電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法
【課題】 シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し、且つ工数を減少し、さらに製品のばらつきを無くして安定した精度の高いものにでき、その上ダウンサイジング化が可能な電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給してスパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後、所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とする電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法。
【解決手段】 ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給してスパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後、所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とする電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路素子などの電子部品を保護するセラミックス等より成るパッケージのシール用キャップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記シール用キャップを製造するには、図７の（ａ）に示すように厚さ０．２ｍｍ、縦２．０ｍｍ、横２．５ｍｍのＦｅＮｉ合金の矩形板１の表面に図７の（ｂ）に示すように厚さ３０μｍ、外径寸法２．０ｍｍ×２．５ｍｍ、内径寸法１．２ｍｍ×１．７ｍｍのＡｕＳｎ２０ｗｔ％の矩形枠２を、図７の（ｃ）に示すように加熱融着してシール用キャップ３を作っていた。
【０００３】ところで、かかるシール用キャップの製造方法は、手作業によるので、量産できず、少量でも多くの人手と時間のかかるものであった。しかも、製品にばらつきがあって、安定しなかった。さらに、ＡｕＳｎ２０ｗｔ％の矩形枠２は加工が非常に難しく、シール用キャップのダンウサイジング化への対応は不可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し、且つ工数を減少し、さらに製品のばらつきを無くして安定化でき、その上ダンウサイジング化が可能なシール用キャップの製造方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するための、本発明のシール用キャップの製造方法は、ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給して、スパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とするものである。
【０００６】このように本発明のシール用キャップの製造方法では、長尺のＦｅＮｉ合金テープにスパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成するので、シール用キャップの量産化が可能となり、人手と時間が削減され、工数も減少する。また、スパッタリングの前にはＦｅＮｉ合金のテープに下地処理を行い、スパッタリングの後には、熱処理、みがき処理が行われ、最終段階でプレス抜きされるので、得られるシール用キャップはばらつきの無い精度の高い安定したものとなる。さらに、プレス抜きの型を選定することにより、シール用キャップのサイズを変更でき、従ってダウンサイジング化に対応することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法の実施例を図によって説明すると、先ず、図１に示す厚さ０．２ｍｍ、幅３．０ｍｍのＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金（またはコバール）の長尺テープ１０を下地処理し、即ち、両面にＮｉめっきを０．１μｍ施し、さらに片面にＡｕメッキを０．１〜０．３μｍ施した。次に図２に示すＡｒ分圧２．０〜３．０×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタリング装置１１内に、下地処理した長尺テープ１０を繰り出しロール１２により２ｍ／分の一定速度で送給し、ＡｕＳｎ２６．５ｗｔ％ターゲット材１３を９．６ｋｗパワーでスパッタリングして、Ａｕめっき側の片面に図３に示すようにＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４を２０μｍ形成し、この長尺クラッドテープ１５を図２に示される巻き取りロール１６で巻き取った。次いで、この長尺クラッドテープ１５を図４に示すコンベア炉（Ｎ2 ＋Ｈ2 Ｆ雰囲気）１７に通して熱処理し、ＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４を溶融してＡｒガス抜きを行い、さらに図５に示すようにＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金の長尺テープ１０側にまわり込んだＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４をみがき処理により除去した。然る後、図６に示すように長尺クラッドテープ１５を順次縦２．０ｍｍ、横２．５ｍｍ、の矩形にプレス抜きしてシール用キャップを得た。
【０００８】この実施例によると、５００ｍの長尺クラッドテープ１５で、シール用キャップ１８が１７万個程製造されて、量産化が達成された。また、スパッタリングによるＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４の形成と長尺クラッドテープ１５のプレス抜きによって殆んど自動化されて、人手と時間が大幅に削減された上、工数も減少した。さらに、スパッタリングの前にＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金のテープに下地処理として両面にＮｉめっきを、さらに片面にＡｕめっきを行っているので、スパッタリング時Ａｕめっき面へのＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜の密着度が高いものとなり、スパッタリング後は熱処理によってＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜からＡｒガスが抜けるので、使用時ＡｕＳｎ２０ｗｔ％の飛散が防止され、また、みがき処理によって不要なＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜が除去されるので、長尺クラッドテープの品質が高く、従ってこれをプレスして得たシール用キャップ１８はばらつきの無い安定した精度の高いものとなった。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明で判るように本発明の電子部品保護パッケージ用シール用キャップの製造方法によれば、シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し且つ工数も減少でき、さらにばらつきの無い安定した精度の高いシール用キャップを製造でき、その上プレス抜きのサイズを変更できるので、シール用キャップのダウンサイジング化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金（またはコバール）の長尺テープを示す斜視図である。
【図２】図１の長尺テープの片面にＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜を形成するスパッタリング方法を示す図である。
【図３】図１の長尺テープの片面にＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜を形成して得た長尺クラッドテープを示す斜視図である。
【図４】図３の長尺クラッドテープを熱処理する状態を示す図である。
【図５】熱処理した後の長尺クラッドテープをみがき処理する前の状態を示す断面図である。
【図６】みがき処理した後の長尺クラッドテープをプレス抜きしてシール用キャップを得た状態を示す斜視図である。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のシール用キャップの製造方法の工程を示す図である。
【符号の説明】
１０ ＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金の長尺テープ
１１ スパッタリング装置
１３ ＡｕＳｎ２６．５ｗｔ％ターゲット材
１４ ＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜
１５ 長尺クラッドテープ
１７ 熱処理用のコンベア炉
１８ シール用キャップ
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路素子などの電子部品を保護するセラミックス等より成るパッケージのシール用キャップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記シール用キャップを製造するには、図７の（ａ）に示すように厚さ０．２ｍｍ、縦２．０ｍｍ、横２．５ｍｍのＦｅＮｉ合金の矩形板１の表面に図７の（ｂ）に示すように厚さ３０μｍ、外径寸法２．０ｍｍ×２．５ｍｍ、内径寸法１．２ｍｍ×１．７ｍｍのＡｕＳｎ２０ｗｔ％の矩形枠２を、図７の（ｃ）に示すように加熱融着してシール用キャップ３を作っていた。
【０００３】ところで、かかるシール用キャップの製造方法は、手作業によるので、量産できず、少量でも多くの人手と時間のかかるものであった。しかも、製品にばらつきがあって、安定しなかった。さらに、ＡｕＳｎ２０ｗｔ％の矩形枠２は加工が非常に難しく、シール用キャップのダンウサイジング化への対応は不可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し、且つ工数を減少し、さらに製品のばらつきを無くして安定化でき、その上ダンウサイジング化が可能なシール用キャップの製造方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するための、本発明のシール用キャップの製造方法は、ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給して、スパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とするものである。
【０００６】このように本発明のシール用キャップの製造方法では、長尺のＦｅＮｉ合金テープにスパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成するので、シール用キャップの量産化が可能となり、人手と時間が削減され、工数も減少する。また、スパッタリングの前にはＦｅＮｉ合金のテープに下地処理を行い、スパッタリングの後には、熱処理、みがき処理が行われ、最終段階でプレス抜きされるので、得られるシール用キャップはばらつきの無い精度の高い安定したものとなる。さらに、プレス抜きの型を選定することにより、シール用キャップのサイズを変更でき、従ってダウンサイジング化に対応することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法の実施例を図によって説明すると、先ず、図１に示す厚さ０．２ｍｍ、幅３．０ｍｍのＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金（またはコバール）の長尺テープ１０を下地処理し、即ち、両面にＮｉめっきを０．１μｍ施し、さらに片面にＡｕメッキを０．１〜０．３μｍ施した。次に図２に示すＡｒ分圧２．０〜３．０×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタリング装置１１内に、下地処理した長尺テープ１０を繰り出しロール１２により２ｍ／分の一定速度で送給し、ＡｕＳｎ２６．５ｗｔ％ターゲット材１３を９．６ｋｗパワーでスパッタリングして、Ａｕめっき側の片面に図３に示すようにＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４を２０μｍ形成し、この長尺クラッドテープ１５を図２に示される巻き取りロール１６で巻き取った。次いで、この長尺クラッドテープ１５を図４に示すコンベア炉（Ｎ2 ＋Ｈ2 Ｆ雰囲気）１７に通して熱処理し、ＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４を溶融してＡｒガス抜きを行い、さらに図５に示すようにＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金の長尺テープ１０側にまわり込んだＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４をみがき処理により除去した。然る後、図６に示すように長尺クラッドテープ１５を順次縦２．０ｍｍ、横２．５ｍｍ、の矩形にプレス抜きしてシール用キャップを得た。
【０００８】この実施例によると、５００ｍの長尺クラッドテープ１５で、シール用キャップ１８が１７万個程製造されて、量産化が達成された。また、スパッタリングによるＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜１４の形成と長尺クラッドテープ１５のプレス抜きによって殆んど自動化されて、人手と時間が大幅に削減された上、工数も減少した。さらに、スパッタリングの前にＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金のテープに下地処理として両面にＮｉめっきを、さらに片面にＡｕめっきを行っているので、スパッタリング時Ａｕめっき面へのＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜の密着度が高いものとなり、スパッタリング後は熱処理によってＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜からＡｒガスが抜けるので、使用時ＡｕＳｎ２０ｗｔ％の飛散が防止され、また、みがき処理によって不要なＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜が除去されるので、長尺クラッドテープの品質が高く、従ってこれをプレスして得たシール用キャップ１８はばらつきの無い安定した精度の高いものとなった。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明で判るように本発明の電子部品保護パッケージ用シール用キャップの製造方法によれば、シール用キャップの製造を量産化でき、しかも殆んど自動化できて、人手と時間を削減し且つ工数も減少でき、さらにばらつきの無い安定した精度の高いシール用キャップを製造でき、その上プレス抜きのサイズを変更できるので、シール用キャップのダウンサイジング化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金（またはコバール）の長尺テープを示す斜視図である。
【図２】図１の長尺テープの片面にＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜を形成するスパッタリング方法を示す図である。
【図３】図１の長尺テープの片面にＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜を形成して得た長尺クラッドテープを示す斜視図である。
【図４】図３の長尺クラッドテープを熱処理する状態を示す図である。
【図５】熱処理した後の長尺クラッドテープをみがき処理する前の状態を示す断面図である。
【図６】みがき処理した後の長尺クラッドテープをプレス抜きしてシール用キャップを得た状態を示す斜視図である。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のシール用キャップの製造方法の工程を示す図である。
【符号の説明】
１０ ＦｅＮｉ１０ｗｔ％合金の長尺テープ
１１ スパッタリング装置
１３ ＡｕＳｎ２６．５ｗｔ％ターゲット材
１４ ＡｕＳｎ２０ｗｔ％膜
１５ 長尺クラッドテープ
１７ 熱処理用のコンベア炉
１８ シール用キャップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給して、スパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とする電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法。
【請求項１】 ＦｅＮｉ合金の長尺テープを下地処理した後、スパッタリング装置に一定速度で送給して、スパッタリング法によりＡｕＳｎ膜を形成し、次いで熱処理し、みがき処理した後所定寸法にプレス抜きしてシール用キャップを得ることを特徴とする電子部品保護パッケージのシール用キャップの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０００−５８６９０（Ｐ２０００−５８６９０Ａ）
【公開日】平成１２年２月２５日（２０００．２．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平１０−２２１４１３
【出願日】平成１０年８月５日（１９９８．８．５）
【出願人】（０００２１７２２８）田中貴金属工業株式会社 (146)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１２年２月２５日（２０００．２．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１０年８月５日（１９９８．８．５）
【出願人】（０００２１７２２８）田中貴金属工業株式会社 (146)
【Ｆターム（参考）】
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