で利用されているリールツーリール（Reel to Reel）方式により形成されている。このとき、前記絶縁基板２０１は、一方向に長尺なテープ状であり、図８に示すように、前記絶縁基板２０１の長手方向の端部に沿って位置合わせ用の開口部２０７が設けられている。また、前記絶縁基板２０１上には、図８に示したように、一個の複合リードフレームに用いられる配線板領域Ｌ２が連続して形成されている。
【００５１】図９及び図１０は、本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図９は前記リードフレームと前記配線基板とを接続する工程の模式平面図であり、図１０は図９の正面方向から見た模式断面図である。
【００５２】前記配線基板接続工程、すなわち、前記リードフレーム形成工程で形成した前記リードフレーム１と、前記配線基板形成工程で形成した配線基板２を接続する工程では、まず、例えば、図９及び図１０に示すように、前記リードフレーム１と前記配線基板２とを重ね合わせ、前記接続端子２０４Ａと前記アウターリード１０１上の銀めっき膜４、及び前記ダミー端子２０４Ｂと前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａ上の銀めっき膜４との位置合わせを行う。このとき、例えば、前記リードフレーム１は、図９における紙面水平方向に搬送しながら前記位置合わせ用の開口部１０３で位置合わせをし、前記配線基板２は、図９における紙面上下方向に搬送しながら前記絶縁基板２０１の位置合わせ用の開口部２０７で位置合わせを行う。
【００５３】その後、例えば、前記絶縁基板２０１から前記領域Ｌ２を切り出して、前記リードフレーム１と前記配線基板２を接触させ、前記接続端子２０４Ａの表面の金めっき膜３と前記アウターリード１０１上の銀めっき膜４、及び前記ダミー端子２０４Ｂの表面の金めっき膜３と前記ダイパッドの突起部１０２Ａ上の銀めっき膜４をそれぞれ熱圧着すると、図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に示したような、本実施例の複合リードフレームを得ることができる。
【００５４】このとき、前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａを形成しておき、前記ダミー端子２０４Ｂと前記突起部１０２Ａを接続することにより、例えば、前記絶縁基板２０１や前記ダイパッド１０２にゆがみ、ひずみ、あるいは変形が生じている場合でも、接続ムラをなくし、確実に接続することができる。
【００５５】図１１及び図１２は、本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１２は樹脂封止する工程の断面図である。
【００５６】前記手順に沿って形成した複合リードフレームを用いて半導体装置を形成する場合、まず、図１１（ａ）に示すように、前記複合リードフレームのダイパッド１０２上に、例えば、銀ペーストなどの接着剤５を用いて半導体チップ６を接着し、前記半導体チップ６の外部電極（ボンディングパッド）６０１と前記導体配線２０２をボンディングワイヤ７で接続する。
【００５７】このとき、図１１（ａ）では省略しているが、実際には、前記導体配線２０２上に、図１１（ｂ）に示したように、電解銅めっき膜２０３及び金めっき膜３が形成されており、前記ボンディングワイヤ７は前記導体配線２０２上の金めっき膜３と接続される。
【００５８】またこのとき、前記半導体チップ６を接着した前記ダイパッド１０２は、前記リードフレーム１、すなわち、導体板（金属板）であり、ポリイミドテープなどの前記絶縁基板２０１の熱伝導性よりも高い熱伝導性を持つ。そのため、従来の配線基板２（絶縁基板２０１）上に半導体チップ６を接着する場合に比べ、放熱特性が向上し、前記半導体チップ６が高周波動作をするなどして、発熱量が高い場合でも、電気的特性の劣化を低減させ、熱暴走などにより動作信頼性が低下することを防げる。
【００５９】また、本実施例の複合リードフレームを用いた場合、前記ダイパッド１０２上に前記配線基板２を接続するため、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示したように、前記導体配線２０２の表面の金めっき膜３から前記半導体チップの前記外部電極６０１が設けられた面６Ａまでの高さ△Ｔが小さくなる。そのため、前記半導体チップの外部電極６０１から前記導体配線２０２までの距離が近くなり、前記ボンディングワイヤ７を短くすることができる。そのため、高周波動作をさせる場合でも、前記ボンディングワイヤ７による高周波特性の劣化を起こしにくくすることができる。
【００６０】前記手順で、前記複合リードフレーム上に半導体チップ６を実装した後は、例えば、金型を用いたトランスファーモールドにより、図１２に示すように、前記半導体チップ６、前記配線基板２、前記ダイパッド１０２、及び前記配線基板２と前記アウターリード１０１の接続部を、例えば、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂８で封止し、前記アウターリード１０１を切断して個片化し、前記アウターリードを所定の形状に成形すると、樹脂封止型の半導体装置となる。
【００６１】以上説明したように、本実施例の複合リードフレームによれば、前記リードフレーム１にアウターリード１０１及びダイパッド１０２を形成し、前記ダイパッド１０２の半導体チップ６を載せる領域Ｌ１と重なる部分が開口した配線基板２を接続することにより、前記ダイパッド１０２上に半導体チップ６を載せたときの放熱特性が向上し、熱暴走などにより動作信頼性が低下することを防げる。
【００６２】また、前記ダイパッド１０２上に前記配線基板２を接続することにより、前記ダイパッド１０２上に半導体チップを接着したときに、前記配線基板の導体端子（インナーリード）２０２と前記半導体チップ６の外部電極６０１との距離が近くなるため、従来の配線基板２上に半導体チップ６を接着する場合に比べ、前記導体配線２０２と前記外部電極６０１とを接続するボンディングワイヤ７の長さを短くすることができる。そのため、前記複合リードフレームを用いて半導体装置を製造したときに、前記ボンディングワイヤ７による高周波特性の劣化を低減できる。
【００６３】また、本実施例の複合リードフレームでは、前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂは、図１及び図８に示したように、前記ダイパッド１０２の突起部１０２Ａの形状に合わせたパッド状に形成しているが、これに限らず、任意の形状に形成することができる。このとき、例えば、前記絶縁基板の開口部（デバイスホール）２０５の端辺に沿って線状（帯状）に形成してもよいし、前記開口部２０５の周囲に沿って環状に形成してもよいことは言うまでもない。
【００６４】図１３は、前記実施例の複合リードフレームの変形例を示す模式図であり、図１３（ａ）は図１のＡ−Ａ’での断面に相当する断面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の要部断面図である。
【００６５】前記実施例の複合リードフレームでは、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示したように、前記ダイパッド１０２をハーフエッチングして形成した突起部１０２Ａと前記配線基板２のダミー端子２０４Ｂを接続していたが、これに限らず、例えば、前記実施例で説明したように、前記配線基板２上に所定の間隔で前記ダミー端子２０４Ｂを形成しておき、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示したように、前記突起部１０２Ａを形成していないダイパッド１０２上と接続してもよい。この場合も、前記ダイパッド１０２上に銀めっき膜４を形成しておき、前記ダミー配線２０４Ｂの表面の金めっき膜３と前記銀めっき膜４が熱圧着されるため、前記配線基板２あるいは前記ダイパッド１０２にひずみ、ゆがみ、変形が生じている場合でも、接続ムラをなくし、確実に接続することができる。また、このとき、前記ダミー端子２０４Ｂは、任意の形状にすることができ、例えば、前記絶縁基板の開口部（デバイスホール）２０５の端辺に沿った直線状（帯状）であってもよいし、周囲を囲むような環状であってもよいことは言うまでもない。
【００６６】図１４は、前記実施例の複合リードフレームの他の変形例を示す模式平面図である。
【００６７】前記実施例の複合リードフレームでは、図１に示したように、前記アウターリード１０１が対向する２方向に形成されたリードフレームを用いているが、これに限らず、例えば、図１４に示すように、前記アウターリード１０１が４方向、すなわち、前記ダイパッド１０２の周囲を囲むように形成されたリードフレームを用いてもよいことはいうまでもない。
【００６８】また、図示は省略するが、前記リードフレーム１を形成するリードフレーム形成工程において、従来の、図１５に示したような、アウターリード１０１のみが形成されたリードフレームの所定位置に、別工程で準備した、前記リードフレームよりも厚い金属材料からなるダイパッドを接続してもよい。この場合、前記リードフレーム上に配線板を接続した複合リードフレームを用いて半導体装置を製造したときに、前記ダイパッドの一面、すなわち、半導体チップを接着した面と対向する面を、モールド樹脂８から露出させることができ、前記実施例の複合リードフレームに比べ、さらに放熱特性をよくすることができる。
【００６９】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【００７０】
【発明の効果】本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００７１】（１）リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、放熱性を向上することができる。
【００７２】（２）リードフレーム上に配線基板を設けた複合リードフレームにおいて、高周波特性の劣化を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図２（ａ）は図１の複合リードフレームのＡ−Ａ’線での断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の要部拡大図である。
【図３】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図４】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図５】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記複合リードフレームに用いるリードフレームを形成する工程の平面図である。
【図６】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、及び図６（ｃ）はそれぞれ、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の断面図である。
【図７】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、前記複合リードフレームに用いる配線基板を形成する各工程の断面図である。
【図８】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、配線基板を形成する各工程が終了した後の配線基板の平面図である。
【図９】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、前記リードフレームと前記配線基板とを接続する工程の平面図である。
【図１０】本実施例の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式図であり、図９の正面方向から見た断面図である。
【図１１】本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１１（ａ）は半導体チップを実装する工程の断面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の要部拡大図である。
【図１２】本実施例の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１３】前記実施例の複合リードフレームの変形例を示す模式図であり、図１３（ａ）は図１のＡ−Ａ’線に相当する断面での断面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の要部拡大図である。
【図１４】前記実施例の複合リードフレームの他の変形例を示す模式平面図である。
【図１５】従来の複合リードフレームの概略構成を示す模式平面図である。
【図１６】従来の複合リードフレームの概略構成を示す模式図であり、図１６（ａ）は図１５の複合リードフレームのＢ−Ｂ’線での断面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）の要部拡大図である。
【図１７】従来の複合リードフレームの製造方法を説明するための模式断面図である。
【図１８】従来の複合リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図１９】従来の複合リードフレームの課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム
１０１ アウターリード
１０２ ダイパッド
１０２Ａ 突起部
１０３ 位置合わせ用の開口部
２ 配線基板
２０１ 絶縁基板
２０２ 導体配線（第１導体膜）
２０３ 電解銅めっき膜（第３導体膜）
２０３Ａ ビア
２０４ 第２導体膜
２０４Ａ 接続端子
２０４Ｂ ダミー端子
２０５ 絶縁基板の開口部（デバイスホール）
２０６ ビア穴
２０７ 位置合わせ用の開口部
３ 金めっき膜
４ 銀めっき膜
５ 接着剤（ダイペースト）
６ 半導体チップ
６０１ 半導体チップの外部電極
７ ボンディングワイヤ
８ 熱硬化性樹脂（封止用絶縁体）
【特許請求の範囲】
【請求項１】導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されていることを特徴とする複合リードフレーム。
【請求項２】前記配線基板は、前記絶縁基板の第１主面に前記導体配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線とビアで接続され、前記アウターリードと接続される接続端子と、前記ダイパッドと接続されるダミー端子とが設けられており、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドとは、金及び銀の薄膜を介在させて接続されていることを特徴とする請求項１に記載の複合リードフレーム。
【請求項３】前記ダイパッドは、外周部に所定の間隔で突起部が設けられており、前記配線基板のダミー端子と前記突起部とが接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の複合リードフレーム。
【請求項４】平板状の導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、絶縁基板の第１主面に導体配線（インナーリード）が形成され、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線と電気的に接続された接続端子が形成された配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム形成工程で形成された前記リードフレームと、前記配線基板形成工程で形成された前記配線基板とを重ねあわせ、前記配線基板の接続端子と前記リードフレームのアウターリードを電気的に接続する配線基板接続工程とを備える複合リードフレームの製造方法であって、前記配線基板形成工程は、前記絶縁基板の前記第１主面に第１導体膜を形成し、前記絶縁基板の前記第２主面に第２導体膜を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に、前記第１導体膜と前記第２導体膜を電気的に接続するビアを形成する工程と、前記第１導体膜をエッチング処理して所定のパターンの導体配線（インナーリード）を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に開口部（デバイスホール）を形成する工程と、前記第２導体膜をエッチング処理して、前記ビアにより前記導体配線と接続される接続端子と、前記絶縁基板の開口部の周辺のダミー端子とを形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続することを特徴とする複合リードフレームの製造方法。
【請求項５】前記リードフレーム形成工程は、前記導体板を開口して前記アウターリード及び前記ダイパッドを形成する工程と、前記ダイパッドの表面をエッチング処理し、前記ダイパッドの外周部に突起部を形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードとを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの前記突起部とを接続することを特徴とする請求項４に記載の複合リードフレームの製造方法。
【請求項６】前記配線基板形成工程は、前記接続端子及び前記ダミー端子を形成する工程の後、前記接続端子及び前記ダミー端子の表面に金めっきを形成する工程を備え、前記リードフレーム形成工程は、前記アウターリード及び前記ダイパッドの所定領域に銀めっきを形成する工程を備え、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドはそれぞれ、前記金めっき及び前記銀めっきを介在させて接続することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の複合リードフレームの製造方法。
【請求項１】導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを設けたリードフレームと、絶縁基板の一主面に導体配線（インナーリード）を設けた配線基板とからなり、前記配線基板が前記リードフレーム上に接着され、前記導体配線と前記アウターリードとが電気的に接続された複合リードフレームであって、前記配線基板は、前記ダイパッドの前記半導体チップが搭載される領域と平面的に重なる領域が開口されており、前記アウターリードの先端部及び前記ダイパッドの外周部と接着されていることを特徴とする複合リードフレーム。
【請求項２】前記配線基板は、前記絶縁基板の第１主面に前記導体配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線とビアで接続され、前記アウターリードと接続される接続端子と、前記ダイパッドと接続されるダミー端子とが設けられており、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドとは、金及び銀の薄膜を介在させて接続されていることを特徴とする請求項１に記載の複合リードフレーム。
【請求項３】前記ダイパッドは、外周部に所定の間隔で突起部が設けられており、前記配線基板のダミー端子と前記突起部とが接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の複合リードフレーム。
【請求項４】平板状の導体板を所定形状に開口してアウターリード及び半導体チップを搭載するダイパッドを有するリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、絶縁基板の第１主面に導体配線（インナーリード）が形成され、前記絶縁基板の前記第１主面と対向する第２主面に、前記導体配線と電気的に接続された接続端子が形成された配線基板を形成する配線基板形成工程と、前記リードフレーム形成工程で形成された前記リードフレームと、前記配線基板形成工程で形成された前記配線基板とを重ねあわせ、前記配線基板の接続端子と前記リードフレームのアウターリードを電気的に接続する配線基板接続工程とを備える複合リードフレームの製造方法であって、前記配線基板形成工程は、前記絶縁基板の前記第１主面に第１導体膜を形成し、前記絶縁基板の前記第２主面に第２導体膜を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に、前記第１導体膜と前記第２導体膜を電気的に接続するビアを形成する工程と、前記第１導体膜をエッチング処理して所定のパターンの導体配線（インナーリード）を形成する工程と、前記絶縁基板の所定位置に開口部（デバイスホール）を形成する工程と、前記第２導体膜をエッチング処理して、前記ビアにより前記導体配線と接続される接続端子と、前記絶縁基板の開口部の周辺のダミー端子とを形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの外周部を接続することを特徴とする複合リードフレームの製造方法。
【請求項５】前記リードフレーム形成工程は、前記導体板を開口して前記アウターリード及び前記ダイパッドを形成する工程と、前記ダイパッドの表面をエッチング処理し、前記ダイパッドの外周部に突起部を形成する工程とを備え、前記配線基板接続工程は、前記接続端子と前記アウターリードとを接続するとともに、前記ダミー端子と前記ダイパッドの前記突起部とを接続することを特徴とする請求項４に記載の複合リードフレームの製造方法。
【請求項６】前記配線基板形成工程は、前記接続端子及び前記ダミー端子を形成する工程の後、前記接続端子及び前記ダミー端子の表面に金めっきを形成する工程を備え、前記リードフレーム形成工程は、前記アウターリード及び前記ダイパッドの所定領域に銀めっきを形成する工程を備え、前記接続端子と前記アウターリード、及び前記ダミー端子と前記ダイパッドはそれぞれ、前記金めっき及び前記銀めっきを介在させて接続することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の複合リードフレームの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１７】
【図５】
【図６】
【図１８】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図９】
【図１１】
【図１９】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１７】
【図５】
【図６】
【図１８】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図９】
【図１１】
【図１９】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００３−７８０９８（Ｐ２００３−７８０９８Ａ）
【公開日】平成１５年３月１４日（２００３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−２６８４１８（Ｐ２００１−２６８４１８）
【出願日】平成１３年９月５日（２００１．９．５）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１５年３月１４日（２００３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年９月５日（２００１．９．５）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]