配線回路基板およびその製造方法
【課題】導体パターンの腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導体パターン３は、端子部３ａおよび配線部３ｂを含む。配線部３ｂを被覆するように端子被覆層６が形成される。導体パターン３の端子部３ａの上面の高さは配線部３ｂの上面の高さよりも低く設定され、配線部３ｂの端部近傍において、配線部３ｂの上面が配線被覆層４の下面から離間するように傾斜する。配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように端子被覆層６が形成される。
【解決手段】導体パターン３は、端子部３ａおよび配線部３ｂを含む。配線部３ｂを被覆するように端子被覆層６が形成される。導体パターン３の端子部３ａの上面の高さは配線部３ｂの上面の高さよりも低く設定され、配線部３ｂの端部近傍において、配線部３ｂの上面が配線被覆層４の下面から離間するように傾斜する。配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように端子被覆層６が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板（磁気ヘッドサスペンション基板）が示される。この配線回路基板の製造時には、例えばステンレス鋼からなる基板上に例えばポリイミドからなる絶縁層が形成された後、絶縁層上に例えば銅からなる導体パターンが形成される。続いて、無電解めっきにより導体パターン上にニッケル膜が形成される。次に、絶縁層およびニッケル膜上に例えばポリイミドからなる被覆層が形成される。
【０００３】
被覆層の所定の位置には、開口部が設けられる。開口部内において、ニッケル膜の一部が露出する。その露出するニッケル膜の部分が除去されることにより、開口部内で導体パターンの一部が露出する。開口部内で露出する導体パターンの部分に、電解めっきにより例えば金からなる電極パッドが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の製造方法によって製造された配線回路基板においては、長期の使用によって被覆層の開口部近傍でニッケル膜および導体パターンに腐食が生じる。このような腐食の発生は、信頼性の低下の要因となる。
【０００６】
本発明の目的は、配線被覆層および導体パターンの腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、ベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、導体パターンの配線部を被覆するように形成される配線被覆層と、配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、導体パターンの端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、端子被覆層の一部は、配線部の端部上面と配線被覆層の端部下面との間まで延びるように形成され、カバー絶縁層は、配線被覆層の端部から端子部上にはみ出さないように形成されるものである。
【０００８】
その配線回路基板においては、ベース絶縁層上に形成された導体パターンの配線部を被覆するように配線被覆層が形成される。配線被覆層の少なくとも一部を覆いかつ配線被覆層の端部から端子部上にはみ出さないようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。さらに、配線部の端部上面と配線被覆層の端部下面との間まで延びるように端子被覆層の一部が形成される。
【０００９】
この場合、カバー絶縁層の下面は、配線被覆層と接し、端子被覆層と接しない。そのため、カバー絶縁層と端子被覆層との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。
【００１０】
また、配線被覆層の端部下面との間まで延びるように端子被覆層の一部が形成されるので、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保される。それにより、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【００１１】
（２）導体パターンの端子部の厚みおよび配線被覆層の端部下における配線部の一部分の厚みは、配線部の他の部分の厚みよりも小さく、配線被覆層は、配線部の他の部分上から配線部の一部分の上方に突出するように延び、配線被覆層の突出する部分の下面と配線部の一部分の上面との間に隙間が形成され、端子被覆層は、配線被覆層の突出する部分の下面、配線部の一部分の上面および端子部の表面を被覆するように形成されてもよい。
【００１２】
この場合、配線被覆層の突出する部分の下面、配線部の一部分の上面および端子部の表面を被覆するように端子被覆層が形成されるため、配線被覆層およびカバー絶縁層を平坦に維持しつつ配線被覆層と端子被覆層との接触面積を十分に確保することができる。それにより、配線被覆層とカバー絶縁層との密着性を確保しつつ配線被覆層と端子被覆層との密着性を向上させることができ、導体パターンの腐食を防止することができる。
【００１３】
（３）端子被覆層は、配線被覆層の端面を被覆するように設けられてもよい。
【００１４】
この場合、配線被覆層に液体が接触することが防止される。それにより、配線被覆層の腐食が確実に防止される。
【００１５】
（４）導体パターンは銅を含み、配線被覆層はニッケルを含み、端子被覆層は金を含んでもよい。
【００１６】
この場合、低コストで導体パターンの導電性が確保される。また、配線被覆層により導体パターンの銅のマイグレーションが防止されるとともに、導体パターンとカバー絶縁層との密着性が確保される。さらに、耐食性が高い端子被覆層により、導体パターンおよび配線被覆層の腐食が防止される。
【００１７】
（５）配線被覆層の厚みが０．０１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
【００１８】
この場合、配線被覆層により導体パターンの銅のマイグレーションを確実に防止することができる。また、配線被覆層の加工を容易に行うことができる。
【００１９】
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、導体パターンの配線部および端子部を被覆するように配線被覆層を形成する工程と、導体パターンの端子部上を除く配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去するとともに、配線被覆層の下面と端子部に連続する配線部の部分の上面との間に隙間が形成されるように端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去する工程と、隙間で露出する配線被覆層の下面、隙間で露出する配線部の上面および端子部の表面を被覆するように、電解めっきにより端子被覆層を形成する工程とを備えたものである。
【００２０】
その製造方法においては、導体パターンの端子部上を除く配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。また、配線被覆層の下面、配線部の上面および端子部の表面を被覆するように、端子被覆層が形成される。
【００２１】
この場合、カバー絶縁層の下面は、配線被覆層と接し、端子被覆層と接しない。そのため、カバー絶縁層と端子被覆層との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。
【００２２】
また、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保され、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【００２３】
（７）除去する工程において、配線被覆層に対するエッチング速度よりも導体パターンに対するエッチング速度が大きい選択エッチングを行ってもよい。
【００２４】
この場合、容易にかつ迅速に、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【００２５】
（８）除去する工程において、配線被覆層を溶解させる速度よりも導体パターンを溶解させる速度が大きい薬液を用いてエッチングを行ってもよい。
【００２６】
この場合、容易にかつ迅速に、さらに低コストで、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【００２７】
（９）配線被覆層はニッケルを含み、導体パターンは銅を含み、薬液は硫酸過水を含んでもよい。
【００２８】
この場合、低コストで確実に、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。また、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保され、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。
【図２】導体パターンの端子部と配線部との境界部周辺を示す拡大断面図である。
【図３】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４（ｇ）および図４（ｈ）の工程の詳細を示す拡大断面図である。
【図６】配線回路基板の第１の変形例の拡大断面図である。
【図７】配線回路基板の第２の変形例の拡大断面図である。
【図８】実施例および比較例において作製された配線回路基板の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態の配線回路基板は、例えば磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる。
【００３２】
（１）配線回路基板
図１は、本実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。図１（ｂ）の断面は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面に相当する。
【００３３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、例えばステンレス鋼からなる金属基板１上に、例えば感光性ポリイミドからなるベース絶縁層２が形成される。ベース絶縁層２上に、例えば銅からなる複数のストライプ状の導体パターン３が形成される。
【００３４】
以下、各導体パターン３の先端部を端子部３ａと呼び、端子部３ａを除く各導体パターン３の部分を配線部３ｂと呼ぶ。
【００３５】
端子部３ａの表面を被覆するように、例えば金からなる端子被覆層６が形成される。配線部３ｂの表面を被覆するように、例えばニッケルからなる配線被覆層４が形成される。複数の導体パターン３の配線部３ｂおよび複数の配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層５が形成される。この場合、配線部３ｂとカバー絶縁層５との間に配線被覆層４が設けられることにより、配線部３ｂの銅のマイグレーションが防止されるとともに、配線部３ｂとカバー絶縁層５との密着性が向上される。
【００３６】
図２は、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺を示す拡大断面図である。なお、図２においては、金属基板１およびベース絶縁層２の図示が省略される。
【００３７】
図２に示すように、配線被覆層４は、カバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように設けられる。また、導体パターン３の端子部３ａの上面の高さが、配線部３ｂの上面の高さ（配線被覆層４の下面の高さ）よりも低く設定される。配線部３ｂの端部近傍において、配線部３ｂの上面は、配線被覆層４の下面から離間するように傾斜する。その配線部３ｂの傾斜面の下端と端子部３ａの上面とが連続する。
【００３８】
端子被覆層６は、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように形成される。ここで、配線被覆層４の端面とは、導体パターン３が延びる方向に垂直な配線被覆層４の面をいう。
【００３９】
（２）配線回路基板の製造方法
次に、図１および図２の配線回路基板１００の製造方法について説明する。図３および図４は、配線回路基板１００の製造工程を示す断面図である。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、まず、例えばステンレス鋼からなる金属層１１および例えば感光性ポリイミドからなる絶縁層１２からなる２層基材を用意する。
【００４１】
金属層１１の材料としては、ステンレス鋼に代えて、アルミニウム等の他の材料を用いてもよい。金属層１１の厚みは、例えば５μｍ以上２０００μｍ以下であり、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
絶縁層１２の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。絶縁層１２の厚みは、例えば３μｍ以上２０００μｍ以下であり、５μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１２に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を行うことにより、所定の形状のベース絶縁層２を形成する。なお、エッチング等の他の方法により絶縁層１２から所定の形状のベース絶縁層２を形成してもよい。その場合、絶縁層１２の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００４４】
次に、図３（ｃ）に示すように、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法等により、絶縁層１２上に導体パターン３を形成する。
【００４５】
導体パターン３の材料としては、銅に代えて、金またはアルミニウム等の他の金属を用いてもよく、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。導体パターン３の厚みは、例えば３μｍ以上２００μｍ以下であり、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
次に、図３（ｄ）に示すように、導体パターン３の表面を被覆するように、無電解めっきにより例えばニッケルからなる配線被覆層４を形成する。この場合、導体パターン３が形成されていない絶縁層１２の部分にめっきレジストを形成し、導体パターン３の表面に選択的に無電解めっきを行う。その後、めっきレジストを除去する。
【００４７】
配線被覆層４の材料としては、ニッケルに代えて、錫等の他の金属を用いてもよく、錫−銅、錫−ビスマスまたは錫−銀等の合金を用いてもよい。配線被覆層４の厚みは、例えば０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
次に、図３（ｅ）に示すように、導体パターン３および配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えば感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層５を形成する。
【００４９】
カバー絶縁層５の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。カバー絶縁層５の厚みは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下であり、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
次に、図４（ｆ）に示すように、カバー絶縁層５に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を施すことにより、カバー絶縁層５を所定の形状に成形する。これにより、導体パターン３の端子部３ａ上に形成された配線被覆層４の部分が露出する。なお、エッチング等の他の方法によりカバー絶縁層５を所定の形状に成形してもよい。その場合、カバー絶縁層５の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００５１】
次に、図４（ｇ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分をエッチングにより除去する。次に、図４（ｈ）に示すように、露出する導体パターン３の端子部３ａの表面を被覆するように、電解めっきにより例えば金からなる端子被覆層６を形成する。図４（ｇ）の工程および図４（ｈ）の工程の詳細については後述する。
【００５２】
端子被覆層６の材料としては、金に代えて、パラジウム等の耐食性が高い他の金属を用いてもよい。端子被覆層６の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
そして、図４（ｉ）に示すように、金属層１１をエッチングすることにより所定の形状の金属基板１を形成する。これにより、配線回路基板１００が完成する。
【００５４】
（３）配線被覆層および導体パターンのエッチングおよび端子被覆層の形成
次に、上記の図４（ｇ）の工程および図４（ｈ）の工程の詳細について説明する。
【００５５】
本発明者の実験の結果、図４（ｇ），（ｈ）の工程で、エッチング条件によっては次のような現象が生じることが判明した。
【００５６】
カバー絶縁層５の形成後に、露出する配線被覆層４の部分をエッチング液を用いて除去する場合、カバー絶縁層５の端部下における配線被覆層４の部分にもエッチング液が浸透し、その配線被覆層４の部分も余分に除去される。その状態で、電解めっきにより端子被覆層６が形成されると、端子被覆層６は、カバー絶縁層５の端部下まで延びる。
【００５７】
端子被覆層６とカバー絶縁層５とは互いに接着されず、単に接触するだけの状態である。そのため、端子被覆層６とカバー絶縁層５との間に液体が入り込み、そのまま保持されることがある。この場合、液体が配線被覆層４に接触する状態で維持される。それにより、配線被覆層４が徐々に腐食する。さらに、配線被覆層４が腐食することにより、配線被覆層４下の導体パターン３も腐食する。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、以下のようにして、配線被覆層４および導体パターン３のエッチングならびに端子被覆層６の形成が行われ、端子被覆層６とカバー絶縁層５との間で液体が保持されることが防止される。
【００５９】
図５は、図４（ｇ）および図４（ｈ）の工程の詳細を示す拡大断面図である。図５には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００６０】
図５（ａ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分（端子部３ａ上の配線被覆層４の部分）にエッチング液をスプレーする。エッチング液としては、配線被覆層４を溶解させる速度よりも導体パターン３を溶解させる速度が大きい薬液が用いられる。また、導体パターン３を溶解させる速度が配線被覆層４を溶解させる速度の１．１倍以上である薬液を用いることが好ましい。このような薬液としては、硫酸過水または硝酸過水がある。
【００６１】
この場合、エッチング液が直接スプレーされない配線被覆層４の部分、すなわち、カバー絶縁層５下の配線被覆層４の部分は、ほとんど溶解しない。一方、導体パターン３は、エッチング液の浸透によって比較的容易に溶解する。それにより、図５（ｂ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分が除去され、カバー絶縁層５下の配線被覆層４の部分が除去されない。また、配線被覆層４下の端子部３ａの厚みｄ１の部分が除去されるとともに、配線被覆層４の下面から配線部３ｂの上面が離間するように配線部３ｂの端部近傍の部分が除去される。
【００６２】
なお、エッチングにより除去される端子部３ａの部分の厚みｄ１は、例えば０．０１μｍ以上５μｍ以下であり、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。また、配線被覆層４下においてエッチングにより除去される配線部３ｂの部分の幅ｄ２は、例えば０μｍより大きく５μｍ以下であり、０μｍより大きく３μｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
そして、図５（ｃ）に示すように、電解めっきにより、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように、例えば金からなる端子被覆層６が形成される。
【００６４】
（４）効果
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように設けられる。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が設けられる。
【００６５】
この場合、カバー絶縁層５の下面は、配線被覆層４と接し、端子被覆層６と接しない。そのため、カバー絶縁層５と端子被覆層６との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層４と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止される。
【００６６】
また、配線被覆層４と端子被覆層６との接触面積が十分に確保され、端子被覆層６と配線被覆層４との密着性が向上される。したがって、端子被覆層６と配線被覆層４との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が確実に防止される。
【００６７】
（５）変形例
（５−１）第１の変形例
図６は、配線回路基板１００の第１の変形例の拡大断面図である。図６には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００６８】
図６に示す配線回路基板１００ａについて、上記の図１および図２に示す配線回路基板１００と異なる点を説明する。
【００６９】
図６の配線回路基板１００ａにおいては、配線被覆層４の端面、配線部３ｂと離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４と離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように、電解めっきにより例えばニッケルからなる第１の層６ａが形成される。第１の層６ａの表面を被覆するように、電解めっきにより例えば金からなる第２の層６ｂが形成される。第１および第２の層６ａ，６ｂにより、端子被覆層６ｃが構成される。
【００７０】
この場合、導体パターン３と第２の層６ｂとの間に第１の層６ａが設けられることにより、第２の層６ｂへの導体パターン３の銅のマイグレーションが防止される。
【００７１】
（５−２）第２の変形例
図７は、配線回路基板１００の第２の変形例の拡大断面図である。図７には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００７２】
図７に示す配線回路基板１００ｂについて、上記の図１および図２に示す配線回路基板１００と異なる点を説明する。
【００７３】
図７の配線回路基板１００ｂにおいては、配線被覆層４の端部が露出するようにカバー絶縁層５が設けられる。また、配線被覆層４の下面の部分、配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように端子被覆層６が形成される。
【００７４】
本例においても、カバー絶縁層５の下面は、配線被覆層４と接し、端子被覆層６と接しない。そのため、カバー絶縁層５と端子被覆層６との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層４と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止される。
【００７５】
また、配線被覆層４と端子被覆層６との接触面積が十分に確保され、端子被覆層６と配線被覆層４との密着性が向上される。それにより、端子被覆層６と配線被覆層４との間に液体が流入することが確実に防止され、導体パターン３の腐食が確実に防止される。
【００７６】
（６）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられるが、ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられなくてもよい。
【００７７】
また、上記実施の形態では、湿式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されるが（図５（ａ），（ｂ）参照）、乾式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されてもよい。この場合、導体パターン３に対するエッチング速度が配線被覆層４に対するエッチング速度よりも大きいことが好ましく、導体パターン３に対するエッチング速度が配線被覆層４に対するエッチング速度の２倍以上であることが好ましい。
【００７８】
また、レーザ加工技術等による他の方法により配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されてもよい。
【００７９】
（７）実施例および比較例
（７−１）実施例
図３〜図５の製造方法に基づいて、図１および図２の配線回路基板１００を作製した。なお、金属基板１の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層３の材料として感光性ポリイミドを用い、導体パターン３の材料として銅を用い、配線被覆層４の材料としてニッケルを用い、カバー絶縁層５の材料として感光性ポリイミドを用い、端子被覆層６の材料として金を用いた。
【００８０】
また、エッチング前の導体パターン３の厚みを１０μｍとし、配線被覆層４の厚みを０．１μｍとし、カバー絶縁層５の厚みを５μｍとし、端子被覆層６の厚みを１μｍとした。
【００８１】
また、図４（ｇ）（図５（ａ））の工程において、エッチング液として硫酸過水を用い、エッチング時間を６０秒とした。エッチング後の端子部３ａの厚みは６μｍであった。
【００８２】
（７−２）比較例
比較例においては、以下の点を除いて、上記実施例と同様に配線回路基板１００を作製した。
【００８３】
比較例では、図４（ｇ）（図５（ａ））の工程において、硝酸過水を端子部３ａ上の配線被覆層４の部分にスプレーすることにより、配線被覆層４のエッチングを行った。その後、硫酸過水を端子部３ａの表面にスプレーすることにより、端子部３ａの表面のエッチングを行った。
【００８４】
（７−３）評価
図８（ａ）は、実施例において作製された配線回路基板１００の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。図８（ｂ）は、比較例において作製された配線回路基板１００の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。なお、図８（ａ），（ｂ）には、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００８５】
図８（ａ）に示すように、実施例においては、カバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように配線被覆層４が形成された。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成された。
【００８６】
一方、図８（ｂ）に示すように、比較例においては、カバー絶縁層５の端部下における配線被覆層４の部分がエッチングにより除去された。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆し、かつカバー絶縁層５の下面に接するように端子被覆層６が形成された。
【００８７】
これにより、配線被覆層４を溶解させる速度よりも導体パターン３を溶解させる速度が大きい薬液を用いて配線被覆層４および端子部３ａのエッチングを行うことにより、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延び、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成されることがわかった。
【００８８】
また、実施例および比較例において作製された配線回路基板１００のＰＣＴ（Pressure Cooker Test）を行い、高温、高湿および高圧の条件下における配線被覆層４および導体パターン３の変化を調べた。
【００８９】
その結果、実施例の配線回路基板１００においては、配線被覆層４および導体パターン３に腐食が生じなかった。一方、比較例の配線回路基板１００においては、カバー絶縁層５の端部近傍において、配線被覆層４および導体パターン３に腐食が生じた。
【００９０】
これにより、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延び、かつ配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成されることにより、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【００９２】
１ 金属基板
２ ベース絶縁層
３ 導体パターン
３ａ 端子部
３ｂ 配線部
４ 配線被覆層
５ カバー絶縁層
６ 端子被覆層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々の電気機器または電子機器に配線回路基板が用いられている。特許文献１には、磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる配線回路基板（磁気ヘッドサスペンション基板）が示される。この配線回路基板の製造時には、例えばステンレス鋼からなる基板上に例えばポリイミドからなる絶縁層が形成された後、絶縁層上に例えば銅からなる導体パターンが形成される。続いて、無電解めっきにより導体パターン上にニッケル膜が形成される。次に、絶縁層およびニッケル膜上に例えばポリイミドからなる被覆層が形成される。
【０００３】
被覆層の所定の位置には、開口部が設けられる。開口部内において、ニッケル膜の一部が露出する。その露出するニッケル膜の部分が除去されることにより、開口部内で導体パターンの一部が露出する。開口部内で露出する導体パターンの部分に、電解めっきにより例えば金からなる電極パッドが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の製造方法によって製造された配線回路基板においては、長期の使用によって被覆層の開口部近傍でニッケル膜および導体パターンに腐食が生じる。このような腐食の発生は、信頼性の低下の要因となる。
【０００６】
本発明の目的は、配線被覆層および導体パターンの腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、ベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、導体パターンの配線部を被覆するように形成される配線被覆層と、配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、導体パターンの端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、端子被覆層の一部は、配線部の端部上面と配線被覆層の端部下面との間まで延びるように形成され、カバー絶縁層は、配線被覆層の端部から端子部上にはみ出さないように形成されるものである。
【０００８】
その配線回路基板においては、ベース絶縁層上に形成された導体パターンの配線部を被覆するように配線被覆層が形成される。配線被覆層の少なくとも一部を覆いかつ配線被覆層の端部から端子部上にはみ出さないようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。さらに、配線部の端部上面と配線被覆層の端部下面との間まで延びるように端子被覆層の一部が形成される。
【０００９】
この場合、カバー絶縁層の下面は、配線被覆層と接し、端子被覆層と接しない。そのため、カバー絶縁層と端子被覆層との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。
【００１０】
また、配線被覆層の端部下面との間まで延びるように端子被覆層の一部が形成されるので、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保される。それにより、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【００１１】
（２）導体パターンの端子部の厚みおよび配線被覆層の端部下における配線部の一部分の厚みは、配線部の他の部分の厚みよりも小さく、配線被覆層は、配線部の他の部分上から配線部の一部分の上方に突出するように延び、配線被覆層の突出する部分の下面と配線部の一部分の上面との間に隙間が形成され、端子被覆層は、配線被覆層の突出する部分の下面、配線部の一部分の上面および端子部の表面を被覆するように形成されてもよい。
【００１２】
この場合、配線被覆層の突出する部分の下面、配線部の一部分の上面および端子部の表面を被覆するように端子被覆層が形成されるため、配線被覆層およびカバー絶縁層を平坦に維持しつつ配線被覆層と端子被覆層との接触面積を十分に確保することができる。それにより、配線被覆層とカバー絶縁層との密着性を確保しつつ配線被覆層と端子被覆層との密着性を向上させることができ、導体パターンの腐食を防止することができる。
【００１３】
（３）端子被覆層は、配線被覆層の端面を被覆するように設けられてもよい。
【００１４】
この場合、配線被覆層に液体が接触することが防止される。それにより、配線被覆層の腐食が確実に防止される。
【００１５】
（４）導体パターンは銅を含み、配線被覆層はニッケルを含み、端子被覆層は金を含んでもよい。
【００１６】
この場合、低コストで導体パターンの導電性が確保される。また、配線被覆層により導体パターンの銅のマイグレーションが防止されるとともに、導体パターンとカバー絶縁層との密着性が確保される。さらに、耐食性が高い端子被覆層により、導体パターンおよび配線被覆層の腐食が防止される。
【００１７】
（５）配線被覆層の厚みが０．０１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
【００１８】
この場合、配線被覆層により導体パターンの銅のマイグレーションを確実に防止することができる。また、配線被覆層の加工を容易に行うことができる。
【００１９】
（６）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、導体パターンの配線部および端子部を被覆するように配線被覆層を形成する工程と、導体パターンの端子部上を除く配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去するとともに、配線被覆層の下面と端子部に連続する配線部の部分の上面との間に隙間が形成されるように端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去する工程と、隙間で露出する配線被覆層の下面、隙間で露出する配線部の上面および端子部の表面を被覆するように、電解めっきにより端子被覆層を形成する工程とを備えたものである。
【００２０】
その製造方法においては、導体パターンの端子部上を除く配線被覆層の少なくとも一部を覆うようにベース絶縁層上にカバー絶縁層が形成される。また、配線被覆層の下面、配線部の上面および端子部の表面を被覆するように、端子被覆層が形成される。
【００２１】
この場合、カバー絶縁層の下面は、配線被覆層と接し、端子被覆層と接しない。そのため、カバー絶縁層と端子被覆層との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。
【００２２】
また、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保され、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【００２３】
（７）除去する工程において、配線被覆層に対するエッチング速度よりも導体パターンに対するエッチング速度が大きい選択エッチングを行ってもよい。
【００２４】
この場合、容易にかつ迅速に、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【００２５】
（８）除去する工程において、配線被覆層を溶解させる速度よりも導体パターンを溶解させる速度が大きい薬液を用いてエッチングを行ってもよい。
【００２６】
この場合、容易にかつ迅速に、さらに低コストで、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【００２７】
（９）配線被覆層はニッケルを含み、導体パターンは銅を含み、薬液は硫酸過水を含んでもよい。
【００２８】
この場合、低コストで確実に、導体パターンの端子部上に形成された配線被覆層の部分を除去することができるとともに端子部および端子部に連続する配線部の部分を所定の深さまで除去することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、液体が配線被覆層と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層および導体パターンの腐食が防止される。また、配線被覆層と端子被覆層との接触面積が十分に確保され、配線被覆層と端子被覆層との密着性が向上される。したがって、端子被覆層と配線被覆層との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、導体パターンの腐食が確実に防止される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。
【図２】導体パターンの端子部と配線部との境界部周辺を示す拡大断面図である。
【図３】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】配線回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４（ｇ）および図４（ｈ）の工程の詳細を示す拡大断面図である。
【図６】配線回路基板の第１の変形例の拡大断面図である。
【図７】配線回路基板の第２の変形例の拡大断面図である。
【図８】実施例および比較例において作製された配線回路基板の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態の配線回路基板は、例えば磁気ディスク装置において磁気ヘッドを位置決めするために用いられる。
【００３２】
（１）配線回路基板
図１は、本実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。図１（ｂ）の断面は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面に相当する。
【００３３】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、例えばステンレス鋼からなる金属基板１上に、例えば感光性ポリイミドからなるベース絶縁層２が形成される。ベース絶縁層２上に、例えば銅からなる複数のストライプ状の導体パターン３が形成される。
【００３４】
以下、各導体パターン３の先端部を端子部３ａと呼び、端子部３ａを除く各導体パターン３の部分を配線部３ｂと呼ぶ。
【００３５】
端子部３ａの表面を被覆するように、例えば金からなる端子被覆層６が形成される。配線部３ｂの表面を被覆するように、例えばニッケルからなる配線被覆層４が形成される。複数の導体パターン３の配線部３ｂおよび複数の配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層５が形成される。この場合、配線部３ｂとカバー絶縁層５との間に配線被覆層４が設けられることにより、配線部３ｂの銅のマイグレーションが防止されるとともに、配線部３ｂとカバー絶縁層５との密着性が向上される。
【００３６】
図２は、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺を示す拡大断面図である。なお、図２においては、金属基板１およびベース絶縁層２の図示が省略される。
【００３７】
図２に示すように、配線被覆層４は、カバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように設けられる。また、導体パターン３の端子部３ａの上面の高さが、配線部３ｂの上面の高さ（配線被覆層４の下面の高さ）よりも低く設定される。配線部３ｂの端部近傍において、配線部３ｂの上面は、配線被覆層４の下面から離間するように傾斜する。その配線部３ｂの傾斜面の下端と端子部３ａの上面とが連続する。
【００３８】
端子被覆層６は、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように形成される。ここで、配線被覆層４の端面とは、導体パターン３が延びる方向に垂直な配線被覆層４の面をいう。
【００３９】
（２）配線回路基板の製造方法
次に、図１および図２の配線回路基板１００の製造方法について説明する。図３および図４は、配線回路基板１００の製造工程を示す断面図である。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、まず、例えばステンレス鋼からなる金属層１１および例えば感光性ポリイミドからなる絶縁層１２からなる２層基材を用意する。
【００４１】
金属層１１の材料としては、ステンレス鋼に代えて、アルミニウム等の他の材料を用いてもよい。金属層１１の厚みは、例えば５μｍ以上２０００μｍ以下であり、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
絶縁層１２の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。絶縁層１２の厚みは、例えば３μｍ以上２０００μｍ以下であり、５μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１２に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を行うことにより、所定の形状のベース絶縁層２を形成する。なお、エッチング等の他の方法により絶縁層１２から所定の形状のベース絶縁層２を形成してもよい。その場合、絶縁層１２の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００４４】
次に、図３（ｃ）に示すように、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法等により、絶縁層１２上に導体パターン３を形成する。
【００４５】
導体パターン３の材料としては、銅に代えて、金またはアルミニウム等の他の金属を用いてもよく、銅合金またはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。導体パターン３の厚みは、例えば３μｍ以上２００μｍ以下であり、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
次に、図３（ｄ）に示すように、導体パターン３の表面を被覆するように、無電解めっきにより例えばニッケルからなる配線被覆層４を形成する。この場合、導体パターン３が形成されていない絶縁層１２の部分にめっきレジストを形成し、導体パターン３の表面に選択的に無電解めっきを行う。その後、めっきレジストを除去する。
【００４７】
配線被覆層４の材料としては、ニッケルに代えて、錫等の他の金属を用いてもよく、錫−銅、錫−ビスマスまたは錫−銀等の合金を用いてもよい。配線被覆層４の厚みは、例えば０．０１μｍ以上２μｍ以下であり、０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
次に、図３（ｅ）に示すように、導体パターン３および配線被覆層４を覆うように、ベース絶縁層２上に例えば感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層５を形成する。
【００４９】
カバー絶縁層５の材料としては、感光性ポリイミドに代えて、感光性エポキシ等の他の感光性樹脂材料を用いてもよい。カバー絶縁層５の厚みは、例えば１μｍ以上５０μｍ以下であり、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
次に、図４（ｆ）に示すように、カバー絶縁層５に露光処理、現像処理および加熱硬化処理を施すことにより、カバー絶縁層５を所定の形状に成形する。これにより、導体パターン３の端子部３ａ上に形成された配線被覆層４の部分が露出する。なお、エッチング等の他の方法によりカバー絶縁層５を所定の形状に成形してもよい。その場合、カバー絶縁層５の材料として、感光性を有さないポリイミドまたはエポキシ等の樹脂材料を用いてもよい。
【００５１】
次に、図４（ｇ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分をエッチングにより除去する。次に、図４（ｈ）に示すように、露出する導体パターン３の端子部３ａの表面を被覆するように、電解めっきにより例えば金からなる端子被覆層６を形成する。図４（ｇ）の工程および図４（ｈ）の工程の詳細については後述する。
【００５２】
端子被覆層６の材料としては、金に代えて、パラジウム等の耐食性が高い他の金属を用いてもよい。端子被覆層６の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
そして、図４（ｉ）に示すように、金属層１１をエッチングすることにより所定の形状の金属基板１を形成する。これにより、配線回路基板１００が完成する。
【００５４】
（３）配線被覆層および導体パターンのエッチングおよび端子被覆層の形成
次に、上記の図４（ｇ）の工程および図４（ｈ）の工程の詳細について説明する。
【００５５】
本発明者の実験の結果、図４（ｇ），（ｈ）の工程で、エッチング条件によっては次のような現象が生じることが判明した。
【００５６】
カバー絶縁層５の形成後に、露出する配線被覆層４の部分をエッチング液を用いて除去する場合、カバー絶縁層５の端部下における配線被覆層４の部分にもエッチング液が浸透し、その配線被覆層４の部分も余分に除去される。その状態で、電解めっきにより端子被覆層６が形成されると、端子被覆層６は、カバー絶縁層５の端部下まで延びる。
【００５７】
端子被覆層６とカバー絶縁層５とは互いに接着されず、単に接触するだけの状態である。そのため、端子被覆層６とカバー絶縁層５との間に液体が入り込み、そのまま保持されることがある。この場合、液体が配線被覆層４に接触する状態で維持される。それにより、配線被覆層４が徐々に腐食する。さらに、配線被覆層４が腐食することにより、配線被覆層４下の導体パターン３も腐食する。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、以下のようにして、配線被覆層４および導体パターン３のエッチングならびに端子被覆層６の形成が行われ、端子被覆層６とカバー絶縁層５との間で液体が保持されることが防止される。
【００５９】
図５は、図４（ｇ）および図４（ｈ）の工程の詳細を示す拡大断面図である。図５には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００６０】
図５（ａ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分（端子部３ａ上の配線被覆層４の部分）にエッチング液をスプレーする。エッチング液としては、配線被覆層４を溶解させる速度よりも導体パターン３を溶解させる速度が大きい薬液が用いられる。また、導体パターン３を溶解させる速度が配線被覆層４を溶解させる速度の１．１倍以上である薬液を用いることが好ましい。このような薬液としては、硫酸過水または硝酸過水がある。
【００６１】
この場合、エッチング液が直接スプレーされない配線被覆層４の部分、すなわち、カバー絶縁層５下の配線被覆層４の部分は、ほとんど溶解しない。一方、導体パターン３は、エッチング液の浸透によって比較的容易に溶解する。それにより、図５（ｂ）に示すように、露出する配線被覆層４の部分が除去され、カバー絶縁層５下の配線被覆層４の部分が除去されない。また、配線被覆層４下の端子部３ａの厚みｄ１の部分が除去されるとともに、配線被覆層４の下面から配線部３ｂの上面が離間するように配線部３ｂの端部近傍の部分が除去される。
【００６２】
なお、エッチングにより除去される端子部３ａの部分の厚みｄ１は、例えば０．０１μｍ以上５μｍ以下であり、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。また、配線被覆層４下においてエッチングにより除去される配線部３ｂの部分の幅ｄ２は、例えば０μｍより大きく５μｍ以下であり、０μｍより大きく３μｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
そして、図５（ｃ）に示すように、電解めっきにより、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように、例えば金からなる端子被覆層６が形成される。
【００６４】
（４）効果
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように設けられる。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が設けられる。
【００６５】
この場合、カバー絶縁層５の下面は、配線被覆層４と接し、端子被覆層６と接しない。そのため、カバー絶縁層５と端子被覆層６との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層４と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止される。
【００６６】
また、配線被覆層４と端子被覆層６との接触面積が十分に確保され、端子被覆層６と配線被覆層４との密着性が向上される。したがって、端子被覆層６と配線被覆層４との間に液体が流入することが確実に防止される。その結果、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が確実に防止される。
【００６７】
（５）変形例
（５−１）第１の変形例
図６は、配線回路基板１００の第１の変形例の拡大断面図である。図６には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００６８】
図６に示す配線回路基板１００ａについて、上記の図１および図２に示す配線回路基板１００と異なる点を説明する。
【００６９】
図６の配線回路基板１００ａにおいては、配線被覆層４の端面、配線部３ｂと離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４と離間する配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように、電解めっきにより例えばニッケルからなる第１の層６ａが形成される。第１の層６ａの表面を被覆するように、電解めっきにより例えば金からなる第２の層６ｂが形成される。第１および第２の層６ａ，６ｂにより、端子被覆層６ｃが構成される。
【００７０】
この場合、導体パターン３と第２の層６ｂとの間に第１の層６ａが設けられることにより、第２の層６ｂへの導体パターン３の銅のマイグレーションが防止される。
【００７１】
（５−２）第２の変形例
図７は、配線回路基板１００の第２の変形例の拡大断面図である。図７には、図２と同様に、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００７２】
図７に示す配線回路基板１００ｂについて、上記の図１および図２に示す配線回路基板１００と異なる点を説明する。
【００７３】
図７の配線回路基板１００ｂにおいては、配線被覆層４の端部が露出するようにカバー絶縁層５が設けられる。また、配線被覆層４の下面の部分、配線部３ｂの上面の部分（傾斜面）、および端子部３ａの表面と密着するように端子被覆層６が形成される。
【００７４】
本例においても、カバー絶縁層５の下面は、配線被覆層４と接し、端子被覆層６と接しない。そのため、カバー絶縁層５と端子被覆層６との間で液体が保持されることがない。それにより、液体が配線被覆層４と接触する状態で維持されることが防止される。したがって、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止される。
【００７５】
また、配線被覆層４と端子被覆層６との接触面積が十分に確保され、端子被覆層６と配線被覆層４との密着性が向上される。それにより、端子被覆層６と配線被覆層４との間に液体が流入することが確実に防止され、導体パターン３の腐食が確実に防止される。
【００７６】
（６）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられるが、ベース絶縁層２下に金属基板１が設けられなくてもよい。
【００７７】
また、上記実施の形態では、湿式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されるが（図５（ａ），（ｂ）参照）、乾式エッチング法を用いた選択エッチングにより配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されてもよい。この場合、導体パターン３に対するエッチング速度が配線被覆層４に対するエッチング速度よりも大きいことが好ましく、導体パターン３に対するエッチング速度が配線被覆層４に対するエッチング速度の２倍以上であることが好ましい。
【００７８】
また、レーザ加工技術等による他の方法により配線被覆層４の部分および導体パターン３の部分が除去されてもよい。
【００７９】
（７）実施例および比較例
（７−１）実施例
図３〜図５の製造方法に基づいて、図１および図２の配線回路基板１００を作製した。なお、金属基板１の材料としてステンレス鋼を用い、ベース絶縁層３の材料として感光性ポリイミドを用い、導体パターン３の材料として銅を用い、配線被覆層４の材料としてニッケルを用い、カバー絶縁層５の材料として感光性ポリイミドを用い、端子被覆層６の材料として金を用いた。
【００８０】
また、エッチング前の導体パターン３の厚みを１０μｍとし、配線被覆層４の厚みを０．１μｍとし、カバー絶縁層５の厚みを５μｍとし、端子被覆層６の厚みを１μｍとした。
【００８１】
また、図４（ｇ）（図５（ａ））の工程において、エッチング液として硫酸過水を用い、エッチング時間を６０秒とした。エッチング後の端子部３ａの厚みは６μｍであった。
【００８２】
（７−２）比較例
比較例においては、以下の点を除いて、上記実施例と同様に配線回路基板１００を作製した。
【００８３】
比較例では、図４（ｇ）（図５（ａ））の工程において、硝酸過水を端子部３ａ上の配線被覆層４の部分にスプレーすることにより、配線被覆層４のエッチングを行った。その後、硫酸過水を端子部３ａの表面にスプレーすることにより、端子部３ａの表面のエッチングを行った。
【００８４】
（７−３）評価
図８（ａ）は、実施例において作製された配線回路基板１００の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。図８（ｂ）は、比較例において作製された配線回路基板１００の断面のＳＥＭ写真を模式的に示した図である。なお、図８（ａ），（ｂ）には、導体パターン３の端子部３ａと配線部３ｂとの境界部周辺が示される。
【００８５】
図８（ａ）に示すように、実施例においては、カバー絶縁層５の下面の一端まで延びるように配線被覆層４が形成された。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成された。
【００８６】
一方、図８（ｂ）に示すように、比較例においては、カバー絶縁層５の端部下における配線被覆層４の部分がエッチングにより除去された。また、配線被覆層４の端面、配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆し、かつカバー絶縁層５の下面に接するように端子被覆層６が形成された。
【００８７】
これにより、配線被覆層４を溶解させる速度よりも導体パターン３を溶解させる速度が大きい薬液を用いて配線被覆層４および端子部３ａのエッチングを行うことにより、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延び、配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成されることがわかった。
【００８８】
また、実施例および比較例において作製された配線回路基板１００のＰＣＴ（Pressure Cooker Test）を行い、高温、高湿および高圧の条件下における配線被覆層４および導体パターン３の変化を調べた。
【００８９】
その結果、実施例の配線回路基板１００においては、配線被覆層４および導体パターン３に腐食が生じなかった。一方、比較例の配線回路基板１００においては、カバー絶縁層５の端部近傍において、配線被覆層４および導体パターン３に腐食が生じた。
【００９０】
これにより、配線被覆層４がカバー絶縁層５の下面の一端まで延び、かつ配線被覆層４の端面、配線部３ｂから離間する配線被覆層４の下面の部分、配線被覆層４から離間する配線部３ｂの上面の部分、および端子部３ａの表面を被覆するように端子被覆層６が形成されることにより、配線被覆層４および導体パターン３の腐食が防止されることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【符号の説明】
【００９２】
１ 金属基板
２ ベース絶縁層
３ 導体パターン
３ａ 端子部
３ｂ 配線部
４ 配線被覆層
５ カバー絶縁層
６ 端子被覆層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、
前記導体パターンの前記配線部を被覆するように形成される配線被覆層と、
前記配線被覆層の少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、
前記導体パターンの前記端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、
前記端子被覆層の一部は、前記配線部の端部上面と前記配線被覆層の端部下面との間まで延びるように形成され、
前記カバー絶縁層は、前記配線被覆層の端部から前記端子部上にはみ出さないように形成されることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記導体パターンの前記端子部の厚みおよび前記配線被覆層の端部下における前記配線部の一部分の厚みは、前記配線部の他の部分の厚みよりも小さく、
前記配線被覆層は、前記配線部の前記他の部分上から前記配線部の前記一部分の上方に突出するように延び、前記配線被覆層の突出する部分の下面と前記配線部の前記一部分の上面との間に隙間が形成され、
前記端子被覆層は、前記配線被覆層の前記突出する部分の下面、前記配線部の前記一部分の上面および前記端子部の表面を被覆するように形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記端子被覆層は、前記配線被覆層の端面を被覆するように設けられることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記導体パターンは銅を含み、前記配線被覆層はニッケルを含み、前記端子被覆層は金を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記配線被覆層の厚みが０．０１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの前記配線部および前記端子部を被覆するように配線被覆層を形成する工程と、
前記導体パターンの前記端子部上を除く前記配線被覆層の少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、
前記導体パターンの前記端子部上に形成された前記配線被覆層の部分を除去するとともに、前記配線被覆層の下面と前記端子部に連続する前記配線部の部分の上面との間に隙間が形成されるように前記端子部および前記端子部に連続する前記配線部の部分を所定の深さまで除去する工程と、
前記隙間で露出する前記配線被覆層の下面、前記隙間で露出する前記配線部の上面および前記端子部の表面を被覆するように、電解めっきにより端子被覆層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記除去する工程において、
前記配線被覆層に対するエッチング速度よりも前記導体パターンに対するエッチング速度が大きい選択エッチングを行うことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記除去する工程において、
前記配線被覆層を溶解させる速度よりも前記導体パターンを溶解させる速度が大きい薬液を用いてエッチングを行うことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線被覆層はニッケルを含み、前記導体パターンは銅を含み、前記薬液は硫酸過水を含むことを特徴とする請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成され、端子部および配線部を有する導体パターンと、
前記導体パターンの前記配線部を被覆するように形成される配線被覆層と、
前記配線被覆層の少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層と、
前記導体パターンの前記端子部を被覆するように形成される端子被覆層とを備え、
前記端子被覆層の一部は、前記配線部の端部上面と前記配線被覆層の端部下面との間まで延びるように形成され、
前記カバー絶縁層は、前記配線被覆層の端部から前記端子部上にはみ出さないように形成されることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記導体パターンの前記端子部の厚みおよび前記配線被覆層の端部下における前記配線部の一部分の厚みは、前記配線部の他の部分の厚みよりも小さく、
前記配線被覆層は、前記配線部の前記他の部分上から前記配線部の前記一部分の上方に突出するように延び、前記配線被覆層の突出する部分の下面と前記配線部の前記一部分の上面との間に隙間が形成され、
前記端子被覆層は、前記配線被覆層の前記突出する部分の下面、前記配線部の前記一部分の上面および前記端子部の表面を被覆するように形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記端子被覆層は、前記配線被覆層の端面を被覆するように設けられることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記導体パターンは銅を含み、前記配線被覆層はニッケルを含み、前記端子被覆層は金を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記配線被覆層の厚みが０．０１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
ベース絶縁層上に端子部および配線部を有する導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの前記配線部および前記端子部を被覆するように配線被覆層を形成する工程と、
前記導体パターンの前記端子部上を除く前記配線被覆層の少なくとも一部を覆うように前記ベース絶縁層上にカバー絶縁層を形成する工程と、
前記導体パターンの前記端子部上に形成された前記配線被覆層の部分を除去するとともに、前記配線被覆層の下面と前記端子部に連続する前記配線部の部分の上面との間に隙間が形成されるように前記端子部および前記端子部に連続する前記配線部の部分を所定の深さまで除去する工程と、
前記隙間で露出する前記配線被覆層の下面、前記隙間で露出する前記配線部の上面および前記端子部の表面を被覆するように、電解めっきにより端子被覆層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記除去する工程において、
前記配線被覆層に対するエッチング速度よりも前記導体パターンに対するエッチング速度が大きい選択エッチングを行うことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記除去する工程において、
前記配線被覆層を溶解させる速度よりも前記導体パターンを溶解させる速度が大きい薬液を用いてエッチングを行うことを特徴とする請求項７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線被覆層はニッケルを含み、前記導体パターンは銅を含み、前記薬液は硫酸過水を含むことを特徴とする請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−９６７２１（Ｐ２０１１−９６７２１Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２４６６７３（Ｐ２００９−２４６６７３）
【出願日】平成２１年１０月２７日（２００９．１０．２７）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月２７日（２００９．１０．２７）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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