配線基板及びその製造方法
【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、その層に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６はスズ、銅又は半田を主体とし、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有すると共に、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部が層１３の外表面１３２に密着されている。
【解決手段】導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、その層に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６はスズ、銅又は半田を主体とし、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有すると共に、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部が層１３の外表面１３２に密着されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、導体ポストを有する配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装の手法として、例えば、Ｃ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）工法が採用されている。Ｃ４工法で利用される配線基板は表面がソルダーレジスト層で覆われ、ソルダーレジスト層に必要に応じて穿孔された開口部に立設されたバンプ（導体ポスト）と、配線基板内の導体層と、が電気的に接続されることで、配線基板内外が導通される構造となっている。このようなＣ４工法で用いられる配線基板に代表されるように、バンプを利用した接続が行われる配線基板においては、高密度化の進行で、昨今のバンプピッチは最小１４５μｍにも達している。しかし、今後も更なる高密度化が進行することが予測され、より狭いバンプピッチ（次々世代でのバンプチップとして、例えば、１００μｍ）が必要となると考えられる。このように、バンプピッチが狭くなるに連れて、ソルダーレジスト層に穿孔される前記開口部の径も小さくなると考えられるが、一方で、必要とされるバンプの高さは今後も維持されると考えられる。即ち、より高いアスペクト比を有する形状のバンプが必要とされると考えられる。
尚、本発明の係る従来技術として下記特許公報１〜６が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２０５０９６号公報
【特許文献２】特開２００９−１６４４４２号公報
【特許文献３】特開２００６−２７９０６２号公報
【特許文献４】米国特許第７２１６４２４号明細書
【特許文献５】米国特許第６２２９２２０号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００５／００２９１１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記高密度化に対応した高アスペクト比のバンプの形成には困難を伴う。即ち、一般的なバンプ形成方法としては、半田印刷法及びボール搭載法が知られている。
半田印刷法は、スクリーンマスク２２を介在させ、スキージ２１を用いてペースト半田３０を印刷してバンプを形成する方法である。図１０に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、ペースト半田３０を導体層１２ａ上に正常に印刷することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、マスク２２自体の製作が難しく、また、その精度を十分に確保し難い。更に、マスク２２を形成できたとしても、マスク２２に開口される貫通孔１３１の径が小さいために、マスク２２内での目詰まりを起こし易く、ペースト半田３０を印刷し難いという問題がある。また、図１１に例示されるように、ペースト半田３０を印刷できたとしても、印刷されたペースト半田３０が導体層１２ａと接し難いなどの問題がある。
【０００５】
一方、ボール搭載法は、予め形成された半田ボール４０を導出目的の導体層１２ａ上に接合して、その半田ボール４０をバンプとして利用する方法である。図１２に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、半田ボール４０を導体層１２ａと接続することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、貫通孔１３１の径に合わせた半田ボール４０を用いると十分なバンプ高さを確保することができない。一方、図１３に例示されるように、バンプの高さを確保するために、半田ボール４０の径を大きくすると、半田ボール４０の曲率が小さくなるために、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａに半田ボール４０が接することができなくなる（いわゆる「はじき」）という問題がある。また、隣接する半田ボール４０同士が接続されてしまう（いわゆる「ブリッジ」）という不具合を生じるおそれもある。
【０００６】
これらの従来汎用されている方法に代替し得る方法としてバンプをめっき形成する方法が考えられる。しかし、この方法では、通常、めっき液は樹脂層に対する浸食性を有するために、フォトリソ法を用いて形成されるソルダーレジスト層が十分な耐食性を発揮できない。また、バンプをめっき形成する場合、そのバンプ概形を決める型枠層を用いる必要があるが、型枠層に形成する開口部と、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部とを一致させて形成することが困難であるという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、本発明は以下に示す通りである。
〈１〉導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポストはスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポストは、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有すると共に、該上部導体ポストの下端面の少なくとも一部が該ソルダーレジスト層の外表面に密着されていることを特徴とする配線基板。
〈２〉前記ソルダーレジスト層の外表面に密着された前記上部導体ポストの下端面に、パラジウムが含まれる前記〈１〉に記載の配線基板。
〈３〉前記ソルダーレジスト層の前記貫通孔の内側面に密着された前記下部導体ポストの外側面に、パラジウムが含まれる前記〈１〉又は〈２〉に記載の配線基板。
〈４〉前記下部導体ポストのうちの前記導体層との密着部位に、ニッケル及び金を含む前記〈１〉乃至〈３〉のうちのいずれかに記載の配線基板。
〈５〉前記導体ポストがスズからなり、
前記導体ポストのうちの前記下部導体ポストの外側及び下端に各々、銅とスズとを含む合金層を有する前記〈１〉乃至〈４〉のうちのいずれかに記載の配線基板。
〈６〉前記合金層のうちの前記下部導体ポストの外側に位置する外側合金層は、前記合金層のうちの前記下部導体ポストの下端に位置する下端合金層よりも厚い前記〈５〉に記載の配線基板。
〈７〉前記〈１〉に記載の配線基板の製造方法であって、
表面に導体層を備えた素基板の該表面に熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記ソルダーレジスト層に第１貫通孔を穿設する第１貫通孔穿設工程と、
これまでに得られた素基板を覆うようにフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第１貫通孔に連通されると共に、該第１貫通孔よりも径の大きい第２貫通孔を前記フォトレジスト層に穿設する第２貫通孔穿設工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズ、銅又は半田からなる導体ポストをめっき形成する８５導体ポスト形成工程と、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、をこの順に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
〈８〉前記第１貫通孔穿設工程後であり、且つ、前記フォトレジスト層形成工程前に、前記ソルダーレジスト層の外表面に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層を形成する無電解めっき層形成工程を備える前記〈７〉に記載の配線基板の製造方法。
〈９〉前記無電解めっき層形成工程では、前記ソルダーレジスト層の前記第１貫通孔内にもパラジウムを含む触媒を塗布する前記〈８〉に記載の配線基板の製造方法。
〈１０〉無電解めっき層形成工程前に、前記第１貫通孔内に露出された前記導体層の表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層を形成する介在層形成工程を備える前記〈９〉に記載の配線基板の製造方法。
〈１１〉前記導体ポスト形成工程では、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズからなる導体ポストをめっき形成すると共に、
前記フォトレジスト層除去工程の後に、前記導体ポストを加熱する導体ポスト加熱工程を備える前記〈７〉乃至〈１０〉のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、導体ポスト１６の高密度化に対応できる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０とすることができる。これにより、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を用いることができる。更に、この導体ポスト１６を用いて、配線基板１０とこの配線基板１０に実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる。
ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに、パラジウムが含まれる場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に優れた配線基板１０とすることができる。
ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれる場合は、ソルダーレジスト層１３内部と導体ポスト１６との間の接合強度に優れ、導体ポスト１６の接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
導体ポスト１６がスズからなり、導体ポスト１６のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃ及び下端１６１ｂに各々、銅とスズとを含む合金層１６５を有する場合には、導体ポスト１６１と導体層１２及びソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の内壁面１３１ｃとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃに位置する外側合金層１６５ｃが、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の下端１６１ｂに位置する下端合金層１６５ｂよりも厚い場合には、導体ポスト１６１と導体層１２及びソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の内壁面１３１ｃとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、導体ポスト１６の高密度化を行うことができる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０を得ることができ、更には、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を備える配線基板１０を得ることができる。従って、実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる配線基板１０が得られる。
第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する無電解めっき層形成工程ＰＲ４を備える場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に優れた配線基板１０を得ることができる。
無電解めっき層形成工程ＰＲ４において、ソルダーレジスト層１３の第１貫通孔１３１内にもパラジウムを含む触媒を塗布する場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に加えて、第１貫通孔１３１の内壁面１３１ｃと導体ポスト１６との間の接合強度にも優れた配線基板１０を得ることができる。
無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する介在層形成工程ＰＲ３を備える場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０を得ることができる。
導体ポスト形成工程ＰＲ７では、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズからなる導体ポスト１６をめっき形成すると共に、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱する導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を備える場合は、導体ポスト１６の位置精度が高く、且つ、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本配線基板を説明する模式的な断面図である。
【図２】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図３】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図４】本製造方法を説明する模式的な工程図である。
【図５】本製造方法を説明する図４に続く模式的な工程図である。
【図６】本製造方法を説明する図５に続く模式的な工程図である。
【図７】本製造方法における第１貫通孔と第２貫通孔との相関を説明する説明図である。
【図８】本製造方法における第１貫通孔と第２貫通孔との相関を説明する説明図である。
【図９】第１貫通孔と第２貫通孔とが同径である場合の問題点を説明する説明図である。
【図１０】従来の製造方法を説明する模式的な説明図である。
【図１１】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な説明図である。
【図１２】従来の製造方法を説明する模式的な他の説明図である。
【図１３】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な他の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明について、図１〜８を参照しながら以下詳細に説明する。
本発明の配線基板１０は、導体層１２と、該導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、該ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、
前記ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポスト１６はスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポスト１６は、前記貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、該下部導体ポスト１６１上に位置して、前記ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有すると共に、該上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの一部が該ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されていることを特徴とする。
【００１２】
前記「配線基板（１０）」は、導体層１２と、ソルダーレジスト層１３と、導体ポスト１６と、を備える。
このうち、前記「導体層（１２）」は、配線基板１０において導体回路等として機能される層である。これらの導体層１２は、一連（即ち、連続した一枚）の導体からなってもよく、同一平面内に配設された複数の導体からなってもよい。また、導体層１２のうち、後述するソルダーレジスト層１３に穿設された貫通孔１３１の下方に配置された導体層は導体層１２ａである。この導体層１２ａは、導体層１２内の独立した１つの導体であってもよく、連続する導体の一部であってもよい。また、導体層１２の形状等は特に限定されない。また、その材質も特に限定されないが、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等であることが好ましく、このうち、通常、銅が用いられる。
【００１３】
前記「ソルダーレジスト層（１３）」は、導体層１２上に積層された層である。通常、ソルダーレジスト層１３は、この配線基板に部品を実装する際に利用されるリフロー工程において、半田が意図しない部位へ付着することを防止するための層として機能される。このソルダーレジスト層１３は、導体層１２との間に絶縁層等の他の層を介在していてもよい。
このソルダーレジスト層１３の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。ソルダーレジスト層１３の厚さがこの範囲である場合には、本発明の構成を有することによる前記種々の効果をより得易いからである。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下が特に好ましい。
【００１４】
更に、本発明の配線基板のソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含む。ソルダーレジスト層１３が熱硬化性樹脂を含むことにより、リフロー工程における不要な半田の付着を防止しながら、めっき液に対する耐性（特に耐アルカリ性）を付与できる。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａの表面に無電解めっき又は電解めっきの少なくとも一方を形成することが可能となる。
【００１５】
前記熱硬化性樹脂の種類は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。これらのなかでも特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
ソルダーレジスト層１３に含まれる熱硬化性樹脂の量は特に限定されないが、通常、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中に最も多く（体積として最も多く含まれる）含まれる。即ち、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料において熱硬化性樹脂が主体となっている。より具体的には、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料を１００体積％において熱硬化性樹脂は５０体積％を超え（１００体積％であってもよい）て含まれることが好ましい。このソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中における熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、より好ましくは５０体積％を超え且つ１００体積％以下とすることができ、更に好ましくは８０体積％以上且つ１００体積％以下とすることができる。また、ソルダーレジスト層１３に含むことができる熱硬化性樹脂以外の他の有機材料としては、ゴム及び熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００１６】
また、ソルダーレジスト層には、上記熱硬化性樹脂を含む有機材料以外に充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー、通常、無機材料である）等が含まれてもよい。充填剤が含まれる場合、ソルダーレジスト層１３全体を１００質量％とした場合に、充填剤は７０質量％以下である。
【００１７】
また、ソルダーレジスト層１３は、貫通孔１３１を有し、この貫通孔１３１の下方には導体層１２ａが位置されている。そして、貫通孔１３１を介して、導体層１２ａは導体ポスト１６と接続されて、ソルダーレジスト層１３外へと導通される。
貫通孔１３１の平面形状は特に限定されず、円形状であってもよく、四角形等の多角形状であってもよく、更にその他の形状であってもよいが、円形状が好ましい。また、この貫通孔１３１の大きさも特に限定されないが、通常、導体層１２ａの一部のみが露出される大きさ（即ち、導体層１２ａの全部が露出されないことが好ましい）である。更に、通常、貫通孔１３１の開口の大きさは下部導体ポスト１６１に等しく、貫通孔１３１の深さはソルダーレジスト層１３の深さに等しい。また、貫通孔１３１の直径が小さいほど本発明の効果をより得やすく、より具体的には、貫通孔１３１の平面形状が円形状である場合、その直径ｄ１６１は１０μｍ以上３００μｍ以下であると共に、深さ（ソルダーレジスト層１３の厚さ）は１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。このような貫通孔１３１を備える配線基板１０では、本発明の効果をより得易い。この直径ｄ１６１は３０μｍ以上１５０μｍ以下であると共に、深さは５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、直径は４０μｍ以上１００μｍ以下であると共に、深さは１０μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００１８】
前記「導体ポスト（１６）」は、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体である。そして、導体ポスト１６は、貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａをソルダーレジスト層１３外へ導出する導体として機能できる。
また、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とする導体である。導体ポスト１６が、スズを主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＳｎを含むことを意味する。また、Ｓｎ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＰｂ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
同様に、導体ポスト１６が、銅を主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＣｕを含むことを意味する。また、Ｃｕ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｓｎ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
【００１９】
更に、導体ポスト１６が、半田を主体とするとは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｕの群から選ばれる２種以上の金属元素の合計含有量が、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）であることを意味する。より具体的には、導体ポスト１６を構成する半田として、ＳｎＰｂ半田、ＳｎＢｉ半田、ＳｎＡｇＣｕ半田、ＳｎＺｎＢｉ半田、ＳｎＣｕ半田、ＳｎＡｇＩｎＢｉ半田、ＳｎＺｎＡｌ半田、ＳｎＣｕＮｉＧｅ半田等が挙げられる。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。尚、導体ポスト１６の融点は、通常、１８０℃以上２５０℃以下である。
【００２０】
また、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有する。ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなるとは、換言すれば、ソルダーレジスト層１３の外側へ向かって上部導体ポスト１６２が突出していることを意味する。これにより、導体ポスト１６は、配線基板１０の表面から突出して、部品を実装できる構成となっている。
この上部導体ポスト１６２の形状（平面形状及び側面形状等を含む）は特に限定されないが、例えば、平面形状は円形状、四角形状等とすることができる。また、側面形状（側断面の形状）は、半円形状（傘型、椀型等）、四角形状等とすることができる。
【００２１】
更に、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部がソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されている。即ち、換言すれば、導体ポスト１６は、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂが、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成されることにより、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部がソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されている。この構造を有することにより、導体ポスト１６は、導体層１２ａと、又は、導体層１２ａと他層を介して接合されるだけでなく、ソルダーレジスト層１３に密着されるために、配線基板に対して高い強度で配設される。
【００２２】
前記導体ポスト１６において、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂは、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成されればよく特に限定されないが、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの面積は、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの面積の、１．０倍よりも大きく２５．０倍以下であることが好ましい。この範囲では、導体ポスト１６間のピッチを小さくしつつ、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の外表面１３２とで十分な密着を得ることができる。更に、この値は、１．０倍よりも大きく９．０倍以下であることがより好ましく、１．０倍よりも大きく４倍以下であることが特に好ましい。これらの範囲ではとりわけ優れた効果が得られる。
より具体的には、下部導体ポスト１６１及び上部導体ポスト１６２の両方の平面形状が円形である場合において、図２に示すように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径をｄ１６２とし、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径をｄ１６１とした場合に、ｄ１６２／ｄ１６１は、１．０よりも大きく５．０以下であることが好ましく、１．０よりも大きく３．０以下であることがより好ましく、１．０よりも大きく２．０以下であることが特に好ましい。
【００２３】
更に、本発明の配線基板１０では、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに、パラジウムを含むことができる。この下端面１６２ｂにパラジウムが含まれる場合、導体ポスト１６は、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２と特に優れた接合強度を発揮できる。
このパラジウムは、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布され、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、導体ポスト１６の一部となるため、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３との接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、例えば、２５０℃以上の加温）には、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくてもよく、導体ポスト１６の外表面を構成する合金層１６５（図３参照）内にパラジウムが含有されてもよい。
【００２４】
更に、本発明の配線基板１０では、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムを含むことができる。この外側面１６１ｃにパラジウムが含まれる場合、導体ポスト１６は、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面（内壁面）１３１ｃと特に優れた接合強度を発揮できる。
このパラジウムは、前記上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに含まれる場合と同様に、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布される。そして、このパラジウムは、ソルダーレジスト層１３の内側面１３１ｃに形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、導体ポスト１６の一部となるため、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３との接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、例えば、２５０℃以上の加温）には、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくてもよく、導体ポスト１６の外表面を構成する合金層１６５（図３参照）内にパラジウムが含有されてもよい。
【００２５】
導体ポスト１６にパラジウムが含有される場合、即ち、上部導体ポスト１６２の下端面のうち、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２と密着された下端面１６２ｂや、下部導体ポスト１６１の外側面のうち、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれる場合は、通常、パラジウムは導体ポスト１６の外表面から内部に向かって５μｍの範囲に含有される。この範囲は、導体ポスト１６内において、無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後の形態参照）として存在してもよく、合金層１６５（図３参照）として存在してもよい。
【００２６】
更に、前記下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含むことができる。この密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含むことにより、下部導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度が向上される。このニッケル及び金は、後述する配線基板の製造方法における介在層１７を形成することにより密着部位１６１ｂに含有させることができる。
この密着部位１６１ｂには、ニッケル及び金以外にも、他の成分を含有することができる。他の成分としては、パラジウム、等が挙げられる。
特に、導体ポスト１６がスズ又は半田を主体とする場合には、この密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金が同時に含有されることにより、密着部位１６１ｂにおいて、接合強度を低下要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６が得られる。
密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金が含まれる場合は、通常、ニッケル及び金は、下部導体ポスト１６１の外表面から内部に向かって１００μｍの範囲に含有される。
【００２７】
また、前記導体ポスト１６がスズからなる場合には、導体ポスト１６のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃ及び下端１６１ｂに各々、銅とスズとを含む合金層１６５を有することができる（図３参照）。この合金層１６５は、無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、導体ポストの融点以上であれば良いが、例えば、２５０℃以上の加温）に形成される層である。合金層１６５を備える場合には、導体ポスト１６全体のソルダーレジスト層１３への接合強度がとりわけ向上されて、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。
【００２８】
更に、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃに位置する外側合金層１６５ｃは、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の下端１６１ｂに位置する下端合金層１６５ｂよりも厚いものとすることが好ましい。これにより、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。外側合金層１６５ｃの厚さは、下端合金層１６５ｂの厚さよりも厚ければよい。
尚、外側合金層１６５ｃの厚さは、下部導体ポスト１６１の高さ中央（高さを２等分する位置）における５ヶ所の厚さの平均値である。また、下端合金層１６５ｂの厚さは、下部導体ポスト１６１を平面視した場合の中央において測定される厚さである。
【００２９】
また、配線基板は、ソルダーレジスト層、導体層及び導体ポスト以外にも他の構成を備えることができる。他の構成としては、コア基板、絶縁層、内装部品等が挙げられる。
このうち、コア基板は、絶縁材料から構成され、通常、板状体である。また、配線基板１０の厚さ方向における中心部をなすことができる。コア基板を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板は、複層化されていてもよく、更には、内部に導体層（内層パターン）を有していてもよい。また、絶縁層は、コア基板上に積層された導体層間を絶縁する機能を有する層である。この絶縁層は、前記コア基板を構成する絶縁材料と同様の絶縁材料から構成できる。
【００３０】
更に、本発明の配線基板は、その内部に収容部を備える場合には、収容部内に内装部品を有することができる。
収容部の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。また、前記内装部品としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、コンデンサが好ましく、特に積層セラミックコンデンサが好適である。更に、収容部内に内装された内装部品と収容部との間隙には、内装部品とコア基板との熱膨張係特性を緩和する機能を有する絶縁材が充填されてなる充填部を有することができる。通常、充填部は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂からなるか、又は、これらの樹脂とシリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラスなどの無機材料からなる無機フィラーと、の混合物からなる。
【００３１】
［２］配線基板の製造方法
本発明の製造方法は、前記本発明の配線基板１０の製造方法であって、ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１と、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２と、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５と、第２貫通孔穿設工程ＰＲ６と、導体ポスト形成工程ＰＲ７と、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８と、をこの順に備えることを特徴とする。
【００３２】
前記「ソルダーレジスト層形成工程（ＰＲ１）」は、表面に導体層１２を備えた素基板２０のその表面（導体層１２は、素基板２０の当該表面の全面に形成されていてもよいが、通常、当該表面の一部に形成されている）に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を形成する工程である。素基板２０の構成は特に限定されないが、導体層１２以外に、コア基板及び絶縁層等を備えることができる。即ち、例えば、ガラスエポキシをコア１１とした両面銅張り板の表面導体層がパターニングされてなる導体層１２を備える基板を素基板２０として利用できる。更に、例えば、ガラスエポキシをコアとした両面銅張り板をコア基板とし、その表面に順次ビルドアップされた絶縁層及び各絶縁層の層間で接続された導体層を備え、且つ、最表面にパターニングされた導体層１２が配置された素基板２０を用いることができる。
【００３３】
素基板２０上にソルダーレジスト層１３を形成する方法は特に限定されず、（１）フィルム状のソルダーレジスト組成物を素基板２０の表面に塗布した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）ソルダーレジスト層１３となるドライフィルムを素基板２０の表面に貼着した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。また、前記（１）の方法を利用する場合には、液状のソルダーレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により素基板２０上に塗布できる。尚、ソルダーレジスト層１３の厚さについては、前述の通りである。
【００３４】
前記「第１貫通孔穿設工程（ＰＲ２）」は、ソルダーレジスト層１３に第１貫通孔１３１を穿設する工程である。この工程では、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよく、また、レーザー穿孔法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよい。尚、第１貫通孔１３１については、前述のソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１における記載をそのまま適用できる。
【００３５】
前記「フォトレジスト層形成工程（ＰＲ５）」は、これまでに得られた素基板２０を覆うようにフォトレジスト層１５を形成する工程である。即ち、少なくとも第１貫通孔１３１が穿孔されたソルダーレジスト層１３上に、直接的に、又は、他の層を介して間接的に、フォトレジスト層１５を形成する工程である。
フォトレジスト層１５を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のフォトレジスト組成物を、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、塗布した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）フォトレジスト層１５となるドライフィルムを、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、貼着した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。前記（１）の方法を利用する場合には、液状のフォトレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により塗布できる。一方、前記（２）の方法を利用する場合には、ドライフィルムを押圧して密着させることができる。この場合には、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることができる。
【００３６】
前記フォトレジスト層１５の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。フォトレジスト層１５の厚さがこの範囲である場合には、上部導体ポスト１６２をソルダーレジスト層１３より外側へ十分に張り出して形成できると共に、導体ポスト１６を介した外部との良好な接続を得ることができる。このフォトレジスト層１５の厚さは５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
【００３７】
前記「第２貫通孔穿設工程（ＰＲ６）」は、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通されると共に、第１貫通孔１３１よりも径の大きい第２貫通孔１５１をフォトレジスト層１５に穿設する工程である。前記第２貫通孔１５１は、フォトレジスト層１５に穿孔された貫通孔であり、ソルダーレジスト層１３まで貫通された孔である。また、第２貫通孔１５１は、第１貫通孔１３１よりも径が大きい孔である。この第２貫通孔１５１は、導体ポスト１６のうち、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２を形成するための型枠となる孔である。この貫通孔１５１が貫通孔１３１よりも大径に穿孔されていることにより、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂを、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成でき、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部をソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着させることができる。
【００３８】
従って、貫通孔１５１の下端径は、貫通孔１３１の上端径よりも大きく形成される。この径の具体的な差異は特に限定されないが、貫通孔１５１の下端面積（上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの面積に対応）は、貫通孔１３１の上端面積（下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの面積に対応）の、１．０倍よりも大きく２５．０倍以下であることが好ましい。この範囲では、導体ポスト１６間のピッチを小さくしつつ、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の外表面１３２とで十分な密着を得ることができる。更に、この値は、１．０倍よりも大きく９．０倍以下であることがより好ましく、１．０倍よりも大きく４．０倍以下であることが特に好ましい。これらの範囲ではとりわけ優れた効果が得られる。
より具体的には、貫通孔１３１（下部導体ポスト１６１に対応）及び貫通孔１５１（上部導体ポスト１６２に対応）の両方の平面形状が円形である場合において、図２に示すように、貫通孔１５１の直径（上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径に対応）をｄ１６２とし、貫通孔１３１の直径（下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径に対応）をｄ１６１とした場合に、ｄ１６２／ｄ１６１は、１．０よりも大きく５．０以下であることが好ましく、１．０よりも大きく３．０以下であることがより好ましく、１．０よりも大きく２．０以下であることが特に好ましい。
【００３９】
本発明では、第２貫通孔１５１が第１貫通孔１３１よりも大径に形成できるため、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１とが同径に形成する場合に比べて、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１との位置精度の合わせ込みの許容が大きく、製造がより容易である。
即ち、図９に例示されるように、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１との口径が同じであれば、第２貫通孔１５１の穿孔位置がずれると、第２貫通孔１５１の下に第１貫通孔１３１の潜り込み部分Ｕを生じてしまうことになり好ましくない。
これに対して、図７〜８に例示されるように、第１貫通孔１３１に比べて第２貫通孔１５１の口径を大きく形成すると、第２貫通孔１５１の穿孔位置がずれたとしても、ソルダーレジスト層１３に対する上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの密着という目的を達することができる。また、ずれの許容量も大きくでき、不良発生率を著しく低減することができる。
尚、通常、第２貫通孔１５１の下端開口面内に、第１貫通孔１３１の上端開口面の全てが含まれている。
【００４０】
前記「導体ポスト形成工程（ＰＲ７）」は、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポスト１６をめっき形成する工程である。この工程ＰＲ７では、どのようなめっき形成手段を用いてもよい。即ち、例えば、電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよく、無電解めっき（特に高速無電解めっき）で導体ポスト１６を形成してもよい。この導体ポスト形成工程ＰＲ７では、導体ポスト１６をめっき形成するために、前述のように、スズ、銅又は半田を主体とする導体となる。スズ、銅又は半田を主体とすることについては、前記導体ポスト１６における同記載についての説明をそのまま適用できる。
【００４１】
前記「フォトレジスト層除去工程（ＰＲ８）」は、フォトレジスト層１５を除去する工程である。即ち、フォトレジスト層１５を除去すると共に、導体ポスト１６を基板上に露出させる工程ＰＲ８である。フォトレジスト層１５の除去はどのような方法で行ってもよく、例えば、レーザーや熱を加える等して焼失させて（アッシングして）もよく、また、溶剤等により溶解除去してもよい。特にフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、溶剤により簡便に除去することができる。
【００４２】
本発明の配線基板の製造方法では、前記各工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、無電解めっき層形成工程ＰＲ４、介在層形成工程ＰＲ３、導体ポスト加熱工程ＰＲ１０等が挙げられる。これらの工程は、１種のみ用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４３】
前記「無電解めっき層形成工程（ＰＲ４）」は、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する工程である。これにより、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれた配線基板１０を得ることができる。
更に、この工程ＰＲ４では、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に加えて、第１貫通孔１３１内にも、同様にパラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成することができる。これにより、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれ、尚かつ、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれた配線基板１０を得ることができる。即ち、この無電解めっき層１４を形成することにより、導体ポスト１６の外周にパラジウムを含む層を形成することができる。
【００４４】
前記パラジウムを含む触媒は、塩化パラジウムと塩酸と塩酸との混合液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ２水溶液や、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等の液体を必要な表面に塗布、又は、基板を浸漬することでこれらの溶液を付着させた後、乾燥させることで形成できる。
また、前記無電解めっき層１４は、銅、ニッケル、スズ等のうちの少なくとも１種を含む導電性金属から構成できる。この無電解めっき層１４としては、銅からなる無電解銅めっき層１４であることが好ましい。無電解銅めっき層１４は、銅塩（ＣｕＳＯ４等）、還元剤（ホルムアルデヒド等）、錯化剤（ロッシェル塩、ＥＤＴＡ等）、ｐＨ調整剤（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）、添加剤（ポリエチレングリコール、ジピリジル等）などを含む無電解銅めっき液に浸漬することにより形成できる。
【００４５】
前記「介在層形成工程（ＰＲ３）」は、無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する工程である。無電解めっき層１４を形成する前に、下地層としてこの介在層１７を、無電解めっき層１４と導体層１２ａとの間に介在させることにより、無電解めっき層１４が合金層１６５となる際の接合強度を低下させる要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分等）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
この介在層１７は、例えば、無電解ニッケルめっきを施し、無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきを施すことで、無電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層を形成して得ることができる。
【００４６】
この工程ＰＲ３で形成する介在層１７は、ニッケル及び金を含む導電性を有する材料からなればよく、その組成などは特に限定されないが、例えば、介在層１７を無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層により形成する場合、各層それぞれに含まれるニッケル及び金の含有量は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合に、ニッケルは９０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に、金は９５質量％以上１００質量％以下が好ましい。この範囲では、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成を効果的に抑制できる。
また、介在層１７の厚さも特に限定されないが、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。介在層１７の厚さがこの範囲である場合には、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成をより効果的に抑制できる。この介在層１７の厚さは２μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
【００４７】
前記「導体ポスト加熱工程（ＰＲ１０）」は、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱する工程である。この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０は、導体ポスト形成工程ＰＲ７において、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズからなる導体ポスト１６をめっき形成した場合に効果的に機能する工程である。
この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、導体ポスト形成工程ＰＲ７以前に、無電解めっき層１４及び介在層１７等が予め形成されていた場合に、導体ポスト１６の表面にこれらの層を構成する成分が取り込まれた合金層１６５を形成できる。合金層１６５が形成されることにより、導体ポスト１６がより強固に配設された配線基板１０を得ることができる。
【００４８】
更に、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、工程ＰＲ１０以前の工程までに形成された導体ポスト１６の形状を補正することができる。即ち、この加熱により、導体ポスト１６が適度に溶解されると共に、溶解された上部導体ポスト１６２は、その表面張力によって上部導体ポスト１６２の形状の歪みを補正でき、丸みを帯びさせることができる。更には、セルフアライメント効果により、導体層１２ａと軸中心を合わせるように上部導体ポスト１６２の位置を補正できる。これらの作用により、より信頼性に優れた導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
また、図６の工程ＰＲ９後として例示されるように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の表面１３２との間に、無電解めっき層１４が形成されている場合には、特にこれらの間での密着性を向上させることができる。
【００４９】
導体ポスト加熱工程ＰＲ１０における加熱条件などは、最高到達温度が導体ポスト１６の融点以上であれば良く、特に限定されないが、例えば、窒素雰囲気下において、温度１００℃以上４００℃以下にリフローし導体ポスト１６を加熱溶融するものであることが好ましい。この範囲の温度であれば、前記合金層１６５の形成を適度に促進しつつ、前記セルフアライメント効果をも得ることができる。この温度は１２０℃以上３５０℃以下がより好ましく、１５０℃以上３００℃以下が特に好ましい。
【００５０】
本発明の方法では、前記各工程以外にも、他の工程を備えることができる。他の工程としては、デスミア工程が挙げられる。デスミア工程は、第１貫通孔１３１を形成した後、及び／又は、第２貫通孔１５１を形成した後、等に行うことができる。このデスミア工程を行うことで、貫通孔内の残留物除去することができる。
更に、図６の工程ＰＲ９として例示されるように、無電解めっき層１４のうち不要な部位を除去する無電解めっき層除去工程ＰＲ９が挙げられる。
これらの各工程は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明の配線基板１０について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００５２】
（１）配線基板１０
本実施例で製造する配線基板１０（図１参照）は、コア基板１１の一面側に積層された導体層１２と、この導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える。
コア基板１１は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなる。また、導体層１２は、コア基板１１の一面に貼着された、厚さ１２μｍの銅箔をパターニングしてなる。
更に、ソルダーレジスト層１３は、厚さ２１μｍであり、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（ソルダーレジスト層１３は、４０質量％のシリカからなるフィラーと、６０質量％の有機材料とを含む、更に、有機材料は、エポキシ樹脂をその全体１００体積％に対して、８０体積％含有する）を含む。ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１は、口径６４μｍの円形状であり、ソルダーレジスト層１３の層下の導体層１２ａまで表裏に貫通されている。
【００５３】
導体ポスト１６は、貫通孔１３１内を充塞してなり、直径（ｄ１６１）６４ｍｍ且つ高さ２１μｍである下部導体ポスト１６１と、この下部導体ポスト１６１の上に位置する直径（ｄ１６２）７４ｍｍ且つ高さ（最も高い位置）５８μｍの上部導体ポスト１６２と、からなる。
また、下部導体ポスト１６１は、外側１６１ｃに平均厚さ２μｍの外側合金層１６５ｃを備え、且つ、下端１６１ｂに平均厚さ１μｍの下端合金層１６５ｂを備える。即ち、外側合金層１６５ｃは下端合金層１６５ｂの２倍と厚く形成されている。
更に、導体ポスト（平均厚さ２μｍの合金層１６５を含む）は、その全体を１００質量％とした場合に約９５質量％のスズを含む。残部は、合金層１６５を構成する成分として含まれたパラジウム、銅、ニッケル及び金である。
そして、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂのうちの、下部導体ポスト１６１が位置しない部位においてソルダーレジスト層１３の外表面１３２と密着されている。
【００５４】
以下、この配線基板１０の製造方法を図４〜６を用いて説明する。尚、各工程における製造途中の基板についての各々異なる名称を用いるのは煩雑であるため、配線基板１０となる以前の各工程における基板は全て素基板２０という。
図４に示す、工程ＰＲ１以前の素基板２０を用意する。この素基板２０は、厚さ０．８１ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなるコア基板１１と、コア基板１１の一面に貼着された厚さ１２μｍの銅箔がパターニングされてなる導体層１２と、を備える。
【００５５】
（２）ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１
前記（１）の素基板２０の導体層１２を備える側の表面に、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含むフィルム状ソルダーレジスト層形成用組成物を貼着した後、加熱硬化させ、厚さ２１μｍの、熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト層１３を得る。
【００５６】
（３）第１貫通孔穿設工程ＰＲ２
前記（２）で得られたソルダーレジスト層１３に表面側からレーザーを照射し、直径６０μｍの第１貫通孔１３１を穿孔する。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導通が必要な導体層１２ａが露出される。また、その後、貫通孔１３１内のスミアを除去するためにデスミア処理を行う。
【００５７】
（４）介在層形成工程ＰＲ３
前記（３）までに得られたデスミア処理済みの素基板２０のソルダーレジスト層１３下の露出された導体層１２ａの表面に、無電解ニッケルめっきにより無電解ニッケルめっき層を形成してから、無電解金めっきにより無電解金めっき層を形成して、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する。得られる介在層１７は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合にニッケルを９３質量％、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に金を１００質量％、各々含有し、厚さが１０μｍである。
【００５８】
（５）無電解めっき層形成工程ＰＲ４
前記（４）までに得られた介在層１７を備える素基板２０の表面（ソルダーレジスト層１３を備える側）の全面に、パラジウム等を含むパラジウム触媒溶液に素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、パラジウムを含む触媒核を形成する。次いで、無電解Ｃｕメッキ液に前記触媒核を形成した素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、無電解めっき層１４を形成する。得られる無電解銅めっき層１４は、厚さが０．７μｍである。
【００５９】
（６）フォトレジスト層形成工程ＰＲ５
前記（５）までに得られた素基板２０の無電解銅めっき層１４が形成された表面に、ドライフィルム式の厚さが７５μｍのフォトレジスト層１５を圧着する。
【００６０】
（７）第２貫通孔穿設工程ＰＲ６
前記（６）までに得られた素基板２０の表面にフォトレジスト層１５が積層された積層体に、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通され、且つ、第１貫通孔１３１よりも径の大きい第２貫通孔１５１を穿設する。即ち、露光工程及び現像工程等を経て第２貫通孔１５１を形成する。第２貫通孔１５１は直径７４μｍであり、第１貫通孔１３１よりも大径に穿孔されて、フォトレジスト層１５下の無電解銅めっき層１４の表面（一部表面）が第２貫通孔１５１内に露出される。
【００６１】
（８）導体ポスト形成工程ＰＲ７
前記（７）までに得られた第２貫通孔１５１がフォトレジスト層１５に形成された積層体を、電解めっき液に浸漬して、電解めっきを行い、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内をスズめっきで充塞して、導体ポスト１６を形成する。
【００６２】
（９）フォトレジスト層除去工程ＰＲ８
前記（８）までに得られた導体ポスト１６が形成された積層体の表面からフォトレジスト層１５をアミン系剥離液に浸漬させて除去する。
【００６３】
（１０）無電解めっき層除去工程ＰＲ９
前記（９）までに得られた導体ポスト１６を備える素基板２０のソルダーレジスト層１３の表面に形成されている無電解層めっき層１４の不要部分を、硫酸・過酸化水素系溶液を吹き付け、エッチングすることにより除去する。
【００６４】
（１１）導体ポスト加熱工程ＰＲ１０
前記（１０）までに得られた無電解銅めっき層１４の不要部が除去された素基板２０を所定のリフロー炉にて導体ポストの融点以上の温度で加熱溶融するリフローを行った。詳細なリフロー条件は、最高温度２４０℃、融点以上の温度を５０秒間保持した。これにより、図６に示すように、介在層１７、無電解銅めっき層１４及びスズめっきの各部の界面で合金化（金属元素の拡散）が促進されて、導体ポスト１６は一体的な１つの導体となる。更に、セルフアライメント効果により、導体ポスト１６は、導体層１２ａの中心軸上に寄ると共に、溶解されたスズの表面張力により、より綺麗な円形状に成形される。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の配線基板等は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００６６】
１０；配線基板、
１１；コア基板（コア）、
１２；導体層、１２ａ；貫通孔の下方に配置された導体層、
１３；ソルダーレジスト層、１３１；貫通孔（第１貫通孔）、１３２；ソルダーレジスト層の外表面、１３１ｃ；貫通孔の内側面、
１４；無電解めっき層、
１５；フォトレジスト層、１５１；第２貫通孔、
１６；導体ポスト、１６１；下部導体ポスト、１６２；上部導体ポスト、１６２ａ；上部導体ポストの下端面、１６１ｂ；下部導体ポストの導体層との密着部位、１６１ｃ；下部導体ポストの外側面、１６５；合金層、１６５ｂ；下端合金層、１６５ｃ；外側合金層、
ｄ１６１；下部導体ポストの直径、ｄ１６２；上部導体ポストの直径、Ｕ；潜り込み部分、
１７；介在層、
２０；素基板、
３０；ペースト半田、
４０；半田ボール、
ＰＲ１；ソルダーレジスト層形成工程、
ＰＲ２；第１貫通孔穿設工程、
ＰＲ３；介在層形成工程、
ＰＲ４；無電解めっき層形成工程、
ＰＲ５；フォトレジスト層形成工程、
ＰＲ６；第２貫通孔穿設工程、
ＰＲ７；導体ポスト形成工程、
ＰＲ８；フォトレジスト層除去工程、
ＰＲ９；無電解めっき層除去工程、
ＰＲ１０；導体ポスト加熱工程。
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、導体ポストを有する配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装の手法として、例えば、Ｃ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）工法が採用されている。Ｃ４工法で利用される配線基板は表面がソルダーレジスト層で覆われ、ソルダーレジスト層に必要に応じて穿孔された開口部に立設されたバンプ（導体ポスト）と、配線基板内の導体層と、が電気的に接続されることで、配線基板内外が導通される構造となっている。このようなＣ４工法で用いられる配線基板に代表されるように、バンプを利用した接続が行われる配線基板においては、高密度化の進行で、昨今のバンプピッチは最小１４５μｍにも達している。しかし、今後も更なる高密度化が進行することが予測され、より狭いバンプピッチ（次々世代でのバンプチップとして、例えば、１００μｍ）が必要となると考えられる。このように、バンプピッチが狭くなるに連れて、ソルダーレジスト層に穿孔される前記開口部の径も小さくなると考えられるが、一方で、必要とされるバンプの高さは今後も維持されると考えられる。即ち、より高いアスペクト比を有する形状のバンプが必要とされると考えられる。
尚、本発明の係る従来技術として下記特許公報１〜６が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２０５０９６号公報
【特許文献２】特開２００９−１６４４４２号公報
【特許文献３】特開２００６−２７９０６２号公報
【特許文献４】米国特許第７２１６４２４号明細書
【特許文献５】米国特許第６２２９２２０号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００５／００２９１１０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記高密度化に対応した高アスペクト比のバンプの形成には困難を伴う。即ち、一般的なバンプ形成方法としては、半田印刷法及びボール搭載法が知られている。
半田印刷法は、スクリーンマスク２２を介在させ、スキージ２１を用いてペースト半田３０を印刷してバンプを形成する方法である。図１０に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、ペースト半田３０を導体層１２ａ上に正常に印刷することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、マスク２２自体の製作が難しく、また、その精度を十分に確保し難い。更に、マスク２２を形成できたとしても、マスク２２に開口される貫通孔１３１の径が小さいために、マスク２２内での目詰まりを起こし易く、ペースト半田３０を印刷し難いという問題がある。また、図１１に例示されるように、ペースト半田３０を印刷できたとしても、印刷されたペースト半田３０が導体層１２ａと接し難いなどの問題がある。
【０００５】
一方、ボール搭載法は、予め形成された半田ボール４０を導出目的の導体層１２ａ上に接合して、その半田ボール４０をバンプとして利用する方法である。図１２に例示されるように、ソルダーレジスト層１３の厚さが薄く、且つ、ソルダーレジスト層１３に開口された貫通孔１３１の大きさが十分である場合には、半田ボール４０を導体層１２ａと接続することができる。
しかし、ソルダーレジスト層１３の厚さが大きい場合や、ソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の径が小さい場合には、貫通孔１３１の径に合わせた半田ボール４０を用いると十分なバンプ高さを確保することができない。一方、図１３に例示されるように、バンプの高さを確保するために、半田ボール４０の径を大きくすると、半田ボール４０の曲率が小さくなるために、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａに半田ボール４０が接することができなくなる（いわゆる「はじき」）という問題がある。また、隣接する半田ボール４０同士が接続されてしまう（いわゆる「ブリッジ」）という不具合を生じるおそれもある。
【０００６】
これらの従来汎用されている方法に代替し得る方法としてバンプをめっき形成する方法が考えられる。しかし、この方法では、通常、めっき液は樹脂層に対する浸食性を有するために、フォトリソ法を用いて形成されるソルダーレジスト層が十分な耐食性を発揮できない。また、バンプをめっき形成する場合、そのバンプ概形を決める型枠層を用いる必要があるが、型枠層に形成する開口部と、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部とを一致させて形成することが困難であるという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、本発明は以下に示す通りである。
〈１〉導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポストはスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポストは、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有すると共に、該上部導体ポストの下端面の少なくとも一部が該ソルダーレジスト層の外表面に密着されていることを特徴とする配線基板。
〈２〉前記ソルダーレジスト層の外表面に密着された前記上部導体ポストの下端面に、パラジウムが含まれる前記〈１〉に記載の配線基板。
〈３〉前記ソルダーレジスト層の前記貫通孔の内側面に密着された前記下部導体ポストの外側面に、パラジウムが含まれる前記〈１〉又は〈２〉に記載の配線基板。
〈４〉前記下部導体ポストのうちの前記導体層との密着部位に、ニッケル及び金を含む前記〈１〉乃至〈３〉のうちのいずれかに記載の配線基板。
〈５〉前記導体ポストがスズからなり、
前記導体ポストのうちの前記下部導体ポストの外側及び下端に各々、銅とスズとを含む合金層を有する前記〈１〉乃至〈４〉のうちのいずれかに記載の配線基板。
〈６〉前記合金層のうちの前記下部導体ポストの外側に位置する外側合金層は、前記合金層のうちの前記下部導体ポストの下端に位置する下端合金層よりも厚い前記〈５〉に記載の配線基板。
〈７〉前記〈１〉に記載の配線基板の製造方法であって、
表面に導体層を備えた素基板の該表面に熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記ソルダーレジスト層に第１貫通孔を穿設する第１貫通孔穿設工程と、
これまでに得られた素基板を覆うようにフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第１貫通孔に連通されると共に、該第１貫通孔よりも径の大きい第２貫通孔を前記フォトレジスト層に穿設する第２貫通孔穿設工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズ、銅又は半田からなる導体ポストをめっき形成する８５導体ポスト形成工程と、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、をこの順に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
〈８〉前記第１貫通孔穿設工程後であり、且つ、前記フォトレジスト層形成工程前に、前記ソルダーレジスト層の外表面に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層を形成する無電解めっき層形成工程を備える前記〈７〉に記載の配線基板の製造方法。
〈９〉前記無電解めっき層形成工程では、前記ソルダーレジスト層の前記第１貫通孔内にもパラジウムを含む触媒を塗布する前記〈８〉に記載の配線基板の製造方法。
〈１０〉無電解めっき層形成工程前に、前記第１貫通孔内に露出された前記導体層の表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層を形成する介在層形成工程を備える前記〈９〉に記載の配線基板の製造方法。
〈１１〉前記導体ポスト形成工程では、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズからなる導体ポストをめっき形成すると共に、
前記フォトレジスト層除去工程の後に、前記導体ポストを加熱する導体ポスト加熱工程を備える前記〈７〉乃至〈１０〉のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板によれば、導体ポスト１６の高密度化に対応できる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０とすることができる。これにより、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を用いることができる。更に、この導体ポスト１６を用いて、配線基板１０とこの配線基板１０に実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる。
ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに、パラジウムが含まれる場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に優れた配線基板１０とすることができる。
ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれる場合は、ソルダーレジスト層１３内部と導体ポスト１６との間の接合強度に優れ、導体ポスト１６の接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含む場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
導体ポスト１６がスズからなり、導体ポスト１６のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃ及び下端１６１ｂに各々、銅とスズとを含む合金層１６５を有する場合には、導体ポスト１６１と導体層１２及びソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の内壁面１３１ｃとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃに位置する外側合金層１６５ｃが、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の下端１６１ｂに位置する下端合金層１６５ｂよりも厚い場合には、導体ポスト１６１と導体層１２及びソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１の内壁面１３１ｃとの接合強度により優れた配線基板１０とすることができる。
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、導体ポスト１６の高密度化を行うことができる。即ち、従来に比べてアスペクト比（幅に対する高さの割合）が大きな導体ポスト１６が形成された配線基板１０を得ることができ、更には、ピッチが小さくともソルダーレジスト層の表面から十分な高さを有する導体ポスト１６を備える配線基板１０を得ることができる。従って、実装される部品との間で信頼性の高い接続を行うことができる配線基板１０が得られる。
第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する無電解めっき層形成工程ＰＲ４を備える場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に優れた配線基板１０を得ることができる。
無電解めっき層形成工程ＰＲ４において、ソルダーレジスト層１３の第１貫通孔１３１内にもパラジウムを含む触媒を塗布する場合は、ソルダーレジスト層１３表面１３２と導体ポスト１６との間の接合強度に加えて、第１貫通孔１３１の内壁面１３１ｃと導体ポスト１６との間の接合強度にも優れた配線基板１０を得ることができる。
無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する介在層形成工程ＰＲ３を備える場合は、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０を得ることができる。
導体ポスト形成工程ＰＲ７では、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズからなる導体ポスト１６をめっき形成すると共に、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱する導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を備える場合は、導体ポスト１６の位置精度が高く、且つ、導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度により優れた配線基板１０を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本配線基板を説明する模式的な断面図である。
【図２】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図３】本配線基板に配設された導体ポストを説明する模式的な断面図である。
【図４】本製造方法を説明する模式的な工程図である。
【図５】本製造方法を説明する図４に続く模式的な工程図である。
【図６】本製造方法を説明する図５に続く模式的な工程図である。
【図７】本製造方法における第１貫通孔と第２貫通孔との相関を説明する説明図である。
【図８】本製造方法における第１貫通孔と第２貫通孔との相関を説明する説明図である。
【図９】第１貫通孔と第２貫通孔とが同径である場合の問題点を説明する説明図である。
【図１０】従来の製造方法を説明する模式的な説明図である。
【図１１】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な説明図である。
【図１２】従来の製造方法を説明する模式的な他の説明図である。
【図１３】従来の製造方法における問題点を説明する模式的な他の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明について、図１〜８を参照しながら以下詳細に説明する。
本発明の配線基板１０は、導体層１２と、該導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、該ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、
前記ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポスト１６はスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポスト１６は、前記貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、該下部導体ポスト１６１上に位置して、前記ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有すると共に、該上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの一部が該ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されていることを特徴とする。
【００１２】
前記「配線基板（１０）」は、導体層１２と、ソルダーレジスト層１３と、導体ポスト１６と、を備える。
このうち、前記「導体層（１２）」は、配線基板１０において導体回路等として機能される層である。これらの導体層１２は、一連（即ち、連続した一枚）の導体からなってもよく、同一平面内に配設された複数の導体からなってもよい。また、導体層１２のうち、後述するソルダーレジスト層１３に穿設された貫通孔１３１の下方に配置された導体層は導体層１２ａである。この導体層１２ａは、導体層１２内の独立した１つの導体であってもよく、連続する導体の一部であってもよい。また、導体層１２の形状等は特に限定されない。また、その材質も特に限定されないが、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等であることが好ましく、このうち、通常、銅が用いられる。
【００１３】
前記「ソルダーレジスト層（１３）」は、導体層１２上に積層された層である。通常、ソルダーレジスト層１３は、この配線基板に部品を実装する際に利用されるリフロー工程において、半田が意図しない部位へ付着することを防止するための層として機能される。このソルダーレジスト層１３は、導体層１２との間に絶縁層等の他の層を介在していてもよい。
このソルダーレジスト層１３の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。ソルダーレジスト層１３の厚さがこの範囲である場合には、本発明の構成を有することによる前記種々の効果をより得易いからである。このソルダーレジスト層１３の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下が特に好ましい。
【００１４】
更に、本発明の配線基板のソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含む。ソルダーレジスト層１３が熱硬化性樹脂を含むことにより、リフロー工程における不要な半田の付着を防止しながら、めっき液に対する耐性（特に耐アルカリ性）を付与できる。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導体層１２ａの表面に無電解めっき又は電解めっきの少なくとも一方を形成することが可能となる。
【００１５】
前記熱硬化性樹脂の種類は特に限定されないが、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シアネート樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。これらのなかでも特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
ソルダーレジスト層１３に含まれる熱硬化性樹脂の量は特に限定されないが、通常、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中に最も多く（体積として最も多く含まれる）含まれる。即ち、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料において熱硬化性樹脂が主体となっている。より具体的には、ソルダーレジスト層１３を構成する有機材料を１００体積％において熱硬化性樹脂は５０体積％を超え（１００体積％であってもよい）て含まれることが好ましい。このソルダーレジスト層１３を構成する有機材料中における熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、より好ましくは５０体積％を超え且つ１００体積％以下とすることができ、更に好ましくは８０体積％以上且つ１００体積％以下とすることができる。また、ソルダーレジスト層１３に含むことができる熱硬化性樹脂以外の他の有機材料としては、ゴム及び熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００１６】
また、ソルダーレジスト層には、上記熱硬化性樹脂を含む有機材料以外に充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー、通常、無機材料である）等が含まれてもよい。充填剤が含まれる場合、ソルダーレジスト層１３全体を１００質量％とした場合に、充填剤は７０質量％以下である。
【００１７】
また、ソルダーレジスト層１３は、貫通孔１３１を有し、この貫通孔１３１の下方には導体層１２ａが位置されている。そして、貫通孔１３１を介して、導体層１２ａは導体ポスト１６と接続されて、ソルダーレジスト層１３外へと導通される。
貫通孔１３１の平面形状は特に限定されず、円形状であってもよく、四角形等の多角形状であってもよく、更にその他の形状であってもよいが、円形状が好ましい。また、この貫通孔１３１の大きさも特に限定されないが、通常、導体層１２ａの一部のみが露出される大きさ（即ち、導体層１２ａの全部が露出されないことが好ましい）である。更に、通常、貫通孔１３１の開口の大きさは下部導体ポスト１６１に等しく、貫通孔１３１の深さはソルダーレジスト層１３の深さに等しい。また、貫通孔１３１の直径が小さいほど本発明の効果をより得やすく、より具体的には、貫通孔１３１の平面形状が円形状である場合、その直径ｄ１６１は１０μｍ以上３００μｍ以下であると共に、深さ（ソルダーレジスト層１３の厚さ）は１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。このような貫通孔１３１を備える配線基板１０では、本発明の効果をより得易い。この直径ｄ１６１は３０μｍ以上１５０μｍ以下であると共に、深さは５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、直径は４０μｍ以上１００μｍ以下であると共に、深さは１０μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００１８】
前記「導体ポスト（１６）」は、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体である。そして、導体ポスト１６は、貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａをソルダーレジスト層１３外へ導出する導体として機能できる。
また、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とする導体である。導体ポスト１６が、スズを主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＳｎを含むことを意味する。また、Ｓｎ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＰｂ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
同様に、導体ポスト１６が、銅を主体とするとは、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）のＣｕを含むことを意味する。また、Ｃｕ以外の他の金属元素を含む場合、他の金属元素としては、Ｓｎ等が挙げられ、これらは１種のみが含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。
【００１９】
更に、導体ポスト１６が、半田を主体とするとは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｕの群から選ばれる２種以上の金属元素の合計含有量が、導体ポスト全体を１００質量％とした場合に、９５質量％以上（好ましくは９７質量％以上、１００質量％であってもよい）であることを意味する。より具体的には、導体ポスト１６を構成する半田として、ＳｎＰｂ半田、ＳｎＢｉ半田、ＳｎＡｇＣｕ半田、ＳｎＺｎＢｉ半田、ＳｎＣｕ半田、ＳｎＡｇＩｎＢｉ半田、ＳｎＺｎＡｌ半田、ＳｎＣｕＮｉＧｅ半田等が挙げられる。但し、後述する合金層１６５を除いて導体ポスト１６には、他の元素としてＰｄは含まれない。尚、導体ポスト１６の融点は、通常、１８０℃以上２５０℃以下である。
【００２０】
また、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有する。ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなるとは、換言すれば、ソルダーレジスト層１３の外側へ向かって上部導体ポスト１６２が突出していることを意味する。これにより、導体ポスト１６は、配線基板１０の表面から突出して、部品を実装できる構成となっている。
この上部導体ポスト１６２の形状（平面形状及び側面形状等を含む）は特に限定されないが、例えば、平面形状は円形状、四角形状等とすることができる。また、側面形状（側断面の形状）は、半円形状（傘型、椀型等）、四角形状等とすることができる。
【００２１】
更に、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部がソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されている。即ち、換言すれば、導体ポスト１６は、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂが、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成されることにより、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部がソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着されている。この構造を有することにより、導体ポスト１６は、導体層１２ａと、又は、導体層１２ａと他層を介して接合されるだけでなく、ソルダーレジスト層１３に密着されるために、配線基板に対して高い強度で配設される。
【００２２】
前記導体ポスト１６において、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂは、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成されればよく特に限定されないが、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの面積は、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの面積の、１．０倍よりも大きく２５．０倍以下であることが好ましい。この範囲では、導体ポスト１６間のピッチを小さくしつつ、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の外表面１３２とで十分な密着を得ることができる。更に、この値は、１．０倍よりも大きく９．０倍以下であることがより好ましく、１．０倍よりも大きく４倍以下であることが特に好ましい。これらの範囲ではとりわけ優れた効果が得られる。
より具体的には、下部導体ポスト１６１及び上部導体ポスト１６２の両方の平面形状が円形である場合において、図２に示すように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径をｄ１６２とし、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径をｄ１６１とした場合に、ｄ１６２／ｄ１６１は、１．０よりも大きく５．０以下であることが好ましく、１．０よりも大きく３．０以下であることがより好ましく、１．０よりも大きく２．０以下であることが特に好ましい。
【００２３】
更に、本発明の配線基板１０では、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに、パラジウムを含むことができる。この下端面１６２ｂにパラジウムが含まれる場合、導体ポスト１６は、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２と特に優れた接合強度を発揮できる。
このパラジウムは、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布され、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、導体ポスト１６の一部となるため、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３との接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、例えば、２５０℃以上の加温）には、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくてもよく、導体ポスト１６の外表面を構成する合金層１６５（図３参照）内にパラジウムが含有されてもよい。
【００２４】
更に、本発明の配線基板１０では、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムを含むことができる。この外側面１６１ｃにパラジウムが含まれる場合、導体ポスト１６は、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面（内壁面）１３１ｃと特に優れた接合強度を発揮できる。
このパラジウムは、前記上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂに含まれる場合と同様に、無電解めっき層１４の形成を促すために予め施される処理に起因する成分であり、通常、パラジウムを含む触媒として塗布される。そして、このパラジウムは、ソルダーレジスト層１３の内側面１３１ｃに形成される無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後における形態等を参照）に含まれることとなる。そして、この無電解めっき層１４は、導体ポスト１６の一部となるため、下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃにパラジウムが含まれることとなり、導体ポスト１６の一部としてソルダーレジスト層１３との接合強度を強化する機能を発揮できる。また、配線基板１０の製造過程で無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、例えば、２５０℃以上の加温）には、配線基板１０内において、無電解めっき層１４自体は存在しなくてもよく、導体ポスト１６の外表面を構成する合金層１６５（図３参照）内にパラジウムが含有されてもよい。
【００２５】
導体ポスト１６にパラジウムが含有される場合、即ち、上部導体ポスト１６２の下端面のうち、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２と密着された下端面１６２ｂや、下部導体ポスト１６１の外側面のうち、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれる場合は、通常、パラジウムは導体ポスト１６の外表面から内部に向かって５μｍの範囲に含有される。この範囲は、導体ポスト１６内において、無電解めっき層１４（図６の工程ＰＲ９後の形態参照）として存在してもよく、合金層１６５（図３参照）として存在してもよい。
【００２６】
更に、前記下部導体ポスト１６１のうちの導体層１２ａとの密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含むことができる。この密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金を含むことにより、下部導体ポスト１６１と導体層１２ａとの接合強度が向上される。このニッケル及び金は、後述する配線基板の製造方法における介在層１７を形成することにより密着部位１６１ｂに含有させることができる。
この密着部位１６１ｂには、ニッケル及び金以外にも、他の成分を含有することができる。他の成分としては、パラジウム、等が挙げられる。
特に、導体ポスト１６がスズ又は半田を主体とする場合には、この密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金が同時に含有されることにより、密着部位１６１ｂにおいて、接合強度を低下要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６が得られる。
密着部位１６１ｂに、ニッケル及び金が含まれる場合は、通常、ニッケル及び金は、下部導体ポスト１６１の外表面から内部に向かって１００μｍの範囲に含有される。
【００２７】
また、前記導体ポスト１６がスズからなる場合には、導体ポスト１６のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃ及び下端１６１ｂに各々、銅とスズとを含む合金層１６５を有することができる（図３参照）。この合金層１６５は、無電解めっき層１４と導体ポスト１６とがこれらの界面において合金化（即ち、合金層１６５が形成）されるような加熱が施される場合（即ち、導体ポストの融点以上であれば良いが、例えば、２５０℃以上の加温）に形成される層である。合金層１６５を備える場合には、導体ポスト１６全体のソルダーレジスト層１３への接合強度がとりわけ向上されて、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。
【００２８】
更に、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の外側１６１ｃに位置する外側合金層１６５ｃは、合金層１６５のうちの下部導体ポスト１６１の下端１６１ｂに位置する下端合金層１６５ｂよりも厚いものとすることが好ましい。これにより、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６とすることができる。外側合金層１６５ｃの厚さは、下端合金層１６５ｂの厚さよりも厚ければよい。
尚、外側合金層１６５ｃの厚さは、下部導体ポスト１６１の高さ中央（高さを２等分する位置）における５ヶ所の厚さの平均値である。また、下端合金層１６５ｂの厚さは、下部導体ポスト１６１を平面視した場合の中央において測定される厚さである。
【００２９】
また、配線基板は、ソルダーレジスト層、導体層及び導体ポスト以外にも他の構成を備えることができる。他の構成としては、コア基板、絶縁層、内装部品等が挙げられる。
このうち、コア基板は、絶縁材料から構成され、通常、板状体である。また、配線基板１０の厚さ方向における中心部をなすことができる。コア基板を構成する絶縁材料としては絶縁性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。また、コア基板には、補強材（ガラス繊維等の補強繊維）及び充填剤（シリカ、アルミナ等の各種フィラー）等が含まれてもよい。即ち、例えば、コア基板としては、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化樹脂板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板等の耐熱性樹脂板などを用いることができる。また、このコア基板は、複層化されていてもよく、更には、内部に導体層（内層パターン）を有していてもよい。また、絶縁層は、コア基板上に積層された導体層間を絶縁する機能を有する層である。この絶縁層は、前記コア基板を構成する絶縁材料と同様の絶縁材料から構成できる。
【００３０】
更に、本発明の配線基板は、その内部に収容部を備える場合には、収容部内に内装部品を有することができる。
収容部の平面形状は特に限定されず、例えば、略四角形（四角形、角部が面取りされた四角形等が含まれる）であってもよく、略円形（真円形状、楕円形状等が含まれる）などであってもよい。また、前記内装部品としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、抵抗及びトランジスタ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、コンデンサが好ましく、特に積層セラミックコンデンサが好適である。更に、収容部内に内装された内装部品と収容部との間隙には、内装部品とコア基板との熱膨張係特性を緩和する機能を有する絶縁材が充填されてなる充填部を有することができる。通常、充填部は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂からなるか、又は、これらの樹脂とシリカ及びアルミナ等の低熱膨張性セラミック；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛等の誘電性セラミック；窒化アルミナ、窒化ホウ素、炭化硅素、窒化珪素等の耐熱性セラミック；ホウケイ酸系ガラス等のガラスなどの無機材料からなる無機フィラーと、の混合物からなる。
【００３１】
［２］配線基板の製造方法
本発明の製造方法は、前記本発明の配線基板１０の製造方法であって、ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１と、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２と、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５と、第２貫通孔穿設工程ＰＲ６と、導体ポスト形成工程ＰＲ７と、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８と、をこの順に備えることを特徴とする。
【００３２】
前記「ソルダーレジスト層形成工程（ＰＲ１）」は、表面に導体層１２を備えた素基板２０のその表面（導体層１２は、素基板２０の当該表面の全面に形成されていてもよいが、通常、当該表面の一部に形成されている）に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３を形成する工程である。素基板２０の構成は特に限定されないが、導体層１２以外に、コア基板及び絶縁層等を備えることができる。即ち、例えば、ガラスエポキシをコア１１とした両面銅張り板の表面導体層がパターニングされてなる導体層１２を備える基板を素基板２０として利用できる。更に、例えば、ガラスエポキシをコアとした両面銅張り板をコア基板とし、その表面に順次ビルドアップされた絶縁層及び各絶縁層の層間で接続された導体層を備え、且つ、最表面にパターニングされた導体層１２が配置された素基板２０を用いることができる。
【００３３】
素基板２０上にソルダーレジスト層１３を形成する方法は特に限定されず、（１）フィルム状のソルダーレジスト組成物を素基板２０の表面に塗布した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）ソルダーレジスト層１３となるドライフィルムを素基板２０の表面に貼着した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。また、前記（１）の方法を利用する場合には、液状のソルダーレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により素基板２０上に塗布できる。尚、ソルダーレジスト層１３の厚さについては、前述の通りである。
【００３４】
前記「第１貫通孔穿設工程（ＰＲ２）」は、ソルダーレジスト層１３に第１貫通孔１３１を穿設する工程である。この工程では、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよく、また、レーザー穿孔法を用いて第１貫通孔１３１を形成してもよい。尚、第１貫通孔１３１については、前述のソルダーレジスト層１３に形成された貫通孔１３１における記載をそのまま適用できる。
【００３５】
前記「フォトレジスト層形成工程（ＰＲ５）」は、これまでに得られた素基板２０を覆うようにフォトレジスト層１５を形成する工程である。即ち、少なくとも第１貫通孔１３１が穿孔されたソルダーレジスト層１３上に、直接的に、又は、他の層を介して間接的に、フォトレジスト層１５を形成する工程である。
フォトレジスト層１５を形成する方法は特に限定されず、（１）液状のフォトレジスト組成物を、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、塗布した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。更に、（２）フォトレジスト層１５となるドライフィルムを、ソルダーレジスト層１３上の表面に直接的に又は他の層を介して間接的に、貼着した後、必要に応じて乾燥及び／又は硬化（半硬化）を行って得ることができる。前記（１）の方法を利用する場合には、液状のフォトレジスト組成物は、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により塗布できる。一方、前記（２）の方法を利用する場合には、ドライフィルムを押圧して密着させることができる。この場合には、バッチ式プレス機で行ってもよいが、製造ラインを流通させながら押圧を行うことができるために、ローラー式プレス機等を用いることができる。
【００３６】
前記フォトレジスト層１５の厚さは特に限定されないが、１μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。フォトレジスト層１５の厚さがこの範囲である場合には、上部導体ポスト１６２をソルダーレジスト層１３より外側へ十分に張り出して形成できると共に、導体ポスト１６を介した外部との良好な接続を得ることができる。このフォトレジスト層１５の厚さは５μｍ以上３００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下が特に好ましい。
【００３７】
前記「第２貫通孔穿設工程（ＰＲ６）」は、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通されると共に、第１貫通孔１３１よりも径の大きい第２貫通孔１５１をフォトレジスト層１５に穿設する工程である。前記第２貫通孔１５１は、フォトレジスト層１５に穿孔された貫通孔であり、ソルダーレジスト層１３まで貫通された孔である。また、第２貫通孔１５１は、第１貫通孔１３１よりも径が大きい孔である。この第２貫通孔１５１は、導体ポスト１６のうち、下部導体ポスト１６１上に位置して、ソルダーレジスト層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２を形成するための型枠となる孔である。この貫通孔１５１が貫通孔１３１よりも大径に穿孔されていることにより、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂを、下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａよりも大きく形成でき、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部をソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着させることができる。
【００３８】
従って、貫通孔１５１の下端径は、貫通孔１３１の上端径よりも大きく形成される。この径の具体的な差異は特に限定されないが、貫通孔１５１の下端面積（上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの面積に対応）は、貫通孔１３１の上端面積（下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの面積に対応）の、１．０倍よりも大きく２５．０倍以下であることが好ましい。この範囲では、導体ポスト１６間のピッチを小さくしつつ、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の外表面１３２とで十分な密着を得ることができる。更に、この値は、１．０倍よりも大きく９．０倍以下であることがより好ましく、１．０倍よりも大きく４．０倍以下であることが特に好ましい。これらの範囲ではとりわけ優れた効果が得られる。
より具体的には、貫通孔１３１（下部導体ポスト１６１に対応）及び貫通孔１５１（上部導体ポスト１６２に対応）の両方の平面形状が円形である場合において、図２に示すように、貫通孔１５１の直径（上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの直径に対応）をｄ１６２とし、貫通孔１３１の直径（下部導体ポスト１６１の上端面１６１ａの直径に対応）をｄ１６１とした場合に、ｄ１６２／ｄ１６１は、１．０よりも大きく５．０以下であることが好ましく、１．０よりも大きく３．０以下であることがより好ましく、１．０よりも大きく２．０以下であることが特に好ましい。
【００３９】
本発明では、第２貫通孔１５１が第１貫通孔１３１よりも大径に形成できるため、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１とが同径に形成する場合に比べて、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１との位置精度の合わせ込みの許容が大きく、製造がより容易である。
即ち、図９に例示されるように、第１貫通孔１３１と第２貫通孔１５１との口径が同じであれば、第２貫通孔１５１の穿孔位置がずれると、第２貫通孔１５１の下に第１貫通孔１３１の潜り込み部分Ｕを生じてしまうことになり好ましくない。
これに対して、図７〜８に例示されるように、第１貫通孔１３１に比べて第２貫通孔１５１の口径を大きく形成すると、第２貫通孔１５１の穿孔位置がずれたとしても、ソルダーレジスト層１３に対する上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの密着という目的を達することができる。また、ずれの許容量も大きくでき、不良発生率を著しく低減することができる。
尚、通常、第２貫通孔１５１の下端開口面内に、第１貫通孔１３１の上端開口面の全てが含まれている。
【００４０】
前記「導体ポスト形成工程（ＰＲ７）」は、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポスト１６をめっき形成する工程である。この工程ＰＲ７では、どのようなめっき形成手段を用いてもよい。即ち、例えば、電解めっきで導体ポスト１６を形成してもよく、無電解めっき（特に高速無電解めっき）で導体ポスト１６を形成してもよい。この導体ポスト形成工程ＰＲ７では、導体ポスト１６をめっき形成するために、前述のように、スズ、銅又は半田を主体とする導体となる。スズ、銅又は半田を主体とすることについては、前記導体ポスト１６における同記載についての説明をそのまま適用できる。
【００４１】
前記「フォトレジスト層除去工程（ＰＲ８）」は、フォトレジスト層１５を除去する工程である。即ち、フォトレジスト層１５を除去すると共に、導体ポスト１６を基板上に露出させる工程ＰＲ８である。フォトレジスト層１５の除去はどのような方法で行ってもよく、例えば、レーザーや熱を加える等して焼失させて（アッシングして）もよく、また、溶剤等により溶解除去してもよい。特にフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、溶剤により簡便に除去することができる。
【００４２】
本発明の配線基板の製造方法では、前記各工程以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、無電解めっき層形成工程ＰＲ４、介在層形成工程ＰＲ３、導体ポスト加熱工程ＰＲ１０等が挙げられる。これらの工程は、１種のみ用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【００４３】
前記「無電解めっき層形成工程（ＰＲ４）」は、第１貫通孔穿設工程ＰＲ２後であり、且つ、フォトレジスト層形成工程ＰＲ５前に、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成する工程である。これにより、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれた配線基板１０を得ることができる。
更に、この工程ＰＲ４では、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に加えて、第１貫通孔１３１内にも、同様にパラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層１４を形成することができる。これにより、ソルダーレジスト層１３の外表面１３２に密着された上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂにパラジウムが含まれ、尚かつ、ソルダーレジスト層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着された下部導体ポスト１６１の外側面１６１ｃに、パラジウムが含まれた配線基板１０を得ることができる。即ち、この無電解めっき層１４を形成することにより、導体ポスト１６の外周にパラジウムを含む層を形成することができる。
【００４４】
前記パラジウムを含む触媒は、塩化パラジウムと塩酸と塩酸との混合液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ２水溶液や、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等の液体を必要な表面に塗布、又は、基板を浸漬することでこれらの溶液を付着させた後、乾燥させることで形成できる。
また、前記無電解めっき層１４は、銅、ニッケル、スズ等のうちの少なくとも１種を含む導電性金属から構成できる。この無電解めっき層１４としては、銅からなる無電解銅めっき層１４であることが好ましい。無電解銅めっき層１４は、銅塩（ＣｕＳＯ４等）、還元剤（ホルムアルデヒド等）、錯化剤（ロッシェル塩、ＥＤＴＡ等）、ｐＨ調整剤（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）、添加剤（ポリエチレングリコール、ジピリジル等）などを含む無電解銅めっき液に浸漬することにより形成できる。
【００４５】
前記「介在層形成工程（ＰＲ３）」は、無電解めっき層形成工程ＰＲ４前に、第１貫通孔１３１内に露出された導体層１２ａの表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する工程である。無電解めっき層１４を形成する前に、下地層としてこの介在層１７を、無電解めっき層１４と導体層１２ａとの間に介在させることにより、無電解めっき層１４が合金層１６５となる際の接合強度を低下させる要因となる成分（例えば、Ｃｕ６：Ｓｎ５の組成比で各金属元素が含まれる成分等）の形成を効果的に抑制できる。その結果、より優れた接合強度を有する導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
この介在層１７は、例えば、無電解ニッケルめっきを施し、無電解ニッケルめっき層を形成した後、無電解金めっきを施すことで、無電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層を形成して得ることができる。
【００４６】
この工程ＰＲ３で形成する介在層１７は、ニッケル及び金を含む導電性を有する材料からなればよく、その組成などは特に限定されないが、例えば、介在層１７を無電解ニッケルめっき層及び無電解金めっき層により形成する場合、各層それぞれに含まれるニッケル及び金の含有量は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合に、ニッケルは９０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に、金は９５質量％以上１００質量％以下が好ましい。この範囲では、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成を効果的に抑制できる。
また、介在層１７の厚さも特に限定されないが、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。介在層１７の厚さがこの範囲である場合には、前記接合強度を低下させる要因となる成分の形成をより効果的に抑制できる。この介在層１７の厚さは２μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
【００４７】
前記「導体ポスト加熱工程（ＰＲ１０）」は、フォトレジスト層除去工程ＰＲ８の後に、導体ポスト１６を加熱する工程である。この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０は、導体ポスト形成工程ＰＲ７において、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内に、スズからなる導体ポスト１６をめっき形成した場合に効果的に機能する工程である。
この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、導体ポスト形成工程ＰＲ７以前に、無電解めっき層１４及び介在層１７等が予め形成されていた場合に、導体ポスト１６の表面にこれらの層を構成する成分が取り込まれた合金層１６５を形成できる。合金層１６５が形成されることにより、導体ポスト１６がより強固に配設された配線基板１０を得ることができる。
【００４８】
更に、この導体ポスト加熱工程ＰＲ１０を行うことにより、工程ＰＲ１０以前の工程までに形成された導体ポスト１６の形状を補正することができる。即ち、この加熱により、導体ポスト１６が適度に溶解されると共に、溶解された上部導体ポスト１６２は、その表面張力によって上部導体ポスト１６２の形状の歪みを補正でき、丸みを帯びさせることができる。更には、セルフアライメント効果により、導体層１２ａと軸中心を合わせるように上部導体ポスト１６２の位置を補正できる。これらの作用により、より信頼性に優れた導体ポスト１６を有する配線基板１０を得ることができる。
また、図６の工程ＰＲ９後として例示されるように、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂとソルダーレジスト層１３の表面１３２との間に、無電解めっき層１４が形成されている場合には、特にこれらの間での密着性を向上させることができる。
【００４９】
導体ポスト加熱工程ＰＲ１０における加熱条件などは、最高到達温度が導体ポスト１６の融点以上であれば良く、特に限定されないが、例えば、窒素雰囲気下において、温度１００℃以上４００℃以下にリフローし導体ポスト１６を加熱溶融するものであることが好ましい。この範囲の温度であれば、前記合金層１６５の形成を適度に促進しつつ、前記セルフアライメント効果をも得ることができる。この温度は１２０℃以上３５０℃以下がより好ましく、１５０℃以上３００℃以下が特に好ましい。
【００５０】
本発明の方法では、前記各工程以外にも、他の工程を備えることができる。他の工程としては、デスミア工程が挙げられる。デスミア工程は、第１貫通孔１３１を形成した後、及び／又は、第２貫通孔１５１を形成した後、等に行うことができる。このデスミア工程を行うことで、貫通孔内の残留物除去することができる。
更に、図６の工程ＰＲ９として例示されるように、無電解めっき層１４のうち不要な部位を除去する無電解めっき層除去工程ＰＲ９が挙げられる。
これらの各工程は、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明の配線基板１０について実施例により具体的に説明する。但し、本発明は本実施例において利用する条件等に拘束されるものではない。
【００５２】
（１）配線基板１０
本実施例で製造する配線基板１０（図１参照）は、コア基板１１の一面側に積層された導体層１２と、この導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える。
コア基板１１は、厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなる。また、導体層１２は、コア基板１１の一面に貼着された、厚さ１２μｍの銅箔をパターニングしてなる。
更に、ソルダーレジスト層１３は、厚さ２１μｍであり、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（ソルダーレジスト層１３は、４０質量％のシリカからなるフィラーと、６０質量％の有機材料とを含む、更に、有機材料は、エポキシ樹脂をその全体１００体積％に対して、８０体積％含有する）を含む。ソルダーレジスト層１３に穿孔された貫通孔１３１は、口径６４μｍの円形状であり、ソルダーレジスト層１３の層下の導体層１２ａまで表裏に貫通されている。
【００５３】
導体ポスト１６は、貫通孔１３１内を充塞してなり、直径（ｄ１６１）６４ｍｍ且つ高さ２１μｍである下部導体ポスト１６１と、この下部導体ポスト１６１の上に位置する直径（ｄ１６２）７４ｍｍ且つ高さ（最も高い位置）５８μｍの上部導体ポスト１６２と、からなる。
また、下部導体ポスト１６１は、外側１６１ｃに平均厚さ２μｍの外側合金層１６５ｃを備え、且つ、下端１６１ｂに平均厚さ１μｍの下端合金層１６５ｂを備える。即ち、外側合金層１６５ｃは下端合金層１６５ｂの２倍と厚く形成されている。
更に、導体ポスト（平均厚さ２μｍの合金層１６５を含む）は、その全体を１００質量％とした場合に約９５質量％のスズを含む。残部は、合金層１６５を構成する成分として含まれたパラジウム、銅、ニッケル及び金である。
そして、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂのうちの、下部導体ポスト１６１が位置しない部位においてソルダーレジスト層１３の外表面１３２と密着されている。
【００５４】
以下、この配線基板１０の製造方法を図４〜６を用いて説明する。尚、各工程における製造途中の基板についての各々異なる名称を用いるのは煩雑であるため、配線基板１０となる以前の各工程における基板は全て素基板２０という。
図４に示す、工程ＰＲ１以前の素基板２０を用意する。この素基板２０は、厚さ０．８１ｍｍのガラスエポキシ（ガラス繊維を芯材として含むエポキシ樹脂）からなるコア基板１１と、コア基板１１の一面に貼着された厚さ１２μｍの銅箔がパターニングされてなる導体層１２と、を備える。
【００５５】
（２）ソルダーレジスト層形成工程ＰＲ１
前記（１）の素基板２０の導体層１２を備える側の表面に、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含むフィルム状ソルダーレジスト層形成用組成物を貼着した後、加熱硬化させ、厚さ２１μｍの、熱硬化性樹脂からなるソルダーレジスト層１３を得る。
【００５６】
（３）第１貫通孔穿設工程ＰＲ２
前記（２）で得られたソルダーレジスト層１３に表面側からレーザーを照射し、直径６０μｍの第１貫通孔１３１を穿孔する。これにより、ソルダーレジスト層１３下の導通が必要な導体層１２ａが露出される。また、その後、貫通孔１３１内のスミアを除去するためにデスミア処理を行う。
【００５７】
（４）介在層形成工程ＰＲ３
前記（３）までに得られたデスミア処理済みの素基板２０のソルダーレジスト層１３下の露出された導体層１２ａの表面に、無電解ニッケルめっきにより無電解ニッケルめっき層を形成してから、無電解金めっきにより無電解金めっき層を形成して、ニッケル及び金を含む導電性の介在層１７を形成する。得られる介在層１７は、無電解ニッケルめっき層全体を１００質量％とした場合にニッケルを９３質量％、無電解金めっき層全体を１００質量％とした場合に金を１００質量％、各々含有し、厚さが１０μｍである。
【００５８】
（５）無電解めっき層形成工程ＰＲ４
前記（４）までに得られた介在層１７を備える素基板２０の表面（ソルダーレジスト層１３を備える側）の全面に、パラジウム等を含むパラジウム触媒溶液に素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、パラジウムを含む触媒核を形成する。次いで、無電解Ｃｕメッキ液に前記触媒核を形成した素基板２０を浸漬した後、乾燥させて、無電解めっき層１４を形成する。得られる無電解銅めっき層１４は、厚さが０．７μｍである。
【００５９】
（６）フォトレジスト層形成工程ＰＲ５
前記（５）までに得られた素基板２０の無電解銅めっき層１４が形成された表面に、ドライフィルム式の厚さが７５μｍのフォトレジスト層１５を圧着する。
【００６０】
（７）第２貫通孔穿設工程ＰＲ６
前記（６）までに得られた素基板２０の表面にフォトレジスト層１５が積層された積層体に、フォトリソグラフィー法を用いて第１貫通孔１３１に連通され、且つ、第１貫通孔１３１よりも径の大きい第２貫通孔１５１を穿設する。即ち、露光工程及び現像工程等を経て第２貫通孔１５１を形成する。第２貫通孔１５１は直径７４μｍであり、第１貫通孔１３１よりも大径に穿孔されて、フォトレジスト層１５下の無電解銅めっき層１４の表面（一部表面）が第２貫通孔１５１内に露出される。
【００６１】
（８）導体ポスト形成工程ＰＲ７
前記（７）までに得られた第２貫通孔１５１がフォトレジスト層１５に形成された積層体を、電解めっき液に浸漬して、電解めっきを行い、第１貫通孔１３１及び第２貫通孔１５１の両孔内をスズめっきで充塞して、導体ポスト１６を形成する。
【００６２】
（９）フォトレジスト層除去工程ＰＲ８
前記（８）までに得られた導体ポスト１６が形成された積層体の表面からフォトレジスト層１５をアミン系剥離液に浸漬させて除去する。
【００６３】
（１０）無電解めっき層除去工程ＰＲ９
前記（９）までに得られた導体ポスト１６を備える素基板２０のソルダーレジスト層１３の表面に形成されている無電解層めっき層１４の不要部分を、硫酸・過酸化水素系溶液を吹き付け、エッチングすることにより除去する。
【００６４】
（１１）導体ポスト加熱工程ＰＲ１０
前記（１０）までに得られた無電解銅めっき層１４の不要部が除去された素基板２０を所定のリフロー炉にて導体ポストの融点以上の温度で加熱溶融するリフローを行った。詳細なリフロー条件は、最高温度２４０℃、融点以上の温度を５０秒間保持した。これにより、図６に示すように、介在層１７、無電解銅めっき層１４及びスズめっきの各部の界面で合金化（金属元素の拡散）が促進されて、導体ポスト１６は一体的な１つの導体となる。更に、セルフアライメント効果により、導体ポスト１６は、導体層１２ａの中心軸上に寄ると共に、溶解されたスズの表面張力により、より綺麗な円形状に成形される。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の配線基板等は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に利用される。
【符号の説明】
【００６６】
１０；配線基板、
１１；コア基板（コア）、
１２；導体層、１２ａ；貫通孔の下方に配置された導体層、
１３；ソルダーレジスト層、１３１；貫通孔（第１貫通孔）、１３２；ソルダーレジスト層の外表面、１３１ｃ；貫通孔の内側面、
１４；無電解めっき層、
１５；フォトレジスト層、１５１；第２貫通孔、
１６；導体ポスト、１６１；下部導体ポスト、１６２；上部導体ポスト、１６２ａ；上部導体ポストの下端面、１６１ｂ；下部導体ポストの導体層との密着部位、１６１ｃ；下部導体ポストの外側面、１６５；合金層、１６５ｂ；下端合金層、１６５ｃ；外側合金層、
ｄ１６１；下部導体ポストの直径、ｄ１６２；上部導体ポストの直径、Ｕ；潜り込み部分、
１７；介在層、
２０；素基板、
３０；ペースト半田、
４０；半田ボール、
ＰＲ１；ソルダーレジスト層形成工程、
ＰＲ２；第１貫通孔穿設工程、
ＰＲ３；介在層形成工程、
ＰＲ４；無電解めっき層形成工程、
ＰＲ５；フォトレジスト層形成工程、
ＰＲ６；第２貫通孔穿設工程、
ＰＲ７；導体ポスト形成工程、
ＰＲ８；フォトレジスト層除去工程、
ＰＲ９；無電解めっき層除去工程、
ＰＲ１０；導体ポスト加熱工程。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポストはスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポストは、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有すると共に、該上部導体ポストの下端面の少なくとも一部が該ソルダーレジスト層の外表面に密着されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層の外表面に密着された前記上部導体ポストの下端面に、パラジウムが含まれる請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層の前記貫通孔の内側面に密着された前記下部導体ポストの外側面に、パラジウムが含まれる請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下部導体ポストのうちの前記導体層との密着部位に、ニッケル及び金を含む請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記導体ポストがスズからなり、
前記導体ポストのうちの前記下部導体ポストの外側及び下端に各々、銅とスズとを含む合金層を有する請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記合金層のうちの前記下部導体ポストの外側に位置する外側合金層は、前記合金層のうちの前記下部導体ポストの下端に位置する下端合金層よりも厚い請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
表面に導体層を備えた素基板の該表面に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記ソルダーレジスト層に第１貫通孔を穿設する第１貫通孔穿設工程と、
これまでに得られた素基板を覆うようにフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第１貫通孔に連通されると共に、該第１貫通孔よりも径の大きい第２貫通孔を前記フォトレジスト層に穿設する第２貫通孔穿設工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポストをめっき形成する導体ポスト形成工程と、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、をこの順に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１貫通孔穿設工程後であり、且つ、前記フォトレジスト層形成工程前に、前記ソルダーレジスト層の外表面に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層を形成する無電解めっき層形成工程を備える請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記無電解めっき層形成工程では、前記ソルダーレジスト層の前記第１貫通孔内にもパラジウムを含む触媒を塗布する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
無電解めっき層形成工程前に、前記第１貫通孔内に露出された前記導体の表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層を形成する介在層形成工程を備える請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導体ポスト形成工程では、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズからなる導体ポストをめっき形成すると共に、
前記フォトレジスト層除去工程の後に、前記導体ポストを加熱する導体ポスト加熱工程を備える請求項７乃至１０のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
導体層と、該導体層上に積層されたソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層に設けられた貫通孔の下方に配置された導体層に導通される導体ポストと、を備える配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層は熱硬化性樹脂を含み、且つ、前記導体ポストはスズ、銅又は半田を主体とし、
前記導体ポストは、前記貫通孔内に位置する下部導体ポストと、該下部導体ポスト上に位置して、前記ソルダーレジスト層より外側に張り出してなる上部導体ポストと、を有すると共に、該上部導体ポストの下端面の少なくとも一部が該ソルダーレジスト層の外表面に密着されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層の外表面に密着された前記上部導体ポストの下端面に、パラジウムが含まれる請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層の前記貫通孔の内側面に密着された前記下部導体ポストの外側面に、パラジウムが含まれる請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下部導体ポストのうちの前記導体層との密着部位に、ニッケル及び金を含む請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記導体ポストがスズからなり、
前記導体ポストのうちの前記下部導体ポストの外側及び下端に各々、銅とスズとを含む合金層を有する請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記合金層のうちの前記下部導体ポストの外側に位置する外側合金層は、前記合金層のうちの前記下部導体ポストの下端に位置する下端合金層よりも厚い請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
表面に導体層を備えた素基板の該表面に、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
前記ソルダーレジスト層に第１貫通孔を穿設する第１貫通孔穿設工程と、
これまでに得られた素基板を覆うようにフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第１貫通孔に連通されると共に、該第１貫通孔よりも径の大きい第２貫通孔を前記フォトレジスト層に穿設する第２貫通孔穿設工程と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズ、銅又は半田を主体とする導体ポストをめっき形成する導体ポスト形成工程と、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、をこの順に備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１貫通孔穿設工程後であり、且つ、前記フォトレジスト層形成工程前に、前記ソルダーレジスト層の外表面に、パラジウムを含む触媒を塗布してから銅を含む無電解めっき層を形成する無電解めっき層形成工程を備える請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記無電解めっき層形成工程では、前記ソルダーレジスト層の前記第１貫通孔内にもパラジウムを含む触媒を塗布する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
無電解めっき層形成工程前に、前記第１貫通孔内に露出された前記導体の表面に、ニッケル及び金を含む導電性の介在層を形成する介在層形成工程を備える請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導体ポスト形成工程では、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の両孔内に、スズからなる導体ポストをめっき形成すると共に、
前記フォトレジスト層除去工程の後に、前記導体ポストを加熱する導体ポスト加熱工程を備える請求項７乃至１０のうちのいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１２９３６８（Ｐ２０１２−１２９３６８Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７９７０６（Ｐ２０１０−２７９７０６）
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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