電子部品及び電子部品の製造方法
【課題】形状、寸法及び位置が高い精度で形成された外部電極を有し、小型化及び低コスト化を図ることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように溝加工を行い、上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成後に基板を完全に切断して個々の電子部品に分離、又は複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように基板を完全に切断して個々の電子部品に分離した後に外部電極をめっき形成する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように溝加工を行い、上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成後に基板を完全に切断して個々の電子部品に分離、又は複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように基板を完全に切断して個々の電子部品に分離した後に外部電極をめっき形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器におけるプリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される表面実装型の電子部品、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯電話機等の電子機器に実装される電子部品には、インダクタ素子やコモンモードチョークコイルを構成するコイル部品、キャパシタ部品等の種々の受動素子部品が存在する。
【０００３】
例えばコイル部品としては、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型コイル部品、コイル導体パターンを表面に形成したフェライト等の磁性体シートを積層した積層型コイル部品、及び薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型コイル部品が知られている。
【０００４】
薄膜型コイル部品の一例であるコモンモードチョークコイルは、一般に、フェライト基板上に絶縁層とコイル層とを薄膜形成技術で順次形成し、その上にフェライト基板を貼り合わせてなるものを切断することにより、直方体状の外形を有する個々のチップに分離し、そのチップの側面に露出した内部電極端子に接続されるように外部電極を例えばめっき等により形成するものである（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したごときコモンモードチョークコイルに代表される従来の電子部品は、基板上に多数の素子を薄膜形成技術で形成し、これらを個々のチップに切断分離した後、外部電極をその上面、側面及び下面に形成することによって製造されていた。個々のチップに切断分離した後に外部電極を形成しているのは、切断後でないとチップの側面が外部に現れてこないためその側面に外部電極を形成することができないためである。側面に外部電極が形成されていないと電極面積が小さくなり、半田接続強度が不足してしまう。例えば特許文献１に記載のコモンモードチョークコイルにおいては、基体との接着強度及び内部導体との導通を十分にとるためコの字状の断面形状を有する外部電極のパターンを形成している。
【０００７】
従来のこれら電子部品を製造する場合、多数の素子が形成された基板を個々のチップに切断した後、各チップに所望の断面形状を有する外部電極パターンを形成することが行われている。このように、従来技術では、個々のチップに分離した後に外部電極パターンを形成する必要があったため、外部電極の形状、寸法及び位置を高精度で形成することが非常に難しかった。さらに、従来技術によると、基板上の工程とチップに分離した後の工程という複数の製造工程が必要なため、製造コストが大幅に増大する不都合があった。
【０００８】
従って本発明の目的は、実装時に充分な半田強度を得ることができるように電極面積が大きい外部電極を有する電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、形状、寸法及び位置が高い精度で形成された外部電極を有する電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、小型化及び低コスト化を図ることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、内部に設けられた受動素子と、受動素子を覆う絶縁層と、絶縁層の外側に、少なくとも電子部品の上面の一部まで伸長して形成されており、受動素子に電気的に接続された複数の導体層と、電子部品の上面の一部において複数の導体層上に被着して形成されていると共に電子部品の側面の一部にも形成された、各々がＬ字状断面を有する複数の外部電極とを備えた電子部品が提供される。
【００１２】
複数の外部電極の各々がＬ字状断面を有するように、電子部品の上面の一部において各導体層上に被着して形成されていると共に電子部品の側面の一部にも形成されている。このように、各外部電極がＬ字状断面を備えており、電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００１３】
複数の外部電極の各々が、上面と側面との間でのみＬ字状断面を有していること、又は上面と側面との間及び２つの側面間でＬ字状断面を有していることが好ましい。
【００１４】
複数の導体層が電子部品の上面の一部及び側面の一部まで伸長して形成されており、複数の外部電極が電子部品の上面の一部及び側面の一部において複数の導体層上に被着して形成されていることが好ましい。
【００１５】
複数の外部電極が、複数の導体層上にめっき形成された導体膜からなることも好ましい。この場合、導体膜が、金（Ａｕ）膜を含む多層膜又は錫（Ｓｎ）膜で形成されていることがより好ましい。
【００１６】
複数の導体層が電子部品の上面の一部のみに伸長して形成されており、複数の外部電極が電子部品の上面の一部のみにおいて複数の導体層上に導通していることも好ましい。
【００１７】
複数の外部電極が、電子部品の上面の一部において複数の導体層上に及び電子部品の側面の一部に形成された下側導体膜と、下側導体膜上にめっき形成された上側導体膜とからなることが好ましい。この場合、下側導体膜が、銅（Ｃｕ）膜を含む多層膜で形成されていることがより好ましい。さらに、上側導体膜が、Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜で形成されていることがより好ましい。
【００１８】
受動素子が、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つであることが好ましい。この場合、電子部品が、インダクタと、磁性体材料を含む絶縁層と、上記インダクタを載置した磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルであることがより好ましい。
【００１９】
本発明によれば、さらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように溝加工を行い、上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する電子部品の製造方法が提供される。
【００２０】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離する前に溝加工を行って、電子部品の側面が露出されて導体層の一部がこれら側面に露出するようにし、上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成した後、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離している。個々の電子部品に分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２１】
本発明によれば、またさらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部が側面に露出するように基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、分離した個々の電子部品において上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する電子部品の製造方法が提供される。
【００２２】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離することにより、電子部品の側面が露出されて導体層の一部がこれら側面に露出するので、上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する。上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２３】
個々の電子部品に分離した後、電子部品の面取りを行うことも好ましい。
【００２４】
Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜をめっきして外部電極を形成することが好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、これら複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、第３の絶縁層の一部がこれら側面に露出するように浅溝加工を行い、上面に露出する複数の導体層の上及び側面に露出する第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する電子部品の製造方法が提供される。
【００２６】
本発明によれば、さらにまた、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、これら複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、第３の絶縁層の一部がこれら側面に露出するように浅溝加工を行い、上面に露出する複数の導体層の上及び側面に露出する第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、分離した個々の電子部品における外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成する電子部品の製造方法が提供される。
【００２７】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離する前に浅溝加工を行って、電子部品の側面が露出されるようにし、上面に露出した複数の導体層上及び側面に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成している。このように、個々の電子部品に分離する前に外部電極用下側導体膜を形成しているので、その後にめっき形成される外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２８】
Ｃｕ膜を含む多層膜をスパッタして外部電極用下側導体膜を形成することが好ましい。
【００２９】
Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜をめっきして外部電極用上側導体膜を形成することも好ましい。
【００３０】
受動素子として、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つを形成することが好ましい。この場合、電子部品がインダクタを備えたコモンモードチョークコイルであり、基板として磁性体基板を使用し、浅溝加工の前に複数の導体層間に磁性体材料を含む層を充填することがより好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、個々の電子部品に分離する前に外部電極又は外部電極用下側導体膜を形成可能なので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とチップに分離した後の工程とに分かれないようにもできるため、製造コストを低減化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の電子部品の一実施形態として、コモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図、Ｂ−Ｂ線断面図及びＣ−Ｃ線断面図である。
【図２】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの分解斜視図である。
【図３ａ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図３ｂ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図４ａ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図４ｂ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図５】図１の実施形態の変更態様におけるコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図である。
【図６ａ】本発明の電子部品の他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図６ｂ】本発明の電子部品の他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図７ａ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図７ｂ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図８ａ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図８ｂ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図９】本発明の電子部品のさらに他の実施形態として、コモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図及びＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０ａ】図９の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１０ｂ】図９の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１１ａ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１１ｂ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１２ａ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１２ｂ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１は本発明の電子部品の一実施形態としてコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す（Ａ）外観斜視図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ線断面図、（Ｃ）Ｃ−Ｃ線断面図であり、図２はこのコモンモードチョークコイルの分解斜視図である。なお、図１（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図は外部電極の存在する位置における断面を示しており、図１（Ｃ）のＣ−Ｃ線断面は外部電極の存在しない位置における断面を示している。
【００３４】
これらの図において、１０はコモンモードチョークコイル、１１はフェライト基板、１２はフェライト基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２ａ、第２の絶縁膜１２ｂ及び第３の絶縁膜１２ｃから構成される絶縁層、１３は絶縁層１２に囲まれて形成された第１のコイル導体膜１３ａ及び第２のコイル導体膜１３ｂから構成されるコイル導体層、１４は一端が図示しないビアホール導体を介してコイル導体層１３に電気的に接続され、他端が内部導体（１５）に電気的に接続されたリード導体層、１５はコモンモードチョークコイル１０の上面１０ａの一部並びに側面１０ｂ及び１０ｃの一部に現れるように形成された第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体、１６は絶縁層１２上に形成されたフェライト材料を含む複合フェライト樹脂層、１７は第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの外面上にそれぞれ被着形成された第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極をそれぞれ示している。本実施形態においては、外部電極１７を構成する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄの各々が、上面１０ａ及び１つの側面１０ｂ又は１０ｃ上にまたがって被着されてなるＬ字状断面を有している。なお、理解を助けるために、図２におけるコイル導体１３は、共に３ターン程度に簡略化して図示した。
【００３５】
コモンモードチョークコイルは、周知のように、平衡伝送方式において電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するために使用される電子部品であり、本実施形態では、例えば底辺が約０．６ｍｍ×約０．３ｍｍ、高さが約０．３ｍｍの略直方体形状の外形を有し、その上面及び側面に４つの外部電極を備えた表面実装型部品として構成されている。なお、コモンモードチョークコイルの外形の各角部や隣接面交線部は面取り処理が施されていてもよい。
【００３６】
フェライト基板１１は本実施形態ではＮｉ−Ｚｎ（ニッケル−亜鉛）フェライト等のフェライト焼結体から構成されており、絶縁層１２は本実施形態では加熱硬化されたポリイミド樹脂材料から構成されており、コイル導体層１３、リード導体層１４及び内部導体１５は本実施形態ではＣｕ、Ａｕ、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の導電材料から構成されており、複合フェライト樹脂層１６は本実施形態ではフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料から構成されており、外部電極１７は長時間外気に晒されても腐食し難いように本実施形態ではＮｉ膜上にＡｕ膜を積層した多層導電材料又はＳｎ等の単層導電材料から構成されている。
【００３７】
図３ａ及び３ｂ並びに図４ａ及び４ｂは本実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図であり、図３ａ及び３ｂは外部電極の存在する位置における断面を示しており、図４ａ及び４ｂは外部電極の存在しない位置における断面を示している。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図３ａ及び３ｂは図１（Ｂ）に対応し、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。図４ａ及び４ｂは図１（Ｃ）に対応する。
【００３８】
図３ａ（Ａ）及び図４ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００３９】
次いで、図３ａ（Ｂ）及び図４ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００４０】
次いで、図３ａ（Ｃ）及び図４ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００４１】
次いで、図３ａ（Ｄ）及び図４ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００４２】
次いで、図３ａ（Ｅ）及び図４ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００４３】
次いで、図３ａ（Ｆ）及び図４ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００４４】
次いで、図３ａ（Ｇ）及び図４ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００４５】
次いで、図３ｂ（Ｈ）及び図４ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００４６】
その後、図３ｂ（Ｉ）及び図４ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００４７】
次いで、図３ｂ（Ｊ）及び図４ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１１に浅溝１８を形成する。この浅溝１８は、基板１１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝１８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５の位置に浅溝１８を設けることにより、これら第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が、側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００４８】
次いで、図３ｂ（Ｋ）及び図４ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００４９】
次いで、図３ｂ（Ｌ）及び図４ｂ（Ｌ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００５０】
その後、図３ｂ（Ｍ）及び図４ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００５２】
図５は図１の実施形態の変更態様におけるコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図である。
【００５３】
この変更態様では、外部電極を構成する第１〜第４の外部電極膜５７ａ〜５７ｄの各々が、コモンモードチョークコイル５０の上面５０ａと側面５０ｂ〜５０ｅの２つとにまたがって被着されており、上面及び２つの側面の各々間で、並びに２つの側面間でＬ字状断面を有するように形成されている。
【００５４】
このように、第１〜第４の外部電極膜５７ａ〜５７ｄの各々が被着された３つの面間でそれぞれＬ字状断面を有するように構成されているため、電極面積がより大きくなると共に電極の強度がより高くなり、実装時により充分な半田強度を得ることができる。図５の変更態様におけるその他の構成及び作用効果は、図１の実施形態における構成及び作用効果と同様である。
【００５５】
図６ａ及び６ｂは本発明の他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図６ａ及び６ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００５６】
図６ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００５７】
次いで、図６ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００５８】
次いで、図６ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００５９】
次いで、図６ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００６０】
次いで、図６ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００６１】
次いで、図６ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００６２】
次いで、図６ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００６３】
次いで、図６ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００６４】
その後、図６ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００６５】
次いで、図６ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１１に深溝１９を形成する。この深溝１９は、図１の実施形態における図３ｂ（Ｊ）に示す浅溝１８よりも深く、基板１１を完全に切断分離することなく、わずかにつながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この深溝１９を設けることにより、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５の位置に深溝１９を設けることにより、これら第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が、側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００６６】
次いで、図６ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００６７】
次いで、図６ｂ（Ｌ）に示すように、基板１１の裏面を研削することにより、深溝１９の部分で基板１１を完全に切り離して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に深溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１１の裏面を研削することにより深溝の部分で切り離して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００６９】
図７ａ及び７ｂは本発明のさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図７ａ及び７ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００７０】
図７ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００７１】
次いで、図７ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００７２】
次いで、図７ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００７３】
次いで、図７ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００７４】
次いで、図７ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００７５】
次いで、図７ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００７６】
次いで、図７ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００７７】
次いで、図７ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００７８】
その後、図７ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００７９】
次いで、図７ｂ（Ｊ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００８０】
次いで、図７ｂ（Ｋ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。この分離により、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出すると共に、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００８１】
次いで、図７ｂ（Ｌ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離して、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれバレルめっき形成している。このように、露出された内部電極の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００８３】
図８ａ及び８ｂは本発明のまたさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図８ａ及び８ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００８４】
図８ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００８５】
次いで、図８ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００８６】
次いで、図８ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００８７】
次いで、図８ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００８８】
次いで、図８ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００８９】
次いで、図８ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００９０】
次いで、図８ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００９１】
次いで、図８ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００９２】
その後、図８ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００９３】
次いで、図８ｂ（Ｊ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００９４】
次いで、図８ｂ（Ｋ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。この分離により、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出すると共に、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００９５】
次いで、図８ｂ（Ｌ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、バレル研磨を行って各角部の面取りを行う。このように面取りを行うことにより、各コモンモードチョークコイルをパーツフィーダにスムーズに装着することができる。
【００９６】
次いで、図８ｂ（Ｍ）に示すように、このように面取りした個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００９７】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離したものにバレル研磨を行って面取りした後、各コモンモードチョークコイルの上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれバレルめっき形成している。このように、外部電極形成前に面取りを行っているため、角部にバリ等が存在せず、各コイルをパーツフィーダに装着する際に、動作不良等の発生を未然に防止することができる。また、露出された内部電極の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００９８】
図９は本発明の電子部品のさらに他の実施形態としてコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す（Ａ）外観斜視図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ線断面図である。なお、同図（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図は外部電極の存在する位置における断面を示している。本実施形態は、内部導体及び外部電極の構成が図１の実施形態の場合と多少異なる場合であり、その他の構成は図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００９９】
図９において、９０はコモンモードチョークコイル、９１はフェライト基板、９２はフェライト基板９１上に形成された第１の絶縁膜９２ａ、第２の絶縁膜９２ｂ、第３の絶縁膜９２ｃ及び第４の絶縁膜９２ｄから構成される絶縁層、９３は絶縁層９２に囲まれて形成された第１のコイル導体膜９３ａ及び第２のコイル導体膜９３ｂから構成されるコイル導体層、９５ａ及び９５ｂはコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａの一部のみに現れるように形成された第１及び第２の内部電極層（内部導体として第３及び第４の内部電極層も形成されているが図では示されていない）、９６は絶縁層９２上に形成されたフェライト材料を含む複合フェライト樹脂層、９９ａ及び９９ｂはコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいて第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂに被着されており、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に形成された第１及び第２の外部電極用下側導体膜（第３及び第４の外部電極用下側導体膜も形成されているが図では示されていない）、９７ａ及び９７ｂは第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ上にそれぞれ被着形成された第１及び第２の外部電極用上側導体膜（第３及び第４の外部電極用上側導体膜も形成されているが図では示されていない）をそれぞれ示している。
【０１００】
コモンモードチョークコイルは、周知のように、平衡伝送方式において電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するために使用される電子部品であり、本実施形態では、例えば底辺が約０．６ｍｍ×約０．３ｍｍ、高さが約０．３ｍｍの略直方体形状の外形を有し、その上面及び側面に４つの外部電極を備えた表面実装型部品として構成されている。
【０１０１】
フェライト基板９１は本実施形態ではＮｉ−Ｚｎフェライト等のフェライト焼結体から構成されており、絶縁層９２は本実施形態では加熱硬化されたポリイミド樹脂材料から構成されており、コイル導体層９３、図示しないリード導体層、並びに第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂは本実施形態ではＣｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料から構成されており、複合フェライト樹脂層９６は本実施形態ではフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料から構成されており、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂは本実施形態ではＣｕ膜上にクロム（Ｃｒ）膜を積層したり、Ｃｕ膜上にチタン（Ｔｉ）膜を積層した多層導電材料から構成されており、第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂは本実施形態ではＮｉ膜上にＡｕ膜を積層した多層導電材料又はＳｎ等の単層導電材料から構成されている。
【０１０２】
図１０ａ及び１０ｂは本実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図であり、外部電極の存在する位置における断面を示している。なお、図１０ａ及び１０ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。以下、同図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。
【０１０３】
図１０ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板９１を形成する。
【０１０４】
次いで、図１０ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜９２ａを形成する。
【０１０５】
次いで、図１０ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜９２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜９３ａと第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１０６】
次いで、図１０ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜９２ｂ及び第４の絶縁膜９２ｄを形成する。
【０１０７】
次いで、図１０ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１０８】
次いで、図１０ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜９２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜９３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイル９０の中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜９３ｂとの間には、第２の絶縁膜９２ｂが存在する（図２参照）。
【０１０９】
次いで、図１０ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜９２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜９２ｄの膜厚を増大させる。
【０１１０】
次いで、図１０ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜９２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜９３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面９０ｂ及び９０ｃに露出しない。
【０１１１】
その後、図１０ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層９６を形成する。
【０１１２】
次いで、図１０ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板９１に浅溝９８を形成する。この浅溝９８は、基板９１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝９８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの位置に浅溝９８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの一部が、側面９０ｂ及び９０ｃに露出する。なお、第１及び２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃには露出しておらず、その一部が上面９０ａのみに露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１１３】
次いで、図１０ｂ（Ｋ）に示すように、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂをコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいては第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ上に被着するように、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に被着するようにスパッタ形成する。具体的には、浅溝９８を挟んで対向する２つのコモンモードチョークコイル９０の上面に露出する隣接した２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）を共に覆う矩形形状の開口を有する図示しないマスクを、これらコモンモードチョークコイル９０の上面に設置し、この上面に垂直な方向からのスパッタリングにより、２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）の上面、その間のフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂部分上面、及び研削形成された浅溝９８の内部電極側の両側面に、Ｃｕ／Ｃｒの多層膜、又はＣｕ／Ｔｉの多層膜をスパッタして厚さ約１００〜１００００ｎｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）を形成する。また、マスクとして、この浅溝側面をもカバーする立体的なマスクを使用すれば、より正確な形状の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂが得られる。
【０１１４】
次いで、図１０ｂ（Ｌ）に示すように、この状態でＮｉ及びＡｕを順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕの多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用上側導体膜）が形成される。この外部電極用上側導体膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１１５】
次いで、図１０ｂ（Ｍ）に示すように、基板９１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板９１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１１６】
その後、図１０ｂ（Ｎ）に示すように、基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１１７】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板９１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面に露出した第１〜第４の内部電極層上と側面とに第１〜第４の外部電極用下側導体膜をそれぞれスパッタ形成した後、その上に及び第１〜第４の外部電極用上側導体膜をそれぞれめっき形成した後、基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にも形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【０１１８】
図１１ａ及び１１ｂは本発明のまたさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図１１ａ及び１１ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図９の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【０１１９】
図１１ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板９１を形成する。
【０１２０】
次いで、図１１ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜９２ａを形成する。
【０１２１】
次いで、図１１ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜９２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜９３ａと第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１２２】
次いで、図１１ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜９２ｂ及び第４の絶縁膜９２ｄを形成する。
【０１２３】
次いで、図１１ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１２４】
次いで、図１１ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜９２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜９３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイル９０の中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜９３ｂとの間には、第２の絶縁膜９２ｂが存在する（図２参照）。
【０１２５】
次いで、図１１ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜９２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜９２ｄの膜厚を増大させる。
【０１２６】
次いで、図１１ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜９２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜９３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面に露出しない。
【０１２７】
その後、図１１ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層９６を形成する。
【０１２８】
次いで、図１１ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板９１に浅溝９８を形成する。この浅溝９８は、基板９１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝９８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの位置に浅溝９８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの一部が、側面９０ｂ及び９０ｃに露出する。なお、第１及び２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃには露出しておらず、その一部が上面９０ａのみに露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１２９】
次いで、図１１ｂ（Ｋ）に示すように、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂをコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいては第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ上に被着するように、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に被着するようにスパッタ形成する。具体的には、浅溝９８を挟んで対向する２つのコモンモードチョークコイル９０の上面に露出する隣接した２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）を共に覆う矩形形状の開口を有する図示しないマスクを、これらコモンモードチョークコイル９０の上面に設置し、この上面に垂直な方向からのスパッタリングにより、２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）の上面、その間のフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂部分上面、及び研削形成された浅溝９８の内部電極側の両側面に、Ｃｕ／Ｃｒの多層膜、又はＣｕ／Ｔｉの多層膜をスパッタして厚さ約１００〜１００００ｎｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）を形成する。また、マスクとして、この浅溝側面をもカバーする立体的なマスクを使用すれば、より正確な形状の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂが得られる。
【０１３０】
次いで、図１１ｂ（Ｌ）に示すように、基板９１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板９１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１３１】
次いで、図１１ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１３２】
次いで、図１１ｂ（Ｎ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用上側導体膜）が形成される。この外部電極用上側導体膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１３３】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板９１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面に露出した第１〜第４の内部電極層上と側面とに第１〜第４の外部電極用下側導体膜をそれぞれスパッタ形成した後、個々に分離した後、第１〜第４の外部電極用下側導体膜上に第１〜第４の外部電極用上側導体膜をそれぞれバレルめっき形成している。このように第１〜第４の外部電極用下側導体膜の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にも形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【０１３４】
図１２ａ及び１２ｂは本発明のさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図１２ａ及び１２ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。
【０１３５】
図１２ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１２１を形成する。
【０１３６】
次いで、図１２ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２２ａを形成する。
【０１３７】
次いで、図１２ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１２３ａと第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１３８】
次いで、図１２ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２２ｂ及び第４の絶縁膜１２２ｄを形成する。
【０１３９】
次いで、図１２ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１４０】
次いで、図１２ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１２３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイルの中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜１２３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２２ｂが存在する（図２参照）。
【０１４１】
次いで、図１２ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜１２２ｄの膜厚を増大させる。
【０１４２】
次いで、図１２ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２２ｃの一部の上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜１２３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面に露出しない。
【０１４３】
その後、図１２ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１２６を形成する。
【０１４４】
次いで、図１２ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１２１に浅溝１２８を形成する。この浅溝１２８は、基板１２１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝１２８を設けることにより、各コモンモードチョークコイルの側面が露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層１２６及び第４の絶縁膜１２２ｄの位置に浅溝１２８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層１２６及び第４の絶縁膜１２２ｄの一部が、側面に露出する。なお、第１及び２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の下部は、各コモンモードチョークコイルの側面には露出しておらず、その上部が側面に露出し、上面も露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１４５】
次いで、図１２ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイルの上面及び側面の一部に露出した第１及び２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極膜１２７ａ及び１２７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極膜）が形成される。この外部電極膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１４６】
次いで、図１２ｂ（Ｌ）に示すように、基板１２１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１２１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１４７】
その後、図１２ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１２１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１２１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面の一部に露出した第１〜第４の内部電極層１２５ａ〜１２５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１２７ａ〜１２７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１２１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。なお、本発明の製造方法において、本実施形態における図１２ａ（Ａ）〜図１２ｂ（Ｉ）の製造工程を、図６ａ及び６ｂ、図７ａ及び７ｂ、並びに図８ａ及び８ｂの実施形態に適用しても良いことは明らかである。
【０１４９】
以上述べた実施形態では、電子部品として、４つの外部電極を有するコモンモードチョークコイルを例に説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されるものではなく、例えば、インダクタ、キャパシタ、抵抗又はその他の受動素子を有する電子部品にも適用することができる。また、外部電極数も４つに限定されるものではなく、４つ以外の個数の外部電極を有する電子部品にも適用することができる。さらに、本発明は、１パッケージ内に複数の受動素子を有する電子部品にも適用することができる。
【０１５０】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【符号の説明】
【０１５１】
１０、９０ コモンモードチョークコイル
１０ａ、９０ａ 上面
１０ｂ、１０ｃ、９０ｂ、９０ｃ 側面
１１、９１、１２１ フェライト基板
１２、９２ 絶縁層
１２ａ、９２ａ、１２２ａ 第１の絶縁膜
１２ｂ、９２ｂ、１２２ｂ 第２の絶縁膜
１２ｃ、９２ｃ、１２２ｃ 第３の絶縁膜
１３、９３ コイル導体層
１３ａ、９３ａ、１２３ａ 第１のコイル導体膜
１３ｂ、９３ｂ、１２３ｂ 第２のコイル導体膜
１４ リード導体層
１５ 内部導体
１５ａ、９５ａ、１２５ａ 第１の内部電極層
１５ｂ、９５ｂ、１２５ｂ 第２の内部電極層
１５ｃ 第３の内部電極層
１５ｄ 第４の内部電極層
１６、９６、１２６ 複合フェライト樹脂層
１７ 外部電極
１７ａ、１２７ａ 第１の外部電極膜
１７ｂ、１２７ｂ 第２の外部電極膜
１７ｃ 第３の外部電極膜
１７ｄ 第４の外部電極膜
１８、９８、１２８ 浅溝
１９ 深溝
９２ｄ、１２２ｄ 第４の絶縁膜
９７ａ 第１の外部電極用上側導体膜
９７ｂ 第２の外部電極用上側導体膜
９９ａ 第１の外部電極用下側導体膜
９９ｂ 第２の外部電極用下側導体膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器におけるプリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される表面実装型の電子部品、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや携帯電話機等の電子機器に実装される電子部品には、インダクタ素子やコモンモードチョークコイルを構成するコイル部品、キャパシタ部品等の種々の受動素子部品が存在する。
【０００３】
例えばコイル部品としては、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型コイル部品、コイル導体パターンを表面に形成したフェライト等の磁性体シートを積層した積層型コイル部品、及び薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型コイル部品が知られている。
【０００４】
薄膜型コイル部品の一例であるコモンモードチョークコイルは、一般に、フェライト基板上に絶縁層とコイル層とを薄膜形成技術で順次形成し、その上にフェライト基板を貼り合わせてなるものを切断することにより、直方体状の外形を有する個々のチップに分離し、そのチップの側面に露出した内部電極端子に接続されるように外部電極を例えばめっき等により形成するものである（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したごときコモンモードチョークコイルに代表される従来の電子部品は、基板上に多数の素子を薄膜形成技術で形成し、これらを個々のチップに切断分離した後、外部電極をその上面、側面及び下面に形成することによって製造されていた。個々のチップに切断分離した後に外部電極を形成しているのは、切断後でないとチップの側面が外部に現れてこないためその側面に外部電極を形成することができないためである。側面に外部電極が形成されていないと電極面積が小さくなり、半田接続強度が不足してしまう。例えば特許文献１に記載のコモンモードチョークコイルにおいては、基体との接着強度及び内部導体との導通を十分にとるためコの字状の断面形状を有する外部電極のパターンを形成している。
【０００７】
従来のこれら電子部品を製造する場合、多数の素子が形成された基板を個々のチップに切断した後、各チップに所望の断面形状を有する外部電極パターンを形成することが行われている。このように、従来技術では、個々のチップに分離した後に外部電極パターンを形成する必要があったため、外部電極の形状、寸法及び位置を高精度で形成することが非常に難しかった。さらに、従来技術によると、基板上の工程とチップに分離した後の工程という複数の製造工程が必要なため、製造コストが大幅に増大する不都合があった。
【０００８】
従って本発明の目的は、実装時に充分な半田強度を得ることができるように電極面積が大きい外部電極を有する電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、形状、寸法及び位置が高い精度で形成された外部電極を有する電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、小型化及び低コスト化を図ることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、内部に設けられた受動素子と、受動素子を覆う絶縁層と、絶縁層の外側に、少なくとも電子部品の上面の一部まで伸長して形成されており、受動素子に電気的に接続された複数の導体層と、電子部品の上面の一部において複数の導体層上に被着して形成されていると共に電子部品の側面の一部にも形成された、各々がＬ字状断面を有する複数の外部電極とを備えた電子部品が提供される。
【００１２】
複数の外部電極の各々がＬ字状断面を有するように、電子部品の上面の一部において各導体層上に被着して形成されていると共に電子部品の側面の一部にも形成されている。このように、各外部電極がＬ字状断面を備えており、電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００１３】
複数の外部電極の各々が、上面と側面との間でのみＬ字状断面を有していること、又は上面と側面との間及び２つの側面間でＬ字状断面を有していることが好ましい。
【００１４】
複数の導体層が電子部品の上面の一部及び側面の一部まで伸長して形成されており、複数の外部電極が電子部品の上面の一部及び側面の一部において複数の導体層上に被着して形成されていることが好ましい。
【００１５】
複数の外部電極が、複数の導体層上にめっき形成された導体膜からなることも好ましい。この場合、導体膜が、金（Ａｕ）膜を含む多層膜又は錫（Ｓｎ）膜で形成されていることがより好ましい。
【００１６】
複数の導体層が電子部品の上面の一部のみに伸長して形成されており、複数の外部電極が電子部品の上面の一部のみにおいて複数の導体層上に導通していることも好ましい。
【００１７】
複数の外部電極が、電子部品の上面の一部において複数の導体層上に及び電子部品の側面の一部に形成された下側導体膜と、下側導体膜上にめっき形成された上側導体膜とからなることが好ましい。この場合、下側導体膜が、銅（Ｃｕ）膜を含む多層膜で形成されていることがより好ましい。さらに、上側導体膜が、Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜で形成されていることがより好ましい。
【００１８】
受動素子が、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つであることが好ましい。この場合、電子部品が、インダクタと、磁性体材料を含む絶縁層と、上記インダクタを載置した磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルであることがより好ましい。
【００１９】
本発明によれば、さらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部がこれら側面に露出するように溝加工を行い、上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する電子部品の製造方法が提供される。
【００２０】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離する前に溝加工を行って、電子部品の側面が露出されて導体層の一部がこれら側面に露出するようにし、上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成した後、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離している。個々の電子部品に分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２１】
本発明によれば、またさらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、複数の導体層の一部が側面に露出するように基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、分離した個々の電子部品において上面及び側面に露出する複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する電子部品の製造方法が提供される。
【００２２】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離することにより、電子部品の側面が露出されて導体層の一部がこれら側面に露出するので、上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する。上面及び側面に露出した複数の導体層上に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２３】
個々の電子部品に分離した後、電子部品の面取りを行うことも好ましい。
【００２４】
Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜をめっきして外部電極を形成することが好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらに、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、これら複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、第３の絶縁層の一部がこれら側面に露出するように浅溝加工を行い、上面に露出する複数の導体層の上及び側面に露出する第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する電子部品の製造方法が提供される。
【００２６】
本発明によれば、さらにまた、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を第２の絶縁層の外側に形成し、これら複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、第３の絶縁層の一部がこれら側面に露出するように浅溝加工を行い、上面に露出する複数の導体層の上及び側面に露出する第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、分離した個々の電子部品における外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成する電子部品の製造方法が提供される。
【００２７】
基板上の複数の電子部品を個々の電子部品に分離する前に浅溝加工を行って、電子部品の側面が露出されるようにし、上面に露出した複数の導体層上及び側面に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成している。このように、個々の電子部品に分離する前に外部電極用下側導体膜を形成しているので、その後にめっき形成される外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。
【００２８】
Ｃｕ膜を含む多層膜をスパッタして外部電極用下側導体膜を形成することが好ましい。
【００２９】
Ａｕ膜を含む多層膜又はＳｎ膜をめっきして外部電極用上側導体膜を形成することも好ましい。
【００３０】
受動素子として、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つを形成することが好ましい。この場合、電子部品がインダクタを備えたコモンモードチョークコイルであり、基板として磁性体基板を使用し、浅溝加工の前に複数の導体層間に磁性体材料を含む層を充填することがより好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、各外部電極が電子部品の上面のみならずその側面にも形成されているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、個々の電子部品に分離する前に外部電極又は外部電極用下側導体膜を形成可能なので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、電子部品のさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とチップに分離した後の工程とに分かれないようにもできるため、製造コストを低減化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の電子部品の一実施形態として、コモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図、Ｂ−Ｂ線断面図及びＣ−Ｃ線断面図である。
【図２】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの分解斜視図である。
【図３ａ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図３ｂ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図４ａ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図４ｂ】図１の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図５】図１の実施形態の変更態様におけるコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図である。
【図６ａ】本発明の電子部品の他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図６ｂ】本発明の電子部品の他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図７ａ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図７ｂ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図８ａ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図８ｂ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図９】本発明の電子部品のさらに他の実施形態として、コモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図及びＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０ａ】図９の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１０ｂ】図９の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１１ａ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１１ｂ】本発明の電子部品のまたさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１２ａ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【図１２ｂ】本発明の電子部品のさらに他の実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１は本発明の電子部品の一実施形態としてコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す（Ａ）外観斜視図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ線断面図、（Ｃ）Ｃ−Ｃ線断面図であり、図２はこのコモンモードチョークコイルの分解斜視図である。なお、図１（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図は外部電極の存在する位置における断面を示しており、図１（Ｃ）のＣ−Ｃ線断面は外部電極の存在しない位置における断面を示している。
【００３４】
これらの図において、１０はコモンモードチョークコイル、１１はフェライト基板、１２はフェライト基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２ａ、第２の絶縁膜１２ｂ及び第３の絶縁膜１２ｃから構成される絶縁層、１３は絶縁層１２に囲まれて形成された第１のコイル導体膜１３ａ及び第２のコイル導体膜１３ｂから構成されるコイル導体層、１４は一端が図示しないビアホール導体を介してコイル導体層１３に電気的に接続され、他端が内部導体（１５）に電気的に接続されたリード導体層、１５はコモンモードチョークコイル１０の上面１０ａの一部並びに側面１０ｂ及び１０ｃの一部に現れるように形成された第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体、１６は絶縁層１２上に形成されたフェライト材料を含む複合フェライト樹脂層、１７は第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの外面上にそれぞれ被着形成された第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極をそれぞれ示している。本実施形態においては、外部電極１７を構成する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄの各々が、上面１０ａ及び１つの側面１０ｂ又は１０ｃ上にまたがって被着されてなるＬ字状断面を有している。なお、理解を助けるために、図２におけるコイル導体１３は、共に３ターン程度に簡略化して図示した。
【００３５】
コモンモードチョークコイルは、周知のように、平衡伝送方式において電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するために使用される電子部品であり、本実施形態では、例えば底辺が約０．６ｍｍ×約０．３ｍｍ、高さが約０．３ｍｍの略直方体形状の外形を有し、その上面及び側面に４つの外部電極を備えた表面実装型部品として構成されている。なお、コモンモードチョークコイルの外形の各角部や隣接面交線部は面取り処理が施されていてもよい。
【００３６】
フェライト基板１１は本実施形態ではＮｉ−Ｚｎ（ニッケル−亜鉛）フェライト等のフェライト焼結体から構成されており、絶縁層１２は本実施形態では加熱硬化されたポリイミド樹脂材料から構成されており、コイル導体層１３、リード導体層１４及び内部導体１５は本実施形態ではＣｕ、Ａｕ、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）等の導電材料から構成されており、複合フェライト樹脂層１６は本実施形態ではフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料から構成されており、外部電極１７は長時間外気に晒されても腐食し難いように本実施形態ではＮｉ膜上にＡｕ膜を積層した多層導電材料又はＳｎ等の単層導電材料から構成されている。
【００３７】
図３ａ及び３ｂ並びに図４ａ及び４ｂは本実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図であり、図３ａ及び３ｂは外部電極の存在する位置における断面を示しており、図４ａ及び４ｂは外部電極の存在しない位置における断面を示している。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図３ａ及び３ｂは図１（Ｂ）に対応し、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。図４ａ及び４ｂは図１（Ｃ）に対応する。
【００３８】
図３ａ（Ａ）及び図４ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００３９】
次いで、図３ａ（Ｂ）及び図４ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００４０】
次いで、図３ａ（Ｃ）及び図４ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００４１】
次いで、図３ａ（Ｄ）及び図４ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００４２】
次いで、図３ａ（Ｅ）及び図４ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００４３】
次いで、図３ａ（Ｆ）及び図４ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００４４】
次いで、図３ａ（Ｇ）及び図４ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００４５】
次いで、図３ｂ（Ｈ）及び図４ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００４６】
その後、図３ｂ（Ｉ）及び図４ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００４７】
次いで、図３ｂ（Ｊ）及び図４ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１１に浅溝１８を形成する。この浅溝１８は、基板１１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝１８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５の位置に浅溝１８を設けることにより、これら第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が、側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００４８】
次いで、図３ｂ（Ｋ）及び図４ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００４９】
次いで、図３ｂ（Ｌ）及び図４ｂ（Ｌ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００５０】
その後、図３ｂ（Ｍ）及び図４ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００５２】
図５は図１の実施形態の変更態様におけるコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す外観斜視図である。
【００５３】
この変更態様では、外部電極を構成する第１〜第４の外部電極膜５７ａ〜５７ｄの各々が、コモンモードチョークコイル５０の上面５０ａと側面５０ｂ〜５０ｅの２つとにまたがって被着されており、上面及び２つの側面の各々間で、並びに２つの側面間でＬ字状断面を有するように形成されている。
【００５４】
このように、第１〜第４の外部電極膜５７ａ〜５７ｄの各々が被着された３つの面間でそれぞれＬ字状断面を有するように構成されているため、電極面積がより大きくなると共に電極の強度がより高くなり、実装時により充分な半田強度を得ることができる。図５の変更態様におけるその他の構成及び作用効果は、図１の実施形態における構成及び作用効果と同様である。
【００５５】
図６ａ及び６ｂは本発明の他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図６ａ及び６ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００５６】
図６ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００５７】
次いで、図６ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００５８】
次いで、図６ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００５９】
次いで、図６ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００６０】
次いで、図６ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００６１】
次いで、図６ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００６２】
次いで、図６ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００６３】
次いで、図６ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００６４】
その後、図６ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００６５】
次いで、図６ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１１に深溝１９を形成する。この深溝１９は、図１の実施形態における図３ｂ（Ｊ）に示す浅溝１８よりも深く、基板１１を完全に切断分離することなく、わずかにつながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この深溝１９を設けることにより、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５の位置に深溝１９を設けることにより、これら第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が、側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００６６】
次いで、図６ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００６７】
次いで、図６ｂ（Ｌ）に示すように、基板１１の裏面を研削することにより、深溝１９の部分で基板１１を完全に切り離して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に深溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１１の裏面を研削することにより深溝の部分で切り離して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００６９】
図７ａ及び７ｂは本発明のさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図７ａ及び７ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００７０】
図７ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００７１】
次いで、図７ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００７２】
次いで、図７ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００７３】
次いで、図７ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００７４】
次いで、図７ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００７５】
次いで、図７ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００７６】
次いで、図７ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００７７】
次いで、図７ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００７８】
その後、図７ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００７９】
次いで、図７ｂ（Ｊ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００８０】
次いで、図７ｂ（Ｋ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。この分離により、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出すると共に、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００８１】
次いで、図７ｂ（Ｌ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離して、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれバレルめっき形成している。このように、露出された内部電極の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００８３】
図８ａ及び８ｂは本発明のまたさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図８ａ及び８ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００８４】
図８ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１１を形成する。
【００８５】
次いで、図８ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２ａを形成する。
【００８６】
次いで、図８ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１３ａと第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００８７】
次いで、図８ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２ｂを形成する。
【００８８】
次いで、図８ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍのリード導体層１４と第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【００８９】
次いで、図８ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層１４はコモンモードチョークコイル１０の中央部まで伸長しているが、このリード導体１４とこれに交差する第２のコイル導体膜１３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２ｂが存在する（図２参照）。
【００９０】
次いで、図８ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２ｃを形成する。
【００９１】
次いで、図８ｂ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄから構成される内部導体１５を付加的に形成してレジストパターンを除去する。
【００９２】
その後、図８ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１６を形成する。
【００９３】
次いで、図８ｂ（Ｊ）に示すように、基板１１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【００９４】
次いで、図８ｂ（Ｋ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。この分離により、各コモンモードチョークコイル１０の側面１０ｂ及び１０ｃが露出すると共に、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄの一部が側面１０ｂ及び１０ｃに露出する。なお、第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄは、その一部が上面１０ａにも露出している。
【００９５】
次いで、図８ｂ（Ｌ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、バレル研磨を行って各角部の面取りを行う。このように面取りを行うことにより、各コモンモードチョークコイルをパーツフィーダにスムーズに装着することができる。
【００９６】
次いで、図８ｂ（Ｍ）に示すように、このように面取りした個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイル１０の上面１０ａ並びに側面１０ｂ及び１０ｃに露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄからなる外部電極が形成される。この外部電極の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【００９７】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離したものにバレル研磨を行って面取りした後、各コモンモードチョークコイルの上面及び側面に露出した第１〜第４の内部電極層１５ａ〜１５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１７ａ〜１７ｄをそれぞれバレルめっき形成している。このように、外部電極形成前に面取りを行っているため、角部にバリ等が存在せず、各コイルをパーツフィーダに装着する際に、動作不良等の発生を未然に防止することができる。また、露出された内部電極の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【００９８】
図９は本発明の電子部品のさらに他の実施形態としてコモンモードチョークコイルの構成を概略的に示す（Ａ）外観斜視図、（Ｂ）Ｂ−Ｂ線断面図である。なお、同図（Ｂ）のＢ−Ｂ線断面図は外部電極の存在する位置における断面を示している。本実施形態は、内部導体及び外部電極の構成が図１の実施形態の場合と多少異なる場合であり、その他の構成は図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００９９】
図９において、９０はコモンモードチョークコイル、９１はフェライト基板、９２はフェライト基板９１上に形成された第１の絶縁膜９２ａ、第２の絶縁膜９２ｂ、第３の絶縁膜９２ｃ及び第４の絶縁膜９２ｄから構成される絶縁層、９３は絶縁層９２に囲まれて形成された第１のコイル導体膜９３ａ及び第２のコイル導体膜９３ｂから構成されるコイル導体層、９５ａ及び９５ｂはコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａの一部のみに現れるように形成された第１及び第２の内部電極層（内部導体として第３及び第４の内部電極層も形成されているが図では示されていない）、９６は絶縁層９２上に形成されたフェライト材料を含む複合フェライト樹脂層、９９ａ及び９９ｂはコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいて第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂに被着されており、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に形成された第１及び第２の外部電極用下側導体膜（第３及び第４の外部電極用下側導体膜も形成されているが図では示されていない）、９７ａ及び９７ｂは第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ上にそれぞれ被着形成された第１及び第２の外部電極用上側導体膜（第３及び第４の外部電極用上側導体膜も形成されているが図では示されていない）をそれぞれ示している。
【０１００】
コモンモードチョークコイルは、周知のように、平衡伝送方式において電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するために使用される電子部品であり、本実施形態では、例えば底辺が約０．６ｍｍ×約０．３ｍｍ、高さが約０．３ｍｍの略直方体形状の外形を有し、その上面及び側面に４つの外部電極を備えた表面実装型部品として構成されている。
【０１０１】
フェライト基板９１は本実施形態ではＮｉ−Ｚｎフェライト等のフェライト焼結体から構成されており、絶縁層９２は本実施形態では加熱硬化されたポリイミド樹脂材料から構成されており、コイル導体層９３、図示しないリード導体層、並びに第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂは本実施形態ではＣｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料から構成されており、複合フェライト樹脂層９６は本実施形態ではフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料から構成されており、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂは本実施形態ではＣｕ膜上にクロム（Ｃｒ）膜を積層したり、Ｃｕ膜上にチタン（Ｔｉ）膜を積層した多層導電材料から構成されており、第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂは本実施形態ではＮｉ膜上にＡｕ膜を積層した多層導電材料又はＳｎ等の単層導電材料から構成されている。
【０１０２】
図１０ａ及び１０ｂは本実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図であり、外部電極の存在する位置における断面を示している。なお、図１０ａ及び１０ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。以下、同図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。
【０１０３】
図１０ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板９１を形成する。
【０１０４】
次いで、図１０ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜９２ａを形成する。
【０１０５】
次いで、図１０ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜９２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜９３ａと第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１０６】
次いで、図１０ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜９２ｂ及び第４の絶縁膜９２ｄを形成する。
【０１０７】
次いで、図１０ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１０８】
次いで、図１０ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜９２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜９３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイル９０の中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜９３ｂとの間には、第２の絶縁膜９２ｂが存在する（図２参照）。
【０１０９】
次いで、図１０ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜９２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜９２ｄの膜厚を増大させる。
【０１１０】
次いで、図１０ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜９２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜９３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面９０ｂ及び９０ｃに露出しない。
【０１１１】
その後、図１０ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層９６を形成する。
【０１１２】
次いで、図１０ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板９１に浅溝９８を形成する。この浅溝９８は、基板９１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝９８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの位置に浅溝９８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの一部が、側面９０ｂ及び９０ｃに露出する。なお、第１及び２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃには露出しておらず、その一部が上面９０ａのみに露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１１３】
次いで、図１０ｂ（Ｋ）に示すように、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂをコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいては第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ上に被着するように、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に被着するようにスパッタ形成する。具体的には、浅溝９８を挟んで対向する２つのコモンモードチョークコイル９０の上面に露出する隣接した２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）を共に覆う矩形形状の開口を有する図示しないマスクを、これらコモンモードチョークコイル９０の上面に設置し、この上面に垂直な方向からのスパッタリングにより、２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）の上面、その間のフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂部分上面、及び研削形成された浅溝９８の内部電極側の両側面に、Ｃｕ／Ｃｒの多層膜、又はＣｕ／Ｔｉの多層膜をスパッタして厚さ約１００〜１００００ｎｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）を形成する。また、マスクとして、この浅溝側面をもカバーする立体的なマスクを使用すれば、より正確な形状の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂが得られる。
【０１１４】
次いで、図１０ｂ（Ｌ）に示すように、この状態でＮｉ及びＡｕを順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕの多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用上側導体膜）が形成される。この外部電極用上側導体膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１１５】
次いで、図１０ｂ（Ｍ）に示すように、基板９１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板９１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１１６】
その後、図１０ｂ（Ｎ）に示すように、基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１１７】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板９１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面に露出した第１〜第４の内部電極層上と側面とに第１〜第４の外部電極用下側導体膜をそれぞれスパッタ形成した後、その上に及び第１〜第４の外部電極用上側導体膜をそれぞれめっき形成した後、基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にも形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【０１１８】
図１１ａ及び１１ｂは本発明のまたさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図１１ａ及び１１ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。また、本実施形態の説明において、図９の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【０１１９】
図１１ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板９１を形成する。
【０１２０】
次いで、図１１ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜９２ａを形成する。
【０１２１】
次いで、図１１ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜９２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜９３ａと第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１２２】
次いで、図１１ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜９２ｂ及び第４の絶縁膜９２ｄを形成する。
【０１２３】
次いで、図１１ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１２４】
次いで、図１１ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜９２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜９３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイル９０の中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜９３ｂとの間には、第２の絶縁膜９２ｂが存在する（図２参照）。
【０１２５】
次いで、図１１ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜９２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜９２ｄの膜厚を増大させる。
【０１２６】
次いで、図１１ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜９２ｃ上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜９３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面に露出しない。
【０１２７】
その後、図１１ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層９６を形成する。
【０１２８】
次いで、図１１ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板９１に浅溝９８を形成する。この浅溝９８は、基板９１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝９８を設けることにより、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃが露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの位置に浅溝９８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層９６及び第４の絶縁膜９２ｄの一部が、側面９０ｂ及び９０ｃに露出する。なお、第１及び２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃには露出しておらず、その一部が上面９０ａのみに露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１２９】
次いで、図１１ｂ（Ｋ）に示すように、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂをコモンモードチョークコイル９０の上面９０ａにおいては第１及び第２の内部電極層９５ａ及び９５ｂ上に被着するように、コモンモードチョークコイル９０の側面９０ｂ及び９０ｃにおいては第４の絶縁膜９２ｄの側面の一部の上に被着するようにスパッタ形成する。具体的には、浅溝９８を挟んで対向する２つのコモンモードチョークコイル９０の上面に露出する隣接した２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）を共に覆う矩形形状の開口を有する図示しないマスクを、これらコモンモードチョークコイル９０の上面に設置し、この上面に垂直な方向からのスパッタリングにより、２つの内部電極（９５ａ〜９５ｄ）の上面、その間のフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂部分上面、及び研削形成された浅溝９８の内部電極側の両側面に、Ｃｕ／Ｃｒの多層膜、又はＣｕ／Ｔｉの多層膜をスパッタして厚さ約１００〜１００００ｎｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）を形成する。また、マスクとして、この浅溝側面をもカバーする立体的なマスクを使用すれば、より正確な形状の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂが得られる。
【０１３０】
次いで、図１１ｂ（Ｌ）に示すように、基板９１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板９１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１３１】
次いで、図１１ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板９１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１３２】
次いで、図１１ｂ（Ｎ）に示すように、このように分離した個々のコモンモードチョークコイルについて、外部電極をバレルめっきする。このバレルめっきにより、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、第１及び第２の外部電極用下側導体膜９９ａ及び９９ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用下側導体膜）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極用上側導体膜９７ａ及び９７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極用上側導体膜）が形成される。この外部電極用上側導体膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１３３】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板９１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面に露出した第１〜第４の内部電極層上と側面とに第１〜第４の外部電極用下側導体膜をそれぞれスパッタ形成した後、個々に分離した後、第１〜第４の外部電極用下側導体膜上に第１〜第４の外部電極用上側導体膜をそれぞれバレルめっき形成している。このように第１〜第４の外部電極用下側導体膜の位置にバレルめっきして外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にも形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。
【０１３４】
図１２ａ及び１２ｂは本発明のさらに他の実施形態のコモンモードチョークコイルの製造工程を概略的に説明する工程断面図である。以下、これらの図を用いて、本実施形態におけるコモンモードチョークコイルの製造工程を説明する。なお、図１２ａ及び１２ｂは、２つの隣接するコモンモードチョークコイルについて図示している。
【０１３５】
図１２ａ（Ａ）に示すように、まず、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等のフェライトを焼結し、切断、切削及び研磨を行って、厚さ約０．１〜２．０ｍｍのフェライト基板１２１を形成する。
【０１３６】
次いで、図１２ａ（Ｂ）に示すように、その全面上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、加熱硬化して厚さ約１．０〜１０μｍの第１の絶縁膜１２２ａを形成する。
【０１３７】
次いで、図１２ａ（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１２２ａ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第１のコイル導体膜１２３ａと第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１３８】
次いで、図１２ａ（Ｄ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第２の絶縁膜１２２ｂ及び第４の絶縁膜１２２ｄを形成する。
【０１３９】
次いで、図１２ａ（Ｅ）に示すように、図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの図示しないリード導体層と第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の一部とを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。
【０１４０】
次いで、図１２ａ（Ｆ）に示すように、第２の絶縁膜１２２ｂ上に図示しないめっき下地膜をスパッタで形成し、その上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２０μｍの第２のコイル導体膜１２３ｂを形成してレジストパターン及びその下のめっき下地膜を除去する。なお、リード導体層はコモンモードチョークコイルの中央部まで伸長しているが、このリード導体とこれに交差する第２のコイル導体膜１２３ｂとの間には、第２の絶縁膜１２２ｂが存在する（図２参照）。
【０１４１】
次いで、図１２ａ（Ｇ）に示すように、その上に、ポリイミド樹脂材料をスピンコートし、このポリイミド樹脂自体でパターニングを行って加熱硬化し、厚さ約３．０〜２０μｍの第３の絶縁膜１２２ｃを形成し、さらに第４の絶縁膜１２２ｄの膜厚を増大させる。
【０１４２】
次いで、図１２ａ（Ｈ）に示すように、第３の絶縁膜１２２ｃの一部の上に図示しないレジストパターンを形成した後、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＡｇ等の導電材料を電解めっき又は無電解めっきして、厚さ約５．０〜２００μｍの第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）を付加的に形成してレジストパターンを除去する。この段階まで、換言すれば、第２のコイル導体膜１２３ｂと同じ高さとなるまでは、第１及び第２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）は、各コモンモードチョークコイルの側面に露出しない。
【０１４３】
その後、図１２ｂ（Ｉ）に示すように、その上にフェライト粒子を含有するエポキシ樹脂材料を塗布し、加熱して硬化させた後、表面を研磨して厚さ約５．０〜２００μｍの複合フェライト樹脂層１２６を形成する。
【０１４４】
次いで、図１２ｂ（Ｊ）に示すように、溝加工用の回転切削具を用いて基板１２１に浅溝１２８を形成する。この浅溝１２８は、基板１２１を完全に切断分離することなく、つながった状態のコモンモードチョークコイル間に形成されるものであり、例えば、約７０μｍの幅を有している。この浅溝１２８を設けることにより、各コモンモードチョークコイルの側面が露出する。しかも、本実施形態のように複合フェライト樹脂層１２６及び第４の絶縁膜１２２ｄの位置に浅溝１２８を設けることにより、これら複合フェライト樹脂層１２６及び第４の絶縁膜１２２ｄの一部が、側面に露出する。なお、第１及び２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）の下部は、各コモンモードチョークコイルの側面には露出しておらず、その上部が側面に露出し、上面も露出している。このように、ポリイミド樹脂及びエポキシ樹脂という絶縁材料の部分で浅溝加工を行っているので、溝加工用の回転切削具の目詰まりが生じにくいという効果が得られ、また、溝加工のマージンも十分確保することができる。
【０１４５】
次いで、図１２ｂ（Ｋ）に示すように、Ｎｉ及びＡｕをこの順序で順次電解めっき又は無電解めっきしてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉが下側層、Ａｕが上側層）の多層膜、又はＳｎを電解めっき又は無電解めっきしてＳｎの単層膜を、コモンモードチョークコイルの上面及び側面の一部に露出した第１及び２の内部電極層１２５ａ及び１２５ｂ（並びに第３及び第４の内部電極層）上に被着形成する。これにより、各々が厚さ約１．０〜１０μｍのＬ字状断面を有する第１及び第２の外部電極膜１２７ａ及び１２７ｂ（並びに第３及び第４の外部電極膜）が形成される。この外部電極膜の望ましい実施態様としては、Ｎｉ膜を３μｍ、その上にＡｕ膜を０．１μｍ形成する。
【０１４６】
次いで、図１２ｂ（Ｌ）に示すように、基板１２１の裏面を研削してその厚さを低減させる。例えば、研削前の基板１２１の厚さが１．５ｍｍであるとすると、０．２〜０．８ｍｍ程度の厚さとなるように研削する。
【０１４７】
その後、図１２ｂ（Ｍ）に示すように、切断用の回転切削具を用いて基板１２１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルに分離する。
【０１４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１２１上に形成された複数のコモンモードチョークコイルを個々に分離する前に浅溝加工を行って、各コモンモードチョークコイルの側面が露出されるようにし、その上面及び側面の一部に露出した第１〜第４の内部電極層１２５ａ〜１２５ｄ上に第１〜第４の外部電極膜１２７ａ〜１２７ｄをそれぞれめっき形成した後、基板１２１を完全に切断して個々のコモンモードチョークコイルチップに分離している。このように個々のコモンモードチョークコイルチップに分離する前に外部電極を形成しているので、外部電極の形状、寸法及び位置が高い精度で形成することができると共に、コモンモードチョークコイルのさらなる小型化を図ることができる。しかも、製造工程が基板上の工程とコモンモードチョークコイルチップに分離した後の工程とに分かれないため、製造コストを低減化することが可能となる。さらにまた、各外部電極がコモンモードチョークコイルの上面のみならずその側面にもまたがって形成されるＬ字状断面を有しているため、その電極面積が大きくなり、実装時に充分な半田強度を得ることができる。また、本実施形態のコモンモードチョークコイルは、従来のコモンモードチョークコイルのように対向配置された２つのフェライト基板を有していないので、低背化を図ることができる。なお、本発明の製造方法において、本実施形態における図１２ａ（Ａ）〜図１２ｂ（Ｉ）の製造工程を、図６ａ及び６ｂ、図７ａ及び７ｂ、並びに図８ａ及び８ｂの実施形態に適用しても良いことは明らかである。
【０１４９】
以上述べた実施形態では、電子部品として、４つの外部電極を有するコモンモードチョークコイルを例に説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されるものではなく、例えば、インダクタ、キャパシタ、抵抗又はその他の受動素子を有する電子部品にも適用することができる。また、外部電極数も４つに限定されるものではなく、４つ以外の個数の外部電極を有する電子部品にも適用することができる。さらに、本発明は、１パッケージ内に複数の受動素子を有する電子部品にも適用することができる。
【０１５０】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【符号の説明】
【０１５１】
１０、９０ コモンモードチョークコイル
１０ａ、９０ａ 上面
１０ｂ、１０ｃ、９０ｂ、９０ｃ 側面
１１、９１、１２１ フェライト基板
１２、９２ 絶縁層
１２ａ、９２ａ、１２２ａ 第１の絶縁膜
１２ｂ、９２ｂ、１２２ｂ 第２の絶縁膜
１２ｃ、９２ｃ、１２２ｃ 第３の絶縁膜
１３、９３ コイル導体層
１３ａ、９３ａ、１２３ａ 第１のコイル導体膜
１３ｂ、９３ｂ、１２３ｂ 第２のコイル導体膜
１４ リード導体層
１５ 内部導体
１５ａ、９５ａ、１２５ａ 第１の内部電極層
１５ｂ、９５ｂ、１２５ｂ 第２の内部電極層
１５ｃ 第３の内部電極層
１５ｄ 第４の内部電極層
１６、９６、１２６ 複合フェライト樹脂層
１７ 外部電極
１７ａ、１２７ａ 第１の外部電極膜
１７ｂ、１２７ｂ 第２の外部電極膜
１７ｃ 第３の外部電極膜
１７ｄ 第４の外部電極膜
１８、９８、１２８ 浅溝
１９ 深溝
９２ｄ、１２２ｄ 第４の絶縁膜
９７ａ 第１の外部電極用上側導体膜
９７ｂ 第２の外部電極用上側導体膜
９９ａ 第１の外部電極用下側導体膜
９９ｂ 第２の外部電極用下側導体膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に設けられた受動素子と、
該受動素子を覆う絶縁層と、
該絶縁層の外側に、少なくとも当該電子部品の上面の一部まで伸長して形成されており、前記受動素子に電気的に接続された複数の導体層と、
当該電子部品の上面の一部において前記複数の導体層上に被着して形成されていると共に当該電子部品の側面の一部にも形成された、各々がＬ字状断面を有する複数の外部電極と
を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の外部電極の各々が、前記上面と前記側面との間でのみＬ字状断面を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数の外部電極の各々が、前記上面と前記側面との間及び２つの前記側面間でＬ字状断面を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数の導体層が当該電子部品の上面の一部及び側面の一部まで伸長して形成されており、前記複数の外部電極が当該電子部品の上面の一部及び側面の一部において前記複数の導体層上に被着して形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数の外部電極が、前記複数の導体層上にめっき形成された導体膜からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記導体膜が、金膜を含む多層膜又は錫膜で形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記複数の導体層が当該電子部品の上面の一部のみに伸長して形成されており、前記複数の外部電極が当該電子部品の上面の一部のみにおいて前記複数の導体層上に導通していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記複数の外部電極が、当該電子部品の上面の一部において前記複数の導体層上に及び当該電子部品の側面の一部に形成された下側導体膜と、該下側導体膜上にめっき形成された上側導体膜とからなることを特徴とする請求項１から３及び７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記下側導体膜が、銅膜を含む多層膜で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記上側導体膜が、金膜を含む多層膜又は錫膜で形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記受動素子が、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記電子部品が、前記インダクタと、磁性体材料を含む絶縁層と、前記インダクタを載置した磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記複数の導体層の一部が該側面に露出するように溝加工を行い、
上面及び側面に露出する前記複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１４】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記複数の導体層の一部が該側面に露出するように前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、
該分離した個々の電子部品において上面及び側面に露出する前記複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１５】
個々の電子部品に分離した後、該電子部品の面取りを行うことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】
金膜を含む多層膜又は錫膜をめっきして前記外部電極を形成することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
該複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記第３の絶縁層の一部が該側面に露出するように浅溝加工を行い、
上面に露出する前記複数の導体層の上及び側面に露出する前記第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、
該外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１８】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
該複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記第３の絶縁層の一部が該側面に露出するように浅溝加工を行い、
上面に露出する前記複数の導体層の上及び側面に露出する前記第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、
該分離した個々の電子部品における前記外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１９】
銅膜を含む多層膜をスパッタして前記外部電極用下側導体膜を形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】
金膜を含む多層膜又は錫膜をめっきして前記外部電極用上側導体膜を形成することを特徴とする請求項１７から１９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記受動素子として、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする請求項１３から２０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２２】
前記電子部品が前記インダクタを備えたコモンモードチョークコイルであり、前記基板として磁性体基板を使用し、前記浅溝加工の前に前記複数の導体層間に磁性体材料を含む層を充填することを特徴とする請求項２１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
内部に設けられた受動素子と、
該受動素子を覆う絶縁層と、
該絶縁層の外側に、少なくとも当該電子部品の上面の一部まで伸長して形成されており、前記受動素子に電気的に接続された複数の導体層と、
当該電子部品の上面の一部において前記複数の導体層上に被着して形成されていると共に当該電子部品の側面の一部にも形成された、各々がＬ字状断面を有する複数の外部電極と
を備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の外部電極の各々が、前記上面と前記側面との間でのみＬ字状断面を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数の外部電極の各々が、前記上面と前記側面との間及び２つの前記側面間でＬ字状断面を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数の導体層が当該電子部品の上面の一部及び側面の一部まで伸長して形成されており、前記複数の外部電極が当該電子部品の上面の一部及び側面の一部において前記複数の導体層上に被着して形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数の外部電極が、前記複数の導体層上にめっき形成された導体膜からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記導体膜が、金膜を含む多層膜又は錫膜で形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記複数の導体層が当該電子部品の上面の一部のみに伸長して形成されており、前記複数の外部電極が当該電子部品の上面の一部のみにおいて前記複数の導体層上に導通していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記複数の外部電極が、当該電子部品の上面の一部において前記複数の導体層上に及び当該電子部品の側面の一部に形成された下側導体膜と、該下側導体膜上にめっき形成された上側導体膜とからなることを特徴とする請求項１から３及び７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記下側導体膜が、銅膜を含む多層膜で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記上側導体膜が、金膜を含む多層膜又は錫膜で形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記受動素子が、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記電子部品が、前記インダクタと、磁性体材料を含む絶縁層と、前記インダクタを載置した磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記複数の導体層の一部が該側面に露出するように溝加工を行い、
上面及び側面に露出する前記複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１４】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記複数の導体層の一部が該側面に露出するように前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、
該分離した個々の電子部品において上面及び側面に露出する前記複数の導体層上に外部電極をそれぞれめっき形成する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１５】
個々の電子部品に分離した後、該電子部品の面取りを行うことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】
金膜を含む多層膜又は錫膜をめっきして前記外部電極を形成することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
該複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記第３の絶縁層の一部が該側面に露出するように浅溝加工を行い、
上面に露出する前記複数の導体層の上及び側面に露出する前記第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、
該外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１８】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
該第１の絶縁層上に複数の受動素子を形成し、
該複数の受動素子上に第２の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子にそれぞれ電気的に接続され、上面に露出する複数の導体層を該第２の絶縁層の外側に形成し、
該複数の導体層の外側に第３の絶縁層を形成し、
前記複数の受動素子をそれぞれ含む複数の電子部品の側面が露出し、前記第３の絶縁層の一部が該側面に露出するように浅溝加工を行い、
上面に露出する前記複数の導体層の上及び側面に露出する前記第３の絶縁層の一部の上に外部電極用下側導体膜をスパッタ形成し、
前記基板を完全に切断して個々の電子部品に分離し、
該分離した個々の電子部品における前記外部電極用下側導体膜上に外部電極用上側導体膜をめっき形成する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１９】
銅膜を含む多層膜をスパッタして前記外部電極用下側導体膜を形成することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】
金膜を含む多層膜又は錫膜をめっきして前記外部電極用上側導体膜を形成することを特徴とする請求項１７から１９のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記受動素子として、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする請求項１３から２０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２２】
前記電子部品が前記インダクタを備えたコモンモードチョークコイルであり、前記基板として磁性体基板を使用し、前記浅溝加工の前に前記複数の導体層間に磁性体材料を含む層を充填することを特徴とする請求項２１に記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図９】
【図１０ａ】
【図１０ｂ】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図４ａ】
【図４ｂ】
【図５】
【図６ａ】
【図６ｂ】
【図７ａ】
【図７ｂ】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図９】
【図１０ａ】
【図１０ｂ】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【公開番号】特開２０１１−７１４５７（Ｐ２０１１−７１４５７Ａ）
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６１７４０（Ｐ２００９−２６１７４０）
【出願日】平成２１年１１月１７日（２００９．１１．１７）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１７日（２００９．１１．１７）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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