説明

電子デバイス用パッケージ、圧電デバイスおよび電子機器

【課題】 薄型化および平面サイズが小型化された電子デバイス用パッケージおよび圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 圧電デバイスの一例である圧電発振器10は、第1段差部26と第2段差部34によって側面が階段状に形成された凹陥部14を有するパッケージ12に、圧電振動片22と、この圧電振動片22を駆動させるICチップ24を実装した構成であり、特に吸着手段で保持されて前記凹陥部14の底面20に実装された前記ICチップ24と、前記第2段差部34の上面に接合された前記圧電振動片22とを有し、前記第1段差部26の高さは、前記吸着手段に保持されて前記ICチップ24が前記底面20に実装されたときの前記吸着手段の下面から前記底面20までの高さよりも低く、前記第2段差部34の側面から前記ICチップ24の側面までは、前記ICチップ24の実装精度およびワイヤボンディング用のキャピラリに応じた距離を有する構成である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子デバイス用パッケージ、圧電デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【0002】
圧電デバイスには、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させる回路を備えた集積回路(IC)チップを、内部に凹陥部が形成されたパッケージに実装した構成のものがある。この圧電デバイスの一例である圧電発振器の具体的な構成は、次のようになっている。すなわちパッケージは、パッケージベースと、この上面に接合される蓋体を備えている。パッケージベースに設けられた凹陥部の底面には、ICチップが接合されている。また凹陥部の側面は階段状に形成されており、最下に設けられた第1段差部の上面にボンディング電極が設けられている。そしてICチップの上面に設けられたパッドとボンディング電極がワイヤにより接合されている。また第1段差部上に設けられた第2段差部の上面にマウント電極が設けられ、このマウント電極上に圧電振動片が実装されている(特許文献1,2を参照)。なお圧電発振器の構成によっては、パッケージベースに第1段差部が設けられておらず、ボンディング電極が凹陥部の底面に設けられている場合もある(特許文献2を参照)。
【0003】
図4は従来技術に係り、ICチップをパッケージに実装するときの説明図である。パッケージベース1にICチップ2を実装する場合は、ICチップ2を吸着手段3により保持して凹陥部の底面4に移動し、接着剤等で固着していた。吸着手段3は、下面に四角錘の誘い込み部5を有しており、ICチップ2をこの誘い込み部5の内部に入れて真空吸着するものである。このため第1段差部6が吸着手段3に接触するのを防止するために、凹陥部の底面4は吸着手段3の平面サイズよりも大きな面積が必要になっていた。
【特許文献1】特開2001−274653号公報
【特許文献2】国際公開第96/01524号 実施例7,8を参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年は、圧電発振器が搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器にも薄型化および平面サイズの小型化が要求されている。ところが圧電発振器を構成するICチップやパッケージ等は、その機能を確保するためや強度確保のため等の理由により薄型化および小型化に限界がある。このため圧電発振器の内部に少しでも隙間がある場合は、その隙間を詰める必要がある。
【0005】
そして上述した圧電発振器では、凹陥部の底面、すなわち第1段差部の側面同士の距離は、ICチップの実装精度と、吸着手段の平面サイズが必要となる。このため従来の圧電発振器では、第1段差部の間に吸着手段を挿入させるためのスペースが必要になり、平面サイズの小型化ができなかった。
【0006】
またパッケージベースにおける凹陥部の底面にワイヤが接合されるボンディング電極を設けた場合は、ICチップを固着する接着剤が流れ出してきて、ボンディング電極を覆ってしまう可能性がある。ボンディング電極が接着剤で覆われてしまった場合には、ボンディング電極にワイヤを打ちにくくなって、ボンディング電極とワイヤが接合できなくなる虞がある。この場合には、圧電発振器が不良品となるので、廃棄しなければならない。このような問題を回避するためには、ボンディング電極を第1段差部上に設ければよいが、圧電発振器が厚くなってしまう。
本発明は、薄型化および平面サイズが小型化された電子デバイス用パッケージおよび圧電デバイスを提供することを目的とする。
また、この圧電デバイスを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、本発明に係る電子デバイス用パッケージは、第1段差部と、この第1段差部の上側に設けられた第2段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有する電子デバイス用パッケージであって、前記第1段差部の底面からの高さは、吸着手段に保持された電子部品を前記底面に実装したときに、前記底面から前記吸着手段の下面までの高さよりも低く、前記第2段差部の側面から前記電子部品の側面までは、前記電子部品の実装精度に応じた距離を有する、ことを特徴としている。
【0008】
電子部品が凹陥部に実装されるときは第1段差部の上方に吸着手段が位置しているが、第1段差部は薄型化されて吸着手段に接触することのない高さに設定されている。このため第1段差部を薄型化したことにより、電子デバイス用パッケージを薄型化することができる。また第2段差部の側面から電子部品の側面までの距離は、電子部品の実装精度を考慮した最低限の距離に設定されているので、第2段差部と吸着手段が接触するのを防止できる。そして第2段差部と電子部品との距離を短くしたため、電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。
【0009】
そしてワイヤが接合されるボンディング電極を前記第1段差部の上面に設け、前記第2段差部の側面から前記電子部品の側面までは、ワイヤボンディング用のキャピラリの大きさに応じた距離を有する、ことを特徴としている。ボンディング電極が第1段差部上に設けられているので、電子部品を凹陥部に固着する接着剤が流れ出したとしても接着剤がボンディング電極を覆うことがない。これによりワイヤをボンディング電極に確実に接合することができる。また向い合う第2段差部の側面同士の間は、吸着手段が入る最低限の間隔を有しているとともに、キャピラリが入る最低限の間隔を有しているので、電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。
【0010】
また前記凹陥部の底面は、前記電子部品の平面サイズと、前記電子部品の実装精度に応じた大きさを有することを特徴としている。凹陥部の底面は、電子部品を実装するための最低限の大きさを有しているので、電子部品を実装するときは、吸着手段の周縁部が第1段差部の上方に位置することになる。これにより電子デバイス用パッケージの平面サイズを小型化することができる。
【0011】
また本発明に係る圧電デバイスは、第1段差部と、この第1段差部の上側に設けられた第2段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有するパッケージに、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させるICチップを実装した圧電デバイスであって、吸着手段で保持されて前記凹陥部の底面に実装された前記ICチップと、前記第2段差部の上面に接合された前記圧電振動片とを有し、前記第1段差部の高さは、前記吸着手段に保持されて前記ICチップが前記底面に実装されたときの前記吸着手段の下面から前記底面までの高さよりも低く、前記第2段差部の側面から前記ICチップの側面までは、前記ICチップの実装精度およびワイヤボンディング用のキャピラリに応じた距離を有する、ことを特徴としている。
【0012】
ICチップが凹陥部に接合されるときは第1段差部の上方に吸着手段が位置しているが、第1段差部は薄型化されて吸着手段に接触することのない高さに設定されている。このため第1段差部を薄型化したことにより、圧電デバイスを薄型化することができる。また第2段差部の側面からICチップの側面までの距離は、ICチップの実装精度を考慮した最低限の距離、およびキャピラリが入る最低限の距離に応じて設定されているので、第2段差部と吸着手段、キャピラリと第2段差部およびキャピラリとICチップが接触するのを防止できる。そして第2段差部とICチップとの距離を短くしたため、圧電デバイスの平面サイズを小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
以下に、本発明に係る電子デバイス用パッケージ、圧電デバイスおよび電子機器の最良の実施形態について説明する。なお以下の実施形態では、電子部品であるICチップと圧電振動片を電子デバイス用パッケージ(以下、パッケージという)に実装した圧電発振器(圧電デバイス)について説明する。
【0014】
図1は圧電発振器の概略断面図である。圧電発振器10に用いられるパッケージ12は、内部に凹陥部14が設けられたパッケージベース16と、この上面に接合された蓋体18を備えている。パッケージベース16の裏面には、外部端子32が設けられている。パッケージベース16に設けられた凹陥部14は、パッケージベース16の上面側に開口している。そして凹陥部14の底面20には、圧電振動片22を発振(駆動)させる回路を備えたICチップ24が実装されている。この底面20の面積は、ICチップ24の面積と、ICチップ24の実装精度を考慮して設定されている。なおICチップ24は、圧電振動片22から出力される周波数の安定度を高めるために温度補償を行う回路や、圧電振動片22から出力される周波数を設定電圧に応じて制御する回路等を備えることもできる。
【0015】
また凹陥部14の側面は階段状に形成されており、図1に示される形態では3段の段差部が形成されている。凹陥部14の最下部に設けられた第1段差部26の高さは、ICチップ24が吸着手段60に保持されて底面20に実装されたときに、吸着手段60の下面から凹陥部14の底面20までの高さよりも低く設定されている(図2参照)。これにより第1段差部26と吸着手段60が接触することがない。
【0016】
また第1段差部26の上面には、ワイヤ30が接合されるボンディング電極28が設けられている。これによりボンディング電極28とICチップ24にワイヤ30が接合されると、これらが導通される。なおボンディング電極28は複数設けられており、そのうちの一部が外部端子32と導通している。
【0017】
この第1段差部26の上側に第2段差部34が設けられている。第2段差部34の上面にマウント電極36が設けられている。そして外部端子32と導通していないボンディング電極28とマウント電極36が導通している。マウント電極36には、導電性接着剤38等を用いて圧電振動片22が実装されている。圧電振動片22は、ATカット等の圧電振動片、音叉型圧電振動片または弾性表面波共振片等であればよい。
【0018】
そして第2段差部34の上面は、ICチップ24や、ICチップ24とボンディング電極28を導通させるワイヤ30のループ高さよりも高い位置にあり、圧電振動片22の上下方向の振れ等を考慮して高さが設定されている。また向い合っている第2段差部34の側面同士の距離は、ICチップ24を保持する吸着手段60が入る距離を有しており、吸着手段60の幅とICチップ24の実装精度に応じた距離を有している(図2参照)。さらにICチップ24を底面20に搭載した後は、ICチップ24とボンディング電極28にワイヤ30が接合されるので、ICチップ24の側面と第2段差部34の側面の間は、ワイヤボンディング用のキャピラリ40が入る距離を有している(図3参照)。したがって第2段差部34の側面からICチップ24の側面までは、吸着手段60が入る距離と、ICチップ24の実装精度に応じた距離を有するとともに、キャピラリ40の大きさに応じた距離を有している。
このような第2段差部34の上側に第3段差部42が設けられている。第3段差部42の高さは、圧電振動片22の上下方向の振れ等を考慮して設定されている。そして第3段差部42の上面に蓋体18が接合されている。
【0019】
次に、圧電発振器10の製造方法について説明する。図2はパッケージベースにICチップを実装するときの説明図である。図3はICチップとボンディング電極にワイヤボンディングを施すときの説明図である。まずパッケージベース16は、平板の絶縁シートと枠幅の異なる複数の枠型の絶縁シートを積層させて形成される。具体的には、図2に示されるように平板の絶縁シートは、パッケージベース16のボトム層50を形成するものであり、裏面に外部端子32が形成されている。そして枠幅が広く、厚さが薄く設定されたセカンド層52がボトム層50の上面に接合されて、第1段差部26を形成している。このセカンド層52の上面には、ボンディング電極28が形成されている。
【0020】
そして枠幅がセカンド層52よりも狭く設定されたマウント層54がセカンド層52の上面に接合されて第2段差部34を形成している。マウント層54の上面には、マウント電極36が形成されている。そして枠幅がマウント層54よりも狭く設定されたトップ層56がマウント層54の上面に接合されて第3段差部42を形成している。なお外部端子32とボンディング電極28、およびマウント電極36とボンディング電極28は、前記絶縁シートに形成された導通パターン(不図示)により接続されている。そして各絶縁シートが接合されたものを焼成し、各電極28,32,36にメッキ等を施すことによってパッケージベース16が形成される。
【0021】
このようなパッケージベース16には、ICチップ24および圧電振動片22が実装される。より具体的には、ICチップ24は、吸着手段60の下面から内部に向けて設けられた四角錘の誘い込み部62に誘い込まれ、吸引されることにより保持される。そして吸着手段60をパッケージベース16の底面20に移動させて、接着剤等を用いてICチップ24を底面20に固着する。このとき第1段差部26の上方に吸着手段60の周縁部が位置することになる。そしてセカンド層52が所定の厚さに薄く形成されているので、吸着手段60の下面とセカンド層52の上面が接触することがない。またマウント層54は、所定の距離だけ底面20の側辺から離れているので、吸着手段60と接触することがない。なお吸着手段60は、ICチップ24を真空吸引することで吸着し保持する治具であり、例えばコレットであればよい。
【0022】
この後、ICチップ24の上面に設けられたパッド25とボンディング電極28にワイヤボンディングが施される。より具体的には、次のようになっている。すなわち図3に示されるキャピラリ40は、ワイヤボンディングを施すときに用いられるものであり、下側の先端部を介してワイヤ30が通されている。そしてキャピラリ40の下端をパッド25やボンディング電極28に接触させることにより、ワイヤ30をパッド25等に超音波接合している。このときマウント層54は、所定の距離だけ底面20の側辺から離れているので、ボンディング電極28にワイヤ30を打つ時にキャピラリ40やICチップ24と接触することがない。
【0023】
この後、マウント電極36の上に導電性接着剤38を用いて圧電振動片22を実装する。そしてトップ層56の上面に蓋体18を接合し、真空や不活性ガスにより凹陥部14を気密封止する。
【0024】
このような圧電発振器10は、第1段差部26の高さが吸着手段60に接触することのない高さまで薄型化されている。すなわち第1段差部26の高さは、ICチップ24が吸着手段60に保持されている場合において、この吸着手段60から下側に出ているICチップ24の高さよりも薄くなっている。このため圧電発振器10を薄型化することができる。
【0025】
またボンディング電極28を第1段差部26の上面に設けているので、ICチップ24を凹陥部14に接合する接着剤によってボンディング電極28が覆われることがなくなり、ボンディング電極28にワイヤ30を確実に接合することができる。したがってワイヤボンディングの不良によって、圧電発振器10が不良品になってしまうことがない。
【0026】
さらにパッケージベース16に設けられた凹陥部14の底面20は、ICチップ24の大きさと、ICチップ24の実装精度を考慮して設定されているので、ICチップ24を搭載する最低限の大きさを有している。そしてマウント層54の側面同士の距離は、吸着手段60が入る距離と、ICチップ24を実装した後にボンディング電極28にワイヤ30を打つキャピラリ40が入る距離とを考慮した最小の距離を有している。このため圧電発振器10の平面サイズを小型化することができる。
【0027】
そして上述した圧電発振器10は、例えばディジタル式携帯電話や、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、携帯情報端末等の、制御用のクロック信号を必要とする電子機器等に搭載される。ここで圧電発振器10がディジタル式携帯電話に搭載された場合、圧電発振器10は、例えば送受信信号の送信部および受信部を制御する中央演算装置(CPU)に接続される。そして圧電発振器10の出力周波数を前記CPUに内蔵された所定の分周回路等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようになっている。また圧電発振器10に温度補償回路を搭載して温度補償型圧電発振器とした場合、この温度補償型圧電発振器は、例えば前記CPUの出力側に接続されるとともに、前記送信部および前記受信部に接続される。そして環境温度が変化して前記CPUからの基本クロックが変動しても、温度補償型圧電発振器により修正されて、前記送信部および前記受信部に与えられるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】圧電発振器の概略断面図である。
【図2】パッケージベースにICチップを実装するときの説明図である。
【図3】ICチップとボンディング電極にワイヤボンディングを施すときの説明図である。
【図4】従来技術に係り、ICチップをパッケージに実装するときの説明図である。
【符号の説明】
【0029】
10………圧電発振器、12………パッケージ、14………凹陥部、22………圧電振動片、24………ICチップ、26………第1段差部、34………第2段差部。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1段差部と、この第1段差部の上側に設けられた第2段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有する電子デバイス用パッケージであって、
前記第1段差部の底面からの高さは、吸着手段に保持された電子部品を前記底面に実装したときに、前記底面から前記吸着手段までの高さよりも低く、
前記第2段差部の側面から前記電子部品の側面までは、前記電子部品の実装精度に応じた距離を有する、
ことを特徴とする電子デバイス用パッケージ。
【請求項2】
ワイヤが接合されるボンディング電極を前記第1段差部の上面に設け、
前記第2段差部の側面から前記電子部品の側面までは、ワイヤボンディング用のキャピラリの大きさに応じた距離を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項3】
前記凹陥部の底面は、前記電子部品の平面サイズと、前記電子部品の実装精度に応じた大きさを有することを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス用パッケージ。
【請求項4】
第1段差部と、この第1段差部の上側に設けられた第2段差部によって側面が階段状に形成された凹陥部を有するパッケージに、圧電振動片と、この圧電振動片を駆動させるICチップを実装した圧電デバイスであって、
吸着手段で保持されて前記凹陥部の底面に実装された前記ICチップと、前記第2段差部の上面に接合された前記圧電振動片とを有し、
前記第1段差部の高さは、前記吸着手段に保持されて前記ICチップが前記底面に実装されたときの前記吸着手段の下面から前記底面までの高さよりも低く、
前記第2段差部の側面から前記ICチップの側面までは、前記ICチップの実装精度およびワイヤボンディング用のキャピラリに応じた距離を有する、
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項5】
請求項4に記載の圧電デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2007−49589(P2007−49589A)
【公開日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−234049(P2005−234049)
【出願日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】