記録装置
【課題】光記録のための光源部にＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）を備える記録装置において、複数ｃｈ記録化に伴う装置の大型化の抑制を図る。
【解決手段】ＭＯＰＡにおけるモードロックレーザ部分（ＭＬＬＤ部分）と光変調部とを分離したＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップ外部にＭＬＬＤ部分を配し、各光学ピックアップには少なくとも光変調部以降の構成を搭載する。ＭＬＬＤ部分が非搭載とされることで各光学ピックアップのサイズの大幅な小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部分については各チャンネルに共通の１つのみを設ければ足ものとできる。記録のためのレーザ光をＭＯＰＡにより得る記録装置であって複数チャンネル同時記録が可能とされた記録装置について、光学ピックアップのサイズの小型化及びＭＬＬＤ数の削減により、記録装置の大幅な小型化が図られる。
【解決手段】ＭＯＰＡにおけるモードロックレーザ部分（ＭＬＬＤ部分）と光変調部とを分離したＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップ外部にＭＬＬＤ部分を配し、各光学ピックアップには少なくとも光変調部以降の構成を搭載する。ＭＬＬＤ部分が非搭載とされることで各光学ピックアップのサイズの大幅な小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部分については各チャンネルに共通の１つのみを設ければ足ものとできる。記録のためのレーザ光をＭＯＰＡにより得る記録装置であって複数チャンネル同時記録が可能とされた記録装置について、光学ピックアップのサイズの小型化及びＭＬＬＤ数の削減により、記録装置の大幅な小型化が図られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モードロックレーザと光変調部（光アンプ）とを組み合わせたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）を記録用光源として用いる記録装置に関する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００２】
【非特許文献１】Seiji Kobayashi, Kimihiro Saito, Takashi Iwamura, Hisayuki Yamatsu, Toshihiro Horigome,Mitsuaki Oyamada, Kunihiko Hayashi, Daisuke Ueda, Norihiro Tanabe and Hirotaka Miyamoto, ISOM2009 Digest Th-l-01, 2009
【非特許文献２】Spectra-Physics社、[online]、[平成２２年８月６日検索]、インターネット<URL:http://www.spectra-physics.jp/member/admin/document_upload/Tsunami_Series_Data_Sheet.pdf>
【非特許文献３】M. Kuramoto, T. Oki, T. Sugahara, S. Kono, M. Ikeda, and H. Yokoyama,Appl. Phys. Lett. 96, 051102 _2010_.
【非特許文献４】Rintaro Koda, Tomoyuki Oki, Takao Miyajima, Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto, Masao Ikeda, and Hiroyuki Yokoyama，APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 021101 _2010_
【背景技術】
【０００３】
高いピークパワーのレーザ光、特に超短パルス光は、非線形多光子吸収の過程を実現するために大変有効である。
この吸収過程を用いた、三次元光記録や超微細加工、または非破壊のバイオイメージング等への応用が期待されている。
【０００４】
例えば、非線形効果を有する例えば樹脂等で構成されたバルク材料に高出力のレーザ光を照射して、多層記録（三次元記録）を実現する方法が報告されている（非特許文献１を参照）。
この方法は、従来の積層型光ディスクに比べて、安価で大記録容量の光記録媒体の実現を可能とするものとして期待されている。
【０００５】
このような三次元光記録（バルク記録とも呼ばれる）に関して、従来の手法では、高出力のレーザ光を出射する光源として、モードロック型のチタンサファイアレーザが用いられていた。
しかしながら、当該チタンサファイアレーザは大きく高価な固体レーザであり、これを実製品として実装することは非常に困難であり、例えば研究室等のデモンストレーション等の用途に限られていた（例えば非特許文献２を参照）。
【０００６】
そこで、多くの研究者たちは、実用化へ向けて、さらに小型で安定なパルス光源を半導体ベースで開発することを試みている。
先に挙げたような次世代の光記録においては、高密度記録に有利な青紫色レーザ光源が強く望まれている。
【０００７】
例えば、ゲインスイッチング型レーザにおいて、強励起駆動による１ＭＨｚ繰り返しを行った場合に、５５Ｗのピークパワーを実現することが報告されている（非特許文献３を参照）。
ただし、市場における高い転送レートへの要求により、データ記録用の光源においても、さらに高い繰り返し周波数が必要となる。
【０００８】
これらの課題解決を図るパルス光源として、近年、高密度記録に有効な青色レーザであって、１ＧＨｚの繰り返し周波数で且つ１００Ｗ程度のピークパワーを実現するものが報告されている（例えば非特許文献４を参照）。
この光源は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）と呼ばれる構成で、半導体レーザを用いたモードロックレーザ（ＭＬＬＤ）と半導体光アンプとを組み合わせたものとなる。
【０００９】
このようにＭＬＬＤと光アンプとを組み合わせたＭＯＰＡとしての光源部を適用することで、上述したバルク記録（三次元光記録）のシステムの実現化をより容易なものとすることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、バルク記録のシステムについては、記録チャンネル（以下ｃｈと表記）の数を複数として、より高速な記録動作の実現を図ることが構想されている。
このような複数ｃｈ記録化の実現にあたっては、光源部を実装した光ピックアップを複数設けて、それぞれの光ピックアップに同時並行的に記録を行わせるという構成を採ることが順当に考えられる。
【００１１】
しかしながら、ＭＯＰＡとしての光源部は、前述のチタンサファイアレーザとの比較では大幅な小型化が図られたものとなるが、ＭＬＬＤ部が外部共振器を備えており、前述の高い繰り返し周波数の実現のためには、その全長が十数ｃｍ程度に及ぶものとなる。従って、ＭＯＰＡを用いる場合に複数ｃｈ記録化を実現しようとすると、各ピックアップのサイズが大型化し、結果、記録装置の小型化を図ることが非常に困難となる。
【００１２】
本技術はかかる問題点に鑑み為されたもので、光記録のための光源部にＭＯＰＡを備える記録装置において、複数ｃｈ記録化を図る場合の装置の小型化を図ることをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題の解決のため、記録装置として以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術に係る記録装置は、光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されている。
そして、上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、また、複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられるものである。
【００１４】
このようにＭＯＰＡにおけるモードロックレーザ部分（ＭＬＬＤ部分）と光変調部とを分離した構成（ＭＯＰＡ分離構成）とすれば、ＭＬＬＤ部分が非搭載とされることによる各光学ピックアップのサイズの大幅な小型化が図られると共に、ＭＬＬＤ部分については各チャンネルに共通の１つのみを設ければ足ものとできる。このため、記録装置の大幅な小型化が図られる。
なお、光変調部が各光学ピックアップごと（つまり記録チャンネルごと）に搭載されるので、チャンネルごとに独立したデータ記録が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本技術によれば、記録のためのレーザ光をＭＯＰＡにより得る記録装置であって複数チャンネル同時記録が可能とされた記録装置について、各光学ピックアップのサイズの小型化及びＭＬＬＤ部分の実装数の削減により、記録装置の大幅な小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ＭＯＰＡの構成を説明するための図である。
【図２】ＭＬＬＤ部が有する半導体レーザの構成例を示した図である。
【図３】ＳＯＡ部が有する半導体光増幅器の構成例を示した図である。
【図４】半導体光増幅器の入力光と出力光との関係を示した図である。
【図５】複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る記録装置の概要構成を示した図である。
【図６】実施の形態の記録装置の構成概要を示した図である。
【図７】分光部の構成例を示した図である。
【図８】光伝送部の他の構成例を示した図である。
【図９】バルク型記録媒体の断面構造図である。
【図１０】バルク型記録媒体に対する記録手法について説明するための図である。
【図１１】バルク型記録媒体に対する記録を行う記録装置の主に光学ピックアップの構成と位置制御系の構成について説明するための図である。
【図１２】モードロックレーザの発光パルスと半導体光増幅器に与えるデータパルスとの同期の必要性について説明するための図である。
【図１３】マスタークロックの位置のバリエーションを示した図である。
【図１４】ＭＬＬＤの駆動手法（通常駆動、外部クロックとレーザ発振パルスの同期駆動）について説明するための図である。
【図１５】マスタークロックをディスク基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図１６】マスタークロックをディスク基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図１７】マスタークロックをドライブ基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図１８】マスタークロックをドライブ基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図１９】マスタークロックをレーザ基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図２０】マスタークロックをレーザ基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図２１】光検出不要な発振パルス検出部の構成について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術に係る実施の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．ＭＯＰＡ分離構成の概要について＞
［1-1．ＭＯＰＡについて］
［1-2．複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る構成］
［1-3．ＭＯＰＡ分離構成の概要］
＜２．具体的な実施形態＞
［2-1．バルク記録（三次元光記録）について］
［2-2．マスタークロックの位置のバリエーション］
［2-3．ディスク基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
［2-4．ドライブ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
［2-5．レーザ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
＜３．変形例＞
【００１８】
＜１．ＭＯＰＡ分離構成の概要について＞
［1-1．ＭＯＰＡについて］
図１は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）１００の構成について説明するための図である。
図１において、ＭＯＰＡ１００は、少なくともモードロックレーザ部（ＭＬＬＤ部とも表記する）１と、ＳＯＡ部（ＳＯＡ:Semiconductor Optical Amp）４、すなわち半導体光増幅器１３とを含んで構成される。
具体的にこの場合のＭＯＰＡ１００には、これらＭＬＬＤ部１とＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）と共に、光アイソレータ部２、集光レンズ３、及びビーム整形部５が備えられている。
【００１９】
ＭＬＬＤ部１は、半導体レーザ６と外部共振器とを含む。
ここで、図２は、ＭＬＬＤ部１が有する半導体レーザ６の構成例を示している。
なお図２において、図２（ａ）は半導体レーザ６の斜視図を、図２（ｂ）は半導体レーザ６の断面図をそれぞれ示している。
【００２０】
この図２に示すように、半導体レーザ６は、ゲイン部（Gain section）１１６と過飽和吸収体部（Saturable absorber section）１１７とを有して構成される。すなわち、ＢＳ(bisectional)型の半導体レーザである。
過飽和吸収体部１１７を設けることで、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収率が低下するものとなり、強度の大きいパルスのみが透過する状態が得られる。このため、パルス幅の非常に短いパルスレーザ光を得ることが可能となる。
また、ゲイン部１１６にはゲイン電流が注入される。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、半導体レーザ６においては、ｎ型ＧａＮ基板１０２上に、ｎ型ＧａＮ層１０３、ｎ型クラッド層１０４、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｐ型クラッド層１０７が積層されている。
ｐ型クラッド層１０７の中央部には、図示するようにリッジ構造が形成されている。また、このリッジの側面や、ｐ型クラッド層１０７のリッジが形成されていない部分の上には、ＳｉＯ2層１０８とＳｉ層１０９が形成されている。
【００２２】
ｐ型クラッド層１０７及びＳｉ層１０９上には、ｐ型電極１１３，１１４がオーミックコンタクトにより形成されている。
すなわち、ゲイン部１１６上には主電極１１３が、過飽和吸収体部１１７上には副電極１１４が形成されている。これらの電極１１３，１１４は、例えば幅２０μｍ程度の溝状の分離部１１５によって分割されており、互いに電気的に分離されている。主電極１１３と副電極１１４の長さは、例えば、それぞれ５２０μｍ程度、６０μｍ程度である。
また、ｎ型ＧａＮ基板１０２の下面には、ｎ型の下部電極１０１がオーミックコンタクトにより形成されている。
【００２３】
また、ゲイン部１１６の前面の劈開面には、反射防止膜１１８（図２（ｂ）を参照）がコーティングされ、過飽和吸収体部１１７の後面の劈開面には、高反射膜１１９（図２（ｂ）を参照）がコーティングされている。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、この半導体レーザ６に対しては、副電極１１４により、過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを加える。このとき、ゲイン部１１６に対して主電極１１３から電流Ｉ（ゲイン電流）を注入することにより、矢印Ａ１に示す方向にレーザ光が出射される。
【００２５】
なお、使用する半導体レーザ６の構成は上記により説明したものに限定されるべきものではない。例えば、半導体レーザ６の半導体材料は、記録に使用するレーザ光の波長に応じて選定すればよい。
【００２６】
説明を図１に戻す。
図１には、ＭＬＬＤ部１の内部構成が示されている。
図示するようにＭＬＬＤ部１は、半導体レーザ６を備えると共に、半導体レーザ６から出射された発散光によるレーザ光を集光する集光レンズ７と、集光レンズ７を介したレーザ光が入射するバンドパスフィルタ８と、バンドパスフィルタ８を介したレーザ光が入射するミラー９と、さらにミラー９を一部透過したレーザ光（発散光となる）をコリメートするコリメートレンズ１０とを備えている。
図のように集光レンズ２による集光点はミラー９の反射面に一致するようにされる。
また、バンドパスフィルタ３は、所定の波長範囲の光を選択的に透過するように構成される。
【００２７】
このようなＭＬＬＤ部１においては、半導体レーザ６の後方端面のミラー（１１９）と、ミラー９との間で、外部共振器（空間共振器）が形成される。
この外部共振器の光路長Ｌにより、ＭＬＬＤ部１から出射されるレーザ光の繰り返し周波数（発振周波数）が決まる。これにより、強制的に特定の周波数にロックさせることができ、レーザ光のモードをロックすることができる。
【００２８】
なお、外部共振器の光路長Ｌは、半導体レーザ６の内部共振器の光路長Ｌ０、半導体レーザ６内部の屈折率ｎ０、半導体レーザ６外部の光路長Ｌ１、半導体レーザ６外部の屈折率ｎ１とから、下記の［式１］で表されるものである。
Ｌ＝ｎ０・Ｌ０＋ｎ１・Ｌ１ ・・・［式１］
【００２９】
ここで、上記の説明からも理解されるように、ＭＬＬＤ部１において、「モードロックレーザ」として機能する部分は、半導体レーザ６と外部共振器とを併せた部分、すなわち半導体レーザ６からミラー９までの部分である。
この点を踏まえ、以下、当該半導体レーザ６からミラー９までの部分を、「モードロックレーザ部分」（或いはＭＬＬＤ部分）と表記する。
【００３０】
ＭＬＬＤ部１より出射されたレーザ光は、光アイソレータ部２に入射する。
光アイソレータ部２は、光アイソレータ１１とミラー１２とを備え、当該光アイソレータ部２の後段の光学部品等において反射した光がＭＬＬＤ部１に入射すること、或いはＳＯＡ部４の入射端から出た光が光アイソレータ部２より前段の光学部品等において反射しＳＯＡ部４に入射することを防止する機能を有する。
【００３１】
光アイソレータ部２を介したレーザ光は、集光レンズ３を介してＳＯＡ部４に入射する。
ＳＯＡ部４において、半導体光増幅器（ＳＯＡ）１３は、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光を増幅変調する光変調手段となる。
半導体光増幅器１３は、小型かつ低コストの光増幅器であり、光をオン／オフする光ゲート、光スイッチとして用いることができる。
【００３２】
本実施の形態においては、半導体光増幅器１３による光のオン／オフ機能により、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光を記録データに応じて変調する。
【００３３】
半導体光増幅器１３の構成例を図３に示す。
ここで、通常の半導体レーザでは、両端面のミラーによって構成される共振器内に光を閉じ込めて、バンド間遷移による光学利得によってレーザ光を発振させる。
これに対し、半導体光増幅器１３では、上記ミラーの代わりに、図３に示すように両端面に反射防止膜２６を設けることによって、レーザ光の発振を抑制して、１パス分の増幅器として動作させている。
また、この半導体光増幅器１３は、半導体レーザと同様に活性層２５を含む半導体層が積層されて構成されている。
そして、半導体光増幅器１３は、上面に上部電極２３が形成され、下面に下部電極２４が形成されている。上部電極２３は電流源２７に接続され、下部電極２４は接地電位に接続されている。
【００３４】
電流源２７から上部電極２３に駆動電流を注入した状態で、反射防止膜２６が形成された入射端面からレーザ光を入射させると、活性層２５中を導波される間に、誘導放出によってレーザ光が増幅される。
そして、この半導体光増幅器１３に注入する駆動電流の電流量を制御することにより、レーザ光の増幅量を制御することができる。
なお、半導体光増幅器１３に入射したレーザ光を必ずしも増幅させる必要はなく、十分なレーザ光パワーが得られる場合には、半導体光増幅器１３のゲインを「１」としても良い。
【００３５】
図４は、半導体光増幅器１３の入力光（図４（ａ））と出力光（図４（ｂ））との関係を示している。
上記構成による半導体光増幅器１３は、キャリア寿命が短いため、電流や光強度の変化に対して高速な応答を示す。
従って、図４（ａ）に示す入力光、すなわちＭＬＬＤ部１側から入射するパルスレーザ光に対して、例えば図４（ｂ）に示す波形のパルス光が、半導体光増幅器１３からの出力光として得られる。すなわち、駆動電流に応じて、ＭＬＬＤ部１からの入射光を図のようにその一部のパルスを抜き出すようにしてオン／オフすることができる。
このように半導体光増幅器１３は、高速な光スイッチとしても機能することができる。
【００３６】
ここで、例えば半導体レーザ６から波長４０５ｎｍ程度のレーザ光を出射させる構成とする場合には、半導体光増幅器１３も、活性層２５やガイド層、クラッド層等を同じ波長の光を放出する青紫色半導体レーザと同様の材料によって構成する。
【００３７】
図１に戻り、ＳＯＡ部４より出射されたレーザ光（発散光）は、ビーム成形部５に入射する。
ビーム成形部５は、ＳＯＡ部４から入射するレーザ光をコリメートするコリメートレンズ１４と、コリメートレンズ１４を介したレーザ光についてビーム整形を行うビーム整形素子１５とを備える。ビーム整形素子１５は、例えばアナモルフィックプリズムなどで構成できる。
図のように当該ビーム成形部５でビーム整形されたレーザ光が、ＭＯＰＡ１００の出力光として出射される。
【００３８】
以上の前提を踏まえた上で、ＭＯＰＡ１００の駆動手法について説明しておく。
図１に示されるように、ＭＯＰＡ１００に対しては、ＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を発光駆動するためのＭＬＬＤドライブ回路２０と、図中のデータ２１に応じてＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）による光のオン／オフ動作を制御するためのＳＯＡドライブ回路２２とが設けられる。
【００３９】
ＭＬＬＤドライブ回路２０は、ＭＬＬＤ部１における半導体レーザ６に対し、前述した逆バイアス電圧Ｖｓａの印加と共に、ゲイン電流（電流Ｉ）の注入を行って当該半導体レーザ６をパルス発光させる。
【００４０】
また、ＳＯＡドライブ回路２２は、データ２１（図中データパルス）に応じた駆動電流を生成し、当該駆動電流をＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）に対して与える。
これにより、ＳＯＡ部４の出射光として、データ２１に応じた発光パルスが得られるようになる。具体的には、例えばデータ「１」に応じた区間でのみＭＬＬＤ部１からの入射パルスが抽出された出射光が得られる（図４を参照）。
【００４１】
［1-2．複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る構成］
ここで、前述のようにＭＯＰＡ１００を光源部に用いる光ディスクの記録装置については、記録チャンネル（以下ｃｈとも表記）を複数として、記録レートの向上を図ることが構想されている。
【００４２】
図５は、ＭＯＰＡ１００を用いた記録装置として、複数ｃｈ記録化を図る場合に順当に採り得る構成を例示している。
先ずこの場合は、複数ｃｈ同時記録を可能するために、記録ｃｈ数と同数の光学ピックアップＯＰを設けることになる。ここでは、記録ｃｈ数＝４である場合を例示しており、４つの光学ピックアップＯＰについては、それぞれＯＰ-A、ＯＰ-B、ＯＰ-C、ＯＰ-Dと符号を振る。
これら光学ピックアップＯＰ-A〜ＯＰ-Dのそれぞれには、ＭＯＰＡ１００が搭載される。
【００４３】
前述のように、ＭＯＰＡ１００の出力光としてデータに応じて変調された光を得るにあたっては、ＭＬＬＤ部１をパルス発光させるための駆動信号（前述の電圧Ｖｓａとゲイン電流）と、ＳＯＡ部４をデータに応じて駆動するための駆動信号とをＭＯＰＡ１００に与える。
ここで、上記のようにＭＬＬＤ部１をパルス発光させるための駆動信号については駆動信号Ｄｒ_MLと、またＳＯＡ部４をデータに応じて駆動するための駆動信号を駆動信号Ｄｒ_SOAとする。
【００４４】
この場合の駆動部３０は、各ピックアップＯＰにそれぞれＭＯＰＡ１００が搭載されることから、それぞれに上記駆動信号Ｄｒ_MLと駆動信号Ｄｒ_SOAとを供給することになる。
すなわち、光学ピックアップＯＰ-Aに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-A及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Aを、また、光学ピックアップＯＰ-Bに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-B及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Bを、また光学ピックアップＯＰ-Cに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-C及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Cを、さらに光学ピックアップＯＰ-Dに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-D及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Dを供給することになる。
【００４５】
［1-3．ＭＯＰＡ分離構成の概要］
ここで、ＭＬＬＤは、パルスレーザとして従来用いられていたチタンサファイアレーザ等と比較すれば大幅な小型化が図られたものとなるが、前述のようにＭＬＬＤは外部共振器を備え、当該外部共振器の光路長は、光ディスクの記録システムの光源部として用いることを想定した場合には例えば十数ｃｍ程度を要する場合があり、現状のＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）等の光ディスクシステムで用いられている光源部と比較すると非常に大型となる。
このため、複数ｃｈ記録化のため図５のように各光学ピックアップＯＰにＭＯＰＡ１００を搭載する構成では、各光学ピックアップＯＰのサイズが大型化し、記録装置の小型化を図ることが非常に困難となる。
【００４６】
そこで本実施の形態では、ＭＯＰＡ１００により記録光を得る記録装置に関して、このような複数ｃｈ記録化を図る場合の装置の小型化を図るべく、以下のような構成を提案する。
【００４７】
図６は、実施の形態としての記録装置の構成概要を示した図である。
実施の形態では、各光学ピックアップＯＰにＭＯＰＡ１００全体を実装するものとはせず、ＭＯＰＡ１００における少なくとも「ＭＬＬＤ部分」はピックアップＯＰの外部に配置し、ＳＯＡ部４を各ピックアップＯＰに対して搭載するという、ＭＯＰＡ分離構成を採用する。
【００４８】
このとき、各ｃｈでは、それぞれ異なるデータを同時並行して記録可能とされることが必要となるので、各光学ピックアップＯＰには少なくともＳＯＡ部４以降の部分が搭載される必要がある。
一方で、これらｃｈごとのＳＯＡ部４に対しては、所定の繰り返し周波数で発振でするパルスレーザ光が入力されればよく、従って当該パルスレーザ光の光源である「ＭＬＬＤ部分」については、ｃｈごとに独立して設ける必要性はなく、各ｃｈに対して共通となる１つの「ＭＬＬＤ部分」のみを設ければ足るものとできる。
【００４９】
これらの点より、上記のようなＭＯＰＡ分離構成を採用すれば、ｃｈごとの独立したデータ記録を可能としつつ、各ピックアップＯＰごとに「ＭＬＬＤ部分」を設ける必要性を無くすことで、「ＭＬＬＤ部分」については少なくとも各ｃｈに共通となる１つのみ設ければよいものとできることが分かる。
【００５０】
具体的な構成として、本例では、図６に示すようにＭＬＬＤ部１を光学ピックアップＯＰ外部に配置するものとしている。すなわち、「ＭＬＬＤ部分」にコリメートレンズ１０を加えた部分を、光学ピックアップＯＰ外部に配置する。そして、各光学ピックアップＯＰには、図中のＰＡ部３１として、ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１以降の部分を搭載するものとしている。具体的には、光アイソレータ部２・集光レンズ３・ＳＯＡ部４・ビーム整形部５である。
なお以下、ＭＯＰＡ１００におけるＰＡ部３１のみを搭載した光学ピックアップＯＰについては、その符号の末尾に「’」を付してこれを表記する。
【００５１】
そしてこの場合、共通のＭＬＬＤ部１により得られたパルスレーザ光は、所定の光伝送部により各ＰＡ部３１に伝送される。
具体的にこの場合は、ＭＬＬＤ部１で得られたパルスレーザ光は図中の分光部３３によって４つの光線に分光された後、それらが光ファイバ３２により各ＰＡ部３１に伝送される。
【００５２】
図７は、分光部３３の構成例を示している。
例えばこの図７に示すように分光部３３としては、ＭＬＬＤ部１から入射したレーザ光をグレーティング３４により分光する構成とすることができる。
この場合、グレーティング３４により分光されて得られた各光線は、それぞれ対応する集光レンズ３５（図中集光レンズ３５-1〜３５-4のうち対応するもの）で集光された後、それぞれ対応する光ファイバ３２に入射する。
【００５３】
図６に戻り、この場合の駆動部３０’は、各光学ピックアップＯＰに搭載されたＰＡ部３１内の個々のＳＯＡ部４に対し、各ｃｈごとの記録データに応じて生成した駆動信号Ｄｒ_SOA-A〜Ｄｒ_SOA-Dのうち対応する駆動信号Ｄｒ_SOAを供給する。
また駆動部３０’は、光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１に対し、駆動信号Ｄｒ_MLを供給する。
【００５４】
上記のような本実施の形態の記録装置によれば、少なくとも「ＭＬＬＤ部分」をピックアップＯＰの外部に配置するものとしたことで、各ピックアップＯＰにはＭＯＰＡ１００における少なくとも外部共振器より後段の部分を搭載すればよいものとでき、またＭＬＬＬＤ部分については共通の１つのみを実装すれば済むものとできる。
これにより、光学ピックアップＯＰの小型化が図られると共に、ＭＬＬＤ部分の実装数も削減できる。これらの結果、記録装置の大幅な小型化が図られる。
【００５５】
また、上記のようにＭＬＬＤ部分の実装数を少なくとも１つとできることによれば、図５の場合では各ｃｈごとに必要であったＭＬＬＤ部分への駆動信号Ｄｒ_MLの供給ラインを１系統に削減することができることにより、配線の複雑化の防止、及び駆動部の構成の簡易化が図られる。すなわち、回路実装面積の縮小化、部品点数の削減、及び低コスト化が図られる。
【００５６】
ここで、図８は、各ＰＡ部３１への光伝送を行う光伝送部の他の構成例を示している。
図８に示されるように、ＭＬＬＤ部１にて得られるパルスレーザ光の各ＰＡ部３１への伝送は、ハーフミラーやミラーを用いて行うこともできる。
具体的にこの場合は、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光（平行光）の一部を反射、一部を透過して２光線に分光するハーフミラー３６と、該ハーフミラー３６で反射されたレーザ光を一部反射して１つ目のＰＡ部３１（図中では光学ピックアップＯＰ-D’内のＰＡ部３１）に導くハーフミラー３７と、該ハーフミラー３７を透過したレーザ光を反射して２つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-A’内のＰＡ部３１）に導くミラー３８とを設けるものとしている。
さらに、ハーフミラー３６を透過したレーザ光を反射するミラー３９と、該ミラー３９による反射光が入射されこれを一部反射して３つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-C’内のＰＡ部３１）に導くハーフミラー４０と、該ハーフミラー４０を透過したレーザ光を反射して４つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-B’内のＰＡ部３１）に導くミラー４１とを設ける。
この場合、各ハーフミラーやミラーの配置は、各ＰＡ部３１へのレーザ光の入射方向が、そのＰＡ部３１が搭載される光学ピックアップＯＰの可動方向（スライド駆動される方向）と平行な方向となるように設定する。これにより、記録位置の遷移等に伴って光学ピックアップＯＰが移動しても、ＰＡ部３１にレーザ光が入射され続けるようにできる。
【００５７】
なお、ＭＬＬＤ部１によるパルスレーザ光のパワーが十分に高い場合等には、ハーフミラーのみを用いた構成とすることもできる。
また、ハーフミラーやミラーを光学ピックアップＯＰの移動と連動して動かすことにより、光学ピックアップＯＰが移動してもＰＡ部３１にレーザ光が入射され続けるようにする構成も可能である。
【００５８】
＜２．具体的な実施形態＞
［2-1．バルク記録（三次元光記録）について］
以下、実施の形態の記録装置の構成について、より具体的に説明する。
先ずは、実施の形態の記録装置が記録対象とするバルク型記録媒体５０について説明する。
【００５９】
図９は、バルク型記録媒体５０の断面構造を示している。
先ず、バルク記録とは、ピットやグルーブ等の位置案内子が形成されていないバルク状の記録層（バルク層５２）に対し、逐次焦点位置を変えてレーザ光照射を行って、バルク層５２内に多層記録を行うことで、大記録容量化を図る技術を指す。
【００６０】
このようなバルク記録に関しては、微小なホログラムを記録マークとして形成するいわゆるマイクロホログラム方式と呼ばれるものや、微小なボイド（空孔、空包）を記録マークとして形成するボイド方式と呼ばれるものが知られている。
【００６１】
マイクロホログラム方式では、バルク層５２の記録材料として、いわゆるホログラム記録材料が用いられる。ホログラム記録材料としては、例えば光重合型フォトポリマ等が広く知られている。
マイクロホログラム方式は、対向する２つの光束をバルク層５２内における同位置に集光して微細な干渉縞（ホログラム）を形成し、これを記録マークとする手法である。
【００６２】
一方、ボイド方式は、例えば樹脂等で構成されたバルク層５２に対して、比較的高パワーでレーザ光を集光して空孔を記録する手法である。このように形成された空孔部分は、バルク層５２内における他の部分と屈折率が異なる部分となり、それらの境界部分で光の反射率が高められることになる。従って上記空孔部分は記録マークとして機能し、これによって空孔マークの形成による情報記録が実現される。
このようなボイド方式は、ホログラムを形成するものではないため、記録にあたっては片側からの光照射を行えば済むものとでき、上記マイクロホログラム方式の場合のように２つの光束を同位置に集光して記録マークを形成する必要は無いものとできる。
【００６３】
ところで、バルク層５２には位置案内子が形成されていないため、マークが未形成である記録時においては、フォーカスサーボやトラッキングサーボを行うことができない。
そこで、バルク型記録媒体５０には、位置案内子を有する基準となる反射面（基準面Ｒｅｆ）が別途設けられる。
具体的に図９の場合は、カバー層５１の下面側に例えばグルーブやピットによる案内溝が形成され、そこに選択反射膜５３が成膜されている。そして、このように選択反射膜５３が成膜されたカバー層５２の下層側に対し、図中の中間層５４としての、例えばＵＶ硬化樹脂などの接着材料を介してバルク層５２が設けられる。
なお、基準面Ｒｅｆには、グルーブやピットの形成によりアドレス情報が記録される。
【００６４】
ここで、上記のような構造とされたバルク型記録媒体５０に対しては、次の図１０に示されるようにマークの記録用のレーザ光（記録用レーザ光）とは別途に、位置制御用のレーザ光としてのサーボ用レーザ光を照射するようにされる。
図示するようにこれら記録用レーザ光とサーボ用レーザ光とは、共通の対物レンズを介してバルク型記録媒体５０に照射される。
【００６５】
このとき、仮に、サーボ用レーザ光がバルク層５２に到達してしまうと、当該バルク層５２内におけるマーク記録に悪影響を与える虞がある。このため、従来よりバルク記録方式では、サーボ用レーザ光として、記録用レーザ光とは波長帯の異なるレーザ光を用いるものとした上で、位置案内子の形成面（基準面Ｒｅｆ）に成膜される反射膜としては、サーボ用レーザ光は反射し、記録用レーザ光は透過するという波長選択性を有する選択反射膜５３を設けるものとしている。
【００６６】
以上の前提を踏まえた上で、図１０を参照し、バルク型記録媒体５０に対するマーク記録時の動作について説明する。
先ず、バルク層５２に対して多層記録を行うとしたときには、バルク層５２内の深さ方向においてマークを記録する層位置を何れの位置とするかを予め設定しておくことになる。図中では、バルク層５２内においてマークを形成する層位置（マーク形成層位置：情報記録層位置とも呼ぶ）として、第１情報記録層位置Ｌ１〜第５情報記録層位置Ｌ５の計５つの情報記録層位置Ｌが設定された場合を例示している。図示するように第１情報記録層位置Ｌ１は、案内溝が形成された選択反射膜５３（基準面Ｒｅｆ）からフォーカス方向（深さ方向）に第１オフセットｏｆ-L1分だけ離間した位置として設定される。また、第２情報記録層位置Ｌ２、第３情報記録層位置Ｌ３、第４情報記録層位置Ｌ４、第５情報記録層位置Ｌ５は、それぞれ基準面Ｒｅｆから第２オフセットｏｆ-L2分、第３オフセットｏｆ-L3分、第４オフセットｏｆ-L4分、第５オフセットｏｆ-L5分だけ離間した位置として設定される。
【００６７】
マークが未だ形成されていない記録時においては、バルク層５２からの反射光に基づいて、所望の層位置Ｌを対象としたフォーカスサーボ、トラッキングサーボを行うということはできない。従って、記録時におけるフォーカスサーボ制御、トラッキングサーボ制御については、位置制御用光としてのサーボ用レーザ光の反射光（基準面Ｒｅｆからの反射光）に基づき、当該サーボ用レーザ光のスポット位置が基準面Ｒｅｆ上において案内溝に追従するように対物レンズの位置を制御することで行うことになる。
【００６８】
但し、記録用レーザ光は、マーク記録のために選択反射膜５３よりも下層側に形成されたバルク層５２に到達させる必要がある。このため、この場合の光学系には、対物レンズのフォーカス機構とは別途に、記録用レーザ光の合焦位置を独立して調整するためのフォーカス機構が設けられることになる。
【００６９】
ここで、このような記録用レーザ光の合焦位置を独立して調整するための機構を含めた、バルク型記録媒体５０の記録装置の内部構成例を図１１に示す。
なおこの図１１では、記録装置内における光学ピックアップＯＰの内部構成、及び位置制御に係る構成を主に示している。
また、この図１１では、ＭＯＰＡ分離構成を採用していない従来の記録装置の構成を示している。
【００７０】
図１１において、ＭＯＰＡ１００は、記録用レーザ光として設けられる。
前述のようにバルク記録方式として特にボイド方式を採用する場合は、空孔形成のために比較的高パワーのレーザ光を照射することが好ましく、記録用レーザとしてＭＯＰＡ１００を用いることが好適となる。
【００７１】
図示するようにＭＯＰＡ１００より出射した記録用レーザ光は、固定レンズ６０・可動レンズ６１・レンズ駆動部６２を有するフォーカス機構に入射する。当該フォーカス機構においては、レンズ駆動部６２によって可動レンズ６１が記録用レーザ光の光軸に平行な方向に駆動されることで、図中の対物レンズ６４に入射する記録用レーザ光のコリメーション状態（収束／平行／発散の状態）が変化し、記録用レーザ光の合焦位置を、対物レンズ６４の駆動による合焦位置の変化とは独立して調整することができる。
なお、この意味で、当該フォーカス機構については、記録光用フォーカス機構とも表記する。
【００７２】
記録光用フォーカス機構を介した記録用レーザ光は、当該記録用レーザ光と同波長帯による光を透過しそれ以外の波長帯による光は反射するように構成されたダイクロイックミラー（ダイクロイックプリズム）６３に入射する。
図示するようにダイクロイックミラー６３を透過した記録用レーザ光は、対物レンズ６４を介してバルク型記録媒体５０に対して照射される。対物レンズ６４は、２軸アクチュエータ６５によりフォーカス方向及びトラッキング方向に変位可能に保持されている。
【００７３】
また、光学ピックアップＯＰ内には、サーボ用レーザ光についての光学系が設けられる。
サーボ用レーザ６６は、図１０に示したサーボ用レーザ光の光源として設けられ、ＭＯＰＡ１００による記録用レーザ光とは波長の異なるレーザ光を発光する。例えば、記録用レーザ光の波長＝４０５nm程度に対し、サーボ用レーザ光の波長＝６５０nm程度などと設定される。
【００７４】
サーボ用レーザ６６より出射されたサーボ用レーザ光は、コリメートレンズ６７を介した後、ビームスプリッタ６８を透過し、前述したダイクロイックミラー６３に入射する。サーボ用レーザ光は、当該ダイクロイックミラー６３にて反射され、その光軸がダイクロイックミラー６３を透過した記録用レーザ光の光軸と一致するようにして対物レンズ６４に入射する。
対物レンズ６４に入射したサーボ用レーザ光は、後述するサーボ回路７３によるフォーカスサーボ制御によって２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、バルク型記録媒体５０の選択反射膜５３上（基準面Ｒｅｆ）に合焦するようにされている。また同時に、サーボ用レーザ光のトラッキング方向における位置は、サーボ回路７３によるトラッキングサーボ制御によって２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、選択反射膜５３に形成された案内溝（トラック）に沿うようにされる。
【００７５】
選択反射膜５３からのサーボ用レーザ光の反射光は、対物レンズ６４を介しダイクロイックミラー６３で反射された後、ビームスプリッタ６８にて反射される。ビームスプリッタ６８にて反射されたサーボ用レーザ光の反射光は、集光レンズを介してフォトディテクタ６９の受光面上に集光する。
なお以下、フォトディテクタ６９による受光信号は受光信号Ｄsvと表記する。
【００７６】
マトリクス回路７０は、フォトディテクタ６９による受光信号Ｄsvに基づきフォーカス、トラッキングの各エラー信号ＥＳを生成する共に、基準面Ｒｅｆに形成されたグルーブのウォブル周期を表すウォブル信号ＷＳを生成する。
各エラー信号ＥＳはサーボ回路７３に対して供給される。
またウォブル信号ＷＳはＰＬＬ回路７１及びアドレス検出回路７２に対して供給される。
【００７７】
サーボ回路７３は上記各エラー信号ＥＳからフォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を生成する。これらフォーカスサーボ信号、トラッキングエラー信号に基づき上述した２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、対物レンズ６４のフォーカスサーボ制御、トラッキングサーボ制御が実現される。
【００７８】
ＰＬＬ回路７１は、ウォブル信号ＷＳに基づくクロックを生成する。このクロックは、必要な各部の動作クロックとして供給される。特にこの場合は、アドレス検出回路７２に対して供給される。
【００７９】
アドレス検出回路７２は、ウォブル信号ＷＳと上記クロックとに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。検出したアドレス情報はコントローラ７４に対して供給される。
【００８０】
コントローラ７４は、例えばマイクロコンピュータで構成され、記録装置の全体制御を行う。
例えば、上記アドレス情報に基づく記録位置の制御や、前述した記録光用フォーカス機構におけるレンズ駆動部６２を制御することによる情報記録層位置Ｌの選択制御を行う。
具体的にこのような情報記録位置Ｌの選択制御としては、予め情報記録層位置Ｌごとに設定されたオフセット量ｏｆ-Lに基づいて、レンズ駆動部６２を駆動制御することで行う。
【００８１】
ここで、記録時における記録用レーザ光のトラッキングサーボに関しては、上述のようにサーボ回路７３がサーボ用レーザ光の反射光に基づいて対物レンズ６４についてのトラッキングサーボ制御を行うことで、自動的に行われるものとなる。具体的に、記録用レーザ光のトラッキング方向におけるスポット位置は、基準面Ｒｅｆに形成された案内溝の直下となるように制御される。
【００８２】
上記のような記録装置の構成により、バルク層５２内の所望の層位置Ｌにおける所望の半径位置に対して情報記録を行うことができる。すなわち、バルク層５２に対する三次元記録（多層記録）が実現されるものである。
【００８３】
［2-2．マスタークロックの位置のバリエーション］
ここで、ＭＯＰＡ１００を記録光源として用いる記録システムにおいては、ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１の発振パルスの位相と、半導体光増幅器１３の駆動電流の位相（データパルスの位相）とが同期していることを要する。
【００８４】
図１２は、ＭＬＬＤ部１の発光パルスと半導体光増幅器１３に与えるデータパルスとの同期の必要性について説明するための図である。
図１２（ａ）はＭＬＬＤ部１から半導体光増幅器１３に入射するパルスレーザ光を示し、図１２（ｂ）はデータパルスを、図１２（ｃ）は図１２（ｂ）のデータパルスに応じて半導体光増幅器１３により変調されたレーザ光を示している。
ここで説明上、図１２（ｂ）に示すデータパルスは、例えば５Ｔ（Ｔはチャネルクロック）の符号長に対応するものであるとする。
これら図１２（ａ）〜図１２（ｃ）の関係においては、データパルスの位相がＭＬＬＤ部１の発振パルスの位相と同期しており、５Ｔ分のデータパルスに応じて、５つのパルスが抽出されていることが示されている。
【００８５】
これに対し、図１２（ｄ）では、同じ５Ｔ分のデータパルスとして、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとの間で位相同期がとられていないデータパルスを示しているが、当該データパルスに応じて半導体光増幅器１３が変調動作を行った場合には、本来は先の図１２（ｃ）のように５つのパルスが抽出されるべきところが、図１２（ｅ）に示されるようにそれよりも少ない数のパルスしか抽出できないこととなる。
この結果、意図したＴ長によるマーク記録を行うことができないものとなってしまう。
【００８６】
このため、ＭＯＰＡ１００を記録用光源として用いる記録システムにおいては、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとが同期していることを要する。
【００８７】
ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスの同期を行うための手法は、そのマスタークロックの位置を何れに設定するかにより、図１３に示すような３つの手法に大別することができる。
すなわち、図１３（ａ）に示すディスク基準としての手法、図１３（ｂ）に示すドライブ基準としての手法、図１３（ｃ）に示すレーザ基準としての手法である。
図１３（ａ）のディスク基準の手法は、バルク型記録媒体５０の基準面Ｒｅｆに形成されたグルーブのウォブル周期を表すウォブル信号ＷＳをマスタークロックとして用いる手法である。
また、図１３（ｂ）のドライブ基準の手法は、ドライブ（記録装置）に設けた発振器７５による発振信号をマスタークロックとして用いる手法である。
また図１３（ｃ）のレーザ基準の手法は、ＭＬＬＤ部１の発振パルスをマスタークロックとして用いる手法である。
【００８８】
ここで、ディスク基準とドライブ基準の手法では、ＭＬＬＤ部１の発振周波数（位相）をマスタークロックに同期させることになる。
【００８９】
図１４を参照し、このようにＭＬＬＤ部１の発振周波数をマスタークロック(外部クロック)に同期させるための具体的な手法について説明する。
先ず、先に説明したように、ＭＬＬＤ部１の半導体レーザ６は、副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入することにより発光する（通常駆動：図１４（ａ））。
これに対し、ＭＬＬＤ部１の発振周波数（位相）を外部クロックに応じて調整するとした場合には、図１４（ｂ）に示すように、副電極１１４より過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、さらに主電極１１３よりゲイン部１１６に対してＡＣ電流によるゲイン電流Ｉを併せて注入する。
このとき、上記ＡＣ電流として、マスタークロックに基づく電流を注入することで、ＭＬＬＤ部１の発振周波数をマスタークロックに同期させることが可能となる。
【００９０】
説明を図１３に戻す。
各手法について具体的に見ていく。
先ず、図１３（ａ）のディスク基準の手法では、ウォブル信号ＷＳに基づき、ＰＬＬ回路７１でマスタークロック（以下、ディスク基準クロックと表記）を生成する。そして、このようなディスク基準クロックにより、データ２１の出力タイミングを制御する（つまりディスク基準クロックにデータパルスを同期させる）と共に、当該ディスク基準クロックにＭＬＬＤ部１の発振パルスを同期させる。
これにより、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができ、所望のＴ長のマークが適正に記録されるようにできる。
【００９１】
また、図１３（ｂ）のドライブ基準の手法では、発振器７５により生成されたマスタークロック（ドライブ基準クロックとする）によりデータ２１の出力タイミングを制御すると共に、当該ドライブ基準クロックにＭＬＬＤ部１の発振パルスを同期させる。これによりＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができる。
【００９２】
また、図１３（ｃ）のレーザ基準の手法では、ＭＬＬＤ部１の発振パルスを発振パルス検出部７７で検出し、ＰＬＬ回路７８がこのように発振パルス検出部７７が検出した発振パルスに基づくマスタークロックを生成する（レーザ基準クロックとする）。そして、当該レーザ基準クロックに基づきデータ２１の出力タイミングを制御する。
これによりＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができる。
【００９３】
ここで、図１３（ｂ）に示すドライブ基準、及び図１３（ｃ）に示すレーザ基準の手法では、バルク型記録媒体５０の基準面Ｒｅｆにおける記録信号とデータ２１との間で同期はとられていない。
そこで、これらドライブ基準及びレーザ基準の手法では、従来より例えばＢＤ等の光ディスクで行われているように、記録単位毎の繋ぎ部分に、データ２１の記録領域としては使用しない領域（いわゆるバッファ領域）を設けておくものとし、記録装置側では、記録単位毎に、記録単位の先頭タイミングとその記録単位のデータ２１の先頭タイミングとを同期させるという処理を行う。
【００９４】
具体的には、図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）のそれぞれに示すような記録単位毎タイミング同期回路７６を設け、当該記録単位毎タイミング同期回路７６が、アドレス検出回路７２により検出されたアドレス情報に基づき、記録単位毎に、その記録単位のデータ２１の先頭タイミングをアドレス情報が示す記録単位の先頭タイミングに同期させる。
これにより、例えばセクター等の所要の記録単位ごとのデータ記録が適正に行われるようにできる。
【００９５】
［2-3．ディスク基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１５は、図１３（ａ）に示したディスク基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
なお、この図１５を始めとして以下で説明する図２０までの各図では、記録ｃｈの数が２ｃｈとされた場合の構成を例示する。
また図１５〜図２１において、既に説明済みとなった部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００９６】
図１５に示すように、この場合の記録装置では、光学ピックアップＯＰ-A、光学ピックアップＯＰ-Bのそれぞれに、ＭＯＰＡ１００が搭載される。
【００９７】
そして、これら光学ピックアップＯＰ-A,ＯＰ-Bのうち何れか一方で得られる受光信号Ｄsvに基づき、マトリクス回路７０がウォブル信号ＷＳを生成し、当該ウォブル信号ＷＳに基づきＰＬＬ回路７１がディスク基準クロックを生成する。
ＰＬＬ回路７１が生成したディスク基準クロックは、データ出力制御部８０-Aとデータ出力制御部８０-Bとに供給されると共に、ＭＬＬＤドライブ回路２０に供給される。
【００９８】
データ出力制御部８０-Aには、Ａｃｈデータ（光学ピックアップＯＰ-A側で記録されるべきデータ）が入力される。データ出力制御部８０-Aは、当該Ａｃｈデータを、上記ディスク基準クロックに従ってＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
【００９９】
また、データ出力制御部８０-Bには、Ｂｃｈデータ（光学ピックアップＯＰ-B側で記録されるべきデータ）が入力され、データ出力制御部８０-Bは、当該Ｂｃｈデータを、上記ディスク基準クロックに従ってＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１００】
前述もしたようにＳＯＡドライブ回路２２は、入力されたデータに応じた駆動電流を生成し、当該駆動電流をＭＯＰＡ１００のＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）に対して与える。
【０１０１】
この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を、その発振パルスが上記ディスク基準クロックと同期するように駆動する。
具体的には、先の図１４（ｂ）に示したように、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、さらに主電極１１３よりゲイン部１１６に上記ディスク基準クロックに応じたＡＣ電流を併せて注入する。
【０１０２】
上記のような構成により、ディスク基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１０３】
（II．実施の形態としての構成）
図１６は、ディスク基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
先の図６の説明からも理解されるように、この場合、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれには、ＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載されることになる。そして、これら光学ピックアップＯＰの外部に対してＭＬＬＤ部１が設けられる。
なおこの図では各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
【０１０４】
なお、図中で破線により囲った部分（マトリクス回路７０、ＰＬＬ回路７１、データ出力制御部８０-A,８０-B、ＳＯＡドライブ回路２２-A,２２-B、ＭＬＬＤドライブ回路２０）の構成は、図１５において同じく破線で囲った部分の構成と同様となるので改めての説明は省略する。但し、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１を駆動することになる。
【０１０５】
この図１６と先の図１５とを対比して明らかなように、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成によれば、光学ピックアップＯＰの小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部１については各ｃｈに共通の１つのみを設ければ済むものとできる。
【０１０６】
［2-4．ドライブ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１７は、図１３（ｂ）に示したドライブ基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
先の図１５と比較すると、この場合の記録装置には、マトリクス回路７０として、各ｃｈに対応したマトリクス回路７０-Aとマトリクス回路７０-Bの２つが設けられる。また、アドレス検出回路７２-Aとアドレス検出回路７２-Bとが設けられると共に、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aと記録単位毎タイミング同期回路７６-Bとが設けられる。
さらに、この場合のデータ出力制御部８０-A、データ出力制御部８０-Bには、ＰＬＬ回路７１によるクロックではなく、発振器７５により生成されるクロック（ドライブ基準クロック）がそれぞれ入力される。
またＭＬＬＤドライブ回路２０に対しても、ＰＬＬ回路７１によるクロックではなく発振器７５によるドライブ基準クロックが入力される。
【０１０７】
マトリクス回路７０-Aは光学ピックアップＯＰ-Aにて得られる受光信号Ｄsv（以下、Ｄsv-Aと表記）に基づき、ウォブル信号ＷＳ（ＷＳ-Aと表記）を生成する。
そしてアドレス検出回路７２-Aはウォブル信号ＷＳ-Aに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。
【０１０８】
同様にマトリクス回路７０-Bは、光学ピックアップＯＰ-Bにて得られる受光信号Ｄsv（Ｄsv-Bと表記）に基づき、ウォブル信号ＷＳ（ＷＳ-Bと表記）を生成し、またアドレス検出回路７２-Bは、ウォブル信号ＷＳ-Bに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。
【０１０９】
記録単位毎タイミング同期回路７６-Aは、アドレス検出回路７２-Aが検出したアドレス情報に基づき、例えばセクター等の所定の記録単位毎の先頭タイミングを検出し、該先頭タイミングを表すタイミング信号をデータ出力制御部８０-Aに供給する。
また、記録単位毎タイミング同期回路７６-Bは、アドレス検出回路７２-Bが検出したアドレス情報に基づき、同様に所定の記録単位毎の先頭タイミングを検出し、該先頭タイミングを表すタイミング信号をデータ出力制御部８０-Bに供給する。
【０１１０】
この場合のデータ出力制御部８０-Aは、発振器７５により生成されたドライブ基準クロックに従ってＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力すると共に、このようにＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力するＡｃｈデータに関して、上記所定の記録単位毎のデータの先頭タイミングを、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aから供給される上記タイミング信号が表すタイミングと逐次一致させる。
また、この場合のデータ出力制御部８０-Bとしても、上記と同様に、発振器７５により生成されたドライブ基準クロックに従ってＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力すると共に、このようにＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力するＢｃｈデータに関して、上記所定の記録単位毎のデータの先頭タイミングを記録単位毎タイミング同期回路７６-Bから供給される上記タイミング信号が表すタイミングと逐次一致させる。
【０１１１】
また、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を、その発振パルスが上記ドライブ基準クロックと同期するように駆動する。すなわち、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、主電極１１３よりゲイン部１１６に上記ドライブ基準クロックに応じたＡＣ電流を併せて注入するものである。
【０１１２】
上記構成により、ドライブ基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１１３】
（II．実施の形態としての構成）
図１８は、ドライブ基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
この場合もＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれにはＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載され、これら光学ピックアップＯＰの外部に対して、ＭＬＬＤ部１が設けられる。
なおこの図においても各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
また、図中で破線により囲った部分（マトリクス回路７０-A,７０-B、アドレス検出回路７２-A,７２-B、記録単位毎タイミング同期回路７６-A,７６-B、データ出力制御部８０-A,８０-B、ＳＯＡドライブ回路２２-A,２２-B、ＭＬＬＤドライブ回路２０）の構成は、図１６において同じく破線で囲った部分の構成と同様となるので改めての説明は省略する。
但しこの場合、ＭＬＬＤドライブ回路２０は光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１を駆動することになる。
【０１１４】
図１８と先の図１７とを対比して明らかなように、ドライブ基準とする場合にも、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成により、光学ピックアップＯＰの小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部１については各ｃｈに共通の１つのみを設ければ済むものとできる。
【０１１５】
［2-5．レーザ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１９は、図１３（ｃ）に示したレーザ基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
先の図１７と比較すると、この場合の記録装置おいては、光学ピックアップＯＰ-A,光学ピックアップＯＰ-Bに、発振パルス検出部７７-A、発振パルス検出部７７-Bが設けられる。
発振パルス検出部７７-Aは、光学ピックアップＯＰ-Aに設けられたＭＯＰＡ１００のＭＬＬＤ部１の発振パルス（発振周波数）を検出し、発振パルス検出部７７-Bは光学ピックアップＯＰ-Bに設けられたＭＯＰＡ１００のＭＬＬＤ部１の発振パルスを検出する。
これら発振パルス検出部７７は、ＭＬＬＤ部１が発光するパルスレーザ光を受光して発振パルスを検出するように構成されている。
【０１１６】
また、この場合の記録装置には、発振パルス検出部７７-Aが検出した発振パルスに同期したレーザ基準クロックを生成するためのＰＬＬ回路７８-Aと、発振パルス検出部７７-Bが検出した発振パルスに同期したレーザ基準クロックを生成するためのＰＬＬ回路７８-Bとが設けられる。
【０１１７】
そして、この場合のデータ出力制御部８０-Aは、Ａｃｈデータについて、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、ＰＬＬ回路７８-Aが生成したレーザ基準クロックに従って、当該ＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
またこの場合のデータ出力制御部８０-Bは、Ｂｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Bからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、ＰＬＬ回路７８-Bが生成したレーザ基準クロックに従って当該ＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１１８】
さらに、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００内のＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を通常駆動する。すなわち、図１４（ａ）に示したように、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）のみを注入することで、当該半導体レーザ６を発光駆動する。
【０１１９】
上記構成により、レーザ基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１２０】
（II．実施の形態としての構成）
図２０は、レーザ基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
この場合もＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれにはＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載され、これら光学ピックアップＯＰの外部に対してＭＬＬＤ部１が設けられる。
この場合も各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
【０１２１】
ここで、レーザ基準の場合、ＭＯＰＡ分離構成の採用によりＭＬＬＤ部１を１つのみ設ければよいことに対応して、発光パルス検出部７７としても、図のように１つのみを設ければ足ものとできる。
【０１２２】
またこのことに関連して、レーザ基準とする場合にＭＯＰＡ分離構成を採用することによっては、ドライブ側で生成するクロックを、１系統のみとすることができるという効果も奏する。
すなわち、図１９に示した従来のレーザ基準の構成では、記録ｃｈを複数とすることに応じてレーザ基準クロックも複数生成しなければならなかったものが、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成の採用により、ＭＬＬＤ部１を１つのみとできることで、クロックの生成系を１系統のみとすることができる。
この結果、記録ｃｈごとにＰＬＬ回路７８を設ける必要性がなくなり、クロック生成に係る構成を大幅に簡略化することができる。また、これにより部品点数の削減が図られ、回路実装面積の縮小化、及び低コスト化が図られる。
【０１２３】
なお確認のため述べておくと、この場合のデータ出力制御部８０-Aは、Ａｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Aからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、上記ＰＬＬ回路７８が生成したレーザ基準クロックに従ってＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
またこの場合のデータ出力制御部８０-Bは、Ｂｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Bからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、上記ＰＬＬ回路７８が生成したレーザ基準クロックに従ってＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１２４】
このようにレーザ基準の場合は、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成により、光学ピックアップＯＰの小型化やＭＬＬＤ部１を単一にできるという効果と共に、記録クロックの生成系を単一にできるという効果も得られる。
【０１２５】
ここで、上記による説明では、ＭＬＬＤ部１によるパルスレーザ光を受光して発振パルス検出を行う発振パルス検出部７７を例示したが、ＭＬＬＤ部１の発振パルスを検出するための構成としては、図２１に示すような構成も可能である。
すなわち、この図２１に示す発振パルス検出部８１では、半導体レーザ６に対するバイアス電圧Ｖsaの供給ラインから、コンデンサＣを介して当該バイアス電圧Ｖsaに重畳する交流成分を検出し、その検出結果をＰＬＬ回路７８に供給するものとしている。
【０１２６】
ここで、バイアス電圧Ｖsaの供給ラインには、半導体レーザ６の発振周波数に応じた交流成分が重畳する。従って、この図２１に示す発振パルス検出部８１の構成により、半導体レーザ６（ＭＬＬＤ部１）の発振パルスを検出できる。
【０１２７】
図１９や図２０で示した発振パルス検出部７７では、パルスレーザ光を受光するための受光素子や光学系を備える必要があるが、上記構成による発振パルス検出部８１によれば、これら受光素子や光学系を備える必要性はなく、この点で部品点数の削減が図られ、結果として装置の小型化及び低コスト化に貢献する。
【０１２８】
なお、注意すべきは、図２１に示す発振パルス検出部８１の構成は、図１９に示した従来のレーザ基準の構成においては採用し得ないという点である。
すなわち、図１９に示す従来の構成では、各ＭＯＰＡ（各ＭＬＬＤ部１）の駆動を１つのＭＬＬＤドライブ回路２０で共通に行っているので、バイアス電圧Ｖsaの供給ラインにはそれぞれのＭＬＬＤ部１の発振成分（交流成分）が重畳してしまうことになる。すなわち、従来のレーザ基準の構成においては、ＭＬＬＤドライブ回路２０を各ｃｈごとに独立して設けない限り、図２１に示す発振パルス検出部８１の構成を採用することはできないものとなる。
【０１２９】
これに対し実施の形態のＭＯＰＡ分離構成とすれば、ＭＬＬＤ部１は１つのみとできるため、各ｃｈごとにドライブ回路２０を設けずとも、図２１の発振パルス検出部８１を採用することができる。つまり実施の形態のＭＯＰＡ分離構成によれば、この点でも部品点数の削減及びそれによる小型化、低コスト化が図られるものとなる。
【０１３０】
＜３．変形例＞
以上、本技術に係る各実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した各具体例に限定されるべきものではない。
例えば記録ｃｈ数は２ｃｈや４ｃｈに限定されるべきものではなく、複数であればよい。
【０１３１】
また、これまでの説明では、基準面Ｒｅｆに形成される位置案内子としてグルーブ又はピットによる案内子を例示し、ピットの形成やグルーブのウォブリングによりアドレス情報が記録される場合を例示したが、基準面Ｒｅｆの位置案内子としては、例えば相変化材料等の記録膜にマークを記録したものであっても良い。
【０１３２】
また、本技術は、例えば以下の（１）〜（７）に示す構成を採り得るものである。
（１） 光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されていると共に、
上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、
複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、
上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられる
記録装置。
【０１３３】
（２） 上記光伝送部は、光ファイバにより上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する（１）に記載の記録装置。
【０１３４】
（３） 上記光伝送部は、ミラー及び／又はハーフミラーを用いて上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する（１）に記載の記録装置。
【０１３５】
（４） 上記モードロックレーザ部分の発振周波数と同期した第１のクロックを生成する第１のクロック生成部と、
上記第１のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第１の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【０１３６】
（５） 上記第１のクロック生成部は、
上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザに与えられるバイアス電圧の供給ラインに重畳する交流成分を抽出した結果に基づき、上記第１のクロックを生成する
（４）に記載の記録装置。
【０１３７】
（６） 上記光記録媒体には、位置案内子が形成された基準面が設けられており、
上記基準面からの反射光に基づき、上記基準面の記録信号に同期した第２のクロックを生成する第２のクロック生成部と、
上記第２のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第２クロック同期電流注入部と、
上記第２のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第２の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【０１３８】
（７） 発振器と、
上記発振器が発振した第３のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第３クロック同期電流注入部と、
上記第３のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第３の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【符号の説明】
【０１３９】
１ モードロックレーザ部（ＭＬＬＤ部）、２ 光アイソレータ部、３,７,３５-1〜３５-4 集光レンズ、４ ＳＯＡ部、５ ビーム整形部、６ 半導体レーザ、８ バンドパスフィルタ、９,１２,３８,３９,４１ ミラー、１０,１４,６７ コリメートレンズ、１１ 光アイソレータ、１３ 半導体光増幅器、１５ ビーム整形素子、２０ ＭＬＬＤドライブ回路、２１ データ、２２ ＳＯＡドライブ回路、２３ 上部電極、２４ 下部電極、２５ 活性層、２６ 反射膜、ＯＰ,ＯＰ-A〜ＯＰ-D,ＯＰ-A’〜ＯＰ-D’ 光学ピックアップ、３０,３０’ 駆動部、３１ ＰＡ部、３２ 光ファイバ、３３ 分光部、３４ グレーティング、３６,３７,４０ ハーフミラー、５０ バルク型記録媒体、５１ カバー層、５２ バルク層、５３ 選択反射膜、５４ 中間層、６０ 固定レンズ、６１ 可動レンズ、６２ レンズ駆動部、６３ ダイクロイックミラー、６４ 対物レンズ、６５ ２軸アクチュエータ、６６ サーボ用レーザ、６８ ビームスプリッタ、６９ フォトディテクタ、７０,７０-A,７０-B マトリクス回路、７１,７８,７８-A,７８-B ＰＬＬ回路、７２,７２-A,７２-B アドレス検出回路、７３ サーボ回路、７４ コントローラ、７５ 発振器、７６,７６-A,７６-B 記録単位毎タイミング同期回路、７７,７７-A,７７-B,８１ 発振パルス検出部、８０-A,８０-B データ出力制御部、１００ ＭＯＰＡ、１１３ 主電極、１１４ 副電極、１１６ ゲイン部、１１７ 過飽和吸収体部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モードロックレーザと光変調部（光アンプ）とを組み合わせたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）を記録用光源として用いる記録装置に関する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００２】
【非特許文献１】Seiji Kobayashi, Kimihiro Saito, Takashi Iwamura, Hisayuki Yamatsu, Toshihiro Horigome,Mitsuaki Oyamada, Kunihiko Hayashi, Daisuke Ueda, Norihiro Tanabe and Hirotaka Miyamoto, ISOM2009 Digest Th-l-01, 2009
【非特許文献２】Spectra-Physics社、[online]、[平成２２年８月６日検索]、インターネット<URL:http://www.spectra-physics.jp/member/admin/document_upload/Tsunami_Series_Data_Sheet.pdf>
【非特許文献３】M. Kuramoto, T. Oki, T. Sugahara, S. Kono, M. Ikeda, and H. Yokoyama,Appl. Phys. Lett. 96, 051102 _2010_.
【非特許文献４】Rintaro Koda, Tomoyuki Oki, Takao Miyajima, Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto, Masao Ikeda, and Hiroyuki Yokoyama，APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 021101 _2010_
【背景技術】
【０００３】
高いピークパワーのレーザ光、特に超短パルス光は、非線形多光子吸収の過程を実現するために大変有効である。
この吸収過程を用いた、三次元光記録や超微細加工、または非破壊のバイオイメージング等への応用が期待されている。
【０００４】
例えば、非線形効果を有する例えば樹脂等で構成されたバルク材料に高出力のレーザ光を照射して、多層記録（三次元記録）を実現する方法が報告されている（非特許文献１を参照）。
この方法は、従来の積層型光ディスクに比べて、安価で大記録容量の光記録媒体の実現を可能とするものとして期待されている。
【０００５】
このような三次元光記録（バルク記録とも呼ばれる）に関して、従来の手法では、高出力のレーザ光を出射する光源として、モードロック型のチタンサファイアレーザが用いられていた。
しかしながら、当該チタンサファイアレーザは大きく高価な固体レーザであり、これを実製品として実装することは非常に困難であり、例えば研究室等のデモンストレーション等の用途に限られていた（例えば非特許文献２を参照）。
【０００６】
そこで、多くの研究者たちは、実用化へ向けて、さらに小型で安定なパルス光源を半導体ベースで開発することを試みている。
先に挙げたような次世代の光記録においては、高密度記録に有利な青紫色レーザ光源が強く望まれている。
【０００７】
例えば、ゲインスイッチング型レーザにおいて、強励起駆動による１ＭＨｚ繰り返しを行った場合に、５５Ｗのピークパワーを実現することが報告されている（非特許文献３を参照）。
ただし、市場における高い転送レートへの要求により、データ記録用の光源においても、さらに高い繰り返し周波数が必要となる。
【０００８】
これらの課題解決を図るパルス光源として、近年、高密度記録に有効な青色レーザであって、１ＧＨｚの繰り返し周波数で且つ１００Ｗ程度のピークパワーを実現するものが報告されている（例えば非特許文献４を参照）。
この光源は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）と呼ばれる構成で、半導体レーザを用いたモードロックレーザ（ＭＬＬＤ）と半導体光アンプとを組み合わせたものとなる。
【０００９】
このようにＭＬＬＤと光アンプとを組み合わせたＭＯＰＡとしての光源部を適用することで、上述したバルク記録（三次元光記録）のシステムの実現化をより容易なものとすることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、バルク記録のシステムについては、記録チャンネル（以下ｃｈと表記）の数を複数として、より高速な記録動作の実現を図ることが構想されている。
このような複数ｃｈ記録化の実現にあたっては、光源部を実装した光ピックアップを複数設けて、それぞれの光ピックアップに同時並行的に記録を行わせるという構成を採ることが順当に考えられる。
【００１１】
しかしながら、ＭＯＰＡとしての光源部は、前述のチタンサファイアレーザとの比較では大幅な小型化が図られたものとなるが、ＭＬＬＤ部が外部共振器を備えており、前述の高い繰り返し周波数の実現のためには、その全長が十数ｃｍ程度に及ぶものとなる。従って、ＭＯＰＡを用いる場合に複数ｃｈ記録化を実現しようとすると、各ピックアップのサイズが大型化し、結果、記録装置の小型化を図ることが非常に困難となる。
【００１２】
本技術はかかる問題点に鑑み為されたもので、光記録のための光源部にＭＯＰＡを備える記録装置において、複数ｃｈ記録化を図る場合の装置の小型化を図ることをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題の解決のため、記録装置として以下のような構成を提案する。
すなわち、本技術に係る記録装置は、光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されている。
そして、上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、また、複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられるものである。
【００１４】
このようにＭＯＰＡにおけるモードロックレーザ部分（ＭＬＬＤ部分）と光変調部とを分離した構成（ＭＯＰＡ分離構成）とすれば、ＭＬＬＤ部分が非搭載とされることによる各光学ピックアップのサイズの大幅な小型化が図られると共に、ＭＬＬＤ部分については各チャンネルに共通の１つのみを設ければ足ものとできる。このため、記録装置の大幅な小型化が図られる。
なお、光変調部が各光学ピックアップごと（つまり記録チャンネルごと）に搭載されるので、チャンネルごとに独立したデータ記録が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本技術によれば、記録のためのレーザ光をＭＯＰＡにより得る記録装置であって複数チャンネル同時記録が可能とされた記録装置について、各光学ピックアップのサイズの小型化及びＭＬＬＤ部分の実装数の削減により、記録装置の大幅な小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ＭＯＰＡの構成を説明するための図である。
【図２】ＭＬＬＤ部が有する半導体レーザの構成例を示した図である。
【図３】ＳＯＡ部が有する半導体光増幅器の構成例を示した図である。
【図４】半導体光増幅器の入力光と出力光との関係を示した図である。
【図５】複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る記録装置の概要構成を示した図である。
【図６】実施の形態の記録装置の構成概要を示した図である。
【図７】分光部の構成例を示した図である。
【図８】光伝送部の他の構成例を示した図である。
【図９】バルク型記録媒体の断面構造図である。
【図１０】バルク型記録媒体に対する記録手法について説明するための図である。
【図１１】バルク型記録媒体に対する記録を行う記録装置の主に光学ピックアップの構成と位置制御系の構成について説明するための図である。
【図１２】モードロックレーザの発光パルスと半導体光増幅器に与えるデータパルスとの同期の必要性について説明するための図である。
【図１３】マスタークロックの位置のバリエーションを示した図である。
【図１４】ＭＬＬＤの駆動手法（通常駆動、外部クロックとレーザ発振パルスの同期駆動）について説明するための図である。
【図１５】マスタークロックをディスク基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図１６】マスタークロックをディスク基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図１７】マスタークロックをドライブ基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図１８】マスタークロックをドライブ基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図１９】マスタークロックをレーザ基準とする場合において順当に採り得る記録装置の構成例を示した図である。
【図２０】マスタークロックをレーザ基準とする場合に対応した実施の形態の記録装置の構成例を示した図である。
【図２１】光検出不要な発振パルス検出部の構成について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術に係る実施の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．ＭＯＰＡ分離構成の概要について＞
［1-1．ＭＯＰＡについて］
［1-2．複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る構成］
［1-3．ＭＯＰＡ分離構成の概要］
＜２．具体的な実施形態＞
［2-1．バルク記録（三次元光記録）について］
［2-2．マスタークロックの位置のバリエーション］
［2-3．ディスク基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
［2-4．ドライブ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
［2-5．レーザ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
（II．実施の形態としての構成）
＜３．変形例＞
【００１８】
＜１．ＭＯＰＡ分離構成の概要について＞
［1-1．ＭＯＰＡについて］
図１は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）１００の構成について説明するための図である。
図１において、ＭＯＰＡ１００は、少なくともモードロックレーザ部（ＭＬＬＤ部とも表記する）１と、ＳＯＡ部（ＳＯＡ:Semiconductor Optical Amp）４、すなわち半導体光増幅器１３とを含んで構成される。
具体的にこの場合のＭＯＰＡ１００には、これらＭＬＬＤ部１とＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）と共に、光アイソレータ部２、集光レンズ３、及びビーム整形部５が備えられている。
【００１９】
ＭＬＬＤ部１は、半導体レーザ６と外部共振器とを含む。
ここで、図２は、ＭＬＬＤ部１が有する半導体レーザ６の構成例を示している。
なお図２において、図２（ａ）は半導体レーザ６の斜視図を、図２（ｂ）は半導体レーザ６の断面図をそれぞれ示している。
【００２０】
この図２に示すように、半導体レーザ６は、ゲイン部（Gain section）１１６と過飽和吸収体部（Saturable absorber section）１１７とを有して構成される。すなわち、ＢＳ(bisectional)型の半導体レーザである。
過飽和吸収体部１１７を設けることで、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収率が低下するものとなり、強度の大きいパルスのみが透過する状態が得られる。このため、パルス幅の非常に短いパルスレーザ光を得ることが可能となる。
また、ゲイン部１１６にはゲイン電流が注入される。
【００２１】
図２（ａ）に示すように、半導体レーザ６においては、ｎ型ＧａＮ基板１０２上に、ｎ型ＧａＮ層１０３、ｎ型クラッド層１０４、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｐ型クラッド層１０７が積層されている。
ｐ型クラッド層１０７の中央部には、図示するようにリッジ構造が形成されている。また、このリッジの側面や、ｐ型クラッド層１０７のリッジが形成されていない部分の上には、ＳｉＯ2層１０８とＳｉ層１０９が形成されている。
【００２２】
ｐ型クラッド層１０７及びＳｉ層１０９上には、ｐ型電極１１３，１１４がオーミックコンタクトにより形成されている。
すなわち、ゲイン部１１６上には主電極１１３が、過飽和吸収体部１１７上には副電極１１４が形成されている。これらの電極１１３，１１４は、例えば幅２０μｍ程度の溝状の分離部１１５によって分割されており、互いに電気的に分離されている。主電極１１３と副電極１１４の長さは、例えば、それぞれ５２０μｍ程度、６０μｍ程度である。
また、ｎ型ＧａＮ基板１０２の下面には、ｎ型の下部電極１０１がオーミックコンタクトにより形成されている。
【００２３】
また、ゲイン部１１６の前面の劈開面には、反射防止膜１１８（図２（ｂ）を参照）がコーティングされ、過飽和吸収体部１１７の後面の劈開面には、高反射膜１１９（図２（ｂ）を参照）がコーティングされている。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、この半導体レーザ６に対しては、副電極１１４により、過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを加える。このとき、ゲイン部１１６に対して主電極１１３から電流Ｉ（ゲイン電流）を注入することにより、矢印Ａ１に示す方向にレーザ光が出射される。
【００２５】
なお、使用する半導体レーザ６の構成は上記により説明したものに限定されるべきものではない。例えば、半導体レーザ６の半導体材料は、記録に使用するレーザ光の波長に応じて選定すればよい。
【００２６】
説明を図１に戻す。
図１には、ＭＬＬＤ部１の内部構成が示されている。
図示するようにＭＬＬＤ部１は、半導体レーザ６を備えると共に、半導体レーザ６から出射された発散光によるレーザ光を集光する集光レンズ７と、集光レンズ７を介したレーザ光が入射するバンドパスフィルタ８と、バンドパスフィルタ８を介したレーザ光が入射するミラー９と、さらにミラー９を一部透過したレーザ光（発散光となる）をコリメートするコリメートレンズ１０とを備えている。
図のように集光レンズ２による集光点はミラー９の反射面に一致するようにされる。
また、バンドパスフィルタ３は、所定の波長範囲の光を選択的に透過するように構成される。
【００２７】
このようなＭＬＬＤ部１においては、半導体レーザ６の後方端面のミラー（１１９）と、ミラー９との間で、外部共振器（空間共振器）が形成される。
この外部共振器の光路長Ｌにより、ＭＬＬＤ部１から出射されるレーザ光の繰り返し周波数（発振周波数）が決まる。これにより、強制的に特定の周波数にロックさせることができ、レーザ光のモードをロックすることができる。
【００２８】
なお、外部共振器の光路長Ｌは、半導体レーザ６の内部共振器の光路長Ｌ０、半導体レーザ６内部の屈折率ｎ０、半導体レーザ６外部の光路長Ｌ１、半導体レーザ６外部の屈折率ｎ１とから、下記の［式１］で表されるものである。
Ｌ＝ｎ０・Ｌ０＋ｎ１・Ｌ１ ・・・［式１］
【００２９】
ここで、上記の説明からも理解されるように、ＭＬＬＤ部１において、「モードロックレーザ」として機能する部分は、半導体レーザ６と外部共振器とを併せた部分、すなわち半導体レーザ６からミラー９までの部分である。
この点を踏まえ、以下、当該半導体レーザ６からミラー９までの部分を、「モードロックレーザ部分」（或いはＭＬＬＤ部分）と表記する。
【００３０】
ＭＬＬＤ部１より出射されたレーザ光は、光アイソレータ部２に入射する。
光アイソレータ部２は、光アイソレータ１１とミラー１２とを備え、当該光アイソレータ部２の後段の光学部品等において反射した光がＭＬＬＤ部１に入射すること、或いはＳＯＡ部４の入射端から出た光が光アイソレータ部２より前段の光学部品等において反射しＳＯＡ部４に入射することを防止する機能を有する。
【００３１】
光アイソレータ部２を介したレーザ光は、集光レンズ３を介してＳＯＡ部４に入射する。
ＳＯＡ部４において、半導体光増幅器（ＳＯＡ）１３は、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光を増幅変調する光変調手段となる。
半導体光増幅器１３は、小型かつ低コストの光増幅器であり、光をオン／オフする光ゲート、光スイッチとして用いることができる。
【００３２】
本実施の形態においては、半導体光増幅器１３による光のオン／オフ機能により、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光を記録データに応じて変調する。
【００３３】
半導体光増幅器１３の構成例を図３に示す。
ここで、通常の半導体レーザでは、両端面のミラーによって構成される共振器内に光を閉じ込めて、バンド間遷移による光学利得によってレーザ光を発振させる。
これに対し、半導体光増幅器１３では、上記ミラーの代わりに、図３に示すように両端面に反射防止膜２６を設けることによって、レーザ光の発振を抑制して、１パス分の増幅器として動作させている。
また、この半導体光増幅器１３は、半導体レーザと同様に活性層２５を含む半導体層が積層されて構成されている。
そして、半導体光増幅器１３は、上面に上部電極２３が形成され、下面に下部電極２４が形成されている。上部電極２３は電流源２７に接続され、下部電極２４は接地電位に接続されている。
【００３４】
電流源２７から上部電極２３に駆動電流を注入した状態で、反射防止膜２６が形成された入射端面からレーザ光を入射させると、活性層２５中を導波される間に、誘導放出によってレーザ光が増幅される。
そして、この半導体光増幅器１３に注入する駆動電流の電流量を制御することにより、レーザ光の増幅量を制御することができる。
なお、半導体光増幅器１３に入射したレーザ光を必ずしも増幅させる必要はなく、十分なレーザ光パワーが得られる場合には、半導体光増幅器１３のゲインを「１」としても良い。
【００３５】
図４は、半導体光増幅器１３の入力光（図４（ａ））と出力光（図４（ｂ））との関係を示している。
上記構成による半導体光増幅器１３は、キャリア寿命が短いため、電流や光強度の変化に対して高速な応答を示す。
従って、図４（ａ）に示す入力光、すなわちＭＬＬＤ部１側から入射するパルスレーザ光に対して、例えば図４（ｂ）に示す波形のパルス光が、半導体光増幅器１３からの出力光として得られる。すなわち、駆動電流に応じて、ＭＬＬＤ部１からの入射光を図のようにその一部のパルスを抜き出すようにしてオン／オフすることができる。
このように半導体光増幅器１３は、高速な光スイッチとしても機能することができる。
【００３６】
ここで、例えば半導体レーザ６から波長４０５ｎｍ程度のレーザ光を出射させる構成とする場合には、半導体光増幅器１３も、活性層２５やガイド層、クラッド層等を同じ波長の光を放出する青紫色半導体レーザと同様の材料によって構成する。
【００３７】
図１に戻り、ＳＯＡ部４より出射されたレーザ光（発散光）は、ビーム成形部５に入射する。
ビーム成形部５は、ＳＯＡ部４から入射するレーザ光をコリメートするコリメートレンズ１４と、コリメートレンズ１４を介したレーザ光についてビーム整形を行うビーム整形素子１５とを備える。ビーム整形素子１５は、例えばアナモルフィックプリズムなどで構成できる。
図のように当該ビーム成形部５でビーム整形されたレーザ光が、ＭＯＰＡ１００の出力光として出射される。
【００３８】
以上の前提を踏まえた上で、ＭＯＰＡ１００の駆動手法について説明しておく。
図１に示されるように、ＭＯＰＡ１００に対しては、ＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を発光駆動するためのＭＬＬＤドライブ回路２０と、図中のデータ２１に応じてＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）による光のオン／オフ動作を制御するためのＳＯＡドライブ回路２２とが設けられる。
【００３９】
ＭＬＬＤドライブ回路２０は、ＭＬＬＤ部１における半導体レーザ６に対し、前述した逆バイアス電圧Ｖｓａの印加と共に、ゲイン電流（電流Ｉ）の注入を行って当該半導体レーザ６をパルス発光させる。
【００４０】
また、ＳＯＡドライブ回路２２は、データ２１（図中データパルス）に応じた駆動電流を生成し、当該駆動電流をＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）に対して与える。
これにより、ＳＯＡ部４の出射光として、データ２１に応じた発光パルスが得られるようになる。具体的には、例えばデータ「１」に応じた区間でのみＭＬＬＤ部１からの入射パルスが抽出された出射光が得られる（図４を参照）。
【００４１】
［1-2．複数ｃｈ記録化にあたり順当に採り得る構成］
ここで、前述のようにＭＯＰＡ１００を光源部に用いる光ディスクの記録装置については、記録チャンネル（以下ｃｈとも表記）を複数として、記録レートの向上を図ることが構想されている。
【００４２】
図５は、ＭＯＰＡ１００を用いた記録装置として、複数ｃｈ記録化を図る場合に順当に採り得る構成を例示している。
先ずこの場合は、複数ｃｈ同時記録を可能するために、記録ｃｈ数と同数の光学ピックアップＯＰを設けることになる。ここでは、記録ｃｈ数＝４である場合を例示しており、４つの光学ピックアップＯＰについては、それぞれＯＰ-A、ＯＰ-B、ＯＰ-C、ＯＰ-Dと符号を振る。
これら光学ピックアップＯＰ-A〜ＯＰ-Dのそれぞれには、ＭＯＰＡ１００が搭載される。
【００４３】
前述のように、ＭＯＰＡ１００の出力光としてデータに応じて変調された光を得るにあたっては、ＭＬＬＤ部１をパルス発光させるための駆動信号（前述の電圧Ｖｓａとゲイン電流）と、ＳＯＡ部４をデータに応じて駆動するための駆動信号とをＭＯＰＡ１００に与える。
ここで、上記のようにＭＬＬＤ部１をパルス発光させるための駆動信号については駆動信号Ｄｒ_MLと、またＳＯＡ部４をデータに応じて駆動するための駆動信号を駆動信号Ｄｒ_SOAとする。
【００４４】
この場合の駆動部３０は、各ピックアップＯＰにそれぞれＭＯＰＡ１００が搭載されることから、それぞれに上記駆動信号Ｄｒ_MLと駆動信号Ｄｒ_SOAとを供給することになる。
すなわち、光学ピックアップＯＰ-Aに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-A及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Aを、また、光学ピックアップＯＰ-Bに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-B及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Bを、また光学ピックアップＯＰ-Cに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-C及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Cを、さらに光学ピックアップＯＰ-Dに対しては駆動信号Ｄｒ_ML-D及び駆動信号Ｄｒ_SOA-Dを供給することになる。
【００４５】
［1-3．ＭＯＰＡ分離構成の概要］
ここで、ＭＬＬＤは、パルスレーザとして従来用いられていたチタンサファイアレーザ等と比較すれば大幅な小型化が図られたものとなるが、前述のようにＭＬＬＤは外部共振器を備え、当該外部共振器の光路長は、光ディスクの記録システムの光源部として用いることを想定した場合には例えば十数ｃｍ程度を要する場合があり、現状のＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）等の光ディスクシステムで用いられている光源部と比較すると非常に大型となる。
このため、複数ｃｈ記録化のため図５のように各光学ピックアップＯＰにＭＯＰＡ１００を搭載する構成では、各光学ピックアップＯＰのサイズが大型化し、記録装置の小型化を図ることが非常に困難となる。
【００４６】
そこで本実施の形態では、ＭＯＰＡ１００により記録光を得る記録装置に関して、このような複数ｃｈ記録化を図る場合の装置の小型化を図るべく、以下のような構成を提案する。
【００４７】
図６は、実施の形態としての記録装置の構成概要を示した図である。
実施の形態では、各光学ピックアップＯＰにＭＯＰＡ１００全体を実装するものとはせず、ＭＯＰＡ１００における少なくとも「ＭＬＬＤ部分」はピックアップＯＰの外部に配置し、ＳＯＡ部４を各ピックアップＯＰに対して搭載するという、ＭＯＰＡ分離構成を採用する。
【００４８】
このとき、各ｃｈでは、それぞれ異なるデータを同時並行して記録可能とされることが必要となるので、各光学ピックアップＯＰには少なくともＳＯＡ部４以降の部分が搭載される必要がある。
一方で、これらｃｈごとのＳＯＡ部４に対しては、所定の繰り返し周波数で発振でするパルスレーザ光が入力されればよく、従って当該パルスレーザ光の光源である「ＭＬＬＤ部分」については、ｃｈごとに独立して設ける必要性はなく、各ｃｈに対して共通となる１つの「ＭＬＬＤ部分」のみを設ければ足るものとできる。
【００４９】
これらの点より、上記のようなＭＯＰＡ分離構成を採用すれば、ｃｈごとの独立したデータ記録を可能としつつ、各ピックアップＯＰごとに「ＭＬＬＤ部分」を設ける必要性を無くすことで、「ＭＬＬＤ部分」については少なくとも各ｃｈに共通となる１つのみ設ければよいものとできることが分かる。
【００５０】
具体的な構成として、本例では、図６に示すようにＭＬＬＤ部１を光学ピックアップＯＰ外部に配置するものとしている。すなわち、「ＭＬＬＤ部分」にコリメートレンズ１０を加えた部分を、光学ピックアップＯＰ外部に配置する。そして、各光学ピックアップＯＰには、図中のＰＡ部３１として、ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１以降の部分を搭載するものとしている。具体的には、光アイソレータ部２・集光レンズ３・ＳＯＡ部４・ビーム整形部５である。
なお以下、ＭＯＰＡ１００におけるＰＡ部３１のみを搭載した光学ピックアップＯＰについては、その符号の末尾に「’」を付してこれを表記する。
【００５１】
そしてこの場合、共通のＭＬＬＤ部１により得られたパルスレーザ光は、所定の光伝送部により各ＰＡ部３１に伝送される。
具体的にこの場合は、ＭＬＬＤ部１で得られたパルスレーザ光は図中の分光部３３によって４つの光線に分光された後、それらが光ファイバ３２により各ＰＡ部３１に伝送される。
【００５２】
図７は、分光部３３の構成例を示している。
例えばこの図７に示すように分光部３３としては、ＭＬＬＤ部１から入射したレーザ光をグレーティング３４により分光する構成とすることができる。
この場合、グレーティング３４により分光されて得られた各光線は、それぞれ対応する集光レンズ３５（図中集光レンズ３５-1〜３５-4のうち対応するもの）で集光された後、それぞれ対応する光ファイバ３２に入射する。
【００５３】
図６に戻り、この場合の駆動部３０’は、各光学ピックアップＯＰに搭載されたＰＡ部３１内の個々のＳＯＡ部４に対し、各ｃｈごとの記録データに応じて生成した駆動信号Ｄｒ_SOA-A〜Ｄｒ_SOA-Dのうち対応する駆動信号Ｄｒ_SOAを供給する。
また駆動部３０’は、光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１に対し、駆動信号Ｄｒ_MLを供給する。
【００５４】
上記のような本実施の形態の記録装置によれば、少なくとも「ＭＬＬＤ部分」をピックアップＯＰの外部に配置するものとしたことで、各ピックアップＯＰにはＭＯＰＡ１００における少なくとも外部共振器より後段の部分を搭載すればよいものとでき、またＭＬＬＬＤ部分については共通の１つのみを実装すれば済むものとできる。
これにより、光学ピックアップＯＰの小型化が図られると共に、ＭＬＬＤ部分の実装数も削減できる。これらの結果、記録装置の大幅な小型化が図られる。
【００５５】
また、上記のようにＭＬＬＤ部分の実装数を少なくとも１つとできることによれば、図５の場合では各ｃｈごとに必要であったＭＬＬＤ部分への駆動信号Ｄｒ_MLの供給ラインを１系統に削減することができることにより、配線の複雑化の防止、及び駆動部の構成の簡易化が図られる。すなわち、回路実装面積の縮小化、部品点数の削減、及び低コスト化が図られる。
【００５６】
ここで、図８は、各ＰＡ部３１への光伝送を行う光伝送部の他の構成例を示している。
図８に示されるように、ＭＬＬＤ部１にて得られるパルスレーザ光の各ＰＡ部３１への伝送は、ハーフミラーやミラーを用いて行うこともできる。
具体的にこの場合は、ＭＬＬＤ部１から出射されたレーザ光（平行光）の一部を反射、一部を透過して２光線に分光するハーフミラー３６と、該ハーフミラー３６で反射されたレーザ光を一部反射して１つ目のＰＡ部３１（図中では光学ピックアップＯＰ-D’内のＰＡ部３１）に導くハーフミラー３７と、該ハーフミラー３７を透過したレーザ光を反射して２つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-A’内のＰＡ部３１）に導くミラー３８とを設けるものとしている。
さらに、ハーフミラー３６を透過したレーザ光を反射するミラー３９と、該ミラー３９による反射光が入射されこれを一部反射して３つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-C’内のＰＡ部３１）に導くハーフミラー４０と、該ハーフミラー４０を透過したレーザ光を反射して４つ目のＰＡ部３１（光学ピックアップＯＰ-B’内のＰＡ部３１）に導くミラー４１とを設ける。
この場合、各ハーフミラーやミラーの配置は、各ＰＡ部３１へのレーザ光の入射方向が、そのＰＡ部３１が搭載される光学ピックアップＯＰの可動方向（スライド駆動される方向）と平行な方向となるように設定する。これにより、記録位置の遷移等に伴って光学ピックアップＯＰが移動しても、ＰＡ部３１にレーザ光が入射され続けるようにできる。
【００５７】
なお、ＭＬＬＤ部１によるパルスレーザ光のパワーが十分に高い場合等には、ハーフミラーのみを用いた構成とすることもできる。
また、ハーフミラーやミラーを光学ピックアップＯＰの移動と連動して動かすことにより、光学ピックアップＯＰが移動してもＰＡ部３１にレーザ光が入射され続けるようにする構成も可能である。
【００５８】
＜２．具体的な実施形態＞
［2-1．バルク記録（三次元光記録）について］
以下、実施の形態の記録装置の構成について、より具体的に説明する。
先ずは、実施の形態の記録装置が記録対象とするバルク型記録媒体５０について説明する。
【００５９】
図９は、バルク型記録媒体５０の断面構造を示している。
先ず、バルク記録とは、ピットやグルーブ等の位置案内子が形成されていないバルク状の記録層（バルク層５２）に対し、逐次焦点位置を変えてレーザ光照射を行って、バルク層５２内に多層記録を行うことで、大記録容量化を図る技術を指す。
【００６０】
このようなバルク記録に関しては、微小なホログラムを記録マークとして形成するいわゆるマイクロホログラム方式と呼ばれるものや、微小なボイド（空孔、空包）を記録マークとして形成するボイド方式と呼ばれるものが知られている。
【００６１】
マイクロホログラム方式では、バルク層５２の記録材料として、いわゆるホログラム記録材料が用いられる。ホログラム記録材料としては、例えば光重合型フォトポリマ等が広く知られている。
マイクロホログラム方式は、対向する２つの光束をバルク層５２内における同位置に集光して微細な干渉縞（ホログラム）を形成し、これを記録マークとする手法である。
【００６２】
一方、ボイド方式は、例えば樹脂等で構成されたバルク層５２に対して、比較的高パワーでレーザ光を集光して空孔を記録する手法である。このように形成された空孔部分は、バルク層５２内における他の部分と屈折率が異なる部分となり、それらの境界部分で光の反射率が高められることになる。従って上記空孔部分は記録マークとして機能し、これによって空孔マークの形成による情報記録が実現される。
このようなボイド方式は、ホログラムを形成するものではないため、記録にあたっては片側からの光照射を行えば済むものとでき、上記マイクロホログラム方式の場合のように２つの光束を同位置に集光して記録マークを形成する必要は無いものとできる。
【００６３】
ところで、バルク層５２には位置案内子が形成されていないため、マークが未形成である記録時においては、フォーカスサーボやトラッキングサーボを行うことができない。
そこで、バルク型記録媒体５０には、位置案内子を有する基準となる反射面（基準面Ｒｅｆ）が別途設けられる。
具体的に図９の場合は、カバー層５１の下面側に例えばグルーブやピットによる案内溝が形成され、そこに選択反射膜５３が成膜されている。そして、このように選択反射膜５３が成膜されたカバー層５２の下層側に対し、図中の中間層５４としての、例えばＵＶ硬化樹脂などの接着材料を介してバルク層５２が設けられる。
なお、基準面Ｒｅｆには、グルーブやピットの形成によりアドレス情報が記録される。
【００６４】
ここで、上記のような構造とされたバルク型記録媒体５０に対しては、次の図１０に示されるようにマークの記録用のレーザ光（記録用レーザ光）とは別途に、位置制御用のレーザ光としてのサーボ用レーザ光を照射するようにされる。
図示するようにこれら記録用レーザ光とサーボ用レーザ光とは、共通の対物レンズを介してバルク型記録媒体５０に照射される。
【００６５】
このとき、仮に、サーボ用レーザ光がバルク層５２に到達してしまうと、当該バルク層５２内におけるマーク記録に悪影響を与える虞がある。このため、従来よりバルク記録方式では、サーボ用レーザ光として、記録用レーザ光とは波長帯の異なるレーザ光を用いるものとした上で、位置案内子の形成面（基準面Ｒｅｆ）に成膜される反射膜としては、サーボ用レーザ光は反射し、記録用レーザ光は透過するという波長選択性を有する選択反射膜５３を設けるものとしている。
【００６６】
以上の前提を踏まえた上で、図１０を参照し、バルク型記録媒体５０に対するマーク記録時の動作について説明する。
先ず、バルク層５２に対して多層記録を行うとしたときには、バルク層５２内の深さ方向においてマークを記録する層位置を何れの位置とするかを予め設定しておくことになる。図中では、バルク層５２内においてマークを形成する層位置（マーク形成層位置：情報記録層位置とも呼ぶ）として、第１情報記録層位置Ｌ１〜第５情報記録層位置Ｌ５の計５つの情報記録層位置Ｌが設定された場合を例示している。図示するように第１情報記録層位置Ｌ１は、案内溝が形成された選択反射膜５３（基準面Ｒｅｆ）からフォーカス方向（深さ方向）に第１オフセットｏｆ-L1分だけ離間した位置として設定される。また、第２情報記録層位置Ｌ２、第３情報記録層位置Ｌ３、第４情報記録層位置Ｌ４、第５情報記録層位置Ｌ５は、それぞれ基準面Ｒｅｆから第２オフセットｏｆ-L2分、第３オフセットｏｆ-L3分、第４オフセットｏｆ-L4分、第５オフセットｏｆ-L5分だけ離間した位置として設定される。
【００６７】
マークが未だ形成されていない記録時においては、バルク層５２からの反射光に基づいて、所望の層位置Ｌを対象としたフォーカスサーボ、トラッキングサーボを行うということはできない。従って、記録時におけるフォーカスサーボ制御、トラッキングサーボ制御については、位置制御用光としてのサーボ用レーザ光の反射光（基準面Ｒｅｆからの反射光）に基づき、当該サーボ用レーザ光のスポット位置が基準面Ｒｅｆ上において案内溝に追従するように対物レンズの位置を制御することで行うことになる。
【００６８】
但し、記録用レーザ光は、マーク記録のために選択反射膜５３よりも下層側に形成されたバルク層５２に到達させる必要がある。このため、この場合の光学系には、対物レンズのフォーカス機構とは別途に、記録用レーザ光の合焦位置を独立して調整するためのフォーカス機構が設けられることになる。
【００６９】
ここで、このような記録用レーザ光の合焦位置を独立して調整するための機構を含めた、バルク型記録媒体５０の記録装置の内部構成例を図１１に示す。
なおこの図１１では、記録装置内における光学ピックアップＯＰの内部構成、及び位置制御に係る構成を主に示している。
また、この図１１では、ＭＯＰＡ分離構成を採用していない従来の記録装置の構成を示している。
【００７０】
図１１において、ＭＯＰＡ１００は、記録用レーザ光として設けられる。
前述のようにバルク記録方式として特にボイド方式を採用する場合は、空孔形成のために比較的高パワーのレーザ光を照射することが好ましく、記録用レーザとしてＭＯＰＡ１００を用いることが好適となる。
【００７１】
図示するようにＭＯＰＡ１００より出射した記録用レーザ光は、固定レンズ６０・可動レンズ６１・レンズ駆動部６２を有するフォーカス機構に入射する。当該フォーカス機構においては、レンズ駆動部６２によって可動レンズ６１が記録用レーザ光の光軸に平行な方向に駆動されることで、図中の対物レンズ６４に入射する記録用レーザ光のコリメーション状態（収束／平行／発散の状態）が変化し、記録用レーザ光の合焦位置を、対物レンズ６４の駆動による合焦位置の変化とは独立して調整することができる。
なお、この意味で、当該フォーカス機構については、記録光用フォーカス機構とも表記する。
【００７２】
記録光用フォーカス機構を介した記録用レーザ光は、当該記録用レーザ光と同波長帯による光を透過しそれ以外の波長帯による光は反射するように構成されたダイクロイックミラー（ダイクロイックプリズム）６３に入射する。
図示するようにダイクロイックミラー６３を透過した記録用レーザ光は、対物レンズ６４を介してバルク型記録媒体５０に対して照射される。対物レンズ６４は、２軸アクチュエータ６５によりフォーカス方向及びトラッキング方向に変位可能に保持されている。
【００７３】
また、光学ピックアップＯＰ内には、サーボ用レーザ光についての光学系が設けられる。
サーボ用レーザ６６は、図１０に示したサーボ用レーザ光の光源として設けられ、ＭＯＰＡ１００による記録用レーザ光とは波長の異なるレーザ光を発光する。例えば、記録用レーザ光の波長＝４０５nm程度に対し、サーボ用レーザ光の波長＝６５０nm程度などと設定される。
【００７４】
サーボ用レーザ６６より出射されたサーボ用レーザ光は、コリメートレンズ６７を介した後、ビームスプリッタ６８を透過し、前述したダイクロイックミラー６３に入射する。サーボ用レーザ光は、当該ダイクロイックミラー６３にて反射され、その光軸がダイクロイックミラー６３を透過した記録用レーザ光の光軸と一致するようにして対物レンズ６４に入射する。
対物レンズ６４に入射したサーボ用レーザ光は、後述するサーボ回路７３によるフォーカスサーボ制御によって２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、バルク型記録媒体５０の選択反射膜５３上（基準面Ｒｅｆ）に合焦するようにされている。また同時に、サーボ用レーザ光のトラッキング方向における位置は、サーボ回路７３によるトラッキングサーボ制御によって２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、選択反射膜５３に形成された案内溝（トラック）に沿うようにされる。
【００７５】
選択反射膜５３からのサーボ用レーザ光の反射光は、対物レンズ６４を介しダイクロイックミラー６３で反射された後、ビームスプリッタ６８にて反射される。ビームスプリッタ６８にて反射されたサーボ用レーザ光の反射光は、集光レンズを介してフォトディテクタ６９の受光面上に集光する。
なお以下、フォトディテクタ６９による受光信号は受光信号Ｄsvと表記する。
【００７６】
マトリクス回路７０は、フォトディテクタ６９による受光信号Ｄsvに基づきフォーカス、トラッキングの各エラー信号ＥＳを生成する共に、基準面Ｒｅｆに形成されたグルーブのウォブル周期を表すウォブル信号ＷＳを生成する。
各エラー信号ＥＳはサーボ回路７３に対して供給される。
またウォブル信号ＷＳはＰＬＬ回路７１及びアドレス検出回路７２に対して供給される。
【００７７】
サーボ回路７３は上記各エラー信号ＥＳからフォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を生成する。これらフォーカスサーボ信号、トラッキングエラー信号に基づき上述した２軸アクチュエータ６５が駆動されることで、対物レンズ６４のフォーカスサーボ制御、トラッキングサーボ制御が実現される。
【００７８】
ＰＬＬ回路７１は、ウォブル信号ＷＳに基づくクロックを生成する。このクロックは、必要な各部の動作クロックとして供給される。特にこの場合は、アドレス検出回路７２に対して供給される。
【００７９】
アドレス検出回路７２は、ウォブル信号ＷＳと上記クロックとに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。検出したアドレス情報はコントローラ７４に対して供給される。
【００８０】
コントローラ７４は、例えばマイクロコンピュータで構成され、記録装置の全体制御を行う。
例えば、上記アドレス情報に基づく記録位置の制御や、前述した記録光用フォーカス機構におけるレンズ駆動部６２を制御することによる情報記録層位置Ｌの選択制御を行う。
具体的にこのような情報記録位置Ｌの選択制御としては、予め情報記録層位置Ｌごとに設定されたオフセット量ｏｆ-Lに基づいて、レンズ駆動部６２を駆動制御することで行う。
【００８１】
ここで、記録時における記録用レーザ光のトラッキングサーボに関しては、上述のようにサーボ回路７３がサーボ用レーザ光の反射光に基づいて対物レンズ６４についてのトラッキングサーボ制御を行うことで、自動的に行われるものとなる。具体的に、記録用レーザ光のトラッキング方向におけるスポット位置は、基準面Ｒｅｆに形成された案内溝の直下となるように制御される。
【００８２】
上記のような記録装置の構成により、バルク層５２内の所望の層位置Ｌにおける所望の半径位置に対して情報記録を行うことができる。すなわち、バルク層５２に対する三次元記録（多層記録）が実現されるものである。
【００８３】
［2-2．マスタークロックの位置のバリエーション］
ここで、ＭＯＰＡ１００を記録光源として用いる記録システムにおいては、ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１の発振パルスの位相と、半導体光増幅器１３の駆動電流の位相（データパルスの位相）とが同期していることを要する。
【００８４】
図１２は、ＭＬＬＤ部１の発光パルスと半導体光増幅器１３に与えるデータパルスとの同期の必要性について説明するための図である。
図１２（ａ）はＭＬＬＤ部１から半導体光増幅器１３に入射するパルスレーザ光を示し、図１２（ｂ）はデータパルスを、図１２（ｃ）は図１２（ｂ）のデータパルスに応じて半導体光増幅器１３により変調されたレーザ光を示している。
ここで説明上、図１２（ｂ）に示すデータパルスは、例えば５Ｔ（Ｔはチャネルクロック）の符号長に対応するものであるとする。
これら図１２（ａ）〜図１２（ｃ）の関係においては、データパルスの位相がＭＬＬＤ部１の発振パルスの位相と同期しており、５Ｔ分のデータパルスに応じて、５つのパルスが抽出されていることが示されている。
【００８５】
これに対し、図１２（ｄ）では、同じ５Ｔ分のデータパルスとして、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとの間で位相同期がとられていないデータパルスを示しているが、当該データパルスに応じて半導体光増幅器１３が変調動作を行った場合には、本来は先の図１２（ｃ）のように５つのパルスが抽出されるべきところが、図１２（ｅ）に示されるようにそれよりも少ない数のパルスしか抽出できないこととなる。
この結果、意図したＴ長によるマーク記録を行うことができないものとなってしまう。
【００８６】
このため、ＭＯＰＡ１００を記録用光源として用いる記録システムにおいては、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとが同期していることを要する。
【００８７】
ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスの同期を行うための手法は、そのマスタークロックの位置を何れに設定するかにより、図１３に示すような３つの手法に大別することができる。
すなわち、図１３（ａ）に示すディスク基準としての手法、図１３（ｂ）に示すドライブ基準としての手法、図１３（ｃ）に示すレーザ基準としての手法である。
図１３（ａ）のディスク基準の手法は、バルク型記録媒体５０の基準面Ｒｅｆに形成されたグルーブのウォブル周期を表すウォブル信号ＷＳをマスタークロックとして用いる手法である。
また、図１３（ｂ）のドライブ基準の手法は、ドライブ（記録装置）に設けた発振器７５による発振信号をマスタークロックとして用いる手法である。
また図１３（ｃ）のレーザ基準の手法は、ＭＬＬＤ部１の発振パルスをマスタークロックとして用いる手法である。
【００８８】
ここで、ディスク基準とドライブ基準の手法では、ＭＬＬＤ部１の発振周波数（位相）をマスタークロックに同期させることになる。
【００８９】
図１４を参照し、このようにＭＬＬＤ部１の発振周波数をマスタークロック(外部クロック)に同期させるための具体的な手法について説明する。
先ず、先に説明したように、ＭＬＬＤ部１の半導体レーザ６は、副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入することにより発光する（通常駆動：図１４（ａ））。
これに対し、ＭＬＬＤ部１の発振周波数（位相）を外部クロックに応じて調整するとした場合には、図１４（ｂ）に示すように、副電極１１４より過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、さらに主電極１１３よりゲイン部１１６に対してＡＣ電流によるゲイン電流Ｉを併せて注入する。
このとき、上記ＡＣ電流として、マスタークロックに基づく電流を注入することで、ＭＬＬＤ部１の発振周波数をマスタークロックに同期させることが可能となる。
【００９０】
説明を図１３に戻す。
各手法について具体的に見ていく。
先ず、図１３（ａ）のディスク基準の手法では、ウォブル信号ＷＳに基づき、ＰＬＬ回路７１でマスタークロック（以下、ディスク基準クロックと表記）を生成する。そして、このようなディスク基準クロックにより、データ２１の出力タイミングを制御する（つまりディスク基準クロックにデータパルスを同期させる）と共に、当該ディスク基準クロックにＭＬＬＤ部１の発振パルスを同期させる。
これにより、ＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができ、所望のＴ長のマークが適正に記録されるようにできる。
【００９１】
また、図１３（ｂ）のドライブ基準の手法では、発振器７５により生成されたマスタークロック（ドライブ基準クロックとする）によりデータ２１の出力タイミングを制御すると共に、当該ドライブ基準クロックにＭＬＬＤ部１の発振パルスを同期させる。これによりＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができる。
【００９２】
また、図１３（ｃ）のレーザ基準の手法では、ＭＬＬＤ部１の発振パルスを発振パルス検出部７７で検出し、ＰＬＬ回路７８がこのように発振パルス検出部７７が検出した発振パルスに基づくマスタークロックを生成する（レーザ基準クロックとする）。そして、当該レーザ基準クロックに基づきデータ２１の出力タイミングを制御する。
これによりＭＬＬＤ部１の発振パルスとデータパルスとを同期させることができる。
【００９３】
ここで、図１３（ｂ）に示すドライブ基準、及び図１３（ｃ）に示すレーザ基準の手法では、バルク型記録媒体５０の基準面Ｒｅｆにおける記録信号とデータ２１との間で同期はとられていない。
そこで、これらドライブ基準及びレーザ基準の手法では、従来より例えばＢＤ等の光ディスクで行われているように、記録単位毎の繋ぎ部分に、データ２１の記録領域としては使用しない領域（いわゆるバッファ領域）を設けておくものとし、記録装置側では、記録単位毎に、記録単位の先頭タイミングとその記録単位のデータ２１の先頭タイミングとを同期させるという処理を行う。
【００９４】
具体的には、図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）のそれぞれに示すような記録単位毎タイミング同期回路７６を設け、当該記録単位毎タイミング同期回路７６が、アドレス検出回路７２により検出されたアドレス情報に基づき、記録単位毎に、その記録単位のデータ２１の先頭タイミングをアドレス情報が示す記録単位の先頭タイミングに同期させる。
これにより、例えばセクター等の所要の記録単位ごとのデータ記録が適正に行われるようにできる。
【００９５】
［2-3．ディスク基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１５は、図１３（ａ）に示したディスク基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
なお、この図１５を始めとして以下で説明する図２０までの各図では、記録ｃｈの数が２ｃｈとされた場合の構成を例示する。
また図１５〜図２１において、既に説明済みとなった部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００９６】
図１５に示すように、この場合の記録装置では、光学ピックアップＯＰ-A、光学ピックアップＯＰ-Bのそれぞれに、ＭＯＰＡ１００が搭載される。
【００９７】
そして、これら光学ピックアップＯＰ-A,ＯＰ-Bのうち何れか一方で得られる受光信号Ｄsvに基づき、マトリクス回路７０がウォブル信号ＷＳを生成し、当該ウォブル信号ＷＳに基づきＰＬＬ回路７１がディスク基準クロックを生成する。
ＰＬＬ回路７１が生成したディスク基準クロックは、データ出力制御部８０-Aとデータ出力制御部８０-Bとに供給されると共に、ＭＬＬＤドライブ回路２０に供給される。
【００９８】
データ出力制御部８０-Aには、Ａｃｈデータ（光学ピックアップＯＰ-A側で記録されるべきデータ）が入力される。データ出力制御部８０-Aは、当該Ａｃｈデータを、上記ディスク基準クロックに従ってＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
【００９９】
また、データ出力制御部８０-Bには、Ｂｃｈデータ（光学ピックアップＯＰ-B側で記録されるべきデータ）が入力され、データ出力制御部８０-Bは、当該Ｂｃｈデータを、上記ディスク基準クロックに従ってＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１００】
前述もしたようにＳＯＡドライブ回路２２は、入力されたデータに応じた駆動電流を生成し、当該駆動電流をＭＯＰＡ１００のＳＯＡ部４（半導体光増幅器１３）に対して与える。
【０１０１】
この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を、その発振パルスが上記ディスク基準クロックと同期するように駆動する。
具体的には、先の図１４（ｂ）に示したように、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、さらに主電極１１３よりゲイン部１１６に上記ディスク基準クロックに応じたＡＣ電流を併せて注入する。
【０１０２】
上記のような構成により、ディスク基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１０３】
（II．実施の形態としての構成）
図１６は、ディスク基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
先の図６の説明からも理解されるように、この場合、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれには、ＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載されることになる。そして、これら光学ピックアップＯＰの外部に対してＭＬＬＤ部１が設けられる。
なおこの図では各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
【０１０４】
なお、図中で破線により囲った部分（マトリクス回路７０、ＰＬＬ回路７１、データ出力制御部８０-A,８０-B、ＳＯＡドライブ回路２２-A,２２-B、ＭＬＬＤドライブ回路２０）の構成は、図１５において同じく破線で囲った部分の構成と同様となるので改めての説明は省略する。但し、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１を駆動することになる。
【０１０５】
この図１６と先の図１５とを対比して明らかなように、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成によれば、光学ピックアップＯＰの小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部１については各ｃｈに共通の１つのみを設ければ済むものとできる。
【０１０６】
［2-4．ドライブ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１７は、図１３（ｂ）に示したドライブ基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
先の図１５と比較すると、この場合の記録装置には、マトリクス回路７０として、各ｃｈに対応したマトリクス回路７０-Aとマトリクス回路７０-Bの２つが設けられる。また、アドレス検出回路７２-Aとアドレス検出回路７２-Bとが設けられると共に、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aと記録単位毎タイミング同期回路７６-Bとが設けられる。
さらに、この場合のデータ出力制御部８０-A、データ出力制御部８０-Bには、ＰＬＬ回路７１によるクロックではなく、発振器７５により生成されるクロック（ドライブ基準クロック）がそれぞれ入力される。
またＭＬＬＤドライブ回路２０に対しても、ＰＬＬ回路７１によるクロックではなく発振器７５によるドライブ基準クロックが入力される。
【０１０７】
マトリクス回路７０-Aは光学ピックアップＯＰ-Aにて得られる受光信号Ｄsv（以下、Ｄsv-Aと表記）に基づき、ウォブル信号ＷＳ（ＷＳ-Aと表記）を生成する。
そしてアドレス検出回路７２-Aはウォブル信号ＷＳ-Aに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。
【０１０８】
同様にマトリクス回路７０-Bは、光学ピックアップＯＰ-Bにて得られる受光信号Ｄsv（Ｄsv-Bと表記）に基づき、ウォブル信号ＷＳ（ＷＳ-Bと表記）を生成し、またアドレス検出回路７２-Bは、ウォブル信号ＷＳ-Bに基づき基準面Ｒｅｆに記録されたアドレス情報を検出する。
【０１０９】
記録単位毎タイミング同期回路７６-Aは、アドレス検出回路７２-Aが検出したアドレス情報に基づき、例えばセクター等の所定の記録単位毎の先頭タイミングを検出し、該先頭タイミングを表すタイミング信号をデータ出力制御部８０-Aに供給する。
また、記録単位毎タイミング同期回路７６-Bは、アドレス検出回路７２-Bが検出したアドレス情報に基づき、同様に所定の記録単位毎の先頭タイミングを検出し、該先頭タイミングを表すタイミング信号をデータ出力制御部８０-Bに供給する。
【０１１０】
この場合のデータ出力制御部８０-Aは、発振器７５により生成されたドライブ基準クロックに従ってＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力すると共に、このようにＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力するＡｃｈデータに関して、上記所定の記録単位毎のデータの先頭タイミングを、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aから供給される上記タイミング信号が表すタイミングと逐次一致させる。
また、この場合のデータ出力制御部８０-Bとしても、上記と同様に、発振器７５により生成されたドライブ基準クロックに従ってＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力すると共に、このようにＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力するＢｃｈデータに関して、上記所定の記録単位毎のデータの先頭タイミングを記録単位毎タイミング同期回路７６-Bから供給される上記タイミング信号が表すタイミングと逐次一致させる。
【０１１１】
また、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００におけるＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を、その発振パルスが上記ドライブ基準クロックと同期するように駆動する。すなわち、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）を注入すると共に、主電極１１３よりゲイン部１１６に上記ドライブ基準クロックに応じたＡＣ電流を併せて注入するものである。
【０１１２】
上記構成により、ドライブ基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１１３】
（II．実施の形態としての構成）
図１８は、ドライブ基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
この場合もＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれにはＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載され、これら光学ピックアップＯＰの外部に対して、ＭＬＬＤ部１が設けられる。
なおこの図においても各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
また、図中で破線により囲った部分（マトリクス回路７０-A,７０-B、アドレス検出回路７２-A,７２-B、記録単位毎タイミング同期回路７６-A,７６-B、データ出力制御部８０-A,８０-B、ＳＯＡドライブ回路２２-A,２２-B、ＭＬＬＤドライブ回路２０）の構成は、図１６において同じく破線で囲った部分の構成と同様となるので改めての説明は省略する。
但しこの場合、ＭＬＬＤドライブ回路２０は光学ピックアップＯＰ外部に設けられたＭＬＬＤ部１を駆動することになる。
【０１１４】
図１８と先の図１７とを対比して明らかなように、ドライブ基準とする場合にも、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成により、光学ピックアップＯＰの小型化が図られる。また、ＭＬＬＤ部１については各ｃｈに共通の１つのみを設ければ済むものとできる。
【０１１５】
［2-5．レーザ基準とする場合］
（ I．順当に採り得る構成）
図１９は、図１３（ｃ）に示したレーザ基準の手法を採用する場合において、複数ｃｈ記録化を実現するにあたって順当に採り得る記録装置の構成例を示している。
先の図１７と比較すると、この場合の記録装置おいては、光学ピックアップＯＰ-A,光学ピックアップＯＰ-Bに、発振パルス検出部７７-A、発振パルス検出部７７-Bが設けられる。
発振パルス検出部７７-Aは、光学ピックアップＯＰ-Aに設けられたＭＯＰＡ１００のＭＬＬＤ部１の発振パルス（発振周波数）を検出し、発振パルス検出部７７-Bは光学ピックアップＯＰ-Bに設けられたＭＯＰＡ１００のＭＬＬＤ部１の発振パルスを検出する。
これら発振パルス検出部７７は、ＭＬＬＤ部１が発光するパルスレーザ光を受光して発振パルスを検出するように構成されている。
【０１１６】
また、この場合の記録装置には、発振パルス検出部７７-Aが検出した発振パルスに同期したレーザ基準クロックを生成するためのＰＬＬ回路７８-Aと、発振パルス検出部７７-Bが検出した発振パルスに同期したレーザ基準クロックを生成するためのＰＬＬ回路７８-Bとが設けられる。
【０１１７】
そして、この場合のデータ出力制御部８０-Aは、Ａｃｈデータについて、記録単位毎タイミング同期回路７６-Aからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、ＰＬＬ回路７８-Aが生成したレーザ基準クロックに従って、当該ＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
またこの場合のデータ出力制御部８０-Bは、Ｂｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Bからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、ＰＬＬ回路７８-Bが生成したレーザ基準クロックに従って当該ＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１１８】
さらに、この場合のＭＬＬＤドライブ回路２０は、各ＭＯＰＡ１００内のＭＬＬＤ部１（半導体レーザ６）を通常駆動する。すなわち、図１４（ａ）に示したように、半導体レーザ６の副電極１１４により過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを印加し、主電極１１３よりゲイン部１１６に対してゲイン電流Ｉ（ＤＣ電流）のみを注入することで、当該半導体レーザ６を発光駆動する。
【０１１９】
上記構成により、レーザ基準の手法による複数ｃｈ同時記録を行うことが可能となる。
【０１２０】
（II．実施の形態としての構成）
図２０は、レーザ基準の手法を採用する場合に対応した、実施の形態の記録装置の構成例を示している。
この場合もＭＯＰＡ分離構成として、光学ピックアップＯＰ-A’、光学ピックアップＯＰ-B’のそれぞれにはＭＯＰＡ１００に係る構成のうちＰＡ部３１のみが搭載され、これら光学ピックアップＯＰの外部に対してＭＬＬＤ部１が設けられる。
この場合も各ＰＡ部３１に対する光伝送が分光部３３と光ファイバ３２とで行われる場合を例示している。
【０１２１】
ここで、レーザ基準の場合、ＭＯＰＡ分離構成の採用によりＭＬＬＤ部１を１つのみ設ければよいことに対応して、発光パルス検出部７７としても、図のように１つのみを設ければ足ものとできる。
【０１２２】
またこのことに関連して、レーザ基準とする場合にＭＯＰＡ分離構成を採用することによっては、ドライブ側で生成するクロックを、１系統のみとすることができるという効果も奏する。
すなわち、図１９に示した従来のレーザ基準の構成では、記録ｃｈを複数とすることに応じてレーザ基準クロックも複数生成しなければならなかったものが、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成の採用により、ＭＬＬＤ部１を１つのみとできることで、クロックの生成系を１系統のみとすることができる。
この結果、記録ｃｈごとにＰＬＬ回路７８を設ける必要性がなくなり、クロック生成に係る構成を大幅に簡略化することができる。また、これにより部品点数の削減が図られ、回路実装面積の縮小化、及び低コスト化が図られる。
【０１２３】
なお確認のため述べておくと、この場合のデータ出力制御部８０-Aは、Ａｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Aからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、上記ＰＬＬ回路７８が生成したレーザ基準クロックに従ってＡｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Aに出力する。
またこの場合のデータ出力制御部８０-Bは、Ｂｃｈデータについて記録単位毎タイミング同期回路７６-Bからのタイミング信号に従った記録単位毎の先頭タイミング同期出力を行うと共に、上記ＰＬＬ回路７８が生成したレーザ基準クロックに従ってＢｃｈデータをＳＯＡドライブ回路２２-Bに出力する。
【０１２４】
このようにレーザ基準の場合は、実施の形態のＭＯＰＡ分離構成により、光学ピックアップＯＰの小型化やＭＬＬＤ部１を単一にできるという効果と共に、記録クロックの生成系を単一にできるという効果も得られる。
【０１２５】
ここで、上記による説明では、ＭＬＬＤ部１によるパルスレーザ光を受光して発振パルス検出を行う発振パルス検出部７７を例示したが、ＭＬＬＤ部１の発振パルスを検出するための構成としては、図２１に示すような構成も可能である。
すなわち、この図２１に示す発振パルス検出部８１では、半導体レーザ６に対するバイアス電圧Ｖsaの供給ラインから、コンデンサＣを介して当該バイアス電圧Ｖsaに重畳する交流成分を検出し、その検出結果をＰＬＬ回路７８に供給するものとしている。
【０１２６】
ここで、バイアス電圧Ｖsaの供給ラインには、半導体レーザ６の発振周波数に応じた交流成分が重畳する。従って、この図２１に示す発振パルス検出部８１の構成により、半導体レーザ６（ＭＬＬＤ部１）の発振パルスを検出できる。
【０１２７】
図１９や図２０で示した発振パルス検出部７７では、パルスレーザ光を受光するための受光素子や光学系を備える必要があるが、上記構成による発振パルス検出部８１によれば、これら受光素子や光学系を備える必要性はなく、この点で部品点数の削減が図られ、結果として装置の小型化及び低コスト化に貢献する。
【０１２８】
なお、注意すべきは、図２１に示す発振パルス検出部８１の構成は、図１９に示した従来のレーザ基準の構成においては採用し得ないという点である。
すなわち、図１９に示す従来の構成では、各ＭＯＰＡ（各ＭＬＬＤ部１）の駆動を１つのＭＬＬＤドライブ回路２０で共通に行っているので、バイアス電圧Ｖsaの供給ラインにはそれぞれのＭＬＬＤ部１の発振成分（交流成分）が重畳してしまうことになる。すなわち、従来のレーザ基準の構成においては、ＭＬＬＤドライブ回路２０を各ｃｈごとに独立して設けない限り、図２１に示す発振パルス検出部８１の構成を採用することはできないものとなる。
【０１２９】
これに対し実施の形態のＭＯＰＡ分離構成とすれば、ＭＬＬＤ部１は１つのみとできるため、各ｃｈごとにドライブ回路２０を設けずとも、図２１の発振パルス検出部８１を採用することができる。つまり実施の形態のＭＯＰＡ分離構成によれば、この点でも部品点数の削減及びそれによる小型化、低コスト化が図られるものとなる。
【０１３０】
＜３．変形例＞
以上、本技術に係る各実施の形態について説明したが、本技術はこれまでで説明した各具体例に限定されるべきものではない。
例えば記録ｃｈ数は２ｃｈや４ｃｈに限定されるべきものではなく、複数であればよい。
【０１３１】
また、これまでの説明では、基準面Ｒｅｆに形成される位置案内子としてグルーブ又はピットによる案内子を例示し、ピットの形成やグルーブのウォブリングによりアドレス情報が記録される場合を例示したが、基準面Ｒｅｆの位置案内子としては、例えば相変化材料等の記録膜にマークを記録したものであっても良い。
【０１３２】
また、本技術は、例えば以下の（１）〜（７）に示す構成を採り得るものである。
（１） 光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されていると共に、
上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、
複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、
上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられる
記録装置。
【０１３３】
（２） 上記光伝送部は、光ファイバにより上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する（１）に記載の記録装置。
【０１３４】
（３） 上記光伝送部は、ミラー及び／又はハーフミラーを用いて上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する（１）に記載の記録装置。
【０１３５】
（４） 上記モードロックレーザ部分の発振周波数と同期した第１のクロックを生成する第１のクロック生成部と、
上記第１のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第１の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【０１３６】
（５） 上記第１のクロック生成部は、
上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザに与えられるバイアス電圧の供給ラインに重畳する交流成分を抽出した結果に基づき、上記第１のクロックを生成する
（４）に記載の記録装置。
【０１３７】
（６） 上記光記録媒体には、位置案内子が形成された基準面が設けられており、
上記基準面からの反射光に基づき、上記基準面の記録信号に同期した第２のクロックを生成する第２のクロック生成部と、
上記第２のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第２クロック同期電流注入部と、
上記第２のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第２の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【０１３８】
（７） 発振器と、
上記発振器が発振した第３のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第３クロック同期電流注入部と、
上記第３のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第３の変調制御部と
をさらに備える（１）又は（２）又は（３）に記載の記録装置。
【符号の説明】
【０１３９】
１ モードロックレーザ部（ＭＬＬＤ部）、２ 光アイソレータ部、３,７,３５-1〜３５-4 集光レンズ、４ ＳＯＡ部、５ ビーム整形部、６ 半導体レーザ、８ バンドパスフィルタ、９,１２,３８,３９,４１ ミラー、１０,１４,６７ コリメートレンズ、１１ 光アイソレータ、１３ 半導体光増幅器、１５ ビーム整形素子、２０ ＭＬＬＤドライブ回路、２１ データ、２２ ＳＯＡドライブ回路、２３ 上部電極、２４ 下部電極、２５ 活性層、２６ 反射膜、ＯＰ,ＯＰ-A〜ＯＰ-D,ＯＰ-A’〜ＯＰ-D’ 光学ピックアップ、３０,３０’ 駆動部、３１ ＰＡ部、３２ 光ファイバ、３３ 分光部、３４ グレーティング、３６,３７,４０ ハーフミラー、５０ バルク型記録媒体、５１ カバー層、５２ バルク層、５３ 選択反射膜、５４ 中間層、６０ 固定レンズ、６１ 可動レンズ、６２ レンズ駆動部、６３ ダイクロイックミラー、６４ 対物レンズ、６５ ２軸アクチュエータ、６６ サーボ用レーザ、６８ ビームスプリッタ、６９ フォトディテクタ、７０,７０-A,７０-B マトリクス回路、７１,７８,７８-A,７８-B ＰＬＬ回路、７２,７２-A,７２-B アドレス検出回路、７３ サーボ回路、７４ コントローラ、７５ 発振器、７６,７６-A,７６-B 記録単位毎タイミング同期回路、７７,７７-A,７７-B,８１ 発振パルス検出部、８０-A,８０-B データ出力制御部、１００ ＭＯＰＡ、１１３ 主電極、１１４ 副電極、１１６ ゲイン部、１１７ 過飽和吸収体部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されていると共に、
上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、
複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、
上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられる
記録装置。
【請求項２】
上記光伝送部は、光ファイバにより上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
上記光伝送部は、ミラー及び／又はハーフミラーを用いて上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
上記モードロックレーザ部分の発振周波数と同期した第１のクロックを生成する第１のクロック生成部と、
上記第１のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第１の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
上記第１のクロック生成部は、
上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザに与えられるバイアス電圧の供給ラインに重畳する交流成分を抽出した結果に基づき、上記第１のクロックを生成する
請求項４に記載の記録装置。
【請求項６】
上記光記録媒体には、位置案内子が形成された基準面が設けられており、
上記基準面からの反射光に基づき、上記基準面の記録信号に同期した第２のクロックを生成する第２のクロック生成部と、
上記第２のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第２クロック同期電流注入部と、
上記第２のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第２の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【請求項７】
発振器と、
上記発振器が発振した第３のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第３クロック同期電流注入部と、
上記第３のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第３の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【請求項１】
光学ピックアップを複数備えて、光記録媒体に対して複数チャンネル同時記録が可能に構成され、且つ、外部共振器を含むモードロックレーザ部分と当該モードロックレーザ部分から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調部とを有して成るＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）により、記録のためのレーザ光を得るように構成されていると共に、
上記光学ピックアップの外部に対して、上記ＭＯＰＡにおける上記モードロックレーザ部分が配置され、
複数の上記光学ピックアップのそれぞれに対して、上記ＭＯＰＡにおける上記光変調部が搭載され、
上記モードロックレーザ部分が発光したパルスレーザ光を、各上記光学ピックアップに対して伝送する光伝送部が備えられる
記録装置。
【請求項２】
上記光伝送部は、光ファイバにより上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
上記光伝送部は、ミラー及び／又はハーフミラーを用いて上記パルスレーザ光を各上記光学ピックアップに伝送する請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
上記モードロックレーザ部分の発振周波数と同期した第１のクロックを生成する第１のクロック生成部と、
上記第１のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第１の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
上記第１のクロック生成部は、
上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザに与えられるバイアス電圧の供給ラインに重畳する交流成分を抽出した結果に基づき、上記第１のクロックを生成する
請求項４に記載の記録装置。
【請求項６】
上記光記録媒体には、位置案内子が形成された基準面が設けられており、
上記基準面からの反射光に基づき、上記基準面の記録信号に同期した第２のクロックを生成する第２のクロック生成部と、
上記第２のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第２クロック同期電流注入部と、
上記第２のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第２の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【請求項７】
発振器と、
上記発振器が発振した第３のクロックに基づく交流電流を上記モードロックレーザ部分が有する半導体レーザのゲイン電流として注入する第３クロック同期電流注入部と、
上記第３のクロックに基づき、上記光変調部に記録データ列に応じた変調動作を実行させる第３の変調制御部と
をさらに備える請求項１に記載の記録装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−１８５８８８（Ｐ２０１２−１８５８８８Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４８４８９（Ｐ２０１１−４８４８９）
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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