酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法
【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を含有するスパッタリングターゲット、及びそれを生成するための方法に関し、より詳しくは、均一に分布した成分を含有するスパッタリングターゲットを生成し、スパッタリング中のアーク放電及び粒子を減少させるための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、コバルト−クロム−白金に基づく合金（ＣｏＣｒＰｔに基づく合金）を含有するスパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体に記録層を形成するために使用される。工業的には、記録層はスパッタリングにより形成され、そのようなスパッタリングプロセス中の反応ガスとして、通常は酸素が使用される。しかしながら、過剰な酸素が使用される場合、ターゲット中にある高度に反応性の金属は容易に酸素と反応し、アーク放電効果及び不要な粒子の形成がもたらされる。
【０００３】
前述の問題を解決するために、酸化コバルトをターゲットに添加することが試みられている。酸化コバルトは、コバルト原子及び酸素ラジカルに分離することができる。そのような酸素フリーラジカルは、活性金属と反応し、基材に堆積する場合がある。酸素ラジカルは、酸素原子より高い自由エネルギーを提供する。また、生成された酸化物は、酸素フリーラジカルにより、磁気記録媒体の金属物質（つまり、ＣｏＣｒＰｔ合金）の微細構造の粒界へと容易に隔離され、信号干渉が回避される。したがって、反応ガスとして酸素を使用する必要性はない。しかしながら、エリンガムダイアグラム及び関連実験結果からわかるように、酸化コバルトは、ターゲットのクロムとの酸化還元反応を引き起こし、酸化クロムのより粗いクラスター細片（ｓｔｒｉｐ ｃｌｕｓｔｅｒ）（Ｃｒ２Ｏ３クラスターなど）を形成する場合がある。そのようなクラスターにより、成分がターゲット中に不均一に分布し、スパッタ堆積中にアーク放電効果及び粒子の形成が引き起こされることが多い。
【０００４】
国際公開第２００７／１１６８３４号には、磁気記録薄膜に使用されるＣｏに基づく焼結合金を生成するための方法であって、５０〜７０原子％のクロムを含有するコバルト−クロムプレ合金（ｐｒｅａｌｌｏｙ）粉末を、白金粉末、コバルト粉末、及び非磁性酸化物粉末と混合して、２〜１５モル％の非磁性酸化物、３〜２０モル％のクロム、及び５〜３０モル％の白金からなる粉末混合物を形成すること、及びこの粉末混合物を焼結プロセスで焼結させることを含む方法が開示されている。スパッタリングプロセスに使用するための生成ターゲットは、より少数の粒子を発生させることができ、絶対最長値が５μｍを超える酸化クロムクラスターの数は、５００クラスター／ｍｍ２以下である。非磁性酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、又はそれらの組み合わせである。
【０００５】
にもかかわらず、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを生成する原料として上述のプレ合金粉末を使用することでは、酸化クロムクラスターの発生を効果的に回避することはできず、教示されている方法では、現行技術の問題を解決することはできない。
【０００６】
こうした欠点を克服するために、本発明は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供して、前述の問題を緩和又は解決する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１６８３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の主な目的は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供することであり、それは、Ｃｒを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御することにより製作される。本発明によるスパッタリングターゲットは、スパッタリング中のアーク放電効果及び不要な粒子形成を克服することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために、本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さは、それぞれ３μｍ未満であり、ここでＸは、非磁性酸化物の金属元素を表す。
【００１０】
別の態様では、本発明は、上述のスパッタリングターゲットを生成するための製造法であって、以下のステップを含む方法を提供する：
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト（ＣｏＯ）粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
（ｉｉｉ）この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
【００１１】
本発明によると、「から本質的になる」とは、材料が、主として指定されている物質からなるが、この材料は、他の不可避な不純物も含んでいることを意味する。具体的には、原料は、主として２０〜８０原子％のクロム、酸化コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末からなり、この原料は、他の不可避な不純物を含有している。
【００１２】
本発明によるスパッタリングターゲットは、Ｃｒを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御して、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相のサイズを減少させることにより得られる。本発明の方法により製作されるスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットの成分をその中でより均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させる。また、本発明によるスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の記録層への適用に有用である。
【００１３】
本発明の他の目的、利点、及び新規な特徴は、添付の図面と共に解釈すると、以下の詳細な説明からより明白になるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術による比較例１における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図２】従来技術による比較例２における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図３】従来技術による比較例３における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図４】本発明による実施例１における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さは、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）。
【００１６】
好ましい実施形態では、非磁性酸化物組成物は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００１７】
好ましい実施形態では、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む。
【００１８】
本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットの製造法は、以下のステップを含む：
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト（ＣｏＯ）粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
（ｉｉｉ）この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
【００１９】
本発明によると、プレ合金粉末は、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む。
【００２０】
本発明によると、圧粉体を焼結してスパッタリングターゲットを得るステップは、８５０℃〜１０５０℃の温度で圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む。
【００２１】
好ましい実施形態では、非磁性酸化物粉末は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である。
【００２２】
好ましい実施形態では、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む。
【００２３】
本発明は、以下の例によりさらに例示されており、本明細書に記載の例及び実施形態は、例示を目的としているに過ぎず、本明細書に示されている実施形態に制限されると解釈されるべきでないことが理解されるべきである。
【００２４】
実施例
比較例１：原子パーセント比に基づく７５Ｃｏ−１２Ｃｒ−５Ｐｔ−８（ＴｉＯ２）のスパッタリングターゲットの生成
８８．４グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、１８．８グラムのＣｒ粉末（平均粒径：２０μｍ）、１９．５グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、及び１２．７８グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２５】
図ｌは、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られた比較例１のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示し、スパッタリングターゲットが、チタンのセラミック相のみを含有し、酸化クロムクラスターがないことを明らかに示している。
【００２６】
比較例２：原子パーセント比に基づく５４Ｃｏ−１７Ｃｒ−１８Ｐｔ−４（ＴｉＯ２）−７ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．６４グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、１７．６８グラムのＣｒ粉末（平均粒径：２０μｍ）、７０．２４グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、６．４グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１０．５グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２７】
図２は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された比較例２のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図２は、スパッタリングターゲットが、多くのＣｒ２Ｏ３クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相は、３．６４±２．８９μｍの（３μｍを超える）平均長を有している。
【００２８】
比較例３：原子パーセント比に基づく６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−７Ｐｔ−８（ＴｉＯ２）−９ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．８６グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、２３．９４グラムの４５原子％Ｃｏ−５５原子％Ｃｒプレ合金粉末（平均粒径：１０〜１００μｍ）、２７．３２グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、１２．７６グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１３．４８グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２９】
図３は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された比較例３のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図３は、スパッタリングターゲットが、多くのＣｒ２Ｏ３クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相は、１．９７±１．５１μｍの平均長を有している（それでも３μｍを超える可能性がある）。
【００３０】
実施例１：原子パーセント比に基づく６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−７Ｐｔ−９（ＴｉＯ２）−９ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．８６グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、２３．９４グラムの４５原子％Ｃｏ−５５原子％Ｃｒプレ合金粉末（平均粒径：１０〜１００μｍ）、２７．３２グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、１２．７６グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１３．４８グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００３１】
図４は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された実施例１のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図４は、スパッタリングターゲットが、より少ないＣｒ２Ｏ３凝集体を形成し、１．２９±０．９４μｍ（３μｍ未満）の平均長を有するＣｒ２Ｏ３及びＣｒ−ｔｉ−Ｏのセラミック相を含有することを明らかに示している。
【００３２】
本発明の構造及び特徴の詳細と共に、本発明の多数の特徴及び利点が、先述の説明に示されているが、本開示は例示に過ぎない。詳細、特に部材の形状、サイズ、及び配置に関しては、添付の特許請求の範囲に表されている用語の幅広い一般的な意味により示される範囲の及ぶ限り、本発明の原理内で変更を行うことができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を含有するスパッタリングターゲット、及びそれを生成するための方法に関し、より詳しくは、均一に分布した成分を含有するスパッタリングターゲットを生成し、スパッタリング中のアーク放電及び粒子を減少させるための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、コバルト−クロム−白金に基づく合金（ＣｏＣｒＰｔに基づく合金）を含有するスパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体に記録層を形成するために使用される。工業的には、記録層はスパッタリングにより形成され、そのようなスパッタリングプロセス中の反応ガスとして、通常は酸素が使用される。しかしながら、過剰な酸素が使用される場合、ターゲット中にある高度に反応性の金属は容易に酸素と反応し、アーク放電効果及び不要な粒子の形成がもたらされる。
【０００３】
前述の問題を解決するために、酸化コバルトをターゲットに添加することが試みられている。酸化コバルトは、コバルト原子及び酸素ラジカルに分離することができる。そのような酸素フリーラジカルは、活性金属と反応し、基材に堆積する場合がある。酸素ラジカルは、酸素原子より高い自由エネルギーを提供する。また、生成された酸化物は、酸素フリーラジカルにより、磁気記録媒体の金属物質（つまり、ＣｏＣｒＰｔ合金）の微細構造の粒界へと容易に隔離され、信号干渉が回避される。したがって、反応ガスとして酸素を使用する必要性はない。しかしながら、エリンガムダイアグラム及び関連実験結果からわかるように、酸化コバルトは、ターゲットのクロムとの酸化還元反応を引き起こし、酸化クロムのより粗いクラスター細片（ｓｔｒｉｐ ｃｌｕｓｔｅｒ）（Ｃｒ２Ｏ３クラスターなど）を形成する場合がある。そのようなクラスターにより、成分がターゲット中に不均一に分布し、スパッタ堆積中にアーク放電効果及び粒子の形成が引き起こされることが多い。
【０００４】
国際公開第２００７／１１６８３４号には、磁気記録薄膜に使用されるＣｏに基づく焼結合金を生成するための方法であって、５０〜７０原子％のクロムを含有するコバルト−クロムプレ合金（ｐｒｅａｌｌｏｙ）粉末を、白金粉末、コバルト粉末、及び非磁性酸化物粉末と混合して、２〜１５モル％の非磁性酸化物、３〜２０モル％のクロム、及び５〜３０モル％の白金からなる粉末混合物を形成すること、及びこの粉末混合物を焼結プロセスで焼結させることを含む方法が開示されている。スパッタリングプロセスに使用するための生成ターゲットは、より少数の粒子を発生させることができ、絶対最長値が５μｍを超える酸化クロムクラスターの数は、５００クラスター／ｍｍ２以下である。非磁性酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｈＯ２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、又はそれらの組み合わせである。
【０００５】
にもかかわらず、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを生成する原料として上述のプレ合金粉末を使用することでは、酸化クロムクラスターの発生を効果的に回避することはできず、教示されている方法では、現行技術の問題を解決することはできない。
【０００６】
こうした欠点を克服するために、本発明は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供して、前述の問題を緩和又は解決する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１６８３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の主な目的は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供することであり、それは、Ｃｒを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御することにより製作される。本発明によるスパッタリングターゲットは、スパッタリング中のアーク放電効果及び不要な粒子形成を克服することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために、本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さは、それぞれ３μｍ未満であり、ここでＸは、非磁性酸化物の金属元素を表す。
【００１０】
別の態様では、本発明は、上述のスパッタリングターゲットを生成するための製造法であって、以下のステップを含む方法を提供する：
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト（ＣｏＯ）粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
（ｉｉｉ）この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
【００１１】
本発明によると、「から本質的になる」とは、材料が、主として指定されている物質からなるが、この材料は、他の不可避な不純物も含んでいることを意味する。具体的には、原料は、主として２０〜８０原子％のクロム、酸化コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末からなり、この原料は、他の不可避な不純物を含有している。
【００１２】
本発明によるスパッタリングターゲットは、Ｃｒを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御して、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相のサイズを減少させることにより得られる。本発明の方法により製作されるスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットの成分をその中でより均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させる。また、本発明によるスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の記録層への適用に有用である。
【００１３】
本発明の他の目的、利点、及び新規な特徴は、添付の図面と共に解釈すると、以下の詳細な説明からより明白になるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術による比較例１における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図２】従来技術による比較例２における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図３】従来技術による比較例３における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図４】本発明による実施例１における従来のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さは、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）。
【００１６】
好ましい実施形態では、非磁性酸化物組成物は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００１７】
好ましい実施形態では、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む。
【００１８】
本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットの製造法は、以下のステップを含む：
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト（ＣｏＯ）粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
（ｉｉｉ）この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
【００１９】
本発明によると、プレ合金粉末は、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む。
【００２０】
本発明によると、圧粉体を焼結してスパッタリングターゲットを得るステップは、８５０℃〜１０５０℃の温度で圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む。
【００２１】
好ましい実施形態では、非磁性酸化物粉末は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である。
【００２２】
好ましい実施形態では、ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む。
【００２３】
本発明は、以下の例によりさらに例示されており、本明細書に記載の例及び実施形態は、例示を目的としているに過ぎず、本明細書に示されている実施形態に制限されると解釈されるべきでないことが理解されるべきである。
【００２４】
実施例
比較例１：原子パーセント比に基づく７５Ｃｏ−１２Ｃｒ−５Ｐｔ−８（ＴｉＯ２）のスパッタリングターゲットの生成
８８．４グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、１８．８グラムのＣｒ粉末（平均粒径：２０μｍ）、１９．５グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、及び１２．７８グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２５】
図ｌは、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られた比較例１のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示し、スパッタリングターゲットが、チタンのセラミック相のみを含有し、酸化クロムクラスターがないことを明らかに示している。
【００２６】
比較例２：原子パーセント比に基づく５４Ｃｏ−１７Ｃｒ−１８Ｐｔ−４（ＴｉＯ２）−７ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．６４グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、１７．６８グラムのＣｒ粉末（平均粒径：２０μｍ）、７０．２４グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、６．４グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１０．５グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２７】
図２は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された比較例２のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図２は、スパッタリングターゲットが、多くのＣｒ２Ｏ３クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相は、３．６４±２．８９μｍの（３μｍを超える）平均長を有している。
【００２８】
比較例３：原子パーセント比に基づく６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−７Ｐｔ−８（ＴｉＯ２）−９ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．８６グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、２３．９４グラムの４５原子％Ｃｏ−５５原子％Ｃｒプレ合金粉末（平均粒径：１０〜１００μｍ）、２７．３２グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、１２．７６グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１３．４８グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００２９】
図３は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された比較例３のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図３は、スパッタリングターゲットが、多くのＣｒ２Ｏ３クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相は、１．９７±１．５１μｍの平均長を有している（それでも３μｍを超える可能性がある）。
【００３０】
実施例１：原子パーセント比に基づく６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−７Ｐｔ−９（ＴｉＯ２）−９ＣｏＯのスパッタリングターゲットの生成
６３．８６グラムのＣｏ粉末（平均粒径：７μｍ）、２３．９４グラムの４５原子％Ｃｏ−５５原子％Ｃｒプレ合金粉末（平均粒径：１０〜１００μｍ）、２７．３２グラムのＰｔ粉末（平均粒径：８μｍ）、１２．７６グラムのＴｉＯ２粉末（平均粒径：１０μｍ）、及び１３．４８グラムのＣｏＯ粉末（平均粒径：８μｍ）を混合し、自動微粉砕機で３０分間微粉砕した。その後、それら粉末を６０メッシュのふるいにかけた。６０メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、３００ｐｓｉの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を３６２ｂａｒ、１１５０℃で１８０分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
【００３１】
図４は、走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ社製Ｎ−３４００型ＳＥＭ）により得られ、画像分析ソフトウェア（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ６．３）により分析された実施例１のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Ｃｒ２Ｏ３及びＣｒ−Ｔｉ−Ｏのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図４は、スパッタリングターゲットが、より少ないＣｒ２Ｏ３凝集体を形成し、１．２９±０．９４μｍ（３μｍ未満）の平均長を有するＣｒ２Ｏ３及びＣｒ−ｔｉ−Ｏのセラミック相を含有することを明らかに示している。
【００３２】
本発明の構造及び特徴の詳細と共に、本発明の多数の特徴及び利点が、先述の説明に示されているが、本開示は例示に過ぎない。詳細、特に部材の形状、サイズ、及び配置に関しては、添付の特許請求の範囲に表されている用語の幅広い一般的な意味により示される範囲の及ぶ限り、本発明の原理内で変更を行うことができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットであって、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが前記非磁性酸化物の金属元素を表す酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項ｌに記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項２に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを製造するための方法であって、
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、前記酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）前記原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、 （ｉｉｉ）前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップを含む方法。
【請求項６】
前記プレ合金粉末が、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットが、Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記圧粉体を焼結して前記スパッタリングターゲットを得るステップが、８５０℃〜１０５０℃の温度で前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記非磁性酸化物粉末が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１１】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１２】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１３】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１４】
請求項６に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１６】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１７】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１８】
請求項７に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１９】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１８に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項２０】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１８に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１】
酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットであって、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが前記非磁性酸化物の金属元素を表す酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項ｌに記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項２に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを製造するための方法であって、
（ｉ）２０〜８０原子％のクロム、酸化第一コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、前記酸化物混合物が、１種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
（ｉｉ）前記原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、 （ｉｉｉ）前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップを含む方法。
【請求項６】
前記プレ合金粉末が、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットが、Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記圧粉体を焼結して前記スパッタリングターゲットを得るステップが、８５０℃〜１０５０℃の温度で前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記非磁性酸化物粉末が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１１】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１２】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１３】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項１０に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１４】
請求項６に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１５】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１６】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１７】
Ｔａ、Ｃｕ、Ｂ、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項１４に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１８】
請求項７に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項１９】
前記スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ２Ｏ３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満であり、Ｘが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項１８に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【請求項２０】
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１８に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−２８８４１（Ｐ２０１３−２８８４１Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６５９３４（Ｐ２０１１−１６５９３４）
【出願日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【出願人】（５０９１７６１７８）光洋応用材料科技股▲ふん▼有限公司 (9)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【出願人】（５０９１７６１７８）光洋応用材料科技股▲ふん▼有限公司 (9)
【Ｆターム（参考）】
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